Массо- и теплоперенос при осаждении металлических пленок в установке СВЧ-ЭЦР разряда тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.14, доктор технических наук Полуэктов, Николай Павлович

• Полуэктов, Николай Павлович
• доктор технических наук
• 2004

Оглавление диссертации доктор технических наук Полуэктов, Николай Павлович

Обозначения

Введение

Глава 1. Анализ современного состояния плазмохимических установок для осаждения и травления тонких пленок

1.1. Магнетронные распылительные системы

1.2. Установки с высокочастотным емкостным разрядом

1.3. Установки с индуктивным разрядом

1.4. Геликоны

1.5. Установки на основе СВЧ-ЭЦР разряда

Глава 2. Краткая теория ЭЦР - разряда и его применение

2.1. Баланс мощностей в СВЧ- разрядах

2.2. Распространение СВЧ- волн в магнитоактивной плазме

2.3. Конфигурации магнитного поля в установках с СВЧ -ЭЦР - плазмой

2.4. Получение тонких пленок в СВЧ-ЭЦР установках

Глава 3. Установка СВЧ - ЭЦР разряда

3.1. Назначение, общая характеристика и особенности установки

3.2. Разрядная камера, система вакуумирования и подачи газа

3.3. СВЧ- система

3.4. Магнитная система

3.4.1. Соленоидальные электромагниты

3.4.2. Постоянные магниты

Глава 4. Автоматизированная система диагностики

4.1. Зондовые измерения

4.2. Оптические измерения

Глава 5. Влияние геометрии магнитного поля на параметры СВЧ-ЭЦР плазмы

5.1.1. Разряд в соленоидальном поле.

5.1.2. Разряд в гибридном магнитном поле

5.1.3. Разряд в касповом магнитном поле.

Глава 6. Исследование процесса ионизации распыленных атомов металла

Глава 7. Измерение тепловых потоков на подложку

Глава 8. Расчет толщины пленок, получаемых методом распыления цилиндрической мишени. Сравнение с экспериментом.

Глава 9. Эксперименты по металлизации микроструктур с использованием ионизации атомов металла

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Массо- и теплоперенос при осаждении металлических пленок в установке СВЧ-ЭЦР разряда»

Одним из принципиальных направлений развития электронной компонентной базы является создание сверхбольших интегральных схем (СБИС) с многослойной топологией кристалла (концепция «вертикальной интеграции»). За рубежом уже освоены промышленностью многослойные (3-5 слоев) интегральные микросхемы с минимальными поперечными размерами элементов 0.13 мкм и менее. Производство таких микросхем основано на использовании так называемой "дамасской" технологии (Рис.1). В этой технологии в межслойном диэлектрике сначала методом травления создаются канавки (тренчи) и сквозные отверстия контактных

SIN им мз

М2 иежурсвневый диэлвитрмк

М' .

МЗ

1 -2

М2 p-SI

КРЕМНИЕВАЯ ПОДЛОЖКА

Рис.!. Поперечное сечение интегральной микросхемы с 4-мя уровнями металлизации в области расположения МДП-трашистора. 1- шины многоуровневой металлизации, 2 - барьерный слой, 3 - адгезионный слой, 4 - межуровнев[,1Й диэлектрик. окон. Обеспечение соединения транзисторов осуществляется осаждением металла в таких канавках и контактных окнах с аспектным отношением (высота/ширина отверстия) 4 -1. При создании металлических соединений внутри окна сначала наносится контактирующий, адгезионный слой (как правило, пленки титана или тантала толщиной 10-30 нм), который обеспечивает электрический контакт и адгезию между металлическими шинами разных уровней, а также адгезию многослойной структуры к материалу межуровневого диэлектрика. Поверх него осаждается барьерный слой (пленки нитрида титана или тантала толщиной <50 нм) для предотвращения диффузии металла с межуровневым диэлектриком. Далее производится заполнение окна металлом (для верхних слоев используются алюминий и медь).

При уменьшении технологических размеров тренчей и контактных/переходных окон менее 0. 5 мкм с аспектным отношением более 2 использование для металлизации хорошо отработанного электронной промышленностью магнетронного разряда встречает принципиальные трудности. В настоящее время основным процессом создания металлизации СБИС является ионный (физический) метод распыления, когда в результате бомбардировки катода-мишени положительными ионами инертного газа происходит выбивание атомов металла. Поток распыленного металла состоит почти на 100% из атомов, их угловое распределение близко к косинусному (по отношению к нормали). Изотропное распределение частиц приводит к тому, что на верхней части субмикронной структуры образуется навес, а внутри -полость. Чтобы провести анизотропную металлизацию узкого отверстия, необходим поток частиц, приходящий на поверхность подложки вдоль нормали.

Одним из возможных способов фильтрации распыленных под большими углами атомов является применение коллиматоров - пластин с отверстиями определенной высоты и диаметра, устанавливаемых между мишенью и подложкой. Недостатком коллиматоров является резкое уменьшение скорости напыления и изменения её в процессе эксплуатации вследствие осаждения металла и уменьшения диаметра отверстий. Кроме того, качество металлизации в таком методе, ухудшается для структур с поперечными размерами менее 0.25 мкм и аспектным отношением >3.

Более привлекательным методом решения данной проблемы является ионизации распыляемого металла, так как на ионы можно воздействовать электрическим полем слоя перед подложкой. С этой целью изучаются различные виды разрядов с плазмой высокой плотности (более 10псм"3) -совмещение магнетронного разряда с индуктивным для дополнительной ионизации металла, сверхвысокочастотный разряд в условиях электронно-циклотронного резонанса (СВЧ-ЭЦР) и другие. Так как плазма в этих разрядах создается в большом объеме, на пути от мишени к подложке (1020 см) атомы металла могут ионизоваться. Для повышения степени ионизации распыленных атомов металла разряд в установках с совмещенным магнетронным и индуктивным разрядами производится при давлении 30-50 мТор. При таких давлениях возрастает время нахождения атомов металла в области разряда, и как следствие, вероятность ионизации. Однако довольно большое давление увеличивает количество рассеиваемых атомов и существенно снижает скорость осаждения пленки. По расчетам на подложку, находящуюся на расстоянии 15 см от мишени, приходит только не более 1% распыленных с мишени атомов. Поэтому проводятся исследования по достижению высокой степени ионизации атомов металла при давлениях порядка 1 мТор.

Свойства получаемых металлических пленок зависят от температуры подложки и потока частиц. Такими частицами в установках с распылением могут быть ионы и атомы металла и плазмообразующего газа (Аг, Кг, Хе, N2 и т.д.). Положительные ионы с энергией 20-30 эВ приходят на изолированную подложку вследствие ускорения в пограничном слое с разностью потенциалов, образующимся около нее. Эту энергию можно увеличить, прикладывая электрическое напряжение к подложке. Поток атомов с энергией сотни эВ возникает, когда ион плазмообразующего газа при ударении в мишень превращается в атом и отражается от нее.

Плазма при низких давлениях характеризуется сильной неравновесностью: температура электронов 2-10 эВ(1эВ = 11600 К), в то время как температура атомов и ионов на два порядка меньше. Образование пленок при воздействии больших потоков ионов и атомов не может быть описано равновесной термодинамикой и, как следствие, часто наблюдается образование метастабильных фаз. Способность синтезировать материалы при существенно более низких температурах по сравнению с равновесными - важное свойство разрядов при низких давлениях в установках плотной плазмы.

Морфология пленок, получаемых методом распыления мишени, была описана Торнтоном [1] и показана на Рис. 2.

Рис.2. Структура пленок, получаемых методом распыления мишени, При низких температурах поверхности (Т<0.3 TraaM) и малых потоках частиц (зона 1) пленка состоит из зерен в виде конусов и значительными зазорами между ними. Объем пустот может достигать 30%. При температуре подложки 0.3TraaBn <Т< 0.5TraaBn (зона Т) и значительных потоках ионов пленка имеет волокнистую структуру, в которой кристаллы растут перпендикулярно поверхности подложки с плотной упаковкой (пустоты 5%). Поток энергетичных частиц перераспыляет атомы' металла со слабой адгезией, стимулирует поверхностную миграцию атомов металла и, в конечном счете, приводит к образованию пленок с высокими физическими и электрическими параметрами. Кроме того, только под действием потока энергетических частиц можно получать пленки с различной кристаллической структурой. Такая морфология пленок желательна для многих приложений. Для 0.5TraaM <Т< 0.8Тплавл (зона 2) повышенная поверхностная диффузия приводит к образованию столбчатых зерен. При дальнейшем повышении температуры поверхности образуются хаотически расположенные кристалла и пленка принимает поликристаллические свойства.

Таким образом, для получения металлических пленок в глубоких канавках субмикронных размеров с высокими физическими и электрическими свойствами необходимо изучить массо- и теплоперенос атомов и ионов металла и плазмообразующего газа на подложку.

Анизотропная металлизация глубоких субмикронных канавок и отверстий зависит от отношения потока ионов металла (вдоль нормали) к полному потоку металла (атомы + ионы). Потоки ионов плазмообразующего газа с энергией более 20 эВ кроме упомянутых выше воздействий могут вызвать перераспыление уже осажденных атомов металла. Для выяснения процесса ионизации атомов металла необходимо измерить следующие величины: концентрацию и функции распределения электронов, атомов и ионов металла по энергиям на разных расстояниях от мишени. Эти измерения достаточно сложны, требуют использования автоматизированных систем диагностики и трудоемки, на что указывает малое число отечественных и зарубежных публикаций.

Целью данной работы является:

Исследование процессов переноса массы и энергии атомов и ионов в плазме СВЧ-ЭЦР разряда, используемого для металлизации глубоких субмикронных структур СБИС.

Как известно, электронная промышленность России только осваивает субмикронную технологию производства СБИС. Так как промышленных установок с плазмой высокой плотности в России нет, предлагаемые в настоящем проекте исследования с использованием плазмы СВЧ-ЭЦР разряда несомненно имеют важное значение.

Актуальность задачи металлизации субмикронных структур СБИС подтверждается включением ее в отдельный раздел "Исследование проблем многоуровневых соединений глубокосубмикронных СБИС" Перечня научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ федеральной целевой программы "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития науки и техники на 2002-2006 годы".

В настоящей работе представлено описание экспериментального источника плазмы, создаваемой в магнитном поле в результате поглощения сверхвысокочастотной (СВЧ) волны в условиях с электронно-циклотронного резонанса (ЭЦР), и приведены результаты исследований плазмы, создаваемой источником при следующих условиях: уровень подводимой СВЧ-мощности W = (100-1000) Вт; плазмообразующие газы -аргон, криптон, ксенон; рабочее давление р = (0.2-10) мТор; индукция магнитного поля В < 1400 Гс. В задачи работы входило:

1. Проектирование и изготовление экспериментальной технологической установки СВЧ-ЭЦР разряда, включающей разрядную и технологическую камеры, систему вакуумирования и подачи газа, СВЧ- систему, магнитную систему.

2. Проектирование и изготовление автоматизированного комплекса диагностики, предназначенного для систематических экспериментов на опытной установке с СВЧ-ЭЦР-источником плазмы в направлении плазменных технологий напыления и травления тонких пленок.

3. На основе зондовых и спектральных методов диагностики проведение измерений пространственных распределений основных теплофизических параметров плазмы, создаваемых СВЧ-ЭЦР-источником при различных уровнях СВЧ-мощности, давлениях и конфигурациях магнитного поля.

4. Исследование процесса ионизации распыленных атомов металла.

5. Проведение экспериментов по измерению тепловых потоков на обрабатываемую подложку при различных рабочих давлениях.

6. Расчет толщины пленок, получаемых методом распыления цилиндрической мишени и его сравнение с экспериментом.

7. Проведение экспериментов по металлизации микроструктур с использованием ионизации атомов металла.

Заключение диссертации по теме «Теплофизика и теоретическая теплотехника», Полуэктов, Николай Павлович

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Проведены исследования физических процессов для разработки плазменной технологии металлизации глубоких субмикронных структур СБИС на установке СВЧ - ЭЦР разряда. Полученные результаты могут быть применимы как к установкам СВЧ-ЭЦР разряда других конструкций, так и другим типам установок с плазмой высокой плотности на основе индуктивного и геликонного разрядов.

2. Разработана защищенная патентом РФ экспериментальная технологическая установка СВЧ-ЭЦР разряда, предназначенная для отработки различных технологических процессов, таких как ионная очистка и подготовка поверхности подложки, получение тонких пленок методами ионного распыления мишени и осаждения из газовой фазы и травление полупроводниковых материалов

3. Разработана и создана автоматизированная система диагностики, осуществляющая зондовые, спектральные и технологические измерения, которая позволяет производить мониторинг теплофизических параметров плазмы и подложки на экспериментальной установке СВЧ - ЭЦР- разряда.

4. Проведены исследования основных теплофизических параметров плазмы СВЧ- ЭЦР- разряда и процесса ионизации распыленных атомов алюминиевой, медной и титановой мишеней в области мишень-подложка. Определены оптимальные режимы для получения высокой однородности или высокой концентрации плазмы. По результатам зондовых и спектральных измерений были определены степени ионизации потоков алюминия 70%, титана 70%, меди 45%. Данные величины были подтверждены по измерениям толщины пленок, осажденных на различных поверхностях субмикронных канавок.

5. В результате экспериментальных исследований тепловых потоков из плазмы на подложку определено, что основной вклад в нагрев подложки вносит поток ионов инертного газа. Без активного охлаждения поток ионов 0.85 Вт/см2 приводит к нагреву подложки до 300° С.

6. Проведен расчет толщины пленок, получаемых методом распыления цилиндрической мишени при условиях пренебрежения столкновений с атомами инертного газа. Сравнение данных расчетов с экспериментальными показывает, что предложенная модель при давлениях менее 1 мТор качественно правильно описывает процесс переноса распыленных атомов металла от мишени к подложке.

7. Проведены экспериментальные исследования по металлизации канавок с поперечными размерами 0.7-2 мкм и глубиной в 1-4.5 раза больше с использованием ионизации атомов алюминия, меди и титана. Данные структуры используются при создании многоуровневых СБИС нового поколения. Профили слоев на различных поверхностях канавки указывают на анизотропный характер заполнения канавок и свидетельствуют о наличии значительного потока ионов металла, приходящего на подложку вдоль нормали. Эксперименты показали, что данная технология позволяет успешно проводить качественную металлизацию глубоких канавок субмикронных поперечных размеров при давлении менее 1 мТор и температурах подложки менее 200°С.

Список литературы диссертационного исследования доктор технических наук Полуэктов, Николай Павлович, 2004 год

1. Thornton J.A. The microstructure of sputter-deposited coatings. // J.Vac.Sci.Technol. - 1986, V.4A, №6, pp. 3059 - 3065.

2. Данилин Б.С. Применив низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. М.Энергоиздат, 1989.

3. Лабутов В. А. Данилович Н.И. Современные магнетронные распылительные устройства. Зарубежная электронная техника. 1982. Вып. 10., сс.3-62.

4. Rossnagel S.M. Directional and preferential sputtering-based physical vapor deposition. Thin Solid Films 1995 V.263, pp.1-12.

5. Klawuhn E., D'Couto G.C., Ashtiani K.A., Rymer P., Biberger M.A., Levy K.B. Ionized physical-vapor deposition using a hollow-cathode magnetron source for advanced metallization. J.Vac.Sci.Technol. 2000. - A18(4). - pp. 15461549.

6. Плазменная технология в производстве СБИС. Пер. с англ. Ред. Айспрук Н, Браун Д., М. Мир 1987.

7. Keller J.H. Inductive plasmas for plasma processing. Plasma Sources Sci. Technol. 1996 V.5, pp.166-172.

8. Hershkowitz N. Role of Plasma-Aided Manufacturing in Semiconductor Fabrication. IEEE Trans. Plasma Sci. 1998, V.26, N6, pp. 1610-162.

9. Quick A.K. Electron beam neutralization of large aspect ratio features during plasma etching. Ph.D. dissertation, Univ. Wisconsin, Madison, 1998.

10. Collison W.Z., Ni T.Q., Barnes M. S. Studies of the low-pressure indutively-coupled plasma for a larger area wafer 1998, V.16 N.l pp.100 -107.

11. Hopwood J. Qian F. Mechanism for highly ionized magnetron sputtering. J.Appl. Phys. 1995. V.78. №2. pp.758-765.

12. Nickols C.A., Rossnagel S.M., Hamaguchi S. Ionized physical vapor deposition of Cu for high aspect ratio damascene trench fill applications. J.Vac.Sci.Technol.1996. V.14B. № 5. pp.3270-3275.

13. Rossnagel S.M. Directional and ionized physical vapor deposition for microelectronics application J.Vac.Sci.Technol. 1998. V. В 16(5). Sep/Oct. pp. 2585-2608.

14. Charles C., Boswell R.W. Effect of wall charging on an oxygen plasma created in a helicon diffusion reactor used for silica deposition J.Vac.Sci.Technol. 1995, V.13A, №4, pp.2067-2073.

15. Bell.F.H., Joubert O., Vallier L. Polisilicon gate etching in high density plasmas. Process optimization using chlorine-based chemistry. J.Vac.Sci.Technol. 1996, V.14B, №1, pp.96-101.

16. Chabert P., Boswell R.W., Davis C. Investigation of a SF6 helicon plasma. J.Vac.Sci.Technol. 1998, V.16A, №1, pp.78-86.

17. Shinohara S. Propagation wave characteristics for plasma production in plasma processing field. Jpn.J.Appl.Phys. 1997, V.36, Pt.l, № 7B, pp.46954703.

18. Ландау JI.Д., Лившиц Е.М. Электродинамика сплошных сред. М.:Физматгиз, 1959.

19. Шафранов В.Д. Электромагнитные волны в плазме. В сб."Вопросы теории плазмы" Вып.З, М.: Госатомиздат, 1963.

20. Гинзбург В.Л. Распространение электромагнитных волн в плазме. М.: Наука, 1967.

21. Dusek V., Musil J. Microwave plasmas in surface treatment technologies. Czech. J. Phys. 1990, V.40, pp.1185-1204.

22. Asmussen J. The design and application of ECR discharges IEEE. Trans.Plasma Sci. 1997, V.25, №6, pp.1196-1220.

23. Salbert G.T., Reinliard D.K., Asmussen J. Oxide growth on silicon using a microwave electron cyclotron resonance oxygen plasma J. Vac. Sci. Technol. 1990, V.A8, No.3, pp.2919-2923.

24. Dahimene M., Asmussen J. The performance of a microwave ion source immersed in a multicusp static magnetic field J. Vac. Sci. Technol. 1986, V.B4, No.l, pp.126-130.

25. Asmussen J., Lin H.H., Manring B, Fritz R. Single-mode or controlled multimode microwave cavity applicators for precision materials processing. Rev. Sci. Instrum. 1987, V.58, No.8.

26. Asmussen J., Hopwood J., Sze F.O.// A 915 MHz/2.45 GHz ECR plasma source for large area ion beam and plasma processing. Rev. Sci. Instrum. 1990, V.61, No.l, pp.250-252.

27. Ghanbari E., Trigor I., Nguen T. A broad-beam electron cyclotron resonance ion source for sputtering, etching and ' deposition of material. J. Vac. Sci. Technol. 1989, V.A7, No.3, pp.916-922.

28. Torii Y. et al. A high-current density and long lifetime ECR source for oxygen implanters. Rev. Sci. Instrum. 1990, V.61, No.l, pp.253-255.

29. Samukawa S., Ohtake H. Pulse-time-modulated ECR plasma discharge for highly selective, highly anisotropic, and charge-free etching J.Vac.Sci. Technol. 1996, V.14A, №6, pp.3049-3058.

30. M.Matsuoka, K.Ono. Crystal structures and optical properties of ZnO films prepared by sputtering-type electron cyclotron resonance microwave plasma. J. Vac. Sci. Technol. 1989, V.A7, No.5, pp.2975-2982.

31. S.Shingubara et al. Vertical and lateral hole aluminum filling characteristics employing electron cyclotron resonance plasma sputtering with high magnetic field. Appl. Phys. Lett. 1993, V.63,-No.6,9, pp.737-739.

32. Holberg W.M. et.al. J.Vac.Sci.Technol.1993, V.13A, pp.2903-2908.

33. Gorbatkin S.M., Rossnagel S.M. Cu metallization using a permanent magnet ECR microwave plasma/sputtering hybrid system. J.Vac.Sci.Technol. 1996, V.14B, №3, pp. 1853-1859.

34. Полуэктов Н.П., Харченко B.H., Усатов И.Г. Ионизация распыленных атомов металла в СВЧ-ЭЦР источнике плазмы. Физика плазмы. 2001. -т.27. №7. - С.664-672.

35. Schneider J.M., Rohde S., Sproul W.D., Matthews A Recent developments in plasma assisted physical vapor deposition. J.Phys.D:Appl.Phys. 2000. -Vol.33, pp. R173-R186.

36. J.Asmussen. ECR microwave discharges for etching and thin-film deposition. J. Vac. Sci. Technol. 1989, V.A7, No.3, pp.883-893.

37. В.Е.Голанд, А.П.Жилинскии, С.А.Сахаров. Основы физики плазмы. М.:Атомиздат, 1977.

38. М.Хилд, С.Уортон. Микроволновая диагностика плазмы. М.:Атомиздат, 1968.

39. М.Б.Виноградова, О.В.Руденко, А.П.Сухоруков. Теория волн. М.:Наука, 1979.

40. O.A.Popov. J. Vac. Sci. Technol. 1991, V.A9, №3, p.711-716.

41. M.Tanaka et al. Overdence Plasma Production Using Electron Cyclotron Waves. Journal of the Physical Society of Japan. 1991, V.60, No.5, pp.16001607.

42. R.Hidaka et al. 8" Uniform Electron Cyclotron Resonance Plasma Source Using a Circular TE0i Mode Microwave. Jpn. J. Appl. Phys. 1993, V.32, Pt.l, No.lA, pp.174-178.

43. N.Hirotsu, Y.Yamaguchi, R.Hidaka, M.Tanaka, Y.Kawai. Production Mechanism of a Large-Diameter Uniform Electron Cyclotron Resonance Plasma

44. Generated by a Circular TE0i Mode Microwave. Jpn. J. Appl. Phys. 1994, V.33, Pt.l, No.5A, pp.2712-2717.

45. O.A.Popov. Electron cyclotron resonance plasmas excited by rectangular and circular microwave modes. J. Vac. Sci. Technol. 1990, V.A8, No.3, pp.29092912.

46. G.Neumann, K.-H.Kretschmen. Characterization of a new electron cyclotron resonance source working with permanent magnets. J. Vac. Sci. Technol. 1991, V.B8, No.3, pp.334-338.

47. M.Matsuoka, K.Ono. Magnetic field gradient effects on ion energy for electron cyclotron resonance microwave plasma stream. J. Vac. Sci. Technol. 1988, V.A6, No.l, pp.25-29.

48. S. Satukawa, S.Mori, M.Sasaki. Ion current density and its uniformity at the electron cyclotron resonance position in electron cyclotron resonance plasma. J. Vac. Sci. Technol. 1991, V.A9, No.l, pp.85-90.

49. E.Kubota et al. Effects of Magnetic Field Gradient on Crystallographic Properties in Tin-Doped Indium Oxide Films Deposited by Electron Cyclotron Resonance Plasma Sputtering. Jpn. J. Appl. Phys. 1994, V.33, Pt.l, No.9A, pp.4997-5004.

50. H.Nishimura, M.Kiuchi, S.Matsuo. Processing Uniformity Improvement by Magnetic Field Distribution Control in Electron Cyclotron Resonance Plasma Chamber. Jpn. J. Appl. Phys. 1993, V.32, Pt.l, No.IB, pp.322-326.

51. G.D.Alton, D.N.Smithe. Design studies for an advanced ECR ion source. Rev. Sci. Instrum. 1994, V.65, No.4, pp.775-787.

52. Itsumu M., Ohfuji S. Akiya I. ECR sputtering SrTi03 thing films Jpn.J.Appl.Phys. 1996, V.35, Pt.l, №9B,pp.4963-4966.

53. Abe Y., Fukuda Т. ТЮ2 films formed by ECR plasma. Jpn.J.Appl.Phys. 1994, V.33, Pt.2, №9A, pp.L1248-L1250.

54. K.Nomura, H.Ogawa. BinSiC^o Thin Films Grown by Electron Cyclotron Resonance Plasma Sputtering with a Bi and Si Multitarget System. Jpn. J. Appl. Phys. 1991, V.30, No.l2B, pp.3796-3801.

55. Gorbatkin S.M., Berry L.A., Roberto J.B. J.Vac. Sci.Technol. 1990, V.8A, №3, P.2893-2899.

56. T.Akahori, A.Tanihara, M.Tano. Preparation of TiN Films by Electron Cyclotron Resonance Plasma Chemical Vapor Deposition. Jpn. J. Appl. Phys. 1991, V.30, No.l2B, pp.3558-3561.

57. M.Okamoato, Y.Utsumi, Y.Osaka. Formation and Properties of Cubic Boron Nitride Films on Tungsten Carbide by Plasma Chemical Vapor Deposition. Jpn. J. Appl. Phys. 1992, V.31, Pt.l, No.10, pp.3455-3460.

58. C. Doughty, S.M.Gorbatkin, T.Y.Tsui, G.M.Pharr, D.L.Medlin. Hard boron-suboxide-based films deposited in a sputter-sourced, high-density plasma deposition system. J.Vac.Sci.Technol. 1997, V.15A, №5, pp.2623-2626.

59. A.Hiraki et al. Deposition of wide-area diamond films in magneto -microwave plasma. Nuclear Instruments and Methods of Physics Research. North-Holland, Amsterdam, 1989, В 37/38, pp.799-806.

60. D.L.Youchison, C.R.Eddy, Jr. and B.D.Sartwell. Characterization of electron cyclotron resonance plasmas optimized for the deposition of polycrystalline diamond films. J. Vac. Sci. Technol. 1993, V.A11, No.l, pp. 103-114.

61. Болдырев B.P., Полуэктов Н.П., Харченко B.H. Экспериментальное исследование динамики процессов в импульсной плазменной центрифуге. Физика плазмы, 1985, т.11, вып.4, сс.425-429.

62. Poluektov N.P., Kharchenko V.N., Zverev V.N. Pecularities of Heat-Mass Transfer and MHD processes in pulsed plasma centrifuge. J.Exper.THTFM. 1990, V.3, №6, pp.567-573.

63. A.C.La Fontaine, P.Louvet. Study of an ECR sputtering plasma source. Plasma Sources Sci. Technol. 1999, V.8, pp.128-135.

64. Полуэктов Н.П., Царьгородцев Ю.П. Экспериментальная технологическая установка с СВЧ ЭЦР плазмой. Приборы и техника эксперимента, 1996, № 4, сс. 150-155.

65. Авдеев А.В., Полуэктов Н.П., Царьгородцев Ю.П. Автоматизированная система спектральной диагностики. Нач.Тр.МГУЛ. Автоматизация и компьютеризация информационной техники и технологии. Вып.258, 1993 г., сс.63-68.

66. N.P.Efremov, N.P.Poluektov. New tomographic approach for deconvolution of ion velocity and temperature profiles in a plasma centrifuge. J.Phys. D: Appl.Phys. 1998, V.31, pp. 988-995.

67. N.P.Efremov, N.P.Poluektov. Tomography of ion and atom temperatures in plasmas. J.Quant.Spectr.Radiat.Transfer.1998, v.60, N.4, pp.523-529.

68. Н.П.Полуэктов, Д.М.Биденко. Зондовая система диагностики плазмы на установке СВЧ-ЭЦР разряда. Лесной вестник 2000, №2, сс.78-82.

69. Д.М.Биденко, Н.П.Полуэктов. Оптическая диагностика на экспериментальной технологической установке СВЧ-ЭЦР разряда. Науч.тр.МГУЛ. Экология, мониторинг и рациональное природопользование. 2000, вып.307(И), сс. 262-269.

70. О.В.Козлов. Электрический зонд в плазме. М.:Атомиздат, 1969.

71. Ю.П. Райзер. Физика газового разряда. М.:Наука, 1987.

72. К. де Бор. Практическое руководство по сплайнам. М.:Радио и связь, 1985.

73. Методы исследования плазмы. Под ред. В.Лохте-Хольтгревена. М.:Мир, 1971.

74. Радциг А.А, Смирнов Б.М. Параметры атомов и ионов. М., Энергия, 1968.

75. Dony M.F., Dauchot J.P., Wautelet М. Diagnostic by optical absorption of sputtered atom density in magnetron discharges. J.Vac.Sci.Technol. . 2000,1. V. 18A, pp.809-813.

76. V.N.Kharchenko, N.P. Poluektov, Yu.P.Zargorodzev. Electron Cyclotron Resonance Plasma Source with High Magnetic Field Uniformity. Proc. 11-th International Conference on Gas Discharges and their Applications. 11-15 September 1995, Tokyo.

77. Полуэктов Н.П., Царьгородцев Ю.П., Усатов И.Г. Влияние геометрии магнитного поля на параметры СВЧ-ЭЦР плазмы Физика плазмы. 1999. т.25. №10. - С.981-987.

78. Hopwood J. Ionized physical vapor deposition of integrated circuit interconnects. Physics of Plasmas.-1998, V.5, №5, P.1624-1631.

79. Lieberman M.A, Lichtenberg. A.J. Principles of plasma discharges and Materials Processing: N.Y., Wiley, 1994, - 577p.

80. В.Н.Харченко, Н.П.Полуэктов, Ю.П.Царьгородцев, И.Г.Усатов, И.А.Камышов. Исследование ионизации распыленных атомов алюминия в СВЧ-ЭЦР разряде для металлизации субмикронных структур СБИС. Лесной вестник 2002 г., №1,сс.6-15.

81. В.Н.Харченко, Н.П.Полуэктов, Царьгородцев Ю.П., Усатов И.Г., Камышов И.А. Исследование процессов ионизации алюминия в плазме СВЧ-ЭЦР разряда. Изв.вузов.ЭЛЕКТРОНИКА, 2003, № 3, сс. 6-15.

82. N.P.Poluektov, V.N.Kharchenko, I.A.Kamyschov. Thermalization of sputtered aluminium atoms in an ECR plasma source. Plasma Sources Sci.Technol. 2003, v. 12, 449-453.

83. Ефремов Н.П., Полуэктов H., Харченко В.Н. Томография скорости и температуры атомов и ионов в плазме. Сибирский физико-технический журнал. 1992, т.2, сс.35-39.

84. N.P.Efremov, N.P.Poluektov, V.N.Kharchenko. Tomography of ion and atom velocities in plasmas. J.Quant.Spectr.Radiat.Transfer.1995, v.53,N.6, pp.723-728.

85. Thompson M.W. 1968 Philos.Mag. 15 1.

86. Л.Н.Розанов. Вакуумная техника. M.: Высшая школа, 1982.

87. Allain М.С., Hayden D.B., Juliano D.R., Ruzic D.N. Characterization of magnetron-sputtered partially ionized deposition as a function of metal and gas species. J.Vac.Sci.Technol.-2000, V.18A, pp.797-801.

88. Westwood WD, \91S J. Vac. Sci.Technol. 15 1