Повышение адгезии металлических покрытий на нитриде алюминия при нанесении магнетронной распылительной системой с горячей мишенью тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат наук Зау Пхо Аунг

• Зау Пхо Аунг
• кандидат наук
• 2021

Оглавление диссертации кандидат наук Зау Пхо Аунг

ОГЛАВЛЕНИЕ

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. АНАЛИЗ МАТЕРИАЛОВ ПОДЛОЖКИ, СПОСОБОВ ФОРМИРОВАНИЯ ТОКОПРОВОДЯЩЕГО ПОКРЫТИЯ И ВАРИАНТОВ ПОВЫШЕНИЯ АДГЕЗИОННОЙ ПРОЧНОСТИ ПОКРЫТИЙ ПРИ МЕТАЛЛИЗАЦИИ КЕРАМИКИ

1.1. Анализ керамических материалов, используемых в электронной промышленности при производстве силовых модулей и электровакуумных приборов

1.2. Способы получения проводящих покрытий при металлизации на подложке из нитрида алюминия для изготовления силовых модулей

1.3. Анализ методов повышения адгезионной прочности при металлизации

на поверхности подложки из нитрида алюминия

1.4. Выводы по первой главе

ГЛАВА 2. ЛАБОРАТОРНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ, ИСПОЛЬЗУЕМОЕ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ НА НИТРИДЕ АЛЮМИНИЯ

2.1. Описание лабораторной установки для нанесения металлических покрытий в вакууме

2.2. Экспериментальный стенд для исследования тепловыделения магнетронной распылительной системы

2.3. Оборудование для измерения адгезионной прочности покрытий

2.4. Вывод по второй главе

Стр.

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕПЛОВЫХ РАСПРЕДЕЛЕНИЙ МАГНЕТРОННОЙ РАСПЫЛИТЕЛЬНОЙ СИСТЕМЫ С ГОРЯЧЕЙ МИШЕНЬЮ

3.1. Разработка физической модели тепловых процессов магнетронной распылительной системы

3.2. Экспериментальные исследования тепловых режимов при нанесении покрытий магнетроном с горячим катодом

3.3. Выводы по третьей главе

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ РЕЖИМОВ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ НА ИХ АДГЕЗИОННУЮ ПРОЧНОСТЬ

4.1. Исследование адгезионной прочности покрытий при нанесении адгезионного подслоя магнетронной распылительной системой в режиме горячей мишени

4.2. Исследование энергетической эффективности магнетронной распылительной системы с горячей мишенью

4.3. Выводы по главе

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ И ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ

DBC - технология (Direct Bonded Copper - прямое медное соединение)

AMB - технология активной пайки металла

МРС - магнетронная распылительная система

JVD - пароструйное осаждение

КТР - коэффициент термического расширения

ХГН - технология (Холодное газодинамическое напыление)

ВВЕДЕНИЕ

Силовые электронные модули, и электровакуумные приборы содержат в конструкции элементы соединений металл-керамика. К таким соединениям предъявляются жесткие требования по адгезионной прочности и устойчивости к перепадам температур. Керамические детали устройств, как минимум, выполняют:

- функции несущего элемента конструкции;

- электрическую изоляцию токоведущих цепей друг от друга;

- отвод тепла, выделяемого на элементах конструкции.

Основными причинами отказов керамических узлов являются разрушения

соединений с металлом, вызванные термомеханическим напряжением, ударными и вибрационными воздействиями, а также усталостными процессами.

Адгезионная прочность покрытия на керамике зависит от многих факторов: материала подложки, материала пленки, технологии получения покрытия и др. В процессе эксплуатации керамические детали подвергаются тепловым и механическим нагрузкам, в том числе вибрации. Химическая и термомеханическая несовместимость материалов подложки и покрытия приводит к отслоению токо-проводящих дорожек, разрушению покрытия, перегреву электронных компонентов модуля и др.

Проблемы адгезионной прочности металлических покрытий на керамике в достаточной мере решены для таких материалов, как оксид алюминия и оксид бериллия. Однако, переход на керамику из нитрида алюминия снова поставил задачу достижения высоких показателей адгезионной прочности металлических покрытий.

Адгезия в месте соединения металл-керамика является проблемой для нитрида алюминия, необходимо наносить подслой металла, который хорошо активируется с керамикой. Для этого используют титан, хром, тантал и другие металлы, размещая их между проводящим слоем и подложкой.

На данный момент для металлизации токопроводящих слоев используются различные методы толстопленочных технологий, такие как DBC технология, АМВ - технология, холодное газодинамическое напыление. Переход на тонкопленочные технологии, такие как термическое испарение и магнетронное распыление, позволят снизить процент брака, повысить качество соединений и избежать недостатков, присущих толстопленочным технологиям.

До настоящего времени не решены проблемы высокой прочности соединения металл-керамика при металлизации нитрида алюминия методами тонкопленочных технологий. Поэтому данная работа посвящена исследованию методов тонкопленочных технологий применительно к формированию токопроводящих слоев меди и подслоя титана на подложках, выполненных из нитрида алюминия.

Вопросами тонких пленок, металлизации и адгезии занимались Панфилов Ю.В., Марахтанов М. К., Одиноков В.В., Флюренцев С., Непочатов Ю., Егоршев В.К. Исследованиями магнетронных распылительных систем с горячей и жидкой мишенью занимаются Шаповалов В.И., Блейхер В.П., Юрьева А.В., Сиделёв Д.В. Однако до настоящего времени нет работ, посвященных вопросам повышения адгезии при использовании магнетронных распылительных систем с горячей мишенью.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Повышение адгезии металлических покрытий на нитриде алюминия при нанесении магнетронной распылительной системой с горячей мишенью»

Цель работы

Создание научных основ металлизации нитрида алюминия для достижения максимальной адгезионной прочности получаемых покрытий с одновременным повышением энергетической эффективности процесса.

Задачи работы

1. На основе анализа исследований в области металлизации керамики определить перспективные методы, пригодные для металлизации подложек, изготовленных из нитрида алюминия.

2. Провести модернизацию лабораторной установки с целью исследований процесса металлизации керамических подложек, изготовленных из нитрида алюминия.

3. Разработать физическую модель, описывающую тепловые процессы, происходящие при работе магнетронной распылительной системы с горячей мишенью, с целью выявления зависимости энергетической эффективности магне-тронной распылительной системы от режимов ее работы.

4. Выявить зависимости скорости осаждения и адгезионной прочности получаемых покрытий, а также энергетической эффективности магнетронной распылительной системы от режимов ее работы.

Научная новизна работы

1. Разработана физическая модель, описывающая баланс тепловых потоков, возникающих на катоде магнетронной распылительной системы при ее работе в режиме горячей мишени, позволяющая определять энергетическую эффективность процесса распыления в зависимости от режимов работы.

2. На примере магнетронной распылительной системы с мишенью диаметром 75 мм установлено, что разогрев титановой мишени за счет ионной бомбардировки и искусственного снижения теплоотвода от мишени позволяет повысить энергетическую эффективность процесса распыления в полтора раза, с 11% до 15%.

3. На примере магнетронной распылительной системы с мишенью диаметром 75 мм установлено, что при работе в режиме горячей мишени с повышением мощности разряда рост энергетической эффективности процесса распыления с 11% до 15% сопровождается одновременным ростом скорости нанесения покрытий с 135 до 390 нм/с и адгезионной прочности с 13 до 68 МПа.

Практическая ценность работы

1. На базе лабораторной установки для отработки технологии получения многослойных покрытий в едином вакуумном цикле разработан и введен в эксплуатацию стенд, позволяющий исследовать тепловые и энергетические процессы, происходящие во время работы магнетронной распылительной системы. Стенд используется для выполнения научно-исследовательских работ студентов

и при проведении лабораторных работ при подготовке бакалавров по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Наноинженерия».

2. На основе физической модели, описывающей баланс тепловых потоков, возникающих на катоде магнетронной распылительной системы, работающей в режиме горячей мишени, разработана методика определения энергетической эффективности магнетронной распылительной системы, работающей в таком режиме.

3. Получены значения параметров технологических режимов, позволяющие достичь адгезионной прочности соединений металл-керамика не хуже 70 МПа для проводящих покрытий меди на подложках нитрида алюминия.

Методы исследований

Для решения поставленных задач в работе проанализированы механизмы нанесения покрытий при использовании магнетронной распылительной системы с горячей мишенью и проведены экспериментальные исследования, выполненные по плану полного факторного эксперимента. Результаты экспериментальных исследований обработаны методами дисперсионного анализа.

Для анализа технологических параметров и характеристик полученных покрытий применялся широкий перечень метрологического оборудования, позволяющий оценить и измерить температуру, давление ток и напряжение разряда при нанесении покрытий, адгезионные свойства покрытий.

Адгезионные характеристики покрытий измерялись методами сетчатых надрезов и методом отрыва.

Достоверность и обоснованность полученных результатов

Достоверность научных положений и выводов, содержащихся в диссертационной работе, подтверждается согласованностью полученных результатов с известными теоретическими и экспериментальными данными. Достоверность экспериментальных данных обеспечивается использованием современных средств измерений и стандартных методик проведения исследования, а также методов статистической обработки данных.

На защиту выносится

1. Физическая модель тепловых потоков, протекающих в магнетрон-ной распылительной системе с горячей мишенью, в частности уравнения теплового баланса на мишени.

2. Результаты исследований тепловых потоков и энергетической эффективности магнетронной распылительной системы с горячей мишенью и их зависимости от технологических режимов формирования покрытий.

3. Технологические режимы получения покрытий, обеспечивающие адгезионную прочность покрытий меди на нитриде алюминия не хуже 70 МПа.

Апробация работы

Основные положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на научных семинарах кафедры электронных технологий в машиностроении МГТУ им. Н.Э. Баумана, (г. Москва, 2016, 2017, 2018, 2019 гг.), на 25-й Всероссийской научно-технической конференции с международным участием «Вакуумная техника и технологии» (г. Санкт-Петербург, 2018 г.), на 26-й Всероссийской научно-технической конференции с международным участием «Вакуумная техника и технологии» (г. Санкт-Петербург, 2019 г.), на XXVI научно-технической конференции с участием зарубежных специалистов «Вакуумная наука и техника» (г. Судак, 2019 г.).

Основные положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на научных семинарах кафедры электронных технологий в машиностроении МГТУ им. Н.Э. Баумана, (г. Москва, 2016, 2017, 2018, 2019 гг.), на 25-й Всероссийской научно-технической конференции с международным участием «Вакуумная техника и технологии» (г. Санкт-Петербург, 2018 г.), на 26-й Всероссийской научно-технической конференции с международным участием «Вакуумная техника и технологии» (г. Санкт-Петербург, 2019 г.), на XXVI научно-технической конференции с участием зарубежных специалистов «Вакуумная наука и техника» (г. Судак, 2019 г.).

Внедрение результатов работы

Материалы диссертационной работы и полученные результаты использованы в учебном процессе кафедры электронных технологий в машиностроении МГТУ им. Н.Э. Баумана.

Результаты работы используются при разработке технологических процессов металлизации керамических подложек модулей силовой электроники, а также керамических элементов узлов электровакуумных приборов, выпускаемых АО «Плутон», что подтверждается актом внедрения.

Стенд для исследования тепловых процессов, протекающих при работе магнетронной распылительной системы с горячей мишенью, разработанный на базе лабораторной установки, целесообразно использовать в исследовательских лабораториях высших учебных заведений и научно-исследовательских центров.

Публикации

По теме диссертационной работы опубликованы 2 статьи в журналах из списка, рекомендуемого ВАК РФ, 3 статьи в журналах, входящих в систему цитирования SCOPUS и 3 доклада на всероссийских и международных научно-технических конференциях.

Личный вклад автора

Личный вклад автора состоит в проведении аналитического обзора методов металлизации; выявлении требований к соединениям металл-керамика; разработке, монтажу и наладке стенда для исследования тепловых процессов, происходящих при работе магнетронной распылительной системы с горячей мишенью; разработке физической модели, описывающей тепловые потоки, возникающие при работе магнетронной распылительной системы с горячей мишенью; проведении работ по отработке технологии и исследованию полученных образцов; обработке экспериментальных данных и выдаче рекомендаций по использованию результатов работы.

Структура и объём диссертации

Диссертация состоит из введения, пяти глав, основных результатов и выводов по работе, списка литературы из 1 11 наименований. Работа изложена на 106 страницах машинописного текста, содержит 55 рисунков и 16 таблиц.

Глава 1. Анализ материалов подложки, способов формирования токо-проводящего покрытия и вариантов повышения адгезионной прочности покрытий при металлизации керамики

1.1. Анализ керамических материалов, используемых в электронной промышленности при производстве силовых модулей и электровакуумных приборов

В настоящее время в качестве материалов подложки для изготовления силовых модулей и электровакуумных приборов используются различные виды керамики. Важными характеристиками являются механическая прочность, теплопроводность и коэффициент термического расширения.

Нитрид алюминия становится привлекательным материалом подложки во многих областях производства электронных технологий и силовых модулей [1, 2]. Кроме того, тенденция к созданию схем высокой плотности привела к увеличению использования медных материалов для формирования токопроводящих дорожек. Медные проводники имеют проводимость близкую к проводимости чистых золотых или серебряных проводников при существенно более низкой цене.

Детали из нитрида алюминия являются наиболее перспективным кандидатом для улучшения рассеивания тепла. Нитрид алюминия обладает несколькими отличными характеристиками: высокая теплопроводность, которая в 10 раз выше чем у оксида алюминия; коэффициент теплового расширения близкий к коэффициенту теплового расширения кремния; высокие электроизоляционные качества; низкая диэлектрическая постоянная и потерь; хорошие механические свойства; экологическая чистота и относительно низкая удельная стоимость, которая в 5-7 раз ниже удельной стоимости керамики из оксида бериллия [3, 4, 5, 6, 7].

Одним из недостатков керамики нитрида алюминия является ее относительная низкая прочность.

Электронные компоненты в последнее время переходят на использование нитрида алюминия практически во всех областях техники, где раньше традиционно применялась оксид бериллия. Наиболее интенсивно нитрид алюминия применяется в производстве корпусов и подложек интегральных схем, мощных транзисторов, поглотителей и оконечных нагрузок и другие [1].

Некоторые физические и механические свойства поликристаллического нитрида алюминия, наряду с показателями оксида бериллия и оксида алюминия приведены в таблице. Прочность на изгиб нитрида алюминия при комнатной температуре (от 350 до 490 МПа) выше, чем у оксида алюминия (от 304 до 314 МПа) и оксида бериллия (245 МПа). С другой стороны, твердость по Виккеру нитрида алюминия (12 ГПа) составляет половину этого значения оксида алюминия (от 23 до 27 ГПа). Эти факторы свидетельствуют о том, что АШ прочнее, чем оксид алюминия и оксид бериллия, но более подвержен разрушению в механической обработке. Физические свойства поликристаллических подложек представлены в Таблице 1.

Таблица 1

Физические свойства поликристаллических подложек

АШ ВеО

Чистота >99,5 99,5 >99

Плотность (кг/м3) 3250 2900 23-27

Твердость по Виккерсу (ГПа) 12 12 23-27

Прочность на изгиб (МПа) 340-490 249 304-314

Светопропускание, % (А = 6 цм, t = 0.5 мм) 48 непрозрачный непрозрачный

В Таблице 2 [8] сравниваются тепловые и электрические свойства нитрида алюминия с тепловыми и электрическими свойствами других керамических материалов, используемых в настоящее время в качестве электронных субстратов.

Также в таблице включены тепловые и электрические свойства кремния. Теплопроводность монокристаллического нитрида алюминия по оценкам составляет 320 Вт/мК, а для спеченного поликристаллического нитрида алюминия обычно составляет от 80 до 200 Вт/м*К.

Коэффициент теплового расширения нитрида алюминия составляет 4,4* 10-6/ °С и очень близок к коэффициенту теплопроводности кремния 3,2х 10-6/ °С.

Эти два свойства делают нитрид алюминия отличным материалом для высокомощных схем с высокой плотностью по сравнению с другими материалами из керамической подложки, которые обычно имеют более низкую теплопроводность или более высокий коэффициент теплового расширения.

Таблица 2.

Термические и электрические свойства некоторых керамических подложек

АШ ВеО

Коэффициент теплопроводности 160 20 260

(Вт/мК) (320) (370)

При комнатной температуре

ТКЛР (10-6/ °С) до 400 °С 4,4 7,2 8,0

Удельное сопротивление (Ом-ст) 1014 1014 1014

Диэлектрическое постоянное, 1 МГц 8,9 9,4 7,0

Диэлектрическая потерь (10-4), 1МГц 8 4 3

Диэлектрическая прочность (кВ/мм) 15 15 10

В работе [9] автором была измерена теплопроводность высокочистого монокристалла нитрида алюминия в широком диапазоне температур и получена величина 320 Вт/мК при комнатной температуре. Однако, было сообщено [10], что его теплопроводность сильно зависит от кислорода и других металлических примесей, таких как кремний, железо и магний.

На Рис. 1.1 показана зависимость теплопроводности от температуры керамических подложек из основных используемых материалов.

Рис. 1.1. Зависимость теплопроводности от температуры керамических

подложек

Кроме того, от примесей кислорода зависят электрические свойства нитрида алюминия, такие как электросопротивление (10140.см), диэлектрическая постоянная (8,9) и напряжение пробоя (15 кВ/мм), по сравнению с другими керамическими материалами, которые в настоящее время используются в электронной технике.

Зависимость коэффициента теплового расширения от температуры керамических подложек показан на Рис. 1.2.

По показателю многих важных характеристик предпочтительным керамическим материалом является нитрид алюминия. Однако он показывает гораздо худшие показатели адгезии по сравнению с оксидом алюминия.

Коэффициент термического расширения [%]

Температура ("С)

Рис. 1.2. Зависимость коэффициента теплового расширения от температуры

керамических подложек

1.2. Способы получения проводящих покрытий при металлизации на подложке из нитрида алюминия для изготовления силовых модулей

Металлизация — метод модификации свойств поверхности изделия путём нанесения на его поверхность слоя металла. Металлизации подвергаются как неметаллические поверхности, так и металлические. В последнем случае металлизацией наносится другой материал, например, более твердый или коррозионно -стойкий (хромирование, цинкование, алюминирование). Часто металлизацией называют напыление металла методами газотермического напыления.

Способы металлизации проще всего классифицировать по технологическим приемам получения покрытия. Таким образом, среди известных способов металлизации можно выделить три основных класса [11]:

1. Механические способы металлизации, когда покрытие формируется заранее и только после этого крепится к покрываемой поверхности;

2. Физические, когда металл вначале превращают в пар или жидкость, наносимые на покрываемую поверхность, где они опять превращаются в компактный твердый металл, образуя покрытие;

3. Химические, когда металл образуется в ходе химической реакции и, оседая на покрываемую поверхность, дает металлическое покрытие.

Каждый способ металлизации отличается своими возможностями. У каждого свои требования к металлизируемой поверхности.

Проведение металлизации керамики возможно различными методами: при атмосферном давлении методом холодного газодинамического напыления или накатыванием металлической фольги, в жидкой среде гальваническим методом, в вакууме с использованием элионных технологий, которые являются одним из самых эффективных и экологичных методов.

В производстве мощных силовых модулей для металлизации керамики используются методы нанесения металлических покрытий, в основном меди, толщиной 30-50 мкм. Однако эти методы не относятся к процессам металлизации подложек в вакууме. Основными толстопленочными технологиями для формирования медных слоев на керамической подложке являются

- DBC технология (Direct Bonded Copper - прямое медное соединение)

- AMB технология активной пайки металла

Технология DBC была разработана в Мюнхенском Техническом Университете в 1981 году [12]. Эвтектическая связь образуется между медным слоем и подложкой. Эффективная эвтектическая связь создается через оксид меди (CuO) и через промежуточное соединение (Cu А1204). При нагреве химической реакцией формируется слой оксида меди (CuO). Для этого после очищения поверхностей их необходимо прижать с давлением 2-5 МПа/cm2. После выдержки при температуре от 1065 до 1085 °С в течение 10 минут создается эвтектической сплав Cu А12Оа.

Принцип технологического процесса DBC показан на Рис. 1.4.

При остывании подложки получается прочное соединение между металлом и керамикой. Однако в случае нарушения технологического процесса может наблюдаться рассогласование из-за температурного коэффициента линейного расширения соединяемых материалов меди и керамики.

В случае быстрого остывания произойдет отслоение медной фольги. Поэтому соединение необходимо охлаждать со скоростью не более 5 °С/мин до 60 °С [13].

Схема технологии нанесения покрытия методом DBC на алюмонитридной керамике представлена на Рис. 1.3.

Рис. 1.3. Принцип технического процесса ЭБС металлизации на

алюмонитридной керамике

Во работах [13,14,15,16,17,18,19,] рассмотрены принципы формирования медного слоя на керамической подложке для производства полупроводниковых схем силовой электроники и характеристики металлизации DBC подложек. Общий вид силовых монокристальных модулей приведен на Рис. 1.4 [15], структура силового модуля управления на Рис. 1.5.

Рис. 1.4. Общий вид силовых монокристальных модулей

Рис. 1.5. Структура силового модуля управления

Достоинствами метода DBC являются:

1. Относительная простота процесса.

2. Возможность получения толстых слоев меди.

3. Достаточно высокие эксплуатационные свойства покрытия.

К недостаткам DBC следует отнести:

1. Разницу в КТР меди и керамики, что вызывает механические напряжения в подложке при термоциклировании. Для повышения надежности следует подбирать толщины пары «керамика-медь».

2. Сложность формирования переходных отверстий в подложке.

3. Вследствие того, что керамика на основе нитрида алюминия отличается низкой адгезией к ней меди, требуется дополнительная обработка ее поверхности с целью получения тонкого слоя оксида меди на поверхности, что увеличивает тепловое сопротивление.

4. Довольно высокая себестоимость.

В работе [14] приведены результаты измерения адгезии медного покрытия к керамике у DBC подложек. В результате нам видно, что прочность соединения меди на подложке А1203 с помощью DBC технологией имеет высокое значение около 56 Н/мм2. Однако после 20 термоударов адгезия ухудшается на 16%. Это ухудшение будет большой проблемой при производстве на таких подложках высокомощных устройств.

ЛМБ-технология является дополнением для формирования на поверхности керамики тонкого подслоя из активных металлов (серебро, медь, титан, алюминий, цирконий и платина) [17, 12]. Обычно подслой имеет толщину не более 15 мкм и создается с помощью различных методов напыления или вжиганием специальных паст или припоев.

С помощью припайки медной фольги и гальваническим наращиванием формируется медной слой. На Рис. 1.6 приведен принцип АМВ технологии на алюмонитридной керамике.

Р.т

~п

Грилои Пи / \

Си / \ _____

Н1 /™\ Припай А АШ / \|

■1 Си / \|

Рис. 1.6. Схема технологического процесса металлизации с помощью АМВ

технологии на алюмонитридной керамике [13]

Данная технология позволяет получить керамические подложки с повышенной адгезией к термоциклированию. Однако гальваническое наращивание -долговременный процесс и ограничен толщиной наращиваемого слоя - 150-200 мкм, так как при больших толщинах значительно ухудшается адгезия.

Из-за технологической сложности режимов напыления и гальванического наращивания данная технология мало используется. У такой технологии высокая

стоимость оборудования и большая сложность, связанная с обеспечением безопасности работы гальванической установки. Очевидно, что это причина того, что технология не нашла широкого применения.

При тонкопленочной технологии пленка образуется атомами, непосредственно транспортируемыми от источника к подложке посредством газовой фазы. Такие процессы также называют физическим осаждением.

Основные процессы физического осаждения делятся на две основные категории: испарение и распыление. Эти методы находят разнообразные применения от декоративных, до высокотемпературных сверхпроводящих пленок. Толщина покрытий может варьироваться от ангстрем (0,1 нм) до миллиметров. Очень высокие скорости осаждения (25 мкм/сек) были достигнуты с появлением электронно-лучевых подогреваемых источников. Большое количество неорганических материалов металлов, сплавов, соединений и их смесей, а также некоторые органические материалы могут быть нанесены с использованием технологий физического осаждения.

В книге [22] представлена классификация методов нанесение тонких пленок в вакууме. Основными методами нанесения тонких пленок являются: термическое испарение, ионное распыление, осаждение взрывом, осаждение дуговым разрядом, ионное осаждение и химическое осаждение. В книгах [22, 23] показываются принципы работы и преимущества и недостатки методов.

Получение пленок путем термического испарения в вакууме включает в себя испарение вещества и последующую конденсацию его паров на подложке. Основным достоинствам метода являются его универсальность и высокая чистота осаждаемого материала. Данный метод позволяет наносить однородные слои металлов, сплавов, полупроводников и диэлектриков различной толщины, а также получать тонкие пленки из разнородных веществ и различной толщиной каждого слоя. Его ограничения представляют собой нерегулируемую скорость осаждения, низкую, непостоянную и нерегулируемую энергию осаждаемых частиц.

В методе термического испарения используются различные способы, которые применяются для нагрева материала.

В технике резистивного нагрева материал нагревается до плавления с помощью электрического тока, проходящего через нити или металлической пластины (испаритель), где осаждается материал мишени, а затем испаряемый материал конденсируется на подложке (Рис. 1.7). Есть испарители с прямым или косвенным нагревом испаряемого материала. При использовании прямого нагрева ток проходит непосредственно через испаряемый материал. В методе косвенного нагрева испаряемый материал нагревается из-за передачи тепла от нагревателя. Он более универсальный и может испарять либо проводящих или непроводящих материалов, а также обеспечивает высокую скорость осаждения пленки.

Рис. 1.7. Схема резистивного термического испарения 1 - подложка, 2 - покрытие, 3 - испаряемый материал, 4 - мишень материла, 5 -испаритель, 6 - нагреватель и 7 - откачка к насосу

Резистивное испарение применяется для получения пленок из алюминия, меди, железа, серебра, золота, кадмия, цинка и других металлов, а также пленок

органических и неорганических полимеров. Резистивное термическое испарение позволяет наносить пленки металлических покрытий: А1, Ag, Си, 7п, Cd, Cr, Ni, Со, Си.

В работе [24] приведены экспериментальные результаты, полученные с помощью данного метода для пленок сверхпроводящего сложного оксида YBa-Cu-О. В книгах [22, 23] определяются особенности метода для получения полупроводниковых приборов.

Метод нагрева пучком электронов основан на эффекте выделения тепловой энергии при бомбардировке электронным пучком осаждаемого материала. Схема метода показана на Рис. 1.8.

Рис. 1.8. Схема электронно-лучевого испарения

Электронный пучок генерируется с помощью электронной пушки, которая использует эффект термоэлектронной эмиссии электронов с помощью нити накала. Эмитируемые электроны ускоряются высоким напряжением. Магнитное поле часто применяется, чтобы искривить траекторию электронов, что позволяет располагать электронную пушку ниже линии испарения. В электроны могут быть фокусированы и можно благодаря этому получить локализованный нагрев на материале для испарения, с высокой плотностью мощности испарения. Это позволяет контролировать скорость испарения, от низких до очень высоких

значений, и дает возможность нанесения материалов с высокой температурой плавления (W, Ta, Cu и. т.д.).

Этот метод позволяет осаждать пленки из сплавов металлов, полупроводников и даже диэлектриков. Способ электронно-лучевого испарения используется для получения покрытий во области изготовления термостойких металлоке-рамических защитных покрытий для самолетов и лопастей турбин, коррозионно-износостойких покрытий из TiC и TiB2 для режущих инструментов [25] или наносит тонкие пленки Ti02, Zr02, Si02 и НГО2 в оптических приборах, солнечных элементах и датчиках, для получения высококачественных эпитаксиальных пленок в микроэлектронике [26-28].

Методы, основанные на распыление мишени классифицируются на ионно-лучевые и ионно-плазменные. Особенностью методов является отсутствие необходимости подачи на распыляемую мишень электрического потенциала; выбивание атомов мишени происходит под действием бомбардировки ее поверхности ионными пучками определенной энергии. При ионно-плазменном распылении мишень действует на ионизацию атомов и частиц, находясь под отрицательным потенциалом относительно плазмы. Принцип действия устройств ионного распыления основан на таких физических явлениях, как ионизация частиц газа, тлеющий разряд и распыление веществ бомбардировкой ускоренными ионами.

В технология ионно-лучевого распыления (Ion Beam Sputtering) ионный пучок высокой энергии направлен в мишень, которая, как правило, состоит из металла или оксида. Ионы переносят их импульс к мишени, в результате чего атомы или молекулы распыляются. Эти высокоэнергетические атомы затем осаждаются в виде покрытии на подложке. Высокая энергия ионного пучка позволяет получать в результате процесса напыления чрезвычайно однородные, полностью аморфные пленки высокой плотности с хорошей адгезией к подложке. Это означает высокую экологическую стабильность и механическую прочность. Кроме того, шероховатость поверхности осажденных слоев очень мала. В то время как скорость осаждения является низкой по сравнению с другими

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Зау Пхо Аунг, 2021 год

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

1. R. S. Jensen, McGraw Hill. Hybrid Microelectronics Handbook // New York, 1995, P. 2-19.

2. Э. Ю. Готра и др. Теплопроводные подложки для интегральных схем // Зарубежная электронная техника. 1990, № 12.

3. В. И. Костенко, В. С. Сергин, Л. А. Горшкова, А. И. Василевич. Перспективы использования высокотеплопроводной керамики из нитрида алюминия в космическом приборостроении: M.: Институт космических исследований РАН. Современные информационные и конструкторские технологии. Сессия 3. С. 250-256.

4. С. Н. Флоренцев. Тенденции развития силовой электроники начала тысячелетия. Электроника. 2003. № 6. C. 3-9.

5. М. Д. Бершадская, В. Г. Аветиков. и др. Нитрид алюминия - новый высокотеплопроводный диэлектрик // Электронная техника. Материалы. 1984. Сер. 6, Вып. 6(191), C. 54-57.

6. И. С. Григорьев, Е. З. Мелихов. Физические величины: Справочник. М.: Энергоатомиздат, 1991.

7. Ляля Исламгазина, Юрген Шульц-Хардер, Сергей Валев. Критерии выбора подложек для силовых модулей // Компоненты и технология, 2014. № 3. С. 60-63.

8. Kuramoto N., H.Taniguchi, I. Aso. Development of Translucent Aluminum Nitride Ceramics // Ceram. Bull. 1989. vol 68. P. 883-886.

9. G. A. Slack, T. F. McNelly. Growth of high purity AlN crystals // Crystal Growth. 1976. Vol. 34. P. 263-279. URL: https://doi.org/10.1016/0022-0248(76)90139-1

10. Y. Baik, R. A. Drew. Aluminum Nitride: Processing and Applications // Key Engineering Material. M.: Trans Tech Publications, Vol. 553. 1996., P. 122124.

11. М. И. Шалкаускас. Металлизация пластмасс. 1983. С. 9-20. URL: http://chemlib.ru/books/item/f00/s00/z0000005/st003.shtml

12. Ceramic Interconnect Technology Handbook: CRC Press / ed. by F. Barlow, A. Elsbabini. - 1rd ed. January 4. 2007. 456 p.

13. Иван Красный, Юрий Непочатов, Светлана Кумачёва, Юлия Швецова. Технологии изготовления плат для высокомощных силовых полупроводниковых устройств Часть 1 // Современные электроника, 2014. №2 9. С. 1822.

14. Иван Красный, Юрий Непочатов, Светлана Кумачёва, Юлия Швецова. Технологии изготовления плат для высокомощных силовых полупроводниковых устройств Часть 2 // Современные технологии, 2015. № 3. С. 1822.

15. Шульц-Хардер Юрген. Медно-керамические подложки DBC - основа современной силовой электроники. Новые возможности технологии DBC, перспективы и проблемы создания нового поколения изделий силовой электроники // Компоненты и технологии. 2005. № 3, С. 72-75.

16. Jure Podrzaj, Janez Trontelj. Power module packaging for thermal and electrical performance optimization // 45th International Conference on Microelectronics devices, Materials and the Workshop on Advanced Photovoltaic Devices and Technologies. Postojna. September. 2009. Vol. 45 P. 20-26. URL:https://www.academia.edu/30784780/Power module packag-ing_for_thermal_and_electrical_performance_optimization

17. Anton Miric, M. Sc., Peter Dietrich, M. Sc., M.A. Herraeus Destschland GmbH Co.KG 63450 Hanau Germany. Inorganic Substrates for Power Electronics Applications. 2013, P. 1-7. URL: https: //www.heraeus .com/media/me-dia/het/doc het/products and solutions het documents/metal cermaic substrates documents/Inorganic Substrates for Power Electronics 20153 AMiric-PDietrich V8.pdf

18. Исламгазина Ляля, Шульц-Хардер Юрген, Валев Сергей. Критерии выбора подложек для силовых модулей // Компоненты и технологии. 2004. № 3, С. 60-63. URL: https://www.kit-e.ru/assets/files/pdf/2004 03 60.pdf

19. Dr. Jurgen Schulz-Harder, Dr. Karl Exel. Recent Development of Direct Bonded Copper (DBC) Substrates for Power Modules // ICEPT 2003, P. 491493.

20. Алхимов А.П., Косарев В.Ф., Фомин В.М., Клинков С.В. Холодное газодинамическое напыление. Теория и практика. Издательская фирма «Физико-математическая литература» (ООО «Физматлит»). Раздел: инженерные и технические науки. 2010, 538 с.

21. Непочатов Ю.К., Кумачёва С.А., Косарев В.Ф., МедведкоО.В. Патент (РФ) № 2490237. Металлизированная керамическая подложка для электронных силовых модулей и способ металлизации керамики. 2011, 11 с.

22. Элионные процессы и нанотехнологии : учеб. - метод. комплекс по тем. направлению деятельности ННС "Наноинженерия" : учеб. пособие для вузов / Панфилов Ю. В.; ред. Шахнов В. А. - М.: Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана. 2011, 127 с.

23. Дунюшкина Л.А. Введение в методы получения пленочных электролитов для твердооксидных топливных элементов: монография / Л.А. Дунюшкина. - Екатеринбург: УРО РАН, 2015, 126 с.

24. Azoulay J., Goldschmidt D. Resistive evaporation of superconducting Y-Ba-Cu-O thin films from a single source. Appl. Phys. Lett. 1989. Vol. 54. P. 24672469.

25. Берлин Е.В., Двинин С.А., Сейдман Л.А. Вакуумная технология и оборудование для нанесения и травления тонких пленок. М.: Техносфера, 2007, 176 c.

26. Semiconductor Devices: Physics and Technology / Ed.: S.M. Sze. - NY: John Wiley. 1969, 812 p.

27. А. А. Верещака. Функциональные покрытия для режущих инструментов / Вестник Брянского государственного технического университета. № 4(48). 2015, С. 25-37.

28. Movchan B.A. EB-PVD technology in the gas turbine industry: present and future // Journal of Materials. № 11. 1996, P. 40-45.

29. Ion Beam Processing of Materials and Deposition Processes of Protective Coatings. A volume in European Materials Research Society Symposia Proceedings / ed.: P.L.F. Hemment, J. Gyulai. 1996, 266 p.

30. B.L. Halpern, J.J. Schmitt, J. Colloid Interface Science. Vac. Sci. Technol. A 12(4). 1994. P. 859-868.

31. Halpern B. L. Electron Jet Vapor Deposition System. US. Patent 5571332 1996, 14 p.

32. Hsiung L. M., Zhang J. Z., Mclntyre D. C., Golz J. W., Halpern B. L., Schmitt J. J., Wadley H. N. G., Scripta Metall.Mater. Structure and properities of the jet vapor deposited aluminum-aluminium oxide nanoscale laminates. 29:293. 1993, P. 935-950.

33. Магнетронные распылительные системы: учеб. пособие по курсу "Технологические ионно-плазменные установки": в 2 ч. / Духопельников Д. В.; МГТУ им. Н. Э. Баумана. М.: Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2014. Ч. 1: Устройство, принципы работы, применение. 2014, 53 с.

34. Магнетронные распылительные системы / Кузьмичёв А. И. Кн. 1. Введение в физику и технику магнетронного распыления. Киев: Аверс. 2008, 244 с.

35. Данилин Б. С., Сырчин В. К. Магнетронные распылительные системы. М.: Радио и связь. 1982, 72 с.

36. Y. Kurokawa, K. Utsumi, H. Takamizawa, T. Kamata, S. Noguchi. AlN Substrates with High Thermal Conductivity. IEEE Transactions on Components // Hybrids and Manufacturing Technology. Vol. CHMT-8, № 2, June. 1985, P. 247-252.

37. R. Chanchani. Processability of Thin-Film, Fine-Line Pattern on Aluminum Nitride Substrates. IEEE Transactions on Components // Hybrids and Manufacturing Technology. Vol. CHMT-11, № 4. Dec. 1988, P. 427-432.

38. R. Chanchani. Aluminum Nitride Substrates for Thin Film Hybrid Integrated Circuits. Advances in Ceramics. Vol. 26. 1989, P. 77-85.

39. A. Drost, D. Bonfert, M. Feil. Reliability Investigations of Thin Film Metallizations on AlN-ceramics. Proceeding of IEEEI // SHM 90 IEMT Symposium-Italy. 2002, P. 440-449.

40. K. L. Lodge, J. A. Sparrow, E. D. Perry, E. A. Logan, M. T. Goosey, D. J. Pedder, C. Montgomery. Prototype Packages in Aluminum Nitride for High Performance Electronic Systems. IEEE Transactions on Components // Hybrids and Manufacturing Technology. Vol. CHMT-13, №№ 4, Dec. 1990, P. 633638.

41. T. Yasumoto, K. Yamakawa, N. Iwase, N. Shinosawa. Reaction between AlN and Metal Thin Films during High Temperature Annealing // Journal of the Ceramic Society of Japan. Vol 111. 1993, P. 969- 973.

42. Y. Kurokawa, H. Hamaguchi, Y. Shimada, K. Utsumi, H. Takamizawa, T. Ka-mata, S. Noguchi. Development of Highly Thermal Conductive AlN Substrate by Green Sheet Technology // Proceeding 36th Electronic Components Conference. 1986, P. 412- 418.

43. M. Feil, W. Marder. Investigation of Adhesion Mechanism of Ni- Cr Layers on Ah03 and AIN Substrates // Proceeding 41 st Electronic Components and Technology Conference. 1991, P. 134- 140.

44. T. Yasumoto, K. Yamakawa, N. Iwase, H. Asai. The Mechanism of Aluminide Layer Growth between AlN Ceramics and Ti Thin Film during High Temperature Annealing // Proceeding of IUMRS. Volume 101 Issue 1177. 1993, P. 969-973

45. R. K. Brow, R. E. Loehman, A. P. Tomsia, and J. A. Pask. Interface Interactions during brazing of AlN. Ref. 5. 1987, P. 189-96.

46. R. K. Brow, R. E. Loehman, and A. P. Tomsia. Reactive metal brazing of Aluminum Nitride // Metal-Ceramic Joining. 1991, P. 229-35.

47. T. Yasumoto, K. Yamakawa, N. Iwase, and N. Shinosawa. Reaction between AlN and Metal Thin Films during High Temperature Annealing // Journal of the Ceramic Society of Japan. Vol. 101. 1993, P. 969-73.

48. D. J. Schroeder, D. L. Wilcox. Kinetics of interface formation between AlN and Ti Thin Films // International Symposium on Microelectronics. 1994, P. 167-72.

49. R. E. Loehman. Interfacial reactions in ceramic-metal systems // Ceram. Soc. Bull. Vol 68. 1989, P. 891-960.

50. R. E. Loehman, A. P. Tomsia. Reactions of Ti and Zr with AlN and Al203. Acta Metall // Mater. Vol 40.1992, P. 75-83.

51. A. H. Carim. Identification and characterization of (Ti, Cu, Al) 6 N, A new h nitride phase // J. Mater. Res. 4. 1989, P. 1456-61.

52. A. H. Carim. High-Resolution Electron Microscopy of Interfaces in AlN-Braze Metal Alloy Systems // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 159. 1990, P. 42530.

53. A. H. Carim and R. E. Loehman. Microstructure at the interface between AlN and Ag-Cu-Ti braze alloy // J. Mater. Res. 5. 1990, P. 1520-1529.

54. Imanaka Y., Agarwal A. K., Yokouchi K. Thin film metallization for aluminum nitride // Key Engineering Materials. 2000, P. 181-182.

55. R. Campman, D. Mandich. A. Meier. Surface preparation of aluminum nitride for metallization // Materials and Manufacturing Processes. Volume 20. 2015, P. 863-886. URL: https: //www.tandfonline.com/doi/abs/10.1081/AMP-120025076

56. Majid Entezarian. Metallization of AlN // Department of Mining and Metallurgical Engineering McGill University Montreal. Canada. 1992, 118 p.

57. Кострижицкий А.И. Справочник оператора установок по нанесению покрытий в вакууме / А.И. Кострижицкий, В.Ф. Карпов, М.П. Кабаниченко и др. М.: Машиностроение. 1991, 176 c.

58. Технология тонких пленок: Справочник под. Ред // Л. Майссела, Р. Гленга // Нью-Йорк. 1970. Пер. с англ. Под. Ред // М.И. Елинсона, Г.Г. Смолко. Т. 1. М.: Сов. Радио. 1977, 664 с.

59. А. Г. Лучкин, Г. С. Лучкин. Очистка поверхности подложек для нанесения покрытий вакуумно-плазменными методами // БНТУ. 2016, С. 207211.

60. Lim Ju Dy, Eric Phua Jian Rong и д-р. Study of Thin Film Metallization Adhesion in Ceramic Multichip Module. Institute of Microelectronics // Conference: Electronics Packaging Technology (EPTC), IEEE 14th. 2012, P. 67-71.

61. Баданова Н.В., Колесник Л. Л. Способ металлизации керамических подложек. [Электронный ресурс] // Труды Всероссийской научно-технической конференции «Студенческая весна 2014: Машиностроительные технологии». - М.: МГТУ им. Н.Э. Баумана. URL: http://studvesna.ru/db files/articles/1340/article.pdf (дата обраще-ния:18.06.2015)

62. Блинов И.Г., Кожитов Л. В. Оборудование полупроводникового производства: Учебное пособие для студентов вузов. М.: Машиностроение. 1986. 264 с.

63. Вакуумная техника: Справочник (3-е изд.) / К.Е. Демихов [и др.]; Под общ. ред. К.Е. Демихова, Ю.В. Панфилова., перераб. И доп. М.: Машиностроение, 2009, 590 с.

64. Вакуумное оборудование тонкопленочной технологии производства изделий электронной техники: Учебник для студентов специальности «Электронное машиностроение». В 2 т.т. / Н.В. Василенко [и др.]. Красноярск. Сиб. аэрокосм. Акад.: Кн. изд-во, Т. 1. 1996, 256 с.

65. Вакуумное оборудование тонкопленочной технологии производства изделий электронной техники: Учебник для студентов специальности «Электронное машиностроение». В 2 т.т. / Н.В. Василенко [и др.]. Красноярск. Сиб. аэрокосм. акад.: Кн. изд-во, Т. 2. 1996, 416 с.

66. Данилин Б. С., Неволин В. К., Сырчин В. К. Исследование магнетронных систем ионного распыления материалов. Электронная техника. Сер. Мик-роэлектронника, Вып. 3 (69). 1977, С. 37-44.

67. Дэшман С. Научные основы вакуумной техники. М.: Издательство «Мир», 1964, 715 с.

68. Деулин Е.А. Методические указания для выполнения домашнего задания и курсовых проектов по курсу «Основы вакуумной технологии». М.: МГТУ им. Н.Э. Баумана, 1999, 29 с.

69. Колесник Л.Л., Деев В.А., Селезнев А.В. Анализ возможности использования метода пароструйного осаждения для металлизации подложек // Вакуумная наука и техника: Материалы XX научно-технической конференции с участием зарубежных специалистов, 2013, С. 165-167.

70. Колесник Л.Л, Мьо Чжо Хлаинг. Анализ возможностей применения кластерных ионов для обработки поверхности // Вакуумная наука и техника. Тезисы докладов XXII научно-технической конференции с участием зарубежных специалистов, Крым, 2015, С. 191-195.

71. Колесник Л.Л., Мьо Чжо Хлаинг, Зао Пхо Аунг Возможность использования ионных кластеров для обработки поверхности // Вакуумная техника, материалы и технология. Тезисы докладов XI международной научно-технической конференции, Москва, 2016, С. 28-33.

72. Колесник Л.Л., Мьо Чжо Хлаинг, Зау Пхо Аунг. Лабораторная установка для исследования свойств ионных кластеров // Вакуумная наука и техника. Материалы XXIII научно-технической конференции с участием зарубежных специалистов, Крым, (12-16 сентября) 2016, С. 111-115.

73. Колесник Л.Л., Мьо Чжо Хлаинг, Зау Пхо Аунг, Мьо Мин Латт. Отработка технологии металлизации керамических подложек двумя методами // Вакуумная техника, материалы и технология. Тезисы докладов XI международной научно-технической конференции, Москва, (11-13 апреля) 2017, С. 109-112.

74. Отработка технологии металлизации алюмооксидной керамики для элементов электровакуумных приборов и устройств силовой электроники / Колесник Л.Л. [и др.] // Вакуумная техника и технологии - 2017: Труды 24-й Всероссийской научно-технической конференции с международным участием / Под. ред. д-ра техн. наук А.А. Лисенкова. Спб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2017, С. 208-210.

75. Повышение адгезии токопроводящих покрытий на подложках оксида алюминия / Колесник Л.Л. [и др.] // Вакуумная наука и техника. Тезисы докладов XXIV научно-технической конференции с участием зарубежных специалистов, Крым, (16-23 сентября) 2017, С. 176-179.

76. Влияние технологического развития на повышение адгезионной прочности металлических тонкопленочных покрытий на керамические подложки оксида алюминия/ Колесник Л.Л. [и др.] // Вакуумная наука и техника. Материалы XXV научно-технической конференции с участием зарубежных специалистов, Крым, (15-22 сентября) 2018, С. 138-144.

77. Колесник Л.Л., Мьо Чжо Хлаинг, Зау Пхо Аунг. Повышение адгезии то-копроводящих покрытий на керамических подложках оксида алюминия // Нано-индустрия. Научно-технический журнал. Том 11, № 3-4 (83), 2018, С. 232-236.

78. Марахтанов М.К. Ионные распылительные установки (Основы теории и расчета): Учебное пособие по курсу «Конструирование и расчет установок ионного напыления». М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана. 1990, 28 с.

79. Оборудование полупроводникового производства / П. Н. Масленников [и др.]. М.: Радио и связь, 1981, 336 с.

80. Панфилов Ю.В. Расчёт режимов процесса нанесения тонких плёнок в вакууме и параметров оборудования. М.: Издательство МВТУ им Н.Э. Баумана. 1988, 16 с.

81. Панфилов Ю.В., Рябов В.Т., Цветков Ю.Б. Оборудование производства интегральных микросхем и промышленные роботы: Учебное пособие. М.: Радио и Связь. 1988, 320 с.

82. Пипко А.И., Плисковский В.Я., Пенчко Е.А. Конструирование и расчет вакуумных систем. М.: Энергия, 1970, 505 с.

83. Попов В.Ф., Горин Ю.Н. Процессы и установки электронно-ионной технологии: Учебное пособие. М.: Высшая школа. 1988, 255 с.

84. Разработка технологии изготовления металлизированных подложек для изделий силовой электроники. Ю. Непочатов [и др.]. Современная электроника. № 9, 2010, С. 248-260.

85. Реестр инновационных продуктов, технологий и услуг, рекомендованных к использованию в Российской Федерации, Керамические подложки и корпуса светодиодов, ЗАО "НЭВЗ-Керамикс" URL: http://innoprod.startbase.ru/products/23652/ (дата обращения:07.05.2017).

86. Терентьев Ю.П., Ковалев Л.К., Суворов В.Н., Макаров В.И. Установка ионно-плазменного распыления материалов // Оптико-механическая промышленность. № 5. 1972, С. 23-25.

87. Технология тонких пленок (справочник) / Под. ред. Л. Майссела, Р. Гленга. Нью-Йорк. 1970. Пер. с англ. Под. ред. М.И. Елинсона, Г.Г. Смолко. М.: Советское радио. Т. 1. 1977, 664 с.

88. Технология тонких пленок (справочник) / Под. ред. Л. Майссела, Р. Гленга. Нью-Йорк. 1970. Пер. с англ. Под. ред. М.И. Елинсона, Г.Г. Смолко. М.: Советское радио. Т. 2. 1977, 768 с.

89. Розанов Ю. К. Устройства силовой электроники, развитие, применение, назначение // Основы силовой электроники. М.: Энергоатомиздат, 1992, 296 с.

90. Handbook of deposition technologies for films and coatings: science, applications and technology/ed. by P.M. Martin. - 3rd ed. - Burlington; Oxford: William Andrew / Elsevier, 2010. - xviii, 912 p.: ill. - Bibliogr. at the end of the chapters. - Ind.: P. 902-912.

91.Kolesnik L., Zhuleva T., Predtechenskiy P., Myo Kyaw Hlaing, and Zaw Phyo Aung. Processing of metallization technology aluminum oxide ceramics for electro-vacuum devices elements and power electronics devices / Journal of

Physics: Conference Series, Volume 872, conference 1, https://iop-science.iop.org/article/10.1088/1742-6596/872/1/012018 (дата об-раще-ния:01.01.2018)

92. Kolesnik L., Myo Kyaw Hlaing, and Zaw Phyo Aung. Influence of the technological development on the adhesion increment of metallic thin film coatings to ceramic substrates of aluminum oxide / IOP Conference Series: Materials Science and Engineering, Volume 387, conference 1 https://iop-science.iop.org/article/10.1088/1757-899X/387/1/012037 (дата об-раще-ния:16.10.2018)

93. Юрьева А. В., Блейхер Г. А., Третьяков Р. С., Кривобоков В. П. Тепловые и эрозионные процессы при работе магнетронных распылительных систем с неохлаждаемыми мишенями // Известия ВУЗов. Физика. Т. 52. № 11/2. 2009, С. 180-185.

94. Блейхер Г.А., Кривобоков В.П., Третьяков Р.С. Модель эрозии поверхности жидкофазных мишеней магнетронных распылительных систем // Известия ВУЗов. Физика. № 11/2. 2011, С. 148-153.

95. Блейхер Г.А., Кривобоков В.П. Эрозия поверхности твёрдого тела под действием мощных пучков заряженных частиц. Новосибирск: Наука. 2014, 248 с.

96. Юрьева А. В., Блейхер Г. А., Степанова О. М., Юрьев Ю. Н. Баланс энергии на катодном узле магнетронной распылительной системы с жидко-фазной мишенью // Известия ВУЗов. Физика. Т. 57. № 3/3. 2014, С. 283287.

97. В. В. Жуков, В. П. Кривобоков, В. В. Пацевич, С. Н. Янин. Свойства маг-нетронного разряда на постоянном токе, Ч.2, особенности переноса заряда // Технология и Физика. T. 4. 2006, C. 453-458.

98. Ивановский Г. Ф, Петров В. И. Ионно-плазменная обработка материалов. М.: Радио и связь, 1986, 231 с.

99. Zhukov V. K., Krivobokov V. P., Yanin S. N. Sputtering of the magnetron diode target in the presence of an external ion // Technical Physics. V. 51. № 4. 2006, P. 453-458.

100. Янин С. Н., Жуков В. В., Кривобоков В. П., Пацевич В. В. Свойства маг-нетронного разряда на постоянном токе. Ч. 1. Механизм распыления мишени // Изв. ТПУ. Т. 308. № 6. 2005, С. 69-74.

101. Плешивцев Н. В., Бажин А. И. Физика воздействия ионных пучков на материалы. М.: Вузовская книга. 1998, 392 с.

102. Юрьева А. В. Осаждение металлических покрытий с помощью магнетрона с жидкофазной мишенью. Диссертация на соискание учёной степени кандидата технических наук. Томск. 2017, 118 с.

103. G. A. Bleykher, A. O. Borduleva, V. P. Krivobokov, D. V. Sidelev. Evaporation factor in a productivity increase of hot target magnetron sputtering systems // Vacuum. Vol 132. Oct 2016, P. 62-69.

104. W. O. Hofer. Angular, energy and mass distribution of sputtered particles, in: R. Behrisch, K. Wittmaack (Eds.), Sputtering by Particle Bombardment III: Characteristics of Sputtered Particles, Technical Applications, Topics in Applied Physics // Springer Verlag, Berlin, Heidelberg. Vol. 64. 1991, P. 15-90.

105. G. A. Bleykher, V. P. Krivobokov, A. V. YurjevaI. Energy and substance transfer in magnetron sputtering systems with liquid-phase target // Vacuum. Vol 124. 2016, P. 11-17.

106. Гвоздев В. В., Курзанов М. А., Марахтанов А. М. Ионный токоперенос с магнетронных распылительных систем // Физика плазмы. Т. 25. № 5. С. 1999, 488-492.

107. Магнетронные распылительные системы: учеб. пособие по курсу "Технологические ионно-плазменные установки": в 2 ч. / Духопельников Д. В.; МГТУ им. Н. Э. Баумана. М.: Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2014. Ч. 1: Устройство, принципы работы, применение. 2014, 53 с.

108. Е. А. Минжулина, В. В. Смирнов, А. А. Козин, В. И. Шаповалов. Изучение процесса нагревания мишени магнетрона по результатам измерения температуры подложки. М.: Изд-во МИРЭА. 2017, С. 543-546.

109. V. I. Shapovalov, V. V. Smirnov. Modelling of hot target reactive sputtering. IOP Conference series: Journal of Physics, Volume 857, 2017. 4 p. https://iop-science.iop.org/article/10.1088/1742-6596/857/1/012039/pdf

110. Михеев М. А., Михеева И. М. Основы теплопередачи. М.: Изд-во 2-е, Энергия, 1977, 344 с.

111. Марахтанов М.К. Магнетронные системы ионного распыления (Основы теории и расчета). М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана. 1990, 76 с.