Управление статическими и динамическими параметрами силовых кремниевых приборов методом радиационного технологического процесса тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Орлова, Марина Николаевна

• Орлова, Марина Николаевна
• кандидат технических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат технических наук Орлова, Марина Николаевна

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ РАДИАЦИОННОЙ ФИЗИКИ

ПОЛУПРОВОДНИКОВ

1.1 Физические процессы, возникающие в кремнии при радиационном технологическом процессе с применением «быстрых» электронов

1.2 Механизм образования и физическая природа «глубоких» радиационных центров в кремнии

1.3 Кинетика отжига радиационных центров

1.4 Поверхностные радиационные эффекты

1.5 Выводы к главе

ГЛАВА 2. ХАРАКТЕРИСТИКА ИССЛЕДУЕМЫХ СИЛОВЫХ КРЕМНИЕВЫХ ДИОДНЫХ СТРУКТУР. ОБОРУДОВАНИЕ И МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ

ИССЛЕДОВАНИЙ

2.1 Методика радиационного технологического процесса

2.2 Обоснование выбора объектов исследования

2.2.1 Конструктивно-технологические особенности и характеристики объектов исследования

2.2.2 Разработка технологического маршрута изготовления FRED диодов с применением РТП

2.3 Оборудование радиационной обработки «быстрыми» электронами - Линейный ускоритель «Электроника ЭЛУ - 6»

2.4 Методика и оборудование для измерения релаксационной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниковых структурах

2.4.1 Методика релаксационной спектроскопии глубоких уровней (РСГУ)

2.4.2 Измеритель релаксации емкости

2.4.3 Методика расчета параметров глубоких уровней из спектра РСГУ

2.5 Методика и оборудование для измерения статических и динамических параметров диодных структур

2.5.1 Измеритель характеристик полупроводниковых приборов Л2

2.5.2 Прибор для измерения времени восстановления обратного сопротивления времени на основе цифрового осциллографа

2.5.3 Измеритель емкости диодных структур ИЕ - 95 2.6 Выводы к главе

ГЛАВА 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ СТАТИЧЕСКИХ И ДИНАМИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ СИЛОВЫХ КРЕМНИЕВЫХ ДИОДНЫХ СТРУКТУР

С ПРИМЕНЕНИЕМ РАДИАЦИОННОГО ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА

3.1 Спектроскопия «глубоких» уровней методом РСГУ

3.2 Влияние режимов операций РТП на статические параметры

3.3 Влияние режимов операций РТП на динамические параметры

3.4 Выводы к главе

ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ РАДИАЦИОННОГО ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА НА СТАТИЧЕСКИЕ И ДИНАМИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ СИЛОВЫХ КРЕМНИЕВЫХ

ДИОДНЫХ СТРУКТУР

4.1 Расчет динамики изменения статической и динамической мощностей при облучении «быстрыми» электронами

4.2 Влияние РТП на вольт - амперные характеристики силовых кремниевых диодных структур

4.3 Влияние облучения «быстрыми» электронами на концентрацию носителей заряда и распределение примеси в активных областях диодных структур

4.4 Положение уровня Ферми, в кремнии облученного интегральным потоком «быстрых» электронов

4.5 Влияние облучения «быстрыми» электронами на удельное электросопротивление силовых кремниевых диодных структур

4.6 Моделирование работы силового диода 105 4.7 Выводы к главе

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Управление статическими и динамическими параметрами силовых кремниевых приборов методом радиационного технологического процесса»

Силовая микроэлектроника находит все более широкое практическое применение. В современной российской промышленности существует ряд отраслей, которые составляют серьезную конкуренцию иностранным производителям. Развитие отечественной силовой микроэлектроники необходимо для существования таких стратегически важных направлений, как атомная промышленность, космическая, оборонная, авиационная и многие другие. Изделия силовой микроэлектроники составляют основу практически всех энергосберегающих технологий, отвечая высоким требованиям, таким как минимальные потери мощности, минимальные массово-габаритные характеристики, быстродействие, надежность и низкая стоимость. Силовая микроэлектроника - одно из прогрессивных и быстро развивающихся научно-технических направлений.

В настоящее время в эксплуатации находится большое количество самых разнообразных видов и типов силовых полупроводниковых приборов (СПП). При этом каждый тип СПП характеризуется целым рядом эксплутационных характеристик, которые, в свою очередь, определяются зависимостями от электрофизических параметров. Самыми распространенными среди СПП являются диоды, применяемые в устройствах преобразования электроэнергии, системах питания и управления технологическими процессами и т.п. Основой конструкции большинства типов современных СПП диодных структур является монокристалл кремния (Si) в виде плоской пластины.

Силовые кремниевые диоды, изготовленные по стандартной (маршрутной) технологии, не всегда удовлетворяют постоянно возрастающим техническим требованиям. Они обладают недостаточно высоким быстродействием, их выходные параметры зависят от большого количества технологических факторов, чем объясняется большой разброс значений эксплутационных параметров готовых изделий, что ограничивает надежность и область применения силовых кремниевых диодов. Увеличение быстродействия, снижение динамических потерь мощности является основной задачей силовой микроэлектроники. Одним из методов решения данных проблем является применение радиационного технологического процесса (РТП), а именно электронного облучения. Стандартный метод РТП включает в себя две основные стадии: радиационное воздействие и последующий стабилизирующий отжиг.

Широкое использование в современной микроэлектронике РТП обусловлено высокой эффективностью комплексного управления основными электрофизическими и эксплуатационными параметрами полупроводниковых приборов. При этом удается повысить быстродействие, исправить параметрический брак и повысить выход годных приборов. Однако применение РТП одновременно с повышением быстродействия часто приводит к увеличению прямого падения напряжения, что приводит к увеличению статических потерь мощности, а следовательно и росту суммарных потерь мощности. Поэтому необходимо изучение особенностей влияния проникающей радиации и совершенствование метода РТП, для более эффективного управления основными электрофизическими (статическими и динамическими) и эксплуатационными параметрами силовых кремниевых приборов не только в процессе изготовления, но и в условиях, когда традиционные технологии практически неприемлемы (например, после завершения технологического цикла изготовления).

Цель диссертационной работы

Разработать условия и режимы проведения операций РТП, исключающие последующий стабилизирующий отжиг, и его интеграции в основной технологический процесс изготовления силовых кремниевых приборов с улучшенным комплексом статических и динамических параметров.

Для достижения поставленной цели в работе необходимо было решить следующие задачи:

- исследовать влияние температуры в процессе облучения «быстрыми» электронами на статические и динамические параметры силовых кремниевых диодов;

- исследовать кинетику накопления и отжига «глубоких» радиационных центров в активных областях силовых кремниевых диодных структур в процессе проведения РТП с применением «быстрых» электронов;

- разработать режимы проведения операций РТП и способы совмещения стабилизирующего отжига с процессом облучения «быстрыми» электронами, для изготовления силовых кремниевых диодных структур с наилучшим сочетанием статических и динамических параметров;

- установить влияние воздействия режимов проведения РТП в широких диапазонах интегральных потоков «быстрых» электронов на статические и динамические параметры силовых кремниевых диодных структур.

Новизна и научная ценность

Установлено влияние температуры в процессе облучения «быстрыми» электронами с энергией 5 МэВ на статические и динамические параметры силовых кремниевых диодов. Определено, что облучение с плотностью потока «быстрых» электронов в диапазоне 1,7-10й -5,5-1013 см"2-с 1 приводит к разогреву структур до температур (150 - 650) °С и предложены способы совмещения стабилизирующего отжига с процессом облучения «быстрыми» электронами, что позволило достичь оптимального сочетания статических и динамических параметров силовых кремниевых диодов 2Д237, 2Д2992 и FRED (fast recovery epitaxial diode эпитаксиально-планарный диод с быстрым восстановлением) по сравнению с приборами, изготовленными по стандартной (маршрутной) технологии.

Показано, что разработанные режимы РТП приводят к снижению основного статического параметра - прямого падения напряжения. Впервые установлено, что уменьшение прямого падения напряжения происходит за счет падения напряжения в активной базе приборов вследствие образования при облучении «глубоких» радиационных центров (А, Е и дивакансии), приводящих к снижению удельного сопротивления базы диодных структур.

Анализ экспериментальных данных показал, что в интервале интегральных потоков (2—8)-1016 см-2 при температуре 450 °С с плотностью потока электронов (Фе < 2,3-1013 см~2-с~') вклад динамической и статической мощностей в значение суммарной мощности одинаков.

Практическая ценность работы

Полученные в диссертационной работе результаты использованы в ЗАО НПК «Далекс» и при разработке методического обеспечения радиационных испытаний силовых полупроводниковых приборов в ФГУП «НИИП».

Разработанные режимы РТП позволили исправить параметрический брак и восстановить работоспособность диодов 2Д237 за счет снижения времени восстановления обратного сопротивления в 800 раз.

Установлено, что применение РТП в диапазоне интегральных потоков «быстрых» электронов Фе= МО15 - 2,6-Ю17 см-2 с энергией 5 МэВ приводит к снижению суммарных потерь мощности на (30 - 50) % за счет снизившихся динамических потерь мощности, что обеспечивает более безопасный тепловой режим и эксплуатационную надежность приборов в различных условиях работы.

Внедрение разработанных режимов проведения радиационного технологического процесса в маршрутную технологию FRED - диодов позволило получить оптимальное сочетание электрофизических параметров:

- снизить прямое падение напряжения на 30 % по сравнению с нормами ТУ и тем самым уменьшить статические потери мощности. Данный эффект является новым для этого класса приборов;

- увеличить напряжение пробоя на 25 %;

- повысить быстродействие диодов за счет уменьшения времени восстановления обратного сопротивления в 10 раз. В предельном случае время восстановления обратного сопротивления диодных структур снижается до субнаносекундного диапазона, сохраняя при этом значения прямого падения напряжения в рамках норм ТУ около 1,5 В.

Использование результатов проведенных исследований по оптимизации режимов операций РТП позволяет достичь наилучшего сочетания комплекса статических и динамических параметров силовых кремниевых приборов, что дает значительный экономический эффект и расширяет эксплуатационные возможности приборов.

Основные положения, выносимые на защиту

Экспериментальные результаты по влиянию облучения «быстрыми» электронами в диапазоне интегральных потоков Фе= МО15 - 2,6-1017 см-2 с энергией 5 МэВ при температуре Т = (150 - 650) °С и плотностях потока электронов <р = 1,7-10й - 5,5-1013 см~2-с~' на статические и динамические параметры силовых кремниевых диодных структур.

Разработанные режимы проведения операций РТП и способ совмещения стабилизирующего отжига с процессом облучения.

Результаты исследования релаксационной спектроскопии глубоких уровней (РСГУ) при операции облучения «быстрыми» электронами, кинетики накопления и отжига «глубоких» радиационных центров.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Орлова, Марина Николаевна

4.7 Выводы к главе 4

Полученные экспериментальные данные показывают большую эффективность методики РТП для управления (улучшения) электрическими параметрами силовых диодных структур. Введение операций РТП (облучения быстрыми электронами и отжига) в широком диапазоне интегральных потоков позволяет получать следующие положительные результаты:

- многократно увеличить быстродействие (в 2-25 раз);

- расширить диапазон предельных рабочих частот (до 10 МГц);

- в зависимости от требований разработчиков силовой РЭА получать оптимальное сочетание предельной частоты и суммарной рассеиваемой мощности;

- снизить значения барьерной емкости диодных структур и повысить электропрочность.

Повышение быстродействия и получение принципиально нового сочетания статических и динамических параметров значительно расширяет области применения исследуемых диодных структур.

Анализ экспериментальных данных показал, что проведении РТП в разработанных режимах приводит к увеличению концентрации носителей заряда в области базы, и снижению удельного сопротивления. Однако увеличение потока облучения происходит к снижению концентрации основных носителей заряда, приводящего к экспоненциальному росту удельного электросопротивления базовой «-области. Это приводит к увеличению падения напряжения на базе, дающего основной вклад в полное прямое падение напряжения на диодной структуре.

При контролируемой радиационной обработке полупроводниковых структур быстрыми частицами, наряду с опережающим эффектом снижения времени жизни неосновных носителей заряда можно эффективно регулировать удельное электросопротивление. В основном это достигается за счет компенсации основной легирующей примеси, вводимыми при обработке глубокими радиационными центрами и изменением концентрации носителей заряда.

На основании экспериментальных данных установлено, что при не больших потоках облучения (Фе< 2Т016 см"2) основной вклад в суммарные потери мощности вносит динамическая составляющая, снижение которой опережает рост статической мощности. В интервале потоков (2 - 8)-1016 см~2 при температуре 450°С с плотностью потока электронов не больше 2,3-1013см"2-с1 вклад динамической и статической мощностей в значение суммарной мощности одинаков.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

На основании проведенных исследований сделаны следующие выводы.

1. Анализ экспериментальных результатов по влиянию операций РТП на динамические и статические параметры силовых кремниевых диодных структур позволил осуществить выбор оптимальных режимов облучения, исключающих последующий стабилизирующий отжиг. Использование операций облучения «быстрыми» электронами с интегральным потоком (2 - 8)-1016 см*2, плотностью потока до 2,3-1013 см"2-с"', временем облучения 15 мин позволяет:

- повысить быстродействие диодов 2Д237 в 800 раз, 2Д2992 в 100 раз, 10 раз FRED -диодов;

- уменьшить суммарные потери мощности на (30 - 50) %, за счет снизившихся статических и динамических потерь мощности на (30 - 40) % и тем самым расширить диапазон рабочих частот на (20 - 30) %.

2. Применение операций РТП в разработанных режимах (Фе = (2 - 8)-1016 см-2, <р = (1,7 - 2)-1013 см"2-с"', t = (10 - 17) мин, Т = (300 - 450)°С ) приводит к снижению основного статического параметра - прямого падения напряжения на (30 - 50) % по сравнению с нормами ТУ за счет падения напряжения в активной базе приборов вследствие образования при облучении «глубоких» радиационных центров Ес - 0.42 эВ, Ес - 0,50 эВ, Ес - 0,53 эВ, Ес -0,54 эВ, приводящих к снижению удельного сопротивления базы диодных структур.

3. На основании экспериментальных данных установлено, что в интервале потоков (2-8)-1016 см-2

1 % —"у 1 при температуре облучения 450°С с плотностью потока электронов не больше 2,3-10 см -с" вклад динамической и статической мощностей в значение суммарной мощности минимален.

4. На основе исследования спектров РСГУ показано, что при проведении операции облучения «быстрыми» электронами в диапазоне интегральных потоков Фе = МО15 - 2,6 -10 см с энергией 5 МэВ в базовую область силовых диодных структур вводятся «глубокие» РЦ, имеющие следующие энергетические уровни: Ес - 0,19 эВ, Ес - 0,21 эВ (А-центр); Ес - 0,25 эВ, Ес - 0,34 эВ (Е-центр); Ес - 0.38 эВ, Ес - 0,42 эВ (Дивакансии), а также появляются новые «глубокие» РЦ, имеющие энергетические уровни: Ес - 0,50 эВ, Ес - 0,53 эВ и Ес - 0,54 эВ и увеличивающие концентрацию основных носителей заряда в базовой области диода.

5. Теоретические и экспериментальные исследования кинетики накопления и отжига «глубоких» радиационных центров в активных областях силовых кремниевых диодных структур в процессе проведения РТП с плотностью потока «быстрых» электронов в диапазоне 1,7-Ю11 -5,5-1013 см~2-с-1 позволили установить, что отжиг Е-центров происходит в интервале температур (200 - 350) °С. Температура отжига Е-центров существенно сдвигается в сторону более высоких температур при увеличении концентрации доноров, что связано с изменением зарядового состояния центров. В интервале температур (400 - 500) °С отжигаются А-центры.

Температура полного отжига А-центров растет с увеличением потока облучения. Дивакансии отжигаются (диссоциируют) в интервале температур (450 - 600) °С. При этом отжиг идет в две стадии: примерно 40 % РЦ отжигается при температуре 450 °С, а остальные 60 % - при 600 °С. Таким образом, использование результатов проведенных исследований по оптимизации режимов операций РТП позволяет достичь наилучшего сочетания комплекса статических и динамических параметров силовых кремниевых приборов, что дает значительный экономический эффект и расширяет эксплуатационные возможности приборов.

Список опубликованных работ по теме диссертации

1. Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Орлова М.Н., Калачев А.Н. Влияние облучения быстрыми электронами на электрофизические параметры кремниевых эпитаксиально-планарных диодных структур // Тезисы докладов третьей Российской школе ученых и молодых специалистов по физике, материаловедению и технологии получения кремниевых приборных структур на его основе. «Кремний. Школа - 2005». Москва - МИСиС, 2005. С. 187.

2. Ладыгин Е.А., Коновалов М.П., Орлова М.Н., Ручкин М.В., Лагов П.Б., СурмаА.М. Повышение быстродействия и радиационной стойкости силовых кремниевых диодов с применением радиационного технологического процесса // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2006. Вып. 1-2. С. 29-37.

3. Коновалов М.П., Ладыгин Е.А, Лагов П.Б., Орлова М.Н., Ручкин М.В., Сурма A.M. Энергетическое положение и концентрация глубоких радиационных центров в базовой области силовых кремниевых р-n структур при облучении и отжиге //Тезисы докладов. Третьей Международной конференции по физике кристаллов. «Кристаллофизика XXI века». Москва - МИСиС, 2006. С. 337- 338.

4. Ладыгин Е.А., Орлова М.Н., Волков Д.Л. Основные типы радиационных центров и их влияние на электрофизические параметры кремниевых диодных структур при обработке быстрыми электронами // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. №2. 2007. С. 22-27.

5. Орлова М.Н., Волков Д.Л. Разработка и исследование высокотемпературного радиационного технологического процесса для создания силовых кремниевых структур (приборов) с улучшенными электрофизическими параметрами // Тезисы докладов. Четвертой Российской конференции с международным участием по физике, материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе «Кремний - 2007». Москва, МИСиС 2007.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Орлова, Марина Николаевна, 2007 год

1. Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Мурашев В.Н. Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет. - М.: МИСиС, 2001.

2. Ладыгин Е.А. Радиационная технология твердотельных электронных приборов. М.: ЦНИИ «Электроника», 1976.

3. Вавилов B.C., Ухин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат, 1969.

4. Физические процессы в облученных полупроводниках. / Под ред Л.С. Смирнова. Новосибирск: Наука, 1977.

5. Вопросы радиационной технологии полупроводников. / Под ред. Л.С. Смирнова. Новосибирск: Наука, 1980.

6. Енишерлова К.Л., Концевой Ю.А. Проблемы кремния в силовой электронике: монокристаллы, пластины, структуры. // Известия Вузов. Материалы электронной техники. 2000. - Вып. 4.

7. Попов С. Диоды с р-п переходом для преобразовательной техники. // Электронные компоненты. -2003. Вып. 4.

8. Радиационные процессы в технологии материалов и изделий электронной техники / Васильев И.В., Ефремов Г.А., Козловский В.В., Ломасов В.Н., Иванов B.C.: Под ред. Иванова B.C., Козловского В.В.; Энергоатомиздат.- М.,1997.

9. Смирнов Л.С. Вопросы радиационной технологии полупроводников. Новосибирск: Наука, 1980.

10. Материалы и процессы создания приборов силовой электроники: Тезисы докладов V семинара АТАМ (Москва, 5-7 мая 2001 года). Новосибирск.: Институт неорганической химии СО РАН, 2001.

11. Кинчин Д., Пиз Р. Смещение атомов в твердых телах под действием излучения // Успехи физ. наук. 1956. - Т. 60, Вып. 4.

12. Вавилов B.C., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.: «Наука», 1990.

13. Burnel R., Schneider Th. «Fast Recovery Epitaxial Diodes: Characteristics Applications -Examples», IXYS, 1999.

14. Rivet B. «The Advantages of a 300V Fast Recovery Epitaxial Diode», Proc, Power Conversion, 1997.

15. Ладыгин E.A., Паничкин A.B., Горюнов H.H. Основы радиационной технологии микроэлектроники (ч. 1,2). -М.: МИСиС, 1994.

16. Вавилов B.C., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизм образования и миграция дефектов в полупроводниках,- М.: Наука, 1981.

17. Хоровиц Г., Хилл У. Искусство схемотехники. -М.: Мир, 1998.

18. Baliga В.J. Power Semiconductor Devices. Boston, MA: PWS, 1996.

19. Козловский В.В., Козлов В.А., Ломасов В.Н. Модифицирование полупроводников пучками протонов. // Физика и техника полупроводников.-2000.-Т.34.-№2.

20. Джафаров Т.Д. Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках.- М.: Энергоатомиздат, 1991.

21. Процессы дефектообразования в кремнии, легированном марганцме и германием / Абдурахманов К.П., Утамурадова Ш.Б., Далиев Х.С., Таджи-Аглаев С.Г., Эргашев Р.М // Физика и техника полупроводников.-1998.-Т.32.-№6.

22. Омельяновский Э.М., Фистуль В.И. Примеси переходных материалов в полупроводниках.-М.: Металлургия, 1983.

23. Орлов А.Н. Введение в теорию дефектов в кристаллах.- М.: Высш. шк.,1983.

24. Свойства легированных полупроводниковых материалов / Лебедев А.А., Абдурахманов К.П. идр.-М.: Наука, 1990.

25. Определение концентрации глубоких центров в диодах Шоттки с высоким барьером при нестационарной спектроскопии глубоких уровней / Агафонов Е.Н., Георгобиани А.Н., Лепнев Л.С. // Физика и техника полупроводников.-2000.-Т.36.-№6.

26. Берман Л.С., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках.-Л.: Наука,1981.

27. Легирование полупроводников радиационными дефектами при облучении протонами и а частицами / Козлов В.А., Козловский В.В. // Физика и техника полупроводников.-2001.-Т.35.-Ж7.

28. Емцев В.В., Машовец Т.В.Примеси и точечные дефекты в полупроводниках,- М.: Радио и связь,1981.

29. Бургуэн Ж., Ланно М. Точечные дефекты в полупроводниках (экспериментальные аспекты).- М.: Мир, 1985.

30. Вавилов B.C., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизм образования и и миграция дефектов в полупроводниках.- М.: Наука, 1981.

31. Процессы дефектообразования в кремнии, легированном марганцме и германием / Абдурахманов К.П., Утамурадова Ш.Б., Далиев Х.С., Таджи-Аглаев С.Г., Эргашев Р.М // Физика и техника полупроводников.-1998.-Т.32.-№6.

32. Применение силовой электроники в электротехнике: Материалы докл. науч.-техн. семинара (Москва, 15-19 мая 2000 года). -М.: МНТОРЭС им. А.С. Попова, 2000.

33. Силовые полупроводниковые приборы. / Пер. с англ. под ред. В.В. Токарева. Воронеж.: Издательство ТОО МП «Элист», 1995.

34. Воронин П.А. Силовые полупроводниковые ключи: семейства, характеристики, применение. М.: Додэка, 2001.

35. Бургуэн Ж., Ланно М. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты. М.: Мир, 1985.

36. Вавилов B.C., Кекелидзе Н.П., Смирнов Л.С. Действие излучений на полупроводники.- М.: Наука, 1988.

37. Лукьянина В.В. / Уровни вакансий и межузельных атомов в запрещенной зоне кремния // Физика и техника полупроводников.-2003.-Т.37.-№4.

38. Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах. М.: Энергоатомиздат, 1989.

39. Кузнецов Н.В., Соловьев Г.Г. Радиационная стойкость кремния.- М.: Энергоатомиздат, 1989.

40. Васильев А.В., Смагулова С.А., Смирнов Л.С. / Отжиг дивакансий в кремнии, облученном быстрыми нейтронами // Физика и техника полупроводников.-1986.- Т.20.-№3.

41. Абакумов В.Н., Перель В.И., Яссиевич И.Н. Безыизлучательная рекомбинация в полупроводниках. С.Петербург: Издательство «Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова», 1997.

42. Маркевич В.П., Мурин Л.И. / Селективный захват междоузельных атомов углерода в облученном кремнии // Физика и техника полупроводников.- 1988.- Т. 22.-№ 5.

43. Термоакцепторы в облученном кремнии / Стась В.Ф., Антонова И.В., Неустроев Е.П. и др. // ФТП,- 2000,- Т. 34,- № 2.

44. Громов В. Т., Шукайло В. П. Радиационно- наведенная электропроводность двуокиси кремния,- ЖТФ,-1991.-Т. 61.-№6.

45. Гадияк Г.В. / Диффузия бора фосфора в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации // Физика и техника полупроводников,-1997.-Т.31.-№4.

46. Ладыгин Е.А. Обеспечение надежности электронных компонентов космических аппаратов. М.: МИСиС, 2003.

47. Helms C.R., Poindexter Е.Н. The Silicon-Silicon Dioxide System: Its Microstructure and Imperfections // Rep. Prog. Phys., 1994, № 57.

48. Першенков B.C., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. М.: Атомиздат, 1988.

49. Паничкин А.В. Управление электрофизическими параметрами кремниевых МДП и КМДП структур при радиационно-термической обработке. Дисс. канд. техн. Наук. М.: МИСиС, 1987.

50. Вологдин Э.Н., Ладыгин Е.А., Шаховцов В.И. Некоторые вопросы физики радиационных повреждений в полупроводниковых приборах. Киев.: Институт физики АН УССР, 1972.

51. Федоров Н.Д. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. М.: Радио и связь, 1998.

52. Коновалов М.П. Применение высокоэнергетичных электронов в технологии силовых кремниевых приборов для улучшения их динамических и статических параметров. Дисс. канд. техн. наук. -М.: МИСиС, 2005

53. Ладыгин Е.А., Горюнов Н.Н., Паничкин А.В., Галеев А.П. Радиационные эффекты в МОП и КМОП структурах интегральных схем. М.: МИСиС, 1997.

54. Дорджин Г.С., Лактюшин В.Н., Сорокина М.В. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней // Обзоры по электронной технике. 1989. - Сер. 7, Вып. 4.

55. Атабиев И.Ж. Применение емкостной спектроскопии для исследования глубоких центров в биполярных полупроводниковых структурах и оптимизации РТП. Дисс. канд. техн. наук. -М.: МИСиС, 1983.

56. Лагов П.Б. Радиационно-термические процессы в кремниевых биполярных структурах и их влияние на электрофизические параметры. Дисс. канд. техн. наук. М.: МИСиС, 1999.

57. Гуртов В.А. Твердотельная электроника. Петрозаводск, 2004.

58. Киреев П.С. Физика полупроводников. М.: Высшая школа, 1975.

59. Шалимова К. В. Физика полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1985.

60. Абрамович М.И., Бабайлов В.М., Либер В.Е. Диоды и тиристоры в преобразовательных установках. М.: Энергоатомиздат. 1992.

61. Радиационные процессы в технологии материалов и изделий электронной техники / Васильев И.В., Ефремов Г.А., Козловский В.В., Ломасов В.Н., Иванов B.C.: Под ред. Иванова B.C., Козловского В.В.; Энергоатомиздат.- М.,1997.

62. Смирнов Л.С.Вопросы радиационной технологии полупроводников.-Новосибирск: Наука, 1980.

63. Джафаров Т.Д. Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках,- М.: Энергоатомиздат, 1991.

64. Смирнов JI.C. Физические процессы в облучаемых полупроводниках.-Новосибирск: Наука, 1977.

65. Омельяновский Э.М., Фистуль В.И. Примеси переходных материалов в полупроводниках,-М.: Металлургия, 1983.

66. Глубокие центры и отрицательный температурный коэфициэнт напряжения пробоя р-п-структур на основе SiC / Лебедев А.А., Ортоланд С., Реноуд К., Локателли М.Л., Плансон Д., Шант Ж.П. // Физика и техника полупроводников.-1997.-Т.31.-№7.

67. Рекомбинация в области пространственного заряда и ее влияние на коэффициент передачи биполярного транзистора / Булярский С.В., Глушко Н.С., Сомов А.И., Лакалин А.В. // Физика и техника полупроводников,- 1997.-Т.31.-№9.

68. Булярский С.В., Глушко Н.С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах.-М.: МГУ, 1995.

69. Булярский С.В., Глушко Н.С. Физические принципы функциональной диагностики р-п переходов с дефектами.-Кишинев: Штиинца,1992.

70. Зи С. Физика полупроводниковых приборов.-М.: Мир, 1984.

71. Конструктивно-технологические особенности эмиттера быстровосстанавливающихся диодов с мягким восстановлением / Громов В., Лебедев А., Потапчук В., Ястребов П. // Электроника: Наука, Технология, Бизнес.- 2006.-№6.

72. Болтакс Б.Н. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках.- Л.:Наука, 1972.

73. Кирсанов В.В. Радиационные дефекты и связанные с ними эффекты,- Соросовский образовательный журнал.- 2001.-Т.7.-№10.

74. Степанов В.А. / Радиационно-стимулированная диффузия в твердых телах // Журнал технической физики.-1998.-Т.68.-№8.

75. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков,- М.: Металлургия, 1988.

76. Чарыков Н.А. Физические явления в р-п переходах,- М.: МЭИ, 1982.

77. Хируненко Л.И., Шаховцов В.И., Шумов В.В. / Радиационное дефектообразование в кремнии, легированном германием, при низкотемпературном облучении//ФТП.-1998.-Т. № 2.

78. Казакевич Л.А., Лугаков П.Ф. / Влияние ростовых нарушений структуры на дефектообразование в кремнии при внешних воздействиях // Физика и техника полупроводников.-1995.-Т. 29.-N 7.

79. Отрицательная емкость (импеданс индуктивного типа) кремниевых р-п-переходов, облучаемых быстрыми электронами / Поклонский И.А., Шпаковский С.В., Горбачук Н.И., Ластовский С.Б. //Физика и техника полупроводников.-2006.-Т.40.-№7.

80. Колковский И.И., Лукьяница В.В. / Особенности накопления радиационных дефектов вакансионного межузельного типов в бездислокационном кремнии с различным содержанием кислорода. // Физика и техника полупроводников.-1997.-Т.31.-№4.

81. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках.- М.,1981.

82. Кузнецов Н.В., Соловьев Г.Г. Радиационная стойкость кремния.-М.,1989.

83. Конозенко И.Д., Семенюк А.К., Хиврич В.И. Радиационные эффекты в кремнии.-Киев, 1974.

84. Комаров Б.А. / Особенности отжига радиационных дефектов в кремневых р-п-структурах: роль примесных атомов железа // Физика и техника полупроводников.-2004.-Т.38.-№9.

85. Радиационная стойкость широкозонных полупроводников / Лебедев А.А., Козловский В.В., Строкам Н.Б., Давыдов Д.В., Иванов A.M., Стрельчук A.M., Якимова Р. // Физика и техника полупроводников.-2002.-Т.36.-№11.

86. Сверхмелкие р-п-переходы в Si (111): электронно-лучевая диагностика приповерхностной области / Андронов А.А., Баграев Н.Т., Клячкин Л.Е., Маляренко A.M., Робозеров С.В. // Физика и техника полупроводников.-1999.-Т.ЗЗ.-№1.

87. Булярский С.В., Грушко II.С., Лакалин А.В. / Дифференциальные методы определения параметров глубоких уровней по рекомбинационным токам р-п-перехода // Физика и техника полупроводников.-1998.-Т.32.-№ 10.

88. Уильяме Б. Силовая электроника: приборы, применение, управление. Справочное пособие: Пер. с англ. М.: Энергоатомиздат, 1993.