Высоковольтные полупроводниковые приборы с повышенным быстродействием тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, доктор технических наук Гейфман, Евгений Моисеевич

• Гейфман, Евгений Моисеевич
• доктор технических наук
• 2000

Оглавление диссертации доктор технических наук Гейфман, Евгений Моисеевич

Введение

Часть I. Разработка методов контролируемого регулирования времени жизни неравновесных носителей заряда (ННЗ)

Введение

Глава 1. Обзор научно-технической литературы

1.1. Методы регулирования времени жизни неравновесных носителей заряда в структурах силовых полупроводниковых приборов

1.1.1. Диффузионные методы уменьшения времени жизни ННЗ

1.1.2. Радиационные методы уменьшения времени жизни ННЗ

1.1.2.1. Электронное и Т-облучение

1.1.2.2. Протонное облучение

1.2. Регулирование статических и динамических характеристик мощных тиристоров и диодов путем регулирования времени жизни ННЗ

1.3. Выводы и постановка задачи

Глава 2. Исследование рекомбинационных центров, вводимых в силовые полупроводниковые приборы (СПП) для управления временем жизни

2.1. Исследование образования и отжига радиационных дефектов в силовых полупроводниковых приборах при электронном облучении

2.2. Исследование распределения концентрации А-центров в базовых областях силовых полупроводниковых приборов при облучении на установке БОИС

2.3. Исследование распределения концентрации золота после его диффузии в тиристорных структурах

2.4. Исследование радиационных дефектов в силовых полупроводниковых приборах при протонном облучении

2.5. Выводы

Глава 3. Исследование влияния облучения протонами и электронами с энергией, близкой к порогу дефектообразования, 78 на основные параметры СПП

3.1. Исследование влияния протонного облучения на основные параметры тиристоров

3.1.1. Исследование влияния энергии и дозы протонного облучения на основные параметры тиристоров

3.1.2. Исследование влияния отжига на параметры тиристоров, облученных протонами

3.2. Исследование влияния облучения электронами с энергией близкой к порогу дефектообразования на параметры кремниевых диодов

3.3. Выводы

Глава 4. Оптимизация процессов регулирования времени жизни неравновесных носителей заряда в диодах и тиристорах в условиях массового производства

4.1. Оптимизация режима электронного облучения при регулировании величины импульсного напряжения в открытом состоянии для тиристоров и прямого напряжения для диодов

4.2. Оптимизация процесса электронного облучения при регулировании величин заряда обратного восстановления

4.3. Оптимизация процесса локального облучения выпрямительных элементов тиристоров

4.4. Выводы

Часть II. Разработка высоковольтных приборов с повышенным быстродействием и методов контроля переходных процессов в этих приборах

Введение

Глава 5. Обзор научно-технической литературы

5.1. Некоторые вопросы оптимизации параметров тиристоров

5.2. Особенности процесса включения силовых тиристоров импульсом тока управления при повышенных значениях скорости нарастания тока в открытом состоянии

5.3. Анализ причин и механизмов отказа тиристоров при включении при повышенных значениях скорости нарастания тока в открытом состоянии

5.4. Выводы

Глава 6. Разработка и экспериментальные исследования высоковольтных приборов с повышенным быстродействием

6.1. Разработка конструкции и технологического процесса изготовления высоковольтных тиристоров с повышенным быстродействием

6.2. Экспериментальные исследования работы высоковольтных тиристоров с повышенным быстродействием

6.2.1. Исследования процесса включения тиристоров с повышенным быстродействием с помощью техники тепловидения

6.2.2. Измерение мощности потерь при работе высоковольтных тиристоров с повышенным быстродействием в импульсных режимах

6.3. Экспериментальные исследования работы высоковольтных диодов с повышенным быстродействием

6.4. Выводы

Глава 7. Методы для определения площади первоначального включения тиристоров 195 7.1. Модели для расчета площади первоначального включения

7.1.1. Модель для расчета величины площади первоначального включения тиристоров с управляющим электродом прямоугольной формы

7.1.2. Модель для расчета величины площади первоначального включения тиристоров с управляющим электродом круглой формы

7.2. Исследование влияния конструкции управляющего электрода и режима включения тиристора на величину площади первоначального включения

7.3. Экспериментальный метод определения площади первоначального включения

7.4. Экспериментальное исследование зависимости площади первоначального включения и энергии потерь в тиристорах при их включении от конструкции управляющего электрода и режимов включения тиристора

7.5. Выводы

Глава 8. Неразрушающие методы определения величины критической скорости нарастания тока в открытом состоянии тиристоров

8.1. Экспериментальные исследования предельных режимов включения тиристоров

8.2. Исследование надежности работы тиристоров в ресурсных режимах включения с повышенными значениями скорости нарастания тока в открытом состоянии

8.3. Экспериментальный неразрушающий метод определения критической скорости нарастания тока в открытом состоянии тиристора

8.4. Расчетный метод оценки критической скорости нарастания тока в открытом состоянии

8.5. Выводы

Глава 9. Методы для контроля качества выключения тиристоров

9.1. Метод выявления тиристоров с недостаточной величиной критического заряда включения в области управляющего электрода

9.2. Метод для исследования зависимости времени выключения тиристоров от величины тока обратного восстановления

9.3. Выводы 271 Заключение 272 Список использованной литературы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Высоковольтные полупроводниковые приборы с повышенным быстродействием»

Силовые полупроводниковые приборы (СПП) являются основной элементной базой силовой преобразовательной техники. Их характеристики определяют эффективность преобразователей, которые применяются во многих областях народного хозяйства - электрифицированном транспорте, в химической и горнодобывающей промышленности, черной и цветной металлургии, самолето- и судостроении, электроэнергетике и в станкостроении и т.д.

До последнего времени отечественным силовым полупроводниковым приборостроением были освоены и серийно производились СПП двух классов: мощные и сверхмощные высоковольтные СПП с низкими динамическими характеристиками (низкочастотные тиристоры и диоды). Они могут иметь блокирующее напряжение до 6 кВ и более;

СПП с высокими динамическими характеристиками (частотные, быстродействующие), которые, однако, являются относительно низковольтными. Блокирующее напряжение у них не более 2 кВ.

Это деление обусловлено тем, что существует ряд ограничений, которые делают невозможным сочетание в одном классе приборов максимальных значений его основных характеристик - повторяющегося импульсного напряжения в закрытом состоянии (\Jdrm), импульсного напряжения в открытом состоянии (Цтм), времени выключения заряда обратного восстановления (С)гг) и др. Одни ограничения носят принципиальный характер и связаны с физическими принципами работы приборов на основе многослойных структур с р-п-переходами, другие ограничения связаны с техническим уровнем производства (качество исходного кремния, технологическое оснащение и т.д.).

Для многих областей применения, в частности, в железнодорожном транспорте с асинхронными тяговыми двигателями, нужны СПП с блокирующим напряжением 4-6 кВ, которые должны работать на повышенных частотах 100 Гц<{<1 кГц при сравнительно небольшой скорости нарастания анодного тока с11т/с11:~50 А/мкс.

Предполагалось, что в этом частотном диапазоне можно использовать низкочастотные СПП. Однако, например, в низкочастотных высоковольтных тиристорах из-за низких значений скорости распространения включенного состояния и слабого разветвления управляющего электрода (УЭ) велика длительность процесса включения всей площади прибора (Ъ). Типичные значения для высоковольтных тиристоров составляют ~ 1 мс, а для приборов большой площади могут составлять ~2ч-3 мс и выше, что совершенно неприемлемо при работе на частоте в сотни Гц. Кроме того, при изготовлении этих приборов практически не производится контролируемое регулирование времени жизни (т) неравновесных носителей заряда (ННЗ) в базовых областях, поскольку время выключения не является лимитирующим параметром при работе на промышленной частоте 50 Гц. При работе же на повышенных частотах этот параметр становится принципиально важным, что приводит к необходимости прецизионного контроля т. Кроме того, значительно возрастает доля коммутационных потерь и для их уменьшения необходимо существенно изменить конструкцию прибора.

Использование в указанных режимах существующих частотных и быстродействующих СПП также нецелесообразно. Эти приборы разработаны для диапазона частот 1<(<20 кГц, поэтому они сравнительно низковольтны (Цо1ш<2 кВ), а во-вторых, конструкция их управляющего электрода, рассчитанная на работу в области очень больших скоростей нарастания тока, при существенно меньших скоростях нарастания, характерных для диапазона частот 100 <(<1000 Гц, работает с низкой эффективностью. В связи с этим актуальной становится проблема создания нового класса силовых полупроводниковых приборов - высоковольтных СПП для средних частот, или высоковольтных приборов с повышенным быстродействием (ВППБ).

Целью настоящей работы является создание нового класса полупроводниковых приборов - высоковольтных полупроводниковых приборов с повышенным быстродействием, разработка технологических методов их изготовления и методов контроля качества приборов в условиях серийного производства.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:

1. Разработать методы контролируемого регулирования времени жизни ННЗ в СПП, обеспечивающие высокий процент выхода годных приборов с заданными свойствами и высокими динамическими параметрами.

2. Разработать конструкцию, технологический процесс производства ВППБ и провести экспериментальные исследования их работы.

3. Разработать неразрушающие методы контроля переходных процессов включения и выключения в СПП, которые применимы для оценки качества приборов в условиях серийного производства.

При их решении использовались методы моделирования физических процессов, протекающих в СПП и экспериментальные исследования этих процессов. В качестве объектов исследований выбраны все классы СПП, что обусловлено широкой областью их применения.

Работа состоит из введения, 9 глав, заключения, списка использованной литературы и восьми приложений.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Результаты теоретических и экспериментальных исследований физических процессов в р-п-р-п-структурах, приведшие к созданию нового класса СПП - высоковольтных полупроводниковых приборов с повышенным быстродействием, которые способны эффективно работать в преобразователях в области средних частот.

2. Радиационно-технологические режимы, защищенные патентами и авторскими свидетельствами, обеспечивающие получение наилучших сочетаний динамических и статических характеристик мощных диодов и тиристоров, а именно: а) при облучении тиристоров протонами длина их пробега такова, что область повышенной рекомбинации располагается в п-базовой области, не попадая при этом в область объемного заряда анодного р-п-перехода, а после облучения проводится термостабилизирующий отжиг в течение 3-5 часов при температуре 500-520 К; б) при облучении диодов электронами их энергия на поверхности полупроводникового элемента такова, что, с учетом потерь энергии электронами в материале контактного покрытия и в эмиттерной области, ее величина в области р-п-перехода не менее 250 кэВ, но не более 500-^600 кэВ; в) с целью обеспечения малого различия по величине регулируемых параметров электронное облучение СПП в условиях массового производства проводится в два этапа. До облучения необходимо измерить регулируемый параметр (и, С)гг, 1Ч, т), произвести первое облучение с заранее определенной минимальной дозой, повторно измерить регулируемый параметр, разбраковать приборы на группы по величине этого параметра и на приборах, у которых регулируемый параметр не достиг заданного значения, провести повторное облучение с дозой, рассчитанной из соотношений, полученных в диссертации.

3. Результаты исследования изменения времени жизни ННЗ в ВППБ подвергнутых электронному и протонному облучению, показавшие, что оно практически полностью обусловлено введением А-центров и дивакан-сий, причем эффективность рекомбинации ННЗ на дивакансиях в 10-^15 раз больше, чем на А-центрах.

4. Результаты исследования процессов включения и выключения ВППБ и разработка физических основ проектирования, методов управления технологическим процессом и методов контроля их качества в условиях серийного производства. А именно:

4.1. Неразрушающий расчетно-экспериментальный метод определения важнейшего параметра этих тиристоров - величины площади первоначального включения (Эо), особенностью которого является определение максимальной для исследуемого тиристора скорости нарастания тока в от

16 крытом состоянии при его включении на активную нагрузку, исходя из которой определяется величина 8о для данного тиристора.

4.2. Неразрушающий расчетно-экспериментальный метод определения величины критической скорости нарастания тока в открытом состоянии тиристоров, особенностью которого является определение величины 8о для каждого тиристора, разработанным способом (п. 4.1), и установление исходя из найденной величины Бо критической энергии потерь, выделение которой допустимо при каждом включении тиристора.

4.3. Методы контроля и корректировки качества изготовления тиристоров, заключающиеся в выявлении тиристоров с недостаточной величиной критического заряда включения в области управляющего электрода и последующего его увеличения с помощью проведения электронного облучения.

Часть I

Разработка методов контролируемого регулирования времени жизни неравновесных носителей заряда

Введение

Задача улучшения динамических свойств и получения оптимальных параметров СПП связана прежде всего с необходимостью контролируемого уменьшения времени жизни неравновесных носителей заряда.

Практически все методы уменьшения времени жизни ННЗ в монокристаллическом кремнии основаны на создании дополнительных каналов рекомбинации носителей заряда через ловушки, вводимые в объем кристалла либо путем диффузии, либо радиационными методами при облучении полупроводника пучком частиц высоких энергий.

Специфика применения какого-либо метода регулирования т определяется спектром и свойствами вводимых центров рекомбинации (ЦР), их распределением по объему кристалла и термостабильностью, а также исходными геометрическими и электрофизическими свойствами полупроводниковой структуры до осуществления регулирования т. Поэтому, хотя различные способы регулирования т широко применяются за рубежом для управления динамическими свойствами полупроводниковых приборов, их непосредственное использование в производстве отечественных СПП невозможно, т.к. приводимые в этих работах сведения о характеристиках ЦР, их пространственном распределении и влиянии на основные параметры СПП противоречивы и часто недостаточно полны.

Большие возможности для создания СПП с высоким сочетанием параметров предоставляют процессы протонного облучения и облучения электронами с энергией близкой к порогу дефектообразования. Эти процессы позволяют создавать не однородные пространственные распределения ЦР.

18

Однако их влияние на основные параметры приборов изучено недостаточно.

Кроме того, имеющиеся данные о зависимости основных параметров СПП, в частности, величины импульсного напряжения в открытом состоянии для тиристоров и импульсного прямого напряжения для диодов, а также величины заряда обратного восстановления этих приборов, от исходных свойств прибора и режима облучения не позволяют осуществлять регулирование этих величин с заданной точностью при серийном производстве СПП.

Поэтому изучение свойств ЦР, образующихся в процессе производства отечественных СПП, и разработка с учетом этого методов контролируемого регулирования т ННЗ является актуальной.

Наиболее перспективными методами регулирования х являются радиационные методы, поскольку они, в частности:

1. Позволяют проводить регулирование времени жизни ННЗ после полного изготовления выпрямительных элементов СПП;

2. Позволяют варьировать спектром дефектов, а также создавать неоднородное по площади и глубине распределения ЦР.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Гейфман, Евгений Моисеевич

Основные результаты диссертации изложены в работах:

1. Гейфман Е.М. Высоковольтные полупроводниковые приборы с повышенным быстродействием / Мордов.гос.-ун-т им. Н.П. Огарева. - Саранск, 2000. - 56 с.

2. Гейфман Е.М., Чибиркин В.В. Методы контролируемого регулирования времени жизни неравновесных носителей заряда в силовых полупроводниковых приборах / Мордов.гос.-ун-т им. Н.П. Огарева. - Саранск, 2000. - 28 с.

3. Высоковольтные тиристоры с повышенным быстродействием / Гейфман Е.М., Конюхов A.B., Лапшина И.Н. и др. // Электротехника. -1988.-Вып. 9.-С. 25-28

4. Силовые полупроводниковые приборы ОАО "Электровыпрямитель" / Гейфман Е.М., Ковтун В.И., Мартыненко В.А. и др. // Методы и средства управления технологическими процессами: Тез. докл. на межреспубл. науч. конф., Саранск, 13-15 февраля 1989 г. - Саранск, 1989. - С. 15-16

5. Высоковольтные тиристоры с улучшенными динамическими характеристиками / Гейфман Е.М., Конюхов A.B., Локтаев Ю.М. и др. // Новые силовые полупроводниковые приборы. Проблемы обеспечения качества: Тез. докл. отрасл. науч.-техн. семинара, Саранск, 15-17 июня 1990 г. - 1990, С. 63

6. Новые высоковольтные силовые полупроводниковые приборы для электроподвижного состава / Гейфман Е.М., Иньков Ю.М., Конюхов A.B. и др. // Полупроводники и их применение в энергетике: Тез. докл. на Меж-дунар. науч. конф. памяти акад. А. Крогериса, Рига, 22-24 октября 1991. -Рига, 1991.-С. 30-31

7. Высоковольтные мощные диоды с повышенным быстродействием / Гейфман Е.М., Максутова С.А., Аринушкин В.Н. и др. // Полупроводники и их применение в энергетике: Тез. докл. на Междунар. науч. конф. памяти акад. А. Крогериса, Рига, 22-24 октября 1991. - Рига, 1991. - С. 105-106.

8. Высоковольтные лавинные диоды / Гейфман Е.М., Максутова С.А., Мартыненко В.А. и др. // Импульсная и высокочастотная РВД-электроника: Тез. докл. всесоюз. совещ., Ленинград, 25-26 яеваря 1989 г. -Л., 1989.-С. 30

9. Современное состояние перспективы производства силовых полупроводниковых приборов на АО "Электровыпрямитель" / Гейфман Е.М., Ковтун В.И., Мартыненко В.А. и др. // Проблемы преобразования электроэнергии: Тез. докл. Междунар. конф., Москва, 8-9 декабря 1993 г. - М., 1993.-С. 5-6

10. Высоковольтные мощные силовые полупроводниковые приборы с повышенным быстродействием / Гейфман Е.М., Ковтун В.И., Конюхов A.B. и др. // Проблемы преобразования электроэнергии: Тез. докл. Междунар. конф., Москва, 8-9 декабря 1993 г. - М., 1993. - С. 13-14

11. Исследование образования и отжига радиационных дефектов в силовых полупроводниковых приборах при электронном облучении / Ари-нушкин B.H., Гейфман Е.М., Ременюк А.Д. и др. // Электротехника. - 1993. -Вып.1.-С. 60-63

12. Исследование возможности использования электронного и протонного облучения для регулирования процесса обратного восстановления силовых диодов / Гейфман Е.М., Ковтун И.И., Крылова И.В. и др. // Новые силовые полупроводниковые приборы. Проблемы обеспечения качества: Тез. докл. отрасл. науч.-техн. семинара, Саранск, 15-17 июня 1990 г. - Саранск, 1990.-С. 64

13. Исследование эффективности радиационных методов для регулирования параметров высоковольтных тиристоров с повышенным быстродействием / Аринушкин В.Н., Гейфман Е.М., Канев Д.Д., Крылова И.В. // Новые силовые полупроводниковые приборы. Проблемы обеспечения качества: Тез. докл. отраслевого научно-технического семинара, Саранск, 1517 июня 1990 г. - Саранск, 1990. - С. 65

14. Параметры мощных кремниевых диодов облученных низкоэнергетическими электронами / Аринушкин В.Н., Берман Л.С., Гейфман Е.М., и др. // Журнал технической физики. - 1993. - Т. 63, Вып. 8. - С. 41-45

15. Беспалов Н.Н., Гейфман Е.М. Экспериментальное исследование площади начального включения и потерь при включении быстродействующих тиристоров // Полупроводники и их применение в энергетике: Тез. докл. на Междунар. науч. конф. памяти акад. А. Крогериса, Рига, 22-24 октября 1991 г. - Рига, 1991. - С. 100-101

16. Беспалов Н.Н., Гейфман Е.М. Экспериментальное исследование влияния геометрических и электрофизических параметров управляющего электрода тиристоров на формирование начальной области включения // Основные направления конструирования, технологии и исследования силовых полупроводниковых приборов: Тез. докл. III Всесоюз. науч.-техн. конф., Москва, 17-19 сентября 1991 г. - М., 1991. - С. 85-86

17. Особенности конструирования управляющего электрода мощного высоковольтного тиристора с повышенным быстродействием / Бурцев Э.Ф., Гейфман Е.М., Кафенгауз З.И. и др. // Основные направления конструирования, технологии и исследования силовых полупроводниковых при-боров:Тез. докл. III Всесоюз. науч.-техн. конф., Москва, 17-19 сентября 1991г.-М., 1991.-С. 86-88

18. Пат. 2106038 Россия, МКИ 6 Н 01 Ь 21/332, 21/18. Способ изготовления тиристоров / Е.М. Гейфман, В.В. Чибиркин, В.П. Михайлов, и др. -(Россия). - №96114791; Заявл. 23.07.96; Опубл. 27.02.98, Бюл. №6. - 4 л.

19. Пат. 2119211 Россия, МКИ 6 Н 01 Ь 21/66. Способ регулирования величины напряжения в открытом состоянии тиристоров и диодов / Е.М. Гейфман, Г.И. Громов, Д.Д. Канев - (Россия). - №96105145; Заявл. 13.03.96; Опубл. 20.09.98, Бюл. №26. - 5 л.

20. Пат. 2110113 Россия, МКИ 6 Н 01 Ь 21/263. Способ регулирования величины заряда обратного восстановления полупроводниковых приборов с заданной точностью / Е.М. Гейфман, Д.Д. Канев, О.П. Ксенофонтов. -(Россия). - №96119133; Заявл. 25.09.96; Опубл. 27.04.98, Бюл. №12. - 4 л. л

21. Беспалов H.H., Гейфман Е.М. Экспериментальное исследование площади начального включения и потерь в тиристорах при включении по цепи управления // Электротехника. - 1996. - Вып. 1. - С. 48-51

22. Гейфман Е.М., Сережкин Ю.Н., Чибиркин В.В. Распределение А-центров в базовых областях силовых полупроводниковых приборах при электронном облучении // Электротехника. - 1997. -Вып.11. - С. 21-23

23. Высоковольтные диоды повышенного быстродействия в тиристор-но-импульсных преобразователях электроподвижного состава постоянного тока/ Гейфман Е.М., Корнев A.C., Иванов H.A. и др. // Электротехника.

1996. -Вып. 12. - С. 11-14

24. Высоковольтные силовые полупроводниковые приборы с повышенным быстродействием для преобразователей железнодорожного транспорта / Гейфман Е.М., Герман А.Е., Конюхов A.B. и др. // Состояние и перспективы развития электроподвижного состава: Тез. докл. II Междунар. конф., Новочеркасск, 4-6 июня 1997 г. - Новочеркасск, 1997. - С. 25

25. Пат. 2112989 Россия, МКИ 6 G 01 R 31/26. Устройство для определения качества изготовления тиристоров / Е.М. Гейфман, A.A. Сафонов. -(Россия). - № 95120767/09; Заявл. 07.12.95; Опубл. 10.06.98, Бюл. № 16. - 6 л.

26. A.C. 1700709 А2 Россия, МКИ Н 02 М 1/08, 7/515. Устройство для коммутации тиристоров преобразователя / Г.Н. Коваливкер, H.H. Беспалов, A.B. Конюхов, Е.М. Гейфман. - Заявл. 22.08.89; Опубл. 23.12.91, Бюл. № 47. - 5 л.

27. Разработка и производство силовых полупроводниковых приборов в ОАО «Электровыпрямитель» / Гейфман Е.М., Елисеев В.В., Епишкин А.Н., Чибиркин В.В. // Методы и средства управления технологическими процессами: Тр. Междунар. конф., Саранск, 3-5 декабря 1997 г. - Саранск,

1997.-С. 78-80

28. Беспалов H.H., Гейфман Е.М. Метод и аппаратура для неразру-шающего определения сйт/сИ-стойкости силовых тиристоров // Актуальные проблемы электронного приборостроения [АПЭП-98]: Тр. IV Междунар. конф. гос. техн. ун-тета, Новосибирск, 23-26 сентября 1998 г. - Новосибирск, 1998.-Т. 7.-С. 39-40

29. Методы управления технологическим процессом электронного облучения СПП / Гейфман Е.М., Канев Д.Д., Федотов А.Н., Чибиркин В.В. // Методы и средства управления технологическими процессами: Тр. Между-нар. конф., Саранск, 3-5 декабря 1997 г. - Саранск, 1997. - С. 73-77

30. Методы управления технологическим процессом электронного облучения СПП / Гейфман Е.М., Канев Д.Д., Федотов А.Н. и др. // Актуальные проблемы электронного приборостроения [АПЭП-98]: Тр. IV Между-нар. конф.гос. техн. ун-тета, Новосибирск, 23-26 сентября 1998 г. - Новосибирск, 1998.-Т. 2.-С. 185-188

31. Современное состояние и перспективы развития приборов силовой электроники на ОАО "Электровыпрямитель" /Чибиркин В.В., Рожков JI.A., Елисеев В.В., Гейфман Е.М. // Проблемы и прикладные вопросы физики: Тез. докл. II междунар. науч.-техн. конф., Саранск, 16-19 июня 1999 г.- Саранск, 1999.-С.4

32. Чибиркин В.В., Гейфман Е.М. Исследование влияния протонного облучения на основные параметры тиристоров // Проблемы и прикладные вопросы физики Мордов. гос. пед. ин-та: Тез. докл. II междунар.науч.-техн. конф., Саранск, 16-19 июня 1999 г. - Саранск, 1999. - С.190

33. Беспалов H.H., Гейфман Е.М. Оптимизация параметров источников импульсов управления силовых тиристоров // «Электротехника 2010 год: Перспективные направления в развитии энергетики и электротехнического оборудования в 2000-2010 годах»: Тр. V Междунар. Симпозиума, Москва, 19-22 октября 1999 г. - М., 1999. - Т.2. - С. 295-297

34. Беспалов H.H., Гейфман Е.М. Методы и аппаратура для определения качества включения силовых тиристоров // «Электротехника 2010 год: Перспективные направления в развитии энергетики и электротехнического оборудования в 2000-2010 годах»: Тр. V Междунар. Симпозиума, Москва, 19-22 октября 1999 г. - М., 1999. - Т.2. - С. 298-303

35. Беспалов H.H., Гейфман Е.М., Перфильев O.A. О некоторых технологических причинах, обуславливающих снижение diT/dt-стойкости силовых тиристоров // Медицина. Естественные и технические науки: Материалы IV науч. конф. молодых ученых, Саранск, 19-23 апреля 1999 г. - Саранск, 1999. - С. 202-203

36. Беспалов H.H., Гейфман Е.М. Оптимизация параметров демпфирующего RC-контуров для обеспечения dix/dt-стойкости силовых тиристоров // Методы и средства управления технологическими процессами: Тр. III Междунар. науч. конф., Саранск, 25-27 октября 1999 г. - Саранск, 1999. - С. 36-40

37. Гейфман Е.М., Елисеев В.В., Чибиркин В.В. Современное состояние и перспективы развития производства силовой электроники // «Электротехника 2010 год: Перспективные направления в развитии энергетики и электротехнического оборудования в 2000-2010 годах»: Тр. V Междунар. Симпозиума, Москва, 19-22 октября 1999 г. - М., 1999. -Т.2. - С. 228-231

38. Чибиркин В.В., Гейфман Е.М. Экспериментальное исследование влияния локального электронного облучения на основные параметры тиристоров // «Электротехника 2010 год: Перспективные направления в развитии энергетики и электротехнического оборудования в 2000-2010 годах»: Тр. V Междунар. Симпозиума, Москва, 19-22 октября 1999 г. - М., 1999. -Т.2. - С. 290-294

39. A.C. № 1491179 AI Россия, МКИ G 01 R 31/26. Способ определения качества изготовления тиристора / Е.М. Гейфман, А.Н. Брагин, С.И. Мягкова. - Заявл. 06.07.87; Опубл. 27.02.00, Бюл. №6.-2 л.

40. A.C. № 1809701 AI Россия, МКИ Н 01 L 21/263. Способ изготовления силовых кремниевых диодов / В.Н. Аринушкин, JI.C. Берман, Е.М. Гейфман и др. - Заявл. 16.07.90; Опубл. 20.12.99, Бюл. № 35. - 5 л.

Заключение

Список литературы диссертационного исследования доктор технических наук Гейфман, Евгений Моисеевич, 2000 год

1. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. -М.:Мир, 1977-586 с.

2. Collins C.B., Carlson R.O., Gallagher C.J. Properties of Gold-Doped Silicon // Physical Review. 1957. - V. 105. -№.4. - P.l 168-1174

3. Bemski G. Recombination Properties of Gold in Silicon // Physical Review. 1958. -V. 111. -№.6. -P.1515-1521

4. Bruchner B. Electrical Properties of Gold-Doped Silicon // Physica Status Solidi. 1971. -№.A4. -P.685

5. Bullis W.M. Properties of gold in Silicon // Solid-State Electronics. -1966. V. 9. - №.2. - P. 143-147

6. Kendall D.L., De Vries D.B. Semiconductor Silicon the Electrochemical Society. New-York, 1969 - 358 p.

7. Wilcox W.R., LaChapelle T.J. Mechanism of Gold Diffusion into Silicon // Journal of Applied physics. 1964. - V. 35. - №.1. - P.240-246

8. Sprokel G.J., Fairfield J.M. Diffusion of gold into silicon crystals // Journal Electrochemical Society. 1965. - V. 112. - №.2. - P.200

9. Sprokel G.J. Interstitial-Substitutional diffusion in a finite medium, gold into silicon // Journal Electrochemical Society. 1965. - V. 112. - №.8. - P.807-815

10. Болтакс Б.И., Куликов Г.С., Малкович Р.Ш. Электрический перенос золота в кремнии // Физика и техника полупроводников. 1960. - Т.2. -Вып.2. - С.2395

11. Шокли В. Теория электронных полупроводников. Приложения к теории транзисторов М.: Изд-во иностр. лит-ры, 1953. - 714 с.

12. Carchano H., Juhd С. Electrical Properties of Silicon Doped with Platinum // Solid-State Electronics. 1970. - V. 13. - P. 83

13. Baliga B.J., Sun E. Comparison of gold, platinum and electron irradiation for controlling lifetime in power rectifiers // IEEE Transactions on electron devices. 1977. - V. ED-24. - №.6. - P.685-688

14. Лебедев А.А., Соболев Н.А., Урунбаев Б.М. Исследование параметров уровней платины в n-Si // Физика и техника полупроводников. -1981.-Т. 15. Вып.8. - С. 1519-1522

15. Вавилов B.C., Ухин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат, 1969. - 311 с.

16. Конозенко И.Д., Хиврич В.И., Семенюк А.Б. Радиационные эффекты в кремнии. Киев: Наукова думка, 1974. - 199с.

17. Физические процессы в облученных полупроводниках / Под ред. Л.С. Смирнова. Новосибирск: Наука, 1977. -256с.

18. Вопросы радиационной технологии полупроводников / Под ред. Л.С. Смирнова.- Новосибирск: Наука, 1980. 296с.

19. Defects in irradiated silicon. II. Infrared absorption of the Si-A center / Corbett J.W., Watkins G.D., Chrenko R.M., McDonald R.S. // Physical Review. 1961. - У. 121. -№.4. - P.1015-1020

20. Glaenzer R.H., Wolt C.J. Recombination in gamma-irradiated silicon //Journal of Applied physics. 1965. -V. 36. -№.7. -P.213-216

21. Barnes C.E. Gamma-induced trapping levels in Si with and without gold doping // Journal of Electronic Materials. 1979. - V. 8. - №.4. - P.437-457

22. Brotherton S.D., Bradley P. Defect production and lifetime control in electron and y-irradiated silicon // Journal of Applied physics. 1982. - V. 53. -№.8. -P.5720-5732

23. Evwaraye A.D., Baliga B.J. The dominant recombination centers in electron irradiated semiconductors devices // Journal Electrochemical Society. - 1977. - V. 124. - №.6. - P.913-916

24. Ковешников С.В., Носенко С.В., Якимов Е.Б. Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом // Физика и техника полупроводников. 1988. - Т. 22. - Вып.5. - С. 922-924

25. Kuchinskii P.V., Lomako V.M. The effect of thermal and radiation defects on the recombination properties of the base region of diffused silicon p-n structures // Solid-State Electronics. 1986. - V. 29. - №.10. - РЛ041-1051

26. Атабиев И.Е., Горюнов H.H., Ладыгин Е.А. Исследование спектра глубоких радиационных центров в п-р-п транзисторах методом релаксационной спектроскопии // Электронная техника. Сер.2, Полупроводниковые приборы. 1982. - Вып.6. - С. 34-37

27. Jellison G.E. Transient capacitance studies of an electron trap at Ec-Et=0.105 eV in phosphorus-doped silicon // Journal of Applied physics. 1982. -V. 53. - №.8. - P.5715-5719

28. Lee J.H., Corbett J.W., Brower K.L. EPR of a carbon-oxygen-divacancy complex in irradiated silicon // Physica Status Solid (c). 1977. - V. 41. - №.5. - P.637-647

29. Образование радиационных дефектов в кремнии n-типа при облучении электронами 1,2 ГэВ / Касилов В.И., Лугаков П.Ф. и др. // Физика и техника полупроводников. 1978. - Т. 12. - Вып.8. - С. 1636-1638

30. Walker J.W., Sah С.Т. Properties of 1.0 meV electron irradiated defects centres in silicon // Physical Review. 1973. - V. 7. - №. 12. - P.4587-4605

31. Колодин Л.Г., Мукашев Б.Н. Рекомбинационные и электрические свойства кремния р-типа, облученного электронами // Физика и техника полупроводников. 1980. - Т. 14. - Вып.9. - С. 1756-1750

32. Guogang Q., Zonglu U. The convergent effect of the annealing temperatures of electron irradiated defects in FZ silicon grown in hidrogen // SolidState Communications. 1985. -V. 53. -№.11. -P.975-978

33. Study of primary and secondary radiation defects formation and annealing in p-type silicon / Mukashev B.N., Kolodin L.G., Nussupov K.N. etal. 11 Radiation Effects. 1980. - V. 46. - №.1. - P. 79-84

34. Weinberg 1., Swartz С. K. Original reverse annealing in radiation -damaged silicon solar cells // Applied Physics Letters. 1980. - V. 36. - №.8. -P.693

35. Defect energy levels in boron-doped silicon irradiated with 1 MeV electrons / Mooney P.M., Cheug L.J., Suli M. et al. // Physical Review. 1977. -V. 15. -№.10. -P.3836-3843

36. Kimerling L.C. New developments in defect studies in semiconductors // IEEE Transactions Nuclear Science. 1976. - V. 23. - №.9. - P. 1497-1505

37. Photon effect on electron-irradiated boron-doped silicon solar sell / Roux M., Jacques В., Reulet R., Crabb R.L. // Journal of Applied physics. -1984. V. 56. - №.2. - P.531-537

38. Власенко JI.С., Лебедев А.А., Рожков В.М. Фото-ЭПР К-центров в облученном электронами кремнии // Физика и техника полупроводников. -1980. Т. 14. - Вып. 11.-С. 2152-2156

39. Semiconductor silicon ed by Н / Brotherton S.D., Bradley P., Huff H., Kriegler R.J., Takeishi J. // Journal Electrochemical Society. 1981. - V.127. -№.6. - P.779-785

40. Гасс В.Ф., Николаевский И.Ф., Шуренков В.В. Измерение времени жизни неосновных носителей в кремнии при облучении электронами // Радиационные дефекты в полупроводниках. Минск, 1972. - С. 34-36

41. Carlson В.О., Sun Y.S., Assalit Н.В. Lifetime control in silicon power devices by electron or gamma irradiation // IEEE Transactions on Electron Devices. 1977. - V.ED-24. - №8. - P. 1103-1108

42. О пороговой энергии образования радиационных дефектов в полупроводниках / Герасименко П.И., Двуреченский А.В., Попов В.И., Смирнов Л.С. // Физика и техника полупроводников. 1971. - Т. 5. -Вып.8. - С. 1644-1646

43. О влиянии интенсивности облучения на радиационное повреждение кремния / Золотухин А.А., Коваленко А.К., Мещерякова Т.М., Милев-ский Л.С., Пагава Т.А. // Физика и техника полупроводников. 1975. - Т.9. Вып.6. - С. 1201-1202

44. Берман JI.C., Шуман В.Б. Исследование отрицательного отжига у-радиационных дефектов в диффузионных кремниевых диодах // Физика и техника полупроводников. 1976. - Т. 10. - Вып.9. - С. 1755-1757

45. Берман Л.С., Витман Р.Ф., Шуман В.Б. Исследование радиационных дефектов в кремниевых р+-п переходах, облученных у-квантами // Физика и техника полупроводников. 1975. - Т. 9. - Вып.1. - С. 311

46. Аглинцев К.К. Дозиметрия ионизирующих излучений. М.-Л.: Учнедгиз, 1950. 500с.

47. Wada T., Yasuda К., Ikuta S. Complex defects introduced into silicon by high-energy electron irradiation: production rates of defects in n-Si // Journal of Applied physics. -1977. V.48. - №.6. - P.2145-2152

48. Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры / Берман Л.С., Витовский Н.А., Ломасов В.Н., Ткаченко В.Н. // Физика и техника полупроводников. 1990. -Т. 24. -Вып. 10. - С. 1816-1822

49. Асина С.С., Терентьев Б.Н., Сурма А.М. Применение Р-установки БОИС-8 для технологического облучения структур // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Радиационная техника. 1988. - Вып. 1(36). - С. 6-10

50. Кумиров А.Л., Терентьев Б.Н. Спектрально-угловое распределение (3-излучения источника ИРУС-2 с активностью 250 кюри // Радиационная техника. 1975. - Вып.11. - С. 57-60

51. Сурма А.М. Разработка радиационно-технологических и конструктивных методов повышения быстродействия мощных тиристоров: Дис. канд. техн. наук. М.: ВЭИ им. В.И. Ленина, 1989. - 173 с.

52. Немец О.Ф., Гофман Ю.В. Справочник по ядерной физике. Киев: Наукова думка, 1975. - 415 с.

53. Булгаков Ю.В., Коломенская Т.И. Области высокого сопротивления в кремнии, облученном протонами // Физика и техника полупроводников. 1967. - Т. 1. - Вып.З. - С. 422-425

54. Исследование профиля рекомбинационных параметров кремния, облученного протонами / Булгаков Ю.В., Игнатова Е.А., Кузнецов Н.В., Яценко JI.A. // Физика и техника полупроводников. 1984. - Т. 18. -Вып.9. -С. 1612-1615

55. Wondrak W., Silber D. Buried recombination layers with enhanced N-type conductiving for silicon power devices // Physica. 1985. - V.BC-129. -№1-3. - P.322-326

56. Ohmura Y., Zohta Y, Kanarawa M. Electrical properties of n-type Si layers doped with proton bombardment induced shallow donors // Solid-State Communications. 1972. - V.l 1. - №1. - P.263-266

57. Пассивация примесей и радиационных дефектов водородом в кремнии р-типа / Мукашов Б.Н., Токмолдин С.Ж., Тимендаров М.Ф., Аб-дуллин Х.А., Чихрай Е.В. // Физика и техника полупроводников. 1988. -Т. 22. - Вып.6. - С. 1020-1024

58. Асина С.С., Кузьмин В.Л., Сурма A.M. Быстродействующие диоды и тиристоры большой мощности // Электротехника. 1988. -Вып.5. - С. 7-10

59. Agras-Guerna J., Li S.S. Steady State Recombination and Trapping "Effects in Gold and Phosphorus Doped Silicon" // Bulletin of the American Physical Society. - 1970. - V.l5. - № 2. - P.314-318

60. Bakanowski A.E., Forster J.H. Electrical Properties of Gold Doped Diffused Silicon Computer Diodes // Bell System Technical Journal. - 1960. - V. 39. -J4q1.-P.87

61. О временах выключения тиристоров, подвергнутых облучению / Витман Р.Ф., Кутлахметов В.А., Решетин В.П., Шаховцев В.И., Шуман В.Б. // Физика и техника полупроводников. 1975. - Т.9. - Вып.2. - С. 338341

62. Берман Л.С., Витман Р.Ф., Шуман В.Б. Исследование радиационных дефектов в кремниевых р+-п-переходах, облученных квантами // Физика и техника полупроводников. 1975. - Т.9. - Вып.2. - С. 311-315

63. Терентьев Б.М., Белюсенко Н.А., Вологдин Э.Н. Установки с ра-дионуклидными источниками излучения для обработки изделий электронной техники // Электронная техника. Сер.7, ТОПО. 1981. -Вып.3(104). - С. 12-15

64. Воронин К.Д. Исследование переходных процессов в р-п-р-п структурах большой площади и разработка инверторных тиристоров: Автореф. дис. канд. техн. наук. М.: ВЭИ им. В.И. Ленина, 1974. - 168 с.

65. Блихер А. Физика тиристоров. JL: Энергоиздат, 1981. - 246с.

66. Уваров А. И. Критический заряд включения тиристоров // Физика электронно-дырочных переходов в полупроводниковых приборов. JL, 1968.-С. 151-161

67. Аязян Р.Э., Горбатюк А.В., Паламарчук А.Н. Условие включения р-п-р-п структуры при различных распределениях начального заряда вдоль баз // Радиотехника и электроника. 1978. - Т. 23. - Вып. 5. - С. 1039-1045

68. Восстановление прямой блокирующей способности р-п-р-п структуры с остаточной плазмой в слаболегированной области / Горбатюк А.В., Павлынив Я.И., Паламарчук А.Н., Попова М.В. // Радиотехника и электроника. 1984. - Т. 29. - Вып. 10. - С. 2014-2021

69. Велмре Э.Э., Дерменжи П.Г., Удал А.Э. Влияние распределения времени жизни электронов и дырок на процесс обратного восстановления р+-п-п+ диодов // Электротехника. 1984. - Вып. 3. - С. 47-51

70. Temple V.A.K., Holroyd E.W., Adler M.S. et al. The effect of carrier lifetime profile on turn-off time and turn-off losses / IEEE Power El. Spec. Conf. 1980. - P.153-163

71. Temple V.A.K., Holroyd E.W. Optimizing carrier lifetime profile for improved trade-off between turn-off time and forward drop / IEEE Transactions on Electron Devices. 1983. - V.ED-30. - №7. - P. 782-790

72. Silber D., Maeder H. The effect of gold concentration gradients on thyristor switching properties / IEEE Transactions on Electron Devices. -1976.1. V.ED-23. №3. - P.366-368

73. Tada A., Nakagawa T., Hagino H. Improvement in trade-off between turn-off time and other electrical characteristics of bast switching thyristor. // Journal of Applied physics. 1982. - V. 21. - №.4. - P.617-623

74. Пат. 1489087 ФРГ, 21 д 11/02. Полупроводниковый конструктивный элемент с улучшенной частотной характеристикой и способ его изготовления / К. Ginsbach. №49102; Заявлено 24.10.64; Опубл. 15.04.71.

75. Пат. 141960 ЧССР, 21 д 11/02. Многослойный полупроводниковый элемент / J. Dusek, J. Kopestansty. №3783; Заявлено 28.05.69; Опубл. 15.07.71.

76. Пат. 2845895 ФРГ, HOI L 29/74. Thyristorelement mit geringer Freiwerdezeit und Verfahren rur Einstellung der Ladungstrager-lebensdauer bei demselben / Borchert. №2845895; Заявлено 21.10.78; Опубл. 14.05.81.

77. Пат. 2917786 ФРГ, HOI L 29/743. Thyristorelement mit geringer Freiwerdezeit und Verfahren zur Herstellung / Licentia Patent Verwaltungs -GmbH. -№2050055; Заявлено 03.05.79; Опубл. 13.11.80.

78. Пат. 3440113 США, HOI L 7/36. Диффузионный способ введения золота в полупроводниковый материал / Erden D. Wolley. №580516; Заявлено 19.09.66; Опубл. 22.04.69.

79. Пат. 47-15616 Япония, 99(5) В12. Способ изготовления полупроводникового устройства / Shibaura Denki Kabushiki Kaisha. №43-25516; Заявлено 18.04.68; Опубл. 10.05.72.

80. Пат. 2462022 Франция, HOI L 21/225. Procede de diffusion localisee d'or dans une plaquette semiconductrice et composants semiconducteurs obtenus / Pierre Bacuvier. №7919086; Заявлено 24.07.79; Опубл. 13.03.81.

81. Пат. 3585089 США, HIk. Способ изготовления быстродействующих полупроводниковых приборов, пассивированных нитридом кремния / Westenghous Electric Corp. №835969; Заявлено 24.06.69; Опубл. 15.06.71.

82. Пат. 1327204 Великобритания, Н1к. Способ изготовления полупроводниковых устройств / Michael Е. Denton, Kevin F. Starrs. №4828; Заявлено 17.02.71; Опубл. 15.08.73.

83. Пат. 55-5269 Япония, HOI L 29/74. Полупроводниковый ключевой прибор / Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha. №49-28739; Заявлено 11.03.74; Опубл. 05.02.80.

84. Пат. 4165517 США. Self protection against breakover turn-on failure in thyristors through selective base lifetime control / Victor A.K. Temple, Clifton Park. №772712; Заявлено 28.02.77; Опубл. 21.08.79.

85. Мнацаканов T.T., Ростовцев И.Л., Филатов Н.И. Исследования нелинейных физических эффектов на вольт-амперную характеристику кремниевых многослойных структур с помощью моделирования на ЭВМ // Радиотехника и электроника. 1986. - Вып. 9. - С. 1848-1853

86. Lax М., Neustadter J. Transient response of a p-n junction // Journal of Applied physics. 1954. - V. 28. - №.8. - P. 1148-1153

87. Берман Л.С., Лебедев A.A. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука, 1981. - 176 с.

88. Проявление скопления атомов электрически неактивных примесей в n-кремнии при у-облучении / Витман Р.Ф., Витовский H.A., Лебедев A.A. и др. // Физика и техника полупроводников. 1990. - Т. 24. - Вып. 1. - С. 45-50

89. Сережкин Ю.Н., Акимов П.В., Федосеев В.М. Гибридный метод определения параметров глубоких уровней в р-п-переходах // Физика и техника полупроводников. 1978. - Т. 12. - Вып.6. - С. 1079-1084

90. Расчет силовых полупроводниковых приборов / Под ред. В.А. Кузьмина. М.: Энергия, 1980. - 182 с.

91. Григорьев Б.И., Тогатов В.В. Определение времени жизни неосновных носителей заряда в широкой базе тиристора // Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1974. - Вып. 2(84). - С. 75

92. Челноков В.Е., Евсеев Ю.А. Физические основы работы силовых полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1973. - 280 с.

93. Мнацаканов Т.Т., Ростовцев И.Л., Филатов Н.И. О соотношении Эйнштейна в полупроводниках в условиях сильного электронно-дырочного рассеяния // Физика и техника полупроводников. 1984. - Т. 18.-Вып. 7.-С. 1293-1296

94. Лабунцов В. А., Тугов Н. М. Динамические режимы эксплуатации мощных тиристоров. М.: Энергия, 1977. -192 с.

95. Герлах В. Тиристоры/ Пер. с нем. М: Энергоатомиздат, 1985. -328 с.

96. Уваров А. И. Критический заряд включения тиристора.//Физика электронно-дырочных переходов и полупроводниковых приборов: Сб. науч. тр./JI. Наука, 1969. - С. 194-201.

97. Уваров А. И. Условие включения тиристора посредством кратковременных токов управления.//Физика электронно-дырочных переходов и полупроводниковых приборов: Сб. науч. тр./Л. Наука, 1969. - С. 194-201.

98. Аязан Р. Э., Горбатюк А. В., Паламарчук А. И. Условие включения р-п-р-п-структуры при различных распределениях начального заряда вдоль баз//Радиотехника и электроника. 1978. - Т. 23. - № 5. - С. 10391045.

99. Тогатов В. В. Условие включения р-п-р-п-структуры с варизонны-ми базами в нестационарном режиме//ФТП. 1972. - Т. 6. - № 10. - С. 2007-2014.

100. Гущина Н. А. Расчет процесса включения р-п-р-п-структуры с учетом сопротивления растекания баз//ФТП. Т. 6. - № 5. - С. 843-852.

101. Горбатюк А. В. Эффективность избыточного заряда при включении р-п-р-п-структур в неодномерном приближении//ФТП. 1980.-Т. 14. -№7.-С. 1364-1370.

102. Лебедев А. А., Уваров А. И., Челноков В. Е. Переходная характеристика р-п-р-п-структуры//Радиотехника и электроника. 1966. - Т. 11. -№8.-С. 1458-1466.

103. Евсеев Ю. А. Полупроводниковые приборы для мощных высоковольтных преобразовательных устройств М.: Энергия, 1978. - 193 с.

104. Misawa Т. Turn-on transient of p-n-p-n triode//J. Electronics and Control. 1969. -V. 7. - P. 523-533.

105. Кузьмин В. А. Тиристоры малой и средней мощности. М.: Советское радио, 1971. - 184 с.

106. Кузьмин В. А., Першенков В. С. О переходном процессе включения тиристора//Радиотехника и электроника. 1967. - Т. 12. — № 1. — С. 7075.

107. Лебедев А. А., Уваров А. И., Челноков В. Е Влияние электрического поля на переходные процессы в р-п-р-п-структурах//Радиотехника и электроника. 1967. - Т. 12. - № 8. - С. 1461-1468.

108. Лебедев А. А., Уваров А. И.О длительности регенеративного этапа включения тиристоров//Радиотехника и электроника. 1971. - Т. 16. - С. 1912-1916.

109. Лебедев А. А., Уваров А. И. К теории порцесса включения р-п-р-п-структуры // ФТП. 1967. - Т. 1. - № 2. - С. 211-216.

110. Гомонова А. И., Капцов Л. Н. Переходный процесс включения тиристора // Изв. Вузов. Радиотехника. 1965. - Т. 8. - С. 171-180.

111. Кардо-Сысоев А. Ф., Шуман В. Б. Исследование процесса включения тиристоров при больших токах и напряжениях // Радиотехника и электроника.-1970.-Т. 15.-№1.-С. 162-165.

112. Дерменжи П. Г., Евсеев Ю. А. О механизме аномально-быстрого включения р-п-р-п-структур // Радиотехника и электроника. 1970. - Т. 15. - № 9 - С. 1945-1951.

113. Грехов И. В., Сергеев В. Г. О распространении включенного состояния в р-п-р-п-структуре // ФТП. 1970. - Т. 4. - № 7. - С. 1397-1399.

114. Грехов И. В., Левинштейн М. Е., Сергеев В. Г. Исследование распространения включенного состояния вдоль р-п-р-п-структуры // Физика и техника полупроводников. 1970. - Т. 4. - № 11. - С. 2149-2156.

115. К вопросу о включении тиристора / Грехов И. В., Кардо-Сысоев А. Ф., Левинштейн М. Е., Сергеев В. Г. // ФТП. 1971. - Т. 6. - № 1. - С. 180-183.

116. Кардо-Сысоев А. Ф. Распределение потенциала в р-п-р-п-структурах во время переходного процесса включения // ФТП 1971. - Т. 5. - № 12. - С. 2333-2335.

117. Включение р-п-р-п-структуры при большой плотности тока / Кузьмин В. А., Павлик В. Я. и др. // Радиотехника и электроника. 1973. -Т. 18. -№ 1. - С. 158-165.

118. Кузьмин В. А., Павлик В. Я., Шуман В. Б. О максимальной скорости включения р-п-р-п-структур // Радиотехника и электроника. 1981. - Т. 26.-№6.-С. 1270-1274.

119. Гомонова А. И., Логинов А. С., Сенаторов К. Я. Исследование переходных процессов в четырехслойных полупроводниковых приборах при большом сигнале // Вестник Моск. гос. ун-та. 1965. - Сер. 3. - Т. 1. -С. 47-54.

120. Лебедев А. А., Уваров А. И., Челноков В. Е. Установление стационарного состояния при включении р-п-р-п-структуры // Радиотехника и электроника. 1967. - Т. 12. - № 4. - С. 677-685.

121. Кузьмин В. А., Перешков В. С. Этап модуляции проводимости базовых областей тиристора при включении // Радиотехника и электроника. -1968.-Т. 13.-№9.-С. 1654-1662.

122. Тогатов В. В., Уваров А. И. Установление стационарного состояния при включении р-п-р-п-структуры в условиях высокого уровня инжек-ции в обеих базах // Радиотехника и электроника. 1971. - Т. 16. - № 6. - С. 1047-1057.

123. Тогатов В. В. Исследование поведения носителей в базовых областях р-п-р-п-структуры после смещения коллекторного перехода в прямом направлении // Радиотехника и электроника. 1974. - Т. 19. - № 1. - С. 136-141.

124. Mapham N. The rating of silicon-controlled rectifiers when switching into high currents // IEEE Trans. Communication and Electronics. 1964. - Y. 83.-Xq9.-P. 515-519.

125. Dodson W. H., Longini R. L. Probed determination of turn-on spread of large area thyristors // IEEE Trans. Electron Devices. 1966. - V. ED-13. - № 5.-P. 478-484.

126. Dodson W. H., Longini R. L Skip Turn-on thyristors // IEEE Trans. Electron Devices. 1966. - V. ED-13. - № 7. - P.598-604.

127. Gerlach W. Untersuchuunggen uber den Einschaltvorgang des Leistungsthyristors // Telefunken Zeitung. 1966. - Bd. 39. - № 3-4. - S. 301— 318.

128. Ikeda S., Araki T. The di/dt capability of thyristors // Proc. IEEE. -1967.-V. 55,-№8.-P. 1301-1307.

129. Исследование процесса включения р-п-р-п-структуры с помощью регистрации рекомбинационного излучения / Бурцев Э. Ф., Грехов И. В., Крюкова Н. Н, Сергеев В. Г. // ФТП. 1969. - Т. 3. - № 11. - С. 1638-1645.

130. Somos J., Piccone D. E. Plasma spread in higt-power thyristors under dynamic and static conditions // IEEE Trans. Electron Devices. 1970. - V. ED-17.-№9.-P. 680-72.

131. Дерменжи П. Г., Евсеев Ю. А. К вопросу о включении р-п-р-п-структур большой площади током управления // Радиотехника и электроника. 1970.-Т. 15.-№8.-С. 1478-1480.

132. Грехов И. В., Левинштейн М. Е., Сергеев В. Г. О механизме распространения включенного состояния в р-п-р-п-структуре // Физика и техника полупроводников. 1972. - Т. 6. - № 9. - С. 1829-1831.

133. Неодномерные процессы в р-п-р-п-структуре при включении током управления / Молибог Н. П., Невзоров А. Н., Злобин В. А., Седов Н. Н., Челноков В. Е., Якивчик Н. И. // Радиотехника и электроника. 1973. -Т. 18. - № 3. - С. 605-616.

134. Yamasaki Н. Experimental observation of the lateral plasma propagation a thyristor // IEEE Trans. Electron Devices. 1975. - V. ED 22. -P. 65-70.

135. Longini R. L., Melngailis J. Gated turn-on of four layer switch // IEEE Trans. Electron Devices. 1963. - V. ED-13. - № 3. - P. 178-185.

136. Грехов И. В. Физические процессы в мощных кремниевых приборах с р-n переходами. Диссертация д-ра физико-математич. наук: Защищена 15.03.73; Утв. 21.10.73;. Санкт-Петербург, 1973.-436 с.

137. Ruhl Н. J. Spreading velocity of the active area boundary in a thyristor // IEEE Trans. Electron Devices. 1970. - V. ED 17. - P. 672-681.

138. Bergman G. D. The gate-triggered turn-on process in thyristors // Solid State Electronics. 1965. - V. 8. - P. 757-765.

139. Грехов И. В., Левинштейн М. Е., Уваров А. И. Простая модель распространения включенного состояния вдоль р-п-р-п-структуры // Физика и тезника полупроводников. 1971. - Т. 5. - № 6. - С. 1111-1115.

140. Дерменжи П. Г., Евсеев Ю. А. Распространение включенного состояния в р-п-р-п-структурах // Физика и техника полупроводников. 1973. -Т. 7.-№2.-С. 360-364.

141. Дьяконов М. И., Левинштейн М. Е. Теория распространения включенного состояния при наличии тока управления // Физика и техника полупроводников. 1978. - Т. 12. - № 8. - С. 1674-1679.

142. Левинштейн М. Е., Симин Г. С. К теории распространения включенного состояния в тиристоре // Физика и техника полупроводников. -1978. Т. 12. - № 11. - С. 2160-2167.

143. Арро И., Ашкинази Г., Румма К. Новая методика и аапаратура для исследования начального этапа процесса включения р-п-р-п-структур // «Изв. АН СССР. Физика. Математика». 1972. - Т. 21. - № 2. - С. 171-173.

144. Крюкова Н.Н. Исследование физических процессов в тиристорах при включении и кратковременной перегрузке током большой амплитуды. Диссертация канд. физико-математич. наук: Защищена 15.05.70; Утв. 25.10.70; 01.049. Санкт-Петербург, 1970. - 148 с.

145. Дерменжи П. Г., Евсеев Ю. А. О процессах, протекающих в невк-лючеиной области р-п-р-п-структуры большой площади в период нарастания анодного тока // Физика и техника полупроводников. 1969. - Т. 3. -Вып. 10.-С. 1452-1423.

146. Синегуб Г. А., Шпер В. JT. Исследование (di/dt)-CT0ftK0CTH силовых тиристоров. Постановка проблемы и её современное состояние // Электротехническая промышленность. 1981.- Сер. Преобразовательная техника. -№1.- С. 12-16.

147. Ikeda Sh., Tsuda Sh., Waki Y. The curent pulse rating of thyristors // IEEE Trans. Electr. Dev. 1970. - Vol 17. - № 9. - P. 690-694.

148. Piccone D. E., Somos I. Accelerated life tests for determining the life expectancy of a thyristor due to di/dt failure modes // IEEE Conf. Rec. 7th Annu. Meet. Ind. Appl. Soc. 1972. - P. 469-476.

149. Somos I. L. Current conditions for meaningful di/dt test // World Electrotechn. Congress. M. 1977 - Section 5A. - Paper 50.

150. Somos I. L. Erikson L. O., Tobin W. H. Establishing conditions for a meaningful di/dt test thyristors // 10th Intern. PCI Conf. Proc. 1985. - P. 113121.

151. Веревкин В. В., Григорьев А. М., Шпер В. JI. Надежность силовых тиристоров при высоких скоростях нарастания анодного тока // Новые силовые полупроводниковые приборы и технология их изготовления: Сб. науч. тр./ВЭИ М., 1991.-С. 143-157.

152. Беспалов Н. Н., Гейфман Е. М. Экспериментальное исследование площади начального включения и потерь в тиристорах при включении по цепи управления // Электротехника. 1995. - №1. - С. 48-51.

153. Рабинерсон А. А., Ашкинази Г. А. Режимы нагрузки силовых полупроводниковых приборов. М: Энергия, 1976. - 296 с.

154. Бардин В. М. Надежность силовых полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1978. -96 с.

155. Плоткина H. 3., Цзин Ю. Д. Испытания силовых тиристоров на (di/dt)- стойкость // Тр. НИИПТ: книга. Энергоиздат, Ленингр. отд-ние. -1981.-С. 68-74.

156. Чесноков Ю. А., Шмелев В. В. Эффект di/dt и температура перегрева структуры тиристора // Силовые полупроводниковые приборы: книга. М., Иформэлектро, 1969. - С. 112-122.

157. Абрамович М. И., Бабайлов В. М., В. Е. Либер, Сакович А. А., Шпер В. Л. Диоды и тириристоры в преобразовательных установках. М.: Энергоатомиздат, 1976. - 432 с.

158. Saegusa V., Tanaka H., Masuda К. The di/dt rating of power thyrisristor // «Elec. Comm. Lab. Techn. J.». 1967. - Vol. 16. - № 1. - P. 4551.

159. Исследование причин отказов тиристоров при работе в импульсном режиме / Бурханов Ш. Д. Баширов А. М., Гаршенин В. В. и др. // Полупроводниковые приборы в технике электросвязи, 1970. - № 6. -С. 145— 156.

160. Родов В.И., Синегуб Г. А., Яхнис А. Р. О возможных причинах отказов импульсных тиристоров // Полупроводниковые приборы и их применение. 1973.-№27.-С. 117-131.

161. Синегуб Г. А. Теоретическая оценка (di/dt)- стойкости силовых тиристоров // Электротехническая промышленность. Сер. Преобразовательная техника. 1981. - № 9. - С. 1-2.

162. Gerlach W. Thyristor mit Querfeld-Emitter // Ztschr. Angew. Phys. -1965.-№ 5.-P. 396^00.

163. Gerlach W. Untersuchungen über den Einschaltvorgang des Leistungsthyristirs // Telefunken Zeitung. 1966. - S. 301-314.

164. Высоковольтные тиристоры с повышенным быстродействием / Гейфман Е.М., Конюхов А.В., Лапшина И.Н., Локтаев Ю.Н., Рабкин П.Б., Базанов О.В., Юрков С.Н. // Электротехника. 1988. - Вып.9. - С.25-28

165. Fletcher N.H. Some aspects of the design of power transistors // Proc. IRE. 1955. - V. 43. - P. 551-559

166. Hauser J.R. The effects of distributed base potential on emitter-current injection density and effective base resistance for stripe transistor geometries // IEEE Trans. 1964. - V . ED-11. - P. 238-242

167. Блихер А. Физика тиристоров. / Под ред. И.В. Грехова. Л.: Энергоиздат. - 1991. - 200 с.

168. О включении р-п-р-п структур при больших напряжениях и высокой плотности тока / Кузьмин В.А., Павлик В.Я. и др. // Радиотехника и электроника. 1975. - №7. - С. 1457 - 1465

169. Грехов И.В., Левинштейн Н.Е., Сергеев В.Г. Исследования распространения включенного состояния вдоль р-п-р-п структур // Физика и техника полупроводников. 1970. - Вып.11. - С. 2149 - 2156

170. Дерменжи П.Г. Исследование неодномерных физических процессов при включении р-п-р-п структур большой площади по управляющему электроду. Диссертация канд. физико-математич. наук: Защищена 12.03.71; Утв. 21.10.71; . М., 1971. - 185 с.

171. Чесноков Ю. А., Шмелев В. В. Эффект di/dt и температура перегрева структуры тиристора. В кн.: Числовые полупроводниковые приборы. - М.: Информэлектро. - 1969. - С. 35-39.

172. Бурханов Ш.Д., Баширов A.M., Гаршин В.В. Исследование причин отказов тиристоров при работе в импульсном режиме // Полупроводниковые приборы в технике электросвязи. 1970. - №6. - С. 145-156

173. Химмельблау Д. Анализ процессов статистическими моделями. -М.: Мир, 1973.-493 с.

174. Дрейпер Н. Смит Г. Прикладной регрессионный анализ. М.: Статистика, 1973. - 243 с.

175. Бардин В. М. Надежность силовых полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1978. - 96 с.

176. Икеда С., Араки Т. Стойкость тиристоров к скорости нарастания прямого тока. «ТИМЭР», 1969. - № 8. - С.66-70.

177. Ikeda S., Tsuda S., Waku Y. The current pulse rating of thyristors // IEEE Trans, of Electron. Devices. 1970. - № 2. - P. 87-89.

178. Lundstrom I. Temperature rise in thyristors during turn-on // Int. I. «Electronics». 1967. - № 1. - P. 69-82.

179. Somos J. Picione D. E. Plasma spread in high-power thyristors under dynamic and static condihions // IEEE Trans. On Electron Devices. 1970. -vol./ ED-17. - № 9. - P. 680-657.

180. Дерменжи П.Г., Евсеев Ю.Н., Конюхов A.B. Эффект du/dt в ре

181. Распределение плотности потока электронов при облучениина установке БОИС-8

182. Общий вид установки представлен на рис. п. 1. Установка содержит блок облучателя (поз. 1 на рис. п.1.) и камеру облучения (поз. 2 на рис.ml.).

183. Блок облучателя представляет собой защищенный контейнер, в котором кассета с девятью источниками бета-излучения типа ИРУС-2М размещена в облучателе, конструктивно выполненном в виде вращающегося барабана.

184. Расстояние между облучателем и объектом регулируется путем поднятия стола в камере с помощью электропривода.

185. С целью выравнивания дозного поля в процессе облучения предусмотрено перемещение (качание горизонтальной плоскости) стола с объектами при помощи электропривода.