Применение высокоэнергетичных электронов в технологии силовых кремниевых приборов для улучшения их динамических и статических параметров тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Коновалов, Михаил Павлович

• Коновалов, Михаил Павлович
• кандидат технических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат технических наук Коновалов, Михаил Павлович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. АНАЛИЗ ФУНКЦИОНИРОВАНИЯ РАЗЛИЧНЫХ ТИПОВ СПП И ВОЗМОЖНЫХ ОБЛАСТЕЙ ПРИМЕНЕНИЯ РТП ДЛЯ УЛУЧШЕНИЯ

ИХ ХАРАКТЕРИСТИК.

1.1 Современное состояние производства и применения СПП.

1.2 Анализ функционирования различных типов СПП и проблемы оптимизации их статических и динамических характеристик.

1.3 Физические процессы в кремниевых структурах при РТП с применением высокоэнергетичных электронов.

1.3.1 Объемные радиационные эффекты, возникающие в кремнии при облучении высокоэнергетичными электронами.

1.3.1.1 Первичные физические процессы.

1.3.1.2 Механизм образования, физическая природа "глубоких" радиационных центров.

1.3.1.3 Термостабильность и кинетика отжига радиационных центров.

1.3.1.4 Изменение основных электрофизических параметров кремния при облучении быстрыми электронами.

1.3.2 Поверхностные радиационные эффекты.

1.3.3 Изменение характеристик МОП- и биполярных кремниевых структур при облучении быстрыми электронами.

1.3.3.1 Диодные структуры.

1.3.3.2 Биполярные транзисторные структуры.

1.3.3.3 МДП-транзисторные структуры.

1.3.4 Выводы и постановка задач исследований.

ГЛАВА II. ХАРАКТЕРИСТИКА ИССЛЕДУЕМЫХ ПРИБОРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР И ИХ КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ. ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДИКИ И ОБОРУДОВАНИЕ.

2.1 Обоснование выбора типов диодных и транзисторных кремниевых структур, их конструктивно-технологические особенности и характеристики.

2.2 Методика и оборудование радиационной обработки высокоэнергетическими электронами и термического отжига.

2.3 Методики и аппаратура измерения вольт-фарадных характеристик и релаксационной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниковых структурах.

2.3.1 Методика релаксационной спектроскопии глубоких уровней.

2.3.2 Измеритель релаксации емкости.

2.3.3 Методика расчета параметров глубоких уровней из спектра РСГУ.

2.4 Аппаратура для измерения статических параметров диодных и транзисторных структур.

2.4.1 Измеритель характеристик полупроводниковых приборов J12-56.

2.4.2 Измеритель статических параметров мощных транзисторов и диодов JI2-69.

2.4.3 Метод и аппаратура для измерения емкостей транзисторов.

2.5 Методики и аппаратура измерения импульсных параметров диодных и транзисторных структур.

2.5.1 Время восстановления обратного сопротивления диодных структур.

2.5.2 Время переключения биполярных транзисторов.

2.5.3 Время переключения IGBT транзисторов.

ГЛАВА III. ИЗМЕНЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ,

ПОВЫШЕНИЕ БЫСТРОДЕЙСТВИЯ И РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ СИЛОВЫХ ДИОДНЫХ И ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР

С ПРИМЕНЕНИЕМ РАДИАЦИОННОГО ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА.

3.1 Диодные силовые структуры с р-n переходом.

3.1.1 Влияние режимов операций РТП на импульсно-частотные и статические параметры.

3.1.2 Повышение радиационной стойкости.

3.1.3 Результаты по улучшению электрических параметров диодных структур методом РТП.

3.2 Транзисторные структуры.

3.2.1 Влияние операций РТП на динамические и статические параметры.

3.2.2 Повышение стойкости к импульсной радиации.

3.2.3 Результаты использования РТП для улучшения комплекса электрических параметров транзисторных структур Дарлингтона.

ГЛАВА IV. УПРАВЛЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМИ ПАРАМЕТРАМИ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ МЕТОДОМ РТП С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ БЫСТРЫХ ЭЛЕКТРОНОВ.

4.1 Улучшение динамических параметров.

4.2 Изменение статических параметров IGBT при РТП.

4.3 Оптимизация режимов радиационного технологического процесса для получения наилучшего сочетания статических и динамических параметров

IGBT транзисторов.

4.4 Результаты использования РТП для улучшения комплекса электрических параметров IGBT транзисторов.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Применение высокоэнергетичных электронов в технологии силовых кремниевых приборов для улучшения их динамических и статических параметров»

Прогресс большинства областей современной техники неразрывно связан с успехами энергетической или силовой электроники. Основными активными элементами силовой электроники являются мощные полупроводниковые приборы, работающие в ключевом режиме и применяющиеся в различных видах преобразовательной техники: диоды, тиристоры, биполярные и МДП (MOSFET) транзисторы, биполярные транзисторы с изолированным затвором (БТИЗ) и др.

Требования разработчиков силовой преобразовательной техники к параметрам используемых в схемах полупроводниковых приборов систематически возрастают, особенно — в части повышения импульсно-частотных характеристик, снижения рассеиваемой мощности (статической и динамической), повышения электропрочности и надежности. Решение указанных проблем обеспечивается постоянным совершенствованием качества исходных подложек, конструкций и технологий, разработкой новых типов приборов, использованием процессов легирования подложек "глубокими" примесями (золото, платина) для повышения импульсно-частотных параметров.

Радиационный технологический процесс (РТП), состоящий из последовательных операций облучения высокоэнергетичными электронами и термического отжига, в последние годы находит все более широкое и в основном безальтернативное практическое применение в технологии различных изделий полупроводниковой электроники с целью обеспечения импульсно-частотных характеристик и регулирования статических параметров. Этот процесс, основан на введении в активные области приборов высокостабильных "глубоких" радиационных центров (РЦ), которые действуют в полупроводниках подобно донорам, акцепторам и глубоким рекомбинационным центрам, имеющим химическую природу. Облучение можно расценивать как "радиационное легирование" полупроводниковых материалов, поскольку введение РЦ в кристаллическую решетку полупроводника приводит к изменению времени жизни, концентрации и подвижности свободных носителей заряда вследствие их генерации или захвата на локальные энергетические уровни РЦ. При достаточно высоких концентрациях РЦ электрофизические свойства материалов и приборов определяются процессами взаимодействия свободных носителей заряда с этими центрами. Следовательно, при помощи облучения можно желаемым образом изменять электрофизические параметры полупроводника, в первую очередь - время жизни неосновных носителей заряда х, при больших интегральных потоках - концентрацию п и подвижность свободных носителей ц (суммарный эффект от изменения п и |л приводит к изменению удельного электросопротивления р). Изменения х, п и р приводят к изменению основных статических и динамических параметров различных типов приборов и микросхем - времени восстановления обратного сопротивления, времени рассасывания, времени выключения, прямого падения напряжения, коэффициента передачи тока базы, напряжения насыщения, порогового напряжения, пробивного напряжения и целого ряда др.

Основные преимущества РТП заключаются в том, что, во-первых, он проводится в конце технологического цикла, когда никакие из существующих методов уже неприменимы, во-вторых, введение РЦ обусловлено "холодным" массопереносом, что не приводит к размытию диффузионных и имплантационных профилей основных легирующих примесей.

Учитывая данные особенности и, имея возможности в широких пределах варьировать режимы РТП, можно получать приборные структуры с принципиально новым сочетанием статических и динамических параметров на базе обычной маршрутной технологии.

Радиационный технологический процесс применительно для силовых приборов находится в стадии исследования и развития. В связи с этим, актуальной представляется задача исследования изменения основных электрических (статических и динамических) параметров силовых полупроводниковых приборов в широком диапазоне режимов операций облучения и последующего термического отжига. На наш взгляд это позволит обоснованно выбрать оптимальные режимы РТП, применение которых в технологии изготовления позволит значительно улучшить параметры силовых полупроводниковых приборов и повысить радиационную стойкость к статической и импульсной радиации.

Цель диссертационной работы - разработать режимы и условия проведения операций радиационного технологического процесса для их использования в производстве с целью получения силовых полупроводниковых приборов с улучшенным комплексом импульсно-частотных и статических параметров и повышенной радиационной стойкостью.

Для достижения поставленной цели в работе необходимо было решить следующие задачи:

1) установить закономерности изменения основных электрических параметров и характеристик исследуемых силовых диодных, транзисторных структур и структур биполярных транзисторов с изолированным затвором в зависимости от режимов и условий операций облучения и отжига радиационного технологического процесса;

2) исследовать кинетику накопления и отжига глубоких радиационных центров, вводимых в активные области силовых приборных структур в процессе проведения операций облучения высокоэнергетичными электронами и отжига РТП;

3) осуществить выбор режимов проведения операций радиационного технологического процесса для получения силовых приборных структур с оптимальным сочетанием импульсно-частотных и статических параметров в соответствии с требованиями заказчика.

Новизна и научная ценность работы состоит в следующем:

- установлены закономерности влияния операций облучения быстрыми электронами и термического отжига в широких диапазонах интегральных потоков электронов и температур на импульсно-частотные и статические параметры основных типов кремниевых силовых приборов: диодов, биполярных транзисторов, биполярных транзисторов с изолированным затвором;

- изучение кинетики термического отжига РЦ в базовых областях кремниевых р-n диодных структур позволило установить, что значительное уменьшение концентрации РЦ в кремнии происходит при температурах превышающих 400 °С. Показано, что при этих температурах образуются сложные вторичные РЦ с участием дивакансий и остаточного кислорода, которые обладают более высокой термостабильностью и обеспечивают высокий темп рекомбинации за счет их глубокого энергетического положения в запрещенной зоне.

- установлено, что при применении РТП в технологии силовых приборов рост статических параметров и, соответственно, статических потерь мощности не являются критическими, так как при работе приборов на высоких частотах коммутации определяющими в общих потерях рассеиваемой мощности являются динамические потери мощности. Применение РТП приводит к снижению динамических потерь мощности в десятки раз в то время как статические потери растут в 2-3 раза. В результате проведения операций РТП снижается величина суммарных потерь мощности и обеспечивается более "комфортабельный" тепловой режим приборов в условиях эксплуатации.

Практическая ценность работы.

Полученные в диссертационной работе результаты используются на опытных заводах ГУП "ВЭИ им. В.И. Ленина", ЗАО "ЭПЛ", ЗАО "ФЗМТ" при производстве кремниевых силовых диодов ("ДЧ143"), мощных биполярных транзисторов ("КТД8252"), транзисторов с изолированным затвором ("2Е701", "Экскаватор").

Использование разработанных режимов операций РТП позволяет достичь наилучшего сочетания динамических и статических параметров силовых приборов по сравнению с приборами, изготовленными по стандартной (маршрутной) технологии: улучшить время восстановления обратного сопротивления диодных структур "ДЧ143" в 6-7 раз, уменьшить в 1,9 раза значение рассеиваемой мощности, повысить радиационную стойкость к гамма-импульсу в 2,4 раза;

- улучшить импульсно-частотные параметры транзисторов "КТД8252" в 8-10 раз, ослабить зависимость коэффициента передачи от уровня инжекции в рабочем диапазоне токов коллектора в 4-5 раз, повысить стойкость к импульсной радиации в 2,7 раза, улучшить электропрочность на 30-40 %;

- улучшить время выключения IGBT транзисторов "Экскаватор" в 2,7 раза, обеспечить работоспособность IGBT транзисторов "2Е701" за счет подавления паразитного "тиристорного" эффекта и уменьшить суммарные потери рассеиваемой мощности в 6-8 раз.

Улучшение параметров приборов при использовании РТП значительно расширяет эксплуатационные возможности (теплофизические, импульсно-частотные, радиационные) приборов в аппаратуре.

Основные результаты, выносимые на защиту:

1) Экспериментальные результаты по влиянию радиационного технологического процесса с использованием высокоэнергетичных электронов на статические и динамические параметры кремниевых силовых диодных структур и кинетику накопления и отжига "глубоких" радиационных центров, и разработанные на их основе режимы проведения операций облучения и отжига РТП для получения приборов с качественно новым, удовлетворяющим современным требованиям разработчиков преобразовательных устройств, сочетанием электрических параметров и повышенной стойкостью к импульсной радиации.

2) Разработанные режимы проведения операций РТП (облучения быстрыми электронами и последующего термического отжига) для получения силовых биполярных транзисторов Дарлингтона с качественно новым сочетанием импульсных, частотных и усилительных параметров и повышенной стойкостью к импульсной и статической радиации.

3) Результаты использования операций РТП для восстановления параметрического брака биполярных транзисторов с изолированным затвором за счет подавления паразитного "тиристорного" эффекта, для получения быстродействующих кремниевых приборов с низкими значениями динамической составляющей мощности рассеяния.

Диссертационная работа выполнена в лабораториях кафедры ППЭ и ФПП МГИСиС в 2001-2005 гг. Автор выражает глубокую признательность научному руководителю - профессору, доктору технических наук Е.А. Ладыгину за постоянное внимание к данной работе, старшему научному сотруднику A.M. Мусалитину - за помощь в проведении экспериментов.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Коновалов, Михаил Павлович

Основные результаты работы доложены на III и IV Всероссийских научно-технических конференциях "Устройства и системы энергетической электроники" (УСЭЭ-2001, УСЭЭ-2002), V Межотраслевой научно-технической конференции "Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем" (г. Зеленоград, март 2002 г.), ежегодных Всероссийских научно-технических конференциях по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость" (г. Лыткарино, июнь 2002-2005 гг.).

По результатам работы опубликовано 6 печатных работ:

1. Ладыгин Е.А., Коновалов М.П., Лагов П.Б., Прокопов К.В., Будишевский Ю.Д. Эффективность радиационно-технологического процесса для улучшения комплекса параметров транзисторов Дарлингтона. // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на РЭА. 2002. Вып. 4.

2. Ладыгин Е.А., Коновалов М.П., Лагов П.Б. Улучшение эксплуатационных характеристик отечественных IGBT транзисторов методом радиационной технологии. // Радиационная стойкость электронных систем "Стойкость-2002" (научно-технический сборник). Вып. 5.

3. Ладыгин Е.А., Лагов П.Б. Коновалов М.П. Кинетика накопления и отжига глубоких центров в полупроводниковых структурах при радиационных испытаниях, технологическом облучении и отжиге. // Радиационная стойкость электронных систем "Стойкость-2002" (научно-технический сборник). Вып. 5.

4. Ладыгин Е.А., Лагов П.Б. Коновалов М.П. Применение "сверхглубокого" облучения быстрыми электронами при создании биполярных структур с наилучшим сочетанием параметров и повышенной радиационной стойкостью. // Радиационная стойкость электронных систем "Стойкость-2002" (научно-технический сборник). Вып. 5.

5. Ладыгин Е.А., Паничкин А.В., Осипов Г.А., Коновалов М.П., Таперо К.И., Лагов П.Б. Физико-технические основы радиационных методов обработки полупроводниковых приборов и микросхем испытательного, отбраковочного и технологического характера. // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на РЭА. 2004. Вып. 4.

6. Ладыгин Е.А., Паничкин А.В., Осипов Г.А., Коновалов М.П., Бражник В.А. Методики исследования радиационных процессов в активных областях МОП и КМОП микросхем. // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на РЭА. 2004. Вып. 4.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

На основании проведенных исследований сделаны следующие выводы.

1. На основе исследования спектров РСГУ выявлена общая закономерность, что на операции облучения быстрыми электронами в активные области силовых диодных и транзисторных структур (базовую и коллекторную n-области) вводятся радиационные центры акцепторного характера с уровнями Ес - 0,17 эВ (V-О), Ес - 0,43 эВ (V-P), Ес - 0,23 эВ (V-V-O).

2. Изучение кинетики термического отжига РЦ в базовых областях р-n диодных структур позволило установить, что значительное уменьшение концентрации РЦ и, соответственно, восстановление электрофизических параметров кремния происходит при температурах ф превышающих 400 °С. При этих температурах образуются сложные РЦ с участием дивакансий, остаточного кислорода. Эти центры обладают высокой термостабильностью и обеспечивают высокий темп рекомбинации за счет глубокого энергетического положения в запрещенной зоне.

3. Анализ массива экспериментальных результатов по влиянию операций РТП на импульсно-частотные и статические параметры силовых диодов позволил осуществить выбор оптимальных режимов облучения и отжига для получения приборов с наилучшим сочетанием электрических параметров. Включение операции облучения быстрыми электронами потоком Ф = 9 • 1013 см"2 с последующим термическим отжигом при температуре 300 °С в маршрутную технологию позволяет повысить быстродействие за счет снижения времени восстановления обратного сопротивления в 6-7 раз, улучшить теплофизические условия эксплуатации диодов в частотных схемах и уменьшить в 1,9 раза значение рассеиваемой мощности.

If 'у ф 4. Применение РТП в оптимальных режимах (Ф = 1 • 10 см" , Т = 400 °С, t = 30 мин) в технологии изготовления мощных биполярных транзисторов Дарлингтона позволяет улучшить импульсные параметры (ts) в 10 раз и более, получить оптимальное сочетание импульсных, частотных и усилительных параметров (ts = 700 не, f = 261,6 МГц, h2iE = 1200), ослабить зависимость коэффициента передачи от уровня инжекции в рабочем диапазоне токов коллектора в среднем в 4-5 раз, улучшить электропрочность на 30-40 %.

5. Выполнена расчетная оценка радиационной стойкости (по величине протекающих через р-n переход ионизационных токов) силовых диодов и транзисторов. Включение оптимальных режимов операций РТП в технологическую цепочку изготовления исследуемых приборов позволило увеличить уровень бессбойной работы в полях импульсной радиации в 2-10 раз.

6. Использование радиационного технологического процесса позволяет восстанавливать

Щ} работоспособность IGBT транзисторов, изготовленных по обычной маршрутной технологии, за счет подавления паразитного "тиристорного" эффекта. Применение операций РТП в оптимальных режимах (Ф = 1 • 1015.3 • 1015 см'2, Т = 400-430 °С, t = 30-180 мин) позволяет повысить в

148 несколько раз быстродействие IGBT, улучшить теплофизические условия эксплуатации транзисторов и уменьшить суммарные потери рассеиваемой мощности в 8 и более раз ("2Е701") за счет резкого снижения динамических потерь, являющихся основными при работе IGBT на высоких частотах коммутации.

Таким образом, использование разработанных режимов проведения операций РТП в производстве кремниевых силовых диодных, биполярных транзисторных структур, биполярных транзисторных структур с изолированным затвором позволило получить приборы с принципиально новым сочетанием электрических параметров и характеристик.

Работа проводилась в лабораториях кафедры Полупроводниковой электроники и физики полупроводников МИСиС в соответствии с планом хоздоговорных работ МИСиС с ЗАО "ФЗМТ", ЗАО "ЭПЛ", ГУП "ВЭИ им. В.И. Ленина" и работ по Единому заказ-наряду Минобразования РФ.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Коновалов, Михаил Павлович, 2005 год

1. Отечественные транзисторы: БСИТ, СИТ, БТИЗ. - М.: Додэка, 2001.

2. Материалы и процессы создания приборов силовой электроники: Тезисы докладов V семинара АТАМ (Москва, 5-7 мая 2001 года). Новосибирск.: Институт неорганической химии СО РАН, 2001.

3. Енишерлова К.Л., Концевой Ю.А. Проблемы кремния в силовой электронике: монокристаллы, пластины, структуры. // Известия Вузов. Материалы электронной техники. 2000. - Вып. 4.

4. Peter J.-M. Power Components: State of the Art, Evolution and Trends. Proceedings PCIM'97.

5. Peter J.-M. Main Future Trends for Power Semiconductors. Proceedings PCIM'99.

6. Попов С. Диоды с р-n переходом для преобразовательной техники. // Электронные компоненты. -2003. Вып. 4.

7. Флоренцев С.Н. Состояние и перспективы развития приборов силовой электроники на рубеже столетий. // Электротехника. -1999. Вып. 4.

8. Колпаков А.И. IGBT или MOSFET? Практика выбора. Электронные компоненты. 2000. - № 2.

9. Устройства и системы энергетической электроники. Тезисы докладов научно-технической конференции УСЭЭ-2000 (Москва, 29 марта 2000 года). М.: НТФ ЭНЭЛ, 2000.

10. Blicher A. Field-Effect and bipolar power transistor physics. New York.: Academic Press, 1981.

11. Хоровиц Г., Хилл У. Искусство схемотехники. -М.: Мир, 1998.

12. Ришмюлер К. Быстродействующие транзисторы и схемы Дарлингтона. // Электротехника. -1985.-№4.

13. Балига Б.Дж. Эволюция техники силовых МОП-биполярных полупроводниковых приборов. // ТИИЭР. 1988. - Т. 76. - Вып. 4.

14. Baliga В J. Modern Power Devices. New York: John Wiley & Sons, Inc., 1987.

15. Baliga B.J. Power Semiconductor Devices. Boston, MA: PWS, 1996.

16. Применение силовой электроники в электротехнике: Материалы докл. науч.-техн. семинара (Москва, 15-19 мая 2000 года). -М.: МНТОРЭС им. А.С. Попова, 2000.

17. Силовые полупроводниковые приборы. / Пер. с англ. под ред. В.В. Токарева. Воронеж.: Издательство ТОО МП "Элист", 1995.

18. Воронин П.А. Силовые полупроводниковые ключи: семейства, характеристики, применение. М.: Додэка, 2001.

19. Моделирование и разработка комбинированного нового поколения полупроводниковых модулей на базе IGBT структур на ток до 600 А, напряжение до 1200 В: Отчет по ОКР / ВЭИ им. В.И. Ленина. Москва, 1999.

20. Разработка комбинированного МДП-биполярного высоковольтного переключающего прибора: Отчет по ОКР / НИИ Пульсар. Москва, 1995.

21. Иванов В.В., Колпаков А.И. Применение IGBT. // Электронные компоненты. 1996. - № 1.

22. Кулаков В.М., Ладыгин Е.А., Шаховцов В.И. и др. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники. / Под ред. Е.А.Ладыгина. М.: Советское радио, 1980.

23. Ладыгин Е.А. Радиационная технология твердотельных электронных приборов. М.: ЦНИИ "Электроника", 1976.

24. Вавилов B.C. Действие излучений на полупроводники. М.: Физматгиз, 1963.

25. Вавилов B.C., Ухин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат, 1969.

26. Физические процессы в облученных полупроводниках. / Под ред. Л.С. Смирнова Новосибирск: Наука, 1977.

27. Вопросы радиационной технологии полупроводников. / Под ред. Л.С. Смирнова. Новосибирск: Наука, 1980.

28. Дине Дж., Винйард Дж. Радиационные эффекты в твердых телах. М.: Иностранная литература, 1960.

29. Ладыгин Е.А., Паничкин А.В., Горюнов Н.Н. Основы радиационной технологии микроэлектроники (ч. 1,2). М.: МИСиС, 1994.

30. Бургуэн Ж., Ланно М. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты. -М.: Мир, 1985.

31. Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Мурашев В.Н. Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет. М.: МИСиС, 2001.

32. Кинчин Д., Пиз Р. Смещение атомов в твердых телах под действием излучения // Успехи физ. наук. 1956. - Т. 60, Вып. 4.

33. Вавилов B.C., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. -М.: "Наука", 1990.

34. Watkins G.D. Radiation Damage in Semiconductors. New York.: Academic Press, 1965.

35. Vavilov V.S., Mukashev B.N., Spitsyn A.V. // Radiation Damage and Defects in Semiconductors. -London: Inst, of Phys., 1973.

36. Киреев П.С. Физика полупроводников. M.: Высшая школа, 1975.

37. Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах. М.: Энергоатомиздат, 1989.

38. Ладыгин Е.А. Обеспечение надежности электронных компонентов космических аппаратов. -М.: МИСиС, 2003.

39. Helms C.R., Poindexter Е.Н. The Silicon-Silicon Dioxide System: Its Micro structure and Imperfections // Rep. Prog. Phys., 1994, № 57.

40. Першенков B.C., Попов В.Д., Шальнов A.B. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. М.: Атомиздат, 1988.

41. Паничкин А.В. Управление электрофизическими параметрами кремниевых МДП и КМДП структур при радиационно-термической обработке. Дисс. канд. техн. Наук. М.: МИСиС, 1987.

42. Вологдин Э.Н., Ладыгин Е.А., Шаховцов В.И. Некоторые вопросы физики радиационных повреждений в полупроводниковых приборах. Киев.: Институт физики АН УССР, 1972.

43. Федоров Н.Д. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. М.: Радио и связь, 1998.

44. Коршунов Ф.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.М. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. Мн.: Наука и техника, 1978.

45. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977.

46. Ладыгин Е.А., Горюнов Н.Н., Паничкин А.В., Галеев А.П. Радиационные эффекты в МОП и КМОП структурах интегральных схем. М.: МИСиС, 1997.

47. Lang D.V. // J. Appl. Phys. 1974. - V.45. - №7. - P. 3023-3032.

48. Дорджин Г.С., Лактюшин B.H., Сорокина М.В. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней // Обзоры по электронной технике. 1989. - Сер. 7, Вып. 4.

49. Берман Л.С., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука. 1981.

50. Атабиев И.Ж. Применение емкостной спектроскопии для исследования глубоких центров в биполярных полупроводниковых структурах и оптимизации РТП. Дисс. канд. техн. наук. М.: МИСиС, 1983.

51. Лагов П.Б. Радиационно-термические процессы в кремниевых биполярных структурах и их влияние на электрофизические параметры. Дисс. канд. техн. наук. М.: МИСиС, 1999.

52. Носов Ю.Р. Полупроводниковые импульсные диоды. М.: Соврадио. 1965.

53. Абрамович М.И., Бабайлов В.М., Либер В.Е. Диоды и тиристоры в преобразовательных установках. М.: Энергоатомиздат. 1992.

54. Уильяме Б. Силовая электроника. М.: Энергоатомиздат. 1993.

55. Полищук А. Проблема выбора ключевых транзисторов для преобразователей с жестким переключением. // Силовая электроника. 2004. - Вып. 2.