Применение радиационных методов отбраковки потенциально ненадежных гетероструктур в технологии производства суперлюминесцентных диодов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Перевозчиков, Михаил Васильевич

• Перевозчиков, Михаил Васильевич
• кандидат технических наук
• 2012

Оглавление диссертации кандидат технических наук Перевозчиков, Михаил Васильевич

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. Общая характеристика суперлюминесцентных диодов на основе AlGaAs/GaAs

1.1 Эволюция развития суперлюминесцентных диодов

1.2 Принцип работы суперлюминесцентных диодов

1.3 Спектральные характеристики суперлюминесцентных диодов

1.4 Технологические аспекты создания и основные типы конструкций

1.5 Физическая природа скрытых дефектов в светоизлучающих структурах различных классов

1.6 Механизмы отказов и ресурс работы

1.7 Постановка задач исследований

ГЛАВА II. Технология изготовления и основные характеристики экспериментальных образцов СЛД спектрального диапазона 810-860 нм

2.1 Особенности конструкции, зонная диаграмма и принцип работы

2.2 Технологический процесс создания СЛД

2.3 Области применения СЛД спектрального диапазона 810-860 нм

ГЛАВА III. Исследование деградации мощностных характеристик СЛД в диапазоне температур 25

3.1 Методика проведения термоэлектронной тренировки СЛД

3.2 Деградация мощности оптического излучения СЛД спектрального диапазона 810-860 нм при различных температурах

3.3 Математическое моделирование основных характеристик СЛД спектрального диапазона 810-860 нм

ГЛАВА IV. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ВОЗДЕЙСТВИЯ НА СТРУКТУРУ СЛД у-ОБЛУЧЕНИЯ

4.1 Воздействие гамма-квантов на излучающие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур

4.2 Методика и оборудование радиационной обработки гамма-электронами

4.3 Метод проведения радиационно-термической тренировки (РТТ) с помощью тестового у-облучения

4.3.1 Установление уровня экспозиционной дозы у-облучения

4.3.2 Влияние тестового у-облучения на кинетику изменения мощности излучения при ТЭТ и ресурсных испытаниях

4.3.3 Проверка эффективности метода тестового у-облучения

ГЛАВА V. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ПО ВОЗДЕЙСТВИЮ НА СЛД ОБЛУЧЕНИЯ БЫСТРЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ

5.1 Воздействие быстрых электронов на излучающие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур

5.2 Методика и оборудование радиационной обработки высокоэнергетическими электронами

5.3 Оценка влияния облучения быстрыми электронами на эксплуатационные характеристики СЛД

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ЛИТЕРАТУРА

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Применение радиационных методов отбраковки потенциально ненадежных гетероструктур в технологии производства суперлюминесцентных диодов»

ВВЕДЕНИЕ

Суперлюминесцентные диоды (СЛД) в настоящее время находят все большее применение в различных областях науки и техники. Они используются в качестве источников излучения в таких областях как гироскопия, томография органических поверхностей, низко-когерентная интерферометрия, оптическая рефлектометрия. При этом основным требованием к источнику излучения является совмещение высокой яркости и широкого спектра излучения.

СЛД, как источник широкополосного источника излучения, являются серьёзным конкурентом полупроводниковым светодиодам благодаря возможности достижения высоких уровней мощности излучения. В дополнение к указанному, они, как и лазерные диоды (ЛД), позволяют эффективно вводить излучение в оптическое волокно. Полупроводниковые СЛД, совмещающие в себе ряд достоинств инжекционных лазеров и светодиодов, являются безрезонаторными лазерными диодами, работающими в непрерывном режиме как усилители бегущей волны. Основное отличие СЛД от лазерных диодов заключается в том, что структура СЛД обеспечивает надежное подавление обратной связи по излучению. Это обеспечивает максимальное снижение доли излучения, отражающейся в усиливающий канал на его торцах. Таким образом, СЛД - это источники, характеризующиеся широким оптическим спектром и высокой выходной мощностью, сравнимой с лазерными диодами.

При использовании СЛД в различных отраслях техники одним из важнейших их показателей является надежность в эксплуатации. Так, например, при использовании СЛД в составе датчиков в волоконно-оптических гироскопах, к ним предъявляется достаточно высокие требования по надежности. В первую очередь, это требование к ресурсу работы - не менее 12 лет. Предполагалось, что СЛД должны обладать примерно таким же ресурсом, как и стандартные одномодовые ЛД с аналогичным уровнем оптической мощности, составляющей 5-10 мВт. Несмотря на то, что механизмы деградации

4

ЛД и СЛД практически одинаковы, СЛД имеет целый ряд принципиальных отличий от ЛД. Выходная плотность мощности, соответствующая порогу деградации, у СЛД заметно ниже, чем у диодных лазеров, созданных на основе той же гетероструктуры и при одинаковых конфигурациях активных каналов. Это связано с тем, что из-за подавления положительной обратной связи в СЛД их внешняя квантовая эффективность меньше, чем у лазеров, поэтому в СЛД тот же уровень выходной мощности оптического излучения достигается при большем рабочем токе и большем разогреве активного элемента. Кроме того, распределение плотности фотонов и плотности тока инжекции вдоль активного канала в СЛД более неоднородно, чем в диодных лазерах. В однопроходном СЛД с однородным активным каналом это распределение минимально в его средней части и максимально на выходных гранях. Аналогичное распределение имеет и температурное поле в кристалле СЛД. В силу указанных особенностей ресурс СЛД оказывается в 2-3 раза меньше, чем у аналогичных по мощности лазерных диодов. Тем не менее, проблемы ресурса эксплуатации СЛД исследованы недостаточно. Ресурс СЛД в производственном процессе оценивается посредством термоэлектронной тренировки (ТЭТ) приборов, а также непосредственно при испытаниях на ресурс в условиях, имитирующих эксплуатационные. Ресурсные испытания, однако, являются достаточно трудоемкими и требуют значительных временных затрат.

Радиационный технологический процесс (РТП), состоящий из последовательных операций облучения высокоэнергетичными электронами и термического отжига, в последние годы находит все более широкое применение в технологии различных изделий полупроводниковой электроники. Зачастую РТП используется как безальтернативный способ обеспечения заданных импульсно-частотных характеристик приборов, а также регулирования их статических параметров. Этот процесс основан на введении в активные области приборов высокостабильных глубоких радиационных центров (РЦ), которые действуют в полупроводниках подобно донорам, акцепторам и глубоким рекомбинационным центрам, имеющим химическую

природу. Облучение можно расценивать как "радиационное легирование" полупроводниковых материалов, поскольку введение РЦ в кристаллическую решетку полупроводника приводит к изменению времени жизни, концентрации и подвижности свободных носителей заряда вследствие их генерации или захвата на локальные энергетические уровни РЦ. При достаточно высоких концентрациях РЦ электрофизические свойства материалов и приборов определяются процессами взаимодействия свободных носителей заряда с этими центрами. Таким образом, с помощью облучения можно определенным образом изменять электрофизические параметры полупроводника, в первую очередь -время жизни неосновных носителей заряда т.; при больших интегральных потоках - концентрацию п и подвижность свободных носителей /л. Заметим здесь, что суммарным эффектом от изменения п и /л является изменение удельного сопротивления р.

В настоящей работе радиационнотермическая тренировка (РТТ) при помощи облучения СЛД высокоэнергетичными электронами используется с целью изучения воздействия данного вида облучения на кинетику деградации и оценки уровня радиационной стойкости СЛД. РТТ посредством тестового гамма-облучения используется с целью улучшения ресурсных характеристик СЛД. Гамма-облучение, является достаточно мягким видом воздействия на механически-напряженную структуру активного элемента СЛД, по сравнению с облучением высокоэнергетичными электронами, протонами и нейтронами. Одним из результатов воздействия гамма-облучения является частичное снятие механических напряжений в структуре активного элемента СЛД, приобретенных им во время предыдущих технологических процессов. Основные преимущества РТТ заключаются в том, что, во-первых, он проводится в конце технологического цикла, когда никакие из существующих методов уже не могут быть использованы, во-вторых, введение РЦ обусловлено "холодным" массопереносом, что не приводит к размытию диффузионных и имплантационных профилей основных легирующих примесей.

Радиационный технологический процесс применительно к приборам на основе СЛД находится в стадии исследования. В связи с этим представляется актуальной задача исследования изменения основных электрофизических параметров полупроводниковых приборов на основе СЛД с использованием операций облучения и последующего термического отжига. По нашему мнению это позволит обоснованно выбрать оптимальные режимы РТП и радиационнотермической тренировки (РТТ), способные значительно улучшить параметры суперлюминесцентных диодов и повысить их ресурс.

Цель диссертационной работы - разработать условия проведения операций радиационного технологического процесса для их использования в производстве СЛД с целью оперативного выявления в них технологических дефектов и улучшения их электрооптических параметров.

Для достижения поставленной цели в работе необходимо было решить следующие задачи:

1) установить закономерности деградации основных электронных и оптических параметров СЛД на отдельных этапах ресурсных испытаний;

2) исследовать кинетику деградации электрофизических характеристик СЛД после радиационно-термической тренировки путем воздействия у-облучения и облучения быстрыми электронами;

3) выработать режимы проведения радиационно-термической тренировки для выявления СЛД со скрытыми технологическими дефектами и оценки ресурса работы СЛД.

Новизна и научная ценность работы состоит в следующем:

- установлены закономерности изменения мощности оптического излучения в процессе термоэлектронной тренировки СЛД с длиной резонаторов Ь=600 и 1000 мкм при температурах Т=25; 55; 70°С и базе испытаний 10000 час;

- установлены закономерности изменения электронных и оптических характеристик СЛД с длиной резонаторов L=600 и 800 мкм после радиационного у-облучения и проведена термоэлектронная тренировка при температурах Т=25; 55°С и базе испытаний 1000 час;

- установлены закономерности изменения электронных и оптических характеристик СЛД с длиной резонаторов L=600 и 1000 мкм после облучения быстрыми электронами и проведена термоэлектронная тренировка при температурах Т=25°С и базе испытаний 600 час;

- на основании исследования кинетики деградации подвергшихся гамма-облучению СЛД показано, что значительное уменьшение концентрации радиационных центров происходит по окончании 1000 часового ТЭТ в режиме 1Слд=140мА, Т=25°С.

Практическая ценность работы.

Полученные в диссертационной работе результаты используются ООО "Суперлюминесцентные диоды" и ООО "Оптомодуль" при производстве светоизлучающих модулей типа SLD-37-MP/HP, SLD-38-MP/HP:

- экспериментальные исследования воздействия гамма-облучения (Со60) (до экспозиционной дозы 2,76-107 Р) на электрофизические и оптические характеристики полупроводниковых суперлюминесцентных диодов спектральной области 810 нм;

- экспериментальные исследования воздействия быстрых электронов (6 МэВ) на электрофизические и оптические характеристики полупроводниковых суперлюминесцентных диодов спектральной области 810 нм;

- экспериментальная оценка радиационной стойкости излучателей типа SLD-37-МР/НР, SLD-38-MP/HP к воздействию потока быстрых электронов (6 МэВ) по изменению основного критериального параметра - мощности излучения.

- Методику оперативной отбраковки приборов из поставляемых партий с аномальной деградацией мощности излучения посредством гамма-облучения (Со60);

- установлено, что применение РТП посредством гамма-облучения (Со60) (до экспозиционной дозы 2,76-107 Р) в технологии производства СЛД спектральной области 810 нм ведет к улучшению ресурсных характеристик приборов на его основе;

- разработана методика выявления СЛД со скрытыми технологическими дефектами посредством тестового у-облучения.

Основные результаты, выносимые на защиту:

1) Экспериментальные результаты по влиянию радиационного технологического процесса с использованием гамма-облучения и высокоэнергетичных электронов на основные электрофизические и ресурсные характеристики СЛД и разработанные на их основе режимы радиационной термической тренировки.

2) Разработанные режимы проведения радиационной термической тренировки, основанные на тестовом гамма-облучении (Со60), с целью оперативного выявления в активных элементах СЛД скрытых технологических дефектов.

Диссертационная работа выполнена в лабораториях кафедры ППЭ и ФПП МГИСиС в 2002-2008 гг. Эксперименты по изучению радиационного воздействия на структуру СЛД проводились лабораториях кафедры Полупроводниковой электроники и физики полупроводников МИСиС. Ресурсные испытания с определением характеристик СЛД проводились в лабораториях НИИ "Полюс" и ООО "Оптомодуль". Автор выражает глубокую признательность научному руководителю - профессору, доктору технических наук Е.А. Ладыгину за постоянное внимание к данной работе, старшему научному сотруднику A.M. Мусалитину - за помощь в проведении экспериментов.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Перевозчиков, Михаил Васильевич

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1. М.В. Перевозчиков, Е.А. Ладыгин, Е.В. Федотова, Радиационная отбраковка потенциально-ненадежных суперлюминесцентных диодов с применением тестового гамма-облучения // Вопросы атомной науки и техники, серия Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру 2006, Выпуск 1-2, с. 117-118.

2. М.В. Перевозчиков, Е.А. Ладыгин, Е.В. Федотова, Радиационная стойкость излучающих диодов к воздействию потока быстрых электронов // Вопросы атомной науки и техники, серия Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру 2006, Выпуск 1-2, с. 119-120.

3. М.В. Перевозчиков, Е.А. Ладыгин, Е.В. Федотова, Влияние гамма-облучения на характеристики суперлюминесцентных диодов на основе многослойных гетероструктур // Третья Международная конференция по физике кристаллов "Кристаллофизика 21-го века" 2006, Секция Ill-b, с.366-368.

4. М.В. Перевозчиков, Е.А. Ладыгин, Е.В. Федотова, Влияние быстрых электронов на мощностные характеристики суперлюминесцентных диодов // Третья Международная конференция по физике кристаллов "Кристаллофизика 21-го века" 2006, Секция III-b, с.369-370.

5. М.В. Перевозчиков, Е. А. Ладыгин, П. Б. Лагов, Применение тестового гамма-облучения для отбраковки потенциально ненадежных гетероэпитаксиальных структур AIGaAs/GaAs // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. № 3. 2007. С. 42-45.

6. М.В. Перевозчиков, П.Б. Лагов, A.M. Мусалитин, Исследование технологических дефектов в активной области гетероструктур на основе AIGaAs/GaAs при производстве суперлюминесцентного диода // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. №3. 2009. С.

39-43.

7. А.А. Лобинцов, М.В. Перевозчиков, М.В. Шраменко, С.Д. Якубович, Узкополосные двухпроходные суперлюминесцентные диоды с длиной волны излучения 1060 нм, Квантовая электроника, 2009, 39 (9), 793-796.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

На основании проведенных исследований сделаны следующие выводы.

1. Детальное изучение закономерностей изменения мощности излучения структур СЛД при стандартных производственных испытаниях при различных температурах позволило установить, что повышение температуры испытаний в допустимом диапазоне приводит к незначительному ускорению спада мощности излучения СЛД.

2. Проведен детальный расчет основных характеристик СЛД на основе известной модели, который позволил заключить, что повышение рабочей температуры производственных приемосдаточных испытаний не приводит к сильному снижению мощности в единицу времени. Коэффициент ускорения Кб00мкм{Т55,25) = 2,5, КбООмкм(Т70,25) = 3,2; К1000мкм{Т55,25) = 2; Кю00мкм(Т70,25) = 2,7. Энергия активации деградационного процесса: Еа воомкм = 0,20 эВ, Еа юоомкм = 0,27 эВ. Рассчитано медианное время наработки СЛД при 25°С: X боомкм= 39740 Ч, воомкм =93070 ч.

3. Экспериментальное исследование гамма-обработки позволило установить динамику изменения мощности излучения структур СЛД, на основе которых выбран оптимальный режим облучения для проведения РТТ.

-у

Оптимальная доза облучения составила Ф = 2,7-10' Р.

4. Разработан критерий отбраковки потенциально ненадежных структур, который соответствует 20% снижению мощности от исходного значения после облучения в выбранном режиме. Проведение РТТ в разработанных режимах при производстве СЛД (до проведения дорогостоящих сборочных операций) позволило:

- сократить время приемо-сдаточных испытаний активных элементов

СЛД (в 4-5 раз);

- выявить структуры со скрытыми технологическими дефектами, доля которых составляет (18-20%);

- замедлить темп снижения мощности потенциально надежных структур, прошедших РТТ на (7-10%) и увеличить ресурс их работы на 400-1000 ч;

- реализовать отбраковку гетероэпитаксиальных структур на уровне пластин путем проведения «пробных сборок» активных элементов.

5. Экспериментально изучена динамика изменения параметров структур СЛД при обработке быстрыми электронами. Установлено значение потока быстрых электронов, в результате облучения которым мощность излучения

1С структур СЛД снижается на 50%, Ф = 3 10 см" . Значение данного потока является радиационной стойкостью структур СЛД к воздействию быстрых электронов. Исходя из общеизвестного критерия снижения параметра мощности излучения на 50% от исходного значения.

6. Установлено, что после облучения структур СЛД потоком быстрых электронов эквивалентным оптимальной экспозиционной дозе гамма-облучения, используемой для проведения отбраковки структур СЛД не происходит восстановления мощности излучения до исходных значений в ходе операций РТТ. В связи с этим представляется перспективным разработка методики отбраковки структур СЛД с применением облучения быстрыми электронами потоками менее Ф < 3,6 1014 е/см2.

Использование и применение разработанных в данной работе режимов проведения операций РТТ на основе у-облучения в производстве СЛД позволило получить приборы с лучшими ресурсными характеристиками и без потери основного параметра СЛД - оптической мощности излучения.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Перевозчиков, Михаил Васильевич, 2012 год

ЛИТЕРАТУРА

1. Schmitt J.M., Yadlowsky M.J., Bonner R.F. Subsurface Imaging of Living Skin with Optical Coherence Microscopy // Dermatology. 1995. 191. p.93-98.

2. Drexler W., Morgner U., Kartner F.X., Pitris C., Boppart S.A., Li X.D., Ippen E.P., and Fujimoto J.G. In vivo ultrahigh-resolution optical coherence tomography // Optics Letters. 1999. Vol.24. No. 17. p. 1221-1223.

3. Morgner U., Kartner F.X., Cho S., Chen Y., Haus H.A., Fujimoto J.G., Ippen E.P., Scheurer V., Angelow G., and Tschudi T. // Opt. Lett. 1999. Vol.24. p.411.

4. Bouma B.E., Tearney G.J., Boppart S.A., Hee M.R., Brezinski M.E., and Fujimoto J.G. High-resolution optical coherence tomographic imaging using a mode-locked Ti : A1203 laser source // Opt. Lett. 1995. Vol.20, p. 1486-1488.

5. Tearney G.J., Brezinski M.E., Bouma B.E., Boppart S.A., Pitris C., Southern J.F., and Fujimoto J.G. In-vivo endoscopic optical biopsy with optical coherence tomography // Science. 1997. Vol.276, p.2037-2039.

6. Tomography beats micron resolution // Opto&Laser Europe. 2002. Issue 100. November, p. 15.

7. Iwatsuki K. ER-Doped superfluorescent fiber laser pumped by 1.48 ¡am laser diode // IEEE Photon. Technol. Lett. 1990. Vol.2, p.237.

8. Wysoki P.F., Digonnet M.J.F., and Kim B.Y. Spectral characteristics of highpower 1.5 |im broad-band superluminescent fiber sources // IEEE Photon. Technol. Lett. 1990. Vol.2, p. 178.

9. Tachibana M., Laming R.I., Morkel P.R., and Payne D.N. Gain-shaped Erbium-doped fiber amplifier (EDFA) with broad spectral bandwidth // in Proc. Top. Meet. Opt. Amplifiers Appl. 1990. Monterey. CA. paper MDI.

10. Pashotta R., Nilsson J., Tropper A.C., and Hanna D.C. Efficient superfluorescent light sources with broad bandwidth // IEEE J. Select. Topics Quantum Electron. 1997. Vol.3, p. 1097-1099.

11. Urguhart P. Review of rare earth doped fiber lasers and amplifiers // IEE Proc. 1988. 135. p.385-407.

12. Mei M. Ultrabroadband Fiber Sources Are Versatile Test and Measurement Tools // EuroPhotonics. 2003. Vol.8. Issue 1. December/January.

13. Берг А., Дин П. Светодиоды / пер. с англ. М., 1979.

14. Баланов А.С. и др. Передача оптических сигналов по световодам // М.: Радиотехника. Итоги науки и техники ВИНИТИ. 1984. т.30.

15. Унгер Г.Г. Оптическая связь. М., Связь. 1979.

16. Основы волоконно-оптической связи // пер. с англ. под ред. Дианова Е.М., М., Сов. Радио. 1980.

17. Kondo S., Yasaka Н., Noguchi Y., Magari К., Sugo S. and Mikami O. Very Wide Spectrum Multiquantum Well Superluminescent Diode at 1.5 \im II Electronics Letters. 1992. Vol.28. No.2. p. 132-133.

18. Мамедов Д.С., Прохоров B.B., Шраменко M.B., Якубович С.Д. Исследование характеристик излучения маломощных суперлюминесцентных диодов в диапазоне температур -55°С ... +93°С // Квантовая Электроника. 2002. 32. №7. с. 593-596.

19. Shidlovski V.R., Semenov А.Т., Lipin М.Е., Rafailov V.E., Shidlovski Dm. R. Study on Temperature Dependence of 820 nm SLED Performance Parameters // Proceedings of SPIE, Vol. 3860. Fiber Optic Sensor Technology and Applications (Michael A. Marcus, Brian Culshaw, Editors). Photonics East 1999. December 1999. p.495-500.

20. Kobayashi H., Iwamura H., Saku Т., Otsuka K. Polarization-dependent qain-current relationship in GaAs-AlGaAs MQW Laser diodes // Electron. Lett. 1983.Vol.19. No.5. p.166-168.

21. Kobayashi H., Iwamura H., Saku Т., Horikoshi Y. Spectrum studies on GaAs-AlGaAs multi-quantum-well laser diode qrown by molecular beam epitaxy //J. Appl. Phys. 1983. Vol.54. No.5. p.2692-2694.

22. Yamanishi H. and Suemune I. Comment on polarization dependent momentum matrix elements in quantum well lasers // Jpn. J. Appl. Phys. 1984. Vol.23. No.l.p. L35-L36.

23. Growe J.W., Ahearn W.E. Semiconductor laser amplifiers // IEEE J. 1966. V. QE-2. H8. p.283-285.

24. Курбатов Л.Н., Шахиджанов C.C., Быстрова Л.В., Демидов Ю.П., Катаев

A.Г., Киселёв А.А. Исследование многолучевого инжекционного лазерного усилителя из арсенида галлия // Радиотехника и электроника. 1971. т.16. №4. с.639-643.

25. Ступников В.Н., Якубович С.Д. Влияние конфигурации инжекционного излучателя на характеристики излучения // сб. Электронная Техника. 1978. сер. 11. №5. с.62-67.

26. Nagarajan R., Ishikawa М., Fukushima Т., Geels R.S., and Bowers J.E. High Speed Quantum-Well Lasers and Carrier Transport Effects // IEEE J. Quantum Electron. 1992. Vol.28. No.10. p.1990-2008.

27. Батоврин B.K., Гармаш И.А., Геликонов B.M., Геликонов Г.В., Любарский А.В., Плявенек А.Г., Сафин С.А., Семенов А.Т., Шидловский

B.Р., Шраменко М.В., Якубович С.Д. Суперлюминесцентные диоды на основе однослойных квантоворазмерных (GaAl)As-reTepocTpyKTyp // Квантовая электроника. 1996. 23. №2. с. 113-118.

28. Takayama Т., Imafuji О., Kouchi Y., Yuri М., Yoshikawa A., and Itoh К. 100-mW High Power Angled-Stripe Superluminescent Diodes with a New Real Refractive-Index-Guided Self-Aligned Structure // IEEE J. Quantum Electron. 1996. Vol.32. No.ll. p.1981-1986.

29. Alphonse G.A. Design of High-Power Superluminescent Diodes with Low Spectral Modulation // Proc. Of SPIE. 2002.Vol.4648. p.125.

30. Henry C.H. Theory of Spontaneous Emission Noise in Open Resonators and its Application to Lasers and Optical Amplifiers // J. of Lightwave Tech. 1986. LT-4. p.288-297.

31. Salzmann J., Hawkins R.J., Zah C.E., Menocal S. and Lee T.P. The tilted waveguide semiconductor laser amplifiers // J. Appl. Phys. 1988. Vol.64. p.2240-2242.

32. Alphonse G.A. and Toda M. Mode Coupling in Angeld Facet Semiconductor Optical Amplifiers and Superluminescent Diodes // IEEE J. Lightwave Tech. 1992. Vol.10. No.2. p.215-219.

33. Nelson A.R. Coupling optical waveguides by tapers // Appl. Optics. 1975. Vol.14. No.12. p.3012-3015.

34. Голдобин И.С., Семёнов A.T., Табунов В.П., Якубович С.Д. Определение параметров инжекционных лазерных усилителей на основе GaAlAs-гетероструктур по характеристикам суперлюминесцентного излучения // Квантовая Электроника. 1982. 9. №6. с. 1264-1266.

35. Marcuse D. and Kaminov LP. Computer model of a superluminescent LED with lateral confinement // IEEE J. Quantum Electron. 1981. Vol. QE-17. No.7. p.1234-1244.

36. Tateoka K., Naito H., Yuri M., Kume M., Hamada K., Shimizu H., Kazumura M., and Teramoto I. A High-Power GaAlAs Superluminescent Diode with an Antireflective Window Structure // IEEE J. Quantum Electron. 1991. Vol.27. No.6. p.1568-1573.

37. Semenov A.T., Shidlovski V.R., Lipin M.E., Rafailov V.E. Very High Power Superluminescent Diodes as Alternative to Fluorescent Fiber-Doped Light Sources // Proceedings of SPIE. Vol. 3860. Fiber Optic Sensor Technology and Applications / Michael A. Marcus, Brian Culshaw, Editors. Photonics East 1999. p.480-487.

38. Alphonse G.A., Morris N., Harvey M.G., Gilbert D.B. and Connoly J.C. New High-Power single-mode superluminescent diode with low spectral modulation // Conference on Lasers and Electro Optics. 1996. p. 107.

39. Patterson B.D., Epler J.E., Graf В., Lehmann H.W. and Sigg H.C. A Superluminescent Diode at 1.3 |um with Very Low Spectral Modulation // IEEE J. Quantum Electron. 1994. Vol.30. No.3. p.703-712.

40. Okamoto H., Wada M., Sakai Y., Hirono T., Kawaguchi Y., Kondo Y., Kadota Y., Kishi K., and Itaya Y. A Narrow Beam 1.3 ¡im- Super Luminescent Diode Integrated with a Spot-Size Converter and a New Type Rear Absorbing Region //J. Lightwave Tech. 1998. Vol.16. No.10. p.1881-1887.

41. Kwong N.S.K., Lau K.-Y., Bar-Chaim N. High-power, high-efficiency GaAlAs superluminescent diodes with integral absorber for lasing suppression // IEEE J. Quantum Electron. 1989. QE-25. No.4. p.696-704.

42. Safin S.A., Semenov A.T., Shidlovski V.R. et al. High-power 0.82 |um superluminescent diodes with extremely low Fabry-Perot modulation depth // Electron. Lett. 1993. Vol.28. No.6. p.530-532.

43. Gen-ei K., Tanioka A., Suhara H. and Chinen K. High coupled power 1.3 \im edge-emitting light-emitting diode with a rear window and an integrated absorber // Appl. Phys. Lett. 1988. Vol.53, p. 1138-1140.

44. Yamatoya T., Mori S., Koyama F. and Iga K. High Power GalnAsP/InP Strained Quantum Well Superluminescent Diode with Tapered Active Region //Jpn. J. Appl. Phys. 1999. Vol.38. Part.l. No.9A. p.5121-5122.

45. Du G., Devane G., Stair K.A., Wu S., Chang R.P.H., Zhao Y., Sun Z., Liu Y., Jiang X. and Han W. The Monolitic Integration of a Superluminescent Diode with a Power Amplifier // IEEE Photon. Tech. Letters. 1998. Vol.10. No.l. p.57-59.

46. Kwong N.S.K., Lau K.Y., Bar-Chaim N., Ury I., and Lee K.J. High power, high efficiency window buried heterostructure GaAlAs superluminescent diode with an integrated absorber // Appl. Phys. Lett. 1987. Vol.51. No.23. p.1879-1881.

47. Liou K.Y. and Raybon G. Operation of an LED with a single-mode semiconductor amplifier as a broad-band 1.3-|a,m transmitter source // IEEE Photon. Tech. Lett. 1995. Vol.7, p. 1025-1027.

48. Cho S.H., Han I.K., Hu Y., Song J.H., Heim P.J.S., Dagenais M., Johnson F.G. and Stone D.R. >90mW CW Superluminescent Output Power from Single-

Angled Facet-Ridge Waveguide at 1.5 |im // in Proc. Advanced Semiconductor Lasers and Their Applications. 2000. Vol.31, p.5-9.

49. Koyama F., Liou K.Y., Dentai A.G., Tanbunek T. and Burrus C.A. Multiple-quantum-well GalnAs/GalnAsP tapered broad-area amplifiers with monolithically integrated waveguide lens for high-power applications // IEEE Photon. Tech. Lett. 1993. Vol.5, p. 916-919.

50. Semenov A.T., Shidlovski V.R., Safin S.A. et al. Extremely high-power and high-performance superluminescent diodes and modules at 800 nm // Proceeding ofOFC'lO. Glasgow. October 1 l-14th. 1994. p.298-301.

51. Пихтин И.А., Ильин Ю.В., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Станкевич А.Л., Тарасов И.С., Фетисова Н.В. Мощный широкополосный одномодовый InGaAsP/InP суперлюминесцентный диод // Письма в ЖТФ. 1999. том 25. вып. 15. с. 16-22.

52. Yang Liu, Junfeng Song, Yuping Zeng, Bin Wu, Yuantao Zhang, Ying Qian, Yingzhi Sun and Guotong Du High-Power 1.5-|Ш1 InGaAsP/InP Strained Quantum Wells Integrated Superluminescent Light Source with Tilted Structure // Jpn. J. Appl. Phys. 2001. Vol. 40. Part 1. No. 6A. p. 4009-4010.

53. Takeshi Yamatoya, Shigeaki Sekiguchi, Fumio Koyama and Kenichi Iga HighPower CW Operation of GalnAsP/InP Superluminescent Light-Emitting Diode with Tapered Active Region // Jpn. J. Appl. Phys. 2001. Vol. 40. Part. 2. No. 7A. p.L678-L680.

54. Song J. H., Cho S. H., Han I.K., Hu Y., Heim P. J. S., Johnson F. G., Stone D. R. and Dagenais M. High-Power Broad-Band Superluminescent Diode with Low Spectral Modulation at 1.5-mm Wavelength // IEEE Photonics Technology Letters. 2000. Vol. 12. No. 7. p.783-785.

55. Bing-Ruey Wu, Ching-Fuh Lin, Lih-Wen Laih and Tien-Tsorng Shih Extremely broadband InGaAsP/InP superluminescent diodes // IEE Electronics Letters. 2000. Vol. 36. No. 25. p.2093-2095.

56. Ching-Fuh Lin and Bor-Lin Lee Extremely broadband AlGaAs/GaAs superluminescent diodes // Appl. Phys. Lett. 1997. Vol.71. No. 12. p. 15981600.

57. Ching-Fuh Lin, Bor-Lin Lee, and Po-Chien Lin Broad-Band Superluminescent Diodes Fabricated on a Substrate with Asymmetric Dual Quantum Wells // IEEE Photonics Technology Letters. 1996. Vol. 8. No. 11. p.1456-1458.

58. Poole P.J., Davies M., Dion M., Feng Y., Charbonneau S., Goldberg R.D. and Mitchell I.V. The Fabrication of a Broad-Spectrum Light-Emitting Diode Using High-Energy Ion Implantation // IEEE Photon. Tech. Lett. 1996. Vol.8. No.9. p.l 145-1147.

59. Kwong N.S. High-Power, Broad-Band 1550 nm Light Source by Tandem Combination of a Superluminescent Diode and an Er-Doped Fiber Amplifier // IEEE Photon. Tech. Lett. 1992. Vol.4. No.9. p.996-999.

60. Semenov A.T., Shidlovski V.R., Safin S.A. Wide-spectrum SQW superluminescent diodes at 0.8 ^m with bent optical waveguide // Electron. Lett. 1993. Vol.29. No.10. p.854-856.

61. Baumgartner A., Hitzenberger C.K., Sattmann H., Drexler W. and Fercher A.F. // J. Biomed. Opt. 1998. 3. 45.

62. Schmitt J.M., Lee S.L. and Yung K.M. An optical coherence microscope with enhanced resolving power // Opt. Commun. 1997. Vol.142, p.203-207.

63. Noguchi Y., Yasaka H., Mikami O. and Nagai H. High-power, broad band InGaAsP superluminescent diode emitting at 1.5 |um // J. Appl. Phys. Vol.67. No.5, pp.2665-2667, 1990.

64. Mikami O., Yasaka H., and Noguchi Y. Broader spectral width InGaAsP stacked active layer superluminescent diodes // Appl. Phys. Lett. 1990. Vol.56. No. 11, pp.987-989.

65. Chen T.R., Eng L., Zhuang Y.H., Yariv A., Kwong N.S. and Chen P.C. Quantum well superluminescent diode with very wide emission spectrum // Appl. Phys. Lett. 1990. Vol.56. No.14. p.1345-1346.

66. Кочетков А.А., Коняев В.П., Сорокин В.М., Твердов С.В. Расчёт ресурса мощных гетеролазеров // Квантовая электроника. 1996. 23. №2. с. 112.

67. Semenov А.Т., Shidlovski V.R., Shidlovski Dm. R. Long-Term Stability of SLED as Lightsource for Fiberoptic Sensor // Proceedings of SPIE. Vol. 3860. Fiber Optic Sensor Technology and Applications / Michael A. Marcus. Brian Culshaw. Editors. Photonics East December 1999. p.488-494.

68. Bellcore Technical Advisory TA-TSY-000983 // Reliability Assurance Practices for Optoelectronic Devices in Loop Applications. 1990. Issue 1. January.

69. Kashima Y., Motoba A. and Takano H. Performance and Reliability of InGaAsP Superluminescent Diode // Journ. of Lightwave Tech. 1992. Vol.10. No. 11. p. 1644-1649.

70. Мамедов Д.С. Исследование температурных зависимостей мощностных и поляризационных характеристик излучения суперлюминесцентных диодов на основе (GaAl)As гетероструктур / М., 2002. Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов, посвященная 40-летию МИЭМ. Тезисы докладов, с.287-289.

71. Semenov А.Т., Shidlovski V.R., Batovrin V.K., Lyubarsky A.V., Plyavenek, Shramenko M.V., Yakubovich S.D. Spectral and Polarization Characteristics of (GaAl)As SQW Superluminescent Diodes Emission // The Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO/Pacific Rim'95). Chiba. Japan. July 10-14. paper F04. Advance Program p.68. Technical Digest, p.214. 1995.

72. Batovrin V.K., Blumin M., Fakete D., Lukyanov V.N., Lyubarsky A.V., Plyavenek A.G., Semenov A.T., Shidlovski V.R., Shramenko M.V. and Yakubovich S.D. Power, Spectrum and Polarization Behaviour of SQW Superluminescent Diodes // in 8th Annual Meeting of IEEE Lasers and Electro-Optics Society (LEOS'95). 1995. San Francisco. CA. October 30 - November 2. paper SCL7.6. Conference Proceedings Vol.1, p.300-301.

73. Semenov A.T., Shidlovski V.R., Yakubovich S.D. Highly Effective Non-Cooled Superluminescent Diodes for High-Temperature Applications // OFC-11. May 1996. Post Deadline Papers. Sapporo. Japan.

74. Imanaka K. Cavity Length Dependence of Optical Characteristics in High Power Narrow Stripe GaAs Superluminescent Diodes // IEEE Photon. Tech. Lett. 1990. Vol.2. No.10. p.705-707.

75. Шереметьев А.Г. Волоконный оптический гироскоп // М., Радио и связь. 1987.

76. Ashley P.R., Temmen M.G. and Mohan-Sanghadasa Applicationa of SLDs in Fiber Optical Gyroscopes // Proceedings of SPIE. 2002. Vol.4648.

77. Schmitt J.M. Optical Coherence Tomography (OCT): A Review // IEEE J. of Selected Topics in Quantum Electron. 1999. Vol.5. No.4. p.1205-1215.

78. Petermann K. Intensity-dependent nonreciprocal phase shift in fiberoptic gyroscopes for light sources with low coherence // Opt. Lett. 1982. Vol.7. p.623.

79. Frigo N.J., Taylor H.F., Goldberg L., Weller J.F. and Rashleigh C.S. Optical Kerr effect in fyber gyroscopes: effects of nonmonochromatic sources // Opt. Lett. 1983. Vol.8, p. 119.

80. Burns W.K., Chen C. and Moeller R.F. Fiber optic gyroscope with broadband sources // J. Lightwave Tech. 1983. LT1. p.98.

81. В ohm K., Marten P., Petermann K., Weidel E., and Ulrich R. Low drift fiber gyro using superluminescent diode // Electron. Lett. 1981. Vol.17, p.352.

82. Digonnet M.J.F. Superluminescent optical sources for sensor applications // Optical Fiber Rotation Sensing / W.K. Burns Ed. Academic Press. San Diego. 1994. P.261.

83. Huang D. Optical coherence tomography // Science. 1991. Vol.254, p. 11781181.

84. Takada K., Yokohama I., Chida K. and Noda J. New measerment system for fault location in optical waveguide devices based on an interferometric technique // Appl. Optics. 1987. Vol.9, p. 1603-1606.

85. Dresel Т., Hausler G. and Venzke H. Three dimensional sensing of rough surfaces by coherence radar// Appl. Optics. 1992. Vol.31, p.919-925.

86. Danielson B.L. and Boisrobert C.Y. Absolute optical ranging using low coherence interferometry//Appl. Optics. 1991. Vol.30, p.2975-2979.

87. Al-Chalabi S.A., Culshaw B. and Davies D.E.N. Partially coherent sources in interferometric sensors // Proc. 1st Int. Conf. On Optical Fiber Sensors. London: 1987. Proc. Inst. Elec. Eng. p. 132-135.

88. Gerges A.S., Farahi F., Newson T.P., Tones J.D.C. and Jackson D.A. An interferometric fiber optic sensor using a short coherence length source Electron. Lett. 1987. Vol.23, p. 1110-1111.

89. Aburakawa Y. and Ohtsuka H. Predistorter implementation to SLD in fiberoptic wireless systems // IEICE Trans. Electron. 1996. Vol. E79-C. p.52-59.

90. Андреева E.B., Шраменко M.B., Якубович С.Д. Двухпроходный суперлюминесцентный диод с клиновидным активным каналом // Квантовая Электроника. 2002. 32. №2. с. 112-114.

91. Андреева Е.В., Шраменко М.В., Якубович С.Д. Спектральная перестройка излучения двухпроходных суперлюминесцентных диодов // Минск. 2002. Программа и материалы 4-ого Российско-Белорусского Семинара ПЛ и системы на их основе, с.27.

92. Seeger М., Podoleanu A. Gh., Jackson D.A. Preliminary Results of Retinal Tissue Imaging Using Coherence Radar Technique // at Appl. Opt. Div. Conference. Reading. 16-19 September. 1996. Proc. p.64-68.

93. Izatt J. А., Нее M.R., Huang D., Fujimoto J.G., Swanson E.A., Lin C.P., Schuman J.S. and Puliafito C.A. Optical Coherence Tomography for Medical Diagnostics // Medical Optical Tomography, p.450-472.

94. Alphonse G.A. Design of High-Power Superluminescent Diodes With Low Spectral Modulation // Proceedings of SPIE 2002. Vol. 46-48.

95. Пихтин H.A., Ильин Ю.В., Лешко А.Ю. и др. Мощный широкополосный одномодовый InGaAsP/InP суперлюминесцентный диод // Письма в ЖТФ. 1999. том 25. вып. 15.

96. Батоврин В.К., Гармаш И.А., Геликонов В.М. и др. Суперлюминесцентные диоды на основе однослойных квантоворазмерных (GaAl)As-reTepocTpyKTyp // Квантовая электроника. 1996. 23. №2.

97. Журавлева О.В., Курносов В.Д., Курносов К.В. и др. Исследование спектральных и мощностных характеристик суперлюминесцентных диодов. // Квантовая электроника. 2004. 34. № 1.

98. Мамедов Д.С., Мармалюк А.А., Никитин Д.Б. и др. Двухпроходные суперлюминесцентные диоды с пониженным энергопотреблением на основе многослойной квантоворазмерной (GaAl)As-reTepocTpyKTypbi // Квантовая электроника. 2004. 34. № 3.

99. Лобинцов П.А., Мамедов Д.С., Прохоров В.В. и др. Мощные суперлюминесцентные диоды с неинжектируемыми выходными секциями. // Квантовая электроника. 2004. 34. № 3.

100. Андреева Е.В., Шраменко М.В., Якубович С.Д. Двухпроходной суперлюминесцетный диод с клиновидным активным каналом // Квантовая электроника. 2002. т.32. № 2. с. 112.

101. Adams A.R. Band Structure engineering for low-threshold hihg-efficiency semiconductor lasers // Electron. Lett. 1986. Vol.22. No.5. p.249-250.

102. Yablonovitch E. and Kane E.O. Band structure engineering of semiconductor lasers for optical communications // J. Lightwave Technol. 1988. Vol.6. No.8. p.1292-1299.

103. Silver M. and O'Reilly E.P. Optimization of long wavelength InGaAsP strained quantum-well lasers // IEEE J. Quantum Electron. 1995. Vol.31. No.7. pp.1193-1200.

104. O'Reilly E.P. and Adams A.R. Band-structure engineering in strained semiconductor lasers // IEEE J. Quantum Electron. 1994. Vol.30. No.2. p.366-379.

105. Мартынов В.H., Кольцов Г.И. Полупроводниковая электроника МИСиС, 1999.

106. Елисеев П.Г. Причины и распределение отказов в полупроводниковых лазерах // Квантовая электроника. 1986. 13. № 9.

107. Кейси X., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах в 2-х томах // М., Мир. 1981.

108. Кулаков В.М., Ладыгин Е.А., Шаховцев В.И. и др. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники. // М., Сов. Радио. 1980.

109. Lang D.V., Hartman R.L., Schumaker N.E. // J. Appl. Phis. 1976. v. 47. p. 4986.

110. Lang D.V., Logan R.A., Kimerling L.C. // Phys. Rev. 1977. В15. p. 4874.

111. Hooft C.W., VanOpdorp C., Veenvliet H., Vink A.T. // J. Cryst. Growth. 1981. v. 55. p. 173.

112. Brehm C.E., Pearson G.L. // J. Appl. Phis. 1972. v. 43. N 2. p. 568

113. Barnes C.E. // Phys. Rev. 1970. N 12. p. 4753.

114. Hirsh I., Hava S., Kopeika N.S., Kushelevsky A.P., Alfassi Z. // IEEE J. Quantum Electronics. 1983. v. QE-19. N 1. p. 29.

115. Hava S., Kopeika N.S. // SPIE. 1986. v. 721. p. 2.

116. Herzog A.H., Keune D.L., Graford M.G. // J. Appl. Phis. 1972. v. 43, p. 600.

117. Barnes C.E.. // J. Appl. Phis. 1974. v. 45. p. 3485.

118. Compton D.M.J., Cesena R.A. // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1967. v. NS-14. N 6. p. 55

119. Елисеев П.Г. Итоги науки и техники // Радиотехника 1978. т. 14. ч. 2. с. 34.

120. Богданкевич О.В., Борисов H.A., Календин В.В., Ковш И.Б., Крюкова И.В. // Квантовая электроника. 1972. № 5. U.c. 108.

121. Roux M. // ESA Journal. 1987. v. 11. p. 167.

122. Kimerling L.C., Lang D.V. // Inst. Phys. Conf. London. 1975. Ser. 24. p. 589.

123. Stievenard D., Burgoin J.C. // Proc. 17th IEEE Photovoltaic Spec. Conf. 1984. P.1103.

124. Levinson M. et al. // Phys. Rev. 1983. B. 28. N 10. p. 5848.

125. Yamaguchi et al. // J. Appl. Phys. 1986. v.60. N 3. p. 935.

126. Ладыгин E.A. Радиационная технология твердотельных электронных приборов // М., ЦНИИ "Электроника", 1976.

127. Ривлин Л.А., Семенов А.Т. Динамика и спектры излучения полупроводниковых лазеров // М., 1983.

128. Ярив А., Юх П. Оптические волны в кристаллах // М., Мир. 1987.

129. Кулаков В.М., Ладыгин Е.А., Шаховцов В.И. и др. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники / Под ред. Е.А.Ладыгина. М., Советское радио. 1980.

130. Вавилов B.C. Действие излучений на полупроводники // М., Физматгиз. 1963.

131. Вавилов B.C., Ухин H.A. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах // М., Атомиздат. 1969.

132. Физические процессы в облученных полупроводниках / Под ред. Смирнова Л.С. Новосибирск., Наука. 1977.

133. Вопросы радиационной технологии полупроводников. / Под ред. Л.С. Смирнова. - Новосибирск: Наука, 1980.

134. Ладыгин Е.А., Паничкин A.B., Горюнов H.H. Основы радиационной технологии микроэлектроники ч. 1,2 // М., МИСиС. 1994.

135. Ладыгин Е.А., Лагов П.Б., Мурашев В.Н. Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет // М., МИСиС. 2001.

136. Ладыгин Е.А. Обеспечение надежности электронных компонентов космических аппаратов // М., МИСиС. 2003.

137. Голубев Н.Ф., Кучинский П.В., Латышев A.B., Ломако В.М., Прохоцкий Ю.М. Радиационные процессы в микроэлектронике. Применение радиационных процессов в технологии кремниевых диодов,

МОП-приборов, приборов из арсенида галлия и при диагностических испытаниях // М, НИИТЭХИМ. 1991.

138. Першенков B.C., Попов В.Д., Шальнов A.B. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем // М., Атомиздат. 1988.

139. Паничкин A.B. Управление электрофизическими параметрами кремниевых МДП и МДП структур при радиационно-термической обработке// Дисс. канд. техн. Наук. М., МИСиС. 1987.

140. Вологдин Э.Н., Ладыгин Е.А., Шаховцов В.И. Некоторые вопросы физики радиационных повреждений в полупроводниковых приборах // Киев., Институт физики АН ССР. 1972.

141. Коршунов Ф.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.М. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах // М., Наука и техника. 1978.

142. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках // М., Мир. 1977.

143. Ладыгин Е.А., Горюнов H.H., Паничкин A.B., Галеев А.П. Радиационные эффекты в МОП и КМОП структурах интегральных схем. -М.: МИСиС, 1997.

144. Лагов П.Б. Радиационно-термические процессы в кремниевых биполярных структурах и их влияние на электрофизические параметры // Дисс. канд. техн. наук. М., МИСиС. 1999.

145. Батоврин В. К., Геликонов В. М., Геликонов Г. В., Плявенек А. Г., Семенов А. Т., Шраменко М. В., Якубович С. Д., Суперлюминесцентные диоды на основеоднослойных квантоворазмерных (GaAl)As-гетероструктур // Квант. Электроника. 1996. 23. 2. С. 113-118.

146. Лобинцов П.А., Мамедов Д.С., Якубович С.Д. Ресурсные испытания суперлюминесцентных диодов // Квантовая Электроника. 2006. 36. №2. с.111-113.