Схемотехническое проектирование и моделирование СВЧ генератора с внутренней обратной связью на биполярном транзисторе тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.12.21, кандидат технических наук Фартушнов, Сергей Александрович

• Фартушнов, Сергей Александрович
• кандидат технических наук
• 1998

Оглавление диссертации кандидат технических наук Фартушнов, Сергей Александрович

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. Общие вопросы моделирования электродинамических систем СВЧ транзисторных генераторов

1.1. Сравнение электродинамических систем СВЧ генераторов на

биполярном транзисторе и амплитроне

1.2. Особенности моделирования низкочастотных генераторов на

биполярном транзисторе

1.3. Метод эквивалентных двухполюсников в применении к

моделированию СВЧ транзисторных генераторов

1.4. Выводы

Глава 2. Модель биполярного транзистора для схемотехнического

проектирования СВЧ транзисторного генератора

2.1. Выбор модели биполярного транзистора

2.2. Модернизированная кусочно-линейная модель транзистора

2.3. Учет наличия резистора автосмещения в модели транзистора

2.4. Алгоритм расчета электрических параметров каскада на биполярном транзисторе

2.5. Анализ влияния значений параметров схемы эмиттерной цепи на электрические характеристики транзистора

2.6. Выводы

Глава 3. Моделирование и расчет параметров свч генератора с внутренней

обратной связью

3.1. Исходные положения моделирования СВЧ генератора с внутренней обратной связью

3.2. Анализ условий обеспечения стационарного режима генератора

3.3. Анализ электрических параметров транзистора в схеме генератора с внутренней обратной связью

3.4. Обеспечение устойчивости транзисторного генератора с внутренней обратной связью

3.5. Зависимость емкости коллекторного перехода от ВЧ режима

транзистора и условие устойчивости генератора

3.6. Определение параметров электродинамической системы генератора

с внутренней обратной связью

3.7. Заключение

Глава 4. Разработка методики схемотехнического проектирования

генератора с внутренней обратной связью и его программного обеспечения

4.1. Схема алгоритма проектирования генератора

4.2. Описание программы проектирования СВЧ генератора

4.3. Методика проектирования СВЧ в диалоге с ЭВМ

4.4. Заключение

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список использованных источников

Приложение 1

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Схемотехническое проектирование и моделирование СВЧ генератора с внутренней обратной связью на биполярном транзисторе»

ВВЕДЕНИЕ

Генераторы как на биполярном, так и на полевом транзисторах нашли широкое применение в современной радиоэлектронной аппаратуре. Они могут входить в состав как интегральных схем, так и гибридных устройств (или модулей), в которых транзисторы являются самостоятельными элементами. В связи с разработкой в настоящее время транзисторов достаточно высокого уровня мощности, транзисторные генераторы используются не только в качестве задающих каскадов гибридных устройств, но и создаются устройства, выполненные на базе отдельного мощного прибора.

Создание транзисторных генераторов в настоящее время проводится по следующим основным направлениям:

- обеспечение большого уровня мощности с высокими энергетическими параметрами (на фиксированной частоте);

- обеспечение перестройки генерируемой частоты;

- обеспечение заданной структуры спектра выходного сигнала.

Схемотехническое проектирование транзисторных генераторов, как и других устройств радиоэлектроники, проводится на этапах разработки, предшествующих конструктивно-технологической реализации

экспериментальных образцов. Оно предполагает, как правило, решение двух задач:

- определение условий сопряжения в выбранную схему построения отдельных, ранее созданных элементов, при котором должны достигаться заданные параметры генератора;

- определение значений параметров элементов генератора, которые должны вновь создаваться, если ранее разработанные элементы не соответствуют необходимым требованиям.

Разработка устройств высокого уровня мощности на полупроводниковых приборах обычно ведется с использованием ранее созданной элементной базы, в

том числе и транзисторов. В таком случае основными задачами схемотехнического проектирования СВЧ транзисторных генераторов являются определение электрического режима выбранного типа транзистора, обеспечивающего задаваемые выходные характеристики генератора, и оценка возможности работы прибора в этом режиме, а также определение геометрических параметров отрезков микрополосковых линий цепей электродинамической системы, т.е. ее топологии. Отдельным вопросом при создании СВЧ генераторов, особенно обеспечивающих высокую стабильность или перестройку частоты, является проектирование резонаторной системы. Исходные требования для этого проектирования вырабатываются в результате схемотехнического проектирования генератора.

Успешное проведение схемотехнического проектирования генераторов на биполярном транзисторе во многом зависит от соответствующей теоретической базы, формирующей модель этого устройства, основой которой является комплекс представлений относительно транзистора и электродинамической системы генератора. В состав этой системы входят не только линейные цепи связи, резонатор, нагрузка, но и транзистор. Модель транзистора должна учитывать происходящие в нем основные нелинейные явления, определяющие принцип работы генератора.

К настоящему времени создана весьма фундаментальная база в обеспечение проектирования генераторов низкочастотного и высокочастотного диапазонов на биполярном транзисторе [1-5]. Эти генераторы построены, как правило, по трехточечной схеме, цепи которой состоят из элементов с сосредоточенными параметрами. Естественно, что модельные представления таких транзисторных генераторов являлись развитием представлений, созданных в применении к генераторам на триодах [6,7].

Существующие модельные представления генераторов СВЧ диапазона на биполярном транзисторе далеко не в полной мере удовлетворяют потребностям проектирования. В некоторых из упомянутых выше работ приводятся лишь рекомендации общего характера, которые следуют из

модельных представлений о низкочастотных генераторах. Эти представления не учитывают специфику СВЧ диапазона, и в первую очередь, выполнение электродинамической системы в виде отрезков микрополосковой линии, т.е. цепей с распределенными параметрами.

Имеются такие сообщения о создании алгоритмов и программ расчета и анализа электрических характеристик СВЧ генераторов на биполярных транзисторах. Так в работе [8] приведена программа анализа стационарного режима генератора, использующая модифицированную модель Гамильтона [9] для описания транзистора. При этом полагается, что генератор построен по трехточечной схеме на элементах с сосредоточенными параметрами. Обобщенная эквивалентная схема генератора была использована при создании алгоритма расчета характеристик в работах [10, И]. Однако расчет и анализ электрических характеристик генератора целесообразно проводить лишь в том случае, когда при задаваемых величинах параметров его схемы (электродинамической системы) выполняются необходимые условия существования генераторного режима. Определение данных условий достигается при решении задачи синтеза. Следовательно, решение этой задачи и должно, в первую очередь, обеспечивать моделирование транзисторного генератора.

До последних лет считалось, что использование биполярных транзисторов эффективно в диапазоне частот до 3-5 ГГц. Однако создание таких транзисторов с гетеропереходами открывает перспективу существенного смещения рабочего диапазона этих полупроводниковых приборов в коротковолновую область.

Таким образом, весьма актуальной представляется проблема создания моделей СВЧ генераторов на биполярном транзисторе в обеспечение разработок гибридных модулей радиоэлектронной аппаратуры, учитывающих специфику этого диапазона и являющихся основой схемотехнического проектирования, при котором должны решаться задачи синтеза и анализа. Решению данной проблемы посвящена настоящая диссертационная работа, в которой рассматриваются

вопросы схемотехнического проектирования транзисторных генераторов СВЧ диапазона высокого уровня мощности.

Генераторы на биполярных или полевых транзисторах представляют собой классическую автоколебательную систему с положительной обратной связью, выполненную на базе усилителя, являющегося активным четырехполюсником [12]. В отличие от ряда типов генераторов, особенно СВЧ диапазона, таких как магнетрон или лампа обратной волны, механизм обратной связи в транзисторных генераторах, обеспечивающий необходимые для возбуждения и поддержания стационарного генераторного режима условия, достаточно четко выражен. Он создается образованием специальной цепи, по которой часть выходного сигнала подается на вход усилителя.

Возможны два варианта построения транзисторных генераторов: с внутренней и с внешней обратной связью. В первом исполнении цепь обратной связи проходит вне усилителя, во втором - через усилитель и в направлении, противоположном направлению усиливаемого сигнала.

В настоящее время наибольшее распространение получило построение транзисторных генераторов с внешней обратной связью. Так в совсем недавно вышедшем учебном пособии [13] при рассмотрении генераторов СВЧ диапазона приводится схема только с внешней обратной связью. По всей видимости, причиной такого положения является то, что первые транзисторные генераторы работали на низких частотах и их прототипами были генераторы на триодах, построенные по трехточечной схеме, в которой обратная связь осуществляется вне электронного прибора.

Наличие внешней обратной связи усложняет конструкцию генератора. Кроме того, электрическая длина петли такой обратной связи в СВЧ диапазоне оказывается достаточно большой и это может привести к возникновению в генераторе паразитных видов колебаний, а также к сокращению ширины полосы перестройки генерируемой частоты. Поэтому представляют интерес исследования, направленные на создание транзисторных генераторов с внутренней обратной связью.

На принципиальную возможность создания транзисторных генераторов с внутренней обратной связью, и в частности на биполярном транзисторе, указывают исследования потенциальной неустойчивости усилителей мощности на этом приборе [14], а также результаты работы [15]. Более того, экспериментальные образцы таких генераторов на полевом транзисторе созданы в Таганрогском радиотехническом университете и на биполярном транзисторе -в ОКБ «Тантал» (г. Саратов). Настоящая диссертация также посвящена решению вопросов схемотехнического проектирования генераторов с внутренней обратной связью.

На основании изложенного выше цели диссертационной работы могут быть сформулированы следующим образом:

1. Построение модели стационарного режима работы СВЧ генератора с внутренней обратной связью на биполярном транзисторе, позволяющей оперативно решать задачи схемотехнического проектирования, и в первую очередь, синтеза такого генератора.

2. Анализ особенностей электродинамической системы СВЧ генератора с внутренней обратной связью на биполярном транзисторе, а также влияния параметров входной цепи постоянного тока транзистора на условия обеспечения стационарного режима работы генератора.

3. Разработка алгоритмов и программного обеспечения решения задач схемотехнического проектирования СВЧ генераторов с внутренней обратной связью на биполярном транзисторе.

Для достижения поставленных целей в диссертации решаются следующие задачи:

1. Выявление функциональных особенностей электродинамических систем СВЧ генераторов с внутренней обратной связью на биполярном транзисторе и разработка основ моделирования этих устройств.

2. Построение эквивалентной схемы СВЧ генератора с внутренней обратной связью на биполярном транзисторе, и выбор модели этого прибора, позволяющих оперативно решать задачи схемотехнического проектирования.

3. Учет в модифицированной кусочно-линейной модели биполярного транзистора влияния обратной связи во входной цепи постоянного тока.

4. Поиск путей обеспечения устойчивости стационарного режима генератора с внутренней обратной связью, в котором биполярный транзистор работает в недонапряженном режиме.

5. Разработка методов решения задачи синтеза СВЧ генератора с внутренней обратной связью на биполярном транзисторе.

В результате решения этих задач получен ряд новых результатов, из

числа которых нужно особо отметить:

1. Показано, что в СВЧ диапазоне создаются наиболее благоприятные условия для создания генераторов с внутренней обратной связью на биполярном транзисторе.

2. Определено влияние на амплитудные и импедансные характеристики транзистора параметров элементов входной цепи постоянного тока, подбором значений которых обеспечивается устойчивость генератора на этом приборе при его работе в недонапряженном режиме с отсечкой тока.

3. Обоснована возможность независимого решения задач получения заданных энергетических параметров генератора с внутренней обратной связью на биполярном транзисторе и обеспечение устойчивости стационарного режима работы генератора.

4. Реализована возможность использования модифицированной кусочно-линейной модели биполярного транзистора для анализа его работы в режимах не только класса С, но и классов В и АВ.

5. Создана модель стационарного режима генератора СВЧ с внутренней обратной связью на биполярном транзисторе, на основе которой разработан алгоритм решения задачи синтеза генератора в диалоге с ЭВМ.

Практическую значимость выполненных исследований, в первую очередь, имеют созданные модельные представления и алгоритмы расчетов, которые предлагаются для использования при схемотехническом проектировании СВЧ транзисторных генераторов с внутренней обратной связью и с помощью которых можно определять топологию их ВЧ цепей. Ранее такой возможности не было. Созданная модель, по мнению автора, достаточно проста и удобна. Она позволяет проследить физические процессы, определяющие зависимость электрических параметров генератора от элементов его электродинамической системы и электрического режима работы транзистора, что позволяет осознанно осуществлять поиск наилучшего варианта конструкции устройства. Оперативность такого поиска обеспечивает предложенный алгоритм, предусматривающий диалог с ЭВМ.

В процессе исследований были выработаны конкретные рекомендации, которые могут использоваться в практике разработки СВЧ транзисторных генераторов. К их числу относятся выводы:

- о построении генераторов с внутренней обратной связью на биполярном транзисторе именно в СВЧ диапазоне,

- о существовании интервала значений реактивной проводимости нагрузки, пересчитанной к выходу транзистора, где создаются наиболее благоприятные условия для обеспечения генераторного режима,

- о характере влияния обратной связи во входной цепи транзистора на его динамические характеристики.

Достоверность результатов и выводов диссертационной работы обосновывается применением методов моделирования, которые широко используются в современной технике СВЧ. Используемая модель биполярного

транзистора апробирована при сопоставлении данных расчета и эксперимента, полученных в схеме усилительного каскада [16].

Как основной результат диссертации на защиту выносятся созданная модель стационарного режима СВЧ генератора с внутренней обратной связью на биполярном транзисторе, работающем в недонапряженном режиме с отсечкой тока, предназначенная для решения задач схемотехнического проектирования этого устройства, и алгоритмы их решения.

С использованием модели обосновываются следующие положения, также вынесенные на защиту:

1 С увеличением частоты создаются более благоприятные условия для достижения отрицательной величины активной компоненты входной проводимости биполярного транзистора, необходимой для построения его на базе генератора с внутренней обратной связью.

2. Устойчивость стационарного режима генератора с внутренней обратной связью на биполярном транзисторе, работающем в недонапряженном режиме, также как и мягкое возбуждение такого генератора обеспечивается подбором параметров элементов входной цепи постоянного тока, при котором абсолютное значение активной компоненты входной проводимости транзистора уменьшается с увеличением амплитуды ВЧ напряжения на его эмиттерном переходе.

3. При схемотехническом проектировании генератора на биполярном транзисторе решение задач синтеза электродинамической системы и выбора электрического режима транзистора могут осуществляться независимо от решения задачи обеспечения устойчивости работы генератора.

Диссертационная работа выполнена в процессе обучения в аспирантуре СГТУ в течение 1995-97 гг. в рамках НИР 04В.02. «Исследование, разработка и вопросы эксплуатации источников энергии различного назначения» и 05.13.01. «Устройства генерирования, передачи и выпрямления СВЧ энергии». Кроме внутривузовских семинаров по этим НИР, результаты диссертации

докладывались на международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения» (Саратов 1996 г.) и третьей всероссийской научной конференции студентов и аспирантов. «Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления» (Таганрог 1996 г.). По теме диссертации 3 работы опубликованы и 3 работы депонированы в ВИНИТИ.

Заключение диссертации по теме «Радиотехнические системы специального назначения, включая технику СВЧ и технологию их производства», Фартушнов, Сергей Александрович

Основные результаты диссертационной работы заключаются в следующем:

1. Обосновано использование метода эквивалентных двухполюсников для построения модели генератора с внутренней обратной связью на биполярном транзисторе. В состав активного двухполюсника, кроме транзистора, предложено включить входной трансформатор связи и внешнюю нагрузку; пассивным двухполюсником тогда будет резонаторная система с входным трансформатором связи.

Для определения параметров активного двухполюсника эквивалентной схемы генератора выбрана модифицированная кусочно-линейная модель биполярного транзистора, описывающая его работу в недонапряженном режиме с отсечкой тока. Эта модель хорошо зарекомендовала себя при расчетах электрических характеристик усилителей мощности на транзисторе, включенном по схеме ОБ, обычно применяемых в устройствах СВЧ диапазона.

2. Приведено развитие модифицированной кусочно-линейной модели биполярного транзистора, обеспечивающее учет наличия резистора автосмещения в эмиттерной цепи постоянного тока и превышения напряжения источника смещения в этой цепи над напряжением отсечки. В результате реализована возможность использования этой модели анализа работы транзистора в режимах не только класса С, но и классов В и АВ, а также перехода его работы в линейный режим.

3. Выполнен анализ влияния параметров элементов эмиттерной цепи постоянного тока на электрические характеристики транзистора, результаты которого представляют практический интерес. В частности, показано, что подбором значений параметров элементов этой цепи можно достичь весьма слабого изменения входного импеданса транзистора в достаточно широком интервале значений входной мощности. Показано также, что наличие резистора автосмещения изменяет ход амплитудной характеристики транзистора при его работе в недонапряженном режиме: при больших величинах амплитуды ВЧ напряжения на эмиттерном переходе может иметь участок насыщения. Кроме того положительная величина активной компоненты входной проводимости транзистора увеличивается с увеличением этого напряжения. Такие зависимости обычно наблюдаются в режимах с открытым коллекторным переходом. Последние два результата анализа позволяют прогнозировать возможность создания генераторов на биполярном транзисторе, работающем в недонапряженном режиме.

4. Показано, что выбором значений параметров выходного .трансформатора связи и напряжения источников коллекторного питания и смещения в эмиттерной цепи можно получить отрицательную величину активной компоненты входной проводимости транзистора - необходимого условия для обеспечения работы генератора с внутренней обратной связью.

При этом реактивная проводимость нагрузки, пересчитанная через выходной трансформатор связи и коллекторный электрод, должна быть индуктивной. Более того, существует относительно узкий интервал значений этой реактивности, где создаются наиболее благоприятные условия для достижения отрицательной величины активной компоненты входной проводимости транзистора. Данный интервал существенно зависит от напряжения коллекторного питания и рабочей частоты.

5. Показано, что с увеличением частоты создаются более благоприятные условия для достижения отрицательной величины активной компоненты входной проводимости транзистора, поскольку внутренняя связь его выходной цепи в схеме ОБ с входной осуществляется через индуктивность базового электрода. Это позволило обосновать целесообразность создания генераторов с внутренней обратной связью на биполярном транзисторе именно для работы в СВЧ диапазоне. Создание подобных генераторов в низкочастотном диапазоне представляется вряд ли рациональным.

6. Из проведенного анализа зависимости активной компоненты входной проводимости транзистора от амплитуды ВЧ напряжения на эмиттерном переходе следует, что в отсутствии резистора автосмещения во входной цепи генератор с внутренней обратной связью характеризуется жестким возбуждением, а главное, при работе транзистора в недонапряженном режиме, в котором достигается уменьшенный уровень шумов, не выполняется условие устойчивости. Это обуславливает необходимость поиска схемотехнических решений, обеспечивающих устойчивость стационарного режима генератора с внутренней обратной связью на биполярном транзисторе, работающем в недонапряженном режиме.

7. Введение в эмиттерную цепь постоянного тока резистора автосмещения и подбором его сопротивления, а также напряжения источника смещения позволяет не только обеспечить мягкое возбуждение, но и устойчивость стационарного режима генератора, в котором транзистор работает в недонапряженном режиме. При этом показано, что подбором значений

• параметров элементов входной цепи можно добиться выполнения условия устойчивости в заранее заданной рабочей точке транзистора. Определены основные причины, ограничивающие максимальную величину сопротивления резистора автосмещения.

8. Обоснована возможность независимого решения задач получения заданных энергетических параметров генератора и достижения устойчивости его работы, т.е. независимого расчета параметров ВЧ цепей и цепей питания. Это существенно облегчает решение задач схемотехнического проектирования генератора. В частности, с целью определения направления при проектировании представляется целесообразным использовать результаты анализа зависимостей основных электрических параметров транзистора от амплитуды ВЧ напряжения на эмиттерном переходе в отсутствии резистора автосмещения во входной цепи.

9. Основным итогом выполненных исследований является создание модели СВЧ генератора с внутренней обратной связью на биполярном транзисторе, работающем в недонапряженном режиме. Модель предлагается использовать при схемотехническом проектировании таких генераторов, в том числе для решения задач синтеза и анализа электрических характеристик, а также оценки возможности применения в их составе выбранного типа транзистора.

10. С использованием созданной модели разработан алгоритм синтеза • СВЧ генератора с внутренней обратной связью, который включает четыре основные этапа:

- определение области значений эквивалентных параметров выходной цепи электродинамической системы генератора и параметров электрического режима работы выбранного типа транзистора, при которых величина активной компоненты его входной проводимости отрицательна;

- выбор из области значений этих параметров величин, при которых достигаются требуемые электрические характеристики генератора, с определением постоянного эмиттерного тока транзистора и его входного импеданса;

- определение значений параметров элементов входной цепи постоянного тока, обеспечивающих устойчивость стационарного режима генератора в выбранных условиях работы транзистора;

- определение топологии цепей генератора и выбор типа резонаторной системы.

11. Показана целесообразность решения перечисленных выше задач в диалоге с ЭВМ. Для реализации такого подхода при схемотехническом проектировании генератора создано программное обеспечение, в котором на базе объектно-ориентированного алгоритмического языка С++ используются высокопроизводительные алгоритмы оптимизации, а также графические возможности и стандартный интерфейс операционных систем Windows 95/NT. Применение созданных программ расчета позволяет достигнуть значительной .оперативности в принятии решений при проектировании СВЧ генераторов с внутренней обратной связью на биполярном транзисторе.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Фартушнов, Сергей Александрович, 1998 год

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ источников

1. Челноков O.JI. Транзисторные генераторы синусоидальных колебаний. - М.: Сов. радио 1975, 272 с.

2. Проектирование радиопередающих устройств СВЧ /Под ред. Уткина. Г.М. -М: Сов. Радио. 1979, 320 с.

3. Хотунцев Ю.Л. Тамарчук Д.Я. Синхронизированные генераторы и автодины на полупроводниковых приборах. -М.: Радио и связь. 1982.

4. Аблин А.Н. Могилевская Л.Я. Хотунцев Ю.Л. Транзисторные и варакторные устройства. - М: Радио и связь. 1995. 158 с.

5. Богачев В.М. Лысенко В.Г. Смольский С.М. Транзисторные генераторы и автодины. -M.: Изд. МЭИ 1993 г.

6. Евтянов С.И. Ламповые генераторы. - М: Связь. 1967.

7. Евтянов С.И. Переходные процессы в приемно-усилительных системах. - М: Связь 1978.

8. Гринберг Г.С., Леонов В.Т. Программа анализа стационарных режимов автогенератора СВЧ на биполярном транзисторе. // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. - 1991. Вып. 1 - с. 61-62.

9. Федотов В.Н. Хотунцев Ю.А. Модифицированная модель биполярного транзистора // Электронная техника. Сер. 2 Полупроводниковые приборы. -1984. Вып. 7-с. 14-21.

10. Балыко А.К. Юсупова Н.И. Математическое обеспечение для проектирования СВЧ транзисторных генераторов и усилителей мощности. Обзор по электронной технике. - М. : ЦНИИ. Электроника. 1994. 55 с.

11. Козлов Г.П., Балыко А.К., Долич В.М., Мениньков П.Ю., Юсупова Н.И. Математическая модель генератора на биполярном транзисторе // Электронная техника. Сер. 1. СВЧ техника. - 1992. Вып. 9-10 - с. 39 (деп. в ЦНИИ «Электроника». № Р-5486).

12. Калинин В.И. Герштейн Г.М. Введение в радиофизику. -М.: Гостехиздат. 1957. с

13. Березин В.М. Буряк B.C. Гутцайт Э.М. Марин В.П. Электронные приборы СВЧ.-М.: Высшая школа. 1985. с. 296.

14. Богачев В.М. Никифоров В. В. Транзисторные усилители мощности. -М.: Энергия 1978, 1978, с. 343.

15. Зырин С.С. Применение базовой модели биполярного транзистора для расчета СВЧ автогенераторов и усилителей. / Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ, 1989. Вып. 3 с. 33-37.

16. Фурсаев М.А. Расчет электрических характеристик СВЧ усилителя мощности на биполярном транзисторе.// Электронная техника. Сер. 1 СВЧ техника. - 1993. Вып. 5-6. С. 40-48.

17. Забродин Ю.С. Промышленная электроника. - М.: Высшая школа. 1982 с. 495.

18. Браун. Платинетрон (амплитрон и стабилотрон) .// Электронные СВЧ приборы со скрещенными полями. Пер. с анг. М.: Ил. Т. 2. с 155.

19. Бычков С. И. Бузенин Н. И. Сафаров П. Т. Стабилизация частоты генераторов СВЧ. - М.: Сов. радио 1962, с. 376

20. Цейтлин М. Б., Фурсаев М. А., Бецкий О. В. СВЧ усилители со скрещенными полями. - М.: Сов. радио 1987, с. 280

21. Полупроводниковые приборы СВЧ. Пер. с англ. / Под ред М. Хоуса, Д. Моргана. - М.: Мир 1979. - 444 с.

22. Хотунцев Ю.Л. Могилевская Л.Я., Леонов В.Г., Гринберг Г.С. Моделирование на ЭВМ усилителей мощности и автогенераторов на биполярных транзисторах с оптимальными энергетическими характеристиками. /- Радиотехника и электроника, 1992. Т.37. № 12, с. 229.

23. Фурсаев М.А., Фартушнов С.А.. Особенности электродинамической системы и вопросы устойчивости режима СВЧ транзисторного генератора. -«Электродинамические функциональные системы и элементы» Волноводные линии. Межвузовский научный сборник. Саратов 1996. с. 48-55.

24. Фурсаев М.А., Фартушнов С.А.. Определение значений эквивалентных параметров электродинамической системы СВЧ генераторов с внешней обратной связью на биполярном транзисторе. - Актуальные проблемы электронного приборостроения. Тезисы докладов международной научно -технической конференции. Саратов. 1996. ч. 2, с. 84-85.

25. Фартушнов С.А. Разработка математической модели СВЧ генератора с внешней обратной связью на биполярном транзисторе. - Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления. Тезисы докладов Третьей Всесоюзной научной конференции студентов и аспирантов. Таганрог. 1996. с. 185.

26. Лебедев И.В. Техника и приборы СВЧ. М.: Высшая школа. Т. 2, 1972. 616 с.

27. Бычков С. И. Вопросы теории и практического применения приборов магнетронного типа. - М.: Сов. Радио. 1963.

28. Лебедев И.В. Шитников A.C. Твердотельная СВЧ электроника. -М.: Московский, энергетический, институт 1988, 74 с.

29. Балыко А.К. Мартынов Я.Б. Тагер A.C. Проектирование автогенераторов на полевых транзисторах. Ч. I Модель автогенератора и методика его проектирования. Электронная техника Сер. 1 Электроника СВЧ 1988. Вып. 1. С. 29-33.

30. Аблин А.Н. Могилевская Л.Я. Хотунцев Ю.Л. Исследования на ЭВМ флуктуационных характеристик транзисторных усилителей мощности. / Изв. Вузов. Радиоэлектроника. - 1981. Т. 24. № 1 - с. 3-10.

31. Хотунцев Ю.Л. Могилевская Л.Я., Гринберг Г.С., Леонов В.Г. Анализ на ЭВМ флуктуационных характеристик усилителей мощности и автогенераторов на биполярных транзисторах /. Радиотехника и электроника, 1994. Т.38. № 2.

32. Болдырева Т.И. Объедков А.Ф. Туркин A.A. Схемотехническое проектирование транзисторных усилителей мощности на СМ ЭВМ. -М.: Московский, энергетический, институт 1986.

■33. Фурсаев М.А. Уравнения для расчета электрических характеристик СВЧ усилителя мощности на биполярном транзисторе. Деп. ВИНИТИ № 1267-В93. 1993. с. 19.

34. Фурсаев М.А. Определение электрических параметров трансформаторов связи транзисторных усилителей. // Электронная техника. Сер. 1 СВЧ техника. - 1994. Вып. 2. с. 22-26.

35. Евстратов Д. Е. Исследование фазовых характеристик СВЧ транзисторного усилителя мощности. Дипломная работа., СГТУ. 1997 г.

36. Фурсаев М.А., Витмаер Г. А. Расчет и проектирование СВЧ усилителя мощности на биполярном транзисторе. - Саратов. Изд. СГТУ. 1995. 78 с.

37. Каганов В. И. Транзисторные радиопередатчики. - М.: Энергия. 1976. 448 с.

38. Зевеке Г. В., Ионкин П. А., Нетушил А. В., Страхов С. В. Основы теории цепей. - М.: Энергоатомиздат. 1989. С 528.

39. Евстратов Д. Е., Фурсаев М.А. Матрица передачи биполярного транзистора в режиме с отсечкой тока. Деп. ВИНИТИ № 3196 - В 96. с. 9.

40. Петров Б.Е. Устойчивость стационарного режима высокочастотных усилителей мощности на биполярных транзисторах. /- Радиотехника и электроника, 1980. Т. 25. № 11, с. 2360-2370.

41. Аронов В. JI. Бреженев В. В. Расчет характеристик мощного СВЧ генератора с использованием параметров режима нелинейной базовой модели транзистора. // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. -1977. Вып. 7-с. 74-98.

42. Беляев И.В., Фартушнов С.А., Фурсаев М.А. Учет влияния параметров входной цепи транзистора на его работу в составе усилительного каскада.. Деп. ВИНИТИ № 2459 - В 97. 1997. с. 17.

43. Фельдштейн А. JL, Явич J1. Р. Синтез четырехполюсников и восьмиполюсников на СВЧ. -М.: Связь. 1965. 352 с.

44. Мазеева Е.М. Фурсаев М.А. Использование электрических характеристик СВЧ усилителя мощности на базе кусочно-квазилинейной модели биполярного транзистора. Деп. ВИНИТИ № 4-В94. 1994. С. 35.

45. Фартушнов С.А., Фурсаев М.А. Анализ условий обеспечения стационарного режима работы СВЧ генератора с внутренней обратной связью на биполярном транзисторе. Деп. ВИНИТИ № 1964 - В 95. 1995. с. 15.

. 46. Фартушнов С.А., Фурсаев М.А. Анализ зависимости параметров транзистора от условий его работы в составе генератора с внутренней обратной связью. Деп. ВИНИТИ № 102 - В 98. 1998. с. 18.

47. Справочник по расчету и конструированию СВЧ полупроводниковых устройств / С.И. Бахарев, В.И. Вольман, Ю.Н. Лаб. И др. /. - М.: Радио и связь. 1982. 328 с.

48. Чунта К., Чардж Р., Чадха Р. Машинное проектирование СВЧ устройств. - М: Радио и связь. 1987.

49. Акулич И.Л. Математическое программирование в примерах и задачах. - М.: Высшая школа. 1993. с.279.