Переходные процессы в транзисторных ключах и способы повышения их быстродействия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.12.04, кандидат технических наук Портных, Сергей Викторович

• Портных, Сергей Викторович
• кандидат технических наук
• 2012

Оглавление диссертации кандидат технических наук Портных, Сергей Викторович

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ СОКРАЩЕНИЙ.

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. КЛЮЧИ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ.

1.1. Принцип работы классического ключа на биполярном транзисторе.

1.2. Переходные процессы в ключе на биполярном транзисторе.

1.3. Оптимизация формы отпирающего тока биполярного транзистора и фиксация уровня коллекторного тока.

1.4. Электронные ключи на полевых транзисторах.

1.5. Переходные процессы в МДП-транзисторных ключах.

Выводы к главе 1.

ГЛАВА 2. АНАЛИТИЧЕСКОЕ ОПИСАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ

КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ.

2.1. Аналитическая модель ключа с диодом Шоттки и ключа с комбинированной связью.

2.2. Аналитическая модель ключа с биполярно-полевой структурой.

2.3. Аналитическая модель ключа на полевом транзисторе с активной обратной связью.

Выводы к главе 2.

ГЛАВА 3. КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ

ЭЛЕКТРОННЫХ КЛЮЧЕЙ.

3.1. Компьютерное моделирование ключа с диодом

Шоттки и ключа с комбинированной связью.

3.2. Компьютерное моделирование ключа с биполярно-полевой структурой и ключа с активной обратной связью.

3.3. Компьютерное моделирование ключа на комплементарных элементах.

Выводы к главе 3.

ГЛАВА 4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ

БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИХ КЛЮЧЕЙ.

4.1. Экспериментальное исследование ключа с комбинированной обратной связью.

4.2. Результаты экспериментальных исследований ключа с биполярно-полевой структурой и ключа с активной обратной связью.

Выводы к главе 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Переходные процессы в транзисторных ключах и способы повышения их быстродействия»

Диссертационная работа посвящена исследованию и развитию методов моделирования ключевых устройств, построенных на биполярных и полевых транзисторах, и применению данных методов для улучшения временных характеристик переходных процессов в электронных ключах, и увеличению их быстродействия, а также созданию новых схемотехнических решений повышения быстродействия.

Актуальность темы. В настоящее время электроника всё больше переходит на цифровые методы обработки сигналов, в связи, с чем наблюдается вполне закономерный интерес к разработке более быстродействующих АЦП и ЦАП. Электронные ключи являются их важнейшей составной частью, а также огромного количества радиоэлектронных устройств. В качестве конструктивных элементов ключевых схем применяются, прежде всего, полевые и биполярные транзисторы, а также обычные и высокочастотные диоды, стабилитроны и т. п.[3,10,32,68-73]. Но на ряду с этим, ни в отечественной, ни в зарубежной литературе не приводится более или менее систематизированного анализа переходных процессов в быстродействующих электронных ключах, включающего в себя расчет временных параметров процессов включения и выключения (кроме простейших схем, основанных на одном нелинейном элементе), а также не приводится методика математических расчетов параметров элементов входящих в состав схем электронных ключей [2-7,15,19,35-41].

Электронные быстродействующие ключи являются основой всей цифровой и импульсной техники, в том числе и силовых импульсных устройств. В связи с этим можно выделить основные параметры, требующие улучшения: для цифровых устройств это повышение частоты переключения и улучшение качества выходного сигнала, для силовой электроники это оптимизация переходных процессов, снижение коммутационных потерь и уменьшение электромагнитных помех. Таким образом, анализ переходных процессов и математическое описание уже имеющихся схем ключей, а также разработка и описание, новых быстродействующих схем ключей, на современной элементной базе, требуют должного внимания и детальной проработки.

Всё выше изложенное подтверждает актуальность темы настоящей диссертации.

Целью диссертационной работы является; исследование переходных процессов в быстродействующих транзисторных ключах, создание новых схем электронных ключей и их математических моделей, экспериментальная проверка адекватности полученных математических моделей.

Исследования в рамках диссертационной работы предусматривает решение следующих задач:

1. Выявить влияние параметров элементов схемы ключа на его быстродействие, и на основе полученных данных предложить новые схемотехнические способы повышения быстродействия транзисторных ключей.

2. С применением метода эквивалентных схем получить математические модели предложенных быстродействующих транзисторных ключей.

3. Провести исследование характеристик переходных процессов в ключе с комбинированной связью, с биполярно-полевой структурой, с активной обратной связью с использованием полученных математических моделей.

4. Экспериментальным путём подтвердить увеличение быстродействия предложенных схем транзисторных ключей и адекватность построенных математических моделей.

Объектом исследования являются быстродействующие электронные ключевые устройства.

Предметом исследования являются переходные процессы в быстродействующих электронных ключевых устройствах.

Методы исследования. В работе использованы методы электрических цепей и сигналов, методы математического анализа, методы численного моделирования. Кроме того при выполнении работы использованы методы компьютерного моделирования и компьютерных расчетов, также проведены экспериментальные исследования.

Научная новизна и практическая ценность работы заключается в том что:

1. Разработаны новые схемы быстродействующих электронных ключей:

- ключа с комбинированной связью, сочетающего в себе преимущества введения форсирующего конденсатора и отрицательной обратной связи в виде диода Шоттки, что позволяет значительно уменьшить время формирования переднего фронта и сократить время рассасывания неосновных носителей в базе; ключа с биполярно-полевой структурой, сочетающей положительные свойства работы в ключевом режиме полевого и биполярного транзисторов, что позволяет увеличить быстродействие;

- ключа с активной обратной связью на основе классического ключа на полевом транзисторе, в который добавлена активная обратная связь, реализованная на биполярном транзисторе, что позволяет подать часть выходного сигнала в управляющую цепь и значительно сократить время формирования фронта и среза.

2. Для исследования переходных процессов в электронных ключах выбран метод эквивалентных схем, который позволяет транзисторный ключ представить эквивалентной схемой, способной отражать физику процессов в транзисторном ключе в динамическом режиме. Такое представление имеет ряд преимуществ:

- введение в электронный ключ отрицательной обратной связи по току, например, диода Шоттки, будет формально соответствовать добавлению в эквивалентную схему дополнительного нелинейного элемента;

- после составления эквивалентной схемы транзисторный ключ рассматривается абстрагировано от физических процессов в элементах, как нелинейная электрическая цепь и можно проводить анализ этой цепи любым существующим методом, это преимущество особенно заметно при рассмотрении схем, содержащих несколько нелинейных элементов.

3. Предложены новые физически обоснованные эквивалентные схемы представленных транзисторных ключей, на основе которых разработаны математические модели быстродействующих электронных ключей. Достоинством описанных моделей транзисторных ключей является возможность описания схемотехнических изменений в ключе на языке эквивалентных схем, а также быстрого и наглядного варьирования параметрами модели при численном моделировании.

4. Экспериментально подтверждено значительное повышение быстродействия предложенных схем, а также проверена адекватность полученных математических моделей путём сопоставления экспериментальных данных и теоретических расчетов.

Результаты и научные положения, выносимые на защиту;

1. Новые схемотехнические способы повышения быстродействия электронных ключей: ключ с комбинированной связью, ключ с биполярно-полевой структурой, ключ с активной обратной связью.

2. Обоснование применения метода эквивалентных схем для исследования переходных процессов в быстродействующих транзисторных ключах.

3. Новые эквивалентные схемы и соответствующие математические модели для ключей с комбинированной связью, с биполярно-полевой структурой, с активной обратной связью.

4. Экспериментальные данные, подтверждающие повышение быстродействия предложенных транзисторных ключей.

Достоверность. Достоверность результатов полученных в диссертации определяется корректным применением математических методов, соответствием выводов известным фундаментальным теоретическим представлениям, соответствием результатов моделирования, полученным экспериментальным данным.

Личный вклад. Личный вклад определяется проведением теоретических и экспериментальных исследований, а так же анализом полученных результатов.

Реализация результатов. Полученные теоретические и экспериментальные результаты использованы в ОАО «Концерн «Созвездие» при выполнении плановых НИР и ОКР, а также ряда важнейших работ, заданных Решениями Президента и Правительства РФ, в частности, работ по темам «Кассиопея», «Унификация», «Москва», «Созвездие-М», «Созвездие-М2», в ОАО Воронежский НИИ «Вега» при выполнении ОКР «Интеграция», «Пихта». Кроме того результаты работы внедрены в учебный процесс в Воронежском государственном университете и в Воронежском институте ФСИН России, что подтверждено актами внедрения.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях: международной научно-технической конференции «Радиолокация, навигация, связь» 2007, 2009, 2010, 2011 годах (г. Воронеж, ОАО «Концерн «Созвездие»); международной научно-технической конференции «Информатика: проблемы, методология, технологии», 2011 год (г. Воронеж, Воронежский государственный университет); всероссийской научно-практической конференции «Общественная безопасность, законность и правопорядок в III тысячелетии», 2009 год (г. Воронеж, Воронежский институт МВД России); международной научно-технической конференции «Физика и технические приложения волновых процессов», 2010 год (г. Челябинск, Челябинский государственный университет); всероссийской научно-практической конференции «Неравновесные процессы в природе», 2009 год (г. Елец, Елецкий государственный университет имени И. А. Бунина).

Публикации. Все основные результаты диссертационной работы опубликованы в 14 печатных работах, из них 5 в ведущих изданиях, входящих в перечень рекомендованных Высшей аттестационной комиссией, 9 докладов на международных научно-технических конференциях.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырёх глав, заключения, списка литературы, содержащего 162 наименования и 2-х приложений. Работа изложена на 169 страницах машинного текста, содержит 87 иллюстраций и 16 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Радиотехника, в том числе системы и устройства телевидения», Портных, Сергей Викторович

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 4

1. Изготовлены и исследованы макеты предложенных схем быстродействующих транзисторных ключей. Получены осциллограммы выходных сигналов ключей, подтверждающие увеличение быстродействия новых схем. Для исключения возможности получения ошибочных данных исследования проводились на партиях транзисторов по 50 штук, таблицы с результатами представлены в приложении. Также проведен сравнительный анализ теоретических расчетов, компьютерного моделирования и экспериментальных данных, подтверждающий адекватность построенных математических моделей и правильность компьютерного моделирования.

2. Проведены экспериментальные исследования ключа с комбинированной связью, ключа с биполярно-полевой структурой и ключа с активной обратной связью. Получены временные характеристики переходных процессов для каждой схемы, подтверждающие повышение быстродействия относительно классической схемы, они составляют:

- для ключа с комбинированной связью время формирования фронта 2-3 не, время формирования среза 26-30 не.

- для ключа с биполярно-полевой структурой время формирования фронта 29-31 не, время формирования среза 48-52 не.

- для ключа с активной обратной связью время формирования фронта 77-85 не, время формирования среза 99-109 не.

3. Проведено сопоставление результатов теоретических и экспериментальных и получено их соответствие, что говорит о правильности и физичности построенных математических моделей. Таким образом, подводится логическая черта диссертационного исследования, итогом которого является вполне обоснованный вывод о том, что приведенное аналитическое описание, численное и компьютерное моделирование могут быть использованы для расчета электронных ключей на биполярных и полевых транзисторах.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Для построения электронных ключей используются биполярные и полевые транзисторы на гомо- и гетеропереходах, каждый из них обладает своими преимуществами и недостатками, и выбор конкретного транзистора и схемы ключа зависит от назначения применяемого устройства, в котором используется ключ. Электронные быстродействующие ключи имеют большое значение для импульсной и цифровой техники.

2. Эффективность работы электронного ключа и его различных модификаций в основном складывается из таких характеристик как быстродействие, коэффициент усиления, КПД и др. Основным параметром практически для всех электронных ключевых устройств является быстродействие, связанное с длительностями включения и выключения.

3. Анализ современного состояния проблемы показал, что в основном в цифровых и импульсных устройствах используются классические схемы ключей, быстродействие которых определяется только лишь самим транзистором и составляет десятки микросекунд. Применение же новых быстродействующих схем позволяет повысить быстродействие на порядок, а в некоторых случаях и больше. Рассмотрены принципы работы схем ключей на биполярных и полевых транзисторах и переходные процессы в них, а также основные режимы работы транзисторов в ключевом режиме, и выявлены причины их инерционности. Основной причиной инерционности транзисторных ключей является суммарная ёмкость ключа, которая складывается из емкости переходов транзистора всех проводников и всех элементов входящих в состав ключа, а инерционность это как раз время перезаряда этой ёмкости, чем она ниже, тем выше быстродействие, чем быстрей мы сможем её перезарядить, тем выше быстродействие. Отсюда следуют два пути повышения быстродействия: первый технологический - бороться с паразитными мкостями, снижать ёмкость р-п-перехода, второй схемотехнический -использовать различного рода обратные связи и дополнительные элементы, позволяющие повысить быстродействие.

4. Разработана схема быстродействующего электронного ключа на биполярном транзисторе при одновременном формировании на входе специальной формы сигнала (квазидифференцированного) на базе форсирующей емкости и отрицательной нелинейной обратной связи в цепи коллектор-база на основе диода Шоттки. Этому ключу дано название -быстродействующий ключ на биполярном транзисторе с комбинированной связью.

5. Создана новая эквивалентная схема быстродействующего электронного ключа с комбинированной связью, составлены системы дифференциальных уравнений и решены численными методами в пакете МаШСАБ 11. Анализ временных характеристик переходных процессов ключа с комбинированной связью в сравнении с классическим ключом и ключом с отрицательной обратной связью на диоде Шоттки показал, что быстродействие по времени формирования переднего фронта составило выигрыш от 7,5 раз до 25 раз; по времени спада заднего фронта от 2,5 раз до 8 раз.

6. Впервые представлена схема быстродействующего ключа на основе биполярно-полевой структуры. Построена его эквивалентная схема и создана математическая модель. Результаты численного решения дифференциальных уравнений показали преимущество по временным параметрам переходных процессов в сравнении с классическим ключом: по времени формирования фронта в 5 раз, по времени спада в 8,5 раз.

7. Предложена новая схема быстродействующего ключа на полевом транзисторе с активной обратной связью на базе биполярного транзистора, построена его эквивалентная схема, составлены и решены системы дифференциальных уравнений численным методом в пакете МаШСАБ 11.

Получено увеличение быстродействия по сравнению со схемой классического ключа на полевом транзисторе в 10 раз.

8. Рассмотрена возможность компьютерного моделирования переходных процессов в предложенных новых транзисторных ключах с помощью программного пакета схемотехнического моделирования Micro-Cap 9. Подтверждена работоспособность предложенных новых схем быстродействующих транзисторных ключей, исследовано влияние ряда параметров и номиналов элементов схем на длительности переходных процессов. Опытным путем выбраны значения элементов схем ключей, при которых достигается наибольшее быстродействие.

9. Проведено компьютерное моделирование классического ключа на биполярном транзисторе с диодом Шоттки в цепи обратной связи, с форсирующим конденсатором и в ключе с комбинированной связью. Используя стандартный пакет проектирования и анализа электронных схем Micro-Cap 9, представлена физика работы новой быстродействующей схемы - комбинированная связь, основанная на сочетании отрицательной обратной связи в цепи коллектор-база на диоде Шоттки и форсирующего конденсатора в цепи базы. Данные временных характеристик переходных процессов по этим четырем схемам показывают, что наибольшим быстродействием обладает ключ с комбинированной связью. Полученные параметры быстродействия ключа с комбинированной связью по сравнению с классическим ключом возрастает по переднему фронту в 23 раза, по времени спада 8 раз.

10. Результаты моделирование быстродействующего ключа с биполярно-полевой структурой, классического ключа на биполярном транзисторе и ключа с резистивной нагрузкой на полевом транзисторе при воздействии на входе ключа прямоугольного импульса показали высокое быстродействие ключа с биполярно-полевой структурой, так время формирования переднего фронта уменьшилось в 5 раз, время спада в 9 раз.

11. Промоделирована схема ключа с активной обратной связью и схема классического ключа, подобрано сочетание параметров элементов схемы обеспечивающее максимальное быстродействие данного ключа. Выявлены влияния конкретных элементов схемы на длительности и крутизну фронтов. Получены временные характеристики переходных процессов в ключе с активной обратной связью и в классическом ключе. Показано, что ключ с активной обратной связью превосходит классический ключ в 4 раза по переднему фронту и в 6.5 раз по заднему фронту.

12. Проведено компьютерное моделирование ключа на комплементарных элементах. Получены различные зависимости переходных процессов от величины значений элементов входящих в состав схемы. Также получены временные характеристики переходных процессов для ключа на комплементарных элементах, так время формирования фронта составило 1ф=10 не, а время формирования среза составило 1;с=31нс, когда у классического ключа эти времена составляют Ц=32 не и 1с=244 не.

13. Изготовлены и исследованы макеты предложенных схем быстродействующих транзисторных ключей. Получены осциллограммы выходных сигналов ключей, подтверждающие увеличение быстродействия новых схем. Для исключения возможности получения ошибочных данных исследования проводились на партиях транзисторов по 50 штук, таблицы с результатами представлены в приложении. Также проведен сравнительный анализ теоретических расчетов, компьютерного моделирования и экспериментальных данных, подтверждающий адекватность построенных математических моделей и правильность компьютерного моделирования.

14. Проведены экспериментальные исследования ключа с комбинированной связью, ключа с биполярно-полевой структурой и ключа с активной обратной связью. Получены временные характеристики переходных процессов для каждой схемы, подтверждающие повышение быстродействия относительно классической схемы, они составляют:

- для ключа с комбинированной связью время формирования фронта 2-3 не, время формирования среза 26-30 не.

- для ключа с биполярно-полевой структурой время формирования фронта 29-31 не, время формирования среза 48-52 не.

- для ключа с активной обратной связью время формирования фронта 77-85 не, время формирования среза 99-109 не.

15. Проведено сопоставление результатов теоретических и экспериментальных и получено их соответствие, что говорит о правильности и физичности построенных математических моделей. Таким образом, подводится логическая черта диссертационного исследования, итогом которого является вполне обоснованный вывод о том, что приведенное аналитическое описание, численное и компьютерное моделирование могут быть использованы для расчета электронных ключей на биполярных и полевых транзисторах.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Портных, Сергей Викторович, 2012 год

1. Антипин В.В. Влияние мощных импульсных микроволновых помех на полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы / В. В. Антипин и др. Зарубежная радиоэлектроника, - №1, 1995. - С. 3753.

2. Архангельский А .Я. PSpice и Design Center 4.1. Схемотехническое моделирование / А.Я. Архангельский М.: МИФИ, 1996. - 230 с.

3. Архангельский А.Я. PSpice и Design Center. 4.2. Модели цифровых и аналого-цифровых устройств. Идентификация параметров моделей. Графические редакторы / А.Я. Архангельский М.: МИФИ, 1996. -260 с.

4. Бакалов В.П. Основы теории электрических цепей и электроники: учебник для вузов / В.П. Бакалов, А.Н. Игнатов, Б.И. Крук М.: Радио и связь, 1989. - 328 с.

5. Бахвалов Н.С. Численные методы: Учеб. пособие для студ. физ.-мат. спец. вузов / Н. С. Бахвалов, Н. П. Жидков, Г. М. Кобельков М.: Лаборатория базовых знаний, 2000. - 622 с.

6. Богданович Б.М. Нелинейные искажения в приемно-усилительных устройствах / Б.М. Богданович. М.: Связь, 1980. - 280 с.

7. Боглаев Ю.П. Вычислительная математика и программирование: Учебное пособие для студентов вузов / Ю.П. Боглаев М.: Высш.шк. 1990.-544с.

8. Бонч-Бруевич В.Л. Физика полупроводников / В.Л. Бонч- Бруевич, С.Г. Калашников М.: «Наука»; Глав. ред. физ.-мат. лит-ры, 1990. -685 с.

9. Быстров Ю.А. Электронные цепи и микросхемотехника / Ю.А. Быстрое И.Г.Мироненко М.: Высшая школа, 2002. - 384 с.

10. Валиев К.А. Цифровые интегральные схемы на МДП -транзисторах / К.А. Валиев, А.Н. Кармазинский, М.А. Королев М.: Советское радио, 1971. - 384 с.

11. Викулин И.М. Физика полупроводниковых приборов / И.М. Викулин, В.И. Стафеев М.: Радио и связь, 1990. - 264 с.

12. Владимиров В.И. Электромагнитная совместимость радиоэлектронных средств и систем / В. И. Владимиров и др.; под ред. H. М. Царькова М.: Радио и связь, 1985. - 272 с.

13. Воробьева C.B. Исследование нелинейных искажений электронных регуляторов / C.B. Воробьева, А.Н. Игнатов Информатика и проблемы телекоммуникаций: тез. докл. Российской науч.-техн. конф. - Новосибирск, 2006. - С. 111-113.

14. Гаман В.И. Физика полупроводниковых приборов: Учебное пособие / В.И. Гаман Томск: Издательство Том. Ун-та, 1989. - 366 с.

15. Гершанов В.Ю. Методы и алгоритмы структурно-физического моделирования элементов интегральных схем в диффузионно-дрейфовом приближении / В.Ю. Гершанов, С.И. Гармашов Ростов-на-Дону: изд. РГУ, 2000. - 18 с.

16. Глазенко Т.А. К расчету потерь мощности в транзисторных ключах полупроводниковых преобразователей / Т.А. Глазенко, Г.С. Эздрин -М.: Электропривод и автоматизация в машиностроении, 1977. С. 71-78.

17. Данилов JI.B. Электрические цепи с нелинейными элементами / Л.В. Данилов М.: Связь, 1974. - 136 с.

18. Денисенко В.В. Проблемы схемотехнического моделирования КМОП СБИС /В.В. Денисенко М.: Компоненты и технологии, - № 3.2002.-С. 74-78.

19. Денисенко B.B. Моделирование МОП транзисторов. Методологический аспект / В.В. Денисенко -М.: Компоненты и технологии, 2004. №8. - С. 110-117.

20. Ди Лоренцо Д. В. Полевые транзисторы на арсениде галлия / Д. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Канделуола М.: Радио и связь, 1988. - 496 с.

21. Дудкин В.П. Переходные процессы в быстродействующих ключах на биполярном транзисторе / В.П. Дудкин, A.A. Лавлинский, С.А. Охремчик Радиолокация, навигация, связь: сб. научн. тр. XII Междунар. Научн.-техн.конф., Воронеж, Т.2, 2006. - С. 1314-1323.

22. Дьяконов В. П. Энциклопедия устройств на полевых транзисторах / В.П. Дьяконов, A.A. Максимчук, A.M. Ремнев, В.Ю. Смердов М.: Солон-Р, 2002. - 420 с.

23. Дэнкис Дж. Численные методы безусловной оптимизации и решения нелинейных уравнений: пер. с англ. / Дж. Дэнкис, Р. Шнабель М.: Мир, 1988. - 440 с.

24. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах / С. Зи; пер. с англ. В.А. Гергеля, В.В. Ракитина; под ред. P.A. Суриса М.: Мир, 1984.-456 с.

25. Ибрагим К.Ф. Основы электронной техники: элементы, схемы, системы / К.Ф. Ибрагим пер.с англ.- 2-е изд. М.: Мир, 2001.

26. Игнатов А.Н. Полевые транзисторы и их применение / А.Н. Игнатов М.: Радио и связь, 1984. - 384 с.

27. Игумнов Д.В. Эксплуатационные параметры и особенности применения полевых транзисторов / Д.В. Игумнов, И.С. Громов -М.: Радио и связь, 1981. 520 с.

28. Князев А.Д. Элементы теории и практики обеспечения электромагнитной совместимости радиоэлектронных средств / А.Д. Князев М.: Радио и связь, 1984. - 336 с.

29. Кобболд Р. Теория и применение полевых транзисторов / Р. Кобболд пер.с англ. В.В. Макарова Л.:Энергия, 1975. - 362 с.

30. Кофанов Ю.Н. Теоретические основы конструирования технологии и надежности РЭС / Ю.Н. Кофанов М.: Радио и связь, 2001. - 250 с.

31. Кравченко В.Ф. Цифровая обработка и спектральное оценивание сверхширокополосных сигналов атомарными функциями и вейвлетами / В.Ф. Кравченко, Д.В. Чуриков Успехи современной радиоэлектроники, №8, 2008.

32. Кроу форд Р. Схемные применения МДП-транзисторов / Р. Кроуфорд М.: Мир, 1970. - 385 с.

33. Кудрявцев И.А. Электронные ключи / И.А. Кудрявцев, В.Д. Фалкин учебное пособие Самарский гос. Аэроксмич. Ун-т., 2002. - 340с.

34. Лазоренко О.В. Сверхширокополосные сигналы и физические процессы. 1. Основные понятия, модели и методы описания / О.В. Лазоренко, Л.Ф. Черногор Радиофизика и радиоастрономия, т. 13. №2. 2008.-С. 166-194.

35. Лачин В.И. Электроника / В.И. Лачин, Н.С Савелов: учеб. пособие-4-е изд. Ростов на Дону: Феникс, 2004. - 576 с.

36. Лачин В.И. Электроника / В.И. Лачин, Н.С. Савелов Ростов на Дону: Феникс, 2007. - 703с.

37. Лебедев В.И. Особенности транзисторных схем в микрорежиме. / В.И. Лебедев Радиотехника и электроника, № 5, 1965. - 903 с.

38. Мелешин В.И. О проектировании ключевых вторичных источников питания / В.И. Мелешин М.: Советское радио, ЭТвА., Вып.9, 1977. -С. 101-107.

39. Мелешин В.И. Энергетические соотношения в ключевых преобразователях постоянного напряжения / В.И. Мелешин М.: Советское радио, ЭТвА., Вып.9,1977. - С. 83-98.

40. Митчелл Э. Метод конечных элементов для уравнений с частными производными / Э. Митчелл, Р. Уэйт; пер. с англ. В.Е. Кондрашова и В.Ф. Курякина; под ред. Яненко М.: Мир, 1981. - 216 с.

41. Моин B.C. Стабилизированные транзисторные преобразователи / B.C. Моин, H.H. Лаптев- М.: Энергия, 1972. 512 с.

42. Москалев A.B. Моделирование ключа на биполярном транзисторе с отрицательной обратной связью / A.B. Москалев; Под ред. A.M. Воробьева Воронеж, Сборник статей магистрантов физического факультета, ВГУ, 1998. - 133 с.

43. Мщдлбрук Р.Д. Малосигнальное моделирование ключевых преобразователей мощности с широтно-импульсным регулированием / Р.Д. Мщдлбрук ТИИЭР: Пер. с англ., Т.76, Вып.4, 1988.-С. 46-59.

44. Нечаев Ю.Б. Быстродействующий электронный ключ с активной обратной связью /, В.П. Дудкин, Д.В. Портных, C.B. Портных -Самара: Физика волновых процессов и радиотехнические системы, Т. 12, №2, 2009.-С. 55-61.

45. Нечаев Ю.Б. Исследование быстродействующих электронных ключей на МДП транзисторах. Международная научно-техническая конференция «Радиолокация, навигация, связь»: Сборник материалов /, C.B. Портных В.П. Дудкин, Воронеж: ВГУ, Т.2, 2009. - С. 984-992.

46. Нечаев Ю.Б. Исследование переходных процессов в быстродействующих ключах с отрицательными обратными связями / Ю.Б. Нечаев, C.B. Портных Самара: Физика волновых процессов и радиотехнические системы, Т. 14, №1, 2011. - С. 38-44.

47. Ю.Б. Нечаев Ю.Б. Мощные электронные ключи с активной обратной связью /Ю.Б. Нечаев, C.B. Портных Воронеж: Вестник Воронежского государственного технического университета, Т.7, №1,2011.-С. 4-6.

48. Нечаев Ю.Б. Численное моделирование быстродействующих электронных ключей с диодом Шоттки и комбинированной обратной связью / Ю.Б. Нечаев, C.B. Портных Вестник Воронежского института МВД России,-№1, 2011-С. 156-166.

49. Опадчий Ю.Ф. Аналоговая и цифровая электроника (полный курс) / Ю.Ф. Опадчий, О.П. Глудкин, А.И. Гуров; Учебник для вузов. Под ред. О.П. Глудкина М.: Горячая линия Телеком, 2007. - 768с.

50. Ортега Д. Итерационные методы решения нелинейных систем уравнений со многими неизвестными / Д. Ортега, В. Рейнболдт М.: Мир, 1975.-560 с.

51. Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы / В.В.Пасынков, JT.K. Чиркин СПб.: Лань, 2002. - 480с.

52. Петровский В. И. ЭМС радиоэлектронных средств / В. И. Петровский, Ю. Е. Седельников М.: Радио и связь, 1986. - 216 с.

53. Петухов В.М. Полевые и высокочастотные биполярные транзисторы средней и большой мощности и их зарубежные аналоги: справочник / В.М. Петухов М.: Кубка, 1997. - 672 с.

54. Пожела Ю.К. Физика быстродействующих транзисторов: Монография. / Ю.К. Пожела Вильнюс: Мокслас, 1989. - 264 с.

55. Пожела Ю.К. Физика сверхбыстродействующих транзисторов / Ю.К. Пожела, В.Ю. Юцене Вильнюс: Мокслас, 1985. - 112 с.

56. Портных C.B. Компьютерное моделирование электронного ключа с активной обратной связью. Международная научно-техническая конференция «Радиолокация, навигация, связь»: Сборник материалов / C.B. Портных Воронеж: ВГУ, Т.1, 2011. - С. 605- 611.

57. Портных C.B. Моделирование ключа с биполярно-полевой структурой. Международная научно-техническая конференция «Информатика: проблемы, методология, технологии»: Сборник материалов / C.B. Портных Воронеж: ВГУ, 2011. - С. 204-208.

58. Портных C.B. Проблемы ЭМС и пути их решения для мощных ключей. Международная научно-техническая конференция «Физика и технические приложения волновых процессов»: Сборник материалов / C.B. Портных Челябинск: ЧЛГУ, 2010. - С. 153.

59. Разевиг В.Д. Система сквозного проектирования электронных устройств Design Lab 8.0 / В.Д. Разевиг М.: Солон, 1999. - 698с.

60. Разевиг В.Д. Система схемотехнического моделирования и проектирования печатных плат Design Center (PSpice) / В.Д. Разевиг -M.: CK Пресс, 1996. 640 с.

61. Ричман П. Физические основы полевых транзисторов с изолированным затвором / П. Ричман пер. с англ. под ред. Г.Г. Смолко М. : Сов. Радио, 1971. - 540 с.

62. Ромаш Э.М. Высокочастотные транзисторные преобразователи / Э.М. Ромаш, Ю.И. Драбович, H.H. Юрченко и др. М.: Радио и связь, 1988.-288 с.

63. Ромаш Э.М. Транзисторные преобразователи в устройствах питания Э.М. Ромаш М.: Энергия, 1975.- 176 с.

64. Севин Л.Д. Полевые транзисторы / Л.Д. Севин пер. с англ. под ред. Е.З. Мазеля М.: Сов. Радио, 1967. - 240 с.

65. Селезнев Б. И. Физика и технология СВЧ микроэлектронных приборов: Формирование ионно-легированных структур для СВЧ полевых транзисторов на арсениде галлия: Учебн. пособие. / Б.И. Селезнев Новгород: НовГУ, 1996. - 161 с.

66. Сергеев B.C. Схемотехника функциональных узлов / B.C. Сергеев Справочник М.: Радио и связь, 1992. - 224 с.

67. Сиберт У.М. Цепи, сигналы, системы / У.М. Сиберт, В 2-х ч. 4.1: Пер. с англ. -М.: Мир, 1988. -366 с.

68. Синицкий Jl.А. Элементы качественной теории нелинейных электрических цепей / Л.А. Синицкий Львов: Высшая школа, 1975.- 152 с.

69. Смит P.A. Полупроводники / P.A. Смит; пер. с англ. под ред. H.A. Ленина. М.: Мир, 1982. - 558 с.

70. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники / И.П. Степаненко -М.: Лаборатория базовых знаний, 2004. 488с.

71. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем/ И.П. Степаненко М.: Энергия, 1977. - 672.

72. Фадеева Н.Е. Уточненные модели полевых транзисторов и определение их параметров / Н.Е. Фадеева Новосибирск: труды 5 междунар. конф. «Актуальные проблемы электронного приборостроения», Т.2, 2000.

73. Фишер В. Эквивалентная схема и коэффициент усиления полевых МОП транзисторов / В. Фишер - Зарубежная электроника, № 4, 1967 —С. 12-15.

74. Фролов A.B. Обобщённая модель СВЧ-транзистора с барьером Шотки / A.B. Фролов; Нелинейные проблемы полупроводниковой электроники СВЧ: Межвуз. сб. научных трудов М.: МГПИ, 1986. -С. 55- 73.

75. Хабузов В.А. Моделирование переходных процессов в транзисторных стабилизаторах напряжения с ШШД / В.А. Хабузов, В.Ф. Худяков, В.Л. Широков Техническая электродинамика, № 5, 1986.-С. 123-186.

76. Шварц Н.З. Линейные транзисторные усилители СВЧ / Н.З. Шварц- М.: Сов. радио, 1980. 368 с.

77. Шварц Н.З. Усилители СВЧ на полевых транзисторах / Н.З. Шварц- М.: Радио и связь, 1987. 200 с.

78. Шевцов Г.С. Численные методы линейной алгебры: учеб. пособие / Г.С. Шевцов, О.Г. Крюкова, Б.И. Мызникова М.: Финансы и статистика; Инфра-М, 2008. - 480 с.

79. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия / М. Щур; пер. с англ. Д. Барановского и др.; под ред. М.Е. Левинштейна, В.Е. Челнокова. М.: Мир, 1991. - 632 с.

80. A. Gopinath and J. В. Rankin, "GaAs FET RF switches," IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-32, pp. 1272-1278, July 1989.

81. A. Nagayam, M. Nishibe, T. Inaoka, and N. Mineshima, "Low-Iinser-tion-loss DP3T MMIC switch for dual-band cellular phones," IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 34, pp. 1051-1054, Aug. 1999.

82. APSYS User's Manual Version 2005.11 1st Edition / Crosslight Software Inc, 2005. 494 p.

83. Azoff E.M. Close-form method for solving the steady-state generalized energy-momentum conservation equations / E.M. Azoff et al. // COMPEL. -1987. v. 6. - P. 25-30.

84. Azoff E.M. Energy transport numerical simulation of graded AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors / E.M. Azoff et al. // IEEE Trans. ED. -v. 36.-P. 609-616.

85. Barrett T. W. History of Ultra WideBand (UWB) Radar & Communications: Pioneers and Innovators. / T. W. Barrett // Progress In Electromagnetics Research Symposium 2000 (PIERS 2000). -Cambridge, 2000.

86. Bobreshov A. M. Substrate batch effect in GaAs MESFET under ultrashort pulses / A. M. Bobreshov, I. S. Korovchenko et al. // Electromagnetic Compatibility, 2009 20th International Zurich Symposium on. P. 389-392.

87. Chen Jun-Rong Effects of Built-in Polarization and Carrier Overflow on InGaN Quantum-Well Lasers With Electronic Blocking Layers / Jun-Rong Chen et al. // Journal of Lightwave Technology. 2008. - v. 26. -№3. - P. 329- 337.

88. Crosslight Device Simulation Software A General Description: Updated: 2005.3 / Crosslight Software Inc, 2005. - 420 p.

89. Curtice W. R. A Nonlinear GaAs FET Model for Use in the Design of Output Circuits for Power Amplifiers / W. R. Curtice // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1985. - vol. MTT. - 33. - 1985. - p. 1383.

90. D. Martin and N. C. Rumin, 'Delay prediction from resistance-capacitance model in general MOS circuits', IEEE Trans. CAD of Integrated Circuits and Systems, vol. 12(7), pp. 997-1003, July, 1993.

91. Divekar D. Comments on 'GaAs FET Device and Circuit Simulation in SPICE' / D. Divekar // IEEE Trans. Electron Devices. 1987. - vol. ED-34, -p. 2564.

92. Dyomin A. A. Temperature behavior of top mirror reflection spectrum in intra-cavity-contacted oxide-confined vertical-cavity surface-emitting lasers / A. A. Dyomin, V.V. et al. // Optics and Lasers. 2008. - v. 46. -P. 211-216.

93. E. Allam and T. Manku, 'An Improved Transmission-Line Model for MOS Transistors', IEEE Trans. Circuits Systems II Analog and Digital Signal Processing, vol. 46(11), pp. 1380-1387,Nov. 1999.

94. Fujii K. A Nonlinear GaAs FET Model Suitable for Active and Passive MM-Wave Applications / K. Fujii et al. // IEICE Trans. 2000. - vol. E83-A. - №2. - p. 228.

95. Fujii K. The Consideration of Voltage-Controlled Charge Sources Controlled by Two Voltage Sources for a GaAs MESFET Large—Signal

96. Model / K. Fujii, K. Ogawa, Y. Takano // IEIEC Trans. 1997. - vol. J80-C-I. - №9. - p. 414.

97. Fujii K. Accurate Modeling for Drain Breakdown Current of GaAs MESFETs / K. Fujii et al. // IEEE Trans. Microwave Theory Tech.1999.

98. Geophysical survey system employing electromagnetic impulses : US Patent 3806795 / Morey R. N.: April, 1974.

99. H. C. Lin, Y. F. Arzoumanian, J.L. Halsor, M. N. Benz, 'Effect of silicon gate resistance on the frequency response of MOS transistors', IEEE Tran. Electron Dev., vol. 22(5), pp. 255-264, May 1975.

100. Hickmott T. W. Temperature Dependence of FET Properties for Cr-Doped and LEC Semi-Insulating. GaAs Substrates / Thomas W. Hickmott. // Electron Devices, IEEE Transactions. 1984. - v. ED-31. -№1. - P. 54-62.

101. Horio K. Simplified simulations of GaAs MESFET's with semi-insulating substrate compensated by deep levels / K. Horio et al. // IEEE Trans. Computer-Aided Design. 1991. - v. 10.-№10.-P. 1295-1302.

102. Itoh T. Stability of Performance and Interfacial Problems in GaAs MESFET's / T. Itoh, H. Yanai // IEEE Transactions on Electron Devices, 1980. v. ED-27. - №6. - P. 1037-1045.

103. J. A. Torres and J. C. Freire, "Monolithic transistors SPST switch for L-band," IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. 50, pp. 51-56, Jan.2002.

104. J. Park and Z. Ma, 'A 15 GHz CMOS RF Switch Employing Largeth

105. Signal Impedance Matching', 6 Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SÍRF06), pp. 186-189, 2006.

106. James D. S. A study of high power pulsed characteristics of lower-noise GaAs MESFET's / D. S. James, L. Dormer // IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques. 1981. - v. 29. -№12. - P. 12981310.

107. Jastrzebski A. K. Non-linear MESFET: Modeling parameters / A. K. Jastrzebski // 17th Eur. Microwave Conf., Rome: Conf. Proc. Tunbeidge Wells, 1987.-P. 599-604.

108. Jozwikowski K. Numerical modeling of fluctuation phenomena in semiconductor devices / Krzysztof Jozwikowski // Journal Of Applied Physics.-200l.-v. 90.-№3.-P. 1318.

109. K. Miyatsuzi and D. Ueda, "A GaAs high power RF single pole dualthrow switch IC for digital mobile Communication System," IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 30, pp. 979-983, Sept. 1995.

110. K.K.O, X. Li, F. Hung, W. Foley, 'CMOS Components for 802.11b Wireless LAN Applications', 2002 IEEE RFIC Symp. Digest, pp. 103106, 2002.

111. Kawase T. Properties of 6-inch semi-insulating GaAs substrates manufactured by Vertical Boat Method / T. Kawase et al. // The International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology Digest. 1999.-5 p.

112. Khorram et al, 'A Fully Integrated SOC for 802.1 lb in 0.18um CMOS', IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 40(12), pp. 2492-1501, Dec. 2005.

113. Kocot C. Backgating in GaAs MESFET's /. C. Kocot, C. A. Stolte // IEEE Trans. Electron Devices, 1982. v. 29. - №7. - P. 1059-1064.

114. Kondoh H. An accurate FET Modeling from measured S-parameters / H. Kondoh // IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Digest, New York. -1986. P. 377-380.

115. Krozer V. Intermodulation distortion analysis of cascaded MESFET amplifiers using Volterra series representation / V. Krozer, H. Hartnagel // Int. J. Electron. 1985. - 58, №4. - P. 693-708.

116. Kuo Yen-Kuang Numerical Study on Optimization of Active Regions for um AlGalnAs and InGaAsN Material Systems / Yen-Kuang Kuo, Shang- Wei Hsieh, Hsiu-Fen Chen // Japanese Journal of Applied Physics. 2006. - v. 45. - №3A. - P. 1588-1590.

117. L. Ding and P. Mazumder, 'On Optimal Tapering of FET Chains in High-Speed CMOS Circuits', IEEE Trans. Circuits Systems II Analog and Digital Signal Processing, vol. 48(12), pp. 1099-1109, Dec. 2001.

118. Lang D. V. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors / D. V. Lang // J. Appl. Phys. 1974. -v. 45.-№7. -P. 3023-3032.

119. Li Z. Q. Two-dimensional simulation of GalnP/GaAs/Ge triple junction solar cell / Z. Q. Li, Y. G. Xiao, Z. M. Simon Li // Physica status solidi. C. Current topics in solid state physics. v. 4. - №5. - P. 1637-1640.

120. Lindquist P. F. A model relating electrical properties and impurity concentrations in semi-insulating GaAs / P. F. Lindquist // J. Appl. Phys. -1977,-v. 48. P. 1262.

121. M. A. Khan, J. M. Van Hove, J. N. Kuznia, and D. T. Olsen, "Highelectron mobility GaN-AlGaN heterostructures grown by LPMOCVD," Appl. Phys. Lett., vol. 58, p. 2408, 1991.

122. M. A. Khan, X. Hu, G. Simin, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur,"AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field effect transistors on SiC substrates," Appl. Phys. Lett., vol. 77, pp. 13391341,2000.

123. M. Ito and O. Wada, "Low-dark current GaAs MSM photodetector," IEEE J. Quantum Electron., vol. QE-22, p. 1073, 1986.

124. Maas S. Modeling MESFETs for Intermodulation Analysis of Mixers and Amplifiers / S. Maas, D. Neilson // IEEE MTT S International Microwave Symposium Digest. -1990. - P. 1291-1294.

125. Mabeshima T., Harada K. Large signal -trarisle-nt responses of aswikhing regulator//IEEE Transactions ot\ AES, Sept. 1982.V. 18.№-5.-p.545-551.

126. Martin G. M. Electron traps in bulk and epitaxial GaAs crystals / G. M. Martin, A. Mitonneau, A. Mircea // Electron. Lett. 1977. - v. 13. - P. 191-193.

127. Martin G. M. Hole traps in bulk and epitaxial GaAs crystals / G. M. Martin, A. Mitonneau, A. Mircea // Electron. Lett. 1977. - v. 13. - P. 666-668.

128. Martin G. M. Compensation mechanisms in GaAs / G. M. Martin et al. //J. Appl. Phys. 1980. - v. 51. -№5. - P. 2840-2852.

129. Materka A. Computer calculation of large-signal GaAs FET amplifier characteristics / A. Materka, T. Kacprzak // IEEE Trans. Microwave Theory and Techn. 1985. - №2. - P. 129-135.

130. McCant A. J. An Improved GaAs FET Model for SPICE / A. J. McCant, G. D. McCormack, D. H. Smith // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1990. vol. MTT-38. - p. 822.

131. Miller J. E. Investigation of GaAs MESFET Small-signal Equivalent circuits for use in a Cell Library / J. E. Miller // 19th Eur. Microwave Conf., London: Conf. Proc Tunbeidge Wells, 1989. - P. 991-996.

132. Parker A. A Realistic Large-signal MESFET Model for SPICE / A. Parker, D. Skellem // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1997. - P. 1563- 1571.

133. Platzker A. Large-signal GaAs FET Amplifier CAD Program / A. Platzker, Y. Tajima // IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Digest. 1982. - P. 450-452.

134. R. Caverly, "Linear and nonlinear characteristics of the silicon CMOS monolithic 50 Ohm Microwave and RF Control Element", J. Solid-State Circuits, vol. 34(1), pp. 124-126, Jan., 1999.

135. R. Point et al, 'An RF CMOS Transmitter Integrating a Power Amplifier and a Transmit/Receive Switch for 802.11b Wireless Local Area Network Applications", 2003 IEEE RFIC Symp. Digest, pp. 431434, 2003.

136. S. Makioka, Y. Anda, K. Miyatsuji, and D. Ueda, "Super self-aligned GaAs RF switch IC with 0.25 dB extremely low insertion loss for mobile communication systems," IEEE Trans. Electron Devices, vol. 48, pp. 1510-1514, Aug. 2001.

137. Schulze H. Theory and Applications of OFDM and CDMA: Wideband Wireless Communications / Henrik Schulze, Christian Lueders. John Wiley & Sons, 2005. - 420 p.

138. Selberherr S. Analysis and simulation of semiconductor devices / S. Selberherr. Wien; New York: Springer - Verlag, 1984. - 320 p.

139. Shockley W. Statistics of the Recombinations of Holes and Electrons / W. Shockley, W. T. Read, Jr. // Phys. Rev. 1952. - v. 87. - №5. - P. 835842.

140. Simons M. Transient radiation study of GaAs metal semiconductor field effect transistors implanted in Cr-doped and undoped substrates / M. Simons et al. // J. Appl. Phys. 1981. - v.52. - № 11. - P. 6630-6636.

141. Sriram S. Characterization of electron traps in ion-implanted GaAs MESFET on undoped and Cr-doped LEC semi-insulating substrates / S.

142. Sriram, M. B. Das // Electron Devices, IEEE Transactions. 1983. - v. 30. -P. 586-592.

143. Statz H. GaAs FET Device and Circuit Simulation in SPICE / H. Statz et al. // IEEE Trans. Electron Devices. 1987. - vol. ED-34, - p. 160.

144. Sze S. M. Physics of semiconductor devices. Second Edition. / S. Sze. -A Wiley-Interscience Publication, 1981. 442 p.

145. Szyszka A. Study of grain boundaries influence on electrical properties of nitrides / A. Szyszka et al. // Vacuum. v. 82. - 2008, P. 1034-1039.

146. Varga R. S. Matrix iterative analysis / R. S. Varga. New Jersey: Prentice - Hall Inc., 1962. - 358 p.

147. Whalen J.J. X-band bumout characteristics of GaAs MESFET's / J. J. Whalen, R. T. Kemerley, E. Rastefano // IEEE Trans. 1982. - vol. MTT -32. -№ 12.-P. 2206-2211.

148. Willing A. H. A Technique for Predicting Large-Signal Performance of a GaAs MESFET / A. H. Willing, C. Rausher, P. Santis // IEEE Trans. -v.MTT-26, № 12.-P. 1017-1023.

149. Wong H. On the temperature variation of threshold voltage of GaAs MESFETs / H. Wong, C. Liang, N. W. Cheung // Electron Devices, IEEE Transactions. 1992. - v. 39. - P. 1571-1577.

150. Y. Jin and C. Nguyen., 'Ultra-Compact High-Linearity High-Power Fully Integrated DC-20-GHz 0.18 um CMOS T/R Switch', IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. 55(1), 30-36, Jan. 2007.

151. Yhland K. A Symmetrical HFET/MESFET Model Suitable for Intermodulation analysis of Amplifiers and Resistive FET Mixers / K. Yhland et al. // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 2000. - vol. 48. -p. 15.

152. Yhland K. Resistive FET Mixers / K. Yhland // Ph. D. thesis. -Chalmers. 1999.

153. Yu P. Y. Fundamentals of Semiconductors Physics and Materials Properties (3rd Edition) / Peter Y. Yu, Manuel Cardona. - Springer -Verlag, 2005.-692 p.

154. Z. Li, H. Yoon, F.-Jung Huang, and K. K. O , 5.8-GHz CMOS T/R Switches With High and Low Substrate Resistances in a 0.18 um CMOS Process', IEEE Microwave Wireless Components Let., vol. 13(1), pp. 13, Jan. 2003.