Методы и средства измерения шумовых и малосигнальных параметров мощных биполярных транзисторов для целей контроля их качества тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.11.01, кандидат технических наук Дулов, Олег Александрович

• Дулов, Олег Александрович
• кандидат технических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат технических наук Дулов, Олег Александрович

Введение 4,

Глава 1. Неразрушающий контроль качества мощных биполярных

ВЧ и СВЧ транзисторов по шумовым и малосигнальным параметрам

1.1. Конструкционно-топологические и функциональные особенности мощных ВЧ и СВЧ биполярных транзисторов

1.2. Контроль качества МБТ по нелинейностям В АХ и малосигнальным параметрам

1.2.1. Контроль тепловых и предельных параметров МБТ

1.2.2. Контроль качества МБТ по производным ВАХ

1.2.3. Контроль качества МБТ по малосигнальным параметрам

1.3. Контроль качества мощных транзисторов по собственным шумам

1.3.1. Виды шумов в мощных биполярных транзисторах

1.3.2. Эквивалентные шумовые схемы и шумовые параметры МБТ

1.3.3. Модели связи шумовых параметров с дефектами приборов

1.4. Анализ методов измерения шумовых параметров транзисторов

1.4.1. Метод непосредственной оценки

1.4.2. Корреляционный метод

1.4.3. Шумовые измерения в импульсном режиме

1.4.4. Измерение эквивалентного шумового напряжения е и эквивалентного шумового тока i

1.5. Выводы

Глава 2. Оптимизация процедуры и средств экспериментального исследования шумовых параметров мощных ВЧ и СВЧ транзисторов

2.1. Измерение шумовых параметров методом непосредственной оценки

2.2. Измерение шумовых параметров методом удвоения

2.2.1. Схема и процедура измерения

2.2.2. Оценка статистических погрешностей при измерении шумов методом удвоения

2.3. Экспериментальная установка и методика исследования собственного шума МБТ

2.3.1. Требования к каскадам усиления и преобразования шумового сигнала

2.3.2. Описание экспериментальной установки

2.4. Результаты экспериментального исследования собственного шума мощных ВЧ и СВЧ транзисторов

2.5. Выводы

Глава 3. Диагностика неоднородного токораспределения в мощных биполярных транзисторах на основе двухсекционной эквивалентной шумовой схемы 65 3.1. Особенности расчета шумовых параметров современных биполярных транзисторов

3.2. Теоретическое обоснование метода: двухсекционная шумовая модель мощного биполярного транзистора

3.3. Оценка возможностей и погрешностей метода

3.4. Выводы

Глава 4. Контроль однородности токораспределения мощных биполярных транзисторов по зависимости коэффициента внутренней обратной связи hnE от напряжения коллектора

4.1. Влияние неоднородного токораспределения в транзисторных структурах на коэффициент внутренней обратной связи по напряжению

4.1.1. Анализ стационарного неизотермического токораспределения в симметричных транзисторных структурах с дефектами

4.1.2. Зависимость коэффициента внутренней обратной связи по напряжению от коллекторного напряжения в МБТ с дефектами

4.1.3. Устойчивость токораспределения в структурах мощных биполярных транзисторов с дефектами

4.2. Контроль тепловых свойств мощных транзисторов по малосигнальным параметрам

4.2.1. Измерение теплового импеданса транзисторов

4.2.2. Применение комбинации гармонической и линейно нарастающей греющей мощности

4.3. Автоматический контроль температурной границы области безопасных режимов мощных биполярных транзисторов

4.4. Выводы

Глава 5. Экспериментальное исследование информативности шумовых и малосигнальных параметров для целей отбраковки мощных биполярных транзисторов

5.1. Выбор и обоснование информативных параметров

5.2. Экспериментальная проверка информативности предложенных шумовых параметров мощных биполярных транзисторов

5.3. Отбраковка мощных транзисторов по совокупности тепловых и шумовых параметров

5.4. Методики отбраковки потенциально ненадежных мощных транзисторов

5.5. Выводы 132 Заключение 133 Список литературы 135 Приложения

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Методы и средства измерения шумовых и малосигнальных параметров мощных биполярных транзисторов для целей контроля их качества»

Актуальность проблемы. Постоянное повышение требований к качеству и надежности радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) определяет необходимость разработки и совершенствования методов и средств неразру-шающего контроля качества изделий электронной техники (ИЭТ) [16, 19, 30, 70, 103]. Неразрушающие методы контроля (МНК) не изменяя качества, ресурса и характеристик изделия, позволяют по косвенным признакам обнаруживать скрытые дефекты.

Эффективность применения МНК определяется прежде всего правильным выбором информативных параметров, с учетом функциональных особенностей и условий применения конкретного типа приборов. Задача разработки МНК состоит не только в установлении аналитической или корреляционной связи между дефектами прибора и информативным параметром, но и в определении оптимальных режимов измерения этого параметра для повышения эффективности контроля [25 29, 82, 92, 133].

За последнее десятилетие в работах Г.Б. Сердюка, Г.П. Жигальского М.И. Горлова, А.В Якимова и др. активное развитие получили МНК ИЭТ по электрическим шумам и эффектам нелинейности [23-26,4547,54,89,90,122,137]. Интерес к этим методам обусловлен тем, что они достаточно универсальны, поскольку шумы и нелинейности ВАХ присущи всем элементам и несут информацию о самых разнообразных дефектах изделий. В последние годы эти методы получили широкое экспериментальное подтверждение на различных классах элементов: тонкопленочных резисторах [47], МДП-структурах [21,45,136], контактных соединениях и диодах Шоттки [46], а также на аналоговых и цифровых интегральных схемах [2426,46].

Особое место среди полупроводниковых приборов занимают мощные ВЧ и СВЧ транзисторы. Они широко применяются в современной РЭА различного назначения (генераторах, усилителях и преобразователях сигналов, в импульсных устройствах и др.) и остаются при этом наименее надежными электронными компонентами, поскольку работают в наиболее жестких тепловых и электрических режимах [22, 31, 78, 79]. При этом предельные функциональные возможности и надежность даже бездефектных приборов, во многом определяются эффектами неоднородного, а при некоторых режимах, и неустойчивого распределения плотности тока, мощности и температуры в приборных структурах [22, 88, 107, 124, 141].

В работах А. Ван дер Зила [51, 53], Л.П. Карбы [59], Ю.С. Карпова [61], B.C. Пряникова [99], А.К. Нарышкина [80], В.М. Придорогина [97] и др. показано, что источником информации о качестве мощных биполярных транзисторов (МБТ) является собственный шум приборов. Хотя корреляция между уровнем шума и дефектами приборов, которые приводят к их отказам, не вызывает сомнений, но практика показывает, что малошумящие приборы нередко отказывают при эксплуатации и испытаниях раньше сильношумящих. Неэффективность указанных методов может объясняться тем, что в указанных работах не обсуждаются требования к измерительной аппаратуре и организации процесса измерения, позволяющие минимизировать погрешности измерения шумовых параметров и оптимизировать режимы измерения этих параметров. Проблема, требующая решения, состоит и в том, что МБТ является активным и существенно нелинейным элементом и при изменении параметров режима измерения меняется и коэффициент усиления контролируемого транзистора и параметры его эквивалентной шумовой схемы, что необходимо учитывать при определении информативных параметров по результатам измерения.

Применительно к МБТ методы диагностики по эффектам нелинейности развиты в работах B.JI. Аронова [2-4], В.Ф. Синкевича [5, 85,124], А.Н. Ра-бодзея [81], В.А. Сергеева [113] и др. Большинство этих методов позволяют выявлять дефектные приборы в режимах с резко неоднородным токо-распределением, при которых изделие подвергается запредельным энергетическим воздействиям, что ограничивает применение этих методов в производственных условиях. Применяемые в производственных условиях методы контроля тепловых свойств МБТ сводятся к измерению отдельных тепловых параметров в фиксированном электрическом режиме и не позволяют оценить неоднородность распределения тока и температуры в приборных структурах в широком диапазоне токов и напряжений.

Цель и задачи исследования - повышение достоверности и эффективности неразрушающего контроля качества мощных биполярных ВЧ и СВЧ транзисторов по шумовым и малосигнальным параметрам путем повышения точности и чувствительности методов и средств измерения указанных параметров.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Определить предельные возможности повышения точности измерения параметров низкочастотного (НЧ) шума со спектром \/ fy с учетом влияния показателя в частотной зависимости спектра шума на методические погрешности измерения параметров НЧ шума.

2. На основе синтеза двухсекционной эквивалентной шумовой схемы мощного биполярного ВЧ и СВЧ транзистора с учетом его конструкционно-топологических особенностей оценить влияние неоднородности токораспре-деления в структурах мощных биполярных ВЧ и СВЧ транзисторов на их шумовые характеристики.

3. На основе анализа двухэлементной теплоэлектрической модели мощных биполярных ВЧ и СВЧ транзисторов с дефектами разработать способ и устройство автоматизированного контроля однородности токораспределения и температурной границы области безопасных режимов мощных биполярных ВЧ и СВЧ транзисторов по зависимости коэффициента внутренней обратной связи по напряжению hnE от коллекторного напряжения.

4. По результатам ускоренных испытаний оценить эффективность отбраковки потенциально ненадежных мощных биполярных ВЧ и СВЧ транзисторов по шумовым и малосигнальным параметрам и разработать соответствующие методики.

Методы исследований. При решении поставленных задач использовались положения и методы теории электрических цепей, теории случайных процессов, теории погрешностей, физики полупроводников и полупроводниковых приборов, теории вероятности и математической статистики, а также численные методы с применением ЭВМ.

Научная новизна.

1. Впервые показано, что при измерении спектральной плотности мощности НЧ шума со спектром 1j f7 методом непосредственной оценки существует ширина полосы фильтра, при которой методическая погрешность измерения минимальна; при этом оптимальная ширина полосы фильтра уменьшается, а минимальная методическая погрешность растет с увеличение значения у.

2. Впервые для расчета шумовых характеристик мощных ВЧ и СВЧ биполярных транзисторов с учетом эффектов неоднородного токораспределения предложена двухсекционная эквивалентная шумовая схема, позволяющая разделить источники шума пассивной и активной областей транзисторной структуры.

3. Установлено, что отношение значений среднего квадрата шумового напряжения МБТ, измеренных при постоянном коллекторном напряжении и двух различных токах, пропорционально коэффициенту неоднородного токораспределения в транзисторной структуре.

4. На основе двухэлементной теплоэлектрической модели МБТ с дефектами показано, что зависимость малосигнального коэффициента внутренней обратной связи по напряжению hnB от коллекторного напряжения имеет нелинейный характер, а крутизна этой зависимости пропорциональна величине дефекта.

Практическая ценность и реализация результатов работы.

1. Предложены рекомендации по выбору режима измерения шумовых параметров мощных биполярных транзисторов и методики отбраковки дефектных МБТ по шумовым характеристикам.

2. Разработаны и внедрены на промышленных предприятиях и научных учреждениях серия измерительных приборов, установок и устройств, а также соответствующие методики для контроля качества и отбраковки МБТ по шумовым и малосигнальным характеристикам: установка для измерения теплофизических параметров мощных транзисторов УИТЭП внедрена на входном контроле п/я В-8828; установка для контроля качества мощных транзисторов внедрена на Са-рапульском радиозаводе.

Результаты диссертационной работы используются в учебном процессе на радиотехническом факультете Ульяновского государственного технического университета при проведении занятий по дисциплинам «Устройства генерирования и формирования радиосигналов», «Основы метрологии и радиоизмерений» для студентов специальности «Радиотехника».

Апробация работы. Основные положения и результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на: Международной НТК «Актуальные проблемы электронного приборостроения» (Саратов, 1996); Всероссийской НТК «Современные проблемы проектирования и эксплуатации радиотехнических систем» (Ульяновск, 1998, 2001, 2007); VIII и IX Международных НТК «Оптические, радиоволновые и тепловые методы и средства контроля качества материалов, промышленных изделий и окружающей сре-ды»(Ульяновск, 2000, 2004); Всероссийской НТК «Континуальные алгебраические логики, исчисления и нейроинформатика в науке и технике» (Ульяновск, 2004, 2006).

На защиту выносятся:

1. Двухсекционная шумовая эквивалентная схема МБТ, учитывающая эффекты неоднородного токораспределения в приборных структурах.

2. Расчетные формулы для оценки методической погрешности измерения шумовых параметров прямым методом и методом удвоения с учетом влияния показателя степени в частотной зависимости спектральной плотности НЧ шума.

3. Модель и формулы для расчета неоднородности токораспределения в мощных ВЧ и СВЧ биполярных транзисторах с дефектами различной физической природы.

4. Структурная схема устройства для контроля качества и температурной границы области безопасных режимов МБТ по зависимости малосигнального коэффициента обратной связи по напряжению hVK от коллекторного напряжения.

5. Результаты выборочных ускоренных испытаний и разработанные на этой основе методики отбраковки дефектных и потенциально ненадежных приборов.

6. Комплекс внедренных на промышленных предприятиях средств и методик контроля качества МБТ.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 31 научная работа, включая, 19 научных статей (4 в изданиях из перечня ВАК), 7 тезисов докладов на научно-технических конференциях и семинарах, 5 авторских свидетельств и патентов на изобретения.

Личный вклад автора. Основные научные результаты получены автором лично. Реализация ряда прикладных разработок и экспериментов осуществлялась с участием А.А. Широкова, сотрудников и студентов кафедр «Радиотехника» и «Радиотехника, опто- и наноэлектроника» УлГТУ. Работы по внедрению результатов исследований проводились при личном участии автора.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка литературы, включающего 149 наименований, четырех приложений. Общий объем диссертации составляет 169 страницы и содержит 9 таблиц и 70 рисунков.

Заключение диссертации по теме «Приборы и методы измерения по видам измерений», Дулов, Олег Александрович

Основные результаты работы можно сформулировать следующим образом.

1. При измерении спектральной плотности мощности НЧ шума методом аппаратной фильтрации полоса фильтра, при которой достигается минимальное значение методической погрешности измерения, зависит от показателя степени у в частотной зависимости спектра шума; при этом ширина полосы фильтра уменьшается, а минимальная методическая погрешность растет с увеличением значения у.

2. Предложенная в работе процедура измерения НЧ шума с учетом значения показателя у позволяет снизить методическую погрешность измерения в 2 раза при изменении у от 1 до 3.

3. Экспериментально показано, что зависимости шумовых параметров мощных ВЧ и СВЧ транзисторов от параметров электрического режима во многом определяются характером распределения плотности тока и температуры в транзисторных структурах. Впервые для расчета шумовых характеристик ВЧ и СВЧ МБТ с учетом эффектов неоднородного токораспределения предложена двухсекционная эквивалентная шумовая схема.

4. Разработан метод диагностики неоднородного токораспределения в структурах МБТ по зависимости среднего квадрата шумового напряжения от тока и сопротивления генератора.

5. Получено аналитическое выражение для зависимости малосигнального коэффициента обратной связи по напряжению ИПБ от коллекторного напряжения при наличии дефектов в транзисторной структуре; показано, что при наличии дефектов эта зависимость имеет нелинейный характер, а крутизна этой зависимости пропорциональна величине дефекта.

6. Для автоматизированного контроля неоднородности токораспределения в структуре МБТ по зависимости коэффициента внутренней обратной связи по напряжению от коллекторного напряжения разработано устройство измерения теп-лоэлектрических характеристик МБТ с использованием комбинации линейно нарастающего и малого гармонического изменения коллекторного напряжения, имеющее в 4-6 раз большую чувствительность к дефектам по сравнению с известными средствами.

7. Впервые предложен алгоритм и разработано устройство автоматического косвенного измерения температурной границы области безопасной работы МБТ в едином измерительном цикле, принцип работы которого состоит в автоматическом поддержании произведения теплового сопротивления и квазистатической составляющей греющей мощности постоянным и равным заданной величине перегрева перехода структуры путем управления током коллектора МБТ при медленном увеличении коллекторного напряжения.

8. Разработаны и внедрены на промышленных предприятиях электронной и радиоэлектронной промышленности методы, средства и методики отбраковки дефектных МБТ по шумовым характеристикам и малосигнальным параметрам:

- установка для измерения теплофизических параметров мощных транзисторов УИТЭП внедрена на входном контроле п/я В-8828;

- установка для измерения теплоэлектрических параметров мощных транзисторов УИТП-1МТ внедрена на заводе «Искра»;

- установка для контроля качества мощных транзисторов внедрена на Са-рапульском радиозаводе.

135

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В диссертационной работе решена задача повышения достоверности и эффективности неразрушающего контроля качества мощных биполярных ВЧ и СВЧ транзисторов по шумовым и малосигнальным параметрам путем повышения точности и чувствительности методов и средств измерения указанных параметров.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Дулов, Олег Александрович, 2008 год

1. Автоматизированный контроль температурных границ безопасной работы транзисторов / Н. А. Белов и др. // Электронная техника. Сер. 8, Управление качеством, метрология и стандартизация / ЦНИИ «Электроника».- 1980.-Вып. 5 (83).-С. 98-102.

2. Аронов, В. J1. Исследование и испытание полупроводниковых приборов/В. Л. Аронов, Я. А. Федотов. М. : Высш. шк., 1975. - 325 с.

3. А. с. 619877 СССР, МКИ G 01 R 31/26. Способ отбраковки мощных транзисторов / Б. С. Кернер, Е. А. Рубаха, В. Ф. Синкевич. № 2408855/1825; заявл. 01.10.76 ; опубл. 15.08.78, Бюл. № 30.

4. А. с. 746346 СССР, МКИ G 01 R 31/26. Способ измерения максимальной температуры в структуре мощных транзисторов / В. Ф. Синкевич и др.. -№ 2555686/18-25 ; заявл. 15.12.77 ; опубл. 07.0780, Бюл. № 12.

5. А. с. 808831 СССР, МКИ G 01 В 5/18. Способ измерения тепловой постоянной времени переход-корпус полупроводниковых приборов / В. А. Сергеев, Н. Н. Горюнов, А. А. Широков. № 2769789/18-25; заявл. 24.05.79; опубл. 28.02.81, Бюл. № 8.

6. А. с. 845563 СССР, МКИ G 01 J 5/26 Способ измерения тепловой постоянной времени переход-корпус полупроводниковых приборов / В. А. Сергеев и др.. № 2890795/25 ; заявл. 04.03.80. - Не подлежит публ.

7. А. с. 978235 СССР, МКИ Н 01 L 23/02. Мощный транзистор с гребенчатой структурой / В. А. Сергеев, Н. Н. Горюнов, В. М. Мулев, А. А. Широков, О. А. Дулов. № 3237739/18-21 ; заявл. 14.01.81 ; опубл. 30.11.82, Бюл. № 44.

8. А. с. 983596 СССР, МКИ G 01 R 31/26. Устройство для отбраковки мощных транзисторов / В. А. Сергеев, А. А. Широков, О. А. Дулов.3258296/18-21 ; заявл. 09.03.81 ; опубл. 23.12.82, Бюл. № 47.

9. А. с. 1020789 СССР, МКИ G 01 R 31/26. Устройство для измерения теплового сопротивления транзисторов / В. А. Сергеев. № 3385212/ 18-21 ; заявл. 02.10.81 ; опубл. 30.05.83, Бюл. № 20.

10. А. с. 1245094 СССР, МКИ G 01 R 31/26. Устройство для отбраковки мощных транзисторов / В. А. Сергеев, А. А. Широков, Н. Н. Горюнов.3752388/21 ; заявл. 13.06.84. Не подлежит публ.

11. А. с. 1354953 СССР, МКИ G 01 R 31/26. Устройство автоматического измерения области безопасной работы транзистора / О. А. Дулов, В. А. Сергеев, А. А. Широков. № 3973233/21 ; заявл. 04.11.85. - Не подлежит публ.

12. А. с. 1529941 СССР, МКИ G 01 R 31/26. Устройство автоматического измерения области безопасной работы транзистора / О. А. Дулов и др.. -№ 4402575/21 ; заявл. 04.04.88. Не подлежит публ. (разрешение на опубликование -Бюллетень изобретений - 1999. -№14).

13. А. с. 1729210 СССР, МКИ G 01 R 31/26. Устройство для отбраковки транзисторов / В. А. Сергеев. № 4808051/21 ; заявл. 29.03.90 ; опубл. 27.05.99, Бюл.№ 15.

14. Борисов, Ю. И. Обеспечение качества стратегия развития радиоэлектронного комплекса / Ю. И. Борисов // Петербургский журнал электроники. - 2004. - № 3/4. - С. 7-16.

15. Бубенников, А. Н. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем / А. Н. Бубенников. М.: Высш. шк., 1989. - 320 с.

16. Букингем, М. Шумы в электронных приборах и системах / М. Букин-гем. М. : Мир, 1986. - 398 с.

17. Булкин, Ю. Л. Задачи восстановления требуемого уровня качества элементной базы аппаратуры вооружений и военной техники / Ю. Л. Булкин // Петербургский журнал электроники. 2004. - № 3/4. - С. 38-43.

18. Буробин, В. А. Система качества и обеспечение надежности при производстве СВЧ транзисторов / В. А. Буробин // Петербургский журнал электроники. 2004. - № 3/4. - С. 153-160.

19. Гваськов, А. А. Исследование 1/f шума МДП-транзисторов с разным типом проводимости канала / А. А. Гваськов , Г. П. Жигальский, П. О. Сит-кин // Известия вузов. Электроника. 2006. - № 6. - С. 13-19.

20. Горлов, М. И. Измерение шумовых параметров полупроводниковых изделий / М. И. Горлов, Д. Ю. Смирнов, Д. Л. Ануфриев // Измерительная техника. 2006. - № 12. - С. 46-49.

21. Горлов, М. И. Классификация надежности интегральных схем с использованием показателя формы спектра у / М. И. Горлов, Д. Ю. Смирнов, Д. Л. Ануфриев // Известия вузов. Электроника. 2006. — № 5. - С. 78-82.

22. Горлов, М. И. Прогнозирование потенциально ненадежных полупроводниковых приборов по критериям низкочастотного шума / М. И. Горлов, В. П. Емельянов, А. Л. Жарких // Chip News. 2004. - №6. - С. 19-27.

23. Горлов, М. И. Разделение интегральных схем по надежности с использованием 1/f шума / М. И. Горлов, Д. Ю. Смирнов, Д. Л. Ануфриев // Известия вузов. Электроника. 2006. - № 1. — С. 84-88.

24. Горюнов, Н. Н. Свойства полупроводниковых приборов при длительной работе и хранении / Н. Н. Горюнов. М.: Энергия, 1970. — 104 с.

25. Давидов, П. Д. Анализ и расчет тепловых режимов полупроводниковых приборов / П. Д. Давидов. М.: Энергия, 1967. - 144 с.

26. Данилин, Н. С. Неразрушающий контроль качества продукции радиоэлектроники / Н. С. Данилин. М.: Стандарт, 1976. - 206 с.

27. Данилин, Н. С. Отбраковка современной космической электронной компонентной базы / Н. С. Данилин, С. А. Белослудцев. М. : МАКС Пресс, 2006.-86 с.

28. Диковский, В. И. Биполярные кремниевые СВЧ-транзисторы / В. И. Ди-ковский, И. И. Моин // Электронная промышленность. — 2003. № 2.1. С. 53-57.

29. Дулов, О. А. Диагностика мощных транзисторов по совокупности информативных параметров / О. А. Дулов // Тезисы докл. 33-й науч.-техн. конф. проф.-препод. состава УлГТУ (19-31 янв.).- Ульяновск: УлГТУ, 1999. С. 26.

30. Дулов, О. А. Контроль качества мощных ВЧ и СВЧ биполярных транзисторов по температурным зависимостям шумовых параметров / О. А. Дулов, В. А. Сергеев, А. А. Широков // Известия Самарского научного центра РАН. 2008. - № 2. - С. 77-83.

31. Дулов, О. А. Методы и средства контроля области безопасной работы мощных биполярных транзисторов / О. А. Дулов, В. А. Сергеев // Проблемы и решения современной технологии : сб. науч. тр. Тольятти : ПТИС. - 1998. - Вып. 4. - Ч. 2. - С. 9-17.

32. Дулов, О. А. Особенности расчета шумовых параметров современных биполярных транзисторов / О. А. Дулов // Методы и средства неразрушающего контроля качества компонентов РЭА : сб. науч. тр. — Ульяновск : УлПИ, 1987.-С. 38-43.

33. Дулов, О. А. Погрешности измерения параметров НЧ шума мощных СВЧ транзисторов / О. А. Дулов // Тезисы докл. 42-й науч.-техн. конф. проф.-препод. состава УлГТУ (28 янв.-4 февр.). Ульяновск : УлГТУ, 2008.-С. 247.

34. Дулов, О. А. Прогнозирование отказов аналоговых интегральных схем по их собственным шумам / О. А. Дулов, А. А. Широков // Диэлектрики и полупроводники : респ. межвед. науч.-техн. сб. Киев, 1988. - Вып. 34. -С. 96-101.

35. Дулов, О. А. Устройство автоматизированного контроля ОБР биполярных СВЧ транзисторов в динамическом режиме / О. А. Дулов // Тезисы докл. 32-й науч.-техн. конф. проф.-препод. состава УлГТУ (19-31 янв.). -Ульяновск : УлГТУ, 1998. С. 60-61.

36. Дульнев, Г. Н. Теплообмен в радиоэлектронных аппаратах / Г. Н. Дуль-нев, Э. М. Семяшкин. JL : Энергия, 1968. - 360 с.

37. Жигальский, Г. П. Избыточные шумы в структурах металл-диэлектрик-полупроводник / Г. П. Жигальский // Радиотехника и электроника. 1999. - Т. 44, № 12. - С. 1413-1430.

38. Жигальский, Г. П. Неразрушающий контроль качества интегральных микросхем по электрическим шумам и параметрам нелинейности / Г. П. Жигальский//Радиотехника и электроника. 2005. - Т. 50, № 5. - С. 517-551.

39. Жигальский, Г. П. Шум вида 1/f и нелинейные эффекты в тонких металлических пленках / Г. П. Жигальский // Успехи физических наук. 1997. - Т. 167, №6.-С. 623- 648.

40. Захаров, A. JI. Расчет тепловых параметров полупроводниковых приборов: метод эквивалентов / A. JI. Захаров, Е. И. Асвадурова. М. : Радио и связь, 1983.- 184 с.

41. Зигель, Б. Электрический метод быстрой проверки качества напайки кристалла / Б. Зигель // Электроника. 1979. - № 8. - С. 60-65.

42. Зил Ван-дер, А. Прогнозирование момента отказа по низкочастотному шуму транзистора / А.Зил Ван-дер // Электроника : экспресс-информ. / ВИНИТИ. 1966. - № 24. - С. 38-41.

43. Зил Ван-дер, А. Шум. Источники, описание, измерение / А. Зил Ван-дер. -М. : Сов. радио, 1973. 177с.

44. Зил Ван-дер, А. Шум в транзисторах при высоком уровне инжекции / А. Зил Ван-дер // Электроника : экспресс-информ. / ВИНИТИ. 1978.14. С. 1-9.

45. Использование уровня шумов для контроля полупроводниковых изделий при термоциклировании / М. И. Горлов и др. // Известия вузов. Электроника. 2005. - № 6. - С. 89-92.

46. О.А. Дулов и др.. Ульяновск : УлПИ, 1980. - Т. 1. - 86 е.; Т. 2. - 245 с. -№ ГР 77074071. - Инв. № Б982832.

47. Исследование переходных тепловых характеристик транзисторных структур с дефектами / К. П. Абдурахманов и др. // Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. 1982. - Вып. 5. - С. 66-70.

48. Камке, Э. Справочник по обыкновенным дифференциальным уравнениям / Э. Камке. М. : Наука, 1976. - 576 с.

49. Карба, J1. П. О выборе шумовых параметров для прогнозирования отказов транзисторов / Л. П. Карба, Н. Н. Ульман // Электронная техника. Сер. 8, Управление качеством, метрология и стандартизация / ЦНИИ «Электроника». 1978. - Вып. 7. - С. 14-19.

50. Карпов, Ю. С. О погрешностях измерения коэффициента шума транзисторов на низких частотах / Ю. С. Карпов, Ю. А. Поляков // Известия вузов. Приборостроение. — 1965. Т. 8, № 2. — С. 7-10.

51. Карпов, Ю. С. Шумы транзисторов на звуковых частотах / Ю. С. Карпов // Известия вузов. Приборостроение. 1967. - № 2. - С. 8-10.

52. Квурт, Я. А. Диагностический неразрушающий контроль мощных микросхем / Я. А Квурт, Н. Л. Миндлин // Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы / ЦНИИ «Электроника». 1980. - Вып. 4.1. С. 74-79.

53. Кернер, Б. С. Анализ токораспределения в структурах мощных ВЧ и СВЧ транзисторов с неоднородностью / Б. С. Кернер, Е. А. убаха, В. Ф. Синке-вич // Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы / ЦНИИ «Электроника». 1978. - Вып. 1. - С. 15-29.

54. Кинетика теплового шнурования при флуктуационной неустойчивости в транзисторных структурах / Б. С. Кернер и др. // Радиотехника и электроника. 1980.-Т. 25, № 1.-С. 168-176.

55. Коган, Ш. М. Шумы со спектром 1/f в твердых телах / Ш. М. Коган // Успехи физических наук. 1985. - Т. 155. - С. 285-328.

56. Конструкции корпусов и тепловые свойства полупроводниковых приборов / под общ. ред. Н. Н. Горюнова. М.: Энергия, 1972. - 120 с.

57. Конторович, М. Л. Электрофлуктуационный метод диагностики неоднородного токораспределения в биполярных транзисторных структурах / М. Л. Конторович, А. А. Черторийский, А. А. Широков // Известия Самарского научного центра РАН. 1999. - № 2. - С. 72-77.

58. Корн, Г. Справочник по математике для научных работников и инженеров / Г. Корн, Т. Корн. М.: Наука, 1974. - 831 с.

59. Кремниевые планарные транзисторы / под ред. Я. А. Федотова. М. : Сов. радио, 1973. - 336 с.

60. Лукица, И. Г. Основные направления работ в области обеспечения качества и надежности ЭКБ / И. Г. Лукица // Петербургский журнал электроники. 2006. - № 1.-С. 26-38.

61. Лукьянчикова, Н. Б. Флуктуационные явления в полупроводниках и полупроводниковых приборах / Н. Б. Лукьянчикова. М. : Радио и связь, 1990.-294 с.

62. Мирский, Г. Я. Аппаратурное определение характеристик случайных процессов / Г. Я. Мирский. М.: Энергия, 1972. — 456 с.

63. Мирский, Г. Я. Погрешности измерения корреляционных функций случайных процессов с различными распределениями вероятностей / Г. Я. Мирский // Измерительная техника. 1979. - № 8. - С. 17-20.

64. Мирский, Г. Я. Статистические погрешности измерения взаимных корреляционных функций / Г. Я. Мирский // Измерительная техника. -1980,-№9.-С. 23-25.

65. Мирский, Г. Я. Электронные измерения / Г. Я. Мирский. 4-е изд., перераб. и доп. - М. : Радио и связь, 1986. - 440 с.

66. Митропольский, А. К. Техника статистических вычислений / А. К. Ми-тропольский. М.: Наука, 1971. - 576 с.

67. Модель мощного транзистора на основе малосигнальных параметров / И. В. Семейкин и др. // Петербургский журнал электроники. 2005. — №3.-с. 96-101.

68. Мощные ВЧ- и СВЧ-кремниевые транзисторы для систем радиосвязи и телевещания / В. В. Асессоров и др. // Электронная промышленность. -2001. -№ 5. С. 6-14.

69. Мощные высокочастотные транзисторы / Ю. В. Завражнов, И. И. Каганов, Е. 3. Мазель ; под ред. Е. 3. Мазеля. — М.: Радио и связь, 1985. 176 с.

70. Нарышкин, А. К. Теория низкочастотных шумов / А. К. Нарышкин, А. С. Врачев. -М. : Энергия, 1972. 152 с.

71. Неразрушающий контроль элементов и узлов радиоэлектронной аппаратуры / под ред. Б. Е. Бердичевского. М.: Сов. радио, 1976. - 328 с.

72. Нечаев, А. М. Механизмы отказов и надежность мощных СВЧ транзисторов / А. М. Нечаев, Е. А. Рубаха, В. Ф. Синкевич // Обзоры по электронной технике. Сер. 2, Полупроводниковые приборы / ЦНИИ «Электроника». 1978. - Вып. 10.-80 с.

73. Нечаев, А. М. Тепловое шнурование в транзисторных структурах с неоднородностью / А. М. Нечаев, Е. А. Рубаха, В. Ф. Синкевич // Радиотехника и электроника. 1981. - Т. 26, № 8. - С. 1773-1782.

74. Нечаев, А. М. Условия шнурования тока в полупроводниковых структурах с неоднородностью / А. М. Нечаев, В. Ф. Синкевич // Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы / ЦНИИ «Электроника». 1983.-Вып. 2.-С. 45-54.

75. Николаевский, И. Ф. Параметры и предельные режимы работы транзисторов / И. Ф. Николаевский, Д. В. Игумнов. М.:Сов. радио, 1971. - 384 с.

76. Обеспечение тепловых режимов изделий электронной техники / А.А. Чернышев и др.. М. : Энергия, 1980.-216 с.

77. Оценка качества мощных транзисторов по их предельно допустимым и теплофизическим параметрам / Н. JL Евдокимова и др. // Электронная промышленность. 2003. - № 2. - С. 244-249.

78. Пауль, Р. Транзисторы. Физические основы и свойства : пер. с нем. / под ред. И. А. Палехова. М. : Сов. радио, 1973. - 504 с.

79. Перельман, Б. JI. Методы испытаний и оборудование для контроля качества полупроводниковых приборов / Б. JI. Перельман, В. Г. Сидоров. -М. : Высш. шк, 1979. 215 с.

80. Полупроводниковые приборы. Транзисторы : справочник / В. JI. Аронов, А. В. Баюков, А. А. Зайцев ; под общ. ред. Н. Н. Горюнова. М. : Энер-гоатомиздат, 1983. - 904 с.

81. Прибор для отбраковки мощных транзисторов по собственным шумам / А. А. Широков и др.. Ульяновск : ЦНТИ, 1977. - 4 с. - (Информ. листок ; № 11-77).

82. Прибор для отбраковки потенциально ненадежных и нестабильных полупроводниковых диодов по параметрам низкочастотного шума / О. А. Дулов и др.. Ульяновск : ЦНТИ, 1978. - 2 с. - ( Информ. листок ; № 240-78).

83. Прибор для отбраковки потенциально ненадежных мощных ВЧ и СВЧ транзисторов / О. А. Дулов и др.. Ульяновск : ЦНТИ, 1980. -1с.-(Информ. листок; № 1-80).

84. Придорогин, В. М. Шумовые свойства транзисторов на низких частотах / В. М. Придорогин. М. : Энергия, 1976. - 160 с.

85. Проектирование и технология производства мощных СВЧ-тран-зисторов / В. И. Никишин и др.. М. : Радио и связь, 1989. - 272 с.

86. Пряников, В. С. Прогнозирование отказов полупроводниковых приборов / В. С. Пряников. М.: Энергия, 1978. - 196 с.

87. Разработка методов и средств определения области безопасной работы мощных транзисторов : отчет о НИР / Ульян, политехи, ин-т; рук.

88. A.А. Осьминин; исполн. О.А. Дулов и др.. Ульяновск : УлПИ, 1981. -119 с. -№ ГР 81010943. - Инв. № 0282.3053085.

89. Разработка неразрушающих методов обеспечения надежности РЭА : отчет о НИР / Ульян, политехи, ин-т ; рук. О.А. Дулов ; исполн.

90. B.В. Юдин и др.. Ульяновск : УлПИ, 1986. - Т. 1. - 97 с. ; 1987. - Т. 2. -114 с. - № ГР 0186.0122220. - Инв. № 0287.0053494.

91. Рахманов, А. А. Военно-техническая политика Минобороны России в области качества и надежности / А. А. Рахманов // Петербургский журнал электроники. 2004. - №3-4.- С.22-27.

92. РД 11 1004-2000. Транзисторы биполярные мощные. Методы контроля области безопасной работы. Введ. 01.01.1988 - М., Электронстан-дарт, 1987.-56 с.

93. Ржевкин, К. С. Физические принципы действия полупроводниковых приборов / К. С. Ржевкин. М.: Изд-во МГУ, 1986. - 256 с.

94. РМ 11 0004-84. Контроль неразрушающий. Методы диагностики состояния полупроводниковых приборов по производным вольтамперным характеристикам. Введ. 01.01.1985.-М., Электронстандарт, 1984.- 43 с.

95. Ройзин, Н. М. Неустойчивость распределения тока и проблема надежности в транзисторной электронике / Н. М. Ройзин // Известия вузов. Радиоэлектроника. 1965. - Т. 8, №2.-С. 131.

96. Сергеев, В. А. Анализ и компьютерное моделирование неизотермического токораспределения в симметричных биполярных транзисторных структурах с дефектами / В. А. Сергеев, О. А. Дулов, А. А. Куликов // Известия вузов. Электроника. 2008. - № 3. - С. 67-71.

97. Сергеев, В. А. Аналитическая модель неизотермического распределения плотности мощности в структурах мощных биполярных транзисторов / В. А. Сергеев // Известия вузов. Электроника. 2005. — Вып. 3. - С. 22-28.

98. Сергеев, В. А. Контроль качества биполярных транзисторов по коэффициенту обратной связи / В. А. Сергеев, О. А. Дулов // Наука производству. Конверсия сегодня : тез. докл. науч.-практ. конф. Ульяновск : УлГТУ, 1997. -Ч. 1.-С. 55-56.

99. Сергеев, В. А. Контроль качества мощных транзисторов по тепло-физическим параметрам / В. А. Сергеев. Ульяновск : УлГТУ, 2000. - 253 с.

100. Сергеев, В. А. Методы и средства измерения тепловых параметров полупроводниковых приборов и интегральных схем / В. А. Сергеев // Электронная промышленность. 2004. - № 1. - С. 45-48.

101. Сергеев, В. А. Отбраковочные испытания в современной системе обеспечения качества изделий электронной техники / В. А. Сергеев // Научно-технический калейдоскоп. Сер. Метрология, сертификация и управление качеством. Ульяновск, 2000. - № 2. - С. 49-54.

102. Сергеев, В. А. Установка для измерения теплоэлектрических параметров мощных транзисторов / В. А. Сергеев, А. А. Широков, О. А. Дулов // Петербургский журнал электроники. 2002. - № 1. — С. 6-9.

103. Сергеев, В. А. Установка для контроля качества аналоговых интегральных схем / В. А. Сергеев, О. А. Дулов, А. А. Широков // Научно-технический калейдоскоп. Сер. Приборостроение, радиотехника и информационная техника. Ульяновск, 2000. - № 1. - С. 27-31.

104. Сергеев, В. А. Характеристики и особенности выборочных распределений мощных биполярных транзисторов по теплофизическим параметрам / В. А. Сергеев // Известия Самарского научного центра РАН. -2004. -Вып. 1.-С. 154-160.

105. Сердюк, Г. Б. Интегральная диагностика электрорадиоизделий по эффектам нелинейности : (обзор) / Г. Б. Сердюк // Автоматика и телемеханика. 1980. - № 12. - С. 132-156.

106. Сердюк, Г. Б. Электрофизические методы диагностирования в задачах управления качеством и надежностью / Г. Б. Сердюк, В. Г. Усатенко. -Киев : Знание, 1989.-24 с.

107. Синкевич, В. Ф. Физические основы обеспечения надежности мощных биполярных и полевых транзисторов / В. Ф. Синкевич // Электронная промышленность. 2003. - № 2. - С. 232-244.

108. Степаненко, И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем / И. П. Степаненко. Изд. 4-е, перераб. и доп. - М. : Энергия, 1977. -672 с.

109. Столярский, Э. Измерение параметров транзисторов : пер. с пол. / под ред. Ю. А. Каменецкого. М. : Сов. радио, 1976. - 288 с.

110. Установка для измерения тепло физических параметров мощных транзисторов УИТП-1МТ / В. А. Сергеев и др. // Электронная техника. Сер. 8, Управление качеством, стандартизация, метрология, испытания /ЦНИИ «Электроника». 1983.-Вып. 4.-С. 51-52.

111. Установка для измерения теплофизических параметров мощных транзисторов / В. А. Сергеев и др.. Ульяновск : ЦНТИ, 1983. - 4 с. - (Ин-форм. листок ; № 83-8).

112. Установка для измерения теплоэлектрических параметров мощных транзисторов / О. А. Дулов и др.. Ульяновск : ЦНТИ, 1985. - 4 с. - ( Ин-форм. листок ; № 85-26).

113. Установка для измерения теплоэлектрических параметров мощных транзисторов УИТЭП-1 / О. А. Дулов и др.. Ульяновск : ЦНТИ, 1985.5 с. (Информ. листок ; № 85-26).

114. Филиппов, Л. П. Методы периодического нагрева в теплофизиче-ском эксперименте / Л. П. Филиппов // Измерительная техника. 1980. -№5.-С. 45-47.

115. Чернышев, А. А. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем / А. А. Чернышев. М. : Радио и связь, 1988.-256 с.

116. Широков, А. А. Исследование токораспределения в биполярных транзисторах электрофлуктуационным методом / А. А. Широков, В. А. Сергеев, О. А. Дулов // Известия вузов. Электроника. 2006. - № 2. - С. 26-33.

117. Широков, А. А. Методика отбраковки потенциально ненадежных мощных транзисторов по значению среднего квадрата шумового напряжения

118. А. А. Широков // Электронная техника. Сер. 8, Управление качеством, метрология и стандартизация / ЦНИИ «Электроника». 1979. - Вып. 7. - С. 21-25.

119. Шум вида Iff в МОП транзисторах с разным типом проводимости канала при температурах 300 и 77 К / Г. П. Жигальский и др. // Известия вузов. Электроника. - 2007. - № 3. - С. 81-82.

120. Якимов, А. В. Источники фликкерных шумов в биполярном транзисторе / А. В. Якимов, Н. Н. Богословский // Известия вузов. Радиофизика. -1986. Т. 29, № 6. - С. 675-683.

121. Blackburn, D. L. Transient termal response measurements of power transistors / D. L. Blackburn, F. F Oettinger // IEEE Trans, on Industrial Electronics and Control Instrumentation. 1975. - V. 22, № 2. - P. 134-141.

122. Cismaru, С. High-Volume Low Frequency Noise Characterization Technique/ Cismaru C., Bandrook M., Zampardi P.J. //CS MANTECH Conference, May 14-17, 2007, Austin, Texas, USA. - P. 289-292.

123. Forbes, L. Experimental verification of the dependence of bipolar transistor flicker noise on power dissipation / Forbes L, Zhang C.W., Zhang B.L. // IEEE Trans, on Electron Devices. Vol. 49., Issue 5, 2002/- P. 945 - 947.

124. Hauser, J. R. The effects of distributed base potential on emitter current injection density and effective base resistance for stripe transistor geometries / J. R. Hauser // IEEE Transactions on Electron Devices. 1964. - V. ED-11, №5.-P. 237-242.

125. Hooge, F.N. Experimental Stadies on 1/f noise/ Hooge F.N., Kleinpen-ning T.G.M., Vandamme L.K.J. //Rep. Progr. Phys. 1981.-V.44.- №5.-P. 479-532.

126. Kim, Y.D. Noise Spectral Densty as a Diagnostic Tool for Reliability of p-n Junction / Kim Y.D., Misra R.P. // IEEE Transaction on Reliability. 1969. -№11.-P. 197-200.

127. Marmann, A. Reliability of Silicon Power Transistors / A. Marmann // Microelectronics and Reliabilities. 1976. - № 3. - P. 69-74.

128. McAlister, S. P. Self-heating in multi-emitter SiGe HBTs / S. P. McAl-ister, McKinnon, S. J. Kovacic, H. Lafonteine // Solid State Electronics. 2004. -Vol. 48, № 10/11.-P. 2001-2006.

129. Mueller, O. Thermal Feedback in Power Semiconductor Devices / O. Mueller, Jurgen Pest // IEEE Transactions on Electron Devices. 1970. -V. ED-17, № 9. - P. 770-782.

130. Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations// Proc. 14th International Conf./Ed. C. Claeys and E. Simoen. Leuven, Belgium, 14-18 July. -1991.- P. 587-592.

131. Shafft, H. A. Second breakdown in transistors / H. A. Shafft, J. G. French // IRE Trans. 1969. -V. ED-9, № 2. - P. 129-141.

132. Tornton, C.G. A new high current mode of transistor's operation / C.G. Tornton, C.D. Simmons // IRE Trans. 1958. -V. ED-5, № 1. - P. 6-10.

133. Ziel Van der, A. High-injection noise in transistors / A. Van der Ziel // Solid State Electron 1977.- V.20. - №8.- P. 515-720.