Схемотехника СВЧ - систем на кристалле с использованием кремниевых гетероструктурных биполярных транзисторов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, доктор технических наук Тимошенков, Валерий Петрович

• Тимошенков, Валерий Петрович
• доктор технических наук
• 2013

Оглавление диссертации доктор технических наук Тимошенков, Валерий Петрович

Общая характеристика работы

ГЛАВА 1. Методы исследования и передачи СВЧ широкополосных электрических сигналов 15 1.1 .Пути развития СВЧ полупроводниковой интегральной микроэлектроники;

СВЧ гетеропереходная полупроводниковая элементная база

1.2. Быстродействующие аналого-цифровые преобразователи

1.3.Устройства выборки мгновенного значения аналогового сигнала 22 1 АШирокополосные СВЧ усилители

1.5.Восстановление информации с помощью эквалайзера

1.6.СВЧ Сверхширокополосная радиосвязь

1.7.Выводы по главе 1.

ГЛАВА 2. Проектирование СВЧ элементов с использованием гетеропереходных транзисторов

2.1. Особенности гетеропереходного биполярного транзистора

2.2.Состояние и перспективы технологии кремниевых гетеропереходных биполярных транзисторов для СВЧ применений.

2.2.1. Возможности БИКМОП технологического процесса

2.2.2. Технология изготовления гетеропереходных транзисторов первого и второго поколения

2.2.3. Технологическая структура ГБТ третьего поколения и технология изготовления активных и пассивных компонентов

2.2.4. Пассивные компоненты

2.2.5. Технологические перспективы улучшения параметров гетеропереходных транзисторов

2.3.СВЧ линии передачи на кристалле ИМС диапазона ЮГГц и выше „

2.3.1. Внешние 50 омные соединения на основе 7 и 6 уровней метализации

2.3.2. Внутренние соединения на основе 7 и 6 уровня метализации 80 2.3.3 Внутренние короткие линии связи на основе 1.6 уровня метализации

2.4.3ащита интегральных 81Се БИКМОП микросхем от электростатического напряжения

2.4.1. Повреждения, вызываемые электростатическими разрядами

2.4.2. Схемотехнические методы электростатической защиты

2.4.3. Схемотехника блоков электростатической защиты

2.4.4. Электростатическая защита СВЧ трактов ввода/вывода

2.5. Проектирование CML масштабируемой библиотеки 103 2.5.1. Методика проектирования базовых логических элементов 103 2.5.2.Особенности применения библиотеки СВЧ элементов

2.5.3. Ограничения на выходной дифференциальный каскад

2.5.4. Ограничения на промежуточные каскады (библиотечные логические элементы)

2.5.5.Масштабирование библиотеки СВЧ элементов

2.5.6. Мультиплексирование и демультиплексирование СВЧ потоков данных на основе CML логических элементов

2.5.7. Линейные аналоговые блоки, основанные на дифференциальной структуре

2.5.8 Высокоскоростной каскодный усилитель и усилитель Черри -Купера

2.5.9.Специальные СВЧ блоки

2.5.10. Устойчивость СВЧ линейных устройств

2.6. Дифференциальный ввод/вывод и минимизация индуктивности ввода/вывода СВЧ сигнала

2.7. Выводы по главе

ГЛАВА 3.Методы стабилизации характеристик СВЧ ИМС на основе гетеропереходных транзисторов.

3.1.Введение. Источник опорного напряжения; распределение токов; распределение напряжений

3.2. Метод проектирование блоков, характеристики которых изменяются коррелированно с разбросом технологических параметров, питающих напряжений и температуры.

3.3. Метод проектирования блоков, параметры которых автоматически измеряются и подстраиваются при разбросе технологического процесса и вариации питающих напряжений и температуры.

3.4. Метод проектирования СВЧ ИМС, параметры которых подстраиваются с помощью цифро-аналоговых преобразователей

3.5. Встроенное самотестирование 142 3.5.1. Принципы проектирования BIST 142 3.5.2 PRB S для тестирования цифровых и аналоговых ИМС

3.6.Системное проектирование СВЧ ИМС

3.6.1. Система на кристалле и система в корпусе. 147 3.6.3. Последовательно - параллельный интерфейс.

3.7. Выводы по главе

ГЛАВА 4. Проектирование СВЧ широкополосных дифференциальных усилителей и дифференциальных усилителей-ограничителей для сверхскоростных систем передачи данных

4.1. Введение

4.2. Особенности проектирования СВЧ широкополосных и высокоинтегрированных дифференциальных усилителей на основе SiGe ГБТ

4.3. Основные параметры СВЧ широкополосных и высокоинтегрированных дифференциальных усилителей на основе SiGe ГБТ

4.3.1 Параметры СВЧ линейных широкополосных дифференциальных усилителей

4.4. СВЧ усилители-ограничители для оптических систем передачи информации

4.4.1 Усилитель ограничитель для оптических систем связи с полосой пропускания 25ГГц.

4.4.2. Высокоскоростные усилители с преобразованием кода

NRZ в коды NRZM и RZ

4.5. Проектирование СВЧ малошумящих усилителей

4.5.1Сверширокополосный от ЗГГц до 5ГГц двухканальный мал ошумящий усилитель '

4.5.2 Малошумящий двухканальный линейный усилитель и усилитель с АРУ с цифровым управлением для частот от 2 до бГГц

4.6. Выводы по главе

ГЛАВА 5. Восстановление СВЧ сигнала для кабельных и проводных линий связи. 201 5.1. Причины затухания сигнала в кабельных и проводных системах связи

5.2 Методы восстановления сверхширокополосных сигналов

5.2.1. Восстановление на основе заданного спектра тракта передачи

5.2.2. Восстановление на основе интегральной оценки формы сигнала

5.3 Реализация СВЧ активного эквалайзера

5.3.1. Структурная и электрические схемы устройства

5.3.2. Топологическое проектирование и экспериментальные исследования 211 5.4. Реализация СВЧ интегрального эквалайзера приемника и передатчика

5.4.1. Структурная схема и основные параметры блоков

5.4.2. Структурная и электрические схемы эквалайзера приемника

5.4.3. Структурные и электрические схемы эквалайзеров передатчика

5.4.4. Топологическое проектирование интегрального эквалайзера передатчика и приемника

5.4.5. Исследование параметров эквалайзера передатчика и приемника 222 5.5. Выводы по главе

ГЛАВА б.Проектирование СВЧ АЦП

6.1 .Структурные схемы СВЧ АЦП

6.2. Предельное быстродействие АЦП прямого взвешивания flash ADC) АЦП конвейерного типа

6.2.1. Оценка быстродействия АЦП прямого взвешивания

6.2.2. Оценка быстродействия АЦП конвейерного типа

6.2.3.Влияние напряжения входного сигнала на время переключения компаратора

6.3. Аналого-цифровые преобразователи прямого взвешивания для СВЧ диапазона

6.3.1. Структурные и электрические схемы реальных АЦП прямого взвешивания с распараллеливанием данных на 4 канала

6.3.2. Апертурная погрешность (джиттер) стробируемого компаратора в результате ошибки квантования и дискретизации.

6.4. Структурные и электрические схемы реальных АЦП конвейерного типа

6.5. Проектирование устройств выборки и хранения

6.5.1. Принципы проектирования ИМС УВХ

6.5.2. Схемотехника блоков УВХ на основе кремниевой

БиКМОП ГБТ технологии

6.5.3. Влияние параметров управляющих сигналов на полосу пропускания и коэффициент передачи УВХ

6.5.4. Влияние параметров управляющих сигналов на коэффициент передачи УВХ

6.5.5. Погрешности УВХ

6.5.6. Шумовые характеристики УВХ

6.5.7. Примеры проектирования УВХ для СВЧ АЦП на SiGe ГБТ

6.6. Топологическое проектирование СВЧ АЦП

6.7. Выводы по главе

ГЛАВА 7. Проектирования СВЧ сверхширокополосного приемопередатчика для радиоканала на SiGe ГБТ на основе принципов системы на кристалле

7.1. Особенности сверхширокополосной системы связи

7.2. Обобщеннная структура UWB системы связи, построенная по принципу SoC

7.3. Структурная схема интегрального UWB трансивера

7.4. Интерфейс трансивера с цифровым устройством

7.5. UWB передатчик

7.6. UWB приемник

7.6.1. Распределение усиления

7.6.2. Синфазное сложение сигналов от двух антенн

7.6.3. Усилитель с автоматической регулировкой усиления

7.7. Проектирование синтезатора частот

7.7.1. Синтезатор частот приемника и передатчика

7.7.2 Схема фазовой автоподстройки частоты

7.7.3. Кварцевый генератор опорной частоты

7.8. Общие вопросы проектирования UWB трансивера

7.9. Топологическое проектирование UWB трансивера

7.10. Экспериментальные исследования UWB трансивера

7.11. Выводы по главе 7 301 Заключение 303 Список используемой литературы 309 Приложение 1 Оценки верхней граничной частоты для процесса SBC18 компании Tower-Jazz Semiconductor (транзистор с площадью эмиттера 10,16x0,18 мкм) 333 Приложение 2 Шумовые характеристики биполярного транзистора 333 Приложение 3 Зависимость крутизны ГБТ транзисторов (процесс IBM8HP) 337 Приложение 4 Расчет передаточного сопротивления каскада Черри-Купера 344 Приложение 5 Минимизация шума в усилителях 345 Приложение 6 Расчет проходного сопротивления проходного ключа 352 Приложение 7 Расчет переключения генератора стробимпульсов на основе SiGe ГБТ 353 Приложение 8 Передаточная функция цепи заряда накопительного конденсатора через ключевой блок на/? и п канальных МОП транзисторах в проходном ключе

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Схемотехника СВЧ - систем на кристалле с использованием кремниевых гетероструктурных биполярных транзисторов»

Актуальность исследований. Твердотельная СВЧ электроника в последнее десятилетие быстро развивается. Это обусловлено совершенствованием существующих технологий, в основном базирующихся на арсениде галлия, и развитием новых, таких как гетероструктурные биполярные транзисторы на GaAs, GalnP и SiGe.

До 1990 основным материалом цифровых и аналоговых сверхбыстродействующих интегральных микросхем в мире был арсенид галлия. Существенным недостатком арсенид-галлиевой технологии является ее высокая себестоимость по сравнению с кремниевой.

Во второй половине 1990-х годов промышленно освоены гетероструктурные биполярные транзисторы (ГБТ) на основе кремния с гетероструктурной базой, легированной германием. Быстрое уменьшение как горизонтальных размеров транзисторов (минимальный размер эмиттерного контакта Le=0,13 мкм) так и вертикальных размеров (толщина базы 20-40 нм) определило доминирование кремний - германиевых ГБТ на потребительском рынке СВЧ интегральных микросхем для систем беспроводной связи, а также СВЧ оптической и кабельной телекоммуникации. В настоящее время технология гетероструктурных биполярных транзисторов для систем связи и микропроцессоров с повышенной тактовой частотой стремительно развивается компаниями IBM, Intel, Jazz Tower Semiconductor, Motorola, Conexant (США), НкасЫ(Япония), IHP, Philips (Европа).

Наряду с успехами в разработке технологии и конструкции ГБТ существуют проблемы их применения, к которым относятся:

• высокая плотность коллекторного тока, приводящая к насыщению дрейфовой скорости носителей;

• саморазогрев гетероструктурных биполярных транзисторов, формирующий электротермическую обратную связь, что может привести к нестабильной работе усилительных элементов;

• низкие пробивные напряжения гетероструктурных биполярных транзисторов, приводящие к ограничению амплитуды выходного сигнала;

• зависимость статических и динамических параметров транзистора от разброса параметров технологического процесса и температуры;

• влияние подложки на высокой частоте.

Значительный интерес представляет использование ГБТ и КМОП транзисторов в едином технологическом процессе. Это обусловлено возможностями наиболее плотной упаковки компонентов для КМОП схем, и высокими частотными и усилительными характеристиками гетероструктурных транзисторов, что позволяет достичь высоких параметров по критерию цена/качество.

На основе комплементарных полевых транзисторов активно развивается схемотехника сверх больших интегральных схем, получивших название «система на кристалле» (СНК). Система на кристалле - сложное, многофункциональное интегральное устройство, обладающее интеллектуальной способностью. Под интеллектуальной способностью подразумевается способность к программированию, настраиванию, тестированию и так далее. В настоящее время быстродействие ИМС на основе СНК ограничено быстродействием КМОП компонентов и не превышает нескольких гигагерц.

Развитие схемотехники СНК в СВЧ диапазоне ограничено следующими проблемами: • проблемой адаптивной коррекции статических и динамических параметров блоков из-за недетерминированных внешних нагрузок, зависящих от внешних параметров (температуры, зависимости линий связи от частоты, технологического разброса);

• трудностью в реализации линейных устройств на основе скоростной КМОП элементной базы с наноразмерными элементами в силу резкого падения выходного сопротивления МОП - транзисторов в СВЧ диапазоне;

• проблемой совместного использования гетероструктурных компонентов и КМОП элементной базы в рамках СНК;

• отсутствием единого подхода в самотестировании аналоговых и цифровых блоков СНК.

Таким образом, актуальность темы диссертационной работы обусловлена необходимостью разработки научных основ и методологии проектирования СВЧ сверхширокополосных устройств на гетероструктурной элементной базе совместно с традиционными активными компонентами ИМС на основе комплементарных полевых транзисторов.

Цель работы заключается в разработке научных основ схемотехники сверхбыстродействующих систем на кристалле с использованием БЮе гетероструктурных компонентов интегральных микросхем, выполненных по нанотехнологии, как метода создания устройств приема, передачи, измерения и обработки СВЧ аналоговой и цифровой информации.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:

• провести анализ существующих сверхбыстродействующих систем на кристалле, использующих 810е гетероструктурные компоненты;

• разработать концепцию применения СВЧ гетероструктурной элементной базы для сложных систем на кристалле в устройствах приема, передачи, измерения и обработки СВЧ аналоговой и цифровой информации совместно с традиционными КМОП схемами, основанную на использовании цифровых методов управления для адаптивной подстройки статических и динамических параметров блоков в случае недетерминированных внешних нагрузок и аналоговых систем с обратной связью для детерминированных нагрузок;

• разработать методику выбора научно-обоснованных режимов работы схем на основе

БиКМОП технологии, включающей гетероструктурные биполярные транзисторы;

• разработать правила применения цифро-аналогового и аналого-цифрового интегрального интерфейса для формирования заданных параметров блоков на основе ГБТ для управления и измерения СВЧ аналоговой и цифровой информации, а также самотестирования;

• разработать методологию электростатической защиты СВЧ входных и выходных выводов, гальванически развязанных общих шин и шин питания для ИМС, содержащих гетероструктурные биполярные и КМОП транзисторы;

• разработать масштабируемую по быстродействию и потребляемой мощности библиотеку СВЧ аналоговых и цифровых элементов;

• разработать методы стабилизации характеристик СВЧ блоков на основе ГБТ для детерминированных нагрузок, основанных па способности опорного источника коррелированно отслеживать технологический разброс параметров, а также с помощью дополнительных цифро-аналоговых преобразователей и дополнительных источников тока измерять и подстраивать опорное напряжение;

• разработать методику восстановления СВЧ информации, передаваемой по СВЧ кабельным и проводным сетям, для предварительной и последующей адаптивной эквализации сигнала;

• показать эффективность разработанных методик и принципов для решения конкретных задач по приему, передаче, измерению и обработки СВЧ аналоговой и цифровой информации.

Научная новизна результатов, полученных в диссертационной работе, заключается в следующем:

1. Разработана концепция применения СВЧ гетероструктурной элементной базы для сложных систем на кристалле в устройствах приема, передачи, измерения и обработки СВЧ аналоговой и цифровой информации совместно с традиционными КМОП схемами, основанная на использовании цифровых методов управления для адаптивной подстройки статических и динамических параметров блоков в случае недетерминированных внешних нагрузок и аналоговых систем с обратной связью для детерминированных нагрузок.

2. Разработана методология электростатической защиты СВЧ входных и выходных выводов, гальванически развязанных нулевых шин и шин питания для ИМС, содержащих гетероструктурные биполярные и КМОП транзисторы, основанная на использовании резонансного эффекта связанной интегральной индуктивности и емкости диодов электростатической защиты.

3. Предложен метод встроенного тестирования полосы пропускания для СВЧ цифровых и аналоговых блоков, использующий ГБТ и КМОП элементную базу на основе применения генератора псевдослучайной последовательности.

4. Разработана методика ввода/вывода СВЧ сигнала, обеспечиваемая комплексом технических решений, включающая применение интегральных связанных микрополосковых и копланарных СВЧ линий, а также дифференциального ввода/вывода сигнала, снижающего индуктивность за счет взаимоиндукции, позволяющая расширить полосу пропускания, повысить помехоустойчивость и улучшить развязку между входом и выходом.

5. Показано, что при условии недетерминированных нагрузок и разнородной БиКМОП элементной базы невозможно обеспечить автоматическую коррекцию статических и динамических параметров СВЧ блоков только на основе источников опорного напряжения. Разработаны методы стабилизации характеристик СВЧ блоков, использующие ГБТ и КМОП транзисторы, основанные на применении опорного источника, а также дополнительного цифро-аналогового интерфейса и дополнительных управляемых источников тока, позволяющих управлять режимами транзисторов.

6. Разработаны методы восстановления СВЧ информации, передаваемой по сверхширокополоспым кабельным и проводным СВЧ сетям, отличающаяся цифровым управлением для предварительной и последующей адаптивной эквализации сигнала и цифровым управлением усиления.

7. Разработаны оригинальные схемотехнические решения, реализованные в ИМС на основе ГБТ, работающие в частотном диапазоне от 3 до 48 ГГц для приема, передачи, обработки и измерения СВЧ аналоговой и цифровой информации, защищенные патентами.

Практическая значимость работы

1. Разработанный в диссертации научный подход к применению СВЧ гетероструктурных биполярных транзисторов совместно с транзисторами на основе КМОП компонентов, дает возможность успешно реализовывать сложные СВЧ интегральные системы на кристалле. Применение кремниевой гетероструктурной базы позволяет реализовать СВЧ СНК с высокими техническими параметрами по скорости передачи данных до 1 ГГц.

2. Применение разработанных рекомендаций, технических решений и методик проектирования создает предпосылки для повышения функциональности устройств на гетероструктурных и КМОП компонентах. Для аналого-цифровой обработки и измерения СВЧ сигналов это выражается в повышении частоты сигнала до 24 ГГц и тактовой частоты до 48 ГГц при разрядности 6 бит или в повышении разрядности до 8 - 9 бит при частоте сигнала 6 ГГц и тактовой частоты 12 ГГц. Для устройств приема и передачи СВЧ радиосигналов это выражается в повышении чувствительности в диапазоне частот 3-12 ГГц. Для устройств передачи и приема сигналов в оптических и кабельных сетях повышается полоса пропускания до 25 - ЗОГГц.

3. Предложенные методики проектирования и новые технические решения использовались при разработке следующих ИМС: 9 разрядного АЦП с эффективной тактовой частотой 12 ГГц; приемопередатчика для сверхширокополосной системы связи в диапазоне 3 — 6 ГГц; комплекта малошумящих усилителей (ТМР<2 дБ) и усилителей с автоматической цифровой регулировкой усиления (Лу=4.50 дБ) в диапазоне 3-6 ГГц; комплекта усилителей мощности совместно с устройством эквализации с цифровым управлением и выходной мощностью до 20 - 22 дБм и полосой пропускания 3 - бГГц; комплекта ИМС преобразователей кодов, усилителей - ограничителей и выходных усилителей для оптических SONET сетей со скоростью передачи до 12,5 Гб/с. 4. Спроектирован и подготовлен набор сверхширокополосных схем в диапазоне от 3 до 5 ГГц, для радиоприменений, используемый в продукции компании Pulse" Link, основанный на использовании БиКМОП SiGe ГБТ, включающий:

• малошумящий усилитель PLK3110;

• приемопередатчик PLK3120;

• усилитель мощности для кабельных сетей с активным и пассивным эквалайзером PLK3111.

Практическая значимость работы подтверждается использованием набора SiGe БиКМОП микросхем компании Pulse~link, а также внедрением схемотехнических решений на ряде российских предприятий радиоэлектронной и авиационной промышленности, в частности ОАО МНПК «Авионика», НПП «Радар - ММС» в НИОКР «МСТ-1.3», «База МСТ». Положения, выносимые на защиту:

Автор защищает новое научное направление - проектирование СВЧ систем на кристалле с использованием гетероструктурных биполярных транзисторов, основными положениями которого являются:

1. Концепция применения СВЧ гетероструктурной элементной базы для сложных систем на кристалле в устройствах приема, передачи, измерения и обработки СВЧ аналоговой и цифровой информации основана на использовании цифровых методов управления для адаптивной подстройки статических и динамических параметров блоков в случае недетерминированных внешних нагрузок и аналоговых систем с обратной связью для детерминированных нагрузок. Концепция базируется на следующих совокупных принципах:

• принцип интеллектуальной способности, обеспеченный возможностью цифрового перепрограммирования, настройки, тестирования функционально важных СВЧ блоков с помощью дополнительных аналого-цифровых сервисных устройств, включенных в состав ИМС;

• принцип применения СВЧ архитектуры, обеспеченный комплексом схемотехнических решений, СВЧ топологической конфигурацией функциональных блоков, а также СВЧ конфигурацией входных, выходных и внутренних трактов передачи сигнала;

12

• принцип многофункциональности, достигаемый за счет возможностей элементной базы создавать разнообразные высокоэффективные аналоговые и цифровые блоки и применения КМОП программируемого интерфейса, совместимого с типовыми управляющими блоками.

2. Методология электростатической защиты СВЧ входных и выходных выводов, гальванически развязанных нулевых шин и шин питания для ИМС, содержащих гетероструктурные биполярные и КМОП транзисторы, основана на использовании резонансного эффекта связанной интегральной индуктивности и емкости диодов электростатической защиты, а также применении комплекса конструктивных методов ввода/вывода СВЧ сигнала, использующих интегральные связанные микрополосковые и копланарные СВЧ линии.

3. Применение SiGe гетероструктурных биполярных и КМОП транзисторов в системах на кристалле требует управления режимами работы транзисторов для обеспечения оптимальных плотностей токов и оптимальных нагрузок при работе в СВЧ диапазоне. Это предотвращает нежелательные эффекты саморазогрева, низких пробивных напряжений, а также снижает влияние разброса технологических параметров.

4. СВЧ информация, передаваемая по сверхширокополосным кабельным и проводным сетям, может быть восстановлена до низкочастотного эталона посредством цифрового управления адаптивной эквализацией сигнала в приемнике и передатчике, а также цифрового управления усилением.

Личный вклад автора. Результаты, изложенные в диссертации получены лично автором. Некоторые технические решения созданы в соавторстве с коллегами при решении совместных задач. Личный вклад автора включает формулировку целей и задач исследования, выбор путей их решения, выбор методик исследования, проведение измерений и обработку материалов. Основная часть материалов статей написана лично автором, совместные работы напечатаны после обсуждения с соавторами.

Апробация работы.

Основные результаты исследований, изложенные в диссертации, и ее научные положения докладывались на российских и международных конференциях, совещаниях и семинарах: III отраслевой НТК. "Генерирование, формирование и применение импульсных сигналов", Экое, г.Вильнюс, 1985; Всесоюзной НТК (5 Координационное совещание) "Исследование и

13 разработка перспективных ИС памяти", Москва, 1986; V Всесоюзная НТК "Осциллографические методы измерений", Вильнюс, 1986; Республиканской конференции "Развитие технических наук в республике, пути и способы исследования их результатов", Физическая электроника. Каунас, 1987; XII "Всесоюзной конференции по микроэлектронике", Тбилиси, 1987; Отраслевой НТК "Проблемы развития полупроводниковых ИС на основе арсенида галлия", Москва, 1988; VII Международной конференции по микроэлектронике "Microelectronics-90", 1990, Минск; Международной конференции RLCNC-2008 "Радиолокация навигация связь", Воронеж 2008; Международной конференции "Микроэлектроника и наноинженерия" Москва 2008; Международной научно -технической конференции "Проектирование систем на кристалле: тенденции развития и проблемы", Москва, 2010.

Публикации.

Всего по тематике исследований автором опубликовано 46 работ, в том числе 20 статей, 7 патентов на изобретение, 1 заявка на патент, 16 тезисов докладов, учебное пособие, монография. Основные положения диссертационного исследования полностью представлены в опубликованных работах. Список основных работ приведен в конце автореферата.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, семи глав, заключения, списка литературы из 298 наименований, и 9 приложений. В приложениях приведены некоторые математические выкладки, акты внедрения результатов диссертационной работы. Содержание работы изложено на 359 страницах, из них 221 страница основной текст, 240 рисунков, 62 таблицы, список литературы и приложения на 49 страницах.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Тимошенков, Валерий Петрович

7.11 Выводы по главе 7

1. Элементная база на основе кремниевых гетеропереходнов транзисторах имеет большие перспективы для создания высокоскоростных радиопередающих устройств вплоть до рабочих частот 40-50ГГц.

2. При наличии КМОП компонентов в технологическом процессе облегчается проектирование удобного, малопотребляющего интерфейса, что существенно снижает стоимость изготовления ИМС.

3. В разработанном трансивере реализован принцип создания СВЧ системы на кристалле (СНК). Разработать! требования и сформулированы принципы проектирования к СВЧ СНК, для приема и передачи сверхскоростной информации.

4. Разработанное устройство работает в частотном диапазоне от ЗГГц до 5ГГц, используя ВРБК принцип модуляции. Предложенный кристалл приемопередатчика обладает высокими характеристиками по чувствительности и величине фазового шума систем ФАПЧ как приемника, так и передатчика. Результаты моделирования на ЭВМ полностью подтверждаются результатами измерений.

4. Разработанный трансивер имеет следующие основные параметры: мощность BPSK сигнала передатчика составляет 0 дБм (бООмВ pear to peak на 50-омной нагрузке) Глубина вариации выходной мощности составляет 20 дБ ослабление частоты модуляции составляет 47,2дБ; входная частота 2 битного LVDS сигнала передатчика 675 МГц; фазовый шум передатчика при отстройке 1МГц -103,67 дБс/Гц; полоса пропускания приемного тракта передатчика не хуже ЗГГц.6ГГц; шум входного усилителяприемника не более 3 дБ; чувствительность приемника не хуже -97дБм; фазовый шум приемника при отстройке 1 МГц составляет -102.75 дБс/Гц; выходная частота 16 битного LVDS сигнала передатчика 675 МГц; выходные уровни LVDS приемника U"1 =1,5 В, U"0 =1,5 В.

Заключение

Основным результатом работы является разработка научных основ схемотехники сверхбыстродействующей системы на кристалле с использованием гетероструктурных компонентов интегральных микросхем, выполненных по нанотехнологии как метода создания устройств приема, передачи, измерения и обработки СВЧ аналоговых и цифровых сигналов.

В процессе работы над диссертацией получены следующие результаты. 1. Разработана и исследована концепция применения СВЧ гетероструктурной элементной базы для сложных систем на кристалле в устройствах приема, передачи, измерения и обработки СВЧ аналоговой и цифровой информации совместно с традиционными КМОП схемами, основанная на использовании цифровых методов управления для адаптивной подстройки статических и динамических параметров блоков в случае недетерминированных внешних нагрузок и аналоговых систем с обратной связью для детерминированных нагрузок.

2. Разработана методология электростатической защиты СВЧ входных и выходных выводов, гальванически развязанных нулевых шин и шин питания для ИМС, содержащей гетероструктурные биполярные и КМОП транзисторы, основанная на использовании резонансного эффекта связанной интегральной индуктивности и емкости диодов электростатической защиты.

3. Предложен метод встроенного тестирования полосы пропускания для СВЧ цифровых и аналоговых блоков, использующий ГБТ и КМОП элементную базу на основе применения генератора псевдослучайной последовательности.

4. Разработана методика ввода/вывода СВЧ сигнала, обеспечиваемая комплексом технических решений, включающая применение интегральных связанных микрополосковых и копланарных СВЧ линий, а также дифференциального ввода/вывода сигнала, снижающего индуктивность за счет взаимоиндукции, позволяющая расширить полосу пропускания, повысить помехоустойчивость, и улучшить развязку между входом и выходом.

5. Показано, что при условии недетерминированных нагрузок и разнородной БиКМОП элементной базы невозможно обеспечить автоматическую коррекцию статических и динамических параметров СВЧ блоков только на основе источников опорного напряжения. Разработаны методы стабилизации характеристик СВЧ блоков, использующие ГБТ и КМОП транзисторы, основанные на применении опорного источника, а также дополнительного цифроаналогового интерфейса и дополнительных управляемых источников тока, позволяющих управлять режимами транзисторов.

6. Разработана методика восстановления СВЧ информации, передаваемой по сверхширокополосным кабельным и проводным СВЧ сетям, отличающаяся цифровым управлением для предварительной и последующей адаптивной эквализации сигнала и цифровым управлением усиления. 7. Показаны конкретные примеры схемотехнических решений, реализованные в ИМС на основе ГБТ, работающие в частотном диапазоне от 3 до 48 ГГц для приема, передачи, обработки и измерения СВЧ аналоговой и цифровой информации, защищенные патентами.

Разработанные методики и принципы применены для решения конкретных задач по приему, передачи, измерению и обработки СВЧ аналоговой и цифровой информации компаниями Multi-Link, Pulse-Link, а также российскими компаниями ОАО МНПК «Авионика», НПП «Радар - ММС». В процессе проектирования предложены новые технические решения, которые использовались при разработке следующих ИМС: 9 разрядного АЦП с эффективной тактовой частотой 12 ГГц; приемопередатчика для сверхширокополосной системы связи в диапазоне 3-6 ГГц; комплекта малошумящих усилителей (NF<2flB) и усилителей с автоматической цифровой регулировкой усиления (Аи=4 - 50 дБ) в диапазоне 3.-.6 ГГц; комплекта усилителей мощности совместно с устройством эквализации с цифровым управлением, выходной мощностью до 20 - 22 дБм и полосой пропускания 3-6 ГГц; комплекта ИМС - преобразователей кодов, усилителей ограничителей и выходных усилителей для оптических SONET - сетей со скоростью передачи до 12,5 Гбит/с.

Таким образом, в результате проведенных исследований разработан комплекс научно-технических решений в области схемотехники и системотехники гетероструктурных компонентов интегральных микросхем, обеспечивающий решение проблемы создания СВЧ систем на кристалле. Разработанные методы и методики, а также оригинальные схемные решения позволили получить высокие частотные, усилительные и шумовые характеристики цифровых, аналоговых и цифроаналоговых устройств.

ОСНОВНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

1. Козлов А.Т., Старосельский В.И., Суэтинов В.И.,Тимошенков В.П. Исследование ИС стробоскопического смесителя // Микроэлектроника, - 1983, №3. - С.273-277.

2. Широкополосный стробоскопический преобразователь, Тимошенков В.П. Старосельский В.И. Суэтинов В.И., и др. // Патент №953575, - 1981.

3. Стробоскопический преобразователь электрических сигналов. Козлов А.Т., Старосельский

B.И., Суэтинов В.И.Тимошенков В.П. // Патент №1239607. - 1986.

4. Широкополосный усилитель. Старосельский В.И. Суэтинов В.И. Кравченко Л.Н Тимошенков В.П. // Патент №12398337. - 1984

5. Старосельский В.И. Суэтинов В.И. Тимошенков В.П. Конструкции входных устройств стробоскопических осциллографов // Сб. материалов 3 отраслевой НТ. «Генерирование, формирование и применение импульсных сигналов». (Вильнюс, 1985). — 1985 - С. 125-126.

6. Суэтинов В.И. Тимошенков В.П. Влияние потенциала подложки на статические и динамические характеристики ИМС на арсениде галлия // Сб. материалов Всесоюзной НТК (5 Координационное совещание) «Исследование и разработка перспективных ИС памяти». (Москва, 1986). - 1986 - С.26-27.

7. Кравченко Л.Н. Старосельский В.И. Суэтинов В.И. Тимошенков В.П. Сверхширокополосный интегральный смеситель на основе арсенида галлия // Сб. материалов 5 Всесоюзной НТК. «Осциллографические методы измерений». (Вильнюс, 1986). - 1986 - С.187-188.

8. Козлов А.Т., Старосельский В.И., Суэтинов В.И.Тимошенков В.П. Интегральная микросхема стробсмесителя с высокой частотой стробирования // Сб. материалов 5 Всесоюзной НТК. «Осциллографические методы измерений». (Вильнюс, 1986). - 1986

C.188-189.

9. Старосельский В.И. Суэтинов В.И. Тимошенков В.П. Широкополосный СВЧ усилитель на основе арсенида галлия // Сб. материалов 5 Всесоюзной НТК «Осциллографические методы измерений». (Вильнюс 1986). - 1986 - С. 189-190.

10. Тимошенков В.П Хлыбов А.И. Влияние потенциала подложки на статические и динамические характеристики ИМС на арсениде галлия // Сб. науч. тр. / Под ред. Королева М.А.- Вопросы технологии изготовления и проектирования ИМС памяти: Москва, МИЭТ, — 1986. - С.38-46.

11. Старосельский В.И. Суэтинов В.И. Григас Г. Тимошенков В.П. Анализ схем компараторов на основе арсенида галлия // Сб. материалов республиканской конференции. «Развитие технических наук в республике, пути и способы исследования их результатов. Физическая электроника» (Каунас, 1987). - 1987 - С.41.

12. Суэтинов В.И. Гайдне Р. Тимошенков В.П. Генератор перепада на арсениде галлия для осциллографической аппаратуры // Сб. материалов республиканской конференции. «Развитие технических наук в республике, пути и способы исследования их результаты. Физическая электроника» (Каунас, 1987). - 1987 - С.42-43.

13. Суэтинов В.И Тимошенков В.П. Интегральные схемы на арсениде галлия для измерительной аппаратуры // Сб. материалов 12 Всесоюзной конференции по микроэлектронике (Тбилиси, 1987). -1987-4.5. - С.177-178.

14. Суэтинов В.И. Гайдне Р Тимошенков В.П. Интегральная схема стробсмесителя на основе арсенида галлия // Материалы отраслевой НТК. «Проблемы развития полупроводниковых ИС на основе арсенида галлия» (Москва, 1988). - 1988 - С. 124.

15. Старосельский В.И. Суэтинов В.И Тимошенков В.П. Сверхскоростные ИМС УВХ на основе арсенида галлия // Материалы отраслевой НТК. «Проблемы развития полупроводниковых ИС на основе арсенида галлия» (Москва, 1988) - 1988. С.125.

16. Старосельский В.И. Суэтинов В.И. Тимошенков В.П. ИМС широкополосных усилителей на основе арсенида галлия. // Материалы отраслевой НТК. «Проблемы развития полупроводниковых ИС на основе арсенида галлия» (Москва, 1988) - 1988. С.126.

17. Компаратор Старосельский В.И. Суэтинов В.И. Киселев А.Г. Аулас A.A. Тимошенков В.П. // Патент. №1487164, БИ №22. -1986

18. Статический D триггер с парафазным управлением Тимошенков В.П Старосельский В.И Суэтинов В.И. и др. // Патент №1529418 БИ №46 - 1989.

19. Устройство выборки и хранения. Старосельский В.И. Суэтинов В.И. Вишневский В.Н Тимошенков В.П. //Патент №1612324, БИ №45.- 1990.

20. Многоканальное стробирующее устройство Старосельский В.И. Суэтинов В.И. Вишневский В.Н Тимошенков В.П. // Патент №1688171.-1991

21. Тимошенков В.П Старосельский В.И. Суэтинов В.И и др. УВХ с частотой дискретизации 1 ГГц. // Сборник материалов 7 международной конференции по микроэлектронике (Минск, 1990). 1990.- Т.2. - С.232.

22. A dual bridge 6 Gs/s track and hold circuit in Al/Ga/As/ Ga/As/ Al/Ga/As HEMT technology/ V.Timoshenkov E.Busheri, V.Bratov, et al. // Electron. Letter. - 1998, V.34, № 10. - P.934.

23. Ultra-low power source coupled FET logic gate configuration in GaAs MESFET technology/ V.Timoshenkov, V. Bratov, V.Staroselski, T.Schlichter, et al. // Electron. Lett., - 2000, V.36, № 1. -P.36-38.

24. Тимошенков В.П., Миндеева A.A., Кобзев Ю.М // Сборник лабораторных работ по элементной базе систем связи. Под ред. Тимошенкова В.П . -М.: МИЭТ, 1998 г. -С.56

25. Тимошенков В.П. Старосельский В.И. и др. Проектирование элементной базы арсенид-галлиевых БИС БМК // Электронная промышленность. - 1995.- № 5. - С.125-129.

26. Тимошенков В.П. Интегральная схема синхронизатора на арсенид- галлиевых гетеропереходных транзисторах // Оборонный комплекс- научно-техническому прогрессу России.-2006, - N2. - С.41-44.

27. Тимошенков В.П. Расчет индуктивности корпуса для СВЧ интегральных микросхем // Известия вузов. Электроника. - 2006. N4- С.14-18.

28. Тимошенков В.П. Состояние и перспективы развития технологии кремниевых гетеропереходных биполярных транзисторов для СВЧ применений // Известия вузов. Электроника.- 2006. N5. - С. 16-19.

29.Тимошенков В.П Усилитель ограничитель для скорости передачи данных 25 Гбит/с // Радиотехника и электроника.- 2007, - Т.52, №6. - С.760-765.

30. Тимошенков В.П. Интегральные схемы усилителя ограничителя и синхронизатора на основе гетеропереходных арсенид-галлиевых транзисторов // Радиотехника и электроника. -2007, - Т.52,№7, - С.888-896.

31. Новожилов В.Е Тимошенков В.П. Высокоскоростное преобразование кода NRZ в код RZ // Оборонный комплекс- научно-техническому прогрессу России.-2007. N2. - С.73-80.

32. Братов В.А., Тимошенков В.П. Преобразователь кодов NRZ в NRZM на арсенидгаллиевых гетеропереходных биполярных транзисторах // Известия вузов. Электроника. - 2008, N1. - С.26-36.

33. Тимошенков В.П. Сверширокополосный от 3 ГГц до 5 ГГц двухканальный малошумящий усилитель на гетеропереходных биполярных транзисторах // Материалы международной конференции RLCNC - 2008 Радиолокация навигация связь (Воронеж 2008). -2008 С.117.

34. Тимошенков В.П. Эквалайзер электрических сигналов гигагерцового диапазона на основе гетеропереходных биполярных транзисторах // Материалы международной конференции «Микроэлектроника и нано-инженирия» (Москва, 2008).- 2008. - С.169-170.

35. Новожилов В.Е Тимошенков В.П.Интегральный сверхширокополосный трансивер гигагерцового диапазона // Материалы международной конференции «Микроэлектроника и нано-инженирия» (Москва, 2008).- 2008 - С. 171-172.

36. V. Bratov V. Timoshenkov NRZ to NRZM Code Converter Base on Gallium-Arsenide Heterojunction Transistor // Semiconductors. - 2008,-Vol42. No.13. - P.1545-1551.

37. Тимошенков В.П. Сверхширокополосный трансивер гигарерцового диапазона на SiGe транзисторах // Известия вузов. Электроника. - 2010, N3(83). - С.20-26.

38. Тимошенков В.П. Интегральный эквалайзер гигарцового диапазона на гетеропереходных биполярных транзисторах // Известия вузов. Электроника. - 2010, N4(83). - С.20-27.

39. Тимошенков В.П. Защита SiGe БИКМОП микросхем, построенных по принципу «Система на кристалле» от электростатического напряжения. Проектирование систем на кристалле: тенденции развития и проблемы // Междунар. науч.техн. конф. с элементами научной школы для молодежи: Тез. докл. -М.:МИЭТ, 2010. - С.72.

40. Тимошенков В.П. СНК СВЧ трансивер на основе SiGe технологии Проектирование систем на кристалле: тенденции развития и проблемы // Междунар. науч.техн. конф. с элементами научной школы для молодежи: Тез. докл. -М.:МИЭТ, 2010. - С.61.

41. Timoshenkov V. P. Ultrawide-Band Gigahertz-Range Transceiver Based on SiGe Transistors // Semiconductors.- 2011, Vol. 45, No. 13. P.1661-1669.

42. Timoshenkov V. P. An Integrated Equalizer of the Gigahertz Range Based on Heterojunction Bipolar Transistors // Russian Microelectronics/ - 2011, Vol. 40, No. 7 / - P.446-452.

43. Тимошенков В.П. Тимошенков A.C. Шалимов A.C. Восстановление импульсных сигналов в кабельных линиях связи // Инженерный вестник Дона.-2012. - №4 (часть 2).

URL: http://www.ivdon.m/magazine/archive/n4p2v2012/1330 (дата обращения 17.06.1913)

44. Тимошенков В.П. Кремниевые биполярные гетероструктуры и проектирование СВЧ интегральных схем на их основе, кн. Нанотехнологии в электронике / Под ред. Чаплыгина Ю. -М.: РИЦ Техносфера, 2013. - С.592-668.

45. Тимошенков В.П. Балака Е. С. Быстродействующие аналого-цифровые преобразователи на основе гетеропереходных биполярных транзисторов // Научное обозрение. 2013, - №1 — С.112-118

46. Тимошенков В.П. Тимошенков A.C. Чаплыгин Ю.А Устройство защиты выводов микросхемы от электростатического разряда // Заявка на патент. №2012157136. - 2012

Список литературы диссертационного исследования доктор технических наук Тимошенков, Валерий Петрович, 2013 год

1. J. Dunn D. Ahlgren D. Coolbaugh et al Foundation of RF CMOS and SiGe BiCMOS technologies IBM J. RES. & DEV. VOL. 47 NO. 2/3 MARCH/MAY 2003 p.101. 138

2. Петросянц К О. Торговников Р. А. Особенности моделирования SiGe гетеропереходного биполярного транзистора // Известия вузов. Электроника, 2009. - №2. (76) - стр.30-34;.

3. Шахнович И. Твердотельные СВЧ-приборы и технологии. Состояние и перспективы.-ЭЛЕКТРОНИКА:НТБ, 2005, №5, с.58-64

4. Вернер В. Д., Луканов Н. М., Сауров А. Н. Принципы конструирования биполярных СВЧ структур с предельно узкими эмиттерными областями // Нано- и Микросистемная техника.-М.:-2011,- 12(137).-С.13- 16.

5. Майская В. SiGe устройства. Нужная технология в нужное время.-Электроника: НТБ, 2001, №1, с.28-32

6. Д.Н.Русаков. Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероэпитаксиальных структур SiGe/Si : Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук 05.27.06 : Москва, 2003 184 с. РГБ ОД, 61:04-5/812 http://www.lib.ua-ru.net/diss/cont/59768.html

7. Волков СИ., Ефишин А.Ю., Морозов С.А., Соколов СА. Проблемма электростатического разряда и современные методы защиты интегральных схем от него. Часть 1 // http://chtpnews.gaw.ru/html.cgi/arhiv/03 07/8.htm

8. K. Gong, et al, "A Study of Parasitic Effects of ESD Protection on RF ICs", IEEE Trans. Microwave Theory Tech, Feb. 2002.

9. В.П.Тимошенков Разработка и исследование специализированных арсенид галлиевых ИМС для сверхбыстродействующей измерительной аппаратуры Диссертация на соискание степени кандидата технических наук

10. P.Xiao K.Jenkins, M.Soyuer at al"A 4-b 8- Gsample/s A/D Converter in SiGe Bipolar Technology", IEEE ISSCC Digest of Technical Paper, 1997, pp 124-125A

11. J. Lee, P. Roux, Ut-Va Кос at al 5-b 10-GSample/s A/D Converter for 10-Gb/s Optical Receivers" IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL. 39, NO. 10, OCTOBER 2004, pp.1671-1678

12. H. Nosaka, M. Nakamura, M. Ida "A 24-Gsps 3-bit Nyquist ADC using InP HBTs for Electronic Dispersion Compensation"

13. ADC083000 8-Bit, 3 GSPS, High Performance, Low Power A/D Converter National Semiconductor hUp://wvw.national.com/mpf/DC/ADC083000.html#Qverview

14. Y. M Greshishchev, J. Aguirre, M. Besson at al "A 40GS/s 6b ADC in 65nm CMOS" 2010 IEEE International Solid-State Circuits Conference pp.390-391

15. W. Cheng, W. Ali, M.Choi at al "A 3b 40GS/s ADC-DAC in 0.12um SiGe 2004 IEEE International Solid-State Circuits Conference, SESSION 14 / HIGH-SPEED A/D CONVERTERS / 14.6

16. К. Poulton, R. Neff, В. Setterberg at al "A 20GS/s 8b ADC with a 1MB Memory in 0.18pm CMOS" 2003 IEEE International Solid-State Circuits Conference SESSION 18 /NYQUIST A/D CONVERTERS / PAPER 18.1

17. P. Schvan, D. Pollex, S.Wang, "A 22GS/s 5b ADC in 0.13pm SiGe BiCMOS" 2006 IEEE International Solid-State Circuits Conference / SESSION 31 / VERY HIGH-SPEED ADCs AND DACs/31.4

18. Z. Cao, S. Yan, Y. Li "A 32 mW 1.25 GS/s 6b 2b/Step SAR ADC in 0.13 urn CMOS" IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL. 44, NO. 3, MARCH 2009 pp. 862- 873

19. РАЗРЯДНЫЙ АЦП С ЧАСТОТОЙ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ДО 125МГц http://www.texnic.ru/data/acp/ADC List.htm

20. Г.Д. Бахтиаров C.JI. Дикий Аналоговые ключи. — Зарубежная радиолектроника, 1976, №8, с.81-105

21. R.A. Marcland, V.Valdiia, C.Madder at al "100 GHz GaAs MMIC Sampling head", IEEE Gallium Arsenide 1С Sym. Techh.Dig.1987

22. В.И.Старосельский. В.И.Суэтинов. "Интегральные схемы входных устройств стробоскопических преобразователей на основе арсенида галлия". — Известия вузов СССР, Радиоэлектроника, 1981. т.24, №8, с. 10-17.

23. В.И.Суэтинов. Разработка и исследование интегральных входных устройств стробоскопических преобразователей. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. Москва, 1978

24. J.Cressler "On the Potential of HBTs for Extreme Enviroment Electronics" Proceeding of the IEEE, Vol.93, N.9 September 2005 pp. 1559-1581

25. J.Rieh, D.Greenberg, A.Stricker, G.Freeman "Scaling of SiGe Теterojunction Bipolar Transistors" Proceeding of the IEEE, Vol.93, N.9 September 2005 pp.1522-1538

26. P.Kempf "Silicon Germanium BiCMOS Technology" http://www.jazzsemi.com/docs/SiGe BiCMOSTechnology.pdf

27. Ю.А.Рябинин Теория и практика построения пикосекундных измерительных устройств с преобразованием временного аргумента повторяющихся сигналов. — Диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук. Каунас. 1983

28. Patent US N1277659 НЗР Sampling system 1972

29. Сверхширокополосная измерительная система фирмы Hypres. Электроника 1987, №22, с.69-70

30. Д.Сайдерис Новый тип осциллографа с возможностями дискретизац широкополосных сигналов, Электроника, 1987 №.14 т.60, с.32-35

31. В.И.Старосельский, В.И.Суэтинов Принципы проектирования интегральной схемы широкополосного смесителя. Микроэлектроника, М: Наука, 1980 с. 183

32. E.Hnatek A user's handbook of D/A converter. New York John Willey. 1976/ 472p 45.S.Mito, B.Peets, R/Rehner Designing a ten bit twenty megasample per second analog to digital converter system Hewlett Packard Journal, November, 1982, p.9-20.

33. R.Yu, N.Cheng K.Cheng at al "A lGS/s 11-b Track and Hold Amplifier with ,0.1 dB Gain Loss" http://ieeexplore.ieee.org/xpl/frceabs all.isp?arnumber=628244

34. M.Ercoli, M.Kraemer, D.Dragomirescu, R.Plana "A Passive Mixer for 60 GHz Applications in CMOS 65 nm Technology" German Microwave Conference, 2010, Berlin pp.20-23

35. L.Pierre Quelques motagus a achantilonnage et memorization. EMI. 1972, 152, p.29-32

36. K.Stafford P.Gray A completely monolithic sample and hold amplifiers using compatible bipolar and silicon gate FET devices IEEE Int. Solid State Circuits Conf., 1974 Dig. Techn. Rep.,N.Y.,1974

37. Аналоговые интегральные схемы: Пер. с англ./под ред. Дж.Коннели. Пер. под ред. М.В.Гальперина. М.: Мир, 1977-439с.

38. J.Grey, S.Kitsopoulos A precision sample and hold circuits with sub nanosecond switching. IEEE Trans., 1964, v.CT-11, N3, p389-396

39. C.Woodward, K.Konkle, M. Naiman A monolithic voltage comparator array for A/D converter. IEEE J., 1975 v.SC-10, N.6, p392-399

40. Патент США №3868678 НКИ 340.347 АД

41. D.Sheingold Analog Digital convertion handbook. Nowood, Analog Devices, 1972, 367p.

42. В.И.Виноградов А.Ф.Денисов Применение метода линейной трансформации временного масштаба для регистрации быстропротекающих однократных сигналов. Импульсная фотометрия, 1972, №2 с.94-99

43. Ф.И.Бородин, МЛ.Гуревич, А.И.Зимнович и др. Некоторые вопросы стробоскопического преобразования однократных сигналов. Вопросы радиоэлектроники, серия РТ, 1975, №.5, с.87-95

44. H.Spies Abtastoszillografen fur einmalige/ Elehtrjnik, 1969, N.9, s.261-264

45. K.Poulton, J.Corcoran, T.Hornak A 1 GHz 6 bit ADC system IEEE Journal of Solid State circuits v.SC-22, N6,1987, p.962-969

46. C. Marshall White Paper: Low-Noise Amplifiers Drop Below 1-dB Noise-Figure Mark http://www.mwrf.com/Articles/index.cfm?Artic1eID=l 1911

47. Parametric Search : Low Noise Amplifiershttp://www.avagotech.com/pages/en/rf microwave/amplifiers/low noise amplifiers/

48. A.Ismail A.Abidi "A 3-10-GHz Low-Noise Amplifier With Wideband ZC-Ladder Matching" Network IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL. 39, NO. 12, DECEMBER 2004 pp.2269-2277

49. ADL5561: 2.9 GHz Ultralow Distortion RF/IF Differential Amplifier http://www.analog.com/en/rfif-components/rfif-attentuators-v^

50. W. Winkler, B. Heinemann, D. Knoll "Application of SiGe:C BiCMOS to Wireless and Radar" 12 GAAS Symposium- Amsterdam, 2004 pp.259-262

51. ADL5561 "2.9 GHz Ultralow Distortion RF/IF Differential Amplifier" http://www.analog.coin/static/imported-files/data sheets/ADL5561.pdf

52. НПФ Микран Томск Усилители СВЧ http://www.micran.ru/productions/svch/amn1i Hers/ 71 .МАЛОШУМЯЩИЕ ШИРОКОПОЛОСНЫЕ И СВЕРХШИРОКОПОЛОСНЫЕ ТРАНЗИСТОРНЫЕ УСИЛИТЕЛИhttp://www.salut.nn.ru/index.php/production/stamp.html

53. Продукция НПО "Исток" Полупроводниковые СВЧ приборы и модули h 11 р: // www. i s tok m vv.ru/ru/n о de/18 0

54. D.Cassan, J. Long "A 1-V Transformer Feedback Low Noise Amplifier for 5 GHz Wireless LAN in 0.18 pm CMOS"IEEE Journal of solid state circuits, v.38, N3, March 2003 pp.427-435

55. N.Behdad, J.Choi J.Yang Low IF front End GPS Receiverhttp://www.eecs.umieh.edu/~mpilynn/teaching/design contest/winter 2003/reports/Nader.pdf

56. CEL California Eastern Laboratories Product description http://www.cel.com/prodnct.do?command=viewSelector&group=4#a3530

57. NXP semiconductor Product description http://www.nxp.com/docinnents/data sheet/BGU7005.pdf 77.SiGe Semiconductor Product description http://www.sige.eom/files/SE2600S%20Datasheet%20Revlp8.pdf

58. L. Gilreath, V. Jain, P. Heydari "A W-band LNA in 0.18 SiGe BiCMOS" University of California, Irvine Northrop Grumman Aerospace Systems, Redondo Beach, http://www.toweriazz.com/news/publications/A%20W-Band%20LNA%20in%200.18%20SiGe%20BiCMQS.pdf

59. Hittite Microwave HMC474MP86 Product description http://www.hittite.com/products/view.htm1/view/HMC474MP868040 Gbps RF Broadband Amplifier (OC-768) http://www.shf.de/fileadi-nin/download/804ea.pdf

60. Euvis Product description http://www.euvis.com/products/ic/index.html GaAs HBT, InP HBT, GaAs MESFET/HEMT, SiGe BiCMOS

61. GIGOPTIX List of Product http://www.gigoptix.com./coinponent/k2/itemlist/catepory/23-limiting-amplifiers.html

62. Hittite List of Product http://www.hittite.com/products/index.html/category/275

63. M. Reiha J. Long A SiGe Distributed Limiting Amplifier for40Gb/s Modulator Driver Design http://www.stw.nl/NR/rdonlvres/D85755B6-4369-4E8C-ADC4-E82FF12945E6/0/reiha.pdf

64. S.Voinigescu, P.Popescu at al "Circuits and Technologies for Highly Integrated Optical Networking IC's at 10 Gb/s to 40 Gb/s" http://www.ottawaphotonics.com/mailings/cicc2.pdf

65. ASNT513840G6/W Dual Limiting Amplifier http://www.adsantec.com/uploads/products/pdf/asnt5138.pdf

66. H.Bazzi, S.Bosse at al "Using HBT BiCMOS Differential Structures at Microwaves in SiGe Technologies" http://amsacta.cib.unibo.it/102/l/GaAs 11 Bazzi.pdf

67. T.Tsang N. Hl-Gamal A Fully Integrated 1 V 5.8 GHz Bipolar LNA http://ieeexnlore.ieee.org/xp1s/absa11.isp?amumber=922369&tag=1

68. H.Pret, W.Schelmbauer at all SiGe-Bipolar Down-Conversion Mixer for a UMTS Zero-IF Receiver http://ieeexp1ore.ieee.org/application/enterprise/en tconfinnation.isp?arnumber=886170

69. Hittite product description HMC694 GaAs MMIC ANALOG VARIABLE GAIN AMPLIFIER, 6 -17 GHz http://www.hittite.com/contcnt/documents/data sheet/hmc694.pdf

70. Product of the RF MD company http://www.rfmd.com/pdf/psg 10.pdf

71. S.Shin, C.Lin at al "A Low-Voltage and Variable-Gain Distributed Amplifier for 3.1-10.6 GHz UWB Systems" IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS, VOL. 16, NO. 4, APRIL 2006 pp. 179-181 http://ntur.lib.ntu.edu.tw/bitstream/246246/149746/1 /07.pdf

72. K. Ohhata, T.Masuda, E.Ohue, and K.Washio "Design of a 32.7-GHz Bandwidth AGC Amplifier IC with Wide Dynamic Range Implemented in SiGe HBT" IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL. 34, NO. 9, SEPTEMBER 1999 pp. 1290-1297

73. K.L.Fong "Dual-Band High-Linearity Variable-Gain Low-Noise Amplifiers for Wireless Applications" 1999 IEEE International Solid-State Circuits Conference

74. K.Kobayashi, R.Esfandiari at al "HBT low power consumption 2-4.5 GHz variable gain feedback amplifier" Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs 1С) Symposium, 1992. Technical Digest 1992., 14th Annual IEEE Issue Date: 4-7 Oct 1992

75. Product description "ADL5330 10 MHz to 3 GHz VGA with 60 dB Gain Control Range" http://www.analog.com/static/iinported-files/data sheets/ADL5330.pdf

76. GS9074A BiCMOS компания gennum http://www.gennum.com/prod11cts/equali7ers

77. V.Vasilev,I.Angelov,S.Kovtonyuk, V.Belitsky Low Noise Band Selective Amplifier and Active Equlizer with Controlled Gain slope for 3,4-4,6 GHz Proceeding of GHz2000 Symposium pp.177-180

78. CLC014 Adaptive Cable Equalizer for High-Speed Data Recovery http://www.national.eom/ds/CL/CLCO 14.pdf

79. MAX3981 3.125Gbps XAUI Quad Cable Equalizer http://www.maxim-ic.com/datasheet/index.mvp/id/3206

80. A.Garg, A. Carusone, S. Voinigescu, E Rogers, A 1-tap 40-Gbps look-ahead decision feedback equalizer in 0.18 pm SiGe BiCMOS technology Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium, 2005. CSIC '05. IEEE 4 pp

81. C.Liao,S. Liu, A 40 Gb/s CMOS Serial-Link Receiver With Adaptive Equalization and Clock/Data Recovery IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL. 43, NO. 11, NOVEMBER 2008 pp. 2492- 2502

82. M. Shakiba, A 2.5 Gb/s adaptive cable equalizer Solid-State Circuits Conference, 1999. Digest of Technical Papers. ISSCC. 1999 IEEE International pp. 396 397

83. K.Brunner, J. D'Ambrosia, 10-GIGABIT BACKPLANES Active-copper-backplane interconnects go faster and farther http://www.edn.com/contents/iinages/194930.pdf

84. GS1524 Equalizer Multi-Rate SDI Adaptive Cable Equalizer Gennum Corporation (Burlington,CA http://www.gennum.com/products/legacy-products/gsl524

85. LMH0344 3 Gbps HD/SD SDI Adaptive Cable Equalizer http://www.national.eom/pf/LM/LMH0344.html#Qverview

86. Broadcom Product briaf description BCM8102 http://www.br0adc0m.c0m/c0llatcral/pb/8102-PB02-R.pdf

87. MAX3800 3.2Gbps Adaptive Equalizer and Cable Drive http://www.maxim-ic.com/datasheet/index.mvp/id/2467

88. MAX3801 3.2Gbps Adaptive Equalizer http://www.maximic.com/datasheet/index.mvp/id/3480

89. MAX3784 5Gbps PCB Equalizer http://www.maximic.com/datasheet/index.mvp/id/3613

90. MAX37856.25Gbps, 1.8V PC Board Equalizer http://www.maxim-ic.com/datasheet/index.mvp/id/3120

91. MAX3980 3.125Gbps XAUI Quad Equalizer http://www.maxim-ic.com/datasheet/index.mvp/id/2548

92. Shannon C.E. A mathematical theory of communication // Bell System Technical Journal. -1948. Vol. 27, July and October. - P. 379-423 and 623-656.

93. First Report and Order, Revision of Part 15 of the Commission's Rules Regarding UltraWideband Transmission Systems FCC, 2002, ET Docket 98-153. http://www.naic.edu/~astro/RXstatus/Lnarrow/fee UWB.pdf

94. High Rate Ultra Wideband PHY and MAC Standard,, Dec. 2005,

95. ECMA standard 368. http://www.ecma-international.org/publications/fi1es/ECMA-ST/ECMA-368%201st%20edition%20December%202005.pdf

96. B. Razavi, T. Aytur, C. Lam, F.-R. Yang, K.-Y. Li, R.-H. Yan, H.-C. Kang, C.-C. Hsu, and C.-C. Lee, "A UWB CMOS transceiver," IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 40, NO. 12, pp. 2555-2562, Dec.2005.Techonologies, Inc., 2006

97. A. Tanaka, H. Okada, H. Kodama, and H. Ishikawak, "A 1.1V 3.1-9.5 GHz MB-OFDM UWB transceiver in 90 nra CMOS," in IEEE Int. Solid-State Circuits Conf. Dig. Tech. Papers (ISSCC), Feb.2006, pp. 398 407.

98. С. Sandner, М. Clara, A. Santner, Т. Hartig, and F. Kuttner, "A 6-bit 1.2-GS/s low-power flash-ADC in 0.13 ЦШ digital CMOS," IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 40, pp. 1499-505, Jul. 2005.

99. A.Valdes-Garcia,C.Mishra at all "An 11-Band 3-10 GHz Receiver in SiGe BiCMOS for Multiband OFDM UWB Communication" Solid-State Circuits, IEEE Journal April 2007 Volume: 42 Issue:pp.4935 — 948

100. H. Samavati, H. R. Rategh, and Т. H. Lee, "A 5 GHz CMOS wireless LAN receiver front end," IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 35, pp.765-772, May 2000.

101. A 3 to 10GHz Broadband Radio Transceiver in 0.13цт CMOS Technology http://www.wilinx.com/docs/WiLinxRadioWhitePaper.pdf

102. N.Behdad, J. Choi, J. Yang "Low IF Front End GPS Receiver"http://www.eecs.umich.edu/~mpflynn/teaching/design contest/winter 2003/reports/Nader.pdf

103. Y. Zheng Y. Tong;at al "A CMOS Carrier-less UWB Transceiver for WPAN Applications" Solid-State Circuits Conference, 2006. ISSCC 2006. Digest of Technical Papers. IEEE International pp. 378 387

104. H.Zheng S.Lou at al "A 3.1-8.0 MB-OFDM UWB Tranceiver in 0.18 pm CMOS" IEEE 2007 Custom Integrated Circuits Conference pp.651-654

105. PL3100 Ultra Wideband Chipsethttp://www.pulselink.com/assets/pdfs/PL310Q Product Brief.pdf

106. Приемник CH-4706 ТДЦК.434855.001 Рекомендации по применению httt)://navis.ru/downloads/CH 4706/Aplication Note %D1%CD-4706.pdf?PHPSESSID=5d95247a8249b987dc7aa8ee89c5c72f

107. First Galileo 1С Receiver Fully Complies With GPShttp://electronicdesign.com/article/communications/first-galileo-ic-rccciver-fully-coinplies-with-gpsl.aspx

108. Asad A. Abidi "Direct-Conversion Radio Transceivers for Digital Communications" IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL. 30, NO. 12, DECEMBER 1995 pp. 1399-1410

109. B. Rasavi "Design Considarations for DirectConversion Receivers'TEEE Trans.Circuitss and Systems-II: Analog and Digital Signal Processing, Vol.44 No.6 1997 pp.428-435

110. A.Rofougaran Y.Chang, M.Rofogran A.Abidi "A 1 GHz CMOS RF Front End IC for a Direct Conversion Wireless Receiver" IEEE Jornal of Solid State Circuits. Vol.31 No7 1996 pp.880-889

111. J.Sevenhans, B.Verstraeten, S.Taraborrelli "Trends in Silicon Radio Large Scale Integration: Zero IF Receiver! Zero I&Q Transmitter! Zero Discrete Passives!" IEEE Communication Magazine, Vol.38, Jan.2000 pp. 142-147

112. J Joseph, D.L.Harame, BJagannathan, D.Coolbaugh at al "Status and Direction of Communication Technology SiGe BiCMOS and RFCMOS" // Proceedings of the IEEE, vol.93 N9, 2005, p.1539-1558

113. E.J.Nowak, T.Ludwing, I.Aller at all "Scaling beyond the 65 nm node with FinFET DG-CMOS" //Proc/ IEEE Custom Integrated Circuits Conf., 3003, p.339-342.

114. D. Harame et al., "Si/SiGe Epitaxial-Base Transistors-Parti: Materials, Physics, and circuits," IEEE Transactions on Electron Devices 42, N3 (1995) p.455-468.

115. D. Harame et al., "Si/SiGe Epitaxial-Base Transistors-Part2: Process Integration and Analog Applications," IEEE Transactions on Electron Devices 42, N3 (1995) p.469-482.

116. J.S.Rieh D.Greenberg A.Strricker G.Freeman "Scaling of SiGe Heterojunction Bipolar Transistors" // Proceedings of the IEEE, vol.93 N9, 2005, p.1522-1538.

117. J.Bock, H. Knapp, K.Aufinger, at all "12 ps implanted base silicon bipolar technology" // Tech. Dig.Int. Electron Device Meeting, 1999, p.553-556.

118. E.F. Crabbe, B.S. Meyerson, J.M.C. Stock, D.L. Harame "Vertical profile optimization of very high frequency epitaxial Si and SiGe bipolar transistor" // Tech. Dig.Int. Electron Device Meeting, 1993, p.83-86.

119. E.Ohue, R.Hayami, K.Oda at all "5.3 ps ESL and 71 GHz static frequency divider in self-aligned SEG SiGe HBT" // Proc. Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, 2001, p.26-29.

120. J.D.Cressler "On the Potensial of the SiGe HBTs for Extreme Enviroment Electronics" // Proceedings of the IEEE, vol.93 N9, 2005, p.1559-1582

121. J.S.Rieh D.Greenberg A.Strricker G.Freeman "Scaling of SiGe Heterojunction Bipolar Transistors" // Proceedings of the IEEE, vol.93 N9, 2005, p. 1522-153 8.

122. J. Cressler G. Niu Silicon Germanium Heterojunction Bipolar Transistor Artech House Boston London 2003 570p

123. H.Niu et al., Noise -gain tradeoff in RF SiGe HBTs, Solid-State Elect., vol.46, pp.1445-1451, 2002

124. В.П. Тимошенков "Состояние и перспективы развития технологии кремниевых гетеропереходных биполярных транзисторов для СВЧ применений" Известия Высших Учебных Заведений Электроника N5, 2006, с.16-19

125. Тимошенков В.П. "Состояние и перспективы развития технологии кремниевых гетеропереходных биполярных транзисторов для СВЧ применений " Известия Высших Учебных Заведений Электроника N5, 2006, с.16-19

126. М. Racanelli, P. Kempf "SiGe BiCMOS Technology for Communication Systems," International conference on Solid State Devices and Materials, Naqoja.September, 2002

127. Philips announces a silicon-based BiCMOS technology for emerging microwave applications http: //www.semiconductors.philips.com/news/content/file 1192.html

128. E.Preisler, L.Lanzerotti, P.Hurwitz M.Racanelli "Demonstration of a 270 GHz/T SiGe-C HBT Within a Manufacturing Proven 0.18 BiCMOS Process Without the Use of a Raised Extrinsic Base"

129. M. Khater, J.-S. Rieh, T. Adam at al "SiGe HBT technology with fMAx/fT= 350/300 GHz and gate delay below 3.3 ps," // Dig. Int. Electron Devices Meeting 2004, p. 247-250.

130. H. Rucker, B. Heinemann, R. Barth at al "Integration of high-performance SiGe:C HBTs with thin-film SOI CMOS," // Dig. Int. Electron Devices Meeting 2004, p. 239-242.

131. С.И.Бахарев, В.И. Вольман, Ю.Н. Либ и др Справочник по расчету и конструированию СВЧ полосковых устройств / .С.И.Бахарев, В.И. Вольман, Ю.Н. Либ и др.; Под ред. В.И. Вольмана М.: Радио и связь, 1982 328с.

132. ГОСТ 18725-83. Микросхемы интегральные. Общие технические условия

133. EIA/JESD22-A115-А (Revision of EIA/JESD22-A115)http://74.125.95.104/search?q=cache:05w7WvL4AbIJ:www.iedec.org/download/search/22al 15a.pdf +Machine+Model+(MMHESD+protcction&hl=en&ct:=clnk&cd=5&gl=us

134. JESD625-A (Revision of EIA-625) Requirements for handling Electrostatic-Discharge-Sensitive (ESDS) Devices

135. Geiser, H., and Haunschild, M., "Very Fast Transmission Line Pulsing of Integrated Structures and the Charged Device Model," EOS/ESD Symposium Proceedings, 1996. ESD Association, Rome, NY.

136. Волков СИ., Ефишин А.Ю., Морозов С.А., Соколов СА. Проблемма электростатического разряда и современные методы защиты интегральных схем от него. Часть4 http://chipnews.gaw.ru/html.cgi/arhiv/04 01/14.htm

137. J. Paramesh, D. J. Allstot Analysis of the Bridged T-coil Circuit Using the Extra-Element Theorem IEEE Trans. Circuits Syst. II: Express Briefs, vol. 53, no. 12, pp. 1408-1412, Dec. 2006 or http://www.ece.cmu.edu/~paramesh/papers/eet.pdf

138. S. Galal, В. Razavi, 10-Gb/s Limiting Amplifier and Laser/Modulator Driver in 0.18-pm CMOS Technology IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL. 38, NO. 12, DECEMBER 2003 pp213-2146

139. Ming-Dou Ker and Yuan-Wen Hsiao On-Chip ESD Protection Strategies for RF Circuits in CMOS Technology http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.isp?tp=&arnumber=4098510

140. J. Cressler Silicon Heterostructure Handbook Materials, Fabrication, Devices, Circuits and Aplications of SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy. Talor & Franscis London New York, 2006, 12227p

141. J. D. Cressler Radiation Effects in SiGe Devices http://vwvw.isde.vanderbih.edu/content/muri 2009/cressler muri2009.pdf

142. Попов В.П., Вербицкий В.Г., Сидоренко В.П., Евтух A.A Современные кремниевые технологии для создания СВЧ интегральных микросхем диапазона 1—100 ГГц. http://www.nbuv.gov.ua/porta1/natural/tpsvc/texts/2009 2/20-25—.pdf

143. Шварц Н.З. Усилители СВЧ на полевых транзисторах. -М.: Радио и связь, 1987. 200 с

144. Т. Takalo A. Vijanen Method for forming an intermediate frequency signal in a mixer, and amixer. Patent USA US 7,151,919 B2 Dec. 19.

145. Ред Э. Справочное пособие по высокочастотной схемотехнике: Схемы, блоки, 50-омная техника: Пер. с нем. С. Н.Шибанова / Под ред. Ю.А.Лурье. М.: Мир, 1990. - 256 с.

146. Bond wire Modeling standard EIA/JESD59 Electronic Industries Association. June. - 1997. -http://ieeexp1ore.ieee.org/xpl/standards.jsp.

147. Motorola Application note AN1902/D Rev.2, 03/2002 Quad Flat Pack No-lead (QFN). -http://www.freescale.com/files/analog/doc/appnote/AN1902.pdf.

148. JEDEC solid state outline for thermally enhanced plastic very thin and very very thin fine pitch quad flat no lead package, M0-220 // Rev.A. January. - 2000: http://www.iedec.org/Home/newsletter/sstn0101 .pdf

149. В.П.Тимошенков "Расчет индуктивности корпуса для СВЧ интегральных микросхем" Известия Высших Учебных Заведений Электроника N4, 2006, с.14-18

150. Analysys and design of analog integrated circuits, Forth Edition, P.Gray P.Hurst S.Lewis R.Meyer, John Wiley & Sons Inc, New York, 876 p.

151. Analog design Essentials W/Sansen Catholic University, Leuven, Belgium, 111 p 200.E.Laskin and S.P. Voinigescu, "A 60-mW per lane 4x23-Gb/s 27-l PRBS generator," IEEE CSICS Tech. Dig., pp.192-195, Nov. 2005

152. W.Simburger, K.Auflnger et al., "High speed analog and digital IC's research results and application" http ://duepubl i со. uni-duisburg-esscn.de/servl ets/DerivatcServl et/Deri vate-14581/Paper/1 2.pdf

153. H.Knapp, M.Wurzer et al., "100-Gb/s 27-1 and 54-Gb/s 211-1 PRBS Generators in SiGe Bipolar Technology," in Compound Semiconductor 1С Symposium. IEEE, 0ct.2004.

154. T.Dickson et al.,"A 72Gb/s 231-1 PRBS Generator in SiGe BiCMOS Technology," 2005 IEEE ISSCC Digest of Technical Paper, pp342-343

155. P.Chaevalier at al.,"230 GHz self-aligned SiGeC HBT for 90 nm BiCMOS technology," Proceedings of IEEE BCTM 2004, pp225-228

156. S.Kim, M.Kapur, M.Mehhelli at al."45 Gb/s SiGe BiCMOS PRBS Generator and PRBS Checker"http://pave1.phvsics.sunvsb.edu/~sasha/docs/sasha/refs/ndfs/PDFs-07-11-2005/45GbpsPRBSSiGe-CICC2003.pdf

157. H.Knapp, M.Wurzer T.Meister, at al."40Gbit/s 2A27-1 PRBS Generator 1С in SiGe Bipolar Technology," IEEE Proc. BCTM, pp. 124-127, 2002

158. H. Д. Евтушенко, В. Г. Немудров, И. А. Сырцов Методология проектирования систем на кристалле. Основные принципы, методы, программные средства «Электроника» JST»3 2003 г

159. Р. Пахолков В. Мозолевский Современная система-на-кристалле основа успешного продукта

160. А. Бухтеев Методы и средства проектирования систем на кристалле. http://www.chipinfo.rU/literature/chipnews/200304/l.html

161. В.П.Тимошенков "SoC СВЧ трансивер на основе SiGe технологии" Проектирование систем на кристалле: тенденции развития и проблемы." Международная научно-техническая конференция с элементами научной школы для молодежи: Тезисы докладов. —М.:МИЭТ, 2010.-с.

162. H.T.Friis, "Noise figure of audio receivers" Proceeding of IRE Vol.32, pp.419-422, 1944214."Analyzing Signals Using the Eye Diagram"http://mvw.highfrequencve1ectronics.com/Archives/Nov05/HFEl105 Tutorial.pdf

163. J.DeAndrea "NRZ-toRZ Convertion for Metro Design,"http://wvvw.commsdesign.com/design center/opticalnetwoking/design corner/showArtic.

164. P. Kempf "SILICON GERMANIUM BICMOS TECHNOLOGY," //International conference on Silicon Epitaxy and Heterostructure, Santa Fe, March, 2003

165. Philips announces a silicon-based BiCMOS technology for emerging microwave applications http://www.semiconductors.philips.com/news/content/file 1192.html

166. M. Khater, J.-S. Rieh, T. Adam at al "SiGe HBT technology with fMAx/fT= 350/300 GHz and gate delay below 3.3 ps," // Dig. Int. Electron Devices Meeting 2004, p. 247-250.

167. Pan, N.; Elliott, J.; Knowles, M.; Vu, D.P. "High Reliability InGaP/GaAs HBT," //IEEE Electron Device Letters, Volume: 19, Issue: 4, Apr 1998, pp.115-117.

168. Pan, N.; Welser, R. E.; Lutz, C. R.; Elliot, J.; Rodrigues, J. P.; "Reliability of AlGaAs and InGaP Heterojunction Bipolar Transistors," //IEICE Trans. Electron., Vol. E82-C, No.l 1, November 1999.

169. E.M. Cherry, D.E. Hooper, " The design of wide-band transistor feedback amplifiers," //Proc. IEEE, Vol.110, pp375-389, February, 1963

170. BiCMOS & SiGe http://www.iazzsemi.com/processtechnologies/sige.shtml

171. M. Racanelli, P. Kempf "SiGe BiCMOS Technology for Communication Products". http://www.iazzsemi.com/docs/sige tech for comm prods.pdf#search=%22Jazz%20SiGel20%22

172. Тимошенков В.П. Новожилов B.E. «Высокоскоростное преобразование кода NRZ в код RZ» Оборонный комплекс- научно-техническому прогрессу России N2 2007, с.73-80

173. Тимошенков В.П. «Интегральная схема синхронизатора на арсенид- галлиевых гетеропереходных транзисторах» Оборонный комплекс- научно-техническому прогрессу России N2 2006, с.41-44

174. Тимошенков В.П. Братов В.А «Интегральная схема преобразователя кодов NRZ в NRZM на арсенид галлиевых гетеропереходных биполярных транзисторах. »Известия Высших Учебных Заведений Электроника N1,2008, с.26-36

175. V.Timoshenkov "NRZ to NRZM Code Converter Base on Gallium-Arsenide Heterojunction Transistors" ISSN 1063-7826, Semiconductors, 2008,Vol.42 No.13, pp.1545-1551

176. Pan, N.; Elliott, J.; Knowles, M.; Vu, D.P. "High Reliability InGaP/GaAs HBT," //IEEE Electron Device Letters, Volume: 19, Issue: 4, Apr 1998, pp.115-117.

177. Pan, N.; Welser, R. E.; Lutz, C. R.; Elliot, J.; Rodrigues, J. P.; "Reliability of AlGaAs and InGaP Heteroj unction Bipolar Transistors," //IEICE Trans. Electron., Vol. E82-C, No.l 1, November 1999.

178. Adlerstein, M.G.; Gering, J.M. "Current induced degradation in GaAs HBT's," //Electron Devices, IEEE Transactions on ED, Vol.47, Iss.2, Feb 2000, pp.434-439.

179. T. Oka, K. Hirata, H. Takazawa, I. Ohbu. Hitachi Ltd., "Characterization of InGaP/GaAs HBTs under Temperature and Current Stress," //2000 GaAs MANTECH Digest, pp. 137-140.

180. S. Roy, J. R. Foerster, V. S. Somayazulu, and D. G. Leeper, "Ultrawideband radio design: the promise of high-speed, short-range wireless connectivity," Proc. IEEE, vol. 92, pp. 295-311, Feb. 2004.

181. R. A. Scholtz, R. Weaver, E. Homier, J. Lee, P. Hilmes, A. Taha, and R. Wilson, "UWB radio deployment challenges," in Proc. IEEE Int. Symp. Personal Indoor and Mobile Communications, vol. 1, Sept. 2000, pp.620-625.

182. M. Hamalainen, V. Hovinen, R. Tesi, J. Iinatti, and M. Latva-Aho, "On the UWB system coexistence with GSM900, UMTS/WCDMA, and GPS," IEEE J. Select. Areas Commun., vol. 20, pp. 1712-1721, Dec. 2002.

183. ULTRA WIDEBAND OVER CABLE TECHNOLOGIES: Enhancing Cable Television Bandwidth Capacity Without Modification to Existing Infrastructure.http://pdf.chinaecnet.com/pdfl/pdf.newpro2005/pu1selink/Pulse-LlNK-UWBOC-whitepaper.pdf.

184. P.Ye, B.Agarwal, M. Reddy, L. Li, J. Cheng, P. Mudge, E. McArthy, and S. Lloyd, "High performance circuits in 0.18 pm SiGe BICMOS process for wireless applications," Proc. IEEE RFIC Symp., June 2002, pp. 329-332.

185. A. Ismail and A. Abidi, "A 3-10 GHz LNA with wideband LC ladder matching network," IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL. 39, NO. 12, DECEMBER 2004, pp. 2269-2277.

186. S. Lo, I.Sever, S.P. Ma, P. Jang A. Zou, C. Arnott, K. Ghatak, A. Schartz, L. Huynnh, V. Phan, T. Nguyen A "Dual-Antenna Phased-Array UWB Transceiver in 0.18-pm CMOS," IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL. 41, NO. 12, DECEMBER 2006, pp. 2776-2786

187. B. Razavi "RF Microelectronics",. Prentice Hall, cl998. Series: Prentice-Hall Communications Engineering & Emerging Technologies Series, p. 345.

188. Тимошенков В.П. "Сверширокополосный от ЗГГц до 5ГГц двухканальный малошумящий усилитель на гетеропереходных биполярных транзисторах." Материалы международной конференции RLCNC 2008 Радиолокация навигация связь Воронеж 2008

189. D.Friedman Understanding UWB over coaxhttp://www.google.com/search?hl=en&q=rfdesign.com%2Fmag%2F607EWTFl.pdf&btnG=Search

190. Shakiba, M.H., "A 2.5 Gb/s adaptive cable equalizer," Solid-State Circuits Conference, 1999. Digest of Technical Papers. ISSCC. 1999 IEEE International, pp.396-397, 1999

191. V.Vasiliev, I Angelov, S Kovtonyuk and V.Belitsky. Low Noise Selective Amplifier and Active Equalizer with Contrrolled Gain-Slope for 3.4-4.6 GHz. Proceeding of GHz2000 Symposium, ppl77-180, Gotebog, Sweden, March 13-14, 2000

192. BiCMOS & SiGe http://www.jazzsemi.com/process technologies/sine.shtml

193. В.П.Тимошенков "Эквалайзер электрических сигналов гигагерцового диапазона на основе гетеропереходных биполярных транзисторах" Материалы международной конференции Микроэлектроника и нано-инженирия Москва 2008,с. 169-170

194. В.П.Тимошенков "Интегральный эквалайзер гигагерцового диапазона на гетеропереходных биполярных транзисторах" Известия Высших Учебных Заведений Электроника N4(84), 2010, с.20-27

195. V.P.Timoshenkov "An Integrated Equalizer of the Gigahertz Range Based on Heterojunction Bipolar Transistors " ISSN 1063-7397, Russian Microelectronics, 2011, Vol. 40, No. 7, pp. 446-452.

196. В.Авербух Принципы построения быстрых АЦП Компоненты и технологии №1 2000 с.34-36

197. D.J.Kinniment, A. Bystrov, and A.Yakovlev, Synchronization Circuit Performance IEEE Journal о Solid-State Circuits, Vol 37, N0.2, February 2002, pp.202-209

198. J. A. Shaw "Radiometry and the Friis Transmission Equation"http://www.coe.montana.edu/ee/rwolff/EE548/sring05%20papers/Friis Radiometric 2005Feb9.pdf

199. Авторское свидетельство на изобретение №953575. СССР. Старосельский В.И. Суэтинов В.И., Козлов А.Т. Тимошенков В.П. Широкополосный стробоскопический преобразователь.

200. Рябинин Ю.А. Стробоскопическое осциллографирование.-М.:Советское Радио, 1972, 272 с.

201. Андрианов В.В. Введенский Ю.В. и др.; Под ред. Г.В. Глебовича Исследование объектов с помощью пикосекундных импульсов-М.:Радио и связь, 1984.-256 с.

202. Авторское свидетельство на изобретение №7590185. СССР. Вишневский В.Н. Старосельский В.И. Суэтинов В.И. Смеситель для стробоскопического преобразователя.

203. Старосельский В.И. Суэтинов В.И. Принципы проектирования интегральной схемы широкополосного смесителя.-Микроэлектроника, М.: Наука, 1980, с. 183

204. Старосельский В.И. Суэтинов В.И Интегральные схемы входных устройств стробоскопических преобразователей на основе арсенида галлия. — Известия вузов СССЗ, Радиоэлектроника, 1981, т.24, №8, с10.17.

205. Ю.А.Чаплыгин "Нанотехнологии в Электронике"М., Техносфера, 2005 г. 450 стр

206. Старосельский В.И. Суэтинов В.И. Требования к форме строб-импульсов в интегральном смесителе стробоскопического преобразователя на основе арсенида галлия, Техника средств связи, серия РТ, 1984, №2, С.69.72.

207. Микроэлектронные цифро-аналоговые и аналого-цифровые преобразователи информации. Под ред. В.Б.Смолва. JL, Энергия, 1976, 335 с.

208. Бахтиаров Г.Д. Устройства выборки и запоминания: принципы построения, состояние разработок и перспективы развития.- Зарубежная радиоэлектроника, №10,1978, C.71.97.

209. Старосельский В.И. Шумовые характеристики стробоскопических преобразователей на основе арсенид-галлиевых микросхем, Микроэлектроника, 1985, т.14, №.2, С.161.168

210. P. Gray P. Hurst S. Lewis R. Meyer Analys and design of analog integrated circuits Fourth edition 875p John Willey & Sons, Inc

211. Hailang Liang, Rob. J. Evans and Efstratios Skafidas Noise Analysis of Ultra High Speed SiGe BiCMOS Track and Hold Amplifier for Fiber Optic Equalizer Proceedings of the International MultiConference of Engineers and Computer Scientists 2010 Vol II,

212. ECS 2010, March 17 19, 2010, Hong Kong

213. S. Shahramian, S. P. Voinigescu A. Chan Carusone A 30-GS/sec Track and Hold Amplifier in 0.13-//m CMOS Technology http://www.eecg.toronto.edu/~sorinv/papers/shah cicc 06.pdf.

214. M. Z. Win, R. A. Scholtz, Impulse Radios: How it works, IEEE Communication Letters, Vol.2,1. No 1, January 1998.

215. M. Z. Win, R. A. Scholtz, Ultra-Wide Bandwidth Signal Propagation for Indoor Wireless Communications, IEEE International Conference on Communication, pp. 56-59, Montréal, Canada, June 1997.

216. C. E. Shannon, "A mathematical theory of communication," Bell System Technical Journal, Vol. 27, pp. 379-423 and 623-656, July and October, 1948

217. BiCMOS & SiGe http://www.jazzsemi.com/processtechnologies/sige.shtml

218. A.Mawer, A.Dopplinger, В. Mercer Manufacturing with the Land Grid Array Package http://209.85.141.104/search?q=cache:0IT flimXo2gJ:www^freescale.com/files/32bit/doc/package i nfo/AN2920.pdf+lga+package&hl=en&ct=c1nk&cd^l&gl^us

219. В.П.Тимошенков Новожилов B.E Интегральный сверхширокополосный трансивер гигагерцового диапазона Материалы международной конференции Микроэлектроника и нано-инженирия Москва 2008, с.171-172

220. FCC Report and Order, Revision of the Part 15 Communication's Rules Regarding Ultra Wideband Transmission System, ET-Docket 98-153,April 22 2002

221. T.S. Rappaport, Wireless Communications, Prentice-Hall, Upper Saddle River, NJ, USA., 1996.

222. Nyquist H., "Bell System Techn. J.", 1932, v. 11,№ l,p. 126-47

223. BiCMOS & SiGe http://www.jazzsemi.com/process teehnologies/sige.shtml 293 .Mini-Circuits Corporation, VCO Designers' Handbook, 1996

224. Johnna PowellAntenna "Design for Ultra Wideband Radio" May 7, 2004 http://mtlweb.mit.edu/researchgroups/icsvstems/pubs/theses/iohnna sm 2004.pdf

225. D.B. Leeson, "A Simplified Model of Feedback Oscillator Noise Spectrum", Proceedings of the IEEE, Vol. 42, February 1965, pp. 329-330

226. С.Бельчиков "Фазовый шум: как спуститься ниже 120дБм/Гц на отстройке ЮкГц в диапазоне частот до 14ГГц, или борьба за децибеллы" Компоненты и технологии №5 2009 с139-146.

227. R.Aparicio, A.Hajimiri "A Noise-Shifting Differential Colpitts VCO" IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL. 37, NO. 12, DECEMBER 2002 з1728-1736

228. R.Aparicio, A.Hajimiri A CMOS Differential Noise-Shifting Colpitts VCO 2002 IEEE International Solid-State Circuits Conference SESSION 17 ADVANCED RF TECHNIQUES 17.2