Синтез, оптические и адсорболюминесцентные свойства системы CdTe-ZnS тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, кандидат химических наук Касатова, Ирина Юрьевна

• Касатова, Ирина Юрьевна
• кандидат химических наук
• 2012

Оглавление диссертации кандидат химических наук Касатова, Ирина Юрьевна

СОДЕРЖАНИЕ

Введение

Глава 1. Литературный обзор

1.1. Полупроводниковые соединения типа АПВУ1

1.1.1. Общие сведения о соединениях АПВУ1

1.1.2. Кристаллическая структура соединений АПВУ1

1.1.3. Энергетическая зонная структура соединений АПВУ1

1.1.4. Химическая связь в соединениях типа АПВУ1

1.1.5. Электрофизические свойства

1.1.6. Оптические свойства

1.1.7. Особенности примесей в соединениях типа АПВУ1

1.1.8. Специфические особенности свойств полупроводников

л По VI

типа А В

1.1.9. Применение полупроводниковых соединений АПВУ1

1.2. Теллурид кадмия

1.2.1. Общая характеристика и получение теллурида кадмия

1.2.2. Описание системы Сс1-Те

1.2.3. Электрофизические свойства теллурида кадмия

1.2.4. Химическая связь в теллуриде кадмия

1.2.5. Кислотно-основные свойства поверхности

1.2.6. Применение СсГГе

1.3. Сульфид цинка

1.3.1. Общая характеристика и получение сульфида цинка

1.3.2. Кристаллическая структура и физико-химические свойства 29 сульфида цинка

1.3.3. Оптические свойства реальных монокристаллов 32 сульфида цинка

1.3.4. Применение сульфида цинка

1.4. Типы твердых растворов

1.4.1. Твердые растворы АПВУ1 - АПВУ1

1.4.2. Система Сс1Те -2п8

1.5. Люминесценция

1.5.1. Типы люминесценции

1.5.2. Адсорбция и люминесценция

1.6. Оптические методы исследования полупроводников

1.6.1. ИК - спектроскопия

1.6.2. КР - спектроскопия

1.6.3. УФ - спектроскопия, определение ширины

запрещенной зоны

1.7. Использование анализа выдыхаемых газов для диагностики

заболеваний

Глава 2. Экспериментальная часть

2.1. Получение твердых растворов системы СсГГе -

2.2. Идентификация твердых растворов

2.3. ИК-спектроскопические исследования. Химический состав поверхности

2.4. УФ-спектроскопические исследования. Определение ширины запрещенной зоны

2.5. КР-спектроскопические исследования

2.6. Исследование кислотно-основных свойств поверхности

2.6.1. Определение водородного показателя изоэлектрического состояния поверхности (рНи30)

2.6.2. Метод механохимического диспергирования

2.6.3. Кондуктометрическое титрование

2.7. Получение аммиака

Глава 3. Результаты и их обсуждение

3.1. Получение и идентификация твердых растворов

3.2. ИК-спектроскопические исследования. Химический состав поверхности

3.3. УФ-спектроскопические исследования. Определение ширины запрещенной зоны

3.4. КР-спектроскопические исследования

3.5. Кислотно-основные свойства поверхности компонентов

системы СсГГе- ZnS

3.5.1. Определение водородного показателя изоэлектрического состояния поверхности (рНизо)

3.5.2. Механохимические исследования

3.5.3. Неводное кондуктометрическое титрование

3.6. Адсорболюминесцентные свойства твердых растворов

системы Сс1Те-2п8

Глава 4. Взаимосвязь изученных свойств и основные закономерности их изменения в зависимости от состава системы Сс1Те-2п8

4.1. Химическое состояние и кислотно-основные свойства поверхности компонентов системы СсГГе^п8

4.2. Оптические свойства компонентов системы Сс1Те-2п8

4.3. Основные закономерности изменения изученных свойств

от состава системы Сс1Те-2п8

Выводы

Библиографический список

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Синтез, оптические и адсорболюминесцентные свойства системы CdTe-ZnS»

Введение

Обязанные своим появлением развитию полупроводниковой техники и зарекомендовавшие себя как перспективные материалы, полупроводниковые твердые растворы с широко регулируемым составом, с возможными непрерывным и экстремальным изменениями свойств не могут не представлять интереса для нанотехники а так же полупроводникового газового анализа. Научно-технический прогресс в этих областях требует систематических знаний не только их объемных, но и поверхностных физико-химических свойств. Известно, что поверхностные свойства зачастую играют определяющую роль в целом ряде процессов на полупроводниках [1,2].

Получением и изучением физико-химических свойств многокомпонентных полупроводниковых систем на протяжении многих лет занимается коллектив кафедры Физической химии ОмГТУ под руководством профессора И.А. Кировской. Основной задачей является создание теории управления свойствами поверхности алмазоподобных полупроводников и поиска возможностей их практического применения в новой технике. К одному из перспективных направлений применения создаваемых полупроводниковых материалов относится использование их в качестве сенсоров-датчиков экологического и медицинского назначения, где важно не только определение следовых количеств токсичных газов в воздухе, но и анализ микропримесей выдыхаемого газа, проведение медицинской диагностики по его составу [3,4].

Не менее перспективным направлением практического применения при обнаружении соответствующих свойств, является изготовление или изменение известных люминофоров. Для этого необходимы адсорболюминесцентные исследования полупроводников, что явилось основным направлением данной работы.

Актуальность темы обусловлена практической неизученностью поверхностных свойств твердых растворов системы Сс1Те-2п8, знание которых открывает широкий спектр возможностей их практического применения. Поэтому необходимо всестороннее изучение структуры поверхности, её химического состава, степени и характера взаимодействия с различными средами.

Информация о химическом состоянии, кислотно-основных, адсорбционных свойствах поверхности системы СёТе-2п8, о возможностях их регулирования является необходимой при создании сенсоров-датчиков экологического и медицинского назначения. Перспективность и актуальность данных исследований заключается в том, что медицинскую диагностику по выдыхаемому газу можно проводить на ранних стадиях заболевания или даже в начальной стадии эндогенной интоксикации, когда выраженные симптомы заболевания еще отсутствуют. Таким образом, медицинская диагностика по составу выдыхаемого газа может найти применение не только в лечебной практике, но и в повседневной жизни и служить средством для предупреждения заболевания. Использование простого в обращении сенсорного устройства открывает перспективы развития домашней диагностики.

Цель работы. Впервые по разработанной методике получить и аттестовать твердые растворы системы Сс1Те-2п8, комплексно изучить их объемные и поверхностные физико-химические свойства, определить возможности практического применения полученных результатов.

В соответствии с целью диссертационной работы были поставлены следующие задачи:

1. Разработать методику, получить и аттестовать твердые растворы системы СсГГе^пБ.

2.Исследовать объемные (структурные, оптические) и поверхностные (химический состав, кислотно-основные, адсорболюминесцентные) физико-химические свойства компонентов системы СёТе-2п8. Оценить влияние на люминесценцию аммиака — зонда на кислотные центры, составляющего газовых выбросов и биомаркера определенных заболеваний человека.

3. Определить природу, силу, концентрацию активных центров. Уточнить механизм взаимодействия ЫН3 с поверхностью адсорбентов и обосновать механизмы люминесценции и адсорболюминесценции.

4.Установить закономерности изменения изученных свойств с составом и зависимость между ними. Построить диаграммы состояния «свойство-состав».

5.С использованием установленных, взаимосвязанных закономерностей найти состав твердого раствора наиболее чувствительного к исследуемому газу-адсорбату (N£[3) и определить возможности его практического применения.

6. Определить возможность создания на основе измерения рНи30 экспресс-метода оценки чувствительности поверхности к газам определенной электронной природы.

Научная новизна работы

1. По впервые разработанной методике получены и аттестованы на основе рентгенографичеких и оптических исследований твердые растворы системы Сс1Те-2п8 со структурой сфалерита.

2. Изучены объемные физико-химические свойства (структурные и оптические) полученных твердых растворов и бинарных компонентов системы СсГГе^пБ. Установлены закономерности в относительном расположении полос ИК- и УФ-спектров. На основе последних найдены значения ширины запрещенной зоны

3. Впервые изучены поверхностные физико-химические свойства компонентов системы СёТе-2п8: химический состав, кислотно-основные, адсорболюминесцентные.

- Химический состав исходной поверхности представлен преимущественно адсорбированными молекулами воды, группами ОН", углеводородными, соединениями и продуктами окисления поверхностных атомов.

- Определены природа, сила, концентрация кислотных центров. За кислотные центры ответственны преимущественно координационно-ненасыщенные атомы. Поверхность всех компонентов системы СсГГе^пБ имеет слабокислый характер (рНи30=6,29-6,68). С увеличением содержания 2п8 значение рНизо плавно нарастает, а общая концентрация кислотных центров -уменьшается.

- Согласно КР-спектроскопическим исследованиям наиболее выраженными люминесцентными свойствами обладают 2п8 и твердые растворы с избытком Сс1Те. Под влиянием адсорбированного аммиака наблюдается гашение люминесценции. Установлена связь между кислотно-основными и адсорболюминесцентными свойствами поверхности.

4. Найдены закономерности в изменении объемных (рентгеновской плотности, ширины запрещенной зоны) и поверхностных (рНизо, АрНи30, адсорболюминесцентных) свойств с составом. Построены диаграммы состояния «свойство-состав». Установлена взаимосвязь между ними. Найденные параллельные закономерности объяснены с учетом природы активных центров и природы химической связи в исследуемых объектах.

5. На основе установленных закономерностей и взаимосвязи между ними показаны и реализованы возможности использования:

- результатов измерения рНизо для создания экспресс-метода оценки чувствительности полупроводников по отношению к газам определенной электронной природы;

- твердого раствора состава (Сс1Те)о,98(2п8)о,о2 в качестве первичного преобразователя сенсора-датчика на микропримеси ЫН3 и в качестве люминофора с определенным спектром свечения.

Защищаемые положения

1. Разработанная методика получения твердых растворов системы СёТе-гпБ.

2. Результаты рентгенографических исследований, подтвердившие образование твердых растворов сфалеритной структуры.

3. Выводы о механизме влияния состава и аммиака на люминесцентные свойства компонентов системы СёТе^пБ.

4. Установленные закономерности в изменении объемных и поверхностных физико-химических свойств компонентов системы СсГГе^пБ, параллелизм между ними.

5. Обоснование причины найденных закономерностей и их взаимосвязи, которая заложена в природе активных центров и природе химической связи.

6. Прогнозирование поверхностных свойств полупроводников изучаемой системы на основе установленных закономерностей «свойство-состав».

7. Практические рекомендации по созданию на основе твердого раствора состава (СёТе)0,98(2п8)0,о2 преобразователя сенсора-датчика на микропримеси 1\ГН3 и люминофора с определенным спектром свечения.

Практическая значимость работы

1. Разработана методика получения твердых растворов системы CdTe-ZnS. Найден режим термовакуумной обработки бинарных компонентов и твердых растворов, обеспечивающие упорядочение кристаллической структуры.

2. На основе анализа диаграмм состояния «свойство-состав» предложен способ прогнозирования поверхностной чувствительности компонентов системы CdTe-ZnS.

3. Предложен экспресс-метод оценки чувствительности поверхности по отношению к газам определенной электронной природы по результатам измерения рНизо.

4. Твердый раствор состава (CdTe)o,98(ZnS)o,o2 использован в качестве первичного преобразователя сенсора-датчика на микропримеси NH3 и рекомендован в качестве люминофора с определенным спектром свечения. Подана заявка на изобретение.

Апробация работы. Материалы диссертационной работы доложены и обсуждены на VIII Международной научной конференции (Хургада, Египет, 2008г.); VIII научной конференции «Аналитика Сибири и Дальнего Востока» (Томск, 2008); VI Международных научно-технических конференциях «Динамика систем механизмов и машин» (Омск, 2007); I, II и III Всероссийских научно-технических конференциях «Россия Молодая: передовые технологии - в промышленность» (Омск, 2008, 2009, 2010); Региональной молодежной научно-технической конференции «Омское время -взгляд в будущее» (Омск, 2010); I научно-технической конференции аспирантов, магистрантов, студентов «Техника и технология современного нефтехимического производства» (Омск, 2011); П-ой Региональной молодежной научно-технической конференции «Омский регион-месторождение возможностей» (Омск, 2011). Результаты диссертации опубликованы в 12 работах

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Касатова, Ирина Юрьевна

Выводы

1. Получены по разработанной методике и аттестованы на основе рентгенографических и оптических исследований твердые растворы системы Сс1Те-2п8. Теллурид кадмия и твердые растворы имеют структуру сфалерита, а сульфид цинка - структуру вюрцита.

2. Изучены объемные физико-химические свойства полученных твердых растворов и бинарных компонентов системы СсГГе-2п8. На основе УФ-спектроскопических исследований рассчитана ширина запрещенной зоны изучаемых объектов, которая плавно нарастает с увеличением содержания сульфида цинка.

3. Впервые изучены химический состав и кислотно-основные свойства компонентов системы СёТе-2п8:

- химический состав исходной поверхности представлен преимущественно адсорбированными молекулами воды, группами ОН", углеводородными, соединениями и продуктами окисления поверхностных атомов;

- определены природа, сила, концентрация кислотных центров. За кислотные центры ответственны преимущественно координационно-ненасыщенные атомы. Поверхность всех компонентов системы Сс1Те-2п8 имеет слабокислый характер (рНизо=6,29-6,68). С увеличением содержания значение рНи30 плавно нарастает, а общая концентрация кислотных центров - уменьшается.

4. По результатам КР-спектроскопии установлено влияние состав и КН3 на люминесцентные свойства изучаемых объектов:

- с увеличением содержания ZnS отмечается смещение максимума спектрального распределения в коротковолновую область, а также уменьшение интенсивности пиков;

- влияние ЫНз проявляющееся в гашении люминесценции;

-высказаны соображения о механизме влияния адсорбированных молекул КН3 на люминесценцию: адсорбированные молекулы играют роль центров безызлучательной рекомбинации, возникающих на поверхности при адсорбции;

- на основе отмеченного факта гашения люминесценции при адсорбции аммиака сделано заключение о преимущественно донорном проявлении его молекул в образующихся адсорбционных связях, что подтверждается ИК-спектрами и результатами кислотно-основных свойств (степень гашения люминесценции возрастает с АрНи30).

5. Найдены закономерности в изменении объемных и поверхностных свойств с составом. Установлена тесная взаимосвязь между этими закономерностями. Построены диаграммы состояния «свойство-состав».

6. Найденные взаимосвязанные закономерности объяснены с учетом природы активных центров и природы химической связи в исследуемых объектах.

7. Показана возможность использования диаграмм состояния «свойство-состав» для выявления наиболее активных компонентов, применяемых в изготовлении первичных преобразователей сенсоров датчиков экологического и медицинского назначения.

8. Сделаны практические разработки:

- предложен экспресс-метод оценки чувствительности поверхности по отношению к газам определенной электронной природы по результатам измерения рНи30;

- твердый раствор состава (Сс1Те)0;98(2п8)0:02 использован в качестве первичного преобразователя сенсора-датчика на микропримеси ]МН3 и рекомендован в качестве люминофора с определенным спектром свечения. Подана заявка на изобретение.

В заключении автор выражает глубокую благодарность научному руководителю, Заслуженному деятелю науки и техники РФ, доктору химических наук, профессору Ирине Алексеевне Кировской за неоценимую помощь в подготовке диссертации.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Касатова, Ирина Юрьевна, 2012 год

Библиографический список

1. Кировская И.А. Поверхностные явления. - Омск: Изд-во ОмГТУ, 2001. 174 с.

2. Кировская, И.А. Твердые растворы бинарных и многокомпонентных полупроводниковых систем. Омск: Изд-во ОмГТУ, 2010. 398 с.

3. Кировская, И.А. Оценка чувствительности поверхности полупроводников

- первичных преобразователей сенсоров-датчиков по кислотно-основным свойствам / И.А. Кировская, А.Е. Земцов, О.Т. Тимошенко, С.О. Подгорный, Е.О. Карпова, М.В. Шинкаренко // Современные наукоемкие технологии, VIII научная межд.конф., 22-29 февраля 2008г., Хургада (Египет), №12. - С. 82-85

4. Кировская, И.А. Адсорбционные процессы. - Иркутск: Изд-во ИГУ, 1995.

- 310с.

5. Физика соединений AnBVI / под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана. -М.: Наука. 1986.-320 с.

6. Кристалл охимические, физико-химические и физические свойства полупроводниковых веществ. Справочник. - М.: Изд-во стандартов, 1973. -208с.

7. Берченко H.H. Полупроводниковые растворы и их применение: Справочные таблицы / Под ред. В.Г. Середина. -М.: Воениздат, 1982. - 208с.

8. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Свойства материалов. Справочник. - Киев: Наукова Думка, 1975.- 704 с.

9. Рот B.JI. Физика и химия соединений AnBVI : Пер с англ./Под ред. С.А. Медведева - М.: Мир, 1970. - с.624.

10. Шевченко И.Б, Изв. АН СССР: Сер. Неорганические материалы, 1974, т10, с217.

11. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ: Справочник/Под ред. A.B. Новоселова. - М.: Наука, 1978.

12. Угай Я.А. Общая и неорганическая химия - м.: Высш.шк., 2002. - 527с.

13. Китель Ч. Квантовая теория твердых тел: пер. с англ. А. Гусева. - М.: Наука, 1967г.-429с.

14. Палаткин Л.С., Сорокин В.К. Основы пленочного полупроводникового материаловедения. - М.: изд-во «Энергия», 1973г. - 296с. с ил.

15. Вавилов B.C., Кекелидзе Н. П. Действие излучений на полупроводники: Учеб. руководство. - М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. Лит., 1998. - 192с. - ISBN 5 -02-013834-7.

16. Мосс Т. - Оптические свойства полупроводников. М. ИЛ, 1961.

17. Оптические свойства полупроводников (под ред. Уллардсона Р. И Вира А.) «Мир», 1970.

18. Пасынков В.В., Сорокин B.C. Материалы электронной техники. - Спб.: Издательство Лань, 2003. - 368с.

19. Ортмонт Б. Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников./Под ред. В.М. Глазова.- М.: Высшая школа, 1982. - 528 с.

20. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников- М.: Наука, 1977. - 679 с.

21. Горелик С. С., Дашевский М. Я. Материаловедение полупроводников и металловедение. - М.: Металлургия, 1973. - 496 с.

22. Угай, Я.А.. Введение в химию полупроводников. - М.: «Высшая школа», 1975.-320 с.

23. Мизецкая, И.Б. Физико-химические основы синтеза полупроводниковых монокристаллов / И.Б. Мизецкая, Л.Б. Буденная, И.Д. Олейник. - Киев: «Наукова думка», 1975. - С.23 - 27.

24. Федяева, О.А. Физико-химические свойства поверхности полупроводниковой системы CdTe-HgTe: дис...канд. хим. наук. - Омск: ОмГТУ, 1998. - 170 с.

25. Гавриленко В.И., Грехов A.M., Кортубяк Д.В., Литовченко В.Г. Оптические свойства полупроводников: справочник. Киев, Наукова Думка. -1987. 608 с.

26. Безбородов В.М., Бублик В.Т., Столяров О.Г. Халькогениды цинка, кадмия и ртути. - М.: Металлургия, 1973. - 99 с.

27. Киселев В. Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках-М.: Наука, 1970.—399с.

28. Медведев С.Н. Введение в технологию полупроводниковых материалов. -М.: Высш. школа, 1970. - с. 247-466.

29. Кировская И. А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Химический состав поверхности. Катализ. Иркутск : Изд-во ИГУ, 1988. - 220 с.

30. И.А. Кировская, Т.Л. Букашкина, М.В. Васина, Е.О. Карпова, И.Ю. Касатова, П.Е. Нор, И.А. Кубрина, В.А. Холоденко, Ю.В. Бунтина. Кислотно-основное состояние и активность поверхности новых адсорбентов на основе систем А В - А В . / Материалы Всероссийской научно-технической конференции «Россия Молодая: передовые технологии - в промышленность».-Омск, 2009. С. 165-169.

31. Подгорный С. О. Получение и адсорбционно-каталитические свойства системы ZnSe-CdTe. Автореферат дис. Канд. хим. наук. - Омск: изд-во ОмГТУ, 2011.21с.

32. Миронова Е. В. Новая многокомпонентная полупроводниковая система InSb-CdTe. Ее поверхностные физико-химические свойства : диссертация ... кандидата химических наук : 02.00.04 Омск, 2003 158 с.

33. Кировская И.А. Поверхностные свойства бинарных алмазоподобных полупроводников. - Омск: Изд-во ОмГТУ, 2012. - 430 с.

34. Кечин В.А., Люблинский Е.Я. Цинковые сплавы. - М.: Металлургия, 1986. 247 с.

35. Киселев В. Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках-М.: Наука, 1970.—399с.

36. Морозова Н.К., Кузнецов В.А. Сульфид цинка. Получение и оптические свойства. -М.: Наука, 1987, - 188 с.

37. А. И. Китайгородский. Смешанные кристаллы. — М.: «Наука», 1983. — 277 с.

38. Урусов В. С., Теория изоморфной смесимости, М., 1977.

39. Урусов В. С., Теоретическая кристаллохимия, М., 1987.

40. Войцеховский, A.B. О получении монокристаллов твердых растворов (GaP)x(ZnSe)n-x // Физика твердого тела / A.B. Войцеховский, А.Б. Панченко. - Киев: Киев. пед. ин-т, 1975. - с. 24 - 26.

41. Томашик В.В. Диаграммы состояния систем на основе полупроводниковых соединений AnBVI. Справочник / В.В. Томашик, В.И. Грицыв.- Киев: Наукова думка, 1982. - 168.

42. Макаров Е. С., Изоморфизм атомов в кристаллах, М., 1973.

43. Хачатурян А. Г., Теория фазовых превращений и структура твердых растворов, М., 1974.

44. Левшин Л.В., Салецкий A.M. Люминесценция и ее измерения: Молекулярная люминесценция. - М.: Изд-во МГУ, 1989. - 272 с.

45. Фок М. В., Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров, М., 1964.

46. Сердюк В.В., Ваксман Ю.Ф. Люминесценция полупроводников. - К.: Одесса: Выща шк. Головное изд-во, 1988. - 200с.

47. Шубенкова Е. Г. Получение твердых растворов системы InSb-ZnTe. Её адсорбционные, электрофизические и оптические свойства : автореф. дис... канд. хим. наук. - Омск, 2005. - 20 с.

48. Волькенштейн Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1987. -432с.

49. Кировская И.А., Миронова Е.В. Кислотно-основные свойства поверхности твердых растворов InSb-CdTe // ЖФХ, 2005. Т. 79. № 4. С. 755758.

50. Кировская И.А., Новгородцева Л.В., Васина М.В. Адсорбция газов на поверхности твердых растворов и бинарных соединений системы GaSb-ZnTe // Журн.физ.химии, 2007. Т. 81. № 9. С. 1719-1723, 178.

51. Кировская И.А., Тимошенко О.Т. Кислотно-основное состояние и адсорбционная активность (по отношению к NH3) поверхности компонентов системы InP-CdS // ДАН ВШ РФ, 2006. № 1(6). - С. 69-73.

52. Кировская И.А., Шубенкова Е.Г., Новгородцева Л.В. Перспективы использования полупроводниковых систем GaSb-ZnTe, InSb-ZnTe для анализа

газовых сред // Материалы IV Всероссийской школы-семинара «Новые материалы. Создание, структура, свойства-2004». Томск, 2004. С. 226-227.

53. Кировская И.А., Миронова Е.В., Быкова Е.И., Тимошенко О.Т., Филатова Т.Н. Адсорбционные и электрофизические исследования чувствительности и селективности поверхности компонентов системы InSb-ZnTe по отношению к токсичным газам // ЖФХ, 2008. Т. 82. № 4. С. 1-5.

54. Кировская И.А., Земцов А.Е. Химический состав и кислотно-основные свойства поверхности компонентов системы GaAs-CdS // Журн.физ.химии, 2007. Т. 81. № 1.С. 101-106.

55. Кировская И.А., Земцов А.Е., Тимошенко О.Т. и др. Новый способ оценки чувствительности первичных преобразователей сенсоров-датчиков // Материалы Всерос.науч.-техн. конф. «Россия молодая: передовые технологии - в промышленность». Кн. 2. Омск: Изд-во ОмГТУ, 2008. - С. 228-234.

56. Цыганенко, A.A. Исследование адсорбции аммиака на поверхности окислов металлов методом ИК-спектроскопии: В кн.: Успехи фотоники / A.A. Цыганенко, JI.B. Поздняков, В.Н. Филимонов - Л.: ЛГУ, 1975. - № 5. - С. 150177.

57. Гордымова, Т.А. Спектральные проявления форм адсорбции аммиака на у-А1203 / Т.А. Гордымова, A.A. Давыдов // Журн. прикл. Спектр. - 1983. -Т.39, № 4. - С. 621-627.

58. Svatos, G. F. Infrared Absorption Spektra of Inorganic Coordination Complexes. XII. The Characteristic NH3 Deformation Vibrations of Solid Inorganic Complexes / G. F. Svatos, D.M. Sweeny, S.P. Mizushima // J. Amer. Chem. Soc. -1957.-v.79.-p. 3313-3315.

59. Кислотно-основные свойства поверхности алмазо-подобных соединений А3В5, А2В6, A*B7 / И.А. Кировская [и др.] // Деп в ВИНИТИ, 1984. - № 367. Вып. 84. - С.9.

60. Литтл, Л. Инфракрасные спектры адсорбированных молекул. - М.: Мир, 1969.- 515 с.

61. Киселев, A.B. Инфракрасные спектры поверхностных соединений / A.B. Киселев, В.И. Лынгин. - М.: Наука, 1972. - С. 395 - 397.

62. Смит, А. Прикладная ИК - спектроскопия. - М.: Мир, 1982 - С. 20 - 189.

63. Кировская И.А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Твердые растворы. Томск: изд-во Томского университета, 1984 г., 127с.

64. Кировская И.А. Возможные пути регулирования свойств поверхностей алмазоподобных полупроводников и некоторые аспекты их практической реализации.// Физическая химия. 1994г. №10.

65. КуклевДО.И. Физическая экология.-М.:Высшая школа,2001.-С.268-343.

66. Майдановская Л. Г. О водородном показателе изоэлектрического состояния амфотерных катализаторов// Каталитические реакции в жидкой среде. Алма-Ата, АН КазССр, 1963. - с. - 212- 217.

67. Белоусова, В.Н. Методы исследования адсорбентов и катализаторов / В.Н. Белоусова, Г.М. Зелева- Томск.:Изд-во ТГУ, 1977. - С. 61 - 66.

68. Кировская, И.А. Кинетика химических реакций. - Омск, 1994. - 96 с. -ISBN 5-230-13822-Х.

69. Кировская, И.А. Кислотно-основные и каталитические свойства поверхности твердых растворов ZnSe-CdSe / И.А. Кировская, Е.М. Буданова // Журн. физ. химии. - 2002. - Т.76, № 4. - С.667.

70. Давыдов, A.A. ИК-спектроскопия в химии поверхности окислов. -Новосибирск: Наука, 1984. - 245 с.

71. Кировская И.А. Химическое состояние поверхности компонентов системы ZnSe - CdSe /И.А. Кировская, Е.М. Буданова // ЖФХ. - 2001. - Т. 75. -№ 10.-с. 1837- 1842.

72. Утюж, А.Н. Влияние примеси бора на спектры комбинационного рассеяния света синтетических алмазов / А.Н. Утюж, , Ю.А. Тимофеев, А.В. Рахманина//Изв.РАН. Неорган. материалы.-2004.-Т. 40, N 9. -С. 1062 - 1067.

73. Крегер, Ф. Химия несовершенных кристаллов. - М.: Мир, 1969. - 450 с.

74. Ю, Питер Основы физики полупроводников: пер. с англ. И.И. Решиной. Под ред. Б.П. Захарчени / Питер Ю, Мануэль Кардона - М.: Физматлит, 2002. - 560 с.

75. Дворецкий Д.П. Вентиляция, кровообращение и газообмен в легких // Физиология дыхания / Под ред. И.С. Бреслава, Г.Г. Исаева. СПб.: Наука, 1994. С. 197-257.

76. Страйер JI. Биохимия. В 3-х томах. М.: Мир, 1985.

77. Скрупский В.А. Эндогенные летучие соединения — биологические маркеры в физиологии и патологии человека и методы их определения // Научно-технический отчет. Институт океанологии РАН. 1994.75 с.

78. LeMarchand L., Wilkens L.R., Harwood P., Cooney R.V. Use of breath hydrogen and methane as markers ol colonic fermentation in epidemiological studies: circadian patterns of excretion // Env. Health Perspect. 1992. Vol. 98. P. 199-202.

79. Coburn R.F., Williams W.J., Kahp S.B. Endogenous carbon monoxide production in patients with hemolytic anemia // J. Clin. Invest. 1966. Vol. 45, N 4. P. 460^68.

80. Zayasu К., Sekizawa К., Okinaga S., Yamaya M., Ohrui Т., Sasaki H. Increased carbon monoxide in exhaled air of asthmatic patients // Amer. J. Respir. Crit. Care. Med. 1997. Vol. 156, N 4. Pt. 1. P. 1140-1143.

81. Hunt R.D. Measurements of Partial Pressure of Ammonia in Breath and Arterial Blood: Evidence for Secretion of Ammonia into Expired Gas by Metabolism of Monoamines in the Lung // Ph.D. Dissertation. University of Florida. Gainesville. 1976.

82. Миркин С. E. Справочник по рентгеноструктурному анализу. - М.: Гос. физ.-мат. лит-ры, 1961. - 863с.

83. Горелик С. С., Расторгуев JL Н., Скаков. Ю. А. Рентгенографический и электронооптичекий анализ. - М.: Металлургия, 1970. - 107с.

84. Гиллер, Я.Л. Таблицы межплоскостных расстояний. В 2-х т. Т. II. - М. : Недра, 1966. - 362 с.

85. Зевин, Л.С. Количественный рентгенографический фазовый анализ / Л.С. Зевин, Л.Л. Завьялова. - М.: Недра, 1974. - 184 с.

86. Г. С. Ходаков. Физика измельчения. - М.: Наука, 1972.-205 с.

87. Крешков, А.П. Кислотно-основное титрование в неводных растворах / А.П. Крешков, Н.А. Казарян. - М.: Химия, 1967. - 192 с.

88. Рапопорт, Ф.М. Лабораторные методы получения чистых газов / Ф.М. Рапорт, А.А. Ильинская - М.: Госхимиздат, 1963. - С. 35 - 78.

89. Кировская И.А. Исследование свежеобразованных поверхностей соединений типа AnBVI / И.А. Кировская, В.В. Даныпина, Е.М. Емельянова // Неорг. материалы. - 1989. - Т. 25. - № 3. - с. 379 - 381.

90. Каменкин, Н.П. Эпитаксиальные пленки соединений А11 - BVI. - Л. : Изд-во ЛГУ, 1978.-312 с.

91. Справочник по основам инфракрасной техники. - М. : Сов. Радио, 1978. -400 с.

92. Е.А. Виноградов, Б.Н. Маврин, H.H. Новиков, В.А. Яковлев. Дисперсия мод в спектрах оптических фононов смешанных кристаллов ZnSi.xSex // Физика твердого тела, 2006, Т. 48, вып. 10.

93. Л.А. Водопьянов, B.C. Виноградов, H.H. Мельник, Г. Карчевский. Комбинационное рассеяние света в многослойных структурах с квантовыми точками CdTe в ZnTe.

94. Сущинский М.М. Комбинационное рассеяние света строение вещества. -М.: Наука, 1981, 183с.

95. Казанкин О.Н., Марковский Л.Я., Миронов И.А., и др. Неорганические люминофоры. Д., Химия, 1975. 192 с.

96. Кировская И. А., Касатова И. Ю.Сравнительные кислотно-основные свойства поверхности компонентов системы CdTe-ZnS в рядах твердых растворов замещения и аналогов // ЖФХ, 2011, Т. 85, № 7. С. 1-5.

97. Кировская, И.А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Адсорбция газов. - Иркутск: ИГУ, 1984. - 167с.

98. Новгородцева JI.B. Система GaSb - ZnTe. Ее адсорбционные и другие поверхностные свойства.: диссертация ... кандидата химических наук: 02.00.04 Омск, 2005, 180с.

99. Вавилов B.C., Кекелидзе Н.П., Смирнов JI.C. Действие излучений на полупроводники. -М.: Наука. Гл. ред. Физ.-мат. Лит., 1988.-192 с.

100. Накамото К. ИК-спектры и спектры KP неорганических и координационных соединений: Пер. с англ.- М.: Мир, 1991.- 536с

101. Кардон Ю.П. Основы физики полупроводников / Пер. в сангл. Под ред. Б.П. Захарчени. - 3-е изд. - М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002. - 560 с.

102. Смит Р. Полупроводники: Пер. с . англ. - М.: Мир, 1982, - 560с.

103. Stuhl D.R., Sinke G.C. - Thermodynamic Properties of the Elements, Advances in Chemistry, Series, 18, Am. Chem. Soc., Washington, D.C., 1965.

104. Aven M., Prener J.S. - Physics and Chemistry of II - VI Compounds, Amsterdam, 1967

105. Патент № 179672. Датчик влажности газов / И.А. Кировская, А.В. Юрьева, Е.Д. Скутин, В.Г. Штабнов. - 1993, Бюл. № 15. - 16 е.,

106. Патент № 2125260. Датчик влажности газов / И.А. Кировская. - 1999, Бюл. № 10. - 24 е., Патент № 2141639. Пьезорезонансный датчик влажности газов / И.А. Кировская, О.А. Федяева. - 1999, Бюл. № 14. - 45 е.,

107. Svatos, G. F. Infrared Absorption Spektra of Inorganic Coordination Complexes. XII. The Characteristic NH3 Deformation Vibrations of Solid Inorganic Complexes / G. F. Svatos, D.M. Sweeny, S.P. Mizushima // J. Amer. Chem. Soc. -1957.-v.79.-p. 3313-3315

108. Кировская И.А., Тимошенко O.T. Кислотно-основное состояние и адсорбционная активность (по отношению к NH3) поверхности компонентов системы InP-CdS // ДАН ВШ РФ, 2006. № 1(6). - С. 69-73

109. Горелик С.С., Расторгуев JI.H., Скаков Ю.А. Ренгенографический и электронооптический анализ. - М.: Металлургия, 1970. - 107 с.

110. Кировская И.А. Полупроводниковый анализ и контроль состояния окружающей среды // Аналитика Сибири и Дальнего Востока: Тез. Докл. -Новосибирск, 2000. - с. 164-165.

111. Galazka R. Proc. of the Int. Cont. On II - VI Semicond and Semimagnet. -Semicond Linz. Fustria, 1994. P. 22.

112. Беляев А.П., Рубец В.П., Кукушкин С.А. Сенсорные исследования начальных стадий формирования пленок теллурида кадмия из паровой фазы // ФТТ, 2001. Т. 43. Вып. 10. С. 1901-1903

113. Беляев А.П., Рубец В.П., Нуждин М.Ю., Калинкин И.П. Влияние резко неравновесных условий на стехиометрию состава слоя теллурида кадмия, конденсируемого из паровой фазы // ФТП, 2003. Т. 37. Вып. 6. С. 641-643.

114. Крешков А.П., Казарян H.A. Кислотно-основное титрование в неводных растворах. - М.: Химия, 1967. - 192 с.

115. Бару В. Г., Волькенштейн Ф. Ф. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников М.: Наука ,1978. 288 с.

116. Кировская И.А. Химическое состояние реальной поверхности соединений типа А2В6 // Неорг. матер., 1989. Т. 25. № 9. С. 1472-1476

117. Кировская И.А., Майдановская Л.Г. Кинетика адсорбции газов на полупроводниках типа цинковой обманки // Труды ТГУ им. В.В. Куйбышева. -Изд-во ТГУ, 1971. Т. 204. С. 230-235.

118. Федяева O.A. Физико-химические свойства поверхности полупроводниковой системы CdTe-HgTe: Дис...канд. хим. наук. - Омск, 1998. 170 с.

119. Кировская H.A. Физико-химические свойства поверхности теллурида кадмия // Журн. физ. химии, 1997. Т. 71. № 12. С. 2241-2244.

120. Кировская И.А. Возможные пути регулирования свойств поверхности алмазоподобных полупроводников и некоторые аспекты их практической реализации // Неорг. матер., 1994. Т. 30. №.2. с. 147-152.

121. Седельников Н.Г., Иванов Ю.М., Ванюков A.B. // Журнал физ. химии, 1974. т. 48. вып. 8. с. 2103.

122. Палатник Л.С., Сорокин В.К., Маричева В.Н. // Изв. АН СССР. Сер. неорг. матер., 1974. № 10. с. 413.

123. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках/Пер. с англ. под ред. Ж.И.Алферова и B.C. Вавилова. - М.: Мир, 1973г.

124. Антипьева В.А. Физика полупроводников. Издание ВВИА им. проф. Н.Е. Жуковского, 1960 - 55с

125. Болтакс Б.И. Диффузия в полупроводниках. - М.: Физматгиз, 1961. -464с.

126. Брунауэр С. Адсорбция газов и паров.— М.: Изд-во иностр. лит., 1948. -674 с.

127. Вудраф Д. Современные методы исследования поверхности: пер. с англ./ Д. Вудраф, Т. Делчар. - М. : Мир, 1989. - 564с.

128. Киселев В.Ф. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников и диэлектриков / В.Ф. Киселев, О.В. Крылов. - М.: Наука, 1978.-256с.

129. Рогинский С.З. Адсорбция и катализ на неоднородных поверхностях. -М.: Изв. АН СССР, 1948. - 643с.

130. Современные проблемы физической химии поверхности полупроводников. - Новосибирск: Наука, 1988. -238с.

131. Моррисон С. Химическая физика поверхности твердого тела: пер. с англ. под. ред. Ф.Ф. Волькенштейна. - М. : Мир, 1980. - 488 с.

132. Харрисон У. Электронная структура и свойства твердых тел: Физика химической связи: пер. с англ. - М.: Мир, 1983. -Т.1.-381 с.

133.Haneman D. Surface structures and properties of diamond - structure semiconductors//Phys. Rev. - 1961. - vol 121. - p. 1093 - 1095.

134. Кировская И.А. Химическое состояние поверхности компонентов системы ZnSe - CdSe /И.А. Кировская, Е.М. Буданова // ЖФХ. - 2001. - Т. 75. -№ 10.-с. 1837-1842.

135. Кировская И.А. Исследование свежеобразованных поверхностей соединений типа AnBVI / И.А. Кировская, В.В. Даныпина, Е.М. Емельянова // Неорг. материалы. - 1989. - Т. 25. -№ 3. - с. 379 - 381.

136. Ismagilov, Z.R. Investigation of the reaction of direct oxidation of hydrogen sulfide by optical and kinetic methods / Z.R. Ismagilov, V.V. Kuznetsov, et. all. / Annual review of Activities in Fundamental Areas. Boreskov institute of catalysis Siberian branch of Russian academy of sciences. - Novosibirsk. - 1997. - P. 129.

137. Yim W.M., Dismukes J.P., Kressel H. Vapor growth of (Il-VI)-(in-V) quaternary alloys and their properties // RCA Review, 1970. N 12, P.P. 662-679

138. Фотолюминисценция ZnTe и CdTe, выращенных с применением транспортирующих газов, содержащих галогены / В.Ф. Агекян [и др.] // ФТТ. -2002. - Т. 44, №. 12. - С. 2117-2119

139. Антонов-Романовский В.В. Кинетика фотолюминесценции кристаллофоров. М., «Наука», 1966. 323с.

140. Энергии образования связей. Потенциалы ионизации и сродство к электрону / JI.B. Гурвич, Г.В. Карачевцев, В.Н. Кондратьев, Ю.А. Лебедев, В.А. Медведев, В.К. Потапов, Ю.С. Ходеев. - М. : Наука, 1974. - 351 с.

141. Литинский, А.О. Расчеты взаимодействия молекул Н20 и NH3 с поверхностью модифицированных алюмосиликатов и кристалла ZnO / А.О. Литинский, Н.Г. Лебедев // ЖФХ. - 1995. - том 69. - № 1. - с. 138 - 140.

142. Немошкаленко, В.В. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Зонная теория металлов / В.В. Немошкаленко, В.Н. Антонов. - Киев: Наук, думка, 1985.-408 с.

143. Патент 2029292. RU, G01N27/12. Датчик концентрации аммиака / JI. П. Маслов, С. И. Сорокин, С. А. Крутоверцев. - N 5058003/25; заявлено 07.08.1992; опубликовано 20.02.1995, Бюл. №5. - 179с.

144. Патент 2088914. RU, G01N27/30. Сенсор для анализа газообразных веществ / С. А. Радин, О. М. Иванова, В. Г. Загарских, А. В. Высочанский. - N 95111367/25; заявлено 03.07.1995; опубликовано 27.08.1997, Бюл. №24. - 393с.

145. Патент 2178559 RU, G01N27/12. Полупроводниковый газовый датчик. / И. А. Кировская, Т. В. Ложникова; заявитель Омский Государственный Технический Университет. - N 99125143/28; заявлено 29.11.1999; опубликовано 20.01.2002, Бюл. №2. - 278с.

146. Микроэлектронные датчики химического состава газов / А. В. Евдокимов, М. Н. Муршудли, Б. И. Подлепетский, А. Е. Ржанов [и др.] // Электроника. -1988.-С. 3-39.

147. Краткий справочник физико-химических величин / Под ред. Л.А. Пономарева, A.A. Равдель. - Л. : Химия, 1983. - 271 с.

148. Воронов Ю.В. Ультрафиолетовая люминесценция сульфида цинка при электронном и оптическом возбуждении // Тр. ФИАН СССР. - 1973. - 68. - С. 3-94.

149. Шалимова К.В., Морозова Н.К. Узколинейчатые спектры монокристаллов с ошибками упаковки // Оптика и спектроскопия. - 1965. - 19, № 6. - С. 939942.

150. Гросс Е.Ф., Суслина Л.Г. Спектр излучения донорно-акцепротных пар в кристаллах сернистого цинка // ФТТ. - 1966 - 8, № 3. - С. 872-786.

151. Люминесценция и анизотропия кристаллов сульфида цинка // Тр. ФИАН. Т. 164. -М.: Наука, 1985. 128. - С. 28-32.

152. Байерман К. Определение следовых количеств органических веществ. М.: Мир, 1987. 462 с.