Структура, объемные и поверхностные физико-химические свойства полупроводников многокомпонентной системы ZnTe-CdSe тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, кандидат наук Васина, Марина Владимировна

• Васина, Марина Владимировна
• кандидат наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат наук Васина, Марина Владимировна

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. Литературный обзор

1.1 Объемные свойства полупроводников типа АПВУ1 гпТе, СсШе

1.1.1. Термодинамические характеристики

1.1.2. Кристаллохимические свойства

1.1.3. Физические свойства. Электрофизические и оптические свойства

1.2. Поверхностные свойства полупроводников типа АПВУ1 гпТе, Сс&е

1.2.1. Химическое состояние поверхности и кислотно-основные свойства

1.2.2. Адсорбционные свойства

1.2.3. Каталитические свойства

1.3. Объемные и поверхностные свойства твердых растворов

1.4. Применение полупроводников типа АПВУ1 гпТе, СсШе

1.5. Методы исследования твердых адсорбентов и катализаторов

Глава 2. Методики эксперимента

2.1. Получение твёрдых растворов

2.2. Аттестация твердых растворов

2.2.1. Рентгенографические исследования

2.2.3. Электронномикроскопические исследования

2.2.4. Термографические исследования

2.2.5. КР - спектроскопические исследования

2.3. Химический состав поверхности

2.3.1. Метод электронной Оже - спектроскопии

2.3.2. ИК - спектроскопические исследования

2.4. Исследование кислотно-основных свойств

2.4.1. Определение рН - изоэлектрического состояния

2.4.2. Механохимический метод исследования поверхности

2.4.3. Метод неводного кондуктометрического титрования

2.5. Адсорбционные исследования

2.6. Каталитические исследования

2.7. Выбор газа - адсорбата

Глава 3. Результаты и их обсуждения

3.1. Синтез твердых растворов

3.2. Аттестация твердых растворов

3.2.1. Рентгенографические исследования

3.2.2. Электронномикроскопические исследования

3.2.3. Термографические исследования твердых растворов

3.3.КР - спектроскопические исследования

3.4. Люминесцентные свойства

3.5. Химический состав поверхности

3.5.1. Оже-спектроскопические исследования твердого раствора

3.5.2. ИК - спектроскопические исследования

3.6. Кислотно-основные свойства

3.6.1. Изучение рН изоэлектрического состояния

3.6.2. Определение концентрации кислотных центров

3.6.3. Изучение поверхности методом механохимического диспергирования

3.7. Адсорбционные исследования

3.7.1. Адсорбционные исследования манометрическим методом

3.7.2. Адсорбционные исследования методом ИК-спектроскопии

3.8. Каталитические исследования

Глава 4. Установленные закономерности и практическая значимость полученных результатов исследований

4.1. Основные закономерности в изменении изученных свойств от состава системы гпТе-СёБе

4.2. Практические рекомендации по использованию полученных материалов

Выводы

Список литературы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Структура, объемные и поверхностные физико-химические свойства полупроводников многокомпонентной системы ZnTe-CdSe»

ВВЕДЕНИЕ

Одним из перспективных направлений поиска материалов новой техники, в том числе, нано-, сенсорной техники, а также адсорбентов и катализаторов является синтез и исследование многокомпонентных систем на основе бинарных алмазоподобных полупроводников. Если бинарные алмазоподобные полупроводники, обладающие уникальными объемными свойствами (электрофизическими, фото- и пьезоэлектрическими, оптическими), уже нашли применение в ряде областей современной техники и, прежде всего, в опто-, микроэлектронной, люминофорной, то многокомпонентные системы на их основе еще таят в себе нереализованные возможности, что представляет научный и практический интерес и является актуальным.

Для раскрытия и реализации этих возможностей необходимы разработка методик получения и комплексное изучение объемных и поверхностных физико-химических свойств таких объектов.

Одним из практических аспектов исследований поверхности бинарных и более сложных алмазоподобных полупроводников, проводимых д.х.н., профессором И. А. Кировской - основателем научной школы и ее учениками [1,2], является создание газовых сенсоров-датчиков. Их чувствительность определяется, прежде всего, физико-химическим состоянием поверхности, включающим в себя структуру, химический состав, кислотно-основные, адсорбционные свойства, и, несомненно, зависящим от природы и объемных свойств материала, выбранного в качестве чувствительного элемента - первичного преобразователя [2].

Объектами исследований в данной работе явились твердые растворы новой, ранее неизученной системы ZriYе - СёЭе и, для сравнения, исходные бинарные соединения (7пТе, СёБе).

Цель работы: Разработать методику, получить и аттестовать твердые растворы системы 2пТе - СёЭе, комплексно изучить объемные и поверхностные физико-химические свойства, установить закономерности их изменения в

зависимости от состава и определить области практического применения полученных материалов.

В соответствии с поставленной целью были сформулированы следующие задачи:

1. По разработанной методике получить твердые растворы системы ZnTe -

саэе.

2. Изучить объемные физико-химические свойства (структурные, термографические, оптические, люминесцентные), на основе которых аттестовать твердые растворы, определить их элементный состав, области люминесцентного свечения.

3. Исследовать поверхностные физико-химические свойства полученных твердых растворов (химический состав поверхности, кислотно-основные, адсорбционные, каталитические):

- определить природу, силу, концентрацию активных центров;

выяснить механизмы кислотно-основного и адсорбционного взаимодействий;

- охарактеризовать поведение оксида углерода - зонда на кислотные центры, газа-адсорбата, составляющего газовых выбросов и участника реакции каталитического окисления СО.

4. Установить закономерности изменения изученных объемных и поверхностных физико-химических свойств в зависимости от состава, взаимосвязь между ними. Построены диаграммы состояния «свойство- состав».

5. На основе установленных взаимосвязанных закономерностей и соответствующих диаграмм состояния определить области практического применения полученных материалов.

6. Разработать практические рекомендации по использованию полученных материалов в качестве первичных преобразователей сенсоров-датчиков экологического назначения и люминофоров с определенными спектрами свечения.

Научная новизна работы

1. По впервые разработанной методике, включающей установление температуры синтеза, температурного и временного режимов нагрева, получены твердые растворы системы 2пТе - СёБе.

2. Впервые исследованы объемные физико-химические свойства полученных твердых растворов для определения их кристаллической структуры, элементного состава, оптических, люминесцентных характеристик и аттестации. Установлены:

- на основе рентгенографических исследований - образование твердых растворов замещения со структурой вюрцита (при избытке ZnTe) и сфалерита (при избытке СёЭе);

- на основе электронномикроскопических исследований - уточненный элементный состав твердых растворов, который согласуется с мольным составом, средний размер частиц и его зависимость от состава компонентов системы, распределение каждого бинарного компонента между объемом и поверхностью кристаллических зерен другого бинарного компонента;

на основе термографических исследований - температуры эндотермических эффектов и соответствующие температуры плавления твердых растворов;

- на основе КР - спектроскопических исследований - области максимального люминесцентного свечения, которым обладают Сс18е, ZnTe и твердый раствор состава (ЕпТе^гССёЗе^вв •

3. Впервые изучены химический состав и кислотно-основные свойства поверхности твердых растворов (2пТе)х (Сё8е)ьх:

- химический состав исходной поверхности представлен преимущественно адсорбированными молекулами воды, группами ОН~, углеродсодержащими соединениями и продуктами окисления поверхностных атомов;

- определены природа, сила, концентрация кислотных центров. За

кислотные центры ответственны преимущественно координационно -

ненасыщенные атомы. Исходная поверхность всех компонентов системы ZnTe -

6

Сс18е имеет слабощелочной характер (рНизо = 6,84-7,87). С увеличением содержания ZnTe значение рНи30 плавно нарастает, а общая концентрация кислотных центров изменяется экстремально - через максимумы при ХсёБе = 0,32 и ХсёБе = 0Д4, свидетельствуя о наибольшей адсорбционной активности твердых растворов указанных составов. Соответственно, при экспонировании поверхности в атмосфере СО значение рНизо также изменяется экстремально при тех же составах.

4. Методами манометрическим, пьезокварцевого микровзвешивания, проточно-циркуляционным впервые изучены адсорбционные (по отношению к СО и смеси газов СО+Ог) и каталитические (по отношению к реакции окисления СО) свойства твердых растворов (2пТе)х(Сё8е)1.х и бинарных компонентов (2пТе, Сс^е). На основе анализа опытных зависимостей ар =/(Т), ИК-спектров, кислотно-основных характеристик поверхности адсорбентов, а также с учетом электронной природы молекул адсорбатов установлен преимущественно химический, активированный характер адсорбции при температурах выше 298 К; подтверждены природа активных центров и донорно-акцепторный механизм взаимодействия СО с поверхностью; его повышенная адсорбируемость в смеси СО+О2; предварительно определены температурные области протекания каталитического окисления СО и наиболее каталитически активные компоненты системы гпТе-СёЭе ((2пТе)о,2б(Сё8е)о!74,(2пТе)о>б8(Сё8е)о)з2 и Сё8е), что подтверждено последующими прямыми каталитическими исследованиями.

5. Найдены закономерности в изменении с составом объемных (структурных, термографических, оптических, люминесцентных) и поверхностных (кислотно-основных, адсорбционных и каталитических) свойств. Построены диаграммы состояния «свойство-состав». Установлена взаимосвязь между ними. Найденный параллелизм закономерностей обоснован с учетом природы активных центров и природы химической связи в исследованных объектах.

6. На основе установленных взаимосвязанных закономерностей и соответствующих диаграмм состояния «свойство-состав

показаны возможности прогнозирования поверхностных свойств полупроводников изученной и подобных систем;

- для полупроводников изученной системы реализованы возможности прогнозирования по кислотно-основным характеристикам поверхности адсорбционной (по отношению к газам определенной электронной природы) и каталитической (по отношениям к реакциям с участием этих газов) активности.

- найдены наиболее активные по отношению к СО и реакции каталитического окисления СО компоненты системы 2пТе-Сс18е: (гпТе)о,26(Сс18е)о,74, (2пТе)0,б8(Сс18е)о,з2 и СсШе;

- твердый раствор состава (2пТе)0, ] 2(Сё8е)0:88 предложен в качестве люминофора с определенным спектром свечения и твердый раствор состава (2пТе)0)2б(Сё8е)0!74 - в качестве первичного преобразователя сенсора-датчика на микропримеси СО;

- даны практические рекомендации по использованию предложенных материалов в диагностике окружающей среды и при изготовлении соответствующих люминофорных устройств.

Защищаемые положения

1. Разработанная методика и результаты получения, аттестации твердых растворов системы 2пТе-Сс18е.

2. Результаты исследований объемных физико-химических свойств (структурных, термографических, оптических, люминесцентных), подтвердившие образование твердых растворов замещения и позволившие определить их кристаллическую структуру, элементный состав, оптические и люминесцентные характеристики.

3. Выводы о химическом составе поверхности, природе активных центров, механизмах и закономерностях кислотно-основных, адсорбционных и каталитических взаимодействий.

4. Установленные закономерности в изменении объемных и поверхностных физико-химических свойств компонентов системы 2пТе-Сё8е с составом, взаимосвязь между ними.

5. Обоснование причины найденных закономерностей и их взаимосвязи, заложенной в природе активных центров и природе химической связи.

6. Прогнозирование поверхностных свойств полупроводников изученной и подобных систем на основе взаимосвязанных закономерностей «свойство-состав».

7. Обоснование и установленные возможности создания на основе твердых растворов составов (2пТе)о,2б(Сс18е)о,74>(2пТе)о,б8(Сс18е)о,з2 и Сё8е первичных преобразователей сенсоров-датчиков экологического назначения (на микропримеси СО) и использования твердого раствора состава (2пТе)од2(Сс18е)о,88 в качестве люминофора с определенным спектром свечения.

Практическая значимость работы

1. Разработана методика получения новых материалов - твердых растворов системы 2пТе-Сс18е.

2. Подтверждена возможность прогнозирования адсорбционной и каталитической активности полупроводников системы ZnTe-CdSe на основе анализа диаграмм состояния «физико-химическое свойство - состав».

3. С применением данного способа

найдены оптимальные составы полупроводников системы ((2пТе)о,2б(Сс18е)о,74, ^пТе^^Сс^е^зг и Сё8е) с повышенной адсорбционной (по отношению к СО) и каталитической (по отношению к реакции окисления СО) активностью;

- разработаны практические рекомендации по использованию их в качестве первичных преобразователей сенсоров-датчиков на микропримеси СО и соответственно в диагностике окружающей среды;

- твердый раствор состава (2пТе)о,1г(Сс18е)о,88 рекомендован как люминофор с определенным спектром свечения;

- предложена принципиальная схема работы датчиков на угарный газ;

- получен патент на изобретение.

Апробация работы

Основные положения диссертационной работы докладывались, обсуждались и были одобрены на:

- Международных научных конференциях «Современные наукоемкие технологии» (г.г. Хургада, Египет, Тенерифе, Испания; 2006, 2007, 2008);

- VIII научной конференции «Аналитика Сибири и Дальнего Востока» (г. Томск, 2008);

- Всероссийских научно-технических конференциях с международным участием «Россия молодая: передовые технологии - в промышленность» (г. Омск, 2008, 2009, 2013);

- Международных научно - технических конференциях «Динамика систем, механизмов и машин» (г. Омск, 2007, 2008, 2009, 2012);

- Научно-технических конференциях аспирантов, магистрантов, студентов «Техника и технология современного нефтехимического производства» (г. Омск, 2012, 2013).

Результаты диссертации опубликованы в 17 работах.

ГЛАВА 1 ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1 Объемные свойства полупроводников типа АПВУ1 гпТе, Сс18е

Полупроводники представляют собой весьма многочисленный класс материалов. В него входят сотни самых разнообразных веществ - как элементов, так и химических соединений. Полупроводниковыми свойствами могут обладать как неорганические, так и органические вещества, кристаллические и аморфные, твердые и жидкие, немагнитные и магнитные. Несмотря на существенные различия в строении и химическом составе, материалы этого класса роднит одно замечательное качество- способность сильно изменять свои электрические свойства под влиянием небольших внешних воздействий [3].

К группе алмазоподобных полупроводниковых соединений АПВУ1 относятся следующие соединения: Сё8, Сё8е, 2п8, 2п8е, 2пТе, СсГГе, Н§8е, Н§Те. У большинства соединений АПВУ1 межатомные расстояния в тетраэдрах обеих модификаций очень близки [4]. Двухэлектронное облако смещается от атомов элементов II к атомам элементов VI группы. Межатомные связи осуществляются эр3 электронами, т. е. принимается, что связи носят преимущественно ковалентный характер, хотя разности электроотрицательностей атомов компонентов и доля ионной компоненты связи имеют большие значения. Поэтому в соединениях АпВУ1связь является ионно-ковалентной и этим соединениям присущи черты, характерные для обоих типов связи [5, 6].

Двойные вещества АПВУ1 могут быть охарактеризованы как системы с одним летучим и одним нелетучим компонентами и образованием эквиатомного соединения. Специфика взаимодействий в таких системах выражается в том, что образующиеся соединения диссоциирует до момента достижения температуры плавления.

Однако при внешнем неконтролируемом давлении (выше равновесного)

диссоциация соединения до температуры плавления предотвращается, и

11

диаграммы состояния систем изображают образование когерентно плавящихся веществ.

1.1.1. Термодинамические характеристики

Соединения АПВУ1 относительно тугоплавки и обладают относительно меньшими давлениями паров. Общей особенностью этих материалов является их разложение или диссоциация при повышенных температурах, описываемых равновесной реакцией:

2 АИВУ1(тв) 2АИ(газ)+В2У1(газ),

Парциальные давления компонентов Апи ВУ1 не зависимы [5].

Так, например, разложение Сс18е осуществляется по реакции:

2Сс18ет<-»2Сс1г + 8е2г

Отношение давлений пара составляет 1,51:1. При испарении кристалла Сс18е происходит автоматическое регулирование состава. Избыточный компонент через некоторое время удаляется из приповерхностного слоя, и кристалл начинает испаряться в условиях, когда состав пара и кристалла соответствует стехиометрическому составу испаряемой шихты [7].

За последнее время появилось много работ, посвященных термодинамическим свойствам соединений группы АПВУ1. В таблице 1.1 приведены основные термодинамические свойства этой группы соединений (стандартные величины теплоты образования и энтропии, энтропия реакций образования соединений, энергия диссоциации, удельная теплоемкость при постоянном давлении, теплота сублимации) [8-9].

В связи с тем, что основным методом синтеза соединений АПВУ1 является метод получения из газовой фазы, очень важными являются данные давлении и составе паров над соединениями АПВУ1.

Таблица 1.1- Основные термодинамические свойства группы соединений

АПВУ1

Соединен не Теплота образования, ккал/моль (298 К) Энтропия, кал/моль*град (298 К) Энтропия реакции образования, кал/моль*град Верхний предел энергии диссоциации ккал/моль Удельная теплоемкость, кал/моль*град Теплота сублимации, ккал/моль

ZnS 48.6 13.8 - 48 0,336 (18,65 К) 9,03 (177,9 К) 69,0

ZnSe 39.0 19.8 88.5 (1084 К) 50 3,18(80 К) -

ZnTe 26.0 23.0 86,2 (970 К) 30 7,33 (80 К) 48,65

CdS 38.0 16.5±0.5 - 59 7,8 (123 К) 13,7 (323 К) 51,0

CdSe 32.6 23.1 92,8 (465 К) 46 4,0 (80 К) -

CdTe 23.8 24.0 86,4 (874 К) 31 4,5 (80 К) 43,46

HgS 13.8 19.5±1.5 - 53 - -

HgSe 14.0 - - 39 4,32 (80 К) 5,95 (300 К) -

HgTe 12.0 22.0 31,2 (493 К) 33 - -

1.1.2. Кристаллохимические свойства

Почти все соединения типа АПВУ1 кристаллизуются таким образом, что каждый атом располагается в центре правильного тетраэдра, в четырех углах которого находятся атомы другого элемента. Из таких тетраэдров возможно образование двух типов структур: сфалерита (кубическая) и вюртцита (гексагональная). Структура сфалерита очень сходна со структурой алмаза, однако отличается чередованием в решетке атомов двух разных элементов. В структуре сфалерита атомы одного элемента расположены в узлах гранецентрированной кубической решетки, атомы второго элемента занимают центры четырех (из восьми) малых кубов (рис. 1.1.).

На рис. 1.2. показан структурный тип вюрцита. Координационное число для атомов обоих элементов равно четырем.

Рисунок 1.1- Кристаллическая структура сфалерита

Рисунок 1.2 - Кристаллическая структура вюрцита

Структуры сфалерита и вюрцита очень близки между собой. Это сходство определяется одинаковым числом атомов не только в первой, но и во второй координационной сферах. В обеих структурах во второй координационной сфере каждый атом окружен 12 атомами того же элемента, имеется только некоторое отличие в расположении атомов, связанное с различием упаковки по кубическому и гексагональному законам. Разница между обеими структурами состоит по существу в положении атомов третьей координационной сферы, поскольку расстояния до атомов в структуре вюрцита, меньше, чем в структуре сфалерита. Поэтому можно ожидать, что для соединений с большей разницей в электроотрицательности элементов структура вюрцита будет предпочтительнее. Для соединений группы АпВУ1сфалерит - низкотемпературная модификация, а вюрцит - высокотемпературная. Почти одинаковы в обеих структурах и расстояния до атомов, расположенных во второй координационной сфере.

ZnTe при его получении также образует смесь кубических и гексагональных кристаллов. Последние имеют 15-слойную ромбоэдрическую упаковку (типа 1511).

Теллурид цинка обычно кристаллизуется в структуре цинковой обманки.

Параметры решетки кристаллов, выращенных в различных лабораториях, хорошо согласуются. Поскольку ZnTecKnoHeH к образованию дефектов и проявляет тенденцию к политипизму, возникают дополнительные трудности, в результате чего следует продолжить исследования для установления структур вюртцитной модификации [5].

Структура сфалерита имеет более низкую степень симметрии по сравнению с алмазом, что приводит к ряду специфических свойств, характерных для этой структуры. Вследствие отсутствия центра симметрии направления <111> образуют полярные оси. Поэтому направления <111> и < 1 1 1> и поверхности {111} и { 1 1 1} оказываются различными.

На рисунке 1.3а показана модель структуры сфалерита, иллюстрирующая различие между направлениями <111> и < 1 1 1>.

Идентификация кристаллографической полярности в соединениях типа AHBV1 производится с помощью рентгеновского анализа [8, 9].

Поверхность {111}

Направление <111 > Поверхность {111}

Поверхность {0 0 1}

(6)

Направление <001 > Поверхность {001}

Рисунок 1.3 - Модель структуры сфалерита, иллюстрирующая различия между поверхностями {111} и {111 }(а), и структуры вюртцита, иллюстрирующая различия между поверхностями {001} и {0 0 1}(б).

Было показано, что поверхности {111} оканчиваются атомами элементов II группы периодической системы, а поверхности {111}- атомами элементов VI группы. Поверхности {111} и {1 1 1} принято называть поверхностями^и В {111}.

В случае структуры вюрцита наблюдается аналогичная картина. В направлении <001> имеет место чередование двойных слоев, каждый из которых состоит из атомов одного сорта. Поэтому в соединениях со структурой вюрцита также имеется два типа поверхностей {001} (поверхности А и В).

На рис. 1.3 6 представлена модель структуры вюрцита и показано различие между направлениями <001> и <001> [13]. Из различия в строении поверхностей Аи В {111}, а также А и Б{001} следует, что эти поверхности должны иметь различные свойства.

Характерной особенностью большинства структур, в которых отсутствует центр симметрии, является наличие пьезоэлектрического эффекта. В структуре цинковой обманки, которая является простейшей и структур, обнаруживающих пьезоэффект, последний наблюдается при деформации в направлении полярной оси <111>. Аналогичным образом сжатие кристаллов соединений со структурой вюрцита вдоль полярной оси (001) также приводит к появлению противоположных электрических зарядов на противоположных гранях базиса.

Следует заметить, что пьезоэлектрические константы для веществ со структурой вюрцита значительно выше, чем для веществ со структурою сфалерита, что, по-видимому, является следствием большей ионности связи [10].

1.1.2. Физические свойства. Электрофизические и оптические свойства

Для глубокого процесса, происходящих в полупроводниковых материалах, необходимо принимать во внимание различные свойства веществ: электрические, физико-химические, механические и т.п. совокупность сведений об этих свойствах должна характеризовать расположение частиц веществ, их природу и связь между ними.

Физические свойства алмазоподобных полупроводников изменяются

закономерно с составом и деталями структуры. Можно проследить эту связь на

примере многих, хорошо изученных групп этого семейства. Для каждой группы

полупроводников характерно собственное сочетание свойств, тем не менее

16

существует и общность основных параметров и их закономерное изменение как внутри групп, так и между ними [4].

Полупроводники обладают полностью заполненной зоной, отделенной от зоны проводимости запрещенной зоной, ширина которой составляет порядка нескольких электрон-вольт(эВ) [11].

В полупроводниковых соединениях ширина запрещенной зоны зависит от характера химической связи. Увеличение ширины запрещенной зоны обусловлено ростом ионной доли химической связи [12].

Ширина запрещенной зоны Её является одним из фундаментальных параметров полупроводниковых материалов. Чем больше Её, тем выше допустимая рабочая температура и тем более сдвинут в коротковолновую область спектра рабочий диапазон приборов, создаваемых на основе соответствующих полупроводниковых материалов. Величина Её хорошо коррелирует с температурой плавления. Обе эти величины возрастают с ростом энергии связи атомов в кристаллической решётке, поэтому для широкозонных полупроводниковых материалов характерны высокие температуры плавления, что создает большие трудности на пути создания чистых и структурно совершенных монокристаллов таких полупроводниковых материалов [13].

Физические свойства Cd.Se

Селенид кадмия окрашен в темно-красный, почти черный цвет.

Селенид кадмия можно получить взаимодействием паров кадмия с Н28е. Кроме того, монокристаллы СёБе получают из компонентов взаимодействием в парообразном состоянии. Для селенида кадмия необходимо строго выдерживать постоянство соотношения компонентов в газовой смеси. Более однородные кристаллы получаются при введении в реакционное пространство водорода или селеноводорода.

В таблице 1.2. представлены некоторые физические свойства полупроводникового соединения Сё8е [14-17].

Таблица 1.2 - Физико-химические характеристики СёБе

тип кристаллической структуры сфалерит вюрцит

ширина запрещенной зоны, эв 1,7

параметры решетки, А ^сфалерит-16,084 ^•вюрцит 4,3 09, ^вюрцит 7,021

плотность, г/см вюрцит-5,81

температура плавления Т, °С 1350, 1258, 1260

микротвердость, кг/мм2 90

формульный вес 191,36

разность электроотрицательностей Ах 0,8

средний атомный номер 41

диэлектрическая постоянная высокочастотная 10,0

удельная поверхность 0,91 м2/г

подвижность носителей тока, см2/св электронов-600 дырок-500

расстояние между разноименными атомами, А сфалерит-2,62 вюрцит-2,63

теплота атомизации, ккал/атом 52

величина эффективного заряда для атомов металла -0,55

Физические свойства ZnTe В таблице 1.3. представлены некоторые физические свойства полупроводникового соединения ZnTe [17-21].

Таблица 1.3 - Физические свойства ZnTe

Тип кристаллической структуры Сфалерит

ширина запрещенной зоны, эв 2.2

параметры решетки, А а=6.089

плотность, г/см 5.7

микротвердость, кг/мм 100

Т °С 1 плавл.» ^ 1295

формульный вес 192.99

расстояние между разноименными атомами, А 2.64

теплота атомизации, ккал/атом 63

разность электроотрицательностей 0.5

величина эффективного заряда для атомов металла -0.066

О теплопроводности, обусловленной носителями тока, содержится мало информации. Из всех этих соединений АпВУ1наиболее подробно изучен2пТе. Измерялась теплопроводность чистого и легированного 2пТе в интервале температур от 3 до 300К.

Незначительное уменьшение теплопроводности легированного ZnTe, в котором примерно 1% атомов цинка замещен кадмием или марганцем, можно интерпретировать на основе теории теплопроводности чистого 2пТе с включением некоторых дополнительных точечных центров рассеяния, образованных кадмием или марганцем. Очень сильное магнитное рассеяние объясняется особенностями состояний (¿-электронов, подверженных воздействию внутрикристаллического поля и спин- орбитальных взаимодействий. Теплопроводность других исследованных соединений АпВУ1в общих чертах повторяет картину, полученную для 2пТе [23-24].

Одно из свойств, связанных самыми общими закономерностями с характером химической связи в веществе - твердость, наиболее надежным методом определения которой из-за значительной хрупкости многих полупроводников является метод микротвердости [22, 25-27].

Диаграмма состояния системы Тп—Те представлена на рисунке 1.4.

В системе имеется одно соединение ZnTe, которое плавится конгруэнтно при 1239°С и образует вырожденные эвтектики со своими компонентами [28].

Кривая ликвидуса имеет острый максимум вблизи температуры плавления (1295° С), подобный таковому в системе Сё-Те .

На основании данных о зависимости концентрации вакансий цинка от парциального давления паров цинка, высказано предположение о наличии в системе Zn - Те одностороннего отклонения области однородности соединения ZnTe от стехиометрического состава в сторону избытка теллура. Величина этого

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Васина, Марина Владимировна

выводы

1. По впервые разработанной методике, включающей установление температуры синтеза, температурного и временного режимов нагрева, получены твердые растворы системы 2пТе - СёБе.

2. Впервые исследованы объемные физико-химические свойства полученных твердых растворов для определения их кристаллической структуры, элементного состава, оптических, люминесцентных характеристик и аттестации. Установлены:

- на основе рентгенографических исследований - образование твердых растворов замещения со структурой вюрцита (при избытке 2пТе) и сфалерита (при избытке СёБе);

- на основе электронномикроскопических исследований - уточненный элементный состав твердых растворов, который согласуется с мольным составом, средний размер частиц и его зависимость от состава компонентов системы, распределение каждого бинарного компонента между объемом и поверхностью кристаллических зерен другого бинарного компонента;

на основе термографических исследований - температуры эндотермических эффектов и соответствующие температуры плавления твердых растворов;

- на основе КР - спектроскопических исследований - области максимального люминесцентного свечения, которым обладают СёБе, 2пТе и твердый раствор состава (2пТе)0,12(Сё8е)0)88 •

3. Впервые изучены химический состав и кислотно-основные свойства поверхности твердых растворов (2пТе)х (Сё8е),.х:

- химический состав исходной поверхности представлен преимущественно адсорбированными молекулами воды, группами ОН-, углеродсодержащими соединениями и продуктами окисления поверхностных атомов;

- определены природа, сила, концентрация кислотных центров. За кислотные центры ответственны преимущественно координационно -

ненасыщенные атомы. Исходная поверхность всех компонентов системы 2пТе -СёБе имеет слабощелочной характер (рНизо = 6,84-7,87). С увеличением содержания гпТе значение рНи30 плавно нарастает, а общая концентрация кислотных центров изменяется экстремально - через максимумы при ХсёБе = 0,32 и ХсёБе = 0,74, свидетельствуя о наибольшей адсорбционной активности твердых растворов указанных составов. Соответственно, при экспонировании поверхности в атмосфере СО значение рНи30 также изменяется экстремально при тех же составах.

4. Методами манометрическим, пьезокварцевого микровзвешивания, проточно-циркуляционным впервые изучены адсорбционные (по отношению к СО и смеси газов С0+02) и каталитические (по отношению к реакции окисления СО) свойства твердых растворов (2пТе)х(Сс18е)1.х и бинарных компонентов ^пТе, Сё8е). На основе анализа опытных зависимостей ар =/(%), ИК-спектров, кислотно-основных характеристик поверхности адсорбентов, а также с учетом электронной природы молекул адсорбатов установлен преимущественно химический, активированный характер адсорбции при температурах выше 298 К; подтверждены природа активных центров и донорно-акцепторный механизм взаимодействия СО с поверхностью; его повышенная адсорбируемость в смеси С0+02; предварительно определены температурные области протекания каталитического окисления СО и наиболее каталитически активные компоненты системы 2пТе-Сё8е ((2пТе)о.2б(Сё8е)о.74,(2пТе)о.б8(Сё8е)о.з2 и Сё8е), что подтверждено последующими прямыми каталитическими исследованиями.

5. Найдены закономерности в изменении с составом объемных (структурных, термографических, оптических, люминесцентных) и поверхностных-(-кислотно-основных, адсорбционных и каталитических) свойств. Построены диаграммы состояния «свойство-состав». Установлена взаимосвязь между ними. Найденный параллелизм закономерностей обоснован с учетом природы активных центров и природы химической связи в исследованных объектах.

6. На основе установленных взаимосвязанных закономерностей и соответствующих диаграмм состояния «свойство-состав

показаны возможности прогнозирования поверхностных свойств полупроводников изученной и подобных систем;

- для полупроводников изученной системы реализованы возможности прогнозирования по кислотно-основным характеристикам поверхности адсорбционной (по отношению к газам определенной электронной природы) и каталитической (по отношениям к реакциям с участием этих газов) активности.

- найдены наиболее активные по отношению к СО и реакции каталитического окисления СО компоненты системы 2пТе-Сс18е: (2пТе)о.2б(Сс18е)о.74, (2пТе)0.68(С(18е)о.з2 и Сс18е;

- твердый раствор состава (2пТе)о;12(Сс18е)о,88 предложен в качестве люминофора с определенным спектром свечения и твердый раствор состава (2пТе)о,2б(Сё8е)0!74 - в качестве первичного преобразователя сенсора-датчика на микропримеси СО;

- даны практические рекомендации по использованию предложенных материалов в диагностике окружающей среды и при изготовлении соответствующих люминофорных устройств.

В заключении автор выражает искреннюю благодарность своему научному руководителю - Заслуженному деятелю науки и техники РФ, д.х.н., профессору Кировской Ирине Алексеевне за поддержку и помощь в работе.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Васина, Марина Владимировна, 2013 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Кировская И. А. Твердые растворы бинарных и многокомпонентных полупроводниковых систем. Омск: Изд-во ОмГТУ, 2010. 400 с.

2. Кировская И.А. Поверхностные явления. Омск: Изд-во ОмГТУ,2012.176 с.

3. Ортмонд Б. Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М.: Высшая школа, 1982. 528 с.

4. Горюнова H.A. Семейство алмазоподобных полупроводников. Вып. 11 М., Знание 1970г. 46 с.

5. Физика и химия соединений AnBVI. Перевод с англ. под редакцией С. А. Медведева. М.: изд-во «Мир», 1970 г. 624 с.

6. Введение в производство полупроводниковых материалов/под ред. В.И. Медведева. М.:«Наука», 1979г. 504 с.

7. Палаткин Л.С., Сорокин В.К. Основы пленочного полупроводникового материаловедения. М.: изд-во «Энергия», 1973 г. 296 с.

8. Герасимов Я.И., Крестовников А.Н., Горбов С.И. Термодинамика в цветной металлургии. М: Металлургия . Т. 6. 1974. С. 91.

9. Грыцив В. И., Томашик В. Н., Томашик 3. Ф. Термодинамическая оценка взаимодействия соединений А В и халькогенидов олова//Известия АН СССР, Неорган, материалы. 1979. Т. 15, № 1. С. 42 - 44.

10. Кировская И.А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Химические свойства поверхности. Катализ. - Иркутск., Иркут.Ун-т, 1988. 170с

11. Ансельм А. И. Введение в теорию полупроводников М.: Наука, 1978. 615 с.

12. Минайчев В.Е. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Нанесение пленок в вакууме. Учеб. пособие для ПТУ. Кн.6. М.: Высш. шк., 1989 г., 110 с.

13. Горелик С. С., Дашевский М. Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. М.: Металлургия, 1988. 574 с.

14. Горюнова H.A. Сложные алмазоподобные полупроводники М.: Изд-во Сов. Радио, 1968 г. 267 с.

15. Мизецкая И.Б., Буденная Л.Б., Олейник И.Д. Физико-химические основы синтеза полупроводниковых монокристаллов. Киев, 1975 г. С. 23-27

16. Т. К. Bergstresser, М. L.Cohen./ Electronic structure and optical properties wurtzite structure CdS, CdSe, ZnS // Phys. Rev. 164 (3) P. 1069-1080 (1967)

17. Корнеева И. В. Синтез и исследование некоторых физико-химических свойств теллуридов и селенидов цинка и кадмия: Дис. канд. хим. наук. М., 1960. 192 с.

18. Абрикосов Н.Х, Банкина В.Ф., Порецкая Л.В., Скуднова Е.В., Шелимова Л.Е. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства. М.: «Наука», 1967, 171 с.

19. Гончаров Е.Г., Семенова Г.В., Угай Я.А. Химия полупроводников. Воронеж: Изд-воВоронежун-та, 1995 г. 68 с.

20. Hamdi, Н., Valette, S. Journal of Applied Physics, Volume 51, issue 9 (September 1980), p. 4739-4741. ISSN: 0021-8979 DOI: 10.1063/1.328303

21. Dinesh C. Sharma, Subodh Srivastava, Y. K. Vijayl, Y. K. Sharmal. Study of Optical Properties of Bilayer ZnTe: A1 Film Grown on Glass Substrate by Thermal Evaporation Method. International Journal of Recent Research and Review, Vol.1, March 2012 ISSN 2277 — 8322.

22. O.A. Федоренко, Ю.А. Загоруйко, H.O. Коваленко Механические свойства монокристаллов ZnSe : Сг // Физика твердого тела, 2012, том 54, вып. И. С. 99101.

23. Жузе В.П. Полупроводниковые материалы. Вып. 17. Ленинград, 1957 г., 97 с.

24. Мейлихов Е.З., Лазарев С. Д., Электрофизические свойства полупроводников, (Справочник физических величин). М.: «Наука», 1987.

25. Микротвердость и хрупкая прочность кристаллов ZnSe(i.X)Tex, выращенных из расплава/Тезисы докладов XII Национальной конференции по росту кристаллов - М.: Ин-т кристаллографии им. А.В.Шубникова, 2006. - 210 с.

26. Wan wan Li, Wenbin Sang, Jihna Min, Fang Yu, Bin Zhang and Kunsu Wang. Cdj. xZnxTe Crystal Growth Controlied by Cd/Zn Partia) Pressures. Semiconductor Science and Technology, 2002, v. 17, p.L55-L58

27. Альфер С. А, Скумс В. Ф. Исследование электропроводности CdSe и CdTe при повышенных температурах и давлениях / Неорганические материалы. 2001. Т. 37, № 12. С. 1449-1453.

28. КировскаяИ.А., АзароваО.П., ДубинаО.Н., ШубенковаЕ.Г. Рентгенографические исследования твердых растворов систем типа АШВУ - AnBVI // Омский научный вестник. 2001 г., №3, С. 69-70

29. Угай Я.А. Введение в химию полупроводников. Учеб. пособие для вузов. Изд. 2-е, перераб. и доп. М.,«Высшая школа», 1975 г. 302 с.

30. Коновалов О.М. Полупроводниковые материалы. Харьков Изд-во Госуниверситета. 1963г. 212с.

31. Москатов Е. А. Электронная техника. Начало. Изд-во Таганрог, 2010. 204 с.

32. Горюнова H.A. Химия алмазоподобных полупроводников. Изд-во ЛГУ, 1963 г. 141 с.

33. Кировская И.А. Возможные пути регулирования свойств поверхностей алмазоподобных полупроводников и некоторые аспекты их практической реализации.// Неорган, материалы, 1994. Т. 30. № 2. С. 144-152.

34. Оптические свойства полупроводников: справочник/В. И. Гавриленко и др. Киев: Наукова думка, 1987 . - 607 с.

35. Кот М.В., Тырзиу В.Г. Оптические свойства тонких слоев системы ZnSe-CdSe и ZnTe-CdTe, полученных методом "клин на клин"// Полупроводниковые соединения и их твердые растворы. Кишинев, 1970. С. 31 - 38.

36. Горелик С.Е., Расторгуев Л.Н. Скаков Ю.А. Рентгенооптический и электронооптический анализ. Приложения. М.: Металлургия, 1970 г. 107 с.

37. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников.- М.: ~Наука71977.678 с.

38. Оптические свойства полупроводников (полупроводниковые соединения типа А3В5)/ Под ред. Р.Уиллардсона и А.Бира. М.: Изд - во Мир, 1970, 488 с.

39. Мосс Т. Оптические свойства полупроводников. М.: Изд-во иностр. лит., 1961. 303 с.

40. Кристаллохимические, физико-химические и физические свойства полупроводниковых веществ: Справочник. М: Изд-во стандартов, 1973 г. 208 с.

41. Питер Ю, Мануэль К. Основы физики полупроводников. Москва: Физматлит, 2002, 560 с.

42. Кировская И.А., Мурашко Ю.А. ИК - спектроскопические исследования поверхности компонентов системьйпТе - CdTe // Омский научный вестник, 2004 г., №1(26), С. 66-67

43. Кировская И.А. Катализ. Полупроводниковые катализаторы. Монография. Омск: изд-во ОмГТУ, 2004 г. 272 с.

44. Кировская И.А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Твердые растворы. Томск: ТГУ, 1984 г. 160 с.

45. Кировская И.А. Поверхностные явления: монография. Омск: Изд-во ОмГТУ, 2001 г. 174 с.

46. Кировская И.А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Адсорбция газов. Иркутск: Изд-во Иркут.ун-та, 1984 г. 186 с.

47. Тимошенко О. Т., Филатова Т. Н., Быкова Е. И., Васина М. В., Рудько Т. JI. Экспресс контроль техногенного загрязнения как необходимый элемент мониторинга окружающей среды/ Экология Южной Сибири и сопредельных территорий/Выпуск 10, Т. 2. 2006 г., С. 73-75

48. Кировская И.А., Буданова Е.М. Адсорбционные свойства компонентов системы ZnSe - CdSe // Журн. физ. химии. 2002г., Т. 76. №7. С. 1246 - 1254

49. Новгородцева Л.В. Система GaSb - ZnTe. Ее адсорбционные и другие поверхностные свойства. Автореф. дис. канд. хим. наук: ОмГТУ. - Омск, 2005 г. 22 с.

50: Кировская И.А., Даныиина В.В., Скутин Е.Д.. Исследование адсорбции методом пъезокварцевого взвешивания // Матер. I Всесоюз. Семинара по адсорбции жидкостной хроматографии эластомеров. М.: Наука, 1985. С.54-55 51. Кировская И.А., Пименова Л.Н. Монометрические и масс-спектроскопические исследования адсорбции газов на ZnTe // Неорган, матер., 1976. Т. 12, № 2. С. 221 -223

52. Кировская И.А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Химические свойства поверхности. Катализ. - Иркутск., Иркут.Ун-т, 1988. 170с

53. Антипьева В.А. Физика полупроводников. Издание ВВИА им. проф. Н.Е. Жуковского, 1960 г. - 55 с.

54. Рогинский С.З. Проблемы кинетики и катализа. М.: Наука, 1960, 10, С.5.

55. Рогинский С.З. Электронные явления в гетерогенном катализе. М.: Наука, 1975,259 с.

56. Хачатурян А. Г. Теория фазовых превращений и структура твёрдых растворов, М., 1974

57. Полупроводниковые твердые растворы и их применение/ Н.Н. Берченко, B.C. Креве, В.Г. Средин. Под редакцией В.Г. Средина. М.: Воениздат, 1982, 208 с.

58. Томашик В.Н. Диаграммы состояния систем на основе полупроводниковых соединений AUBVI. Киев, 1982 г.

59. П. П., Соболев Б. П., Федоров П. И., "Кристаллография", 1981, т. 26, № 3, с. 512

60. Иконникова К.В., Иконникова Л.Ф., Минакова Т.С., Саркисов Ю.С. Теория и практика рН-метрического определения кислотно-основных свойств поверхности твердых тел. Учебное пособие. Томск: Изд-во Томского политехнического университета, 2011 г. 85 с.

61. Сидорин И.И., Косолапое Г.Ф., Макарова В.И. и др. Основы материаловедения, 1976, 436 с.

62. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и металловедение. М.: изд-во «Металлургия», 1973 г. 495 с

63. Леондарь В.В. Исследование влияния состояния границы раздела на электрические и фотоэлектрические свойства гетероперехода ZnTe-Сё8е//Дисер...канд. физ-мат. наук, Кишенев, 1984. 241 с.

64. Фокша А.Я. Исследование многослойных фоточувствительных структур на основе эпитаксиальных слоев ZnTe и CdSe //Дисер.. .канд. физ-мат. наук, Кишенев, 1984. 213 с.

65. VK Madhu Smitha Rani, RP Vijayalakshmi, D. Raja Reddy and BK Reddy. Preparation and Characterisation of (ZnTe) x (CdSe) bx Single Crystals//MRS Online Proceedings Library, 1990.

66. K. Raju Structural and energy gap variations in (ZnTe)x(CdSe)l-x thin films // Journal of Physics and Chemistry of Solids - J PHYS CHEM SOLIDS 01/1992; 53(3):341-344.

67. ET Yu, MC Phillips, JO McCaldin, TC McGill Measurement of the CdSe/ZnTe valence band offset by x-ray photoelectron spectroscopy, J. Vac. Sci. Technol. В 9 , 2233, 1991)

68. Иоффе И.И., Решетов B.A., Добротворский. Гетерогенный катализ. Ленинград: Химия, 1985. 224 с.

69. Luo H , Samarth N, Pareek A, Dobrowolska M Furdyna JK Otsuka N, Chou WC, Petrou A, Qadri SB//Molecular beam epitaxy of a low strain II-VI heterostructure: ZnTe/CdSe/ Applied Physics Letters, v. 58 n. 16, p. 1783-1785,1991.

70. KMKemner , BABunker , AJKropf, H. Luo N. Samarth , JK Furdyna MR Weidmann, KE Newman// Atomic rearrangement at ZnTe/CdSe interfaces/ Phys. Rev. В 50, 14327-14335. 1994.

71. Soline Boyer-Richard, Cédric Robert, Lionel Gérard, Jan-Peter Richters, Régis André, Joël Bleuse, Henri Mariette, Jacky Even, Jean-Marc Jancu // Atomistic simulations of the optical absorption of type-II CdSe/ZnTe superlattices/ Boyer-Richard et al. Nanoscale Research Letters, T7, 1534, 2012.

72. Zhi-Zhong Xu, Heather Dowd, Shang-Fen Ren , Zong-Quan Gu//Phonons in ZnTe/CdSe superlattices with interchange of cation layers across interfaces I Phys.: Condens Matter 10, 1539, 1998.

"737" Sreejith Kaniyankandy , S. Rawalekar , Sandeep Verma ,Hirendra N. Ghosh//Ultrafast Hole Transfer in CdSe/ZnTe Type II Core-Shell Nanostructure/J. Phys. Chem. С , 2011 , 115(5), pp 1428-1435.

74. Новые полупроводниковые материалы// Сборник переводных статей под ред. канд. тех. наук А.Я. Нашельского. М. 1964 г. 271 с.

75. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства. Под.ред. Абрикосова, М.1967, 176 с.

76. Мильвидский М. Г., Полупроводниковые материалы в современной электронике, М.: «Наука», 1986. 144 с.

77. Горелик С.С., Дашевский М. Я. Материаловедение полупроводников и металловедение. М. Металлургия, 1973. 496 с.

78. Материалы O.K. Химия, химические технологии и химическое машиностроение. 4.2. 2002 г. 132 с.

79. Васильев Р. Б., Дирин Д. Н. Квантовые точки: синтез, свойства, применение. МГУ, Москва, 2007. С. 50.

80. Олейников В. А. Квантовые точки - наноразмерные сенсоры для медицины и биологии//Природа. 2010. №3. С. 22—28

81. Методы исследования катализаторов: Пер. с англ./Под ред. Дж. Томаса, Р. Лемберта. М.: Мир, 1983. 304 с.

82.Гоулдстейн, Дж. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ: в 2 т. / Дж. Гоулдстейн, Д. Ньюбери, П. Эчлин и др. - М.: Мир, 1984.

83.Уманский Я.С., Скаков Ю.А., Иванов А.Н., Расторгуев Л.Н. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. М.: Металлургия, 1982. 632 с.

84. Андреев А.И., Мухин С.В., Некрасов В.В., Никитенко В.А., Пауткина A.B.Модульная многофункциональная оптоволоконная спектрометрическая система. Москва, 2008, 450 с.

85. Беллами Л., Инфракрасные спектры молекул. Пер. с англ./ Под ред. Ю. А. Пентина. М.: Изд-во Иностранной литературы, 1963. 592 с.

86т Кросс~А., Введение в практическую инфракрасную спектроскопию. Пер. с англ./ Пер. с англ. Ю. А. Пентина, М.: ИЛ, 1961 г. 114 с.

87. Кировская И.А. Адсорбционные процессы. Иркутск: изд-во Иркут.ун-та, 1995 г. 304 с.

88. Захарова Э.А., Марьянов Б.М., Чащина О.В. Обработка результатов химического анализа: Уч. пособие. Томск: Изд-во ТГУ, 1984. 80 с.

89. Чарыков A.K. Математическая обработка результатов химического анализа: Уч. пособие. JL: Изд-во Ленингр. ун-та, 1977. 120 с.

90. Статистические методы в инженерных исследованиях (лабораторный практикум): Уч. пособие /В.П. Бородюк, А.П. Вощинин, А.З. Иванов и др.; Под ред. Г.К. Круга. М.: Высш. школа, 1983. 216 с.

91. Томашик В.Н., Грыцив В.И. Диаграммы состояния систем на основе

л г

полупроводниковых соединении AB : справочник. Наукова Думка, 1982. 166с.

92. Миркин С.Е. Справочник по рентгеноструктурному анализу. М.: Гос. физ.-мат. лит-ры, 1961 г. 863 с.

93. Сканирующая электронная микроскопия и рентгеноспектральный микроанализ в примерах практического применения/ под ред. М.М. Криштал, И.С. Ясников, В.И. Полунин и др. М.: Техносфера, 2009. 208 с.

94. Лабораторные работы и задачи по коллоидной химии/Под. ред. Ю.Г. Фролова, A.C. Гродского. М.: «Химия», 1986, 215 с.

95. ШестакЯ. Теория термического анализа. М.: Мир, 1987. 456 с.

96. Шаталова Т.Б., Шляхтин O.A., Веряева Е. Методы термического анализа. Метод, разработка. М.: МГУ им. М.В.Ломоносова, 2011. 72 с.

97. Золотарев В. М., Никоноров Н.В., Игнатьев А.И. Современные методы исследования оптических материалов. Санкт-Петербург: НИУ ИТМО, 2013,266 с.

98. Определение концентрации Ge в эпитаксиальных пленках SixGei.x/Si методом Оже-спектроскопии. Описание лабораторной работы/Сост. Г.А.Максимов, Д.Е.Николичев, М.В.Канышина. Н.Новгород: Изд-во НГУ, 2002.40 с.

99. Суворов, Э.В. Физические основы экспериментальных методов исследования реальной структуры кристаллов/ Суворов Э.В. Изд-во ИПХФ РАН, 1999, 232 с.

100. TomczakrN., Janczewski D., Han M., Vancso G.J. Designer polymer-quantum dot architectures //Progress in Polymer Science. 2009, 34, P.393

101. Давыдов A.A. ИК - спектроскопия в химии поверхности окислов. - 1984 г. 245 с.

102. Литтл Л. Инфракрасные спектры адсорбированных молекул. М.: Мир, 1969 г. 514 с.

103. НакамотоК. Инфракрасные спектры неорганических и координационных соединений. М.: 1966, 208 с.

104. Киселев A.B., Лыгин В.И. Инфракрасные спектры поверхностных соединений и адсорбированных веществ. М.: Наука, 1972, 459 с.

105. Шаренкова Н.В., Каминский В.В., Петров С.Н. Размеры областей когеретного рассеяния рентгеновского излучения в тонких пленках SmS и их визуализация // Журнал технической физики//, 2011, том 81, вып. 9, с. 144 - 146.

106. Попков А. П. Адсорбция из газовой фазы. М.: 1970 г. 28 с.

107. Крылов В.А., Сергеев Г.М., Елипашева Е.В. Введение в хроматографические методы анализа. Электронный учебно-методический комплекс. Нижний Новгород: Нижегородский госуниверситет, 2010. 91с.

108. Раппопорт Ф.М., Ильинская A.A. Лабораторные методы получения чистых газов. М. 1963 г. 420 с.

109. Кировская И.А., Буданова Е.М. Получение и свойства твердых растворов ZnxCd^xSe // Неорганические материалы, 2001 г., Т. 37, №8, С. 913 - 916.

110. Венгер Е.Ф., Ермолович И.Б., Миленин В.В., Папуша В.П. Влияние состава твердого раствора CdS и Ga2S3 на его свойства и дефектную структуру//Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып.7, С. 817-825.

111. Виноградов B.C., Карчевски Г, Кучеренко И.В., Мельник H.H., Фернандес Спектры комбинационного рассеяния в структурах с квантовыми точками на основе полупроводников CdTe,ZnTe,CdSe и их связь с технологией изготовления//Физика твердого тела, 2008, том.50, вып.1, С. 159-162.

112. Александрович Е.В. Проявление особенностей структуры стекол Ga-Tl-Te на термограммах дифференциально - термического анализа/ТХимическая физика и мезоскопия, Том 12, №2, С. 204-208.

113. Гладышев П.П., Вакштейн М.С., Филин C.B. и др. Люминесцентныефильтрыиконцентраторысолнечногосветанабазеколлоидныхква нтовыхточекиорганическихлюминофоров //Rusnanotech 2009.

114. Popov V.K., Bagratashvili V.N., Krotova L.I., Rybaltovskii A.O., Smith D.C.,

Timashev P.S., Yang J., Zavorotnyi Yu.S., Howdle S.M. A Route to Diffusion

143

Embedding of CdSe/CdS Quantum Dots in Fluoropolymer Microparticles //Green Chemistry.2011, 13 (10), PP.2696-2700.

115. Один, И. H., Чукичев M. В., Рубина M. Э. Люминесцентные свойства монокристаллов селенида кадмия, легированных сурьмой (висмутом)// Неорганические материалы. Т. 36, N 3. 2000 г. С. 298-301.

116. Патент № W02013073986 AI.Люминесцентный композитный материал и светоизлучающее устройство на его основе/Вакштейн М.С, Дежуров C.B., Назаркин A.B., Трухан В.М.

117. Патент № W02013100795 AI. Светопреобразующий биостимулирующий материал и композиция для его получения/ Вакштейн М.С, Назаркин A.B.

118. Еловиков С.С. Оже-электронная спектроскопия // Соровский образовательный журнал, том 7, № 2, 2001, С.82-88.

119. Кировская И.А., Мурашко Ю.А. Получение и химический состав поверхности твердых растворов системы ZnTe - CdTe // Омский научный вестник. 2003 г., №4 (25), С. 79-81.

120. Кировская И.А., Буданова Е.М. Химическое состояние поверхности компонентов системы ZnSe - CdSe // Журн. физ. химии. Т. 75. №10. 2001 г., С. 1837- 1842

121. Исследование адсорбционных свойств соединений AinBv и А В методом ИК - спектроскопии МНПВО / И.А. Кировская, В.В. Даньшина, В.А. Хомич, Е.Д. Скутин // Применение оптической спектроскопии в адсорбции и катализе: Матер. IX Всесоюз. Школы-семинара. Иркутск, 1986 г. С. 43-44

122. Моррисон С. Химическая физика поверхности твердого тела. Под ред. Ф.Ф. Волькенштейна. М: Изд-во «Мир», 1980 г. 450 с.

Т23. Екимов А. И., Онущенко А. А. Квантовый размерный эффект в трехмерных микрокристаллах полупроводников // Письма в ЖЭТФ. -1981, —Т. 34. —С. 363—366.

124. Буданова Е.М. Кислотно-основные и адсорбционные свойства поверхности полупроводниковых твердых растворов системы ZnSe - CdSe. Автореф. дис. канд. хим. наук: ОмГТУ. Омск, 1999 г. 152 с.

125. Румянцева М.Н., Коваленко В.В., Гаськов A.M., Т. Панье/ Нанокомпозиты на основе оксидов металлов как материалы для газовых сенсоров//Рос.хим.ж. (Ж.Рос. хим. общ-ва им Д.И. Менделева), 2007 г, т. LI, № 6, С.61-70.