Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, кандидат химических наук Земцов, Александр Евгеньевич

• Земцов, Александр Евгеньевич
• кандидат химических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат химических наук Земцов, Александр Евгеньевич

л Введение.

Глава 1. Литературный обзор.

1.1. Основные физико-химические свойства ваАэ, СёБ.

1.1.1. Кристаллохимические свойства.

1.1.2. Электрофизические и оптические свойства.

1.1.3. Получение СаАэ и Сс18.

1.2. Поверхностные свойства ваАэ, Сс18.

1.2.1. Структура и химический состав поверхности.

1.2.2. Адсорбционные свойства поверхности.

1.3. Твердые растворы типа АШВУ-АПВУ1. Система ОаАз-СсШ.

1.4. Применение ОаАэ, СсШ в сенсорах газов. Сенсоры на аммиак.

1.5. Методы квантово-химических расчетов.

1.5.1. Метод Хюккеля (МОХ).

1.5.2. Расширенный метод Хюккеля (РМХ).

1.5.3. Метод ССП-Х„.

1.5.4. Основные квантово-химические расчетные методы, используемые в программе НурегСЬет.

1.6. Моделирование адсорбции газов на твердой поверхности.

1.7. Выдыхаемый газ: состав, анализ, медицинская диагностика.

Глава 2. Экспериментальная часть.

2.1. Исследуемые объекты и их получение.

2.1.1. Синтез твердых растворов системы ОаАэ-СёЗ в виде порошков.

2.1.2. Получение тонких пленок на основе соединений ваАэ, Сё8.

2.2. Идентификация твердых растворов.

2.2.1. Рентгенографический анализ.

2.2.2. Метод спектроскопии комбинационного рассеяния.

2.3. Исследование кислотно-основных свойств в жидких средах.

2.3.1. Определение рН-изоэлектрического состояния.

2.3.2. Исследование кислотно-основных свойств методом механохимии.

2.4. Измерение адсорбции методом пьезокварцевого микровзвешивания.

2.5. Термодесорбционные измерения масс-спектрометрическим метод ом.

2.6. Метод ИК-спектроскопии.

Глава 3. Компьютерное моделирование и квантово-химический расчет.72 3.1. Компьютерное моделирование и квантово-химический расчет кристаллических решеток ваАэ, СёБ и (ОаАз)х(Сс18)1.х.

3.1.1. Построение кристаллической решетки сульфида кадмия и расчет ее характеристик с использованием программы НурегСЬет.

3.1.2. Построение кристаллической решетки арсенида галлия и квантово-химический расчет ее характеристик с использованием компьютерной программы НурегСЬеш.

3.1.3. Построение кристаллической решетки твердого раствора (ОаАз)х(Сс18)1.х в компьютерной программе НурегСЬеш.

3.2. Квантово-химический расчет энергетических характеристик молекул СО, С02, ЫНз и кристаллических кластеров ваАэ, Сс18, (СаАз)0,25( Сс18)о,75

3.3. Компьютерное моделирование адсорбции молекул О2, СО, СО2,

NN3 на поверхности кластеров ваАБ, Сс18, (ОаА5)х(Сс18)1.х.

Глава 4. Результаты эксперимента и их обсуждение.

4.1. Идентификация твердых растворов.

4.1.1. Кристаллографические свойства системы (СаА5)х(Сс18)1-х.

4.1.2. КР спектроскопия системы ОаАэ-СёЗ.

4.2. Кислотно-основные свойства компонентов системы ОаАэ-Сс^.

4.3. Адсорбционные свойства компонентов системы ОаАз-С<18.

4.3.1. Адсорбция ЫН3 и СО на СсШ и (СаАзХССаЗ)^.

4.3.2. Основные закономерности изменения физико-химических свойств ваАэ, С(18 и твердых растворов на их основе в результате

4 адсорбцииЫНз иСО.

Глава 5. Результаты компьютерного моделирования и их обсуждение.

5.1. Результаты построения кристаллических решеток ваАэ, СёБ и (СаАзМСс^.х.

5.2. Результаты квантово-химических расчетов энергетических уровней молекул О2, СО, СОг,1МНз и кластеров с кристаллическими решетками ваАБ, Сс18, (ОаАзМСс^),.*.

5.3. Результаты компьютерного моделирования адсорбции Ог, СО,

СОг, КГНз на поверхности кристаллических кластеров ваАэ, Сс18,

ОаА8)о,25( СавЬб.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств»

Актуальность темы. Современный научно-технический прогресс неразрывно связан с разработкой и освоением новых материалов. Именно материалы стали ключевым звеном, определяющим достижения современной техники.

В настоящее время имеется повышенный интерес к многокомпонентным полупроводникам. Так, перспективным является создание твердых растворов на основе достаточно изученных бинарных полупроводниковых соединений типа АШВУ, АИВУ1, так как позволяет прогнозировать и регулировать макро- и микроскопические свойства материалов, в том числе кристаллохимические, электрофизические, оптические, адсорбционные. При этом сохраняются основные закономерности физико-химических процессов, протекающих на бинарных полупроводниках, и проявляются новые особенности, характерные для более сложных систем [1].

Среди востребованных практикой и с достаточно хорошо изученными объемными свойствами являются бинарные полупроводниковые соединения ваАэ и СёБ. Данные материалы уже нашли применение в таких областях, как микро- и оптоэлектроника, полупроводниковый газовый анализ, гетерогенный катализ [2, 3, 4, 5]. Не менее перспективными в названных областях должны быть и их твердые растворы. При определенной изученности соединений ваАБ и СёБ, твердые растворы до сих пор не исследовались. Известна лишь одна работа [6], в которой сказано о получении твердых растворов (СаАз)х(Сс18)1.х ( х-составляет 90 и 95 мол. % ваАз).

Одним из новых перспективных направлений применения полупроводниковых материалов на основе СаАБ и СёБ является их использование в сенсорах-датчиках для анализа газов в экологических и медицинских целях. Здесь важно не только определение следовых количеств 41 токсичных газов в воздухе, но и анализ микропримесей выдыхаемого газа, проведение медицинской диагностики по его составу. Перспективность и актуальность данных исследований заключается в том, что медицинскую диагностику по выдыхаемому газу можно проводить на ранних стадиях заболевания или даже в начальной стадии эндогенной интоксикации, когда выраженные симптомы заболевания еще отсутствуют. Таким образом, медицинская диагностика по составу выдыхаемого газа может найти применение не только в лечебной практике, но и в повседневной жизни и служить средством для предупреждения заболевания. Использование простого в обращении сенсорного устройства открывает перспективы развития домашней диагностики.

Можно считать, что в настоящее время возможности практического использования бинарных компонентов и, тем более, твердых растворов системы ваАБ-Сс^ еще далеко неисчерпаны из-за недостаточности сведений о структуре, химическом составе и адсорбционных свойствах их поверхности.

Из вышесказанного следует, что создание твердых растворов (ОаАз)х(Сс18)1.х с регулируемыми свойствами, исследование природы активной поверхности, ее адсорбционного взаимодействия с газами -токсичными примесями окружающей и технологических сред и ответственными за определенные заболевания (аммиаком, оксидом углерода и другими, входящими в состав выдыхаемого воздуха) является несомненно актуальным.

Диссертационная работа выполнена в соответствии с * Государственными программами, Координационными планами важнейших научно-исследовательских работ РАН, научным направлением кафедры, развиваемым с 60-х годов И.А. Кировской и ее учениками и посвященным созданию единого подхода к исследованию поверхности алмазоподобных полупроводников, управлению ее свойствами и получению новых ф материалов и катализаторов.

Цель работы. Получить новые материалы — твердые растворы системы ваАз-СсШ с регулируемыми свойствами; исследовать природу ее активной поверхности и адсорбционного взаимодействия с газами -токсичными примесями окружающей, технологических сред и компонентами выдыхаемого воздуха; установить закономерности «свойство-состав»; разработать метод компьютерного моделирования и прогнозирования поверхностных свойств изученного типа систем.

Для достижения этой цели были поставлены следующие задачи:

1. Получить и идентифицировать твердые растворы системы ОаАз-СёБ на основе методов рентгенографического анализа, спектроскопии комбинационного рассеяния.

2. Исследовать химический состав, кислотно-основные и адсорбционные свойства поверхности твердых растворов и бинарных компонентов системы ОаАБ-СёЗ.

3. Установить природу активных центров, механизм и закономерности адсорбционного взаимодействия изученных адсорбентов с аммиаком и оксидом углерода.

4. Найти взаимосвязь кислотно-основных и адсорбционных свойств между собой и с составом системы СаАБ-СсШ.

5. Разработать метод компьютерного моделирования адсорбции газов на поверхности бинарных полупроводников и их твердых растворов.

6. Определить возможности прогнозирования поверхностных свойств многокомпонентных полупроводников типа (АШВУ)(АПВУ1) и создания новых материалов.

7. Сделать заключение о применимости полученных новых материалов в сенсорах-датчиках для экологического контроля и анализа выдыхаемого газа.

Научная новизна работы

1. Впервые получены твердые растворы системы ОаАз-Сс18 в форме порошков и пленок. Показано, что они имеют структуру вюрцита и сфалерита.

2. Впервые с использованием современных экспериментальных и квантово-химических методов исследованы поверхностные физико-химические свойства системы ваАз-СёЗ (химический состав, кислотно-основные, адсорбционные свойства по отношению к ИН3 и СО).

3. Проведен квантово-химический расчет энергии адсорбции газов О2, СО, С02, ИНз на ваАБ, СсЮ, (ОаАз)х(Сё8)1.х.

4. Разработан метод компьютерного моделирования поверхности ваАэ, Сс18, (ОаАз)х (Сс18)1.х и адсорбционных взаимодействий с ней молекул 02, СО, С02, ЫНз.

5. Впервые выполнено компьютерное моделирование адсорбционных процессов на бинарных соединениях ОаАэ, СсШ и их твердых растворах с использованием программы НурегСЬеш.

6. Получены диаграммы состояния «поверхностная характеристика-состав».

7. Разработан метод прогнозирования поверхностных свойств полупроводников типа (АШВУ)Х(АПВУ1)1.Х.

Защищаемые положения

1. Результаты получения и идентификации твердых растворов (ОаА$)х (Сёв),.*.

2. Результаты исследования химического состава, кислотно-основных и адсорбционных свойств поверхности полученных твердых растворов и бинарных компонентов системы ОаАз-СёБ: природа активных центров, механизмы и закономерности взаимодействия поверхности с аммиаком и оксидом углерода.

3. Взаимосвязь кислотно-основных и адсорбционных свойств компонентов системы ваАз-Сс^ и закономерности их изменения с составом. Диаграммы состояния «свойство-состав».

4. Результаты квантово-химических расчетов энергии адсорбции газов О2, СО, СО2, ИН3 на поверхности кристаллических кластеров ваАэ, СаБ, (ОаА8)0,25(Са8)0,75.

5. Метод компьютерного моделирования поверхности ваАз, Сс18, (ОаАз)х(Сс18)1.х и ее адсорбционного взаимодействия с молекулами о2, со, со2, т3.

6. Метод прогнозирования поверхностных свойств полупроводников типа (АШВУ)Х(АПВУ1)|Х.

7. Результаты испытаний полученных материалов в качестве чувствительных элементов сенсоров-датчиков на микропримеси аммиака.

Практическая значимость работы

1. Показаны возможности использования диаграмм состояния «свойство-состав», квантово-химических расчетов и компьютерного моделирования для прогнозирования оптимальных составов и поверхностной чувствительности новых материалов.

2. Создан новый материал - твердый раствор состава (ОаАз)о,о5(Сс18)о,95 с повышенной адсорбционной активностью по отношению к 1чГН3.

3. Предложен и испытан датчик на его основе на микропримеси аммиака в выдыхаемом газе.

4. Найдены стандартные режимы термообработки бинарных компонентов и твердых растворов системы ваАз-СёЗ.

Апробация работы. Основные положения и результаты ф диссертационной работы докладывались и обсуждались на научных конференциях: Региональная научно-практическая конференция «Химическая и химико-фармацевтическая промышленность в современных условиях» (г. Новосибирск, 1999г.), IV Международная научно-техническая конференция «Динамика систем, механизмов и машин», посвященная 60-летию ОмГТУ (г. Омск, 2002г.), ХЫ Международная научная студенческая конференция «Студент и научно-технический прогресс» (г. Новосибирск, НГУ, 2003г.), VII 4

Международная научная школа-конференция студентов и молодых ученых (г. Абакан, Хакасский государственный университет, 2003г.), IV Всероссийская школа-семинар «Новые материалы. Создание, структура, свойства - 2004» (г. Томск, 2004г.), VII Конференция «Аналитика Сибири и Дальнего Востока» (г. Новосибирск, 2004г.), V Международная научно-техническая конференция «Динамика систем, механизмов и машин» (г. Омск, 2004г.).

Результаты проведенных исследований опубликованы в 8 работах.

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Земцов, Александр Евгеньевич

Выводы.

1. Получены и идентифицированы твердые растворы в системе СаАБ

Показано, что они имеют структуру вюрцита (при содержании 50, 40, 10 и 5 мол. % ваАз) и сфалерита (при содержании 95, 90 и 50 мол. % ваАБ).

2. Исследован химический состав, кислотно-основные и адсорбционные свойства поверхности твердых растворов и бинарных компонентов системы СаАз-Сс^. Исходная поверхность обладает преимущественно кислыми свойствами. На поверхности присутствуют два типа кислотных центров льюисовские (электронно-акцепторные) и бренстедовские (адсорбированные молекулы НгО и группы ОН").

3. Установлены природа активных центров изученной поверхности и закономерности ее адсорбционного взаимодействия с аммиаком и оксидом улерода (И). В качестве активных центров по отношению к изученным газам преимущественно выступают координационно-ненасыщенные атомы. Установлены температурные области протекания химической необратимой адсорбции СО и №1з на компонентах системы ОаАз-СёБ, которые находятся при температурах выше 293 К и характеризуются теплотами адсорбции 3-10 кДж/моль и энергиями активации 30-60 кДж/моль.

3. Найдена взаимосвязь кислотно-основных и адсорбционных свойств между собой и с составом системы СаАБ-Сё8. Сопоставление свойств бинарных полупроводников и их твердых растворов позволило выявить сходство (одинаковая природа активных центров) и различие (наличие экстремумов на зависимостях «поверхностное свойство-состав») в их поведении.

5. Разработан метод компьютерного моделирования адсорбции газов на поверхности бинарных полупроводников и их твердых растворов. Квантово-химический анализ и компьютерное моделирование адсорбции

СО и ЫНз на поверхности ваАБ, Сс18 и их твердых растворов подтверждают выводы о механизме адсорбции, полученные по результатам эксперимента. Рассчитанные значения энергии адсорбции составляют 25-60 кДж/моль.

6. Определены возможности прогнозирования поверхностных свойств многокомпонентных полупроводников типа (АШВУ)(АПВУ1) и создания новых материалов на основе установленных закономерностей «поверхностное свойство-состав» и метода компьютерного моделирования.

7. Твердый раствор состава (СаАз)о,о5(С(18)о,95 рекомендован в качестве материала сенсора-датчика для экологического контроля и анализа выдыхаемого газа.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Земцов, Александр Евгеньевич, 2004 год

1. Кировская, И.А. Поверхностные явления. Омск: Изд-во ОмГТУ, 2001. - 176 с.

2. Кировская, И.А. Адсорбционные процессы. Иркутск: Изд-во Иркут. ун-та, 1995.-304с.

3. Кировская, И. А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Адсорбция газов. Иркутск: Изд-во ИГУ, 1984. - 141 с.

4. Кировская, И. А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Химический состав поверхности. Катализ. Иркутск : Изд-во Иркут. ун-та, 1988. - 170 с.

5. Пак, В.Н. Фотокаталитическое окисление фенола в водных дисперсиях сульфида кадмия закрепленного на кремнеземных носителях /В.Н. Пак, С. Харанги //ЖФХ. 1996. - т. 70. - № 9. - с. 1696 - 1701.

6. Войцеховский, A.B. О взаимодействии арсенида галлия с соединениями типа AnBVI / A.B. Войцеховский, А.Д. Пашун, В.К. Митюрев // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. материалы. 1970. -Т. 6. - № 2. - с. 379 - 380.

7. Полупроводники /Под ред. Н.Б. Хеннея: пер. с англ. под ред. Б.Ф. Ормонта. М.: Изд-во иностранной литературы, 1962. - 668 с.

8. Угай,Я.А. Введение в химию полупроводников. М. : Высшая школа, 1975.-302 с.

9. Преобразование солнечной энергии. Вопросы физики твердого тела / Под ред. Б. Серафина: пер. с англ. М.: Энергоиздат, 1982. - 320 с.

10. Ансельм, А.И. Введение в теорию полупроводников. М. : Наука, 1978.-616 с.

11. Моррисон, С. Химическая физика поверхности твердого тела: пер. с англ. под ред. Ф.Ф. Волькенштейна. М.: Мир, 1980. - 488 с.

12. Блейкмор, Дж. Физика твердого тела: пер. с англ. М. : Мир, 1988. -608 с. - ISBN 5-03-001256-7.

13. Китель, Ч. Квантовая теория твердых тел: пер. с англ. A.A. Гусева. — М. : Наука, 1967.-492 с.

14. Кристаллохимические, физико-химические и физические свойства полупроводниковых веществ. Справочник. М. : Изд-во стандартов, 1973.- 208 с.

15. Берченко, H.H. Полупроводниковые твердые растворы и их применение: справочные таблицы / H.H. Берченко, B.C. Кревс, В.Г. Средин. М.: Воениздат, 1982. - 208 с.

16. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников / Б.Д. Луфт, В.А. Перевощиков, Л.Н. Возмилова и др.; под. ред. Б.Д. Луфт. М.: Радио и связь, 1982. - 136 с.

17. Фистуль, В.И. Физика и химия твердого тела: учеб. для вузов по направлению и специальности «Материаловедение и технология новых материалов»: В 2-х т. Т.1. М. : Металлургия, 1995. -480 е.- ISBN 5 -229-01194-7.

18. Рот, В.Л. Кристаллография // Физика и химия соединений А11 BVI: пер. с англ. / Под ред. С.А. Медведева. - М. : Мир, 1970. - с. 97-134.

19. Фистуль, В.И. Физика и химия твердого тела: учеб. для вузов по направлению и специальности «Материаловедение и технология новых материалов». В 2-х т. Т.2. М. : Металлургия, 1995. - 320 е.- ISBN 5 -229-01195-5.

20. Yan, Z.W. Effect of electron-phonon interaction on surface states of polar crystals / Z.W. Yan, X.Y. Liang // Solid State Communications.- 1999. N. 110.-p. 451 -456.

21. Пасынков, B.B. Материалы электронной техники / B.B. Пасынков, B.C. Сорокин. СПБ : Изд-во "Лань", 2001. - 368 с.

22. Мосс, Т. Полупроводниковая оптоэлектроника / Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. М. : Мир, 1976. - 432 с.

23. Горюнова, H.A. Химия алмазоподобных полупрводников. JI. : ЛГУ. -1963.-222 с.

24. Лакинов, В.М. Диаграмма состояния системы GaAs ZnSe /В.М. Лакинов, М.Г. Мильвидский, О.В. Пелевин // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. - 1975.-том 11. -№7.-с. 1311-1312.

25. Ткачук, П.Н. Механизмы рентгенолюминесценции и рентгенопроводимости в твердых растворах (ZnSe)ix(GaAs)x / П.Н. Ткачук, В.И. Чепелев // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. -1989.-том 25. №3. - с. 511-512.

26. Болтакс, Б.И. Диффузия в полупроводниках. М. : Физматгиз, 1961. -464. с.

27. Постников, B.C. Физика и химия твердого состояния. М. : Металлургия, 1978. - 544 с.

28. Слэтер, Дж. Методы самосогласованного поля для молекул и твердых тел. М. : Мир, 1978. - 664 с.

29. Brust, D. The Band Structure of GaAs from a Self-consistent Pseudopotential Approach // Solid State Commun. 1970. - v.8. - p. 1225 - 1226.

30. Тамм, И. E. Основы теории электричества: учеб. пособие для ун-тов по специальности «Физика». 10-е изд. - М. : Наука, 1989. - 504 с. - ISBN 5-02-014244- 1.

31. Хатсон, У. Полупроводниковые свойства некоторых оксидов и сульфидов // Полупроводники / Под ред. Н.Б. Хеннея: пер. с англ. под ред. Б.Ф. Ормонта. М. : Изд-во иностранной литературы, 1962. -Глава 13.-с. 466-514.

32. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе / Н.Х. Абрикосов, В.Ф. Банкина, Л.В. Порецкая и др.. М. : Наука, 1975. -216 с.

33. Физика и химия соединений А11 BVI: пер. с англ. под ред. С.А. Медведева. - М. : Мир, 1970. - 624 с.

34. Дитина, 3.3. Парамагниные центры на поверхности сульфида кадмия / 3.3. Дитина, Б.А. Казенков, Л.П. Страхов // Физика и техника полупроводников.- 1967.-том 1. -№11.-с. 1730- 1731.

35. Сегал, Б. Собственное экситонное поглощение // Физика и химия соединении AnBVI / Б. Сегал, Д. Мэрпл ; под ред. М. Авен и Дж. С. Пренер. М. : Мир, 1970. - Гл. 7. - с.246 - 295.

36. Халстед, Р.Е. Излучательная рекомбинация в области края полосы поглощения // Физика и химия соединений АИВ1У: пер. с англ. / Под ред. С.А. Медведева. М. : Мир, 1970. - с. 296 - 333.

37. Кюри, Д. Люминесценция, связанная с глубокими уровнями // Физика и химия соединений АПВ1У /Д. Кюри, Д.С. Пренер: пер. с англ. / Под ред. С.А. Медведева. М. : Мир, 1970. - с. 334 - 371.

38. Сущинский, М.М. Резонансное неупругое рассеяние света в кристаллах // УФН. 1988. - том 154. - вып. 3. - с. 353 - 379.

39. Шур, М. Современные приборы на основе арсенида галлия: пер. с англ. М. : Мир, 1991.-632 с.

40. Арсенид галлия. Получение, свойства, применение / Под ред. Ф.П. Кесаманды, Д.Н. Наследова. М.: Наука, 1973. - 471 с.

41. Eastman, L.F. Semi-insulating GaAs substrates for integrated circuit devices: promises and problems // J.Vac. Sci. Technol. 1979. - vol. 16. -№6.-p. 2050-2052.

42. Balk, P. Deposition of III V compounds by MD-CVD and in halogen transport systems. A critical comparison / P. Balk, E. Venhoff // J. Crystal Growth.-1981.-vol. 55.-№ 1.- 35-41.

43. Исследование электрической неоднородности пленок GaAs и AlGaAs, выращенных методом MDCVD / Г.Н. Панин, В.В. Валяев, B.JI. Гуртовой, A.J1. Тарахонский // Изв. РАН. сер. физика. 1998. - том 62. -№ 3. - с. 523-527.

44. Drummond, T.J. Dependence of electron mobility on spatial separation of electrons and donors in Alx Gan.xAs/ GaAs heterostructures / T.J. Drummond, H. Morkoc, A.Y. Cho // J. Appl. Phys. 1981. - vol. 52. - № 3. -p. 1380-1386.

45. Ultra low resistance ohmic contacts to n GaAs /R. Stall, C.E.C. Wood, K. Board, L.F. Eastman // Electron. Lett. - 1979. - vol. 15. - p. 800-801.

46. Panish, M.G. Molecular beam epitaxy / M.G. Panish, A.Y. Cho // Spectrum. 1980. - vol. 17. -№ 4. - p. 18.

47. GaJnAs — AlInAs heterostructures for optical devices grown by MBE / D.F. Welch, G.W. Wicks, D.W. Woodward, L.F. Eastman // J. Vac. Sci. Technol. В. 1983.-vol. 1. - № 2. - p. 202-204.

48. Лоренц, M.P. Термодинамика, приготовление материалов и выращивание кристаллов // Физика и химия соединений А11 BVI. : пер. с англ. / Под ред. С.А. Медведева. - М. : Мир, 1970. - с. 65 - 96.

49. Каменкин, Н.П. Эпитаксиальные пленки соединений А11 BVI. - J1. : Изд-во ЛГУ, 1978.-312 с.

50. Минайчев, В.Е. Нанесение пленок в вакууме. М. : Высшая школа, 1989.- 110 с.

51. Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения / Под общей редакцией Г. Хасса, Р.Э. Туна; том 3: пер. с англ. -М. : Мир, 1968.-332 с.

52. Технология тонких пленок (справочник) / Под ред. JL Майссела, Р. Гленга: пер. с англ. под ред. М.И. Елинсона, Г.Г. Смолко; том 2. М. : Сов. радио, 1977. - 768 с.

53. Твердофазное взаимодействие в тонких пленках системы CdS Bi2S3 / В.Н. Семенов, О.В. Остапенко, А.Н. Лукин, Е.И. Завалишин, А.Ю. Завражнов И Неорг. материалы. - 2000. - том 36. - № 12.-е. 1424 -1427.

54. Наумов, A.B. Свойства пленок CdS, полученных из координационных соединений кадмия с тиомочевиной / A.B. Наумов, В.Н. Семенов, Е.Г. Гончаров // Неорг. материалы. 2001. - том 37. - № 6. - с. 647 - 652.

55. Вехт, А. Методы активации и рекристаллизации пленок соединений А11 BVI // Физика тонких пленок. Том 3. - М. : Мир, 1965. - с. 173 - 224.

56. Кировская, И.А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Твердые растворы. Томск : Изд-во Томск, ун-та, 1984.- 116 с.

57. Зелёва, Г.М. Адсорбционные и некоторые физические свойства системы GaAs-ZnSe: Диссертация .кандидата хим. наук. Томск: ТГУ, 1973.-217 с.

58. Вудраф, Д. Современные методы исследования поверхности: пер. с англ. / Д. Вудраф, Т. Делчар. М. : Мир, 1989. - 564 с.

59. Киселев, В.Ф. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников и диэлектриков / В.Ф. Киселев, О.В. Крылов. М. : Наука, 1978.-256 с.

60. Рогинский, С.З. Адсорбция и катализ на неоднородных поверхностях. -М.: Изв. АН СССР, 1948. 643 с.

61. Современные проблемы физической химии поверхности полупроводников. Новосибирск: Наука, 1988. - 238 с.

62. Харрисон, У. Электронная структура и свойства твердых тел: Физика химической связи: пер. с англ. М. : Мир, 1983. -Т.1.-381 с.

63. Schlier, R.E. Structure and adsorption characteristics of clean surfaces of Ge and Si / R.E. Schlier, H.E. Farnsworth // J.Chem. Phys. 1959. - vol. 30. -p. 917-918.

64. Haneman, D. Surface structures and properties of diamond structure semiconductors//Phys. Rev. - 1961.-vol. 121.-p. 1093- 1095.

65. Thornton, J.M.C. Surface reconstructions and phase transitions on the GaAs (111) В surface / J.M.C. Thornton, D.A. Woolf , P. Weightman // Surface Sci. 1997. - vol. 380. № 2. - p. 548 - 555.

66. Van Laar, J. Influence of volume dope on Fermi level position at gallium arsenide surface / J. Van Laar, I.I. Scheer // Surface Sci. 1967. - vol. 8. - p. 342-356.

67. Кировская, И.А. Адсорбционные и электрофизические свойства легированного арсенида галлия / И.А. Кировская, Н.Н. Белоусова, Г.М. Зелева// Неорг. материалы. 1982. - Т. 18. - № 8. - с. 1383 - 1384.

68. Кировская, И.А. Химический состав и природа активной поверхности соединений типа А3В5 // ЖФХ. 1998. - Т. 72. - № 5. - с. 912 - 917.

69. Кировская, И.А. Влияние окисной пленки на адсорбционные и электрофизические свойства GaAs / И.А. Кировская, Н.Н. Меркушева, В.В. Лимберова, В.А. Приедитис // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. -1977. Т. 3. - № 11.-с. 1953.

70. Юрьева, А.В. Кислотно-основные свойства поверхности бинарных и более сложных алмазоподобных полупроводников: автореф. дисс. .канд. хим. наук. Свердловск: Изд-во УПИ, 1981. - 16 с.

71. Сергеева, JI.А. Механизм зарождения и роста окислов кадмия и цинка на химически активной подложке // Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Часть II. Новосибирск: Наука, 1977.-с. 131-134.

72. Simov, S. Cubic forms in the surface morphology of CdS vaporated films // Thin Sol. Films. 1973. - v. 15. - p. 79 - 86.

73. Голованов, B.B. Влияние "биографических" и сорбционных дефектов на токоперенос в поликристаллических пленках сульфида кадмия /В.В. Голованов, Г.Г. Чемересюк, A.M. Шмилевич // ЖФХ. 1992. - Т. 66. -вып. 4. - с. 1098 - 1100.

74. Голованов, Н.В. Влияние адсорбции сернистого ангидрида на поверхностный потенциал пленок сульфида кадмия /Н.В. Голованов, В .А. Смынтина, A.M. Шмилевич // ЖФХ. 1992. - Т. 66. - вып. 4. - с. 1073 - 1076.

75. Раевский, С.Д. Получение и исследование фотолюминесценции тонких слоев CdS на молибдене / С.Д. Раевский, A.B. Коваль //Неорг. материалы. 1996. - Т. 32. - № 12. - с. 1443 - 1445.

76. Кинетика адсорбции кислорода и зарядки поверхности эпитаксиальных пленок сульфида кадмия / A.M. Курбанова, М.А. Магомедов, М.А. Ризаханов, Р.Н. Гасанова, Х.А. Магомедов // Неорг. материалы. 2001. -Т. 37.-№ 1.-с. 21-23.

77. Кировская, И.А. Химическое состояние реальной поверхности соединений типа AnBVI // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер. 1989. - Т. 25.-№9.-с. 1472- 1475.

78. Смынтина, В.А. Аномальная зависимость электропроводности пленок CdS / В.А. Смынтина, А.Е. Турецкий, Г.Г. Чемересюк // ЖФХ. 1985. -Т. LIX. - № 1. - с. 127-131.

79. Кировская, И.А. Химическое состояние поверхности компонентов системы гпБе-СёЗе / И.А. Кировская, Е.М. Буданова // ЖФХ. 2001. -Т. 75. -№ 10.-с. 1837- 1842.

80. Кировская, И.А. Исследование свежеобразованных поверхностей соединений типа АПВУ1 / И.А. Кировская, В.В. Данынина, Е.М. Емельянова // Неорг. материалы. 1989. - Т. 25. - № 3. - с. 379 - 381.

81. Адсорбция окиси углерода на полупроводниках типа цинковой обманки / И.А. Кировская, Л.Г. Майдановская, Э.И. Князева, Г.М. Мурзина, В.Н. Наговицкая // ЖФХ. 1970. - Т. 44. - № 5. - с. 1260 - 1266.

82. Кировская, И.А. Адсорбция смесей газов СО + 02 на ваАБ /И.А. Кировская, В.Д. Жукова // ЖФХ. 1970. - Т. 44. - № 1. - с. 158 - 159.

83. Кировская, И.А. Адсорбция газов на поверхности соединений А3В5 индиевой группы // ЖФХ. 1998. - Т. 72. - № 6. - с. 1106 - 1110.

84. Кировская, И.А. Адсорбционные свойства компонентов системы ZnSe -Сс18е / И.А. Кировская, Е.М. Буданова // ЖФХ. 2002. - Т. 76. - № 7. - с. 1246- 1254.

85. Смирнов, Е.П. Квантово-химическое обоснование механизма адсорбции водорода и оксида углерода на теллуриде кадмия / Е.П. Смирнов, И.А. Кировская, В.В. Даныпина // ЖФХ. 1987. - Т. 61. - № 5. - с. 1385 -1387.

86. Голованов, В.В. Механизм хемосорбции монооксида углерода на тонких поликристаллических слоях сульфида кадмия /В.В. Голованов, В.В. Сердюк // Поверхность. Физика, химия, механика. 1993. - № 5. - с. 35-42.

87. Ложникова, Т.В. Адсорбция моиоксида углерода на тонких пленках сульфида кадмия // Динамика систем механизмов и машин: Материалы III международной научно-практической конференции. Омск: Изд-во ОмГТУ, 1999.-с. 350-351.

88. Кировская, И.А. Методология исследований физико-химических свойств поверхности алмазоподобных полупроводников и основные направления практических разработок // Омский научный вестник. -2001.-Вып. 14.-с. 66-68.

89. Ахметов, Н.С. Общая и неорганическая химия. М. : Высшая школа, Изд. центр "Акадамия", 2001. - 743 с.

90. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства / Н.Х. Абрикосов, В.Ф. Банкина, JI.B. Порецкая, Е.В. Скуднова, JI.E. Шелимова. -М. : Наука, 1967. 171 с.

91. Твердые растворы в полупроводниковых системах. Справочник. М. : Наука, 1978.- 196 с.

92. Томашек, В.В. Диаграммы состояния систем на основе полупроводниковых соединений AnBVI. Справочник / В.В. Томашек, В.И. Грицыв-Киев: Наукова думка, 1982. 168 с.

93. Войцеховский, А.В. О получении монокристаллов твердых растворов (GaP)x(ZnSe)n.x // Физика твердого тела / А.В. Войцеховский, А.Б. Панченко. Киев: Киев. пед. ин-т, 1975. - с. 24 - 26.

94. Войцеховский, А.В. Микроструктурное исследование кристаллов системы GaP ZnS / А.В. Войцеховский, А.Б. Панченко // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. материалы. - 1977. - Т. 13. - № 1. - С. 160 - 161.

95. Yim, M.F. Solid solutions in the pseudobinari (III V) - (II - VI) systems and theire optical energy gap // J. Appl. Phys. - 1969. - 40. - № 6. - p. 2617 - 2623.

96. Уфимцева, Э.В. Фазовые равновесия в системе GaAs ZnTe / Э.В. Уфимцева, В.Н. Вигдорович, О.В. Пелевин // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. материалы. - 1973. - Т. 9. - № 4. - с. 587 - 591.

97. Анищенко, В.А. Некоторые физико-химические свойства сплавов системы GaAs-ZnTe / В.А. Анищенко, A.B. Войцеховский, А.Д. Пашун // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1980. -Т. 16. - № 2. - с. 354-355.

98. Микроэлектронные датчики химического состава газов / А. В. Евдокимов, М. Н. Муршудли, Б. И. Подлепетский, А. Е. Ржанов и др. // Электроника. 1988. - С. 3 - 39.

99. Кировская, И.А. Полупроводниковый анализ и контроль состояния окружающей среды // Аналитика Сибири и Дальнего Востока: тез. докл. -Новосибирск, 2000.-с. 164-165.

100. Арутюнян, В. М. Микроэлектронные технологии магистральный путь для создания твердотельных сенсоров // Микроэлектроника. - 1991. - т. 20.- №4.- с. 331 -355.

101. Гаськов, А. М. Выбор материалов для твердотельных газовых сенсоров / A.M. Гаськов, М.Н. Румянцева // Неорг. матер. 2000. - Т.36. - №3. - С. 369-378.

102. A.c. 1798672 Рос. Федерация. Датчик влажности газов / И.А. Кировская, Е.Д. Скутин, В.Г. Штабнов (Рос. Федерация). 1993, Бюл. № 8. - 86с.

103. Справочник по основам инфракрасной техники. М. : Сов. Радио, 1978. - 400 с.

104. Патент 2178559 RU, G01N27/12. Полупроводниковый газовый датчик. / И. А. Кировская, Т. В. Ложникова; заявитель Омский Государственный Технический Университет. N 99125143/28; заявлено 29.11.1999; опубликовано 20.01.2002, Бюл. №2. - 278с.

105. Патент 2088914. RU, G01N27/30. Сенсор для анализа газообразных веществ / С. А. Радин, О. М. Иванова, В. Г. Загарских, А. В. Высочанский. N 95111367/25; заявлено 03.07.1995; опубликовано 27.08.1997, Бюл. №24.-393с.

106. Патент 2038590. RU, G01N27/12. Датчик концентрации аммиака / С. А. Крутоверцев, Я. А. Летучий, О. Ю. Антонова, С. И. Сорокин, В. Б. Кузнецов, С. А. Радин. N 5062964/25; заявлено 24.09.1992; опубликовано 27.06.1995, Бюл. №18. - 207с.

107. Патент 2029292. RU, G01N27/12. Датчик концентрации аммиака / Л. П. Маслов, С. И. Сорокин, С. А. Крутоверцев. N 5058003/25; заявлено 07.08.1992; опубликовано 20.02.1995, Бюл. №5. - 179с.

108. Баранов В.В. Неинвазивное определение глюкозы в крови на основе анализа выдыхаемого воздуха // New Techologies for the 21st Century. -2001.-N. 6.-p. 36-39.

109. Дункен, X. Квантовая химия адсорбции на поверхности твердых тел /X. Дункен, В. Лыгин. М. : Мир, 1980. - 288 с.

110. Базилевский, М.В. Метод молекулярных орбит и реакционная способность органических молекул. М. : Химия, 1969. - 304 с.

111. Слетер, Дж. Методы самосогласованного поля для молекул и твердых тел. М. : Мир, 1978. - 664 с.

112. Губанов, В.А. Полуэмпирические методы молекулярных орбиталей в квантовой химии / В.А. Губанов, В.П. Жуков, А.О. Литинский. М. : Наука, 1976.-219 с.

113. Берсукер, И.Б. Электронное строение и свойства координационных соединений: Введение в теорию. 3-е изд. - Л. : Химия, 1986. - 288 с.

114. И8.Гурин, B.C. Электронная структура кластеров, построенных из фрагментов кристаллических решеток CdS и Agi. // Журнал неорганической химии. 1997. - Т. 42. - № 3. - с. 469 - 476.

115. Гагарин, С.Г. Орбитальные энергии ионов хрома в матрице у А1203 по результатам расчетов методом ССП Ха - PB //ЖФХ. — 1998. - т. 72. - № З.-с. 496-499.

116. Немошкаленко, B.B. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Зонная теория металлов / В.В. Немошкаленко, В.Н. Антонов. Киев: Наук, думка, 1985. - 408 с.

117. Волькенштейн, Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. М. : Наука, 1987. - 432 с.

118. Литинский, А.О. Модель ионно-встроенного ковалентно-циклического кластера в MNDO-расчетах межмолекулярных взаимодействий в гетерогенных системах / А.О. Литинский, Н.Г. Лебедев, И.В. Запороцкова // ЖФХ. 1995. - том 69. - № 1. - с. 189 - 192.

119. Расчеты хемосорбции и элементарных актов каталитических реакций в рамках кластерной модели. IV. Свойства поверхностных «мостиковых» ОН-групп в алюмосиликатах и цеолитах. Влияние отношения Si/Ai /

120. И.Д. Михейкин, А.И. Лумпов, Г.М. Жидомиров, В.Б. Казанский // Кинетика и катализ. 1978. - том 19. - вып. 4. - с. 1053 - 1057.

121. Квантово-химическое исследование льюисовских кислотных центров алюмосиликатов / А.Г. Пельменщиков, И.Н. Сенченя, Г.М. Жидомиров, В.Б. Казанский // Кинетика и катализ. 1983. - том 24. - вып. 1.-е. 233 -236.

122. Копылец, В.И. Квантовохимический расчет адсорбции лития на поверхности молибдена /В.И. Копылец, В.И. Похмурский, А.И. Валицкий // Поверхность. Физика, химия, механика. 1991. - № 10.-е. 157-158.

123. Михаленко, И.И. Статистико-термодинамический анализ изменения электронной плотности поверхности металла при адсорбции / И.И. Михаленко, В.Д. Ягодовский // ЖФХ. 2002. - том 76. - № 4. - с. 600 -607.

124. Valiulin, R. Levy walks of strong adsorbates on surfaces: computer simulation and spin-lattice relaxation / R. Valiulin, R. Kimmich, N. Fatkullin // Phys. Rev. E. 1997. - vol. 56. - N. 4. - P. 4371 - 4375.

125. Литинский, A.O. Расчеты взаимодействия молекул H20 и NH3 с поверхностью модифицированных алюмосиликатов и кристалла ZnO / A.O. Литинский, Н.Г. Лебедев // ЖФХ. 1995. - том 69. - № 1. - с. 138 -140.

126. Белов, A.A. Математическое моделирование и экспериментальное изучение четверных твердых растворов замещения системы Ini.xGaxPi. yAsy / А.А.Белов, В.И. Петров, Е.М. Степович // Поверхность.

127. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2000. - № 2.-с. 80-86.

128. Белащенко, Д.К. Компьютерное моделирование некристаллических оксидов системы Si02-Ca0-Fe0 с ионно-ковалентной связью / Д.К. Белащенко, О.И. Островский // Неорг. Материалы. 2002. - том 38. - № 8.-с. 958-963.

129. Моделирование вакансионного дефекта на поверхности Ge(100) /О.Ю. Ананьина, А.П.Котляров, C.B. Бабко, А.СЛновский // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2004. - № 2.-с. 10-16.

130. Кларк, Т. Компьютерная химия: пер. с англ. М. : Мир, 1990. - 383 с. : ил.-ISBN 5-03-001325-3.

131. Наумов, Д.Ю. Программное обеспечение для локализации и визуализации «свободного пространства» в кристаллических структурах и супрамолекулярных ансамблях / Д.Ю. Наумов, Е.В. Болдырева // Ж. структур, химии. 1999. - том 40. - № 1. - с. 102 - 110.

132. Компьютерная порометрия монодисперсных силикагелей / В.П. Волошин, H.H. Медведев, В.Б. Фенелонов, В.Н. Пармон // Докл. РАН. -1999. том 364. - № 3. - с. 337 - 341.

133. Панина, Н. С. Квантово-химические расчеты электронной структуры, длины и частоты валентного колебания связи S О молекулы ДМСО / Н.С. Панина, Ю.Н. Кукушкин // Ж. неорг. химии. - 1997. -том 42. - № 3. -с. 466-468.

134. Ревинский, А.Ф. Квантово-механический расчет электронной 4< структуры полупроводниковых кристаллов при различных давлениях ихимическом составе // ЖФХ. 1998. - том 72. - № 6. - с. 1098- 1102.

135. Сакодынский, К.И. Полимерные сорбенты для молекулярнойФхроматографии / К.И. Сакодынский, Л.И. Панина. М. : Наука, 1977. -168 с.

136. Земцов, А.Е. Масс-спектрометрический анализ микропримесей токсичных газов // Материалы VII Международной научной школы-конференции студентов и молодых ученых / А.Е. Земцов, В.В. Рыбин. -Абакан, 2003. С.58 - 59.

137. A.B. Деменьтьева, В. А. Макаров, В. Н. Деменьтьев, Б. Н. Клочко. -Киров, 2001.-С. 101-103.

138. Общая химия. Биофизическая химия. Химия биогенных элементов: учеб. для вузов / Ю.А. Ершов, В.А. Попков, A.C. Берлянд и др.; подред. Ю.А. Ершова. М. : Высшая школа, 2000. - 560 с. - ISBN 5-06003626-Х.

139. Мусил, Я. Современная биохимия в схемах / Я. Мусил, О. Новакова, К. Кунц. М. : Мир, 1984.-216 с.

140. Филиппович, Ю.Б. Основы биохимии: учеб. для хим. и биол. спец. пед. ун-тов и ин-тов. 4-е изд. - М. : изд-во «Агар», 1999. - 507 с.

141. Горелик, С.С. Рентгенографический и электроннооптический анализ / С.С. Горелик, JI.H. Расторгуев, Ю.А. Скаков. М. : Металлургия, 1970. -366 с.

142. Гиллер, Я.Л. Таблицы межплоскостных расстояний. В 2-х т. Т. И. М. : Недра, 1966.-362 с.151.3евин, Л.С. Количественный рентгенографический фазовый анализ / Л.С. Зевин, Л.Л. Завьялова. М. : Недра, 1974. - 184 с.

143. Миркин, С.Е. Справочник по рентгеноструктурному анализу. М. : Изд-во Гос физ.-мат. лит-ры, 1961. - 863 с.

144. Иоффе, И.И. Гетерогенный катализ: физико-химические основы / И.И. Иоффе, В.А. Решетов, A.M. Добротворский. Л. : Химия, 1985. - 224с.

145. Смит, Р. Полупроводники: пер. с англ. М. : Мир, 1982. - 560 с.

146. Оптические и электрические свойства пористого арсенида галлия / Н.С. Аверкиев, Л.П. Казаков, Э.А. Лебедев, Ю.В. Рудь, А.Н. Смирнов, H.H. Смирнова // Физика и техника полупроводников. 2000. - том 34. -вып. 6. - с. 757 - 761.

147. Кировская, И.А. Кинетика химических реакций: Учеб. пособие.-Омск: Изд-во ОмГТУ, 1994. 96 с. - ISBN 5 - 230 - 13822 - X.

148. Кировская, И.А. Коллоидная химия. Поверхностные явления: учебное пособие. Омск: Изд-во ОмГТУ, 1998. - 176 с. - ISBN 5 - 8148 - 0086 -5.

149. Белоусова, Д.Н. Лабораторный практикум по курсу «Методы исследования адсорбентов и катализаторов» / Д.Н. Белоусова, Г.М. Зелева. Томск: Изд-во ТГУ, 1977. - 110с.

150. Кучменко, Т. А. Применение метода пьезокварцевого микровзвешивания в аналитической химии. Воронеж: Воронежская государственная технологическая академия, 2001. - 280 с. - ISBN 589448-119-8.

151. Рапорт, Ф.М. Лабораторные методы получения чистых газов / Ф.М. Рапорт, A.A. Ильинская. М. : Государственное научно-техническое изд-во химической литературы, 1963. - 514с.

152. Боровиков, В.П. Прогнозирование в системе STATISTICA в среде Windows. Основы теории и интенсивная практика на компьютере: учебн. пособие / В.П. Боровиков, Г.И. Ивченко. М. : Финансы и статистика, 2000.-384 с. - ISBN 5-279-01980-1.

153. Алексеев, Р.И. Руководство по вычислению и обработке результатов количественного анализа / Р.И. Алексеев, Ю.И. Коровин. М. : Атомиздат, 1972. - 72 с.

154. Гмурман, В.Е. Теория вероятностей и математическая статистика: учебн. Пособие для вузов. 8-е изд. М. :Высшая школа, 2002. - 479 с. -ISBN 5-06-004214-6.

155. Литтл, Л. Инфракрасные спектры адсорбированных молекул. М. : Мир, 1962.-514с.

156. Киселёв, A.B. Инфракрасные спектры поверхностных соединений / A.B. Киселёв A.B., В.И. Лыгин. М. : Наука, 1972. - 459с.

157. Давыдов, A.A. ИК спектроскопия в химии поверхности окислов. -Новосибирск: Наука, 1984. - 246с.

158. Смит, А. Прикладная ИК спектроскопия: пер. с англ. - М. : Мир, 1982.-328 с.

159. Левшин, Л.В. Оптические методы исследования молекулярных систем. Часть I. Молекулярная спектроскопия / Л.В. Левшин, A.M. Салецкий. -М. : Изд-во МГУ, 1994. 320 с.

160. Крылов, О.В. Адсорбция и катализ на поверхностных металлах и их оксидах / О.В. Крылов, В.Ф. Киселёв. М. : Химия, 1981. - 288с.

161. Физика соединений AnBIV / Под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. ШеЙнкмана. М. : Наука, 1986. - 320 с.

162. Карапетьянц, М.Х. Химическая термодинамика. М. : Химия, 1975. -584 с.

163. Краткий справочник физико-химических величин / Под ред. Л.А. Пономарева, A.A. Равдель. Л. : Химия, 1983. - 271 с.

164. Энергии образования связей. Потенциалы ионизации и сродство к электрону / Л.В. Гурвич, Г.В. Карачевцев, В.Н. Кондратьев, Ю.А. Лебедев, В.А. Медведев, В.К. Потапов, Ю.С. Ходеев. М. : Наука, 1974.-351 с.