Получение и адсорбционно-каталитические свойства системы ZnSe-CdTe тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, кандидат химических наук Подгорный, Станислав Олегович

• Подгорный, Станислав Олегович
• кандидат химических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат химических наук Подгорный, Станислав Олегович

Введение.

Глава 1. Литературный обзор.

1.1.Объемные свойства соединений АПВУ1.

1.1.1. Кристаллическая структура.

1.1.2. Термодинамические характеристики.

1.1.3. Физические характеристики.

1.1.4. Химическая связь.

1.1.5. Химические свойства.

1.2. Поверхностные свойства соединений АПВУ1.

1.2.1. Химическое состояние, кислотно-основные свойства поверхности.

1.2.2. Адсорбционные свойства.

1.2.3. Каталитические свойства.

1.3. Твердые растворы систем АПВУ1 -АПВУ1.

1.3.1. Методы получения твердых растворов систем АПВУ1 -АПВУ1.

1.3.2. Известные сведения о твердых растворах систем АПВУ1 -АПВУ1. Их отдельные представители.

1.3.3. Система гпБе-СсГГе.

1.3.3.1. Диаграмма состояния системы гп8е-Сс!Те.

1.3.3.2. Методы получения твердых растворов системы Еп8е-Сс1Те.

1.3.3.3. Объемные свойства твердых растворов (гп8е)х(СсГГе)1.ч.

1.3.3.4. Поверхностные свойства твердых растворов (2п8е)х(С(1Те)1х.

1.4. Газовый анализ на алмазоподобных полупроводниках.

Глава 2. Экспериментальная часть.

2.1. Исследуемые объекты и их получение.

2.1.1. Получение твердых растворов (2п8с)х(СёТе)].х в форме порошков.

2.1.2. Получение наноразмерных пленок.

2.1.3. Идентификация твердых растворов системы гп8е-Сс!Те.

2.2. Исследование состава поверхности компонентов системы 2п8е-СсГГе методом ИК-спектроскопии МНПВО.

2.3. Исследование кислотно-основных свойств поверхности компонентов системы гпБе-СёТе.

2.3.1. Определение рН-изоэлектрического состояния.

2.3.2. Механохимические исследования.

2.4. Исследование адсорбционных свойств компонентов системы гп8е-Сс1Те.

2.4.1. Общая характеристика адсорбентов.

2.4.2. Выбор и получение адсорбатов.

2.4.3. Адсорбционные исследования4.

2.5. Электрофизические исследования.

2.6. Исследование поверхности адсорбентов методом атомно-силовой -микроскопии.

2.7. Исследование каталитических свойств компонентов системы

7п8е-Сс1Те в реакции окисления оксида углерода (II).

Глава 3. Результаты эксперимента и их обсуждение.

3.1. Идентификация твердых растворов системы ZnSe-CdTe.

3.2. Исследование поверхности адсорбентов- методом атомно-силовой микроскопии.

3.3. Исследование состава поверхности компонентов системы 2п8е-Сс1Те методом ИК-спектроскопии МНПВО.

3.4. Кислотно-основные свойства поверхности компонентов системы гп8е-Сс!Те.

3.4.1. Определение водородного показателя изоэлектрического состояния поверхности.

3.4.2. Механохимические исследования.

3.5. Адсорбционные свойства компонентов системы 2п8е-Сс1Те.

3.5.1. Адсорбция оксида углерода (II).

3.5.2. Адсорбция кислорода.

3.5.3. Адсорбция смесей газов С0+02.

3.5.4. Исследование адсорбции методом ИК-спектроскопии МНПВО.

3.5.5. Электрофизические исследования адсорбции.

3.6. Каталитические свойства компонентов системы ZnSe-CdTe в реакции окисления оксида углерода (II).

3.7. Закономерности изменения исследованных адсорбционных, каталитических и электронных процессов в зависимости от внешних условий и состава системы ZnSe-CdTe. Взаимосвязь между изученными поверхностными явлениями.

3.8. Роль габитуса и размерных эффектов.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Получение и адсорбционно-каталитические свойства системы ZnSe-CdTe»

Актуальность темы. Быстрые темпы развития и значительные достижения современной полупроводниковой техники, нанотехники, сенсорной электроники неотъемлемо связаны с получением и исследованием новых материалов. В их числе особое место занимают многокомпонентные системы на основе алмазоподобных полупроводников, представителями которых являются твердые растворы типа АПВУ1—АИВУ1. Такого рода объекты с широко регулируемым составом, возможным непрерывным и экстремальным изменением свойств давно зарекомендовали себя как перспективные материалы [1,2].

Решением задач по разработке технологии получения многокомпонентных полупроводниковых систем и исследованию их физико-химических свойств на протяжении многих лет занимается коллектив кафедры Физической химии ОмГТУ под руководством профессора И.А. Кировской. Целью исследований является создание теории управления свойствами поверхности алмазоподобных полупроводников и определение возможностей их практического применения в новой технике и других областях. Настоящая работа - часть таких исследований и посвящена получению и изучению физико-химических свойств твердых растворов в сравнении с бинарными компонентами системы ЕпБе-СсГГе.

Принципиально новые возможности для создания перспективных материалов связаны с развитием и внедрением нанотехнологий [3]. Так, исследования, выполненные в последние десятилетия, указывают на проявление новых, значительно улучшенных, по сравнению с макроскопическими, физических, химических, биологических и многих других свойств и характеристик наноразмерных материалов [3-7]. По прогнозам [8 и др.] вклад нанотехнологии в развитие человечества уже в первой четверти XXI века станет сравнимым с влиянием информационных технологий, достижениями клеточной и молекулярной биологии.

Сочетание специфических особенностей твердых растворов [1,2] и наноразмерных материалов [4-7] могут обусловить появление неожиданных эффектов, интересных для полупроводниковой* техники, в частности; сенсорной электроники, гетерогенного катализа. Таким образом, получение и исследование твердых растворов системы ЕпБе—СсГГе различного габитуса, в том числе, поверхностных наноструктур, обнаружение возможных размерных эффектов представляет значительный интерес, как для выявления природы поверхностных физико-химических процессов, так и для* расширения практического применения полупроводников,указанного типа.

Учитывая,, что эффективность использования полупроводниковых материалов определяется уровнем знаний о физико-химических свойствах поверхности [9], необходимо их тщательное и всестороннее изучение. В итоге, прогнозируемые возможности практического примененияг твердых растворов системы гп8е-С(1Те и при этом отсутствие исчерпывающей информации об их поверхностных свойствах, определяют актуальность выполненных в настоящей работе исследований.

Целью работы является комплексное исследование объемных и поверхностных физико-химических свойств компонентов полупроводниковой системы 2п8е-Сс1Те с учетом влияния состава, габитуса и размерного эффекта образцов, с оценкой практического применения-результатов исследований.

В соответствии с целью работы были поставлены следующие задачи:

1. Получить и аттестовать твердые растворы системы 2п8е-СсГГе различного габитуса (порошки, пленки, в том числе наноразмерные).

2. Исследовать физико-химические свойства реальной поверхности компонентов системы Еп8е-Сс1Те: химический состав, кислотно-основные, б адсорбционные (по отношению к оксиду углерода (II), кислороду и их смесям) и каталитические (по отношению: к реакции окисления, оксида углерода (II)) свойства.

3. Исследовать; влияние габитуса и размерных эффектов на адсорбционные" свойства компонентов системы 2п8с-Сс1'Ге. Установить возможные причины размерных эффектов' применительно кг исследованным объектам. 4. Выявить закономерности; изменения изученных поверхностных явлений; в зависимости от внешних условий; и: состава5 системы. Установить взаимосвязь между ними.

5. . , Опираясь на результаты выполненных исследований и известные сведения о физико-химических свойствах бинарных алмазоподобных соединений, определить возможности прогнозирования адсорбционной; и каталитической: активности компонентов системы 7п8е—Сс1Те, а также полупроводников типа А11ВУ1, АИВУ1- АЦВУ1.

6. Оценить. перспективы и сформулировать конкретные рекомендации их практического применения.

Научная новизна работы

1. Получены и аттестованы; твердые растворы системы ZnSe—СёТе ранее неизученных составов — 5 и 15 мол. % 7,п8е в форме порошков и наноразмерных пленок.

2: Впервые выполнены исследования физико-химических свойств поверхности: твердых растворов (2п8е)х(Сс1Те) 1 х в* сравнении с бинарными соединениями (2п8е и СсГГе): химического состава, кислотно-основных, адсорбционных (по отношению к оксиду углерода (П), кислороду и их, смесям) и каталитических (в реакции окисления угарного газа). Установлены закономерности изученных явлений; влияние на их протекание состава системы.

3. Выявлена взаимосвязь между исследованными поверхностными свойствами. Построены диаграммы состояния «кислотно-основное свойство - состав», «адсорбционное свойство — состав», «каталитическое свойство — состав».

4. Изучено влияние габитуса, размерных эффектов на адсорбционные свойства компонентов системы Хп8е-Сс1Те. Установлено: величина адсорбции СО растет с уменьшением геометрического размера пленки адсорбента при качественном совпадении адсорбционных характеристик порошка и пленок толщиной 60-730 нм. Обнаружены повышенная адсорбционная активность наноразмерных пленок (на порядок) по сравнению с пленками толщиной 730<нм, снижение температуры начала химической активированной адсорбции, появление новой формы адсорбированного СО с уменьшением толщины пленки с 60 до 19 нм. Возможными причинами размерных эффектов являются: увеличение степени дефектности поверхности, доли поверхностных атомов адсорбентов и квантовые ограничения.

5. Показаны возможности использования« наиболее активных компонентов исследованной системы — СсГГе и твердого раствора (гп8е)0,о5(СсГГе)о,95 для разработки сенсоров-датчиков на микропримеси СО и катализаторов его обезвреживания. Получен патент на изобретение.

Защищаемые положения

1. Результаты получения и идентификации твердых растворов замещения полупроводниковой системы ZnSe-CdTe.

2. Выводы о химическом составе поверхности, природе активных центров, механизмах, закономерностях исследованных адсорбционных и каталитических процессов, взаимосвязи между изученными поверхностными свойствами и их изменении с составом.

3. Установленное влияние габитуса и размерных эффектов на адсорбционные свойства компонентов системы 2п8е-СсГГе. Высказанные 8 причины (физическая основа) данных явлений: увеличение степени дефектности поверхности, доли поверхностных атомов адсорбентов и квантовые ограничения.

4. Обоснование возможности прогнозирования адсорбционных и каталитических свойств изученных' и подобных алмазоподобных полупроводников семейства АПВУ1, бинарных и более сложных, на основе зависимостей между кислотно-основными и адсорбционными, адсорбционными и электрофизическими, а также адсорбционными и каталитическими характеристиками.

5. Практические рекомендации по созданию на основе наиболее активных компонентов системы гп8е-Сс1Те (СсГГе и {Хп8е)о,о5(Сс1Те)о595) селективных сенсоров-датчиков на микропримеси СО и низкотемпературных катализаторов обезвреживания оксида углерода (II).

Практическая значимость работы

1. Получены материалы, обладающие высокой избирательной адсорбционной чувствительностью по отношению к оксиду углерода (П), и каталитической активностью в реакции окисления СО — твердые растворы системы ZnSe-CdTe в форме порошков и наноразмерных пленок.

2. На основе анализа диаграмм «кислотно-основное свойство — состав», «адсорбционное свойство — состав», каталитическое свойство — состав» с учетом влияния габитуса и размерных эффектов высказаны прогнозы о возможности использования наиболее активных компонентов исследованной системы - СсГГе и твердого раствора (Еп8е)о,о5(Сс1Те)о;95 в диагностике и анализе токсичных газовых примесей, полупроводниковом катализе.

3. Изготовлены селективные сенсоры-датчики на микропримеси оксида углерода (II) и низкотемпературные катализаторы окисления СО. Все образцы успешно прошли лабораторные испытания. Получен патент на изобретение.

Апробация работы

Основные материалы диссертационной работы доложены и обсуждены на VIII Международной научной конференции (Хургада, Египет, 2008г.); VIII научной конференции «Аналитика Сибири и Дальнего Востока» (Томск, 2008); VI и VII Международных научно-технических конференциях «Динамика систем механизмов и машин» (Омск, 2007, 2009); I, II и III Всероссийских научно-технических конференциях «Россия Молодая: передовые технологии - в промышленность» (Омск, 2008, 2009, 2010); Региональной молодежной научно-технической конференции «Омское время - взгляд в будущее» (Омск, 2010); I научно-технической конференции аспирантов, магистрантов, студентов «Техника и технология современного нефтехимического производства» (Омск, 2011); П-ой Региональной молодежной научно-технической конференции «Омский регион-месторождение возможностей» (Омск, 2011). Результаты диссертации опубликованы в 21 работе.

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Подгорный, Станислав Олегович

Выводы

1. Получены и аттестованы твердые растворы системы 2п8е-Сс1Те,

Том числе, ранее неизученных составов, в форме порошков и наноразмег^р^^^ пленок.

2. Выполнены комплексные исследования физико-химических поверхности компонентов системы 2п8е—СсГГе, включая химич^ ^ состав, кислотно-основные, адсорбционные (по отношению к СО, Оих смесям) и каталитические (по отношению к СО) свойства. Установи:. химический состав поверхности адсорбентов предст^^^^^ преимущественно адсорбированными молекулами воды, группам^ (^щ углеродсодержащими соединениями и типичен для алмазоподс^^ полупроводников,

- слабокислый характер реальной поверхности компонентов сцСТ(

2п8е-СсГГе обусловлен в основном присутствием кислотных це=11Тр< еМы юв: координационно-ненасыщенных поверхностных а^Год<1ов адсорбированных молекул воды и гидроксильных групп,

- все компоненты системы проявляют высокую избирательную адсорбционную чувствительность по отношению к выбг>ата.т иньщ адсорбатам,

- адсорбционные процессы имеют преимущественно химц-чесхсу природу, начиная с температур 257-298К,

- наличие заметного каталитического превращения оксида Углерод уже при комнатной температуре на всех компонентах изученной с^стедп» за исключением 2п8е.

3. Подтвержден вывод о единстве происхождения активных Центро адсорбции и биографических поверхностных медленных состояний

4. Подтверждены механизмы изученных адсорбционных и каталитических процессов: донорно-акцепторный и ион-радикальный, соответственно для СО и 02; ударный - для реакции окисления СО.

5. Выявлена взаимосвязь между исследованными кислотно-основными, адсорбционными, электрофизическими и каталитическими свойствами компонентов системы гиБе-СсТТе, установлены закономерности их изменения с составом.

6. Исследовано влияние габитуса и размерных эффектов на адсорбционную активность. Величина адсорбции возрастает при переходе от порошка к пленкам при качественном сохранении адсорбционных закономерностей до толщины пленок 60 нм. Проявляется тенденция дальнейшего увеличения по мере снижения линейных размеров частиц адсорбентов. Дано истолкование физических основ данных явлений: причинами размерных эффектов являются увеличение степени дефектности поверхности, доли поверхностных атомов адсорбентов и квантовые ограничения.

7. На основе анализа диаграмм «кислотно-основное свойство — состав», «адсорбционное свойство - состав», каталитическое свойство — состав» с учетом влияния габитуса и размерных эффектов установлены возможности прогнозирования адсорбционно-каталитических свойств изученных и им подобных аламазоподобных полупроводников типа АПВУ1, АПВУ1-АПВУ1.

8. Наиболее активные компоненты исследованной системы — СсГГе и (2п8е)о,о5(Сс1Те)о,95 использованы в качестве материалов высокочувствительных полупроводниковых сенсоров-датчиков на микропримеси угарного газа и низкотемпературных катализаторов обезвреживания СО, прошедших испытания. Получен патент на изобретение.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Подгорный, Станислав Олегович, 2011 год

1. Кировская, И. А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Твердые растворы / И. А. Кировская. — Томск : Изд-во Томск, ун-та, 1984. 133 с.

2. Кировская, И. А. Твердые растворы бинарных и многокомпонентных полупроводниковых систем : монография / И. А. Кировская. — Омск : Изд-во ОмГТУ, 2010.-400 с.

3. Наноструктурные материалы / под ред. Р Ханнинка, А. Хилл. — М. : Техносфера, 2009. 488 с.

4. Рыжонков, Д. И. Наноматериалы : учебное пособие / Д. И. Рыжонков, В. В. Левина, Э. Л. Дзидзигури. М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2008. -365с.: ил.

5. Пул мл., Ч. Нанотехнологии / Ч. Пул — мл., Ф. Оуэне. — М. : Техносфера, 2006. — 336 с.

6. Лозовский, В. Н. Введение в специальность : учебное пособие. 2-е изд., испр. / В. Н. Лозовский, Г. С. Константинов, С. В. Лозовский СПб. : Лань, 2008.-336 с. : ил.

7. Келсалл, Р. Научные основы нанотехнологий и новые приборы : учебник-монография : пер. с англ. / Р. Келсалл, А. Хэмли, М. Геогеган (ред.). Долгопрудный : Издательский дом «Интеллект», 2011. — 528 с.

8. Нанотехнологии в электронике / под ред. Ю.А. Чаплыгина. М. : Техносфера, 2005. 448с.

9. Кировская, И. А. Возможные пути регулирования свойств поверхности алмазоподобных полупроводников и некоторые аспекты их практической реализации / И. А. Кировская // Неорганические материалы. — 1994. — Т. 30, №.2.-С. 147-152.

10. Ю.Пасынков, В. В. Материалы электронной техники / В. В. Пасынков, В. С. Сорокин СПб. : Лань, 2003. - 368 с.

11. Генерационно-рекомбинационные центры в CdTe:V / JL А. Кося^тенко и др. // Физика и-техника полупроводников. 2003. - Т. 37, вып. 4. — С. 469 -472.

12. Колосов, С.А. Электрические свойства мелкозернистых поликристаллов CdTe / С.А. Колосов, Ю.В. Клевков, А.Ф. Плотников // Физика и: техника полупроводников. 2004. — Т. 38, вып. 4. — С. 473 — 478.

13. Состояние поверхности поликристаллических слоев CdTe, облученных импульсным лазерным излучением / А. Байдулаева и др. // Физика и техника полупроводников. 2001. — Т. 35, вып. 6. - С. 745 - 748.

14. CdTe photoluminescence: Comparison of solar-cell material with, surface-modified single crystals / C. R. Corwine et. al. // Applied physics letters. — 2005.-86.-221909.

15. Yan, Y. Energetics and effects of planar defects in CdTe / Y. Yan, VI. M. Al-Jassim, T. Demuth // Journal of applied physics. 2001- Vol. 90, N. 8. — P. 3952-3955.

16. Abbas Shah, N. Preparation and characterization of CdTe for solar cells, detectors, and related thin-film materials / N. Abbas Shah, A. Ali, A. jMaqsood // Journal of ELECTRONIC MATERIALS. 2008. -Vol. 37, N. 2. — P. 145 151.

17. Proskuryakov, Y.Y. Impedance spectroscopy of unetched CdTe/CdSe solar cells-equivalent circuit analysis / Y. Y. Proskuryakov, K. Durose, В . TVI. Taele // Journal of applied physics. 2007. - 102. - 024504.

18. De Albuquerque, J. E. Study of thermal and optical properties of the semiconductor CdTe by photopyroelectric spectroscopy / J.E. de Albuquerque, P.M.S. de Oliviera, S.O. Ferreira // Journal of applied physics. 2007. — 101. — 1035271.

19. Consonni, V. Effects of island coalescence on the compensation mechanisms in chlorine doped polyciystalline CdTe / V. Consonni, G. Feuillet // Journal of applied physics. 2007. - 101. - 063522.

20. Брызгалов, А. Н. Оптические свойства поликриста^н-ж—г-*-^-^Яческого селенида, цинка / А. Н. Брызгалов, В. В. Мусатов, В. В. Бузьксгэ* у-,у Физика и техникаполупроводников. 2004. — Т. 38, вып. 3. - С. 745 —

21. Ваксман, Ю. Ф. Инверсия типа проводимости вкристаллах ZnSe, полученных методом свободного роста / Ю.Ф. Вакст^ац:»,^^и др.//физика.итехника полупроводников. — 2003. — Т. 37, вып. 2. — d—*-- 156-158.

22. Interaction of intrinsic defects with impurities in AI dop»^^ ^-ZnSe single crystals

23. G.N. Ivanova et. а17/ Journal of applied physics —-- 101. — 063543.

24. Гаврищук, Б. M. Поликристаллический селени^ис1. Для инфракраснойоптики / Е. М. Гаврищук // Неорганические материа^щ^ 2ооз 9.-С. 1031 -1049. "

25. Горюнова, H.A. Химия алмазоподобных пол\пгзг-г->»л-"--Е^оводников / Н А

26. Горюнова. Л. : ЛГУ, 1963. - 222 с.

27. Горюнова, Н. А. Сложные алмазоподобные поиг%ггг^-»-гроводники / Н. А.

28. Горюнова. М: : Советское радио, 1968. - 268 с.

29. Влияние природы исходных компонентов на свойс^г-г3 5 2 6 твердых растворовсистем А В -А В / И. А. Кировская и др. у /1. Динамика систем,механизмов и машин : матер. VI Междунар. науч.—1. Р У конф. / ОмГТУ

30. Омск, 2007.-Кн. 3.-С. 173-176.

31. Кировская, И. А. Поверхностные свойс^е^вяалмазоподобныхполупроводников. Химический состав поверхности1. Катализ / И. А.

32. Кировская. Иркутск : Изд-во Иркут. ун-та, 1988. j ^

33. Кировская, И.А. Адсорбционные процессы / И. ^рг-,.кировская Иркутск :

34. Изд-во Иркут. ун-та, 1995. — 304 с.

35. Кировская, И. А. Катализ. Полупроводник^-.катализаторы:монография / И. А. Кировская. Омск : Изд-во OivsfX^Ту 2004 272

36. Альфер, С. А. Исследование электропроводнох^т»1. CdSe и CdTe приповышенных температурах и давлениях / С. А. ^ ,ьфер, В. Ф. Скумс //

37. Неорганические материалы. — 2001. Т. 37, №. 1 ^ „--С- 1449-1453.31 .Marsillac, S. Ultra-thin bifacial CdTe solar cell. / S. Marsillac, V. Y. Parikh, A. D. Compaan // Solar Energy Materials 8c Solar Cells. 2007. - V. 91. - P. 1398-1402.

38. Кировская, И. А. Поверхностные явления: монография / И. А. Кировская Омск: Изд-во ОмГТУ, 2001. — 174 с,

39. Кировская, И. А. Электрофизические и адсорбционные свойства образцов системы InSb-ZnSe / И. А. Кировская, О. П. Азарова // Неорганические материалы. 2003. - Т. 39, №. 12. - С. 1443 - 1447.

40. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства / Н. X Абрикосов и др. ; под ред. Н. X. Абрикосова. М. : Наука, 1967. - 166 с.

41. Рот, В. JI. Кристаллография / В. JI. Рот // Физика и химия соединений AnBVI; пер. с англ. / под ред. С. А. Медведева. М. : Мир, 1975. - С. 97131.

42. Берченко, Н. Н. Полупроводниковые твердые растворы,и их применение: Справочные таблицы / Н. Н. Берченко, В. Е. Кревс, В. Г. Средин ; под ред. В. Г. Средина. -М. : Воениздат, 1982. — 208 с.

43. Чижиков, Д. М. Селен и селениды / Д. М. Чижиков, В. П. Счастливый.

44. М.: Наука, 1964. 320 с. 38.Чижиков, Д. М. Теллур и теллуриды / Д. М. Чижиков, В. П. Счастливый. - М. : Наука, 1966. - 279 е.,

45. Каталитическое гидрирование двуокиси углерода на поверхности соединений АШВУ и AnBVI / И. А. Кировская и др. // Журнал физической химии. 1983. - Т. 57, №. 4. - С. 993 - 995.

46. Болыпой химический справочник. — Минск : Современная школа, 2005.

47. Справочник по электротехническим материалам : В з-х т. / под ред. Ю. В. Корицкого, В. В. Пасынкова, Б. М. Тареева. JI. : ЭНЕРГОАТОМИЗДАТ, 1988.-Т. 3.-728 с.

48. Кировская, И. А. Некоторые особенности адсорбционных и каталитических процессов на твердых ратсворах алмазоподобныхполупроводников / И. А. Кировская // Журнал физической химии. — 1978. Т. 57, №. 9. - С. 2266 - 2270.

49. Рогинский, С. 3. Адсорбция и катализ на неоднородных поверхностях / С. 3. Рогинский. М. : Изд-во АН СССР, 1948, - 643 с.

50. Волькенштейн, Ф. Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции / Ф. Ф. Волькенштейн. — М. : Наука, Гл. ред. физ.-мат. лит, 1987. 432 с.

51. Лоренц, М. Р. Термодинамика, приготовление материалов и выращивание кристаллов / М. Р. Лоренц // Физика и химия соединений АИВУТ ; пер. с англ. / под ред. С. А. Медведева. М. : Мир, 1975. - С. 65 - 96.

52. Медведев, С. А. Введение в технологию полупроводниковых материалов / С. А. Медведев. М.: Наука, 1970. - 504 с.

53. Энциклопедия полупроводниковых материалов. Электронная структура и свойства полупроводников : пер. с англ. / под ред. Э. П. Домашевской. -Воронеж : Водолей, 2004. — Т. 1. — 982 с.

54. Мизецкая, И. Б. Физико-химические основы синтеза монокристаллов полупроводниковых твердых растворов соединений АЯВУ1 / И. Б. Мизецкая и др.. Киев : Наук. Думка, 1986. — 160 с.

55. Козлов, С. Н. О кинетике заряжения поверхности полупроводника при адсорбции / С. Н. Козлов // Известия вузов. Физика. — 1975. — № 2. — С.116.

56. Голованов, В. В. Механизм хемосорбции моноксида углерода на тонких поликристаллических слоях сульфида кадмия / В. В Голованов, В. В. Сердюк // Поверхность. Физика, химия, механика — 1993. — Т. 5. С. 35 — 42.

57. Киселев, В. Ф. Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках и диэлектриках / В. Ф., Киселев, О. В. Крылов. М. : Наука, 1979. -236 с.

58. Горелик, С. С. Материаловедение полупроводников и металловедение / С. С. Горелик, М. Я. Дашевский. — М. : Металлургия, 1973. — 496 с.

59. Павлов, Л. П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов / Л. П. Павлов. — М.: Высш. шк., 1987.—239 с.

60. Богородицкий, Н.П. Электротехнические материалы / Н. П. Богородицкий, В. В. Пасынков, Б. М. Тареев. — Л. : Энергоатомиздат, 1985. 304 с.

61. Шалимова, К. В. Физика полупроводников / К. В. Шалимова. — М. : Энергоатоимздат, 1985. — 392с.

62. Васильев, В. П. Корреляция термодинамических свойств фаз АПВУ1 АШВУ1 / В. П. Васильев // Неорганические материалы. 2007. - Т. 43, №. 2. - С. 155-164

63. Георгобиани, А. Н. Физика соединений АПВУ1 ; под ред. А. Н. Георгобиани М. К. Шейнкмана. — М. : Наука. Гл. ред. физ-мат. лит., 1986. -320 с.

64. Горбачев, В. В. Физика полупроводников и металлов / В. В. Горбачев, JL Г. Спицина. М. : Металлургия, 1982. — 336 с.

65. Пашинкин, А. С. Теплоемкость твердых халькогенидов цинка и кадмия (ZnTe, CdSe, CdTe)/ А. С. Пашинкин, А. С. Малкова, М. С. Михайлова // Журнал физической химии. 2003. - Т. 76, №. 4. - С. 638 - 641.

66. Глазов, В. М. Область гомогенности на основе теллурида кадмия в системе кадмий-теллур / В. М. Глазов, JI. М. Павлова // Неорганические материалы. 1994. - Т. 30, №. 5. - С. 629 - 634.

67. Угай, Я. А. Введение в химию полупроводников / Я. А. Угай. — м. ; Высш. Школа, 1975. 302 с.67.0болончик, В. А. Селениды / В. А. Оболончик. -М. : Металлургия;, 1972 с. 296.

68. Оболончик, В.А. Селениды и теллуриды редкоземельных металлов и актинойдов / В. А. Оболончик, Г. В. Лашкарев. Киев : Наукова думка, 1966.

69. Liou, J. J. Surface oxidation of polycrystalline cadmium telluride thin films for Schottky barrier junction solar cells / J.J. Liou // Solid-State Electronics. — 1995. -V. 38,N. 6.-P. 1151-1154.

70. Humphreys, T. P. Metal contacts to clean and oxidized cadmium telluride and indium phosphide surfaces / T. P. Humphreys, M. H. Patterson, R. H. Williams // J. Vac. Sci. Tecnol. 1980. -V. 17, N. 5. - P. 886 - 890.

71. Patterson, M.H. Metal-CdTe surfaces / M. H. Patterson, R. H. Williams // Journal* of Crystal Growth. 1982. - V. 59, N. 1. - P. 281 - 288.

72. Surface effects on metal/CdTe junctions and CdTe heterojunctions / J. G. Werthen et. al. //J. Phys. D.: Appl. Phys. 1983. -V. 16. - P. 2391-2404.

73. Кировская, И. А. Химическое состояние реальной поверхности соединений типа AnBVI / И. А. Кировская // Неорганические материалы. — 1989. Т. 25, №. 9. - С. 1472-1475.

74. Кировская, И. А. Получение и химический состав твердых растворов системы ZnSe-CdTe / И. А. Кировская, Ю. А. Мурашко // Омский научный вестник. 2003. - №. 4(25). - С. 79 - 81

75. Кировская, И: А. Кинетика термодесорбции воды с поверхности компонентов системы- ZnSe-CdTe / И. А. Кировская, Ю. А. Мурашко // Омский научный вестник. — 2004. — №. 1(26). — С. 62 — 65

76. Кировская, И. А. Получение и исследование твердых растворов системы ZnTe-CdTe / И. А. Кировская, Ю. А. Мурашко // Динамика систем, механизмов и машин: матер. VI" Междунар. науч.-техн. конф. / ОмГТУ. — Омск, 2007.-Кн. 3.-С. 149-153.

77. Кировская, И. А. Химическое состояние поверхности компонентов системы ZnSe-CdSe / И. А. Кировская, Е. М. Буданова // Журнал физической химии. 2001. - Т. 75, №. 10. - С. 1840 - 1845.

78. Кировская, И. А. ИК-спектроскопические ¡исследования поверхности компонентов системы ZnTe-CdTe / И. А. Кировская, Ю. А. Мурашко // Омский научный вестник. 2004. - №. 1(26). - С. 66 - 67

79. Кировская, И. А., Физико-химические свойства поверхности террурида кадмия / И. А. Кировская // Журнал физической химии. 1997. — Т. 71, №. 12.-С. 2241-2245.

80. Кировская. И. А., Миронова Е. В. Кислотно-основные свойства поверхности твердых растворов 1п8Ь-Сс1Те / И. А. Кировская, Е. В. Миронова // Журнал физической химии. 2005. - Т. 79, №. 4. — С. 755 — 758.

81. Крылов, О. В. Катализ неметаллами / О. В. Крылов. — Л.: Химия, 1967. — 240 с.

82. Крылов, О. В. Каталитические свойства новых полупроводников, со структурой цинковой обманки / О. В. Крылов, Е. А. Фокина // Журнал физической химии. 1961. — Т. 35, вып. 3. — С. 651 — 659.

83. Кировская, И. А. Исследование поверхности системы 2п8е-Сс18е методом РФЭС / И. А. Кировская, Е. М. Буданова // Журнал физической химии.-2001.-Т. 75, №. 7.-С. 1310-1333.

84. Старцева, О. А. Исследование поверхности твердых растворов Сс1хБ£1хТе / О. А. Старцева, И. А. Кировская // Неорганические материалы. — 1994. — Т.30,№: 1.-С. 134-135.

85. Мурашко, Ю. А. Синтез и физико-химия поверхности твердых растворов системы гпТе-СёТе : автореф. дисс. . канд. хим. наук :02.00.04 / Ю. А. Мурашко. — Омск, 2006. — 39 е.: рис.

86. Кировская, И. А. Химический состав и кислотно-основные свойства поверхности компонентов системы СаАБ-Сс18 / И. А. Кировская, А. Е. Земцов // Журнал физической химии. — 2007. — Т. 81, №. 1. С. 101 — 106.

87. Кировская, И. А. Химический состав и кислотно-основные свойства поверхности системы 1п8Ь^п8е / И. А. Кировская, О. П. Азарова // Журнал физической химии. 2003. - Т. 77, №. 9. - С. 1663 - 1667.

88. Кировская. И. А. Химический состав и кислотно-основные свойства поверхности компонентов системы ваЗЬ^пТе / И; А. Кировская, Л- В. Новгородцева // Динамика1 систем, механизмов и машин- : матер. V

89. Междунар. науч.-техн. конф. / ОмГТУ. Омск, 2004. - Кн. 3. — С. 36- 40.

90. Кировская, И.А. Исследование кислотно-основных свойств поверхности системы 1п8Ь-7,пТе / И. А. Кировская, Е. Г. Шубенкова // Динамика систем, механизмов и машин : матер. V Междунар. науч.-техн. конф. /

91. ОмГТУ. Омск, 2004. - Кн. 3. - С. 49 -53.

92. Получение и. исследование активной* поверхности твердых ратсворов системы 1п8Ь-2пГе / И. А. Кировская и др. // Динамика систем,механизмов и машин: матер. VI Междунар. науч.-техн. конф. / ОмГГУ. — Омск, 2007. Кн. 3. - С. 167 - 172.

93. Кислотно-основные: свойства и химический, состав поверхности системы 1п8Ь-7,пТе / И; А. Кировская и др:. // Журнал физической химии; — 2008. Т. 82, №. 4. - С. 732 - 738.

94. Кировская, И. А. Исследование свежеобразованной поверхности соединений- типа АПВУ1 / И. А. Кировская, В. В. Даньшипа, Е. Ц. Емельянова//Неорганические материалы; — 1989. — Т. 25, №. 3. — С. 379 — 3811

95. Неорганические материалы. 1997.-Т. 33; №;'.3".— С. 314 — 316.

96. Кировская, И. А. Методология исследовании . физико-химических свойств: алмазоподобных полупроводников и основные направления^ практических разработок / И. А. Кировская // Омский научный вестник. — 2001.-Вып. 14.-С. 66-67.

97. Кислотно-основное состояние поверхности компонентов системы ЪгёЬ-2пТе / И. А. Кировская и др. // Омский научный вестник. Сер. приборы, машины и технологии. 2006. - №. 10(48). - С. 20 - 25

98. Кировская, И. А. Адсорбционные свойства компонентов системы 2п8е-Сё8е. / И. А. Кировская, Е. М: Буданова // Журнал физической химии. 2002. - Т. .76, №. 7. - С. 1246 - 1254.

99. Кировская, И. А. Адсорбционные свойства системы СаАБ-Сс^ / И. А. Кировская, А. Е. Земцов // Журнал физической химии. 2007. — Т. 81, №. 1. - С. 757 -761.

100. Кировская, И. А. Закономерности и механизм адсорбции оксида: углерода на пленках твердых; растворов и бинарных соединений системы ; InSb-ZnSe / И. А. Кировская, О. П. Азарова//Журнал физической химии: 2003. - Т. 77, №. 12. - С. 2216 - 2220.

101. Кировская, И: А. Адсорбция газов на поверхности твердых растворов и бинарных соединений системы GaAs-ZnTe / И. А. Кировская, Л. В. Новгородцева, М. В. Васина // Журнал физической химии. 2007. - Т. 81, №.9.-С. 1719-1723. •

102. Кировская, И: А. Каталитические свойства1 компонентов полупроводниковой системы InSb-CdTe / И. А. Кировская, К В. Миронова // Журнал физической химии. 2005. — Т. 79, №. 9. — G. 1586 —1592.

103. Кировская, И. А. Каталитические свойства системы InSb-CdTe в гидрировании оксида углерода / И. А. Кировская, Е. В. Миронова, Т. J1. Рудько // Журнал физической химии. 2007. — Т. 81, №. 8. - С. 1385 — 1388.

104. Майдановская, JI. Г. Адсорбция водорода и кислорода селенидом цинка / JI. Г. Майдановская, И. А. Кировская // Кинетика и катализ. 1964. — Т. 5, вып. З.-С. 546-547.

105. Кировская, И. А. Адсорбция газов и смесей на пленках селенида цинка / И. А. Кировская, Е. А. Шмидт // Журнал физической химии. — 1975. — Т. 49, №. 27. С. 428 - 430.

106. Кировская, И. А. Кинетика адсорбции газов на полупроводниках типа цинковой обманки / И. А. Кировская, JI. Г. Майдановская // Журнал физической химии. 1968. - Т. 42, №. 11. - С. 2911 - 2915.

107. Адсорбция окиси углерода на полупроводниках типа цинковой обманки / И. А. Кировская и др. // Журнал физической химии. — 1970. — Т. 44, №. 5. С. 1260 - 1266.

108. Кировская, И. А. Об адсорбции паров воды на GaAs, ZnSe и их твердых растворах / И. А. Кировская, Г. М. Муликова, А. В. Юрьева // Журнал физической химии. 1974. - Т. 48, №. 5. - С. 1227 - 1229.

109. Кировская, И. А. Адсорбция смесей на изоэлектронных аналогах германия/ И. А. Кировская, JI. Г. Майдановская, Н. В. Соловьева // Журнал физической химии. — 1968. — Т. 42 — С. 1200.

110. Кировская, И. А. Об адсорбции смесей близких и различных поэлектронной природе газов на изоэлектронных аналогах германия / И. А.189

111. Кировская // Журнал физической химии. — 1970. — Т. 44, №. 1. — С. 159 — 165.

112. Кировская И. А. Адсорбция компонентов реакции разложения муравьиной кислоты на поликристаллах селенида цинка / И. А. Кировская, JI. Н. Пименова, В. А. Крюков // Журнал физической химии. — 1974. Т. 48, №.11. - С. 2825 - 2829.

113. Крылов, О. В. Каталитические свойства металлического германия / О.

114. B. Крылов, С. 3. Рогинский, В. Н. Фролов // Докл. АН СССР. 1956. - Т. 3, №. 3. — С. 623-625.

115. Рогинский, С. 3. Полупроводниковый катализ / С. 3. Рогинский // Химическая наука и промышленность . — 1957. Т. 11, №. 2. — С. 139 -159.

116. Katalische Wirkung von dotierten eigenhalbleitern / G. M Chwab et al. // Z. Phys. Chem. 1958. - B. 15, N. 1-6. - S. 363 - 371.

117. Lee, V. J. Catalysis on wide band-gap semiconductors / V. J. Lee // J. Chem. Phys. 1971. - V. 55, N. 6. - P. 2905 - 2913.

118. Hauffe, K. The application of the theory of semiconductors to the problem of heterogeneous catalysis / K. Hauffe //Advances in Catalysis. 1955. — V. 2. -P. 213-257.

119. Кировская, И. А. Адсорбционные, каталитические и электрофизические свойства полупроводников со структурой цинковой обманки: автореф. дис. канд. хим. наук / И. А. Кировская. Томск : Изд-во ТГУ, 1964. — 25 с.

120. Кировская, И. А. Адсорбционные и каталитические свойства теллурида кадмия в реакции окисления моноксида углерода / И. А. Кировская, О. А. Федяева, Е. В. Миронова // Омский научный вестник. — 2003. — №4(25). —1. C. 82-86.

121. Кировская, И. А. Новые катализаторы и адсорбенты на основе полупроводниковой системы InSb-CdTe / И. А. Кировская // Журнал физической химии. 2007. - Т. 81, №. 4. - С. 627 - 636.

122. Каталитические и адсорбционные свойства теллурида кадмия / И. А. Кировская и др. // Динамика систем, механизмов, и машин : матер. IV Междунар. науч.-техн. конф. / ОмГТУ. — Омск, 2002. — Кн. 2. — С. 259 — 261.

123. Кировская, И. А. Новые полупроводниковые материалы, адсорбенты, и катализаторы / И. А. Кировская // Динамика систем, механизмов и машин : матер. VI Междунар. науч.-техн. конф. / ОмГТУ. — Омск, 2007. — Кн. 3. — С. 99-105.

124. Кировская, И. А. Каталитические свойства теллуридов и сульфида кадмия по отношению к реакции окисления СО(П) / И. А. Кировская, О. А. Федяева, О.Т. Тимошенко // Современные наукоемкие технологии. — 2007.-№. 2.-С. 84-86.

125. Кировская, И. А. Активность сульфида кадмия и фосфида индия в реакции окисления угарного газа / И. А. Кировская, О. Т. Тимошенко // Современные наукоемкие технологии. — 2006. — №. 1. — С. 99 100.

126. Каталитическое окисление угарного газа на теллуридах и сульфиде кадмия / И. А. Кировская и др. // Динамика систем, механизмов и машин : матер. V Междунар. науч.-техн. конф. / ОмГТУ. Омск, 2004: - Кн. 3. -С. 43-46.

127. Катализаторы обезвреживания СО и N02 на основе систем 1пВу-С<ЗВУ1/ И. А. Кировская и др. // Современные наукоемкие технологии. — 2007. -№. 2.-С. 82-84.

128. Кировская, И. А. Каталитическое разложение муравьиной кислоты на теллуриде кадмия и ртути / И. А. Кировская, О. А. Федяева, Е В. Нидерквель // Современные наукоёмкие технологии. — 2006. — №. Г. — е. 98-99.

129. Каталитическое обезвреживание угарного газа на СсГГе его твердых растворах/ И. А. Кировская и др. // Россия молодая : передовые технологии в промышленность : материалы Всерос. науч.-техн. конф. / ОмГТУ. - Омск, 2008. - Кн. 2. - С.' 234 - 241.

130. Получение и исследование новых полупроводниковых катализаторов / И. А. Кировская и др. // Современные наукоемкие технологии. — 2006. -№. 1.-С. 97-98.

131. Обезвреживание угарного газа на новых низкотемпературных катализаторах / И. А. Кировская и др. // Россия молодая : передовые технологии в промышленность : материалы II Всерос. науч.-техн. конф. / ОмГТУ. - Омск, 2009. - Кн. 2. - С. 148 - 153.

132. Кировская, И. А. Кислотно-основные и каталитические свойства поверхности твердых растворов ZnSe-CdSe / И. А. Кировская, Е. М. Буданова // Журнал физической химии. — 2002. — Т. 76, №. 4. — С. 667 -671.

133. Влияние микроструктуры катализаторов Pt/Ce02-Ti02 на каталитические свойства в реакции окисления СО / А. А Шутилов и др. // Кинетика и катализ. 2008. - Т. 49, №. 2. - С. 284 - 292.

134. Кинетика и механизм окисления моноксида углерода на нанесенном металлокомплексном катализаторе PdCl2-CuCl2/Al203 / И. А. Котарев и др. // Кинетика и катализ. 2008. - Т. 49, №. 1. - С. 22-30.

135. Калинкин, А. В. Исследование реакции окисления СО на Pt, Rh, их сплаве и на гетерофазной биметаллической поверхности Pt/Rh / А. В. Калинкин, А. В. Пашис, В. И. Бухтияров // Кинетика и катализ. 2007. -Т. 48, №. 2.-С. 314-320.

136. Самораспространяющийся синтез блочных катализаторв выхлопных газов Pd-Ce02/Al203 / У. Ф. Завьялова и др. // Кинетика и катализ. -2007. Т. 48, №. 1. - С. 171 - 176.

137. Каталитические системы на основе углеродных носителей для низкотемпературного окисления СО / В. 3. Радкевич и др. // Кинетика и катализ. 2008. - Т. 49, №. 4. - С. 570 - 576.

138. Чень, М. Влияние носителя . на свойства катализаторов PdO/Ceo.7Zro.3Bао. 102.1 и CuO/Ceo.7Zro.3Bao.i02.1 / М Чень, К. Линъянь, Ч. Сяомин // Кинетика и катализ. 2008. - Т. 49, №. 4. - С. 516 - 521.

139. Физико-химические свойства и каталитическая активность в окислении СО Mn-содержащих оксидов со структурой шпинели, полученных с использованием нитрата аммония / И. В. Морозов, и др.,// Кинетика и катализ. 2006. - Т. 47, №. 1. - С. 40 - 44.

140. Сравнительный анализ состава, строения и каталитической композиции Ni0-Cíi0-Ti02 на титане и NiO-CuO- А12Оз на алюминии / В. С. Руднев и др. // Кинетика и катализ. 2010. - Т. 51, №. 2. - С. 281 - 287. .

141. Пат. 2026821' Российская Федерация, МПК C01G51/00, СО IF 11/00, C01F17/00. Способ получения кобальтита лантана-стронция / В. Д. Журавлев и др.. № 5016247/26 ; заявл. 16.12.1991 ; опубл. 20.01.1995.

142. Пат. 2211728 Российская Федерация, МПК B01J23/86, BÖ1D53/62, B01D53/94. Катализатор для очистки газообразных выбросов от' оксида углерода / А. Н. Бусыгин, В. В. Красильников, И: А Махогкин. №• .2001130657/04 ; заявл. 12.11.2001 ; опубл. 10.09.2003.

143. Пат. 2198027 Российская Федерация, МПК B01J23/34, B01J23/14, B01J23/50, B01J23/75, B01D53/62. Катализатор окисления оксида углерода / Л: А. Воропанова, С: II. Ханаев, Л. П. Хоменко. -№ 2001101957/04 ; заявл. 23.01.2001 ; опубл. 10.02.2003.

144. Лодиз, Р. Рост монокристаллов / Р. Лодиз, Р. Паркер М. : Мир, 1974. — 540 с.

145. Процессы роста и выращивания монокристаллов / под. ред. Н. Н. Шефталя. М.: Иностр. лит., 1963. — 531 с.

146. Рейнолдс, Д. С. Теория и практика выращивания кристаллов / Д. С. Рейнолдс. -М.: Металлургия , 1968.-91 с.

147. Витриховский, Н. И. Получение смешанных монокристаллов CdS-CdSe из паровой фазы и их некоторые характеристики / Н. Hi Витриховский, И. Б. Мизецкая // Физика твердого тела. 1959. - Т. 1, №. 3. - С. 397 — 402.

148. Витриховский, Н. И. Получение смешанных монокристаллов CdS-CdTe и их некоторые характеристики // Н. И. Витриховский, И. Б. Мизецкая // Физика твердого тела. I960. - Т. 2, №. 10. - С. 2579 - 2584.

149. Mochizuki, К. Vapor phase transport and stoichiometiy control of cadmium sulfo-selenide / K. Mochizuki, K. Igaki // J. Crist. Growth. 1978-. V. 45. -P. 218-233.

150. Kozielski, M. J. Polytype single crystals of ZnixCdxS and ZnSi.xSex solid solutions grown from the melt under high argon pressure by Bridgman method / M. J. Kozielski // J. Cryst. Growth. 1975. - V. 30, N. 1. - P. 86 - 92.

151. Олейник, Г. С. Поверхность ликвидуса системы CdCl2 CdSe -CdS / Г. С. Олейник, П. А. Мизецкий // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. - 1984. - Т. 20, №. 9. - С. 1490 - 1493.

152. Витриховский, Н. И. Получение смешанных монокристаллов CdS-CdSe и их некоторые характеристики / Н. И. Витриховский, И. Б. Мизецкая // Физика твердого тела. 1959. - Т. 1, №. 5. - С. 996 - 999.

153. Витриховский, Н. И. Свойства сплавов системы CdSe — CdTe / Н. И. Витриховский, И. Б. Мизецкая, Г. С. Олейник // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1971. - Т. 7, №. 5. - С. 757- 760.

154. Strauss, A. J. Phase diagram of the CdTe CdSe pseudobinary system / A. J. Strauss, J. Steininger // J. Electrochem. Soc. - 1970 -. V. 117, N. 11. -P. 1420194

155. Cherin, P. The preparation and crystallography of cadmium zinc sulfide solid solutions / P: Cherin, E. L. Lind, E. A. Davis // J. Electrochem. Soc. — 1970. -V. 117,N. 2.-P. 233-236.

156. Russell, I. Vapor growth and defect characterization of large single crystals ofZnS andZn(S, Se) /1. Russell; J. Woods // J. Crist. Growth. 1979.-V. 47. -P. 647-653.

157. Growth of cubic ZnS, ZnSe and ZnSexSi.x single crystals by iodine,transport. / S. Fujitajet al. // J. Crist. Growth. 1979; -V. 47. -P. 326 - 334;

158. Андреев, А. А. Глубокие примесные уровни в кристаллах ZnSxSeix / А. А. Андреев, Н. П. Борисенко, А. В. Коваленко // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1983. - Т. 19, №. 3. - С. 370 - 379.

159. Калинкин, И; П. Эпитаксиальные пленки соединений AnBVI / И. П. Калинкин, В.Б. Алесковский, А.В. Симашкевич. — Л.: Изд-во Ленингр. унта, 1978.-310 с.

160. Тонкие пленки антимонида индия / В. А. Касьян и др. ; под ред. II. Н. Сырбу. Кишинев : Штиинца, 1989. - 164 с.

161. Симашкевич, А. В. Явления переноса и фотолюминисценции в твердых растворах ZnSexTei.x / А. В. Симашкевич, К. Д. Сушкевич // Изв. АН МССР Сер. Физ. техн. и мат. наук. - 1983. - Т. 32. - С. 17 - 19.

162. Mosako, W. Solution growth of ZnSe, ZnS, CdS and their, mixed compounds using tellurium as a solvent/ W. Mosako, S. Ken-ichi, A. Masaharu // Jap. J. Appl. Pliys. 1979. - V. 18, N 5. - P. 669 - 677.

163. Марков, E. В. Сублимация кристаллов CdS / E. В. Марков, A. A.195

164. Давыдов // Изв. АН СССР. Сер. Неорган материалы. 1971. - Т. 7, № 4 -С. 575-581.

165. Steininger, J. Phase diagram of the Zn Cd - Teternary system / J. Steininger, A. I. Strauss, R. F. Brebrick // J. Electrochem. Soc. — 1970. - V. 117, N. 10.-P. 1305-1309.

166. Ebina, A. Crystal growth of ZnxCdixTe solid solutions and their optical properties at the photon energies of the lowest bandgap region / A. Ebina, K. Saito, T. Takahashi // J. Appl. Phys. 1973. - V. 44, N. 8(2). - P. 3659 - 3662.

167. Электрические свойства поверхностно-барьерных диодов на основе CdZnTe / Косяченко JI.A. и др. // Физика и техника полупроводников. -2003. Т. 37, вып. 2-С. 238 - 242.

168. Comments on segregation during Bridgman growth of CdxHgi.xTe / C. L. Jones et al. // J. Cryst. Growth. 1983 - V. 64, N. 2. - P. 403 - 406.

169. The crystal growth of homogeneous HgixCdxTe by the Bridgman method / K. Shinosara et al. // Jap. J. Appl. Phys. 1972. - V. 11, N. 1. - P. 273 - 274.

170. Dziuba, E. Z. Preparation of CdxHgi.xTe crystals by the vertical-zone melting method / E. Z. Dziuba // J. Electrochem. Soc. 1969. - V. 116, N. 1. -P. 104-106.

171. Segawa, V. Freezing interface and anomals diffusion layer of CdxHgixTe growing by zone leveling / V. Segawa, H. N. Lyu, S. Namba // Jap. J. Appl. Phys. 1974. - V. 13, N. 3. - P. 539 - 540.

172. Triboulet, R. CdTe and CdTe : Hg alloys crystal growth using stoichiometric and off-stoichiometric zone passing technique / R. Triboulet // Rev. Phys. Appl.-1977.-V. 12,N. l.-P. 123-128.

173. Crystal growth of HgixCdxTe using Те as a solvent / U. Ruiti et al. // J. Cryst. Growth. 1972. -N. 13/14. - P. 668 - 671.

174. Вишняков, E. M. Фотоэлектрические свойства CdxHgixTe, полученного методом химической диффузии / Е. М. Вишняков, О. Б. Яценко, В. П. Зломанов // Изв. АН СССР. Сер. Неорган материалы. 1979. - Т. 15, № 10.-С. 1877-1879.

175. Механохимический синтез и спекание твердого раствора (Zr02)o,97(Y203)o(o3 / Л. В. Морозова и др. // Неорганические материалы. — 2000.-Т. 36, №8.-С. 1001-1005.

176. Механохимический синтез твердых растворов системы ZrC>2 — Се02 / Л.

177. B. Морозова и др. // Неорганические материалы. — 2002. Т. 38, № 2. —1. C. 204 209.

178. Бутягин, П. Ю. Проблемы и перспективы развития механохимии / П. Ю. Бутягин // Успехи химии. 1994. - Т. 63, № 12. - С.1031 - 1041.

179. Буданова, Е. М. Кислотно-осноновные и адсорбционные свойства поверхности полупроводниковых твердых растворов системы ZnSe-CdSe : автореф. дис. канд. хим. наук : 02.00.04 / Е. М. Буданова. — Омск,1999. 20 с.: рис.

180. Магнитные исследования широкозонных полупроводников CdixZnxTe (х=0,12, 0,21) / Ю. В. Шалдин и др. // Физика и техника полупроводников. 2004. - Т. 38, вып. 3 - С. 300 — 304.

181. Изменения электрофизических свойств кристаллов CdixZnxTe после термообработки / Е. С. Никонюк и др. // Физика и техника полупроводников. 2006. - Т. 40, вып. 7. - С. 802 — 805.

182. Устойчивость фотоотклика кристаллов CdixZnxTe / В. К. Комарь и др. // Физика и техника полупроводников. — 2006. — Т. 40, вып. 2. — С. 133 — 135.

183. Кировская, И. А. Получение и свойства твердых растворов ZnxCdixSe / И. А. Кировская, Е. М. Буданова // Неорганические материалы. — 2001. — Т. 37, №8.- С. 913 -916.

184. Miscibility between ZnSe and CdTe / W.W. Yim et al. // Phys. status solidi (a).-1972-V. 13, № 1. —P. K57-K61.

185. Твердые растворы в полупроводниковых системах. Справочник. — М. : Наука, 1978.-41 с.

186. Томашик, В. Н. Термодинамическая оценка химического взаимодействия между халькогенидами цинка, кадмия и ртути / В. Н.197

187. Томашик, Г. С. Олейник // Украинский химический журнал. — 1980. — Т. 46. С. 915 —918.

188. Олейник, Г. С. Диаграмма состояния псевдобинарной системы ZnSe-CdTe / Г. С. Олейник, В. Н. Томашик, И. Б. Мизецкая // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1977. - Т. 13, № 11. - С. 1976 - 1979.

189. Томашик, В.Н. Диаграммы состояния систем на основе полупроводниковых соединении AnBvl : справочник / В. Н. Томашик, В. И. Грыцив. Киев. : Наукова думка, 1982. - 167 с.

190. Кировская, И. А. Система ZnSe-CdTe. Кислотно-основные свойства поверхности / И. А. Кировская, А. А. Бессераб // Динамика систем, механизмов и машин: матер. IV Междунар. науч.-техн. конф. / ОмГТУ. — Омск, 2002. Кн. 2. - С. 246 - 247.

191. Будников, Г. К. Что такое химические сенсоры / Г. К. Будников // Соросовский образовательный журнал. — 1998. № 3. — С. 72 — 76.

192. Пат. 2185615 Российская Федерация, МПК G01N27/12. Датчик угарного газа / И. А. Кировская, О. П. Азарова, Н. Г. Скворцова. — № 2000121327/28 ; заявл. 08.08.2000; опубл. 20.07.2002.

193. Пат. 2178559 Российская Федерация, МПК G01N27/12. Полупроводниковый газовый датчик / И. А. Кировская, Т. В. Ложникова. -№ 99125143/28 ; заявл. 29.11.1999; опубл. 20.01.2002.

194. Пат. 2178558 Российская Федерация, МПК G01N27/12. Газовый датчик198

195. И. А. Кировская, О. П. Азарова. № 2000110044/28 ; заявл. 20.04.2000; опубл. 20.01.2002.

196. Пат. 2161794 Российская Федерация, МПК ООШ27/12, С0Ш25/56. Полупроводниковый датчик влажности газов. / И. А. Кировская. — № 99105886/28 ; заявл. 24.03.1999; опубл. 10.01.2001.

197. Пат. 2125260 Российская Федерация, МПК ООШ27/12. Датчик влажности»газов / И. А. Кировская. № 97104680/25 ; заявл. 25.03.1997; опубл. 20.01.1999.г

198. Пат. 2141639 Российская Федерация, МПК О0Ш5/02. Пьезорезонансный датчик влажности газов / И. А. Кировская, О. А. Федяева. -№ 98110339/28 ; заявл. 28.05.1998; опубл. 20.11.1999.

199. Смыслов, Е. Ф. Экспрессный рентгеновский метод определения периода решетки нанокристаллических материалов / Е. Ф. Смыслов // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2006. - Т. 72, № 5: -С. 33-35.

200. Горелик, С. С. Рентгенографический и электроннооптический анализ / С. С. Горелик, Л. Н. Расторгуев, Ю. А. Скаков. М. : Металлургия, 1970. -107 с.

201. Кировская, И.А. Прогнозы поведения поверхности твердых растворов алмазоподобных полупроводников / И. А. Кировская // Журнал физической химии. 1985. - Т. 59, №. 1. - С. 194 - 196.

202. Кировская, И. А. Новый комплексный подход по созданию материалов с заданными поверхностными характеристиками / И. А. Кировская // Вопросы полиграфического производства : сб. науч. тр. / под. ред. Д. X. Ганиева / ОмГТУ. Омск, 1996. - С. 38 - 43.

203. Рапопорт, Ф. М. Лабораторные методы получения чистых газов / Ф. М. Рапопорт, А. А. Ильинская. — М. : Государственное научно-техническое издательство химической литературы, 1963. — 514 с.

204. Кучменко, Т. А. Применение метода пьезокварцевого микровзвешивания в аналитической химии / Т. А. Кучменко. — Воронеж, 2001.-280 с.

205. Проблемы теории и практики исследований в области катализа / под. ред. В. А. Ройтера. — Киев : Наук, думка, 1973. — 364 с.

206. Катализ в кипящем слое / И. П. Мухленов и др. Л. : Химия, 1978. — 229 с.

207. Кировская, И. А. Кинетика химических реакции. Химическое равновесие : учебное пособие./ И. А. Кировская. — Омск : Изд-во ОмГТУ, 2006.-208 с.

208. Кировская, И. А. Синтез и свойства новых материалов — твердых растворов (1п8Ь)х(Сс1Те)1.х / И. А. Кировская, Е. В. Миронова // Доклады АН ВШ РФ. 2007. - №. 1(8). - С. 34 - 43.

209. Бродовой, В.А. Особенности изменения постоянной решетки твердых растворов (1п8Ь)х(СсГГех / В. А. Бродовой, Н. Г. Вялый, Л. М. Кнорозок // Неорганические материалы. — 1997. Т.ЗЗ, №3. — С. 303 — 304.

210. Жуховицкий, А. А. Физическая химия : учебник для вузов. — 5-е изд., перераб. и доп. / А. А. Жуховицкий, JI. А. Шварцман. — М. : Металлургия, 2001.-688 с.

211. Накамото, К. ИК спектры и спектры KP неорганических и координационных соединений : пер. с англ. / К. Накамото. — М. : Мир, 1991.-536 е.,

212. Драго, Р. Физические методы в химии : в 2 т. / Р. Драго. — М. : Мир, 1981.

213. Кросс, А. Введение в практическую ИК-спектроскопию / А. Кросс. — М. : Изд-во Иностр. лит-ры, 1961. 111 с.

214. Давыдов, А. А. ИК-спектроскопия в химии поверхностных окислов / А.

215. A. Давыдов. Новосибирск : Наука, 1984. - 248 с.

216. Литл, Л. Инфракрасные спектры адсорбированных молекул: пер. с англ. / Л. Литл ; под ред. В. И. Лыгина. М. : Мир, 1969. —514 с.

217. Майдановская, Л. Г. Теплоты адсорбции газов на полупроводниках типа цинковой обманки / Л. Г. Майдановская, И. А. Кировская // Журнал физической химии. 1966. - Т. 40, №. 3. - С. 609 — 613.

218. Кировская, И. А. Термодинамический анализ адсорбции двуокиси углерода на селениде цинка / И. А. Кировская // Журнал физической химии. 1975. - Т. 49, №. 2. - С. 514 - 515.

219. Смирнов, Е. П. Квантово-химическое обоснование адсорбции водорода и оксида углерода на теллуриде кадмия / Е. П. Смирнов, И. А. Кировская,

220. B. В Данынина // Журнал физической химии. — 1987. — Т. 61, №. 5. — С. 1385- 1387.

221. Даныпина, В. В. О механизме взаимодействия водорода с1. О £\поверхностью соединений А В / В. В Даныпина, И. А. Кировская // Журнал физической химии. — 1988. Т. 62, №. 6. - С. 1648 — 1651.

222. Кировская, И. А. О взаимодействии водорода и кислорода на поверхности алмазоподобных полупроводников / И. А. Кировская, Г. М.

223. Зелеева // Журнал физической химии. 1978. - Т. 52, №. 7. - С. 1744 -1747.

224. Взаимодействие водорода и двуокиси углерода на поверхности алмазоподобных полупроводников / И. А. Кировская и др. // Журнал физической химии. 1978. - Т. 52, №. 9. - С. 2356 - 2360.

225. Кировская, И. А. Адсорбционные и каталитические процессы в экологической диагностике и защите : учеб пособие / И. А. Кировская. — Омск : Изд-во ОмГТУ, 2010.- 128 с.

226. Белоусова, В. Н. Лабораторный практикум по курсу «Методы исследования катализаторов» / В. Н. Белоусова, Г.М. Зелева. Томск : Издательство Томского университета, 1977. - 110 с.