Новая многокомпонентная полупроводниковая система InP-CdS. Её поверхностные физико-химические свойства тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, кандидат химических наук Тимошенко, Оксана Тарасовна

• Тимошенко, Оксана Тарасовна
• кандидат химических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат химических наук Тимошенко, Оксана Тарасовна

Введение.

Глава 1. Литературный обзор.

1.1.Объемные свойства InP, CdS и их твердых растворов.

1.1.1. Термодинамические характеристики.

1.1.2. Кристаллохимия и химическая связь.

1.1.3. Химические свойства.

1.1.4. Электрофизические и оптические свойства.

1.1.4.1. Электрофизические и оптические свойства пленок InP, CdS.

1.1.4.2. Спектроскопия комбинационного рассеяния.

1.1.4.3. Адсорболюминесценция.

1.2. Поверхностные свойства InP, CdS.

1.2.1. Состояние поверхности.

1.2.2. Адсорбция газов и паров.

1.2.3. Каталитические и кислотно-основные свойства.

1.3. Методы получения твердых растворов на основе соединений AHIBV, A"BVI.

1.3.1. Получение твердых растворов на основе соединений InP, CdS.

1.3.2. Получение пленок.

1.3.3. Получение поликристаллических слитков, монокристаллов.

1.4. Практическое применение бинарных полупроводниковых соединений и твердых растворов на их основе.

1.4.1. Практическое применение в опто- и микроэлектронике.

1.4.2. Полупроводниковые сенсоры-датчики для газового анализа.

Глава 2. Методика эксперимента.

2.1. Исследуемые объекты и их получение.

2.1.1. Синтез твердых растворов (InP)x(CdS)ix в форме порошков.

2.1.2. Получение пленок исходных бинарных компонентов и твердых растворов.

2.2. Идентификация твердых растворов системы InP-CdS.

2.2.1. Рентгенофазовый анализ.

2.2.2. КР-спектроскопические исследования.

2.3. Исследование кислотно-основных свойств поверхности компонентов системы InP-CdS.

2.3.1. Определение рН-изоэлектрического состояния.

2.3.2. Кондуктометрическое неводное титрование.

2.3.3. Механохимическое исследование кислотно-основных свойств.

2.4. ИК-спектроскопические исследования.

2.5. Исследование адсорбционных свойств.

2.5.1. Получение адсорбатов.

2.5.2. Адсорбционные измерения.

2.6. Исследование каталитических свойств проточно-циркуляционным методом.

Глава 3. Результаты эксперимента и их обсуждение.

3.1. Идентификация твердых растворов системы InP-CdS.

3.1.1. Рентгенографические исследования.

3.1.2.Применение спектроскопии комбинационного рассеяния для идентификации твердых растворов системы InP-CdS.

3.1.2.1. Идентификация твердых растворов системы InP-CdS.

3.1.2.2. Механохимическая активация и люминесцентные свойства системы InP-CdS.

3.2. Кислотно-основные свойства поверхности компонентов системы InP-CdS.

3.2.1. Определение водородного показателя изоэлектрического состояния поверхности.

3.2.2. Кондуктометрическое неводное титрование.

3.2.3. Механохимические исследования.

3.3. Адсорбционные свойства компонентов системы InP-CdS.

3.3.1.Адсорбция СО на компонентах системы InP-CdS.

3.3.2. Адсорбция NH3 на CdS - бинарном компоненте системы

InP-CdS.

3.3.3. Адсорбция С02 на InP - бинарном компоненте системы

InP-CdS.

3.3.4. Исследование адсорбции С02 и NH3 на бинарных компонентах системы InP-CdS методом ИК-спектроскопии.

3.3.5. Исследование адсорбции СО и NH3 методом спектроскопии комбинационного рассеяния.

3.4. Каталитические свойства компонентов системы InP-CdS в реакции окисления СО.

Глава 4. Систематизация данных комплексного исследования объемных и физико-химических свойств бинарных компонентов и твердых растворов системы InP-CdS.

4.1. Взаимосвязь кислотно-основных, адсорбционных, каталитических свойств и основные закономерности их изменения в рамках изученной системы и ей подобных.

4.2. Полупроводниковый сенсор для газового анализа.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Новая многокомпонентная полупроводниковая система InP-CdS. Её поверхностные физико-химические свойства»

Актуальность темы. Интенсивное развитие полупроводниковой техники неразрывно связано с разработкой и освоением новых материалов, отвечающих требованиям новой техники. Коллективом кафедры физической химии ОмГТУ под руководством профессора Кировской И.А. ведутся исследования, посвященные получению и изучению многокомпонентных систем на основе бинарных соединений типа АШВУ и AHBVI с целью создания теории управления их поверхностными свойствами и получения новых материалов, адсорбентов и катализаторов с заданными свойствами [1].

Настоящая работа является частью этих исследований, объектом которых является новая, неизученная система InP-CdS. О перспективности применения выбранной системы и потому целесообразности ее изучения свидетельствуют интересные физические и оптические свойства исходных бинарных соединений InP, CdS, благодаря которым они уже нашли применение в оптоэлектронике в качестве материалов для УФ-детекторов, транзисторов, усилителей, фотосопротивлений [2,3].

При образовании твердых растворов на основе таких соединений возможно благоприятное сочетание ярко выраженных люминесцентных и типичных полупроводниковых свойств. Таким образом, свойства твердых растворов могут заполнить большой интервал важных физических и физико-химических параметров. Кроме того, специфические особенности многокомпонентных твердых растворов, связанные с такими явлениями, как упорядоченность, упрочнение структуры, комбинированное действие компонентов в качестве макро- и микропримесей и возможное получение высоких концентраций примесных центров, могут обусловить в них неожиданные эффекты, интересные для полупроводниковой техники, сенсорной электроники и гетерогенного катализа [1]. В частности, особый интерес представляет само сочетание InP и CdS. Расположение элементов In и Cd, Р и S в периодической системе Д.И. Менделеева является «соседним», что обеспечивает минимальную степень несоответствия параметров решеток бинарных соединений и дает надежду на высокие излучательные способности полученных твердых растворов.

Одним из возможных новых направлений их применения является создание сенсоров-датчиков, а в дальнейшем - метода экспрессного анализа и контроля вредных микропримесей технологических и окружающей сред. Анализы газовых выбросов в настоящее время еще проводятся преимущественно химическими методами, являются периодическими и не обеспечивают оперативную и эффективную диагностику, предупредительный контроль и соответственно экологическую защиту окружающей среды.

Однако применение новых полупроводниковых материалов сдерживает практическое отсутствие сведений о методах получения твердых растворов и, тем более, их как объемных, так и поверхностных свойствах. Синтез твердых растворов системы InP-CdS объективно затруднен из-за сочетания двух факторов: высокое давление паров фосфида индия в точке плавления (до 60 атм) и значительная разница в температурах плавления InP и CdS (722К). Известны всего две работы, посвященные получению твердых растворов (InP)x(CdS)ix [4,5]. В них отмечается, что сплавление в кварцевых ампулах взрывоопасно [4], в системах открытого типа - требует сложного аппаратурного оформления и может сопровождаться загрязнением транспортирующими газами [5]. Поэтому разработка методики, лишенной названных недостатков, необходима и актуальна. Не менее актуальным в научном и практическом плане является исследование, наряду с объемными свойствами, природы активной поверхности компонентов системы InP-CdS, ее адсорбционного и каталитического взаимодействия с различными газами, отличающимися электронной природой и токсичностью.

В соответствии с выше сказанным была поставлена следующая Цель работы. Разработать с учетом физико-химических свойств исходных бинарных соединений (InP, CdS) методики получения и аттестовать твердые растворы системы InP-CdS; установить закономерности их изменения в зависимости от внешних условий и состава, взаимосвязь между закономерностями и оценить возможности практического применения полученных результатов для газового анализа и экологического обезвреживания.

Для достижения поставленной цели были сформулированы следующие задачи:

1.Разработать методики получения твердых растворов системы InP-CdS в виде порошков и пленок, принимая во внимание объективно затрудняющие факторы: большие давления паров фосфида индия и значительную разницу температур плавления InP и CdS.

2.На основе изученных объемных (рентгенографических, КР-спектроскопических) и кислотно-основных свойств поверхности аттестовать полученные твердые растворы системы.

3.Исследовать адсорбционные и каталитические свойства поверхности твердых растворов и бинарных компонентов системы InP-CdS .

4.Опираясь на полученные экспериментальные данные и накопленные сведения о реальной поверхности алмазоподобных полупроводников, сделать заключение о природе активных центров, механизмах и закономерностях адсорбционного взаимодействия компонентов системы InP-CdS с аммиаком и оксидами углерода (II и IV), обладающими различной электронной природой, являющимися токсичными примесями и участниками изученной каталитической реакции.

5.Получить диаграммы состояния «объемное свойство - состав», «физико-химическое свойство (кислотно-основное, адсорбционное, каталитическое) - состав». Выявить взаимосвязь между ними. С использованием полученных диаграмм определить возможности прогнозирования активных адсорбентов и катализаторов как на основе изученной системы InP-CdS, так и ей подобных (типа AmBv - AnBVI).

6.Разработать практические рекомендации по применению полученных новых материалов для создания сенсоров-датчиков экологического назначения и в полупроводниковом катализе.

Научная новизна работы

1.Впервые разработаны методики получения твердых растворов системы InP-CdS в форме порошков и пленок с преодолением объективно затрудняющих факторов: больших давлений паров фосфида индия и значительной разницы температур плавления InP и CdS.

2.Впервые изучены объемные свойства (рентгенографические и КР-спектроскопические) полученных твердых растворов, использованные для их идентификации. Показано, что твердые растворы имеют структуру сфалерита и проявляют ярко выраженные люминесцентные свойства.

3.Впервые выполнены комплексные исследования физико-химических свойств поверхности компонентов системы InP-CdS (химического состава, кислотно-основных, адсорбционных, каталитических):

Химический состав исходной поверхности типичен для алмазоподобных полупроводников. Он представлен в основном адсорбированными молекулами воды, группами ОН", углеводородными соединениями, продуктами окисления поверхностных атомов. После тренировки в вакууме остаются в незначительных количествах оксидные фазы.

- Исходная поверхность всех компонентов системы InP-CdS имеет слабокислый характер (рНи!0 изменяется в пределе 6,21 - 6,7). Ответственными за кислотность поверхности, как и на других алмазоподобных полупроводниках, являются преимущественно координационно-ненасыщенные атомы In, Cd и в меньшей степени адсорбированные молекулы Н20, группы ОН". С составом значение рН-изоэлектрического состояния, концентрация кислотных центров изменяются экстремально (с максимумом при 5мол.% CdS).

- Величины адсорбции газов на компонентах системы InP-CdS укладываются в пределе 10"5 - 10"4 моль/м2, нарастая в последовательности а(С02) —> a(NH3) —> а(СО). Опытные зависимости адсорбции aP=f(T), aT-f(P), aT=f(t)) и результаты термодинамического и кинетического анализов адсорбции указанных газов свидетельствуют о ее преимущественно химической природе при Т>297К. Химическую природу адсорбционного взаимодействия подтвердили спектры комбинационного рассеяния, указав, в согласии с ранее сделанными выводами, на образование преимущественно донорно-акцепторных связей и двойственное поведение СО.

С привлечением результатов адсорбционных исследований подтвержден механизм изученной каталитической реакции окисления оксида углерода (II). Заметную каталитическую активность (как и адсорбционную) уже при 373К проявили InP и твердый раствор (InP)o,95(CdS)o,o5 , значительно меньшую - CdS.

4. Найдена взаимосвязь между изученными кислотно-основными, адсорбционными, люминесцентными, каталитическими свойствами и закономерностями их изменения с составом.

5. Показана возможность использования полученных диаграмм состояния «свойство - состав» для выявления активных адсорбентов и катализаторов в рамках изученной и ей подобных систем. Таким способом найдены активный адсорбент (по отношению к СО) (InP)o,95(CdS)o,o5 и активные катализаторы (по отношению к реакции окисления СО) - InP, (InP)0,y5(CdS)o,o5. Они рекомендованы к использованию в полупроводниковом газовом анализе и для каталитического обезвреживания.

Защищаемые положения

Разработанные методики получения твердых растворов системы InP-CdS с преодолением объективно затрудняющих факторов: больших давлений паров фосфида индия и значительной разницы температур плавления InP и CdS.

2.Результаты рентгенографических и КР-спектроскопических исследований, указавших на образование твердых растворов замещения со сфалеритной структурой и проявление ими ярко выраженных люминесцентных свойств.

3.Выводы о механизмах адсорбционного и каталитического действия поверхности компонентов системы InP-CdS по отношению к выбранным газам и реакции.

4.0боснование найденной взаимосвязи между изученными кислотно-основными, адсорбционными, люминесцентными, каталитическими свойствами и закономерностями их изменения с составом.

5.Способ оценки адсорбционной и каталитической активности компонентов изученной и других систем типа AHIBV - AHBVI на основе диаграмм состояния «физическое или физико-химическое свойство - состав».

6.Рекомендации по созданию активных адсорбентов - основных элементов сенсоров-датчиков на микропримеси СО и катализаторов реакции окисления СО.

Практическая значимость работы

1.Разработаны методики получения твердых растворов системы InP-CdS в порошкообразном и пленочном состояниях.

2.Найдены оптимальные условия термовакуумной обработки пленок.

3.Предложен способ оценки адсорбционной и каталитической активности компонентов изученной и подобных систем на основе диаграмм состояния «физическое или физико-химическое свойство - состав»

4.С применением данного способа:

- выявлены компоненты системы InP-CdS с повышенной адсорбционной (по отношению к СО) и каталитической (по отношению к реакции окисления

СО) активностью. Такими оказались (InP)og5(CdS)o,o5 и InP, (InP)0,95(CdS)0.05 соответственно;

-разработаны практические рекомендации по использованию найденных активных адсорбентов и катализаторов для изготовления сенсоров-датчиков на микропримеси оксида углерода (II) и его каталитического обезвреживания.

5.Созданный на основе твердого раствора (InP)0,95(CdS)o,o5 и испытанный в лабораторных условиях сенсор-датчик удовлетворительно работает уже при комнатной температуре.

Апробация работы: Основные положения и результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на научных конференциях профессорско-преподавательского состава, научных работников и аспирантов ОмГТУ (г.Омск, 2000-2006гг.); Международной научной школе-конференции студентов и молодых ученых «Экология Южной Сибири и сопредельных территорий» (г. Абакан, 2003, 2006гг.); VII Конференции «Аналитика Сибири и Дальнего Востока» (г. Новосибирск, 2004г.); V Международной научно-технической конференции «Динамика систем, механизмов и машин» (г. Омск, 2004г.); Международной научно-практической конференции «Региональные аспекты обеспечения социальной безопасности населения Юга Западной Сибири - проблемы снижения рисков и смягчения последствий чрезвычайных ситуаций природного и техногенного характера» (г. Барнаул, 2004г.); Международной научной студенческой конференции «Студент и научно-технический прогресс» (г. Новосибирск, 2005, 2006гг.); Международной научной конференции «Химия, химическая технология и биотехнология на рубеже тысячелетий» (г. Томск, 2006г.); V Международной конференции «Неразрушающий контроль и техническая диагностика в промышленности» (г. Москва, 2006г.).

Результаты проведенных исследований опубликованы в 14 работах.

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Тимошенко, Оксана Тарасовна

Выводы:

1.Разработаны методики получения твердых растворов системы InP-CdS в форме порошков и пленок с преодолением объективно затрудняющих факторов: больших давлений паров фосфида индия и значительной разницы температур плавления InP и CdS.

2.Изучены объемные свойства (рентгенографические и КР-спектроскопические) полученных твердых растворов, использованные для их идентификации. Показано, что твердые растворы имеют структуру сфалерита и проявляют ярко выраженные люминесцентные свойства.

3.Выполнены комплексные исследования физико-химических свойств поверхности компонентов системы InP-CdS (химического состава, кислотно-основных, адсорбционных, каталитических):

-Химический состав исходной поверхности типичен для алмазоподобных полупроводников. Он представлен в основном адсорбированными молекулами воды, группами ОН", углеводородными соединениями, продуктами окисления поверхностных атомов. После тренировки в вакууме остаются в незначительных количествах оксидные фазы.

-Исходная поверхность всех компонентов системы InP-CdS имеет слабокислый характер (рН,П0 изменяется в пределе 6,21 - 6,7). Ответственными за кислотность поверхности, как и на других алмазоподобных полупроводниках, являются преимущественно координационно-ненасыщенные атомы In, Cd и в меньшей степени -адсорбированные молекулы Н20, группы ОН". С составом рН-изоэлектрического состояния изменяется экстремально (с минимумом при 5мол.% CdS).

- Величины адсорбции газов на компонентах системы InP-CdS

4 5 2 укладываются в пределе 10" - 10" моль/м , нарастая в последовательности а(С02) —> a(NH3) —> а(СО). Опытные зависимости адсорбции aP=f(T), aT=f(P), aT-f(x)) и результаты термодинамического и кинетического анализов адсорбции указанных газов свидетельствуют о ее преимущественно химической природе при Т>297К. Химическую природу адсорбционного взаимодействия подтвердили спектры комбинационного рассеяния, указав, в согласии с ранее сделанными выводами, на образование преимущественно донорно-акцепторных связей и двойственное поведение СО.

С привлечением результатов адсорбционных исследований подтвержден механизм изученной каталитической реакции окисления оксида углерода (И). Заметную каталитическую активность (как и адсорбционную) уже при 373К проявили InP и твердый раствор (InP)0,95(CdS)0,05, значительно меньшую - CdS.

4.Найдена взаимосвязь между изученными кислотно-основными, адсорбционными, люминесцентными, каталитическими свойствами и закономерностями их изменения с составом.

5.Показана возможность использования полученных диаграмм состояния «свойство - состав» для выявления активных адсорбентов и катализаторов в рамках изученной и ей подобных систем. Таким способом найдены активный адсорбент (по отношению к СО) (InP)o,95(CdS)o,o5 и активные катализаторы (по отношению к реакции окисления СО) - InP, (InP)o,95(CdS)o,o5. Они рекомендованы к использованию в полупроводниковом газовом анализе и для каталитического обезвреживания.

В заключении автор считает своим приятным долгом выразить искреннюю благодарность научному руководителю д.х.н., профессору Ирине Алексеевне Кировской за помощь и поддержку в работе.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Тимошенко, Оксана Тарасовна, 2006 год

1. Кировская, И.А. Поверхностные свойства алмазо подобных полупроводников. Твердые растворы. Томск: Томск.ун-т, 1984. - 133с.

2. Угай, Я.А. Введение в химию полупроводников: 2-е изд. М.:Высш. Школа, 1975. -302с.

3. Федоров, П.И. Индий/П.И. Федоров, Р.Х. Акчурин М.:Наука, МАИК «Наука/Интерпериодика» . - 2000. - 276с. ISBN 5-7846-0048-6.

4. Горюнова, Н.А. О сложных фосфидах / Н.А. Горюнова, В.И. Соколова// Известия Молдавского филиала Академии наук СССР. 1960. - №3. - с.31 -35.

5. Yim, W.M. Vapor growth of (II-VI) (III-V) quaternary alloys and their properties/W.M. Yim, J.P. Dismukes, H. Kressel //RCA Review. - 1970. - 12. -p.662-679.

6. Лоренц, M.P. Термодинамика, приготовление материалов и выращивание кристаллов // Физика и химия соединений AHBVI:nep. с анг. под ред. С.А. Медведева. М.:Мир, 1975. - с.64 - 94.

7. Thiel, A. /Stadien uber das Indium // A. Thiel, H. Koelsh // Zs. Anorg. Chem. -1910. Bd.66. - s.288 -321.

8. Алферов, Ж.И. Полупроводникам AmBv 35 лет / Ж.И. Алферов, Б.В. Царенко // Физика и техника полупровлдников. 1985. - Т. 19,№12. - с.2113 -2117.

9. Фоточувствителы-юсть гетероструктур InP/CdS в линейно поляризованном свете / В.М. Бонтарюк и др. // Физика техника полупроводников. 1997. -Т.32,№2. -с.241 -244.

10. Ансельм, А.И. Введение в теорию полупроводников. М.: Наука, 1978. -с. 616.

11. Горюнова, Н.А. Семейство алмазоподобных полупроводников . М.: Знание, 1970 . - с.36.

12. Стрельникова, И.А. Критическая оценка и согласование данных по диаграмме состояния системы InSb / И.А. Стрельникова, JI.E. Шелимова // Изв. РАН Неорган, матер . 1994 . - Т.30, №4 . - с.467 -473.

13. Глазов, В.М. О термической устойчивость антимонидов алюминия, галлия и индия в жидком состоянии / В.М. Глазов, Д.А. Петров // Изв. АН СССР. Отделение техн. наук . 1957. - №4. - с. 125 - 129.

14. Александров, В.Д. Построение диаграммы состояния системы InSb по предкристаллизационным переохлаждениям / В.Д. Александров, М.Р. Рахман, В.И. Боровик // Изв. РАН. Металлы. 1992 . - №6 . - с. 184 - 195.

15. Арсенид галлия. Получение, свойства, применение / под ред. Ф.П. Кесаманды, Д.Н. Наследова. М.: Наука, 1973. - 471с.

16. Абрикосов, Н.Х. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства/Н.Х. Абрикосов и др.. М.: Наука, 1967.- с.8- 14,22-26.

17. Горюнова, Н.А. Химия алмазоподобных полупроводников. Л.: Изд. Ленинградского ун-та, 1963. - 220с.

18. Физика соединений AHBVI / под ред. А.Н. Георгобияни, М.К. Штейнкмана. М.: Наука, 1986. - с. 353 - 379.

19. Физика и химия соединений AUBVI / пер. с анг. под ред. С.А. Медведева. -М.: «Мир», 1970.- с. 134-205.

20. Полупроводниковые халкогениды и сплавы на их основе / Н.Х. Абрикосов и др.. М.: Наука, 1975. - 216с.

21. Медведев, С.Н. Введение в технологию полупроводниковых материалов. М.: Высш. школа, 1970. - с. 247 - 500.

22. Термические константы веществ. Справочник; под ред. В.П. Глушко. -М.:ВИНИТИ, 1972.-370с.

23. Термодинамические свойства индивидуальных веществ. Справочное издание / под ред. В.П. Глушко; изд. 3-е. М.: Наука, 1978. - 496с.

24. Справочник по электротехническим материалам. В 3-х т. Т.З / Под ред. Ю.В. Корицкого, В.В. Пасынкова, Б.М. Тереева. JL: Энергоатом, 1988. -728 с. ISBN 5-283-04416-5.

25. Маделунг, О. Физика полупроводниковых соединений III и V групп / пер. с анг. под. ред.Б.И Болтако. М.: Мир, 1967. - 477с.

26. Reddy, R.R. Optical and magnetic susceptibilities for semiconduction and alkali halides / R.R. Reddy et. al. // J. of Magnetism and Magnetic Materials. -1999.- 192. -p.516-522/

27. Радауцан, С.И. Теллурид цинка / С.И. Радауцан, А.Е. Цуркан. Кишинев: Штиинца, 1972.-c.il.

28. Альберс, В. Физическая химия дефектов // Физика и химия соединений AHBVI: пер. с анг. / под ред. С.А. Медведева. М.: Мир, 1975. - с. 135 - 143.

29. Полупроводники / под ред. Хеннея; пер. с анг. под ред. Б.Ф. Ормонта. -М.: Изд-во иностр. лит-ры, 1962. 668с.

30. Кристаллохимические, физико-химические и физические свойства полупроводниковых веществ. Справочник. М.: Изд-во стандартов, 1973. -208с.

31. Китель, Ч. Квантовая теория твердых тел; пер. с анг. под ред. А.А. Гусева. -М.: Наука, 1967.-492с.

32. Берченко, Н.Н. Полупроводниковые твердые растворы и их применение: Справочные таблицы / Н.Н. Берченко, B.C. Кревс, В.Г. Средин. -М,:Воениздат, 1982.-208с.

33. Рот, B.JI. Кристаллография // Физика и химия соединений AnBVI: пер. с анг. под ред. С.А. Медведева. М.: Мир, 1975. - с.97 - 134.

34. Баранский, П.И. Полупроводниковая электроника. Справочник / П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Киев: Наукова думка, 1975. -682с.

35. Физические величины. Справочник. М.: Энергоатомиздат, 1992. -1230с.

36. Полупроводниковые соединения под ред. P.P. Виллардсона, X. Геринга; пер. с анг. М.: Металлургия, 1967. - 727с.

37. Горюнова, Н.А. Некоторые вопросы кристаллохимии соединений со структурой цинковой обманки// Изд. АН СССР. Физика. 1957. - Т.21, №1. -с. 120- 132.

38. Спайс, Д. Химическая связь и строение. М.: Мир, 1966. - 248с.

39. Войцеховский, А.В. Твердые растворы в системах InAs CdS, InAs -CdSe / А.В. Войцеховский и др. // Изв. АН СССР. Неорг. матер. - 1968. -Т.4, №10. - с. 1681 - 1684.

40. Горюнова, Н.А. О твердых растворах в системе ZnSe GaAs / Н.А. Горюнова, Н.Н. Федорова // Физика твердого тела . - 1959. - Т.1, №2. - с. 344 -345.

41. Самсонов, Г.В. Фосфиды / Г.В. Самсонов, J1.J1. Верейкина. Киев: Изд-во АН УССР, 1961.- 128с.

42. Баркадзе, Р.В. Выявление дислокаций в монокристаллах сульфида кадмия и сульфида цинка / Р.В. Баркадзе, И.А. Ром-Кричевская // Кристаллография. -1963. Т.8, №2. - с. 238-242.

43. Некоторые химические свойства фосфида индия / Я.А. Угай и др. // Химия фосфидов с полупроводниковыми свойствами; под ред. К.Е. Миронова, И.Г. Васильевой. Новосибирск: Наука, 1970. - с. 46 - 51.

44. Самсонов, Г.В. Сульфиды / Г.В. Самсонов, С.В. Дроздова. М.: Металлургия, 1972.-303с.

45. Осипьян, Ю.А. Выявление дислокаций в сульфиде кадмия методом избирательного травления / Ю.А. Осипьян, И.С. Смирнова, Г.К. Струкова // Физика и химия обработки материалов. 1974. - 6. - с. 145 - 147.

46. Wakerois, Е.Р. Crystallographic polarity in the II VI compounds / E.P. Wakerois et. al. // J. Appl. Phys. - 1962. - №2. - p.690 - 696.

47. Iwanada, H. Crystal grow and sublimation in II VI compounds along their polar axis / H. Iwanaga et. al. // J. Cryst. Growth. - 1979. - №5-6. - p. 703 -711.

48. Гиваргизов, Е.И. Управляемый рост нитевидных кристаллов соединений AHBVI / Е.И. Гиваргизов, Р.А. Бабасян //Изв. АН СССР. Сер. Неорган, матер. -Т. 16, №5. с.787 -789.

49. Madelung, О. Die elektrischen Eigenschaften von Indiumantimonid 11/0. Madelung, H. Weiss // Zs/ Naturforsch., 9a. -1954. 527p.

50. Девлин, С.С. Свойства переноса // Физика и химия соединений AnBVI: пер. с анг. под ред. С.А. Медведева. М.: Мир, 1975. - с.457.

51. Родо, М. Полупроводниковые материалы. М.: Металлургия, 1971. - с. 42.

52. Шмарцев, Ю.В. Тугоплавкие алмазоподобные полупроводники / Ю.В. Шмарцев, Ю.А. Волов, А.С. Бортевский. М.: Металлургия, 1964. - с.64.

53. Соминский, М.С. Полупроводники. М.: Физматгиз, 1961. - с. 85.

54. Морхет, Ф.Ф. Электролюминесценция // Физика и химия соединений A"BVI: пер. с анг. под ред. С.А. Медведева. М.: Мир, 1975. - с.488.

55. Бьюб, Р.Х. Фотопроводимость // Физика и химия соединений AnBVI: пер. с анг. под ред. С.А. Медведева. М.: Мир, 1975. - с.533.

56. Фистуль, В.И. Физика и химия твердого тела: учеб. для вузов по направлению и специальности «Материаловедение и технология новых материалов». В 2-х т. Т. 2. М.: Металлургия, 1995. - 320с. - ISBN 5-22901195-5.

57. Yan, Z.W. Effect of electron-phonon interaction on surface state of polar crystals / Z.W. Yan, X.Y. Liang // Solid state communications . 1999. -№11.-p. 451-456.

58. Пасынков, В.В. Материалы электронной техники / В.В. Пасынков, B.C. Сорокин. СПБ.: Изд-во Лань, 2001. - 368с.

59. Болтакс, В.И. Диффузия в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1961. -464с.

60. Постников, B.C. Физика и химия твердого состояния. М.: Металлургия, 1978.-544с.

61. Мосс, Т. Полупроводниковые оптоэлектроника / Т.Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. М.: Мир, 1976. - 432с.

62. Блейкмор, Д. Физика твердого тела: пер. с анг. М.: Мир, 1988. - 608с. ISBN 5-03-001256-7.

63. Хатсон, У. Полупроводниковые свойства некоторых оксидов и сульфидов // Полупроводники/ под ред. Н.В. Хеннея: пер. с анг. под ред. Б.Ф. Ормонта. М.: Изд-во иност. лит-ры, 1962. - с. 466 - 514.

64. Дитина, 3.3. Парамагнитные центры на поверхности сульфида кадмия / 3.3. Дитина, Б.А. Козенков, Л.П. Страхов // Физика и техника полупроводников. 1967. - Т. 1, №11. - с. 1730 - 1731.

65. Сегал, Б. Собственное экситонное поглощение // Физика и химия соединений AnBVI/ Б. Сигал, Д. Мэрпл; под ред. М. Авен, Д.С. Пренер. М.: Мир, 1970.-с. 246-295.

66. Халстет, Р.Е. Излучательная рекомбинация в области края полосы поглощения // Физика и химия соединений AnBv': пер. с анг. под ред. С.А. Медведена. М.: Мир, 1970. - с. 296 - 333.

67. Сущинский, М.М. Резонансное неупругое рассеяние света в кристаллах // УФН.- 1988.-Т.154,-вып. З.-с. 353 -379.

68. Чопра, К. Тонкопленочные солнечные элементы / К. Чопра, С. Дас; пер. с анг. под ред. М.М. Колтуна. М.: Мир, 1986. - 440с.

69. Romeo, N. High conductivity CdS films grown by a simple evaporation method / N/ Romeo, G. Sberveglier, L. Tarricone // Thin solid films. 1977. -№3,- p. 15- 17.

70. Amith, A. Thickness dependence of structural and electrical properties of CdS films for solar cells // J. Vac. Sci. and Thechnol. 1978. - №2. - p. 353 - 358.

71. Takashi, 0. Structural and electric properties of vacuum evaporated CdS thin films / 0. Takashi, Y. Toshio, S. Yoshihiko // Annu. Rept. Radiat. Center Osaka Prefect.- 1980.-№21.-p. 31-35.

72. Garcia-Cienca, M.V. on the electrical conductivity of polycrystalline CdS films / M.V. Garcia-Cienca, J.L. Morenza // J. Phys. D. Appl. Phys. 1985. - №10. - p. 2081 -2086/

73. Пленочная микроэлектроника/под ред. JI. Холлэнда пер. с анг. под ред. М.И. Елинсона. М.: Мир, 1968. - 386с.

74. Low resistivity CdS (In) films prepared by spray pyrolysis / M. Verita et. al. // Thin solid films. 1982. - №1. - p. 275 - 278.

75. Ray, S. Some properties of indium antimony doped vacuum - evaporation CdS thin films / S. Ray, R. Banerjee, A.K. Barua // Thin solid films. - 1982. - №1. - p. 63-71.

76. Weng Tung, H. Flash evaporated films of indium doped CdS and CdSxSeix // J. Electrochem. Soc. - 1979. -№10. - p. 1820- 1822.

77. Dhere Neelkanth, G. Morphology and semiconducting properties of vacuum -evaporated thick cadmium sulfide films prepared by the hot wall technigue / G. Dhere Neelkanth, R. Parikh Nalin // Thin solid films. 1979. - №2. - p. 257 -264.

78. Panddya, D.K. Growth kinetics and polymorphism of chemically deposited CdS films / D.K. Panddya, K.L. Chopra //J. Elecrochem. Soc. 1980. - №4. - p. 943-948.

79. Martinez, G. Improvement on the electrical resistivity of chemical bath deposited CdS films by laser annealing / G. Martinez, J.L. Martinez, A. zehe // Appl. Phys. Lett. 1982.-№12.-p. 1031 - 1033.

80. Kwok, H.L. Carrier concentration and mobility in chemically sprayed cadmium sulphide thine films / H.L. Kwok, W.C. Sin // Thin solid films. 1979. - №2. - p. 249-257.

81. Gupta, В.К. The electrical and photoconductig properties of chemically sprayed cadmium sulfide films / B.K. Gupta, O.P Agnihotri // Thin solid films. -1978.-№2.- 153- 162.

82. CdS sprayed thin films. Electrical and optical properties / J. Bougnot et. al. // Conf. Rec. 12-th lEEf Photovoltaic. Spec. Conf. Baton Rouge. 1976. - p. 519 -525.

83. Bettini, M. CdS/Inp and CdS/GaAs heterojunctions by chemical -vapor deposition of CdS / M. Bettini, K.J. Bachmann, J.L. Shay // J. Appl. Phys. 1978. -№2.-p. 865-876.

84. Люминесценция и электрические свойства пленок CdS, легированных калием и натрием / В.Г. Клюев и др. // Ж. прикл. спектроскоп. 2005. -Т.72, №4. - с. 509-513.

85. Саидов, А.С. Получение эпитаксиальных слоев твердого раствора (GaAs)ix(ZnSe)x из свинцового раствора расплава / А. С. Саидов, А.ИГ. Раззаков, К.Г. Гаимнозаров // Письма в ЖТФ. - 2001. - Т.27, №22. - с 86 - 88.

86. CdS "spray" elaboration. Proprietes physiques application aux cellules solaires Cu2S CdS / M. Perotin et. al. // Rev. Phys. Appl. - 1980. - №3. - p. 585 - 593.

87. Storti, G. The Cu2S CdS solar cells / G. Storti, J. Culik // Conf. rec. 12-th IEEF Photovoltaic. Spec. Conf. Baton Rouge. - 1976. - p. 462 - 465.

88. Takashi, F. Properties of InP films grown by organometallic VPE Method / F. Takashi, Y. Horikoshi // Jap. J. Appl. Phys. 1980. - №7. - p. 395 -397.

89. Defects in InP homoepitaxial layers / S. Mahajan et. al. // J. Appl. Phys. -1978. №1. - p. 245-248.

90. Крегер, Ф. Химия несовершенных кристаллов. M.: Мир, 1969. -450с.

91. Волькенштейн, Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. -М.: Наука, 1987. -432с.

92. Питер, Ю. Основы физики полупроводников: пер. с анг. под ред. Б.П. Захарчени / Ю. Питер, М. Кар дона. М.: Физматлит, 2002. - 560 с.

93. Применение спектров комбинационного рассеяния / Р.С. Тобиас и др.; пер. с анг. под ред. К.И. Петрова. М.: Мир, 1977. - 586с.

94. Земцов, А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств: Дис. канд. хим. наук. Омск, 2004. - с.86 - 90.

95. Шубенкова, Е.Г. Получение твердых растворов системы InSb-ZnTe. Ее адсорбционные, электрофизические и оптические свойства: Дис. канд. хим. наук. Омск, 2005. с. 117 - 184.

96. Волькенштейн, Ф.Ф. Радикально-рекомбинационная люминесценция полупроводников / Ф.Ф. Волькенштейн, А.Н. Горбань, В.А. Соколов. М.: Наука, 1976.-278с.

97. Соколов, В.А. Люминесценция и адсорбция / В.А. Соколов, А.Н. Горбань; под ред. Ф.Ф. Волькенштейна. М.: Наука, 1969. - 187с.

98. Кировская, И.А. Физико-химические свойства поверхности соединений InBv // Изв. РАН Неорган, матер. 1999. - Т.35, №5. - с. 535 - 540.

99. Кировская, И.А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Химический состав поверхности. Катализ. Иркутск: Изд-во Иркутского ун-та, 1988. - 168с.

100. Кировская, И.А. Поверхностные явления. Омск: ОмГТУ, 2001. - с. 72 -165.

101. Кировская, И.А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Адсорбция газов. Иркутск: ИГУ, 1984. -167с.

102. Кировская, И.А. Исследование системы поверхность газ методом термодесорбции / И.А. Кировская, В.А. Хомич, С.Н. Трунов // Матер. I Всесоюз. семинара по адсорбции и жидкостной хроматографии эластомеров. -М.: Наука,1985.-с.52.

103. Кировская, И.А. Исследование свежеобразованных поверхностей соединений типа AnBVI / И.А. Кировская, В.В. Даньшина, Е.Н. Емельянова // Изв. АН Неорган, матер. -1989. -Т.25, №3. -с. 379 -381.

104. Даньшина, В.В. О механизме взаимодействия водорода с поверхностью соединений типа AnBVI / В.В. Даньшина, И.А. Кировская // ЖФХ. 1988. -7.62, №4. - с. 1648- 1650.

105. Кировская, И.А. Химическое состояние реальной поверхности соединений типа AHBV1 // Изв. АН Неорган, матер. 1989. -Т.25, №9. - с. 1472 -1476.

106. Кировская, И.А. Исследование поверхностной активности алмазоподобных полупроводников в процессе их диспергирования / И.А. Кировская, А.В. Юрьева, В.В. Даньшина // ЖФХ. 1982. Т.56, №4. -с. 911 — 914.

107. Кировская, И.А. Химическое состояние поверхности компонентов системы ZnSe -CclSe / И.А. Кировская, Е.М. Буданова // ЖФХ. -2001. -Т.75, №10.-с. 1837- 1842.

108. Кировская, И.А. Химический состав и кислотно-основные свойства поверхности системы InSb-ZnSe /И.А. Кировская, О.П. Азарова // ЖФХ. -2003. Т.77, №9. - с. 1663 - 1667.

109. Кировская, И.А. Исследование поверхности системы ZnSe -CdSe методом РФЭС / И.А. Кировская, Е.М. Буданова // ЖФХ. -2001. -Т.75, №7. -с. 1310-1313.

110. Исследование адсорбционных свойств соединений AinBv и AhBvi методом ИК спектроскопии МНПВО / И.А. Кировская и др. // Применениеоптической спектроскопии в адсорбции и катализе: Матер. 9 Всесоюз. школы- семинара. Иркутск, 1986. - с.43 -44.

111. Крылов, О.В. Катализ неметаллами. Л.: Химия, 1967. - 240с.

112. Кировская, И.А. Об Адсорбции смесей близких и различных по электронной природе газов на изоэлектронных аналогах гармания // ЖФХ. -1970.-Т. 44, №1,-с. 159-165.

113. Штабнова, В.Л. Адсорбция паров воды и кислорода на соединениях InBv / В.Л. Штабнова, И.А. Кировская // Изв. АН Неорган, матер. 1989. -Т.25, №2.-с. 207-211.

114. Кировская, И.А. Адсорбционные процессы. Иркутск: изд-во Иркут. унт, 1995. -300с.

115. Кировская, И.А. Кинетика химических реакций. Омск.: Изд-во ОмГТУ, 1994.-96с.

116. Кировская, И.А. Исследование каталитической активности соединений InX в реакции разложения изопропилового спирта / И.А. Кировская, В.А. Хомич. Черкассы, 1986. 6 с.Деп. в ОНИИТЭХин. №229. хп -86 Деп.

117. Кировская, И.А. Возможные пути регулирования свойств поверхности алмазоподобных полупроводников и некоторые аспекты их реализации // Изв. АН Неорган, матер. -1984. -Т.30, №2. -с. 147 -152.

118. Адсорбция окиси углерода на полупроводниках типа цинковой обманки/ И.А. Кировская и др. // ЖФХ. 1970. - Т.44, №4. - с. 1250 - 1266.

119. Л.Г. Майдановская Адсорбция водорода и кислорода селенидом цинка / Л.Г. Майдановская, И.А. Кировская // Кинетика и катализ. 1964. - Т.5, №3.- с. 546 -548.

120. Кировская, И.А. Кинетика адсорбции газов на полупроводниках типа цинковой обманки / И.А. Кировская, Л.Г. Майдановская // ЖФХ. -1968. -Т.42, №11. -с. 2911 -2915.

121. Кировская, И.А. Адсорбция смесей газов на изоэлектронных аналогах германия / И.А. Кировская, Л.Г. Майдановская, Н.В. Соловьева // ЖФХ. -1968.-Т.42, №5.-с. 1196-1200.

122. Кировская, И.А. Адсорбция газов на поверхности соединений А В индиевой группы // ЖФХ. 1998. - Т.72, №6. - с. 1106 - 1110.

123. Кировская, И.А. Адсорбция смесей газов окиси углерода и кислорода на арсениде галлия / И.А. Кировская, В.Д. Жукова // ЖФХ. -1970. Т.44, №1. -с. 155 -158.

124. Кировская, И.А. Совместная адсорбция водорода и кислорода на арсениде галлия / И.А. Кировская, Л.Г. Майдановская, Г.JI. Лобанова // ЖФХ.- 1971. -Т.45, №8. с. 2101.

125. Голованов, В.В. Механизм хемосорбции монооксида углерода на тонких поликристаллических слоях сульфида кадмия / В.В. Голованов, В.В. Сердюк // Поверхность. Физика, химия, механика. 1993. - №5. - с. 35 - 42.

126. Кировская, И.А. Адсорбция компонентов реакции разложения муравьиной кислоты на поликристаллах селенида цинка / И.А. Кировская, Л.М. Пименова, В.А. Крюкова // ЖФХ. 1974 - Т.48, №11.-е. 2825 -2829.

127. Кировская, И.А. Адсорбция газов и их смесей на пленках селенида цинка / И.А. Кировская, Е.А. Шмидт// ЖФХ. 1975. - Т.49, №2. - с.428 -430.

128. Кинетика адсорбции кислорода и зарядки поверхности эпитаксиальных пленок сульфида кадмия / A.M. Курбанова и др. // Изв. РАН Неорг. матер.- 2001.-Т.37,№1.-с. 21-23.

129. Взаимодействие водорода и двуокиси углерода на поверхности алмазоподобных полупроводников / И.А. Кировская и др. // ЖФХ. 1978. -Т. 52, №9. - с. 2356 -2360.

130. Влияние окисной пленки на адсорбционные и электрофизические свойства GaAs / И.А. Кировская и др. // Изв.АН Неорган, матер. 1977. -Т. 13, №11. - с. 1953 - 1958.

131. Кировская, И.А. Характеристики заряжения поверхности арсенида галлия при адсорбции газов / И.А. Кировская, Ф.Е. Шакалов // Изв. АН Неорган, матер. 1982. - Т. 18, №5. - с. 120 -173.

132. Крылов, О.В. Катализ на полупроводниках. Каталитические свойства металлического германия / О.В. Крылов, С.З. Рогинский, В.Н. Фролов // Докл. АН СССР. 1956. - Т.З, №3. - с. 623 - 625.

133. Рогинский, С. Д. Полупроводниковый катализ // Хим. наука и промышленность. 1957. - Т.11, №2. - с. 139 - 159.

134. Katalische Wirkung von dotierten eigenhalbleitem / Chwab, G.M. et.al. // Z. Phys. Chem. 1958. - B.15, №1. - s. 363-371.

135. Lee, V.J. Catalysis on wide band-gap semiconductors // J. Chem. Phys. -1971. V.55, №6. - p. 2905 - 2913.

136. Бонч- Бруевич, В.Л. К вопросу об исследованиях зонной структуры неупорядоченных систем // Физика и техника полупроводников. 1968. -Т.2, №3. - с. 363 -369.

137. Крылов, О.В. Каталитические свойства новых полупроводников со структурой цинковой обманки / О.В. Крылов, Е.А. Фокина // ЖФХ. 1961. -Т.35, №3. - с. 651 -659.

138. Пат. № 2046653 Российская Федерация. Способ приготовления катализатора для очистки газовых выбросов автотранспорта и промышленности / Г.М. Льдокова, Н.М. Попова, К.Ж. Кайгалтырова и др. -заявлено 29.04. 1992, опубликовано 27.10.1995.

139. Крылов, О.В.-О катализе на полупроводниках в области собственной проводимости / О.В. Крылов, С.З. Рогинский // Докл. АН СССР. 1958. -Т.118, №4. - с. 523 -525.

140. Крылов, О.В. Изучение связи между каталитической активностью некоторых полупроводников и шириной запрещенной зоны / О.В. Крылов, Е.А. Фокина // Кинетика и катализ. 1964. - Т.5, №2. - с. 284 - 292.

141. Рогинский, С.Д. Электронные факторы в изыскании и модифицировании твердых катализаторов // Научные основы подбора и производства катализаторов. Новосибирск: Изд-во СО АН СССР, 1964. - с. 28 - 45.

142. Рогинский, С.З. Исследование роли электронных факторов в катализе // Кинетика и катализ. 1960. -Т.1, №1. - с. 15-32.

143. Кировская, И.А. Катализ. Полупроводниковые катализаторы. Омск: Изд-во ОмГТУ, 2004. - 272с.

144. Кировская, И.А. Кислотно-основные и каталитические свойства твердых растворов ZnSe-CdSe / И.А. Кировская, Е.М. Буданова // ЖФХ. 2002. - Т.7, №7. - с. 1246 - 1254.

145. Твердые растворы в полупроводниковых системах. Справочник. М.: Наука, 1978,- 196с.

146. Томашик, В.Н. Диаграммы состояния систем на основе полупроводниковых соединений aHBV1. Справочник / В.Н. Томашик, В.И. Грыцив. Киев: Наукова думка, 1982. - 168с.

147. Всесоюзное совещание по полупроводниковым соединениям a"bvi и их применению: Тезисы докладов. Киев: Наукова думка, 1966. - с. 43 - 47.

148. Войцеховский, А.В. О получении монокристаллов твердых растворов (GaP)x (ZnS)-x / А.В. Войцеховский, Л.Б. Панченко // Физика твердого тела. - Киев: Киев. пед. ин-т, 1975. - с. 24 - 26.

149. Бурдиян, И.И. О возможности образования твердых растворов в системе GaSb-ZnTe / И.И, Бурдиян, В.П. Королевский // Учен. Зап. Тирасп. пед. ин-та, 1966. Вып.16. - с. 127- 128.

150. Войцеховский, А.В. О взаимодействии арсенида галлия с соединениями типа AHBVI / А.В. Войцеховский, А.Д. Иащук, В.К. Митюрев // Изв. АН СССР Нерган. матер. 1970. - Т.6,№2. - с. 379 - 380.

151. Глазов, В.М. Анализ характера межмолекулярного взаимодействия арсенида галлия с теллуридом цинка и кадмия / В.М. Глазов, Л.М. Павлова, Л.И. Передерни // Термодинамические свойства металлических сплавов. -Баку:Эмл, 1975. с. 372 - 375.

152. Фазовые равновесия в квазибинарных системах InP-ZnTe и InP-CdTe / В.М. Глазов и др. // Изв. АН СССР Неорган, матер. 1973. - Т.9, №11. - с. 1883 - 1889.

153. Твердые растворы в системах InAs-CdS, InAs- CdSe / А.В. Войцеховский и др. // Изв. АН. СССР Неорган, матер. 1968. - Т.4, №10. - с. 1681 - 1684.

154. Твердые растворы в системе InAs-CdTe / Г.И. Баженова и др. // Изв. АН СССР Неорган, матер. 1974. - Т. 19, №10. - с. 1770 - 1773.

155. Миронова, Е.В. Новая многокомпонентная полупроводниковая система InSb-CdTe. Ее поверхностные физико-химические свойства: Дис. канд. хим. наук. Омск, 2003. - с. 35 - 48.

156. Некоторые исследования твердых растворов на основе соединений типа A'"BV AnBVI / А. Инюткин и др. // Изв. АН СССР Физическая химия. -1964. -Т.28, №6. - с. 1110-1116.

157. Ku, S.M. Synthesis and properties of ZnSe:GaAs solid solution / S.M. Ku, L.J. Bodi // J. Phys. Chem. Sol. 1968. - V.28, №12. - p. 2077 - 2082.

158. Горюнова, Н.А. О твердых растворах в системе ZnSe-GaAs / Н.А. Горюнова, Н.Н. Федорова // Физика твердого тела. 1959. - Т.1, №2. - с. 344 -345.

159. Yim, М. Solid solutions in the pseudobinari (III-V), (II-VI) systems and theire optical energy gap // J. Appl. Phys. 1969. - 40, №6. - p. 2617 - 2623/

160. Фазовое равновесие в системе In-Sb-Zn-Te / Т.Е. Пурис и др. // Изв. АН СССР Неорган, матер. 1973. - Т.9, №10. - с. 1811 - 1815.

161. Получение материалов твердых растворов AmBv AHBVI, близких к собственным / Е.В. Калашникова и др. // Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. - Новосибирск: Наука, 1975. - с. 232-236.

162. Механохимический синтез твердых растворов системы ZrO? Се02 / Л.В. Морозова и др. // Изв. РАН Неорг. матер. - 2002. - Т.38,№2. - с. 204 -209.

163. Авакумов, Е.Г. Механохимические методы активации химических процессов. Новосибирск: Наука, 1986. - 305с.

164. Механохимический синтез и спекание твердого раствора (Zr02)o,^(Y203)o,o3 // Л.В. Морозова и др. // Изв. РАН Неорган, матер. 2000. - Т. 36,№8. - с. 1001 - 1005.

165. Технология тонких пленок. Справочник / под ред. Л. Майссела, Р. Гленга; В 2-х т. Т. 1. М.: Сов. радио, 1977. - 768с.

166. Платник, Л.С. Эпитаксиальные пленки / Л.С. Палатник, И.И. Папиров. -М.: Наука, 1971.-c.391 -445.

167. Тонкие пленки антимонида индия/ под ред. В.А. Касьяна. Кишинев: Штиинца, 1989.- 162с.

168. Вилке, К.Г. Методы выращивания кристаллов / пер. с нем. под. ред. Т.Г. Петрова. Л.: Наука, 1968. - с. 24 - 27.

169. Мизецкая, И.Б. Физико-химические основы синтеза полупроводниковых монокристаллов / И.Б. Мизецкая, Л.Б. Буденная, И.Д. Олейник. Киев: Наукова думка, 1975. - с. 23 - 27.

170. Жердев, Ю.В. О зависимости ширины запрещенной зоны в системе ZnSe-CdSe от структуры и состава / Ю.В. Жердев, Б.Ф. Ормонт // Ж. Неорг. химия. 1960. - Т.5, №8. - с. 1796 - 1800.

171. Кристаллическая структура твердых растворов системы ZnSe-CdSe / К.В. Шалимова и др. // Кристаллография. 1969. - Т. 14, №4. - с. 629 - 633.

172. Алферов, Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // Физика и техника полупроводников. 1998. - Т.32, №1. - с. 3 - 18.

173. Effectcts of Си at the device junction on the properties of CdTe/CdS photovoltaic cells / T.J. Berniard et. al. // J. Vac. Sci. And Tecnol. B. 2004. - 22, №5. - p. 2423 - 2428.

174. Ковалев, A.H. Успехи и проблемы создания полевых гетеротранзисторов на основе материалов AMIBV // Изв. вузов. Матер, электрон, техн. 2005. -№2.-с. 4- 13.

175. Пат. № 6822995 США, МПК Н 01 S 3/08 Распределенный брэгговский отражатель GaAs/AlGaAs на InP; Finisar Corp., Kwon Hoki . N 10/078474; заявл. 21.02.2002; опубл. 23.11.2004, НПК 372/96.

176. Integrated optics: devices, materials and tehnologies VIII 26-28 Jan. 2004 San Jose / Y. Sidorin et. al. // Proc. SPIE. 2004. - 5355. - p. 1 - 214.

177. High-performanse InP/InGaAs pnp 8-doped heterojunction bipolar transistor/ J. H. Tsai et. al. // Eur. Phys. - 2005. - 30. - №3. - p. 167 - 169.

178. Берченко, Н.Н. Полупроводниковые твердые растворы и их применение / Н.Н. Берченко, В.Е. Кревс, В.Г. Средин . М.: Воениздат, 1982 - с. 169- 175

179. Кировская, PI.A. Полупроводниковый анализ и контроль состояния окружающей среды // Аналитика Сибири и Дальнего Востока: тез. докл. -Новосибирск, 2000. с. 164 - 165.

180. Микроэлектронные датчики химического состава газов / А.Б. Евдокимов и др. // Электроника. 1998. - с. 3 - 39.

181. А.с. 1798672 Рос. Федерация. Датчик влажности газов / А.И. Кировская, Е.Д. Скутин, В.Г. Штабнов (Рос. Федерация). 1993, Бюл. №8. - 86с.

182. Пат. 179672. Датчик влажности газов/ И.А. Кировская и др.. 1993.

183. Пат. 2125260. Датчик влажности газов / И.А. Кировская. 1999.

184. Пат. 2141639. Пьезорезонансный датчик влажности газов / И.А. Кировская, О.А. Федяева. 1999.

185. Пат. 2161794. Полупроводниковый датчик влажности газов / И.А. Кировская. 2001.

186. Пат. 2178559 RU, G01N27/12. Полупроводниковый газовый датчик / И.А. Кировская, Т.В. Ложникова; заявитель ОмгТУ. №99125143/28; заявл. 23.11.1999; опубл. 20.01.2002, Бюл. №2. - 278с.

187. Пат. 2038590 RU, G01N27/12. Датчик концентрации аммиака / С.А. Крутоверцев и др.. №5062964/25; заявл. 24.09.1992; опубл. 27.06.1995, Бюл. №18.-207с.

188. Кировская, И.А. Методология исследований физико-химических свойств поверхности алмазоподобных полупроводников и основные направления практических разработок // Омский научный вестник. 2001. - Вып. 14. - с. 66-68.

189. Кучменко, Т.А. Применение метода пьезокварцевого микровзвешивания в аналитической химии. Воронеж, 2001. - 280с.

190. Микрин, С.Е. Справочник по рентгеноструктурному анализу. М.: Гос. физ.-мат. лит-ры, 1961. - 863с.

191. Горелик, С.С. Рентгенографический и электроннооптический анализ /С.С. Горелик, Л.Н. Расторгуев, Ю.А. Скаков. М.: Металлургия, 1970. -368с.

192. Майдановская, Л.Г. О водородном показателе изоэлектрического состояния амфотерных катализаторов // Каталитические реакции в жидкой среде. Алма-Ата: АН Каз. ССР, 1963.-е. 212-217.

193. Майдановская, Л.Г. Влияние на изоэлектрическое состояние окиси цинка / Л.Г. Майдановская, B.C. Мурашкина. Труды ТГУ им. В.В. Куйбышева: Изд-во ТГУ, 1963. - Т. 157. - с. 289 - 293.

194. Белоусова, В.Н. Лабораторный практикум по курсу «Методы исследования адсорбентов и катализаторов» / В.Н. Белоусова, Г.М. Зелева. -Томск: Изд-во ТГУ, 1977. с.61 - 66.

195. Кировская, И.А. Кинетика химических реакций. Учеб. пособие. Омск: ОмГТУ, 1994. - с.76 -96. ISBN 5-230-13822-Х.

196. Крешков, А.П. Кислотно-основное титрование в неводных растворах / А.П. Крешков, Н.А. Казарян. М.: Химия, 1967. - 192с.

197. Литтл, Л. Инфракрасные спектры адсорбированных молекул. М.: Мир, 1969.-514с.

198. Киселев, А.В. Инфракрасные спектры поверхностных соединений / А.В. Киселев, В.И. Лынгин. -М.: Наука, 1972. -402с.

199. Экспериментальные методы в адсорбции и хроматографии / под ред. Ю.С. Никитина, Р.С. Петровой. М.: Изд-во Моск. ун-та, 1999. - с. 185-191.

200. Смит, А. Прикладная ИК-спектроскопия. М.: Мир, 1982. - 328с.

201. Давыдов, А.А. ИК-спектроскопия в химии поверхности окислов. -Новосибирск: Наука, Сибирское отделение, 1984. -246с.

202. Рапорт, Ф.М. Лабораторные методы получения чистых газов / Ф.М. Рапорт, А.А. Ильинская. М.: Госхимиздат, 1963. - 514с.

203. Corma, A. Nature of acide sites on solid acid catalysts // Chemical Reviews. -1995. -V. 95, №3.-p. 560-568.

204. Герсберг, Г. Колебательные спектры многоатомных молекул / пер. с нем. -М.: ИЛ, 1949.-324с.

205. Наканиси, К. Инфракрасные спектры и строение неорганических соединений. М.: Мир, 1965. - 216с.

206. Новгородцева, Л.В. Система GaSb-ZnTe. Ее адсорбционные и другие поверхностные свойства: автореф. дис. канд. хим.наук. 2005. - Омск: Изд-во ОмГТУ. - 22с.

207. Азарова, О.П. Физико-химическое состояние поверхности образцов системы InSb-ZnSe: автореф. дис. канд. хим. наук. 2000. - Омск: Изд-во ОмГТУ, - 18с.

208. Земцов, А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств: Дис. канд. хим. наук. Омск, 2004. - с.97 - 107.

209. Шубенкова, Е.Г. Получение твердых растворов системы InSb-ZnTe. Ее адсорбционные, электрофизические и оптические свойства: Дис. канд. хим. наук. Омск, 2005. с. 118— 132.

210. Патент RU № 2054322. Способ получения катализатора окисления оксида углерода / В.М. Мухин, С.Г. Киреев, Н.П. Васильев и др. заявлено 01.03.1993, опубликовано 20.02.1996.

211. Патент RU № 2156164. Катализатор окисления оксида углерода / JT.A. Воропанова, О.Г. Лисицына. заявлено 29.10.1998, опубликовано 20.09.2000.

212. Патент RU № 2171712. Катализатор окисления оксида углерода / В.И. Кононенко, И.А. Чупова, В.Г. Шевченко и др. заявлено 13.03.2000, опубликовано 10.08.2001.

213. Проблемы теории и практики исследований в области катализа / под ред. В.А. Ройтера. Киев: Наук, думка, 1973. - 364с.

214. Катализ в кипящем слое/ И.П. Мухленов и др.. Л.: Химия, 1978. -229с.

215. Волькенштейн, Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. М.: Наука, 1973. -432с.

216. Волькенштейн, Ф.Ф. Физико-химия поверхности полупроводников. -М.: Наука, 1973.-399с.

217. Проблемы кинетики и катализа XIV. Хемосорбция и ее роль в катализе / под ред. С.З. Рогинский и др.. М.: Наука, 1970. - 264с.