Синтез нанокристаллических оксидных пленок никеля и олова методом импульсной фотонной обработки тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Канныкин, Сергей Владимирович

• Канныкин, Сергей Владимирович
• кандидат физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Канныкин, Сергей Владимирович

ВВЕДЕНИЕ (ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ).

ГЛАВА 1. МЕТОДЫ СИНТЕЗА ОКСИДНЫХ ПЛЕНОК МЕТАЛЛОВ.

1.1. Методы получения оксидных пленок.

1.2. Применение фотонной обработки в синтезе оксидных пленок

1.2.1. Лазерная термообработка.

1.2.2. Особенности лазерной обработки металлов и полупроводников в окислительной атмосфере.

1.2.3. Влияние длины волны лазерного излучения на процесс окисления металлов и полупроводников.

1.2.4. Фотонная обработка некогерентным излучением.

1.2.5. Импульсная фотонная обработка ксеноновыми лампами

1.3. Синтез пленок оксидов Ni и Sn.

1.3.1. Синтез пленок оксидов Ni.

1.3.2. Синтез пленок оксидов Sn.

1.4. Выводы и постановка задачи.

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1. Нанесение исходных пленок.

2.1.1. Исходные пленки Ni.

2.1.2. Исходные пленки Sn.

2.2. Синтез пленок оксидов методом термического отжига.

2.3. Синтез пленок оксидов методом импульсной фотонной обработки некогерентным излучением.

2.4. Методики исследования фазового, элементного состава, структуры, толщины, морфологии поверхности, электрофизических и сенсорных свойств оксидных пленок.

ГЛАВА 3. СИНТЕЗ ПЛЕНОК NiO МЕТОДОМ ТЕРМИЧЕСКОЙ И

ИМПУЛЬСНОЙ ФОТОННОЙ ОБРАБОТКИ.

3.1. Исходные пленки Ni.

3.2. Термический отжиг.

3.3. ИФО на воздухе пленок Ni.

3.3.1. Эпитаксиальные пленки Ni.

3.3.2. ИФО поликристаллических пленок Ni.

3.4. Ориентационные соотношения в системе Ni-NiO.

3.5. Заключения и выводы к главе 3.

ГЛАВА 4. ФАЗОВЫЙ СОСТАВ, СТРУКТУРА, МОРФОЛОГИЯ И СЕНСОРНЫЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК ОКСИДОВ ОЛОВА, СИНТЕЗИРОВАННЫХ МЕТОДОМ ИМПУЛЬСНОЙ ФОТОННОЙ ОБРА

4.1. Исходные пленки Sn.

4.2. Импульсная фотонная обработка пленок Sn.

4.3. Термическая обработка пленок Sn.

4.4. Электрофизические и сенсорные свойства пленок Sn02, синтезированных методом ИФО.pj

4.5. Заключения и выводы к главе 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Синтез нанокристаллических оксидных пленок никеля и олова методом импульсной фотонной обработки»

Актуальность темы диссертации обусловлена следующим.

Интерес к синтезу, структуре и свойствам пленок оксидов металлов связан с возможностью использования данных материалов в качестве активных слоев для ряда устройств (газочувствительные датчики, проводящие оптические покрытия, солнечные элементы и др.).

Анализ литературных данных показывает, что существует много способов синтеза тонких оксидных пленок: термическое окисление, электрохи-1 мическое (анодное) окисление, ионная имплантация, CVD-процессы, различные методы вакуумного осаждения, золь-гель синтез.

В большинстве из них реакция окисления стимулируется длительным высокотемпературным воздействием, что может отрицательно сказываться на некоторых свойствах получаемых материалов. Один из путей, позволяющих локализовать энергию в приповерхностной области и уменьшить время термической нагрузки, ускорение процессов окисления посредством интенсивного светового воздействия. Уже накоплен большой экспериментальный » материал по исследованию структурных превращений и синтезу соединений при активации процессов импульсным лазерным воздействием, обсуждаются механизмы ускорения процессов, зависимость эффекта лазерной обработки от длины волны излучения, длительности и мощности импульса.

До настоящего времени синтез оксидных пленок металлов методом фотонной обработки некогерентным излучением в активных газовых средах не исследовался.

Работа выполнена в Региональной научно-исследовательской лаборатории электронной микроскопии и электронографии Воронежского государственного технического университета в рамках Федеральной целевой программы «Интеграция науки и высшего образования России на 2002-2006 гг.», а также в рамках проекта программы «Функциональные исследования высшей школы в области естественных и гуманитарных наук «Университеты России»» (гранты № УР.06.01.002, УР.06.01.009) и РФФИ (грант № 06-03> 96503-рцентрофи).

Цель работы - установление закономерностей ориентированного роста и субструктуры оксидов Ni и Sn при термической обработке (ТО) и ИФО излучением ксеноновых ламп на воздухе пленок металлов.

Для этого предполагается решение следующих задач;

1. Провести сравнительные исследования методами просвечивающей электронной микроскопии, дифракции быстрых электронов, атомно-силовой микроскопии фазового состава, ориентации, субструктуры и морфологии k пленок образующихся:

- в результате термообработки на воздухе пленок Ni различной ориентации;

- при ИФО на воздухе пленок Ni различной ориентации в зависимости от дозы энергии излучения;

- при ИФО на воздухе пленок Sn.

2. По результатам дифракционных исследований провести анализ закономерностей ориентированного роста пленок NiO при ТО на воздухе. Прове> рить применимость известных кристаллогеометрических критериев к прогнозированию ориентационных соотношений в системе NiO-Ni.

3. Исследовать электрофизические и сенсорные свойства оксидных пленок Sn с целью установления возможности использования ИФО в качестве метода создания полупроводниковых оксидных сенсорных слоев для газовых датчиков.

Объекты и методы исследования. В качестве объектов исследования были выбраны пленки Ni и Sn. При выборе исходили:

1. Из необходимости исследования эффекта ИФО в синтезе оксидов металлов, отличающихся количеством образующихся оксидных фаз (для Ni -NiO, (№гОз и №Ог, как известно, были получены только при высоком давлении), для Sn - стабильный оксид Sn02 двух модификаций с орторомбической и тетрагональной решетками и метастабильное соединение SnO с тетрагональной решеткой типа РЬО).

2. Из возможности электронно-микроскопического исследования закономерностей ориентированного роста в системах с разной сложностью кристаллических решеток (NiO - кубическая решетка типа NaCl и S11O2 - с тетрагональной решеткой типа рутила и орторомбической решеткой).

3. Из возможностей практического применения исследуемых оксидов в качестве материалов активных слоев для ряда устройств (проводящие оптические покрытия, газовые сенсоры и солнечные элементы и др.).

Структуру и фазовый состав пленок исследовали на электронных микроскопах ЭМВ-100АК, ПРЭМ-200, ЭМВ-100 БР и электронографе ЭГ-100 М, толщину оксидных пленок определяли по оптическим параметрам, полученным на эллипсометре ЛЭФ-ЗМ-1. Морфологию поверхности исследовали методом атомно-силовой микроскопии (АСМ) на сканирующем зондовом микроскопе Solver Р47. Исследование электрофизических и сенсорных свойств к парам этилового спирта пленок S11O2 проводили при помощи измерений вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик на установках Л2-56 и Е7-12.

Научная новизна исследований.

1. Впервые показана возможность синтеза и определены режимы формирования однофазных пленок NiO, SnO и Sn02 при ИФО некогерентным излучением (^=0,2-1,2 мкм) пленок металлов на воздухе.

2. Показано, что последовательность образования оксидных фаз при ИФО пленки Sn с увеличением Ей соответствует наблюдаемой при формировании оксидов в условиях традиционной ТО.

3. Показана корреляция ориентационных соотношений для металлических систем ГЦК-ГЦК и гетероструктур Ni-NiO, что позволяет использовать рассчитанные размерные зависимости энергии межфазных границ (МГ) для прогнозирования оптимальных ориентаций в гетероструктурах с кубическими решетками.

4. Установлен эффект ИФО в синтезе пленок оксидов Sn, проявляющийся в 10-ти кратном ускорении процесса окисления по сравнению с ТО.

5. Показано, что на поверхности поликристаллических пленок Ni и (11 l)Ni начало синтеза и образование однофазных пленок. NiO происходит при меньших значениях плотности энергии светового потока, чем на (OOl)Ni.

6. Установлена нелинейная зависимость скорости окисления Ni от энергии поступающего на образец излучения: при малых дозах (Еи ^ 140 Дж/см ) процесс окисления происходит более эффективно на облучаемой, а при Еи > 155 Дж/см - на обратной стороне.

7. Установлено, что структура оксидных пленок, образующихся при ИФО, более дисперсная, чем при ТО.

8. Установлено, что пленки Sn02, синтезированные методом ИФО в атмосфере воздуха чувствительны к парам спирта: с увеличением концентрации паров спирта происходит уменьшение диэлектрической проницаемости пленки Sn02.

Практическая значимость работы. Для обеих систем установлены оптимальные режимы синтеза однофазных пленок оксидов методом ИФО на воздухе, которые могут быть использованы при разработке технологического процесса создания активных слоев при производстве газочувствительных датчиков, проводящих оптических покрытий, солнечных элементов и т.д.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту.

1. При одностороннем облучении гетероструктуры Ni-Si02-MOHO-Si-Si02-Ni выявлена нелинейная зависимость скорости окисления от энергии поступающего на образец излучения: при Еи < 140 Дж/см процесс окисления происходит с большей скоростью на облучаемой стороне, а при Еи > 155 Дж/см2 - на обратной стороне.

2. Основные ориентационные соотношения между кристаллическими решетками Ni и NiO, образующимися при ИФО и термообработке, одинаковы.

3. При прогнозировании ориентационных соотношений в системах металл-оксид металла с большим размерным несоответствием кристаллических решеток можно исходить из кристаллогеометрических критериев и расчетов энергии межфазных границ металлических систем.

4. Скорость роста пленок NiO зависит от структуры исходных пленок Ni: на поверхности поликристаллических пленок Ni и ориентации (111) Ni начало синтеза и образование однофазных пленок NiO происходит при меньших значениях плотности энергии светового потока, чем на (001) Ni.

5. Последовательность образования кристаллических оксидных фаз Sn02 при ИФО и ТО одинакова.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и семинарах: Международная научная конференция «Новые перспективные материалы и технологии их получения «НПМ-2004» (Волгоград, 2004), III Международная научная конференция «Кинетика и механизм кристаллизации» (Иваново, 2004), V Международная конференция «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении» (Воронеж, 2004), VIII Международная научная конференция «Структурные основы модификации материалов методами нетрадиционных технологий» (Обнинск, 2005), VI Международная конференция «Взаимодействие излучений с твердым телом» «ВИТТ-2005» (Минск, 2005), IV Международный междисциплинарный симпозиум «Фракталы и прикладная синергетика», «ФиПС-2005» (Москва, 2005), V школе-семинаре «Актуальные проблемы современной неорганической химии и материаловедения» (Звенигород, 2005), IV Международная научная конференция «Кинетика и механизм кристаллизации. Нанокристаллизация. Биокристаллизация» (Иваново, 2006), VI Международная конференция «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении» (Астрахань, 2006), III Всероссийская конференция «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах» (Воронеж, 2006).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 15 работ, в том числе 3 - в изданиях, рекомендованных ВАК РФ.

Личный вклад автора. Автором самостоятельно подготовлены исходные пленки, проведена фотонная и термическая обработка гетерострук-тур, электронно-микроскопические исследования1. Постановка задач, определение направлений исследований, обсуждение результатов, подготовка работ к печати и формулировка выводов работы осуществлялись совместно с научным руководителем, профессором С.Б. Кущевым. Совместно с Е.К. Бе-лоноговым проведены исследования морфологии поверхности пленок методом АСМ. Совместно с В.Н. Саниным проведены тепловые расчеты. Совместно с А.П. Плешковым проведены электрические исследования гетерострук-тур и измерения газовой чувствительности пленок SnC>2. Совместно с В.А. Логачевой проведены эллипсометрические измерения толщин, образующихся оксидных пленок. Совместно с А.В. Бугаковым проведено исследование ориентационных соотношений в системе Ni-NiO. В совместных работах автору принадлежит проведение экспериментов, написание статей, обсуждение результатов. Автор благодарит О.В. Сербина за консультирование по методике импульсной фотонной обработки.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и списка литературы из 123 наименований. Работа изложена на 112 страницах и содержит 6 таблиц и 28 рисунков.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Канныкин, Сергей Владимирович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Методами ПЭМ, ДБЭ и АСМ проведены исследования фазового состава, структуры, ориентации и морфологии пленок оксидов, образующихся при термическом отжиге и импульсной фотонной обработке излучением ксеноновых ламп пленок Ni и Sn на воздухе.

2. Впервые показана возможность и определены режимы формирования однофазных пленок оксидов Ni и Sn при ИФО некогерентным излучением в диапазоне длин волн 0,2-1,2 мкм.

3. Показана корреляция ориентационных соотношений для металлических систем ГЦК-ГЦК и гетероструктур Ni-NiO, что позволяет использовать рассчитанные размерные зависимости энергии межфазных границ (МГ) для прогнозирования оптимальных ориентаций в гетероструктурах с кубическими решетками.

4. Установлена нелинейная зависимость скорости окисления Ni от энергии поступающего на образец излучения: при малых дозах (Еи < 140 Дж/см ) процесс окисления происходит более эффективно на облучаемой, а при 155 Дж/см - на обратной стороне.

5. Показано, что процесс синтеза однофазных пленок NiO зависит от структуры исходных пленок Ni: на поверхности поликристаллических пленок Ni и (111 )Ni начало синтеза и образование однофазных пленок NiO происходит при меньших значениях плотности энергии светового потока, чем на (001)Ni.

6. Установлено, что последовательность образования оксидных фаз Sn при ИФО на воздухе та же, что и при ТО на воздухе. Показано, что ИФО в несколько раз ускоряет процесс синтеза оксидов металлов.

7. Показано, что дисперсность оксидных пленок, синтезированных методом ИФО выше, чем у пленок синтезированных методом ТО.

8. На примере гетероструктур p-Si/n-Sn02 показана принципиальная возможность создания методом ИФО активных элементов для газовых анализаторов.

100

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Канныкин, Сергей Владимирович, 2007 год

1. Supottina S., De Guire M. R., Heuer A. H. Nanocrystalline Tin Oxide Thin Films via Liquid Flow Deposition // J. Am. Ceram. Soc. - 2003. - V.86. -P.2074-2081.

2. Окисление металлов / Под. ред. Ж.Бенара. М.: Металлургия. 1967. — т. 1. — 499 с.

3. Хауффе К. Реакции в твердых телах и на их поверхности. Ч. II, М. Изд-во иностр. лит. 1962. - 325 с.

4. Кофстад П. Высокотемпературное окисление металлов. М.: Мир. -1969.-562 с.

5. Барре J1. Кинетика гетерогенных процессов. М.: Мир. 1976. - 421 с.

6. Пилипенко В.А. Быстрые термообработки в технологии СБИС / Мн.: Изд. центр Б ГУ. 2004. - 531 с.

7. Двуреченский А.В., Качурин Г.А., Нидаев Е.В., Смирнов J1.C. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. М.: Наука. 1982. -208 с.

8. Борисенко В.Е. Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве / Мн.: Навука i тэхшка. 1992. - 248 с.

9. Лабунов В.А., Борисенко В.Е., Грибковский В.В. Импульсная термообработка материалов полупроводниковой электроники некогерентным светом // Зарубежная электронная техника. 1983. - №1. С.3-57.

10. Гуринов А.Ю., Королев М.А., Ревелева М.А., Шевянов В.И. Исследование ускоренного окисления кремния // Электронная техника. Сер.З. 1982. вып.2. - С.97-104.

11. Zeto R.I., Thornton C.G., Hrycowian Е., Bosco C.D. Low temperature thermal oxidation by dry oxygen pressure above atm. // J. Electrochem. Soc. 1975. - V.122. - №10. - P.1409-1412.

12. Яковлева Н.М. Структурно-морфологические закономерности формирования нанопористых оксидов алюминия // Дис. д-ра физ.-мат. наук. Петрозаводск. 2003. - 362 с.

13. Майсселл JL, Глэнг Р. Технология тонких пленок (справочник).- М.: Советское радио. 1977. - т.2. - 768 с.

14. Калябина И.А., Крысов Г.А. Применение импульсных режимов отжига в технологии полупроводниковых структур // Обзоры по электронной технике. Сер. 7 Технология, организация производства и оборудование. М.: ЦНИИ Электроника. 1981.- вып.12,- 35 с.

15. Шнаревич Е.И., Рыбинский О.А., Злобин В.А. Диэлектрики интегральных схем. М.: 1975. 324 с.

16. Qazi I. A., Akhter P., Muni A. On angle-dependent growth of electron-beam vacuum-evaporated tin oxide films// J. Phys. D: Appl. Phys. 1991. -V.24. - P.80-82.

17. Гришин О.Ф., Карпович И.А. Нанесение диэлектрических пленок методом высокочастотного плазменного распыления // Обзоры по электронной технике. Сер. ТОП. М.: Электроника. 1968. - Вып. 42. - С. 39-42.

18. Williams G., Coles G. // Sensors and Actuators. 1995. - V. B24-25. - P. 469-473.

19. Huang J.-L., Kuo D.-W., Shew B.-Y. // Surf, and Coat. Technol. 1996. -V. 79. -P.263-267.

20. Рембеза С.И., Свистова T.B., Рембеза E.C. Борсякова О.И. Микроструктура и физические свойства тонких пленок Sn02 // ФТП. 2001. -т.35- вып.7. - С.796-800.

21. Логинов В. А., Рембеза С. И., Свистова Т. В., Щербаков Д. Ю. Влияние лазерной обработки на газовую чувствительность пленок диоксида олова // ПЖТФ. 1998. - т.24. - №7 - С.57-60.

22. Кисин В.В., Ворошилов С.А., Сысоев В.В., Симаков В.В. Моделирование процесса низкотемпературного получения газочувствительных пленок оксида олова // ЖТФ. 1999. - т.69. - вып.4. - С. 112-113.

23. Крылов В.М., Прокопенко В.Т., Митрофанова А.С. Применение лазеров в машиностроении и приборостроении. JL: Машиностроение. -1978.-336 с.

24. Водоватов Ф.Ф., Чельный А.А., Вейко В.П., Либенсон М.Н. Лазеры в технологии. М.: Энергия. 1975. - 215 с.

25. Вейко В.П. Лазерная обработка пленочных элементов. Л.: Машиностроение. 1986. - 248 с.

26. Рыкалин Н.Н., Углов А.А., Зуев И.В., Кокора А.Н. Лазерная и электронно-лучевая обработка материалов (справочник). М.: Машиностроение. 1985. - 496 с.

27. Поут Дж.М., Фоти Г., Джекобсон Д.К. Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками. М.: Машиностроение. 1987. - 424 с.

28. Paustovsky A.V., Shelud'ko V.E. Use of laser technology for modification of material properties (a review)// Functional Materials. 1999 - V.6. - №5. -P. 964-976.

29. Бонч-Бруевич A.M., Либенсон М.Н. Нерезонансная лазерохимия в процессах взаимодействия интенсивного излучения с веществом. Известия АН СССР сер. физическая. - 1974. -т.46. - №6. - С. 1104-1118.

30. Вейко В.П., Котов Г.А., Либенсон М.Н. Окисление тонких пленок на поверхности металла при импульсном нагревании // Электронная техника Сер. 3 Микроэлектроника. 1973. - вып.4. - С.48-56.

31. Котов Г.А., Либенсон М.Н. Кинетика роста тонких окисных пленок на поверхности металла при импульсном нагревании // Электронная техника, Сер. 3 Микроэлектроника. 1973. - вып.4. - С.56-64.

32. Вейко В.П., Котов Г.А., Либенсон М.Н., Никитин М.Н. Термохимическое действие лазерного излучения // ДАН СССР. 1973. - т.208. -№3.- С.587-590.

33. Bunkin F.V., Kirichenko N.A., and Lukyanchuk B.S. Termochemical Effects of Laser Radiation // Usp. fiz. Nauk. 1982. - V. 138. - №1. - P.45-94.

34. Бункин Ф.В., Кириченко H.A., Лукьянчук Б.С. Термохимические и термокинетические процессы в поле непрерывного лазерного излучения // Изв. АН СССР, сер. Физическая. 1983. - Т.47. - № 10. -С.2000-2016.

35. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции / Под ред. Дж. Поута. М.: Мир. 1982.-576 с.

36. Алимов Д.Т., Тюгай В.К., Хабибулаев П.К., Шаропов Ш., Яковина В.В. Действие лазерного излучения на термоокисление металлов// Журн. физ. химии. 1987. - Т. 61. - № 11. - С.3065 - 3067.

37. Алимов Д.Т., Тюгай В.К., Хабибулаев U.K.// ДАН УзСССР. 1985. -№4. - С.23-28.

38. Чапланов A.M., Шибко А.Н. Влияние термической обработки и лазерного воздействия на композицию ванадий-кремний // ЖТФ. 1997. -т.67. - №6.- С.96-99.

39. Чапланов A.M., Шибко А.Н. Влияние лазерного излучения с hv=l,96 эВ на пленки ванадия при термическом отжиге// Неорганические материалы. 1993.-Т.29.- №11.- С.1477-1479.

40. Чапланов A.M., Шибко А.Н. Влияние лазерного излучения на кинетику окисления пленок титана при термической обработке // Квантовая электроника. 1993.- т.20.-№2. - С.191-193.

41. Дж. Калверт, Дж. Питтс. Фотохимия. М.: Мир. 1968. - 268 с.

42. Нуприенок И.С., Шибко А.Н. Изменение фазового состава пленок ванадия при окислении под влиянием УФ-света и отжига// Неорганические материалы. 2002. - т. 38. - № 6. - С.695-699.

43. Маркевич М.И., Подольцев А.С., Чапланов A.M., Пискунов Ф.А. Особенности окисления пленок хрома при лазерной импульсной термообработке // ФХОМ. 1992. - №4. - С.43-45.

44. Дамаск А., Дине Дж. Точечные дефекты в металлах. М.:Мир. 1966. -с.456.

45. Narayan I. Laser annealing under the oxide layers in silicon // Appl. Phis. Lett.- 1980.- V.37. -№1. P.66-72.

46. Dtshmukh V.G.I., Webber H.C., Mc Canghan D.V. Pulsed laser modification of Si02/Si interface properties and minority carrier lifetime // Appl. Phis. Lett.-1981.- V.39.- №3.-P.251-258.

47. Борисенко B.E, Юдин С.Г. Термоупругие напряжения и термопластические эффекты в полупроводниковых пластинах при импульсном нагреве излучением // ЗЭТ. 1989. -№1. - С.67-82.

48. Ховив A.M., Логачева B.JL, Новикова О.В. Особенности оксидирования пленок олова в условиях пониженного и атмосферного давления кислорода при воздействии ИК-излучения // Вестник ВГУ. Серия: Химия. Биология. Фармация. 2004,- №1.-С. 101-106.

49. Кущев С.Б. Исследование фазового состава и субструктуры силицидов образующихся при ИФО некогерентным излучением пленок металлов на кремнии// Дис. д-ра физ.-мат. наук. Воронеж. 2000. - 248 с.

50. Иевлев В.М., Кущев С.Б., Злобин В.П. Структура и состав силицидов, образующихся при фотонном отжиге Pt на Si // ФХОМ. 1986. - № 2. -С.128-130.

51. Иевлев В.М., Кущев С.Б., Рубцов В.И. и др Состав и структура силицидов образующихся при импульсной фотонной обработке пленок титана на монокристаллическом и аморфном кремнии // ФХОМ. 1997. -№ 4. - С.62-67.

52. Иевлев В.М., Кущев С.Б., Санин В.Н. Твердофазный синтез силицидов при импульсной фотонной обработке гетеросистем Si-Me (Me: Pt, Pd, Ni, Mo, Ti) // ФХОМ. 2002. - № 1. - C.27-31.

53. Иевлев В.М., Кущев С.Б., Сербии О.В., Санин В.Н., Спирин А.И. Эффект двухсторонней импульсной фотонной обработки гетероструктур Me-Si // Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение. 2001. - вып. 1.10. -С.76-78.

54. Иевлев В.М., Белоногов Е.К., Базовой Б.П. Применение ИФО для синтеза пленок CuInSe2 // Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение. 1998. -вып. 1.3- С.56-58.

55. Иевлев В.М., Белоногов Е.К., Базовой Б.П. Применение импульсной фотонной обработки для синтеза пленок CuInSe2// Неорганические материалы.- 2000,- т.36.- №9.-С. 1042-1044.

56. Иевлев В.М., Сербии О.В., Кущев С.Б., Санин В.Н., Исаенко А.П. Синтез пленок карбидов вольфрама при импульсной обработке пленочных гетероструктур W-C// Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение 2002. -вып. 1.11,- С.87-93.

57. Иевлев В. М., Тураева Т. Л., Латышев А. Н., Селиванов В. Н. Эффект фотонной активации процесса рекристаллизации металлических плёнок//ДАН.- 2003.- №4. С.508-512.

58. Иевлев В.М., Латышев А.Н., Ковнеристый Ю.К., Тураева Т.Л., Вавилова В.В., Овчинников О.В., Селиванов В.Н., Сербии О.В. Механизм фотонной активации твердофазных процессов // Химия высоких энергий.- 2005.- т. 39.- №6.- С.455-461.

59. Lopez-Beltran A.M., Mendoza-Galvan A. The oxidation kinetics of nickel thin films studied by spectroscopic ellipsometry // Thin Solid Films. 2006. - V. 503. - P.40-44.

60. Dharmaraj N., Prabu P., Nagarajan S., Kim C.H., Park J.H. and Kim H.Y. Synthesis of nickel oxide nanoparticles using nickel acetate and polyvinyl acetate) precursor // Materials Science and Engineering: B. 2006. - V. 128. - P. 111-114.

61. Estelle J., Salagre P., Cesteros Y., Serra M., Medina F.and Sueiras J. E. Comparative study of the morphology and surface properties of nickel oxide prepared from different precursors // Solid State Ionics. 2003. - V. 156. -P.233-243.

62. Hotovy I., Huran J., Siciliano P., Capone S., Spiess L. and Rehacek V. The influences of preparation parameters on NiO thin film properties for gas-sensing application // Sensors and Actuators B: Chemical. 2001. - V.78. -P.126-132.

63. Chen Hao-Long, Lu Yang-Ming and Hwang Weng-Sing. Characterization of sputtered NiO thin films// Surface and Coatings Technology. 2005. -V.198. - P.138-142.

64. Chen Hao-Long, Lu Yang-Ming and Hwang Weng-Sing. Thickness dependence of electrical and optical properties of sputtered nickel oxide films // Thin Solid Films. 2006. - V.498. - P.266-270.

65. Kakehi Y., Nakao S., Satoh K. and Kusaka T. Room-temperature epitaxial growth of NiO(l 11) thin films by pulsed laser deposition // Journal of Crystal Growth.- 2002.- V.237-239. P.591-595.

66. Tanaka M., Mukai M., Fujimori Y., Kondoh M., Tasaka Y., Usami S. and Baba H. Transition metal oxide films prepared by pulsed laser deposition for atomic beam detection // Thin Solid Films. 1996. - V.281 -282. - P.453-456.

67. Sberveglieri G., Faglia G., Groppelli S. et al. // Semicond. Sci. Technol. -1990.- V.5. P.1231 - 1233.

68. Tafto J., Rajeswaran G., Vanier P. E. The local structure of amorphous Sn02 by electron microscope techniques // J. Appl. Phys. 1986. - V.60. -P.602-606.

69. Advani G.N., Kluge-Weiss P., Longini R.L., Jordan A.G. Oxygen vacancy diffusion in Sn02 thin films // Int. J. Electronics. 1980. - V.48. - №5. - P. 403-411.

70. Abhijit D., Swati R. A study of the structural and electronic properties of magnetron sputtered tin oxide films // J. Phys. D: Appl. Phys. 1991. - V. 24.- P. 719-726.

71. Кисин B.B., Ворошилов C.A., Сысоев B.B., Симаков В.В. Моделирование процесса низкотемпературного получения газочувствительных пленок оксида олова//ЖТФ.- 1999.-т. 69.- вып. 4.- С.112-113.

72. Dominguez J. Е., Fu L., Pan X. Q. Effect of crystal defects on the electrical properties in epitaxial tin dioxide thin films // Appl. Phis. Letters. 2002. -V.81. - №27.- P.5168-5170.

73. Pan X.Q., Fu L. Tin oxide thin Films grown on the (lOl2)sapphire substrate // Journal of Electroceramics. 2001. - V.7. - P.35-46.

74. Seok-Kyun Song Characteristics of SnOx films deposited by reactive-ion-assisted deposition // Phisical Review B. 1999. - V.60. -№15. - P. 137-148.

75. Барабаш O.M., Коваль Ю.Н. Структура и свойства металлов. Справочник. Киев: Наукова думка. 1986. - 598 с.

76. Шиллер 3., Гайзин У., Панцер 3. Электронно-лучевая технология. М.:Энергия.- 1980.-528 с.

77. Данилин Б.С., Сырчин В.К. Магнетронные распылительные системы. М.: Радио и связь. 1982. - 72 с.