Электрофизические и оптические свойства различных наноформ оксида олова тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор физико-математических наук Рябцев, Станислав Викторович

• Рябцев, Станислав Викторович
• доктор физико-математических наук
• 2011

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Рябцев, Станислав Викторович

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1 ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ОКСИДОВ 17 ОЛОВА

1.1 Физико-химические свойства оксида олова

1.2. Электронное строение оксида олова

1.3 Электрофизические и оптические свойства оксида 25 олова

1.4 Полупроводниковые пленки в условиях газовой 30 адсорбции. Модели газовой чувствительности^ и электропроводности поликристаллических пленок.

Глава 2 ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОКСИДОВ ОЛОВА 34 РАЗЛИЧНЫХ НАНОФОРМ И- МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

2.1 Изготовление тонких пленок 8п02-х методом 34 контролируемого окисления металлического олова

2.2 Изготовление оксида олова методом лазерной абляции

2.3 Газотранспортный синтез нитевидных кристаллов 3п

2.4 Химические методы изготовления слоев оксида олова

2.5 Методика и техника оптических исследований

2.6 Методика электрофизических исследований

2.7 Методика и техника исследования морфологии, 39 фазового состава и электронного строения образцов БпОг

Глава 3 ТОНКИЕ ПЛЕНКИ 8пОх, ПОЛУЧЕННЫЕ МЕТОДОМ 43 КОНТРОЛИРУЕМОГО ТЕРМИЧЕСКОГО ОКИСЛЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКОГО ОЛОВА

3.1 Механизмы и закономерности процесса окисления 43 тонких металлических пленок олова

3.2 Микроструктура тонких пленок ЭпОг

3.3 Рентгенофазовый анализ пленок SnOx

3.4 Синхротронные рентгено-структурные исследования 69 ! тонких пленок SnOx

3.5 Основные результаты главы

Глава 4 ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА 86 ТОНКИХ ПЛЕНОК Sn02.x

4.1 Электропроводность пленок Sn02-x на постоянном токе 87 при циклическом изменении температуры. Энергия активации электропроводности в условиях адсорбции модельных газов и газосенсорные свойства тонких пленок

Sn02.x.

4.2 Кинетика резистивного отклика пленок Sn02.x в условиях адсорбции модельных газов

4.3 Частотнозависимые электрофизические 114 характеристики пленок,Sn02.x

4.3.1 Спектроскопия электрического импеданса пленок 115 Sn02-x с блокирующими электродами

4.3.2 Спектроскопия" электрического импеданса пленок 127 SnOx с металлическими электродами в условиях адсорбции модельных газов

4.3.3 Спектроскопия электрического импеданса пленок

Sn02.x на кремнии

4.4 УФ оптическая спектроскопия пленок Sn02.x, 169 полученных методом термического окисления олова

4. 5 Основные результаты главы

Глава 5 МОРФОЛОГИЯ, ФАЗОВЫЙ СОСТАВ, ОПТИЧЕСКИЕ И 179 ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА РАЗЛИЧНЫХ НАНОФОРМ ОКСИДА ОЛОВА

5.1 Свойства коммерческих образцов SnO и Sn

5.2 Свойства образцов, полученных методом лазерной абляции металлического олова

5.3 Свойства образцов, полученных химическими 202 методами

5.4 Свойства образцов 8п02, полученных методом 215 газотранспортного синтеза.

5.4.1 Синтез, морфологические и кристаллографические 238 характеристики нитевидных гетероструктур 1п203/8п02.

5.5 Сравнительный анализ свойств различных 243 морфологических форм диоксида олова

5.6 Основные результаты главы 5 249 ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ВЫВОДЫ 250 СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электрофизические и оптические свойства различных наноформ оксида олова»

Актуальность темы диссертации.

Диоксид олова (ГУ), разнообразные структуры и композиты на его основе в настоящее время широко применяются в различных областях науки, техники и технологии. Такая ситуация складывается из-за удачного сочетания практически ценных и взаимодополняющих оптических и электрофизических свойств этого окисла.

S п02-по лупров од ник n-типа с шириной'запрещенной'зоны Eg - 3.6 эВ. Тонкие пленки этого оксида прозрачны в видимой и ближней УФ области и при'этом могут обладать высокой-электропроводностью (Ю^-Ю"2 сим/п). Эти свойства находят применение в различных оптоэлектронных приборах. Основная часть оптически прозрачных электродов для компьютерных мониторов, телевизоров! и солнечных элементов* создана на базе оксида олова.

Особое место диоксид олова занимает как материал полупроводниковых газовых сенсоров, ему посвящена основная^ часть публикаций по этой теме. Наиболее известные коммерческие образцы полупроводниковых сенсоров изготовлены на основе оксида олова, например, сенсоры Taguchi (фирма Figaro Engineering Inc). Применение диоксида олова в газовой сенсорике обусловлено, с одной стороны, его термодинамической стабильностью, с другой, каталитической и адсорбционной* активностью. Для газовых сенсоров, в отличие от оптоэлектронных приборов, необходимы пленки оксида олова с относительно низкой электропроводностью, что достигается путем выбора метода его получения или дополнительной технологической обработкой материала, позволяющей управлять стехиометрией оксида.

БпОг-х» наряду с другими нестехиометрическими оксидами, в ближайшее время может стать базовым материалом для новых элементов компьютерной энергонезависимой памяти, т.н. мемристоров [1-3]. Мемристоры меняют свое электрическое сопротивление под действием проходящего через них тока.

Они обладают эффектом памяти, имеют нелинейную вольт-амперную характеристику и частотно зависимый гистерезис. Механизм функционирования мемристоров основан на миграции кислородных вакансий под действием приложенного электрического поля. Разработчики мемристоров из Hewlett Packard считают, что к 2012 году эти устройства начнут заменять собою флеш-память, в 2014-2016— оперативную память и жесткие диски.

В топливных элементах, на которые возлагаются большие надежды в структуре энергосберегающей и экологически чистой экономики ближайшего времени, также- могут быть, применены .материалы на основе оксида олова. Основной проблемой высокотемпературных топливных элементов является твердотельный электролит, разделяющий анодное и катодное пространство. К нему предъявляются жесткие требования по долговременной стабильности и. максимальной величине подвижности ионов

• I кислорода. Системы на основе нестехиометрического оксида олова имеют большие перспективы в этой области.

С наличием вакансий кислорода в Sn02 связаны» и другие возможности-применения этого материала1. Разбавленные твердые растворы на его основе, например состава Sno.95Coo.o502-x, обладают не только полупроводниковыми, но и магнитными свойствами, сочетание которых требуется в устройствах спинтроники. В случае разбавленных магнитных полупроводников на основе Sn02 с малыми добавками^ Go, Fe, Мп и т.д., спиновое упорядочение удаленных друг от друга магнитных атомов осуществляется по механизму косвенного обменного взаимодействия, в котором определяющую роль играют парамагнитные кислородные вакансии Sn02 [4-7].

Перечисленные выше примеры использования Sn02 показывают, что функциональные свойства оксида обеспечиваются различной степенью его нестехиометричности по кислороду. Поэтому для разработки новых устройств на основе Sn02 и оптимизации их работы необходимы исследования как процессов дефектообразования в этом оксиде, так и структуры локализованных состояний в запрещенной зоне полупроводника, которые созданы этими дефектами.

Основное внимание в диссертации уделено пленкам 8пОх, полученным методом термического окисления тонких слоев металлического олова. Этот метод позволяет формировать плотные, беспримесные пленки (без остатков прекурсоров). Среди других методов он имеет наибольшую практическую значимость, т.к. хорошо согласуется? с групповыми технологиями микроэлектроники, например, с литографическими процессами.

Пленочные образцы, нанесенные магнетронным методом;; являются? удобным объектом для исследования оптических и электрофизических свойств в системе Бп-О. Магнетронным методом распыления металла можно приготовить, хорошо воспроизводимые по качеству и толщине: пленочные образцы на любых термостойких подложках. Далее- металлические слои окисляются на воздухе при фиксированных.температурах и; временах отжига. Точный контроль этих двух параметров позволяет получать окислы с воспроизводимыми- характеристиками. При- термическом окислении металлических слоев; олова система Бп-О непрерывно проходит все возможные фазовые состояния, соответствующие степеням окисления олова -Эп0, 8пО+2, 8п+4. Кроме того, система, проходит состояния с различной стехиометрической дефектностью, этих фаз. Особенно большие: отклонения от стехиометрии будут наблюдаться вблизи точек фазовых переходов. Все это является важным? преимуществом» метода, так как материалы с контролируемой степенью; окисления; и; дефектности могут представлять практический и научный интерес для материаловедения, физики полупроводниковой конденсированного состояния.

Необходимым условием для создания различных приборов твердотельной электроники и оптоэлектроники является монокристаллическое строение функционального материала. В диссертации эта задача решена с помощью метода газового транспорта, который позволяет получать совершенные по качеству нитевидные монокристаллы с соотношением длины к поперечному сечению 103-104. Диаметр полупроводниковых нитей может быть менее 10-20 нм, что уже сравнимо с длиной волны де-Бройля для электрона в полупроводнике (1-10 нм при 300 К). В этих условиях движение электронов приобретает одномерный квантовый характер. Такие квази-lD системы имеют перспективы применения в быстродействующих устройствах микро- и наноэлектроники, различных оптоэлектронных и сенсорных устройствах. В отличие от поликристаллических материалов, в нанонитях Sn02 практически отсутствуют структурные дефекты, что определяет близкие к предельным характеристики нитей такие, как оптическая прозрачность, механическая прочность, подвижность носителей заряда и т.д. Особенности получения и некоторые физические свойства нитевидных монокристаллов Sn02, а также гетероструктур на их основе рассматриваются в настоящей работе.

Все вышесказанное позволяет констатировать, что ряд фундаментальных и прикладных свойств оксида олова определяются наличием дефектов по стехиометрии, кристаллической структурой и морфологией. Этим , взаимосвязям посвящена настоящая диссертация.

Работа выполнена в соответствии с тематическим планом НИР • Воронежского госуниверситета.

Методы исследований.

Для исследования характеристик и свойства образцов SnOx были использованы следующие методы:

-Фазового анализа образцов с использованием электронной и рентгеновской дифракции;

- Рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS) и спектроскопии 4 поглощения вблизи главного края (XANES - X-ray absorption near edge structure) с использованием синхротронного излучения;

- Растровой и просвечивающей электронной микроскопии;

-Оптической спектроскопии в УФ области с использованием методик на пропускание и диффузного отражения;

-Фотолюминесценции с использованием возбуждающего УФ лазерного излучения;

-Электрофизические методы исследования образцов на постоянном и Л переменном токе в диапазоне частот 10" -10 Гц. Электрофизические исследования образцов БпОх проводились в условиях адсорбции модельных газов (02, Аг, Н2) и различных температур.

Объекты исследований.

Объектами исследований являлись образцы 8п02 с различной. стехиометрией, кристаллической формой и размерами кристаллов:

- пленочные образцы 8п02, полученые термическим окислением слоев металлического олова;

- коммерческие порошкообразные образцы 8п02 и 8пО;

- образцы 8п02, полученные золь-гель методом из прекурсоров 8пС12, 8ПС14, 8п(асе1а1:)2; образцы 8п02, полученные термическим окислением порошкообразного 8пО;

- образцы 8п02, полученные методом лазерной абляции;

- образцы 8п02, полученые методом газотранспортного синтеза, которые имеют различное морфологическое строение (объемные монокристаллические, нитевидные, лентовидные, фракталоподобные и т.д.)

- образцы 8п02, полученные путем окисления металлического олова азотной кислотой.

Цель работы: установление закономерностей влияния дефектообразования в системе Sn — О на электрофизические и оптические свойства широкозонного полупроводника S11O2 различных наноформ в зависимости- от технологии получения.

В задачи исследования входило:

1. Разработка метода получения тонких слоев SnOx различной дефектности и фазового состава путем управления технологическими параметрами.

2. Получение образцов SnOx различных морфологических форм с использованием технологий, альтернативных тонкопленочным, в том числе нитевидных кристаллов и нитевидных гетероструктур.

3. Характеризация полученных образцов методами РФА (рентгено-фазового анализа), РЭМ и ПЭМ (растровой, и просвечивающей' электронной микроскопии),- XPS (X-ray photoelectron spectroscopy) и XANES (X-ray absorption near edge structure).

4. Определение температурных зависимостей проводимости образцов в, условиях адсорбции- модельных газов- 02, Аг, Н2 на постоянном токе.

5. Установление кинетических характеристик резистивного отклика образцов с различной дефектностью в условиях воздействия модельных газов.

6. Определение электрофизических характеристик полученных образцов с использованием импедансометрии в диапазоне частот 10"2-107 Гц в условиях адсорбции модельных газов.

7. Определение оптических характеристик образцов SnOx различных наноформ в зависимости от технологических методов и условий их получения.

• 11 Научная новизна представленных в работе результатов:

1. Установлена немонотонная зависимость изменения сопротивления нанослоев металлического одова в процессе их окисления. Предложена модель процесса окисления слоев, основанная на изменении величины межкристаллитных барьеров в пленке и степени её дефектности по стехиометрии.

2. Впервые обнаружена сильная полоса поглощения в оптических спектрах недоокисленных пленок 8п02.х в УФ диапазоне, обусловленная наличием кислородных вакансий в нестехиометрическом окисле 8п02.х.

3; Впервые обнаружены особенности спектров электрического импеданса пленочных образцов БпОг-х в; низкочастотной области (0.01-1 кГц). Предложена и обоснована вакансионная модель дефектов! стехиометрии 8п©2-х,соответствующаяшаблюдаемым; явлениям.

4. Установлены закономерности роста различных морфологических форм кристаллов . в зависимости от условий газотранспортного синтеза (температуры, газовой среды,.состава шихты).

5. Определены.параметры сопряжения кристаллических решеток нитевидных гетероструктур 1п203/8п02, полученных методом газотранспортного синтеза.

6. Обнаружена особенность спектров * ХАМЕЗ- в энергетической области запрещенной: зоны 8п02, интерпретированная как проявление локальных уровней поверхностных вакансий-кислорода.

7. Предложена модель локализованных; состояний в запрещенной зоне 8п02, основанная на совокупности данных электрофизических, фотолюминесцентных и рентгено-спектральных (ХАЫЕБ) исследований.

Практическая значимость исследований:

Установленные в работе закономерности, термодинамические параметры и режимы получения различных образцов 8п02, а также выявленные особенности их оптических и электрофизических характеристик являются; необходимым и важнейшим этапом создания новых функциональных материалов для оптических, электронных, оптоэлектронных приборов и устройств.

Основные положениями результаты, выносимые на защиту:

1. Методы и режимы формирования полупроводниковых нанослоев 8п02.х с различной дефектностью по стехиометрии, регулируемой технологическими параметрами.

2. Механизм окисления нанослоев олова, учитывающий немонотонные изменения величины межкристаллитных барьеров и степень дефектности 8пОг при увеличении температуры окислительного отжига.

3. Модель электропроводности: тонких пленок 8пОх,. включающая ионный, барьерный и прыжковый механизмы.

4. Интерпретация, особенностей: оптических спектров нестехиометрического диоксида олова, основанная; на поглощении; УФ излучения состояниями, локализованными- вблизи дна зоны: проводимости; которые- определяются объемными вакансиями кислорода.

5. Модель электронно-энергетической структуры валентной, запрещенной зоны и зоны проводимости ЭпОх, построенная на основании рентгеновской спектроскопии ХАМЕЗ и; ХЕЭ с использованием синхротронного излучения. Интерпретация вакансионной, природы локального уровня: в запрещенной зоне 8п©2, обнаруженного в спектрах ХАЫЕ8 и в оптических спектрах.

6. Технологические режимы., газотранспортного- синтеза, позволяющие получать,нитевидные кристаллы:8п©2 с заданными свойствами и нитевидные гетероструктуры 1п2©з/8п©2. Кристаллографические характеристики нитевидных кристаллов 8пОг и гетероструктур1п2Оз/8п02.

Достоверность и. надежность результатов диссертационной работы обеспечивается: комплексом взаимодополняющих друг Друга современных экспериментальных, методов и корректным их использованием; сравнением и анализом свойств образцов;, которые получены различными технологическими методами; воспроизводимостью характеристик исследуемых объектов,, многократной экспериментальной проверкой результатов измерений, использованием метрологически аттестованной измерительной техники; использованием расчетных и фундаментальных теоретических представлений при интерпретации экспериментальных результатов настоящей работы; сопоставлением и непротиворечивостью полученных экспериментальных результатов и выводов имеющимся литературным данным.

Публикации и апробация работы.

По теме диссертации опубликовано более 100'печатных работ, из них 33 статьи опубликованы в изданиях, соответствующих перечню ВАК РФ рецензируемых научных журналов и изданий, в- которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертации на соискание I ученой степени доктора наук. В работах полностью* отражено основное содержание, результаты и выводы, сформулированные в. диссертации. Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на Всероссийских и Международных конференциях. Результаты исследований используются в учебном процессе для подготовки специалистов в области нанотехнологий. По материалам диссертации выпущено 3 учебных пособия,1 I включая» 1 учебное пособие с грифом УМО (МГУ). По прикладной^ част» i исследований получен 1 патент РФ. Личный вклад^автора.

В' диссертационную работу включены, результаты исследований, выполненных автором лично илюв соавторстве во время? его научной работы г 1 в Воронежском государственном университете. I

Автором были поставлены цель и задачи исследования, определены пути их решения, предложены« и< разработаны методики экспериментов, изготовлены образцы? для экспериментов, выполнен анализ результатов их исследований, сформулированы выводы по представленной работе. Кроме того, автором лично выполнена основная часть экспериментов, результаты которых представлены в диссертации.

Научные гранты и программы, имеющие непосредственное отношение к выполнению настоящей работы: проект INTAS (project №: 93-2483, Study of semiconductor materials in order to develop the material synthesis methods for low cost detection systems). проект ФЦП «Индустрия наносистем и материалов» (гос. контракт № 02.513.11.3059 «Твердотельные наноструктуры для электронной и оптической техники нового поколения») 2007 г. проект ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России», (гос. контракт П896 от 18.08.2009 «Тонкопленочные газовые сенсоры на основе наноразмерных гетероструктур металл/оксидный полупроводник»)*2009-20Г1 г. проект CRDF (Волновые процессы в- неоднородных' и нелинейных средах) 2001-2007 г. проект CRDF RUXO-010-VZ-06/BP1M10 (Нелинейные явления в наноразмерных структурах вещества при воздействии внешних полей) 20062007 г. гранты РФФИ:

03-03-96502-р2003цчра (Самоорганизующиеся . наноразмерные гетероструктуры металл-широкозонный полупроводник) 2003-2005 г.

05-03-96414-рцчра (Синтез нанокомпозитов в системе SnOx с нелинейными электрофизическими свойствами) 2005-2005 г.

08-03-99010-рофи (Синтез и функциональные свойства нитевидных нанокристаллов оксидных полупроводников) 2008-2009 г. грант VZ-010 по совместной программе CRDF и Минобразования «Фундаментальные исследования и высшее образование» (2005-2007 г.).

Структура и объем диссертации.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, содержащего основные результаты и выводы, и списка цитируемой литературы. Объем диссертации составляет 273 страницы, в том числе 132 рисунка и 9 таблиц. Список литературы содержит 278 библиографических ссылок.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Рябцев, Станислав Викторович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Предложен и обоснован механизм окисления в воздушной среде тонких пленок олова, включающий две стадии: низкотемпературную стадию формирования бездефектной оболочки БпОг на металлических кристаллитах и высокотемпературную стадию: формирования дефектного по стехиометрии Sn02-X за счет диффузии, ионов олова из внутренних областей кристаллитов к наружным.

2. Установлены; закономерности влияния дефектообразования в системе Sn - О для тонкопленочных образцов; на электрофизические и оптические свойства широкозонного полупроводника БпОг в.- условиях; контролируемого термического окисления: в УФ спектрах Sn02x обнаружена интенсивная! полоса поглощения, обусловленная; локальными уровнями вакансий кислорода; в спектрах импеданса;SnO^-x обнаружена специфическая особенность (импеданс Варбурга); в низкочастотной области (0.001-1 кГц), характеризующая подвижность кислородных вакансий (ионно-миграционнаяшоляризация).

3. Определены механизмы токопереноса (ионный, барьерный, прыжковый) в тонкопленочных образцах; окисленных при различных.температурах, и частотные интервалы; характеризующие каждый из указанных механизмов.

4. Предложена энергетическая модель локализованных состояний объемных и поверхностных вакансий кислорода в запрещенной зоне Sn02 на, основе данных электрофизических, оптических и рентгено-спектральных XANES исследований. Уровни объемных вакансий кислорода расположены на глубине 0.04-0.15 эВ, уровни поверхностных вакансии кислорода на глубине ~ 2.5 эВ под зоной проводимости.

5. Синтезированы нитевидные нанокристаллы Sn02 и установлены закономерности их роста в зависимости от условий газотранспортного синтеза (температуры, газовой среды, состава шихты). Синтезированы нитевидные гетероструктуры In203/Sn02, определены их кристаллографические характеристики и параметры сопряжения кристаллических решеток тетрагонального 8п02 и кубического 1п203. 6. Показано на примере различных наноформ 8п02, полученых различными методами, что именно метод термического окисления нанослоев олова дает возможность эффективного управления дефектностью по стехиометрии 8п02 и перспективен для применения в твердотельной электронике и оптоэлектронике.

Автор диссертации выражает глубокую благодарность научному консультанту Заслуженному деятелю науки РФ, д.ф.-м.н., профессору Домашевской Э.П., а также всем соавторам совместных научных публикаций за плодотворное сотрудничество и помощь в выполнении работы.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Рябцев, Станислав Викторович, 2011 год

1. http://en.wikipedia.org/wiki/Memristor

2. Strukov D.B. The missing memristor found / D.B. Strukov, G.S. Snider, D.R. Stewart, R.S. Williams //Nature Letters. 2008. - V. 453. - P. 80-83.

3. Strukov D.B. Coupled Ionic and Electronic Transport Model of Thin-Film Semiconductor Memristive Behavior / D.B. Strukov, J.L. Borghetti, R. S. Williams // Small. 2009. - 5\ - № 9. - P. 1058-1063.

4. Kikoin K. On the nature of ferromagnetism in non-stoichiometric Ti02 doped with transition metals / K. Kikoin, V. Fleurov //Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2007. - № 310. - PI 2097-2098.

5. Coey J.M.D. Ferromagnetism in Fe-doped Sn02 thin films / J.M.D. Coey, A.P. Douvalis, C.B. Fitzgerald, M. Venkatesan //Appl. Phys. Lett. 2004. - V. 84. - № 8. -23. -P.1332-1334.

6. Kimura H. Rutile-type oxide-diluted magnetic semiconductor: Mn-doped Sn02 / H. Kimura,T. Fukumura, M. Kawasaki, K. Inaba, T. Hasegawa, H. Koinuma // Appl. Phys. Lett. V. 80. - 2002. - № 1. - 7. - P. 94-96.

7. Химическая энциклопедия: В 5 т.: т. 3, с. 382: Редкол.: Кнунянц И. Л. и др. — М.: Большая Российская энцикл., 1992.- 639 с.

8. Ковстад П. Отклонения от стехиометрии, диффузия' и электропроводность в простых окислах металлов / П. Ковстад. М.: Мир, 1975. 388 с.

9. Ю.Лазарев В.Б. Электропроводность окисных систем и пленочных структур / В.Б. Лазарев, В.Г. Красов; И.С. Шаплыгин. М.: Наука, 1979. — 168 с.

10. Лазарев В.Б. Химические и физические свойства простых оксидов металлов / В.Б. Лазарев, В.В. Соболев, И.С. Шаплыгин. М.: Наука, 1983. - 239 с.

11. Moreno М. S. Kinetic study of the disproportionation of tin monoxide / M. S. Moreno, G. Punte, G. Rigotti, R: C. Mercader, A. D. Weisz, M. A. Blesa. // Solid State Ionics. 2001. - 144. - P. 81-86.

12. Geurts J. Thin Solid Films, SnO films and their oxidation to Sn02: Raman scattering, IR reflectivity and X-ray diffraction studies / J. Geurts, S. Rau, W. Richter, F.J. Schmitte // Thin Solid Films. 1984. - V. 121. - P. 217-225.

13. Lawson F. Tin 0xide-Sn304/ F. Lawson // Nature. 1967. - 215. - P. 955-956.

14. Gauzzi F., Verdini В., Maddalena A., Principi G., Inorg. Chim. Acta 104 (1985) p.l., A.F. Hollemann, E. Wiberg, Lehrbuch der anorganischen Chemie, Walter de Gruyter, Berlin, 1995. S. Cahen, N. David, J.M. Fiorani, A. Maire, M. Vilasi,

15. Thermochim. Acta 403 (2003) 275.

16. Kolmakov Andrei. Topotactic Thermal Oxidation of Sn Nanowires: Intermediate Suboxides and Core-Shell Metastable Structures / Andrei Kolmakov, Youxiang Zhang, and Martin Moskovits // Nano Lett. 2003. - V. 3. - № 8. - P. 1125-1129.

17. Moreno M.S. Study of intermediate oxides in SnO thermal decomposition / M.S. Moreno, R.C. Mercader, A.G. Bibiloni. // J. Phys.: Condens. Mater. 1992. - 4. -P. 351-355. '

18. Moreno M.S. Cation nonstoichiometry in tin-monoxide-phase Sn^O with tweed microstructure / M. S. Moreno, A. Varela, L. C. Otero-Díaz // Phys. Rev.B. -1997. V. 56.-№9.-P. 5186.

19. Moreno M.S . Study of intermediate oxides in SnO thermal decomposition / M.S. Moreno, R.C. Mercader, A.G. Bibiloni // J. Phys.: Condens. Mater. 1992. - 4. -P. 351-355.

20. Peltzer E.L. Calculated static and dynamic properties of P-Sn and Sn-O compounds / E.L. Peltzer, A. Svane, N.E. Christensen, C.O. Rodriquez, O.M. Cappannini, M.S. Moreno // Phys. Rev. B". 1993. - V. 48. - № 21. - P. 1571215718.

21. Kobayashi T. Process of crystallization in thin amorphous tin oxide film / T. Kobayashi, Y. Kimura, H. Suzuki, T. Sato, T. Tanigaki,Y. Saitob, C. Kaito // Journal of Crystal Growth. 2002. - 243. - P: 143-150.

22. Левинский Ю.В. р-Т-х-диаграммы состояния двойных металлических систем: Справ, изд. в 2-х книгах. Кн.2 / Левинский Ю.В. М.: Металлургия, 1990.-400 с.

23. Agekyan V.T. Spectroscopic properties of semiconductor crystals with direct forbidden energy gap / V.T. Agekyan // Phys. Status Solidi. 1977. - V.43. -1. 1. -P. 11-42.

24. Агекян В.Ф. Экситон-фононные переходы-в двуокиси олова / В.Ф. Агекян, И.П Ширяпов, Л.В. Орешникова // Физика твердого тела, 16, 2473, (1974)

25. Агекян.В.Ф. Спектр поглощения Sn02 в магнитном и электрическом полях/ В.Ф. Агекян // Оптика и спектроскопия, 29, 916 (1970).

26. Агекян В.Ф., Свободные и связанные экситоны в двуокиси олова поглощение и люминесценция* / В.Ф. Агекян, В.Х. Байрамов, 3. М. Хашхожев.//Физ.тв.тела, 17, 3062 (1975).

27. McRoberts R.D. Thermoabsorption in Sn02 / R.D. McRoberts, C.G. Fonstad, D. Hubert // Phys. Rev.B. 1974. - V. 10. - № 12. - P. 5213-5219.

28. Nagasawa M. Properties of Oxidized Sn02 Single Crystals / M. Nagasawa, S. Shionoya //Jpn. J. Appl. Phys. 1971. - 10. - P. 727-731.

29. Robertson J. Electronic structure of Sn02, Ge02, Pb02, Te02, and MgF2 / J. Robertson // J. Phys. C: Solid State Phys. 1979. - V. 12. - P. 4767-4776.

30. Gobby P. L. The UPS measurements are done by. / Gobby P. L., Lapeyre G. J. // Proc. 13th. Conf. Phys. Semicond. 1976. -Rome. - P.150.

31. Robertson J. Band structure of functional oxides by screened exchange and the weighted density approximation / J. Robertson , K. Xiong , S. J. Clark // Physica status solidi (b). 2006. - V. 243. - Issue 9. - P. 2054 - 2070.

32. Robertson J. Band gaps and defect levels in functional oxides / J. Robertson, K. Xiong, S.J. Clark // Thin Solid Films. 2006. - 496. - P. 1-7.

33. Mishra K.C. Electronic structure of antimoni-doped tin oxide / K.C. Mishra, K.H. Jonson, P.C. Schmidt // Phys. Rev. B. 1995. - V. 51 - № 20. - P. 13972.

34. Roman L.S. Optical band-edge absorption of oxide compound Sn02. / L.S. Roman, R. Valaski, C.D. Canestraro, E.C.S. Magalhaes, C. Persson, R. Ahuja, E.F. da Silva Jr., I. Pepe, A. Ferreira da Silva // Applied Surface Science. — 2006. -252.-P. 5361-5364.

35. Batzill M. Review. The surface and materials science of tin oxide / M. Batzill, U. Diebold // Progress in Surface Science. 2005. - 79. - P. 47-154.

36. Marley J.A. Electrical properties of stannic oxide single crystals / J.A. Marley, R.C. Dockerty // Phys. Rev. 1965. - 140. - A 304.

37. Wan Q. Doping-dependent electrical characteristics of Sn02 nanowires / Q: Wan, E. Dattoli and W. Lu // Small. 2008. - V. 4. - № 4. - Pi 451-454.

38. Button K.J. Determination of the Electron Masses in Stannic Oxide by Submillimeter Cyclotron Resonance / K.J. Button, C.G. Fonstad, W. Dreybrodt // Phys. Rev. B. 1971. - V. 4. - № 12. - P. 4539-4542.

39. Dominguez J.E. Epitaxial Sn02 thin films grown on sapphire by femtosecond pulsed laser deposition / J. E. Dominguez, X. Q. Pan,L. Fu, P. A. Van Rompay, Z. Zhang, J. A. Nees, P. P. Pronko // J. OF Appl. Phys. 2002. - V. 91. - № 3.

40. Mizusaki J. High temperature gravimetric study on nonstoichiometry and oxygen adsorption ofSn02/J. Mizusaki, H. Koinuma, J. I. Shimoyama, M. Kawasaki and K. Fueki // J. Solid State Chem. 1990. - V. 88. - Issue 2. - P. 443-450.

41. Prins M. W. J. Grain-boundary-limited transport in semiconducting Sn02 thin films:Model and experiments / M. W. J. Prins, K.-O. Grosse-Holz, J. F. M. Cillessen, L. F. Feiner // J. Appl. Phys. 1998. - 83 (2). - P. 888-893.

42. Shanthi S. Electrical and optical properties of undoped and antimony tin oxide films / S. Shanthi, V. Dutta, A. Banerjee, K.L. Chopra // J.Appl. Phys. 1980. - 51 (12).-P. 6243-6251.

43. Chopra K. L. Transparent conductors-a status review / K. L. Chopra, S. Major, D.

44. К. Pandya // Thin Solid Films. 1983. - 102.

45. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках / Ж. Панков. М., «Мир», 1973.-456 с.

46. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников / Ю.И. Уханов. М., «Наука», 1977.— 368 с.

47. Пихтин А.Н., Оптическая и квантовая электроника: Учеб. Для вузов / А.Н. Пихтин. М.: Высш.шк., 2001. - 573 с.

48. Burstein Е. Anomalous optical absorption limit in InSb / E. Burstein // Phys. Rev. 1954. - V. 93. - P. 632 - 633.

49. Sanon G. Band-gap narroving and band structure in degenerate tin oxide (Sn02) films / G. Sanon, R. Rup, A. Mansingh // Phys. Rev. B. 1991. - V. 44,'№ 11.-P. 5672 - 5680.

50. Shanthi E. Electrical and optical properties of undoped and antimony-doped tin oxide films / E. Shanthi, V. Dutta, A. Banerjee, K. L. Chopra // J. Appl: Phys. -1980.- V. 51.-Issue 12. P. 6243-6251.

51. Shanthi E. Electrical and optical properties of tin oxide films doped with F and (Sb+F) / E. Shanthi, A. Banerjee, У. Dutta, K. L. Chopra // J. Appl. Phys. 1982. -V. 53. - Issue 3.-P. 1615-1621.

52. Hamberg 1. Evaporated Sn-doped 1п20з films: Basic optical properties and applications to energy-efficient windows /I. Hamberg, C. G. Granqvist // J. Appl. Phys. 1986. - У. 60.-Issue 11. - P. R123-R160.

53. Feng Gu. Luminescence of Sn02 thin films prepared: by spin-coating method / Feng Gu, Shu Fen Wang, Meng Kai Lii, Xiu Feng Cheng, Su Wen Liu, Guang Jun Zhou, Dong Xu, Duo Rong Yuan // Journal of Crystal Growth. 2004. - 262. - P. 182-185.

54. Dolbec R. Microstructure and physical properties of nanostructured tin oxide thin films grown by means of pulsed laser deposition / R. Dolbec, M.A. El Khakani, A.M. Serventi, M. Trudeau, R.G. Saint-Jacques // Thin Solid Films. 2002. - 419. -P. 230-236.

55. Feng Yi-Si. Preparation and Optical Properties of Sn02/Si02 Nanocomposite / Feng Yi-Si, Yao Ri-Sheng, Zhang Li-De // Chin.Phys.Lett. 2004. - V. 21. - № 7. -P. 1374-1376.

56. Хауффе К. Реакции в твердых телах и на их поверхности / К Хауфе. М.: ИИЛ, 1962. -ч. 1.-414 с.-1963.-ч.2.-275 с.

57. Nelson R.L. Electronic spectra of the surfaces of alkaline earth oxides / R. L. Nelson and J. W. Hale // Discuss. Faraday Soc. 1971. - 52., P. 77-88.

58. Henrich У.Е. Energy-dependent electron-energy-loss spectroscopy: Application to the surface and bulk electronic structure of MgO / У.Е. Henrich, G. Dresselhaus,

59. H.J. Zeiger // Phys. Rev.B. 1980. - 22. - P: 4764 - 4775.

60. Wu M.C. Electron-energy-loss-spectroscopy studies of thermally generated defects in pure and lithium-doped MgO(lOO) films on Mo(100) / M.C. Wu, C.M. Truong, D.W. Goodman // Phys. Rev.B. 1992. - 46. - P. 12688 - 12694.

61. Авдеев В.И. Электронная структура и оптические свойства поверхностных F-центров оксида MgO. Теоретический анализ методом DFT / В.И. Авдеев, Г.М. Жидомиров // Журнал структурной химии. -2003. Т. 44. - № 6. - С. 995-1004.

62. Shvets V.A. On the nature of the luminescence centres on MgO surface / V. A. Shvets, A. V. Kuznetsov, V.A. Fenin, V.B. Kazansky // J. Chem. Soc. Faraday Trans. 1.- 1985.-81.-P. 2913-291.

63. Chen Y. Defect Cluster Centers in MgO / Y. Chen, R.T. Williams, W.A. Sibley // Phys. Rev. 1969: - 182. - P. 960 - 964.

64. Васильев Р.Б. Неорганические структуры как материалы для газовых сенсоров / Р.Б. Васильев, Л.И. Рябова, М.Н. Румянцева, A.M. Гаськов // Успехи химии.-2004.-Т. 73, № 10.-С. 1019-1038.

65. Волькенштейн Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции / Ф.Ф. Волькенштейн. М.: Наука, 1987. - 345 с.

66. Brattain W.H. Surface properties of germanium / W.H. Brattain, J. Bardeen // Bell. Syst. Technol. J. 1953. - V. 32. - P.l-32.

67. Мясников И.А. Полупроводниковые сенсоры в физико-химических исследованиях / И.А. Мясников, В.Я". Сухарев, Л.Ю. Куприянов, С.А. Завьялов. М.: Наука, 1991. - 327 с.

68. Миркин Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов / Л.И. Миркин. -М.: Физматгиз, 1961. -863 с.

69. Немошкаленко В.А. Теоретические основы рентгеновской эмиссионной спектроскопии / В.А. Немошкаленко, В.Г. Алешин. Киев: Наукова думка, 1974.-376 с.

70. Sberveglieri G. A new technique for growing large surface area Sn02 thin film (RGTO technique) / G. Sberveglieri, G. Fagliat, S. Groppelli'r, P. Nellit, A. Camanzil // Semicond. Sci. Technol. 1990. - V. 5. - P. 1231-1233.

71. Шкловский Б.И. Электронные свойства легированных полупроводников / Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос // М., Наука, 1979.

72. Stauffer D. Introduction to Percolation Theory / D. Stauffer, A. Aharony // Taylor & Francis, 2003.-182 c.

73. Bachels T. Melting of Isolated Tin Nanoparticles / T. Bachels, H-J Guntherodt, R. Schafer // Phys. Rev. Let. 2000. - У. 85. - No. 6. - P. 1250-1253.

74. Petri tz R. L. Theory of Photoconductivity in Semiconductor Films / R. L. Petritz //

75. Phys. Rev.-1956.-V. 104.-P. 1508-1516.

76. Химическая энциклопедия:В 5 т.: т. 3, с. 382: Редкол.: Кнунянц И. Л. (гл. ред.) и др. М.: Большая Российская энцикл., 1992.-639 с.

77. Rantala Т. Computational approaches to the chemical sensitivity of semiconducting tin dioxide / T. Rantala, V.Lantto, T.Rantala // Sensors and Actuators B. -1998. V. 47. -P. 59-64.

78. Dong Z. Pressure-induced morphology-dependent phase transformations of nanostructured tin dioxide / Z. Dong, Y. Song // Chemical Physics Letters.- 2009. -V. 480. P.90-95.

79. Lamelas F. J. Thin-Film Synthesis of the Orthorhombic Phase of Sn02 / Lamelas F. J., Reid S. A. // Phys. Rev. B. 1999. - V. 60. - P. 9347.

80. Shek С. H. Nanomicrostructure, chemical stability and abnormal transformation in ultrafine particles of oxidized tin,/ С. H. Shek, J. K. L. Lai, G. M. Lin, Y. F. Zheng, W. H. Liu // J. Phys. Chem. Solids. 1997. - V. 58. - P. 13-17.

81. WangL. B. Electron beam induced crystallization in Fe-doped SnC>2 nanoparticles / Lu Bin Wang, Changsui Zhang Yuheng // Appl. Phys. Lett. 1997. - V.70. - P. 717-719.

82. Fan H. Phase Transformations in Pulsed Laser Deposited Nanocrystalline Tin Oxide Thin Films / H. Fan, S. A. Reid // Chem. Mater. 2003. - V.15. - P.564-567.

83. Ховив A.M. Лазерный метод формирования оксидных покрытий на поверхности проводящих твердых тел. (монография) / A.M. Ховив // Воронеж: Изд-во Воронеж, ун-та ,1997. с.97.

84. Logacheva V.A. Self-Organization upon The Formation of Oxides on Thin Tin Films / V.A. Logacheva, E.V. Kasatkina, A.M. Khoviv // Non-Ferrous metals. -2006.-№4.-P.21-23.

85. Окисление металлов. // Под ред. Бенара Ж.М.: Металлургия, 1969. - 318 с.

86. Кубашевский О. Окисление металлов и сплавов / Кубашевский О., Гопкинс Б. // Пер с англ. 2-е изд. М.: Металлургия, 1965. С. 428 с. Kubaschewski, О., Hopkins, В.Е. : "Oxidation of Metals and Alloys", Butterworths, London, 1967.

87. Францевич И.Н. Высокотемпературное окисление металлов и сплавов / И.Н.

88. Францевич, В.Ф. Войтович; В.А. Лавренко // К.: Гостехиздат, 1963 357 с.

89. Кофстад П. Высокотемпературное окисление металлов // Под ред. О. П. Колчина.-М: Мир, 1969.-392 с.

90. Кофстад,П. Отклонение от стехиометрии, диффузии и электропроводность в простых окислах металлов И Пер. с англ., М., 1975. 396 с.

91. Cabrera N. Theory of oxidation of metals / N. Cabrera, N.F. Mott // Rep. Progr. Phys. 1948. - V. 12. - P. 163-170.

92. Cabrera N. Semiconductor Surface Physics / N. Cabrera // Penn. Univ Press., 1957.-P. 332.

93. Хауффе К. Реакции в твердых телах и на их поверхности / К .Хауффе // Ml: ИИЛ., ч.1 1962-414 е., 4.2 1963-275 с.

94. Т. В. Grimley, В. М. W. Trapnell, Proc. Roy. Soc. (London) А 234,,405 (1956)

95. Wagner C. The Formation of thin Oxide Films on Metals Corrosion / C. Wagner // Science. 1973. - Vol. 13. - P. 23.

96. Богданов К.П. Равновесие собственных точечных дефектов в диоксиде олова / К.Г1. Богданов, Д.П. Дмитров, О.Ф: Луцкая, Ю.М. Таиров // ФТП. 1998. -Т. 32.-№ 10.- С. 1158. "

97. Moreno М. S. Cation nonstoichiometry in tin-monoxiderphase with; tweed microstructure / M. S. Moreno; A. Varela,, L. C. Otero-Di'az // Phys. Rev. B. -1997. V.56. -N.9. - P. 5186-5192.

98. Chen Z. W. Insights into^^microstructural;volutionfrom nanocrystalline:Sn02:thinfilms prepared by pulsed laser deposition / Z. W. Chen, J. K. L. Lai, С. H. Shek // Phys; Rev. Bi-2004.-V. 70.-1.165314-1-7: .

99. Дубинин. С.Ф. Упорядочение кислородных вакансий в монокристалле перовскита CaMn©3s / С.Ф. Дубинин, Н.Н. Лошкарева, С.Г. Теплоухов, Ю.П. Сухорукое, А.М: Балбашов; В.Е. Архипов, В'.Д: Пархоменко // ФТТ. 2005. -Т.47ю-В. 7. - С.1226-1231.

100. Дубинин, С.Ф. Магнитная структура кристалла СаМп02.75 с упорядоченными кислородными вакансиями / С.Ф. Дубинин, Н.Н. Лошкарева, С.Г. Теплоухов, А.В. Королев. Э:А. Нейфельд, В.Е. Архипов, В.Д. Пархоменко, Ю.П.

101. Сухоруков, A.M. Балбашов // ФТТ. 2006. - Т.48. - В. 8. - С. 1440-1446.

102. Poppelmeier K.R. CaMn02.75 and Ca2Mn03: New Oxygen-Defect Perovskite Type Oxides / K.R. Poppelmeier, M.E. Leonowicz, J.M. Longo // Solid State Chem. -1982. -V. 44.-No. 89.

103. Geurts J. Thin Solid Films, SnO films and their oxidation to Sn02: Raman scattering, IR reflectivity and X-ray diffraction^ studies / J. Geurts, S. Rau, W. Richter, F.J. Schmitte // Thin Solid Films. 1984. - V. 121. - P.217-225.

104. Suito K. High pressure synthesis of orthorhombic Sn02 / K. Suito, N. Kawai, Y. Masuda // Mater. Res. Bull. 1975. - V. 10. - P.677.

105. Moreno M. S. Electronic structure of tin oxides by electron energy loss spectroscopy and real-space multiple scattering calculations / M. S. Moreno, R. F. Egerton, J. J. Rehr, P. A. Midgley // Phys. Rev. B. 2005. - V. 71.-1. 035103.

106. Moreno M. S. Differentiation of tin oxides using electron energy-loss spectroscopy / M. S. Moreno,,R. F. Egerton, P. A. Midgley // Phys. Rev. В.- 2004.- V. 69.--I. 233304.

107. Moreno M. S. Mossbauer study of SnO lattice dynamics / M. S. Moreno and R. C. Mercader // Phys. Rev. В.- 1994. V. 50. -1. 9875.

108. Zanchet D. Anomalous Packing in Thin nanoparticle Supercrystals / D. Zanchet, M. S. Moreno, D. Ugarte // Phys. Rev. Lett. 1999.- V. 82: -I. 5277.

109. Koval S. Shell-model lattice dynamics and Mossbauer recoilless fraction of SnO / S. Koval, M. G. Stachiotti, R. L. Migoni, M. S. Moreno, R. C. Mercader, and E. L. Peltzer у Blanca // Phys. Rev. B. 1996. -V. 54. -I. 7151.

110. Peltzer у Blanca E. L.Calculated static and dynamic properties of P-Sn and Sn-0 compunds / E. L. Peltzer у Blanca, A. Svane, N. E. Christensen, С. O. Rodriguez, О. M. Cappannini, M. S. Moreno // Phys. Rev. B. 1993. - V. 48. -1.15712.

111. Moreno M. S. Crystallization study and hyperfine characterization of a Sn-0 thin film with mTa / M. S. Moreno, J. Desimoni, A. G. Bibiloni, M. Rentera, C. P. Massolo, K. Freitag //Phys. Rev. B. 1991. -V. 43. -1. 10086.

112. Moreno M. S. Search for aftereffects in tin oxide films / M. S. Moreno, A. G. Bibiloni, C. P. Massolo, J. Desimoni, and M. Rentera // Phys. Rev. B. 1989. - V. 40.1.2546.

113. Юраков Ю. А. Формирование оксидов олова в тонкопленочных структурах Sn/C/KCl(100) / Ю.А. Юраков, С.В. Рябцев, О. А. Чувенкова, Э.П. Домашевская, А. С. Никитенко, С.В. Канныкин, С.Б. Кущев // Кристаллография. -2009. -Т. 54. -№. 1. -С. 116-121.

114. Domashevskaya Е.Р. SnOx obtaining by thermal oxidation of nanoscale tin films in the air and its characterization \ E.P. Domashevskaya, S.V. Ryabtsev, Yu.A. Yurakov, O.A. Chuvenkova, V.M. Kashkarov, S.Yu. Turishchev, S.B. Kushev and

115. A.N. Lukin // Thin Solid Films. -2007. -V. 515. -Issue 16. -P. 6350-6355

116. Moreno М. S. Electronic structure of tin oxides by electron energy loss spectroscopy and real-space multiple scattering calculations / M: S. Moreno; R. F. Egerton, J. J. Rehr, P. A. Midgley // Physical Review B. 2005. - V. 71. - P. 035103.

117. Robertson J. Electron structure of Sn02, Ge02, Pb02, Te02 and MgF2. / J. Robertson // J. Phys. C. 1979: - V. 12. - P. 4767- 4776.

118. Турищев С.Ю: Синхротронные исследования образования окислов в нанослоях олова / С.Ю. Турищев, Ю.А. Юраков, С.В. Рябцев, О.А. Чувенкова,

119. B.М. Кашкаров, Э.П. Домашевская // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2007. - № 1. - С. 66-70.

120. Электронная и ионная спектроскопия твёрдых тел. / Под ред. Л. Фирмэнса, Дж Вэнника и В. Декейсера. М.: Мир, 1981. - 467 с.125. http://www.lasurface.com/database/elementxps.php

121. Bearden J.A. X-RayWavelengths / J. A. Bearden // Rev. Modern Phys. 1967. - V. 39.-P. 78.

122. Nagasawa Y. Photoemission study of the interaction of a reduced thin film Sn02 with oxygen / Y. Nagasawa, T. Choso, T. Karasuda, S. Shimomura, F. Ouyang, K. Tabata, Y. Yamaguchi // Surface Science. 1999. - V. 433-435. - P. 226-229i

123. Jerdev D.I. Oxidation of ordered Pt-Sn surface alloys by 02 / D.I. Jerdev, B.E. Koel // Surface Science. 2001. - V. 492. - P. 106-114.

124. Peltzer у Blanca E.L. Calculated static and dynamic properties of (3-Sn and Sn О compounds / E.L. Peltzer у Blanca, A. Svane, N.E. Christensen, C.O. Rodriguez and O.M. Cappannini, M.S. Moreno // Phys. Rev. Bi - 1993. - V. 48. - P. - 1571215718.

125. Sundaram K.B. Optical absorption studies on tin oxide films / К. B. Sundaram, G. K. Bhagavat // J. Phys. D. 1981. - V. 14.-P. 921 -925.

126. Chung Jae — Ho. Effect of low energy oxygen ion beam on optical and electrical characteristics of dual ion beam sputtered Sn02 thin films / Jae — Ho Chung, Yong Sahm Choe, Dae - Seung Kim // Thin Solid Films. - 1999.- - V. 349. - P. 126-129.

127. Домашевская Э.П. XPS-исследования нанослоев оксидов олова / Э.П. Домашевская, С.В. Рябцев, С.Ю. Турищев, В.М. Кашкаров, О.А. Чувенкова, Ю.А. Юраков // Известия Российской академии наук. Серия физическая. -2008. -Т. 72. -№. 4. -С. 536-541.

128. Domashevskaya Е.Р. SnOx obtaining by thermal oxidation of nanoscale tin films in the air and its characterization \ E.P. Domashevskaya, S.V. Ryabtsev, Yu.A. Yurakov, O.A. Chuvenkova, V.M. Kashkarov, S.Yu. Turishchev, S.B. Kushev and

129. A.N. Lukin // Thin Solid Films. -2007. -V. 515. -Issue 16. -P. 6350-6355

130. Турищев С.Ю. Синхротронные исследования образования окислов в нанослоях олова / С.Ю. Турищев, Ю.А. Юраков, С.В. Рябцев, О.А. Чувенкова,

131. B.М. Кашкаров, Э.П. Домашевская // Поверхность. Рентгеновские синхротронные и нейтронные исследования. -2007. -№.1. -С. 66-70.

132. Домашевская Э.П. Оптические свойства нанослоев Sn02-x / Э.П. Домашевская, С.В. Рябцев, Е.А. Тутов, Ю.А. Юраков, О.А. Чувенкова, А.Н. Лукин //ПЖТФ. -2006. -Т. 32. -Вып. 18. -С. 7-12.

133. Милославский М. // Оптика и спектроскопия. -1959.-7.-154.

134. Samson S. Defect structure and electronic donor levels in stannic oxide crystals / S. Samson, C.G. Fonstad // J. Appl. Phys. 1973. - V. 44. - № 10. - P. 4618.

135. Fonstad C.G. Electrical properties of high-quality stannic oxide crystals / C.G. Fonstad, R.H. Rediker // J. Appl. Phys. 1971. - V. 42. - № 7. - P. 2911.

136. Kilic C. Origins of coexistence of conductivity and transparency in Sn02 / C. Kilic, A. Zunger // Phys. Rev. Lett. 2002. - 88; - P. 095501.

137. Y.S. He, J.C.Campbell, R.C.Murphey, N.F.Arendt, J.S.Swinnea // Journal of Material Research. 1993.-8.-P. 3131.

138. Slater J. C. Barrier Theory of the Photoconductivity of Lead Sulfide / J. C. Slater // Phys. Rev. 1956. - 103. - P. 1631 - 1644.

139. Petritz R. L. Theory of Photoconductivity in Semiconductor Films / R. L. Petritz// Phys. Rev. 1956.- 104.-P. 1508-1516.

140. Popescu D.A. Nanosized tin dioxide : Spectroscopic-(UV-VIS, NIR, EPR) and electrical conductivity studies / D.A. Popescu; J-M. Herrmann, A. Ensuquea, F. Bozon-Verduraz // Phys. Chem. Chem. Phys. 2001. - 3. - P. 2522-2530.

141. Jarzebski Z.M. Physical properties of Sn02 materials. Optical properties / Z.M. Jarzebski, J.P. Marton//J. Electrochem. Soc. 1976. -V. 123. - P. 333.

142. Тутов EA. Детектирование-диоксида азота аморфными пленками триоксида вольфрама / Е.А.Тутов, С.В.Рябцев, А.Ю.Андрюков // ПЖТФ. -2000. Т. 26. -Вып. 3.-С. 38-43.

143. Шапошник A.B. Определение газов при совместном исследовании резистивных и шумовых характеристик полупроводниковых сенсоров / A.B. Шапошник, Р.Б. Угрюмов, B.C. Воищев, С.В. Рябцев // Журн. аналитической химии. 2005. - Т. 60. - № 4. - С. 420-424.

144. Шапошник A.B. Селективность полупроводниковых сенсоров с мембранными покрытиями / A.B. Шапошник, Н.С. Демочко, А.Г. Буховец, В.В. Котов, С.В. Рябцев // Сорбционные и хроматографические процессы. -2005. Т. 5. - Вып. 5. - С. 712-718.

145. Звягин A.A. Определение паров ацетона и этанола полупроводниковыми сенсорами / A.A. Звягин, В.А. Шапошник, С.В. Рябцев; Д.А. Шапошник, A.A. Васильев, И.Н. Назаренко // Журн. аналитической химии. -2010. -Т.65. -jYO 1.-С. 96-100.

146. Ryabtsev S.V. Application of semiconductor gas sensors for medical diagnostics/ S.V. Ryabtsev, A.V. Shaposhnick, A.N. Lukin, E.P. Domashevskaya // Sensor and Actuators B. 1999. - V. 59. - P. 26-29:

147. Рябцев С.В. Взаимодействие металлических наночастиц с полупроводником в поверхностно-легированных газовых сенсорах / С.В. Рябцев, Е.А. Тутов, E.H. Бормонтов, A.B. Шапошник, A.B. Иванов // ФТП. 2001. - Т. 35. - Вып. 7. - С. 869-873.

148. Morrison S.R. Selectivity in Semiconductor Gas Sensors / S.R. Morrison //

149. Sensors and Actuators , 1987, v. 12, p. 425-440.i

150. Yamazoe N. Effects of additives on semiconductor gas sensors / N. Yamazoe, Y. Kurokawa, T. Seiyama // Sensors and Actuators. 1983. - V. 4. - P. 283-289.

151. Matsushima S. Electronic Interaction between Metal Additives and Tin Dioxide in Tin Dioxide-Based Gas Sensors / S. Matsushima, Y. Teraoka, N. Miura, N. Yamazoe // Japenese Jornal of Applied Physics. 1988. - V. 27. - № 10. - P. 1798-1802.

152. Грязнов В.М. Катализ благородными металлами: Динамические особенности / В.М. Грязнов, Н.В. Орехова. М.: Наука,.1989. - 224 с.

153. Теренеьев А.А. Влияние структуры электрода на селективность газовых сенсоров. /А.А. Теренеьев, В.И. Филиппов; С.С. Якимов // Поверхность. Физика, химия, механика. 1994. - Т. 2. - С. 72 - 76.

154. Кикоин Л.И. Изменение структуры палладиевого электрода, МДП сенсора при циклическом воздействии^ водорода / Л.И. Кикоин, А.А. Терентъев, В.И. Филиппов, С.С. Якимов '// Журнал технической физики. 1994. - Т. 64. - В. 7. -с. 131 -136. ■■'■.•■ .' .

155. Berko A. CO induced changes of Ir nanoparticles supported on Ti02 (110) - (1 x 2) surface/A. Berko, F. Solymosi // Surf. Sci.- 1998. - V. 411. - № 3. - P. L900 -L903. V v.

156. Structure factor in chemical sensorics/ E.E. Gutman, T.V. Belyscheva, S.V. Ryabtsev, F.H. Chibirova // CHEMICAL SENSORS. 6 International meeting, USA, Gaithersburg, 22-25 Jule, Abstr., 1996.

157. Frequency-Dependent: Capacitance of Surface-Doped Gas Sensors/ S.V. Ryabtsev// 13 th European Conference, on; Solid-State Transducers "EUROSENSORS Х11Г, September 12-15, 1999, The Hague, The Netherlands, Proc., p. 93-95.

158. Capacitance investigation of Pd/Sn02 sensor structure/S;V. Ryabtsev,.Y.A. Ugai, O.B. Yatsenko, A.N. Lukin// 12 th European. Conference on Solid-State Transducers "EUROSENSORS XIIй, September 13-16, 1998, Southampton, Proc., v. 2, p. 1048-1051.

159. Мясников И.А. Полупроводниковые сенсоры в физико-химических исследованиях / И.А. Мясников, В.Я. Сухарев, Л.Ю. Куприянов, С.А. Завьялов. М.: Наука, 1991. - 327 с.

160. Духин C.C. Диэлектрические явления и двойной слой в дисперсных системах и полиэлектролитах / С.С. Духин, В.Н. Шилов. Киев: Изд-во "Наукова думка", 1972. - 206 с.

161. Челидзе Т.Л. Электрическая спектроскопия гетерогенных систем / Т.Л. Челидзе, А.И. Деревянко, О.Д. Куриленко. Киев: Изд-во «Наукова думка», 1976,-233 с.

162. Тареев Б.М. Физика диэлектрических материалов / Б.М. Тареев.- М.: Энергоиздат, 1982. 318 с.

163. Поплавко Ю.М. Физика диэлектриков / Ю.М. Поплавко. Киев: Изд-во «Вища школа», 1980. - 395 с.

164. Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков / П.Т. Орешкин. -М.: Высшая школа, 1977.-448 с.

165. Сканави Г.И. Физика диэлектриков. Область слабых полей. / Г.И. Сканави. -М.: Гостехтеориздат, 1949. 489 с.189.190.191.192,193,194,195,196.197,198,199,200201202203

166. Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков / П.Т. Орешкин. -М.: Высшая школа, 1977.-448 с.

167. Niwa К. Interface between electrode and PZT memory device / K. Niwa, Y. Kotaka, M. Tomotani, H. Ashida, Y. Goto, S. Otani // Acta mater. 2000. - № 48. - P. 4755-4762.

168. Васильев Р.Б. Импеданс-спектроскопия ультрадисперсной керамики Sn02 с варьируемым размером кристаллитов / Р.Б. Васильев, С.Г. Дорофеев, М.Н: Румянцева, Л.И. Рябова, A.M. Гаськов // ФТП. 2006. - Т. 20. - Вып. 1. - С. 108-111

169. Fleig J. The Impedance of Ceramics with Highly Resistive Grain Boundaries: Validity and Limits of the-Brick Layer Model / J. Fleig, J. Maier // Journal of the European Ceramic Society. 1999. - № 19. - PI 693-696.

170. Pollak M. On the frequency dependence of conductivity in amorphous solids / M. Pollak // Phil. Mag. 1971 - V.23. -№ 183. - P. 519-542.

171. Физ техн. полупр. 1982. - Т.16. -№5 С.825-821.

172. Солодуха A.M. Особенности прыжковой электропроводности в тонких слоях триоксида вольфрама. / A.M. Солодуха // Вестник ВГУ, Серия: Физика. Математика. 2005 - №2. - С. 70-76.

173. Солодуха A.M. Диэлектрические свойства пленок цирконата-титаната свинца, синтезированных окислением металлических слоев / A.M. Солодуха, И.Е. Шрамченко, A.M. Ховив, В.А. Логачева // ФТТ. 2007 - Т.49. - Вып.4. -С. 719-722.

174. Tutov Е.А. Functional applications of large-area heterostructures of monocrystalline silicon-disordered semiconductor / E.A. Tutov, A.A. Baev, S.V. Ryabtsev, A.V. Tadeev // Thin Solid Films. -1997. -V. 296. -P. 184-187.

175. Тутов Е.А. Неравновесные процессы в емкостных сенсорах на основе пористого кремния / Е.А. Тутов, С.В. Рябцев, А.Ю. Андрюков // ПЖТФ. -2000. Т. 26. - Вып. 17. - С. 53-58.

176. Тутов Е.А. Функциональные свойства гетероструктур кремний/несобственный оксид / Е.А. Тутов, С.В. Рябцев, Е.А. Бормонтов // ПЖТФ. 1997.-Т. 23.-Вып. 12.-С. 7-13.

177. Тутов Е.А. Кремниевые МОП структуры с металлоксидными полупроводниками / Е.А. Тутов и др. // Радиолокация, навигация, связь : ХП Международ, науч.-техн. конф., г. Воронеж, 18-20 апр. 2006 г. — Воронеж, 2006 .— Т. 2. С. 1351-1358 .

178. Тутов Е.А. Альтернативные оксиды для кремниевых МОП структур / Е.А. Тутов, С.В. Рябцев, Е.Е. Тутов, Ф.А. Тума, E.H. Бормонтов // Матер. УП-й междун. науч.-техн. конф. "Кибернетика и высокие технологии XXI века". -Воронеж, 2006: Т. 1. - С. 258-262.

179. Васильев Р.Б. Неорганические структуры как материалы для газовых сенсоров / Р.Б. Васильев, Л.И. Рябова, М.Н. Румянцева, A.M. Гаськов // Успехи химических1 наук. — 2004 — Вып. 73. -№10. С. 1019-1038.

180. Бокштейн Б:С. Диффузия в металлах / Б.С. Бокштейн. М: Металлургия, 1978.-250 с.

181. Домашевская Э.П. Оптические свойства нанослоев* Sn02-x / Э.П. Домашевская, С.В. Рябцев, Е.А. Тутов, Ю.А. Юраков, O.A. Чувенкова, А.Н. Лукин // ПЖТФ. 2006. - Т. 32. - Вып. 18. - С. 7-12.

182. Домашевская Э.П. Оптические свойства и фазовый состав нанослоёв олово -кислород / Э.П. Домашевская и др. // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии.и микросистемы. 7 Международ, конф. — Ульяновск, 2005 .— С. 116

183. Agekyan V.T. Spectroscopic properties of semiconductor crystals with direct forbidden energy gap / V.T. Agekyan // Phys. Status Solidi. 1977 -V.43. - 1.1. -P. 11-42.

184. Robertson J. Band structure of functional oxides by screened exchange and the weighted density approximation / J. Robertson , K. Xiong, S. J. Clark // Physica status solidi(b). 2006 - V. 243. - Issue 9. - P. 2054 - 2070.

185. Roman L.S. Optical band-edge absorption of oxide compound Sn02 / L.S. Roman, R. Valaski, C.D. Canestraro, E.C.S. Magalhaes, C. Persson, R. Ahuja, E.F. da Silva Jr., I. Pepe, A. Ferreira da Silva // Applied Surface Science. 2006 -V. 252. - P.5361-5364.

186. Samson S. Defect structure and electronic donor levels in stannic oxide crystals / S. Samson, C.G. Fonstad// J. Appl. Phys. 1973. - V. 44. - № 10. - P. 4618.

187. Fonstad C.G. Electrical properties of high-quality stannic oxide crystals / C.G. Fonstad, R.H. Rediker // J. Appl. Phys. 1971. - V. 42. - № 7. - P. 2911.

188. Некрасов Б.В. Основы общей химии, 3 изд., т. 1-2 / Б.В. Некрасов. М., 1973.

189. Kortum G. Reflectance Spectroscopy: Principles, Methods and Applications / G. Kortum. Springer-Verlag: New York, 1969.

190. Kobayashi T. Process of crystallization in thin amorphous tin oxide film / T. Kobayashi, Y. Kimura, H. Suzuki, T. Sato, T. Tanigaki,Y. Saitob, C. Kaito // Journal of Crystal Growth. 2002. - 243. - P. 143-150.

191. Хадиа H.M.A. Investigation of structural and optical properties of powder tin oxide (SnO) annealed in air / H.M.A. Хадиа, G.B. Рябцев, Э.П. Домашевская, П.В. Середин // Конденсированные среды шмежфазные границы. 2009. - Т. 11.-№ 1.-С. 10-15.

192. Hadia N.M.A. Effect of the temperatures, on structural and optical properties of tin oxide (SnOx) powder / N.M:A. Hadia, S.V. Ryabtsev, P.V. Seredin, E.P. Domashevskaya // Physica B: 2010: - V. 405. Issue 1, - P. 313 - 317.

193. Wagner R.S. Vapor-liquid-solid, mechanisms of single crystal growth / R.S.Wagner, W.C. Ellis // Appl. Phys. Lett. 1964. - V. 4. - N 5. - P. 89-90.

194. Гиваргизов Е.И. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара / Е.И. Гиваргизов //М.: Наука, 1977. 303 с.

195. Kashchiev D. Nucleation: Basic Theory with Applications / D. Kashchiev // Oxford, Butterworth Heinemann, 2000:

196. Дубровский В.Г. О влиянии условий осаждения на морфологию нитевидных нанокристаллов / В.Г. Дубровский, И.П. Сошников, Н.В. Сибирев, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов, М. Tchernycheva, J.C. Harmand // ФТП. 2007. - Т.41. - В.7. - С.888-896.

197. Дубровский В.Г. Кинетическая модель роста нанометровых нитевидных кристаллов по механизму «пар-жидкость кристалл» / В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, Г.Э. Цырлин // ПЖТФ. -2004. Т.30. - В.16. - С.41-50.

198. Дубровский В.Г. Рост нанометровых нитевидных кристаллов по обобщенному механизму «пар-жидкость кристалл» / В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев // ПЖТФ. 2006. - Т.32. - В.5. - С. 1-7.

199. Givargizov E.I. Periodic instability in whisker growth / E.I. Givargizov // J. Crystal Growth. 1973. - V.20(3) - P.217-226.

200. Гиваргизов E. И. Скорость роста нитевидных кристаллов по механизму пар-жидкость-кристалл и роль поверхностной энергии / Е. И. Гиваргизов, А.А. Чернов // Кристаллография. 1973. - Т.18. - № 1. - С.147-153.

201. Tian В. Single-crystalline kinked semiconductor nanowire superstructures / В.

202. Tian, P. Xie, T. J. Kempa, D. C. Bell, С. M. Lieber // Nature nanotechnology. -2009. V.4. - P. 824-829.

203. Дубровский В.Г. О минимальном диаметре нитевидных нанокристаллов / В.Г.Дубровский, Н.В.Сибирев //ПЖТФ. 2006. - Т.32. - В. 24.-С.10-17.

204. Dubrovskii V.G. General form of the dependences of nanowire growth rate on the nanowire radius / V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev // Journal of Crystal Growth. 2007. -V. 304.-P. 504-513.

205. Wang X. Large-Scale Synthesis of Six-Nanometer-Wide ZnO Nanobelts / X.Wang, Y. Ding, C.J. Summers, Z.L. Wang // J. Phys.Chem. B. 2004. -V.108. - P. 8773-8777.

206. Wang Z. L. Functional oxide nanobelts: Materials, Properties and Potential Applications in Nanosystems and Biotechnology / Zhong Lin Wang // Annu. Rev. Phys. Chem. 2004. - V. 55. - P. 159-196.

207. Hadia N.M.A. Structure- and photoluminescence properties of Sn02 nanowires synthesized from SnO' powder / N. M. A. Hadia, S. V. Ryabtsev, E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin,// Eur. Phys. J. Appli Phys. 2009. - V. 48. Issue 10603,- P. 1 -4.

208. Хадия Н.М.А. Морфологические и. оптические свойства нитевидныхIкристаллов Sn02 / Н.М.А. Хадия // Научная сессия. 2010 г., Воронеж. -Воронежский государственный университет, 2010<

209. Хадия Н.М.А. Синтез микро и нанокристаллов Sn02 газотранспортным методом / Н.М.А. Хадия // Научная сессия. 2009 г., Воронеж. — Воронежский государственный университет, 2009.

210. Ryabtsev S.V. Synthesis and characterization of 1п20з/8п02 hetero-junction beaded nanowires / S. V. Ryabtsev, N. M. A. Hadia, S.B. Kushev, S.A. Soldatenko, E.P. Domashevskaya // Конденсированные среды и межфазные границы. 2010. - Т. 12, №1, С. 5 - 8.

211. Ryabtsev S.V. Study of ZnO, Sn02 and Zn0/Sn02 Nanostructures synthesized by the gas- transport / S. V. Ryabtsev, N. M. A. Hadia, E.P. Domashevskaya // Конденсированные среды и межфазные границы. 2010. - Т.12, №1, С. 17 -21.

212. Рябцев С.В. Морфология нанокристаллов оксида олова, полученных методом газотранспортного синтеза / С.В.Рябцев, Н.М.А.Хадия, Э.П.Домашевская //ПЖТФ. 2010. -Т. 36, -Вып. 12. -С.1-7.

213. Б.А.Гижевский, Ю.П.Сухоруков, А.С.Москвин. Аномалии оптических свойств' нанокристаллических- оксидов меди СиО и Си20 в области края фундаментального поглощения. Журнал экспериментальной и теоретической физики.-2006.-Т.129, вып.2.-С.336-342.

214. J.X. Wang, H.Y. Chen, Y. Gao, D.F. Liu, L. Song, Z.X. Zhang, X.W. Zhao, X.Y. Dou, S.D. Luo, W.Y. Zhou, G. Wang, S.S. Xie. Synthesis and characterization of In203/Sn02 hetero-junction beaded nanowires. J. Crystal Growth 284 (2005) 7379.

215. Cox D.F. Oxygen vacancies and defect electronic states on the Sn02(l 1 0)-l x 1 surface / D:F. Cox, T.B. Fryberger, S. Semancik // Phys. Rev. В 38. 1988. - P. 2072-2083.

216. Cox D.F. Preferential isotopic labeling of lattice oxygen positions on the Sn02(l 1 0) surface / D.F. Cox, T.B. Fryberger, S. Semancik // Surf. Sci. 227. 1990. - 227. -L105-L108.