Синтез и свойства тонкопленочных гетероструктур на основе металлов и их оксидов, проявляющих нелинейные свойства тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.21, доктор химических наук Ховив, Александр Михайлович

• Ховив, Александр Михайлович
• доктор химических наук
• 2005

Оглавление диссертации доктор химических наук Ховив, Александр Михайлович

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1. СПОСОБЫ ПОЛУЧЕНИЯ И ОСНОВНЫЕ ФИЗИКО

ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ОКСИДОВ ОЛОВА.

1.1.Основные физико-химические свойства олова.

1.2. Взаимодействие в системе олово-кислород.

1.3. Физико - химические свойства SnO.

1.4. Физико - химические свойства Sn02.

1.5. Кинетика и механизм оксидирования металлов.

1.6. Описание оксидирования с позиций представлений о самоорганизации переходных слоев вблизи межфазных границ.

1.7. Особенности оксидирования олова.

1.8. Нестехиометричность оксидов олова.

1.9. Способы получения и приминения оксидов олова.

1.10. Окисление слоя металлического олова. Реактивное катодное распыление металлического олова.

1.11. Реактивное катодное распыление металлического олова.

1.12. Пиролиз кристаллического хлористого олова.

1.13. Гидролиз растворов хлорного олова.

1.14. Применение оксидов олова.

1.15. Система вольфрам-кислород.

1.16. Основные закономерности окисления вольфрама.

1.17. Окисление при температуре ниже 1273 К.

1.18. Окисление при температуре выше 1273 К.

1.19. Особенности кристаллической структуры пленок вольфрама.

1.20. Электрофизические свойств пленок W03.

1.21. Оптические свойства пленок W03.

1.22. Электрохромный эффект в пленках W03.

1.23. Граница раздела в гетероструктуре W03/Si.

1.24. Способы получения структур на основе оксидов индия и олова. Взаимодействие в системе In-О.

1.25. Взаимодействие в системе 1п203 и Sn02.

1.26. Оптические и электрофизические свойства ГГО-структур. Особенности оптических и электрофизических свойств оксидов олова

1.27. Особенности оптических и электрофизических свойств ITO-структур.

1.28. Железо и никель, их свойства и соединения. Строение атомов железа и никеля.

1.29. Физико-химические свойства железа и никеля.

1.30. Краткая характеристика методов получения тонких пленок.

1.31. Метод термического испарения.

1.32. Метод ионного распыления.

1.33. Особенности кристаллической структуры тонких пленок.

1.34. Влияние дефектов и свободной поверхности на свойства металлов и сплавов. Роль дефектов атомно-кристаллического строения в формирование свойств металлов.

1.35. Влияние свободной поверхности на распределение точечных дефектов в металле.

1.36. Особенности окисления железа, никеля и их сплавов. Законы роста оксидных пленок.

1.37. Линейный закон роста пленок.

1.38. Параболический закон роста пленок.

1.39. Сложные законы роста пленок.

1.40. Факторы, влияющие на скорость окисления. Зависимость скорости окисления от температуры.

1.41. Влияние давления на скорость окисления.

1.42. Образование и рост оксидной фазы на поверхности металла Краткая характеристика основных стадий взаимодействия кислорода с поверхностью металла. Кинетика островкового роста оксидной фазы.

1.43. Применение модели решеточного газа для процессов окисления металлов.

1.44. Определение закона изменения толщины образующейся оксидной пленки от времени.

1.45. Кинетика и механизм окисления железа. Диаграмма состояния системы Fe-O. Оксидные пленки на поверхности железа.

1.46. Основные принципы окисления железа.

1.47. Окисление железа с учетом образования пор, трещин и пузырей

1.48. Окисление никеля.

1.49. Процесс окисления металлических сплавов на основе железа и никеля.

1.50. Физико-химические свойства тонкопленочных гетероструктур на основе титана, свинца и их.

1.51. Основные физико-химические свойства титана, свинца и кремния.

1.52. Взаимодействия в системе свинец-кислород.

1.53. Особенности оксидирование свинца.

1.54. Взаимодействия в системе титан-кислород.

1.55. Особенности оксидирования титана.

1.56. Влияние лазерного излучения на оксидирование титана.

1.57. Взаимодействия в системе РЬО ТЮг.

1.58. Способы получения тонких пленок титаната свинца.

1.59. Физические методы получения титаната свинца.

1.60. Химические методы получения пленок титаната свинца.

1.61. Кристаллизация тонких пленок РЬТЮз.

1.62.Диэлектрические свойства тонких пленок титаната свинца

Глава 2. МЕТОДИКА ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1.Подготовка исходных подложек.

2.2. Метод магнетронного напыления.

2.3. Оксидирование тонких пленок в печи резистивного нагрева.

2.4. Оксидирование при пониженном давлении кислорода и фотонном нагреве подложек.

2.5. Эллипсометрический метод.

2.6. Установка для окисления с автоматической эллипсометрией.

2.7. Методики исследования образцов.

2.8. Осциллографический метод исследования петель гистерезиса.

2.9. Определение параметров пленки титана свинца из вольт - фарадных характеристик МДП - структур.

2.10. Определение параметров пленки титаната свинца из вольт - амперных характеристик МДП - структур.

2.11. Синтез пленок железа, Fe-Ni и Ni-Fe методом магнетронного напыления.

2.12. Методика приготовления составной мишени.

2.13. Оксидирование тонких пленок в печи резистивного нагрева.

2.14. Характеристика эллипсометрического метода.

2.15. Методика измерения электрофизических свойств тонкопленочных твердых растворов.

2.16. Методики исследования электрофизических и оптических свойств оксидных пленок.

2.17. Метод магнетронного напыления металлических пленок индия.

2.18. Методики исследования образцов тонких пленок индия.

Глава 3. ОКСИДИРОВАНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК МЕТАЛЛОВ . 200 3.1.Оксидирование пленок олова в установке автоматической эллипсометрии.

3.2.Оксидирование пленок олова при пониженном давлении кислорода.

3.3.Влияние монохроматического ИК-излучения на процесс оксидирования пленок олова при атмосферном давлении кислорода.

3.4.Оксидирование тонких пленок индия.

3.5.Оксидирование тонких пленок титана.

3.6. Оксидирования пленок вольфрама в структуре W/Si.

3.7. Лазерно-термическое оксидирование тонких пленок титана.

Глава 4. ОКСИДИРОВАНИЕ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР СЛОЖНОГО СОСТАВА.

4.1. Оксидирование двухкомпонетных гетероструктур на основе олова и индия.

4.2. Оксидирование тонких пленок в системе медь-титан.

4.3. Оксидирование тонких пленок разбавленных бинарных твердых железо-никель.

Глава 5 . СТРУКТУРА И СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК ТИТАНАТА СВИНЦА НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ И СТРУКТУРЕ Si Si02.

5.1.Особенности формирования титаната свинца.

5.2. Фазовые превращения в тонкопленочной системе Pb/Ti/Si и Ti/Pb/Si в процессе многоступенчатого отжига в потоке кислорода.

5.3. Взаимодействия в тонкопленочных гетероструктурах свинец-титан (титан-свинец), сформированных на подложках монокристаллического кремния.

5.1. Кристаллизация тонких пленок титаната свинца в процессе отжига структур Pb/Ti/Si.

5.2. Особенности формирования тонких пленок титаната свинца на монокристаллическом кремнии и структуре Si02/Si.

5.3. Зависимость фазового состава и структуры формируемых пленок от толщины металлических слоев.

5.4. Диэлектрические свойства оксидных пленок. Зависимость диэлектрических свойств пленок титаната свинца от последовательности напыления металлических слоев на подложки монокристаллического кремния.

5.5. Зависимость диэлектрических свойств пленок титаната свинца от толщины металлических слоев в структуре свинец-титан-кремний.

5.6. Фазовый состав и электрофизические свойства тонких пленок твердых растворов станнатов — титанов свинца.

Глава 6. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ФОРМИРОВАНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ МЕТАЛЛОВ И ИХ ОКСИДОВ.

6.1. Основные положения и уравнения модели.

ВЫВОДЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Синтез и свойства тонкопленочных гетероструктур на основе металлов и их оксидов, проявляющих нелинейные свойства»

Актуальность темы диссертационной работы обусловлена тем, что тонкопленочные гетерострукутры сложного состава - один из основных объектов исследования современной химии твердого тела. Оснобое значение в этом ряду занимают структуры сформированные на основе металлов и их оксидов. Наиболее значимым свойством подобных структур является то, что в зависимости от конфигурации межфазных границ и условий синтеза на базе одних и тех же материалов возможно формирование диэлектрических, полупроводниковых, сегнетоэлектрических, магнитоактивных и оптоэлетронных материалов. При этом, следует заметить, что во многом в большинстве случаев эти объекты характеризуются нелинейными свойствами, проявляющимися как в конечном их состоянии, так и в процессах формирования.

Наряду с весьма значимыми перспективами использования тонкопленочных гетероструктур, полученных при оксидировании сложных композиций на основе металлических слоев, механизм их формирования далеко не всегда ясен. Так, в последние годы, активно развиваются представления о роли процессов самоорганизации в переходных областях, локализованных на границах соседствующих фаз, которые в некоторых случаях могут определять рост тонких слоев на протяжении всего времени синтеза. Также велика роль конфигурации межфазных границ в исходном образце. Особое место занимают разбавленные бинарные тонкопленочные твердые растворы на основе металлов. В этом случае предоставляется уникальная возможность управления свойствами тонкопленочной структуры за счет введения микроколичества второго компонента. Тем не менее, механизм данной возможности, практически, неизвестен.

Также до сих пор нет четких представлений о взаимосвязи нелинейных свойств различных объектов и степенью их отклонения от стехиометрического состава.

С этих точек зрения, актуальность предлагаемого исследования выглядит достаточно актуальной.

Целью диссертационного исследования является разработка основ управляемого синтеза тонкопленочных гетеростуртур, обладающих нелинейными свойствами и изучение механизма их формирования, на основе представлений о микропроцессах, протекающих в ходе роста оксидных слоев на поверхности тонких металлических пленок, с учетом процессов самоорганизации и твердофазных взаимодействий на межфазных границах раздела, для достижения поставленной цели были сформулированы и решены следующие задачи: разработка методики формирования тонких металлических пленок сложного состава с помощью магнетронного способы напыления, включая распыление композитных мишеней как высокоэнергетичными ионами аргона, так распылением материалы мишени в условиях самораспыления или распыления из расплава;

- исследование особенностей оксидирования тонких пленок титана, свинца, олова, индия, вольфрама, твердых растворов железо-никель, медь-никель, сплавов титан-медь и олово-индий в потоке кислорода в термическом, лазерно-термическом режимах, а также при пониженном давлении кислорода в условиях широкополосного фотонного воздействия.

- изучение взаимодействий в тонкопленочных гетероструктурах, содержащей свинец, титан, олово, индий, медь и их оксиды на подложках монокристаллического и окисленного кремния, при термообработке в атмосфере кислорода или в вакууме. изучение физико-химических свойств (химического состава, кристаллической структуры, микроструктуры) сформированных пленок в зависимости от условий синтеза.

- формирование тонкопленочных гетероструктур, обладающихо сегнетоэлектрическими, диэлектрическими, полупроводниковыми и оптически активными свойствами, и изучение их зависимости от условий формирования пленок.

- разработка теоретических основ управляемого синтеза тонкопленочных гетероструктур с заранее заданными свойствами;

- разработка физико-химической и математической моделей процессов формирования тонкопленочных гетероструктур на основе металлов и их оксидов, основанной на представлениях о транспорте реагентов через растущие оксидные слои, самоорганизации переходных слоев и твердофазном взаимодействии образующихся фаз.

Научная новизна диссертационной работы заключается в том, что впервые установлен ряд экспериментальных фактов, среди которых; тормозящее влияние широкополосного фотонного излучения на процесс оксидирования тонкопленочных металлов в условиях пониженного давления кислорода; впервые, методом двухступенчатого термического отжига в атмосфере кислорода композитной тонкопленочной гетероструктуры, полученной магнетронным напылением металлических слоев свинца, титана и олова, синтезированы пленки титаната твердых растворов станната свинца на монокристаллическом кремнии, проявляющие сегнетоэлектрические свойства; установлена связь параметров процесса формирования, состава и свойств пленок с конфигурацией исходной гетероструктуры и характером ее межфазных границ; установлено, что взаимодействие металлического титана с оксидами свинца и олова в исследуемых гетероструктурах является фактором снижающим температуру синтеза, а введение в систему олова позволяет эффективно управлять температурой Кюри, полученной сегнетоэлектрической пленки.

Впервые изучен механизм воздействия лазерного излучения среднего ИК-диапазона на рост оксидных слоев на поверхности тонких пленок титана и системы медь-титан.

Впервые магнетронным способом сформированы тонкие пленки разбавленных твердых растворов в системе железо-никель в интервале концентраций второго компонента 0,1-7ат.% на монокристаллическом кремнии экспериментально установлены области концентраций второго компонента, в которых твердые растворы проявляют "аномальные" свойства, заключающиеся в существовании локальных экстремумов на зависимостях состав-свойство.

Впервые экспериментально исследована кинетика оксидирования тонких пленок разбавленных твердых растворов железо-никель. Обнаружено, что в разбавленных твердых растворах Fe-Ni, соответствующих "аномальным" областям, наблюдаются изменения скорости роста оксида и существенно изменение эффективной энергии активации процесса. Предложена теоретическая интерпретация наблюдаемых явлений в рамках транспортной модели формирования оксидов.Предложена теоретическая модель, позволившая адекватно интерпретировать экспериментальные результаты основанная на представлениях о малочастичных примесных кластеров.

Впервые экспериментально показан дискретный рост оксидных слоев на поверхности тонких пленок различных металлов и разработана физико-химическая модель, учитывающая роль процессов самоорганизации в ходе формировании оксидов.

Практическая значимость результатов диссертационной работы определяется тем обстоятельством, что практически все исследованные тонкопленочные гетероструктуры представляют значительный интерес для современных технологий, поскольку могут использоваться в качестве перспективных элементов памяти, различных газочувствительных датчиков, оптоэлектронных и прочих устройств. Также результаты работы могут найти применение при разработке условий управляемого синтеза для современной микро- и наноэлектроники.

На защиту выносятся следующие положения:

- Зависимость состава, структуры и электрофизических свойств тонких пленок, содержащих титанат свинца, твердый раствор титаната — станната свинца, оксиды индия, олова, вольфрама, титана, меди и структуры, сформированные на основе разбавленных твердых растворов металлов от особенностей химического взаимодействия на межфазных границах при отжиге исходных гетероструктур в вакууме и в потоке кислорода.

- Тормозящее влияние фотонного излучения на скорость оксидирования тонкопленочных метллов в условиях пониженного давления кислорода, механизм которого заключается в управлении концентрацией адсорбированного кислорода и, как следствие, в изменении соотношения реагирующих компонентов.

- Метод синтеза тонких пленок на основе металлов и их оксидов на подложках из монокристаллического кремнии и плавленого кварца, обладающих сегнетоэлектрическими, диэлектрическими и полупроводниковыми свойствами, заключающийся в многоступенчатом отжиге в потоке кислорода многослойной тонкопленочной гетероструктуры.

- Механизм дискретного (послойного) роста оксидных слоев на тонких пленках металлов за счет существования периода накопления реагентов до критического состояния и самоорганизации переходных слоев.

- Физико-химическая модель формирования тонкопленочных гетероструктур, основанная на представлениях о массопереносе реагирующих компонентов, самоорганизации переходных слоев и твердофазных взаимодействиях в ходе процесса образования оксидных слоев сложного состава.

Апробация работы. Основные результаты работы неоднократно докладывались и обсуждались на Международных и Всероссийских научных конференциях: Proceedings of Third International Conference Single Crystal Growth, Strength Problems and Heat Mass Transfer (ICSC-1999,2001, 2005), (Obninsk); IX, X и XI Национальной Конференции по росту кристаллов (НКРК-2000, 2002, 2004), (Москва, 2000); Международной конференции по полупроводниковым гетероструктурам (Токио, Япония, 2003), Международном съезде Европейского общества материаловедов (Страсбург, Франция, 2002), ФГРАН -2002, 2004 ( Воронеж).

Публикации. Основное содержание работы изложено в 51 публикациях в центральной научной печати в том числе и зарубежной.

Структура и объем работьг Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка литературы, включающего 234 наименования. Работа изложена на 368 страницах основного текста, иллюстрирована 213 рисунков и содержит 36 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Химия твердого тела», Ховив, Александр Михайлович

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ

1. Установлена фундаментальная взаимосвязь между условиями синтеза, составом, структурой и нелинейными электрофизическими свойствами тонкопленочных гетероструктур, содержащих титанат свинца, твердый раствор титаната-станата свинца, оксиды индия,, олова, вольфрама, титана, меди и структур, сформированных на основе разбавленных твердых растворов металлов, обусловленная особенностями химического взаимодействия на межфазных границах при отжиге исходных плоскослоистых композиций в вакууме и потоке кислорода.

2. Экспериментально установлен факт тормозящего влияния фотонного излучения на скорость оксидирования тонкопленочных металлов в условиях пониженного давления кислорода, механизм которого заключается в управлении концентрацией адсорбированного кислорода и, как следствие, в изменении соотношения реагирующих компонентов.

3. Показано, что метод синтеза тонких пленок на основе металлов и их оксидов на подложках из монокристаллического кремния и плавленого кварца, обладающих сегнетоэлектрическими свойствами, диэлектрическими свойствами и полупроводниковыми свойствами, заключающийся в многоступенчатом отжиге в потоке кислорода многослойной тонкопленочной структуры, позволяет формировать гетероструктур, обладающие нелинейными электрофизическими и оптическими свойствами. При этом в одной системе за счет вариации условий синтеза и конфигурации межфазных границ возможна реализация в конечном образце диэлектрических, металлических, сегнетоэлектрических и полупроводниковых свойств.

4. Экспериментально обнаружен дискретных характер роста оксидных слоев на тонких пленках некоторых металлов с помощью методики автоматической эллипсометрии и теоретически обоснован механизм послойного роста оксидных пленок на тонких пленках металлов за счет существования периода накопления реагентов до критического состояния и самоорганизации переходных слоев.

5. Разработана физико-химическая модель формирования тонкопленочных гетероструктур, основанная на представлениях о массопереносе реагирующих компонентов, самоорганизации переходных слоев и твердофазных взаимодействиях в ходе процесса образования оксидных слоев сложного состава, позволяющих адекватно объяснить большинство экспериментальных результатов, полученных в диссертационной работе.

384

Список литературы диссертационного исследования доктор химических наук Ховив, Александр Михайлович, 2005 год

1. Рипан Р. Неорганическая химия: В 2 т. / Р. Рипан, И. Четяну; Пер. с румынского И. Б. Берсукера и Н. И. Беличука; Под ред. В. И. Спицына и И. Д. Колли.- М: Мир, 1971.-Т. 1.-560 е.

2. Эмсли Джон Элементы / Дж. Эмсли; Пер. с англ. Е. А. Краснушкиной. -М.: Мир, 1993.-255 с.

3. Угай Я. А. Введение в химию полупроводников: Учебное пособие для вузов / Я. А. Угай. М.: Высшая школа, 1975. - 334 с.

4. Спиваковский В. Б. Аналитическая химия олова. Серия: Аналитическая химия элементов / В. Б. Спиваковский. М.: Наука, 1975. - 250 с.

5. Физико-химические свойства окислов: Справочник / Под редакцией Г. В. Самсонова. М.: Металлургия, 1978. - 472 с.

6. Барабали О. М. Кристаллическая структура металлов и сплавов / О. М. Барабали, Ю. М. Коваль. Киев: Наукова Думка, 1986. - С. 526-530.

7. Крыжаковский Б. П. Характер нарушения стехиометрии и электропроводности моноокиси олова / Б. П. Крыжаковский, А. Я. Кузнецов // Журнал физической химии. 1961.-Т. XXXV, №1.-С. 80-83.

8. Хансен М. Структуры двойных сплавов: Справочник / М. Хансен, К. Андренко; Пер. с англ. П. К. Новика и др.; Под ред. И. И. Новикова и И. Л. Рогельберга. 2-е перераб. изд. в 2-х т. М.: Металлургия, 1962. - Т. 2. - 609 с.

9. Лазарев В. Б. Химические и физические свойсвтва простых оксидов металлов / В. Б. Лазарев, В. В. Соболев, И. С. Шаплыгин; Отв. редактор И. В. Тананаев. М.: Наука, 1983. - 239 с.

10. Понкратьев Е. М. Технология полупроводниковых слоев двуокиси олова / Е. М. Понкратьев, В. П. Рюмик, Н. П. Щепкина. М.: Наука, 1969. - 245 с.

11. Репинский С. М. О самоорганизации межфазных границ кристаллических полупроводников / С. М. Репинский // Поверхность. -1995. -№7-8.-С. 12-19

12. Физическое металловедение: В 3 т. / Под ред. Р. Кана и П. Хаазена; Пер. с англ. под ред. О. В. Абрамова и др. 3-е изд., перераб. и доп. М.: Металлургия, 1987.-Т. 2.-608 с.

13. Кукушкин С. А. Самоорганизация при зарождении многокомпонентных пленок / С. А. Кукушкин, А. В. Осипов // ФТТ. 1995. - Т. 37, № 7. - С. 21272132.

14. Кукушкин С. А. Кинетика зарождения однокомпонентных пленок из расплавов и растворов / С. А. Кукушкин, А. В. Осипов // ЖТФ. -1995. -Т.65, Вып.6. С.169-175.

15. Кубашевский О. Окисление металлов и сплавов / О. Кубашевский, Б. Гопкинс; Пер. с англ. В. А. Алексеева. 2-е изд. М: Металлургия, 1965. - 428 с.

16. Хауффе К. Реакции в тведых телах и на их поверхности / К. Хауффе ; Пер. с немецкого А.Б.Шехтер. -М: Изд-во иностр. лит., 1963. Ч. 2. - с.275.

17. Synchrotron radiation photoemission study of the oxidation of tin / P. De Padova, M. Fanfon, R. Larciprete et al. // Surface Science. 1994. - V. 313, Issue 3. -P. 379-391.

18. Oxidation of Sn thin films to Sn02. Micro-Raman mappimg and X-ray diffraction studies / L. Sandalitti, L. Pepero, B. Allieri // Letters Of Material Research. 1998. - V. 13, Issue 9. - P. 2457-2460.

19. Равновесие собственных точечных дефектов в диоксиде олова / К. П. Богданов, Д. Ц. Димитров, О. Ф. Луцкая и др. // Физика и техника полупроводников.- 1998.-Т. 32, № 10.-С. 1158-1160.

20. The Electrical Properties of Tin Oxides./A.R.Peterson//Ph.D.thesis, Putgers University,New Jersey. 1968. - V. 13. - P. 2957-2960.

21. Кофстад П. Отклонения от стехиометрии, диффузия и электроводность в простых окислах металлов / П. Кофстад; Пер. с англ. О. Е. Каширенинова; Под ред. Н. Н. Семенова. М.: Мир, 1975. - 396 с.

22. Koinuma Н., Shimoyama J., Mizusaki J. et al. // Extended Abstracts 18th Int. Conf. on Solid State Devices and Materials. Tokyo, Japan. - 1986. - P. 763.

23. Левинский Ю. В. Р-Т-х-диаграммы состояния двойных металлических систем: Справочник: В 2 т. / Ю. В. Левинский. М.: Металлургия, 1990. - 359 с.

24. Куликов И. С. Термодинамика оксидов / И. С. Куликов. М.: Металлургия, 1986. - 358с.

25. Houston J. Е. / J. Е. Houston, Е. Е. Kohnke // J. Appl. Phys., 1965. -V. 36. -P. 3931.

26. Швалев В. О. / В. О. Швалев, В. Г. Теплов // Поверхность. Физика, химия, механика. — 1991. -№ 1. С. 98.

27. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов / Ф. Крегер; Пер. с англ. В. П. Зломанова, Под ред. О. М. Порлторака. М.: Мир, 1969. - 654 с.

28. Properties of Sn02 films prepared by DC and MF reactive sputtering / M. Ruske, G. Brauer, J. Pistner et al. // Thin Solid Films. 1999. - V. 351. - P. 146 -150.

29. Полупроводниковые сенсоры для контроля состава газовых сред / Н. П. Максимович, Д. Е. Дышель, Л. Е. Еремина и др. //Журнал аналитической химии. -1990.- Вып. 7.

30. Влияние лазерной обработки на газовую чувствительность пленок диоксида олова / В. А. Логинов, С. И. Рембеза, Т. В. Свистова и др. // Письма в ЖТФ. 1998. - Т. 24, № 7. - С. 57-60.

31. Назаренко И. Н. Решение обратной задачи эллипсометрии для слоя с изменяющимся по толщине комплексным показателем преломления / И. Н. Назаренко, Д. Л. Дорофеев // Вестник ВГУ: Сер. Химия-Биология. 2001. - №1, -С. 164-169

32. Synthesis of pure and loaded powders of WO3 for N02 detection through thick film technology / M. Bio et all. // Sensors and Actuators B: Chemical. 2004. -Vol. 103.-№ l.-P. 102-106.

33. Ling Z. The effect of relative humidity on the N02 sensitivity of a Sn02/W03 heterojunction gas sensor / Z. Ling, C. Leach. // Sensors and Actuators B: Chemical. -2004. Vol. 103. - № 1-2. P. 213-218.

34. Huang Cheng-Chia. Optical properties of tungsten and titanium oxide thin films prepared by plasma sputter deposition / Cheng-Chia Huang, Jenn-chen Tang and Wei-Han Tao // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2004. - V. 83. - № J. - P. 15-28.

35. The structure and electrical conductivity of vacuum-annealed WO3 thin films / M. Gillet et all. // Thin Solid Films. 2004. - Vol. 467. - № 1-2. - P. 239-246.

36. Sol-gel electrochromic WO3 coatings on glass / A. Patra et all. // Materials Letters. 2004. - V. 58. - № 6. - P. 1059-1063.

37. Кофстад П. Высокотемпературное окисление металлов / П. Кофстад. -Москва, 1968.-С. 302-313.

38. Левинский Ю.В. Диаграммы состояния металлов с газами / Ю.В. Левинский. Москва, 1975. - С. 231-239.

39. Рао Ч.Н. Новые направления в химии твердого тела / Ч.Н. Рао, Дж. Ропалакришан. Москва, 1990. - С. 238, 299.

40. Нестехиометричкские соединения / под. Ред. Л. Манделькорна. -Москва, 1971.-С. 112-133.

41. Гаврелюк А.И. Структурные изменения при электрохромном и фотохромном процессах в трехокиси вольфрама / А.И. Гаврелюк, В.Г. Прохватилов, Ф.А. Чудновский // ФТТ. 1982. - Т. 24. - № 4. - С. 982-991.

42. Gillet М. Structure of tungsten oxide nanoclusters / M. Gillet, K. MaSek, E. Gillet. // Surface Science. 2004. - Vol. 566-568. - Part 1. - P. 383-389.

43. Кубашевский О. Окисление металлов и сплавов / О. Кубашевский, Б. Гопкинс. Москва, 1965. - С. 376.

44. Brewer L. Prediction of transition metal phase diagrams / L. Brewer. // J. of Nuclear Materials. 1974. - Vol. 51. - P. 2-11.

45. Characterization and crystalline Structures of Tungsten Thin Films / M. Gasgnier et all. // Phys. Stat. Sol. (a). 1983. - V. 79. - P. 531-542.

46. An ellipsometric study of W thin films deposited on Si / A.G. Deineka et all. // Thin Solid Films. 1999. - V. 339. - P. 216-219.

47. Лазарев В.Б. Химические и физические свойства простых оксидов / В.Б. Лазарев, В.В. Соболев, И.С. Шаплыгин. Москва, 1983. - С. 203-207.

48. Кофстад П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов / П. Кофстад. — Москва, 1975. С. 227-229.

49. Deb S.K. Optical and photoelectric properties and colour centers in thin films of tungusten oxide / S.K. Deb // Phil. Mag. 1973. - V. 27. - № 4. - P. 801-822.

50. Nakamura A. Fundamental adsorption edge of evaporated amorphous WO3 films / A. Nakamura, S. Yamada // J. Appl. Phys. 1981. - V. 24. - № 1. - P. 55-59.

51. Miyake K. Electrical and optical properties of reactively sputtered tungsten oxide films / Miyake K., Kaneko H., Teramoto Y. // J. Appl. Phys. 1982. - V. 53. -№ 3. - P. 1511-1515.

52. Physical and structural characterization of tungsten oxide thin films for NO gas detection / D. Manno et all. // Thin Solid Films. 1998. - Vol. 324. - P. 44-51.

53. Управление плотностью эффективного поверхностного заряда МДП структуре с пленкой триоксида вольфрама / В.И. Кукуев и др. // ЖТФ. 1987. -Т. 57.-№ 10.-С. 1957-1961.

54. Поверхностные состояния и заряд в МДП-структуре с пленкойтриоксида вольфрама / В.И. Кукуев и др. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1988. - № 11. - С. 87-92.

55. Мень А.Н. Физико-химические свойства нестехиометрических окислов / А.Н. Мень, Ю.П. Воробьев, Г.И. Чуфарова. Ленинград, 1973. - С. 57-59.

56. Ю.Д. Третьяков Химия нестехиометрических окислов / Ю.Д. Третьяков. Москва, 1974. - С. 334-335.

57. Effect of substrate temperature on electrical, structural, optical and cathodoluminescent properties of In203-Sn thin films prepared by spray pyrolysis / A. El Hichou et all. // Thin Solid Films. 2004. - V. 458. -Г № 1-2.-P. 263-268.

58. Qiao Z. Thickness dependence of In203:Sn film growth / Z. Qiao, R. Latz, D. Mergel // Thin Solid Films. 2004. - V. 466. - № 1-2. - P. 250-258.

59. Chung Jae-Ho. Effect of low energy ion beam on optical and electrical characteristics of dual ion beam sputtered SnC>2 thin films / Jae-Ho Chung, Yong-Sahm Choe, Dae-Seung Kim // Thin Solid Films. 1999.-V. 349,- P. 126-129.

60. Микроструктура и физические свойства тонких пленок SnC>2 / С.И. Рембеза и др. // ФТП. 2001. - Т. 35. - № 7. - С. 796-799.

61. Impedance spectroscopy studies on Sn02 films prepared by the sol-gel process / L.L. Diaz-Flores et all. // Journal of Physics and Chemistry of Solids. =2003. V. 64. - № 7. - P. 1037-1042.

62. Morphology of Sn02 thin films obtaibed by the sol-gel technique / J.P. Chatelon et all. // Thin Solid Films. 1994. - V. 247. - № 2. - P. 162-168.

63. Senguttuvan T.D. Sol gel deposition of pure and antimony doped tin dioxide thin films by non alkoxide precursors / T.D. Senguttuvan, L.K. Malhotra // Thin Solid Films. 1996. - V. 289. - № 1-2. - P. 22-28.

64. Ichimura M. Fabrication of Sn02 thin films by a photochemical deposition method / M. Ichimura, K. Shibayama, K. Masui // Thin Solid Films. -2004.-V. 466. — № 1-2.-P. 34-36.

65. Brewer S.H. Calculation of the electronic and optical properties of indium tin oxide by density functional theory / S.H. Brewer, S. Franzen // Chemical Physics.2004. V. 300,-№ 1-3.-P. 285-293.

66. Фролов B.B. Химия / B.B. Фролов. Москва, 1975. - С. 402-412.

67. У гай Я. А. Неорганическая химия / Я. А. У гай. Москва, 1989. - С. 156167.

68. Федоров П.И. Индий / П.И. Федоров, Р.Х. Акчурин. Москва, 2000. -С. 20-35.

69. Effects of postannealing in ozone environment on opto-electrical properties of Sn-doped 1п203 thin films / N. Mori et all. // Thin Solid Films. -2002.-V. 411.-№ l.-P. 6-11.

70. Preparation of indium tin oxide films and doped tin oxide films by an ultrasonic spray CVD process / Z.B. Zhou et all. // Applied Surface Science. 2001. - V. 112. - № 3-4. - P. 245-252.

71. Electrical and optical properties of thin films consisting of tin-doped indium oxide nanoparticles / J. Ederth et all. // Phys. Rev. 2003. - V. 68. -№ 155410.-P. 10-13.

72. Oxygen incorporation in thin films of In203:Sn prepared by radio frequency sputtering / D. Merge! et all. // Journal of Applied Physics. 2000. - V. 88. - № 5. -F\2437-2442.

73. Synchrotron radiation photoelectron spectroscopy study of ITO surface / B. Lai et all. // Applied Surface Science. 2000. - V. 157. - № 1-2. -R.35-38.

74. Данилин Б.С. Магнетронные распылительные системы / B.C. Данилин, B.K. Сырчин. Москва: Изд-во Радио и связь, 1982. - 72 с.

75. Ормонт Б.Ф. Структуры неорганических веществ / Б.Ф. Ормонт. — Москва, 1950.-С. 505.

76. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников / Ю.И. Уханов. -Москва: Изд-во Наука, 1977. 130 с.

77. Jenko M. High-resolution AES analysis and imaging of In 80Sn oxidized surface using field emission auger microprobe / M. Jenko, B. Erjavec, M. Milun // Vacuum. -2003,-V. 71. -№ 1-2.-P. 19-25.

78. Корнилов И.И. Никель и его сплавы / И.И. Корнилов. Москва: Изд-во академии наук СССР, 1958. - 340 с.

79. Кубашевски О. Диаграммы состояния двойных систем на основе железа: Справочник. / О. Кубашевски. М.: Металлургия, 1985. - 184 с.

80. Данилин Б.С. Магнетронные распылительные системы / Б.С. Данилин, В.К. Сырчин; Под. ред. Б.С. Данилина. М.: Радио и связь, 1982. - 72 с.

81. Колбасников Н.Г. О роли вакансий в формировании свойств металлов / Н.Г. Колбасников // Металлы. 1998. - №6. - С. 80-90.

82. Колобов Н.А. Диффузия и окисление полупроводников / Н.А. Колобов, М.М Самохвалов; Под. ред. Н.А. Колобова. М.: Металлургия, 1975. - 456 с.

83. Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия. Под ред. Р.Бургера и Р. Донована. М.: Мир, 1969. - 452 с.

84. Ховив A.M. Лазерный метод формирования оксидных пленок на поверхности проводящих твердых тел / A.M. Ховив. Воронеж: Изд-во ВГАУ, 1997.-82с.

85. Кинетика взаимодействия кислорода с поверхностью. Образование и рост оксидной фазы на поверхности металла / Ю.Н. Девятко, С.В. Рогожкин, В.Н. Тронин и др. //Поверхность. 1991.- №10.-С. 128-131.

86. Гусев Е.П. Начальная стадия окисления металлов в модели решеточного газа / Е.П. Гусев, А.П. Попов // Поверхность. 1991. - №2. - С. 33-46.

87. Доильницына В.В. О закономерностях процесса окисления металлов / В.В. Доильницына // Металлы. 1999. - №5. - С. 27-32.

88. Лазарев В.Б., Химические и физические свойства простых оксидов металлов / В.Б. Лазарев, В.В. Соболев, И.С. Шаплыгин; Под ред. В.Б. Лазарева. -М.: Наука, 1983.-239 с.

89. Кофстад П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов / П. Кофстад. М.: Мир, 1975. - 400 с.

90. Эллиот Р.П. Структуры двойных сплавов: В 2 т. / Р.П. Эллиот; Пер. с англ.

91. A.M. Захарова; Под ред. И.И. Новикова, И.Л. Рогельберга М.: Металлургия, 1970.-Т. 2.-472с.

92. Кириллова М.М. О Межполосных переходах электронов в никеле / М.М. Кириллова //ЖЭТФ. 1971. - Т. 61, №1. С. 336-344.

93. Сасовская И.И. Оптические свойства никеля / И.И. Сасовская, М.М. Носков // ФММ. 1974. - Т. 32, №4. - С. 723-727.

94. Носков М.М. Оптические и магнетооптические свойства металлов / М.М Носков. Свердловск: Изд-воУНЦ АН ССР, 1981.-220 с.

95. Yonggand Wu. Inverstigation of oxidation of Ni thin films deposited on glass sudstrates / Wu Yonggand, Wu Guangming // Proc. 17 th. Int. Congr. Glass, Beijing, 1995. Vol.4. - C. 85-90.

96. Спектральные зависимости оптических констант тонких пленок никеля и его силицидов. Эллипсометрия: теория, методы, приложения / С.Н. Свиташева,

97. B.А. Усова, В.А. Колосанов; Под ред. С.Н. Свиташевой. Новосибирск: Наука. Сиб. отд., 1991.-227 с.

98. Ховив В.Н. Оксидирование тонких пленок твердых растворов медь-никель / В.Н. Ховив, Е.Н. Удодова // Труды молодых ученых ВГУ. 2000. - Вып.2. - С. 119-121.

99. Оксидирование тонких пленок твердых растворов медь-никель / В.Н. Ховив, Е.Г. Гончаров, Е.Н.Удодова // Конденсированные среды и межфазные границы .- 2001. -Т.З, №2. С. 161-163.

100. Оксидирование тонких пленок никеля и твердых растворов медь-никель / Гончаров Е.Г., Ховив В.Н., Назаренко И.Н. и др. // Поверхность. 2002. - №3.1. C. 11-16.

101. Особенности оксидирования тонкопленочного никеля в структуре Ni/Si02/Si / В.Н. Ховив, Е.Г. Гончаров, Н.К. Монакова // Конденсированные среды и межфазные границы. 1999. - Т.1, №4. - С. 321-323.

102. Судавцова B.C. Термодинамические свойства расплавов систем Fe-Ni-O и Fe-Ni-O-Ta-Si / B.C. Судавцова, Н.О. Шаркина // Металлы. 1992. - №2. - С. 233-235.

103. Банных О.А. Структурное состояние закаленных железоникелевых сплавов при низких температурах / О.А. Банных, В.Е. Данильченко // Металлы. 1996. — №3. - С. 77-84.

104. Laurence P.J. Chemical and magnetic interactions in f. с. c. Fe-Ni alloys using the cluster variation method / P.J. Laurence, P.L. Rossiter // J. Phys. F. 1986. - V. 16, №3.-P. 543-547.

105. Neutron diffuse scattering investigations of different states of local order in 62Ni0.765Fe0.235 / S. Lefebre, F. Bley, M. Fayard // Acta metallurgica. 1981. V. 29, №4. - P. 749-754.

106. Atomic short-rang order in a Ni-Fe invar alloy / P. Genedese, F. Bley, S. Lefebre //Mater. Res. Soc. Simp. Proc. 1983. V. 21, №1. - P. 242-245.

107. Взаимосвязь объемов смешения двух и трехкомпонентных сплавов Ni-Fe-Мо / В.В. Леонов, Г.А. Никифоров, Е.Ю. Бельмач // Металлы, 1993. №1. - С. 49-52.

108. Топоров А.Ю. Распределение намагниченности в массивах субмикронных антиточек, приготовленных методом травления железо-никелевой пленки сфокусированным ионным пучком / А.Ю. Топоров // Журнал технической физики. 2002. - Т.72, вып.9. - С. 136-139.

109. Назаренко И.Н. Решение обратной задачи эллипсометрии для слоя с изменяющимся по толщине комплексным показателем преломления / И.Н. Назаренко, Д.Л. Дорофеев // Вестник Воронеж, ун-та. Сер. Химия, биология. -2001.-№1.-С. 137-143.

110. Термическое оксидирование кремния с учетом самоорганизации переходного слоя на межфазной границе раздела / A.M. Ховив, И.Н. Назаренко, JI.A. Малевская//Неорг. материалы. 1997.-Т. 33, №11. С. 1294-1297.

111. Краткий справочник физико-химических величин / Сост. Н.М. Барон и др.; Под ред. К.П. Мищенко. 4-е изд., перераб. и доп. - М.: Химия, 1995. - 158с.

112. Справочник термодинамических величин / Сост. Г.Б. Наумов и др.; Под ред. Г.Б. Наумова. М.: Атомиздат, 1971 - 239с.

113. Основные термодинамические константы неорганических и органических веществ. Справочник. / М.Х. Карапетьянц и др.; Под ред. М.Х. Карапетьянц. -М.: Химия, 1968. 250с.

114. Третьяков Ю.Д. Твердофазные реакции / Ю.Д. Третьяков. М.: Химия, 1978.-328с.

115. Фесенко Е. Г. Семейство перовскита и сегнетоэлектричество. М.: Атомиздат. 1972. С. 228.

116. Subbarao Е. С, Prasad V. С. S., Rao К. V. Ferroelectrics for Dielectric and Electrooptic Applications // Preparation and Characterisation of Materials/ Eds. J.M. Honig, C.N.R. Rao: Academ. Press, 1981. P. 217 247.

117. Liand Y. X., Yao X. Lead Titanate Powders Derived from Hydrothermal Treatment // Sensors and Actuators A. 1993. V. 35. P. 255 258.

118. Chien А. Т., Sachleben J., Kim J. H. et al. Synthesis and Characterization of PbTi03 Powders and Heteroepitaxial Thin Films by Hydrothermal Synthesis // J. of Materials Research. 1999. V. 14. № 8. P. 3303 3311.

119. Gelabert M. C., Laudise R. A., Riman R. E. Phase Stabillity, Solubility and Hydrothermal Crystal Growth // J. of Crystal Growth. 1999. V. 197. P. 195 203.

120. Gelabert M. C., Gersten B. L., Riman R. E. Hydrothermal Synthesis of Lead Titanate From Complexed Precursor Solutions // J. of Crystal Growth. 2000. V. 211. P. 497-500.

121. Иона Ф., Шираке Д. Сегнетоэлектрические кристаллы. М.: Мир, 1965. С. 327-333.

122. Гавриляченко В. Г., Комаров В. Д., Лейдерман А. В., Фесенко Е. Г.

123. Размерный эффект в изотермических кристаллах // ФТТ. 1998. Т. 40. № 8. С. 1546- 1547.

124. Okuyama М., Matsui Г., et al. Preparation of РЬТЮз Ferroelectric Thin Films by RF Sputtering // Jpn. J. Appl. Phys. 1993. V. 18. № 8. P. 1933 1634.

125. Velu G., Haccart Т., Remiens D. Growth and Properties of PbTi03/Pb(Zr, Ti)03 Heterostructures Deposited by Sputtering on Si Substrates // Integrated Ferroelectrics. 1999. V. 23. № 1. P. 1 14.

126. Taguchi /., Pignolet A., Wang L. et al. Raman Scattering from PbTi03 Thin Films Prepared on Silicon Substrates by Radio Frequency Sputtering and Thermal Treatment. J. Appl. Phys. 1993 V. 73. P. 394 399.

127. Децик В. HКаптелов Е. Ю. Исследование кинетики фазового превращения пирохлора в перовскит в пленках Pb(Zr^Tii.x)03, полученныхгвысокочастотным магнетронным распылением // Поверхность. 1998. № 12. С. 56 -59.

128. Wasa К., Haneda Y., Satoh. Т. et al. Sputtering Deposition of Perovskite Thin Films with Atomic-Scale Controlled Surface // Applied Surface Science. 1997. V. 121 122. P. 152- 155.

129. Kim S., Hang Y., Balk S. Sputter Deposition of Ferroelectric РЬТЮз Thin Films //Ferroelectrics. 1994. V. 152. № 1 4. P. 1 - 6.

130. Stemmer S., Streiffer S. K, Ernst F. et al. Domain Configurations in Ferroelectric PbTi03 Thin Films: The Influence of Substrate and Film Thickness // Solid State Ionics. 1995. V.74. P.43 48.

131. Bornar V., Trolier-Mckinstry S. Phase Development in Pulsed Laser Deposited Pb(YbNb)03 PbTi03 Thin Films // Thin Solid Films. 2000. V. 370. № 1. P. 70-77.

132. Bornand V., Trolier-McKinstry S. Structural and Dielectric Properties of Pulsed Laser Deposited Pb(YbNb)03 PbTi03 Thin Films // Materials Research Soc. Sym. - Proceedings. 2000. V. 603. P. 143 - 148.

133. Kim S., Park Y., Kang Y. et al. Ferroelectric Domains in Epitaxial PbTi03 and BaTi03 Thin Films on MgO (100) // Thin Solid Films. 1998. V. 312. P. 249 253.

134. Kang Y. M, Bae S. C., Ku J. K, Baik S. Preparation of Epitaxial PbTi03 Thin Films by Pulsed Laser Deposition // Thin Solid Films. 1998. V. 312. P. 40 45.

135. Qu B. D., Zhong W. L., Wang К M. et al. Ion-Beam-Assisted Depositon of Ferroelectric PbTi03 Thin Films // J. Appl. Phys. 1993. V. 74. P. 2896 2899.

136. Huffman M, Kalkur T. S., Kammerdiner L. et al. Properties of Ferroelectric PbTi03 Films Grown in an Ionized Cluster Beam System // J. Vac. Sci. Technol. A. 1993. V. 11. №4. P. 1406.

137. Zhu J., Xiao D., Zen J. In Situ Deposition of Highly C-axis Oriented Lanthanum Modified Lead Titanate Thin Films by Multi-Ion-Beam Reactive Co-sputtering Technique // Crystal Research and Technol. 1999. V. 34. № 8. P. 989 -993.

138. Theis C.D., Yeh J., Schlom D. G. et al. Adsorption-Controlled Growth of PbTi03 by Reactive Molecular Beam Epitaxy // Thin Solid Films. 1998. V. 325. P. 107-114.

139. Mochizuki S., Mihara Т., Ishida T. Preparation of PbTi03 Films on Conductive Oxide by Reactive Electron Beam Co-Evaporation // Ferroelectrics. 1996. V. 186. №. 1 -4. P. 37-40.

140. Каппо /., Hayashi S., Takayama R. et al. Processing and Characterization of Ferroelectric Thin Films by Multi-Ion-Beam Sputtering // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1996. V. 112. P. 125 128.

141. Николаев В. И., Ваганова О. Ю., Томашполъский Ю. Я. Синтез пленок РЬТЮз раздельным испарением металлов // Неорган, материалы. 1997. Т. 33. № 7. С. 858 -859.

142. Сидоркин А. С., Сигов А. С., Ховив А. М. и др. Получение и свойства тонких сегнетоэлектрических пленок титаната свинца // ФТТ. 2000. Т. 42. Вып. 4. С. 727 732.

143. Ховив А. М., Сидоркин А. С., Яценко С. О., Яценко О. Б. Получение пленок титаната свинца, обладающих сегнетоэлектрическими свойствами // Неорган, материалы. 1998. Т. 34. № 4. С. 462 463.

144. Логачева В. А., Туренко Е. А., Ховив А. М, Яценко О. Б. Фазовые превращения в тонкопленочной системе Si-Ti-Pb и синтез сегнетоэлектрических пленок. Неорган, материалы. 2001. Т. 37. № 5. С. 462 463.

145. Яценко О. Б., Логачева В. А., Туренко Е. А., Ховив А. М. Выращивание сегнетоэлектрических пленок титаната свинца на кремнии. Тез. Докл. IX Национальнальной конференции по росту кристаллов. Москва. 2000. С. 344.

146. Ховив А. М, Логачева В. А., Якимова Ю. Ю. Структура и свойства тонкопленочного титаната свинца на монокристаллическом кремнии. Тез. Докл. IX Национальнальной конференции по росту кристаллов. Москва. 2000. С. 338.

147. Hwang С. S., Kim Н. J. Deposition and Characterization of РЬТЮ3 Thin Films on Silicon Wafers Using Metalorganic Sources // J. Electronic Mater. 1993. V. 22. P. 707-716.

148. Lee H. Y., Kim H. J. Chemical Vapor Deposition of РЬТЮз Films onto ТЮ2-Si //J. Mater. Sci.: Mater. Electrics. 1991. V. 2. P. 183 186.

149. Novozhilov M. A., Kaul A. R., Gorbenko O. Yu. et al. Epitaxial Ferroelectric Capacitors Obtained by MOCVD // J. De Physique. IV : JP. 1999. V. 9. Pt 2. № 8. P. Pr8-629 Pr8-636.

150. Schmidt С., Lehnert W., Leistner T. et al. MOCVD of Ferroelectric Thin Films // J. De Physique. IV : JP. 1999. V. 9. Pt 2. № 8. P. Pr8-575 Pr8-582.

151. Hong L. S., Wei С. C. Kinetic Study of The Metalorganic Chemical Vapor Deposition of PbTi03 Films From РЬ(С2Н5)/П0-ОСзН7)4/О2 Reaction System // Jap. J. Appl. Phys. Part 1. 2000. V. 39. № 8. P. 4964 4969.

152. Funakubo H., Nagashima K., Shinozaki K., Mizutani N. Comparison of Deposition Behavior of Pb(Zr,Ti)03 Films and its End-Member-Oxide Films Prepared by MOCVD // Thin Solid Films. 2000. V. 368. № 2. P. 261 265.

153. Fujisawa H., Shimizu M., Niu H. et al. Observations of Domain Structure at Initial Growth Stage of PbTi03 Thin Films Grown by MOCVD // Mater. Res. Soc. Symposium Proceedings. 2000. V. 596. P. 321 - 326.

154. Murugavel P., Sharma R., Raju A. R., Rao C. N. R. Study of Ferroelectric Thin Films Deposited on а Ьа№Оз Barrier Electrode by Nebulized Spray Pyrolysis // J. Phys. D: Appl. Phys. 2000. V. 33. № 8. P. 906 911.

155. Liu X., Meng C., Chen F., Yang D. Study on Preparation of PbTi03NiTi Composite by Sol-Gel Method //J. Functional Mater. 2000. V. 31. № 3. P. 290 291.

156. Cheng S. D., Кат С. H., Zhou Y. et al. Sol-Gel Derived Nanocrystalline Thin Films of PbTi03 on Glass Substrate //Thin Solid Films. 2000. V. 375. № 1 2. P. 109 -113.

157. Li A., Wu D., Ge C. et al. Structural and Electrical Properties of PbTi03 Thin Films on Conductive Oxide Ьа№Оз Coated Si Substrates Prepared by Sol-Gel Method // Thin Solid Films. 2000. V. 375. № 1 2. P. 220 - 223.

158. Bao D., Zhang L., Yao X. Preparation and Structure of Preferentially Oriented РЬТЮз Glass-Ceramic Thin Films by Sol-Gel Process I I J. Mater. Research. 1999. V. 13. № l.P. 22-25.

159. Yoon S. G., Kim K. G. Preparation and Deposition Mechanism of Ferroelectric РЬТЮз Thin Films by Chemical Vapor Deposition // J. Electrochem. Soc. 1988. V. 135. P. 3138.

160. Yoon S. G., Park J. D., Choi J. H., Kim H. G. Preparation, Properties, and Characterization of Thin Ferroelectic Films of Lead Titanate // J. Vac. Sci. Technol. A. 1991. V. 9. P. 281.

161. Shimisn M., Fujisawa H., Shiosaki T. MOCVD of Pb-based Ferroelectrics Oxide Thin Films // J. Crystal Growth. 1997. V. 174. P. 464 472.

162. Wang С. H., Choi D. J. Structural Characterization of Partially Crystallized Phases Embedded in Low Temperature MOCVD-Grown PbTi03 Thin Films // J. Mater. Science Letters. 2000. № 17. P. 1505 1508.

163. Byun C., JangJ. W., Lee B. W. Correlation Between the Domain Structure and Ferroelectricity in PbTi03 Thin Films // Mater. Lett. 1998. V. 34. P. 308 311.

164. Byun C., Jang J. W., Cho Y. J. et al. Low Temperature Synthesis of PbTi03 Thin Films by MOCVD Without carrier gas // Thin Solid Films. 1998. V. 324. P. 94 -100.

165. Endo A., Iwasaki A., Wakiya N. et al. Preparation and Properties of PbTi03 -PbZr03 Thin Films by Pulsed МО-Source CVD Method // Key Engineering Materials. 2000. V. 181. P. 77-80.

166. Tong M, Dai G., Gao D. Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition of PbTi03 Thin Films // Materials Letters. 2000. V. 46. № 2 3. P. 60 - 64.

167. Holgado J. P., Caballero A., Espinos J. P. et al. Characterization by X-Ray Absorption Spectroscopy of Oxide Thin Films Prepared by Ion Beam-Induced CVD // Thin Solid Films. 2000. V. 377 378. P. 460 - 466.

168. Wakiya N., Nagata S., Higuchi M. et al. Preparation of PbTi03 Thin Film by Mist Source Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (CVD) Using Heptane Solvent // Jap. J. Appl. Phys. Part 1. 1999. V. 38. № 9 B. P. 5326 5331.

169. Tokita K., Okada F. Fabrication of PbTi03 Thin Films by Laser Metalorganic Chemical Vapor Deposition // Nuclear Instruments and Methods in Phys. Research B. 1997. V. 121. P. 408-411.

170. Leinen D., Caballero A., Fernandez A. et al. Structural Characterization of PbTi03 Thin Films Prepared by Ion Beam Induced CVD and Evaporation of Lead // Thin Solid Films. 1996. V. 272. P. 99 106.

171. Chung S. W., Chung S. O., No K., Lee W. J. Crystalline Structures of the PbTi03 Films Prepared Using the ECR PECVD Method // Thin Solid Films. 1997. V. 295. P. 299-304.

172. Воротников К. А., Сигов А. С., Туревская E. П. и др. Получение тонких сегнетоэлектрических пленок SrBi2Ta209 и BiTaC>4 методом химического нанесения из растворов // Микроэлектроника. 1999. Т. 28. № 3. С. 193 200.

173. Мясникова Т. П., Fax С. Г., Бородин В. 3. и др. Исследование изоструктурного фазового перехода в прозрачных пленках титаната свинца // Изв. Академии Наук. Сер. Физическая. 1992. Т. 56. № 10. С. 83 85.

174. Bouquet V., Zanetti S. М., Foschini С. R. et al. in: Innovative Processing and Synthesis of Ceramic, Glasses, and Composites, Ceramic Transactions. V. 85. The Am. Ceram. Soc. Inc. Westerville. OH. 1998. P. 333.

175. Sato K., Kikuta K., Iwamoto Y., Hirano S. Effect of UV-Irradiation on Processing of Lead Titanate Thin Film Derived From Photoreactive Pb-Ti. Precursor Modified With Alkanolamine // J. Ceramic Soc. Jap. 2000. V. 108. № 1263. P. 998 -1002.

176. Moon W. S., Chung H. J., ParkS. et al. Effect of Lead Acetate Concentration on the Droplet Size in Liquid Source Misted Chemical Deposition // Thin Solid Films. 2000. V. 358. № i.p. 86- 89.

177. Malic В., Kosec M., Smolej K., Stavber S. Effect of Precursor Type on the Microstructure of PbTi03 Thin Films // J. European Ceramic Soc. 1999. V. 19. № 6 -7. P. 1345 1348.

178. Blum J. В., Gurkovich S. R. Sol-Gel-Derived PbTi03 // J. Mater. Sci. 1985. V. 20. P. 4479.

179. Lu C., Shen H. M, Wang Y. N. Grain Size Effect on The Phase Transitions in Oriented PbTi03 Thin Films Deposited by the Sol-Gel Method on (111) Pt/Si // Materials Letters. 1998. V. 34. P. 5 9.

180. Xiong S. В., Ye Z. M., Liu J. M. et al. Crystallization of Amorphous Lead Titanate Thin Films by the Irradiation of KrF Excimer Laser // Appl. Surface Scence. 1997. V. 109-110. P. 124- 127.

181. Яновская M. И., Турова H. Я., Туревская E. П. и др. О получении сегнетоэлектрических пленок титаната бария из алкоголятов металлов // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1981. Т. 17. № 2. С. 301 309.

182. Турова Н. Я., Яновская М. И. Оксидные материалы на основе алкоголятов металлов // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1983. Т. 19. № 5. С. 693 706.

183. Urlacher С., Marty О., Plenet J. С. et al. Structural and Micro structural Analyses of Sol-Gel Lead Titanate Optical Planar Waveguides // Thin Solid Films. 1999. V. 349. P. 61-66.f

184. Lai Y. C., Lin J. C., Lee C. Nucleation and Growth of Highly Oriented Lead Titanate Thin Films Prepared by Sol-Gel Method // J. Appl. Phys. 1998. V. 125. P. 51 -57.

185. Meng X., Cheng J., Ye H., Chu J. Characterization of the Crystallization Behaviors in the PbTi03 Thin Films on Si Substrates by an Infrared Spectroscopy Technique // Infrared Phys.&Technol. 2000. V. 41. P. 47 50.

186. Bao D., Wu X., Zhang L., Yao X. Preparation, Electrical and Optical Properties of (Pb,Ca)Ti03 Thin Films Using a Modified Sol-Gel Technique // Thin Solid Films.1. J 1999. V. 305. P. 30-37.\

187. Li A., Wu D., Ge C. et al. Structural and Electrical Properties of РЬТЮз Thin Films on Conductive Oxide Ьа№Оз Coated Si Substrates Prepared by Sol-Gel Method // Thin Solid Films. 2000. V. 375. P. 220 223.

188. Sol-Gel Technology for Thin Films, Fibers, Preforms, Electronics and Specialty Shapes / Ed. Klein L.C. Noyes Publications: Park Ridge, N.J., USA. 1988. P. 374-380.

189. Xu Y, Mackenzie J. D. Ferroelectric Thin Films Prepared by Sol-Gel Processing // Integrated Ferroelectrics. 1992. V. 1. № 1. P. 17-42.

190. Budd K. D., Dey S. K., Payne D. A. The Effect of Hydrolysis Conditions on the Characteristics of РЬТЮз Gels and Thin Films // Materials Research Soceity. Symposia Proceeding. 1986. V. 73: Better Ceramics Through Chemistry II. P. 711 -716.

191. Щеглов П. А., Меньших С. А., Рыбакова JI. Ф., Томаилполъский Ю. Я. Получение сегнетоэлектрических пленок ВаТЮз и PbTi03 модифицированным золь-гель методом // Неорган, материалы. 2000. Т. 36. № 4. С. 470 475.

192. Keijer М., Dormans G. J. М., Veldhoven P. J., Leeum D. M. Effect of Crystallite Size in PbTi03 Thin Films // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. P. 3556 3558.

193. Le Marrec F., Farhi R., Ariosa D. et al. РЬТЮз Based-Multilayers: Growth Anomalies, X-Ray Analysis and Raman Spectroscopy // Proceedings of SPIE The International Society for Optical Engineering. 2000. V. 4058. P. 303 - 312.

194. Lee K. S., Baik S. Domain Structure of Epitaxial РЬТЮз Thin Films: Effects of Substrate Selection and Film Thickness // Integrated Ferroelectrics. 1999. V. 25. № 1. P. 61-69.

195. Wasa К, Ai R., Ichikawa Y. et al. Thin Film Effects in the FerroelectrictT "

196. РЬТЮз I I Proceedings of the IEEE Ultrasonics Symposium. 1999. V. 2. P. 999 -1003.

197. Kim T. W., Yoon Y. S., Yoon S. S. et al. Structural Properties and Interfacial Layer Fotmation Mechanisms of РЬТЮз Thin Films Grown on p-Si Substrates // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. № 20. P. 763 769.

198. Park J. H., Trolier-McKinstry S. Dielectric and Transverse Piezoelectric Characterization of Sol-Gel Derived Pb(Mgl/3Nb2/3)03-PbTi03(70/30) Films with {100} and {111} Textures // Mater. Research Soc. Symposium Proceedings. 2000. V. 596. P. 511-516.

199. Chen C., Ryder D. F., Spurgeon W. A. Synthesis and Microstructure of Highly Oriented Lead Titanate Thin Films Prepared by a Sol-Gel Method. // J. Am. Ceram. Soc. 1989. V. 72. P. 1495.

200. Kushida K, Udayakumar K. R., Krupanidhi S. В., Cross L. E. Origin of Orientation in Sol-Gel Derived Lead Titanate Films. J. Am. Ceram. Soc. 1993. V. 76. P. 1345.

201. Ma W., Zhang M., Sun L. et al. Thickness and Substrate Effects of Epitaxial PbTi03 Thin Films // Ferroelectrics. 1998. V. 23. № 5 6. P. 153 - 164.

202. Ai R., Ito H., Asayama G. et al. Effects of Cooling Rates on the Crystal Orientation of Sputtered Pb-Ti-0 Thin Films // Proceedings of SPIE The

203. V International Society for Optical Engineering. 2000. V. 4058. P. 426 433.

204. Сигу I. R., Tadashi S., Toshihisa H., Kazumi M. Nb-Doped РЬТЮЗ Films Deposited on MgO Substrates // Proceedings of the IEEE Ultrasonics Symposium. 1999. V. 2. P. 1005 1008.

205. Meng X,Cheng J., Ye H. et al. Infrared Reflection Spectra and Phonon Modes of РЬТЮз Polycrystalline Thin Film // J. Infrared and Millimeter Waves. 1999. V. 18. №5. P. 392-396.

206. Uchida H., Saiki A., Wakiya N. et al. Effect of the Residual Stress Induced by External Stress Application on Dielectric Properties of Epitaxial Lead Titanate Film // J. Ceramic Soc. Jap. 2000. V. 108. № 125. P. 21 25.

207. Pertsev N. A., Zembilgotov A. G., Tagantsev A. K. Equilibrium States and Phase Transitions in Epitaxial Ferroelectric Thin Films I I Ferroelectrics. 1999. V. 223. № 1 4. P. 79-90.

208. Chang С. C. Effect of Annealing on PbTi03 Thin-Films Quality Improvement // Thin Solid Eilms. 1997. V. 311. P. 304 309.

209. Mihara Т., Mochizuki S., Ishida T. et al. Low Temperature Crystallization of РЬТЮз Thin Film by Excimer Laser Irradiation // Materials Research Society Symposium Proceedings. 2000. V. 596. P. 557 - 561.

210. Rabe К. M., Ghosez P. Ferroelectricity in РЬТЮз Thin Films: a First Principles Approach // J. Electroceramics. 2000. V. 4. № 2. P. 379 383.

211. Wasa K., Haneda Y., Sato T. et al. Single Domain/Single Crystal Ferroelectric РЬТЮз Thin Films // Proceedings of IEEE Ultrasonics Symposium. 1998. V. 1. P. 619 -624.

212. Maeda M., Ishida H., Soe К. К. K., Suzuki I. Preparation and Properties of РЬТЮз Films by Sol-Gel Processing // Jpn. J. Appl. Phys. 1993. V. 32. № 9B. P. 4136 -4140.

213. Li #., Tang X., Li Q. et al. Optical Functions of Ca-Modified PbTi03 Thin Films Determined by Spectroscopic Ellipsometry // Solid State Communications. 2000. V. 114. №6. P. 347-350.

214. Mansingh A., Nayak R., Gupta V., Sreenivas K. Surface Acoustic Wave Propagation in PZT/YBC0/SrTi03 and PbTi03/YBC0/SrTi03 Epitaxial Heterostructures // Ferroelectrics 1999. V. 224. № 1 4. P. 275 - 282.

215. Dogheche E., Remiens D. Deposition and Optical Characterization of Lead-Based Ferroelectric Films for Integrated Optics // Integrated Ferroelectrics. 1999. V. 25. № l.P. 71-82.

216. Hovsepyan R. K., Kafadaryan E. A., Vardanyan E. S. et al. Far-Infrared Conductivity of the PbZro.52Tio.4sO3 and Cu-Doped PbTi03 Ferroelectric Thin Films // Thin Solid Films. 2000. V. 364. № 1. P. 284 286.

217. Wang Y. G., Reeves M. E., Chang W. et al. Near-Field Imaging of the Microwave Dielectric Properties of Single-Crystal РЬТЮз and Thin-Film Sri.jBa/ПОз I I Mater. Res. Soc. Symposium Proceedings. 2000. V. 603. P. 289 - 294.

218. Mikkelsen J.C. Diffusivity of Oxygen in Silicon During Steam Oxidation / J.C. Mikkelsen, Jr. // Appl. Phys. Letters. 1982. - Vol. 40. - N 2. - P. 336

219. Обобщенная кинетика термической пассивации полупроводников / Я.А. Угай, В.З. Анохин, A.M. Ховив и др. // Кинетика и катализ. 1983. - Вып.4. - С. 781-788.