Синтез и свойства легированных галлием пленок теллурида свинца на кремниевых подложках тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.01, кандидат химических наук Шаров, Михаил Константинович

• Шаров, Михаил Константинович
• кандидат химических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат химических наук Шаров, Михаил Константинович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

1.1. Система свинец - теллур.

1.2. Получение пленок теллурида свинца.

1.3. Структура и физические свойства эпитаксиальных пленок теллурида свинца.

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

2.1. Методика выращивания тонких пленок теллурида свинца.

2.2. Локальный рентгеноспектральный микроанализ.

2.3. Рентгеноструктурный анализ.

2.4. Металлографический анализ тонкой структуры монокристаллов 81, РЬТе и пленок РЬТе.

2.5. Изучение электрофизических свойств тонких пленок РЬТе.

ГЛАВА 3. МИКРОСТРУКТУРА ТОНКИХ ПЛЕНОК РЬТе/81 И РЬТе^Юг^

3.1. Влияние условий формирования на кристаллическую структуру пленок РЬТе/81 и РЬТе/ЗЮг/Бь.

3.2. Металлографическое исследование микроструктуры объемных монокристаллических и тонкопленочных образцов РЬТе.

3.3. Рентгенографическое исследование скалярной плотности дислокаций в пленках РЬТе/81 и РЬТе/8Ю2/81.

ГЛАВА 4. ЛЕГИРОВАНИЕ ПЛЕНОК РЬТе/81 И РЬТе/БЮ^ ГАЛЛИЕМ

ИЗ ПАРОВОЙ ФАЗЫ НАД ГЕТЕРОГЕННОЙ СМЕСЬЮ ОаТ

§ + и

4.1. Выбор условий парофазного легирования галлием пленок теллурида свинца на кремниевых подложках.

4.2. Моделирование процесса парофазного легирования галлием тонких пленок РЬТе/81 и РЬТе/8Ю2/81.

4.3. Методика и результаты парофазного легирования галлием пленок РЬТе/81 и РЬТе/8Ю2/81.

ГЛАВА 5. СИНТЕЗ ПЛЕНОК ТЕЛЛУРИДА СВИНЦА, ЛЕГИРОВАННЫХ ГАЛЛИЕМ НЕПОСРЕДСТВЕННО В ПРОЦЕССЕ РОСТА 5.1. Условия раздельной конденсации паров РЬ и Ga из независимых источников при выращивании пленок методом "горячей стенки".

5.2. Изучение процесса конденсации паров над расплавами системы

Pb - Ga при помощи метода "горячей стенки".

5.3. Синтез пленок РЬТе, легированных Ga непосредственно в процессе роста на Si подложках.

5.4. Влияние содержания примеси галлия на параметр кристаллической решетки пленок Pbi-yGayTe.

ГЛАВА 6. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЛЕГИРОВАННЫХ

ГАЛЛИЕМ ПЛЕНОК РЬТе И ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ.

ВЫВОДЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Синтез и свойства легированных галлием пленок теллурида свинца на кремниевых подложках»

Актуальность. Одной из главных задач неорганической химии на пороге XXI века остается проблема разработки научных основ создания надежных и воспроизводимых методов получения материалов с сенсорными свойствами. Узкозонные полупроводники А1УВУ1 и твердые растворы на их основе уже свыше 40 лет привлекают к себе пристальное внимание ученых-материаловедов всего мира [1]. Эти соединения обладают способностью детектировать ИК-излучение в широком интервале длин волн, что объясняет их практическое применение в различных приборах оптоэлектронной техники [2].

Качественное совершенствование известных сенсорных материалов, в том числе и соединений А1УВУ1, а также конкретных устройств на их основе происходит по нескольким причинам. Во-первых, жесткие требования миниатюризации, предъявляемые современной электронной техникой, приводят к широкомасштабному применению тонкопленочных структур в качестве активных элементов серийно изготовляемых приборов. Во-вторых, существенным образом возросла необходимость создания компактных и высокоэффективных многоцветных ИК-приемников, оптимальная конструкция которых базируется на использовании тонких пленок соединений А!УВУ1 и их твердых растворов [2]. Уникальные свойства тонкопленочных структур этих соединений и возможность их целенаправленного изменения для решения широкого круга прикладных задач открывает путь к созданию принципиально новых квантовых электронных приборов. Как известно [3-4], одним из наиболее интенсивно исследуемых объектов полупроводниковой электроники являются сверхрешетки и структуры с квантовыми ямами. Весьма существенным достоинством подобного типа структур может служить значительное улучшение параметров уже существующих приборов при использовании на них сверхрешеток [4]. Разработка надежной технологии формирования качественных тонких пленок соединений А1УВУ1 на кремнии, который является базовым материалом современной микроэлектроники, позволит создать гибридные интегральные схемы, одновременно включающие в себя элементы регистрации ИК-излучения, а также систему цифровой обработки детектируемого сигнала [56]. Поиск новых сенсорных материалов очень часто может привести к желаемой цели при исследовании тройных и четверных систем на основе хорошо известных 5 полупроводниковых материалов с микросодержанисм других компонентов [7]. Как известно, для. применения в приборах оптоэлектронной техники наиболее перспективными являются легированные полупроводниковые соединения A1VBVI и их твердые растворы [8, 9]. При этом пленки, а также монокристаллы РЬТе и РЬТе - SnTe, легированные металлами III А группы Периодической системы Д.И. Менделеева, обладают уникальными электрофизическими свойствами, поскольку в них наблюдается стабилизация уровня Ферми Ef внутри запрещенной зоны. В ряду соединений AIVBVI легированный галлием теллурид свинца занимает особое место, поскольку происходящая при легировании стабилизация Ер приводит к понижению концентрации носителей заряда до значений, близких к собственным [9]. Более того, для них характерно повышение температуры эффекта задержанной фотопроводимости до Тс = 80 К [8-10]. При этом природа и механизмы этих явлений еще до конца не изучены. Поэтому изучение процессов получения легированных галлием пленок теллурида свинца и их физико-химических параметров имеет большое значение с точки зрения фундаментальной науки. Накопление и систематизация экспериментальных данных по ИК-чувствительности, электрофизическим и магнитным свойствам этих материалов позволит разработать единую теоретическую модель поведения примесных атомов металлов III А группы Периодической системы в кристаллах и тонких пленках соединений A1VBVI, а также твердых растворов на их основе.

Цель работы: направленный синтез легированных галлием пленок теллурида свинца с контролируемым содержанием примесных атомов и заданными свойствами на кремниевых подложках, а также определение характера влияния примесных атомов на их кристаллохимическую структуру и электрофизические свойства.

Для достижения цели требовалось выполнение следующих задач:

1. Определение технологических режимов модифицированного метода "горячей стенки", позволяющих выращивать монокристаллические пленки PbTe/Si и PbTe/Si02/Si с высокой степенью структурного совершенства;

2. Разработка научно-обоснованного метода парофазного легирования Ga предварительно синтезированных пленок PbTe/Si и PbTe/SiCVSi;

3. Разработка научно-обоснованного метода синтеза пленок РЬТе на Si подложках, легированных галлием непосредственно в процессе их роста, 6 позволяющего осуществлять строгий контроль содержания примесных атомов в выращиваемой пленке;

4. Исследование кристаллической структуры, электрофизических параметров и чувствительности к ИК-излучению легированных Оа пленок РЬТе/81 и РЬТе/БЮг^.

Методы исследования. Исследования тонких пленок РЬТе/81 и РЬТе/БЮз/В! проводили при помощи комплекса физико-химических методов. Реальную кристаллическую структуру пленок теллурида свинца изучали при помощи методов металлографического анализа, прецизионного рентгенографического анализа и электронно-растровой микроскопии. Изучение количественного химического состава и фазовой структуры пленок осуществляли при помощи методов локального рентгеноспектрального анализа (ЛРСА) и рентгенофазового анализа соответственно.

В работе также были использованы методы исследования температурных зависимостей электрофизических параметров и чувствительности к инфракрасному (ИК) излучению. Для проведения расчетов и моделирования процессов применяли современную вычислительную технику с использованием оригинальных авторских программных продуктов. Оценку достоверности результатов проводили методами математической статистики.

Научная новизна. В данной работе впервые разработан метод легирования галлием пленок РЬТе/81 и РЬТе/810г/81 посредством двухтемпературного отжига в насыщенном паре над гетерогенной смесью ОаТе8 + в системе галлий -теллур.

Впервые на основании исследования процесса испарения расплавов РЬ>1-хОах при температурах выше 900 К установлено, что присутствие свинца стимулирует увеличение парциального давления галлия, содержание которого в паровой фазе может достигать 0,1 мольн. д., несмотря на то, что при данных условиях летучесть чистого жидкого свинца практически в 1000 раз превышает аналогичную характеристику чистого жидкого галлия. На основании проведенных термодинамических расчетов показано, что поведение галлия в расплавах системы РЬ - ва в интервале температур 950 - 1200 К характеризуется положительным отклонением от идеальности. 7

Результаты изучения процесса испарения расплавов РЬ1-хОах позволили впервые разработать научно-обоснованный метод синтеза легированных Оа пленок теллурида свинца с возможностью строгого и гибкого контроля содержания примесных атомов в выращиваемой пленке.

На основании прецизионных рентгенографических исследований легированных галлием пленок теллурида свинца впервые установлен немонотонный вид зависимости параметра кристаллической решетки от содержания в них примесных атомов, что связано с различным расположением галлия в матрице РЬТе.

Результаты комплексного изучения реальной кристаллической структуры пленок РЬТе/81 и РЬТе/ЗЮг^ при помощи металлографического анализа, электронно-растровой микроскопии и прецизионных рентгенографических исследований позволили установить, что присутствие переходного буферного слоя 8Юг толщиной 20 ± 5 нм приводит к повышению структурного совершенства пленок и снижению средней скалярной плотности дислокаций, однако с увеличением толщины оксидного слоя до 100-300 нм наблюдается рост плотности дислокаций с последующим переходом в поликристаллическое состояние.

Обнаружено амфотерное поведение галлия в решетке РЬТе в зависимости от способа легирования и концентрации примесных атомов.

Практическая значимость. Соединения А1УВУ| и их твердые растворы, в том числе и РЬТе, являются перспективными материалами для ИК-оптоэлектроники, поскольку позволяют детектировать тепловое излучение в очень широком интервале длин волн. Формирование качественных тонких пленок соединений на кремнии позволит создать гибридные интегральные схемы, одновременно включающие в себя элементы регистрации ИК-излучения, а также систему цифровой обработки детектируемого сигнала. Легирование пленок теллурида свинца галлием приводит к стабилизации уровня Ферми внутри запрещенной зоны. В ряду соединений легированный Са теллурид свинца занимает особое место, поскольку происходящая при легировании стабилизация Ер сопровождается понижением концентрации носителей заряда до значений ~ 1014 см-3 при 77 К. Пленки РЬТе с такими значениями 8 концентрации носителей заряда обладают исключительно высокой чувствительностью к ИК-излучению.

Апробация работы. Материалы диссертационной работы были представлены на Всероссийских и международных конференциях:

- Всероссийская конференция молодых ученых "Современные проблемы теоретической и экспериментальной химии, Саратов, 1997;

- 6th International Conference "Physics and Technology of Thin Films", Ivano-Frankivsk, 1997;

Второй Российский симпозиум "Процессы тепломассопереноса и рост монокристаллов и тонкопленочных структур". Обнинск. 22-24 сентября, 1997;

- 5th International Workshop MSU-HTSC V. Moscow. March 24-29, 1998.

- European Materials Research Society E-MRS'98 Spring Meeting. Strasbourg. France, June 16-19, 1998.

- Всероссийская научно-техническая конференция "Новые материалы и технологии НМТ-98" Москва. 17-18 ноября, 1998.

- Third International Conference "Single Cristal Growth, Strength Problems, and Heat Mass Transfer". Obninsk. 1999.

Публикации. По результатам проведенных исследований опубликовано 9 статей, 4 из которых в центральной российской печати, 1 в международном журнале. Всего имеется 21 публикация.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, шести глав, списка литературы, включающего 119 наименований источников и приложения. Содержание работы изложено на 160 страницах и включает 54 рисунка и 20 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Неорганическая химия», Шаров, Михаил Константинович

ВЫВОДЫ

1. Буферный слой БЮг толщиной от 20 до 50 нм в пленках РЬТе/БЮг/Б! приводит к улучшению их кристаллической структуры и понижению средней скалярной плотности дислокаций до величин менее 105 см-2.

2. Двухтемпературный отжиг в насыщенном паре равновесия ОаТе5 + + V системы галлий - теллур обеспечивает процесс легирования галлием пленок РЬТе на кремниевых подложках.

3. Процесс испарении расплавов системы РЬ - ва в температурном интервале 1000 - 1300 К, лежащем выше области расслоения, характеризуется существенным увеличением летучести Оа, которое стимулировано присутствием свинца, при этом в поведении галлия обнаруживается значительное положительное отклонение от идеальности.

4. Впервые разработан научно-обоснованный метод одностадийного синтеза легированных ва пленок теллурида свинца, обладающий способностью строгого и гибкого контроля содержания примесных атомов в выращиваемой пленке.

5. Легирование галлием из паровой фазы над гетерогенной смесью ОаТе5 + Ь1 системы галлий - теллур предварительно синтезированных пленок РЬТе вызывает увеличение параметра решетки с ростом содержания примеси, что указывает на преимущественное расположение атомов галлия в тетраэдрических междоузлиях в виде катионов Оа3+.

6. При синтезе пленок РЬ|-уОауТе, легированных галлием из расплавов системы РЬ-Оа, изменение параметра решетки с ростом содержания примесных атомов имеет немонотонный характер, что указывает на смену механизма встраивания атомов примеси в кристаллическую структуру теллурида свинца. Уменьшение параметра решетки вызвано преимущественным расположением атомов галлия в узлах подрешетки свинца, а увеличение параметра -заполнением тетраэдрических междоузлий.

7. В зависимости от механизма вхождения в кристаллическую решетку Са в РЬТе проявляет амфотерные ( донорные и акцепторные ) свойства. При размещении в узлах подрешетки свинца атомы галлия проявляют преимущественно акцепторные свойства, а в случае размещения в тетраэдрических междоузлиях - донорные.

150

8. Легированные галлием пленки РЬТе на Si подложках обладают высокой чувствительностью к ИК - излучению: при температурах ниже 77 К сопротивление легированных пленок теллурида свинца под действием ИК -излучения снижается в 40 - 100 раз.

151

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Шаров, Михаил Константинович, 2000 год

1. Munoz V., Lasbley A., Klotz S. et al. Synthesis and Growth of PbTe Crystals at Low Temperature and Their Characterization.// Journ. Cryst. Growth. 1999. V. 196. P. 71-76.

2. Медведев Ю.В. Многоцветные ИК приемники.// Зарубежная электронная техника. 1983. № 10. С. 40-53.

3. Берченко Н.Н., Войцеховский А.В., Ижнин И.И. и др. Сверхрешетки и структуры с квантовыми ямами на основе соединений A1VBV1.// Зарубежная электронная техника. 1987. № 11. С. 58-93.

4. Антипина Н.Р., Берченко Н.Н., Войцеховский А.В. и др. Сверхрешетки HgTe CdTe - новый материал для оптоэлектронной техники. // Зарубежная электронная техника. 1987. № 11. С. 3-46.

5. Zogg Н., Fach A., Maissen С. et al. Photovoltaic Lead-Chalcogenide on Silicon Infrared Sensor Arrays. // Optical Engineer. V.33. № 5. 1994. P. 1440 1449.

6. Zogg H., Maissen C., Maser J. et al. Photovoltaic Infrared Sensor Arrays in Monolithic Lead Chalcogenides on Silicon. // Semicond. Sci. Technol. 1991. № 6. P. 36-41.

7. Miotrowska S., Dynowska E., Miotrowski I. et al. The Lattice Constant of Ternary and Quaternary Alloys in the PbTe SnTe - MnTe System.// Journ. Cryst. Growth. 1999. V. 200. P. 483-489.

8. Alcimov B.A., Dmitriev A.V., Kholchlov D.R., Ryabova L.I. Carrier Transport and Non-Equilibrium Phenomena in Doped PbTe and Related Materials // Phys. Stat. Sol. 1993. V.137. № 8. P.9-55.

9. Скипетров Е.П., Некрасова A.H., Пелехов Д.В. и др. Электрофизические и фотоэлектрические свойства PbTe(Ga), облученного электронами. // Физика и техника полупроводников. 1994. Т. 23, №9. С. 1626-1635.

10. Немов С.А., Мусихин С.Ф., Осипов П.А., Прошин В.И. Энергетический спектр твердых растворов (Sno.esPb 0,35)0,95Geo,o5Te. // Физика твердого тела. 2000. Т. 42. № 4. С. 623-625.;

11. Хансен М., Андерко К. Структуры двойных сплавов: Справочник. Пер. с англ.- М.: Металлургиздат. 1962. Т.1. 608 е.; Т.2. с.609-1488.

12. Абрикосов Н.Х., Шелимова Л.Е. Полупроводниковые материалы на основе соединений A^Bvi. М.: Наука, 1975. - 195 с.152

13. Зломанов В.П., Новоселова А.В. Р-Т-х диаграммы состояния систем металл-халькоген. М.: Наука, 1987. 207 с.

14. Brebriek R.F., Allgaier K.S. Composition Stability Limits of PbTe // J. Chem. Phys. 1960. -V.32,№6, -P. 1826 - 1832.

15. Elliott R.P. Constitution of Binary Alloys. First Supplement. N.Y.: McGraw Hill Book Co., 1965. 362 p.

16. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. M.: Мир, 1969. 654 с.

17. Андреев А.А., Радионов В.Н. Коэффициент Холла и зонная структура теллурида свинца // Физика и техника полупроводников. 1967. Т.1. № 2. С. 183189.

18. Айрапетян С.В., Виноградов М.Н., Дубровская И.Н. и др. Структура валентной зоны сильно легированного теллурида свинца. // Физика твердого тела. 1966. Т. 8, № 5. С. 1337-1340.

19. Tauber R.N., Macnovis А.А., Cadoff J.В. Thermal and Optical Energy Gaps in PbTe. // Journ. Appl. Phys. 1964. V.37, № 12. P.4855-4860.

20. Равич Ю.И., Ефимова Б.А., Смирнов И.А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS. М.: Наука. 1968. с.

21. NimtzG., Schlicht В. Narrow-gap Semiconductors. Berlin. 1985.243 р.

22. Гавалешко Н.П., Горлей П.Н., Шендеровский В.А. Узкозонные полупроводники: Получение и физические свойства. Киев: Наукова думка. 1984 .

23. Заячук Д.М. К вопросу о доминирующих механизмах рассеяния носителей заряда в теллуриде свинца.// Физика и техн. полупроводников. 1997. Т.31, № 2. С.217-221.

24. Фотопроводимость Pbi-xSnxTe(In) в миллиметровой области спектра./ Ю.А. Абрамян, В.И. Гавриленко, З.Ф. Красильник и др. // Физика и техника полупроводников. 1994. Т. 28, № 3. С. 533-534.

25. Kasemset D., Rotter S., Fonstad C.G. Liquid Phase Epitaxy of PbTeSe Lattice-Matched to PbSnTe.// Journ. of Electronic Materials. 1981. V. 10, № 5. P. 863-878.

26. McDonald J.A. Nights of the Future: II-VI Primer. Part 2: Tapping the True Potential of First and Second Generation Il-Vi Products.// Ill Vs Revue. 1992. V. 5, №2. P. 28-33.

27. Zogg H., Fach A., John J. et al. Photovoltaic Pbi-xSnxSe-on-Si IR Sensor Arrays for Thermal Imaging. // Extended Abstracts of the 1994 International Conference on153

28. Solid Stales Devices and Materials. August 23 26, 1994, Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan. P. 963 - 964.

29. Захарова И.Б., Зубкова Т.И., Немов С.А. и др. Фоточувствительные поликристаллические пленки компенсированного теллурида свинца РЬТе:С1,Теех. // Физика и техника полупроводников. 1994. Т. 28, № 10. С. 1802-1807.

30. Astles M.G., Iiatto P., Crocker A.J. Liquidus Measurements in the Pb Sn -Те System.// Journ. Cryst. Growth. 1979. V. 47. P.379-383.

31. Belenchuk A., Shapoval O., Kantser V. et al. Growth of (11 l)-oriented PbTe Thin Films on Vicinal Si (111) and on Si (100) Using Fluoride Buffers. // Journ. Cryst. Growth. 1999. V. 198/199. P. 1216-1221.

32. Марков B.M., Маскаева JI.M., Лошкарева Л.Д. Получение твердых растворов замещения в системе свинец олово - селен. // Неорганические материалы. 1997. Т. 33. № 6. С. 665 - 668.

33. Salomeni Н., Kanniainen Т., Ritala М. et al. Electrodeposition of PbTe Thin Films. // Thin Solid Films. 1998. V. 326. P.78-82.

34. Фрейк Д.М., Галущак M.A., Межилевская И.И. Физика и технология полупроводниковых пленок. Львов: Вища школа, 1988. 155 с.

35. Scholar R.B., Zemel J.M. Preparation of Single-crystal Films of PbS // Journ. Appl. Phys. 1984. V.35, № 6. P.1848-1851.

36. Jensen J.D., Scholar R.B. Surface Charge Transport in PbSz(Se)x and Pbi-xSnxSe Epitaxial Films.//J. Vac. Sci. Technol. 1976. V.13, № 4. P. 920-925.

37. Фрейк Д.М., Рувинский M.A. Синтез пленок AIVBVI из навесок механической смеси компонентов под "тепловым затвором". // Журнал техн. физики. 1983. Т.53. С.1378 1379.

38. Боткин К.В., Шотов А.П., Урсаки В.В. Тонкие слои выращенные методом "горячей стенки". // Изв. AFI СССР. Неорганические материалы. 1981. Т. 17, № 1. С. 24-27.

39. Kasai I., Hermung J. Pbi-xSnxTe Epitaxial Layers Prepared by the Hot-Wall Technique. // Journ. Electron. Mater. 1975. V. 4, № 2. P. 299-311.

40. Ishida A., Aoki M., Fujiyasu H. Sn diffusion Effects on X-ray Difraction Patterns of PbixSnxTe- PbSeyTei-y Superlattices //Journ. Appl. Phys. 1985. V.58, № 2. P.797-801.

41. Clemens H. Crowth of PbTe Doping Superlattices by Hot Wall Epitaxy. // Journ. Cryst. Growth. 1988. V.88. P.236-240.154

42. Clemens H., Farther E., Bauer G. Hot-Wall Epitaxy System for the Growth of Multilayer IV-VI Compound Heterostructures. // Rev. Sci. Instrum. 1983. V 54, № 6. P.685-689.

43. Ishida A., Aoki M., Fujiyasu H. Semimetallic Hall Properties of PbTe-SnTe Superlattice. //Journ. Appl. Phys. 1985. V. 58, N5. P. 1901-1903.

44. Фрейк Д.М. , Раренко И.М., Солонинный Я.В. и др. Эпитаксия пленок Pbo.sSno.zTe / // Физ. электроника. 1979. Вып. 18. С. 82- 86.

45. Lopez-Otero A. The Use of a Phase Diagram as a Guide for Crowth of PbTe Films //Journ. Appl. Phys. Lett. 1975. V.55. P. 2032-2036.

46. Угай Я.А., Самойлов A.M., Сыноров Ю.В. и др. Получение тонких пленок теллурида свинца на кремниевых подложках. // Неорганические материалы. 1994. Т.30. № 7. С. 898-902.

47. Zogg H., Fach A., John J. et al. Epitaxy of IV-VI Materials on Si with Fluoride Buffers and Fabrication of IR-sensors Arrays // Extended Thesis of 7-th International Conference on Narrow Gap Semiconductors. Santa Fe, USA. Jan. 8 12. 1995. P. 134 -140.

48. Thermal Mismatch - Strain Relaxation in Epitaxial СаРг, BaF2/CaF2, and PbSe/BaF2/CaF2 Layers on Si (111) after Many Temperature Cycles.// Phys. Review B. 1994. V. 50, № 15. P. 10801 - 10810.

49. Ласка В.Jl., Кондратьев А.В., Потапенко А.А. Эффективность геттерирования при массопередаче в вакууме. // Инж. физ. журнал. 1984. Т.46, N6. С.949 - 952.

50. Рид С. Электронно-зондовый микроанализ. М.: Мир, 1979. - 432 с.

51. Микроанализ и растровая электронная микроскопия / Под ред. Ф. Морис, Л. Мени, Р. Тиксье.// М.: Металлургия. 1985. 407 с.

52. Горелик С.С., Расторгуев Л.Н., Скаков Ю.А. Рентгенографический и электронно-оптический анализ. М.: Металлургия, 1970. 368 с.

53. ASTM Difraction Data Cards File. Ref. Swanson & Fuyat. N.B.S. Circular . 539. 1953-1979. V.2, P.25.

54. Уманский Я.С., Скаков Ю.А., Иванов А.Н. и др. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. М.: Металлургия, 1982. 432 с.155

55. Горелик С.С., Расторгуев Л.Ы., Скаков Ю.А. Рентгенографический и электронно-оптический анализ. М.: МИСИС, 1994. 328 с.

56. Пшеничнов Ю.П. Выявление тонкой структуры кристаллов. М.: Металлургия. 1974. 528 с.

57. Современная кристаллография./ Под ред. Б.К. Вайнштейна. Т. 2. Структура кристаллов. М.: Наука. 1979. 360 с.

58. Шаскольская М.П. Кристаллография. М.: Высшая школа. 1984. 375 с.

59. Козлова О.Г. Рост и морфология кристаллов. М.: Изд-во МГУ. 1980. 357 с.

60. Епифанов Г.И. Физические основы микроэлектроники. М.: Советское радио. 1971. 375 с.

61. Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников. М.: Высшая школа, 1975.296 с.

62. Кучис Е.В. Методы исследования эффекта Холла. М.: Советское радио. 1974. 328 сО.

63. Равич Ю.И., Ефимова Б.Л., Смирнов И.А. Методы исследования пролупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS. М.: Наука. 1968. С.41.

64. Ugai Ya.A., Samoylov A.M., Dolgopolova E.A., Sharov M.K. Crystal Microstructure of PbTe Thin Films on Si Substrates. // VI International Conference "Physics and Technology of Thin Films". Ivano-Franlcivsk, 1997. Book of Abstracts. Part I. P. 36.

65. Карасевская О.П., Петьков В.В., Ульшин С.В. и др. Методические особенности рентгеновского определения параметров дислокационной структуры монокристаллов. // Заводская лаборатория. 1995. № 3. С. 18-20.

66. Кривоглаз М.А. Теория рассеяния рентгеновских лучей и тепловых нейтронов реальными кристаллами. М.: Наука. 1967. 325 с.

67. Ugai Y.A., A.M. Samoylov, A.V. Tadeev, M. K. Sharov. Crystal Microstructure of PbTe/Si and PbTe/Si02/Si Thin Films.// European Materials Research Society ( E-MRS'98). Strasbourg. France. June 16-19. 1998. D-V/P20. D-23.

68. Угай Я.А., Самойлов A.M., Шаров M.K., Сыноров Ю.В. Кристаллическая микроструктура тонких пленок теллурида свинца на кремниевых подложках. //157

69. Труды 2-го Российского Симпозиума "Процессы тепломассопереноса и рост монокристаллов и тонкопленочных структур". Обнинск. 22-24 сентября 1997. С. 385-394.

70. Угай Я.А., Самойлов A.M., Агапов Б.А., Долгополова Э.А., Шаров М.К. Структура тонких пленок теллурида свинца на кремниевых подложках.// Неорганические материалы. 1998. Т.34. № 9. С. 1048-1054.

71. Ugai Ya.A., Samoylov A.M., Sharov M.K., Tadeev A.V. Crystal Microstructure of PbTe/Si and PbTe/Si02/Si Thin Films. // Thin Solid Films. 1998. V.336. P. 196-200.

72. Угай Я.А., Самойлов A.M., Сыноров Ю.В., Яценко О.Б. Электрофизические свойства тонких пленок PbTe, выращенных на Si подложках. // Неорганические материалы. 2000. Т. 36, № 5. с. 550 555.

73. Аш Ж., Андре П., Бофрон Ж. И др. Датчики измерительных систем. : В 2-х книгах. М.: Мир. 1992. Т. 1. 480 с.

74. Бакин А.С., Дедегкаев Т.Т., Иванов Д.И. Исследование диффузии индия в кристаллах Pbi-xSnxTe методом рентгеноспектралыюго микроанализа //ФТТ. 1983. Т.25. № 5. С. 1515- 1516.

75. Глушков Е.А., Яценко О.Б., Зломанов В.П. Влияние In, Ga и Al на электрофизические свойства твердых растворов Pbi-xSnxTe// Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1978. Т. 14, № 3. С. 843-848.

76. Свойства неорганических соединений. Справочник / Ефимов А.И., Бсло-рукова Л.П., Василькова И.В. и др. // Л.: Химия. 1983. 392 с.

77. Физические величины. Справочник. / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. М.: Энергатомиздат. 1991. 1232 с.

78. Ugai Ya., Samoylov A., Synorov Yu. et al. Electrical Properties and Infrared Sensitivity of Doped with Ga Lead Telluride Thin Films on Si Substrates. // MSU -HTSC IV International Workshop. Moscow. Russia. October 7 12, 1995. Book of Abstracts. P.81.

79. Ugai Ya.A., Samoylov A.M., Synorov Yu.A., Yatsenko O.B., Akimov B.A. Infrared Sensitivity of Doped with Ga PbTe Thin Films on Si Substrates. // VI International Conference "Physics and Technology of Thin Films". Ivano-Frankivsk, 1997. Part I. P. 146.

80. Ugai Y.A., Samoylov A.M., Tadeev A.V., Synorov Y.V., et al. Doped with Ga PbTe Thin Films on Si Substrates. // International Conference on Advanced Materials158

81. ICAM'97 ) European Materials Research Society ( E-MRS'97 ). Spring Meeting. Strasbourg ( France ), June 16-20, 1997. Book of Abstracts. B-V/P5. B-24.

82. У гай Я.А., Самойлов A.M., Шаров M.K. и др. Электрофизические свойства легированных галлием тонких пленок теллурида свинца.// Конденсированные среды и межфазные границы. 1999. Т. 1. № 2. С. 132-138.

83. Ормонт Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М.: Высшая школа. 1973. 655 с.

84. Колобов Н.А., Самохвалов М.М. Диффузия и окисление полупроводников. М.: Металлургия. 1975. 456 с.

85. Fedorov A.G., Shneiderman I.A., Sipatov A.Yu., et al. X-ray Diffraction Investigation of Diffusion in PbTe-PbSe Superlattices.// Journ. Cryst. Growth. 1999. V. 198/199. P. 1211-1215.

86. Завражнов А.Ю., Турчен Д.Н., Гончаров Е.Г., Шаров M.K. Состав паровой фазы и равновесие в системе Ga-Se-I. // Журнал неорганической химии. 1998. Т. 43. №8. С. 1376-1380.;

87. Кухлинг X. Справочник по физике. М.: Мир, 1982. 519 с.

88. Самойлов A.M. Фазовые равновесия в системах сурьма мышьяк и фосфор - мышьяк. Дисс. канд. хим. наук. Воронеж. 1985. 177 с.

89. Угай Я.А., Самойлов A.M., Семенова Г.В. и др. Термодинамический анализ взаимодействия компонентов в системе сурьма мышьяк. // Журнал физич. химии. 1986. Т. 60. № 1. С. 25 - 28.

90. Угай Я.А., Семенова Г.В., Самойлов A.M. и др. Состав насыщенного пара в системе фосфор мышьяк. // Журнал неорганической химии. 1986. Т. 31. № 10. С. 2631-2633.

91. Угай Я.А., Гончаров Е.Г., Семенова Г.В., Лазарев В.Б. Фазовые равновесия между фосфором, мышьяком, сурьмой и висмутом. М.: Наука. 1989. 239 с.

92. Глазов В.М., Ким С.Г. Акустические исследования расслаивания и закрити-ческих явлений в электронных расплавах. // Доклады АН СССР. Сер. Физическая химия. 1986. Т. 290. № 4. С. 873-876.

93. Кононенко В.И., Сухман А.Л., Кузнецов А.Н. и др. Влияние расслоения на термодинамические и кинетические свойства сплавов.// Журнал физической химии. 1975. Т. 49. № 10. С. 2570-2573. С. 897-904.

94. Бокий Г.Б. Кристаллохимия. М.: Наука. 1971. 400 с.

95. Драбкин И.А., Мойжес Б.Я. Спонтанная диссоциация нейтральных состояний примесей на положительно и отрицательно заряженные состояния. // Физика и техника полупроводников. 1981. Т. 15. № 4. С. 625-648.

96. Волков Б.А., Ручайский О.М. Внутрицентровые кулоновские корреляции, зарядовые состояния и спектр примесей III группы в узкощелевых полупроводниках А4В6. // Письма в ЖЭТФ. 1995. Т. 62.

97. Акимов Б.А., Зломанов В.П., Рябова JI.A. и др. Перспективные материалы ПК оптоэлектроники на основе соединений А4В6. // Высокочистые вещества. 1991. № 6. С. 22 - 34.

98. Кайданов В.И., Равич Ю.И. Глубокие резонансные состояния в полупроводниках типа AIVBV1. Успехи физических наук. 1985. Т. 145. № 1. С. 51 -56.

99. Аверкин A.A., Кайданов В.И., Мельник Р.Б. О природе примесных состояний индия в теллуриде свинца. // Физика и техника полупроводников. 1971. Т. 6. № 1.С. 91-95.

100. Коржуев М.А. Отклонение от стехиометрии и механизм самолегирования полупроводников группы AIVBVI. // Электронная техника. Сер. Материалы. 1987. Т. 1. С. 42-45.

101. Polity А., Krause-Rehberg R., Zlomanov V., Stanov V. et al. Study of Vacancy Defects in PbSe and Pbi-X SnxSe by Positron Annihilation. // Journ. Crystal Growth. 1993. V. 131. P. 271 -274.

102. Акимов Б.А., Албул A.B., Ильин В.Ю., Некрасов М.Ю. и др. Спектры фотопроводимости и проблема примесных состояний в PbTe(Ga). // Физика и техника полупроводников. 1995. Т. 29. №11. 2015-2023.