Одностадийный синтез легированных галлием пленок PbTe/Si с заданным составом и оптимизированными функциональными параметрами тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.01, кандидат химических наук Беленко, Сергей Владимирович

• Беленко, Сергей Владимирович
• кандидат химических наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат химических наук Беленко, Сергей Владимирович

СОДЕРЖАНИЕ

Стр.

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

1.1. Система свинец - теллур

1.1.1. Диаграмма состояния системы свинец - теллур

1.1.2. Кристаллическая структура и физические свойства теллурида свинца

1.2. Получение пленок теллурида свинца

1.2.1. Получение пленок А1УВУ1 открытым испарением в вакууме

1.2.2. Получение пленок соединений А1УВУ1 методом газодинамического потока пара

1.2.3. Получение пленок А1УВУ1 квазиравновесным

методом «горячей стенки»

1.3. Структура и физические свойства эпитаксиальных

пленок РЬТе

1.4. Структура и физические свойства кристаллов

-и эпитаксиальных пленок РЬТе, легированныхггаллием'7

1.5. Использование теллурида свинца и твердых растворов

на его основе

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

2.1. Методика выращивания тонких пленок теллурида свинца

2.2. Растровая электронная микроскопия

2.3. Локальный рентгеноспектральный микроанализ

2.4. Рентгенографический анализ

2.5. Методика подготовки подложек 81

2.6. Измерение удельной электропроводности и

коэффициента Холла

ГЛАВА 3. СОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ОДНОСТАДИЙНОГО МЕТОДА СИНТЕЗА ЛЕГИРОВАННЫХ ГАЛЛИЕМ ПЛЕНОК ТЕЛЛУРИДА СВИЩА НА 8ьПОДЛОЖКАХ

3.1. Преимущества одностадийного метода синтеза легированных

Оа пленок РЬТе на 8ьподложках модифицированным

методом «горячей стенки»

3.2. Расчет состава равновесной паровой фазы над расплавами системы галлий - свинец

3.3. Изучение процесса синтеза бинарных пленок Са^РЬ^

3.4. Изучение процесса синтеза тройных пленок РЬ^ОаДе

3.5. Определение оптимизированных режимов одностадийного

синтеза легированных галлием пленок теллурида свинца

РАСТВОРОВ ГАЛЛИЯ В ПЛЕНКАХ ТЕЛЛУРИДА СВИНЦА НА Б ьПОДЛОЖКАХ 4.1. Изучение фазовой природы и реальной микроструктуры пленок

Pb]_zGazTei±5, синтезированных одностадийным методом

4.2. Изучение количественного состава пленок Pb^Ga^ei+g,

синтезированных одностадийным методом

4.3. Определение границ области растворимости галлия в пленках

-теллурида свинца на Si-подложках

ГЛАВА 5. ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ

ЛЕГИРОВАННЫХ ГАЛЛИЕМ ПЛЕНОК ТЕЛЛУРИДА СВИНЦА НА Si-ПОДЛОЖКАХ

5.1. Актуальность изучения электрических свойств легированных галлием пленок теллурида свинца на Si-подложках

5.2. Характеристика образцов PbTe<Ga>/Si и PbTe<Ga>/Si02/Si, использованных для изучения электрических свойств

5.3. Результаты измерения электрических параметров образцов PbTe<Ga>/Si и PbTe<Ga>/Si02/Si и их обсуждение

ВЫВОДЫ

ЛИТЕРАТУРА

ПРИЛОЖЕНИЕ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Одностадийный синтез легированных галлием пленок PbTe/Si с заданным составом и оптимизированными функциональными параметрами»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность. В настоящее время узкозонные полупроводниковые соединения халькогенидов свинца и твердые растворы на их основе относятся к наиболее перспективным материалам, предназначенным для производства систем инфракрасной (ИК) оптоэлектроники и термоэлектрических устройств. При создании планарных детекторов ИК-излучения тонкие пленки теллурида свинца, легированного галлием, обладают рядом существенных достоинств по сравнению с основными конкурентами - твердыми растворами теллуридов кадмия и ртути, а также антимонидом индия. Однако до настоящего времени их практическое применение сдерживается вследствие того, что эволюция энергетического спектра, а, следовательно, и функциональных параметров в легированном галлием теллуриде свинца зависит не только от концентрации примесных атомов, но и от методов синтеза и легирования изучаемых образцов. Направленный синтез легированных галлием пленок теллурида свинца остается важной задачей полупроводникового материаловедения, поскольку изучение физико-химических свойств таких гетероструктур актуально не только для решения прикладных задач, но имеет также большое значение с точки зрения фундаментальной науки.

Работа выполнена в соответствии с тематическим планом НИР ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный университет» (№ 01.20.126.3935) и поддержана государством в лице Минобрнауки Российской Федерации (ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009 - 2013 гг., № 20121.1-12-000-2003-120), а также грантом РФФИ 09-03-97561-р_центр_а «Оптимизация чувствительности к ИК-излучению и управление процессами дефектообразования в процессах гетеровалентного легирования монокристаллов и пленок теллурида свинца».

Цель работы; разработка научно-обоснованных оптимизированных условий одностадийного синтеза легированных галлием пленок РЬТе/81 с заданным составом и функциональными параметрами, необходимыми для создания приборов ИК-оптоэлектроники.

Для достижения цели работы решались следующие задачи:

- изучение зависимости содержания галлия в насыщенном паре над бинарными расплавами системы галлий - свинец от температуры, состава, соотношения парциальных давлений компонентов и общего давления в системе;

- анализ количественного состава бинарных слоев Са^РЬ^,, синтезированных при помощи модифицированного метода «горячей стенки» с учетом состава насыщенного пара над расплавами ОаЛРЬ]_х, с последующей математической обработкой экспериментальных данных с целью нахождения оптимальных режимов синтеза тройных пленок РЬ^ОаДеш;

- моделирование оптимальных экспериментальных режимов (соотношение значений парциальных давлений металлических компонентов, температура подложки и др.) для синтеза тройных пленок РЬ^/даДе^ с контролируемым содержанием примесных атомов галлия;

- корректировка расчетных режимов синтеза гетероструктур РЬ^ОаДе^З^ полученных в результате моделирования, с учетом степени отклонения от термодинамически равновесных условий в реакционной камере модифицированного метода «горячей стенки» и экспериментальных данных о количественном составе выращенных тройных пленок РЬ1_2Оа2Те]±5;

- исследование количественного состава, фазовой природы и микроструктуры пленок РЬ^ОаДе]^ в зависимости от скорости роста конденсата, соотношения парциальных давлений исходных компонентов, температур источников пара в процессе синтеза;

- определение границ области растворимости галлия в теллуриде свинца с позиций трехкомпонентной системы свинец - галлий - теллур;

- выяснение влияния концентрации примесных атомов галлия, метода легирования и степени отклонения от стехиометрии в содержании компонентов катионной и анионной подрешеток на изменение основных электрических параметров пленок РЬ1_гОаДе1±д;

- определение интервалов составов внутри области гомогенности твердых растворов галлия в теллуриде свинца с оптимальными функциональными параметрами для формирования датчиков ИК-излучения.

Научная новизна:

1. Впервые получен графический и аналитический вид зависимости состава равновесной паровой фазы над бинарными расплавами системы галлий - свинец от величин парциальных давлений компонентов и интегрального давления в системе;

2. Установлено, что изменение механизма массопереноса в реакционной камере, зависящего от величины интегрального давления компонентов, является основной причиной термодинамически неравновесных условий синтеза легированных галлием пленок РЬТе при помощи модифицированного метода «горячей стенки»;

3. Показано, что максимальные отклонения от термодинамического равновесия при синтезе тройных пленок РЬЬ2Са/Ге1±8 реализуются в интервале значений интегрального давления 0,14 - 2,2 Па в реакционной камере, при котором массоперенос галлия осуществляется в режиме молекулярного пучка;

4. Определены границы области растворимости галлия в теллуриде свинца с позиций диаграммы состояния тройной системы свинец - галлий - теллур, указывающие на асимметричную форму области нестехиометрии относительно квазибинарного разреза РЬТе - ваТе и взаимную зависимость концентрации примесных атомов галлия и содержания теллура в анионной подрешетке;

5. Установлены интервалы концентраций примесных атомов галлия и соответствующие значения отклонения от стехиометрии в содержании свинца и теллура, для которых в пределах области гомогенности твердых растворов РЬ^ гСа/Ге1±5 наблюдаются функциональные параметры, оптимизированные для создания приборов ИК - оптоэлектроники.

Практическая значимость работы.

Формирование легированных галлием пленок теллурида свинца с контролируемым содержанием примесных атомов позволяет создать высокоэффективные детекторы ИК-излучения на основе гибридных интегральных схем, одновременно включающих в себя элементы регистрации и системы цифровой обработки сигнала. Надежная и воспроизводимая методика синтеза дает возможность перейти к формированию слоев наноразмерной толщины, которые

могут служить основой для разработки принципиально новых квантовых оптоэлектронных приборов.

Положения, выносимые на защиту:

1. Характер зависимости состава равновесной паровой фазы над бинарными расплавами системы галлий - свинец, заключающийся в увеличении

содержания Ga Xq3c ростом величины его парциального давления и уменьшении х<Уа с увеличением интегрального давления в системе;

2. Условия, определенные в результате математического описания неравновесных процессов массопереноса компонентов в реакционной камере при одностадийном методе синтеза, позволяющие прецизионно контролировать количественный состав и функциональные параметры легированных галлием пленок PbTe/Si;

3. Протяженность области растворимости галлия в пленках Pb|_zGazTe1±s ограниченная zGa = 0,009 ± 0,0002 вдоль квазибинарного разреза РЬТе - GaTe и zGa = 0,012 ± 0,0002 вдоль политермического разреза РЬТе - Ga2Te3, указывает на асимметричную форму области нестехиометрии твердых растворов и зависимость концентрации примесных атомов Ga от величины отклонения от стехиометрии в содержании атомов Те, формирующих анионную подрешетку.

4. Положение границ участков с различным типом проводимости в пределах области существования твердых растворов Ga в РЬТе: пленкам Pbj_zGazTe1±s с оптимальными функциональными параметрами для создания датчиков ИК-излучения соответствует интервал концентраций атомов галлия до zGa = 0,0076 ± 0,0002 при максимальном отклонении от стехиометрии |б| =0,0014.

Апробация работы.

Результаты исследований были представлены на следующих международных и всероссийских конференциях: XI (2004 г.), XIII (2008 г.) и XIV (2010 г.) Национальная конференция по росту кристаллов (Москва); International Conference «Functional Materials» ICFM-2005, ICFM-2007, ICFM-2009 (Ukraine, Crimea, Partenit); III (2006 г.), IV (2008 г.), V (2010 г.), VI (2012 г.) Всероссийская конференция «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных

границах» (Воронеж); XVII Международная конференция студентов, аспирантов и молодых учёных «Ломоносов» (Москва, 2010 г.); The European Materials Research Society (EMRS) Fall Meeting (Poland, Warsaw, 2009); III International conference «Crystal materials» (Ukraine, Kharkov, 2010 г.); 5th International Workshop on Crystal Growth Technology (Germany, Berlin, 2011); XIX Менделеевский съезд по общей и прикладной химии (Волгоград, 2011 г.); Региональная научно-практическая конференция студентов, аспирантов и молодых ученых «Инновационные технологии на базе фундаментальных научных разработок» (Воронеж, 2011 г.); Конференция стран СНГ по росту кристаллов (Украина, Харьков, 2012 г.); VII Международная научная конференция «Кинетика и механизм кристаллизации. Кристаллизация и материалы нового поколения» (Иваново, 2012 г.).

Публикации.

По материалам диссертации опубликовано 18 работ, из них 5 статей в научных журналах, входящих в Перечень ВАК и системы международного цитирования.

Структура и объем работы.

Диссертация состоит из введения, 5 глав, выводов и списка литературы, изложена на 151 странице, содержит 56 рисунков, 22 таблицы. Список литературы включает 162 библиографических наименования.

Заключение диссертации по теме «Неорганическая химия», Беленко, Сергей Владимирович

ВЫВОДЫ

1. При сопоставлении данных о содержании Оа в насыщенном паре над расплавами ОаЛРЬ]Л и составе выращенных пленок РЬ|^2Оа2Те1±й установлено, что процесс синтеза образцов в реакционной камере модифицированного метода «горячей стенки» протекает в термодинамически неравновесных условиях и характеризуется более интенсивным массопереносом ва от источника пара к поверхности растущей пленки.

2. На основании математического описания процессов, происходящих в реакционной камере с участием двух и трех компонентов, разработаны оптимальные режимы одностадийного метода синтеза, позволяющие выращивать образцы РЬ^СаДеш с минимальным отклонением количественного состава от прогнозируемого в рамках созданной математической модели.

3. Комплексное изучение количественного состава, фазовой природы и реальной микроструктуры пленок РЬ|2Са-Те1±5 позволило определить границы растворимости ва в РЬТе с позиций диаграммы тройной системы свинец - галлий - теллур. Доказано, что область нестехиометрии асимметрична относительно квазибинарного разреза РЬТе - ваТе. Показана необходимость анализа растворимости ва вдоль политермических разрезов РЬТе-Са2Те3 и РЬТе-Оа2Те5. Установлено, что влияние ва и Те на расширение области гомогенности твердых растворов является взаимно обусловленным.

4. Результаты изучения электрических параметров пленок РЬ^ОаДе!-^, легированных двумя различными методами подтверждают амфотерное поведение примесных атомов галлия, характер которого зависит от концентрации, метода легирования и отклонения от стехиометрического соотношения компонентов катионной и анионной подрешеток. 5. В пределах области существования твердых растворов галлия в пленках теллурида свинца, полученных методом одностадийного синтеза на 8ьподложках, определены границы участков с различным типом проводимости. Найдены интервалы составов внутри области гомогенности с оптимальными функциональными параметрами для создания датчиков ИК-оптоэлектроники.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Беленко, Сергей Владимирович, 2013 год

ЛИТЕРАТУРА

1. Lead Chalcogenides: Physics and Applications / Ed. D. Khohlov. - New York: Gordon & Breach, 2002. - 687 p.

2. Волков Б.А. Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца / Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов // Успехи физических наук. - 2002. - Т. 172, № 8. - С. 875-906.

3. Lead salt thin film semiconductors for microelectronic applications / S. Mukherjee [et al.]. - Transworld Research Network : Kerala, India, 2010. - 88 p.

4. Carrier transport and non-equilibrium phenomena in doped PbTe and related materials / В .A. Akimov [et al.] // Phys. Stat. Sol. - 1993. - V.137, № 8. - P. 9-55.

5. Электрофизические и фотоэлектрические свойства PbTe(Ga), облученного электронами / Е.П. Скипетров [и др.] // Физика и техника полупроводников. -1994. - Т. 28, № 9. - С. 1626-1635.

6. Энергетический спектр твердых растворов (Sn0,65Pbo,35)o,95Ge0jo5Te / С.А. Немов [и др.] // Физика твердого тела. - 2000. - Т. 42, № 4. - С. 623-625.

7. Шевельков А.В. Химические аспекты создания термоэлектрических материалов / А.В. Шевельков // Успехи химии. - 2008. - Т.77, №1. - С. 3-21.____

8. Mid infrared resonant cavity detectors and lasers with epitaxial lead-chalcogenides / H. Zogg [et al.] // Opto-Electronics Rev. - 2010. - V. 18, № 3. - P. 231-235.

9. Epitaxial Lead Chalcogenides on Si for Mid-IR Detectors and Emitters Including Cavities / H. Zogg [et al.] // Journal of Electronic Materials. - 2008. - V.37, №9. - P. 1497-1503.

10. Zogg H. Narrow spectral band monolithic lead-chalcogenide-on-Si mid-IR photodetectors / H. Zogg, M. Arnold // Opto-Electronics Rev. - 2006. - V. 14, №1. -P. 33-36.

11. Сверхрешетки и структуры с квантовыми ямами на основе соединений AIVBVI / Берченко Н.Н. [и др.] // Зарубежная электронная техника. - 1987. - № 11. - С. 5893.

12. Зимин С.П. Наноструктурированные халькогениды свинца / С.П. Зимин, Е.С. Горлачев. - Яросл. гос. ун-т им. П.Г. Демидова. - Ярославль: ЯрГУ, 2011. - 232 с.

13. Хансен M. Структуры двойных сплавов: Справочник./ М. Хансен, К. Андерко Пер. с англ. М. : Металлургиздат, 1962. - Т. 1. - 608 е.; Т. 2. - 609-1488 с.

14. Абрикосов Н.Х. Полупроводниковые материалы на основе соединений A1VBV1 / Н.Х. Абрикосов, JI.E. Шелимова. -М. : Наука, 1975. - 195 с.

15. Зломанов В.П. Р-Т-х диаграммы состояния систем металл - халькоген / В.П. Зломанов, А.В. Новоселова. - М.: Наука, 1987. - 207 с.

16. Brebrick R.F. Composition stability limits of PbTe / R.F. Brebrick, K.S. Allgaier // Journ. Chem. Phys. - 1960. - V. 32, №6.-P. 1826-1832.

17. Elliott R.P. Constitution of Binary Alloys. First Supplement / R. P. Elliot. - New York : McGraw Hill Book Co., 1965. - 362 p.

18. Александрова О.А. Халькогениды и оксиды элементов IV группы. Получение, исследование, применение / О. А. Александрова [и др.]. - Под ред.

B. А. Мошникова. - СПб.: Технолит, 2008. - 240 с.

19. Равич Ю.И. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS /Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. - М.: Наука. 1968. - 358 с.

20. Андреев А.А. Коэффициент Холла и зонная структура теллурида свинца / А.А. Андреев, В.Н. Радионов // Физика и техн. полупроводников. - 1967. - Т. 1, №2.-С. 183-189.

21. Структура валентной зоны сильно легированного теллурида свинца /

C.B. Айрапетян [и др.] // Физика твердого тела. - 1966. - Т. 8, № 5. - С. 1337-1340.

22. Tauber R.N. Thermal and optical energy gaps in PbTe / R.N. Tauber, A.A. Macnovis, J.B. Cadoff// Journ. Appl. Phys. - 1964. - V. 37, № 13. - P. 48554860.

23. Nimtz G. Narrow-gap Semiconductors / G. Nimtz, B. Schlicht - Berlin : Schpringer, 1985.-243 p.

24. Гавалешко Н.П. Узкозонные полупроводники: Получение и физические свойства / Н.П. Гавалешко, П.Н. Горлей, В.А. Шендеровский Киев: Наукова думка, 1984. -245 с.

25. Заячук Д.М. К вопросу о доминирующих механизмах рассеяния носителей заряда в теллуриде свинца / Д.М. Заячук // Физика и техн. полупроводников. - 1997. -Т.31,№2.-С. 217-221.

26. Kasemset D. Liquid phase epitaxy of PbTeSe lattice - matched to PbSnTe / D. Kasemset, S. Rotter, C.G. Fonstad // Journ. of Electronic Materials. - 1981. - V. 10, №5. -P. 863-878.

27. Astles M.G. Liquidus measurements in the Pb - Sn - Те system / M.G. Astles, P. Hatto, A.J. Crocker // Journ. Cryst. Growth. - 1979. - V. 47. - P.379-383.

28. Zemel A. Electric properties of indium-doped LPE layers of Pbi^SnJe / A. Zemel, D. Eger, H. Shtikman // Journ. Electron. Materials. - 1981. - V. 10, № 2. - P. 245-253.

29. Facile synthesis of PbTe nanoparticles and thin films in alkaline aqueous solution at room temperature / Y. Y. Wang, K. F. Cai, X. Yao // Journ. Solid State Chem. - 2009. -V. 182, №2.-P. 3383-3386

30. Photovoltaic lead-chalcogenide on silicon infrared sensor arrays / H. Zogg [et al.] // Optical Engineering. - 1994. - V.33, № 5. - P. 1440-1449.

31. Photovoltaic infrared sensor arrays in monolithic lead chalcogenides on silicon / H. Zogg [et al.] // Semicond. Sci. Technol. - 1991. - № 6. - P. 36-41.___

32. Photovoltaic Pb!_xSnxSe-on-Si IR sensor arrays for thermal imaging / H. Zogg [et al.] // International Conference on Solid States Devices and Materials : Extended Abstracts, Yokohama, Japan, August 23 - 26, 1994. Pacifico Yokohama, 1994. - P. 963-964.

33. Thermal - mismatch - strain relaxation in epitaxial CaF2, BaF2/CaF2, and PbSe/BaF2/CaF2 layers on Si (111) after many temperature cycles / H. Zogg [et al.] // Phys. Review В. - 1994.-V. 50, № 15.-P. 10801-10810.

34. Growth of (lll)-oriented PbTe thin films on vicinal Si (111) and on Si (100) using fluoride buffers / A. Belenchuk [et al.] // Journ. Cryst. Growth. - 1999. - V. 198/199. P. 1216-1221.

35. Марков B.M. Получение твердых растворов замещения в системе свинец - олово - селен / В.М. Марков, JI.M. Маскаева, Л.Д. Лошкарева // Неорганические материалы. - 1997. - Т. 33, № 6. - С. 665-668.

36. Electrodeposition of PbTe thin films / H. Salomeni [et al.] // Thin Solid Films. - 1998. -V. 326. - P.78-82.

37. Фоточувствительные поликристаллические пленки компенсированного теллурида свинца РЬТе:С1,Теех / И.Б. Захарова [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 1994. - Т. 28, № 10. - С. 1802-1807.

38. Фрейк Д.М. Физика и технология полупроводниковых пленок. / Д.М. Фрейк, М.А. Галущак, И.И. Межилевская. - Львов. : Изд-во Вища школа, 1988. - 155 с.

39. Scholar R.B. Preparation of single-crystal films of PbS / R. B. Scholar, J. M. Zemel // Journ. Appl.Phys.- 1984.-V.35,№6.-P. 1848-1851.

40. Jensen J.D. Surface charge transport in PbSz(Se)x and Pbi.xSnxSe epitaxial films / J.D. Jensen, R.B. Scholar //Journ. Vac. Sci. Technol. - 1976. - V.13, № 4.- P. 920-925.

41. Фрейк Д.М. Синтез пленок A1VBVI из навесок механической смеси компонентов под «тепловым затвором» / Д.М. Фрейк, М.А. Рувинский // Журнал техн. физики. - 1983. - Т.53, № 7. - С. 1378-1379.

42. Боткин К.В. Тонкие слои, выращенные методом «горячей стенки» / К.В. Боткин,

A.П. Шотов, В.В. Урсаки // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. - 1981. -Т. 17, № 1.-С. 24-27.

43. Kasai I. Pbi_xSnxTe epitaxial layers prepared by the hot-wall technique / I. Kasai, J. Hermung // Journ. Electron. Mater. - 1975. - V. 4, № 2. - P. 299-311.__

44. Ishida A. Sn diffusion effects on X-ray diffraction patterns of Pbj-^SaJe - PbSe/Te^ superlattices / A. Ishida, M. Aoki, H. Fujiyasu // Journ. Appl. Phys. - 1985. - V.58, № 2.-P. 797-801.

45. Clemens H. Crowth of PbTe Doping Superlattices by Hot Wall Epitaxy // H. Clemens // Journ. Cryst. Growth. - 1988. - V.88. - P. 236-240.

46. Clemens H. Hot-wall epitaxy system for the growth of multilayer IV-VI compound heterostructures / H. Clemens, E. Farther, G. Bauer // Rev. Sci. Instrum. - 1983. - V 54, №6.-P. 685-689.

47. Ishida A. Hall properties of PbTe-SnTe superlattice / A. Ishida, M. Aoki, H. Fujiyasu // Journ. Appl. Phys. - 1985. - V. 58, № 5. - P. 1901-1903.

48. Новый метод выращивания тонких пленок твердых растворов AIVBV1 /

B.Н. Васильков [и др.] // Неорган, материалы. - 2001. - Т. 31, № 1. - С. 26-29.

49. Эпитаксия пленок Pbo^Sno^Te / Д.М. Фрейк [и др.] // Физ. электроника. - 1979. -Вып. 18.-С. 82-86.

50. Lopez - Otero A. The use of a phase diagram as a guide for growth of PbTe films / A. Lopez - Otero // Journ. Appl. Phys. Lett. - 1975. - V. 55. - P. 2032-2036.

51. Mojejko K. Structure and growth mechanisms in thin epitaxial PbTe films / K. Mojejko, H. Subotowicz // Thin Solid Films. - 1981. - V. 78, № 4. - P. 678-684.

52. Исследование совершенных монокристаллических пленок PbTe стехиометрического состава / J1.A. Гудков [и др.] // Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы. - 1980. - Т. 16, № 9. - С. 1676-1678.

53. Dawar A.L. Electrical transport properties of epitaxial films of Pb,^SnxTe / A.L. Dawar, P. Kumar, S.K. Paradkar // Phys. Status Solidi. - 1982. - A 73, № 2. - P. 189-194.

54. Гладкий C.B. Легирование пленок PbTe при их выращивании из газовой фазы / С.В. Гладкий, Т. Разафиндразана, И.В. Саунин // Изв. С.-Петербургкого электротехн. ун-та. - 1993. - № 457. - 46-56.

55. Парофазне осаждення тонких шнвок телуриду свинцю / М. А. Лоп'янко, P. I. Никируй, А. I. Ткачук // Ф1зика и х!м!я твердого тша. - 2010. - Т. 11. - С. 876-883

56. Photovoltaic lead-chalcogenide on silicon infrared sensor arrays / H. Zogg [et al.] // Optical Engineering. - 1994. - V.33, № 5. - P. 1440-1449.__

57. Photovoltaic infrared sensor arrays in monolithic lead chalcogenides on silicon / H. Zogg [et al.] // Semicond. Sci. Technol. - 1991. -№ 6. - P. 36-41.

58. Photovoltaic Pb].xSnxSe-on-Si IR sensor arrays for thermal imaging / H. Zogg [et al.] // International Conference on Solid States Devices and Materials : Extended Abstracts, Yokohama, Japan, August 23 - 26, 1994. Pacifico Yokohama, 1994. - P. 963-964.

59. Monolithic IR Sensor Arrays in Heteroepitaxial Narrow Gap Lead Chalcogenides on Si for the SWIR, MWIR and LWIR Range / H. Zogg [et al.] // Infrared Detectors and Focal Plane Arrays. Proc. SPIE Conference. Orlando, USA. April, 1990. - P. 169-177.

60. Epitaxy of IV-VI Materials on Si with Fluoride Buffers and Fabrication of IR-sensors Arrays / H. Zogg [et al.] // Extended Thesis of 7-th International Conference on Narrow Gap Semiconductors. Santa Fe, USA. January, 8 - 12, 1995. - P. 134-140.

61. Неидеальный гетеропереход p - PbTe - n - Si / В. H. Выдрин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 1991.-Т.25, № 1.-С. 106-109.

62. Кайданов В.П. Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа AIVBVI / В.П. Кайданов, Ю.И. Равич. // Успехи физич. наук. - 1985. - Т. 145, № 1. -С.51-86.

63. Немов С.А. Примесь таллия в халькогенидах свинца: методы исследования и особенности / С.А. Немов, Ю.И. Равич.// Успехи физич. наук. - 1991. - Т. 168, № 9.-С. 32-47.

64. Магнитные свойства сплавов Pbi_xGexTe, легированных иттербием / Е.П. Скипетров [и др.] // Физ. и техн. полупроводников. - 2001. - Т.35, №11. - С. 1306-1308.

65. Скипетров Е.П. Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома / Е.П. Скипетров, H.A. Пичугин // Физика Низких Температур. - 2011. - Т. 37, № 3. -С. 269-280.

66. Синтез и свойства теллурида свинца, легированного ванадием / A.A. Винокуров [и др.] // Неорганические материалы. - 2006. - Т.42, №12. - С. 1318-1325.

67. Особенности легирующего действия Ga в РЬТе и твердых растворах РЬТе - SnTe / Г.С. Бушмарина [и др.] // Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы. -1980. - Т. 16, № 12. - С. 2136-2140.

68. Лазаренко М.А. Легирование РЬТе галлием в процессе выращивания кристаллов по механизму ПЖК / М.А. Лазаренко, A.M. Гаськов, В.П. Зломанов // Вестник МГУ, сер. Химия. - 1980. - Т. 21, № 6. - С. 756-763.

69. Влияние галлия на электрофизические свойства теллурида свинца / М.А. Лазаренко [и др.] // Легированные полупроводники. - М.: Наука, 1982. - С. 81-85.

70. Примесные состояния Ga и фотоэлектрические явления в сплавах PbTe(Ga) / Б.А. Акимов [и др.] // Физ. и техн. полупроводников. - 1983. - Т.17, № 1. - С. 72-76.

71. Temperature dependence of mobility in heavily doped n - type РЬТе layers grown by LPE / Z. Feit [et al.] // Phys. Lett. - 1983. - A98, № 8 - 9. - P. 451-454.

72. Ерасова H.A. Фазовый переход в теллуриде свинца с примесью галлия / H.A. Ерасова // Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы. - 1983. - Т. 20, № 3. -С. 538-540.

73. Поведение примеси Ga в монокристаллах РЬТе / В.М. Лакеенков [и др.] // Укр. физический журн. - 1984. - Т. 29, № 5. - С. 757-759.

74. Лебедев А.И. Фотопроводимость и процессы рекомбинации в РЬТе, легированном Ga / А.И. Лебедев, Т.Д. Айтикеева // Физика и техника полупроводников. - 1984.-Т. 18, № 11.-С. 1964-1966.

75. Сизов Ф.Ф. Глубокие уровни в РЬТе / Ф.Ф. Сизов, С.В. Пляцко, В.М. Лакеенков // Физика и техника полупроводников. - 1985. - Т.19, № 4. - С. 592-596.

76. Вейс А.Н. Энергетические уровни, связанные с комплексами в РЬТе, легированном примесями III группы / А.Н. Вейс, Е.В. Глебова, H.A. Ерасова // Физика и техника полупроводников. - 1985. - Т.19, № 11.- С. 2055-2058.

77. Akimov В.A. Low-temperature switching in PbTe(Ga) at high electric fields / B.A. Akimov, A.V. Albul, E.V. Bogdanov // Semicond. Sei. And Technol. - 1993. - V. 8, № 15.-P. 447-450.

78. Свойства диодных структур на основе /?-PbTe(Ga) / Б.А. Акимов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 1997. - Т. 31, № 12.-С. 1431-1435.

79. Рекомбинация на примесных центрах с переменной валентностью в эпитаксиальных слоях PbTe(Ga) / Б.А. Акимов [и др.] // Физика твердого тела -2005.-Т. 47, № 1.-С. 160-163.

80. Аверкин A.A. О природе примесных состояний индия в теллуриде свинца / A.A. Аверкин, В.И. Кайданов, Р.Б. Мельник. // Физика и техн. полупроводников. - 1971.-Т. 5, №3,-С. 42-56.

81. Электротехнические неустойчивости, обусловленные метастабильными электронными состояниями в PbTe(Ga) / Б.А. Акимов [и др.] // Физика и техн. полупроводников. - 1997. - Т. 31, № 2. - С. 133-136.

82. Импеданс твёрдых растворов на основе теллурида свинца, легированного галлием / Б.А. Акимов [и др.] // Физика и техн. полупроводников. - 2004. - Т. 38, №3.- С. 293-295.

83. Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga) / Б.А. Акимов [и др.] // Физика низких температур. - 2004. - Т. 30, № 11.-С. 1209-1212.

84. Особенности фотопроводимости тонких эпитаксиальных слоев «-PbTe(Ga) / Б.А. Акимов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2001. - Т. 35, № 5. -С. 524-527.

85. Белогорохов А.И. Аномалии спектров фотопроводимости PbTe(Ga) / А.И. Белогорохов, Е.И. Слынько, Д.Р. Хохлов // Журнал технической физики. -1992.-Т. 18, № 8.-С. 30-34.

86. Спектры фотопроводимости и проблема примесных состояний в PbTe(Ga) / Б.А. Акимов [и др.] // Физика и техн. полупроводников. - 1995. - Т. 29, № И. -С. 2015-2223.

87. Селективная фотопроводимость в PbTe(Ga), индуцированная локальной фононной модой / А.И. Белогорохов [и др.] // Письма в ЖЭТФ. - 1996. - Т. 63, № 5.-С. 342-346.

88. Synthesis and growth of PbTe crystals at low temperature and their characterization / V. Munoz [et al.] // Journ. Cryst. Growth. - 1999. - V. 196. - P. 71-76.

89. Фотопроводимость Pbi.xSnxTe(In) в миллиметровой области спектра / Ю.А. Абрамян [и др.] // Физика и техн. полупроводников. 1994. - Т. 28, № 3. - С.

_533-534.___

90. McDonald J.A. Nights of the Future: II-VI Primer. Part 2: Tapping the True Potential of First and Second Generation II-VI Products / J. A. McDonald // III - Vs Revue. -1992.-V. 5, №2.-P. 28-33.

91. Handbook of semiconductor technology : in 2 v. / Ed. K. A. Johnson and W. Schrotter. - Weinheim - New York - London. : Wiley VCH, 2001. - V. 1. - 846 p.

92. Медведев Ю.В. Многоцветные ИК - приемники / Ю.В. Медведев // Зарубежная электронная техника. - 1983. - № 10. - С. 40-53.

93. Сверхрешетки и структуры с квантовыми ямами на основе соединений A1VBV1 / Берченко Н.Н. [и др.] // Зарубежная электронная техника. - 1987. - № 11. - С. 5893.

94. Сверхрешетки HgTe - CdTe - новый материал для оптоэлектронной техники / Н.Р. Антипина [и др.] // Зарубежная электронная техника. - 1987. - № 11. - С. 346.

95. Коррекция свойств пленок PbSnTe<In>, полученных МЛЭ, при помощи низкотемпературных диффузионных отжигов / Л. Ф. Васильева [и др.] // Неорганические материалы. - 2001. - Т. 37, № 2. - С. 193-197.

96. Кайданов В.И. Исследования теллурида свинца с примесью индия /

B.И. Кайданов, Р.Б. Мельник, И.А. Черник.// Физика и техн. полупроводников. -1973.-Т. 7, №9.-С. 37-51.

97. Явление переноса в Sn^Te с большим содержанием примеси индия /

C.А. Немов [и др.] // Физика и техн. полупроводников. - 1993. - Т. 27, № 7. - С. 299-325.

98. Исследование метастабильных квазилокальных состояний индия в теллуриде свинца методом туннельной спектроскопии / В.И. Кайданов [и др.] // Физика и техн. полупроводников. - 1990. - Т. 24, № 3. - С. 144-172.

99. Лыков С.Н. О зарядовом состоянии примеси индия в теллуриде свинца / С.Н. Лыков, И.А. Черник // Физика и техн. полупроводников. - 1980. - Т. 14, № 9. - С. 47-62.

100. Переход в бесщелевое состояние под действием давления в сплаве PbSnTe с примесью индия / Б.А. Акимов [и др.] // Физика и техн. полупроводников. - 1977. -Т. 11, №6.-С. 1077-1103.

101. Немов С.А. Влияние квазилокальных состояний индия на дефектообразование в теллуриде свинца / С.А. Немов, В.И. Прошин, Т.Г. Абайдулина // Физика и техн. полупроводников. - 1996. - Т. 3, № 11. - С. 45-67.

102. Равич Ю.И. Прыжковая проводимость по сильно локализованным примесным состояниям индия в РЬТе и твердых растворов на их основе / Ю.И. Равич // Физика и техн. полупроводников. - 2002. - Т. 36, № 1. - С. 3-23.

103. Вейс А.Н. Температурная зависимость положения квазилокального уровня в PbTe(In) / А.Н. Вейс, С.А. Немов // Физика и техн. полупроводников. - 1982. - Т. 16, №2.-С. 178-183.

104. Получение пленок полупроводниковых соединений в квазизамкнутом объеме / H.H. Безрядин [и др.] // Вестник Воронежского государственного технического ун-та, Сер. Материаловедение. - 2002. - Вып. 1.11.-С. 47- 51.

105. Ласка В.Л. Эффективность геттерирования при массопередаче в вакууме /

B.Л. Ласка, A.B. Кондратьев, A.A. Потапенко // Инж. - физ. журнал. - 1984. - Т. 46, № 6. - С. 949-952.

106. Вакуумное нанесение пленок в квазизамкнутом объеме / Ю.З. Бубнов [и др.] -М. : Советское радио. - 1975. - 160 с.

107. Wright S. Reduction of oxides on silicon by heating in a gallium molecular beam at 800° С / S. Wright, H. Kroemer // Appl. Phys. Letters. - 1980. - V. 36, № 3. - P. 210211.

108. Горелик С. С. Рентгенографический и электронно-оптический анализ /

C.С. Горелик, Л.Н. Расторгуев, Ю.А. Скаков. - М.: Металлургия, 1970. - 368 с.

109. Хокс П. Электронная оптика и электронная микроскопия / П. Хокс. - М.: Мир, 1974.-347 с.

110. Деркач В. П. Электронно-зондовые устройства / В.П. Деркач, Г.Ф. Кияшко, М.С. Кухарчук. - Киев: Наукова думка, 1974.-238 с.

111. Стоянова И. Г. Физические основы методов просвечивающей электронной микроскопии / И.Г. Стоянова, И.Ф. Анаскин. - М. : Наука, 1972. - 347 с.

112. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия / Я.С. Уманский [и др.]. - М.: Металлургия, 1982. - 432 с.

113. Микроанализ и растровая электронная микроскопия / под ред. Ф. Морис, Л. Мени, Р. Тиксье. - М. : Металлургия, 1985. - 407 с.

114. Рид С. Электронно-зондовый микроанализ / С. Рид. - М.: Мир, 1979. - 432 с.

115. Рентгеносиектральный микроанализ легированных монокристаллов РЬТе и Pb0.sSn0.2Te / М.В. Бестаев [и др.]. // Физика и техн. полупроводников. - 1997. - Т. 31, №8.-С. 980-982.

116. Горелик С.С. Рентгенографический и электронно-оптический анализ / С.С. Горелик, Л.Н. Расторгуев, Ю.А. Скаков. - М. : Изд-во МИСИС, 1994. - 328с.

117. JCPDS - International Centre for Diffraction Data [Электронные ресурсы]. © 19871995. JCPDS-ICDD. Newtown Square, PA 19073. USA.

118. Handbook of semiconductor technology : / ed. K. A. Johnson and W. Schrötter. -Weinheim - New York - London. : Wiley VCH, 2001. - V. 2. -764 p.

119. Свешникова JI.JI. Способ полирования монокристаллов дифторида бария и травитель для полирования монокристаллов для дифторида бария. Авторское свидетельство № 1281085, 1.09.1986г.

120. Епифанов Г.И. Физические основы микроэлектроники / Г.И. Епифанов. - М.: Советское радио, 1971. -375 с.

121. Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников / В.И. Фистуль. - М.: Высшая школа, 1975. - 296 с.

122. Кучис Е.В. Методы исследования эффекта Холла / Е.В. Кучис. - М.: Советское радио, 1974. - 328 с.

123. Рембеза С.И. Методы измерения основных параметров полупроводников / С.И. Рембеза. - Воронеж : изд-во Воронежского гос. ун-та, 1989. - 222 с.

124. Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков / П.Т. Орешкин. - М. : Высшая школа, 1977. - 448 с.

125. Самойлов A.M. Направленный синтез легированных галлием и индием пленок теллурида свинца с контролируемым содержанием примесных атомов и отклонением от стехиометрии : дисс. ... докт. хим. наук / A.M. Самойлов. -Воронеж, 2006. - 339 с.___

126. The synthesis of Gay?b\.y layers with predicred chemical composition by modified "Hot Wall" epitaxy technique / A.M. Samoylov, S.V. Belenko [et all.] // PK СНГ-2012 Конференция стран СНГ по росту кристаллов, Харьков, 1-5 окт. 2012 г.: тез. докл. -Харьков (Украина), 2012. - С. 28.

127. Парообразование и термодинамические свойства расплавов системы галлий -свинец / A.M. Самойлов, A.B. Наумов, С.И. Лопатин, A.A. Загородний // Журн. общ. химии.-2011 .-Т. 81, Вып. 1.-С. 29-34.

128. Вол А.Е., Каган Е.К. Строение и свойства двойных металлических систем. М.: Наука, 1976. - Т. 3. 814 с.

129. Глазов В.М., Ким С.Г. Акустические исследования расслаивания и закритических явлений в электронных расплавах // Доклады АН СССР. Сер. Физическая химия. 1986. - Т. 290, № 4. - С. 873-876.

130. Моделирование процесса синтеза пленок Ga - Pb модифицированным методом «горячей стенки» / Б.А. Сирадзе ... C.B. Беленко [и др.] // Физико-химические

процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах ФАГРАН-2012: VI Всерос. конф., Воронеж, 15-19 окт. 2012 г.: материалы конф. - Воронеж, 2012. -С. 247-248.

131. Совместная конденсация металлических компонентов в процессе роста легированных Ga тонких пленок РЬТе на Si подложках / Я.А. Угай, A.M. Самойлов [и др.] // Неорганические материалы. - 2001. - Т. 37, № 11. - С. 1299-1305.

132. Грошковский Я. Техника высокого вакуума / Я. Грошковский ; Пер. с пол. B.JI. Булата и Э.Л. Булата; с прил. Э.М. Рейхруделя и Г.В. Смирницкой . - М. : Мир, 1975. - 622 с.

133. Кухлинг X. Справочник по физике / X. Кухлинг. - М. : Мир, 1982. - 519 с.

134. Emsley J. The Elements / J. Emsley. Oxford. : Clarendon Press. - 1991. - 256 p.

135. Кристаллическая микроструктура тонких пленок теллурида свинца на кремниевых подложках. / Я.А. Угай, A.M. Самойлов, М.К. Шаров, Ю.В. Сыноров // Труды 2-го Российского Симпозиума "Процессы тепломассопереноса и рост монокристаллов и тонкопленочных структур". Обнинск. - 1997. - С. 385-394.

136. Balducci G. Dissiciation energies of the Ga2, In2 and Gain molecules / G. Balducci, G. Gigli, G. Meloni // Journ. Chem. Physics. - 1998. - V. 109, № 11. - P. 4384^388.

137. Влияние расслоения на термодинамические и кинетические свойства сплавов / В.И. Кононенко [и др.] // Журнал физической химии. - 1975. - Т. 49, № 10. - С. 25702573.

138. Растворимость Ga в пленках РЬТе, синтезированных модифицированным методом «горячей стенки» / A.M. Самойлов, C.B. Беленко [и др.] // XIX Менделеевский съезд по общей и прикладной химии, 25-30 сент. 2011 г., Волгоград: тез. докл. - Волгоград, 2011. - Т. 2. - С. 556.

139. The Solubility Region of Ga in РЬТе Films Prepared on Si-Substrates by Modified "Hot Wall" Technique / A.M. Samoylov, S.V. Belenko [et all.] // Functional Materials. -2011.-Vol. 18, № 2. - P. 181-188.

140. Растворимость Ga в пленках РЬТе, синтезированных модифицированным методом «горячей стенки» / A.M. Самойлов, C.B. Беленко [и др.] // XIX Менделеевский съезд по общей и прикладной химии, 25-30 сент. 2011 г., Волгоград: тез. докл. -Волгоград, 2011. - Т. 2. - С. 556.

141. Электрофизические свойства легированных галлием тонких пленок РЬТе на Si-подложках./ Я.А. Угай, A.M. Самойлов, М.К. Шаров, О.Б. Яценко, Б.А. Акимов // Неорган, материалы,- 2002. - Т. 38, № 1. - С. 17-23.

142. Comparative study of point defects induced in PbTe thin films doped with Ga by different techniques. / A.M. Samoylov, S.A. Buchnev, A.M. Khoviv, E.A. Dolgopo-ova, V.P. Zlomanov // Material Science in Semiconductor Processing. - 2003. - V. 6, № 5-6.-P. 481-485.

143. Study of Vacancy Defects in PbSe and Pb].x SnxSe by Positron Annihilation / Polity A. [et al.] // Journ. Cryst. Growth. - 1993. - V. 131. - P. 271-274.

144. Драбкин И.А. Спонтанная диссоциация нейтральных состояний примесей на положительно и отрицательно заряженные состояния / И.А. Драбкин, Б.Я. Мойжес // Физика и техника полупроводников. - 1981. - Т. 15, № 4. - С. 625-648.

145. Влияние отклонения от стехиометрии на электрофизические свойства пленок теллурида свинца, легированных галлием / A.M. Самойлов, С.В. Беленко [и др.] // Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах ФАГРАН-2012: VI Всерос. конф., Воронеж, 15-19 окт. 2012 г.: материалы конф. - Воронеж, 2012. - С. 243-245.

146. Lead Salt Resonant Cavity Enhanced Detector with MEMS Mirror / F. Felder, M. Rahim, M.Fill, H. Zogg N, Quack, S. Blunier, J. Dual // Physics Procedia 3, 2, Proc. 14th International Conference on Narrow Gap Semiconductors and Systems. - 2010. -

P. 1127-1131.

147. Структура тонких пленок теллурида свинца на кремниевых подложках./ Я.А. Угай Я.А., A.M. Самойлов, Б.А. Агапов, Э.А. Долгополова, М.К. Шаров // Неорган, материалы. - 1998. - Т. 34, № 9. _ с. 1048-1054.

148. Crystal microstructure of PbTe/Si and PbTe/Si02/Si thin films. / Ya.A. Ugai, A.M. Samoylov, M.K. Sharov, A.V. Tadeev // Thin Solid Films. - 1998. - V 336. - P. 196-200.

149. Электрофизические свойства легированных галлием тонких пленок теллурида свинца./ Я.А. Угай, A.M. Самойлов, М.К. Шаров, О.Б. Яценко, Б.А. Акимов // Конденсированные среды и межфазные границы. - 1999. - Т. 1, № 2. - С. 132-138.

150. Electrical Parameters of Vapour Phase Doped with Ga lead telluride thin films on Si substrates./ Ya.A. Ugai, A.M. Samoylov, Yu.V. Synorov, M.K. Sharov // Proc. of the 3-d

International Conference "Single Cristal Growth, Strength Problems, and Heat Mass Transfer".Obninsk. - 1999. - P.525-533.

151. Comparative study of point defects induced in PbTe thin films doped with Ga by different techniques / A.M. Samoylov [et al.] // Material Science in Semiconductor Processing. 2003. V.6. N 5-6. P. 481-485.

152. The deviation from a stoichiometry and the amphoteric behavior of Ga in PbTe/Si films /A.M. Samoylov, S.V. Belenko [et all.] // Journ. of Cryst. Growth. - 2012. - V. 351. - P. 149-154.

153. Проекция поверхности ликвидуса системы Pb-Te-Ga / Н. Р. Файзуллина [и др.] // Химия, технол., пром. экол. неорган, соед. - 2000. - № 3. - С. 18-21.

154. Babayev Y.N. Ga-Pb-Te ueclu sisteminin likvidus sethinin proyeksiyasi / Y.N. Babayev // Журн. хим. пробл. - 2004. - № 2. - С. 78-81.

155. Бойчук В.М. Кристаллокваз1х1м1чний змют домшки гагпю у телурщц свинцю / В.М. Бойчук // Ф1зика и xiMifl твердого тша - 2003. - Т. 4, № 1. - С. 133-137

156. Бокий Г.Б. Кристаллохимия. М. : Наука. - 1971. - 400 с.

157. Отклонение от стехиометрии и механизмы дефектообразования в пленках теллурида свинца, легированных галлием / Э.А. Долгополова, С.В. Беленко [и др.] // XIV Национальная конференция по росту кристаллов НКРК-2010: Кристаллофизика XXI века: IV Междунар. конф., посвящ. памяти М.П. Шаскольской, 6-10 дек. 2010 г., Москва: тез. докл. - М., 2010. - Т. 1. - С. 243.

158. The Determination of Solubility Limits of Gallium Impurity in PbTe Films Doped with Ga on Si Substrates / A.M. Samoylov, S.V. Belenko [et all.] // The European Materials Research Society (EMRS) 2009 Fall Meeting : Warsaw (Poland), 14-18 Sept. 2009: book of abstr. - Warsaw (Poland), 2009. - P. 85-86.

159. Область растворимости галлия в пленках теллурида свинца, выращенных на кремниевых подложках /С.В. Беленко [и др.]// XIII Национальн. конференция по росту кристаллов НКРК-2008, 14-21 ноя. 2008 г., Москва: тез. докл. - М., 2008. - С. 51.

160. Samoylov A.M. Electrical properties of PbTe<Ga>/Si films, prepared by two different techniques / A.M. Samoylov, S.V. Belenko, I.S. Surovtsev // Functional Materials ICFM-2005: Intern. Conf., Oct. 3-8, 2005, Partenit, Crimea, Ukraine: abstr. - Simferopol, 2005. -P. 292.