Направленный синтез легированных галлием и индием пленок теллурида свинца с контролируемым содержанием примесных атомов и отклонением от стехиометрии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.01, доктор химических наук Самойлов, Александр Михайлович

• Самойлов, Александр Михайлович
• доктор химических наук
• 2006

Оглавление диссертации доктор химических наук Самойлов, Александр Михайлович

индием пленок VI примесных

Специальность 02.00.01 - неорганическая химия

ДИССЕРТАЦИЯ на соискание ученой степени доктора химических наук

Научный консультант: доктор химических наук, профессор МИТТОВА И.Я.

Воронеж

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

1.1. Система свинец - теллур.

1.2. Система свинец - галлий.

1.3. Система свинец-индий.

1.4. Получение пленок теллурида свинца.

1.5. Структура и физические свойства эпитаксиальных пленок теллурида свинца.

1.6. Структура и физические свойства кристаллов и эпитаксиальных пленок РЬТе, легированных галлием и индием.

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

2.1. Методика выращивания тонких пленок теллурида свинца.

2.2. Высокотемпературная масс-спектроскопия.

2.3. Электронная микроскопия.

2.4. Локальный рентгеноспектральный микроанализ.

2.5. Рентгеноструктурный анализ

2.6. Металлографический анализ тонкой структуры монокристаллов Si, РЬТе и пленок РЬТе.

2.7. Изучение электрофизических свойств тонких пленок РЬТе.

ГЛАВА 3. СИНТЕЗ ПЛЕНОК PbTe/Si, PbTe/Si02/Si И ИЗУЧЕНИЕ ИХ РЕАЛЬНОЙ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ

3.1. Синтез пленок PbTe/Si и PbTe/Si02/Si при помощи модифицированного метода «горячей стенки»

3.2. Влияние условий формирования на кристаллическую структуру пленок PbTe/Si и PbTe/Si02/Si.

3.3. Металлографическое исследование микроструктуры объемных монокристаллических и тонкопленочных образцов РЬТе

3.4. Рентгенографическое исследование скалярной плотности дислокаций в пленках PbTe/Si и PbTe/Si02/Si.

ГЛАВА 4. ЛЕГИРОВАНИЕ Ga ПЛЕНОК PbTe/Si И PbTe/Si02/Si МЕТОДОМ ДВУХТЕМПЕРАТУРНОГО ОТЖИГА В ПАРОВОЙ ФАЗЕ 4.1. Выбор условий парофазного легирования Ga пленок РЬТе при помощи отжига в насыщенном паре над гетерогенной смесью GaTes + Li.

4.2. Моделирование процесса парофазного легирования галлием тонких пленок PbTe/Si и PbTe/Si02/Si.

4.3. Методика и результаты парофазного легирования галлием пленок PbTe/Si и PbTe/SiCVSi

ГЛАВА 5. ИССЛЕДОВАНИЕ ПАРОВОЙ ФАЗЫ НАД РАСПЛАВАМИ

Pb-Ga И Pb-In ПРИ ПОМОЩИ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ МАСС - СПЕКТРОСКОПИИ 5.1. Актуальность создания научно-обоснованного метода синтеза пленок

PbTe(Ga) и PbTe(In) с равномерным распределением примесных атомов.

5.2. Изучение взаимодействия компонентов в насыщенном паре над расплавами Pb-Ga и Pb - In методом высокотемпературной масс-спектроскопии.

5.3. Расчет элементного состава насыщенного пара в бинарных системах Pb-Ga и Pb-In.

5.4. Расчет температурно-концентрационных зависимостей активностей компонентов в системах Pb-Ga и Pb-In.

5.5. Термодинамический анализ взаимодействия компонентов в системах свинец - галлий и свинец - индий.

5.6. Сопоставление результатов термодинамического анализа взаимодействия компонентов в системах свинец - галлий и свинец - индий.

ГЛАВА 6. РАЗДЕЛЬНАЯ И СОВМЕСТНАЯ КОНДЕНСАЦИЯ КОМПОНЕНТОВ ИЗ ПАРОВОЙ ФАЗЫ НАД РАСПЛАВАМИ Pb-Ga И Pb-In ^ 6.1. Обоснование необходимости изучения процессов конденсации компонентов из паровой фазы над расплавами Pb-Ga и Pb-In . 204 6.2. Конденсация паров чистых исходных компонентов в системах в системах Pb-Ga и Pb - In при помощи метода «горячей стенки»

6.3. Изучение совместной конденсации компонентов из паровой фазы над расплавами Pb - Ga и Pb-In

6.4. Сравнительный анализ особенностей синтеза пленок Pbi^Ga^, и Pb^In^, при помощи модифицированного метода «горячей стенки».

ГЛАВА 7. СИНТЕЗ ПЛЕНОК PbTe(Ga) И PbTe(In), ЛЕГИРОВАННЫХ АТОМАМИ МЕТАЛЛОВ IIIА ГРУППЫ НЕПОСРЕДСТВЕННО В ПРОЦЕССЕ ФОРМИРОВАНИЯ КОНДЕНСАТА

7.1. Преимущества одностадийного синтез пленок РЬТе, легированных Ga и In непосредственно в процессе формирования конденсата

7.2. Синтез пленок PbTe(Ga) легированных Ga непосредственно в процессе роста на Si и Si02/Si подложках.

7.3. Синтез пленок РЬТе, легированных In непосредственно в процессе роста на Si подложках.

7.4. Кристаллическая структура пленок Pbi^Ga^Te и Pbi^In^Te

ГЛАВА 8. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЛЕГИРОВАННЫХ ГАЛЛИЕМ И ИНДИЕМ ПЛЕНОК РЬТе

8.1. Электрофизические свойства и чувствительность к ИК - излучению нелегированных пленок теллурида свинца

8.2. Тип и концентрация носителей заряда в легированных галлием и индием пленках теллурида свинца.

8.3. Сравнительный анализ результатов изучения электрофизических свойств пленок РЬТе, легированных галлием и индием.

8.4. Чувствительность к ИК - излучению легированных пленок теллуридасвинца

ВЫВОДЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Направленный синтез легированных галлием и индием пленок теллурида свинца с контролируемым содержанием примесных атомов и отклонением от стехиометрии»

Актуальность. Одной из фундаментальных задач неорганической химии в XXI веке остается проблема синтеза сложных многокомпонентных материалов с заданными функциональными свойствами, отсутствие которых сдерживает дальнейшее развитие научно-технического прогресса, в том числе, совершенствование приборов микро- и оптоэлекгроники [1 - 4]. Пленки и монокристаллы узкозонных полупроводников AIVBVI, легированные металлами III А группы Периодической системы Д.И. Менделеева с переменной валентностью, обладают уникальными электрофизическими свойствами, поскольку в них наблюдается стабилизация (пиннинг) уровня Ферми Ef либо внутри запрещенной зоны, либо вблизи дна зоны проводимости [5 - 7]. Одним из особенно интересных проявлений стабилизации Ер является нечувствительность электрофизических свойств легированных Ga и In теллурида свинца и его твердых растворов к присутствию других примесных атомов. При этом природа и механизмы этого явления еще до конца не изучены. Синтез легированных Ga и In пленок халькогенидов свинца с заданным содержанием примесных атомов остается одной из важнейших задач полупроводникового материаловедения, поскольку изучение кристаллической структуры и физико-химических свойств таких гетероструктур имеет большое значение с точки зрения фундаментальной науки.

Халькогениды металлов IV А группы Периодической системы Д.И. Менделеева служат базовыми материалами при создании активных элементов в различных приборах оптоэлеюронной техники в средней и дальней инфракрасной (ИК) области спектра, а также могут использоваться при разработке термоэлектрических преобразователей энергии [8]. Разработка надежных методов синтеза качественных тонких пленок соединений A1VBVI на кремнии, который до настоящего времени остается основным материалом современной микроэлектроники, позволит создать гибридные интегральные схемы, одновременно включающие в себя элементы регистрации ИК - излучения, а также систему обработки детектируемого сигнала [9 - 13].

Физические параметры тонких пленок соединений A1VBVI и твердых растворов на их основе можно целенаправленно изменять в результате легирования металлами III А группы с переменной валентностью. Это открывает путь к созданию принципиально новых квантовых электронных приборов. Весьма существенным достоинством подобного типа структур может служить значительное улучшение параметров уже существующих оптоэлектронных приборов при использовании в них сверхрешеток [14-18].

Работа выполнена в соответствии с тематическим планом НИР Воронежского госуниверситета, финансируемых из средств республиканского бюджета по единому заказ-наряду (№ Г.Р. 01.20.0008367) и поддержана грантами МНФ Дж. Сороса (NZOOOO и NZ0300), а также грантом Министерства образования РФ № Е02-5.0-289.

Цель работы: Разработка и осуществление научно-обоснованных методов направленного синтеза легированных галлием и индием пленок теллурида свинца при условии контроля не только концентрации примесных атомов, но и отклонения от стехиометрии в содержании основных компонентов, что обеспечивает сравнительное изучение влияния примесных атомов IIIА группы, обладающих переменной степенью окисления, на кристаллохимическую структуру и электрофизические свойства исходного материала в зависимости от конкретных условий процесса легирования.

Для достижения цели требовалось выполнение следующих задач:

1. Оптимизация режимов синтеза на подложках Si (100) и Si02/Si (100) пленок РЬТе, обладающих высокой степенью структурного совершенства, при помощи модифицированного метода «горячей стенки»;

2. Разработка научно-обоснованного двустадийного метода парофазного легирования галлием предварительно синтезированных пленок PbTe/Si и PbTe/Si02/Si;

3. Изучение температурно-концентрационной зависимости состава паровой фазы над бинарными расплавами Pb - Ga и Pb - In, используемыми в качестве источников пара металлических компонентов при синтезе легированных пленок PbTe(Ga) и PbTe(In);

4. Термодинамический анализ характера взаимодействия компонентов в системах Pb - Ga и Pb - In в интервале температур Т= 950 - 1150 К на основе температурных зависимостей парциальных давлений компонентов, полученных при масс-спектроскопических исследованиях этих систем;

5. Разработка методов направленного одностадийного синтеза на Si и Si02/Si подложках пленок РЬТе, легированных галлием и индием непосредственно в процессе их формирования, которые позволяют в выращиваемых пленках осуществлять строгий и гибкий контроль не только концентрации примесиых атомов, но также величины отклонения от стехиометрии в содержания основных компонентов;

6. Исследование скорости роста, химического состава и фазовой природы синтезируемых пленок PbTe(Ga) и PbTe(In) в зависимости от состава исходных расплавов Pbi^Ga^ и РЬ]л1пЛ, величин парциальных давлений металлических компонентов и теллура, а также от температуры подложки;

7. Комплексное сравнительное изучение реальной кристаллической структуры, электрофизических параметров и чувствительности к ИК - излучению легированных Ga и In пленок РЬТе, полученных различными методами, в зависимости от концентрации примесных атомов, отклонения от стехиометрии в содержании основных компонентов, природы подложки и конкретных условий процесса легирования.

8. Создание представлений о механизме взаимодействия с исходной кристаллической матрицей РЬТе примесных атомов III А группы, обладающих переменной степенью окисления, с учетом их различного положения и величин отклонения от стехиометрии в содержании основных компонентов - свинца и теллура.

Научная новизна.

• В результате изучеиия процессов формирования мозаичных нелегированных монокристаллических пленок РЬТе на подложках Si (100) и SiCVSi (100) при помощи модифицированного метода «горячей стенки» установлены принципиальные закономерности их синтеза, обеспечивающие получение образов с п - и р - типом проводимости и высокой степенью структурного совершенства;

• На основании данных, полученных при изучении реальной кристаллической микроструктуры пленок PbTe/Si и PbTe/Si02/Si с помощью металлографического анализа, растровой электронной микроскопии (РЭМ) и прецизионного рентгенографического анализа, установлено, что присутствие переходного буферного слоя Si02 толщиной 20 ± 5 - 50 ± 5 нм приводит к повышению структурного совершенства пленок и снижению средней скалярной плотности дислокаций. Однако с увеличением толщины оксидного слоя до 100 - 300 нм наблюдается рост плотности дислокаций с последующим переходом пленок РЬТе в поликристаллическое состояние;

• На основании термодинамического анализа состава пара в системе галлий -теллур разработан и осуществлен двустадийный метод легирования Ga предварительно синтезированных пленок PbTe/Si и PbTe/Si02/Si посредством двухтемпературного отжига в насыщенном паре над гетерогенной смесью GaTes + Li, который позволяет получать образцы с содержанием примесных атомов Ga в пределах от 0,0005 до 0,015 мольн. д.;

• В результате масс-спектроскопических исследований установлено, что в интервале температур 780 - 1153 К насыщенный пар над расплавами Pbi^Ga^ и Pbi-Jn, в значительной степени обогащен металлами III А группы, при этом содержание металлов III А группы в зависимости от температуры и состава исходного расплава изменяется в пределах от 0,0001 до 0,0745 мольн. д. и от 0,001 до 0,1112 мольн. д. для Ga и In, соответственно. Такой интервал составов намного превышает диапазон концентраций примесных атомов в легированных образцах PbTe(Ga) и PbTe(In), для которого отмечены наиболее существенные изменения электрофизических параметров. На основании термодинамического анализа доказано, что при температурах 780 - 1153 К взаимодействие компонентов в расплавах Pbi^Ga^ и Pbi-jln* характеризуется сильно выраженным положительным отклонением от идеальности. Образование расплавов в системах Pb - Ga и Pb - In в интервале температур 780 - 1153 К является эндотермическим процессом и характеризуется значительными положительными величинами избыточных парциальных и

Е Е интегральных мольных свободных энергий смешения g и энтропии смешения 5 .

• Установлено, что на состав бинарных слоев Pbi^Ga^ и Pb^In^ влияет не только соотношение парциальных давлений компонентов, но также величина общего давления насыщенного пара и температура подложки. Результаты, полученные при выращивании двухкомпонентных пленок Pb^Ga^ и Pb^In^, доказали целесообразность использования расплавов Pb|^Ga^ и Pbj^In* в качестве источников паров металлических компонентов при направленном синтезе пленок PbTe(Ga) и PbTe(In) модифицированным методом «горячей стенки»;

• Разработан и осуществлен одностадийный направленный синтез легированных Ga и In пленок теллурида свинца при условии строгого и гибкого контроля не только концентрации примесных атомов, но и величин отклонения от стехиометрии в содержании свинца и теллура;

• Комплексное изучение количественного состава, фазовой природы и микроструктуры синтезированных пленок PbTe(Ga) и PbTe(In) позволило оценить границы растворимости галлия и индия в теллуриде свинца. Показано, что область растворимости индия в теллуриде свинца имеет асимметричную форму относительно квазибинарного разреза РЬТе - InTe, при этом содержание индия и теллура является взаимозависимым;

• В подтверждение амфотерного (донорного и акцепторного) поведения галлия и индия в исходной матрице РЬТе с позиций ионной модели разработаны представления, учитывающие различные зарядовые состояния примесных атомов (Ме+1 и Ме+3), их положение в исходной кристаллической матрице (Mej и Мерь), а также степень отклонения от стехиометрии в содержании основных компонентов -свинца и теллура.

Практическая значимость:

Формирование качественных тонких пленок полупроводниковых материалов AIVBVI на кремнии позволит создать гибридные интегральные схемы, одновременно включающие в себя элементы регистрации ИК - излучения, а также систему цифровой обработки детектируемого сигнала. Легирование пленок теллурида свинца галлием и индием приводит к стабилизации уровня Ферми внутри запрещенной зоны, поэтому электрофизические параметры таких материалов становится нечувствительными к присутствию других примесных атомов. Пленки PbTe(Ga) и PbTe(In) позволяют обеспечить стабильную и долговременную работу ИК - сенсоров и лазеров.

Апробация работы:

Материалы диссертационной работы были представлены на Всероссийских и международных конференциях: 6th International Conference "Physics and Technology of Thin Films", Ivano-Frankivsk, 1997; 5-я Международная конференция «Термодинамика и материаловедение полупроводников» Москва. МИЭТ, июль, 1997; Второй Российский симпозиум "Процессы тепло-массопереноса и рост монокристаллов и тонкопленочных структур". Обнинск. 22-24 сентября, 1997; European Materials Research Society (E-MRS'98) Spring Meeting. Strasbourg. France, June 16-20, 1998; 5-th International Workshop MSU - HTSC V, Moscow, March 24-29, 1998; Всероссийская научно-техническая конференция "Новые материалы и технологии НМТ-98" Москва. 17-18 ноября, 1998; Third International Conference "Single Crystal Growth, Strength Problems, and Heat Mass Transfer". Obninsk. 1999; IX и X Российские национальные конференции по росту кристаллов (НКРК-2000, 16-20 октября 2000 г., Москва, НКРК-2002. 24-29 ноября 2002 г. Москва); 13-th International Conference of Crystal Growth (ICCG-13. 30.07. - 04.08.2001. Kyoto, Japan); Всероссийская научная конференция "Физика полупроводников и полуметаллов" (ФПП-2002. 4-6 февраля 2002 г. Санкт-Петербург, Россия); Spring Meeting of European Materials Research Society (E-MRS'2002. Strasbourg. France, June 16-20, 2002); Всероссийская конференция "Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах" ФАГРАН-2002. Воронеж, 11-15 ноября 2002 г.; 1st International Symposium on Point Defects and Nonstoichiometry. ISPN 2003. March 20 - 22, 2003, Sendai, Japan; 7-th International Conference on Photoelecrtonic and Advanced Materials (ICPAM - 7), June 10 - 13, 2004. Yassi, Romania; XV Международная конференция по химической термодинамике в России, Москва, 27 июня - 2 июля 2005 г.; International Conference "Functional Materials" ICFM-2005, Ukraine, Crimea, Partenit, October, 2-7.

Публикации.

По результатам проведенных исследований опубликовано 29 статей, 17 из которых в академической российской печати, 5 в международных журналах (издательство Elsevier).

На защиту выносятся:

• Физико-химические закономерности процессов синтеза при помощи модифицированного метода «горячей стенки» нелегированных, а также легированных галлием и индием пленок PbTe/Si и PbTe/Si02/Si с п - и р - типом проводимости. Влияние условий синтеза (парциальные давления компонентов и температура подложки) на количественный состав, фазовую природу, качество реальной кристаллической структуры и основные электрофизические параметры. Зависимость реальной кристаллической структуры пленок PbTe/Si и PbTe/Si02/Si от наличия и толщины переходного буферного слоя Si02;

• Результаты масс-спектроскопического изучения процессов испарения расплавов РЬ1/}аЛ и РЬ[л1пЛ, свидетельствующие о том, что насыщенный пар в значительной степени обогащен металлами III А группы, а взаимодействие компонентов характеризуется существенными положительными отклонениями от идеальности;

• Результаты термодинамического анализа взаимодействия компонентов в бинарных системах Pb - Ga и Pb - In, свидетельствующие, что образование расплавов Pbi-jGa* и Pbi-^In* в интервале температур 780 - 1150 К является эндотермическим процессом и характеризуется значительными положительными величинами избыточных парциальных и интегральных мольных свободных энергий смешения gE и энтропии смешения sE;

• Доказательство целесообразности применения расплавов Pb^Ga^ и Pb^In^ в качестве источников паров металлических компонентов при осуществлении направленного синтеза легированных пленок PbTe(Ga) и PbTe(In) модифицированным методом «горячей стенки;

• Границы области растворимости галлия и индия в пленках теллурида свинца, установленные на основании результатов комплексного исследования состава, кристаллической структуры и фазовой природы пленок Pbi^In/Te/SiCVSi и Pbi-yln^Te/Si при помощи методов электронной микроскопии, JIPCA и прецизионного рентгенографического анализа. Взаимное влияние Те и In на протяженность области твердых растворов индия в теллуриде свинца;

• Доказательства амфотерного (донорного и акцепторного) характера поведения галлия и индия в пленках теллурида свинца в зависимости не только от содержания металлов III А группы с переменной степенью окисления, но также от величины отклонений от стехиометрии основных компонентов - свинца и теллура;

• Результаты изучения чувствительности к ИК - излучению легированных пленок PbTe(Ga) и PbTe(In) в зависимости от метода легирования, природы и концентрации примесных атомов, а также отклонения от стехиометрии в содержании основных компонентов - свинца и теллура.

Структура и объем работы:

Текст диссертации состоит из введения, восьми глав, списка литературы, включающего 229 наименований источников. Содержание работы изложено на 340 страницах, включает 119 рисунков, 42 таблицы и 229 библиографических ссылок.

Заключение диссертации по теме «Неорганическая химия», Самойлов, Александр Михайлович

ВЫВОДЫ

Главным итогом диссертационной работы является решение актуальной научной проблемы: на основе термодинамического анализа взаимодействия свинца, галлия и индия между собой разработан и осуществлен направленный синтез легированных Ga и In пленок теллурида свинца с контролируемым содержанием примесных атомов и отклонением от стехиометрии основных компонентов, что позволило провести комплексное изучение не только влияния природы и концентрации примесных атомов, но и величины отклонения от стехиометрического соотношения в содержании основных компонентов на кристаллическую структуру и электрофизические параметры гетероструктур PbTe(Ga)/Si и PbTe(In)/Si, способных эффективно детектировать ИК - излучение.

1. Соотношение давлений свинца и теллура в реакционной камере модифицированного метода «горячей стенки» позволяет контролировать отклонение от стехиометрии, а следовательно, тип и концентрацию носителей заряда, при синтезе на подложках Si (100) нелегированных пленок теллурида свинца, обладающих структурой мозаичных монокристаллов с ориентацией (100). Формирование слоев РЬТе осуществляется по механизму «пар - конденсат без коалесценции». Присутствие переходного буферного слоя Si02 толщиной 20 ± 5 — 50 ± 5 нм приводит к повышению структурного совершенства пленок теллурида свинца и снижению средней скалярной плотности дислокаций до величин ~ 10~5 см-2, однако увеличение толщины оксидного слоя до 100 - 300 нм вызывает рост плотности дислокаций с последующим переходом слоев РЬТе в поликристаллическое состояние.

2. Двухтемпературный отжиг в насыщенном паре над гетерогенной смесью

§

GaTe + Li в системе галлий - теллур обеспечивает эффективное легирование галлием предварительно синтезированных пленок теллурида свинца и в зависимости от температуры, продолжительности, а также парциального давления молекул Ga2Te позволяет получать образцы с содержанием примесных атомов в пределах от 0,001 до 0,03 мольн. д.

3. На основании результатов масс-спектроскопических исследований установлено, что в интервале температур 780 - 1153 К паровая фаза над расплавами Pbi-jGa* и Pbi-Jn*состоит, главным образом, из одноатомных молекул, а суммарное содержание двухатомных частиц не превышает 0,05 % и 0,5 % для системы Pb - Ga и Pb - In, соответственно. Установлено, что поведение свинца, индия и, в особенности, галлия в расплавах Pbi^Ga^ и Pbi^In* характеризуется сильно выраженным положительным отклонением от идеальности. Показано, что для свинца, галлия и индия значения коэффициентов активности уменьшаются с ростом температуры.

4. На основании проведенных термодинамических расчетов установлено, что образование расплавов в системах Pb - Ga и Pb - In в интервале температур 780 -1150 К является эндотермическим процессом и характеризуется значительными положительными величинами избыточных парциальных и интегральных мольных р свободных энергий смешения g .

5. Доказана целесообразность использования расплавов Pb^Ga^ и РЬ^п* в качестве источников паров металлических компонентов при синтезе пленок PbTe(Ga) и PbTe(In) модифицированным методом «горячей стенки». На основании температурных зависимостей парциальных давлений компонентов над расплавами Pb - Ga и Pb - In определен состав насыщенного пара в изученных системах, показано, что содержание металлов III А группы в зависимости от температуры и состава исходного расплава изменяется в пределах от 0,0001 до 0,045 мольн. д. и от 0,001 до 0,11 мольн. д. для галлия и индия, соответственно, что намного превышает интервал концентраций примесных атомов в легированных образцах PbTe(Ga) и PbTe(In), для которого отмечены наиболее существенные изменения электрофизических параметров.

6. Разработан и осуществлен одностадийный направленный синтез легированных Ga и In слоев теллурида свинца с возможностью строгого и гибкого контроля не только содержания примесных атомов в формируемой пленке в пределах от 0,0004 до 0,015 мольн. д. и от 0,0008 до 0,025 мольн. д. для галлия и индия, соответственно, но и отклонения от стехиометрии по основным компонентам: свинцу и теллуру. Синтезированные полуизолирующие пленки PbTe(Ga) в режиме фотосопротивлений обладают способностью не только эффективно детектировать ИК - излучение, но и регистрировать изменение его мощности.

7. Комплексное изучение количественного состава, фазовой природы и микроструктуры синтезированных пленок PbTe(In) позволило оценить границы растворимости галлия и индия в теллуриде свинца. Показано, что пленки РЬ^пДе, выращенные при 7;иь = 583 ± 3 К и 7;ub = 623 + 3 К, остаются однофазными, если содержание In в них не превышает = 0,012 - 0,014. При у1п> 0,014 пленки РЬ^пДе, содержащие избыток Те относительно стехиометрического соотношения, являются гетерогенными и представляют собой либо двухфазную смесь (РЬТе + InTe), (РЬТе + 1п2Те3), либо трехфазную смесь (РЬТе + InTe + In2Te3). Пленки РЬ^пДе, содержащие недостаток Те относительно стехиометрического соотношения, могут быть гомогенными и гетерогенными: (РЬТе + РЬ), (РЬТе + 1п4Те3) и (РЬТе + РЬ + 1п4Те3), в зависимости от содержания свинца и индия. Показано, что область растворимости индия в теллуриде свинца имеет асимметричную форму относительно квазибинарного разреза РЬТе - InTe, при этом содержание индия и теллура является взаимозависимым.

8. Сопоставление немонотонных зависимостей параметра кристаллической решетки, типа и концентрации носителей заряда, а также температурных зависимостей чувствительности к ИК - излучению легированных пленок PbTe(Ga) и PbTe(In) от содержания в них атомов металлов III А группы доказывает амфотерное (донорное и акцепторное) поведение галлия и индия в исходной матрице РЬТе. С позиций простой ионной модели для объяснения сложного поведения металлов с переменной степенью окисления в кристаллической решетке РЬТе разработаны представления, учитывающие их различные зарядовые состояния (Ме+1 и Ме+3), а также положения в исходной кристаллической матрице (Ме, и МеРЬ).

Список литературы диссертационного исследования доктор химических наук Самойлов, Александр Михайлович, 2006 год

1. Lead Chalcogenides: Physics and Applications / ed. D. Khohlov. - New York:

2. Gordon & Breach, 2002. 687 p.

3. Волков Б.А. Примеси с переменной валентностью в твердых растворах наоснове теллурида свинца / Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов // Успехи физических наук. 2002. - Т. 172, № 8. - С. 875-906.

4. РЬТе films grown by hot wall epitaxy on sapphire substrates / Z. Dashevsky et al. // Thin Solid Films. 2004. - V. 461. - P. 256 - 265.

5. Synthesis and growth of PbTe crystals at low temperature and their characterization / V. Munoz et al. // Journ. Cryst. Growth. 1999. - V. 196. - P. 71-76.

6. Carrier transport and non-equilibrium phenomena in doped PbTe and related materials / B. A. Akimov et al. // Phys. Stat. Sol. 1993. - V.137, № 8. - P. 9-55.

7. Электрофизические и фотоэлектрические свойства PbTe(Ga), облученного электронами / Е.П. Скипетров и др. // Физика и техника полупроводников. 1994. -Т. 23, №9.-С. 1626-1635.

8. Энергетический спектр твердых растворов (Sn0 65Pb o,35)o,95Geo,o5Te / С.А. Немов и др. // Физика твердого тела. 2000. - Т. 42, № 4. - С. 623-625.

9. Шперун В.М. Термоелектрика телуриду свинцю i його аналопв / В.М. Шперун, Д.М. ФреГк, P.I. Запухляк. 1вано - Франювсък : Изд-во Плай, 2000. -250 с.

10. Photovoltaic lead-chalcogenide on silicon infrared sensor arrays / H. Zogg et al. // Optical Engineering. 1994. - V.33, № 5. - P. 1440 - 1449.

11. Photovoltaic infrared sensor arrays in monolithic lead chalcogenides on silicon / H. Zogg et al. // Semicond. Sci. Technol. -1991. № 6. - P. 36-41.

12. Photovoltaic Pbi.xSnxSe-on-Si IR Sensor Arrays for Thermal Imaging / H. Zogg et al. // International Conference on Solid States Devices and Materials : Extended Abstracts, Yokohama, Japan, August 23 26, 1994. Yokohama, 1994. - P. 963 - 964.

13. The lattice constant of ternary and quaternary alloys in the PbTe SnTe - MnTe System / S. Miotrowska et al. // Journ. Cryst. Growth. - 1999. - V. 200. - P. 483-489.

14. Handbook of semiconductor technology : / ed. K. A. Johnson and W. Schrotter. -Weinheim New York - London.: Wiley VCH, 2001. - V. 1. - 846 p.

15. Медведев Ю.В. Многоцветные ИК приемники / Ю.В. Медведев // Зарубежная электронная техника. - 1983. - № 10. - С. 40-53.

16. Заячук Д.М. К вопросу о доминирующих механизмах рассеяния носителей заряда в теллуриде свинца / Д.М. Заячук // Физика и техника полупроводников. -1997. Т.31, № 2. - С.217-221.

17. Фотопроводимость Pbi.xSnxTe(In) в миллиметровой области спектра / Ю.А. Абрамян и др. // Физика и техн. полупроводников. 1994. Т. 28, № 3. - С. 533-534.

18. Kasemset D. Liquid phase epitaxy of PbTeSe lattice matched to PbSnTe / D. Kasemset, S. Rotter, C.G. Fonstad // Journ. of Electronic Materials. - 1981. - V. 10, № 5. - P.863-878.

19. Вол A.E. Строение и свойства двойных металлических систем / А.Е. Вол. М. : Изд-во физ.- мат. литературы, 1962. - Т. 2. - 982 с.

20. Глазов В.М. Акустические исследования расслаивания и закритических явлений в электронных расплавах / В.М. Глазов, С.Г. Ким // Докл. АН СССР. Сер. Физ. химия. 1986. - Т. 290, № 4. - С. 873-876.

21. Влияние расслоения на термодинамические и кинетические свойства сплавов / В.И. Кононенко и др. // Журн. физ. химии. 1975. - Т. 49, № 10. - С. 2570-2573.

22. Вол А.Е. Строение и свойства двойных металлических систем : в 4-х т. / А.Е. Вол, Е.К. Каган. М.: Наука. - 1976. - Т.З. - 814 с.

23. Heumann Т. Thermodynamische Unttersuchungen im System Indium Blei / T. Heumann, B. Predel // Z. Metallkunde. - 1966. - Bd. 57, № 1. - S. 50 - 55.

24. Поверхностное натяжение сплавов индий свинец / О. Г. Ашхотов и др. // Журн. физич. химии. - 1997. - Т. 71, № 1. - С. 129 - 132.

25. Kameda К. Activities of Liquid Pb-In Alloys by E.M.F. Measurements Using Zirconia Solid Electrolyte Cells / K. Kameda, Y. Yoshida, S. Sakairi // Transactions of the Jap. Inst, of Metals. 1982. - V. 23, № 8. - P. 433 - 439.

26. McDonald J.A. Nights of the Future: II-VI Primer. Part 2: Tapping the True Potential of First and Second Generation II-VI Products / J. A. McDonald // III Vs Revue. - 1992. -V. 5,№2.-P.28-33.

27. Thermal mismatch - strain relaxation in epitaxial CaF2, BaF2/CaF2, and PbSe/BaF2/CaF2 layers on Si (111) after many temperature cycles / H. Zogg et al. // Phys. Review B. - 1994. - V. 50, № 15. - P. 10801 - 10810.

28. Фоточувствительные поликристаллические пленки компенсированного теллурида свинца РЬТе:С1,Теех / И.Б. Захарова и др. // Физика и техника полупроводников. 1994. - Т. 28, № 10. - С. 1802-1807.

29. Astles M.G. Liquidus measurements in the Pb Sn - Те system / M. G. Astles, P. Hatto, A. J. Crocker // Journ. Cryst. Growth. - 1979. - V. 47. - P.379-383.

30. Zemel A. Electric properties of indium-doped LPE layers of PbijSn*Te / A. Zemel, D. Eger, H. Shtikman // Journ. Electron. Materials. 1981. - V. 10, № 2. - P. 245 - 253.

31. Growth of (11 l)-oriented PbTe thin films on vicinal Si (111) and on Si (100) using fluoride buffers / A. Belenchuk et al. // Journ. Cryst. Growth. 1999. - V. 198/199. P. 1216-1221.

32. Марков B.M. Получение твердых растворов замещения в системе свинец -олово селен / В.М. Марков, JI.M. Маскаева, Л.Д. Лошкарева // Неорганические материалы. - 1997. - Т. 33, № 6. - С. 665 - 668.

33. Electrodeposition of РЬТе thin films / Н. Salomeni et al. // Thin Solid Films. -1998. V. 326. - P.78-82.

34. Фрейк Д.М. Физика и технология полупроводниковых пленок / Д.М. Фрейк, М.А. Галущак, И.И. Межилевская. Львов : Вища школа, 1988. - 155 с.

35. Scholar R.B. Preparation of single-crystal films of PbS / R. B. Scholar, J. M. Zemel // Journ. Appl. Phys. 1984. - V.35, № 6. - P. 1848-1851.

36. Jensen J.D. Surface charge transport in PbSz(Se)x and Pbi.xSnxSe epitaxial films / J. D. Jensen, R. B. Scholar//Journ. Vac. Sci. Technol. 1976. - V.13, № 4. - P. 920-925.

37. Фрейк Д.М. Синтез пленок AIVBV1 из навесок механической смеси компонентов под «тепловым затвором» / Д.М. Фрейк, М.А. Рувинский // Журн. техн. физики. -1983. Т.53., № 7. - С.1378 - 1379.

38. Боткин К.В. Тонкие слои, выращенные методом «горячей стенки» / К.В. Боткин, А. П. Шотов, В.В. Урсаки //Изв. АН СССР. Неорганические материалы. -1981.- Т. 17, № 1,-С. 24-27.

39. Kasai I. PbixSnxTe epitaxial layers prepared by the hot-wall technique /1. Kasai, J. Hermung // Journ. Electron. Mater. 1975. - V. 4, № 2. - P. 299-311.

40. Ishida A. Sn diffusion effects on X-ray diffraction patterns of Pb^SnJe -PbSe/Te^ superlattices / A. Ishida, M. Aoki, H. Fujiyasu // Journ. Appl. Phys. 1985. -V.58, № 2. - P. 797 - 801.

41. Clemens H. Crowth of PbTe Doping Superlattices by Hot Wall Epitaxy // H. Clemens // Joum. Cryst. Growth. 1988. - V.88. - P. 236-240.

42. Clemens H. Hot-wall epitaxy system for the growth of multilayer IV-VI compound heterostructures / H. Clemens, E. Farther, G. Bauer // Rev. Sci. Instrum. -1983.-V 54,№6.-P. 685-689.

43. Ishida A. Hall properties of PbTe-SnTe superlattice / A. Ishida, M. Aoki, H. Fujiyasu // Journ. Appl. Phys. 1985. - V. 58, № 5. - P. 1901-1903.

44. Новый метод выращивания тонких пленок твердых растворов AIVBVI / В.Н. Васильков и др.//Неорган, материалы. 2001. - Т. 31, № 1.-С. 26-29.

45. Эпитаксия пленок Pb0,gSno;2Te / Д.М. Фрейк и др. // Физ. электроника. 1979. -Вып. 18.-С. 82- 86.

46. Lopez Otero A. The use of a phase diagram as a guide for growth of PbTe films / A. Lopez - Otero // Journ. Appl. Phys. Lett. - 1975. - V. 55. - P. 2032-2036.

47. Mojejko K. Structure and growth mechanisms in thin epitaxial PbTe films / K. Mojejko, H. Subotowicz // Thin Solid Films. 1981. - V. 78, № 4. p. 678 - 684.

48. Исследование совершенных монокристаллических пленок РЬТе стехиометри-ческого состава / JI.A. Гудков и др. // Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы. 1980. - Т.16, № 9. - С. 1676 - 1678.

49. Dawar A.L. Electrical transport properties of epitaxial films of Pbi^SnJe / A.L. Dawar, P. Kumar, S.K. Paradkar // Phys. Status Solidi. 1982. - A 73, № 2. - P. 189 -194.

50. Гладкий C.B. Легирование пленок PbTe при их выращивании из газовой фазы / С.В. Гладкий, Т. Разафиндразана, И.В. Саунин // Изв. СПб. электротехн. ун-та. -1993.-№457.-46-56.

51. Monolithic IR Sensor Arrays in Heteroepitaxial Narrow Gap Lead Chalcogenides on Si for the SWIR, MWIR and LWIR Range / H. Zogg et al. // Infrared Detectors and Focal Plane Arrays. Proc. SPIE Conference. Orlando, USA, 1990. - P. 169 - 177.

52. Epitaxy of IV-VI Materials on Si with Fluoride Buffers and Fabrication of IR-sensors Arrays / H. Zogg et al. // Extended Thesis of 7-th International Conference on Narrow Gap Semiconductors. Santa Fe, USA. 1995. - P. 134 - 140.

53. Неидеальный гетеропереход p PbTe - n - Si / В. H. Выдрин и др. // Физика и техника полупроводников.-1991. - Т.25, № 1. - С. 106 - 109.

54. Аверкин А.А. О природе примесных состояний индия в теллуриде свинца / А.А. Аверкин, В.И. Кайданов, Р.Б. Мельник. // Физика и техника полупроводников.-1971.-Т.5,№3,-С. 42-56.

55. Особенности легирующего действия Ga в РЬТе и твердых растворах РЬТе -SnTe / Г.С. Бушмарина и др. // Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы. -1980.- Т. 16,№ 12.-С.2136-2140.

56. Лазаренко М.А. Легирование РЬТе галлием в процессе выращивания кристаллов по механизму ПЖК / М.А. Лазаренко, A.M. Гаськов, В.П. Зломанов // Весник МГУ, сер. Химия. 1980. - Т. 21, № 6. - С. 756 - 763.

57. Влияние галлия на электрофизические свойства теллурида свинца / М.А. Лазаренко и др. // Легированные полупроводники. -М.: Наука, 1982. С. 81-85.

58. Примесные состояния Ga и фотоэлектрические явления в сплавах PbTe(Ga) / Б.А. Акимов и др. // Физика и техника полупроводников.- 1983. Т. 17, № 1.- С. 72 -76.

59. Temperature dependence of mobility in heavily doped n type PbTe layers grown by LPE / Z. Feit et al. // Phys. Lett. - 1983. - A98, № 8 - 9. - P 451 - 454.

60. Ерасова H.A. Фазовый переход в теллуриде свинца с примесью галлия / Н.А. Ерасова // Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы. 1983. - Т. 20, № 3. - С. 538-540.

61. Поведение примеси Ga в монокристаллах РЬТе / В.М. Лакеенков и др. // Укр. физический журн. 1984. - Т. 29, № 5. - С. 757 - 759.

62. Лебедев А.И. Фотопроводимость и процессы рекомбинации в РЬТе, легированном Ga / А.И. Лебедев, Т.Д. Айтикеева // Физика и техника полупроводников,- 1984. Т. 18, № П.-С. 1964- 1966.

63. Сизов Ф.Ф. Глубокие уровни в РЬТе / Ф.Ф. Сизов, С.В. Пляцко, В.М. Лакеенков // Физика и техника полупроводников. 1985. - Т. 19, № 4. - С. 592 - 596.

64. Вейс А.Н. Энергетические уровни, связанные с комплексами в РЬТе, легированном примесями III группы / А.Н. Вейс, Е.В. Глебова, Н.А. Ерасова // Физика и техника полупроводников. 1985. - Т. 19, № 11. - С. 2055 - 2058.

65. Akimov В.А. Low-temperature switching in PbTe(Ga) at high electric fields / B.A. Akimov, A.V. Albul, E.V. Bogdanov // Semicond. Sci. And Technol. 1993. - V. 8, № 15.-P. 447-450.

66. Свойства диодных структур на основе ^-PbTe(Ga) / Б.А. Акимов и др. // Физика и техника полупроводников. 1997.-Т.31, №12. - С. 1431-1435.

67. Кайданов В.П. Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа A1VBVI / В.П. Кайданов, Ю.И. Равич // Успехи физич. наук. 1985. - Т.145, № 1.- С.51 -86.

68. Немов С.А. Примесь таллия в халькогенидах свинца: методы исследования и особенности / С.А. Немов, Ю.И. Равич // Успехи физич. наук.- 1961.- Т. 168, № 9.-С. 32-47.

69. Кайданов В.И. Исследования теллурида свинца с примесью индия / В.И. Кайданов, Р.Б. Мельник, И.А. Черник // Физика и техника полупроводников.- 1973.-Т.7, №9. С. 37-51.

70. Явление переноса в Pb|x Sn^Te с большим содержанием примеси индия / С.А. Немов и др. // Физика и техника полупроводников. 1993. - Т.27, №7. - С. 299-325.

71. Исследование метастабильных квазилокальных состояний индия в теллуриде свинца методом туннельной спектроскопии / В.И. Кайданов и др. // Физика и техн. полупроводников. 1990. - Т.24, №3. - С. 144-172.

72. Лыков С.Н. О зарядовом состоянии примеси индия в теллуриде свинца / С.Н. Лыков, И.А. Черник // Физика и техника полупроводников. 1980. - Т. 14, № 9. - С. 47-62.

73. Переход в бесщелевое состояние под действием давления в сплаве PbSnTe с примесью индия / Б.А. Акимов и др. // Физика и техника полупроводников.- 1977.-Т.11,№6. С. 1077-1103.

74. Немов С.А. Влияние квазилокальных состояний индия на дефектообразование в теллуриде свинца / С.А. Немов, В.И. Прошин, Т.Г. Абайдулина // Физика и техника полупроводников. 1996. - Т.З, №11. - С. 45-67.

75. Равич Ю.И. Прыжковая проводимость по сильно локализованным примесным состояниям индия в РЬТе и твердых растворов на их основе / Ю.И. Равич // Физика и техника полупроводников. 2002. - Т.36, №1.- С. 3-23.

76. Вейс А.Н. Температурная зависимость положения квазилокального уровня в PbTe(In) / А.Н. Вейс, С.А. Немов // Физика и техника полупроводников. 1982. -Т. 16, №2.-С. 178 - 183.

77. Поверхность ликвидуса системы In-Pb-Te / З.М. Лапитов и др. // Изв. АН СССР, сер. Неорганические, материалы. 1989. - Т.25, №12. - С. 2073-2074.

78. Батюшкова Т.Ю. Влияние отклонения от стехиометрии на структуру и свойства сплавов РЬ^ГпДе / Т.Ю. Батюшкова, Б.А. Ефимова, Е.И. Рогачева // Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы. 1981. - Т.17, №11. - С. 2006-2010.

79. Поведение примеси индия в монокристаллах теллурида свинца / С.А. Бело-конь и др. //Неорганические материалы. 1988. - Т.24, №10. - С.1618-1622.

80. Коррекция свойств пленок PbSnTe<In>, полученных МЛЭ, при помощи низкотемпературных диффузионных отжигов / Л. Ф. Васильева и др. // Неорганические материалы. 2001. - Т. 37, № 2. - С. 193-197.

81. Получение пленок полупроводниковых соединений в квазизамкнутом объеме / Н.Н. Безрядин, . A.M. Самойлов и др. // Вестник Воронежского государственного технического ун-та, Сер. Материаловедение. 2002. - Вып. 1.11. - С. 47 - 51.

82. Ласка В.Л. Эффективность геттерирования при массопередаче в вакууме / В.Л. Ласка, А.В. Кондратьев, А.А. Потапенко // Инж. физ. журнал. - 1984. - Т.46, №6. -С. 949 - 952.

83. Вакуумное нанесение пленок в квазизамкнутом объеме /10.3. Бубнов и др. -М.: Советское радио, 1975.- 160 с.

84. Wright S. Reduction of oxides on silicon by heating in a gallium molecular beam at 800° С / S. Wright, H. Kroemer // Appl. Phys. Letters. 1980. - V. 36. № 3. - P. 210-211.

85. Семенов Г.А. Применение масс-спектрометрии в неорганической химии / Г.А. Семенов, Е.Н. Николаев, К.Е. Францева. Л.: Химия, 1976. - 234 с.

86. Сидоров Л.Н. Масс-спектральные термодинамические исследования / Л.Н. Сидоров, М.В. Коробов, Л.В. Журавлева. М.: Изд-во МГУ, 1985. - 208 с.

87. Зайцев А. И. Масс-спектрометрический метод исследования термодинамических свойств веществ / А.И. Зайцев // Заводская лаборатория. 1990. - Т. 56, № 11.-С. 57 - 69.

88. Семенов Г.А. Масс-спектрометрическое исследование испарения оксидных систем / Г.А. Семенов, В.Л. Столярова. Л.: Наука, 1990. - 300 с.

89. Paule R.C. Analysis interlaboratory measurements on the vapour pressure of cadmium and silver / R. C. Paule, J. Mandel // Pure Appl. Chem. 1972. - V. 31, № 3. - P. 397 - 431.

90. Горелик C.C. Рентгенографический и электронно-оптический анализ / С.С. Горелик, Л.Н. Расторгуев, Ю.А. Скаков. М.: Металлургия, 1970. - 368 с.

91. Хокс П. Электронная оптика и электронная микроскопия / П. Хокс. М. : Мир, 1974.-347 с.

92. Деркач В. П. Электронно-зондовые устройства / В.П. Деркач, Г.Ф. Кияшко, М.С. Кухарчук. Киев: Науковадумка, 1974.-238 с.

93. Стоянова И. Г. Физические основы методов просвечивающей электронной микроскопии / И.Г. Стоянова, И.Ф. Анаскин. М.: Наука, 1972. - 347 с.

94. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия / Я.С. Уманский и др.. М.: Металлургия, 1982. - 432 с.

95. Микроанализ и растровая электронная микроскопия / под ред. Ф. Морис, JI. Мени, Р. Тиксье. М.: Металлургия, 1985. - 407 с.

96. Рид С. Электронно-зондовый микроанализ / С. Рид. М.: Мир, 1979. - 432 с.

97. Рентгеноспектральный микроанализ легированных монокристаллов РЬТе и Pba.gSna^Te / М.В. Бестаев и др.. // Физика и техника полупроводников. 1997. - Т. 31,№8.-С. 980-982.

98. Горелик С.С. Рентгенографический и электронно-оптический анализ / С.С. Горелик, JI.H. Расторгуев, Ю.А. Скаков. М.: Изд-во МИСИС, 1994. - 328 с.

99. JCPDS International Centre for Diffraction Data Электронные ресурсы. © 19871995. JCPDS-ICDD. Newtown Square, PA 19073. USA.

100. Пшеничнов Ю.П. Выявление тонкой структуры кристаллов / Ю.П. Пшеничнов. М.: Металлургия, 1974. - 528 с.

101. Современная кристаллография / под ред. Б.К. Вайнштейна. Т. 2. Структура кристаллов. М.: Наука, 1979. - 360 с.

102. Шаскольская М.П. Кристаллография / М.П. Шаскольская. М.: Высшая школа, 1984.-375 с.

103. Козлова О.Г. Рост и морфология кристаллов / О.Г. Козлова. М.: Изд-во МГУ, 1980.-357 с.

104. Епифанов Г.И. Физические основы микроэлектроники / Г.И. Епифанов. М. : Советское радио, 1971. -375 с.

105. Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников / В.И. Фистуль. М. : Высшая школа, 1975. - 296 с.

106. Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков / П.Т. Орешкин. М. : Высшая школа, 1977. -448 с.

107. Рембеза С.И. Методы измерения основных параметров полупроводников / С.И. Рембеза. Воронеж : Изд-во Воронеж, ун-та, 1989. - 222 с.

108. Кучис Е.В. Методы исследования эффекта Холла / Е.В. Кучис. М. : Советское радио, 1974. - 328 с.

109. Получение тонких пленок теллурида свинца на кремниевых подложках / Я.А. Угай, A.M. Самойлов и др. // Неорганические материалы. 1994. - Т.30, № 7. - С. 898-902.

110. Кухлинг X. Справочник по физике / X. Кухлинг. М.: Мир, 1982. - 519 с.

111. Квантовая проводимость микроконтактов металл узкощелевой полупроводник Pb,Sn^Se / Б.А. Волков [и др. // Физика твердого тела. - 1995. - Т.37, №9. - С. 2856 -2858.

112. Микрогетерогенность и протяженные дефекты в кристаллах Cd^Hgi^Te / Я.А. Угай, . A.M. Самойлов и др. // Неорганические материалы. 1995 - Т. 31, № 1. -С. 37-50.

113. Исследование скалярной плотности дислокаций монокристаллов РЬТе / Я.А. Угай, . A.M. Самойлов и др. // Процессы тепломассопереноса и рост монокристаллов и тонкопленочных структур : тез. 2-ого Рос. Симп., Обнинск, 22-24 сентября 1997.-М., 1997. С. 125.

114. Crystal microstructure of РЬТе thin films on Si Substrates / Ya.A. Ugai, A.M. Samoylov et al. // Physics and Technology of Thin Films : book of abstr. of VI Intern. Conf. Ivano-Frankivsk, 1997. - Part I. - P. 36.

115. Методические особенности рентгеновского определения параметров дислокационной структуры монокристаллов / О.П. Карасевская и др. // Заводская лаборатория. 1995. - № 3. - С. 18-20.

116. Кривоглаз M.A. Теория рассеяния рентгеновских лучей и тепловых нейтронов реальными кристаллами / М.А. Кривоглаз. М.: Наука, 1967. - 325 с.

117. Crystal Microstructure of PbTe/Si and PbTe/Si02/Si Thin Films / Y.A. Ugai, A.M. Samoylov et al. // European Materials Research Society (E-MRS'98). Strasbourg, France, June 16-19, 1998 : book of abstr. Strasbourg, France, 1998. - D-V/P20. D-23.

118. Структура тонких пленок теллурида свинца на кремниевых подложках / Я.А. Угай, A.M. Самойлов и др. // Неорганические материалы. 1998. - Т.34. № 9. - С. 1048 - 1054.

119. Crystal Microstructure of PbTe/Si and PbTe/Si02/Si Thin Films / Ya.A. Ugai, A.M. Samoylov et al. // Thin Solid Films. 1998. - V.336. - P. 196 - 200.

120. Датчики измерительных систем / Ж. Аш и др. М.: Мир, 1992. - Т.1. - 480 с.

121. Бакин А.С. Исследование диффузии индия в кристаллах Pb!.xSnxTe методом рентгеноспектрального микроанализа / А.С. Бакин, Т.Т. Дедегкаев, Д.И. Иванов // Физика твердого тела. 1983. - Т.25, № 5. - С. 1515-1516.

122. Глушков Е.А. Влияние In, Ga и Al на электрофизические свойства твердых растворов Pb.xSnxTe / Е.А. Глушков, О.Б. Яценко, В.П. Зломанов // Изв. АН СССР, Сер. Неорганические материалы. 1978. - Т. 14, № 3. - С. 843-848.

123. Свойства неорганических соединений: справочник / А.И. Ефимов и др.. Л. : Химия. 1983.-392 с.

124. Физические величины: справочник / под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. -М.: Энергатомиздат, 1991. 1232 с.

125. Electrical Properties and Infrared Sensitivity of Doped with Ga Lead Telluride Thin Films on Si Substrates / Ya. Ugai, A. Samoylov et al. // MSU HTSC IV International Workshop. Moscow, Russia, October 7 - 12, 1995 : book of abstr. - M., 1995 - P.81.

126. Электрофизические свойства легированных галлием тонких пленок теллурида свинца /Я.А. Угай, A.M. Самойлов и др. // Конденсированные среды и межфазиые границы.- 1999.-Т. 1, №2. С. 132-138.

127. Ормонт Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников / Б.Ф. Ормонт. М.: Высшая школа, 1973. - 655 с.

128. Колобов Н.А. Диффузия и окисление полупроводников / Н.А. Колобов, М.М. Самохвалов. М.: Металлургия, 1975. - 456 с.

129. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела / Ч. Киггель. М. : Наука, 1978.- 792 с.

130. X-ray Diffraction Investigation of Diffusion in PbTe-PbSe Superlattices / A.G. Fedorov et al.//Journ. Cryst. Growth. 1999.- V. 198/199,- P. 1211-1215.

131. Самойлов A.M. Кристаллическая структура и электрофизические свойства легированных Ga пленок РЬТе на Si подложках / A.M. Самойлов // Вести. Воронеж, гос. ун-та, Сер. Химия, биология. 2001. - № 2. - С. 3-22.

132. Электрофизические свойства легированных галлием тонких пленок РЬТе на Si-подложках / Я.А. Угай, A.M. Самойлов и др. // Неорганические материалы. 2002. -Т. 38,№ 1-С. 17-23.

133. Банк термодинамических данных ИВТАНТЕРМО. Электронные ресурсы.

134. Казенас Е.К. Испарение оксидов / Е.К. Казенас, Ю.В. Цветков. М. : Наука, 1997.- 543 с.

135. Термодинамический анализ фазовых равновесий в системе фосфор мышьяк / Я.А. Угай и др. // Журн. физ. химии. - 1986. - Т. 60, № 12. - С. 2043 - 2046.

136. Самойлов A.M. Фазовые равновесия в системах сурьма мышьяк и фосфор -мышьяк: дисс. канд. хим. наук / A.M. Самойлов. - Воронеж, 1985.- 177 с.

137. Термодинамический анализ взаимодействия компонентов в системе сурьма -мышьяк /Я.А. Угай, A.M. Самойлов и др. // Журн. физ. химии. 1986. - Т. 60, № 1.- С. 25-28.

138. Состав насыщенного пара в системе фосфор мышьяк / Я.А. Угай, . A.M. Самойлов и др. // Журн. неорганической химии. - 1986. - Т. 31, № 10. - С. 26312633.

139. Фазовые равновесия между фосфором, мышьяком, сурьмой и висмутом / ЯЛ. Угай и др. М.: Наука, 1989. - 239 с.

140. Энергии разрыва химических связей. Потенциалы ионизации и сродство к электрону / справочник под ред. В.Н. Кондратьева. М.: Наука, 1974. - 351 с.

141. Mann J.B. Ionization cross section of the elements calculated from mean-square radii of atomic orbitals / J.B.Mann// Journ. Chem. Phys. 1967.- V. 46, №5.- P. 1646 - 1651.

142. Balducci G. Dissociation energies of the Ga2, In2 and Gain molecules / G. Balducci, G. Gigli, G. Meloni // Journ. Chem. Physics. 1998. - V. 109, № 11. - P. 4384 - 4388.

143. Глазов В.М. Основы физической химии / В.М. Глазов. М. : Высшая школа. -1981.-456 с.

144. Стромберг А.Г. Физическая химия / А.Г. Стромберг, Д.И. Семченко. М. : Высшая школа. - 1999. - 527 с.

145. Belton G.R.The determination of activities by mass spectrometry. I. The liquid metallic systems iron nickel and iron - cobalt / G.R. Belton, R.J. Fruechan // Journ. Phys. Chem. - 1967. - V. 71, № 5. - P. 1403 - 1409.

146. Вагнер К. Термодинамика сплавов / К.Вагнер. М.: Металлургия- 1966288 с.

147. Глазов В.М. Химическая термодинамика и фазовые равновесия / В.М. Глазов, JI.M. Павлова. М.: Металлургия, 1981.-336 с.

148. Hume-Rothery W. Phase stability in metals and alloys / W. Hume-Rothery. New York, London, Brisbane : McGraw-Hill, 1967. - 463 p.

149. Угай Я.А. Общая химия / Я.А. Угай, М.: Высшая школа, 1984. - 483 с.

150. Emsley J. The Elements / J. Emsley. Oxford.: Clarendon Press, 1991. - 256 p.

151. Совместная конденсация металлических компонентов в процессе роста легированных Ga тонких пленок РЬТе на Si подложках / Я.А. Угай, A.M. Самойлов и др. // Неорганические материалы. 2001. - Т. 37, № 11. - С. 1299-1305.

152. Особенности конденсации Pb и In в процессе роста в вакууме легированных индием пленок РЬТе на Si-подложках / A.M. Самойлов и др. // Неорганические материалы. 2002. - Т. 38, № 7. - С. 795 - 802.

153. Тонкие пленки PbTe, легированные Ga непосредственно в процессе роста на Si-подложках / Я.А. Угай, A.M. Самойлов и др. // Неорганические материалы. 2002. Т. 38, №5.-С. 551-559.

154. Выращивание модифицированным методом «горячей стенки» пленок РЬТе, легированных In непосредственно в процессе синтеза / A.M. Самойлов и др. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2004. -№ 1.-С. 86-94.

155. Выращивание пленок РЬТе на Si подложках, легированных In непосредственно в процессе синтеза / A.M. Самойлов и др. // Неорганические материалы. 2003. - Т. 39, № 11. - С. 1311-1317.

156. Угай Я.А. Легирование индием тонких пленок теллурида свинца на кремниевых подложках /Я.А. Угай, A.M. Самойлов, A.M. Ховив // Юбилейная научная конференция «Герасимовские чтения». Москва, 29-30 сентября 2003 г. : тез. докл. М., 2003. - С. 25 - 29.

157. Кристаллическая структура пленок РЬТе<1п>, выращенных на подложках Si (100) при помощи модифицированного метода «горячей стенки» / A.M. Самойлов и др. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.2003.-№ 10.-С. 73-82.

158. Кристаллическая структура пленок PbTe/Si, легированных индием непосредственно в процессе роста / A.M. Самойлов и др. // Неорганические материалы.2004. Т. 40, № 4. - С. 414-420.

159. Crystal Structure and Electrical Parameters of In-doped PbTe/Si Films Prepared by Modified HWE Technique / A.M. Samoylov et al. // Journ. Cryst. Growth. 2003. -V. 254. P. 55-64.

160. Буданова Н.Ю. О фазовой диаграмме системы индий теллур / Н.Ю. Буданова, Е.Я. Скасырская // Неорганические материалы. - 1998. - Т. 34, № 3. - С. 288 - 289.

161. Phase Diagram and Thermodynamic Properties of Phases in the In-Te System / V.P ZlomanoV et al. // Journ. Of Phase Eguilibria. 2001. - V. 22, № 3. - P. 339-344.

162. KiH'Uanois В.И. ("амокоин^'нсаиия ::иек-| рижски лмшшмх примессн hk.:ih-. • • п. ■ ми дефектами в подупронтишках тина /\,УВ ' / Р. М. Капаашт « .A. i <Vv:- 10 Раь'ин 7 Фп'лм.'а и техника тг. проки нткок. ■ . т, ?у, V-: ■(,.;< ■

163. Nonstoichiometry and solubility of impurity in In-doped PbTe films on Si substrates / A.M. Samoylov et al. // Material Science in Semiconductor Processing. -2003. №5-6.- P. 496-501.

164. Рогачева Е.И.Фазовое взаимодействие и природа твердых растворов в системе РЬТе + InTe / Е.И. Рогачева, Г.В. Горне, Н.М. Панасенко // Изв. АН СССР, Сер. Неорганические материалы. 1979. - Т. 15, № 8. - С. 1366 -1369.

165. Границы области растворимости индия в пленках PbTe(In), легированных непосредственно в процессе синтеза /Э.А. Долгополова, A.M. Самойлов и др. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2005. -№ 11.- С. 74- 80.

166. Самойлов A.M. Выращивание пленок PbTe(In) при помощи модифицированного метода «горячей стенки»./ A.M. Самойлов, С.В. Беленко, Ю.В. Сыноров // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2005. -№ 12.- С. 84 - 90.

167. Датчики измерительных систем / Ж. Аш и др..- М.: Мир. 1992. - Т.2. - 480 с.

168. Электрофизические свойства тонких пленок РЬТе, выращенных на Si подложках / Я.А. Угай, A.M. Самойлов и др. // Неорганические материалы. 2000. - Т. 36, №5.- С.550 - 555.

169. Сыноров В.Ф. Физика МДП структуры: учеб. пособие. /В.Ф. Сыноров, Ю.С. Чистов. - Воронеж: Изд-во Воронеж, гос. ун-та, 1989. - 224 с.

170. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов / С.М. Зи. М.: Мир, 1984. - Т.1. - 455 е.; Т.2. - 455 с.

171. Crystal Structure, Carrier Concentration and IR-Sensitivity of PbTe Thin Films Doped with Ga by Two Different Methods / A.M. Samoylov et al. // Journ. Cryst. Growth. 2002. - V. 240. - P. 340-346.

172. Comparative study of point defects induced in PbTe thin films doped with Ga by different techniques / A.M. Samoylov et al. // Material Science in Semiconductor Processing. 2003. V.6. № 5-6. - P. 481-485.

173. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов / Ф. Крегер. М.: Мир, 1969. -654 с.

174. Бокий Г.Б. Кристаллохимия. М.: Наука, 1971.-400 с.

175. Коржуев М.А. Отклонение от стехиометрии и механизм самолегирования полупроводников группы A1VBV1 / М.А. Коржуев // Электронная техника. Сер. Материалы. 1987. - Т. 1. - С. 42-45.

176. Study of Vacancy Defects in PbSe and Pbi.x SnxSe by Positron Annihilation / Polity A. etal.// Journ. Cryst.Growth.- 1993,-V. 131.- P.271 -274.

177. Драбкин И.А. Спонтанная диссоциация нейтральных состояний примесей на положительно и отрицательно заряженные состояния / И.А. Драбкин, Б.Я. Мойжес // Физика и техника полупроводников. -1981. Т. 15, № 4. - С. 625-648.

178. Неустойчивость DX-подобных примесных центров в PbTe(Ga) при отжиге / Д.Е. Долженко и др. // Физика и техника полупроводников. 2000. - Т. 34, № 10. -С. 1194- 1196.

179. Волков Б.А. Внутрицентровые кулоновские корреляции, зарядовые состояния и спектр примесей III группы в узкощелевых полупроводниках А4В6 / Б.А. Волков, О.М. Ручайский // Письма в ЖЭТФ. 1995. - Т. 62. - С. 567 - 572.

180. Ерофеев Р.С. Кристаллохимический анализ поведения In в РЬТе / Р.С. Ерофеев // Неорганические материалы. 1980. - Т. 16, № 5. - С. 800 - 803.

181. Перспективные материалы ИК оптоэлектроники на основе соединений А4В6 / Б.А. Акимов и др. // Высокочистые вещества. - 1991. - № 6. - С. 22 - 34.

182. Спектры фотопроводимости и проблема примесных состояний в PbTe(Ga) / Б.А. Акимов и др. // Физика и техника полупроводников. 1995. - Т. 29, № 11. - С. 20152223.

183. Кристалокваз1х1м1я дефекпв в халькогенидах свинцю / С.С. .Шсняк и др. // Ф1зика i х1м1я твердого тша. 2000. -Т. 1,№1.-С. 131-133.