Эпитаксиальные пленки CaF2 и SrF2: химическое осаждение из газовой фазы, текстурно-морфологические особенности и гетероструктуры с их участием тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.21, кандидат химических наук Бледнов, Андрей Викторович

• Бледнов, Андрей Викторович
• кандидат химических наук
• 2010

Оглавление диссертации кандидат химических наук Бледнов, Андрей Викторович

1 Введение.

2 Обзор литературы.

2.1 Кабели ВТСП второго поколения.

2.1.1 Структура кабелей.

2.1.2 ВТСП слой.

2.1.3 Металлические подложки.

2.1.4 Буферный слой.

2.1.4.1 Буферный слой - технологии 1ВАШ8Б и 11АВГГ8.

2.1.4.2 Материалы буферного слоя.

2.2 Фториды ЩЗМ.

2.2.1 Структура.

2.2.2 Дефекты структуры флюорита.

2.2.3 Оптические свойства.

2.2.3.1 Пропускание/поглощение.

2.2.3.2 Преломление.

2.2.3.3 Люминесцентные свойства.

2.2.4 Электронная/ионная проводимость.

2.2.5 Химические свойства.

2.2.6 Практическое применение фторидов ЩЗМ.

2.2.6.1 Химические сенсоры.

2.2.6.2 Буферные слои.

2.3 Методы получения пленок.

2.3.1 Физические методы получения пленок.

2.3.1.1 Молекулярно-лучевая эпитаксия.

2.3.1.2 Импульсное лазерное осаждение.

2.3.1.3 Термическое испарение.

2.3.1.4 Электронно-лучевое испарение.

2.3.1.5 Распылительное осаждение.

2.3.2 Химические методы получения пленок.

2.3.2.1 Растворные методы.

2.3.2.2 Спрей-пиролиз.

2.3.2.3 Химическое осаждение из паровой фазы (Chemical Vapor Deposition,

CVD).

3 Экспериментальная часть.

3.1 Использованные подложки.

3.2 Исходные вещества.

3.3 Осаждение пленок.

3.3.1 Установка MOCVD.

3.3.2 Условия осаждения.

3.3.3 Многослойные пленки.

3.3.4 Пленки ВТСП.

3.4 Отжиги пленок.

3.5 Методы анализа пленок.

3.5.1 Рентгеновская дифракция.

3.5.2 Сканирующая электронная микроскопия (СЭМ).

3.5.3 Спектроскопия резерфордовского обратного рассеяния (POP).

3.5.4 Рентгеноспектральный микроанализ (РСМА).

3.5.5 Атомно-силовая микроскопия (АСМ).

3.5.6 Дифракция обратно отраженных электронов (ДОЭ).

3.5.7 Свойства ВТСП.

3.5.8 Оптическая микроскопия.

4 Результаты и их обсуждение.

4.1 Кинетика осаждения.

4.2 Состав и толщина пленок.

4.3 Ориентация пленок.

4.3.1 Пленки на г-сапфире.

4.3.1.1 Пленки CaF2 на г-сапфире.

4.3.1.2 Пленки Srp2 на г-сапфире.

4.3.2 Пленки на MgO и Ni-W.

4.3.3 Эффект атмосферы отжига.

4.3.4 Эффект толщины пленок.

4.4 Поверхность пленок.

4.4.1 Морфология поверхности пленок МРг.

4.4.1.1 Пленки с (111) ориентацией.

4.4.1.2 Пленки с (001) ориентацией.

4.4.2 Текстура поверхности пленок.

4.5 Проверка взаимодействия ВТСП с фторидами ЩЗМ в порошковых смесях.

4.6 Сверхпроводящие свойства структур YBCO/IVHVNi-W.

4.7 Многослойные пленочные структуры.

4.8 Сверхпроводящие свойства структур YBC0/Ce02/MF2/Mg0/Ni-W.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Эпитаксиальные пленки CaF2 и SrF2: химическое осаждение из газовой фазы, текстурно-морфологические особенности и гетероструктуры с их участием»

Открытие высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) на основе сложных оксидов с критическими температурами выше температуры кипения жидкого азота (77 К) дало мощный толчок попыткам практических применений явления сверхпроводимости, поскольку переход к ВТСП позволяет резко снизить стоимость и упростить криогенное обеспечение работы сверхпроводниковых устройств.

К настоящему времени разработано несколько концепций технологии длинномерных ВТСП-материалов, в которых сверхпроводник представляет собой тонкослойное эпитаксиальное покрытие на гибкой металлической подложке (т.н. ВТСП материалы 2-го поколения). Эти материалы доказали свою применимость и высокую эффективность для передачи электроэнергии, создания моторов, генераторов и другого сверхпроводящего электротехнического оборудования. Все концепции создания таких материалов предусматривают последовательное нанесение на металлическую ленту эпитаксиальных буферного и ВТСП-слоев. При этом буферный слой должен выполнять сразу несколько важных функций, как-то: защиту поверхности ленты от окисления, предотвращение взаимодиффузии компонентов ВТСП-слоя и подложки, создание текстуры нужного типа в слое ВТСП (или передача-этой текстуры от подложки) и др. Очевидно, что обеспечить выполнение всех этих требований невозможно при использовании буферного слоя, состоящего из пленки одного материала. Поэтому общепринятой на сегодня практикой является использование многослойных буферных структур, в которых каждый из слоев выполняет определенные функции. Несмотря на значительные усилия, направленные ведущими исследовательскими группами на развитие технологии ВТСП материалов 2-го поколения, открытыми остаются вопросы как об оптимальной и максимально простой архитектуре буферного слоя, так и о наиболее целесообразных методах его получения.

Эпитаксиальные пленки фторидов щелочноземельных металлов (ЩЗМ) практически с самого момента открытия ВТСП рассматривались как возможная основа для их ориентированного роста. Помимо создания гетероструктур с ВТСП, такие пленки необходимы и для решения ряда других практических задач, например, при росте оксидных покрытий на полупроводниках. Однако рост гетероэпитаксиальных пленок фторидов ЩЗМ- высокого качества и с высокой скоростью (а последнее является необходимым условием при создании промышленного производства ВТСП-лент) представляет собой сложную материаловедческую задачу.

В подавляющем большинстве сообщений о получении эпитаксиальных пленок фторидов ЩЗМ, имеющихся в литературе, осаждение пленок проводится на ограниченный ряд монокристаллических полупроводниковых подложек, имеющих параметры элементарной ячейки, близкие к материалу пленки. Осаждение выполняется физическими методами, которые позволяют получать пленки высокого качества, однако с малой скоростью и высокой стоимостью, поскольку требуют сложного и дорогостоящего оборудования. Альтернативой мог бы стать метод химического осаждения пленок из газовой фазы (СУЮ), однако он крайне слабо развит в применении к фторидам ЩЗМ, а сведения о получении эпитаксиальных пленок фторидов методом СУЭ в литературе отсутствуют.

С учетом указанных обстоятельств, чрезвычайно актуальной представляется цель настоящей работы, заключающаяся в разработке СУО-метода получения эпитаксиальных пленок фторидов ЩЗМ на различных подложках и изучении возможности применения этих пленок в качестве буферного слоя при создании ВТСП-лент 2-го поколения.

Работа выполнена при финансовой поддержке ЗАО «СуперОкс». Частично работа была также поддержана фондом ШТА8 (грант УвР №. 06-1000014-6499).

2. Обзор литературы

Заключение диссертации по теме «Химия твердого тела», Бледнов, Андрей Викторович

5. Выводы

1. Разработан новый способ получения эпитаксиальных пленок фторидов ЩЗМ из газовой фазы с использованием эффективной комбинации источников ЩЗМ и фтора, позволяющий получать фторидные пленки на подложках различной химической природы, в том числе чувствительных к окислению. Впервые газофазным методом получены эпитаксиальные пленки CaF2 и SrF2 на различных подложках, в том числе на текстурированных металлических лентах Ni-W. Определены оптимальные условия термообработки пленок для получения в них чистой текстуры типа (00/).

2. Определены эпитаксиальные соотношения пленок CaF2 и SrF2, полученных в различных ориентациях на монокристаллических подложках г-А120з, (001) MgO и поликристаллических подложках из ГЦК-сплавов никеля с кубической текстурой. Показано, что кристаллизация (111 ^ориентированных пленок фторидов на подложках "Ni-W, а также пленок SrF2 на г-А120з происходит с образованием 4 энергетически и топологически эквивалентных вариантов.

3. Установлено влияние типа подложки; скорости осаждения и толщины пленок CaF2 и SrF2 на их ориентацию. Показано, что медленное осаждение SrF2 (<1.5-А/сек) на г-сапфир приводит к росту пленок в ориентации (111), в то время, как увеличение скорости роста (до 2 А/сек) и/или уменьшение рассогласования параметров решетки пленки с подложкой, в частности, при замене подложки на MgO или Ni-W, а также при замене материала пленки на CaF2 с меньшим параметром решетки, вызывает формирование в пленках с-аксиальной текстуры.

4. Показано, что морфология поверхности пленок определяется их ориентацией и скоростью роста. Наблюдаемые типы морфологии поверхности, а также их закономерная смена при изменении скорости осаждения пленок объяснены на.основе представлений об уменьшении энергии граней флюорита в ряду <001>-<110>—<111>.

5. Полученные пленки имеют совершенную текстуру в* плоскости подложки и вне ее как в толще пленки, так и в тонком поверхностном слое. Впервые показано, что в определенных условиях осаждения растут пленки с уникальной упорядоченной трехмерной структурой типа «нанорешетки», образованной взаимным пересечением <001> ориентированных нанопластин. Сочетание этой необычной наноструктуры и совершенной текстуры делает такие пленки перспективными темплатами для изготовления различных наноустройств и эпитаксии пленок различного состава.

6. С использованием пленок ЗгБг в качестве одной из компонент буферного слоя, передающего текстуру от эпитаксиального слоя М§0 на подложке слою СеОг, и далее слою ВТСП получены образцы сверхпроводящих гетероструктур с максимально простой структурой буферного слоя, температурой СП-перехода до 82 К и величиной плотности критического тока до 0.4 МА/см2, что позволяет говорить о перспективности такого подхода при разработке технологии сверхпроводящих лент 2-го поколения.

4.9. Заключение

Эпитаксиальные пленки фторидов С а и 5 г известны в литературе достаточно давно. Возможность их широкого практического применения в различных областях науки и техники привлекает к ним пристальное внимание исследователей на протяжении многих лет. К настоящему времени накоплен достаточно обширный экспериментальный материал, касающийся получения и свойств таких пленок. Вместе с тем, подавляющее большинство имеющихся в литературе данных о получении эпитаксиальных пленок фторидов ЩЗМ относится к их росту на монокристаллических подложках полупроводников. Выбор конкретного материала подложки при этом оказывается, как правило, ограничен условием минимального рассогласования параметра его кристаллической решетки с таковым осаждаемого фторида. Это условие, разумеется, сильно сужает круг материалов, используемых в качестве подложек. Кроме того, спектр методов осаждения, использовавшихся для получения эпитаксиальных пленок фторидов ЩЗМ, также оказывается ограничен преимущественно физическими методами, такими, как молекулярно-лучевая эпитаксия, импульсное лазерное осаждение, термическое испарение. Химические же методы осаждения пленок, имеющие целый ряд несомненных преимуществ перед физическими, в приложении к эпитаксиальным пленкам фторидов ЩЗМ развиты крайне слабо.

Поэтому одной из основных целей настоящей работы являлась разработка способа получения эпитаксиальных пленок фторидов ЩЗМ, основанного на методе химического осаждения покрытий из паров металлоорганических соединений (МОСУО). В качестве объектов исследования выступали пленки СаР2 и 8гР2, осажденные на ряд монокристаллических (N^0, г-сапфир) и поликристаллических (ленты №-\У) подложек. Подобный выбор подложек был обусловлен двумя факторами. Одним из них являлось желание продемонстрировать возможности разработанного способа получения пленок в применении к подложкам различной химической природы, а также обладающим широким спектром параметров кристаллической решетки. Вторым фактором, обусловившим выбор подложек, стало намерение исследовать возможность применения полученных эпитаксиальных пленок фторидов ЩЗМ в качестве буферных слоев в ВТСП-проводниках 2-го поколения.

Предложенный в настоящей работе МОСУО-способ получения фторидных покрытий был успешно использован для осаждения эпитаксиальных пленок фторидов Са и Бг на все использованные подложки. Анализ данных о зависимости скорости осаждения пленок от температуры осаждения позволил сделать заключение о природе лимитирующей стадии процесса, которое было объяснено на основе представлений о механизме протекающей при осаждении пленок химической реакции.

Данные рентгеновской дифракции полученных образцов позволили определить ориентационные соотношения с подложками для всех осажденных пленок, а на основании детального анализа параметров их текстуры были сделаны заключения о влиянии характеристик как подложек (таких, как, например, параметр решетки и шероховатость поверхности), так и самих осажденных на них пленок (толщина) на их кристалличность и качество эпитаксии. Наблюдаемые закономерности были объяснены с позиций теории решетки совпадающих узлов (РСУ) и теории напряжений в кристаллах.

Важнейшим этапом работы стал анализ форм кристаллитов пленок, имеющих различную кристаллографическую ориентацию, либо отличающихся скоростью осаждения. Различные наблюдаемые типы морфологии поверхности и их последовательная смена при изменении скорости осаждения пленок были объяснены в свете представлений о минимизации поверхностной энергии кристалла. В полученных при определенных условиях пленках фторидов ЩЗМ впервые наблюдалась уникальная развитая трехмерная структура поверхности типа «нанорешетка».

На заключительном этапе работы было продемонстрировано успешное применение полученных пленок фторидов ЩЗМ в качестве буферного слоя в ВТСП-проводнике 2-го поколения. В то время как использование фторида в качестве единственного буфера дало неудовлетворительные результаты, введение его в качестве промежуточного жертвенного слоя между слоями М§0 и СеОг позволило обеспечить их эпитаксиальное сращивание и получить ВТСП-гетероструктуру с одной из наиболее простых на сегодня архитектур буферного слоя, имеющей при этом высокие критические характеристики.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Бледнов, Андрей Викторович, 2010 год

1. lijima, Y.; Tanabe, N.; Kohno, O.; Ikeno, Y., Inplane Aligned YBa2Cu307x Thin-Films Deposited on Polycrystalline Metallic Substrates, Appl. Phys. Lett. 1992. 60, 769.

2. Hull, J. R., Applications of high-temperature superconductors in power technology, Rep. Prog. Phys. 2003, 66, 1865.

3. Liang, W. Y., Are high-T-c cuprates unusual metals?, J. Phys.: Condens. Matter 1998, 10, 11365.

4. Dimos, D.; Chaudhari, P.; Mannhart, J.; Legoues, F. K., Orientation Dependence of Grain-Boundary Critical Currents in YBa2Cu307.Ddta Bicrystals, Phys. Rev. Lett. 1988, 61, 219.

5. Dimos, D.; Chaudhari, P.; Mannhart, J., Superconducting Transport-Properties of Grain-Boundaries in YBa2Cu307 Bicrystals, Phys. Rev. B 1990, 41, 4038.

6. Knierim, A.; Auer, R.; Geerk, J.; Linker, G.; Meyer, O.; Reiner, H.; Schneider, R., High critical current densities of YBa2Cu307.x thin films on buffered technical substrates, Appl. Phys. Lett. 1997, 70, 661.

7. Hilgenkamp, H.; Mannhart, J., Grain boundaries in high-T-c superconductors, Rev. Mod. Phys. 2002, 74, 485.

8. Wang, R.; Zhou, Y.; Pan, S.; He, M.; Chen, Z.; Yang, G., A new direct process to prepare YBa2Cu307-5 films on biaxially textured Ag{ 110}<211>, Physica C 1999, 328, 37.

9. Doi, T.; Hakuraku, Y.; Kashima, N.; Nagaya, S., Biaxially oriented NdBa2Cu307 films prepared on {100}<001> textured Ag tapes without any buffer layers, Physica C 2002, 372, 775.

10. Jin, M.; Han, S.; Sung, T.; No, K., Biaxial texturing of Cu sheets and fabrication of Zr02 buffer layer for YBCO HTS films, Physica C 2000, 334, 243.

11. Aytug, T.; Paranthaman, M.; Thompson, J. R.; Goyal, A.; Rutter, N.; Zhai, H. Y.; Gapud, A. A.; Ijaduola, A. O.; Christen, D. K., Electrical and magnetic properties of conductive Cu-based coated conductors,Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 3963.

12. Aniekwe, U. V.; Utigard, T. A., High-temperature oxidation of nickel-plated copper vs pure copper, Can. Metall. Q. 1999, 38, 277.

13. Jackson, T. J.; Glowacki, B. A.; Evetts, J. E., Oxidation thermodynamics of metal substrates during the deposition of buffer layer oxides, Physica C1998, 296, 215.

14. Clickner, C. C.; Ekin, J. W.; Cheggour, N.; Thieme, C. L. H.; Qiao, Y.; Xie, Y. Y.; Goyal, A., Mechanical properties of pure Ni and Ni-alloy substrate materials for Y-Ba-Cu-0 coated superconductors, Cryogenics 2006, 46, 432.

15. Besnus, M. J.; Gottehrer, Y.; Munshy, G., Magnetic properties of Ni-Cr alloys, Phys. Status Solidi B 1972, 49, 597.

16. Liu, C. F.; Wu, X.; Wang, F. Y.; Yang, Z. J.; Feng, Y.; Zhang, P. X.; Wu, X. Z.; Zhou, L., Preparation and evaluation of cube texture Ni substrate for YBCO-coated superconductor, Physica C2000, 337, 83.

17. De Boer, B.; Eickemeyer, J.; Reger, N.; Fernandez, L.; Richter, J.; Holzapfel, B.; Schultz, L.; Prusseit, W.; Berberich, P., Cube textured nickel alloy tapes as substrates for YBa2Cu207deita-coated conductors, Acta Mater. 2001, 49, 1421.

18. List, F. A.; Goyal, A.; Paranthaman, M.; Norton, D. P.; Specht, E. D.; Lee, D. F.; Kroeger, D. M., High J(c) YBCO films on biaxially textured Ni with oxide buffer layers deposited using electron beam evaporation and sputtering, Physica C1998, 302, 87.

19. Rutter, N. A.; Goyal, A.; Vallet, C. E.; List, F. A.; Lee, D. F.; Heatherly, L.; Kroeger, D. M., Ni overlayers on biaxially textured Ni-alloy and Cu substrates by DC sputtering, Supercond. Sci. Technol. 2004, 17, 527.

20. Gnanarajan, S.; Katsaros, A.; Savvides, N., Biaxially aligned buffer layers of cerium oxide, yttria stabilized zirconia, and their bilayers, Appl Phys. Lett. 1997, 70, 2816.

21. Hasegawa, K.; Fujino, K.; Mukai, H.; Konishi, M.; Hayashi, K.; Sato, K.; Honjo, S.; Sato, Y.; Ishii, H.; Iwata, Y., Biaxially aligned YBCO film tapes fabricated by all pulsed laser deposition, Appl. Supercond. 1996, 4, 487.

22. Bauer, M.; Semerad, R.; Kinder, H., YBCO films on metal substrates with biaxially aligned MgO buffer layers, IEEE Trans. Appl. Supercond. 1999, 9, 1502.

23. Balachandran, U.; Ma, В.; Li, A.; Fisher, B. L.; Koritala, R. E.; Erck, R. A.; Dorris, S. E., Inclined-substrate deposition of biaxially textured template for coated conductors, Physica С 2002, 378, 950.

24. Karpenko, O. P.; Bilello, J. C.; Yalisove, S. M., Growth anisotropy and self-shadowing: A model for the development of in-plane texture during polycrystalline thin-film growth, J. Appl. Phys. 1991,82, 1397.

25. Третьяков, Ю. Д., Химия нестехиометрических окислов, МГУ, Москва, 1974.

26. Tretyakov, Yu. D.; Schmalzried, H., Zur Thermodynamik von Spinellphasen (Chromite, Ferrite, Aluminate), Ber. Bunsen-Ges. Phys. Chem 1965, 69, 396.

27. Malozemoff, A. P.; Annavarapu, S.; Fritzemeier, L.; Li, Q.; Prunier, V.; Rupich, M.; Thieme, C.; Zhang, W.; Goyal, A.; Paranthaman, M.; Lee, D. F., Low-cost YBCO coated conductor technology, Supercond. Sci. Technol. 2000, 13, 473.

28. Rupich, M. W.; Palm, W.; Zhang, W.; Siegal, E.; Annavarapu, S.; Fritzemeier, L.; Teplitsky, M. D.; Thieme, C.; Paranthaman, M., Growth and characterization of oxide buffer layers for YBCO coated conductors, IEEE Trans. Appl. Supercond. 1999, 9, 1527.

29. Addison, W. E., Structural principles in inorganic compounds, Wiley, New York, 1961, 183 c.

30. Mackay, К. M., Mackay, R. A., and Henderson, W., Introduction to modern inorganic chemistry, Nelson Thornes Ltd., London, 2002, 640 c.

31. Shannon, R. D., Revised Effective Ionic-Radii and Systematic Studies of Interatomic Distances in Halides and Chalcogenides, Acta Crystallogr. A 1976, 32, 751.

32. Mouchovski, J. T.; Penev, V. T.; Kuneva, R. B., Control of the growth optimum in producing high-quality CaF2 crystals by an improved Bridgman-Stockbarger technique, Cryst. Res. Technol. 1996, 31, 727.

33. Ko, J. M.; Tozawa, S.; Yoshikawa, A.; Inaba, K.; Shishido, T.; Oba, T.; Oyama, Y.; Kuwabara, T., Czochralski growth of UV-grade CaF2 single crystals using ZnF2 additive as scavenger, J. Cryst. Growth 2001, 222, 243.

34. Horowitz, A.; Biderman, S.; Benamar, G.; Laor, U.; Weiss, M.; Stern, A., The Growth of Single-Crystals of Optical-Materials Via the Gradient Solidification Method, J. Cryst. Growth 1987,55,215.

35. Ure, R. W., Ionic Conductivity of Calcium Fluoride Crystals, J. Chem. Phys. 1957, 26, 1363.

36. Arends, J.; W.den Hartog, H.; Dekker, A. J., F-Center Formation in Mixed Crystals of Alkali Halides, Phys. Status Solidi B 1965, 10, 105.

37. Gorling, C.; Leinhos, U.; Mann, K., Surface and bulk absorption in CaF2 at 193 and 157 nm, Opt. Commun. 2005, 249, 319.

38. Liberman, V.; Bloomstein, T. M.; Rothschild, M.; Sedlacek, J. H. C.; Uttaro, R. S.; Bates, A. K.; Van Peski, C.; Orvek, K., Materials issues for optical components and photomasks in 157 nm lithography,./. Vac. Sci. Technol. B 1999,17, 3273.

39. Zink, J. C.; Reif, J.; Matthias, E., Water-Adsorption on (111) Surfaces of BaF2 and CaF2, Phys. Rev. Lett. 1992, 68, 3595.

40. Cooke, D. W.; Bennett, B. L., Optical absorption and luminescence of 14-MeV neutron-irradiated CaF2 single crystals,/. Nucl. Mater. 2003, 321, 158.

41. Daniels, F.; Boyd, C. A.; Saunders, D. F., Thermoluminescence as a Research Tool, Science 1953, 117, 343.

42. Handbook of Optics, Vol. 2: Devices, Measurements, and Properties, McGraw-Hill, New-York, 1994, 1568 c.

43. Stokes, G. G., On the Change of Refrangibility of Light, Philos. Trans. R. Soc. London, Ser. A 1852,142, 463.

44. Heaton, R. A.; Lin, C. C., Electronic Energy-Band Structure of the Calcium-Fluoride Crystal, Phys. Rev. B 1980, 22, 3629.

45. Evarestov, R. A.; Murin, I. V.; Petrov, A. V., Electronic-Structure of Fluorite-Type Crystals, J. Phys.: Condens. Matter 1989,1, 6603.

46. Rubloff, G. W., Far-Ultraviolet Reflectance Spectra and the Electronic Structure of Ionic Crystals, Phys. Rev. В 1972, 5, 662.

47. Wagner, C., Limitation of the Use of CaF2 in Galvanic Cells for Thermodynamic Measurements due to the Onset of Electronic Conduction under Reducing Conditions, J. Electrochem. Soc. 1968, 115 , 933.

48. Delcet, J.; Heus, R. J.; Egan, J. J., Electronic Conductivity in Solid CaF2 at High-Temperature, J. Electrochem. Soc. 1978, 125, 755.

49. Морачевский, А. Г., Воронин, Г. Ф., Гейдерих, В. A., and Куценок, И. Б., Электрохимические методы исследования в термодинамике металлических систем, Академкнига, Москва, 2003, 334 с.

50. Chiodelli, G.; Flor, G.; Scagliotti, M., Electrical properties of the Zr02-Ce02 system, Solid State Ionics 1996, 91, 109.

51. Chadvvick, A. V.; Savin, S. L. P., Structure and dynamics in nanoionic materials, Solid State Ionics 2006, 777, 3001.

52. Heitjans, P.; Indris, S., Diffusion and ionic conduction in nanocrystalline ceramics, J. Phys.: Condens. Matter 2003,15, R1257.

53. Puin, W.; Heitjans, P., Frequency dependent ionic conductivity in nanocrystalline CaF2 studied by impedance spectroscopy, Nanostruct. Mater. 1995, 6, 885.

54. Puin, W.; Rodewald, S.; Ramlau, R.; Heitjans, P.; Maier, J., Local and overall ionic conductivity in nanocrystalline CaF2, Solid State Ionics 2000,131, 159.

55. Ruprecht, В.; Wilkening, M.; Steuernagel, S.; Heitjans, P., Anion diffusivity in highly conductive nanocrystalline BaF2:CaF2 composites prepared by high-energy ball milling, J. Mater. Chem. 2008, 18, 5412.

56. Guo, X. X.; Maier, J., Ionic conductivity of epitactic MBE-grown BaF2 films, Surf. Sci. 2004,549,211.

57. Sata, N.; Eberman, K.; Eberl, K.; Maier, J., Mesoscopic fast ion conduction in nanometre-scale planar heterostructures, Nature 2000, 408, 946.

58. Solovyov, V. F.; Wiesmann, H. J.; Suenaga, M.; Feenstra, R., Thick YBa2Cu307 films by post annealing of the precursor by high rate e-beam deposition on SrTiC>3 substrates, Physica С 1998, 309, 269.

59. Solovyov, V. F.; Wiesmann, H. J.; Wu, L. J.; Zhu, Y. M.; Suenaga, M., Kinetics of УВагСизСЬ film growth by postdeposition processing, Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 1911.

60. Klimm, D.; Rabe, M.; Bertram, R.; Uecker, R.; Parthier, L., Phase diagram analysis and crystal growth of solid solutions Cai.xSrxF2, J. Cryst. Growth 2008, 310, 152.

61. Fedorov, P. P.; Buchinskaya, I. I.; Ivanovskaya, N. A.; Konovalova, V. V.; Lavrishchev, S. V.; Sobolev, B. P., CaF2-BaF2 phase diagram, Dokl. Phys. Chem. 2005, 401, 53.

62. Sorokin, N. I.; Buchinskaya, I. I.; Fedorov, P. P.; Sobolev, B. P., Electrical conductivity of a CaF2-BaF2 nanocomposite, Inorg. Mater. 2008, 44, 189.

63. Maier, J., Ionic-Conduction In Space Charge Regions, Prog. Solid State Chem 1995, 23, 171.

64. Sobolev, B. P., The Rare Earth Trifluorides. Part 1. The High Temperature Chemistry of the Rare Earth Trifluorides., Institute of Crystallography, Moscow, and Institut Estudis Catalans, Barcelona: Institut d'Estudis Catalans, Spain, 2000, 520.

65. Phillips, jr. W. L.; Hanlon, J. E., Oxygen Penetration Into Single Crystals of Calcium Fluoride, J. Am. Ceram. Soc. 1963, 46, 447.

66. Bollmann, W., Solubility of CaO in CaF2 crystals, Krist. Tech. 1977, 12, 941.

67. Fergus, J. W., The application of solid fluoride electrolytes in chemical sensors, Sens. Actuators В 1997, 42, 119.

68. Murin, I. V.; Glumov, О. V.; Samusik, D. В., Potentiometric Sensor for Determination of Fluorine in Gases, J. Appl. Chem.-USSR 1991, 64, 2030.

69. Moritz, W.; Krause, S.; Vasiliev, A. A.; Godovski, D. Y.; Malyshev, V. V., Monitoring of HF and F2 Using A Field-Effect Sensor, Sens. Actuators B 1995, 24, 194.

70. Fergus, J. W.; Hui, S. Q., Solid Electrolyte Sensor for Measuring Magnesium in Molten Aluminium, Metall. Mater. Trans. B 1995, 26B, 1289.

71. Fergus, J. W.; Hui, S. Q., Solid-State Barium-Vapor Detector, J. Electrochem. Soc. 1995, 142, LI35.

72. Alcock, C. B., Electrochemical Studies with Fluoride Electrolytes, Pure Appl. Chem. 1992, 64, 49.

73. Alcock, C. B.; Li, B. Z.; Fergus, J. W.; Wang, L., New Electrochemical Sensors for Oxygen Determination, Solid State Ionics 1992, 53-6, 39.

74. Steele, B. C. H.; Alcock, C. B., Factors influencing the performance of solid oxide electrolytes in high-temperature thermodynamic measurements, Trans. Metall. Soc. A1ME 1965, 233, 1359.

75. Etsell, T. H.; Flengas, S. N., The Electrical Properties of Solid Oxide Electrolytes, Chem. Rev. 1970, 70, 359.

76. Ullmann, H.; Teske, K., Determination of Oxygen Activities in Melts and Solid Materials by Solid Electrolyte Cells, Sens. Actuators B 1991, 4, 417.

77. Ramanarayanan, T. A.; Narula, M. L.; Worrell, W. L., Measurement of Oxygen Chemical-Potentials with A Calcium-Fluoride Solid Electrolyte,/. Electrochem. Soc. 1979, 126, 1360.

78. Maier, J., Mass-Transport in the Presence of Internal Defect Reactions Concept of Conservative Ensembles .3. Trapping Effect of Dopants on Chemical Diffusion, J. Am. Ceram. Soc. 1993, 76, 1223.

79. Hairetdinov, E. F.; Uvarov, N. F.; Wahbib, M.; Reau, J. M.; Jun, X. Y.; Hagenmuller, P., Determination of charge carried concentration in SrixBixF2+x solid solution from ac conductivity analysis, Solid State Ionics 1996, 86-8, 113.

80. Hariharan, K.; Maier, J., Enhancement of the Fluoride Vacancy Conduction in PbF2-Si02 and PbF2-Al203 Composites, J. Electrochem. Soc. 1995, 142, 3469.

81. Saito, Y.; Maier, J., Ionic-Conductivity Enhancement of the Fluoride Conductor CaF2 by Grain-Boundary Activation Using Lewis-Acids, J. Electrochem. Soc. 1995, 142, 3078.

82. Liu, C. C., Development of Chemical Sensors Using Microfabrication and Micromachining Techniques, Mater. Chem. Phys. 1995, 42, 87.

83. Fork, D. K.; Fenner, D. B.; Barton, R. W.; Phillips, J. M.; Connell, G. A. N.; Boyce, J. B.; Geballe, T. H., High Critical Currents in Strained Epitaxial YBa2Cu307-Deita on Si, Appl. Phys. Lett. 1990, 57, 1161.

84. Luo, L.; Wu, X. D.; Dye, R. C.; Muenchausen, R. E.; Foltyn, S. R.; Coulter, Y.; Maggiore, C. J.; Inoue, T., A-Axis Oriented YBa2Cu307-x Thin-Films on Si with Ce02 Buffer Layers, Appl. Phys. Lett. 1991, 59, 2043.

85. Ishida, M.; Sawada, K.; Yamaguchi, S.; Nakamura, T.; Suzaki, T., Heteroepitaxial Si/Al203/Si Structures, Appl. Phys. Lett. 1989, 55, 556.

86. Inoue, T.; Osonoe, M.; Tohda, H.; Hiramatsu, M.; Yamamoto, Y.; Yamanaka, A.; Nakayama, T., Low-Temperature Epitaxial-Growth of Cerium Dioxide Layers on (111) Silicon Substrates, J. Appl. Phys 1991, 69, 8313.

87. Fork, D. K.; Ponce, F. A.; Tramontana, J. C.; Geballe, T. H., Epitaxial MgO on Si(001) for Y-Ba-Cu-0 Thin-Film Growth by Pulsed Laser Deposition, Appl. Phys. Lett. 1991, 58, 2294.

88. Hung, L. S.; Zheng, L. R.; Blanton, T. N., Epitaxial-Growth of MgO on (100)GaAs Using Ultrahigh-Vacuum Electron-Beam Evaporation, Appl. Phys. Lett. 1992, 60, 3129.

89. Hung, L. S.; Braunstein, G. H.; Bosworth, L. A., Epitaxial-Growth of Alkaline-Earth Fluoride Films on HF-Treated Si and (NEL^Sx-Treated GaAs Without Insitu Cleaning, Appl. Phys. Lett. 1992, 60, 201.

90. Horng, S.; Hirose, Y.; Kahn, A.; Wrenn, C.; Pfeffer, R. Ca05Sro5F2/GaAs(100) for Epitaxial Regrowth and Electron-Beam Patterning,^/?/?/. Surf. Sci. 1992, 56-8, 855.

91. Tiwari, A. N.; Blunier, S.; Zogg, H.; Lerch, P.; Marcenat, F.; Martinoli, P., Epitaxial-Growth of Superconducting YBa2Cu:,07.x on Si(100) with CaF2 As Intermediate Buffer, J. Appl. Phys. 1992, 71, 5095.

92. Hung, L. S.; Mason, G. M.; Pazpujalt, G. R.; Agostinelli, J. A.; Mir, J. M.; Lee, S. T.; Blanton, T. N.; Ding, G., Epitaxial-Growth of Oxides on Semiconductors Using Fluorides As A Buffer Layer, J. Appl. Phys 1993, 74, 1366.

93. Moon, B. K.; Ishiwara, H., Growth of Crystalline SrTi03 Films on Si Substrates Using Thin Fluoride Buffer Layers and Their Electrical-Properties, Jpn. J. Appl. Phys. 1994, 33, 5911.

94. Krichevtsov, B. B.; Gastev, S. V.; Il'yushchenkov, D. S.; Kaveev, A. K.; Sokolov, N. S„ Magnetic Properties of Arrays of Cobalt Nanoparticles on the CaF2(l 10)/Si(001) Surface, Physics of the Solid State 2009, 51, 118.

95. Findikoglu, A. T.; Choi, W.; Matias, V.; Holesinger, T. G.; Jia, Q. X.; Peterson, D. E., Well-oriented silicon thin films with high carrier mobility on polycrystalline substrates, Adv. Mater. 2005,17, 1527.

96. Li, H. F.; Parker, T.; Tang, F.; Wang, G. C.; Lu, T. M.; Lee, S., Biaxially oriented CaF2 films on amorphous substrates, J. Cryst. Growth 2008, 310, 3610.

97. Licausi, N.; Yuan, W.: Tang, F.; Parker, T.; Li, H. F.; Wang, G. C.; Lu, T. M.; Bhat, I., Growth of CdTe Films on Amorphous Substrates Using CaF2 Nanorods as a Buffer Layer, J. Electron. Mater. 2009, 38, 1600.

98. Teplin, C. W.; Ginley, D. S.; Branz, H. M., A new approach to thin film crystal silicon on glass: Blaxially-textured silicon on foreign template layers, J. Non-Cryst. Solids 2006, 352, 984.

99. Nakajima, H.; Yamaguchi, S.; Iwasaki, K.; Morita, H.; Fujimori, H.; Fujino, Y., Interdiffusion and Interfacial Reaction Between An YBa2Cu3<Dx Thin-Film and Substrates, Appl. Phys. Lett. 1988, 53, 1437.

100. Koren, G.; Polturak, E.; Fisher, B.; Cohen, D.; Kimel, G., Highly Oriented As-Deposited Superconducting Laser Ablated Thin-Films of YiBa2Cu307.5 on SrTi03, Zirconia, and Si Substrates, Appl. Phys. Lett. 1988, 53, 2330.

101. Bhagwat, S. S.; Bhangale, A. R.; Patil, J. M.; Shirodkar, V. S., Growth of YBCO superconducting thin films on CaF2 buffered silicon, Braz. J. Phys. 2000, 30, 541.

102. Chan, S. W.; Chase, E. W.; Wilkens, B. J.; Hart, D. L., Superconducting YBa2Cu307x Thin-Films on Alkaline-Earth Fluorides, Appl. Phys. Lett. 1989, 54, 2032.

103. Madakson, P.; Cuomo, J. J.; Yee, D. S.; Roy, R. A.; Scilla, G., Processing of Lai 8Sro2Cu04 and YBa2Cu307 Superconducting Thin-Films by Dual-lon-Beam Sputtering, J. Appl. Phys. 1988, 63, 2046.

104. Mizuno, K.; Miyauchi, M.; Setsune, K.; Wasa, K„ Low-Temperature Deposition of Y-Ba-Cu-0 Films on a CaF2 GaAs Substrate, Appl. Phys. Lett. 1989, 54, 383.

105. Peters, C. H.; Bernasek, S. L.; Venkatesan, T.; Pique, A.; Harshavardhan, K. S.; Wu, Y., Interactions of YBa2Cu307x Thin-Films with Alkaline-Earth Fluoride Substrates, J. Appl. Phys. 1993, 74, 3194.

106. Wu, X. D.; Dye, R. C.; Muenchausen, R. E.; Foltyn, S. R.; Maley, M.; Rollett, A. D.; Garcia, A. R.; Nogar, N. S., Epitaxial Ce02 Films As Buffer Layers for High-Temperature Superconducting Thin-Films, Appl. Phys. Lett. 1991, 58, 2165.

107. Wordenweber, R.; Einfeld, J.; Kutzner, R.; Zaitscv, A. G.; Hein, M. A.; Kaiser, T.; Muller, G., Large-area YBCO films on sapphire for microwave applications, IEEE Trans. Appl. Supercond. 1999, 9. 2486.

108. Castel, X.; Guilloux-Viry, M.; Perrin, A.; Lesueur, J.; Lalu, F., High crystalline quality CeCb buffer layers epitaxied on (1102) sapphire for YBa2Cu307 thin films, J. Cry si. Growth 1998,187,211.

109. Goyal, A.; Paranthaman, M. P.; Schoop, U., The RABiTS approach: Using rolling-assisted biaxially textured substrates for high-performance YBCO superconductors, MRS Bull. 2004, 29, 552.

110. Hasegawa, K.; Hobara, N.; Nakamura, Y.; Izumi, T.; Shiohara, Y., Preparation of MgO films on metal substrate as a buffer layer for liquid phase epitaxy processed RE 123 coated conductor, Physica C 2001, 354, 424.

111. Chudzik, M. P.; Erck, R. A.; Luo, Z. P.; Miller, D. J.; Balachandran, U.; Kannewurf, C. R., High-rate reel-to-reel continuous coating of biaxially textured magnesium oxide thin films for coated conductors, Physica C 2000, 341, 2483.

112. Uprety, K. K.; Ma, B.; Koritala, R. E.; Fisher, B. L.; Dorris, S. E.; Balachandran, U., Growth and properties of YBCO-coatcd conductors on biaxially textured MgO films prepared by inclined substrate deposition, Supercond. Sci. Technol. 2005,18, 294.

113. Zhu, Y. B.; Zhou, Y. L.; Wang, S. F.; Liu, Z.; Zhang, Q.; Chen, Z. H.; Lu, J. B.; Guo-Zhen, Y., Fabrication of YBCO/YSZ and YBCO/MgO thick films using electrophoretic deposition with top-seeded melt growth process, Chinese Physics 2004,13, 238.

114. Wu, K. H.; Li, M. H.; Juang, J. Y.; Uen, T. M.; Gou, Y. S.; Kao, R. T., Effects of Substrate Treatments on the Growth of Ybco Superconducting Thin-Films on MgO by Pulsed-Laser Ablation, Chinese Journal of Physics 1993, 37.1091.

115. Yamamoto, Y.; Mukaida, M.; Ichinose, A.; Matsumoto, K.; Yoshida, Y.; Horii, S.; Saito, A.; Ohshima, S., Evaluation of buffer materials for fluorine contained solid phase epitaxy of 123 films on MgO substrates, Physica C 2004, 412, 1316.

116. Mukaida, M.; Miura, M.; Ichinose. A.; Matsumoto, K.; Yoshida, Y.; Horii, S.; Saito, A.; Hirose, F.; Takahashi, Y.; Ohshima, S., Hetero-epitaxial growth of Ce02 films on MgO substrates, Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, L318.

117. Tsaih, W. C.; Huang, C. K.; Tseng, T. Y., Growth of Ce02 Films on Sapphire and MgO by RF Magnetron Sputtering. J. Am. Ceram. Sac. 1995, 78, 1969.

118. Lee, S. S.; Youm, D. J., Effects of the MgO Layer Thickness on the Crystalline Orientation in Y1Ba2Cu307-Dcita/Ce02/Mg0/SrTi03 Multilayer Growth, Physica C 1993, 211, 205.

119. Farrow, R. F. C.; Sullivan, P. W.; Williams, G. M.; Jones, G. R.; Cameron, D. C., MBE-Grown Fluoride Films A New Class of Epitaxial Dielectrics, J. Vac. Sci. Technol. 1981, 19, 415.

120. Schovvalter, L. J.; Fathauer, R. W., Molecular-Beam Epitaxy Growth and Applications of Epitaxial Fluoride Films, J. Vac. Sci. Technol. A 1986, 4, 1026.

121. Heral, H.; Bernard, L.; Rocher, A.; Fontaine, C.; Munozyague, A., High-Resolution Electron-Microscopy Study of (Ca,Sr)F2/GaAs Grown by Molecular-Beam Epitaxy, J. Appl. Phys. 1987, 61, 2410.

122. Sokolov, N. S.; Suturin, S. M., MBE growth of calcium and cadmium fluoride nanostructures on silicon, Appl. Surf. Sci. 2001, 175, 619.

123. Pasquali, L.; Suturin, S. M.; Ulin, V. P.; Sokolov, N. S.; Selvaggi, G.; Giglia, A.; Mahne, N.; Pedio, M.; Nannarone, S., Calcium fluoride on Si(001): Adsorption mechanisms and epitaxial growth modes, Phys. Rev. B 2005, 72, 045448.

124. Brune, H.; Bales, G. S.; Jacobsen, J.; Boragno, C.; Kern, K., Measuring surface diffusion from nucleation island densities, Phys. Rev. B 1999, 60, 5991.

125. Eason, R., Pulsed Laser Deposition of Thin Films, Wiley-Interscience, Hoboken, New-Jersey, 2007, 682 c.

126. Ferguson, J. D.; Arikan, G.; Dale, D. S.; Woll, A. R.; Brock, J. D„ Measurements of Surface Diffusivity and Coarsening during Pulsed Laser Deposition, Phys. Rev. Lett. 2009,103,

127. Shushtarian, S. S.; Ogalc, S. B.; Chaudhari, G. N.; Singh, P.; Rao, V. J., Epitaxial-Growth of CaF2 Thin-Films on (100) GaAs by Pulsed-Laser Deposition and Insitu Annealing, Mater. Lett. 1991,12, 335.

128. Maki, T.; Okamoto, K.; Sugiura, M.; Hosomi, T.; Kobayashi, T., The great improvement of surface smoothness of CaF2 in pulsed laser deposition even under the two-photon absorption process, Appl. Surf. Sci. 2002,197, 448.

129. Chaudhari, G. N.; Rao, V. J., Calcium-Fluoride Thin-Films on GaAs(100) for Possible Metal-Insulator-Semiconductor Applications, Appl. Phys. Lett. 1993, 62, 852.

130. Chaudhari. G. N.; Rao, V. J., Electrical-Properties of SrF2 on GaAs (100) Interfaces, Semicond. Sci. Technol. 1993, 8, 412.

131. Pasquali, L.; D'Addato, S.; Selvaggi, G.; Nannarone, S.; Sokolov, N. S.; Suturin, S. M.; Zogg, H., Formation of CaF2 nanostructures on Si(001), Nanoteclmology 2001,12, 403.

132. Kruschwitz, J. D. T.; Pawlewicz, W. T., Optical and durability properties of infrared transmitting thin films, Appl. Opt. 1997, 36, 2157.

133. Klust, A.; Kayser, R.; Wollschlager, J., Growth kinetics of CaF2/Si(lll) for a two-step deposition, Phys. Rev. B 2000, 62, 2158.

134. Cook, J. G.; Yousefi, G. H.; Das, S. R.; Mitchell, D. F., Rf Magnetron Deposition of Calcium-Fluoride, Thin Solid Films 1992, 217, 87.

135. Dudney, N. J., Radio frequency magnetron sputter deposition of CaF2 films, J. Vac. Sci. Technol. A 1998, 16, 615.

136. Marechal, N.; Quesnel, E.; Juliet, P.; Pauleau, Y., Radio-Frequency Sputter-Deposition and Properties of Calcium-Fluoride Thin-Films, J. Appl. Phys. 1993, 74, 5203.

137. Fujihara, S.; Tada, M.; Kimura, T., Preparation and characterization of MgF2 thin film by a trifluoroacetic acid method, Thin Solid Films 1997, 304, 252.

138. Tada, M.; Fujihara, S.; Kimura, T., Sol-gel processing and characterization of alkaline earth and rare-earth fluoride thin films, J. Mater. Res. 1999,14, 1610.

139. Glazunova, Т. Y.; Boltalin, A. 1.; Fedorov, P. P., Synthesis of calcium, strontium, and barium fluorides by thermal decomposition of trifluoroacetates, Russ. J. Inorg. Cham. 2006, 51, 983.

140. Kuznetsov, S. V.; Yarotskaya, 1. V.; Fedorov, P. P.; Voronov, V. V.; Lavrishchev, S. V.; Basiev, Т. Т.; Osiko, V. V., Preparation of nanopowdered Mi.xRxF2+x (M = Ca, Sr, Ba; R = Ce, Nd, Er, Yb) solid solutions, Russ. J. Inorg. Chem. 2007, 52, 315.

141. Кауль, A. P., Химические методы получения пленок и покрытий ВТСП, ЖВХО 1989, 4, 492.

142. Wohler, F.; Uslar, L., Lieb. Ann. 1855, 94, 255.

143. Pierson, H.O., Handbook of chemical vapor deposition (CVD). Principles, Technology and Applications, Noyes Publications, Norwich, New-York, 1999, 506 c.

144. Jones, A. C. and Hitchman, M. L., Chemical Vapour Deposition: Precursors, Processes and Applications, RSC Publishing, Cambridge, 2009, 582 c.

145. Purdy, A. P.; Berry, A. D.; Holm, R. Т.; Fatemi, M.; Gaskill, D. K., Chemical Vapor-Deposition Experiments Using New Fluorinated Acetylacetonates of Calcium, Strontium, and Barium, Inorg. Chew. 1989, 28, 2799.

146. Fragala, M. E.; Того, R. G.; Rossi, P.; Dapporto, P.; Malandrino, G., Synthesis, Characterization, and Mass Transport Properties of a Self-Generating Single-Source Magnesium Precursor for MOCVD of MgP2 Films, Chem. Mater. 2009, 21, 2062.

147. Kawamoto, Y.; Kanno, R.; Konishi, A., Preparation and characterization of Zrp4-BaF2-EuF3 planar glass films by electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vapor deposition, J. Mater. Sci. 1998, 33, 5607.

148. Shojiya, M.; Kawamoto, Y.; Konishi, A.; Wakabayashi, H., Preparation of ZnF2 and ZnF2-BaF2 thin films by electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vapor deposition, Thin Solid Films 2000, 358, 99.

149. Shojiya, N4.; Takahashi, S.; Teramoto, M.; Konishi, A.; Kawamoto, Y., Preparation of amorphous fluoride films by electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vapor deposition, J. Non-Cryst. Solids 2001, 284, 153.

150. Fujiura, K.; Nishida, Y.; Kobayashi, K.; Takahashi, S., Preparation and Properties of Zrp4-Based Fluoride Glass-Films by Plasma-Enhanced Chemical Vapor-Deposition, Jpn. J. Appl. Phys. 1991,30, LI498.

151. Fujiura, K.; Nishida, Y.; Kobayashi, K.; Takahashi, S., Oxygen Doping Effects on Thermal-Properties of ZrF4-Bap2 Glasses Synthesized by Plasma-Enhanced Chemical Vapor-Deposition, Jpn. J. Appl. Phys. 1991, 30, L2113.

152. Ylilammi, M.; Rantaaho, Т., Metal Fluoride Thin-Films Prepared by Atomic Layer Deposition, J. Electrochem. Soc. 1994, 141, 1278.

153. Pilvi, Т.; Arstila, K.; Leskela, M.; Ritala, M., Novel ALD process for depositing CaF2 thin films, Chem. Mater. 2007,19, 3387.

154. Pilvi, Т.; Puukilainen, E.; Kreissig, U.; Leskela, M.; Ritala, M., Atomic layer deposition of MgF2 thin films using TaFs as a novel fluorine source, Chem. Mater. 2008, 20, 5023.

155. Берлянд, А. С., Исследование днпивалошшетанатов редкоземельных элементов, Канд.дисс., МГУ, Москва, 1971.

156. Горбенко, О. Ю., Физико-химические основы синтеза сверхпроводящих пленок УВа2Сиз07-у методом химического осаждения из паров бета-дикетонатов, Канд.дисс., МГУ, Москва, 1994.

157. Zeng, Z.; Natesan, К., Fabrication of CaO insulator coatings by MOCVD for application in vanadium/lithium blankets, Fusion Eng. Des. 2004, 70, 87.

158. Kaul, A. R.; Gorbenko, O. Y.; Kamenev, A. A., The role of heteroepitaxy in the development of new thin-film oxide-based functional materials, Usp. Khim. 2004, 73, 932.

159. Fathauer, R. W.; Schowalter, L. J., Surface-Morphology of Epitaxial CaF2 Films on Si Substrates, Appl. Phys. Lett. 1984, 45, 519.

160. Schowalter, L. J.; Fathauer, R. W.; Goehner, R. P.; Turner, L. G.; Deblois, R. W.; Hashimoto, S.; Peng, J. L.; Gibson, W. M.; Krusius, J. P., Epitaxial-Growth and Characterization of CaF2 on Si, J. Appl. Phys. 1985, 58, 302.

161. Tasker, P. W., The structure and properties of fluorite crystal surfaces, J. Phys. Coll. 1980, 41, C6-488.

162. Benson, G. C.; Claxton, T. A., Calculation of the surface energy of the {110} face of some crystals possessing the fluorite structure, Can. J. Phys. 1963, 41, 1287.

163. Tasker, P. W., Stability of Ionic-Crystal Surfaces, J. Phys. C: Solid State Phys. 1979, 12, 4977.

164. Gilman, J. J., Direct Measurements of the Surface Energies of Crystals, J. Appl. Phys. 1960, 31, 2208.

165. Puchin, V. E.; Puchina, A. V.; Huisinga, M.; Reichling, M., Theoretical modelling of steps on the CaF2(l 11) surface, Journal of Physics-Condensed Matter 2001, 13, 2081.

166. Eglitis, R. I.; Shi, H.; Borstel, G., First-principles calculations of the CaF2(lll), (110), and (100) surface electronic and band structure, Surf. Rev. Lett. 2006, 13, 149.

167. Tasker, P. W., Surface-Properties of Uranium-Dioxide, Surf Sci. 1979, 87, 315.

168. Deuster, V.; Schick, M.; Kayser, T.; Dabringhaus, H.; Klapper, H.; Wandelt, K., Studies of the facetting of the polished (100) face of CaF2, J. Cryst. Growth 2003, 250, 313.

169. Roberts, R. B.; White, G. K., Thermal-Expansion of Fluorites at High-Temperatures, J. Phys. C: Solid State Phys. 1986,19, 7167.

170. Wachtman, J. B. Jr.; Scuderi, T. G.; Cleek, G. W., Linear Thermal Expansion of Aluminum Oxide and Thorium Oxide from 100° to 1100°K, J. Am. Ceram. Soc. 1962, 45, 319.

171. Wee, S. H.; Goyal, A.; More, K. L.; Specht, E., A three-dimensional, biaxially textured oxide nanofence composed of MgO single crystal nanobelt segments, Nanotechnology 2009, 20, 215608.

172. Pasquali, L.; Suturin, S. M.; Kaveev, A. K.; Ulin, V. P.; Sokolov, N. S.; Doyle, B. P.; Nannarone, S., Interface chemistry and epitaxial growth modes of SrF2 on Si(001), Phys. Rev. B 2007, 75, 075403.

173. Costa-Nunes, O.; Gorte, R. J.; Vohs, J. M., High mobility of ceria films on zirconia at moderate temperatures, J. Mater. Chetn. 2005, 15, 1520.

174. Murugesan, M.; Obara, H.; Nakagawa, Y.; Yamasaki, H.; Kosaka, S., The importance of CeC>2 growth temperature and its post-annealing for the improvement of the microwave surface resistance of DyBa2Cu3Oz films, J. Cryst. Growth 2007, 304, 118.

175. Zandbergen, H. W.; Connolly, E.; Graboy, I. E.; Svetchnikov, V. L.; Kaul, A. R„ HREM characterisation of interfaces in YBaiCusOv-s/CeCVR-AlaCb structures, Physica C2000, 329, 37.

176. Dubrovinsky, L. S.; Saxena, S. K., Thermal expansion of periclase (MgO) and tungsten (W) to melting temperatures, Phys. Chem. Miner. 1997, 24, 547.

177. Rossignol, S.; Gerard, F.; Mesnard, D.; Kappenstein, C.; Duprez, D., Structural changes of Ce-Pr-0 oxides in hydrogen: a study by in situ X-ray diffraction and Raman spectroscopy, J. Mater. Chem. 2003, 13, 3017.1. БЛАГОДАРНОСТИ

178. Автор признателен коллективу сотрудников Института технологии поверхности Технического университета г. Брауншвейга (Германия) — О. Штаделю, Р.Ю. Муйдинову, X. Койне, Ю. Шмидту — за плодотворное сотрудничество и полезные советы.

179. За помощь в экспериментальной работе автор также благодарит к.х.н. A.B. Гаршева, к.ф.-м.н. B.C. Куликаускаса, к.х.н. Г.А. Досовицкого и аспирантов ФНМ МГУ О.В. Бойцову, A.B. Маркелова, A.B. Васильева.

180. Самую искреннюю благодарность за поддержку и понимание автор выражает своей жене — Инне Бледновой.