Влияние буферных слоёв на ориентированный рост плёнок RBa2Cu3O7-δ (Ρ - редкоземельный элемент) и их сверхпроводящие характеристики тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.21, кандидат химических наук Маркелов, Антон Викторович

• Маркелов, Антон Викторович
• кандидат химических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат химических наук Маркелов, Антон Викторович

1. Введение.

2. Обзор литературы.

2.1. Сверхпроводимость и ВТСП.

2.1.1. История открытия сверхпроводимости.

2.1.2. Основные физические свойства.

2.1.3. Явление пиннинга в ВТСП. Критический ток.

2.1.4. Структура ВТСП-купратов.

2.1.5. Сверхпроводящие свойства 11Ва2Сиз07.5, Я = У, Ьа-Ьи.

2.1.6. Фазовые равновесия в системах Я-Ва-Си-О.

2.2. Тонкие плёнки ВТСП.

2.2.1. Методы осаждения.

2.2.2. МОСУБ (Ме1а1о^ашс СУБ).

2.2.3. Прекурсоры.

2.2.4. Подложки и буферные слои.

2.2.5. Оптимальные условия нанесения плёнок ВТСП.

2.2.6. Вторые фазы в плёнках 11Ва2Сиз07-8.

2.3. Эпитаксия и ориентированный рост.

2.3.1. Эпитаксиальный рост.

2.3.2. Преимущественная ориентация плёнок 1Ша2Сиз07-б.

2.3.2.1. Ориентация вне плоскости подложки.

2.3.2.2. Ориентация в плоскости подложки.

2.4. Сверхпроводящие свойства тонких плёнок ИВСО.

2.4.1. Критическая плотность тока. Влияние толщины плёнки.

2.4.2. Искусственные центры пиннинга.

2.5. Постановка задачи.

3. Экспериментальная часть.

3.1. Получение тонкоплёночных гетероструктур.

3.2. Химический анализ.

3.3. Рентгеновская и электронная дифракция.

3.3.1. Рентгенофазовый анализ.

3.3.2. Исследования ориентации плёнок методами ф- и со-сканирования.

3.3.3. Исследования ориентации плёнок методом дифракции обратно-рассеянных электронов (ДОЭ).

3.4. Исследование морфологии плёнок методами оптической, сканирующей электронной (СЭМ) и атомно-силовой микроскопии (АСМ).

3.5. Электронная микроскопия высокого разрешения (ПЭМРВ).

3.6. Определение толщины образцов.

3.7. Электрофизические и магнитные измерения.

3.7.1. Резистивные измерения.

3.7.2. Измерения магнитной восприимчивости.

3.7.3. Измерения]с для различной ориентации магнитного поля.

3.7.4. Прямые измерения,)с.

4. Обсуждение результатов.

4.1. Индивидуальные тонкие плёнки КВагСизОу-з.

4.1.1. Оптимальные условия осаждения.

4.1.2. Свойства плёнок ЯВСО (II = УЬ, У, вф на подложках ЭТО (100).

4.1.3. Плёнки УВСО на металлической текстурированной ленте.

4.2. Гетероструктуры типа II ВагСизОу-д/Я Ва2Сиз07-5.

4.2.1. Ориентация и микроструктура плёнок Я ВСОЛ1 ВСО.

4.2.2. Сверхпроводящие свойства плёнок К'ВСО/БГВСО.

4.3. Модель роста плёнок 11ВСО.

4.4. Гетероструктуры СаВС0/К203/8Т0.

4.4.1. Микроструктура и ориентация плёнок Ос1ВСО/8ТО.

4.4.2. Осаждение тонких плёнок ОсШСО/КгОз/ЗТО.

4.5. Гетероструктуры УВС0/Вагг03/

§0.

4.5.1. Гетероструктуры YBCO/BaZrOз на монокристаллических подложках (001)

§0.

4.5.2. Гетероструктуры YBCO/BaZrOз на металлических текстурированных подложках.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние буферных слоёв на ориентированный рост плёнок RBa2Cu3O7-δ (Ρ - редкоземельный элемент) и их сверхпроводящие характеристики»

Одним из наиболее актуальных направлений исследований в области сверхпроводящих материалов является создание так называемых ВТСП-проводов второго поколения, токонесущим элементом которых является текстурированный слой ВТСП состава ШЗагСизСЬ.д (ЯВСО, Я — редкоземельный элемент). Сверхпроводниковое оборудование на основе ВТСП-проводов крайне востребовано в различных областях современной энергетики, транспорта, физики высоких энергий и медицины. Использование сверхпроводников для создания линий электропередач, генераторов, моторов, трансформаторов, токоограничителей и магнитов позволяет снизить энергозатраты, уменьшить массу и размер этих устройств. Неугасающий интерес к оксидным сверхпроводникам вызван чрезвычайно высоким значением критической плотности тока ]с в этих соединениях уже при температуре жидкого азота (77К), в том числе во внешнем магнитном поле. В ряде случаев ВТСП-материалы позволяют создать новое уникальное оборудование, нереализуемое в рамках традиционных подходов.

Высокая плотность критического тока в ВТСП плёнках реализуется только при наличии острой биаксиальной текстуры слоя. Увеличение разориентации соседних зёрен сверхпроводника друг относительно друга приводит к искажению на их границе слоёв [СиОг], благодаря которым и реализуются сверхпроводящие свойства в сложных купратах. Это приводит к падению критической плотности тока при увеличении угла разориентации. Плотность критического тока уменьшается почти на порядок величины уже при значении угла разориентации 10°. Очевидно, что создание длинномерных проводов с высокими сверхпроводящими характеристиками требует тщательного контроля текстуры плёнки ШЗСО. Наиболее высокая плотность критического тока реализуется при ориентации оси с структуры ЬШСО параллельно нормали к поверхности подложки и наличию единственного типа ориентации в плоскости аЬ, параллельной подложке.

Текстурированные металлические ленты, используемые в качестве подложек для роста плёнок ВТСП, обладают несовершенной текстурой со средним углом разориентации зёрен около 5°. Текстура плёнки ВТСП в данном случае определяется остротой текстуры подложки. Однако на ориентированный рост в немалой степени влияет также кристаллическая структура и параметры элементарной ячейки материала подложки. Даже при использовании монокристаллических подложек, в ряде случаев для плёнок 11ВСО характерно появление примесной ориентации как в плоскости подложки (поворот зёрен в плоскости относительно друг друга), так в направлении нормали к поверхности (вне плоскости подложки). Насколько нам известно, в литературе отсутствуют универсальные теоретические модели, описывающие возникновение той или иной преимущественной ориентации в плёнках ЛВСО в зависимости от структуры и параметра решётки материала используемой подложки. В большинстве работ по осаждению плёнок ВТСП представлены лишь эмпирические закономерности, связывающие преимущественную ориентацию с типом подложки и условиями осаждения, причем нередко эти взаимосвязи носят противоречивый характер. В связи с этим разработка эффективных методов управления преимущественной ориентацией зёрен плёнок сверхпроводника является актуальной задачей.

Целью данной работы является улучшение сверхпроводящих характеристик плёнок КВагСизСЬ-б с помощью контроля их текстуры путём выбора материала буферного слоя.

Для достижения указанной цели решались следующие задачи:

1. Выбор материалов буферных слоев на основании анализа их структуры и параметров решётки.

2. Получение тонкоплёночных гетероструктур ЫВагСизОу-б/буферный слой на различных монокристаллических подложках.

3. Исследование микроструктуры и преимущественной ориентации плёнок ГШагСизО?^ как в плоскости, так и вне плоскости подложки в зависимости от состава и толщины буферного слоя.

4. Исследование комплекса сверхпроводящих свойств тонкоплёночных гетероструктур: температуры сверхпроводящего перехода, температурных зависимостей магнитной восприимчивости и электросопротивления, полевых и температурных зависимостей критической плотности тока.

5. Получение плёнок ШЗагСизОу.д на текстурированных металлических подложках, покрытых одним или несколькими буферными слоями.

6. Исследование влияния толщины буферного слоя на состав, морфологию и сверхпроводящие характеристики плёнок ЯВагСизОу-б на металлических текстурированных подложках.

Научная новизна может быть сформулирована в виде следующих положений, выносимых на защиту:

1. Разработана методика МОСУБ-синтеза, позволяющая проводить последовательное т-зЫи осаждение тонких оксидных плёнок различного состава.

2. Впервые сформулированы универсальные условия возникновения преимущественной ориентации зёрен в плёнках ЛВагСизОу-б в зависимости от структуры и параметра элементарной ячейки используемого материала подложки.

3. Впервые обнаружен и изучен эффект подавления ¿/-ориентированного роста плёнок 11Ва2Сиз07.5 на подложке (001)8гТЮз при использовании тонкого буферного слоя оксидов редкоземельных элементов (РЗЭ) с кубической текстурой. Показано, что эффективного подавления «-ориентированного роста можно добиться уже при толщине буферного слоя в несколько нанометров.

4. С использованием метода просвечивающей микроскопии высокого разрешения и рентгеновской дифракции показано, что рост пленки ОсШагСизСЬ-з на буферных слоях ЯгОз (11=Мс1, Бш, йс!) сопровождается образованием на границе раздела ориентированной примеси ЯгСиС^, в то время как при использовании буферных слоев

УгОз и УЬгОз образования этой фазы не происходит.

5. Показано, что осаждение буферного слоя BaZrOз со структурой перовскита уже при толщине более 25 нм позволяет подавить разориентацию зёрен плёнок ЛВСО в плоскости подложки (001)мg0.

6. Впервые на текстурированном металлическом сплаве Nio.886Cro.o92Wo.o24 с использованием буферной архитектуры Ва2г0з/1^0/№Сг\У получены высокоориентированные плёнки сверхпроводника состава УВагСизОт-б, обладающие высокими текстурными и сверхпроводящими характеристиками.

Практическая значимость настоящей работы заключается в фундаментальном обосновании и экспериментальном доказательстве возможности управления преимущественной ориентацией зёрен в плёнках сверхпроводников ЯВагСизО?^ путём выбора материала буферного слоя.

1. Тонкий буферный слой кубических оксидов РЗЭ, предложенный в настоящей работе, может быть использован для осаждения ¿-ориентированных плёнок КВагСизСЬ-з при более низкой температуре, что особенно важно при осаждении на металлическую ленту, а также для фаз ЫВагСизОу-з с РЗЭ начала ряда, для которых проблема образования примесной а-ориентации стоит наиболее остро.

2. Тонкие слои BaZrOз могут быть эффективно использованы в составе буферной архитектуры для ВТСП-проводов второго поколения. При этом буферная структура содержит всего два слоя и в перспективе может быть уменьшена до индивидуального слоя Ва2гОз.

3. Найденные взаимосвязи между преимущественной ориентацией плёнки сверхпроводника и структурой буферного слоя открывают широкие возможности для поиска и создания новых, более простых и эффективных буферных архитектур для ВТСП-проводов второго поколения.

Работа выполнена при финансовой поддержке ЗАО «СуперОкс». Кроме того, работа поддержана фондами РФФИ (10-03-01064-а) и НО «Глобальная энергия» (МГ-2009.04.5).

2. Обзор литературы

Заключение диссертации по теме «Химия твердого тела», Маркелов, Антон Викторович

5. Выводы

1. Методом химического осаждения из паров бета-дикетонатов соответствующих металлов получены эпитаксиальные ¿-ориентированные плёнки сверхпроводников RBCO (R=Gd, Y, Yb) на монокристаллических подложках и поликристаллических сплавах с кубической текстурой, покрытых буферными слоями. Наилучшие сверхпроводящие характеристики, полученные на монокристаллических подложках [SrTi03(100), LaA103(100)] характеризуются значениями Тс = 87.5 К (YbBCO), 89.2 К (YBCO), 90.0 К (GdBCO) и jc(77K) =1.7-1.8 МА/см2 в собственном магнитном поле (SF).

2. Эпитаксиальные плёнки YBCO на поликристаллическом сплаве Nio,886Cro;o92Wo,o24 (NiCrW), обладающие хорошими текстурными (Дсо = 7.0°, Дф = 8.8°) и сверхпроводящими характеристиками [Тс = 82.5 К. jCj Sf(77K) = 0.4 МА/см2], получены с использованием новой архитектуры буферных слоев - Ce02/SrF2/Mg0/NiCrW. Показано, что введение тонкого промежуточного слоя Y2O3 предотвращает химическое взаимодействие слоев YBCO и СеОг

3. Получены и исследованы гетероструктуры R^BCO/I^BCO/SrTK^O 00) (R1, R2=Gd, Y, Yb). Показано, что в отличие от пленок GdBCO/SrTi03(100), растущих со значительной долей (>50%) нежелательных a-ориентированных зерен, в гетероструктурах GdBCO/YBCO/SrTiOsílOO) ^-ориентированный рост менее выражен (-20%). Показано, что jc> sf(77K) гетероструктур YBCO-YbBCO в 1.5 раза превышает таковую для индивидуальных плёнок этих сверхпроводников; гетероструктурное соединение сверхпроводников способствует увеличению устойчивости критического тока к внешнему магнитному полю при НУ/ab: наблюдается расширение плато jc(H) = const вплоть до Н = 350-400 Э.

4. Предложена и экспериментально подтверждена модель роста плёнок RBCO, описывающая возникновение преимущественной ориентации плёнок как в плоскости, так и вне плоскости подложки. На основании данной модели предложены материалы буферного слоя — перовскит BaZr03, использование которого приводит к полному подавлению разориентации зёрен в плоскости .на подложках с большим рассогласованием параметров, и флюоритоподобные C-R2O3, устраняющие разориентацию вне плоскости плёнки при росте на подложках с малым рассогласованием параметров элементарной ячейки с RBCO.

5. На примере пленок GdBCO/SrTi03(100) показано, что а-ориентированные зерна RBCO зарождаются непосредственно на интерфейсе плёнка/подложка, если последняя имеет параметр элементарной ячейки, мало отличающийся от a-параметра RBCO. В соответствии с предложенной моделью зарождения пленок RBCO, показано, что подавление «-ориентированного роста зёрен достигается введением тонкого промежуточного слоя C-R2O3. Так, при толщине подслоя Gd203 более нескольких нанометров в гетероструктуре GdBCO/Gd203/SrTi03(100) реализуется исключительно с-ориентированный рост плёнок GdBCO, что приводит к увеличению критической плотности тока до Jc, sf(77K) =1.7 МА/см .

6. Созданы и исследованы гетероструктуры YBC0/BaZr03 на монокристаллических подложках Mg0(200). Показано, что структурное сходство BaZrC>3 и YBCO в плоскости плёнки способствует росту по типу «куб-на-куб» и полностью подавляет разориентацию в плоскости уже при толщине слоя BaZr03 25 нм. Сверхпроводящие характеристики данных плёнок близки к рекордным для пленок, полученных в тех же условиях, и составляют Тс = 88.5 К, jCj sf(78K) = 1.5 МА/см , что недостижимо на подложках Mg0(200) без подслоя.

7. Созданы и исследованы гетероструктуры YBCO/BaZrCb/MgO/NiCrW. Обнаружено сильное влияние толщины слоя BaZr03 на ориентацию и сверхпроводящие свойства YBCO, аналогичное таковому для пленок на монокристаллах Mg0(200), однако для подавления примесных ориентаций YBCO в плоскости в данном случае необходимая толщина BaZr03 составляет 100 нм. Показано, что осаждение плёнки ВТСП на слой BZO меньшей толщины осложнено также окислением хрома, содержащегося в подложке, с образованием на интерфейсе MgO-NiCrW шпинели MgCr204 и крупных включений примесных фаз в слое сверхпроводника. При толщине слоя BaZr03 100 нм полученные плёнки YBCO обладают острой биаксиальной текстурой (Дсо = 3.4°, Дер = 6.8°) и хорошими сверхпроводящими характеристиками [Тс = 88.3 К, Jc> sf(78K) = 0.8 МА/см2].

4.6. Заключение

Исследование свойств и закономерностей роста тонких плёнок ЯВагСизО?^ на буферных слоях состава ЯВСО, ЯгОз и Ва2гОз показали возможность управления преимущественной ориентацией плёнок ВТСП, а, следовательно, и их сверхпроводящими характеристиками путём подбора оптимального состава и толщины буферного подслоя. Предложенная на основании литературных данных модель роста плёнок ЯВСО позволила

Толщина УВСО 400 нм

Ширина образца 2.3 мм

Критический ток 7.6 А

Критическая плотность тока

0.83x10б А/см2

1-1-1-1-1-1-1-1-г

012345678 описать все наблюдаемые экспериментальные результаты, а также точно предсказать свойства плёнок на тех или иных подложках. Согласно описанной модели были предложены буферные слои для подложек (ВагЮз) и БгТЮз (С-К20з) использование которых привело к полному подавлению примесных ориентаций плёнок ЯВСО в плоскости и вне плоскости подложки, соответственно.

Совокупность полученных данных для различных материалов буферного подслоя указывают на объективную справедливость предложенной модели нуклеации тонких пленок ЯВСО на оксидных подложках. Результаты, полученные для плёнок на поликристаллических металлических лентах, указывают на практическую значимость предложенных буферных слоёв. Кроме того, такой материал буферного подслоя как Ва&Оз должен приводить к промотированию роста колоннообразных включений того же состава в активно исследуемых сегодня нанокомпозитах УВС0+В20. Всё это открывает широкие возможности для дальнейших исследований, связанных с поиском новых, более простых и эффективных архитектур ВТСП-проводов второго поколения.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Маркелов, Антон Викторович, 2011 год

1. Kamerlingh Onnes Н., The Superconductivity of Mercury, Leiden Comm., 1911, 122b, 124.

2. Matthias B.T., Geballe Т.Н., Willens R.H., Corenzwit E., Hull G.W., Jr., Superconductivity ofNb3Ge, 1965, 139, A1501-A1503.

3. Бардин Дж., Купер Л., Шриффер Дж., Теория сверхпроводимости, под ред. H.H. Боголюбова., М.: ИЛ, 1960, с. 103.

4. Bednorz J.G., Mueller К.А., Possible high Тс superconductivity in the Ba-La-Cu-0 system, Z. Phys., 1986, B64 (2), 189-193.

5. Wu M.K., Ashburn J.R., Torng C.J., Ног P.H., Meng R.L., Gao L., Huang Z.J., Wang Y.Q., Chu C.W., Superconductivity at 93 К in a New Mixed-Phase Y-Ba-Cu-0 Compound System at Ambient Pressure, Physical Review Letters, 1987, 58 (9), 908-910.

6. Putilin S.N., Antipov E.V., Marezio M., Superconductivity above 120 К HgBa2CaCu206+8, Physica C, 1993, 212, 226.

7. Ren Z.A., Che G.C., Dong X.L., Yang J., Lu W., Yi W., Shen X.Li., Li Z.C., Superconductivity and phase diagram in iron-based arsenic-oxides ReFeAsOi-s (Re = rare-earth metal) without fluorine doping, Europhysics Letters, 2008, 83, 17002.

8. Гинзбург В.Л., Ландау Л.Д., К теории сверхпроводимости, ЖЭТФ, 1950, 20, с. 1064-1081.

9. London F., London Н., The Electromagnetic Equations of the Supraconductor, Proc. Roy. Soc., 1935, A149 (866), 71.

10. Meissner W., Ochsenfeld R., Ein neuer effekt bei eintritt der Supraleitfähigkeit, Naturwissenschaften, 1933, 21 (44), 787-788.

11. Мешковский А. Г., ЖЭТФ, Исследование структуры промежуточного состояния сферы из сверхпроводника, 1949, 19, 54.

12. Абрикосов A.A., О магнитных свойствах сверхпроводников второго рода, ЖЭТФ, 1957, 32, 1442.

13. Essmann V., Trauble Н., The direct observation of individual flux lines in type II superconductors, Phys. Lett., 1967, 24A, 526.

14. Шмидт B.B., Введение в физику сверхпроводников, М.: МЦНМО, 2000, с. 402.

15. Bean С.Р., Livingston J.D., Surface barrier in type-II superconductors, Phys. Rev. Lett., 1964, 12, 14.

16. Foltyn S.R., Civale L., MacManus-Driscoll J.L., Jia Q.X., Maiorov В., Wang H., Maley. M, Materials science challenges for high-temperature superconducting wire, Nature Materials, 2007, 6, 631-642.

17. Антипов E.B., Лыкова Л.Н., Ковба Л.М., Кристаллохимия сверхпроводящих оксидов ЖВХО, 1989, 34, 458-467.

18. Франк-Каменецкая О.В., Каминская Т.Н., Нардов А.В., Иванова Т.И., Кристаллические структуры ВТСП, в кн.: Высокотемпературная сверхпроводимость: фундаментальные и прикладные исследования, Л., 1990, 190265.

19. Абакумов A.M., Антипов Е.В., Ковба Л.М., Копнин Е.М., Путилин С.Н., Шпанченко Р.В., Сложные оксиды со структурами когерентного срастания — Успехи Химии, 1995, 64, 769-779.

20. Raveau В., Michel С., Hervieu М., Layered Cuprates with Dobble and Tripple Copper Layers: Structure and Superconductivity, J. Solid State Chem., 1990, 88, 140-162.

21. Park C., Snyder R.L., Structures of High temperature Cuprate Superconductors, J. Am. Chem. Soc., 1995, 78, 3171-3194.

22. Wu M.K., Ashburn J.R., Torng C.T., Ног P.H., Meng R.L., Gao L., Huang J., Wang Y.Q., Chu C.W., Superconductivity at 93K in a New Mixed Phase Y-Ba-Cu-0 Compound System at Ambient Pressure, Phys. Rev. Lett, 1987, 58, 908-910.

23. Tarascon J.M., McKinnon W.R., Greene L.H., Hull G.W., Vogel E.M., Oxygen and Rare-Earth Doping of the 90-K Superconducting Perovskite УВа2Сиз07х, Phys. Rev. B, 1987, 36, 226-234.

24. Skakle J.M.S., West A.R., Formation and Decomposition of LaBa2Cu307.6, J. Mater. Chem., 1994, v.4, pp. 1745-1748.

25. Asano H., Ishigaki Т., Takita K., Crystal structure of the high Tc superconductor YbBa2Cu307-s, Japanese Journal of Applied Physics, Part 2, 1987, 26, 1064-1065.

26. Ishigaki Т., Asano H., Takita K., Crystal structure of the high Tc superconductor ТтВа2Сиз07-8 Japanese Journal of Applied Physics, Part 2, 1987, 26, 1226-1227.

27. Ishigaki Т., Asano H., Takita K., Crystal Structure of the High Tc superconductor ЕгВа2Си307-б Japanese Journal of Applied Physics, Part 2, 1987, 26, 987-988.

28. Asano H., Ishigaki T., Takita K., Crystal Structure of the HoBa2Cu30x Superconductor Determined by X-Ray Powder Diffraction Japanese Journal of Applied Physics, Part 2, 1987, 26, 714-715.

29. Raudsepp M., Hawthorne F.C., Zhou X.Z., Maartense I., Morrish A.H., Luo Y.L., Diamagnetic and structural characterization of orthorhombic high-temperature superconductors in the system Y-Ba-Cu-O, Canadian Journal of Physics, 1987, 65, IMS-IMS.

30. Asano H., Takita K., Katoh H., Akinaga H., Ishigaki T., Nishino M., Imai M., Masuda K., Crystal structure of the high-Tc superconductor LnBa2Cu307-s (Ln = Sm, Eu and Gd), Japanese Journal of Applied Physics, Part 2, 1987, 26, 1410-1412.

31. Takita K., Katoh H., Akinaga H., Nishino M., Ishigaki T., Asano H., X-Ray Diffraction Study on the Crystal Structure of Ndi+X Ba2.xCu307.§ Japanese Journal of Applied Physics, Part 2, 1988, 27, 57-60.

32. Yoshizaki R., Sawada H., Iwazumi T., Saito Y., Abe Y., Ikeda, H., Imai K., Nakai I., Superconductivity and crystal structure of LaBa2Cu3.xOy compounds, Japanese Journal of Applied Physics, Part 2, 1987, 26, 1703-1706.

33. Lin J.G., Huang C.Y., Xue Y.Y., Chu C.W., Cao X.W., Ho J.C., Origin of the R-ion Effect on Tc in RBa2Cu307, Phys. Rev. B, 1995, 51, 2900-12903.

34. Plackowski T., Sulkowski C., Bukowski Z., Wlosewicz D., Rogacki K., Electronic Structure Parameters of Smi+xBa2-xCu30y Solid Solution of Orthorhombic and Tetragonal Structure, Physica C, 1995, 254, 331-341.

35. Veal B.W., Paulikas A.P., Downey J.W., Claus H., Vandervoort K., Tomlins G., Shi H., Jensen M., Morss L., Structural and Superconducting Properties of RBa2Cu307-5, Physica C, 1989, 162-164, 97-110.

36. Lavrov A.N., Kozeeva L.P., Study of the Antiferromagnetic and Superconducting Phase Boundaries in RBa2Cu306+x (R = Tm, Lu) II. Influence of Low-Temperature Oxygen Ordering on TN and Tc, Physica C, 1995, 253, 313-324.

37. Samoylenkov S.V., Gorbenko O.Yu., Kaul A.R., Superconducting Properties of Oxygen Deficient LuBa2Cu307.x thin films, Physica C, 1996, 267, 74-78.

38. Williams G.M.W., Tallon J.L., Ion Size Effects on Tc and Interplanar Coupling in RBa2Cu307-5, Physica C, 1996, 258, 41-46.

39. Zhou В., Buan J., Pierson S.W., Huang C.C., Vails O.T., Liu J.Z., Shelton R.N., Scaling Behaviour of the Specific Heat of a LuBa2Cu307.y Single Crystal near the Hc2 line, Phys. Rev. B, 1993,47, 11631-11634.

40. Warmont F., Hardy V., Provost J., Grebille, Simon Ch., Electronic Anisotropy in the Superconducting (Tl2/3Bii/3)Sr2CaCu2Ox Compound Measured by Angular Resolved Magnetoresistivity, Phys. Rev. B, 1998, 57, 7485-7487.

41. Iwasaki H., Inaba S., Sugioka K.,. Nozaki Y., Kobayashi N., Superconducting Anisotropy in the Y-Based System Substituted for the Y, Ba and Cu Sites, Physica C, 1997, 290, 113-121.

42. McManus-Driscoll J.L., Recent Developments in Conductor Processing of High Irreversibility Field Superconductors, Annu. Rev. Mater. Sci., 1998, 28, 421-462.

43. Hofer J., Karpinski J., Willemin M., Meijer G.I., Kopnin E.M., Molinski R., Schwer H., Rossel C., Keller H., Doping Dependence of Superconducting Parameters in HgBa2Cu04+s Single Crystals, Physica C, 1998, 297, 103-110.

44. Yasukawa Y., Nakane Т., Yamauchi H., Karppinen M., Consequence of isovalent rare earth substitution to magnetic irreversibility in cation-stoichiometric CuBa2RECu20693±oob Appl. Phys. Lett., 2001, 78, 2917-2919.

45. Feenstra R., Lindemer T.B., Budai J.D., Galloway M.D., Effects of Oxygen Pressure on the Synthesis of YBa2Cu307.x Thin Films by Post-Deposition Annealing J. Appl. Phys., 1991, 69, 6569-6584.

46. Яновский B.K., Воронкова В.И., Водолазская И.В., Леонтьева И.Н., Петровская Т.П., Поведение сверхпроводящих соединений RBa2Cu307.y (R редкоземельные элементы) при высоких температурах, Сверхпроводимость: физика, химия, техника, 1989, 2, 30-33.

47. Murakami М., Sakai N., Higuchi Т., Yoo S.I., Melt-Processed Light Rare Earth Element-Ba-Cu-O, Supercond. Sci. Technol., 1996, 9, 015-1032.

48. Muralidhar M., Chauhan H.S., Saitoh Т., Kamada K., Segawa K., Murakami M., Effect of Mixing Three Rare-Earth Elements on the Superconducting Properties of 11ЕВа2СизОу, Supercond. Sci. Technol., 1997, 10, 663-670.

49. Hauck J., Pseudobinary Phase Diagrams of УВа2СизОх and YBa2Cu40x, Supercond. Sci. Technol., 1996, 9, 1033-1038.53.