Развитие методов сканирующей зондовой микроскопии для исследования электрофизических свойств материалов наноэлектроники и структур на их основе тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Чуприк, Анастасия Александровна

• Чуприк, Анастасия Александровна
• кандидат физико-математических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Чуприк, Анастасия Александровна

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. Современные зондовые методы диагностики и модификации электрофизических свойств материалов и структур.

1.1 Роль сканирующей зондовой микроскопии в современной науке.

1.2 Диагностика электрофизических свойств объектов методами сканирующей зондовой микроскопии.

1.2.1 Контактные методы.

1.2.2 Многопроходные методы.

1.3 Локальная (модификация поверхности методами сканирующей зондовой микроскопии.

1.3.1 Механическая (тензостимулированная) АСМ модификация поверхности.

1.3.2 АСМ модификация поверхности электрическим воздействием.

1.3.3 СТМ литография.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Развитие методов сканирующей зондовой микроскопии для исследования электрофизических свойств материалов наноэлектроники и структур на их основе»

Актуальность темы

Развитие электроники и физики поверхности невозможно без развития методов диагностики, которые способствуют решению фундаментальных и прикладных задач микро- и наноэлектроники, связанных с характеризацией морфологических и электрофизических свойств микро- и наноструктур.

Наиболее распространенными методами решения таких задач являются растровая электронная микроскопия (РЭМ), просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ), атомно-силовая микроскопия (АСМ), сканирующая туннельная микроскопия (СТМ), микроскопия на основе фокусированных ионных пучков, вторичная ионная масс-спектрометрия, оже-спектроскопия и другие. Для исследования электрофизических свойств поверхности (в частности, I-V и C-V характеристик, стационарное и динамическое распределение поверхностного потенциала) используются контактные зондовые методы (метод проводимости, квазистатический C-V-метод, метод высокочастотных C-V характеристик) и бесконтактные методы (метод полного тока, калориметрический ме-тод определения работы выхода, метод Ричардсона, Зисмана-Томсона, метод Андерсона). Однако они наиболее приспособлены для исследования (контроля) свойств объемных материалов либо протяженных участков поверхности. С точки зрения исследования электрофизических свойств структур с высоким латеральным разрешением (менее 10 нм) наиболее перспективной является сканирующая зондовая микроскопия (СЗМ): атомно-силовая микроскопия (АСМ) и сканирующая туннельная микроскопия (СТМ).

Тем не менее, стандартные методы сканирующей зондовой микроскопии не позволяют количественно характеризовать электрофизические свойства объектов наноэлектроники. Это обусловлено низкой повторяемостью и воспроизводимостью результатов измерений. Для обеспечения стабильности и воспроизводимости измерений в первую очередь требуется создание специальных зондов (или специальная подготовка серийных), разработка способов калибровки измерительных средств и разработка методик выполнения измерений, создание тестовых структур для контроля качества зондов и калибровки.

Примером применения СЗМ для решения задач микро- и наноэлектрони-ки, требующих изучения электрофизических * свойств поверхности, является определение I-V и C-V характеристик субмикронных МДП структур на основе оксидов металлов с высокой диэлектрической проницаемостью. Интерес создания подобных структур обусловлен тем, что для создания современных по-левых транзисторов с технологической нормой ниже 65 нм требуется умень-шение толщины подзатворного оксида до размеров менее 1 нм. В качестве альтернативы Si02 в последние годы производители интегральных схем начали использовать диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью, обеспечивающие требуемую «эквивалентную» толщину при достаточно большой физической толщине диэлектрика.

При изучении электрофизических свойств поверхности неизбежно электрическое воздействие на нее, которое очень часто приводит к модификации рельефа поверхности и ее свойств. По этой причине исследование физико-химических процессов зондовой модификации поверхности позволяет выбрать оптимальные режимы измерений, обеспечив неразрушающий контроль. Кроме этого, локальная зондовая модификация поверхности может иметь самостоятельный интерес для создания тестовых наноструктур. Например, ультратонкие алмазоподобные пленки а-С:Н, осажденные на подложке из кремния, который является базовым материалом электроники, являются удобным «модельным» материалом для изучения механизмов наноструктурной модификации углеродных материалов с помощью СТМ. Другим применением СЗМ для изменения структуры и электрофизических свойств поверхности является локальная модификация эпитаксиальных высокотемпературных сверхпроводящих пленок УВа2Сиз07х, которые применяются для создания джозефсоновских переходов. Локальная СЗМ модификация позволяет повысить резкость границ переходов, которую не обеспечивает использующаяся в настоящее время оптическая литография.

Таким образом, целью работы явилось исследование возможностей сканирующей зондовой микроскопии для изучения электрофизических параметров микро- и наноструктур с высокой степенью локальности и разработка новых методов измерений.

Для достижения цели автором были поставлены следующие основные научно-технические задачи:

Разработка методики подготовки АСМ зондов для выполнения электрических АСМ измерений и электрохимической литографии.

Характеризация формы и электрических свойств АСМ зондов с помощью методов атомно-силовой микроскопии.

Разработка методики выбора оптимальной силы взаимодействия «зонд-образец» для контроля процесса износа.

Разработка и реализация комплексного АСМ метода измерений туннельных l-Vv\ квазистатических C-V характеристик многослойных наноструктур.

Разработка и изготовление тестовых многослойных наноструктур, включающих сверхтонкие диэлектрические слои, для калибровки и определения чувствительности методики измерений I-Vи квазистатических С-Vхарактеристик.

Изучение характера влияния атмосферного кислорода и конденсированной влаги в зазоре между СЗМ зондом и поверхностью на механизмы локальной СЗМ наномодификации поверхности материалов наноэлектроники.

Минимизация возможного электрического воздействия в ходе электрохимической литографии для предотвращения модификации электрофизических свойств поверхности высокотемпературных сверхпроводников.

Научная новизна работы состоит в следующем:

Разработан и апробирован комплексный способ подготовки и характеризации АСМ зондов для выполнения электрических измерений и электрохимической литографии. Данный способ включает в себя подготовку зондов путем нанесения на них проводящего коллоидного состава, калибровку работы выхода зонда для количественных электрических измерений и контроль формы (степени изношенности) зонда.

Разработанная модель силового взаимодействия зонда с образцом позволила разработать способ контроля формы зонда in situ с помощью методов атомно-силовой микроскопии.

Разработан метод количественной калибровки латеральных сил, который позволяет осуществлять выбор оптимальной силы взаимодействия зонда с поверхностью образца для контроля процесса износа зонда и повышения срока службы зонда.

Разработан комплексный метод измерений туннельных I-V и квазистатических С-V характеристик многослойных наноструктур, позволяющий в ходе одного измерения одновременно получать l-Vw С-V характеристики.

Установлено влияние атмосферного кислорода и конденсированной влаги в зазоре между СТМ иглой и поверхностью на результаты СТМ модификации ультратонких алмазолодобных а-С:Н пленок.

Экспериментально установлены параметры электромеханической АСМ нанолитографии, позволяющие минимизировать электрическое воздействие на образец для предотвращения модификации электрофизических свойств поверхности высокотемпературных сверхпроводников.

Научные результаты, выносимые на защиту:

Разработанный комплексный способ подготовки и характеризации зондов для электрических методов обеспечивает создание зондов с сопротивлением контакта «зонд-образец» не более 10 кОм (при типичных нагрузках 10-100 нН), калибровку работы выхода зонда для количественных электрических измерений и контроль формы зонда in situ в атомно-силовом микроскопе с учетом разработанной модели силового взаимодействия зонда с поверхностью образца.

Разработанный метод количественной калибровки латеральных сил позволяет количественно оценивать силу трения между АСМ зондом и поверхностью и, тем самым, осуществлять выбор оптимальной силы взаимодействия зонда с образцом для контроля процесса износа и повышения срока службы зонда.

• Разработанный комплексный метод измерений I-V и квазистатических С-V характеристик позволяет в ходе одного измерения одновременно получать l-Vw C-V характеристики, обеспечивая, тем самым, получение корректной информации об электрофизических свойствах материалов для наноэлектроники и структур на их основе. Порог чувствительности метода по току составляет 30 пА, по емкости — 0.5 пФ.

Экспериментально установлено, что процесс модификации ультратонких алмазолодобных а-С:Н пленок носит пороговый характер. Значение порогового напряжения увеличивается при уменьшении влажности и уменьшается при уменьшении давления. В частности, при длительности электрического воздействия 10 мс в условиях комнатной среды (температура 23 °С, влажность 40 %, давление 105 Па) пороговое напряжение составляет 3.75 В; в аргоновой атмосфере (влажность 1-3%, давление 105 Па)—4.2 В; в низком вакууме (давление остаточных газов около 2.5-10-2 Торр)) — 3.2 В.

Практическая значимость заключается в возможности использования полученных результатов при разработке приборов микро- и наноэлектроники, а также для развития электрических СЗМ методов. Разработанный и апробированный комплексный способ подготовки и характеризации АСМ зондов для выполнения электрических измерений и электростимулированной литографии позволяет добиться стабильного электрического контакта в АСМ экспериментах и при этом увеличить срок эксплуатации проводящих зондов. Данный способ также позволяет осуществлять контроль качества формы (степени изношенности) зондов in situ в АСМ эксперименте, без использования дополнительного дорогостоящего оборудования и специальных тестовых структур. Разработанный метод количественной калибровки латеральных сил позволяет количественно оценивать силу трения между АСМ зондом и поверхностью и, тем самым, позволяет контролировать степень износа зонда и образца. В результате срок эксплуатации зондов существенно увеличивается и предотвращается повреждение наноструктурированной поверхности. Данные методы дают существенный стимул для широкого применения электрических СЗМ методов.

Разработанный комплексный метод измерений туннельных I-V и квазистатических C-V характеристик многослойных наноструктур, позволяющий в ходе одного измерения одновременно получать I-V и C-V характеристики, предназначен для оценки качества и характеризации электрофизических свойств материалов для микро- и наноэлектроники и многослойных наноструктур на их основе. Такие исследования востребованы при разработке современных полевых транзисторов, устройств для считывания и записи информации на основе магниторезистивных датчиков.

Апробация работы. В основе диссертации лежат результаты, опубликованные в 4-х печатных источниках и 12-ти докладах (тезисах докладов) на научных конференциях. Основные результаты работы обсуждались на следующих конференциях:

• Международная научная молодежная школа «Микросистемная техника». Крым, 2004 г.

• 7-я Международная конференция «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы». Владимир, 2005г.

• 46-я - 50-я научная конференция МФТИ «Современные проблемы фундаментальных и прикладных наук». Долгопрудный, 2003 - 2007 г.

• 9-я, 10-я Международная конференция «Водородное материаловедение и химия углеродных наноматериалов». Крым, 2005 г., 2007 г.

• 2-я Всероссийская молодежная научная школа «Микро-, нанотехнологии и их применение». Черноголовка, 2005 г.

• 2-я Всероссийская конференция по наноматериалам «Нано-2007». Новосибирск, 2007 г.

• 7-й Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 2008 г.

Структура и объем диссертации. Работа состоит из пяти глав, введения, заключения и списка литературы; изложена на 178 листах машинописного текста, содержит 145 рисунков и 8 таблиц; список литературы включает 192 наименования.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Чуприк, Анастасия Александровна

Основные результаты диссертационной работы заключаются в следующем:

1. Предложен комплексный способ подготовки и характеризации зондов для электрических методов, включающий в себя подготовку зондов путем нанесения на них проводящего коллоидного состава, калибровку работы выхода зонда для количественных электрических измерений и контроль качества формы зонда. Сопротивление получаемых зондов составляет не более ЮкОм. Контроль формы зонда осуществляется in situ с помощью разработанной модели силового взаимодействия зонда с образцом.

2. Разработана методика выбора оптимальной силы взаимодействия зонда с образцом для количественного контроля процесса износа зонда.

3. Разработан метод количественной калибровки латеральных сил, позволяющий определять абсолютные значения силы трения контактной пары «зонд-образец». Коэффициенты пересчета условных единиц латеральной силы в абсолютные для серийных кантилеверов стандартной ширины 35 мкм и серийных АСМ Solver Р47 (ранняя модель) и NTegra составляют 85 нН/нА и 67 нН/нА соответственно.

4. Разработан и опробован АСМ метод измерения локальных квазистатических вольт-фарадных характеристик, позволяющая в ходе одного измерения получать I-V и C-V характеристики многослойных наноструктур, электрофизических свойств материалов для наноэлектроники и структур на их основе. Порог чувствительности метода по току составляет 30 пА, по емкости — 0.5 пФ.

5. Спроектированы тестовые многослойные наноструктуры, включающие сверхтонкие диэлектрические слои, для калибровки и определения чувствительности метода локальных измерений I-V и квазистатических C-V характеристик.

6. Экспериментально установлен характер влияния атмосферного кислорода и конденсированной влаги в зазоре между СЗМ зондом и поверхностью на механизм локальной СЗМ модификации поверхности алмазоподобных гидрогенизированных а-С:Н пленок, что позволяет осуществлять неразрушающие электрические измерения и создавать структуры с заданными электрофизическими свойствами. Для осуществления неразрушающего контроля при длительности электрического воздействия Юме электрические измерения следует проводить в условиях комнатной среды (температура ~ 23 °С, влажность ~ 40 %, давление 105 Па) при напряжениях менее 3.75 ± 0.05 В; в аргоновой атмосфере (влажность 1-3%, давление 105 Па) при напряжениях менее 4.2 ±0.1 В; в низком вакууме (давление остаточных газов около 2.5-10"2 Торр) при напряжениях менее 3.2 ± 0.1 В.

7. Определены оптимальные параметры электромеханической СЗМ литографии эпитаксиальных высокотемпературных сверхпроводящих УВа2Сиз07.х пленок, позволяющие создавать на их основе джозефсоновские переходы с резкими границами. Наименьшие величина и длительность напряжения составляют 0.3 В и 5 с соответственно. Сила придавливания, необходимая для механического удаления материала, равна 20 мкН. Ширина полученной границы мостика составила 340 ± 30 нм.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Чуприк, Анастасия Александровна, 2008 год

1. G. Binning and H. Rohrer. Scanning Tunneling Microscope // US Patent 4,343,993 Aug .10, 1982. Filed : Sep. 12,1980.

2. J.B.P. Williamson, "Microtopography of Surfaces" // Proc. Inst. Mech. Eng. London, 182,21 (1967-68); American national standard Surface texture. ANSI B46.1 (1978 Edition).

3. G. Binnig and H. Rohrer. Scanning tunneling microscopy // Helv. Phys. 1982 -Acta 55 p. 726.

4. Э.В. Мюллер, T.T. Цонг // Полевая ионная микроскопия, полевая ионизация и полевое испарение М., 1980.

5. К. Itaya, S. Sugawara, К. Sashikata, N. Furuya // J. Vac.Sci. Technol. A 1990 -V. 8-P. 515.

6. K. Sashikata, N. Furuya, K. Itaya // J. Vac. Sci. Technol. В 1991 V. 9 - P. 457.

7. S. Manne, J. Massie, V.B. Elings, P.K. Hansma, A.A.Gewirth II J. Vac. Sci. Technol. В 1991 -V. 9 P. 950.

8. G. Binning, C. F. Quate, C. Gerber// Phys.Rev. Lett. 1986 -V. 56 P. 930.

9. A.C. Батурин, Г.С. Батог, A.A. Чуприк, Е.П. Шешин // Атомно-силовой микроскоп / методическое пособие по курсу «Вакуумная электроника» -Москва, 2008, 38 с.

10. J.E. Griffith, D.A. Grigg // J. Appl. Phys. 1993 -V. 74 P. R83.

11. G. Neubauer, S.R. Cohen, G.M. McClelland et al. // Rev. Sci. Instrum. 1990 -V. 61 P. 2296.

12. M. Tortonese, R.C. Barrette, C.F. Quate //Appl. Phys. Lett. 1993 V.62- P. 834.

13. F.J. Giessible, B.M. Trafas//Rev. Sci. Instrum. 1994-V. 65-P. 1923.

14. D.Sarid.V. Elings//J. Vac. Technol. В 1991 -V. 9-P. 431.

15. Y. Martin, C.C. Williams, H.K. Wickramasinghe // J. Appl. Phys. 1987 V. 61 -P.4723.

16. G.Meyer, N.M. Amer // Appl. Phys. Lett. 1988 -V. 53 P. 2400.

17. W.A. Ducker, R.F. Cook, D.R. Clarke // J. Appl. Phys. 1990 -V. 67 P. 4045.

18. H. Ueyama, M. Ohta, Y. Sugawara, S. Morita // Jpn. J. Appl. Phys. 1995 V. 34 -P. L1086.

19. M.-H. Whangbo, S.N. Magonov, H. Bengel // Probe Microscopy 1997 V. 1 - P. 23.

20. V.A.Bykov, V.A.Fedirko. Scanning probe microscopy for biological object investigation.// In "Spectroscopy of Biolog. Molecules, ed. by J.C.Merlin, S. Turrell and J.P.Huvenne. Kliver Acad. Publ. Dordrecht/ Boston/ London, 1995, 471 p.

21. S.R. Cohen, G.M. McClelland// Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1989-V. 153 P. 307.

22. G. Neubauer, S.R. Cohen, G.M. McClelland, D. Home // Rev. Sci. Instrum. 1990 -V. 61 P. 2296.

23. CM. Mate, M.R.Lorenz, V J. Novotny II J. Chem. Phys. 1989 -V. 90 P. 7550.

24. P.S.D. Hobbs, D.W. Abraham, H.K. Wickramasinghe // Appl. Phys. Lett. 1989 -V. 55 P. 2357.

25. S. Watanabe, К. Hane, M. Ito, T. Goto II Appl. Phys. Lett. 1993 V. 63 - P. 2573.

26. U. Durig, O. Zuger, D.W. Pohl D.W. // Phys. Rev. Lett. 1990 V. 65 - P. 349.

27. M. Nonnenmacher, М.Р. O'Boyle, H.K. Wickramasinghe // Appl. Phys. Lett. 1991 -V. 58 P. 2921.

28. J.R. Matey, J. Blanc // J. Appl. Phys. 1985 V. 57 - P. 1437.

29. Y.Huang, C.C. Williams, M.A. Wendman // J. Vac. Sci. Technol. A 1996 V. 14 -P. 1168.

30. A. Kikukawa, S. Hosaka, Y. Honda, R. Imura // Rev. Sci. Instrum. 1995 V. 66 -P. 101.

31. S. Hosaka, H. Koyanagi, T. Hasegawa, S. Hosoki // J. Appl. Phys. 1992 V. 72 -P. 688.

32. A.A. Бухараев, Н.И. Нургазизов // Материалы X Российского симпозиума по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел, Черноголовка, 1997 С. 45.

33. Н. Fujisava, М. Shimizu //Appl. Phys. Lett. 1997-V. 71-P. 416.

34. J.N. Nxumalo, D.T. Shimizu, D.J. Thomson. // J. Vac. Sci. Technol. В 1996 V. 14 -P. 386.

35. S. Shafai, D.J. Thomson, M. Simard-Normandin, G. Mattiussi, P.J. Scanlon // Appl. Phys. Lett. 1994 -V. 64 P. 342.

36. P. Gaworzewski, B. Ross, J. Borngraber, K. Hoppner, W. Hoppner, U. Henniger // J. Vac. Sci. Technol. B. 1996 -V. 14 P. 373.

37. P. De Wolf, J. Snauwaert, L. Hellemans, T. Clarysse, W. Vandervorst M. D Olieslaeger, and D. Guaeyhaegens // J. Vac. Sci. Technol. A 1995 V. 13 -P. 1699.

38. I. Tanaka, I.Kamiya, H. Sakaki, N. Qureshi, S.J. Allen, P.M. Petroff // Appl. Phys. Lett. 1999-V. 74-P. 844.

39. M. Munz, H. Sturm, E. Schulz, G. Hinrichsen // Composites A 1998 V. 29 -P. 1251.

40. R.E. Thomson and J. Moreland // J. Vac. Sci.Technol. В 1995-V. 13-P. 1123.

41. J. Gallo, A. J. Kulik, N. A. Burnham, F. Oulevey, and G. Gremaud // Nanotechnology 1997-V. 8-P. 10.

42. H. Herz, J. Reine // Angew. Math. 1882 V. 92 - P. 156.

43. Y.V. Sharvin IIJETP1965 №21 - P. 655.

44. T.P. Weihs, Z. Nawaz, S.P.Jan/is, J.B. Pethica // Appl. Phys. Lett. 1991 V. 59 -P.3536.

45. B.V. Derjagin, V.M. Muller, Y.P. Toporov // J. Coll. Interface Sci. 1975 V. 53 -P. 314.

46. K.L. Johnson // Contact Mechanics -Cambridge University Press, 1985.

47. A. Stalder, U. Durig // Appl. Phys. Lett. 1996 V. 68 - P. 637.

48. K.L. Sorokina, A.L. Tolstikhina // Crystallography Report 2004 V. 49 - P. 476.

49. Y. Martin, D.W. Abraham, H.K. Wrickramasinghe // Appl. Phys.Lett. 1988 V. 52 -P. 1103.

50. D. Sarid // Scanning force microscopy N.Y., Oxford University Press, 1992.

51. A.H. Титков, A.K. Крыжановский, В.П. Евтихиев, П. Жирард // Материалы совещания «Зондовая микроскопия 2000» - С. 12.

52. J.W. Hong, Sang-il Park, Z.G. Khim // Rev. Sci. Instrum. 1999 -V. 70 P. 1735.

53. E. Palacios-Lidon, J. Colchero // http://eprintweb.org

54. H.O. Jacobs, H.F. Knapp, A. Stemmer // Rev. Sci. Instrum. 1999 V. 70 - P. 1756.

55. A.A. Потребим, П.В. Шерстнев // Тезисы докладов XLV научной конференции МФТИ, Долгопрудный, 2002.

56. Нанотехнология: физика, процессы, диагностика, приборы // Под ред. Лучинина В.В., Таирова Ю.М. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2006, 552 с.

57. А.С. Батурин, К.Н. Никольский, Е.А. Тишин, А.А. Чуприк, Е.П. Шешин // Растровый электронный микроскоп / методическое пособие по курсу «Вакуумная электроника» Москва, 2003, 38 с.

58. F.M. Serry, К. Kjoller, J.T. Thornton, R.J. Tench, D. Cook // Digital Instruments.

59. M.A. Stevens-Kalceff // Microscopy and Microanalysis 2004 V. 10 - P. 1090.

60. А.В.Анкудинов, A.H. Титков, R. Lailio, B.A. Козлов // ФТП 2002 Т. 36 - №9 -с. 1138.

61. A.B. Анкудинов, У.Ю. Котельников, А.А. Канцельсон, В.П. Евтихиев, А.Н. Титков II ФТП 2001 Т. 35 - №7 - с. 874.

62. A.V. Ankudinov, V.P. Evtikhiev, B.G. Koshaev, D.K. Nelson, A.S. Shkolnik and A.N. Titkov// Proceedings SPM-2004, Nizhni Novgorod, 2004 P. 23.

63. D. Chiang, P.Z. Lei, F. Zhang, R. Barrowcliff // Nanotechnology 2005 V. 16 -P. 35.

64. А.А. Потребич // Тезисы докладов XLVI научной конференции МФТИ, Долгопрудный, 2003.

65. А.В. Анкудинов, А.Н. Титков // ФТТ 2005 Т. 47 - №6 - с. 1110.66. http:/Aw.".v.di.com/ApoNotes/SCM/SCMMain.html

66. P. Eyben, D. Alvarez, Т. Clarysse, S.Denis and W. Vandervorst // Proceedings of International Conference "Characterization and Metrology for ULSI Technology", 2003 P. 685.

67. K. Honda, Y. Cho // Appl. Phys. Lett. 2005 V. 86 - P. 1.

68. П.А. Арутюнов, А.Л. Толстихина // Микроэлектроника 1999 Т. 29 - №1 - С. 13.

69. D. Sarid II Exploring Scanning Probe Microscopy with Mathematica N.Y., John Wiley & Sons, 1997.

70. А.П. Володин // Приборы и техника эксперимента 1998 №6 - С. 3.

71. T.D. Stowe, К. Yasumura, T.W. Kenny, D. Botkin, К. Wago, D. Rugar // Appl. Phys. 1997-V. 71 P. 288.

72. S.R. Manalis, S.C. Minne, A. Atalar, C.F. Quate // Appl. Phys. Lett. 1996 V. 69 -P.3944.

73. Y. Nakayama, S. Akita // New Journal of Physics 2003 I. 5 - P. 128-1.

74. В.И. Никишин, П.Н. Лускинович И Электронная промышленность 1991 № 3 -С. 4.

75. В.К. Неволин // Зондовые нанотехнологии в электронике М.: Техносфера, 2005.

76. К. Matsumoto, М. Ishii, К. Segawa, Y. Oka, B.J. Vartanian, J.S. Harris // Appl. Phys. Lett. 1996-V. 68-P. 34.

77. E.B. Cooper, S.R. Manalis, H. Fang, H. Dai, K. Matsumoto, S.C. Minne, T. Hunt, C.F. Quate // Appl. Phys. Lett. 1999 -V. 75 P. 3566.

78. Н.Г. Рамбиди, В.Н. Замалин // Поверхность: Физика, химия, механика 1986 -№ 8 С. 5.

79. E.J. Van Loenen, D. Dijkkamp, A.J. Hoeven, J.M. Lenssinck, J. Dieleman // Appl. Phys. Lett. 1989 — V. 55-P. 1312.

80. B. Irmer, R.H. Blick, F. Simmel, W. Godel, H. Lorenz, J.P. Kotthaus // Appl. Phys. Lett. 1998-V. 73-P. 2051.

81. J. Cortes Rosa, M. Wendel, H. Lorenz, J.P. Kotthaus, M. Thomas H. Kroemer // Appl. Phys. Lett. 1998 V. 73 - P. 2684.

82. M. Heyde, K. Rademann, B. Cappella, M. Geuss, H. Sturm, T. Spangenberg, H. Niehus // Rev. Sci. Instrum. 2001 -V. 72 P. 136.

83. D.M. Schaadt, E.T. Yu, S. Sankar, A.E. Berkowitz // Appl. Phys. Lett 1999 V. 74 -P. 472.

84. S. Lemeshko, S. Gavrilov, V. Shevyakov, V. Roschin and R. Solomatenko // Nanotechnology 2001 V. 12 - P. 273.86. www ntmdt ru

85. Г.Г. Владимиров, П.Н. Лускинович, В.И. Никишин // Микроэлектроника 1989 -Т. 18-В. 5-С. 464.

86. D.M. Eigler, Е.К. Schweizer // Nature 1990 V. 344 - P. 524.

87. M.F. Crommie, C.P. Lutz, and D.M. Eigler//Science 1993-V. 262-P. 218.

88. J.W. Lyding // Proceedings of the IEEE 1997, V. 85, P. 589.

89. P. Vettiger, M. Despont, U. Drechsler, U. Durig, W. Haberle, M.I. Lutwyche, H.E. Rothuizen, R. Stutz, R. Widmer, G.K. Binning // IBM J. Res. Develop. 2000 V. 44 -P. 323.

90. П.В. Шерстнёв, Е.П. Шешин, A.A. Чуприк // Нано- и микросистемная техника 2007 № 5 - С. 24.

91. P. Grutter, H.J. Mamin, D. Rugar // In Scanning Tunneling Microscopy II, edited by R. Wiesendanger and H.-J. Guntherodt- Berlin, Springer, 1992.

92. A.A. Бухараев, Д.В. Овчинников, A.A. Бухараева // Заводская лаборатория 1997 №5.

93. Д.В. Сивухин // Общий курс физики. Термодинамика и молекулярная физика -М„ 1975.

94. J.N. Israelachvili // Intermolecularand Surface Forces London, Acad. Press, 1992.

95. B. Cappella, G. Dietler // Surf. Sci. Rep. 1999 V. 34 - P. 1.

96. F.M. Orr, L.E. Scriven, A.P. Rivas//J. Fluid Mech. 1975-V. 67-P. 723.

97. А. Адамсон // Физическая химия поверхностей М: Мир, 1979.

98. L. Zitzler, S. Herminghaus, F. Mugelell Phys. Rev. В 200 -V. 66 P. 155436.

99. A.C. Батурин, A.A. Чуприк, Е.П. Шешин // Материалы VII международной научной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы», Владимир, 2005 С. 56.

100. J.W. Greenwood, J.B.P. Williamson // Proc. R. Soc. London, Ser. A 1966 -V. 295 -P. 300.

101. J.W. Greenwood, J.H. Tripp // AS ME Ser. E, J. Appl. Mech. 1967 -V. 234 P. 153.

102. Scherge Matthias. Biological micro- and nanotribology: Nature's solutions Berlin, Springer, 2001.

103. М.А. Lantz, S.J. O'Shea, M.E. Welland, K.L. Johnson // Phys. Rev. В 1997 V. 55 -P. 10776.

104. M. Varenberg, I. Etsion, G. Halperin // Rev. Sci. Instrum. 2003 -V. 74 P. 3362.

105. H. Klein, D. Pailharey, and Y. Mathey, Surf. Sci. 1997-V. 387-P. 227.

106. A. Feiler, P. Attard, and I. Larson, Rev. Sci. Instrum. 2000 -V. 71 P. 2746.

107. D.F. Ogletree, R.W. Carpick, M. Salmeron // Rev. Sci. Instrum. 1996 V. 67 -P. 3298.

108. Handbook of Micro/Nanotribology / Ed. by Bhushan Bharat. 2d ed. - Boca Raton etc.: CRC press, 1999.

109. P. Фейнман, P. Лейтон, M. Сэндс // Фейнмановские лекции no физике, 7 часть -М.: изд. МИР, 1966.

110. А.Г. Горшков, В.Н. Трошин, В.И. Шалашилин // Сопротивление материалов -М.: изд. ФИЗМАТЛИТ, 2002.

111. В.И. Феодосьев // Сопротивление материалов М.: изд-во МГТУ, 2000.

112. А.С. Батурин, А.А. Чуприк, Е.П. Шешин // Нано- и микросистемная техника 2005 № 8 - С. 23.

113. А.С. Батурин, А.А. Чуприк // Известия ТРТУ 2004 №9 - с. 209.

114. А.С. Батурин, А.А. Чуприк // Материалы Международной научной молодежной школы «Микросистемная техника» Таганрог: изд-во ТРТУ, 2004, 230 с. ISBN 5-8327-0133-Х-С. 42.

115. А.С. Батурин, А.А. Чуприк // Тезисы докладов XLVII научной конференции МФТИ, Долгопрудный, 2004 С. 43.

116. С.Р. Green, Н. Lioe, J.P. Cleveland et al. // Rev. Sci. Instrum. 2004 -V. 75 -P. 1988.

117. C.T. Gibson, G.S. Watson, S. Myhra // Nanotechnology 1996 V. 7 - P. 259.

118. N.A. Burnham, X. Chen, C.S. Hodges et al.//Nanotechnology 2003-V. 14-P. 1.

119. J.E. Sader, J.W. Chon, P. Mulvaney // Rev. Sci. Instrum. 1999 V. 70 - P. 3967.122. httpV/www.spmtips.com

120. А.С. Батурин, A.A. Чуприк, Е.П. Шешин // Тезисы докладов IX международной научной конференции «Водородное материаловедение и химия углеродных наноматериапов», Севастополь, 2005 С. 692.

121. А.С. Батурин, А.А. Чуприк, Е.П. Шешин // Тезисы докладов XLVIII научной конференции МФТИ, Долгопрудный, 2005 С. 22.

122. А.С. Батурин, А.А. Чуприк, Е.П. Шешин // Тезисы докладов II Всероссийской молодежной научной школы «Микро-, нанотехнологии и их применение», Черноголовка, 2005.

123. J. Chaste, L. Lechner, P. Morfin, G. Feve, T. Kontos,J.-M., Berroir, D.C. Glattli, H. Happy, P. Hakonen, B. Placuais // Nano letters 2008-V. 8 P.525.

124. V.E. Muradyan, B.P. Tarasov, Yu.M. Shulga // Proceedings of VII Int. conference . "Hydrogen materials Science and chemistry of metal hydrides", 2001 P. 550.

125. The International Technology Roadmap for Semiconductors.

126. D. Wilk, R. M. Wallace, J.M. Anthony//J. Appl. Phys. 2001 V.89-P. 5243.

127. L. Green, E.P. Gusev, R. Degraeve, E. Garfunkel // J. Appl. Phys. 2001 V. 90 -P.2057.

128. J. Lee, T.S. Jeon, D.L. Kwong, R. Clark// J. Appl. Phys. 2002 -V. 92 P. 2807.

129. J. Smoliner, B. Basnar, S. Golka, E. Gornik II Appl. Phys. Lett. 2001 V. 79 -P.3182.

130. С. Зи II Физика полупроводниковых приборов М.: Мир, 1984.

131. D.T. Lee, J.P. Pelz, Bh. Bhushan II Rev. Sci. Instr. 2002 -V. 73 P. 3525.

132. S.Kalinin//Ph.D. Dissertation 2002.

133. A. Sakai, S. Kurokawa, Y. Hasegawa // J. Vac. Sci. Techno!. В 1996 V. 14 -P. 1219.

134. H. Arakawa, R. Nishitani II J. Vac. Sci. Technol. В 2001 -V. 19 P. 1150.

135. V.V. Polyakov, I.V. Myagkov, G.A. Tregubov, An.V. Bykov // Proceedings of ICMNE, Zvenigorod, 2005 P. 03-16.

136. A.A. Чуприк, A.B. Зенкевич, Ю.Ю. Лебединский, Н.Ю. Любовин, М. Fanciulli, G. Scarel // Тезисы докладов L научной конференции МФТИ, Долгопрудный, 2007, с. 45.

137. P.De Wolf, J. Snauwaert, Т. Clarysse, W. Vandervorst, L. Hellemans // Appl. Phys. Lett. 1995-V. 66-P.1530.

138. J. Snauwaert, N. Blanc, P. De Wolf, W. Vandrvorst, and L. Hellemans U J. Vac. Sci. Technol. В 1996-V. 14-P. 1513.

139. P. De Wolf, T. Clarysse, W. Vandervorst, J. Snauwaert, L. Hellemans, Ph. Niedermann and W. Hanni II J. Vac. Sci. Technol. В 1998 V. 16 - P. 355.

140. P. De Wolf, T. Clarysse, W. Vandervorst, J. Snauwaert, and L. Hellemans // J. Vac. Sci. Technol. В 1996-V. 14 P. 380.

141. F. House, R. Meyer, O. Schneegans, and L. Boyer // Appl. Phys. Lett. 1996 -V. 69-P. 1975.

142. M.T. Hersam, A.C. Hoole, S.J. O'Shea and M.E. Welland //Appl. Phys. Lett. 1995-V. 72-P. 915.

143. S.J. O'Shea, R.M. Atta, and M.E. Welland // Rev. Sci. Instrum. 1995 V. 66 -P. 2508.

144. D.L. Klein and P.L. McEuen // Appl. Phys. Lett. 1995 -V. 66 P. 2478.

145. P.J. Gallo, A.J. Kulik, N.A. Burnham, F. Oulevey, and G. Gremaud // Nanotechnology 1997 -V. 8 P. 10.

146. A. Stalder, U. Durig // Appl. Phys. Lett. 1996 V. 68 - P. 637.

147. B.K. Неволин // Электронная промышленность 1993. - №10 - С. 8.

148. B.K. Неволин // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника 1990 Вып. 3 (137)-С. 71.

149. В.И. Стриха // Теоретические основы работы контакта металл-полупроводник -Киев: Наукова думка, 1974, 263 с.

150. А. Келли // Высокопрочные материалы М.: Мир, 1976, 261 с.

151. Ю.А.Аменадзе // Теория упругости М.: Высшая школа, 1976, 227 с.

152. А.В. Owen // J. of Non.-Cryst Solids. 1983-1. 59-60.-P. 1273.

153. J. Jahanmir, P.E. West, S. Hsich // J. Appl. Phys. 1989 -V. 65 P. 2064.

154. B.K. Неволин // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника 1991 -В. 2(141)-С. 78.

155. Э.В. Мюллер, Т.Т. Цонь // Полевая ионная микроскопия М.: Мир, 1971, 71с.

156. Г.Г. Владимиров, П.Н. Лускинович, В.И. Никишин // Микроэлектроника 1989 -Т. 18.-В. 5.-С. 464.

157. А.Н. Булатов, С.В. Хартов // Известия вузов. Электроника 2004 № 4 - С. 9.

158. J.A. Dagata, J. Schneir, Н.Н. Наггау, C.J. Evans, М.Т. Postek, J. Bennett II Appl. Phys. Lett. 1990 V. 56 - P. 2001.

159. L.A. Nagahara, T. Thundat, S.M. Lindsay // Appl.Phys.Lett. 1990 V. 57 - P. 270.

160. T. Thundat, L.A. Nagahara, PJ. Oden, S.M. Lindsay, M.A. George, W.S. II J. Vac. Sci. Technol. A 1990-V. 8- P. 3537.

161. R. Garcia, M. Calleja, F. Perez-Murano//Appl. Phys. Lett. 1998-V. 72-P.2295.

162. S. Minne, J. Adams, G, Yaralioglu, S. Manalis, A. Atalar, C. Quate. // Appl. Phys. Lett. 1998-V. 73-P. 1742.

163. S.A. Gavrilov, S.V. Lemeshko, V.I. Shevyakov, V.M. Roschin // Nanotechnology 1999 — V. 10-P. 1.

164. Л. Юнг // Анодные оксидные ппенки Л.: Энергия, 1967, 232 с.

165. Y.Y. Divin, U. Рорре; C.-L. Jia, P.M. Shadrin, К. Urban II Physica С 2002 -V. 372-376-P. 115.

166. Y.Y. Divin, U. Poppe, J.-W. Seo, B. Kabius, K. Urban // Physica С 1994 -V. 235240 P. 675.

167. I. Heyvaert, E. Osquiguil, C. Van Haesendonck, Y. Bruynseraede // Appl. Phys. Lett. 1992 —V. 61 -P. 111.

168. Y.C. Fan, A.G. Fitzgerald, J.A. Cairns // J. Vac. Sci. Technol. В 2000 V. 18 -P.2377.

169. R.E. Thomson, J. Moreland, A. Roshko // Nanotechnology 1994 V. 5 - P. 57.

170. G. Bertsche, W. Clauss, D. Kern // Appl. Phys. Lett. 1996 -V. 68- P. 3632.

171. J. Boneberg, M. Bohmisch, M. Ochmann, P. Leiderer II Appi. Pys. Lett. 1997 -V. 71 P. 3805.

172. I. Song, B.M. Kim, G. Park//Appl. Phys. Lett. 2000-V. 76-P. 601.

173. B.M. Kim, I.S. Song, J.H. Sok, I.H. Song et al. // Appl. Phys. Lett. 2000 V. 76 -P. 484.

174. M. Tachiki, T. Fukuda, K. Sugata, H. Seo, H. Umezawa, H. Kawarada // Jpn. J. Appl. Phys. 2000 V. 39 - P. 4631.

175. T. Kondo, M. Yanagisawa, L. Jiang, D.A. Tryk, A. Fujishima // Diamond & Relat. Mater. 2002-V. 11 P. 1788.

176. G.G. Kirpilenko, V.D. Frolov, E.V. Zavedeev, S.M. Pimenov, V.I. Konov, E.Y. Shelukhina, E.N. Loubnin // Diamond & Relat. Mater. 2006 V. 15 - P. 1147.

177. B.L. Weeks, A. Villmer, M.E. Welland, T. Rayment // Nanotechnology. 2002 V. 13 - P. 38.

178. T. Muhl // Appl. Phys. Lett. 2004 V. 85 - P. 5727.

179. V.D. Frolov, V.I. Konov, S.A. Pimenov, E.V. Zavedeev // Diamond & Relat. Mater. 2004-V. 13-P. 2160.

180. В. Druz, I. Zaritskiy, J. Hoehn, V.I. Polyakov, A.I. Rukovishnikov, V. Novotny // Diamond and Relat. Mater. 2001 -V. 10 P. 931.

181. A.C. Батурин, E.B. Заведеев, В.Д. Фролов, A.A. Чуприк II Тезисы докладов II Всероссийской конференции по наноматериалам «Нано-2007», Новосибирск, 2007 С. 285.

182. А.С. Батурин, А.А. Чуприк, Е.П. Шешин II Тезисы докладов XLVIII научной конференции МФТИ, Долгопрудный, 2006- С. 13.

183. A.S. Baturin, А.А. Chouprik, V.D. Frolov, Е.Р. Sheshin, E.V. Zavedeev // Тезисы докладов X международной научной конференции «Водородное материаловедение и химия углеродных наноматериалов», Судак, 2007 -С. 704.

184. А.А. Чуприк, А.С. Батурин, В.Д. Фролов, Е.В. Заведеев, В.И. Конов, С.М. Пименов, Б. Друзь, Е.П. Шешин II Тезисы докладов XII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 2008 -С. 461.

185. F. Restagno, L. Bocquet, Т. Biben // Phys. Rev. Lett. 2000 V. 84. - P. 2433.

186. B. Bhushan // J. Vac. Sci. Technol. В 2004 -V. 21 P. 2262.

187. S. ivas Gomez-Mon, J.J. Saenz, M. Calleja, R. Garcia // Phys. Rev. Lett. 2003 V. 91 - P. 056101-1.

188. M. Calleja, M. Tello, R. Garcia // J. Appl. Phys. 2002 V. 92 - P. 5539.