Экспериментальное исследование бесконтактного формирования поверхностных наноструктур методом сканирующей туннельной микроскопии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Николаевский, Анатолий Владимирович

• Николаевский, Анатолий Владимирович
• кандидат технических наук
• 2012

Оглавление диссертации кандидат технических наук Николаевский, Анатолий Владимирович

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1 Обзор современных методов формирования и применения наноструктур

1.1 Анализ состояния нанотехнологий в электронике

1.2 Анализ методов формирования наноструктур

1.3 Анализ наноструктур и их применения

1.4 Цели и задачи исследования

Выводы по главе 1

Глава 2 Теоретическое обоснование бесконтактного формирования нанометровых структур методом сканирующей туннельной микроскопии

2.1 Теоретическая модель взаимодействия зонд-образец на воздухе

2.2 Физические эффекты на поверхности тонких пленок при электрополевом воздействии туннельного зазора

2.3 Физическое обоснование бесконтактного формирования нанорельефа

поверхности подложек

Выводы по главе 2

Глава 3 Аналих искажающих эффектов изображений при исследовании методом сканирующей туннельной микроскопии

3.1 Анализ источников искажающих эффектов изображений в сканирующей зондовой микроскопии

3.2 Экспериментальное исследование искажающих эффектов изображений в сканирующей зондовой микроскопии

3.3 Экспериментальное исследование влияния адсорбата на изображение поверхности тонких металлических пленок в сканирующей зондовой

микроскопии

Выводы по главе 3

Глава 4 Экспериментальное исследование процессов бесконтактного формирования наноструктур методом сканирующей туннельной микроскопии

4.1 Исследование влияния параметров туннельного зазора на бесконтактное формирование поверхностных наноструктур

4.2 Локальная модификация поверхности тонкой пленки платины методом сканирующей туннельной микроскопии

4.3 Обсуждение и анализ результатов модификации поверхности

Выводы по главе 4

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ЛИТЕРАТУРА

ПРИЛОЖЕНИЕ 1. АКТЫ ВНЕДРЕНИЯ

ПРИЛОЖЕНИЕ 2. ПАТЕНТ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Экспериментальное исследование бесконтактного формирования поверхностных наноструктур методом сканирующей туннельной микроскопии»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность работы

С развитием нанотехнологий в микро- и наноэлектронике, в гетерогенном катализе, микромеханике, трибологии и других областях знаний значительное место занимают исследования различных явлений, происходящих на поверхности твердого тела. При этом поверхность рассматривается как основа для формирования и исследования латерально-ограниченных объектов нанометрового размера, основные свойства которых могут существенно отличаться от свойств макрокристаллов того же вещества.

В низкоразмерных системах, в частности в наноструктурах, количество вещества на поверхности и в объеме становятся соизмеримыми, поэтому роль поверхности как более активной составляющей существенно возрастает. Поверхностные наноструктуры с их особыми свойствами играют значительную роль в таких объектах, как сверхрешетки, высокодисперсные системы - адсорбенты и катализаторы, наполнители композиционных материалов, пленочные и мембранные системы, являющихся элементами изделий и оборудования электронной техники.

Современная электроника, двигаясь по пути миниатюризации, подходит к пределу характерных размеров основных элементов в 20 нм, при которых резервы дальнейшего улучшения параметров на основе дрейфово-диффузионного переноса носителей практически исчерпываются и определяющими становятся квантово-размерные и туннельные эффекты. При этом существенно усиливается влияние границ раздела отдельных элементов микросхем.

Актуальность проводимых исследований обусловлена перспективами применения наноэлементов, полученных методами сканирующей туннельной микроскопии, в качестве активных и пассивных элементов устройств электроники, сенсоров различного назначения, потенциальным переходом нанотехнологий от лабораторных исследований к промышленному выпуску.

Низкие энергии туннелирующих электронов (десятки милиэлектрон-вольт) в режиме измерения в совокупности с возможностью получения высокой

о

напряженности электрического поля (10 В/см) и плотности электронного тока

О 9

(>10 А/см ) в локальной области на поверхности в сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) позволяют совмещать метрологические и технологические функции, делая СТМ уникальным методом, позволяющим формировать и исследовать наноструктуры.

Современная сканирующая зондовая литография в основном представлена контактными методами пластической деформации: формирование или выравнивание рельефа подложки, селективное оксидирование. В то же время методам бесконтактной локальной модификации поверхности уделяется недостаточно внимания в связи со сложностью получения заведомо сконфигурированных геометрических областей, обусловленной дальнодействующим характером электростатических сил.

Также весьма важным для применения зондовых микроскопов в широкомасштабных научных исследованиях является отслеживание и систематизация возможных механизмов возникновения артефактов, т.е. аппаратных эффектов, приводящих к наблюдению ложных или искаженных свойств исследуемого объекта.

В рамках данной работы проводились экспериментальные и теоретические исследования бесконтактного метода локальной модификации поверхности проводящих подложек методом сканирующей туннельной микроскопии (СТМ).

Цели и задачи работы

Целью настоящей работы является получение воспроизводимой контролируемой наноструктуры на поверхности твердого тела методом сканирующей туннельной микроскопии для элементов изделий и оборудования электронной техники.

Для достижения поставленных целей в работе поставлены и решены следующие задачи:

- анализ искажений и ограничений методов сканирующей зондовой микроскопии и разработка методики, учитывающей их влияние на формирование нанобъектов и наноструктур;

- исследование процессов и определение режимов бесконтактного формирования нанообъектов и наноструктур на поверхности тонких пленок методами сканирующей зондовой микроскопии;

- исследование влияния параметров туннельного зазора на формирование нанорельефа на поверхности тонких пленок;

- проведение комплекса экспериментальных исследований локальной модификации поверхности тонких пленок;

- изучение структуры модифицированных участков поверхности;

- разработка методики создания, контроля и визуализации процессов бесконтактного формирования наноструктур на поверхности тонких металлических пленок на воздухе.

Научная новизна работы

Впервые разработана методика бесконтактной управляемой модификации поверхности тонких металлических пленок, применяемых в производстве электронных приборов, с образованием воспроизводимых объектов и структур на-нометрового диапазона методом сканирующей туннельной микроскопии на воздухе.

Установлены основные физические процессы и факторы формирования нанометровых структур, приводящие к локальному изменению свойств поверхности образца под зондом СТМ и образованию нанорельефа, на основе которых предложены расчетные зависимости определения плотности токов электронной эмиссии, локального повышения температуры, электрического поля для массо-переноса и пластической деформации для управляемого формирования заданного нанорельефа поверхности.

Установлены взаимосвязи между основными физическими характеристиками процесса взаимодействия зонд-поверхность (сила туннельного тока, напряжение между зондом и подложкой, скорость и шаг взаимодействия) и характером модификации поверхности подложки, что позволило обеспечить воспроизводимое контролируемое формирование объектов и структур нанометро-вого диапазона.

На основе сравнительных экспериментальных исследований шаговых поверхностных структур методами сканирующей зондовой и растровой электронной микроскопии установлены и описаны эффекты занижения высоты профиля в СТМ режиме и эффект уширения профиля в режиме атомно-силовой микроскопии (АСМ).

Впервые определены основные закономерности влияния воздушного ад-сорбата на интерпретацию СТМ изображений: пятна адсорбата с размерами, соизмеримыми с расстоянием между зондом и образцом, воспроизводятся как возвышенности, а изображение сплошных участков скопления адсорбата сопровождается понижением рельефа относительно «чистой» поверхности. Установлен эффект формирования локализованных центров размером 50-100 нм, образованных скоплениями поляризованных молекул адсорбата под действием сильного электрического поля в межэлектродном зазоре.

Разработана методика локального удаления воздушного адсорбата с исследуемого участка поверхности при импульсном бесконтактном взаимодействии электродов СТМ, что обеспечивает значительное улучшение качества и достоверности получаемого изображения поверхности.

Практическая значимость работы

1. Предложенные методики позволяют осуществить технологические процессы бесконтактного формирования поверхностных наноструктур с заданной геометрией и размерами (5-20 нм) и сплошной модификации поверхности с образованием нанообъектов высокой плотности и увеличением поверхностной площади материала (до 40%), предназначенные для:

- создания элементной базы наноэлектроники - наноконтактов и нано-проводников, квантовых точек и одноэлектронных транзисторов;

- повышения эффективности работы катализаторов и сенсоров путем увеличения поверхностной площади поверхностно-активных материалов;

- улучшения характеристик и выходных параметров лазеров и дисплеев на основе квантовых точек (низкие энергопотребление и интенсивность шума, нечувствительность к колебаниям температур).

2. Установленные закономерности и эффекты, приводящие к наблюдению ложных или искаженных свойств исследуемого объекта, позволяют правильно интерпретировать и использовать полученную с помощью СЗМ информацию.

Достоверность результатов

Достоверность проведенных теоретических исследований и представленных в работе экспериментальных результатов обеспечивается строгим математическим обоснованием предлагаемых подходов, результатами компьютерного моделирования, использованием современных экспериментальных методик, а также согласованностью полученных результатов с теоретическими и экспериментальными данными, имеющимися в российской и зарубежной литературе.

Реализация результатов работы

Результаты диссертации использованы в ФБГНУ «Научно-исследовательский институт перспективных материалов и технологий» при проведении экспериментальных исследований материалов методами сканирующей туннельной и атомно-силовой микроскопии и внедрены в учебный процесс МИЭМ, где используются при чтении лекций и проведении лабораторных работ по дисциплинам «Технология материалов и изделий электронной техники», «Устройства и элементы наномеханики».

Основные положения, выносимые на защиту

1. Результаты экспериментальных исследований бесконтактного формирования наноструктур на поверхности тонких пленок золота и платины в воздушной среде.

2. Пороговые значения туннельного тока и приложенного поля, соответствующие необратимым изменениям рельефа поверхности тонких металлизированных пленок при СТМ воздействии на воздухе.

3. Основные закономерности бесконтактного формирования наноструктур: формирование выступов при отрицательной полярности на образце, впадин - при положительной полярности на образце.

4. Методика бесконтактной управляемой модификации поверхности тонких металлизированных пленок с образованием объектов нанометрового диапазона с заданной геометрией расположения методом сканирующей туннельной микроскопии на воздухе.

5. Результаты теоретических и экспериментальных исследований влияния искажений и воздушного адсорбата на интерпретацию СЗМ информации: эффекты занижения высоты профиля в СТМ режиме и уширения профиля в АСМ режиме, основные закономерности отображения воздушного адсорбата СТМ изображениях.

6. Методика локального удаления адсорбата с исследуемого участка поверхности при импульсном бесконтактном взаимодействии СТМ электродов.

Методы исследования

Для решения поставленных задач использовались основные положения квантовой механики и математической физики.

Выполненные теоретико-экспериментальные исследования и практические расчеты базируются на использовании методов вычислительной математики, современных методов программирования и компьютерного моделирования.

Результаты представленных в диссертации экспериментальных исследований получены с использованием методов сканирующей туннельной, атомно-силовой и растровой электронной микроскопии.

Апробация работы

Основные положения и результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих научно-технических конференциях:

- "Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов МИЭМ" (Москва, 2007-2012 гг.),

- Научно-техническая конференция "Вакуумная наука и техника" (Сочи, 2009-2010 гг.),

- Международная научно-техническая конференция "Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов" (Алма-Ата, 2009 г.),

- 2 Всероссийская научная школа для молодежи "Концентрированные потоки энергии в индустрии наносистем, материалов и живых систем" (Москва, 2009 г.),

- Международная научно-техническая конференция "Перспективные инновации в науке, образовании, производстве и транспорте" (Одесса, 2010 г.),

- VI Всероссийская конференция с элементами научной школы для молодежи "Кадровое обеспечение развития инновационной деятельности в России" (Москва, 2010 г.),

- 1-ая и 2-ая Всероссийская школа-семинар студентов, аспирантов и молодых ученых по тематическому направлению деятельности национальной на-нотехнологической сети "Функциональные наноматериалы для космической техники" (Москва, 2010-2011 гг.).

Публикации по теме работы

По теме диссертации опубликовано 19 работ, в том числе 3 статьи в научно-технических журналах и сборниках, 11 тезисов докладов и материалов конференций по итогам научных мероприятий, 1 патент РФ на полезную модель. По результатам работы разработано 4 учебно-методических пособия.

Структура и объем работы

Диссертация изложена на 115 страницах и состоит из введения, четырех глав, заключения, списка использованных источников из 110 наименований, содержит 34 иллюстрации, 3 таблицы.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Николаевский, Анатолий Владимирович

Основные результаты и выводы диссертационной работы формулируются следующим образом:

1. На основе выполненных обзорно-аналитических исследований показана актуальность получения и применения поверхностных объектов и структур нанометровой размерности в качестве элементов изделий и оборудования электронной техники, а также необходимость применения комбинированного технологического оборудования, сочетающего в себе возможность получения материалов и устройств с заданными свойствами и высокоточное измерение и контроль параметров технологического процесса.

2. Выделены основные процессы, вызывающие необратимые изменения исследуемой поверхности: поверхностная ионизация, вызывающая испарение атомных слоев материала одного из электродов и осаждение атомов на противоположном электроде, автоэлектронная эмиссия, вызывающая разогрев острия и локальной области образца под действием токов эмиссии высокой плотности, поверхностная диффузия материала к острию зонда, возникающая при изменении значений внешнего электрического поля, и пластическая деформация.

3. Предложены расчетные зависимости определения плотности токов электронной эмиссии, локального повышения температуры, электрического поля для массопереноса с целью осуществления воспроизводимого формирования заданного нанорельефа поверхности.

4. Установлены взаимосвязи между основными физическими характеристиками процесса взаимодействия зонд-поверхность (сила туннельного тока, напряжение между зондом и подложкой, скорость и шаг взаимодействия) и характером модификации поверхности подложки, что позволило обеспечить воспроизводимое контролируемое формирование латерально-ограниченных объектов и структур нанометрового диапазона.

5. Проведено комплексное экспериментальное исследование влияния параметров туннельного зазора СТМ на формирование геометрически сконфигурированных наноструктур на воздухе. Определен пороговый характер формирования наноструктур тонких пленок платины и золота, установлено, что управляемая модификация рельефа поверхности происходит в диапазоне тока 10-16 нА, напряжений 2100-2300 мВ; выявлено, что при отрицательной полярности на образце происходит формирование выступов, а в случае воздействия при положительной полярности на образце - формирование впадин.

6. На основе сравнительных экспериментальных исследований шаговых поверхностных структур методами сканирующей зондовой и растровой электронной микроскопии установлены и описаны эффекты занижения высоты профиля в СТМ режиме и уширения профиля в АСМ режиме.

7. Установлено влияние воздушного адсорбата на интерпретацию СТМ изображений: пятна адсорбата размерами, соизмеримыми с расстоянием между зондом и образцом, воспроизводятся как возвышенности, а изображение сплошных участков скопления адсорбата сопровождается понижением рельефа относительно исследуемой «чистой» поверхности; выявлен эффект формирования локализованных центров размером 50-100 нм, образованных скоплениями поляризованных молекулам адсорбата под действием сильного электрического поля в межэлектродном зазоре.

8. Разработана методика локального удаления воздушного адсорбата с исследуемого участка поверхности при импульсном бесконтактном взаимодействии электродов СТМ (1=5нА, U=1500 мВ, V=72,34 мкм/с, Step=40 Д), что обеспечивает значительное улучшение качества и достоверности получаемого изображения поверхности.

9. Разработана методика бесконтактной управляемой модификации поверхности тонких металлических пленок (1=12-16 нА, U=2200-2300 мВ, Step=14,7 A, V=73,70 мкм/с), применяемых в производстве электронных приборов, с образованием объектов нанометрового диапазона методом сканирующей туннельной микроскопии на воздухе. Продемонстрирована возможность одновременного создания, контроля и визуализации процессов модификации поверхности с помощью сканирующей туннельной микроскопии.

10. Предложенные методики позволяют осуществить технологические процессы бесконтактного формирования поверхностных наноструктур с заданной геометрией и размерами (5-20 нм), а также сплошной модификации поверхности с образованием нанообъектов высокой плотности и увеличением поверхностной площади материала (до 40%), предназначенные для:

- создания элементной базы наноэлектроники - наноконтактов и нано-проводников, квантовых точек и одноэлектронных транзисторов;

- повышения эффективности работы катализаторов и сенсоров путем увеличения поверхностной площади поверхностно-активных материалов;

- улучшения характеристик и выходных параметров лазеров и дисплеев на основе квантовых точек (низкие энергопотребление и интенсивность шума, нечувствительность к колебаниям температур).

11. Установленные закономерности и эффекты, приводящие к наблюдению ложных или искаженных свойств исследуемого объекта, позволяют правильно интерпретировать и использовать полученную с помощью СЗМ информацию.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Николаевский, Анатолий Владимирович, 2012 год

ЛИТЕРАТУРА

1. Старостин, В. В. Материалы и методы нанотехнологии: Учеб. Пособие / В. В. Старостин. - М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2008. - 431 с. - ISBN 9785-94774-727-0.

2. Асеев, А. Л. Нанотехнологии в полупроводниковой электронике / А. Л. Асеев // Вестник Российской Академии Наук. - 2006. - Т. 76, № 7. - С. 603-611.

3. Многослойные углеродные нанотрубки и их применение / М. М. Томиш-ко [и др.] // Рос. хим. ж. - 2008. - Т. 52, № 5. - С. 39-43.

4. Chandra, A. Gold nanoparticles via alloy decomposition and their application to nonvolatile memory / A. Chandra, B. Clemens // Applied Physics Letters. - 2005. - Vol. 87, № 25. - P. 253113-253113-3.

5. Mine, E. Preparation of Ordered Macroporous Platinum Metal Particles / E. Mine, M. Shirai // e-J. Surf. Sci. Nanotech. - 2006. - Vol. 4. - P. 451-453.

6. Morphological Control of Catalytically Active Platinum Nanocrystals / H. Lee [et al] // Angew. Chem. Int. Ed. - 2006. - Vol. 45. - P. 7824-7828.

7. Capillary Wrinkling of Floating Thin Polymer Films / J. S. Huang [et al] // Science. - 2007. - Vol. 317. - P. 650-653.

8. Ultrastrong and Stiff Layered Polymer Nanocomposites / P. Podsiadlo [et al] // Science. - 2007. - Vol. 318. - P. 80-83.

9. Aldaye, F. A. Assembling materials with DNA as the guide / F. A. Aldaye, A. L. Palmer, H. F. Sleiman // Science. - 2008. - Vol. 321. - P. 1795-1799.

10. A Novel Nonvolatile Memory with Spin Torque Transfer Magnetization Switching: Spin-Ram / M. Hosomi [et al] // IEDM'05. - 2005. - P. 459-462.

11. Метрологическое обеспечение, стандартизация и оценка соответствия на-нотехнологий и нанопродукции: аналитический обзор - М. : Ростехрегулирова-ние, 2007.-51 с.

12. Control of Self-Assembly of DNA Tubules Through Integration of Gold Nanoparticles / J. Sharma [et al] // Science. - 2009. - Vol. 323. - P. 112-116.

13. Self-Assembled Triangular and Labyrinth Buckling Patterns of Thin Films on Spherical Substrates / G. X. Cao [et al] // Physical Review Letters. - 2008. - Vol. 100.-P. 036102.

14. Быков В. А. Сканирующая зондовая микроскопия для нанотехнологии / В. А. Быков // Матер, науч.-техн. конф. «Химия поверхности и нанотехноло-гия». - С-П, 2002. - С. 9.

15. Ткачев, А. Г. Аппаратура и методы синтеза твердотельных наноструктур: монография / А. Г. Ткачев, И. В. Золотухин. - М. : "Издательство Машино-строение-1", 2007.-316 с. -400 экз.-ISBN978-5-94275-365-8.

16. Старостин, В. В. Материалы и методы нанотехнологии: Учеб. Пособие / В. В. Старостин. - М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2008. - 431 с. - ISBN 9785-94774-727-0.

17. Щука, А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука. - М. : Физматкнига, 2007. -464 с. - ISBN 978-5-89155-163-3.

18. Головин, Ю. И. Введение в нанотехнологию / Ю. И. Головин. - М.: Машиностроение, 2007. - 496 с. - ISBN 978-5-217-03378-2.

19. Kuk, Y., Sulverman P.J. Scanning tunneling microscope instrumentation. Rev. Sci.Instrum., 60(2), 1989, P. 165-180.

20. Whitman, L.J. Tunneling microscopy and spectroscopy. Encyclopedia of Applied Physics, Vol.22, edited by G.I.Trigg. WILEY-VCH, New York, 1988, P. 361-383.

21. Нанотехнологии в электронике / Под ред. Ю. А. Чаплыгина. - М. : Техносфера, 2005. - 448 с. - ISBN 5-94836-059-8.

22. Неволин, В. К. Физические основы туннельно-зондовой нанотехнологии: Учеб. пособие / В. К. Неволин. - М., 2000. - 87 с.

23. Howland, R, Benatar, L. A practical guide to scanning probe microscopy. Park Scientific Instruments, Sunnyvale, CA, 1996.

24. Itaya, К., Tomita, E. Scanning tunneling microscope for electrochemistry-a new concept for the in situ scanning tunneling microscope in electrolyte solutions. Surf.Science 201, 1998, P. 507-512.

25. Dovek M.M., Heben M.J., Lang C.A., Lewis N.S., Quate C.F. Design of a scanning tunneling microscope for electrochemical applications. Rev.Sci.Instrum. 59(11), 1998, P.2333-2336.

26. Chang, T.C., Chang, C.S., Lin, H.N., Tsong, T.T. Creation of nanostructures on gold surfaces in nonconducting liquid. Appl.PhysXett., 67(7), 1995, P. 903-905.

27. Binnig, G., Rohrer, H. Scanning tunneling microscopy. IBM J.Res.Develop. Vol.30 (4), 1986, P. 355-369.

28. Николаевский, А. В. Исследование сканирующей туннельной литографии в сканирующем зондовом микроскопе СММ-2000 / В. И. Кузькин, Б. Г. Львов, А. В. Николаевский // Методические указания к лабораторной работе по курсу "Устройства и элементы наномеханики". - М.: МИЭМ, 2008.

29. Наноразмерные структуры: классификация, формирование и исследование: учебное пособие для вузов / Е.В. Булыгина [и др.]. - М.: САЙНС-ПРЕСС, 2006. - 80 с. - ISBN 5-94818-001-5.

30. Балоян, Б.М., Колмаков, А.Г., Алымов, М.И., Кротов, A.M. Наноматериа-лы. Классификация, особенности свойств, применение и технологии получения / Б.М. Балоян [и др.]. - М., 2007. - 125 с.

31. Гусев, А.И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии / А.И. Гусев. - М.: Физматлит, 2007. - 416 с. - ISBN 978-5-9221-0582-8.

32. Андриевский, Р.А. Наноструктурные материалы / Р.А. Андриевский, А.В. Рагуля. - М. : Издательский центр «Академия», 2005. - 192 с. - ISBN 5-76952034-5.

33. Актуальные проблемы современной неорганической химии и материаловедения: нанохимия, наноматериалы и нанотехнологии: тез. докл. конф., Звенигород, 13-15 ноября 2009 г. - М., 2009. - 92 с.

34. Ежовский, Ю.К. Поверхностные наноструктуры - перспективы синтеза и использования / Ю.К. Ежовский // Соросовский образовательный журнал. -2000.-Т. 6, № 1. - С. 56-63.

35. Memory characteristics of self-assembled tungsten nanodots dispersed in silicon nitride / Yanli Peil [et al] // Appl. Phys. Lett. - 2008. - Vol. 93, № 8. - P. 113115.

36. Dumbbell-like Pt-Fe304 Nanoparticles and Their Enhanced Catalysis for Oxygen Reduction Reaction / Chao Wang, Hideo Daimon, Shouheng Sun // Nano Lett. -2008.-Vol. 93, №8. -P. 113-115.

37. Synthesis of Complex Au/Ag Nanorods by Controlled Overgrowth / Kyoungweon Park, Richard A. Vaia // Advanced Materials. - 2008. - Vol. 20, № 20. -P. 3882-3886.

38. Controlled Growth of Pt Nano wires on Carbon Nanospheres and Their Enhanced Performance as Electrocatalysts in РЕМ Fuel Cells / Shuhui Sun , Frédéric Jaouen, Jean-Pol Dodelet // Advanced Materials. - 2008. - Vol. 20, № 20. - P. 39003904.

39. Ковшов, A.H. Основы нанотехнологии в технике : учеб. пособие для студ. высш. учеб. заведений / А.Н. Ковшов, Ю.Ф. Назаров, И.М. Ибрагимов. - М. : Издательский центр «Академия», 2009. - 240 с. - ISBN 978-5-7695-4741-6.

40. Lin, H.N., Chang, С.S., Tsong, T.T. Generation of nanometer holes at Pt surfaces in air and a nonconducting liquid with the scanning tunneling microscope. J.Appl.Phys. - Vol.77(6). - 1995. -P.2825-2827.

41. Wada, Y. Atom electronics: a proposal of atom/molecule switching devices. Surf. Sci. - 386. - 1997. - P. 265-278.

42. Matsumoto, K., Ishii, M., Segawa, K. Application of scanning tunneling microscopy nanofabrication process to single electron transistor. J.Vac.Sci.Technol. -B14(2). - 1996. - P.1331- 1335.

43. Bonnell, D.A. Scanning tunneling microscopy and spectroscopy of oxide surfaces. Prog, in Surf. Science, Vol. - №57(3). - 1998. - P. 187-252.

44. Николаевский, А. В. Сканирующая зондовая микроскопия в исследовании поверхностной структуры наноматериалов / Г. Г. Бондаренко, Б. Г. Львов, А. В. Николаевский // Методическое пособие для проведения семинарского занятия с элементами инженерного тренинга / Подготовлено для 1-й Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по тематическому направлению деятельности национальной нанотехнологической сети "Функциональные наноматериалы для космической техники". - М.: МИЭМ, 2010.

45. Matrix-Assisted Dip-Pen Nanolithography and Polymer Pen Lithography / Ling Huang [et al] // Small Journal. - 2010. - Vol. 6, № 10. - P. 1077-1081.

46. Дорофеев, И. А., Косыев, В.Я. Туннельный контакт под действием импульса напряжения наносекундной длительности. Письма в ЖТФ. - №23(17). -1997.-С. 22-27.

47. Pascual, J.I., Mendez, J., Gomez-Herrero, J., Baro, A., Binh, V.T., Garcia, N. Quantum contact in gold nanostructures by scanning tunneling microscopy. Phys.Rev.Lett. - Vol.71. -N12. - 1993.-P. 1852-1855.

48. Mendez, J., Gomez-Herrero, J., Pascual, J.I., Saenz, J.J., Soler, J.M., Baro, A.M. Diffusion of atoms on Au(lll) by the electric field gradient in scanning tunneling microscopy. J.Vac.Sci.Technol.B 14(2). - 1996. - P. 1145-1148.

49. Garcia-Martin, A., Lopez-Ciudad, Т., Torres, J.A., Caamano, A.J., Pascual, J.I., Saenz, J.J. Differential conductance in atomic-scale metallic contacts. Ultramicroscopy 73. - 2008. - P. 199-203.

50. Разработка методик формирования 2D- графитовых структур и их модификация методами сканирующей зондовой литографии : тез. докл. 14 всероссийской научно-технической конф. «Микроэлектроника и информатика-2007» / А. А. Строганов, К. В. Горшков - М. : МИЭТ, 2007. - 5 с.

51. Liu, М. Z. Nanograflting for Surface Physical Chemistry / M. Z. Liu, N. A. Amro, G. Y. Liu // Annual Review of Physical Chemistry. - 2008. - Vol. 59. - P. 367-386.

52. Фотоактивация процессов формирования наноструктур методом локального анодного окисления пленки титана / О. А. Агеев [и др.] // Известия вузов. Электроника. - 2010. - Т. 82, вып. 2. - С. 23-31.

53. Булатов, А. Н. Анодное окисление тонких пленок алюминия в атомно-силовом микроскопе / А. Н. Булатов, В.К. Неволин // Микросистемная техника. 2003.-№11.-С. 42-44.

54. Соколов, Д. В. Нанооксидирование и нанотравление n-In0,53Ga0,47As с помощью атомно-силового микроскопа / Д. В. Соколов // Научное приборостроение. - 2001. - Т. 11.-№1.-С. 15-21.

55. Martinez, Ramse's V. Nanolithography Based on the Formation and Manipulation of Nanometer-Size Organic Liquid Menisci Text. / Ramses V. Martinez, Ricardo Garcia //NanoLettrs. - 2005. - Vol. 5. - №. 6. - P. 1161-1164.

56. Обухов, И.А. О возможности применения СТМ-АСМ литографии для создания новых типов квантовых приборов / И.А. Обухов // Микросистемная техника. 2003. - №6. - С. 34-37.

57. John G. Simmons. J. Appl. Phys. - 1963. - Vol. 34. - P. 1793.

58. John G. Simmons. J. Appl. Phys. - 1963. - V. 34 238.

59. John G. Simmons. Generalized formula for the electric tunnel effect between similar electrodes separated by a thin insulting film // J. Appl. Phys. - 1963. - V. 34 1793.

60. Ландау, Jl.Д. Статистическая физика / Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц // М.: Наука. - 1976.

61. Бурштейн, Э. Туннельные явления в твёрдых телах / Э. Бурштейн, С. Лундквист // М.: Мир. - 1973.

62. NT-MDT Application Notes. Tunnel Current in MIM System // Материалы сайта http://www.ntmdt.com.

63. G. Binnig., H. Rohrer. Scanning tunneling microscopy // Helv. Phys. Acta. -1982.-V. 55 726.

64. Добрецов, JI. H. Эмиссионная электроника / Л. Н. Добрецов, М. В. Го-моюнова// М.: Наука, - 1966.

65. Fujita, D., Sheng, H.-Y., Dong, Z.-C., Nejoh, H. Nanostructure fabrication with a point contact formation between a gold tip and a Si(lll)-(7x7) surface with an ultrahigh vacuum scanning tunneling microscope. Appl.Phys.A66. - 1998. - P. 753-756.

66. Владимиров, Г.Г., Дроздов, A.B. Изменение строения поверхности в сканирующем туннельном микроскопе в результате воздействия электрического поля. Поверхность. - 1998. - №2. - С. 111-124.

67. Ohi, A., Mizutani, W., Tokumoto, H. Nanometer-scale modifications of gold surfaces by scanning tunneling microscope. J.Vac.Sci.Technol. B13(3). - 1995. - P. 1252-1256.

68. Bessho, K., Hashimoto, S. Fabricating nanoscale structures on Au surface with scanning tunneling microscope. Appl.Phys.Lett. Vol.65(17). - 1994. - P. 2142-2144.

69. Wang, C., Shang, G., Qiu, X., Bai, С. STM-studies of characteristics of the surface fabrication process using chemical and electrical methods. Appl.Phys.A68. -1999.-P. 181-185.

70. Lebreton, C., Wang, Z.Z. Nano-hole formation on gold surface using scanning tunneling microscope. Appl.Phys.A66. - 1998. - P. 777-S782.

71. Неволин, В.К., Бессольцев, В. А. Проводимость полимерных микропроводников // Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника. - 1989. - №3. - С. 58-59.

72. Fowler, R.N. Electron emission in intense electric fields / R.N. Fowler, L.W. Nordheim // Proc. R. Soc. London, Ser.A. - 1928. - Vol. 119. - P. 173.

73. Салаев, B.A. Наноразмерные эффекты в полевой эмиссии электронов ультратонкими металлическими пленками // Компьютерная оптика - 2010. -Т.З, №4 - С. 531-537.

74. Неволин, В. К. Зондовые нанотехнологии в электронике / В. К. Неволин. - М.: Техносфера, 2006. - 159 с. - ISBN 5-94836-098-9.

75. Владимиров, Г.Г., Дроздов, A.B., Резанов, А.Н. Влияние физико-химических свойств материала острия на модификацию поверхности импульсом напряжения в сканирующем туннельном микроскопе. Письма в ЖТФ. - Т. 26(9).- 2000. -С.36-40.

76. Владимиров, Г.Г., Дроздов, A.B., Резанов, А.Н. Зависимость модификации золота импульсом напряжения в сканирующем туннельном микроскопе от материала острия. Материалы Всероссийского совещания "Зондовая микроско-пия-2000". Нижний Новгород: Ин-т физики микроструктур РАН. -2000. - С.56-62.

77. Дорофеев, И. А. Энергобаланс в системе игла-образец туннельного микроскопа в режиме модификации поверхности / И. А. Дорофеев // Журнал технической физики. - 1997. - Т. 67, №11.

78. Дорофеев, И. А. Динамика туннельного контакта при импульсном повышении напряжения между иглой и образцом в туннельном микроскопе / И. А. Дорофеев, В. Я. Косыев, А. А. Петрухин // Журнал технической физики. - 1997. - Т. 68, № 2.

79. Николаевский, A.B. Исследование процессов электрополевого воздействия туннельного зазора на поверхность металлизированных тонких пленок / Б. Г. Львов, А. В. Николаевский // Вакуумная техника и технология. - 2011. - Т. 21, № 2. - С. 113-114.

80. Николаевский, A.B. Анализ методов сканирующей зондовой микроскопии на примере топографии поверхности тонких пленок РТ и AU // Научно-исследовательская конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов МИЭМ. Тезисы докладов. - М.~:МИЭМ, 2007. - 469 с.

81. Николаевский, A.B. Патент на полезную модель № 72796 Российская Федерация, МПК7 Н02НЗ/00. Устройство локального измерения температуры поверхности / Е. Н. Ивашов, В. И. Кузькин, А. В. Николаевский; заявитель и патентообладатель МИЭМ. Москва.; заявл. 13.12.2007; опубл. 27.04.2008. Бюл. № 19.

82. Новиков, Ю.А., Озерин, Ю.В., Плотников, Ю.И., Раков, A.B., Тодуа, П.А. Нанометрология линейных измерений в атомно-силовой микроскопии // Труды института общей физики им. A.M. Прохорова. - 2006. - Т. 62. - С. 121-144.

83. Николаевский, A.B. Ограничения сканирующей зондовой микроскопии при исследовании поверхностных наноструктур // Тез. докл. 1-ой всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по тематическому направлению деятельности национальной нанотехнологической сети «Функциональные наноматериалы для космической техники». - М.: МИЭМ, 2010.

84. Галлямов, М. О., Яминский, И. В. Сканирующая зондовая микроскопия: основные принципы, анализ искажающих эффектов. Материалы сайта http://spm.genebee.msu.ru.

85. Волк, Ч.П., Горнев, Е.С., Календин, В.В., Ларионов, Ю.В., Морозов, В.А., Новиков, Ю.А., Озерин, Ю.В., Раков, A.B., Черняков, В.Н. Универсальная линейная мера для растровой электронной и атомно-силовой микроскопии // Электрон, промышленность. — 2000. - № 3. - С. 60—64.

86. Волк, Ч.П., Горнев, Е.С., Новиков, Ю.А., Озерин, Ю.В., Плотников, Ю.И., Прохоров, A.M., Раков, A.B. Линейная мера микронного, субмикронного и на-нометрового диапазонов для измерений размеров элементов СБИС на растровых электронных и атомно-силовых микроскопах // Микроэлектроника. - 2002. -Т. 31, №4.-С. 243-262.

87. Галлямов, М. О. Сканирующая зондовая микроскопия нуклеиновых кислот и тонких органических пленок. Дис. канд. физ.-мат. наук, МГУ им. М.В.Ломоносова, — М., 1999. — 227с.

88. Николаевский, А. В. Исследование геометрических свойств рельефа поверхности методами сканирующей зондовой микроскопии / А. В. Николаевский // Тезисы докладов "Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов МИЭМ". - М.:МИЭМ, 2010. - С. 328.

89. Mc.Cord, M.A., Kern, D.P., Chang, T.H.P. Direct writing of submicron metallic features with STM. // J. Vac. Sei. Technol. B. - 1988. - V.6, №6. - P.1877-1880.

90. Villarubia, J.S.// J. Res. Nat. Stand. Technol. 1997. V. 102. P. 425.

91. Николаевский, А. В. Исследование качества изображения рельефа поверхности тестового образца в зависимости от параметров сканирования в СТМ режиме микроскопа СММ-2000 / В. И. Кузькин, Б. Г. Львов, А. В. Николаевский // Методические указания к лабораторной работе по курсу "Устройства и элементы наномеханики". - М.: МИЭМ, 2008.

92. Николаевский, А. В. Обработка и анализ изображений в сканирующем зондовом микроскопе СММ-2000 / В. И. Кузькин, Б. Г. Львов, А. В. Николаевский // Методические указания к лабораторной работе по курсу "Устройства и элементы наномеханики". - М.: МИЭМ, 2008.

93. Николаевский, A.B. Анализ методов сканирующей зондовой микроскопии на примере топографии поверхности тонких пленок РТ и AU // Научно-исследовательская конференция студентов, аспирантов и молодыз специалистов МИЭМ. Тезисы докладов. - М.~:МИЭМ, 2007. - 469 с.

94. Handbook of Micro/Nanotribology / Ed. by Bhushan Bharat. - 2d ed. -Boca Raton etc.: CRC press, 1999. - 859 с.

95. Николаевский, А. В. Влияние воздушного адсорбата на достоверность изображения поверхности тонких металлизированных пленок в сканирующей туннельной микроскопии / А. В. Николаевский // Тезисы докладов "Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов МИЭМ". - М.:МИЭМ, 2012. - С. 259.

96. Николаевский, A.B., Кузькин, В.И., Львов, Б.Г. Локальная модификация поверхности тонкой пленки платины методом сканирующей туннельной микроскопии // Мат. науч.-техн. конфер."Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов" — М.~: МИСиС, 2009.

97. Дорофеев, И. А. Энергобаланс в системе игла-образец туннельного мик-

роскопа в режиме модификации поверхности / И. А. Дорофеев // Журнал технической физики. - 1997. - Т. 67, № 11. - С. 70-76.

98. Корнилов, В. М. К вопросу о модификации поверхности кремния при ее исследовании методом сканирующей туннельной микроскопии / В. М. Корнилов, А. Н. Лачинов // Физика и техника полупроводников. - 2003. - Т. 37, № 3. -С. 323-327.

99. Николаевский, A.B. Получение монокристаллов натрий-ванадиевых бронз и исследование их физико-химических и эмиссионно-геттерных характеристик / Е. Э. Дунаева, Л. И. Ивлева, Б. А. Логинов, А. В. Николаевский, В. В. Осико, В. С. Петров, Н. Н. Степарева // Российские нанотехнологии - 2011. - Т. 6,№> 5-6.-С. 115-120.

100. Николаевский, А. В. Локальная модификация поверхности методом сканирующей туннельной микроскопии / В. И. Кузькин, Б. Г. Львов, А. В. Николаевский // Матер, межд. науч.-техн. конф. "Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наномате-риалов ". - М.: МГИУ, 2009. - С. 846-853.

101. Николаевский, А. В. Локальное изменение рельефа поверхности при модификации импульсом напряжения в сканирующем туннельном микроскопе / А. В. Николаевский // Тезисы докладов 2-ой всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по тематическому направлению деятельности национальной нанотехнологической сети "Функциональные нанома-териалы для космической техники". - М.:МИЭМ, 2011.- С. 164-167.

102. Николаевский, A.B. Экспериментальное исследование процессов формирования поверхностных структур методом сканирующей зондовой микроскопии // Тез. докл. "Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов МИЭМ". - М.: МИЭМ, 2011. - С. 356.

103. Николаевский, A.B., Львов, Б.Г. Исследование формирования наноструктур на поверхности тонких пленок Pt методом сканирующей туннельной микроскопии // Труды 2 всероссийской научной школы для молодежи "Концентри-

рованные потоки энергии в индустрии наносистем, материалов и живых систем". - М.: МИЭМ, 2009. - С. 243-250.

104. Николаевский, А.В. Бесконтактное формирование нанорельефа поверхности методом сканирующей туннельной микроскопии // Современные наукоемкие технологии. - 2010. - №8. - С. 104-106.

105. Eiichi Mine and Masayuki Shirai Preparation of Ordered Macroporous Platinum Metal Particles. // e-J. Surf. Sci. Nanotech. - 2006. v. 4, p. 451-453.

106. Hyunjoo Lee, Susan E. Habas, Sasha Kweskin, Derek Butcher, Gabor A. Somorjai, and Peidong Yang Morphological Control of Catalytically Active Platinum Nanocrystals. // Angew. Chem. Int. Ed. - 2006. 45,p. 7824 -7828.

107. Николаевский, А.В. Туннельно-зондовая технология формирования поверхностных структур нанометрового диапазона // Тез. докл. VI Всероссийской конференции с элементами научной школы для молодежи «Всероссийская научно-инновационная конференция студентов, аспирантов, молодых ученых». -М.: РГУИТП, 2010.

108. Неволин, В.К. Пластическая нанодеформация образцов в туннельном микроскопе. // Письма в ЖТФ. - 1988. - Т.14, №16. - С. 1458-1460.

109. Mc.Cord, М.А., Kern, D.P., Chang, Т.Н.Р. Direct writing of submicron metallic features with STM. // J. Vac. Sci. Technol. B. - 1988. v.6, №6, p.1877-1880.

110. Николаевский, A.B., Львов, Б.Г. Применение сканирующей туннельной микроскопии для повышения каталитической активности тонких пленок платины // Тез. докл. международной науч.-техн. конф. «Перспективные инновации в науке, образовании, производстве и транспорте 2010». - Одесса, 2010. -С. 215-219.

ПРИЛОЖЕНИЕ 1. АКТЫ ВНЕДРЕНИЯ

УТВЕРЖДАЮ

АКТ

об использовании результатов диссертацинной работы Николаевского A.B. на тему «Экспериментальное исследование бесконтактного формирования

поверхностных наноструктур методом сканирующей туннельной микроскопии» в учебном процессе Московского государственного института электроники и математики (Технического университета)

Мы, нижеподписавшиеся, декан факультета электроники, зав. кафедрой «Технологические системы электроники» (ТСЭ), д.т.н., профессор Львов Б.Г., профессор кафедры ТСЭ, д.т.н., профессор Ивашов E.H., составили настоящий акт в том, что результаты диссертационной работы Николаевского A.B. внедрены в учебный процесс на кафедре «Технологические системы электроники» и используются при чтении курсов лекций и проведении лабораторных работ по дисциплинам «Технология материалов и изделий электронной техники» и «Устройства и элементы наномеханики».

Декан факультета электроники зав.кафедрой «Технологические системы электроники», д.т.н., профессор

Б.Г. Львов

Профессор кафедры «Технологические системы электроники», д.т.н., профессор

E.H. Ивашов

МИНОБРПЛУКИ РОССИИ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДА1(ТВЕНИОЕ БЮДЖЕТНОЙ НАУЧНОЕ

НИИ ПЕРСПЕКТИВНЫХ МАТЕРИАЛОВ И ТЕХНОЛОГИЙ

___СФГВНУ«НИИПМТ») : __

115054, г.Москса, ух К1.Пионерская, 12, тел. [phone], факс {499} 235-j6-5b, e-mail: ¡nfoiwniiomtru ami 1027739914025, ОКВЭД 73.10, ОКП041103195, OKATÜ 45286560000

Исх. MJj[ 4_________от 44.05. Ml,

HaM___от..............................20_г.

АКТ ВНЕДРЕНИЯ

результатов диссертацинной работы Николаевского A.B.

«Экспериментальное исследование бесконтактного формирования поверхностных наноструктур методом сканирующей туннельной микроскопии»

Работа соискателя ученой степени кандидата технических наук Николаевского A.B. посвящена важной проблеме управляемого формирования поверхностных наноструктур методом сканирующей туннельной микроскопии. Одним из результатов исследований в диссертационной работе является методика бесконтактной управляемой модификации поверхности тонких металлических пленок. Данная методика представляет собой формирование поверхностных структур нанометрового диапазона заданной размерности и геометрии и является полезной для технологии создания элементов изделий и оборудования электронной техники.

Нашим институтом методика была использована при проведении научно-исследовательских работ «Исследование структурных изменений в волокнистых органических материалах космических аппаратов под действием потока атомарного кислорода», «Исследование воздействия импульсного лазерного излучения на характеристики оптически прозрачных материалов» в части формирования поверхностных структур и их исследования методами сканирующей туннельной и атомно-силовой микроскопии.

Внедрение данной методики позволило сократить сроки проведения научно-исследовательских работ и получить дополнительную информацию о свойствах поверхности исследуемых материалов.

V

Директор

фбгнушиип^т»,.; : flffl^

к.т.н. ч - - С 1 С.Ю. Шахбазов

W г "

"ЧЛ, V * !;•,:.< •

\т I ■ м. г - ^ w-

•(К • м «.it.,f < oes ли ¡-с fu «v i s •■ <■ ,f

«Нз1¥чно-исследо8ательс , n» £ >1 vni.pt* § ick« {«шик» л м <|м , л. • <> > ч п f отельной техники»

(<»« ■> v '.нии vi uü? !>., »•>ruü.vn . i \t «чин* s«или nep, i Wot-uw, J* Те t фа кг i -f,5 [ ->!kii] <ii'4)tu/mit4n i-d'« IU

04!O'Hi ,.1 Ml i('27"t.< 4 !') ИЧ11 k'Hi —<«tnl<4U s JO"

<■'<:. FofZ- Hl ^

от

AKT

об использовании результатов диссертацинной работы Николаевского A.B.

«Экспериментальное исследование бесконтактного формирования поверхностных наноструктур методом сканирующей туннельной микроскопии»

Настоящий акт составлен в том, что материалы научных исследований Николаевского A.B. по бесконтактному формированию поверхностных наноструктур методом сканирующей туннельной микроскопии внедрены в практику разработки микро- и нанообъектов для микроэлектронной и информационно-измерительной техники. Внедрение результатов диссертационной работы в части исследования и бесконтактной управляемой модификации поверхности тонких металлических пленок позволяет повысить эффективность опытно-конструкторских и технологических разработок.

ПРИЛОЖЕНИЕ 2. ПАТЕНТ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ

Ж

'т":

гс

■у ;

2" й;

•Зг

■Й!

гй

ИЛ ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ

№ 72796

УСТРОЙСТВО ЛОКАЛЬНОГО ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ ПОВЕРХНОСТИ

Иатентообладатель(ли): Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт электроники и математики (технический университет)" (Ш1)

Автор(ы); см. на обороте

№2007146179

Приоритет полезной модели 13 декабря 2007 г» Зарегистрировано в Государственном реестре полезных моделей Российской Федерации 27 апреля 2008 г.

Срок действия патента истекает 13 декабря 2017 г.

Руководитель Федеральной службы по интеллектуалышй собственности, патентам и товарным знакам

Б.П. Симонов

т

ш

ш

т

ш

т

ш ш т

ш

ум & -

ШШШШ Щ>

РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ

3

со СП

г-сч ь-

3

<19> ки<1, (51) МПК

Н02Н 3/00 (2006.01)

(13)

ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ, ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ

(12) ОПИСАНИЕ ПОЛЕЗНОЙ МОДЕЛИ К ПАТЕНТУ(титульный лист)

(21), (22) Заявка: 2007146179/22, 13.12.2007

(24) Дата начала отсчета срока действия патента: 13.12.2007

(45) Опубликовано: 27.04.2008 Бюл. № 12

Адрес для переписки:

109028, Москва, Б, Трехсвятительский пер., 3, МИЭМ, ком.508, отдел охраны интеллектуальной собственности, пат.пов.Т.В. Григорьевой, рег.И 34

(72) Автор(ы):

Ивашов Евгений Николаевич (Яи), Кузькин Владимир Иванович (Яи), Николаевский Анатолий Владимирович (РШ)

(73) Патенгообладатель(и):

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт электроники и математики (технический университет)" (1РШ)

(54) УСТРОЙСТВО ЛОКАЛЬНОГО ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ ПОВЕРХНОСТИ

(57) Формула полезной модели Устройство локального измерения температуры поверхности, содержащее зондовый узел, взаимодействующий с подложкой, отличающееся тем, что устройство дополнительно снабжено тепловой трубой, узлом подачи хладагента, усилителем сигналов и блоком измерения, при этом тепловая труба соединена с зондовым узлом и с узлом подачи хладагента, подложка и зондовый узел выполнены из разноименных токопроводящих материалов и электрически связаны с усилителем сигналов и блоком измерения.

73 с:

К) -4 (О СП

X

Страница; 1