Исследование электрофизических и морфологических свойств и поверхностных явлений в гетерогенных твердотельных наноразмерных системах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Тагаченков, Александр Михайлович

• Тагаченков, Александр Михайлович
• кандидат физико-математических наук
• 2010

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Тагаченков, Александр Михайлович

Введение

Глава 1. Анализ современных и перспективных проблем создания и ^ диагностики гетерогенных твердотельных наносистем.

Введение.

1.1. Особенности функционирования энергонезависимых микросхем памяти.

1.2. Методы и аппаратура измерения электрического потенциала и ^ электрофизических параметров микроэлектронных структур.

1.2.1. Электронно-зондовая и ИК- эмиссионная микроскопия.

1.2.2. Контактное микрозондовое тестирование.

1.2.3. Сканирующая зондовая микроскопия.

1.2.3.1. Сканирующая туннельная микроскопия.

1.2.3.2. Электростатическая силовая микроскопия.

1.2.3.3. Микроскопия сканирования емкости.

1.2.3.4. Сканирующие зондовые микроскопы.

Глава 2. Прецизионные сканирующие ионно - лучевые технологии.

Введение.

2.1. Нанотехнологический комплекс на основе электронно-ионного 31 сканирующего микроскопа.

2.1.1. Электронно-ионный сканирующий микроскоп Nova 600 NanoLab.

2.1.2. Создание кросс-секций.

2.1.3. Высокоселективное ионно-стимулированное осаждение и травление 37 материалов с использованием газовой инжекционной системы.

2.1.3.1. Особенности использования газовой инжекционной системы.

2.1.3.2. Процесс осаждения платины (Pt).

2.1.3.3. Процесс осаждения диэлектрика (TEOS).

2.1.3.4. Процесс ускоренного травления материалов (ЕЕ).

2.1.3.5. Процесс селективного травления материалов в среде XeF2 (IEE).

2.1.3.6. Создание диагностических контактов на коммутационных ^ токопроводящих шинах.

2.1.3.7. Создание мембран в локальных областях полупроводниковой структуры ^ кристалла для «тонкого» структурного анализа методом сканирующей трансмиссионной электронной микроскопии.

2.2. Технологическая подготовка интегральных микросхем для проведения ^ исследований методами атомно-силовой микроскопии.

2.2.1. Декапсуляция кристаллов интегральных микросхем для анализа с ^ верхней стороны кристалла.

2.2.1.1. Рентгеновская интроскопия корпусов интегральных микросхем.

2.2.1.2. Методика локального декапсулирования кристалла интегральной микросхемы.

2.2.2. Подготовка образцов для зондовых исследований с нижней стороны ^ кристаллов

2.2.2.1. Механическая обработка.

2.2.2.2. Селективная химическая полировка.

2.2.2.3. Химическая чистка поверхности.

Глава 3. Методы атомно-зондового контроля электрофизических и морфологических свойств гетерогенных твердотельных систем 59 (интегральные микросхемы).

3.1. Сканирующая зондовая микроскопия.

3.1.1. Контактная атомно-силовая микроскопия.

3.1.2. Колебательные методики атомно-силовой микроскопии.

3.1.3. «Полуконтактный» метод атомно-силовой микроскопии.

3.1.4. Микроскопия электростатических сил.

3.2. Взаимодействие зонда и образца при приложении напряжения.

3.3. Методики измерения электрического потенциала с помощью 72 сканирующей зондовой микроскопии.

Глава 4. Экспериментальные исследования электрофизических и морфологических свойств гетерогенных твердотельных наносистем 80 (сверхбольшие интегральные схемы).

4.1. Аппаратно-программный комплекс на базе сканирующего зондового микроскопа (СЗМ) для исследований электрофизических и морфологических свойств гетерогенных твердотельных наноразмерных систем.

4.2. Экспериментальные исследования пространственного, временного разрешения и чувствительности при измерении электрического потенциала на поверхности гетерогенных твердотельных объектов.

4.2.1. Тестовые структуры.

4.2.2. Калибровка измерительной системы.

4.2.3. Оценка пространственного разрешения метода МЗК.

4.2.4. Оценка временного разрешения методов ЭСМ и МЗК.

4.2.5. Оценка чувствительности измерений электрического потенциала на поверхности гетерогенных объектов методов ЭСМ и МЗК.

4.3. Экспериментальные исследования пространственного распределения концентрации электрически активных примесей в полупроводниковых областях кристаллов.

4.4. Исследования логических состояний энергонезависимой памяти с помощью аппаратно- программного комплекса методами СЗМ.

4.4.1. Экспериментальные исследования логических состояний ячеек памяти интегральной микросхемы Рю12С508а.

4.4.2. Экспериментальные исследования логических состояний ячеек памяти 98 интегральной микросхемы Рю16Б84а.

4.4.3. Оценка возможности использования разрушающих (обратная сторона кристалла) методов сверхлокального контроля функциональных 112 областей памяти.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование электрофизических и морфологических свойств и поверхностных явлений в гетерогенных твердотельных наноразмерных системах»

Актуальность темы.

Современный этап развития физики конденсированных сред характеризуется устойчивым ускорением в проведении фундаментальных и прикладных исследований свойств гетерогенных твердотельных наносистем, наноматериалов и сложных объектов различного назначения, созданных на их основе.

Характерные размеры элементарных объектов и областей их взаимодействия присущие внутреннему строению наноразмерных систем находятся в диапазоне ~ 1-И 00 нм, поэтому применение большинства хорошо известных физических методов исследований оказываются малопригодными. Последнее обстоятельство приводит к необходимости создания принципиально новых и адаптации существующих экспериментальных методов изучения физических явлений.

Среди разнообразных и многоплановых проблем создания и аналитической диагностики современных наноматериалов и наноустройств на основе кремния особое место занимают физико-химические аспекты изучения объектов современной микроэлектроники. К таковым относятся сверхбольшие интегральные схемы, являющиеся на сегодня основой большинства информационных систем. В связи с этим возрастают требования как к технологическому оборудованию и способам интегрально-группового производства сверхбольших интегральных схем с наноразмерными проектными нормами, так и к методам контроля изделий на стадии разработки, проведения испытаний на надежность, а в ряде случаев и на оценке степени обеспечения информационной безопасности. Это связано не только со сверхмалыми геометрическими параметрами базовых активных элементов, но и с конструктивной сложностью изделий наноэлектроники, представляющих собой многослойные наноразмерные гетерогенные твердотельные системы, использующие, как правило, низкие рабочие напряжения, высокие частоты функционирования при чрезвычайно высокой «чувствительности» к процессу измерений параметров.

Особое место в структуре сверхбольших интегральных микросхем занимают микросхемы памяти, реализованные по «металл-оксид-полупроводник» технологии и широко применяющиеся в системах телеметрического контроля объектов космического, воздушного, морского и наземного базирования как гражданского, так и специального назначения. В случае разрушающих воздействий внешней среды (механические нагрузки, ионизирующее излучение, высокие температуры, химически агрессивные среды) единственным носителем информации об особенностях функционирования в экстремальных условиях всего комплекса исполнительных систем объекта служат микросхемы памяти. При этом нарушение внутрикристальных коммутационных связей между отдельными функциональньши областями исключает непосредственное электрическое тестирование данных устройств существующими штатными средствами. Однако особенности физической реализации элементарных ячеек памяти позволяют с определенной вероятностью хранить, записанную в них информацию в двоичном представлении. В связи с этим актуальной становится разработка технических средств, технологических процессов и соответствующих методов неразрушающей и разрушающей диагностики кристаллов микросхем памяти с целью анализа физического состояния ячеек памяти.

Исходя из ранее указанных особенностей объектов исследований, настоящая работа направлена на создание комплекса аппаратных средств и высокоразрешающих методов диагностики электрофизических и морфологических свойств интегральных микросхем, основанных на применении остросфокусированпого 7 нм) ионного зонда и сканирующей зондовой микроскопии. Ионно-зондовые методы обеспечивают наноразмерное, прецизионное избирательное (при использовании ионно-стимулированных химических реакций) препарирование гетерогенных твердотельных объектов, в то время как атомно-зондовые методы с большим пространственным разрешением дают возможность не только наблюдать объект, но и осуществлять бесконтактным неразрушающим способом количественный контроль электрофизических и электрических параметров сверхбольших интегральных микросхем.

Несмотря на то, что современные сканирующие зондовые микроскопы оснащены достаточно большим набором измерительных режимов, их практическое применение выявило ряд недостатков, ограничивающих возможности их эффективного использования для решения поставленной задачи. Большинство методик применяется только на «идеальных» со структурно-морфологической точки зрения образцах. Предоставляемая информация часто трудно интерпретируема из-за зависимости результатов сразу от нескольких свойств образца. Вследствие чего потребовалось создание тестовых образцов с известными физическими свойствами и проведение комплекса измерений, что позволило осуществить калибровку аппаратных средств и с высокой достоверностью интерпретировать результаты исследований.

В данной работе в качестве объектов исследований были выбраны современные серийные образцы интегральных микросхем широко применяемых в информационных системах.

Цель работы.

Целью диссертационной работы являлась разработка физико-технологических основ комплекса аппаратных средств и высокоразрешающих методов диагностики электрофизических и морфологических свойств интегральных микросхем, изготовленных по субмикронным и наноразмерным проектным нормам, основанных на применении остросфо-кусированного (~ 7 нм) ионного зонда и сканирующей зондовой микроскопии.

В соответствии с указанной целью в работе решались следующие задачи:

1. Проведение комплексных исследований по разработке методов нано-размерного ионно-зондового препарирования кристаллов кремниевых интегральных микросхем, основанных на сверхлокальных процессах:

- ионного распыления материалов под действием остросфокусированного ионного пучка при высоких ускоряющих напряжениях;

- избирательного травления и осаждения материалов с использованием активации остросфокусированным ионным пучком газовых реагентов, т.е. с помощью ионно-стимулированных химических реакций.

2. Разработка методов сверхлокального контроля распределения электрически активных примесей в субмикронных и наноразмерных полупроводниковых областях кристаллов интегральных микросхем, основанных на сочетании процессов локального ионно-зондового препарирования и атомно-зондовых измерений концентрации электрически активных примесей.

3. Разработка неразрушающих (верхняя сторона кристалла) и разрушающих (обратная сторона кристалла) методов сверхлокального контроля электрического потенциала функциональных областей (электрически программируемые и электрически перепрограммируемые запоминающие устройства) кристаллов интегральных микросхем, основанных на проведении электрических измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа в электростатической моде и в режиме зонда Кельвина.

Научная новизна.

Предложен комплекс взаимно скоррелированных сверхлокальных физико-технологических методов и аппаратных средств, основанных на применении остросфокусированного (~ 7 нм) ионного и атомного силового зондов для решения задач препарирования и тестирования кристаллов сверхбольших интегральных микросхем с целью контроля их морфологических, электрофизических и электрических параметров при проведении работ, связанных с обеспечением надежности, информационной безопасности, восстановления телеметрической информации «черных ящиков» в условиях перехода к элементной базе с субмикронными и наноразмерными проектными нормами, включая:

- сверхлокальное (разрешение не хуже 50 нм) ионно-лучевое и ионно-стимулированное химическое травление кремния, поликристаллического кремния, диоксида и нитрида кремния, нитридов тугоплавких металлов и металлических композиций;

- сверхлокальное (разрешение не хуже 50 нм) ионно-стимулированное химическое осаждение диэлектрических и металлических материалов на кремниевую подложку;

- сверхлокальный (разрешение не хуже 10 нм) контроль распределения электрически активных примесей (в диапазоне 1015 -1019 см"3) в субмикронных и наноразмер-ных полупроводниковых областях кристаллов интегральных микросхем;

- сверхлокальный (до 10 нм) контроль распределения электрического потенциала (чувствительность не хуже 100 мВ) на поверхности функциональных областей кристаллов интегральных микросхем, в том числе, при сохранении ее работоспособности.

Научная и практическая ценность.

1. Предложена и реализована методика прецизионного локального препарирования сверхбольших интегральных микросхем с помощью остросфокусированного ионного пучка, включающая рекомендации по обеспечению сверхлокальности и избирательности травления отдельных материалов в составе многослойной композиции (до 9 слоев коммутации).

2. Предложен и реализован метод контроля распределения электрически активных примесей в субмикронных и наноразмерных структурообразующих полупроводниковых областях сверхбольших интегральных микросхем в диапазоне концентрации 1015-1019 см"3 с пространственным разрешением не хуже 10 нм, основанный на нетрадиционной методике:

- создания сверхлокального косого шлифа ионно-лучевым травлением кристалла под малым углом к поверхности;

- применения атомно-зондового сканирования во вскрытой области по глубине в режиме емкостной моды.

3. Предложены и реализованы методики сверхлокального контроля электрического потенциала в функциональных областях (электрически программируемые и электрически перепрограммируемые запоминающие устройства) кристаллов сверхбольших интегральных микросхем с помощью сканирующего зондового микроскопа волектростатической моде или при использовании метода зонда Кельвина с пространственным разрешением до 10 нм и чувствительностью не хуже 100 мВ, в том числе:

- через защитные изолирующие диэлектрические слои без препарирования и нарушения функционирования кристаллов (верхняя сторона); через тонкит окисел, вскрытый локальным селективным травлением подложек кремния.

4. Результаты диссертационной работы использованы при выполнении научно-исследовательских работ.

Основные положения, вынесенные на защиту.

1. Предложена и реализована методика прецизионного препарирования гетерогенных твердотельных наноразмерных систем (сверхбольших интегральных микросхем) с помощью остросфокусированного ионного пучка и ионно-стимулированных химических реакций, обеспечивающая сверхлокальность, избирательность травления и осаждения отдельных материалов в составе многослойной композиции структурообразующих слоев.

2. Показано, что для контроля распределения электрически активных примесей в субмикронных и наноразмерных структурообразующих полупроводниковых областях сверхбольших интегральных микросхем эффективной является методика, основанная на сочетании процессов создания локального косого шлифа под малым углом к поверхности кристалла остросфокусированным ионным пучком и последующего атомно-зондового сканирования вскрытой вглубь кристалла области в режиме емкостной моды.

3. Экспериментально установлено, что для обеспечения локального контроля электрического потенциала в функциональных полупроводниковых областях (электрически программируемые и электрически перепрограммируемые запоминающие устройства) кристаллов сверхбольших интегральных микросхем эффективна методика, основанная на проведении электрических измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа в электростатической моде или при использовании метода зонда Кельвина

Апробация работы.

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на российских и международных конференциях и симпозиумах:

III Международная научная конференция «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии», 14-19 сентября 2003 г., Кисловодск. Ставрополь: СевКавГТУ,

Ежегодный научно- технический семинар «Вакуумная техника и технология», 1-3 июня 2004, Санкт-Петербург, IV Международная научная конференция «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии», 19-24 сентября 2004 г., г. Кисловодск, IX международная научно-техническая конференция «Актуальные проблемы твердотельной электроники», Дивноморское, Россия, 12-17 сентября 2004 г., IX международная научно-техническая конференция «Актуальные проблемы твердотельной электроники», Дивно-морское, Россия, 12-17 сентября 2004.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Тагаченков, Александр Михайлович

выводы

1. Создан комплекс взаимно скоррелированных сверхлокальных физико-технологических методов и аппаратных средств, позволяющих осуществлять:

- сверхлокальное (разрешение не хуже 50 нм) ионно-лучевое и ионно-стимулированное химическое травление кремния, поликристаллического кремния, диоксида и нитрида кремния, нитридов тугоплавких металлов и металлических композиций;

- сверхлокальное (разрешение не хуже 50 нм) ионно-стимулированное химическое осаждение диэлектрических и металлических материалов на кремниевую подложку;

- сверхлокальный (разрешение не хуже 10 нм) контроль распределения электрически активных примесей (в диапазоне 1015 -1019 см"3) в субмикронных и наноразмерных полупроводниковых областях кристаллов интегральных микросхем;

- сверхлокальный (до 10 нм) контроль распределения электрического потенциала (чувствительность не хуже 100 мВ) на поверхности функциональных областей кристаллов интегральных микросхем, в том числе, при сохранении ее работоспособности.

2. Предложена и реализована методика прецизионного локального препарирования гетерогенных твердотельных нано-размерных систем (сверхбольших интегральных микросхем) с помощью остросфокусированного ионного пучка и ионно-стимулированных химических реакций.

3. Показано, что для обеспечения локального контроля электрического потенциала в функциональных полупроводниковых областях кристаллов сверхбольших интегральных микросхем, оптимальной является методика, основанная на проведении электрических измерений с помощью сканирующего зондового микроскопа в электростатической моде или при использовании метода зонда Кельвина.

4. С использованием комплекса разработанных прецизионных методик ионного препарирования и атомно-зондового контроля получены:

- распределения концентрации электрически активных примесей в субмикронных каналах полевых транзисторов,

- распределения электрического потенциала в функциональных областях кристаллов сверхбольших интегральных микросхем как через защитные изолирующие диэлектрические слои без препарирования и нарушения функционирования кристаллов, так и через тонкий окисел, вскрытый локальным селективным травлением подложек кремния.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Тагаченков, Александр Михайлович, 2010 год

1. Chou S., Krauss P., Zhang W. et al. Sub-10 nm imprint lithography and applications // J. Vac. Sci. Technol. 1997. В 15(6). P. 2897-2904.

2. Carcenac F., Vieu C., Lebib A. et al. Fabrication of high density nanostructures gratings (>500 Gbit/in?) used as molds for nanoimprint lithography // Microelectronic Engineering. 2000. V. 53. P. 163-166.

3. Гурович Б.А., Долгий Д.И., Кулешова E.A., Велихов Е.П. и др. USA Patents № 6.218.278 № 6.004.726 priority 05/22/98.

4. Гурович Б.А., Долгий Д.И., Кулешова Е.А., Велихов Е.П. и др. Управляемая трансформация электрических, магнитных и оптических свойств материалов ионными пучками // Успехи физических наук. 2000. Т. 44. № 1.

5. Gurovich В, Dolgii D., Meilikhov Е., Kuleshova Е. New Technique for Producing Patterned Magnetic Media // Intermag Europe 2002 (Amsterdam, April-May, 2002). Digest FPIO.

6. Gurovich B.A., Dolgy D.I., Kuleshova E.A., Meilikhov E.Z. et al. Selective Removal of Atoms as a New Method for Fabrication of Nanoscale Patterned Media // Special issue of Microelectronic Engineering. To be published.

7. Валиев K.A., Горбацевич A.A., Кривоспицкий А.Д. и др. Способ изготовления полупроводникового прибора с Т-образным управляющим электродом субмикронной толщины. ФТИАН. Патент РФ №2192069.10.07.2000.

8. Krivospitsky A.D., Okshin A.A., Orlikovsky А.А., Semin Yu.F. Submicron structures formation with the help of usual photolithography and self-formation method // Proc. of 1PT RAS. Ed. By A.A. Orlikovsky. 2000. V. 16. P. 71-83.

9. Т. Сугано, Т. Икома, Ё. Такэиси. Введение в микроэлектронику.

10. User's manual. Reactive ion etcher Nextral 100.

11. Integrated circuit engineering corporation. ROM, EPROM, & EEPROM technology.

12. Nova 600 NanoLab Manual Set. FEI Company. 2005.

13. Bharat Bhushan, Harald Fuchs, Masahiko Tomitori (Editors) Applied Scanning Probe Methods VIII: Scanning Probe Microscopy Techniques (NanoScience and Technology), Springer; -465 pp, 2008).

14. Binning, G. Scanning tunneling microscopy: from birth to adolescence / G. Binning, H. Rohrer // Rev. Mod. Phys. 1987. V. P. 615; УФН. 1988. T. 154. C. 261.

15. Paolo Samori (Editor)Scanning Probe Microscopies Beyond Imaging: Manipulation of Molecules and Nanostructures, Wiley-VCH; 570 pp., 2006.

16. Рыков, С.А. Сканирующая зондовая микроскопия полупроводниковых материалов и наноструктур / Под ред. А.Я. Шика. СПб.: Наука, 2000.

17. Binning, G. Atomic Force Microscope / G.Binning, C.F. Quate, C. Gerber // Phys. Rev. Lett. 1986. V. 56. P. 930-933.

18. Арутюнов, П.А. Атомно-силовая микроскопия в задачах проектирования приборов микро- и наноэлектроники. Часть 1 / П.А. Арутюнов, A.JI. Толстихина. // Микроэлектроника. 1999. Т. 28. №6, с. 405-414.

19. Giessible, F.J. Atomic force microscopy in ultrahigh vacuum / F.J. Giessible // Jpn. J. Appl. Phys. 1994. V. 33. Pt. 1. № 6B. P. 3726-3734.

20. Matey, J.R. Scanning Capacitance Microscopy / J.R. Matey, J. Blanc. // J. Appl. Phys. 1985. V. 57, №5, p. 1437-1444.

21. Use of scanning capacitance microscopy for controlling wafer processing / O. Jeandupeux, Y. Marsico, A. Acovic, P. Fazan, H. Brune, K. Kem. // Microelectronics Reliability 2002. У. 42, p. 225-231.

22. Electric Force Microscopy, Surface Potential Imaging, and Surface Electric Modificacion with the Atomic Force Microscope (AFM) / F. M. Serry, K. Kjoller, .T.T. Thornton, R.J. Tench, D. Cook. // Digital Instruments.

23. Hong, J.W. Measurement of hardness, surface potential, and charge distribution with dynamic contact mode electrostatic force microscope / J. W. Hong, Sang-il Park, Z. G. Khim // Review of Scientific Instruments. 1999. V. 70, №3, p.1735-1739.

24. Wisendanger. Scanning Probe Microscopy. Analytical Methods. / Wisendanger // Springer-Verlag, Berlin, 2000.

25. Основы сканирующей зондовой микроскопии. / Миронов, B.JI. / М.: Техносфера, 2004. 143 с.

26. Суслов, А.А. Сканирующая зондовая микроскопия / А.А. Суслов, С.А. Чижик // Материалы, технологии, инструменты. 1997. №3. С. 78.

27. Быков, В.А. Микромеханика для сканирующей зондовой микроскопии / В.А. Быков // Микросистемная техника. 2000. №1. С. 21.

28. Бахтизин, Р.З. Физические основы сканирующей зондовой микроскопии / Р.З. Бахтизин, P.P. Галлямов // Уфа: РИО Баш. ГУ. 2003. 82 с.

29. Anvar, M Atomic force microscopy with time resolution of microseconds / M. Anvar, I. Rousso // Applied Physics Letters. 2005. V.86. pp. 014101.

30. R. W. Carpick and M. Salmeron, Scratching the surface: Fundamental investigations of tribology with atomic force microscopy, Chemical Reviews, vol. 97, iss. 4, pp. 1163-1194 (2007).

31. Handbook of Micro/Nanotribology / Brushan B. / Boca Raton, FL: CRC Press. 1999.

32. Dedkov, G.V. Experimental and theiretical aspects of the modern nanotribology / G.V. Dedkov // Phys. Stat. Solid. 2000. V. (a) 179. №1. P.3.

33. Дедков, Г.В. Нанотрибология: экспериментальные факты и теоретические модели / Г.В. Дедков // УФН. 2000. Т. 170. №6. С.585.

34. Paredes, J.I. Adhesion artifacts in atomic force microscopy imaging / J.I. Paredes, A. Martinez-Alonso, J.M.D. Tascon // Journal of microscopy. V. 200. Pt. 2. November 2000. Pp. 109-113.

35. Force modulation imaging with atomic force microscopy // www.veeco.com.

36. Noncontact Atomic Force Microscopy, vol. 2: Seizo Morita,Franz J. Giessibl,Roland Wiesendanger, Berlin, Springer, 2008.

37. Comparison between shear force and tapping mode AFM-high resolution imaging of DNA / Massimo Antognozzi, Mark D. Szczelkun, Andrew N. Round, Mervyn J. Miles // Single Molecules. 3 (2002) 2-3. pp. 105-110.

38. True non-contact mode vs. Tapping mode // PSIA advanced AFM/SPM.

39. Визуализация заращенных наноостровков GeSi в кремниевых структурах методом атомно-силовой микроскопии / М.С. Дунаевский, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, А.Н. Титков, R. Laiho // Физика и техника полупроводников, 2003, Т. 37, вып. 6.

40. Observation and analysis of self-organized surface grain structures in silica films under nonepitaxial growth mode / N.K. Sahoo, S. Thakur, M. Senthilkumar, R.B. Tokas, N.C. Das // Vacuum. V. 77. 2004. Pp. 87-96.

41. ACM визуализация нанокристаллов Si в термическом окисле Si02 с помощью селективного травления / М.С. Дунаевский, J.J. Grob, А.Г. Забродский, R. Laiho, А.Н. Титков // Физика и техника полупроводников, 2004. Т. 38, вып. 11.

42. Applications of atomic force microscopy in epitaxial nanotechnology / D. Sheglov, S. Kosolobov, E. Rodyakina, A. Latyshev // European Microscopy and Analysis. September 2005. Pp. 5-7.

43. Журнал технической физики, 2009, том 79, стр79-85, Электростатические и ван-дер-ваальсовы силы в воздушном контакте зонда атомно-силового микроскопа с проводящей поверхностью Г.В. Дедков, 1 А.А. КанаметовД Е.Г. Дедкова 2.

44. Sorokina, K.L. Atomic force microscopy modified for studing electric properties of thin films and crystals. Review / K.L. Sorokina, A.L. Tolstikhina // Crystallography Report. 2004. vol. 49, № 3, pp. 476-499.

45. Martin, Y. High-resolution capacitance measurement and potentiometry by force microscopy / Y. Martin, D.W. Abraham, H.K. Wrickramasinghe. // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52, №13, p.l 103-1105.

46. Surface potential imaging of CNT-FET devices by scanning Kelvin probe microscopy. H Hosoil, M Nakamural, Y Yamadal, К Sueoka2, К MukasalIVC-17/ICSS-13 and ICN+T2007 Journal of Physics: Conference Series 100 (2008) 052085.

47. Атомно-силовая микроскопия электростатических сил на полупроводниковой поверхности с квантовыми точками / А.Н. Титков, А.К. Крыжановский, В.П. Евтихиев, П. Жирард. // Материалы совещания "Зондовая микроскопия 2000", с. 12 -16.

48. Meas. Sci. Technol. 20 (2009) 084017 (брр) Deconvolution of Kelvin probe force microscopy measurements—methodology and application, T Machleidt, E Sparrer, D Kapusi and K-H Franke.

49. Rosenwaks Y, Saraf S, Tal O, Glatzel Th, Lux-Steiner M Ch, Strassburg E and Boag A 2007 Principles of Kelvin probe force microscopy Scanning Probe Microscopy vol 2 (Berlin: Springer) pp 663-89.

50. Work-function measurement by high-resolution scanning Kelvin nanoprobe Larisa-Emilia Cheran , Sherri Johnstone , Saman Sadeghi and Michael Thompson Measurement Science and Technology Volume 18, Number 3, 567, 2007.

51. Нанотехнология: физика, процессы, диагностика, приборы / Под ред. Лучинина В.В., Таирова Ю.М. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2006. - 552 с.

52. Electric Force Microscopy, Surface Potential Imaging, and Surface Electric Modificación with the Atomic Force Microscope (AFM) / F. M. Serry, K. Kjoller, J.T. Thornton, R.J. Tench, D. Cook. // Digital Instruments.

53. Stevens-Kalceff, М.А. More than a surface probe: investigation of subsurface charging in buried oxide layers in silicon using Kelvin Probe Microscope / M. A. Stevens-Kalceff // Microscopy and Microanalysis. 2004. V. 10 (suppl 2). Pp. 1090-1091.

54. Исследование распределений потенциала в прямо смещенном кремниевом диоде методом электростатической силовой микроскопии / А.В. Анкудинов, А.Н. Титков, R. Laiho, В.А. Козлов // ФТП. 2002. Т. 36, №9, с. 1138-1143.

55. Микроскопия электростатических сил на сколах полупроводниковых лазерных диодов / А.В. Анкудинов, У.Ю. Котельников, А.А. Канцельсон, В.П. Евтихиев, А.Н: Титков. // ФТП. 2001. Т. 35, №7, с. 874-880.

56. Dynamic EFM spectroscopy studies on electric force gradients of 1г02 nanorod arrays / D. Chiang, P.Z. Lei, F. Zhang, R. Barrowcliff//Nanotechnology. 2005. №16, pp. 35-40.

57. Contrast mechanisms for the detectionof ferroelectric domains with scanning force microscopy. Tobias Jungk, Ákos Hoffmann and Elisabeth Soergell // New Journal of Physics 11 (2009) 033029 (14 pp).64. http://www.di.com/AppNotes/SCM/SCMMain.html

58. Honda, К. Visualization using scanning nonlinear dielectric microscopy of electrons and holes localized in the thin gate film of a metal-Si02-Si3N4-Si02-semiconductor flash memory / K. Honda, Y. Cho // Applied Physics Letters. 2005. - T. 86, pp. 1-3.

59. Арутюнов, П.А. Атомно-силовая микроскопия в задачах проектирования приборов микро- и наноэлектроники. Часть 2 / П.А. Арутюнов, A.J1. Толстихина. // Микроэлектроника. 1999. Т. 29. №1, с. 13-22.

60. Exploring Scanning Probe Microscopy with Mathematica / D. Sarid. //New York: John Wiley & Sons. 1997, p. 262.

61. Володин, А.П. Новое в сканирующей микроскопии (обзор материалов международной конференции STM'97) / А.П. Володин // Приборы и техника эксперимента. 1998. №6. С.3-42.

62. Арутюнов, П.А. Конструктивные и электрофизические характеристики датчиков силы в атомно-силовой микроскопии / П.А. Арутюнов, A.JI. Толстихина // Микроэлектроника. 1998. Т. 27. №4. С. 304-316.

63. Мошников, В.А. Методы сканирующей зондовой микроскопии в микро- и наноэлектронике: учеб. пособие / В.А. Мошников, А.А. Федотов, А.И. Румянцева. СПб.: изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2003. 84 с.68.

64. Attonewton force detection using ultrathin silicon cantilevers / T.D. Stowe, K. Yasumura, T.W. Kenny, D. Botkin, K. Wago, D. Rugar. // Appl. Phys. 1997. V. 71. №2. P. 288290.

65. Interdigital cantilevers for atomic force microscopy / S.R. Manalis, S.C. Minne, A. Atalar, C.F. Quate // Applied Physics Letters. 1996. V. 69. №25. pp. 3944-3946.

66. Nakayama, Y. Nanoengineering of carbon nanotubes for nanotools / Y. Nakayama, S. Akita // New Journal of Physics. 2003.- №5, pp. 128.1-128-23.

67. Onaran, A.G. A new atomic force microscope probe with force sensing integrated readout and active tip / A.G. Onaran, M. Balantekin, W. Lee // Review of Scientific Instruments. 2006. V. 77. pp. 023501-1-023501-7.76. www.reseach.ibm.com