Развитие методов атомно-силовой микроскопии для контроля электрических и электрофизических параметров объектов микроэлектроники тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Коровкина, Наталья Михайловна

• Коровкина, Наталья Михайловна
• кандидат технических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат технических наук Коровкина, Наталья Михайловна

Введение.

Глава 1. Анализ современных зондовых методов диагностики электрического потенциала поверхности гетерогенных объектов.

1.1 Электронно-зондовая микроскопия.

1.2 Атомно-силовая микроскопия.

1.2.1 Контактная атомно-силовая микроскопия.

1.2.2 Колебательные методики атомно-силовой микроскопии.

1.2.3 «Полуконтактный» метод атомно-силовой микроскопии.

1.2.4 Микроскопия электростатических сил.

Глава 2. Методики измерения электрического потенциала на поверхности гетерогенных объектов.

2.1 Измерение электрического потенциала в электронно-зондовом тестере.

2.1.1 Устройство энергоанализатора.

2.1.2 Проведение стробоскопических измерений электрического потенциала в электронно-зондовом тестере.

2.2 Аппаратура для контроля электрического потенциала поверхности гетерогенных объектов на основе электронно-зондового тестера.

2.3 Измерение электрического потенциала методом атомно-силовой микроскопии.

2.4 Аппаратура для контроля электрического потенциала поверхности гетерогенных объектов на основе атомно-силового микроскопа.

2.5 Формирование тестовых структур и подготовка гетерогенных объектов для проведения измерений методами электронно-зондовой и атомно-силовой микроскопии.

2.5.1 Описание тестовых структур.

2.5.2 Подготовка гетерогенных объектов для анализа с помощью электронно-зондовой и атомно-силовой микроскопии.

2.5.2.1 Технологические методы удаления корпусов микросхем, защитноизолирующих и металлических покрытий.

Глава 3. Исследование зондовыми методами гетерогенных объектов.

3.1 Измерение электрофизических параметров различных материалов и структур методами атомно-силовой микроскопии.

3.1.1 Измерение работы выхода различных материалов.

3.1.2. Измерение типа проводимости.

3.1.3 Расчет концентрации электрически активных примесей.

3.2 Измерение электрического потенциала на поверхностях и сколах многослойных структур.

Глава 4. Измерение логического состояния микросхем памяти.

4.1 Виды микросхем памяти.

4.2 Оценка чувствительности и локальности методов электростатической силовой микроскопии и зонда Кельвина.

4.3 Методика определения логического состояния ячеек памяти ЕР1ЮМ и

БЕРНОМ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Развитие методов атомно-силовой микроскопии для контроля электрических и электрофизических параметров объектов микроэлектроники»

Совершенствование методов аналитической диагностики поверхности является актуальной задачей таких направлений как физика поверхностных явлений и электроника. Развитие данных методов приводит к решению фундаментальных и прикладных задач в микро- и наноэлектронике, связанных с характеризацией объектов по топологическим, морфологическим и электрофизическим параметрам.

Наиболее информативными методами решения этих задач являются растровая электронная микроскопия (РЭМ), атомно-силовая микроскопия (АСМ), электронная Оже- спектроскопия, сканирующая туннельная микроскопия, вторично-ионная масс-спектроскопия, спектроскопия и микроскопия на основе остросфокусированных ионных пучков. В основе данных методов лежит принцип зондового сканирования поверхности объектов и регистрации частиц, излучений, силовых и электростатических взаимодействий между зондом и исследуемой поверхностью. Отличие данных методов заключается в природе физических явлений и эффектов, возникающих при взаимодействии зонда с твердым телом.

Применительно к решению задач, связанных с измерением электрического потенциала и электрофизических параметров микроэлектронных структур с высокой степенью интеграции, требующих высокой латеральной локальности, возможно использование метода РЭМ, а в последнее время и метода АСМ в различных режимах работы.

Существующие на сегодняшний день стандартные методики РЭМ и АСМ не позволяют напрямую количественно оценить многие параметры наблюдаемых объектов без проведения дополнительной, весьма сложной, подготовки исследуемых объектов, создания тестовых структур и получения на них калибровочных зависимостей, интерпретации полученных результатов.

Особенности эксплуатации цифровых схем памяти в экстремальных условиях (ионизирующее излучение, высокие температуры, химически агрессивные среды, механические нагрузки) могут приводить к нарушению связей между отдельными функциональными областями интегральных микросхем (ИМС), что исключает возможность электрического тестирования данных устройств. При этом записанная информация в изделии может сохраняться. В связи с этим, весьма актуальной задачей является выявление возможностей современных средств неразрушающей диагностики кристаллов микросхем и разработка методики восстановления утерянной информации.

Другим важным аспектом исследования полупроводниковых приборов и устройств является наблюдение и осуществление локального контроля концентрации электрически активных примесей в широком диапазоне значений.

Настоящая работа направлена на исследование возможностей применения атомно-зондовых бесконтактных неразрушающих методик для восстановления утерянной информации микросхем памяти, определение концентрации электрически активных примесей в микро областях полупроводниковых приборов на основе созданной базы тестовых структур и разработку методических и аппаратных средств их реализации.

Целью работы являлось исследование возможностей методов атомно-силовой микроскопии для высоко локальных измерений топологических, электрических и электрофизических параметров объектов микроэлектроники.

В соответствии с указанной целью в работе решались следующие задачи:

• установление корреляции между выходным сигналом в микроскопии электростатических сил (ЭСМ) и значениями потенциала в методе зонда Кельвина (МЗК) в зависимости от величины напряжения, подаваемого на образец, содержащего эквипотенциальную поверхность, для кантилеверов с различным составом покрытия;

• определение методом АСМ работы выхода металлических, полупроводниковых и диэлектрических материалов, используемых для создания приборов микроэлектроники и микросистемной техники, полученных различными технологическими методами и проведение их сопоставительного анализа;

• разработка методики определения концентрации электрически активных примесей в полупроводниковых материалах, структурах и приборах на основе емкостных измерений в АСМ. Апробация метода на тестовых объектах и изделиях электронной техники;

• изготовление тестовых структур, включающих металлические и диэлектрические поверхности, для оценки чувствительности и локальности микроскопии электростатических сил и метода зонда Кельвина и оптимизации режима работы АСМ при реализации моды электростатических сил;

• сравнение аналитических возможностей методов электронно-зондовой и атомно-силовой микроскопии по пространственному разрешению и чувствительности при измерении электрического потенциала на диэлектрических поверхностях многослойных структур;

• разработка методики и проведение исследований логических состояний ячеек памяти различных классов интегральных микросхем без удаления пассивирующих покрытий с сохранением работоспособности изделий.

Научная новизна работы состоит в следующем:

1. Впервые разработана методика и проведены исследования логических состояний ячеек памяти двух классов интегральных микросхем без удаления пассивирующих покрытий с сохранением работоспособности изделий. Новизна научно-технических решений защищена патентом РФ.

2. Предложена модель расчета концентрации легирующих примесей в полупроводниковых структурах, основанная на результатах высоко локальных измерений в методе сканирующей емкостной микроскопии (СЕМ). На серии тестовых структур с известными уровнями легирования доказана адекватность предложенной модели.

3. Экспериментально обоснованы преимущества метода атомно-силовой микроскопии по сравнению с электронно-зондовой микроскопией при измерении статического электрического потенциала на функциональных областях дискретных полупроводниковых приборах и интегральных микросхем, включающих слои металлов, полупроводников и диэлектриков с пространственным разрешением в нано- и микро- диапазонах.

4. Экспериментально установлено, что на зависимостях уровня выходного сигнала, регистрируемого АСМ при работе в электростатической моде, от расстояния в системе «зонд-образец» имеются максимумы, появление которых связано с ограничением амплитуды прогиба балки кантилевера, а их положение определяется разностью потенциалов между зондом и поверхностью исследуемого образца.

5. Экспериментально показано влияние толщины диэлектрического покрытия и расстояния в зазоре «зонд-образец» на значения чувствительности и локальности в микроскопии электростатических сил (ЭСМ) на поверхности гетерогенных объектов.

Практическая значимость работы заключается в следующем:

1. На основе метода сканирующей емкостной микроскопии разработана методика определения уровней концентрации легирующих примесей. С помощью этой методики установлены значения концентраций электрически активных примесей в полупроводниковых структурах в диапазоне (1015-1019) см"3 и локальностью (10-30) нм.

2. Методом зонда Кельвина установлена возможность определения логических состояний ячеек памяти EPROM и EEPROM интегральных микросхем без удаления пассивирующих покрытий с сохранением работоспособности изделий с чувствительностью -100 мВ и локальностью (1030) нм.

3. Для обеспечения возможности проведения количественных измерений поверхностного электрического потенциала на различных материалах и структурах электронной техники установлены корреляционные зависимости между выходными сигналами в методах электростатической микроскопии и зонда Кельвина.

4. Результаты работы использованы при выполнении: научно-исследовательской работы («ЭЛ/ЦМИД-70»), выполненной по программе «Научные исследования высшей школы по приоритетным направлениям науки и техники» (подпрограмма 208.06 «Микро и наносистемная техника») в 2004-2005гг; научно-исследовательской работы («Минога-A»), выполняемой в рамках государственного контракта № 25/14-6499/ЦМИД-118 (2005-2007гг).

5. Результаты работы использованы в ЗАО «Опто-Технологическая Лаборатория» и ФГУП «18 ЦНИИ» МО РФ, что подтверждается соответствующими актами.

6. По результатам исследований получен патент на полезную модель № 48107 Российской Федерации МПК Н OIL 21/66 А от 10.09.2005 г.

На защиту выносятся следующие научные положения:

1. Установлено соответствие между уровнем выходного сигнала и концентрацией электрически активных примесей в рамках модели плоского конденсатора при наблюдении полупроводниковых объектов методом сканирующей емкостной микроскопии.

2. Экспериментально установлено, что при исследовании ячеек памяти полупроводниковых интегральных микросхем определение их логических состояний, характеризуемых наличием электрического заряда, может осуществляться с помощью АСМ в Кельвин-моде без удаления с поверхности диэлектрических слоев и нарушения хранимой информации в логической ячейке.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Коровкина, Наталья Михайловна

Выводы по работе

Основными результатами диссертационной работы являются:

1. Экспериментально установлено, что при проведении измерений электрического потенциала поверхности твердых тел в атмосферных условиях метод зонда Кельвина и микроскопия электростатических сил обеспечивают чувствительность не хуже 100 мВ. При этом наличие диэлектрика на поверхности структуры влияет на чувствительность электростатической моды, которая уменьшается с увеличением толщины диэлектрического слоя.

2. Экспериментально установлено, что на зависимости уровня выходного сигнала, регистрируемого АСМ при работе в электростатической моде, от расстояния в системе «зонд-образец» имеется максимум, появление которого связано с ограничением амплитуды прогиба балки кантилевера, а его положение определяется разностью потенциалов между зондом и поверхностью исследуемого образца.

3. Предложена методика определения концентрации электрически активных примесей в микро областях приборных структур на основе высоко локальных емкостных измерений в АСМ в диапазоне концентраций 1015^1019 -з см .

4. Экспериментально обоснованы преимущества неразрушающей атомно-зондовой диагностики статического электрического потенциала по сравнению с электронно-зондовой микроскопией на поверхностях и сколах многослойных структур, содержащих слои металлов, полупроводников и диэлектриков, а также на пассивированных поверхностях функциональных областях интегральных микросхем с пространственным разрешением в нано- и микродиапазонах.

5. Разработана методика и проведены исследования электрических логических состояний ячеек памяти ЕР1ЮМ и ЕЕР1ЮМ интегральных микросхем без удаления пассивирующих покрытий с сохранением работоспособности изделий.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Коровкина, Наталья Михайловна, 2006 год

1. Демин, Ю.А. Развитие растровой электронной микроскопии для обеспечения контроля электронной компонентной базы / Ю.А. Демин, В.В. Лучинин // Петербургский журнал электроники. 2006, №3. с. 59-75.

2. Аристов, В.В. Формирование изображения микрорельефа поверхности в растровом электронном микроскопе / В.В. Аристов, В.В. Казьмирук, Н.Г. Ушаков. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1989, №4.

3. Технология СБИС / К. Могэб, Д. Фрейзер, У. Фичтнер, Л. Паррильо, Р. Маркус, К. Сгейдел, У. Бертрем.: В 2-х кн. Кн. 2. Пер. с англ. Под ред. С. Зи,-М.: Мир, 1986.-453 е., ил.

4. Аристов, В.В. Изучение закономерностей формирования сигналов от микрорельефа в режиме истинно вторичной эмиссии / В.В. Аристов, В.В. Казьмирук, Т.И. Савицкая. //Изв. АН СССР. Сер. физическая, 1988, №7.

5. Electron Beam Testing Technologies. Edited by Jolm T.L. Thong, Plenum Press, New York and London, 1993.

6. Binning, G. Scanning tunneling microscopy: from birth to adolescence / G. Binning, H. Rohrer//Rev. Mod. Phys. 1987. V. P. 615; УФН. 1988. T. 154. C. 261

7. Бахтизин, Р.З. Сканирующая туннельная микроскопия-новый метод изучения поверхности твердых тел / Р.З. Бахтизин // Соровский Образовательный Журнал. 2000. Т. 6, №11.

8. Рыков, С.А. Сканирующая зондовая микроскопия полупроводниковых материалов и наноструктур / Под ред. А.Я. Шика. СПб.: Наука, 2000

9. Binning, G. Atomic Force Microscope / G.Binning, C.F. Quate, C. Gerber //Phys. Rev. Lett. 1986. V. 56. P. 930-933.

10. Арутюнов, П. А. Атомно-силовая микроскопия в задачах проектирования приборов микро- и наноэлектроники. Часть 1 / П.А. Арутюнов, A.JI. Толстихина. //Микроэлектроника. 1999. Т. 28. №6, с. 405-414.

11. Giessible, F.J. Atomic force microscopy in ultrahigh vacuum / F.J. Giessible // Jpn. J. Appl. Phys. 1994. V. 33. Pt. 1. № 6B. P. 3726-3734.

12. A Practical Guide to Scanning Probe Microscopy, TM ThermoMicroscopes, 2000.

13. Matey, J.R. Scanning Capacitance Microscopy / J.R. Matey, J. Blanc. // J. Appl. Phys. 1985. V. 57, №5, p.1437-1444.

14. Use of scanning capacitance microscopy for controlling wafer processing / O. Jeandupeux, V. Marsico, A. Acovic, P. Fazan, H. Brune, K. Kern. // Microelectronics Reliability 2002. V. 42, p. 225-231.

15. Electric Force Microscopy, Surface Potential Imaging, and Surface Electric Modificacion with the Atomic Force Microscope (AFM) / F. M. Serry, K. Kjoller, J.T. Thornton, R.J. Tench, D. Cook. // Digital Instruments.

16. Hong, J.W. Measurement of hardness, surface potential, and charge distribution with dynamic contact mode electrostatic force microscope / J. W. Hong, Sang-il Park, Z. G. Kliim // Review of Scientific Instruments. 1999. V. 70, №3, p.1735-1739.

17. Wisendanger. Scanning Probe Microscopy. Analytical Methods. / Wisendanger// Springer-Verlag, Berlin, 2000.

18. Основы сканирующей зондовой микроскопии. / Миронов, B.JI. / М.: Техносфера, 2004. 143 с.

19. Суслов, А.А. Сканирующая зондовая микроскопия / А.А. Суслов, С.А. Чижик // Материалы, технологии, инструменты. 1997. №3. С. 78.

20. Быков, В.А. Микромеханика для сканирующей зондовой микроскопии /В.А. Быков // Микросистемная техника. 2000. №1. С. 21.

21. Бахтизин, Р.З. Физические основы сканирующей зондовой микроскопии / Р.З. Бахтизин, P.P. Галлямов // Уфа: РИО Баш. ГУ. 2003. 82 с.

22. Anvar, М Atomic force microscopy with time resolution of microseconds / M. Anvar, I. Rousso //Applied Physics Letters. 2005. V.86. pp. 014101

23. Carpick, R. E. Scratching the surface: fundamental investigations of tribology with atomic force microscopy / R.E. Carpick, M. Salmeron // Chem. Rev. 1997. V. 97. P. 1163.

24. Handbook of Micro/Nanotribology / Brushan B. / Boca Raton, FL: CRC Press. 1999.

25. Dedkov, G.V. Experimental and theiretical aspects of the modern nanotribology /G.V. Dedkov // Phys. Stat. Solid. 2000. V. (a) 179. №1. P.3.

26. Дедков, Г. В. Нанотрибология: экспериментальные факты и теоретические модели / Г.В. Дедков // УФ11. 2000. Т. 170. №6. С.585.

27. Paredes, J.I. Adhesion artifacts in atomic force microscopy imaging / J.I. Paredes, A. Martinez-Alonso, J.M.D. Tascon // Journal of microscopy, V. 200. Pt. 2. November 2000. Pp. 109-113.

28. Force modulation imaging with atomic force microscopy 11 www.veeco.com

29. Atomic force microscopy of microbial cells // www.veeco.com

30. Comparison between shear force and tapping mode AFM-high resolution imaging of DNA / Massimo Antognozzi, Mark D. Szczelkun, Andrew N. Round, Mervyn J. Miles// Single Molecules. 3 (2002) 2-3. pp. 105-110

31. True non-contact mode vs. Tapping mode // PS IA advanced AFM/SPM

32. Визуализация заращенных наноостровков GeSi в кремниевых структурах методом атомно-силовой микроскопии / М.С. Дунаевский, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, А.Н. Титков, R. Laiho // Физика и техника полупроводников, 2003, Т. 37, вып. 6

33. Observation and analysis of self-organized surface grain structures in silica films under nonepitaxial growth mode / N.K. Sahoo, S. Thakur, M. Senthilkutnar, R.B. Tokas, N.C. Das // Vacuum. V. 77. 2004. Pp. 87-96.

34. ACM визуализация нанокристаллов Si в термическом окисле Si02 с помощью селективного травления / М.С. Дунаевский, J.J. Grob, А.Г. Забродский, R. Laiho, А.Н. Титков // Физика и техника полупроводников, 2004. Т. 38, вып. 11.

35. Applications of atomic force microscopy in epitaxial nanotechnology / D. Sheglov, S. Kosolobov, E. Rodyakina, A. Latyshev // European Microscopy and Analysis. September 2005. Pp. 5-7.

36. Girard, P. Electrostatic Force Microscopy, principles and applications to semiconductor materials and devices / P. Girard // 9th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, June 18-22, 2001.

37. Sorokina, K.L. Atomic force microscopy modified for studing electric properties of thin films and crystals. Review / K.L. Sorokina, A.L. Tolstikhina // Crystallography Report. 2004. vol. 49, № 3, pp. 476-499

38. Martin, Y. High-resolution capacitance measurement and potentiometry by force microscopy / Y. Martin, D.W. Abraham, H.K. Wrickramasinghe. // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52, №13, p.1103-1105.

39. Scanning force microscopy / D. Sarid. / N. Y., Oxford University Press.1992.

40. Атомно-силовая микроскопия электростатических сил на полупроводниковой поверхности с квантовыми точками / А.Н. Титков, А.К. Крыжановский, В.П. Евтихиев, П. Жирард. // Материалы совещания "Зондовая микроскопия 2000", с. 12 -16.

41. Hong, J.W. Measurement of hardness, surface potential and charge distribution with dynamic contact mode electrostatic force microscope / J.W. Hong, Sang-il Park, Z.G. Khim // Review of Scientific Instruments. 1999. vol. 70, №3, pp. 1735-1739

42. Palacios-Lidon, E. Discrimination and analysis of interactions in non-contact Scanning Force Microscopy / E. Palacios-Lidon, J. Colchero // http ://eprintweb. org

43. Jacobs, H.O. Practical aspects of Kelvin probe force microscopy / H. O. Jacobs, H. F. Rnapp, A. Stemmer // Review of Scientific Instruments 1999. V. 70, №3, p.1756-1760.

44. Eden, V.L. On the elimination of spacing dependent errors in the Kelvin Probe / V.L. Eden, R.C. McAllister // McAllister Technical Services

45. Contact Electrification Using Force Microscopy / B.D. Terris, J.E. Stern, D.Rugan, H.J. Mamin. //Phys. Rev. Lett. 1989. V. 63, №24. P. 2669-2672

46. Нанотехнология: физика, процессы, диагностика, приборы / Под ред. Лучинина В.В., Таирова Ю.М. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2006. - 552 с.

47. Electric Force Microscopy, Surface Potential Imaging, and Surface Electric Modificación with the Atomic Force Microscope (AFM) / F. M. Serry, K. Kjoiler, J.T. Thornton, R.J. Tench, D. Cook. // Digital Instruments.

48. Stevens-Kalceff, М.А. More than a surface probe: investigation of subsurface charging in buried oxide layers in silicon using Kelvin Probe Microscope / M.A. Stevens-Kalceff // Microscopy and Microanalysis. 2004. V. 10 (suppl 2). Pp. 1090-1091.

49. Исследование распределений потенциала в прямо смещенном кремниевом диоде методом электростатической силовой микроскопии / А.В. Анкудинов, А.Н. Титков, R. Laiho, В.А. Козлов // ФТП. 2002. Т. 36, №9, с. 11381143.

50. Микроскопия электростатических сил на сколах полупроводниковых лазерных диодов / А.В. Анкудинов, У.Ю. Котельников, А.А. Канцельсон, В.П. Евтихиев, А.Н. Титков. // ФТП. 2001. Т. 35, №7, с. 874-880.

51. Dynamic EFM spectroscopy studies on electric force gradients of lr02 nanorod arrays / D. Chiang, P.Z. Lei, F. Zhang, R. Barrowcliff // Nanotechnology. 2005. №16, pp. 35-40

52. Анкудинов, А.В. Атомно-силовая микроскопия поляризационных доменов в сегнетоэлектрических пленках / А.В. Анкудинов, А.Н. Титков. // ФТТ. 2005. Т. 47, №6, с. 1110-111760. http://www.di.com/AppNotes/SCM/SCMMain.html

53. Honda, K. Visualization using scanning nonlinear dielectric microscopy of electrons and holes localized in the thin gate film of a metal-Si02-ShN.j-Si02-semiconductor flash memory / K. Honda, Y. Cho // Applied Physics Letters. 2005. -T.86, pp. 1-3

54. Арутюнов, П.А. Атомно-силовая микроскопия в задачах проектирования приборов микро- и наноэлектроники. Часть 2 / П.А. Арутюнов, A,JI. Толстихина. //Микроэлектроника. 1999. Т. 29. №1, с. 13-22.

55. Exploring Scanning Probe Microscopy with Mathematica / D. Sarid. //New York: John Wiley & Sons. 1997, p. 262.

56. Володин, А.П. Новое в сканирующей микроскопии (обзор материалов международной конференции STM'97) / А,П. Володин // Приборы и техника эксперимента. 1998. №6. С.3-42.

57. Арутюнов, П,А. Конструктивные и электрофизические характеристики датчиков силы в атомно-силовой микроскопии / П.А, Арутюнов, А.Л. Толстихина II Микроэлектроника. 1998. Т. 27. №4. С. 304-316.

58. Мошников, В.А. Методы сканирующей зондовой микроскопии в микро- и наноэлектронике: учеб. пособие / В.А. Мошников, А.А. Федотов, А.И. Румянцева. СПб.: изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2003. 84 с.68

59. Attonewton force detection using ultrathin silicon cantilevers / T.D. Stowe, K. Yasumura, T.W. Kenny, D. Botkin, K. Wago, D. Rugar. // Appl. Phys. 1997, V. 7!. №2. P. 288-290.

60. Interdigital cantilevers for atomic force microscopy / S.R. Manalis, S.C. Minne, A. Atalar, C.F, Quale // Applied Physics Letters. 1996. V. 69. №25. pp. 39443946.

61. Nakayama, Y. Nanoengineering of carbon nanotubes for nanotools / Y. Nakayama, S. Akita II New Journal of Physics. 2003№5, pp. 128.1-128-23

62. Микролитография: в 2-х ч. Ч. 1 / Моро У.: Пер, с англ. М.: Мир, 1990.- 605 е., ил.

63. Физические величины: Справочник/ А.П. Бабичев, Н.А. Бабушкина, A.M. Братковский и др.; Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. М.; Энергоатом из дат, 1991,- 1232 с.

64. Юдин, А. Микросхемы памяти компании STMicroelectronics / А. Юдин // Электронные компоненты. 2004. №3., с. 30-37

65. Коровкина, Н.М. Анализ интегральных микросхем методом атомно-силовой микроскопии / Н.М. Коровкина, В.А. Ильин // Петербургский журнал Электроники. 2006.-вып. 3. - С. 85-98.