Создание и 3D-характеризация металлических наноструктур на поверхности полимера с использованием метода динамической силовой литографии и сканирующей силовой микроскопии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.11.01, кандидат технических наук Пинаев, Александр Леонидович

• Пинаев, Александр Леонидович
• кандидат технических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат технических наук Пинаев, Александр Леонидович

Введение.

Глава I. Исследование и модификация поверхности методом сканирующей зондовой микроскопии (Литературный обзор).

1.1. Сканирующая зондовая микроскопия.

1.1.1. Физические основы СЗМ.

1.1.2. Инструментальные принципы СЗМ.

1.1.3. Аппаратно-программные средства СЗМ.

1.2. Сканирующая зондовая литография.

1.2.1. Токовая литография.

1.2.2. Силовая литография.

1.2.3. Локальное анодирование.

1.2.4. Ближнепольная оптическая литография.

Выводы и постановка задач.

Глава II. Экспериментальная установка.

2.1. Схема экспериментальной установки.

2.2. Конструкция экспериментальной установки.

2.3. Качественная модель процесса ДСЛ.

2.4. Изготовление и диагностика зондов.

2.5. Изготовление и диагностика образцов.

2.6. Шаблон для ССЛ, режимы ССЛ.

2.7. Методы характеризации результатов ДСЛ.

Выводы.

Глава 1П. Режим динамической силовой литографии.

3.1. Математическая модель ДСЛ (Упругое приближение).

3.2. Оценка устойчивости зонда (потеря формы).

3.3. Численное моделирование режима ДСЛ.

Выводы.

Глава IV. Экспериментальные результаты.

4.1. ДСЛ исходной подложки из поликарбоната.

4.2. ДСЛ тонкой Аи пленки на поверхности поликарбоната.

4.2.1. Потеря устойчивости зонда (критический угол при данном диаметре проволоки).

4.2.2. Зависимость от параметров управляющего импульса.

4.2.3. Создание периодических наноструктур W зондом, модифицированным ионным пучком.

4.2.4. Создание каналов в системе «Металл-полимер».

4.2.5. Экспериментальная проверка полного прорезания покрытия.

4.2.6. Микро и наноструктуры, полученные в тонких Аи покрытиях методом ССЛ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Создание и 3D-характеризация металлических наноструктур на поверхности полимера с использованием метода динамической силовой литографии и сканирующей силовой микроскопии»

Последние десятилетия ознаменованы бурным развитием технологий, ориентированных на создание, исследование и применение материалов и объектов с нанометровыми пространственными масштабами в одном(Ш), двух(20) или трех(ЗО) измерениях. Технологии, по которым создаются наноматериалы и нанообъекты различной природы и, разнообразные технические системы на их основе, получили название нанотехнологий (НТ). Наноматериалы и нанообъекты, получаемые с помощью НТ, обладают новыми физико-химическими свойствами, отличными от свойств как макроскопических объемных материалов, так и отдельных атомов и молекул [1]. Например, в металлических или полупроводниковых наноструктурах с пониженной размерностью (2Б, Ш или (Ю) могут возникать размерные эффекты, обусловленные, волновыми свойствами носителей заряда. Наноструктуры с пониженной размерностью лежат в основе различных устройств и систем (лазеры, на квантовых точках, сверхпроводящие квантовые интерферометры, кубиты квантовых компьютеров, одноэлектронные транзисторы и т.п.), придавая им новые свойства или улучшая их технические характеристики. Именно благодаря^ возможностям НТ появились такие научно-технические области, как нанофотоника, наноэлектроника, наносенсорика, наномеханика.

Наномодификация поверхности материала (нанолитография [2]) является одним из основных направлений НТ. Отметим, что процесс нанолитографии неразрывно связан с процессом ЗО-наноизмерений, поэтому требует адекватного метрологического обеспечения. В современных НТ реализованы различные способы нанолитографии [3], которые можно разделить на пучковые, зондовые и импринтинг [4]. В первом случае с веществом взаимодействуют жесткие ультрафиолетовые или рентгеновские фотоны, электроны или ионы. В настоящее время наиболее широко распространены пучковые методы, позволяющие создавать разнообразные наноструктуры из различных материалов. Например, в работе [5] с помощью электронной литографии созданы упорядоченные нитевидные ваЛв нанокристаллы, представляющие особый интерес для оптоэлектроники, сенсорики и т. п. В зондовой нанолитографии наномодификация поверхности осуществляется острым твердотельным зондом сканирующего зондового микроскопа (СЗМ), при этом появляется возможность совмещать процесс литографии с диагностикой создаваемых наноструктур. Этот метод получил название сканирующая зондовая литография (СЗЛ). В основе наноимпринтинга лежит метод создания отпечатков* наноматриц на поверхности исходной подложки. Следует отметить, что создание с помощью нанолитографии: разнообразных наноструктур стимулирует развитие новых подходов к анализу и характеризации их топологии-[6, 7].

Метод динамической силовой литографии (ДСЛ),- являясь разновидностью СЗЛ; предоставляет уникальные возможности создания наноструктур на поверхности различных материалов с помощью достаточно простых и относительно недорогих инструментальных средств. Модификация поверхности полимера покрытого тонкой металлической пленкой, с использованием метода ДСЛ с одновременными ЗО-измерениями топографии открывает новые возможности, создания наноструктур, представляющих интерес для нанофотоники, наноэлектроники, наносенсорики.

Цель диссертационной работы: развитие метода ДСЛ для создания проводящих наноструктур на поверхности полимера с одновременными ЗБ-измерениями их геометрических параметров с нанометровым пространственным разрешением; исследование режима ДСЛ в СЗМ с пьезорезонансным зондовым датчиком с вольфрамовым (Ж) нанозондом для определения оптимальных параметров единого процесса «модификация-измерение»; определение метрологических возможностей СЗМ «№поЕс1иса1:ог» в режиме ДСЛ в системе «металл-полимер».

Для достижения поставленной цели требовалось решить следующие задачи:

- разработать математическую модель ДСЛ, адаптированную к СЗМ «№поЕс!11са1;ог» с пьезорезонансным? датчиком силового взаимодействия, включая модель продольного сжатия Л¥ зонда; создать экспериментальную установку на базе СЗМ «КапоЕёисаШг» для реализации и исследования режима ДСЛ и измерить ее характеристики,, необходимые для проведения расчетов в рамках разработанной модели;

- провести математическое моделирование процесса? ДСЛ1 в рамках разработанной модели, проанализировать результаты моделирования: с целью оптимизации режима ДСЛ;. '

- разработать методы изготовления и измерения геометрических параметров нанозондов, теоретически оценить и экспериментально определить критический угол заточки и. радиус закругления W нанозондов, обеспечивающих устойчивую работу СЗМ в.режиме ДСЛ;

- разработать методы изготовления1 исходных, образцов для ДСЛ, в виде поликарбонатных подложек, покрытых тонким слоем 20 нм) Аи;

- разработать методы формирования на поверхности, поликарбонатной подложки проводящих Аи наноструктур с различной геометрией, используя СЗМ "«ИапоЕ^саШг»;

- провести линеаризацию и калибровку сканера СЗМ для обеспечения нанометровой точности при ЗБ-измерениях, определить метрологические характеристики- пьезосканера (точность перемещения, линейность, ортогональность);

- экспериментально определить пространственное разрешение метода и оптимальные по пространственному разрешению и скорости сканирования параметры режима ДСЛ в СЗМ «ИапоЕЙиса^г»;

- создать наноструктуры заданной формы и провести. ЗО-измерения полученных наноструктур различными методами.

Основные положения, выносимые на защиту:

- пьезорезонансный зондовый датчик на основе пьезокерамической трубки с нанозондом позволяет поддерживать устойчивый режим ДСЛ, обеспечивая создание металлических наноструктур различной геометрии (кольца, меандры, двумерные упорядоченные решетки и т.п.) на поверхности поликарбонатных подложек с одновременным проведением ЗО-измерений их топографии с нанометровой точностью;

- пространственное разрешение ДСЛ ограничено радиусом острия нанозонда. При радиусе электрохимически заточенных W игл 50 - 100 нм пространственное разрешение достигает соизмеримой величины;

- в рамках одномерной упругой модели возможно определить условия устойчивости W зонда при действии сжимающей силы, а также оценить давление в области контакта зонд-образец в зависимости от радиуса зонда, амплитуды и длительности управляющего импульса (в частности при радиусе нанозонда ~100 нм, амплитуде управляющего импульса ~0.3 В и длительности ~5 мкс давление составляет ~1 ГПа);

- угол конуса острия нанозонда является основным фактором, определяющим механическую устойчивость зонда в процессе ДСЛ. При фиксированных параметрах ДСЛ, критическое давление; пропорционально квадрату тангенса, угла конуса острия;

- используя СЗМ «№поЕс1иса1ог» в режиме ДСЛ можно создавать и измерять геометрические параметры двумерных дифракционных решеток с пространственным периодом до ~100 нм, а также тонкопленочные 10-20 нм проводящие наноструктуры, с минимальным латеральным размером 50-100 нм. При низких температурах в подобных наноструктурах могут проявляться эффекты размерного квантования.

Методы исследования. Для получения теоретических данных использовались методы математического моделирования. При изготовлении образцов использовался метод магнетронного напыления. В качестве подложки использовались пластины поликарбоната марки РС-075. Зонды СЗМ изготавливались методом электрохимического травления, а также с использованием метода фокусированного ионного пучка (ФИП). Модификация поверхности образца проводилась методом ДСЛ. При исследовании полученных наноструктур использовались методы СЗМ, электронной и конфокальной микроскопии.'

Для линеаризации и калибровки сканера СЗМ использовались эталоны сравнения - меры малой длины.

Научная новизна:

1. Впервые построена качественная» и количественная механическая модель ДСЛ' для СЗМ с пьезорезонансным датчиком силового взаимодействия, с металлическим нанозондом, в том числе изготовленным из вольфрамовой проволоки.

2. На основе полученной модели проведена численная оценка механического давления в области наноконтакта зонда с поверхностью исходной подложки в зависимости от параметров управляющего импульса, а также оценка критического давления, приводящего к потере формы зонда, оказывающие критическое влияние на метрологические характеристики метода.

3. Впервые для создания проводящих наноструктур методом ДСЛ использованы полимерные подложки, покрытые тонким слоем металла.

Достоверность научных результатов, полученных в работе, обеспечивается строгостью постановки задач и применяемых математических методов, применением различных альтернативных методов диагностики создаваемых наноструктур, статистической обработкой полученных результатов, согласием расчетных и экспериментальных данных.

Работа выполнялась с использованием современного оборудования НОЦ в направлении нанотехнологий НИУ ИТМО. Обработка данных проводилась на базе кафедры Нанотехнологий и материаловедения НИУ ИТМО.

Практическая ценность работы обусловлена разработкой относительно простого и недорогого метода создания дифракционных решеток с пространственным периодом до -100 нм с площадью -100x100 мкм, а также проводящих наноструктур различной геометрии, представляющих интерес при создании элементов и устройств нанофотоники, наноэлектроники, наносенсорики.

Апробация работы

Результаты работы докладывались и обсуждались на 1У-УШ Всероссийских научных конференциях молодых ученых (Санкт-Петербург, 2007-2011), на XXXVIII, ХХХЗХ и ХЬ научных и учебно-методических V конференциях СПбГУ ИТМО (Санкт-Петербург, 2009-2011). Публикации

По материалам диссертации опубликовано 6 работ в журналах, включенных в перечень изданий, рекомендованных ВАК.

Структура и объем работы

Работа состоит из введения, четырех глав, заключения, списка использованных источников (79 наименований). Основной текст работы изложен на 111 страницах, включает в себя 2 таблицы и 75 рисунков.

Список основных сокращений

АСМ — атомно-силовая микроскопия

БСОМ — ближнепольная сканирующая оптическая микроскопия

ПО — программное обеспечение

РЭМ - растровая электронная микроскопия

СЗМ — сканирующая зондовая микроскопия

СС — следящая система

CCJI - сканирующая силовая литография

ССМ — сканирующая силовая микроскопия

СТМ — сканирующая туннельная микроскопия

Заключение диссертации по теме «Приборы и методы измерения по видам измерений», Пинаев, Александр Леонидович

Выводы

1. Математическая , модель показывает, что в процессе литографии происходят сложные физические процессы, которые необходимо учитывать для проведения оптимальной модификации поверхности.

2. Устойчивость зонда напрямую зависит от радиуса закругления и угла заточки.

3. В результате моделирования показано существования области параметров режима, в которой возможно получение оптимального режима ДСЛ.

Глава IV. Экспериментальные результаты

4.1. ДСЛ исходной подложки из поликарбоната

Для обеспечения высокой точности измерения геометрических размеров нанообъектов проводились линеаризация и калибровка сканера СЗМ «ЫапоЕс1иса1:ог» в трех измерениях. Для этой цели использовались аттестованные меры малой длины. Для лианиризации и калибровки перемещения сканера в плоскости (Х,У) использовались периодические одномерные и двумерные структуры на поверхности кремния с известным периодом Т=(3.00±0.05) мкм (решетки ТОО, ТОХ). Для калибровки сканера по оси Ъ использовались кремниевые структуры в виде ступенек с известной высотой Ь=(19±1) нм (TGZ). На рис. 37 представлены СЗМ-изображения тестовых решетк, полученные до (а) и после (б) линеаризации и калибровки сканера. Процедура линеаризации и калибровки обеспечивала отклонение от линейности при сканировании в пределах 5 % и отклонение от ортогональности от осей (Х,У) в пределах 1°. Для определения чувствительности сканера по осям (Х,У) и отклонения от ортогональности использовались как прямая обработка СЗМ-изображений, так и фурье-анализ. а) У мкм б) У мкм

О 2 4 6 8 X мкм 0 2 4 6 8 X мкм

Рис. 37. СЗМ-изображения тестовых решеток до (а) и после (б) линеаризации и калибровки СЗМ «ЫапоЕс1иса1:ог»

Гистограмма

Рис. 39. Гистограмма распределения высот поверхности полимера

Для формирования рельефа использовался шаблон, показанный на рис. 25.

1000 2000 3000 «00 5000 6000 7000

Рис. 40. СЗМ-изображение результата ДСЛ поверхности полимера

При формировании рельефа наиболее эффективными оказались следующие параметры процесса нанолитографии:

1. Управляющее напряжение - 1.42 В.

2. Время нахождения сканера в верхнем положении (г) — 100 мкс.

3. Шаг-40 нм.

Результат ДСД показан на рис. 40.

4.2. ДСЛ тонкой Аи пленки на поверхности поликарбоната

4,2.1. Потеря устойчивости зонда (критический угол при данном диаметре проволоки)

На рис. 40. представлены РЭМ изображения зондов полученные до и после процесса ДСЛ. Видно, что при малых углах при вершине зондов, наблюдается необратимая деформация зондов. При углах около и более 30 градусов в процессе ДСЛ зонды вели себя устойчиво. изображение поверхности образца (рис. 42) и гистограмма (рис. 43) не отличается от исходной. і і і і О 4 8 12 16 X, мкм

Рис. 42. СЗМ-изображение поверхности поликарбоната с нанесенной металлической пленкой и=1.42В, т=100мкс

Гистограмма

Т, км

Рис. 43. Гистограмма распределения высот поверхности поликарбоната с нанесенной металлической пленкой

Параметры шероховатости при таком значении следующие:

- Средняя шероховатость: 12.9 нм;

- Корень из среднего квадратичного: 15.01 нм.

Последующие четыре эксперимента были проведены при оптимальном значении и=3.57В (минимальные геометрические размеры ямок глубиной большей, чем толщина металлической пленки) и при различных значениях т (80, 120, 150, 200) мкс.

Геометрические размеры тридцати измеренных ямок (Диаметр В и глубина И), полученных при каждом проведенном ДСЛ, а также их среднее значение и погрешность измерений (коэффициент Стьюдента = 2.045 при доверительной вероятности = 0.95,29) представлены в таблице 2.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Пинаев, Александр Леонидович, 2011 год

1. Пул Ч., Оуэне Ф. Нанотехнологии. М.: Техносфера, 2006.

2. Моро У. Микролитография: М., Мир, 1990.

3. У. Handbook of Microlithography, Micromachining, and Microfabrication/ Ed. by P. Rai-Choudhury. (Washington: SPIE Optical Engineering Press* 1997) V.l .

4. Алферов Ж.И., Асеев А.Л., Талонов C.B., Копьев П.С, Панов. В.И., Полторацкий^ Э.А., Сибсльдин Н:Н!, Сурис Р.А. Наноматериальв и/ нанотехнологии// Микросистемная техникам 20031 №81 G. ЗНЗ;

5. Коваленко П.П., Мусалимов В: М. Прямая и обратная задачи паттернизации сигналов; и изображений // Известия вузов; Приборостроение. 2011. Т. 54, № 1, С. 38-45.

6. G.Binnig, HiRohrer, GhiGerber, E.Weibel Tunneling through a controllable vacuumgap. // Appl. Phys. Lett., v. 40, p. 178 (1982).

7. Phys. Rev. Lett. 49, 57-61 (1982) Surface Studies by Scanning Tunneling Microscopy

8. Wadas, A. Theoretical approach to magnetic force microscopy / A. Wadàs, P. • Cirutter // Phys. Rev. B 1989 - 39 - 12013-12017.

9. Saenz, J.J. Observation of magnetic forces by the atomic force microscope /J.J Saenz, N. Garcia, P. Grutter et. al. // J. Appl. Phys. 1987 - 62 - 4293.

10. GiessibI, F.J. Theory for an electrostatic imaging mechanism allowing1 atomic resolution of ionic crystals by atomic force microscopy / F.J. Gicssibl // Physi. Rev. B 1992 - 45 - 13815-13818

11. Hartmann, U. Itermolecular and surface forces in noncontact scanning force microscopy / U. Hartmann // Ultramicroscopy — 1992 42-44(1) — 59-65.

12. Vatel, O: Kelvin probe force microscopy for potential distribution? measurement of semiconductor devices / O. Vatel, M. Tanimoto // J. Appl. Phys. 1995 - 77 - 2358.

13. Henning, A.K. Two-dimensional surface dopant profiling in silicon using Kelvin probe microscopy / A.K. Henning, T. Hochwitz, J. Slinkman et. al. // J. Appl. Phys. 1995 - 77 - 1888.

14. Matey, J.R. Scanning capacitance microscopy / J.R.' Matey, J: Blanc // J. Appl. Phys. 1985-57- 1437.

15. Martin, Y. Hihg-resolution capacitance measurement and potentiometry by force microscopy / Y. Martin, D.W. Abraham, H. K. Wickramasinghe // Appl. Phys. Lett. 1988 - 52 - 1103.

16. Hosaka, S. Observation of natural oxide growth on dilicon facets using an* atomic force microscope with current measurement / S. Hosaka, H. Koyanagi, S. Hosoki, A. Hiraiwa // J. Appl. Phys. 1992 - 72 - 688.

17. Hosaka, S. Observation of natural- oxide growth on dilicon facets using an atomic force microscope with current measurement / S. Hosaka, H. Koyanagi, S. Hosoki, A. Hiraiwa // J. Appl. Phys. 1992 - 72 - 688.

18. Пул, Ч. Нанотехнологии / Ч. Пул, Ф. Оуэне. — М. : Техносфера, 2006.

19. J.G. Simons, Generalized formula for the electric tunnel ef-fect between' similar electrodes separated by a thin insulat-ing film, Ji Appl: Phys., 34, 1793 (1963).

20. M. Neitzert, Ph. D Thesis, University of Muenster, 1999

21. M.A. Paesler and PJ. Moyer. Near-Field optics: theory, instrumentation, and applications // Wiley, 1996. P. 355.

22. Миронов B.JI. Основы сканирующей зондовой микроскопии; РАН, Институт физики микроструктур. Н. Новгород, 2004.

23. Нгуен Тхи Хонг, Во Тхань Тунг, С. А. Чижик Оценка влияния добротности камертонного датчика, на качество измерений' в? атомно-силовой микроскопии. // Методологические аспекты сканирующей зондовой микроскопии. 2008. с. 148-153.

24. Vo Т.Т., Chizhik S.A, Chikunov V.V, Nguyen T.V, and Tran X.H. Influence of additional mass on quartz tuning fork in. dynamic operation mode // Proc. of 7th Int. Methodological aspects of scanning probe microscopy 2006, BelSPM-7, Belarus. Pp. 88-92.

25. A.A. Васильев, С.Ю. Керпелева, И1Д. Сапожников, B.B. Котов; А.О.Голубок, Датчик локального силового и туннельного взаимодействия в сканирующем зондовом микроскопе. Научное приборостроение, т. 15, № 1, с.62-69 (2005)

26. Г. Бинниг, Г. Рорер, Сканирующая туннельная микроскопия — от рождения к юности Нобелевские лекции по физике — 1996. УФН, т. 154 (1988), вып.2, с. 261.

27. G. Binnig, C.F. Quate, Ch. Gerber. Atomic force microscope.// Phys. Rev. Lett., 1986, Vol. 56, № 9, p. 930 933.

28. M. Fotino, Tip sharpening by normal and reverse electrochemical etching. . //Rev. Sei. Instrum. 1993, 64 (1), p. 159-167 '

29. McCord, M.A. Lithography with the scanning tunneling microscope /М.А. McCord; R.F.W. Pease // J. Vac. Sei. Technol. В 1986 - 4(1) - 86-88.

30. Wendel, M. Nanolithography with an atomic force microscope for integrated fabrication of quantum electronic devices / M. Wendel1, S. Kuhn S., H. Lorenz et.al. // Appl. Phys. Lett. 1994 - 65 - 1775.

31. Неволин, B.K. Зондовые нанотехнологии в электронике / В.К. Неволин. — М. : Техносфера; 2005 152 с.

32. Saulys, D.S. Electron-beam-induced patterned deposition of allylcyclopentadienyl palladium using scanning tunneling microscopy / D.S. Saulys, A. Ermakov, E.L. Garfunkel .et. al. // J. Appl. Phys. 1994 - 76 -7639.

33. Baba, M. Nanostructure fabrication by scanning tunneling microscope / M. Baba, S. Matsui // Jpn. J. Appl. Phys. 1990 - 29 - 2854-2857.

34. Majumdar, A. Nanometer-scale lithography using the atomic force microscope / A. Majumdar, P.I. Oden, J.P. Carrejo et.al. // Appl. Phys. Lett. 1992 - 61 -2293.

35. Yau, S.-T. Nanofabrication with a scanning tunneling microscope / S.-T. Yau, D. Saltz, A. Wriekat et. al. // J. Appl. Phys. 1991 - 69 - 2970.

36. Brückl, H. Low energy electron beam decomposition of metalorganic precursors with a scanning tunneling microscope at ambient atmosphere / H. Brückl, J. Kretz, H.W. Koops, G. Reiss // J. Vac. Sei. Technol. В 1999 -17(4)-1350-1353.

37. Ehrichs, E.E. Etching of silicon (111) with the scanning tunneling microscope / E.E. Ehrichs, A.L. de Lozanne. // J. Vac. Sci. Technol. A 1990 - 8(1) - 571573.

38. Soh H. Т., Guarin K. W. i, Quate C. F. Scanning Probe Lithography. Boston: Kluwer, 2001.

39. Нанотехнологии в электронике. Под редакцией Ю. А. Чаплыгина. -М : Техносфера, 2005 с 76-78

40. Mirkin С.А. Dip-pen nanolithography: automated fabrication' of custom multicomponent, sub-100 nanometer surface architectures- // MRS Bulletin. 2001. 26. P. 535-538.

41. Kunze U. Nanoscale devices fabricated by dynamic ploughing with an atomic force microscope // Superlattices and Microstructures. 2002. 31. P.' 3 17.

42. Sohn L.L., Willett R.L. Fabrication of nanostructures using atomic-force-microscope-based lithography//Appl. Phys. Lett. 1995. 67. P. 1552*- 1554.

43. Mamin H.J., Terris B.D:, Fan L.S., Hoen S., Barrett R.C., Rugar D. High-density data storage using proximal probe techniques // IBM J. Res. & Dev. 1995.39. P. 681-699.

44. Pantazi A., Lantz M.A., Cherubim G., Pozidis H., Eleftheriou E. A servomechanism for a micro-electromechanical-system-based scanning-probe data-storage device //Nanotechnology. 2004. 15. P. 612 621

45. Besshoi K., Hashimoto S. Fabricating nanoscale structures on Au surface with scanning tunneling microscope // Appl. Phys. Lett. 1994'. 65. P. 2142 2144

46. Lyo I.W., Avouris P. Field-induced nanometer-to atomic-scale manipulation of silicon surfaces with the STM// Science. 1991. 253. P. 173 176

47. Crommie M.F., Lutz C.P., Eigler D.M. Confinement of electrons to quantum corrals on a metal surface // Science. 1993. 262. P. 218 220.

48. Lozanne A. de. Pattern generation below 0.1 micron by localized chemical vapor deposition with the scanning tunneling microscope // Japan. J. Appl. Physic. 1994. 33. P. 7090 7093.

49. Nagahara L.A., Thundat Т., Lindsay S.M. Nanolithography on semiconductor surfaces under an etching solution // Appl. Phys. Lett. 1990. 57. P. 270 272

50. Thundat Т., Nagahara L.A., Lindsay S.M. Scanning tunneling microscopy studies of semiconductor electrochemistry // J. Vac. Sci. & Technol. 1990. 8. P. 539-543

51. Biosensor & Bioelectronics 11, 923 (1996).

52. Jahanmir J., West P. E., Hsich S. A. O. Surface Modification of a-Si-H with a. STM Operated in Air // J. Appl. Phys. -1989. Vol: 65; No5. - P. 2064 - 2068-.

53. Bloess H:, Staikov G., Schultze J.W. AFM induced of Si02 structures, in the electrochemical nanocell // Electrochemica Acta. 2001. 47. P. 335-344

54. Davis C.C., Atia W.A., Gungor A., Mazzoni D.L., Pilevar S., Smolyaninov I.I. Laser Phys., 1 b, 243 (1997)., Herndon M.K., Collins R.T., Hollingsworth R.E., Larson P.R., Johnson M.B. Appl. Phys. Lett., 74, 141 (1999).

55. Betzig E., Trautman J.K., Wolfe R., Gyorgy E.M., Finn P.L., Kryder M.H., Chang C.H. Appl: Phys. Lett., 61, 142 (1992).

56. Hosaka S., Kikukawa A., Koyanagi H., Miyamoto M., Nakamura K., Etoh K. Nanotechnology, 8, A58 (1997).

57. Zeisel- D., Dutoit В., Deckert V., Roth Т., Zenobi R: Anal. Chem., 69, 749 (1997)., Naber A., Dziomba Т., Ficher U.C., Maas H.-J., Fuchs H. Appl. Phys. A, 70, 227 (2000).

58. Dryakhlushin V.F., Klimov A.Yu., Rogov V.V., Shashkin V.I., Sukhodoev

59. Иванов-Еесипович Н. К. Физико-химические основы производства РЭА. Москва "Высшая школа", 1979

60. Джонсон К. Механика контактного взаимодействия. М. , Мир. 1989. 510 с.

61. А.А.Андронов, А.А.Витт, С.Э.Хайкин Теория колебаний М., 1959.

62. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теоретическая физика. Т.VII. Теория упругости. М., Наука. 1987. 248 с

63. Камке Э. Справочник по обыкновенным дифференциальным уравнениям. М.: Наука. 1971.-589 с.

64. Прочность, устойчивость, колебания. Справочник, т.З. Под ред. А.И.Биргера и Я.Г.Пановко. М.: Машиностроение. 1968. — 567 с.

65. Физические величины. Справочник. Под редакцией И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. М., Энергоатомиздат, 1991. — 1232 с.

66. Rabkin Е. and Srolovitz DJ. Onset of plasticity in gold nanopillarc compression. Nano Letters. 2007. V.7. N1. pp. 101 - 107.

67. Л. И. Магарилл, A.B. Чаплик, M.B. Энтин. Спектр и кинетика электронов в криволинейных наноструктурах, Успехи физических наук,2005. Т. 175,№9. С.995-1000

68. В. К. Воронов, A.B. Подоплелов, Современная физика: Конденсированное состояние: Учебное пособие. — М: Издательство ЛКИ, 2008.-336с.