Разработка технологии гидрохимического синтеза пленок твердых растворов на основе селенидов свинца и олова для создания высокочувствительных ИК-детекторов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.17.02, кандидат технических наук Мухамедзянов, Хафиз Науфалевич

• Мухамедзянов, Хафиз Науфалевич
• кандидат технических наук
• 2010

Оглавление диссертации кандидат технических наук Мухамедзянов, Хафиз Науфалевич

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1. МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ, СВОЙСТВА И ПРИМЕНЕНИЕ ПЛЕНОК ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ РЬ^п^е И ИХ СОСТАВНЫХ КОМПОНЕНТОВ (ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР).

1.1. Проблема фоточувствительных материалов для современной ИК-техники. Применение твердых растворов PbiJSnj.Se.

1.2. Технология получения пленок РЬ^Бп^Зе, РЬБе, 8п8е.

1.2.1. Получение пленок твердых растворов РЬь^п^е физическими методами.

1.2.2. Химические методы осаждения пленок РЬ^Зп^е, РЬ8е и 8п8е.

1.3. Структура, состав и электрофизические свойства твердых растворов замещения в системе РЬ8е-8п8е.

1.4. Методы сенсибилизации пленок селенидов металлов к ИК-излучению.

Выводы.

Глава 2. СИНТЕЗ И АТТЕСТАЦИЯ ОБЪЕКТОВ. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ.

2.1. Методика гидрохимического синтеза пленок селенидов свинца, олова и твердых растворов на их основе.

2.2. Определение толщины пленок РЬБе, 8п8е и РЬ^п^е.

2.3. Исследование структуры, фазового, элементного состава и морфологии пленок РЬ8е и РЬ^Пдве.

2.4. Методика термического отжига пленок.

2.5. Нанесение «омических» контактов на поверхность осажденных пленок.

2.6. Измерение фотоэлектрических параметров.

2.7. Измерение постоянной времени и частотной характеристики.

2.8. Определение относительных спектральных характеристик Фоточувствительности.

2.9. Определение термической ширины запрещенной зоны.

2.10. Определение длинноволновой границы поглощения пленок и оптической ширины запрещенной зоны.

Глава 3. РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ГИДРОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК В СИСТЕМЕ РЬ8е-8п8е

И ИХ ИССЛЕДОВАНИЕ.

3.1. Технология получения твердых растворов РЬ^ЭпдЗе совместным осаждением РЬЭе и 8п8е (МСО).

3.1.1. Термодинамический расчет области образования твердых растворов РЬ1т8пх8е при совместном осаждении селеномочевиной РЬ8е и 8п8е из цитратной реакционной смеси.

3.1.2. Термодинамический расчет области образования РЬ^^п^е при совместном осаждении РЬ8е и 8п8е селеномочевиной из трилонатной системы.

3.1.3. Термодинамический расчет области образования твердых растворов РЬ1л8пх8е при совместном осаждении РЬ8е и 8п8е селеномочевиной в этилендиамин-ацетатной системе.

3.1.4. Поиск и оптимизация условий совместного осаждения пленок селенида свинца и олова (II).

3.2. Технология послойного осаждения пленок РЬ8е и 8п8е (МПО).

3.2.1. Оптимизация условий гидрохимического осаждения пленок индивидуального РЬ8е.

3.2.2. Оптимизация условий гидрохимического осаждения пленок индивидуального селенида олова (II).

3.2.3. Гидрохимический синтез тонкослойных композиций на основе

РЬ8е и 8п8е.

3.3. Исследование структуры, состава и морфологии совместно осажденных пленок РЬ8е и 8п8е и тонкослойных композиций на их основе

3.3.1. Исследование совместно осажденных пленок РЬБе и БпБе из цитратной системы.

3.3.2. Исследование структуры, состава и морфологии свежеосажденных тонкослойных композиций на основе РЬБе и БиБе.

Выводы.

Глава 4. ТЕРМОСЕНСИБИЛИЗАЦИЯ ХИМИЧЕСКИ СООСАЖДЕННЫХ ПЛЕНОК ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ РЬ^Бп^е (МСО) И МНОГОСЛОЙНЫХ КОМПОЗИЦИЙ НА ОСНОВЕ ЗпБе-РЬБе (МПО).

4.1. Определение условий термосенсибилизации гидрохимически осажденных пленок РЬ1х8пх8е и композиций РЬБе—Эпве.

4.2. Влияние процесса термообработки пленок, полученных методом МСО и МПО на их структуру, состав и морфологию.

4.3. Фотоэлектрические характеристики термически обработанных пленок твердых растворов РЬ^^п^е, полученных методами МСО и МПО.

4.4. Выбор технологии и условий получения пленок твердых растворов РЬ1х8пх8е.

Выводы.

Глава 5. РАЗРАБОТКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИК-ДЕТЕКТОРОВ НА ОСНОВЕ ГИДРОХИМИЧЕСКИ ОСАЖДЕННЫХ ПЛЕНОК РЬ^п^е И ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК.

5.1. Технология изготовления одноэлементных фоторезисторов на основе химически осажденных пленок РЬ8е и РЬи^п^е.

5.2. Исследование фотоэлектрических, частотных, спектральных и температурных характеристик фоторезисторов, изготовленных на основе пленок РЬ^^п^е.

5.3. Исследование влияния процессов корпусирования и «старения» на основные характеристики фоторезисторов.

5.4. Применение разработанных фоторезисторов на основе пленок твердых растворов РЬ^п^е, полученных по технологии МПО.

5.4.1. Преимущества использования ИК-детекторов на основе пленок Pbi.^Sn^Se (0 < х < 0,132) в фотоприемных устройствах по сравнению с PbSe.

5.4.2. Фотоприемное устройство кругового обзора для обнаружения лесных пожаров.

5.4.3. Малоинерционное фотоприемное устройство для температурного контроля буксовых узлов колесных пар.

5.4.4. Применение пленок твердых растворов Pbi-^Sn^Se в ИК лидарах для экологического мониторинга окружающей среды.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка технологии гидрохимического синтеза пленок твердых растворов на основе селенидов свинца и олова для создания высокочувствительных ИК-детекторов»

Актуальность работы. Наиболее узким звеном в развитии инфракрасной техники является создание новых высокочувствительных и доступных материалов. ИК-излучение несет информацию о температуре тела, его химическом составе и строении. Регистрация и преобразование ИК-излучения является основой современного тепловидения.

Тепловидение позволяет проводить температурный мониторинг атмосферы, поиск полезных ископаемых, картографирование, контроль за ландшафтом местности и водными бассейнами, изучать небесные тела и озоновый слой Земли, составлять температурные карты поверхности Земли, в приборах ночного видения, в военном деле в тепловых головках наведения, для предотвращения чрезвычайных ситуаций. Наиболее информативны для этих целей средний (3—5 мкм) и дальний (5—14 мкм) ИК-диапазоны.

Среди широко используемых материалов, чувствительных к ИК-излучению, благодаря своей универсальности занимают твердые растворы замещения Cd^Hgi^Te (KPT) и Pb^Sn^Te (СОТ). Однако для них характерна низкая стабильность свойств, необходимость сложного технологического оборудования для изготовления и высокая коммерческая стоимость. Все это сдерживает развитие и широкое использование тепловидения. Актуальной задачей является создание и разработка эффективной технологии синтеза альтернативных им соединений. К перспективным материалам следует отнести твердые растворы замещения в системе селенид свинца-селенид олова (П). Их уникальность заключается в присущей им инверсии зон проводимости при формировании общей структуры, в результате чего наблюдается уменьшение ширины запрещенной зоны с увеличением содержания олова и сдвиг диапазона спектральной чувствительности в длинноволновую область спектра вплоть до 12 мкм.

Главной стороной решения проблемы производства фотодетекторов на основе Pbi-^Sn^Se является создание тонкопленочной технологии. Очевидно^ что серийное производство и широкое применение ИК-детекторов на основе этого материала возможно при условии, что способ их изготовления будет высокопроизводителен, отличаться способностью к проведению целенаправленного синтеза, обладать требуемой воспроизводимостью характеристик и низкой себестоимостью. Указанными качествами обладает технология гидрохимического осаждения пленок. Однако к настоящему времени для РЬ^^п^е она не разработана. Практически отсутствуют публикации по этому направлению и даже в редких работах не ставилась задача оптимизации условий получения твердого раствора РЬ^Эп^е в направлении создания эффективной технологии изготовления высокочувствительных ИК-детекторов с пороговыми характеристиками близкими к предельным.

Из результатов ранее выполненных исследований можно заключить, что перспективными технологическими приемами гидрохимического синтеза РЬ| л8пх8е являются: 1) Совместное осаждение селенидов свинца и олова с последующей сенсибилизацией слоев путем отжига. Назовем ее технология МСО (т.е. с использование метода соосаждения). 2) Послойное осаждение индивидуальных селенидов свинца и олова в виде многослойных композиций с последующей их термообработкой или технология МПО.

Актуальность выполненных исследований подтверждается их включением в Государственную программу «Ренессанс» и тематику исследований, проводимых в рамках единого заказ-наряда УГТУ-УПИ по направлению "Разработка физико-химических основ получения из водных сред материалов на основе халькогенидов, оксидов и галидов металлов с широким спектром заранее заданных электрофизических и химических свойств" (1999—2010 гг.). Кроме того, об актуальности проводимых исследований свидетельствует поддержка работы Российским фондом фундаментальных исследований: № 05-08-50249-а "Исследование кинетики химического осаждения и формирования пленок пересыщенных твердых растворов халькогенидов металлов регулируемого состава" (2005-2006 гг.); № 06-03-08103-офи "Разработка целенаправленного гидрохимического синтеза и исследование функциональных свойств новых материалов на основе тонких пленок халькогенидов металлов для фотодетекторов и химических сенсоров" (2006-2007 гг.)

Делью диссертационной работы являлась разработка и оптимизация эффективной технологии получения пленок твердых растворов РЬ^Бп^е методом гидрохимического осаждения для создания высокочувствительных ИК-детекторов, изготовление и исследование их фотоэлектрических и эксплуатационных свойств. Работа была построена на сравнительном исследовании пленок, полученных как путем гидрохимического соосаждения РЬ8е и 8п8е, так и их послойного осаждения с последующей термообработкой.

Для достижения поставленной цели в работе необходимо было решить следующие задачи:

1. Определить области совместного осаждения селенидов свинца и олова (II) в реакционных смесях с различными комплексообразующими агентами с выбором перспективных составов.

2. Исследовать и оптимизировать технологические условия синтеза пленок РЬ^^ц^е путем совместного осаждения селенидов свинца и олова (II) в цитратной системе.

3. Исследовать и оптимизировать технологические условия послойного осаждения селенидов свинца и олова (II) с формированием тонкопленочных композиций.

4. Оптимизировать технологические параметры термосенсибилизации слоев, полученных соосаждением РЬБе и 8п8е и тонкопленочных композиций (8п8е-РЬ8е)„ с изучением состава, структуры, морфологии и фоточувствительных свойств.

5. Провести сравнительные исследования фотоэлектрических и спектральных характеристик полученных пленок твердых растворов замещения РЬ^^н^е по разработанным технологиям с выбором наиболее перспективной из них.

6. Изготовить экспериментальные образцы высокочувствительных фоторезисторов на основе пленок РЬь^ПдЗе, исследовать их пороговые, частотные и эксплуатационные характеристики и испытать их в составе фотоприемных устройств различного назначения.

Научной новизной обладают следующие результаты диссертационной работы:

1. Установлены влияние рН, температуры, состава реакционной смеси на процесс соосаждения из водных растворов селенидов свинца (II) и олова (II) и условия термоактивации полученных пленок твердых растворов РЬ^БПдЗе (О <х < 0,087).

2. Впервые послойным гидрохимическим осаждением РЬ8е и 8п8е с последующей термообработкой тонкопленочных композиций получены твердые растворы замещения РЬ^^ц^е, содержащие до 13,2 мол. % БпБе.

3. Состав, структура, фотоэлектрические и спектральные характеристики химически осажденных пленок твердых растворов РЬм-^п^е, установление взаимосвязи между их функциональными свойствами и условиями получения.

4. Пороговые, частотные, спектральные и эксплуатационные характеристики разработанных на основе химически осажденных пленок РЬ^Бп^Зе одноэлементных фоторезисторов для среднего и дальнего ИК-диапазона.

Практическая ценность

1. Установлены технологические параметры синтеза и термосенсибилизации многослойных композиций на основе пленок РЬ8е и 8п8е и слоев, полученных их соосаждением.

2. Разработана технология гидрохимического осаждения фоточувствительных к ИК-излученшо пленок твердых растворов РЬ^Зп^е (0 < х < 0,132) путем формирования многослойных композиций.

3. Разработаны технологические условия изготовления высокочувствительных ИК-детекторов на основе пленок твердых растворов РЬ^^п^е, для комплектации тепловизионного устройства раннего обнаружения лесных пожаров и комплектации аппаратуры теплового контроля буксовых узлов колесных пар железнодорожного транспорта.

Положения диссертации, выносимые на защиту

1. Результаты по определению условий соосаждения PbSe и SnSe из цит-ратной системы и их послойного осаждения из этилендиамин-ацетатной и три-лонатной реакционных смесей с получением тонких пленок.

2. Результаты по изучению состава, структуры, морфологии и фотоэлектрических свойств пленок Pb^Sn^Se, полученных соосаждением и послойным осаждением селенидов свинца и олова (II).

3. Взаимосвязь условий термосенсибилизации пленок Pbi-^Sn^Se и композиций (PbSe—SnSe)„ (температуры, режима термообработки, соотношения площадей поверхности пленок к рабочему объему, легирующей добавки) с фотоэлектрическими характеристиками.

4. Пороговые, частотные, спектральные и эксплуатационные характеристики разработанных одноэлементных фоторезисторов на основе Pb^Sn^Se, в том числе результаты их испытаний в составе аппаратуры температурного контроля буксовых узлов колесных пар железнодорожного транспорта и теплови-зионных устройствах для обнаружения лесных пожаров.

Личный eroiafli автора состоял в постановке задач исследования, планировании экспериментов, непосредственном участии в их проведении, обработке и анализе полученных результатов, изготовлении одноэлементных фоторезисторов и ИК-детекторов на их основе с последующим исследованием их основных характеристик.

Апробация работы. Основные результаты и положения диссертационных исследований докладывались и обсуждались на третьем семинаре СО РАН-УрО РАН по термодинамике и материаловедению (Новосибирск, 2003), 7-й Международной конференции "Прикладная оптика-2006" (С-Петербург, 2006), 5-th Int. Conf. in Inorg. Mat. (Ljubljana, Slovenia, 2006), IV International Scientific and Practical Conference "Emergency Situations" (Minsk, 2007), International Conference «High.Mat.Tech:» (Kiev, 2007), Международной научно-практической конференции "Актуальные проблемы пожарной безопасности" (Москва, 2008), VTIT International Scientific Conference (Kislovodsk, 2008); Второй Всероссийской научно-технической конференции и XII Школы молодых ученых «Безопасность критичных инфраструктур и территорий» (Екатеринбург, 2008).

Публикации. По результатам исследований опубликовано 16 печатных работ, в том числе 4 статьи в журналах, рекомендуемых ВАК, 3 статьи в научных сборниках, тезисы 7 докладов Международных и Всероссийских конференций, 2 патента РФ.

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав с выводами, библиографического списка, включающего 281 наименование цитируемой литературы. Материал изложен на 192 страницах машинописного текста. Работа содержит 68 рисунков, 7 таблиц и 1 приложение.

Заключение диссертации по теме «Технология редких, рассеянных и радиоактивных элементов», Мухамедзянов, Хафиз Науфалевич

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

1. Расчетом ионных равновесий в цитратной, трилонатной и этилендиамин-ацетатной системах с учетом обратимого характера разложения селеномочеви-ны и условий зародышеобразования определены граничные условия осаждени-ия селенидов свинца и олова (И), а также их гидроксидных фаз. Найдены области рН совместного осаждения РЬБе и 8п8е, потенциально пригодных для синтеза твердых растворов РЬк^п^е.

2. На основе анализа структуры, состава и кинетики роста пленок селенидов свинца и олова (II) установлено образование твердых растворов РЬ^^п^е (О < х < 0,132) соосаждением РЬ8е и 8п8е в цитратной системе и оптимизированы условияих получения.

3. Гидрохимическим осаждением РЬ8е из этилендиамин-ацетатной и 8п8е из трилонатной системы определены оптимальные условия получения-многослойных композиций (РЬ8е-8п8е)„ с числом слоев от двух до восьми.

4. Впервые установлено образование твердых растворов* РЬ^Зп^е (0- < х < 0,132) путем термического отжига химически осажденных многослойных композиций (8п8е-РЬ8е)„ (п = 1, 2, 3, 4).

5. Сравнительные рентгеновские и электронно-микроскопические исследования пленок РЬ^^п^е, полученных соосаждением и послойным осаждением РЬ8е и 8п8е, показали, что после термоактивации изменяется* фазовый и элементный состав пленок и их морфология.

6. Установлено, что увеличение числа слоев в тонкопленочных композициях способствует увеличению содержания селенида олова (II) в твердом растворе РЬк^ПдЗе и возрастанию неоднородности размеров и состава кристаллитов в пленке.

7. Предложен режим и разработаны условия термического отжига пленок, полученных как соосаждением, так и послойным осаждением РЬ8е и 8п8е (рабочая-температура, содержание легирующей добавки, соотношение объема негерметично закрытой емкости и площади поверхности пленки);; обеспечивающие достижение высоких фотоэлектрических характеристик и сдвиг длинноволновой границы спектральной чувствительности в длинноволновую область спектра. Показано, что более предпочтительной является технология послойного осаждения ЗпБе и РЬБе с числом слоев равном 4.

8. Разработана технология охлаждаемых и неохлаждаемых высокочувствительных фоторезисторов на основе гидрохимически осажденных пленок твердых растворов РЬ^ПдЗе (0 < х < 0,132) для ИК-области спектра (1,0-7,0 мкм), обеспечивающая достижение обнаружительной способности 0*(?цпах; 1000) до 2-1010 см-Вт1Гц1/2 при постоянной времени 3—12 мкс и не имеющих аналогов в отечественной и зарубежной оптоэлектронике. Установлена высокая стабильность их свойств во времени, исследованы пороговые, частотные, спектральные и эксплуатационные характеристики.

9. Разработанные экспериментальные образцы высокочувствительных фоторезисторов на основе гидрохимически осажденных пленок РЬ^БпдЗе внедрены ООО «ИЦ Уралсемикондактор» (г. Екатеринбург) для изготовления быстродействующей аппаратуры температурного контроля буксовых узлов колесных пар железнодорожного транспорта, ФПУ кругового обзора для раннего обнаружения лесных пожаров и использованы Институтом оптики атмосферы СО РАН (г. Томск) в оптоэлектронной аппаратуре мониторинга окружающей среды.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Мухамедзянов, Хафиз Науфалевич, 2010 год

1. Волков, В.Г. Тепловизионные приборы нового поколения / В.Г. Волков,

2. A.B. Ковалев, В.Г. Федчишин // Специальная техника. 2001. — № 6. -С. 64-71.

3. Мартынов, В.В. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники / В.В. Мартынов, Т.Е. Базарова // М.: Высшая школа. -1990.- 128 с.

4. Курбатов, Л.Н. Основные направления разработок фотоприемников и фотоприемных устройств для тепловидения в период 1970—1998 г.г. / Л.Н. Курбатов//Прикладная физика. 1999. - № 3.- С. 1-13.

5. Конов, В.И. Фундаментальные достижения-оптики и лазерной физики для медицины / В.И. Конов, В.В. Осико, И.А. Щербаков // Вестник РАН. — 2004.- Т. 74. № 2. - С. 443 - 456.

6. Гаврикова, Т.А. Электрические и фотоэлектрические свойства анизотип-ного гетероперехода Pb0,93Sn0>07Se/PbSe / Т.А. Гаврикова, В.А. Зыков // Физика и техника полупроводников. — 1997. — Т. 31. — № 11.

7. Киес, Р.Ж. Фотоприемники видимого и ИК диапазонов / Р.Ж. Киес, П.В. Крузе, Э.Г. Патли // Пер. с англ. под ред. В.И. Стафеева. — М.: Радио и связь. 1985.-328 с.

8. Буткевич, В.Г. Фотоприемники и фотоприемные устройства на основе поликристаллических и эпитаксиальных слоев халькогенидов свинца /

9. B.Г. Буткевич, В.Д. Бочков, Е.Р. Глобус // Прикладная физика. — 2001. — № 6. -С. 66-112.

10. Курбатов, Л.Н. Очерк истории приемников инфракрасного излучения на основе халькогенидов свинца / Л.Н. Курбатов // Вопросы оборонной техники.- Сер. 11.- 1995. В. 3(146) - 4(147). - С. 3. - 1996. - В. 1-2. - С. 3.

11. Буткевич, В.Г. Фотоприемники на основе халькогенидов свинца: состояние работ в ГУП «НПО "Орион"» и перспективы развития / В.Г.Буткевич,

12. Е.Р. Глобус, Г.А. Казанцев, Ю.П. Бугров, Л.Я. Лебедева // Прикладная физика.- 1999. № 2. (http://www.vimi.ru).

13. Василевский, A.M. Оптическая электроника / A.M. Василевский, М.А. Кропоткин, В.В. Тихонов // Л.: Энергоатомиздат. 1990. - 176 с.

14. Поскачей, A.A. Оптико-электронные системы измерения температуры /

15. A.A. Поскачей, ЕЛ.Чубаров // М.: Энергоатомиздат. — 1988. — 248 с.

16. Ушакова, М.Б. Американский рынок ИК-систем с применением фоторезисторов на основе сульфида и селенида свинца / М.Б. Ушакова // Обзор ОНТИ ГУП "НПО "Орион". 1998. - 43 с.

17. Бочков, В.Д. Матричное фотоприемное устройство на основе селенида свинца / В.Д. Бочков, Б.Н. Дражников, Г.А. Казанцев, Э.И. Кафтаненко, М.Л. Храпунов // Прикладная физика. 1999. - № 2. - С. 46-49.

18. Казанцев, Г.А. Фоточувствительные* слои PbSe со смещенной длинноволновой границей фоточувствительности / Г.А. Казанцев, Ю.А. Глебов,

19. B.Г. Буткевич, Н.Ю. Зверева, Т.А. Камышина // Прикладная физика. — 1999.- № 2. (http://www.vimi.ru).

20. Гречнев, К.В. Фурье-спектрометр АОСТ для исследования МАРСА и ФОБОСА с борта КА «ФОБОС-ГРУНТ» / К.В. Гречнев, A.B. Григорьев, Л.В. Засова и др. // ИКИ РАН.: Выездной семинар «Космическое приборостроение». 2006. — Таруса. - Россия. — С. 39-40.

21. Юшин, А.М. Оптоэлектронные приборы и их зарубежные аналоги / A.M. Юшин // Справочник. В 5 тт. - Т. 3 - М.: ИП Радиософт. - 2000. - 512 с.

22. Сизов, Ф.Ф. Твердые растворы халькогенида свинца и олова и фотоприемники на их основе / Ф.Ф. Сизов // Зарубежная электронная техника.- 1977.-Т. 24.-С. 3-48.

23. Мс Cann, P.J. IV-VT MIR lasers for breath analysis / P.J. Mc Cann, K. Namjou, C. Roller, G. Mc Millen // 8th International Conference on Mid-Infrared Optoelectronics, Materials and Devices. Bad Ischl. — Austria. — 2007. — P. 117—125.

24. Zogg, H. Lead chaleogenide IR-emitters and detectors on Si-substrates / H. Zogg, M. Arnold, D. Zimin, K. Alchalabi, K. Kellermann // Moldavian Journal of the Physical Sciences. V. 5. - № 1. - 2006. - P. 88-96.

25. Пляцко C.B. Миграция точечных дефектов в соединениях AIVBVI в поле лазерной волны / С.В. Пляцко // Физика и техника полупроводников. — 2002.- Т. 36. В. 6. - С. 666-673.

26. Пляцко С.В. Генерация объемных дефектов в некоторых полупроводниках лазерным излучением в области прозрачности кристалла / С.В. Пляцко // Физика и техника полупроводников. 2000. — Т. 34. — В. 9. — С. 1046—1052.

27. McCann, P.J. IV-VI semiconductor MID-IR lasers / P.J. Мс Cann, Y. Selivanov, P.N. Lebedev // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2006. - V. 891.- P. (0891- EE01- 05.1- 0891- EE01- 05.12).

28. Bychkova L.P. Temperature dependence of the threshold current of PbSe/PbSnSe DH lasers / L.P. Bychkova, OX Davarashvili, A.P. Shotov // Quantum Electronics. 1993. - V. 23. - № 4. - P. 292-295.

29. Мурашов, M.C. О временных задержках генерации излучения в лазерных диодах на основе халькогенидов свинца / М.С. Мурашов, А.П. Шотов // Квантовая электроника. — 1995. — № 12. — С. 1255-1256.

30. Grisar, R. Properties of diffused PbSnSe homojunction diode lasers / R. Grisar; W. Riedel H. Preier // Quantum Electronics. IEEE Journal. - 1981. - V. 17. -Iss. 5.-P. 586-592.

31. Шотов, А.П. Гетеролазеры PbS/PbSSe/PbSnSe с квантовым размерным эффектом в активной области / А.П. Шотов, Ю.Г. Селиванов // Письма в ЖЭТФ. 1998. - Т. 45. - В. 1. - С. 5-7.

32. Hirota Eizi, Plasma diagnosis by high-resolution spectroscopy of transient molecules / Hirota Eizi // Pure & Appl. Chem. V. 70. - № 6. - 1998. -P. 1145-1150.

33. Шотов, А.П. Физические исследования узкозонных полупроводников и разработка инфракрасных перестраиваемых диодных лазеров / А.П. Шотов // Вестник АН СССР. 1986. - № 6. - С. 3-9.

34. Alwan, Dr. A Study On the Structure and Electrical Properties of Pbo,9Sn0.iSe/Si Heterojunction/ Dr. Alwan, M. Alwan // Eng & Tech. 2007. -V. 25.-№ 10.-P. 211.

35. Zogg, H. Lead Chalcogenide on Silicon Infrared Focal Plane Arrays for Thermal Imaging / H. Zogg, K. Alchalabi and D. Zimin 11 Defence Science Journal. — 2001. — V. 51. № l.-P. 5345.

36. Mukherjee, S. Fabrication of an electrically pumped lead-chalcogenide laser on a 110.-oriented PbSnSe substrate / S. Mukheijee, D. Li, D. Ray, F. Zhao, S.L. Elizondo, J. Ma and Z. Shi // IEEE Photonics Technology Letters. 2008. - № 20. -P. 629-631.

37. Moskalenko, K.L. Tunable diode laser spectroscopy application for ammonia and methane content measurements in human breath / K.L. Moskalenko, A.I. Nadezhdinskii, E.V. Stepanov // Proc. SPIE. -1993. V. 2205. - P. 448-452.

38. Зырянов, П.В. Автоматизированная система управления для диодной лазерной спектроскопии и ее аналитических приложений / П.В. Зырянов, Е.В. Степанов, А.Н. Глушко // Препринт ИОФАН. 2003. - № 1. - 27 с.

39. Салаев, Э.Ю. Особенности роста и электрофизические свойства эпитак-сиальных пленок Pb.xSnxSe:In / Э.Ю. Салаев, И.Р. Нуриев, Х.Д. Джалилова, Н.В. Фараджев //Прикладная физика. 1999. - №3. - С. 57—59.

40. Li, C.P. Strain relaxation in PbSnSe and PbSe/PbSnSe layers grown by liquidphase epitaxy on (lOO)-oriented silicon / C.P. Li, P.J. Mc Cann, X.M. Fang // Journal of Crystal Growth. 2000. - № 208. - P. 423-430.

41. Hoshino, T. Fabrication procedures of photovoltaic lead-chalcogenide-on-silicon infrared sensor arrays for thermal imaging / T. Hoshino, H. Zogg, C. Maissen, J. Masek, S. Blunier // Microelectr. Eng. 1991. - V. 15. - № 1. - P. 293-296.

42. Zogg, H. Heteroepitaxial IV-VI infrared sensors on Si-substrates with fluoride buffer layers / H. Zogg, W. Vogt, H. Melchior // Nucl. Instrum. and Methods Phys. Res. A. 1987. - V. 253. - № 3. - P. 418-422.

43. John, J. IR-sensor array fabrication in PbixSnxSe-on-Si heterostructures / J. John, A. Fach, J. Masck, P. Mullcr, C. Paglino, H. Zogg // Appl. Surf. Sci. 1996. - V. 102.-P. 346-349.

44. Hoshino, T. Monolithic PbixSnxSe infrared sensor arrays on Si prepared by low-temperature processes / T. Hoshino, C. Maissen, H. Zogg, J. Masek, S. Blunier, A.N. Tiwari, S. Teodoropol, W.J. Borer // Infr. Phys. 1991. - V. 32. -P. 169- 175.

45. Семилетов, C.A. Получение, структура и некоторые свойства монокристалл-лических пленок селенида свинца / С. А. Семилетов, И.П. Воронина // ДАН СССР. 1963. - Т. 152. - № 6. - С. 1350-1353.

46. Воронина, И.П. Электрические свойства монокристальных (эпитак-сиальных) пленок PbSe / И.П. Воронина, С.А. Семилетов // Физика твердого тела. 1964. - Т. 6. -№ 5. - С. 1540-1541.

47. Egerton, R.F. Epitaxial films of PbTe, PbSe and PbS grown on silica substrates / R.F. Egerton, C. Juhasz//Br. J. Appl. Phys. 1967. -V. 18. -P; 1009-1011.

48. Poh, K.J. The structure and growth of epitaxial PbSe films / K.J. Poh, J.C. Anderson// Thin Solid Films. 1969. - V. 3. - № 2.- P. 139-156.

49. Волков, Б.А. Зонная структура твердых растворов на основе соединений А4В6/ Б.А. Волков, О.А. Панкратов, А.В. Сазонов // ФТТ. 1984. - Т. 26. - № 2.- С. 430-435.

50. Земсков, B.C. Твердые растворы в полупроводниковых системах. Справочник / B.C. Земсков, В.Б. Лазарев и др. // М.: Наука. — 1978. 203 с.

51. Волков, Б.А. Зонная структура твердых растворов на основе соединений A1VBVI / Б.А Волков, О.А. Панкратов, А.В. Сазонов // ФТТ. 1984. - Т. 26.- В. 2. С. 430-459.

52. Гавалешко, Н.П. Узкозонные полупроводники. Получение и физические свойства / Н.П. Гавалешко, П.Н. Горлей, В.А. Шендеровский // Киев: Наукова Думка. 1984.-288 с.

53. Hohnke, O.K. Epitaxial PbSe and Pbj.xSnxSe: Growth and electrical properties / D.K. Hohnke, S.W. Kaiser // J. Appl. Phys. 1974. - V. 45. 2. - P. 892-897.

54. Tao, T.F. Epitaxial growth of Pbo,9i8Sno,o82Se films on CaF2 and BaF2 substrates / T.F. Tao, C.C. Wang //J. Appl. Phys. 1972. - V. 43. - № 3. - P. 1313-1316.

55. Strauss, A.J. Inversion of Conduction and Valence Bands in PbiJSnJSe Alloys/ A.J. Strauss // Phys. Rev. 1967. - V. 157. - N 3. - P. 608-611.

56. Taylor, S.E. On time delays in lead salt semiconductor diode lasers / S.E. Taylor. // Appl. Phys. A: Materials Science and Processing. — 1986. — V. 39.- N 2. — P. 91-94.

57. Абрамишвили, А.Д. Кристаллизация твердых растворов селенида свинца-селенида олова из- паровой фазы под воздействием лазерного излучения / А.Д. Абрамишвили, В.А.Мошников // Изв. ЛЭТИ. 1992. - В. 443. - С. 13-19.

58. Абрамишвили, А.Д. Условия получения монокристаллов твердых растворов селенида свинца-селенида олова из паровой фазы под воздействиемлазерного излучения / А.Д. Абрамишвили, Д.А. Яськов // Изв. ЛЭТИ. — 1990. -В. 420.-С. 3-6.

59. Серов, И.Н. Анализ структурных характеристик нанокристаллических слоев селенида свинца / И.Н. Серов, М.А. Иошт, С.В; Кощеев и др. // Микросистемная техника. —2004. — № 8 — С. 17—20.

60. Teghil R. Laser induced ablation and epitaxial growth of SnSe / R. Teghil, A. Giardini-Guidoni, A. Mele, S. Piccirillo, G. Pizzella, V. Marotta // Thin Solid Films.- 1994.-V. 241.-№1-2.-P. 126-128.

61. Teghil, R. Pulsed lazer induced ablation applied to epitaxial Growth of semiconductor materials: Selenides and tellurides plume analysis / R. Teghil,

62. A. Giardini-Guidoni, A. Mele, S. Piccirillo, M. Coreno, V. Marotta, T.M. Di Palma // Surface and Interface Analysis. 1994. - V. 22. - P. 181-185.

63. Косевич, B.M. Структура границ сопряжения эпитаксиальных кристаллов /

64. B.М. Косевич, JI.C. Палатиик, С.Н. Григоров // ФТТ. 1971. - Т. 13. - № 1. -С. 302-304.

65. Миколайчук, А.Г. Структура и электрофизические свойства эпитаксиальных пленок халькогенидов олова / А.Г. Миколайчук, Д.М. Фрейк / Физика твердого тела. 1969. - Т. 11. - № 9. - С. 2520-2525.

66. Миколайчук, А.Г. Получение эпитаксиальных слоев халькогенидов олова / А.Г. Миколайчук, Я:И. Дутчак, Д.М. Фрейк // Кристаллография. — 1968. -Т. 13. № 3. - С. 576-580.

67. Subba Rao, Т. Structural characterization of tin selenide thin films / T. Subba Rao, B.K Samantharay. A.K. Chaudhuri //J. Mater. Sci. Lett. 1985. - V. 4. - P. 743-745. ■.•'■

68. Streltsov, E.A. Electrochemical deposition of PbSe films / Е.A. Streltsov, N.Pl Osipovich; L.S. Ivashkevich, A.S. Lyakhov, V.V. Sviridov // Elcctrochimica

69. Acta.- 1998. -V. 43.-P. 869-873.

70. Molin, A.N. Electrochemical deposition of PbSe thin films from aqueous solutions / A.N. Molin, A.L. Dikusar // Thin Solid Films. 1995. - V. 265. -P. 3-9.

71. Ivanou, D.K. Electrochemical deposition of nanocrystaline PbSe layers onto p-Si (100) wafers / D.K. Ivanou, E.A. Streltsov, A.K. Fedotov, A.V. Mazanik // Thin Solid Films.-2005.-V. 487.-P. 49-53.

72. Saloniemi, H. Electrodeposition of lead selenide thin films / H. Saloniemi, T. Kanniainen, M. Ritala, M. Leskela, R. Lappalainen // J. Mater. Chem. — 1998. -V. 8.-P. 651-654.

73. Beaunier, L. Epitaxial electrodeposition of lead selenide films on Indium phosphide single crystals / L. Beaunier, H. Cachet, M. Froment // Materials Science in Semiconductor Processing. — 2001. V. 4. — P. 433^436.

74. Vaidyanalhan, R. Quantum confinement in PbSe thin films electrodeposited by electrochemical atomic layer epitaxy (EC—ALE) / R.Vaidyanathan, J.L. Stickney, U. Happek // Elecirochimica Acta. 2004. - V. 49. - P. 1321-1326.

75. Zogg, H. Photovoltaic infrared sensor arrays in monolithic lead chalcogenides on silicon / H. Zogg, C. Maissen, J. Masek, T. Hoshino, S. Blunier, A.N. Tiwari // Semicond. Sci. Technol. 1991. - V.6.-P. 36-41.

76. Suzuki, M. Effect of reduced growth temperature on crystalline qualities and dopant diffusion in PbiJSnJSe/PbSe layers grown by MBE / M. Suzuki, T. Seki // Thin Solid Films. 1999. - V. 343-344. - P. 317-319.

77. Wu, H.Z. Molecular beam epitaxy growth of PbSe on BaF2-coated Si (111) and observation of the PbSe growth interface / H.Z. Wu, X.M. Fang, R. Salas. Jr., D. Mc Alister, P.J. Mc Cann // J.Vac. Sci. Technol. 1999. -V. 17.-P. 1263-1266.

78. Zogg, H. Two-dimensional monolitic lead chalcogenide infrared sensor array on silicon read-out chip / H. Zogg, K. Alchalabi, D. Zimin, K. Kellerman, W. Buttler // Nucl. Instrum. and Methods Phys. Res. A. 2003. - V. 512. - P. 440-444.

79. Rumianowski, R.T. Growth of PbSe thin films on Si substrates by pulsed laser deposition method / R.T. Rumianowski, R.S. Dygdala, W. Jung, W. Bala // J. Cryst. Growth. 2003. - V. 252. - P. 230-235.

80. Singh, J.P. Thermally stimulated currents in epitaxially grown tin selenide films/ J. P. Singh, R. K. Bedi // Jpn. J. Appl. Phys. 1990. - V. 29. - № 6. -P. 1869-1871.

81. Rastogi, A.C. A new electrochemical selenization technique for preparation of metal-selenide semiconductor thin films / A.C. Rastogi, K.S. Balakirishnan, A. Garg // J. Electrochem. Soc. 1993. -V. 140. - № 8. - P. 2373-2375.

82. Engelken, R.D. Electrodeposition and analysis of tin' selenide films / R.D. Engelken, A.K. Berry, T.P. Doren, J.L. Boone, A. Shahnazary // J. Electrochem. Soc. 1986.-V. 133.-N3.-P. 581-585.

83. Subramanian, B. Electrodeposition of Sn, Se, SnSe and the material properties of SnSe films / B. Subramanian, T. Mahalingam, C. Sanjeeviraja, M. Jayachan-dran,.M.J. Chockalingam // Thin Solid Films.- 1999.- V. 357.- № 6.- P. 119-124.

84. Qiao, Z. Fabrication of Sn-Se compounds on a gold electrode by electrochemical atomic layer epitaxy / Z. Qiao, W. Shang, C. Wang // J. Electroanalyt. Chem. -2005. -V.576.-№1. P. 171-175.

85. Zainal, Z. Electrodeposition of tin selenide thin film semi conductor: effect of the electrolytes concentration on the film properties / Z. Zainal, A.J. Ali, A. Kassim, M-.Z. Hussein // Sol. Energy Mater. Sol. Cells 2003. - V. 79. -№ 2. -P. 125-132.

86. Subramanian, B: Brush plating of tin (II) selenide thin films / B. Subramanian,

87. C. Sanjeeviraja, М. Jayachandran // J. Cryst. Growth. — 2002. — V. 234. -№2-3. P. 421-426.

88. Dobson, K.D. Thin semiconductor films for radiative cooling applications / K.D. Dobson, G. Hodes, Y, Mastai // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2003. - V. 80.- № 3. — P. 283-296.

89. Mane, R.S. Chemical deposition method for metal chalcogenide thin films / R.S. Mane, CD. Lokhande // Mat. Chem. Phys. 2000. - V. 65. - № 1. - p. 1-31.

90. Grozdanov, I. A simple solution growth technique for PbSe thin films / I. Grozdanov, M. Najdoski, S.K. Dey // Mater. Lett. 1999. - V. 38. - № 1.- P. 28-32.

91. Milner, C. Lead selenide photoconductive cells / C.J. Milner, B.N. Watts / Nature. 1949. - V. 163. - P. 322-326.

92. Лундин, А.Б. К вопросу о механизме химического осаждения тонких пленок селенида свинца / А.Б. Лундин, Г.А. Китаев // Неорг. материалы. — 1965.- Т. 1. № 12.-С. 2102-2106.

93. Соколова, Т.П. Гидролиз селеномочевины в водных растворах / Т.П. Соколова // Физико-химия процессов на межфазных границах. Тр. вузов Российской Федерации. Сб. 128. Свердловск. — 1976. — С. 35—38.

94. Рыбникова, Г.Г. Получение селенида свинца селеносульфатным способом / Г.Г. Рыбникова, В.А. Поповкин, В.Г. Буткевич, А.В. Новосело-ва // Изв. АН СССР. Неорг. матер.-1964.-Т. 3.-№2.-С. 1934-1937.

95. Фофанов, Г.М. Анализ условий осаждения селенидов металлов из водных растворов селеносульфатом натрия / Г.М. Фофанов, Г.А. Китаев» // Ж. неорг. химии.-1969.-Т. 14.-№ 1.-С. 616-620.

96. Kainthla, R.C. Solution growth of CdSe and PbSe films / R.C. Kainthla,

97. D.K. Pandya, K.L. Chopra // J. Electrochem. Soc. 1980. - V. 127. - № 2. -P. 277-283.

98. Kale, R.B. Room temperature chemical synthesis of lead selenide thin films with preferred orientation / R.B. Kale, S.D. Sartale, V. Ganesan, C.D. Lokhande, Y.-F. Lin, S.-Y. Lu // Appl. Surf. Sci. 2006. - V. 253. - № 2. - P. 930-936.

99. Hankare, P.P. Synthesis and characterization of chemically deposited lead selenide thin films / P.P. Hankare, D. Delekar, V.M. Bhuse, K.M. Garadkar, S.D. Sabane, L.V. Gavali // Materials Chemistry and Physics. 2003. - V. 82.- № 2. — P. 505-508.

100. Candea, R.M. Properties of PbSe films prepared by chemical "anorganic" deposition / R.M. Candea, D. Dadarlat, R. Turou, E. Indrea // Phys. Stat. Sol. A.- 1985.-V.90.-P. 791-795.

101. Pramanik, P. A chemical method for the deposition of tin (II) selenide thin films / P: Pramanik, S. Bhattacharya // J. Mat. Sei. Lett. 1988. - V. 7. -P. 1305-1306.

102. Марков, В.Ф. Получение твердых растворов замещения* в системе свинец—олово-селен соосаждением из водных растворов / В.Ф. Марков, JI.H. Маскаева, Л.Д. Лошкарева, С.Н. Уймин, Г.А. Китаев // Неорг. матер.- 1997. Т. 33. -№ 6. - С. 665-668.

103. Абрикосов, Н.Х. Полупроводниковые материалы на основе соединений AIVBV1 / Н.Х. Абрикосов, Л.Е. Шелимова // М.: Наука. 1975. - 195 с.

104. Szczerbakow, A. Investigation of the composition of vapor-grown Pbj^Sn^Se crystals (x < 0,4) by means of lattice parameter measurements /

105. A. Szczerbakow, H. Berger I I J. Cry si. Growth. 1994. -V. 139. - № 1-2. -P. 172-178.

106. Сазонов, A.B. Энергетический спектр узкозонных многокомпонентных твердых растворов на основе халькогенидов свинца-олова PbSnTe, PbSnSe и др. / A.B. Сазонов // Дис.канд. физ. -мат. наук. Москва. — 1984: — 121 с.

107. Штанов, В.И. Исследование системы PbSe-SnSe / В.И. Штанов,

108. Strauss, A.J. / A.J. Strauss // Trans. Metallurg Soc. AIME. 1968. - V. 242. -№3.-P. 354.

109. Худжакулов, Э.С. Локальная симметрия решетки PbixSnxSe в области бесщелевого состояния / Э.С. Худжакулов // Физика и техника полупроводников. — 2004. — Т. 38. — В. 7. — С. 775—777.

110. Melngailis, J. Measurements in PbixSnxSe / J. Melngailis, T.C. Harman, W.C. Kernan, Shubnicov de Haas // Phys. Rev. - B. - 1972. - V.5. - № 6. -P. 2250-2257.

111. Засавицкий, И.И. Влияние гидростатического давления на спектры излучения лазеров Pbi.xSnxSe / И.И. Засавицкий, Б.Н. Мацонашвили, В .И. Погодин, А'.П: Шотов // Физика и техника полупроводников. — 1974. Т. 8. - № 4. -С. 732-736:.

112. Balkanski, M. Band structure and optical properties of small gap semiconductors and alloys / M: Balkanski // J. Luminescence: — 1973. — V. 7. -P. 451-476.

113. Зломанов, В.П. Исследование влияния облучения быстрыми электронами на электрофизические свойства Pbi^SnfSe / В.П. Зломанов, Е.А. Ладыгин, Б.П. Пырегов, Е.П. Скипетров // Физика и техника полупроводников. — 1985. -Т. 19.-В. 1.-С. 53-57.

114. Кайданов, В.И. Самокомпенсация электрически активных примесей собственными дефектами в полупроводниках типа А^ВУ1 / В.И. Кайданов, С.А. Немов, Ю.Й. Равич // Физика и техника полупроводников. — 1994. — Т. 28. -В. З.-С. 269-393.

115. Muller, P. Properties of epitaxial Pb^Sn^Se on CaF2 covered Si(lll) substrates / P. Muller, A. Fach, J. John, J. Masek, C. Paglino, Hi Zogg // Appl. Surface Sci. 1996. - V. 102: -№2. -P: 130-133.

116. ASTM X-ray diffraction date cards, Philadelphia, 1968. № 6-0354.

117. Lee, M.H. Structural and' optical characterizations of multi-layered and multi-stacked PbSe quantum dots / M.H. Lee, WJ. Chung, S.K. Park, M.S. Kim, H.S. Seo, J.J: Ju //Nanotechnology. -2005. V. 16.-P. 1148-4152.

118. Vaidyanathan, R. Quantum confinement in PbSe thin films electrodeposited by electrochemical atomic layer epitaxy (EC—ALE) / R. Vaidyanathan, J.L. Stickney, U. Happek // Electrochimica Acta.-2004. V.49.-P. 1321-1326.

119. Шелимова, Л.Е. Диаграммы состояния в полупроводниковом материаловедении / Л.Е. Шелимова, Н.Н, Томашик, В.И, Грыцив. — М.: Наука. — 1991.- 368 с.

120. Оболончик, В.А. Селениды и теллуриды редкоземельных металлов /

121. B.А. Оболончик, Г.В. Лашкарев. — Киев: Наукова думка. — 1966. — 162 с.

122. Оболончик, В.А. Селениды / В.А. Оболончик. — М.: Металлургия. — 1972.- 296 с.

123. Pawley, G.S. Diatomic ferroelectrics / G.S. Pawley, W. Cochran, R.A. Cow-ley, G. Dolling // Phys. Rev. Lett. 1966. - V. 17. - № 14. - P. 753-756.

124. Bate, R.T. Paraelectric behavior of PbTe / R.T. Bate., D.L. Carter., J.S. Wrobel Phys. Rev. Lett. - 1970. - V. 25. - № 3. - P. 159-162.

125. Alperin, H.A. Softening of the transverse-optic mode in PbTe / H.A. Al-perin, S.J. Pickart, J.J. Rhyne, V.J. Minkiewicz // Phys. Lett. A. 1972.- V. 40. № 4. - P. 295-296.

126. Chattopadhyay, T. Temperature and pressure induced phase transition in IV-VI compounds/ T. Chattopadhyay, A. Werner, H.G. von Schnering, J. Pannetier // Revue Phys.Appl. 1984. - V. 19. - № 9. - P. 807-813.

127. Брандт, Н.Б. Сверхпроводимость соединений PbTe и PbSe под высоким давлением / Н.Б. Брандт, Д.В. Гицу, Н.С. Попович, В.И. Сидоров,

128. C.М. Чудинов // Письма в ЖЭТФ. 1975. - Т. 22. - В. 4. - С. 225-229.

129. Zemel, J.N. Electrical and optical properties of epitaxial films of PbS, PbSe, PbTe and SnTe / J.N. Zemel, J.D. Jensen, R.B. Schoolar // Phys. Rev. 1965. -V. 140.-P. A330—A340.

130. Sectharama Bhat, K. Electrical-conductivity changes in PbTe and PbSe Films on exposure to the atmosphere / K. Seetharama Bhat, V. Damodara Das // Phys. Rev. B. 1985. -V. 32. -№ 10. -P. 6713-6719.

131. Салий, Я.П. Температурные зависимости электрических свойств монокри-сталлических пленок n-PbSe при облучении а-частицами / Я.П. Салий, Р.Я. Салий // Физика и техника полупроводников. — 2000. — Т. 34. С. 667-669.

132. Rodrigo, М. Т. Polycrystalline lead selenide х-у addressed uncooled focal plane arrays / M.T. Rodrigo, F J. Sanchez, M.C. Torquemada, etc. // Infrared Physics and Technology. 2003. - V. 44. - № 4. - P. 281-287.

133. Hens, Z. Electrodeposited nanocrystalline PbSe quantum wells: synthesis, elecirical and optical properties / Z. Hens, E.S. Kooij, G. Allan, B. Gran-didier, D. Vanmaekelbergh // Nanotechnology. 2005. - V.l 6. - P. 339-343.

134. Салий, Я.П. Механизм кинетики электрофизических свойств поликристаллических пленок p-PbSe при облучении а-частицами / Я.П. Салий // Физика и техника полупроводников — 2006. — Т. 40. — В. 2. — С. 177—179.

135. Сушкова, Т.П. Термодинамическая оценка стабильности твердых растворов на основе халькогенидов свинца / Т.П. Сушкова, Г.В. Семенова, Е.В. Стрыгина // Вестник ВГУ. Серия: Химия. Биология. Фармация. — 2004. -№ 1.-С. 94-100.

136. Равич Ю.Р. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS / Ю.Р. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов // М.: Наука. 1968. - 383 с.

137. Polity, A. Study of vacancy defects in PbSe and PbixSnxSe by positron annihilation / A. Polity, R. Krause-Rehberg, Y. Zlomanov, etc. // Journal of Crystal Growth. 1993. -№. 131. - P. 271-274.

138. Lin, P.J. Energy bands of PbTe, PbSe and PbS / P.J. Lin, L. Kleinman // Phys. Rev. 1966. - V. 142. - № 2. - P. 478-489.

139. Martinez, G. Electronic structure of PbSe and PbTe. Band structures, densities of state and effective masses / G. Martinez, M. Schluter, M.L. Cohen // Phys. Rev. 1975.-Y. 11.-№2. -P. 651-659.

140. Lucovsky, G. Effects of resonance bonding on the properties of crystalline and amorphous semiconductors / G. Lucovsky, R.M. White // Phys. Rev. 1973. - V. 8. - № 2. - P. 660-667.

141. Kawamura, H. Electron-phonon interaction induced phase transition in IV-VI compounds / H. Kawamura // Proc. 3d Int. Conf. Phys. Narrow Gap Semicond. 1977. - P. 7-24.

142. Смирнов, И.А. Об эффективной массе носителей тока в селенистом свинце / И.А. Смирнов, Б.Л. Мойжес, Е.Д. Нецеберг // ФТТ. — 1960. Т. 2.- № 8.-С. 1992-2005.

143. Товстюк, К.Д. О структуре зон носителей тока в PbSe / К.Д. Товстюк, Я.С. Буджак, М.В. Тарнавская // Укр. физ. журнал. 1963. - Т. 8. - № 7.- С. 795-797.

144. Wu, Н. Experimental determination of deformation potentials and band nonparabolicity parameters for PbSe / H. Wu, N. Dai, P. J. Mc Cann // Phys. Rev. B.- 2002. V. 66. - P. 0453031-0453037.

145. Das, R. K. Electronic structure of high density carrier states in PbS, PbSe and PbTe / R. K. Das, S. Sahoo, G.S. Tripathi // Semicond. Sci. Technol. 2004. -V. 19.-P. 433-441.

146. Волков, Б.А. Кристаллические структуры и симметрия электронного спектра полупроводников группы А4В6 / Б.А. Волков, О.А. Панкратов // ЖЭТФ.- 1978.-Т.75.-В. 4.-С. 1362-1379.

147. Волков, Б.А. Поведение диэлектрической проницаемости полупроводников А4В6 при структурных фазовых переходах / Б.А. Волков, В.П. Кушнир, О.А. Панкратов // ФТТ. 1982. - Т. 24. - В. 2. - С. 415^122.

148. Волков, Б.А. Температурная зависимость электронной диэлектрической проницаемости полупроводников А4В6 / Б.А. Волков, В.П. Кушнир // ФТТ.- 1982.-Т. 24.-В. 11.-С. 3293-3297.

149. Волков, Б.А. Поведение полупроводников А4Вб в статическом электрическом поле / Б.А. Волков, В.П. Кушнир // ФТТ. 1983. - Т. 25. - В. 6. -С. 1803-1811.

150. Девяткова, Е.Д. Ширина запрещенной зоны PbSe при высоких температурах / Е.Д. Девяткова, В.А. Саакян // ФТТ. 1967. — Т. 9. — № 9. -С. 2750-2751.

151. Иоффе, А.В. Теплопроводность твердых растворов полупроводников /

152. A.В. Иоффе, А.Ф. Иоффе // ФТТ. 1960. - Т. 2. - № 5. - С. 781-792.

153. Yashina, L.V. The application of VLS growth technique to bulk semiconductors / L.V. Yashina, V.I. Stanov, ZG. Yanenko // J. Cryst. Growth. -2003. -V. 252. -№ 1-3. -P: 68-78.

154. Iordanishvili, V.E. Thermoconductivity of PbSnSe films condensed at different temperatures (in Russian) / V.E. Iordanishvili, V.A. Bojkov, V.A. Kutasov // Solid State Phys. 1983. - 28. - № 1. - P. 263-265.

155. Буджак, Я.С. Термомагнитные и магнитные свойства селенистого свинца / Я.С. Буджак, К.Д. Товстюк // Изв. АН СССР. Серия физическая. — 1964. -Т. 28. -№ 8.-С. 1318-1320.

156. Ovsyannikov, S.V. Thermomagnetic and thermoelectric properties of semiconductors (PbTe, PbSe) at ultrahigh pressures / S.V. Ovsyannikov, V.V. Shche-nnikov // Phys. B: Cond. Matter. 2004. - V. 344. - P. 190-194.

157. Коломоец, H.B. Исследование термоэлектрических свойств теллурис-того и селенистого свинца / Н.В. Коломоец, Т.С. Ставицкая, JI.C. Стильбанс // ЖТФ. — 1957. Т. 27.-№ 1.-С. 73-81.

158. Немов, С.А. Особенности электрической компенсации примеси висмута в PbSe / С.А. Немов, Т.А. Гавриков, В.А. Зыков, П.А. Осипов, В.И. Прошин // Физика и техника полупроводников. — 1998. Т. 32. — № 7. — С. 775—777.

159. Немов, С.А. Примесь Bi в PbSe / С.А. Немов, П.А. Осипов // Физика и техника полупроводников. — Т. 35. — В. 6. — С. 731—733.

160. Зыков, В.А. Влияние примеси висмута на концентрацию носителей тока в эпитаксиальных слоях PbSe:Bi:Se / В.А. Зыков, Т.А. Гаврикова, В.И. Ильин, С.А. Немов, П.В. Савинцев // Физика и техника полупроводников. — 2001. — Т. 35. — В. 11.-С. 1311-1315.

161. Зыков, В.А. Явление самокомпенсации в тонких слоях PbSeiTl /

162. Смит, Р. Полупроводники / Р. Смит // Пер. с англ.— М.:Мир. — 1982 — 560 с.

163. Baleva, М. On the temperature dependence of the energy gap in PbSe and PbTe / M. Baleva, T. Georgiev, G. Lashkarev // J. Phys.: Cond. Matter.- 1990. -№ 1.-P. 2935-2940.

164. Nabi, Z. Pressure dependence of band gaps in PbS, PbSe and PbTe / Z. Nabi, B. Abbar, S. Mecabih, A. Khalfi, N. Amrane // Computational Materials Science. -2000.-V.18.-P. 127-131.

165. Lach-hab, M. Electronic structure .calculations of lead chalcogenides PbS, PbSe, PbTe / M. Lach-hab, D.A. Papaconstantopoulos, M.J. Mehl // J. of Phys. and Chem. of Solids. 2002. - V. 63. - P. 833-841.

166. Delin, A. Full-potential optical calculations of lead chalcogenides / A. Delin, P. Ravindran, O. Eriksson, J.M. Wills // Int. J. of Quant. Chem. 1998. - V. 69. -P. 349-358.

167. Андреев, А.Д. Влияние анизотропии зонной структуры на оптические переходы в сферических квантовых точках на основе сульфида и селенида свинца / А.Д. Андреев, A.JI. Липов // Физика и техника полупроводников.- 1999.-Т. 33.-В. 12.-С. 1450-1455.

168. Dantas, N.O. Optical properties of PbSe and PbS quantum dots embedded in oxide glass / N.O. Dantas, R.S. Silva, F. Qu // Phys. Stat. Sol. B. 2002.- V. 232.-P. 177-181.

169. Albanesi, E.A. Calculated optical* spectra of IV—VI semiconductors PbS, PbSe and PbTe / E.A. Albanesi, E.L. Peltzer у Blanca, A.G. Petukhov // Comput. Mater. Sci. -2005. V. 32. - P. 85-95.

170. Kumar, S. Studies on thin films of lead chalcogenides / S. Kumar, Z.H. Khan, M:A. Majeed Khan, M. Husain // Curr. Appl. Phys. 2005. - V. 5. -P. 561-566.

171. Zhao, F. Influence of oxygen passivation on optical properties of PbSe thin films / Zhao F., S. Mukheijee, J. Ma, D. Li, S. L. Elizondo and Z. Shi // Appl. Phys. Lett.-2008.-№ 92. P. 211110.

172. Elizondo, S. Dielectric Charge Screening of Dislocations and Ionized Impurities in PbSe and MCT // S. Elizondo, F. Zhao, J. Kar, J. Ma, J. Smart, D. Li, S. Mukheijee and Z. Shi // Journal of Electronic Materials. 2008. - V. 37.- № 9. - P. 1411-1414.

173. Freik, D.M. Scattering mechanisms of electrons in monocrystalline PbTe, PbSe and PbS / D.M. Freik, L.I. Nykyruy, V.M. Shperun // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. 2002. — V. 5. - № 4. -P. 362-367.

174. ASTM X-ray diffraction date cards, Phyladelphia, 1968. № 14-159.

175. Rau, H. High temperature equilibrium of atomic disorder in SnS / H. Rau // J. Phys. Chem. Solids. 1966. - V. 27.-№ 4. - P. 761-769;

176. Agarwal, A. Impact of electrical resistance and TEP in layered SnSe Crystals under high pressure / A. Agarwal, P:H.Triverdi,D. Lakshminarayana // Crystal Research and Technology. 2005. - V. 40. - № 8. - P. 789-790.

177. Yu, J.G. Growth and electronic properties of the SnSe semiconductor / J.G. Yu, A.S. Yue, O.M. Stafsudd // J: Cryst,. Growth. 1981. - V. 54. - № 2.- P. 248-252.

178. Quan, D. T. SnSe thin films synthesized by solid state reactions / D.T. Quan // Thin Solid Films. 1987.-V. 149.-№2.-P. 197-203.

179. Subba Rao, T. Electrical and photoelectronic properties of SnSe thin films / T. Subba Rao, A.K. Chaudhuri // L Phys. D: Appl. Phys. 1985. - V. 18. -№ 6. -P. 135-139. ' .

180. Quan, D.T. Electrical properties and optical absorption of SnSe evaporated thin films / D.T. Quan // Phys. Stat. Sol. A. 1984. -V. 86. - P. 421^126.

181. Бьюб, P. Фотопроводимость твердых тел / P. Бьюб // пер. с англ. — М.: ИЛ.-1962.-558 с.

182. Хасс, Г. Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения / Г. Хасс, Р.Э. Тун; пер. с англ. — М: Мир. — 1968. -331 с.

183. Petritz, R.L. Theory of photoconductivity in semiconductor films / R.L. Petritz// Phys. Rev. 1956. -V. 104.-№6.-P. 1508-1516.

184. Yasuoka, Y. Thermally stimulated current of vacuum deposited PbSe films / Y.Yasuoka, M. Wada // Jpn. J. Appl. Phys. 1974. - V. 13. - № 11. - P. 1797 -1803.

185. Humphrey, J.N. Photoconductivity in lead selenide. Experimental / J.N. Humphrey, W.W. Scanlon // Phys. Rev. 1957. - V. 105. - № 6. - P. 469476.

186. Гамарц, E.M. Кинетические характеристики сенсибилирующих отжигов поликристаллических слоев селенида свинца / Е.М. Гамарц, Н.В. Голубченко, В.А. Мошников, Д.Б. Чеснокова // Материалы электронной техники. — 2003. -№4.-С. 25-32.

187. Candea, R.M. Effects of thermal annealing in air on VB COD and' CAD PbSe films / R.M. Candea, R. Tureu, G. Borodi, J. Bram // Phys. Slat. Sol. A.1987. — V. 100. -№ 1. —P. 149-155.

188. Biro, L.P. The influence of thermal annealing on the physical properties of chemically deposited PbSe films / L.P. Biro, A J. Darabout, P. Fitor // Europhys. Lett.- 1987. V.4. - № 6. - P. 691-696.

189. Дегтева, Л.В. Влияние термообработки на макроструктуру слоев PbS и PbSe /Л.В. Дегтева, Г.П. Тихомиров // Изв. АН СССР. Неорган, матер. 1971. -Т. 7.-С. 1263-1265.

190. Попов, В.П. Исследование механизмов окисления на поверхности полупроводниковых структур селенида свинца / В.П. Попов, П.А. Тихонов, В.В. Томаев // Физика и химия стекла. 2003. - Т. 29. - № 5. - С. 686-694.

191. Гамарц, А.Е., Определение профиля диффузии кислорода в поликристаллических слоях селенида свинца методами ядерного микроанализа /

192. A.Е. Гамарц, В.М. Лебедев, В.А. Мошников, Д.Б. Чеснокова // Физика и техника полупроводников. 2004. — Т. 38. — № 10. — С. 1195-1198.

193. Зломанов, В.П. Изучение взаимодействия селенида свинца с кислородом /

194. B.П. Зломанов, О.И. Тананаева, A.B. Новоселова // Журн. неорган, химии. -1961.-Т. 6.-В.12.-С. 2753-2757.

195. Поповкин, Б.А. Изучение взаимодействия селенида свинца с кислородом / Б.А. Поповкин, Л.М. Ковба, В.П Зломаиов, A.B. Новоселова // ДАН СССР. -1959.-Т. 129.-№4.-С. 809-812.

196. Ganesan, N. The influence of gas adsorption and temperature on the electrical resistivity of SnSe thin films / N. Ganesan, V. Sivaramakrishnan // Scmicond. Science and Technol. 1987. -V. 2. -№ 8. - P. 519-523.

197. Раренко, И.М., Физические свойства осажденных и активируемых слоев A,VBVI / И.М. Раренко, Н.В. Гавриленко, B.C. Грабко и др. // Надежность микроэлектронных схем и элементов: сб. — Киев: Наукова думка. — 1982. — С. 101-119.

198. Голубченко, Н.В. Фоточувствительные структуры на основе поликристаллических слоев селенида свинца / Н.В. Голубченко, М.А. Иошт, В.А. Мошников, Д.Б. Чес-нокова // Перспективные материалы. — 2005. — № 3. — С. 31-35.

199. Голубченко, Н.В. Исследование микроструктуры и фазового состава поликристаллических слоев селенида свинца в процессе термического окисления / H.Bi Голубченко, В:А. Мошников, Д.Б. Чеснокова // Физика и химия стекла. 2006. - Т. 32. - № 3. - С. 464-478.

200. Голубченко, Н.В. Влияние примесей на кинетику и механизм, термического окисления поликристаллических слоев PbSe / Н.В. Голубченко,

201. В.А. Мошников, Д.Б. Чеснокова // Неорган, материалы. — 2006. — Т. 42. № 9. -С. 1040-1049.

202. Bob V. Мс. Lean, Method of production of lead selenide photodetector ctlls. // Pat. USA № 2.997.409 cl. 117-201 23.08.61.

203. Martin, Y.M. Arrays of termally evaporated PbSe infrared on sisubstrates operating at room temperature / Y.M. Martin, Hermandez Y.L. // Semicond. Sci. Technol.- 1996.-V. 11.-P. 1740-1744.

204. Thomas H. Johnson. Solutions and methods for depositing lead selenide / Thomas H. Johnson. // Pat USA № 3.178.312. cl. 117 201 - 13.04.65.

205. Зломанов, В.П. Изучение взаимодействия селенида свинца с кислородом / В.П. Зломанов, А.В. Новоселова // ДАН СССР. 1961. - Т. 247. - № 3.- С. 607-609.

206. Пашинкин, А.С. Диаграммы парциальных давлений систем Pb-Se-O и Sb-Se-O / А.С. Пашинкин, М.М. Спивак // Неорган, матер. 1988. - Т. 24.8. — С. 1332-1337.

207. Раренко, И.И. Физические свойства осажденных в активируемых условиях слоев AIVBV1 / И.И. Раренко и др. // В сб. Надежность микро-электронных схем и элементов. Киев: Наукова думка. — 1982. — С. 101—119.

208. Briones, F. The role of oxygen in the sensitization of photoconductive PbSe films / F. Briones, D. Golmayo, G. Ortiz // Thin Solid Films. 1981. - V. 79.- № 4.- P. 385-395.

209. Humphrey, J.N. Photoconductivity of lead selenide: Theory of the mechanism of sensitization / J.N. Humphrey, R.L. Petritz // Phys. Rev. 1957. - V. 105.6. P. 1736-1740.

210. Martin, J.M. Arrays of thermally evaporated photodetectors deposited on Si substrates operating at room temperature / J. M. Martin, J. L. Hernandez, L. Adell, A. Rodrigues, F. Lopez// Semicond. Sci. Technol. 1996. - V. 11. -P. 1740-1744.

211. Torquemada, M.C. Role of halogens in the mechanism of sensitization of uncooled PbSe infrared photodetectors / M.C. Torquemada, M.T. Rodrigo, O. Ver-gara, etc. // Appl. Phys. 2003. - V. 93. - № 3. - P. 1778-1784.

212. Kwuan, S.H. Halogen vapor deposition of chalcogenide crystals: Lead sulfide / S.H. Kwuan, C.G. Fonstad, A. Colozzi, A. Linz // J. Appl. Phys. 1974. - V. 45. — № 8. — P. 3273-3276.

213. Stober, D. Chemical transport reactions during crystal growth of PbTe and PbSe via vapour phase influenced by Agl / D. Stober, B.O. Hildmann, H. Bottner, S. Schelb, K.H. Bachem, M. Binnewics // J. Cryst. Growth. 1992. -V. 121. — № 4. - P. 656-664.

214. Zainal, Z. Effects of annealing on the properties of SnSe films / Z. Zainal, S. Nagalingam, A. Kassim, M.Z. Hussein, W.M. Yunus // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2004. - V. 81. - № 2. - P. 261-268.

215. Гамарц A.E. Многослойные структуры PbSe/por-Si/Si и их электрофизические свойства / А.Е. Гамарц, Ю.М. Канагеева (Спивак) // Изв. государственного электротехн. ун-та). Сер. Физика твердого тела и электроника. — 2005. — В 1. — С. 9—16.

216. Pathinettam Padiyan, D: Electrical and photoelectrical properties of vacuum deposited SnSe thin films / D. Pathinettam Padiyan, A. Marikani, K.R. Murali // Crystal Research and Technology. 2000.- - V. 35. - P. 949-957.

217. Пильняков, В.П. Исследование процесса травления полимеров в растворах бихромата калия в серной кислоте / В.П. Пильников, JI.H. Маскаева, Г.А. Китаев, В.А. Лисовая // Изв. ВУЗов Химия и хим. технол. — 1976. — Т. 19. -В. 7.-С. 1093-1098.

218. Rietveld; Н.М. A profile refinement method for nuclear and magnetic structures / H.M. Rietveld // Appl. Cryst. 1969. -V. 2. - № 2. - P. 65-71.

219. Bush, D.Lr. A survey of using programs for the Rietveld profile refinement / D.L. Bush, J.E. Post // Reviews in mineralogy. 1990. -V. 20. - P. 369.

220. Rodriges-Carvajal, J. The programs for Rietveld refinement / J. Rodriges -Carvajal // Physica B. 1993. - V. 192. - P. 55.

221. Vegard, L. Die Konstitution der Mischkristalle und die Raumfüllung der Atome / L. Vegard // Z. Phys. 1921. - Bd. 5. - S. 17.

222. Чичагов, A.B. Рентгенометрические параметры твердых растворов / A.B. Чичагов, JI.B. Сипавина-М.: Наука. 1982. - 171 с.

223. Мухамедьяров, Р.Д. Установка для измерения пороговых параметров фотоприемников / Р.Д. Мухамедьяров, В.И. Стук, О.Ю. Блинов, В.Н. Жуков, Г. А. Китаев // Приборы и техника эксперимента. — 1976. — № 6. — С. 234.

224. Стук, В.Н. Модулятор лучистого потока с синхронным двигателем / Р.Д. Мухамедьяров, В.Н. Жуков, О.Ю. Блинов // ОМП. 1977. - №3. - С. 31-33.

225. Хадсон, Р. Инфракрасные системы / Р. Хадсон // Пер. с англ. — М.: Мир. -1972.-С. 284.

226. Хирд, Г. Измерение* лазерных параметров / Г. Хирд // Пер. с англ.- М.: Мир. 1970. - С. 145.

227. Сена, JI.A. Единицы физических величин и их размерности / JI.A. Сена // Уч.- спр. рук. М.: Наука. - 1988. - 432 с.

228. Китаев, Г.А. Синтез тиомочевины из сероводорода и цианамида / Г.А. Китаев, И.Т.Романов // Изв. ВУЗов Химия и хим. технология. — 1976. -Т. 19. —№ 6.-С. 941-943.

229. Китаев, Г.А. Кинетика разложения тиомочевины в щелочных средах / Г.А. Китаев, И.Т. Романов // Изв. ВУЗов Химия и хим. технология. 1974. -Т. 17. - № 9.-С. 1427-1428.

230. Батлер, Дж.Н. Ионные равновесия / Дж.Н. Батлер // М.: Химия. — 1989.- 462 с.

231. Спиваковский, В.Б. Аналитическая химия олова / В.Б. Спиваковский // М.: Наука. 1975. - 250 с.

232. Марков, В.Ф. Гидрохимическое осаждение пленок сульфидов металлов: моделирование и эксперимент / В.Ф. Марков, JI.H. Маскаева, П.Н. Иванов // Екатеринбург: УрО РАН. 2006. - 218 с.

233. Лурье, Ю.Ю. Справочник по аналитической химии: Справ, изд. / Ю.Ю. Лурье. // М.: Химия. 1989. - 448 с.

234. Фролов, Ю.Г. Курс коллоидной химии / Ю.Г. Фролов // М.: Химия. -1989.-462 с.

235. Семенов, В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов и их тиомочевинных координационных соединений: дисс. . д-ра хим. наук / В.Н. Семенов. — Воронеж. — 2002. — 355 с.

236. Маскаева, Л.Н. Роль аниона при гидрохимическом осаждении твердых растворов замещения сульфидов металлов / Л.Н. Маскаева, В.Ф. Марков, П.Н. Иванов, Т.А. Петухова // Вестник УГТУ—УПИ. Серия химическая. — 2003. -С. 59-63.

237. Аксельруд, Н.В. Интерпретация полярографических волн полимеризо-анных гидроксосолей / Н.В. Аксельруд // ДАН СССР. 1954. - Т. 98. - № 5.- С. 799-802.

238. Марков, В.Ф. Определение температурных зависимостей констант гидролитического разложения тио- и селеномочевины / В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева, Г.Г. Дивинская, И.М. Морозова // Вестник УГТУ-УПИ. Серия химическая. -2003. -Т. 23. -№3. -С. 120-125.

239. Таусон, В.Л. Физико-химические превращения реальных кристаллов вминеральных системах / В.Л. Таусон, М.Г. Абрамович // Новосибирск: Наука.i- 1988.-272 с.

240. Кумок, В.Н. Произведения растворимости / В.Н: Кумок, О.М. Кулешова, Л.А. Карабин // Новосибирск: Наука. Сиб. Отд. — 1983. 266 с.

241. Справочник химика: В 6 т. / Химические равновесия и кинетика, свойства растворов. Электродные процессы // M. — JL: Химия. 1964. — Т.З. -С. 1005.

242. Китаев, Г.А. Растворимость цианамида свинца в щелочных средах / Г.А. Китаев, Т.П. Соколова // Журн. Неорг. Химии. — 1975. — Т.20. — № 3. -С. 839-841.

243. Марков, В.Ф. Получение высокочувствительных к ИК-излучению пленок PbS, осажденных из галогенидсодержащих растворов / В.Ф. Марков, А.В. Шнайдер, М.П. Миронов, В.Ф, Дьяков, Л.Н.Маскаева // Перспективные материалы. 2008. - №3. - С. 28-32.

244. Маскаева, Л.Н. Гидрохимический синтез, структура и свойства пленок пересыщенных твердых растворов замещения-MeJPbi^S (Me — Zn, Cd, Cu, Ag): дисс. д.х.н. / Л.Н. Маскаева. — Екатеринбург. — 2004. — 386 с.

245. ASTM X-ray diffraction date cards, Phyladelphia. 1968. - № 6-0354.

246. Humphrey, J.N. Photoconductivity of Lead Selenide: Theory of the Mechanism of Sensitization / J.N. Humphrey, R.L. Petritz // Phys.rev. -1957. V. 105. - №-6. -P. 1736-1740.

247. Третьякова, Н.А. Гидрохимический синтез, состав, структура, морфология исвойства пленок PbSe, SnSe, PbjrSntSe / Н.А. Третьякова // дисск-та хим.наук. — Екатеринбург. — 2006. — 164 с.

248. Мухамедзянов, Х.Н.,Низкотемпературные исследования соосажденных пленок селенидов свинца и олова / Х.Н. Мухамедзянов; М.П. Миронов,

249. Jl.IL Маскаева, Н.А. Третьякова, В.Ф. Марков // Химия и хим. технология. Сб. трудов. Екатеринбург. — 2006. С. 114—119.

250. Ильину B.A. Фоточувствительность поликристаллических пленок на основе PbixCdxSe / B.A. Ильин, А.А. Петров; М:С. Писаревский // Петербург. Журн. Электроники. 2001. - №4. - С. 93-100.

251. Томаев, В.В. Исследование продуктов^ окисления селенида свинца методом ИК-спектроскопии / В:В. Томаев, И.В. Чернышева, П.А. Тихонов //• Физика и химия стекла. 2007. - Т.ЗЗ. - №6. - С. 883-889.

252. Казанцев, Д.В. Поверхностные состояния кристаллов селенида свинца / Д;В. Казанцев, Ю.Г. Селиванов; В:Т. Трофимов, E.F. Чижевский // Письма: в ЖЭ ГФ; 1995. - Т. 62. - Вып. 5. - С. 422-426.

253. Госсорг, Ж. Инфракрасная термофафия. Основы, техника, применение / Ж. Госсорг//Пер. с франц. — М.: Мир. 1988. - 416 с.

254. Hamamatsu Photonics / Cat. № KSPD1073E02 Jun. 2009 DN.

255. Формозов, Б.Н. Аэрокосмические фотоприемные устройства в видимом и инфракрасном диапазонах / Б.Н. Формозов // Учеб. Пособие СПб. ГУАП. -2002.- 120 с.

256. Миронов, М.П. Фотоприемное устройство кругового обзора для обнаружения лесных пожаров / М.П. Миронов, В.Ф. Дьяков, В.Ф. Марков, Р.Д. Мухамедьяров, Х.Н. Мухамедзянов, JI.H. Маскаева. Пожарная безопасность. 2008. - № 3. - С. 103-106.

257. Тарасов В.В. Инфракрасные системы «смотрящего» типа / В.В. Тарасов, Ю.Г. Якушенков // М.: Логос. 2004. - 443 с.

258. Курбатский Н.П. О стратегии, тактике и технике охраны лесов от пожаров / Н.П. Курбатский // Лесн. хоз-во. 1971. — № 6. - С. 64-68.

259. Залесов C.B. Лесная пирология / C.B. Залесов // Екатеринбург: Баско. 2006. - 304 с.

260. Валендик Э.Н. О применении дистанционных методов обнаружения лесных пожаров/Э.Н. Валендик, Р.В. Исаков и др. // Сб. Исследование Земли из Космоса. — 1986. — № 4.

261. Grysdale D. An Introduction to fire dynamics / D. Grysdale // Chichester -Weinhein New York — Brisbane — Singapore - Toronto: John Wiley and Sons. -1998.-451 p.

262. Трестман Е.Е. Автоматизация контроля буксовых узлов в поездах / Е.Е. Трестман, С.Н. Лозинский, В.Л. Образцов // М.: Транспорт. — 1983. — 352 с.

263. Самодуров В.И. Инфракрасные системы обнаружения перегретых букс / В.И. Самодуров: Учеб. пособие. — Свердловск: УЭМИИЖ. 1980. - 59 с.

264. Директор-Гл. конструктор ООО «Исследовательский Центр Уралсемикондактор», к.ф.-м.н.