Физико-химические закономерности получения пленок твердых растворов SnxPb1-xSe методом послойного гидрохимического осаждения PbSe и SnSe тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, кандидат химических наук Дьяков, Виктор Федорович

• Дьяков, Виктор Федорович
• кандидат химических наук
• 2010

Оглавление диссертации кандидат химических наук Дьяков, Виктор Федорович

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

1.1. Материалы для детекторов среднего и дальнего ИК-диапазона и проблемы их использования.

1.2. Структура, состав и полупроводниковые свойства PbSe, SnSe и твердых растворов SnxPbixSe.

1.3. Методы получения тонких пленок селенидов свинца и олова, твердых растворов на их основе.

1.4. Гидрохимическое осаждение пленок селенидов металлов.

1.5. Методы и условия сенсибилизации пленок селенидов металлов к

ИК-из лучению.

1.6. Фотоэлектрические свойства и области применения PbSe, SnSe и твердых растворов Sn^Pbi-^Se.

Выводы.

Глава 2. ИСХОДНЫЕ МАТЕРИАЛЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ.

2.1. Реактивы и материалы.

2.2. Методика гидрохимического осаждения пленок PbSe, SnSe.

2.3. Кинетические исследования осаждения селенидов свинца и олова (II).

2.4. Методы исследования состава, структуры и морфологии пленок PbSe, SnSe, SnJPb^Se.

2.5. Методики термообработки синтезированных пленок.

2.6. Исследование фотоэлектрических и спектральных характеристик пленок

Глава 3. КИНЕТИКО-ТЕРМОДИНАМИЧЕСКОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ УСЛОВИЙ ОБРАЗОВАНИЯ СЕЛЕНИДОВ СВИНЦА И ОЛОВА.

3.1. Термодинамический расчет граничных условий образования селенидов свинца и олова.

3.2. Обоснование составов реакционных смесей для гидрохимического синтеза PbSe и SnSe.

3.3. Кинетика химического осаждения селенидов свинца и олова (II).

3.3.1. Кинетика осаждения селенида свинца из этилендиамин-ацетатной системы.

3.3.2. Исследование кинетики химического осаждения селенида олова (II) в трилонатной системе.

Выводы.

Глава 4. ХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ ПЛЕНОК PbSe и SnSe, ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ СТРУКТУРЫ, МОРФОЛОГИИ, ЭЛЕМЕНТНОГО И ФАЗОВОГО СОСТАВА.

4.1. Исследование пленок PbSe, полученных из этилендиамин-ацетатной системы.

4.2.Гидрохимический синтез, исследование структуры и состава пленок SnSe.

4.3. Получение и исследование многослойных сэндвич-структур индивидуальных селенидов свинца и олова (II).

Выводы.

Глава 5. ТЕРМОСЕНСИБИЛИЗАЦИЯ ХИМИЧЕСКИ ОСАЖДЕННЫХ ПЛЕНОК PbSe, СЭНДВИЧ-СТРУКТУР НА ОСНОВЕ PbSe и SnSe, ИХ ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ СВОЙСТВА И ПРИМЕНЕНИЕ.

5.1. Определение условий термосенсибилизации PbSe и сэндвич-структур PbSe-SnSe.

5.2. Исследование отжига сэндвич-структур селенидов свинца и олова (II).

5.3. Исследование фотоэлектрических и спектральных характеристик сэндвич-структур PbSe- SnSe.

5.4. Применение пленок твердых растворов замещения Sn^Pbi-^Se в системах железнодорожной автоматики.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Физико-химические закономерности получения пленок твердых растворов SnxPb1-xSe методом послойного гидрохимического осаждения PbSe и SnSe»

Актуальность работы. Одной из важных проблем в сенсорике является создание новых материалов, способных воспринимать тепловое излучение. Исключительный интерес к тепловидению проявляется в металлургии и машиностроении, экологии и медицине, космонавтике и военном деле.

Среди широко используемых материалов, чувствительных к ИК-излучению, особое место занимают твердые растворы замещения на основе халькогенидов металлов. Используемые в настоящее время в наиболее информативном среднем (3-5 мкм) и дальнем (5-14 мкм) ИК-диапазонах, твердые растворы CdxHgirTe (KPT), PbvSni.vTe (СОТ) отличаются отсутствием стабильности полупроводниковых свойств, требуют для своего получения сложного технологического оборудования и имеют высокую коммерческую стоимость. Актуальной задачей является создание и разработка технологии синтеза альтернативных им соединений. К их числу следует отнести твердые растворы замещения SnvPbivSe. Уникальность этих материалов заключается в присущей им инверсии зон проводимости, в результате чего наблюдается уменьшение ширины запрещенной зоны и сдвиг диапазона спектральной чувствительности в длинноволновую область спектра.

Одной из главных сторон решения проблемы синтеза SnvPbi^Se является выбор тонкопленочной технологии. Серийное производство и широкое применение РЖ-детекторов возможно при условии, что методы их получения будут отличаться простотой, низкой стоимостью, высокой воспроизводимостью характеристик, способностью к проведению целенаправленного синтеза. К их числу следует отнести химическое осаждение из водных растворов. Однако к настоящему времени практически отсутствуют публикации по физико-химическим закономерностям гидрохимического осаждения пленок селенида олова и твердых растворов SnxPbivSe, до конца не исследованы их структура, состав, условия сенсибилизации и фотоэлектрические свойства. Одним из простых и удобных технологических приемов гидрохимического синтеза

Sn^Pbi-^Se является послойное осаждение индивидуальных селенидов свинца и олова с последующей термообработкой полученных сэндвич-структур для обеспечения условий формирования твердых растворов.

Работа выполнялась в рамках госбюджетной темы "Разработка физико-химических основ получения из водных сред материалов на основе халько-генидов, оксидов и галидов металлов с широким спектром заранее заданных электрофизических и химических свойств" (1999—2009 гг.), грантов РФФИ № 05-08-50249-а "Исследование кинетики химического осаждения и формирования пленок пересыщенных твердых растворов халькогенидов металлов регулируемого состава" (2005-2006 гг.); № 06-03-08103-офи "Разработка целенаправленного гидрохимического синтеза и исследование функциональных свойств новых материалов на основе тонких пленок халькогенидов металлов для фотодетекторов и химических сенсоров" (2006-2007 гг.)

Цель диссертационной работы является установление физико-химических закономерностей получения твердых растворов Sn^Pb]vSe методом послойного гидрохимического осаждения PbSe и SnSe, исследование их состава, структуры, условий термосенсибилизации, фотоэлектрических свойств.

Для достижения поставленной цели в работе необходимо было решение следующих экспериментальных и теоретических задач:

1. Провести анализ ионных равновесий в этилендиамин-ацетатной и трилонатной реакционных смесях, содержащих в качестве халькогенизатора селеномочевину, с целью определения условий образования твердой фазы селенидов свинца и олова.

2. Исследовать кинетику химического осаждения PbSe и SnSe в зависимости от содержания компонентов реакционной смеси, температуры процесса с определением частных порядков по компонентам и составлением формально-кинетических уравнений скоростей процессов.

3. Получить пленки селенидов свинца и олова, твердых растворов SnxPb]-vSe путем формирования и термообработки многослойных сэндвич-структур, изучить их состав, структуру и морфологию.

4. Отработать режимы термосенсибилизации сэндвич-структур, установить влияние параметров отжига на структуру, состав, морфологию и фотоотклик композиций.

5. Исследовать фотоэлектрические и спектральные характеристики полученных пленок твердых растворов замещения SnTPbi^Se.

6. Изготовить и испытать экспериментальные образцы фоторезисторов на основе SnJPbi-xSe в устройствах температурного контроля буксовых узлов колесных пар подвижного состава железнодорожного транспорта.

Научной новизной обладают следующие результаты диссертационной работы:

1. Комплексные кинетические исследования гидрохимического осаждения селенида свинца из этилендиамин-ацетатной и селенида олова из трило-натной систем селеномочевиной с определением энергий активации процессов, частных порядков реакций по компонентам системы, составлением формально-кинетические уравнения скоростей образования PbSe и SnSe.

2. Впервые с использованием селеномочевины гидрохимическим методом получены пленки селенида олова из трилонатной системы.

3. Синтезированы многослойные сэндвич-структуры путем послойного химического осаждения PbSe и SnSe. Исследованы их состав, структура, морфология, определены условия термосенсибилизации.

4. Впервые методом послойного осаждения PbSe и SnSe и термоактивации сэндвич-структур получены твердые растворы замещения SnJPbivSe (О <х <0,127).

5. Выявлен наноструктурированный характер многослойных сэндвич-структур и установлена связь морфологии композиций от числа слоев.

6. Установлен сдвиг спектральной характеристики фоточувствительности термоактивированных сэндвич-структур в длинноволновую область спектра.

Практическая ценность

1. Получены формально-кинетические уравнения скоростей процессов гидрохимического осаждения селенидов свинца и олова (II) селеномочевиной соответственно из этилендиамин-ацетатной и трилонатной систем, которые могут быть использованы для разработки оптимальных условий синтеза пленок PbSe и SnSe и получения на их основе сэндвич-структур.

2. Определены параметры термосенсибилизации сэндвич-структур на основе селенидов свинца и олова (II) к ИК-излучению.

3. Разработан способ получения фоточувствительных в среднем и дальнем ИК-диапазонах пленок твердых растворов SnxPb]vSe (0 <х < 0,127) на основе химически осажденных слоев PbSe и SnSe.

4. Показаны преимущества использования фоторезисторов на основе Sn^Pbi-jSe в автоматических системах температурного контроля буксовых узлов колесных пар железнодорожного транспорта.

Положения диссертации, выносимые на защиту

1. Результаты кинетических исследований гидрохимического осаждения селенидов свинца и олова (II) селеномочевиной.

2. Структура, морфология, фазовый и элементный состав гидрохимически осажденных пленок PbSe, SnSe и сэндвич-структур на их основе.

3. Условия и параметры термосенсибилизации сэндвич-структур на основе пленок селенидов свинца и олова (II) к ИК-излучению.

4. Результаты гидрохимического синтеза твердых растворов замещения SnxPbi.xSe (0 <х< 0,127 путем термосенсибилизации сэндвич-структур на основе химически осажденных слоев селенидов свинца и олова (II).

5. Фотоэлектрические и спектральные характеристики твердых растворов замещения SnxPbi.xSe (0 < 0,127), полученных послойным химическим осаждением и последующей термосенсибилизацией PbSe и SnSe.

Личный вклад автора состоял в постановке задач исследования, планировании экспериментов, непосредственном участии в их проведении, обработке и анализе полученных результатов.

Апробация работы. Основные результаты и положения диссертационных исследованиий докладывались и обсуждались на VII International Scientific Conference (Kislovodsk, 2007); VI Национальной конференции по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (Москва, 2007), International Conference High-MatTech (Kiev, 2007); Пятнадцатой научно-технической конференции "Системы безопасности"-СБ-2006 (Москва, 2006), V, VI Международных научно-практических конференциях "Чрезвычайные ситуации: предупреждение и ликвидация" (Минск, 2007, 2009), Международной научно-практической конференции "Актуальные проблемы пожарной безопасности" (Москва, 2008), IV Международном научно-практическом Форуме "Грани безопасности 2008" (Екатеринбург. 2008), Второй Всероссийской научно-практической конференции «Безопасность критичных структур и территорий» (Екатеринбург, 2008), III межведомственной конференции "Актуальные проблемы обеспечения безопасности Российской Федерации" (Екатеринбург, 2009).

Публикации. По результатам исследований опубликовано 19 печатных работ, в том числе 5 статей в журналах из списка ВАК, 3 статьи в научных сборниках, 9 тезисов докладов в трудах Международных, Всероссийских и Национальных конференций, получено 2 патента РФ.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав с выводами, заключения и библиографического списка, включающего 190 наименований цитируемой литературы. Работа изложена на 161 странице и содержит 63 рисунка и 8 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Дьяков, Виктор Федорович

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

1. Расчетом ионных равновесий с использованием термодинамических констант в системах Pb(CH3COO)2- CSeN2H4 - NH4CH3COO - (NH2 )2С2Н4 и SnCl2 — CSeNoHL} — Трилон Б определены граничные условия осаждения твердых фаз селенидов свинца и олова (II), а также их гидроксидов с учетом образования зародышей критического радиуса.

2. Впервые проведены комплексные кинетические исследования осаждения PbSe из этилендиамин-ацетатной системы и SnSe из трилонатной системы. Показан автокаталитический характер процессов. Определены частные порядки по всем компонентам обеих систем и энергии активации процессов образования индивидуальных селенидов свинца и олова. Выведены формально-кинетические уравнения скоростей превращения солей свинца и олова в селенид в условиях контролируемой площади межфазной поверхности.

3. С использованием рентгеновского, элементного и электронно-микроскопического методов исследования изучены структура, состав и морфология полученных химически осажденных пленок PbSe и SnSe. Установлено влияние на структуру пленок PbSe сенсибилизирующей добавки йодида аммония. Впервые селеномочевиной из трилонатной системы осаждены кристаллические пленки селенида олова, исследованы факторы, влияющие на этот процесс.

4. На диэлектрических подложках впервые получены многослойные сэндвич-структуры на основе пленок PbSe и SnSe с числом слоев от 2-х до 8-ми. Выявлены различия в кристаллической структуре и морфологии индивидуального селенида свинца и синтезированных сэндвич-структур. Установл-но, что размеры кристаллитов в структурах уменьшаются, а средняя величина областей когерентного рассеяния составляет в них около 30 нм.

5. Показано, что термическое окисление сэндвич-структур приводит к рекристаллизации пленок, гомогенизации их состава и формированию твердых растворов замещения SnJPbivSe (0 < х < 0,127). Проведен элементный анализ сэндвич-структур, выявлено различие в их составе и морфологии в зависимости от количества слоев.

6. Предложен и защищен патентом прием термосенсибилизации пленок в негерметично закрытом объеме, обеспечивающий получение более высоких фотоэлектрических характеристик.

7. Установлен сдвиг спектральной области фоточувствительности синтезированных структур при 213 К до 9,0 мкм.

8. При сравнительных испытаниях показано, что использование фоторезисторов на основе пленок Sn^Pbi^Se позволяет повысить в 3-4 раза чувствительность и в 150-200 раз быстродействие аппаратуры контроля температуры буксовых узлов колесных пар железнодорожного транспорта.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Результаты проведенных исследований, объектом которых были тонкие пленки селенидов свинца, олова (II) и сэндвич-структуры на их основе, позволяют считать, что одним из перспективных методов синтеза халькогенидов металлов является гидрохимическое осаждение.

В работе использован традиционный для Уральской физико-химической школы кинетико-термодинамический подход к гидрохимическому синтезу, который заключается в проведении предварительных расчетов областей образования исследуемых материалов во взятых реакционных смесях и комплексных кинетических исследований по превращению исходных солей металлов в селениды. Как отмечалось в работе, полученные формально-кинетические уравнения скоростей процессов образования селенидов свинца и олова (И) позволяют целенаправленно подходить к выбору состава реакционных смесей, их оптимизации, облегчают выявление взаимосвязей между составом, структурой морфологией пленок и условиями их получения.

Важным результатом проведенных исследований является определение условий синтеза пленок селенида олова (II) из трилонатных растворов с использованием селеномочевины.

На наш взгляд, заслуживают внимания результаты рентгеновских исследований синтезированных сэндвич-структур, из которых следует, что они по своей природе наноструктурированы. В конечном итоге это облегчило формирование общей структуры селенидов свинца и олова с получением твердых растворов замещения SntPbi-xSe. Следует отметить, что достигнутое в работе содержание SnSe в твердом растворе, составившее 12,7 моль. %, получено впервые для химически осажденных материалов.

Касаясь формирования фоточувствительных исследованных соединений, можно считать вполне доказанной определяющую роль в этом процессе химически связанного кислорода. По-видимому, состав образующихся при термообработке кислородсодержащих фаз, способствующих сенсибилизации, не является жестко детерминированным, но, несомненно, должен быть оптимальным как в количественном, так и в качественном плане. В связи с этим важен выбор температуры и режима отжига. Это продемонстрировала термообработка в негерметичном объеме.

Важным подтверждением образования твердых растворов замещения SnJPbi-^Se предложенным в работе методом является характер спектральных характеристик исследованных сэндвич-структур. Сдвиг кривых спектральной чувствительности в длинноволновую область вплоть до 9,0 мкм косвенно подтверждает это.

Определение основных условий синтеза твердых растворов замещения Sn^Pbi-^Se таким простым путем как термоактивация сэндвич-структур на основе индивидуальных селенидов свинца и олова открывает перспективу разработки на их основе доступных детекторов и фотоприемных устройств для среднего и дальнего диапазона. Это позволит значительно расширить использование ИК-техники в таких сферах человеческой деятельности, как медицина, экология, системы противопожарной безопасности, предотвращения техногенных аварий в металлургии, энергетике и т.д.

Этому будут способствовать дальнейшее проведение исследований по теме диссертационной работы в направлении получения более богатых по SnSe твердых растворов и улучшение их функциональных свойств.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Дьяков, Виктор Федорович, 2010 год

1. Хадсон, Р. Инфракрасные системы / Р. Хадсон. — Пер. с англ. М.: Мир, 1972.-484 с.

2. Ангина, И.Р. Детекторы ИКОП-диапазона: Обзор / И.Р. Ангина // Зарубежная электронная техника. 1975. № 25. С. 45—78.

3. Берченко Н.Н., Кревс, В.Е., Средин В.Г. Полупроводниковые твердые растворы и их применение / Н.Н. Берченко, В.Е. Кревс, В.Г. Средин.— М.: Воениздат, 1982. 208 с.

4. Курбатов, JT.H. Основные направления разработок фотоприемников и фотоприемных устройств для тепловидения в период 1979-1998 гг. / JI.H. Курбатов // Прикладная физика. 1999. №. 3. С. 1-13 .

5. Курбатов, J1.H. Эксперименты по кристаллизации твердых растворов CdtHgi-vTe в условиях невесомости на борту орбитальной станции "Салют" / JI.H. Курбатов, И.В. Бармин, Б.И. Головин, B.C. Зиновьев // ДАН СССР. 1983. Т. 273. С. 1380.

6. Rogalski, A. New trends in semiconductor infrared detectors/ Rogalski A. // Opt. Engin. 1994. V. 33. № 5. P. 1395-1412.

7. Zogg, h., Fach, A., Maisson, c., Musec, j., Brunier, S. Photovoltaic lead-chalcogenide on silicon infrared sensor arrays/ h. Zogg, A. Fach, c. Maisson, j. Musec, S. Brunier // Opt. Engin. 1994. V. 33. № 5. P. 1440-1449.

8. Абрикосов, H.X., Шелимова, JT.E. Полупроводниковые материалы на основе соединений A1VBVI / Н.Х. Абрикосов, Л.Е. Шелимова. М.: Наука, 1975.-195 с.

9. Гороновский, И.Т., Назаренко, Ю.П., Некряч, Е.Ф. Краткий справочник по химии / И.Т. Гороновский, Ю.П. Назаренко, Е.Ф. Некряч. Киев: Наукова Думка. 1974. 985 с.

10. Goldberg, А.Е. Occurrence of natural р—п junctions in lead selenide /

11. A.E. Goldberg, G.R. Mitchell // J. Chem. Phys. 1954. - V. 22. - No. 2. - P. 220222.

12. Brebrick, R.F. PbSe composition stability limits / R.F. Brebrick, E. Gubner// J. Chem. Phys.- 1962.-V. 36.-No. l.-P. 170-172.

13. Оболончик, B.A. Селениды / B.A. Оболончик. M.: Металлургия, 1972.-296 с.

14. ASTM X-ray diffraction date cards, Phyladelphia, 1968. № 6-0354.

15. Абрикосов, H.X., Банкина, В.Ф., Перецкая, JI.B. и др. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе/ Н.Х. Абрикосов,

16. B.Ф. Банкина, J1.B. Перецкая и др. JL: Наука, 1982. - 220 с.

17. Vaidyanathan, R. Quantum confinement in PbSe thin films electrodeposited by electrochemical atomic layer epitaxy (EC-ALE) / R. Vaidyanathan, J.L. Stickney, U. Happek // Electrochimica Acta. 2004. - V. 49. -P. 1321-1326.

18. Dobson, K.D. Thin semiconductor films for radiative cooling applications / K.D. Dobson, G. Hodes, Y. Mastai // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. -2003. V. 80. - No. 3. - P. 283-296.

19. Lee, M.H. Structural and optical characterizations of multi-layered and multi-stacked PbSe quantum dots / M.H. Lee, W.J. Chung, S.K. Park, M.S. Kim, H.S. Seo, J.J. Ju//Nanotechnology. -2005.- V. 16.-P. 1148-1152.

20. Yang, J. Electron and atomic force microscopic investigations of lead selenide crystals grown under monolayers / J. Yang, J.H. Fendler, T.-C. Jao, T.1.urion // Microscopy Research and Technique. 1994. -V. 27. —№. 5. -P. 402411.

21. ASTM X-ray diffraction date cards, Phyladelphia, 1968. № 14-159.

22. Rau, H. High temperature equilibrium of atomic disorder in SnS / H. Rau // J. Phys. Chem. Solids. 1966. - V. 27. - №. 4. - P. 761-769.

23. Quan, D.T. Electrical properties and optical absorption of SnSe evaporated thin films / D.T. Quan // Phys. Stat. Sol. A. 1984. - V. 86. - P. 421426.

24. Шелимова, JI.E., Томашик, H.H., Грыцив, В.И. Диаграммы состояния в полупроводниковом материаловедении / JI.E. Шелимова, Н.Н. Томашик, В.И. Грыцив. М.: Наука, 1991. - 368 с.

25. Семилетов, С. А., Воронина, И.П. Получение, структура и некоторые свойства монокристаллических пленок селенида свинца // ДАН СССР. 1963. Т. 152. № 6. С. 1350-1353.

26. Смит, Р. Полупроводники / Р. Смит; пер. с англ. М.: Мир, 1982. -560 с. - Перевод изд.: Semiconductors / R.A. Smith. Cambridge, 1978.

27. Химия: Справ, изд. / В. Шретер, К.-Х. Лаутеншлегер, X. Бибрак, А. Шнабел; пер. с нем. М.: Химия, 1989. - 648 с. - Перевод изд.: Chemie / W. Schroter, К.-Н. Lautenschlager, Н. Bibrack, A. Schnabel. Leipzig, 1986.

28. Урусов, B.C. Твердые растворы в мире минералов / B.C. Урусов. -Соросовский образовательный журнал. 1996. - № 11. - С. 54-60.

29. Макаров, Е.С. Изоморфизм атомов в кристаллах / Е.С. Макаров. -М.: Атомиздат, 1973. 288 с.

30. Штанов, В.И. Исследование системы PbSe-SnSe / В.И. Штанов, В.П. Зломанов, А.В. Новоселова // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. -1974.-Т. 10.-№2.-С. 224-227.

31. Krebs, Н. Uber struktur und eigenschaften der halbmetalle. XIV. Mischkristallsysteme zwischen halbleitenden chalkogeniden der vierten hauptgruppe / H. Krebs, K. Grim, D. Kallen // Z. Anorg. und Allg. Chem. 1961. — V. 312.-No. 5-6.-P. 307-313.

32. Szczerbakow, A. Investigation of the composition of vapor-grown PbitSnvSe crystals (x < 0.4) by means of lattice parameter measurements / A. Szczerbakow, H. Berger // J. Cryst. Growth. 1994. -V. 139. -№. 1-2. -P. 172178.

33. Strauss, A.J. Inversion of conduction and valence bands in PbixSnxSe alloys/A.J. Strauss//Phys. Rev. 1967. - V. 157.-№. 3.-P. 608-611.

34. Wooley, J.C. Phase studies of the Pb,xSnxSe alloys / J.C. Wooley, O. Berolo // Mater. Res. Bull. 1968. - V. 3. - №. 5. - P. 445-450.

35. Martinez, G. Band inversion in Pb.xSnxSe alloys under hydrostatic pressure / G. Martinez // Phys. Rev. 1973. - V. 8. - №. 10. - P. 4686-4692.

36. Кучеренко, И.В. Определение параметров зонной структуры полупроводников PbivSnvSe из изменений эффекта Шубникова-де Гааза / И.В. Кучеренко, В.И. Моисеенко, А.П. Шотов // Физика и техника полупроводников. 1977. - Т. 11.-Вып. 1.-С. 162-167.

37. Моисеенко, В.И. Влияние гидростатического давления на зонную структуру и кинетические явления в полупроводниках Pb.YSnxSe / В.И. Моисеенко, И.В. Кучеренко, А.П. Шотов // Физика и техника полупроводников. 1978. - Т. 12. - Вып. 12. - С. 2332-2337.

38. Simpson, О. Conductivity of evaporated films of PbSe /О. Simpson // Nature, bond. 1948. V.159. P. 818.

39. Moss, T.S., Chasmar, R.P. Spectral response of PbSe / T.S. Moss, R.P. Chasmar // Nature, bond. 1948. V.161. P. 244.

40. Курбатов, JI.H. Очерк истории приемников инфракрасного излучения на основе халькогенидов свинца / JI.H. Курбатов // Вопросы оборонной техники. 1995. В. 1-2. С. 3.

41. Martin, Y.M., Hermandez, Y.L. Arrays of thermally evaporated PbSe infrared photodetectors deposited on Si substrates operating at room temperature / Y.M. Martin, Y.L. Hermandez // Semicond. Sci. Technol. 1996. V. 11. P. 17401744.

42. Буткевич, В.Г., Бочков, В.Д., Глобус, Е.Р. Фотоприемники и фотоприемные устройства на основе поликристаллических и эпитаксиальных слоев халькогенидов свинца / В.Г. Буткевич, В.Д. Бочков, Е.Р. Глобус // Прикладная физика. 2001. № 6. С.66-112.

43. Zykov, V.A. Self-compensation in PbSe:Tl thin films / V.A. Zykov, T.A. Gavrikova, S.A. Nemov, P.A. Osipov // Semiconductors. 1999. V. 33. № 1. P. 22-25

44. Голубченко, H.B. Фоточувствительные структуры на основе поликристаллических слоев селенида свинца / Н.В. Голубченко, М.А. Иошт, В.А. Мошников и др. // Перспективные материалы. 2005. № 3. С. 31-35.

45. Томаев, В. В. Эллипсометрический контроль параметров пленок селенида свинца при окислении / В. В. Томаев, М.Ф. Панов // Физика и химия стекла. 2006. Т. 32. №3. С. 511-515.

46. Семенов, В.Н., Овечкина, Н.М. Моделирование процессов формиро-вания полупроводниковых слоев из координационных соединений / В.Н. Семенов, Н.М. Овечкина // Конденсированные среды и межфазные границы. 2007. Т. 9. № 3. С. 261-262.

47. Ivanov, D.K., Streltsov, Е.А., Fedotov, А.К., Muzanik, A.V. Electrochemical depositon of nanocrystalline PbSe layers onto p-Si (100) / D.K. Ivanov, E.A. Streltsov, A.K. Fedotov, A.V. Muzanik // Thin Solid Films. 2005. V. 485. № 1-2. P. 39-53.

48. Baleva, M.I. The PbSe metastable phase. I. The growth mechanism / M. Baleva, E. Mateeva // J. Phys.: Condens. Matter. 1993. V. 5. № 43. P. 7959-7970.

49. Baleva, M.I. Infrared absorption of laser deposited PbSe films / M.I. Baleva, M.H. Maksimov, M.S. Sendova // J. Phys. C: Solid State Phys. 1987. V. 20. №7. P. 941-951.

50. Ai-Ling, Y. Raman scattering study of PbSe grown on (111) BaF2 substrate / Y. Ai-Ling, W. Hui-Zhen, L. Zhi-Feng et al. // Chinese Phys. Lett. 2000. V. 17, № 8. P. 606-608.

51. Lambrecht, A. Molecular beam epitaxy of laterally structured lead chalcogenides for the fabrication of buried heterostructure lasers / A. Lambrecht, H. Bottner, M. Agne et al. // Semicond. Sci. Technol. 1993. V. 8. № 1. P. 334-336.

52. Finlayson, C.E. et. al. Whispering gallery mode emission at telecommunications-window wavelengths using PbSe nanocrystals attached to photonic beads / C.E. Finlayson et. al. // Semicond. Sci. Technol. 2006. V. 21. L.21-L24.

53. Sharma, J. Preparation and characterization of SnSe nanocrystalline thin films / J. Sharma, G. Singh, A. Thakur et al. // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2005. V. 7. № 4. P. 2085-2094.

54. Padiyan, D.P. Electrical and photoelectrical properties of vacuum deposited SnSe thin films / D.P. Padiyan, A. Marikani, K.R. Murali // Cryst. Res. Technol. 2000. V. 35. № 8. P. 949-957.

55. Bennouna, A., Tessier P. Y., Priol M., Dang Tran Q., Robin S. Far ultraviolet photoelectric study of thin SnSe evaporated films // Physica status solidi (b). 2006. V. 117. №i.p. 51 -56

56. Chandra, G.H. Preparation and characterization of flash evaporated tin selenide thin films / G.H. Chandra, J. N. Kumara, N. M. Raob et al. // Journal of Crystal Growth. 2007. V. 306. № 1. P. 68-74.

57. Boscher, N.D. Atmospheric pressure chemical vapour deposition of SnSe and SnSe2 thin films on glass / N.D. Boscher, C.J. Carmalt, R.G. Palgrave et al. //Thin solid films. 2008. V. 516. № 15. P. 4750-4757.

58. Bindu, K. Semiconducting tin selenide thin films prepared by heating Se-Sn layers / K. Bindu, P.K. Nair // Semicond. Sci. Technol. 2004. V. 19. № 12. P. 1348-1353.

59. Teghil, R. Characterisation of the plasma plume and of thin film epitaxially produced during laser ablation of SnSe / R. Teghil, A. Santagata, V. Marotta et al. // Applied surface science. 1995. V. 90. P. 505-514.

60. Zainal, Z. Electrodeposition of tin selenide thin film semiconductor: effect of the electrolytes concentration on the film properties / Z. Zainal, A.J. Ali, A. Kassim et al. // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2003. V.79. № 2. P. 123127.

61. Subramanianc, B. Electrodeposition of Sn, Se, SnSe and the material properties of SnSe films / B. Subramanianc, T. Mahalingama, C. Sanjeeviraja et al. // Thin Solid Films. 1999. V. 357. № 2. P. 119-124.

62. Wang, C. Synthesis of SnSe in various alkaline media under mild conditions / C. Wang, Y.D. Li, G.H. Zhang et al. // Inorg. chem. 2000. V. 39 (19). P. 4237-4239.

63. Hohnke, D.K. Epitaxial PbSe and Pb).vSnTSe: Growth and electrical properties / D.K. Hohnke, S.W. Kaiser // J. Appl. Phys. 1974. - V. 45. - No. 2. -P. 892-897.

64. Tao, T.F. Epitaxial growth of Pb0.9i8Sn0.082Se films on CaF2 and BaF2 substrates / T.F. Tao, C.C. Wang // J. Appl. Phys. 1972. - V. 43. - No. 3. - P. 1313-1316.

65. Taylor, S. E. On time delays in lead salt semiconductor diode lasers / S.E. Taylor // Appl. Phys. A: Materials Science and Processing. 1986. - V. 39. -No. 2.-P. 91-94.

66. John, J. IR-sensor array fabrication in Pbi-rSnxSe-on-Si heterostructures / J. John, A. Fach, J. Masek, P. Muller, C. Paglino, H. Zogg // Appl. Surf. Sci. -1996.-V. 102.-P. 346-349.

67. Zogg, H. Heteroepitaxial IV-VI infrared sensors on Si-substrates with fluoride buffer layers / H. Zogg, W. Vogt, H. Melchior // Nucl. Instrum. and Methods Phys. Res. A. 1987. - V. 253. - No. 3. - P. 418-422.

68. Гавалешко, Н.П. Узкозонные полупроводники. Получение и физические свойства / Н.П. Гавалешко, П.Н. Горлей, В.А. Шендеровский. -Киев: Наук, думка, 1984. 288 с.

69. Hoshino, Т. Fabrication procedures of photovoltaic lead-chalcogenide-on-silicon infrared sensor arrays for thermal imaging / T. Hoshino, H. Zogg, C. Maissen, J. Masek, S. Blunier // Microelectronic Engineering. 1991. - V. 15. -No. 1-4. - P. 293-296.

70. Li, C.P. Strain relaxation in PbSnSe and PbSe/PbSnSe layers grown by liquid-phase epitaxy on (lOO)-oriented silicon / C.P. Li, P.J. McCann, X.M. Fang // J. Cryst. Growth. 2000. - V. 208. - No. 1-4. - P. 423-430.

71. Матвеенко, A.B., Медведев, Ю.В., Берченко, H.H. Термическое вакуумное напыление эпитаксиальных пленок полупроводниковых соединений A1VBV1/ А.В. Матвеенко, Ю.В. Медведев, Н.Н. Берченко // Зарубежная электрон, техника. 1982. № 11. С. 54-115.

72. Марков, В.Ф. Гидрохимический синтез и структура пленок твердых растворов замещения Pb^Sn^Se / В.Ф. Марков, Н.А. Третьякова, Х.Н. Мухамедзянов, J1.H. Маскаева //Вестник УГТУ-УПИ. Серия химическая. 2005. Т. 57. № 5. С.75-77.

73. Мухамедзянов, Х.Н. Низкотемпературные исследования соосажден-ных пленок селенидов свинца и олова / Х.Н. Мухамедзянов, М.П.•Миронов, JI.H. Маскаева, В.Ф. Марков, Н.А. Третьякова // Химия и хим. технология. 2006. С. 114-119.

74. Марков, В.Ф., Маскаева, Л.Н., Иванов, П.Н. Гидрохимическое осаждение пленок сульфидов металлов: моделирование и эксперимент / В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева, П.Н. Иванов Екатеринбург: УрО РАН, 2006 - 218 с.

75. Dobson, K.D. Thin semiconductor films for radiative cooling applications / K.D. Dobson, G. Hodes, Y. Mastai // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. -2003. V. 80. - No. 3. - P. 283-296.

76. Mane, R.S. Chemical deposition method for metal chalcogenide thin films / R.S. Mane, C.D. Lokhande // Mat. Chem. Phys. 2000. - V. 65. - No. 1. -P. 1-31.

77. Milner, C. Lead selenide photoconductive cells / C.J. Milner, B.N. Watts //Nature. 1949. - V. 163. - P. 322-326.

78. Лундин, А.Б. К вопросу о механизме осаждения тонких пленок селенида свинца / А.Б. Лундин, Г.А. Китаев // Неорганические материалы. 1965. Т. 1.№ 12. С. 2102-2106.

79. Китаев, Г.А. Химический способ осаждения тонких пленок селенида свинца / Г.А. Китаев, А.Б. Лундин, С.Г. Мокрушин // Изв. ВУЗов СССР. Химия и химическая технология. 1966. № 4. С. 574-576.

80. Третьякова, Н.А. Гидрохимическое осаждение, состав и морфология пленок селенида олова (II) / Н.А. Третьякова, В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева и др. // Химия и химическая технология. 2008. Т. 51. № 7. С. 37-40.

81. Китаев, Г.А. Кинетика процесса образования селенида свинца в водных растворах селеносульфата натрия / Г.А. Китаев, А.Ж. Хворенкова // Журнал прикладной химии. 1999. Т. 72. № 9. С. 1440-1443.

82. Kalea, R.B. Room temperature chemical synthesis of lead selenide thin films with preferred orientation / R.B. Kalea, S.D. Sartaleb, V. Ganesancet et al. // Applied surface science. 2006. V. 253. № 2. P. 930-936.

83. Grozdanov, I. A simple and low-cost technique for electroless deposition of chalcogenide thin films / I. Grozdanov // Semicond. Sci. Technol. 1994. V. 9. № 6, P. 1234-1241.

84. Candea, R.M. Properties of PbSe films prepared by chemical "anorganic" deposition / R.M. Candea, D. Dadarlat, R. Turcu, E. Indrea // Phys. Stat. Sol. A. 1985. - V. 90. - P. K91-K95.

85. Китаев, Г.А., Романов, И.Т. Кинетика разложения тиомочевины в щелочных средах / Г.А. Китаев, И.Т. Романов // Изв. ВУЗов Химия и хим. технология. 1974. Т.17. № 9. С. 1427-1428.

86. Китаев, Г.А., Романов, И.Т. Синтез тиомочевины из сероводорода и цианамида / Г.А. Китаев, И.Т. Романов // Изв. ВУЗов Химия и хим. технология. 1976. Т. 19. № 6. С. 941-943.

87. Китаев, Г.А. Термодинамическое обоснование условий осаждения сульфидов металлов тиомочевинной из водных растворов / Г.А. Китаев, Т.П. Болыцикова, Г.М. Фофанов и др. //Труды Уральск. Политехи, ин-та. 1968. № 170. С. 113-126.

88. Макурин, Ю.Н. Промежуточный комплекс в химических реакциях / Ю.Н. Макурин, Р.Н. Плетнев, Д.Г. Клещев, Н.А. Желонкин Свердловск: УрО РАН, 1990.- 198 с.

89. Фрицше, К. Получение полупроводников / Перев. с англ.М.: Мир. 1964. 436 с.

90. Zingaro, R.A. Chemical deposition of thin films of lead selenide / R.A. Zingaro, D.O. Skovlin // J. Electrochem. Soc. 1964. - V. 111. - No. 1. - P. 42-^7.

91. Марков, В.Ф. Определение температурных зависимостей констант гидролитического разложения тио- и селеномочевины / В.Ф. Марков, JI.H. Маскаева, Г.Г. Дивинская, И.М. Морозова // Вестник УГТУ-УПИ. Серия химическая. 2003. Т. 23. № 3. С. 120-125.

92. Spenser, Н.Е., Morgan, J.V. Pat. US № 3.121.023/ Chemically deposited lead selenide photoconductive. 1964.

93. Roberts, D.H., Beines, J.E. Photoconductivity in chemically deposited films of lead selenide / D.H. Roberts, J.E. Beines // J. Phys.Chem. Solids. 1958. № 6.P. 184-189.

94. Jonson, Т.Н. Pat. US № 3.178.312 / Solutions and methods for depositing lead selenide. 1965. cl. 117-201.

95. Mc Leen, B.N. Pat. US № 2.994.409 / Method of production of lead selenide photodetector cells. 1961.

96. Рыбникова, Г.Г. Получение селенида свинца селеносульфатным способом / Г.Г. Рыбникова, В.А. Поповкин, В.Г. Буткевич, А.В. Новоселова // Изв. АН СССР. Неорган, матер. 1964. - Т. 3. - С. 1934-1937.

97. Фофанов, Г.М. Анализ условий осаждения селенидов металлов из водных растворов селеносульфатом натрия / Г.М. Фофанов, Г.А. Китаев // Ж. неорг. химии. 1969. - Т. 14. - С. 616-620.

98. Войтович, Г.Д. Исследование оптических свойств, структуры и фазового состава слоев сульфида и селенида свинца / Г.Д. Войтович, М.С.

99. Давыдов, А.И. Иванов, Г.П.Тихомиров // Оптико-механ. пром. — 1966. — № 12. -С. 9-12.

100. Лундин, А.Б. Кинетика осаждения тонких пленок селенида свинца / А.Б. Лундин, Г.А. Китаев // Неорганические материалы. 1965. Т. 1. № 12. С. 2107-2112.

101. Лундин, А.Б. Химическое осаждение из растворов на поверхности стекла пленок сульфида и селенида свинца: дисс. . к-та хим. наук / А.Б. Лундин. Екатеринбург, 1967. 133 с.

102. Соколова, Т.П. Использование селеномочевины для получения пленок селенидов цинка и свинца на твердых подложках и их осадков из растворов: дисс. . к-та хим. наук / Т.П. Соколова Екатеринбург, 1972. 201 с.

103. Третьякова, Н.А. Гидрохимический синтез, состав, структура и свойства пленок селенида свинца (II) / Н.А. Третьякова, В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева, Х.Н. Мухамедзянов // Химия и хим. технология. 2006. С. 97-99.

104. Pramanik, P. A chemical method for the deposition of tin (II) selenide thin films / P. Pramanik, S. Bhattacharya // J. Mater. Science Letters. 1988. - V. 7. -P. 1305-1306.

105. Марков, В.Ф. Кинетика гидрохимического осаждения SnSe / В.Ф. Марков, Н.А. Третьякова, Л.Н. Маскаева, Л.Д. Лошкарева, Е.И. Степановских // Вестник УГТУ-УПИ. Серия химическая. 2004. Т. 37. № 7. С. 157-160.

106. Неустроев, Л.Н. О механизме протекания тока и фототока в поликристаллах PbS / Л.Н. Неустроев, В.В. Осипов // Физика и техника полупроводников. 1984. - Т. 18. -№ 2. - С. 359-362.

107. Китаев, Г.А., Протасова, Л.Г., Косенко, В.Г., Марков, В.Ф. Окисление химически осажденного сульфида свинца/ Г.А. Китаев, Л.Г.

108. Протасова, В.Г. Косенко, В.Ф. Марков // Изв. РАН. Неорган, материалы. 1993. Т.29. № 7. С. 1017-1018.

109. Ильин, В.И. Фотоэлектрическая активность кислорода в пленках сульфида свинца / В.И. Ильин //Физика и техника полупроводников. 1970. Т. 4. В. 3. С. 31-34.

110. Гаськов, A.M. Оже-электронный микроанализ окисленного поликристаллического слоя сульфида свинца / A.M. Гаськов, А.А. Гольденвейзер, И.А. Соколов, В.П. Зломанов, А.В. Новоселова // Доклады АН СССР. 1983. - Т. 269. - № 3. - С. 607-609.

111. Candea, R.M. Effects of thermal annealing in air on VE COD and CAD PbSe films / R.M. Candea, R. Turcu, G. Borodi, J. Bratu // Phys. Stat. Sol. A. -1987.-V. 100.-No. l.-P. 149-155.

112. Дегтева, JT.B. Влияние термообработки на макроструктуру слоев PbS и PbSe / Л.В. Дегтева, Г.П. Тихомиров // Изв. АН СССР. Неорган, матер. -1971.-Т. 7.-№7.-С. 1263-1265.

113. Biro, L.P. The influence of thermal annealing on the physical properties of chemically deposited PbSe films / L.P. Biro, Al. Darabont, P. Fitori // Europhys. Lett.- 1987. -V. 4. No. 6. - P. 691-696.

114. Попов, В.П. Исследование механизмов окисления на поверхности полупроводниковых структур селенида свинца / В.П. Попов, П.А. Тихонов, В.В. Томаев // Физика и химия стекла. 2003. - Т. 29. - № 5. - С. 686-694.

115. Поповкин, Б.А. Изучение взаимодействия селенида свинца с кислородом / Б.А. Поповкин, Л.М. Ковба, В.П. Зломанов, А.В. Новоселова // ДАН СССР. 1959. - Т. 129. - № 4. - С. 809-812.

116. Поповкин, Б.А. Изучение термического разложения селената и селенита свинца / Б.А. Поповкин, В.П. Зломанов, А.В. Новоселова // Ж. неорган, химии. 1960.-Т. 5.-№ 10.-С. 2261-2264.

117. Зломанов, В.П. Изучение взаимодействия селенида свинца с кислородом / В.П. Зломанов, О.И. Тананаева, А.В. Новоселова // Журн. неорган, химии. 1961. - Т. 6.-Вып. 12.-С. 2753-2757.

118. Briones, F. The role of oxygen in the sensitization of photoconductive PbSe films / F. Briones, D. Golmayo, G. Ortiz // Thin Solid Films. 1981. - V. 78. -No. 4.-P. 385-395.

119. Быкова, T.T. Исследование масс-спектров продуктов десорбции и фотоэлектрических характеристик химически осажденных слоев селенида свинца / Т.Т. Быкова, А.Н. Данилов, М.С. Давыдов // Уч. записки ЛГУ. 1974. -№371.-С. 3-7.

120. Голубченко, Н.В., Мошников, В.А., Чеснокова, Д.Б. Влияние примесей на кинетику и механизм термического окисления поликристаллических слоев PbSe / Н.В. Голубченко, В.А. Мошников, Д.Б. Чеснокова // Неорган, материалы. 2006. Т. 42. № 9. С. 1040-1049

121. Stober, D. Chemical transport reactions during crystal growth of PbTe and PbSe via vapour phase influenced by Agl / D. Stober, B.O. Hildmann, H. Bottner, S. Schelb, K.-H. Bachem, M. Binnewies // J. Cryst. Growth. 1992. V. 121. No. 4. P. 656-664.

122. Pathinettam Padiyan, D. Electrical and photoelectrical properties of vacuum deposited SnSe thin films / D. Pathinettam Padiyan, A. Marikani, K.R. Murali // Crystal Research and Technology. 2000. - V. 35. - P. 949-957.

123. Subramanian, B. Electrodeposition of Sn, Se, SnSe and the material properties of SnSe films / B. Subramanian, T. Mahalingam, C. Sanjeeviraja, M.

124. Jayachandran, M.J. Chockalingam // Thin Solid Films. 1999. - V. 357. - No. 2. -P. 119-124.

125. Zainal, Z. Effects of annealing on the properties of SnSe films / Z. Zainal, S. Nagalingam, A. Kassim, M. Z. Hussein, W.M.M. Yunus // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2004. - V. 81. - No. 2. - P. 261-268.

126. Ganesan, N. The influence of gas adsorption and temperature on the electrical resistivity of SnSe thin films / N. Ganesan, V. Sivaramakrishnan // Semicond. Science and Technol. 1987. - V. 2. - No. 8. - P. 519-523.

127. Буткевич, В.Г., Глобус, Е.Р., Казанцев Г.А. и др. Фотоприемники на основе халькогенидов свинца: состояние работ в ФГУП "НПО Орион" и перспективы развития // Прикладная физика. 1999. № 2 (http;/www.vimi.ru).

128. Горева, Н.З. Малогабаритный тепловизор для гражданских целей / Н.З. Горева, Н.Ф. Кощавцев, В.И. Теплов, С.Ф. Федотова // Прикладная физика. 2002. - № 2. - С. 144-147.

129. De Frutos, J. Electrooptical infrared compact gas sensor / J. de Frutos, J.M. Rodriguez, F. Lopez, A.J. de Castro, J. Melendez, J. Meneses // Sensors and Actuators B: Chemical. 1994. - V. 19. - No. 1-3. - P. 682-686.

130. Zweibel, К. Thin film PV manufacturing: Materials costs and their optimization / K. Zweibel // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2000. - V. 63. - No. 4. -P. 375-386.

131. Agarwal, A. Impact of electrical resistance and ТЕР in layered SnSe crystals under high pressure / A. Agarwal, P.H. Triverdi, D. Lakshminarayana // Crystal Research and Technology. 2005. - V. 40. - No. 8. - P. 789-790.

132. Subramanian, B. Brush plating of tin (II) selenide thin films / B. Subramanian, C. Sanjeeviraja, M. Jayachandran // J. Cryst. Growth. 2002. - V. 234. - No. 2-3. - P. 421-426.

133. К Bindu, P К Nair. Semiconducting tin selenide thin films prepared by heating Se-Sn layers. Semicond. Sci. Technol. 2004. V. 19. P. 1348-1353

134. Preier, H. Comparison of the junction resistance of (PbSn)Te and (PbSn)Se infrared detector diodes / H. Preier // Infrared Physics. 1978. - V. 18. -No. l.-P. 43-46.

135. Hohnke, D.K. Thin-film (Pb,Sn)Se photodiodes for 8-12-p.m operation / D.K. Hohnke, H. Holloway, K.F. Yeung, M. Hurley // Appl. Phys. Lett. 1976. -V. 29. - No. 2. - P. 98-100.

136. Preier, H. Physics and applications of IV-VI compound semiconductor lasers /Н. Preier// Semicond. Sci. Technol. 1990. - V. 5. - No. 3S. - S12-S20.

137. Lambrecht, A. Shadow mask MBE for the fabrication of lead chalcogenide buried heterostructure lasers / A. Lambrecht, R. Kurbel, M. Agne // Materials Science and Engineering B. 1993. - V. 21. - No. 2-3. - P. 217-223.

138. Мейтис, JI. Введение в курс химического равновесия и кинетики / Л. Мейтис, пер. с англ. М.: Мир, 1984. - 480 с. - Перевод изд.: An introduction to chemical equilibrium and kinetics / L. Meites.

139. Шварценбах, Г. Комплексонометрическое титрование / Г. Шварценбах, Г. Флашка; пер. с нем. М.: Химия, 1970. - 360 с. - Перевод изд.: Die komplexometrische Titration / G. Schwarzenbach, H. Flaschka.

140. Лурье, Ю.Ю. Справочник по аналитической химии: Справ, изд. / Ю.Ю. Лурье. 6-е изд., перераб. и доп. - М.: Химия, 1989. - 448 с.

141. Спиваковский, В.Б. Аналитическая химия / В.Б. Спиваковский -М.: Наука, 1975.-С. 41-42.

142. Rietveld, Н.М. A profile refinement method for nuclear and magnetic structures // J. Appl. Ctyst. 1969. V. 2. P. 65-71.

143. Vegard, L. Die Konstitution der Mischkristalle und die Raumfullung der Atome / Vegard L.//Z. Phys. 1921. - Bd. 5. - S. 17.

144. Чичагов, А.В. Рентгенометрические параметры твердых растворов. / А.В. Чичагов, Л.В. Сипавина М.: Наука, 1982. - 171 с.

145. Мухамедьяров, Р. Д. Установка для измерения пороговых параметров фотоприемников / Р.Д. Мухамедьяров, В.И. Стук, В.Н. Жуков // Приборы и техника эксперимента. 1976. № 6. С. 234

146. Шоль, Ж. Приемники инфракрасного излучения / Ж. Шоль, И. Марфан, М. Мюнш. М.: Мир, 1969. - 284 с.

147. Батлер, Дж.Н. Ионные равновесия / Дж.Н. Батлер М.: Химия, 1973.-448 с.

148. Фролов, Ю.Г. Курс коллоидной химии / Ю.Г. Фролов. М.: Химия, 1989.-462 с.

149. Семенов, В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов их тиомочевинных координационных соединений. Дис.док. хим. наук. Воронеж. 2002. 355 с.

150. Таусон, В.Л., Абрамович, М.Г. Физико-химические превращения реальных кристаллов в минеральных системах / В.Л. Таусон, М.Г. Абрамович. Новосибирск: Наука - 1988. - 272 с.

151. Ахумов , Е. И. Размер кристаллического зародыша кубической формы / Е.И. Ахумов // Изв. Вузов. Химия и хим. технол. 1984. Т.27. В. 12. С.1425-1427.

152. Справочник химика: В 6 т. / Химические равновесия и кинетика, свойства растворов. Электродные процессы. — M.-JI.: Химия 1964. Т.З. С.1005.

153. Аксельруд, Н.В. Интерпретация полярографических волн полимеризованных гидроксосолей / Н.В. Аксельруд // ДАН СССР. 1954. Т.98. № 5. С. 799-802.

154. Кумок, В.Н., Кулешова, О.М., Карабин, Л.А. Произведения растворимости / В.Н. Кумок, О.М. Кулешова, Л.А. Карабин. Новосибирск: Наука Сиб. отд. - 1983. - 266 с.

155. Китаев, Г.А., Соколова, Т.П. Растворимость цианамида свинца в щелочных средах // Журн. неорган, химии. 1975. Т. 20. № 3. С. 839-841

156. Накамото, К. ИК-спектры и спектры КР неорганических и координационных соединений / К. Накамото. М.: Мир. - 1991. - 536 с.

157. Серов, И.Н. Анализ структурных характеристик нанокристал-лических слоев селенида свинца / И.Н. Серов, М.А. Иошт, С.В. Кощеев, В.И. Марголин, В.А. Мошников, Д.Б. Чеснокова // Микросистемная техника. 2004. №8. С. 17-20

158. Gautier, С. Combon-Muller V., Averous V. Study of PbSe layer oxidation and dissolution / C. Gautier, V. Combon-Muller, V. Averous // Appl. Surf. Sci. 1999. V. 141. P. 157-163

159. Голубченко, Н.В. Кинетика и механизм окисления поликристаллических слоев селенида свинца, легированных висмутом / Н.В. Голубченко,

160. В.А. Мошников, Д.Б. Чеснокова // Изв ВУЗов. Материалы электронной техники. 2005. № 1. С. 23-25.

161. Голубченко, Н.В. Исследование микроструктуры и фазового состава поликристаллических слоев селенида свинца в процессе термического окисления / Н.В. Голубченко, В.А. Мошников, Д.Б. Чеснокова // Физика и химия стекла. 2006. Т. 32. № 3. С.464-478.

162. Спивак Ю.М. Анализ фотоприемных монокристаллических и поликристаллических слоев на основе халькогенидов свинца методами атомно-силовой микроскопии. Автореферат диссертации канд. ф.-м. наук / Ю.М. Спивак. Санкт-Петербург. 2008. 23 с.

163. Ильин, В.А., Петров, А.А. Писаревский, М.С. Фоточувствительность поликристаллических пленок на основе Pbi^Cd^Se / В.А. Ильин, А.А. Петров, М.С. Писаревский // Петербург, журн. электроники. 2001. №4. С. 93-100

164. Томаев, В.В., Чернышева, И.В., Тихонов, П.А. Исследование продуктов окисления селенида свинца методом ИК-спектроскопии / В.В. Томаев, И.В. Чернышова, П.А. Тихонов // Физика и химия стекла. 2007. Т.ЗЗ. № 6. С. 883-889.

165. Китайгородский, А.И. Рентгеноструктурный анализ мелкодисперсных и аморфных тел / А.И. Китайгородский М.-Л.: Гос. изд. технико-теорет. лит-ры, 1952. - 588 с.

166. Hall, W. Н. X-ray line broadening in metals / W.H. Hall // Proc. Phys. Soc. London. 1949. Sect. A. V. 62, part 11. № 359A. P. 741-743

167. Hall, W. H., Williamson, G. K. The diffraction pattern of cold worked metals: I. The nature of extinction / W.H. Hall, G.K. Williamson // Proc. Phys. Soc. London. 1951. Sect. В. V. 64, part 11. № 383 B. P. 937-946

168. Williamson, G.K, Hall, W.H. X-ray line broadening from field aluminium and wolfram / G.K. Williamson, W.H. Hall //Act. Met. 1953. V. 1. № 1. P. 22-31

169. Зломанов, В.П., Новоселова, А.В. Изучение взаимодействия селенида свинца с кислородом / В.П. Зломанов, А.В. Новоселова // ДАН СССР. 1961. Т. 247. № 3. С. 607-609;

170. Пашинкин, А.С., Спивак, М.М. Диаграммы , парциальных давлений систем Pb~Se-O и Sb-Se-O / А.С. Пашинкин, М.М. Спивак // Неорган, материалы. 1988.27. № 8. С. 1332-1337

171. Гамарц, Е.М. Кинетические характеристики сенсибилизирующих отжигов поликристаллических слоев селенида свинца / Е.М. Гамарц, Н.В. Голубченко, В.А. Мошников, Д.Б. Чеснокова // Материалы электронной техники. 2003. № 4. С.25-32

172. Трестман, Е.Е., Лозинский, С.Н., Образцов, В.Л. Автоматизация контроля буксовых узлов в поездах / Е.Е. Трестман, С.Н. Лозинский, В.Л. Образцов. М.: Транспорт, 1983. - 352с.

173. Дъяков, В.Ф., Малоинерционное фотоприемное устройство для температурного контроля буксовых узлов колесных пар / В.Ф. Дъяков, М.П. Миронов, В.Ф. Марков, Р.Д. Мухамедьяров, Х.Н. Мухамедзянов, Л.Н. Маскаева // Транспорт Урала. 2009. Т. 21. № 2. С. 94-96

174. Миронов, М.П. Фотоприемное устройство кругового обзора для обнаружения лесных пожаров / М. П. Миронов, В. Ф. Дьяков, В. Ф. Марков, Р.Д. Мухамедьяров, Х.Н. Мухамедзянов, Л. Н. Маскаева // Пожарная безопасность. 2008. № 3. С.103-106

175. Миронов, М.П. Малоинерционный ИК-детектор раннего обнаружения пожара / М.П. Миронов, В.Ф. Дьяков, Х.Н. Мухамедзянов, В.Ф. Марков, JI.H. Маскаева// Матер, пятнадцатой научно-техн. конф. "Системы безопасности"-СБ-2006. Москва. 2006. С. 223-225