Физико-химические закономерности гидрохимического осаждения пленок твердых растворов PbSeyS1-y: состав, структура, свойства тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, кандидат химических наук Катышева, Анна Сергеевна

• Катышева, Анна Сергеевна
• кандидат химических наук
• 2012

Оглавление диссертации кандидат химических наук Катышева, Анна Сергеевна

ОГЛАВЛЕНИЕ

Стр.

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1 Структура, состав и полупроводниковые свойства РЬ8, РЬ8е

и твердых растворов РЬБе^-у

1.2. Методы получения тонких пленок сульфида, селенида свинца

и твердых растворов на их основе

1.3. Гидрохимическое осаждение пленок сульфидов и селенидов

металлов и твердых растворов на их основе

1.4 Механизм зарождения и роста пленок сульфидов и селенидов металлов при химическом осаждении из водных растворов

1.5. Методы и условия сенсибилизации пленок сульфидов и селенидов

металлов к ИК-излучению

1.6 Фотоэлектрические свойства и области применения РЬБ, РЬ8е

и твердых растворов РЬБе^-у

Выводы

Глава 2. ИСХОДНЫЕ МАТЕРИАЛЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ

2.1 Реактивы и материалы

2.2 Методика гидрохимического осаждения пленок РЬ8, РЬ8е и РЬБе^-^

2.3 Методика кинетических исследований соосаждения РЬ8 и РЬ8е

2.4 Определение толщины пленок РЬ8, РЬ8е и РЬЗе^!-^

2.5 Исследование структуры, фазового, элементного состава и

морфологии пленок РЬ8, РЬ8е и РЬЗе^ч-у

2.5 Методика термического отжига пленок

2.6 Исследование фотоэлектрических и спектральных

характеристик пленок

2.7 Исследование поверхностно-чувствительных свойств пленок РЬ8

Глава 3. КИНЕТИКО-ТЕРМОДИНАМИЧЕСКОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ

УСЛОВИЙ ОБРАЗОВАНИЯ РЬ8, РЬ8е и РЬ8е>£и,

3.1 Термодинамический расчет области образования твердых растворов РЬ8е),81-у при совместном осаждении РЬ8 и РЬ8е

из цитратно-аммиачной реакционной смеси

3.2. Кинетика химического соосаждения РЬ8 и РЬ8е в присутствии тио-, селеномочевины в цитратно-аммиачной системе

3.3 Кинетика роста пленок РЬ8~РЬ8е

Выводы

Глава 4. СОСТАВ, СТРУКТУРА, МОРФОЛОГИЯ И МЕХАНИЗМ ОБРАЗОВАНИЯ ПЛЕНОК РЬ8е^,_у

4.1 Исследование структуры, состава и морфологии

пленок РЬ8-РЬ8е

4.2 Исследование механизма зарождения пленок твердых растворов РЬБе^!-^ на ситалловых подложках при гидрохимическом осаждении

4.2.1 Эволюция морфологии поверхности пленок РЬ8, РЬ8е и

твердых растворов замещения РЬЗе^-у

4.3.2 Использование фрактального формализма для выявления механизма формирования пленок РЬБ, РЬ8е, РЬ8еу8)-у

4.4 Влияние числа слоев на толщину и микроструктуру

совместно осажденных пленок РЬ8-РЬ8е

Выводы

Глава 5. УСЛОВИЯ ТЕРМОСЕНСИБИЛИЗАЦИИ ХИМИЧЕСКИ ОСАЖДЕННЫХ ПЛЕНОК РЬБе^,-,,, ИХ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ, СЕНСОРНЫЕ СВОЙСТВА

5.1 Фотоэлектрические характеристики свежеосажденных

пленок твердых растворов РЬ8е;,81-у

5.2 Фотоэлектрические характеристики термически обработанных

пленок твердых растворов РЬБе^-у

5.3 Исследование поверхностно-чувствительных свойств пленок РЬ8

Выводы

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Физико-химические закономерности гидрохимического осаждения пленок твердых растворов PbSeyS1-y: состав, структура, свойства»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность работы. Для решения большинства практических задач с использованием инфракрасной техники (тепловидение, контроль технологических процессов, прогнозирование чрезвычайных ситуаций, экологический мониторинг) определяющее значение имеют спектральный диапазон чувствительности фотодетекторов и возможность его регулирования. Значительную роль в расширении номенклатуры ИК-чувствительных материалов, способных целе-направлено регулировать свои фотоэлектрические и спектральные характеристики путем изменения состава, играют твердые растворы замещения халькоге-нидов металлов. В частности, для ближнего и среднего ИК-диапазонов перспективны твердые растворы на основе сульфида и селенида свинца РЬ8еу81-г

Традиционно для получения фоточувствительных пленок для ближней и средней ИК-области используются высокотемпературные методы синтеза и вакуумные технологии, требующие сложного и дорогостоящего оборудования. Это обуславливает высокую коммерческую стоимость изготовленных на основе данных материалов фоторезисторов и фотодиодов. Кроме того, получаемые этими методами пленки часто не обладают требуемыми функциональными свойствами, что негативно сказывается на эксплуатационных характеристиках приборов (обнаружительной способности, быстродействии, стабильности и воспроизводимости).

В связи с этим, актуальной является разработка условий получения фоточувствительных пленок РЬБе^ь^ методом гидрохимического осаждения, исключающего использование дорогостоящего оборудования, высоких температур и в то же время позволяющего формировать высокочувствительные слои твердых растворов широкого диапазона составов (0 <у < 1).

Целью диссертационной работы являлось установление физико-химических закономерностей получения пленок твердых растворов РЬЗе^Б]^ методом гидрохимического осаждения, исследование их состава, структуры, условий термосенсибилизации и фотоэлектрических свойств.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие экспериментальные и теоретические задачи:

1. Провести расчет области совместного осаждения сульфида и селенида свинца смесью тио- и селеномочевины из реакционной смеси.

2. Выполнить комплексные кинетические исследования, позволяющие выявить закономерности образования твердой фазы при совместном осаждении сульфида и селенида свинца тио- и селеномочевиной.

3. Исследовать процессы зарождения и роста пленок твердых раствороЕ РЬБе^!-^ гидрохимическим осаждением на ситалловых подложках.

4. Гидрохимическим осаждением получить пленки твердых растворов РЬЗе^-у широкого диапазона составов, изучить их кинетику роста, состав, структуру и морфологию.

5. Определить параметры термосенсибилизации пленок РЬБе^-^ к ИК-излучению.

6. Исследовать фотоэлектрические, спектральные характеристики свеже-осажденных и термообработанных слоев РЬ8еу8ьУ, а также поверхностно-чувствительные свойства пленок.

Научной новизной обладают следующие результаты диссертационной работы:

1. Рассчитанные области совместного осаждения сульфида и селенида свинца смесью тио- и селеномочевины в цитратно-аммиачной системе с учетом зародышеобразования и температурных зависимостей используемых термодинамических констант.

2. Результаты комплексных кинетических исследований превращения соли свинца в цитратно-аммиачной системе в сульфид и селенид в присутствии тио- и селеномочевины, величины энергии активации процесса, частных порядков реакции по компонентам системы, кинетики роста пленок.

3. Выявленные закономерности процессов зарождения пленок твердых растворов РЬЗе^-у гидрохимическим осаждением на ситалловых подложках с использованием фрактального формализма.

4. Условия синтеза гидрохимическим осаждением нанокристаллических слоев, содержащих одновременно твердые растворы замещения РЬ8е>81 >; (О <у < 0,9) как со стороны РЬБ, так и РЬ8е.

5. Состав, структура, морфология и фотоэлектрические свойства химически осажденных пленок твердых растворов РЬ8еу8]-у, взаимосвязи между их функциональными свойствами и условиями получения.

6. Результаты термообработки химически осажденных пленок РЬ8е1;8] >• при 633-668 К и ее влияние на их структуру и фоточувствительные характеристики.

Практическая ценность

1. Получено формально-кинетическое уравнение скорости соосаждения сульфида и селенида свинца в цитратно-аммиачной системе, позволяющее проводить целенаправленный синтез твердых растворов РЬ8еу8| у.

2. Выявлены условия термосенсибилизации и составы гидрохимически осажденных пленок твердых растворов РЬ8е>.8] у, обеспечивающие получение слоев с наибольшей величиной фотоответа.

3. Гидрохимическим осаждением с последующей термообработкой разработаны условия получения пленок твердых растворов РЬЗе-^-у (0<у< 0,9), фоточувствительных в спектральном диапазоне 0,4-4,5 мкм, перспективных для использования в качестве чувствительных элементов фотодетекторов, фотоприемных устройств и химических сенсоров.

Положения диссертации, выносимые на защиту

1. Результаты расчета областей образования и кинетических исследований гидрохимического осаждения сульфида и селенида свинца тио- и селено-мочевиной в цитратно-аммиачной системе.

2. Механизм зарождения и начальных стадий роста пленок РЬ8, РЬ8е, твердых растворов РЬ8еу8ьу на ситалловых подложках при гидрохимическом осаждении.

3. Структура, морфология, фазовый и элементный состав гидрохимически осажденных пленок твердых растворов РЬ8е>,81-^ (0 <у < 0,9).

7

4. Условия и параметры термосенсибилизации пленок твердых растворов PbSe^Si-j, к ИК-излучению. Взаимосвязи между условиями осаждения, термообработки пленок твердых растворов PbSeySj~y и их фоточувствительными свойствами.

Личный вклад автора состоял в постановке задач исследования, планировании экспериментов, непосредственном участии в их проведении, обработке, анализе и обобщении полученного экспериментального материала по получению и изучению свойств осажденных слоев.

Апробация работы. Основные результаты и положения диссертационных исследований докладывались и обсуждались на IV и VI региональной конференции молодых ученых «Теоретическая и экспериментальная химия жид-кофазных систем» (Иваново, 2009, 2011), IV и V Международной научной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Научный потенциал XXI века» (Ставрополь, 2010, 2011), XX и XXI Российской молодежной научной конференции «Проблемы теоретической и экспериментальной химии» (Екатеринбург, 2010, 2011), IV и V заочной международной научно-практической конференции «Система управления экологической безопасностью» (Екатеринбург, 2010, 2011), XVI Международной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Современные техника и технологии» (Томск, 2010), XVIII международной конференции молодых ученых по приоритетным направлениям развития науки и техники (Екатеринбург, 2010), Всероссийской конференции с элементами научной школы для молодежи «Неорганические соединения и функциональные материалы» (Казань, 2010), Всероссийской научно-технической конференции «Новые материалы и технологии -НМТ-2010» (Москва, 2010), I Международной научно-практической конференции «Современная наука: теория и практика» (Ставрополь, 2010), Семнадцатой международной научно-технической конференция студентов и аспирантов «Радиоэлектроника, электротехника и энергетика» (Москва, 2011), научной конференции аспирантов УрФУ «Достижения в химии и химической технологии^ (Екатеринбург, 2011), VIII Национальной конференции «Рентгеновское, Син-

8

хротронное излучения, Нейтроны и Электроны для исследования наносистем и материалов. Нано-Био-Инфо-Когнитивные технологии» (Москва, 2011), VIII Российской ежегодной конференции молодых научных сотрудников и аспирантов «Физико-химия и технология неорганических материалов» (Москва, 2011), Всероссийской конференции «Химия твердого тела и функциональные материалы - 2012 г» (Екатеринбург, 2012).

Публикации. По результатам исследования опубликовано 21 печатная работа, в том числе 3 статьи в журналах, рекомендуемых ВАК, 9 статей в научных сборниках, тезисы 9 докладов региональных, Всероссийских и Международных конференций.

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав с выводами, общих выводов и библиографического списка, включающего 302 наименований цитируемой литературы. Работа изложена на 151 странице, содержит 48 рисунков и 8 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Катышева, Анна Сергеевна

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

1. Расчетом ионных равновесий в системе «ацетат свинца - тиомочеви-на- селеномочевина - цитрат натрия - гидроксид аммония» определены граничные условия образования PbS, PbSe, Pb(OH)2 с учетом формирования зародышей критического радиуса и температурных зависимостей используемых термодинамических констант. Установлена область pH совместного осаждения сульфида и селенида свинца, обеспечивающая потенциальную возможность синтеза твердых растворов PbSevS|-„.

2. Впервые проведены комплексные кинетические исследования химического соосаждения сульфида и селенида свинца в присутствии тио- и селено-мочевины в цитратно-аммиачной системе с определением энергий активации процесса (26,2 кДж/моль), частных порядков по всем реактантам и составлением формально-кинетического уравнения скорости превращения соли свинца в PbS и PbSe.

3. С использованием фрактального формализма показано, что процесс формирования пленок сульфида, селенида свинца и твердых растворов на их основе происходит по кластер-кластерному механизму с элементами самоорганизации.

4. Впервые гидрохимическим осаждением на ситалловых подложках осуществлен низкотемпературный синтез нанокристаллические пленок, содержащих одновременно твердые растворы замещения PbSe^Si-j, (0 <у < 0,9) как со стороны PbS, так и PbSe. Установлен экстремальный характер зависимости содержания PbSe в твердом растворе замещения PbSeySi-y, сформированном на основе сульфида свинца, от концентрации селеномочевины при постоянном содержании тиомочевины в реакционной смеси.

5. Исследованы кинетика роста, структура, состав, морфология и фотоэлектрические свойства пленок PbSeySi-r

6. Выявлены параметры термосенсибилизации и составы гидрохимически осажденных пленок твердых растворов PbSe^Si-^, обеспечивающие получение слоев с наибольшей величиной фотоответа.

7. Показано, что термообработка пленок РЬБе^-у при 653 К вызывает распад образующих их твердых растворов замещения как со стороны одного, так и другого компонента системы и приближение ее к равновесной фазовой диаграмме РЬ8-РЬ8е.

8. Гидрохимическим осаждением с последующей термообработкой получены фоточувствительные пленки РЬ8еу8)->,, спектральный диапазон и максимум чувствительности которых может варьироваться в пределах видимого и ближнего ПК-диапазона (0,4-4,5 мкм).

9. Выявлена поверхностная чувствительность пленок РЬ8 к содержанию в водных растворах ионов свинца, позволяющая рекомендовать их к использованию в качестве сенсорных элементов.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Катышева, Анна Сергеевна, 2012 год

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Равич, Ю.И. Методы исследования полупроводников в применении к халь-когенидам свинца PbTe, PbSe, PbS / Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов // М.: Наука. - 1968.-383 с.

2. Абрикосов, Н.Х. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе / Н.Х. Абрикосов, В.Ф. Банкина, J1.B. Перецкая и др. // Л.: Наука. -1982.-220 с.

3. Марков, В.Ф. Особенности микроструктуры и свойства пленок сульфида свинца, осажденных из галогенсодержащих растворов / В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева, Г.А. Китаев // Неорган, материалы. - 2000. - Т. 36. - № 7. -С. 792-795.

4. Qadri, S. В. Structural stability of PbS films as a function of temperature /

5.B. Qadri, A. Singh, M. Yousuf// Thin Solid Films. - 2003. - V. 431-432. -P. 506-510.

5. Choudhury, N. Structural analysis of chemically deposited nanocrystalline PbS films / N. Choudhury, B.K. Sarma // Thin Solid Films. - 2011. - V. 519. - № 7. -P. 2132-2134.

6. Vaidyanathan, R. Quantum confinement in PbSe thin films electrodeposited by electrochemical atomic layer epitaxy (EC-ALE) / R. Vaidyanathan, J.L. Stickney, U. Happek // Electrochimica Acta. - 2004 - V. 49. - P. 1321-1326.

7. Lee, M.H. Structural and optical characterizations of multi-layered and multi-stacked PbSe quantum dots / M.H. Lee, W.J. Chung, S.K. Park, M.S Kim, H.S. Seo, J.J. Ju //Nanotechnology. - 2005. - V. 16.-P. 1148-1152.

8. Yang, J. Electron and atomic force microscopic investigations of lead selenide crystals grown under monolayers / J.Yang, J.H. Fendler, T.-C. Jao, T. Laurion // Microscopy Research and Technique. - 1994. - V. 27. - № 5. - P. 402-411.

9. Абрикосов, Н.Х. Полупроводниковые материалы на основе соединений AIVBVI / Н.Х. Абрикосов, Л.Е. Шелимова // М.: Наука. - 1975. - 195 с.

10. Bloem, J. The p-T-x-phase diagram of the lead-sulphur system // J. Bloem, F.A. Kroger // Z. Phys. Chem. - 1956. - V. 7. - P. 1-14.

11. Novoselowa, A.V. Thermodynamics and imperfections in lead chalcogenides / A.V. Novoselowa, V.P. Zlomanov // Current Topics in Materials Science. - 1981. V. 7,-№2. - P. 643-710.

12. Strauss A.J. Retrograde Solubility of Lead in n-type PbS / Strauss A.J. // Trans. AIME. - 1967. - V. 239. - № 6. - P. 794-798.

13. Goldberg, A.E. Occurrence of natural p-n junctions in lead selenide / A.E. Goldberg, G.R. Mitchell // J. Chem. Phys. - 1954. - V. 22. - № 2. - P. 220-222.

14. Измайлов, H.B. Определение состава селенида свинца, соответствующего максимальной температуре плавления / Н.В. Измайлов, Ю.Л. Ильин, В.Н. Мошников, В.В. Томаев, Н.П. Ярославцев, Д.А. Яськов // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. - 1989. -Т. 25. -№ 3. - С. 515-516

15.Brebrick, R.F. PbSe composition stability limits / R.F. Brebrick, E. Gubner // J. Chem. Phys. - 1962.-V. 36. -№. 1. - P. 170-172.

16. Chou, N. Retrograde solubility of PbS, PbSe and PbTe / N. Chou, K. Komarek, E. Miller//Trans. Metal. Soc. AIME. - 1969. -V. 245. ~№ 7. - P. 1553-1560.

17. Цидильковский, И.М. Зонная структура полупроводников / И.М. Цидиль-ковский // М.: Наука. - 1978. - 328 с.

18. Волков, Б.А. Теория электронного энергетического спектра полупроводников группы А4В6 / Б.А. Волков, О.А. Панкратов, А.В. Сазонов // ЖЭТФ. -1983. - Т. 85. - В. 4. - С. 1395-1408.

19.Wei, S. Electronic and structural anomalies in lead chalcogenides / S.Wei, A. Zunger // Physical Review B. - 1997. - V. 55. - № 20. - P. 605-610.

20. Lach-hab, M. Electronic structure calculations of lead chalcogenides PbS, PbSe, PbTe / M. Lach-hab, D.A. Papaconstantopoulos, M.J. Mehl // Journal of Physics and Chemistry of Solids. - 2002. - V. 63. - P. 833-841.

21. Heda, N.L. Study of electronic structure and Compton profiles of PbS and PbSe / N.L. Heda, A. Rathor, V. Sharma, G. Ahmed, Y. Sharma, B.L. Ahuja. // Journal of Alloys and Compounds. - 2008. - V. 463. - P. 47-54.

22. Ravindra N.M. Properties of PbS, PbSe, and PbTe / N.M. Ravindra, V.K. Srivastava//Phys. Status. Solidi (a). - 1980. -V. 58. -№ 1. - P. 311-316.

23. Смит, P. Полупроводники / P. Смит // M.: Мир. - 1982. - 560 с.

24. ASTM X-ray diffraction date cards, Phyladelphia, 1968. № 5-0592.

25. ASTM X-ray diffraction date cards, Phyladelphia, 1968. № 6-0354.

26. Шелимова, JI.E. Диаграммы состояния в полупроводниковом материаловедении / JI.E. Шелимова, Н.Н. Томашик, В.И. Грыцив // М.: Наука. - 1991. -368 с.

27. Семилетов, С.А. Получение, структура и некоторые свойства монокристаллических пленок селенида свинца / С.А. Семилетов, И.П. Воронина // ДАН СССР. - 1963. - Т. 152. - № 6. - С. 1350-1353.

28. Новоселова, А.В. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник / А.В. Новоселова, В.Б. Лазарев // М.: Наука. - 1978. - 340 с

29. Шретер, В. Химия: справ, изд. / В. Шретер, К.-Х. Лаутеншлегер, X. Бибрак, А. Шнабел // М: Химия. - 1989. - 648 с.

30. Урусов, B.C. Твердые растворы в мире минералов / B.C. Урусов // Соросов-ский образовательный журнал. - 1996. - № 11. - С. 54-60.

31. Макаров, Е.С. Изоморфизм атомов в кристаллах / Е.С. Макаров // М.: Атомиздат. - 1973. - 288 с.

32.Сушкова, Т.П. Термодинамическая оценка стабильности твердых растворов на основе халькогенидов свинца / Т.П. Сушкова, Г.В. Семенова, Е.В. Стрыгина // Вестник ВГУ. Серия: Химия, Биология, Фармация. - 2004. №1. - С. 94-100.

33. Simpson, D.R. The binary system PbS-PbSe / D.R. Simpson // Economic Geology. - 1964. - V. 59. - № l.-P. 150-153.

34.Громанов, С.Д. К методике изучения фазовых диаграмм полупроводниковых систем / С.Д. Громанов, И.В. Зороацкая, З.М. Латыпов и др. // Журн. неорган. химии. - 1964. - Т. 9. - № 10. - С. 2485-2487.

35. Strauss, A.J. Pseudobinary phase diagram and existence regions for PbSi-^Se^ / A.J. Strauss, T.C. Harman // J. Electron. Mater. - 1973. - V. 2. - № 1. - P. 71-85.

122

36. Кузнецова, JI.А. Т—x-jy-диаграмма системы PbSe-Pb-PbS / Л.А. Кузнецова, В.И. Штанов, В.П. Зломанов, В.Л. Кузнецов // Неорганические материалы. 1987. - Т. 23. - № 3. - С. 390-393.

37. Leute, V.A. Thermodynamic Description of the Quasiternary Systems. Part I. Solid Solution Pb(S,Se,Te) / V.A. Leute // Z. Metallkunde. - 1996. - V. 87. - № 1. -P. 32-40.

38. Волыхов, A.A. О взаимодействии халькогенидов германия, олова и свинца в квазибинарных системах / A.A. Волыхов, Л.В. Яшина, В.И. Штанов // Неорганические материалы. - 2006. - Т. 42. — № 6. - С. 662-671.

39. Kacimi, S. Ab initio study of cubic PbSxSei_x alloys / S. Kacimi, A. Zaoui, B. Abbar, B. Bounhafs // Journal of Alloys and Compounds. - 2008. - V. 462. -P. 135-141.

40. Vegard, L. Die Konstitution der Mischkristalle und die Raumfüllung der Atome /L. Vegard HZ. Phys. - 1921. - Bd. 5. - S. 17.

41. Berger, H. Lattice parameters in the solid-solution system PbS^Se^ // H. Berger, H.-H. Niebsch, A. Szczerbakow // Crystal Research and Technology. - 1985. -V. 20. -No.l. -P. K8-10.

42. Новоселова, A.B. Проблема регулирования состава твердых растворов на основе соединений группы А4В6 / A.B. Новоселова, В.П. Зломанов, A.M. Гаськов, В.Н. Демин, Л.А. Кузнецова // Журнал неорганической химии. 1986. -Т. 31.- № 11.-С. 2957-2967.

43.3оншайн, Е.М. Связь между составом, плотностью и концентрацией дефектов в PbSeASi-x / Е.М. Зоншайн, К.Я. Штивельман // Неорганические материалы. - 1975. - Т. 11. - № 4. - С. 634-636.

44.Labidi, М. Structural, electronic, optical and thermodynamic properties of PbS, PbSe and their ternary alloy PbSi-jSe* / M. Labidi, H. Meradji, S. Ghemid, S. Labidi, F.E1 Haj Hassan // Modern Physics Letters B. - 2011. - V. 25. - № 7. - P. 473-486.

45. Boukhris, N. Ab Initio study of the structural, electronic and thermodynamic properties of PbSe^S.« PbSe,_xTex and PbSi-Де* ternary alloys / N. Boukhris,

H. Meradji, S. Ghemid, S. Drablia, F. El Haj Hassan // Physica Scripta. - 2011. -V. 83,-№6.-P. 65-73.

46. Засавицкий, И.И. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердого раствора PbSi-^Se^ (0 < х < 1) / И.И Засавицкий, A.B. Курганский, Б.Н. Мацонашвили, А.П. Шотов // Физика и техника полупроводников. - 1985. - Т. 19. - № 12. - С. 2149-2153.

47.Фараджев, Ф.Э. Край зоны поглощения твердых растворов PbTei_^S^ и PbSe]-xSx / Ф.Э. Фараджев // Физика и техника полупроводников. - 1986. -Т. 20,-№6.-С. 1112-1114.

48. Курбатов, JI.H. Генерация когерентного излучения в PbSbxSe^ в диапазоне 4-6,5 мкм / JI.H. Курбатов, А.Д. Бритов, И.С. Аверьянов, В.Е. Мащенко, H.H. Мочалкин, А.И. Дирочка // Физика и техника полупроводников. - 1968. -Т. 2. -№ 8. - С. 1200-1202.

49. Scanion, W.W. Recent advances in optical and electronic properties of PbS, PbSe and their alloys / W.W. Scanlon // J. Phys. Chem. Solids. - 1959. - V. 8. -P.423-428.

50.Вейс, A.H. Структура валентной зоны твердого раствора PbSe0,5S0.5 / А.Н. Вейс, В.И. Кайданов, С.А. Немов, JI.C. Лашкарева, С.И. Семенов // Физика и техника полупроводников. - 1979. - Т. 13. - № 8. - С. 1671-1673.

51.Grudzien, М. The Fermi level in PbbxSnxTe, Pbi-^Sn^Se and PbSi-^Se^. / M. Grudzien, A. Rogalski / Acta Physica Polonica A. - 1980. - V. A58. - № 6. -P. 765-771.

52. Волков, Б.А. Зонная структура твердых растворов на основе соединений А4В6 // Б.А.Волков, О.А.Панкратов, А.В.Сазонов // ФТТ. 1984. Т. 26. №2. С. 430—435.

53. Rogalski, A. Intrinsic carrier concentration in РЬ^БпДе, Pbi_xSnxSe, and PbS,-xSex / A. Rogalski, К Jozwikowski // Physica Status Solidi A. - 1989. - V. 111. -№2.-P. 559-565.

54. Синятынский, А.А. Оптические свойства эпитаксиальных пленок PbS]-^Sex / А.А. Синятынский, А.П. Шотов // Физика и техника полупроводников. - 1982. - Т. 16. - № 12. - С.2187-2190.

55. Вейс, А.Н. Особенности эффекта Холла и спектров коэффициента поглощения в сильно компенсированных образцах халькогенидов свинца / А.Н. Вейс В.И. Кайданов, Р.Ю. Крупицкая, Р.Б. Мельник, С.А. Немов // Физика и техника полупроводников. - 1980. - Т. 12. - С. 2349-2356.

56. Hoerstel, W. Density of trap tunnelling states in diffused PbSi_^Sex p-n junctions / W. Hoerstel, T. Otto // Physica Status Solidi A. - 1986. - V. 95. - No. 1. -P. 361-369.

57. Аверин, И.А. Кинетика процессов самодиффузии в структурах на основе твердых растворов сульфид свинца-селенид свинца / И.А. Аверин, P.M. Печер-ская // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Естественные науки. - 2006. - № 5. - С. 178-183.

58. Kumar, S. Investigations on the properties of solid solutions of pseudo-binary lead chalcogenides / S. Kumar, B. Lai, S. Rohilla, P. Aghamkar, M. Husain // Journal of Alloys and Compounds. - 2010. - V. 505. - № 1. - P. 135-139.

59. Jensen, J.D. Surface charge transport in PbSxSei_x and Pb^Sn^Se epitaxial films / J.D. Jensen, R.B. Schoolar // J. Vac. Sci. Technol. - 1976. - V. 13. - № 4. -P. 920-925.

60. Eisenbeiss, A. Investigation of diffusion length and lifetime in lead chalcogenides by electron-beam-induced-current measurements at low temperatures / A. Eisenbeiss, H. Heinrich, A. Jakubowicz, W. Maurer, L. Palmetshofer, H.M. Preier, K.H. Bachem, H. Bottnev // Journal of Applied Physics. - 1984. - V. 56. - № 2. - P. 362-367.

61. Аверин, И.А. Исследование электрических характеристик барьеров Шоттки на основе эпитаксиальных слоев сульфид свинца-селенид свинца / И.А. Аверин // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Технические науки. - 2006. -№ 6. - С. 5-11.

62. Bogdankevich, O.V. Laser effect in PbSSe compounds pumped longitudinally with an electron beam / O.V. Bogdankevich, S.V. Dryagin, A.D. Konovalov,

125

G.A. Meerovich, Yu.G. Selivanov, V.A. Stepushkin, V.N. Ulasyuk, M.P. Chebota-rev, A.P. Shotov // Soviet Journal of Quantum Electronics. - 1989. - V. 19. - № 10. -P. 1300-1301.

63. Чащин, С.П. Вынужденное рекомбинационное излучение из диодов PbSxSei_x / С.П. Чащин, И.С. Аверьянов, Н.С. Барышев // Физика и техника полупроводников. - 1970. - Т. 4. - № 9. - С. 1794-1795.

64. Mooradian, A. Broad-band laser emission from optically pumped PbS,_^Sex / A. Mooradian, A.J. Strauss, J.A. Rossi // IEEE Journal of Quantum Electronics. - 1973. - V. QE-9. - № 2. - P. 347-349.

65. Preier, H. Double heterojunction PbS-PbS^Se^ -PbS laser diodes with cw operation up to 96 К / H. Preier, M. Bleicher, W. Riedel, H. Maier //Applied Physics Letters. - 1976,-V. 28.-№ 11.-P 669-671.

66. Юнович, А.Э. Зависимость вынужденного излучения тонких пленок PbSi-.^Se^ от температуры в интервале 50-300 К / А.Э. Юнович, А.С. Аверюшкин, И.А. Дрозд, В.Г. Огнева // Физика и техника полупроводников. - 1979. - Т. 13. - № 9. - С. 1694-1700.

67. Курбатов, JLH. Очерк истории приемников инфракрасного изучения на основе халькогенидов свинца / JI.H. Курбатов // Вопросы оборонной техники. -1995.-В. 1-2. С. 3.

68. Sosnowsky, L. Lead Sulfide Photoconductive Cells / L. Sosnowsky, J. Starkie-wicz, O. Simpson//Nature. Lond. - 1947.-V. 159.-P. 818-819.

69. Simpson, O. Conductivity of evaporated films of PbSe /О. Simpson // Nature. Lond. - 1948. -V. 159. - P. 818.

70. Moss, T.S. Spectral response of PbSe / T.S. Moss, R.P. Chasmar // Nature. Lond. - 1948. -V. 161. - P. 244.

71. Kumar, S. Characterization of vacuum evaporated PbS thin films / S. Kumar, T.P. Sharma, M. Zulfequar, M. Husain // Physica B. - 2003. - V. 325. - P. 8-16.

72. Thangaraju, B. Spray pyrolytically deposited PbS thin films / B. Thangaraju, P. Kaliannan // Semiconductor Science and technology. - 2000. - V. 15. - № 8. -P. 849-853.

73. Сермакашева, H.JI. СВЧ фотопроводимость и фотодиэлектрический эффект в тонких пленках PbS, полученных из тимочевинных координационных соединений / Н.Л. Сермакашева, Г.Ф. Новиков, Ю.М. Шульга, В.Н. Семенов // Физика и техника полупроводников. - 2004. - Т. 38. - № 4. - С. 395-400.

74. Mondal, A. Cubic PbS thin films on TCO glass substrate by galvanic technique / A. Mondal, N. Mukherjee // Materials Letters. - 2006. - V. 60. - P. 2672-2674.

75. Alanyaloglu, M. Preparation of PbS thin films: A new electrochemical route for underpotential deposition / M. Alanyaloglu, F. Bayrakceken, U. Demir // Electrochi-mica Acta. - 2009. - V. 54. - P. 6554-6559.

76. Aghassi, A. AC impedance and cyclic voltammetry studies on PbS semiconducting film prepared by electrodeposition / A. Aghassi, M. Jafarian, I. Danaee, F. Gobal, M.G. Mahjani // Journal of Electroanalytical Chemistry. - 2011. - V. 661. - № 1. -P. 265-269.

77. Qadri, S. B. Structural stability of PbS films as a function of temperature / S.B. Qadri, A. Singh, M. Yousuf// Thin Solid Films. - 2003. - V. 431-432. -P. 506-510.

78.Fainer, N.I. Growth of PbS and CdS thin films by low-pressure chemical vapour deposition using dithiocarbamates / N.I. Fainer, M.L. Kosinova, Yu.M. Rumyantsev, E.G. Salman, F.A. Kuznetsov // Thin Solid Films. - 1996. - V. 280. - № 1. -P. 16-19.

79. Puiso, J. Growth of ultra thin PbS films by SILAR technique / J. Puiso, S. Lin-droos, S. Tamulevicius, M. Leskela, V. Snitka // Thin Solid Films. - 2003. -V. 428.-P. 223-226.

80. Preetha, K.C. Effect of cationic precursor pH on optical and transport properties of SILAR deposited nanocrystalline PbS thin films / K.C. Preetha, K.V. Murali, A.J. Ragina, K. Deepa, T.L. Remadevi // Current Applied Physics. - 2012. - V. 12. -№ l.-P. 53-59.

81. Martin, Y.M. Arrays of thermally evaporated PbSe infrared photodetectors deposited on Si substrates operating at room temperature / Y.M. Martin, Y.L. Herman-dez// Semicond. Sci. Technol. - 1996. - V. 11. - P. 1740-1744.

82. Буткевич, В.Г. Фотоприемники и фотоприемные устройства на основе поликристаллических и эпитаксиальных слоев халькогенидов свинца / В.Г. Буткевич, В.Д. Бочков, Е.Р. Глобус // Прикладная физика. - 2001. - № 6. - С. 66-112.

83. Zykov, V.A. Self-compensation in PbSe:Tl thin films / V.A. Zykov, T.A. Gavrikova, S.A. Nemov, P.A. Osipov // Semiconductors. - 1999. - V. 33. -№ 1. - P. 22-25.

84. Голубченко, H.B. Фоточувствительные структуры на основе поликристаллических слоев селенида свинца / Н.В. Голубченко, М.А. Иошт, В.А. Мошни-ков и др. // Перспективные материалы. - 2005. - № 3. - С. 31-35.

85. Томаев, В.В. Эллипсометрический контроль параметров пленок селенида свинца при окислении //В.В. Томаев, М.Ф. Панов // Физика и химия стекла. -2006.-Т. 32.-№3.-С. 511-515.

86. Prabahar, S. Lead selenide thin films from vacuum evaporation method - structural and optical properties / S. Prabahar, N. Suryanarayanan, K. Rajasekar, S. Sri-kanth // Chalcogenide Letters. - 2009- V. 6. - № 5. - P. 203-211.

87. Семенов, B.H. Моделирование процессов формирования полупроводниковых слоев из координационных соединений / В.Н. Семенов, Н.М. Овечкина// Конденсированные среды и межфазные границы. - 2007. - Т. 9. - № 3. -С. 261-262.

88. Ivanov, D.K. Electrochemical depositon of nanocrystalline PbSe layers onto p-Si (100) / D.K. Ivanov, E.A. Streltsov, A.K. Fedotov, A.V. Muzanik // Thin Solid Films. - 2005. - V. 485. - № 1-2. - P. 39-53.

89. Mukherjee, N. Comparative study on the properties of galvanically deposited nano- and microcrystalline thin films of PbSe / N. Mukherjee, A. Mondal // Journal of Electronic Materials. - 2010. - V. 39. - № 8. - P. 1177-1185.

90. Baleva, M.I. The PbSe metastable phase. I. The growth mechanism / M. Baleva, E. Mateeva // J. Phys. Condens. Matter. - 1993. - V. 5. - № 43. - P. 7959-7970.

91. Baleva, M.I. Infrared absorption of laser deposited PbSe films / M.I. Baleva, M.H. Maksimov, M.S. Sendova // J. Phys. C: Solid State Phys. - 1987. - V. 20. -№7.-P. 941-951.

92.Rumianowski, R.T. Growth of PbSe thin films on Si substrates by pulsed laser deposition method / R.T. Rumianowski, R.S. Dygdala, W. Jung, W. Bala // Journal of Crystal Growth. - 2003. - V. 252. - № 1-2. - P. 230-235.

93. Wu, H.Z. Molecular beam epitaxy growth of PbSe on BaF2-coated Si (111) and observation of the PbSe growth interface / H.Z. Wu, X.M. Fang, R. Sales, Jr.D. Mc Alister, P.J. Mc Cann // J. Vac. Sci. Technol. - 1999. - V. 17. - №3. -P. 1263-1266.

94. Ai-Ling, Y. Raman scatteing study of PbSe grown on (111) BaF2 substrate / Y. Ai-Ling, W. Hui-Zhen, L. Zhi-Feng et al. // Chinese Phys. Lett. - 2000. - V. 17. -№ 8. - P. 606-608.

95. Lambrecht, A. Molecular beam epitaxy of laterally structured lead chalcoge-nides for the fabrication of buried heterostructure lasers / A. Lambrecht, H. Bottner, M. Agne et al. // Semicond. Sci. Technol. - 1993. - V. 8. - № 1. - P. 334-336.

96. Beaunier, L. Epitaxial electrodeposition of lead selenide films on indium phosphide single crystals // L. Beaunier, H. Cachet, M. Froment // Materials Science ir Semiconductor Processing. - 2001. - V. 4. - № 5. - P. 433-436.

97. Салий, Я.П. Механизм кинетики электрофизических свойств поликристаллических пленок р-PbSe при облучении а-частицами / Я.П. Салий // Физика и техника полупроводников. - 2006. - Т. 40. - № 2. - С. 177-179.

98. Фрейк, Д.М. Рентгенографическое исследование сплавов на основе халько-генидов свинца в тонких слоях / Д.М. Фрейк, В.В. Войткив, Г.М. Гайдучок, И.И. Бродин//Известия Вузов. Физика, - 1972.-Т. 119. - № 11. -С. 132-134.

99. Kumar, S. Studies on vacuum evaporated PbSi_xSe^ thin films / S. Kumar, M.A. Majeed Khan, S.A. Khan, M. Husain // Optical Materials. - 2004. - V. 25. -P. 25-32.

100. Kumar, S. Influence of sulfur, selenium and tellurium doping on optical, electrical and structural properties of thin films of lead salts / S. Kumar, B. Lala, P. Aghamkara, M. Husainb // Journal of Alloys and Compounds. - 2009. - V. 488. -№ l.-P. 334-338.

101. Kumar, R. Compositional effect on properties of PbS^-Se^ thin films / R. Kumar, G. Jain, R. Saini, P. Agarwal // Chalcogenide Letter. - 2010. - V. 7. — № 4. - P. 233-240.

102. Silverman, M.S. High-Pressure (70-kbar) Synthesis of New Crystalline Lead Dichalcogenides / M.S.Silverman // Inorg. Chem. - 1966. - V. 5. - № 11. — P. 2067-2069.

103. Fujita, S. Preparation of PbSxSe,-x thin films by co-evaporation method / S. Fujita, H. Ozaki, T. Shiosaki, A. Kawabata // Journal of the Vacuum Society of Japan. - 1977.-V. 20.-№ 12.-P. 412-418.

104. Duh, K. Properties of PbSi-^Se^ epilayers deposited onto PbS substrates by hot-wall epitaxy / K. Duh, H. Preier // Journal of Materials Science. - 1975. -V. 10.-P. 1360-1366.

105. Bleicher, M. iV-type PbS and PbS]-xSex layers prepared by the hot-wall epitaxy / M. Bleicher, H.-D. Wurzinger, H. Maier, H. Preier // Journal of Materials Science. -1977. -V. 12. - P. 317-322.

106. Аверин, И.А. Термодинамическое исследование условий синтеза слоев твердых растворов PbSi_xSex / И.А. Аверин, Ю.Н. Блохин, О.Ф. Луцкая // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. - 1988. - Т. 24. - № 2. - С.219-222.

107. Neuelmann, R. The growth of epitaxial single-crystals PbSi-^Se^ films by hot wall evaporation / R. Neuelmann, A. Marino, K. Reichelt // Journal of Crystal Growth. - 1983. - V. 64. - № 3. - P. 609-612.

108. Kovalev, A.N. The depth profile of the elements in lead chalcogenide layers / A.N. Kovalev, V.V. Korablev//Thin Solid Films. - 1988. -V. 161. - P. 281-287.

109. Chu, Т.К. Growth of PbSTSe]^ on heteroepitaxial BaF2/Si substrates / Т.К. Chu, C. Huber, F. Santiago, A. Martinez, H. Zogg, S. Blunier, C. Maissen, A.P. Taylor, L.J. Schowalter // Heteroepitaxy of Dissimilar Materials Symposium. -1991.-P. 483-488.

110. McLane, G.F. Vacuum deposited epitaxial layers of PbS^e* for laser devices / G.F. McLane, K.J. Sieger // Journal of Electronic Materials. - 1975. - V. 4. -№ 3. - P. 465-479.

111. Schoolar, R.B. Equilibrium growth technique for preparing PbSxSei_x epilay-ers.//Pat. US №4.154.631,- 1979.

112. Mihailescu, G. A simple and versatile low frequency technique for ternary chalcogenide film preparation / G. Mihailescu, G. Borodi, R.M. Candea // Journal of Materials Science Letters. - 1994. - V. 13. - № 23. - P. 1675-1676.

113. Сипатов, А.Ю. Взаимодиффузия слоев в эпитаксиальных сверхрешетках PbSe-PbS / А.Ю. Сипатов // Письма в ЖЭТФ. - 1998. - Т. 68. - № 9. -С. 685-687.

114. Марков, В.Ф. Гидрохимический синтез пленок сульфидов металлов: моделирование и эксперимент / В.Ф. Марков, JI.H. Маскаева, П.Н. Иванов // Екатеринбург: УрО РАН. - 2006 - 218 с.

115. Dobson, K.D. Thin semiconductor films for radiative cooling applications / K.D. Dobson, G. Hodes, Y. Mastai // Solar Energy Materials & Solar Cells. -2003.-V. 80.-P. 283-296.

116. Valenzuela-JaMuregui, J.J. Optical properties of PbS thin films chemically deposited at different temperatures / J.J. Valenzuela-JaMuregui, R. Ramirez-Bon, A. Mendoza-Galvan, M. Sotela-Lerma // Thin Solid Films. - 2003. - V. 441. -P. 104-110.

117. Mane, R.S. Chemical deposition method for metal chalcogenide thin / R.S. Mane, C. D. Lokhande // Mat. Chem. Phys. - 2000. - V. 65. - №. 1. - P. 1-31.

118. Salim, S.M. Growth and characterization of lead sulfide films deposited on glass substrates / S.M. Salim, O. Hamid // Renewable Energy. - 2001. - V. 24. -P. 575-580.

119. Seghaier, S. Structural and optical properties of PbS thin films deposited by chemical bath deposition / S. Seghaier, N. Kamoun, R. Brini, A.B. Amara // Materials Chemistry and Physics. - 2006. - V. 97. - № 1. - P. 71-80.

120. Pintilie, I. Growth and characterization of PbS deposited on ferroelectric ceramics //1. Pintilie, E . Pentia, L. Pintilie, D. Petre, C. Constantin, T. Botila // Journal of Applied Physics. - 1995. - V. 78. - № 3. - P. 1713-1718.

121. Dutta, A.K. Nucleation and growth of lead sulfide nano- and microcrystallites in supramolecular polymer assemblies / A.K. Dutta, T. Ho, L. Zhang, P. Stroeve // Chem. Mater. - 2000. - V. 12. - P. 1024-1028.

122. Saraidarov, T. NanoCrystallites of Lead Sulfide in Hybrid Films Prepared by SolGel Process / T. Saraidarov, R. Reisfeld, A. Sashchiuk, E. Lifshitz, J. Sol-Gel Sci. Tech. - 2005. - V. 34. - P. 137-145.

123. Sarma, Y.S. PbS-Si heterojunctions: growth and structural properties / Y.S. Sarma, H.N. Acharya, N.K. Misra // Journal of Materials Science. - 1986. -V. 21. - № l.-P. 137-141.

124. Gaiduk, A. P. Chemical bath deposition of PbS nanocrystals: Effect of substrate / A.P. Gaiduk, P.I. Gaiduk, A.N. Larsen // Thin Solid Films. - 2008. -V. 516.-P. 3791-3795.

125. Osherov, A. Surface Termination Control in Chemically Deposited PbS Films: Nucleation and Growth on GaAs(l 11)A and GaAs(l 11)B / A. Osherov, M. Matmor, N. Froumin, N Ashkenasy, Y. Golan // Journal Of Physical Chemistry C. - 2011. -v. 115. - № 33. - P. 16501-16508.

126. Китаев, Г.А. Исследование процессов получения халькогенидов в водных растворах, содержащих тио-, селеномочевину и селеносульфат натрия: дисс...д-ра хим. наук / Г.А. Китаев. - Свердловск. - 1971.-431 с.

127. Лундин, А.Б. Химическое осаждение из растворов на поверхности стекла пленок сульфида и селенида свинца: дисс. ... к-та хим. наук / А.Б. Лундин -Свердловск. - 1967. - 133 с.

128. Фофанов, Г.М. Анализ условий химического осаждения пленок сульфида и селенида свинца из растворов на поверхности стекла: дисс. ... к-та хим. наук / Г.М. Фофанов - Свердловск. - 1968. - 121 с.

129. Марков, В.Ф. Физико-химические закономерности направленного хи-миического синтеза пленок халькогенидов металлов и их твердых растворов осаждением из водных сред: дисс. ... д-ра хим. наук / В.Ф. Марков. - Екатеринбург. - 1998.-366 с.

130. Маскаева, JI.H. Гидрохимический синтез, структура и свойства пленок пересыщенных твердых растворов замещения Me^Pbj^S (Me - Zn, Cd, Cu, Ag): дисс. ... д-ра хим. наук / Л.Н. Маскаева. - Екатеринбург. - 2004. - 386 с.

131. Иванов, П.Н. Физико-химические закономерности гидрохимического осаждения пленок сульфидов металлов: фрактально-кластерный механизм роста, роль анионов, размерный эффект: дисс. ... к-та хим. наук / П.Н. Иванов -Екатеринбург. - 2006. - 171 с.

132. Kicinski, F. The preparation of photoconductive cells by chemical deposition of lead sulphide / F. Kicinski // Chem. Ind. - 1948. - № 4. - P. 54-57.

133. Milner, C.J. Lead selenide photoconductive cells / C.J. Milner, B.N. Watts / Nature. - 1949. - V. 163. - P. 322-326.

134. Hodes, G. Chemical solution deposition of semiconductor films / G. Hodes // New York: Marcel Dekker Inc. - 2002. - 376 p.

135. Abbas, M.M. Effect of Deposition Time on the Optical Characteristics of Chemically Deposited Nanostructure PbS Thin Films / M.M. Abbas, A. Ab-M. She-hab, A-K. Al-Samuraee, N-A. Hassan // Energy Procedia. - 2011. - V. 6. -P. 241-250.

136. Choudhury, N. Structural analysis of chemically deposited nanocrystalline PbS films / N. Choudhury, B.K. Sarma // Thin Solid Films. - 2011. - V. 519. -№7.-P. 2132-2134.

137. Буткевич, В. Г. Управление характеристиками химически осажденных пленок сернистого свинца / В.Г. Буткевич, Е. Р. Глобус, Л. Н. Залевская // Прикладная физика. - 1999. - №2. (http://www.vimi.ru).

138. Садовников, С.И. Структура и оптические свойства нанокристалличе-ских пленок сульфида свинца / С.И. Садовников, Н.С. Кожевникова, А.А. Рем-пель // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т.44. - № 10. -С.1394-1400.

139. Ubale, A.U. Thickness dependent structural, electrical and optical properties of chemically deposited nanopartical PbS thin films / A.U. Ubale, A.R. Junghare,

N.A. Wadibhasme, A.S. Daryapurkar, R.B. Mankar, V.S. Sangawar // Turkish Journal of Physics. - 2007. - V. 31 - № 5. - P. 279-286.

140. Patil, R.S. Characterization of chemically deposited nanocrystalline PbS thin films / R.S. Patil, H.M. Pathan, T.P. Gujar, C.D. Lokhande // J Mater Sci. - 2006. -V. 41.-№ 17.-P. 5723-5725.

141. Yang, Y.J. The deposition of highly uniform and adhesive nanocrystalline PbS film from solution / Y.J. Yang, S. Hu // Thin Solid Films. - 2008. - V. 516. -P. 6048-6051.

142. Ichimura, M. Synthesis of PbS in aqueous solutions by photochemical reactions / M. Ichimura, T. Narita, K. Masui // Materials Science & Engineering B. -2002. - V. B96. - №. 3. - P. 296-299.

143. Zingaro, R.A. Chemical deposition of thin films of lead selenide / R.A. Zingaro, D.O. Skovlin // J. Electrochem. Soc. - 1964. - V. 111. - № 1. - P. 42-47.

144. Лундин, А.Б. К вопросу о механизме химического осаждения тонких пленок селенида свинца / А.Б. Лундин, Г.А. Китаев // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. - 1965. - Т. 1. - № 12. - С. - 2102-2106.

145. Китаев, Г.А. Химический способ осаждения тонких пленок селенида свинца / Г.А Китаев, А.Б. Лундин, С.Г. Мокрушин // Изв. ВУЗов СССР. Химия и химическая технология. - 1966. - № 4. - С. 574-576.

146. Третьякова, Н.А. Кинетика гидрохимического осаждения пленок селенида свинца, их состав, структура и свойства / Н.А. Третьякова, В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. -2005. - Т. 7.-№ 2. - С. 189-194.

147. Мухамедзянов, Х.Н. Получение наноструктурированных высокофункциональных пленок селенида свинца / Х.Н. Мухамедзянов, С.И. Ягодин, М.П. Миронов, В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева // Ж. Цветные металлы. - 2009. -№ 12.-С. 41-45.

148. Замараева, Н.В. Кинетика гидрохимического осаждения селенида свинца из цитратно-аммиачной системы / Н.В. Замараева, Л.Н. Маскаева, И.В. Зару-

бин, В.М. Баканов, В.Ф. Марков // Бутлеровские сообщения. - 2011. - Т. 26. -№ 12.-С. 37-44.

149. Китаев, Г.А. Кинетика процесса образования селенида свинца в водных растворах селеносульфата натрия / Г.А. Китаев, А.Ж. Хворенкова // Журнал прикладной химии. - 1999. - Т. 72. - № 9. - С. 1440-1443.

150. Kale, R.B. Room temperature chemical synthesis of lead selenide thin films with preferred orientation / R.B. Kale, S.D. Sartale, V. Ganesan et al. // Applied Surface Science. - 2006. - V. 253. - № 2. - P. 930-936.

151. Grozdanov, I. A simple and low-cost technique for electroless deposition of chalcogenide thin films /1. Grozdanov // Semicond. Sci. Technol. - 1994. - V. 9. -№6.-P. 1234-1241.

152. Ishiwu, S. The optical and solid state properties of lead selenide thin films grown by chemical bath deposition technique // S. Ishiwu, M.N. Nnabuchi // Journal of Ovonic Research. - 2010. - V. 6. - № 2. - P. 81-86.

153. Hankare, P.P. Synthesis and characterization of chemically deposited lead selenide thin films / P.P. Hankare, S.D. Delekar, V.M. Bhuse, K.M. Garadkar, S.D. Sabane, L.V. Gavali // Materials Chemistry and Physics. - 2003. - V. 82. -P. 505-508.

154. Kassim, A. Preparation and characterization of PbSe thin films by chemical bath deposition / A. Kassim, T.W. Tee, D.K. Abdullah, M.J. Haron, H.S. Min, S. Monohorn, S. Nagalingam // Jurnal Kimia. - 2010. - V. 4. - № 1. - P. 1-6.

155. Spenser, H.E. / Chemically deposited lead selenide photoconductive / H.E. Spenser, J.V. Morgan//Pat. US № 3.121.023. - 1964.

156. Островская, И.К. Исследование поведения селеномочевины, сульфита и селеносульфата натрия в растворах, применяемых для осаждения пленок селенида кадмия / И.К. Островская, JT.E. Ятлова, Г.А. Китаев, А.А. Великанов // Химия и химическая технология. - 1977. -Т. 20. - В. 3. - С. 319-322.

157. Sarma, Y.S. A solution growth technique for depositing PbSxSei-x thin films / Y.S. Sarma, H.N. Acharya, N.K. Misra // Thin Solid Films. - 1982. - V. 90. -№ 2. - P. L43-L47.

158. Sarma, Y.S. Solution-grownp-n PbS^Se^-Si heterojunctions for near-infrared applications / Y.S. Sarma. H.N. Acharya, N.K. Misra // Infrared Physics. - 1984. -V.24. - № 5. - P. 425-428.

159. Sarma, Y.S. Growth and structural properties of solution-grown PbS^Sei-* thin films and PbS^Se^-Si heterostructures / Y.S. Sarma, N.K. Misra, H.N. Acharya // Indian Journal of Physics A. - 1989. - V. 63A. - № 5. - P. 445-456.

160. Макурин, Ю.Н. Промежуточный комплекс в химических реакциях / Ю.Н. Макурин, Р.Н. Плетнев, Д.Г. Клещев, H.A. Желонкин // Свердловск: УрО РАН. - 1990.- 198 с.

161. Юсупов P.A. Образование сульфидов свинца (II) и таллия (I) в щелочных растворах тиосемикарбазида и тиомочевины / P.A. Юсупов, A.A. Попель. Ю.И. Сальников и др. // Изв. вузов. Химия и хим. технология. - 1979 - Т. 22. -№5.-С. 515-519.

162. Фрицше, К. Получение полупроводников // М.: Мир. - 1964. - 436 с.

163. Крамарева, Т.В. К вопросу о тиомочевинном методе получения сульфидов / Т.В. Крамарева, JI.A. Косарева, В.М. Шульман // Халькогениды (свойства, методы, получение и применение). - Киев. - 1967. - 192 с.

164. Марков, В.Ф. Расчет граничных условий образования твердой фазы сульфидов и селенидов металлов осаждением тио-, селеномочевиной / В.Ф. Марков, J1.H. Маскаева // Журнал физической химии. - 2010. - Т. 84. -№8.-С. 1421-1426.

165. Марков, В.Ф. Механизм зародышеобразования пленок сульфидов металлов / В. Ф. Марков, JI. Н. Маскаева // Бутлеровские сообщения. - 2011. -Т. 24. -№2. - С. 33-41.

166. Ушаков, О.П. Физико-химические закономерности формирования пленок халькогенидов металлов в динамических условиях. Дис. ... канд. хим. наук / О.П. Ушаков. - Свердловск. - 1983. - 225 с.

167. Власов, A.A. Статические функции распределения / A.A. Власов // М.: Наука. - 1966. - 356 с. (С. 324-356).

168. Белов, H.B. Процессы реального кристаллообразования / Н.В. Белов // М.: Наука, - 1977.-235 с.

169. Буллах, Б.М. Механизм роста кристаллов сульфидов кадмия из газовой фазы // Б.М. Булах, H.H. Шефталь // В кн. Рост кристаллов. М.: Наука. - 1974. -Т. 10.-С. 115-134.

170. Шефталь, H.H. Закономерности реального кристаллообразования и некоторые принципы выращивания монокристаллов // H.H. Шефталь // В кн. Рост кристаллов. М.: Наука. - 1974. - Т. 10. - С. 195-220.

171. Мокрушин, С.Г. Образование CdS на границе раздела фаз твердое тело -раствор / С.Г. Мокрушин, Ю.Д. Ткачев // Колл. журн. - 1961. - Т. 23. - №4. -С. 438-441.

172. Романов, И.Т. О возможности применения теории светорассеяния для расчета размера частиц сульфида кадмия в процессе его образования из растворов / И.Т. Романов, Г.А. Китаев // Колл. журн. - 1979. - Т. 41. - № 3. -

C. 590-594.

173. Маскаева, JI.H. Оценка числа зародышей, образующихся по гомогенному механизму в объеме водного раствора / JI.H. Маскаева, Г.А. Китаев, В.Ф. Марков // Тр. Второй межрегион, конф. с межд. участием. Красноярск. -1999.-С. 42.

174. Dutt, М. Size of particle obtained by solution growth technique / M. Dutt,

D. Kameshwari, D. Subbarao // Colloids and Surfaces. A. Physicochem. and Engineer. Acpects. - 1998. - V. 133. - P.89-91.

175. Смирнов, Б.М. Физика фрактальных кластеров / Б.М. Смирнов // М.: Наука. - 1991. - 134 с.

176. Марков, В. Ф. Особенности формирования пленок сульфидов металлов из водных растворов / В.Ф. Марков, JI.H. Маскаева // Бутлеровские сообщения. - 2011. - Т. 24. - № 2. - С. 42-50.

177. Иванов, П.Н. Использование фрактального формализма при моделировании процесса гидрохимического осаждения пленок сульфидов металлов /

П.Н. Иванов, В.Ф. Марков, JI.H. Маскаева, Е.И. Степановских // Фундаментальные проблемы современного материаловедения. - 2005. - № 1. - С. 29-32.

178. Соколова, Т.П. Использование селеномочевины для получения пленок селенидов цинка и свинца на твердых подложках и их осадков из растворов: дисс. ... к-та хим. наук / Т.П. Соколова - Екатеринбург. - 1972. - 201 с.

179. Gorer, S. Chemical solution deposition of lead selenide films: a mechanistic and structural study / S. Gorer, A. Albu-Yaron, G. Hodes // Chem. Muter. - 1995. -V. 7.-P. 1243-1256.

180. Марков, В.Ф. Получение высокочувствительных к ИК-излучению пленок PbS, осажденных из галогенидсодержащих растворов / В.Ф. Марков, А.В. Шнайдер, М.П. Миронов, В.Ф. Дьяков, JI.H. Маскаева // Перспективные материалы. - 2008 - № 3. - С. 28-32.

181. Марков, В.Ф. Кинетика химического осаждения PbS в присутствии гало-генидов аммония, микроструктура и электрофизические свойства / В.Ф. Марков, JI.H. Маскаева, Г.А. Китаев // Журн. прикл. химии. - 2000. - Т. 73. -С.1256-1259.

182. Larramendi, Е.М. Effect of surface structure on photosensitivity in chemically deposited PbS thin films / E.M. Larramendi, O. Calzadilla, A. Gonzales-Arias, E. Hernandez, J. Ruiz-Garcia // Thin Solid Films. - 2001. - V. 389. - P. 301-306.

183. Немов С.А. Особенности механизма самокомпенсации легирующего действия примеси хлора в PbSe / С.А. Немов, М.К. Житинский, В.И. Прошин // Физика и техника полупроводников. - 1991. - Т. 25.-В. 1.-С. 114-117.

184. Pentia, Е. Influence of Sb3+ ions on photoconductive properties of chemically deposited PbS films / E. Pentia, L. Pintilie, C. Tivarus, I. Pintilie, T. Botila // Materials Science & Engineering B. - 2001. - V. 80. - № 1. - P. 23-26.

185. Simic, V.M. Influence of impurity on photosensitivity of chemically deposited lead sulfide layer / V.M. Simic, Z.B. Marinkovich // J. Infrared Phys. - 1968. -V. 8.-P. 189-195.

186. Pentia, E. Bi influence on growth and physical properties of chemical deposited PbS films / E. Pentia, L. Pintilie, T. Botila, I. Pintilie, A. Chaparro, C. Maffiotte // Thin Solid Films. - 2003. - V. 434. - P. 162-170.

187. Nascu, C. The study of lead sulphide films. VI. Influence of oxidants on the chemically deposited PbS thin films // C. Nascu, V. Vomir, I. Pop, V. Ionescu, R. Grecu / Thin Solid Films. - 1997. - V. 307. - № 1-2. - P. 240-244.

188. Buger, P.A. The spectral response of PbS films // P.A. Buger, O.G. Malan, O.A. Kunze // Z. Naturforsch. A. - 1971. - V. 26. - № 12. - P. 1995-1997.

189. Ghamsari, M.S. The influence of hydrazine hydrate on the photoconductivity of PbS thin film /M.S. Ghamsari, M.K. Araghi, S.J. Farahani // Materials Science and Engineering B. - 2006. - V. 133.-P. 113-116.

190. Верцнер, B.H. Электронноскопическое и электронографическое исследование фоточувствительных слоев сульфида свинца, полученных осаждением из раствора / В.Н. Верцнер, Г.П. Тихомиров, М.С. Давыдов, B.C. Коснырев // Изв. АН СССР. Серия физическая. - 1963. - Т. 27. - № 9. - С. 1228-1231.

191. Неустроев, JI.H. О механизме протекания тока и фототока в поликристаллах PbS / JI.H. Неу строев, В.В. Осипов // Физика и техника полупроводников. - 1984. - Т. 18. - № 2. - С. 359-362.

192. Китаев, Г.А. Окисление химически осажденного сульфида свинца / Г.А. Китаев, Л.Г. Протасова, В.Г. Косенко, В.Ф. Марков // Изв. РАН. Неорган, материалы. - 1993. - Т. 29. - № 7. - С. 1017-1018.

193. Ильин, В.И. Фотоэлектрическая активность кислорода в пленках сульфида свинца / В.И. Ильин // Физика и техника полупроводников. - 1970. -Т. 4. -№ З.-С. 31-34.

194. Гаськов, A.M. Оже-электронный микроанализ окисленного поликристаллического слоя сульфида свинца / A.M. Гаськов, А.А. Гольденвейзер, И.А. Соколов, В.П. Зломанов, А.В. Новоселова // Доклады АН СССР. - 1983. -Т. 269.-№ З.-С. 607-609.

195. Балтрамеюнас, Р. Лазерный и термический отжиг тонких пленок сульфида свинца / Р. Балтрамеюнас, Р. Гашка, Э. Куокштис, Я. Синюс // Физика и техника полупроводников. - 1983. — Т. 17. - № 10. - С. 1857-1859.

196. Pop, I. The study of lead sulfide films: the behaviour at low-temperature thermal treatment /1. Pop, V. Ionescu, C. Nascu, V. Vomir, R. Grecu, E. Indrea // Thin Solid Films. - 1996. - V. 283. - № 1-2. - P. 119-123.

197. Oriaku, C.I. Analysis of thin chalcogenide PbS films prepared from chemical bath / C.I. Oriaku, J.C. Osuwa // Pacific Journal of Science and Technology. - 2008. - V. 9. -№ 2. - P. 461-467.

198. Raniero, L. Optical and morphological properties of annealed PbS thin films obtained from a chemical solution / L. Raniero, C.L. Ferreira // Materials Science Forum. - 2004. - V. 455-456. - P. 128-131.

199. Raniero, L. Photoconductivity activation in PbS thin films grown at room temperature by chemical bath deposition / L. Raniero, C.L. Ferreira, L.R. Crus, A.L. Pinto, R.M.P. Alves // Physica B. - 2010. - V. 405. - P. 1283-1286.

200. Буткевич, В.Г. О роли поверхностного окисла в фоточувствительности поликристаллических пленок сульфида свинца / В.Г. Буткевич, И.А. Дрозд, О.Р. Ниязова, A.M. Сусова // Физика и техника полупроводников. - 1976. - Т. 10. -№8.-С. 1528-1531.

201. Андреев, С.И. Анализ процесса окисления сульфида свинца / С.И. Андреев, М.И. Камчатка, Ю.М. Чащинов // Известия СПбГЭТУ (ЛЭТИ). - 1996. -Вып. 495: Современные материалы и методы исследований микроэлектроники и оптоэлектроники. - С. 89-93.

202. Неустроев, Л.Н. О природе аномальных свойств фоточувствительных поликристаллических пленок типа PbS / Л.Н. Неустроев, В.В. Осипов // Физика и техника полупроводников. - 1987. - Т. 21. - № 12. - С. 2159-2163.

203. Briones, F. The role of oxygen in the sensitization of photoconductive PbSe films / F. Briones, D. Golmayo, G. Ortiz // Thin Solid Films. - 1981. - V. 78. -№4. - P. 385-395.

204. Espevik, S. Mechanism of photoconductivity in chemically deposited lead sulfide layers / S. Espevik, W. Chen-ho, R.H. Bube // Journal of Applied Physics. -1971. - V. 42. - № 9. - P. 3513-3529.

205. Гудаев, О.А. Фрактальные свойства перколяционной проводимости поликристаллических слоев PbS / О.А. Гудаев, В.К. Малиновский, Э.Э. Пауль // Письма в ЖЭТФ. - 1990. - Т. 52. - № 5. - С. 917-920.

206. Голубченко, Н.В. Исследование микроструктуры и фазового состава поликристаллических слоев селенида свинца в процессе термического окисления / Н.В. Голубченко, В.А. Мошников, Д.Б. Чеснокова // Физика и химия стекла. -2006. - Т. 32. - № 3. - С. 464-478.

207. Bob V. Mc.Lean. Method of production of lead selenide photodetector cells / Bob V. Mc.Lean // Pat. USA № 2.997.409 cl.l 17-201 - 23.08.1961.

208. Martin, Y.M. Arrays of termally evaporated PbSe infrared on sisubstrates operating at room temperature / Y.M. Martin, Y.L. Hermandez // Semicond. Sci. Tech-nol. - 1996. - V. 11.-P. 1740-1744.

209. Баканов, B.M. Термосенсибилизация химически осажденных пленок селенида свинца / В.М. Баканов, З.И. Смирнова, JI.H. Маскаева, Х.Н. Мухамедзя-нов, В.Ф. Марков // Конденсированные среды и межфазные границы. — 2011.— Т. 13.-№4.-С. 35-43.

210. Раренко, И.М. Физические свойства осажденных и активируемых слоев AIVBVI / И.М. Раренко, Н.В. Гавриленко, B.C. Грабко, Р.И. Плашенков, В.М. Кондратенко, А.В. Соснин // Надежность микроэлектронных схем и элементов: сб. - Киев: Наукова думка. - 1982. - С. 101-119.

211. Candea, R.M. Effect of thermal annealing in air on VE COD and CAD PbSe films / R.M. Candea, R. Turcu, GBorodi, J. Bratu // Phys. Stat. Sol. A. - 1987. -V. 100.-№ l.-P. 149-155.

212. Дегтева, JI.В. Влияние термообработки на микроструктуру слоев PbS и PbSe / Л.В. Дегтева, Г.П. Тихомиров // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. -1971.-Т. 7. -№ 7. - С. 1263-1265.

213. Biro, L.P. The influence of thermal annealing on the physical properties of chemically deposited PbSe films / L.P. Biro, Al. Darabont, P. Fitori // Europhys. Lett. - 1987. - V. 4. - № 6. - P. 691-696.

214. Попов, В.П. Исследование механизмов окисления на поверхности полупроводниковых структур селенида свинца / В.П. Попов, П.А. Тихонов, В.В. Томаев // Физика и химия стекла. - 2003. - Т. 29. - № 5. - С. 686-694.

215. Гамарц, А.Е. Определение профиля диффузии кислорода в поликристаллических слоях селенида свинца методами ядерного микроанализа /

A.Е. Гамарц, В.М. Лебедев, В.А. Мошников, Д.Б. Чеснокова // Физика и техника полупроводников. - 2004. - Т. 38. - №4. -С. 1195-1198.

216. Поповкин, Б.А. Изучение взаимодействия селенида свинца с кислородом / Б.А. Поповкин, Л.М. Ковба, В.П. Зломанов, А.В. Новоселова // ДАН СССР. - 1959.-Т. 129. -№ 4. - С. 809-812.

217. Зломанов, В.П. Изучение взаимодействия селенида свинца с кислородом / В.П. Зломанов, О.И. Тананаева, А.В. Новоселова // Журн. неорган, химии. 1961.-Т. 6. -№ 12.-С. 2753-2757.

218. Быкова, Т.Т. Исследование масс-спектров продуктов десорбции и фотоэлектрических характеристик химически осажденных слоев селенида свинца / Т.Т. Быкова, А.Л. Данилов, М.С. Давыдов // Уч. записки ЛГУ. - 1974. -№371.-С. 3-7.

219. Jonson, T.N. Solutions and methods for depositing lead selenide / T.N. Jonson //Pat. US №3.178.312. cl. 117-201.- 13.04.1965.

220. Голубченко, H.B. Влияние примесей на кинетику и механизм термического окисления поликристаллических слоев PbSe / H.B. Голубченко,

B.А. Мошников, Д.Б. Чеснокова // Неорган, материалы. - 2006. - Т. 42. - № 9. -

C. 1040-1049.

221. Stober, D. Chemical transport reactions during crystal growth of PbTe and PbSe via vapour phase influenced by Agl / D. Stober, B.O. Hildmann, H. Bottner, S. Schelb, K.-H. Bachem, M. Binnewies // J. Cryst. Growth. - 1992. - V. 121. -№ 4. - P. 656-664.

222. Torquemada, M.C. Role of halogens in the mechanism of sensitization of un-cooled PbSe infrared photodetectors / M.C. Torquemada, M.T. Rodrigo, G. Vergara, F.J. Sanchez, R. Almazan, M. Verdu, P. Rodriguez, V. Villamayor, L.J. Gomez, M.T. Montojo // J. Appl. Phys. - 2003. - V. 93. - № 3. - P. 1778-1784.

223. Патент № 2357321 Российской Федерации, (15) МПКН01Ь 21/36. Способ сенсибилизации химически осажденных пленок селенида свинца к ИК-излучению / Миронов М.П., Марков В.Ф., Маскаева JI.H., Дьяков В.Ф., Муха-медьярова Г.Р., Мухамедзянов Х.Н, Смирнова З.И. Опубл. 27.05.2009. Бюл. № 15.4 с.

224. Буткевич, В.Г. Фотоприемники на основе халькогенидов свинца: состояние работ в ФГУП «НПО Орион» и перспективы развития / В.Г. Буткевич, Е.Р. Глобус, Г.А. Казанцев, Ю.П. Бутров, Л.Я. Лебедева // Прикладная физика. - 1999. - № 2. (http: www.vimi.ru).

225. Корнеева, М.Д. Современное состояние и новые направления полупроводниковой ИК-фотоэлектроники (Часть 1) / М.Д. Корнеева, В.П. Пономаренко,

A. М. Филачёв // Прикладная физика. - 2011. - № 2. - С. 47-60.

226. Агранов, Г.А. Особенности получения и обработки ИК-изображений в матричных фотоприемниках с координатной адресацией на основе халькогенидов свинца / Г.А. Агранов, A.M. Дакин, В.К. Нестеров, С.К. Новоселов // Оптич. журнал. - 1996. - № 9. - С. 53-57.

227. Хряков, В.Т. Пороговые характеристики и матрицы ИК-диапазона /

B.Т. Хряков, В.П. Пономаренко, В.Г. Буткевич, И.И. Таубкин, В.И. Стафеев,

C.А. Попов // Оптич. журнал. - 1992. - № 12. - С. 33-34.

228. Бочков, В.Д. Фотоприемное устройство на основе 64-элементных фоточувствительных структур на селениде свинца / В.Д. Бочков, Б.Н. Дражников, М.Л. Храпунов // Прикладная физика. - 2005. - № 2. - С. 64-65.

229. Волков, В.Г. Фотоприемники на основе халькогенидов свинца для применения в тепловидении / Волков В.Г. // Электронные компоненты. - 2008. -№ 11.- С. 56-61.

230. Бушман, C.B. Регистрация коротких световых импульсов фотоприемными устройствами на основе фоторезисторов с большой инерционностью / C.B. Бушман, Л.И. Горелик, Н.В. Кравченко, K.M. Куликов, А.К. Петров // Прикладная физика. - 2007. - №5. - С. - 86-89.

231. De Frutos, J. Electrooptical infrared compact gas sensor / J. de Frutos, J.M. Rodriguez, F. Lopez, A.J. de Castro, J. Melendez, J. Meneses // Sensors and Actuators B: Chemical. - 1994. - V. 19. - № 1-3. - P. 682-686.

232. Matveev, B.A. Mid-infrared (3-5 ¡am) LEDs as sources for gas and liquid sensors / B.A. Matveev, G.A. Gavrilov, V.V. Evstropov, N.V. Zotova, S.A. Karandashov, G.Yu. Sotnikova, N.M. Stus, G.N. Talalakin, J. Mahnen // Sensors and Actuators B: Chemical. - 1997. - V. 39. - № 1-3. - P. 339-343.

233. Horka, V. Laser diode photoacoustic detection in the infrared and near infrared spectral ranges / V. Horka, S. Civis, Li-Hong Xu, R.M. Lees // Analyst. - 2005. -V. 130.-P. 1148-1154.

234. Марков, В.Ф. Полупроводниковый чувствительный элемент газоанализатора оксидов азота на основе сульфида свинца / В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева // Журн. аналит. химии. - 2001. - Т. 56. - № 8. - С. 546-550.

235. Миронов, М.П. Исследование электрофизических свойств пленок PbS с целью применения в качестве чувствительных элементов приборов обнаружения очагов возгорания и тления / М.П. Миронов, A.B. Шнайдер, В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева // Химия и химическая технология. Сб. трудов УГТУ-УПИ. -2006. - С. 89-92.

236. Шнайдер, A.B. Быстродействующие инфракрасные детекторы обнаружения очагов открытого пламени и тления / A.B. Шнайдер, М.П. Миронов A.B. Гусельников, В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева // Пожаровзрывобезопасность. - 2008. - Т. - 17. - № 2. - С.74-76.

237. Гречнев, К.В. Фурье-спектрометр АОСТ для исследования МАРСА и ФОБОСА с борта КА «ФОБОС-ГРУНТ» / К.В. Гречнев, A.B. Григорьев, Л.В. Засова и др. // ИКИ РАН: Выездной семинар «Космическое приборостроение». - 2006. - Таруса. - Россия. - С. 39-40.

238. Mukherjee, S. Lead Salt Thin Film Semiconductors for Microelectronic Applications / S. Mukherjee, D. Li, A. Gautam, J.P. Kar, Z. Shi // Kerala: Transworld Research Network. - 2010. - 94 p.

239. Schoolar, R.B. Narrow band detection with epitaxial PbS^Se,-* films / R.B. Schoolar // IEEE Transactions on Electron Devices. - 1975. - V.ED22. -№ 11.- P. 1063.

240. Schoolar, R.B. Composition-tuned PbSxSei_^ Schottky-barrier infrared detectors // R.B. Schoolar, J.D. Jensen, G. M. Black // Applied Physics Letters. - 1977. -V. 31. -№9. - P. 620-622.

241. Schoolar, R.B. Multispectral PbS^Sei-* and PbvSni-vSe photovoltaic infrared detectors / R.B. Schoolar, J.D. Jensen, G.M. Black, S. Foti, A.C. Bouley // Infrared Physics. - 1980. - V. 20. - № 4. - P. 271-275.

242. Rogalski, A. PbSi-^Se^ (0 < x < 1) photovoltaic detectors: carrier lifetimes and resistance-area product // A. Rogalski, W. Kaszuba. Infrared Physics. - 1983. -V. 23.-№ l.-P. 23-32.

243. Zogg, H. Photovoltaic lead-chalcogenide on silicon infrared sensor arrays / H. Zogg, A. Fach, C. Maissen, J. Masek, S. Blunier // Optical Engineering. - 1994. -V. 33.-№5.-P. 1440-1449.

244. Чащин, С.П. Неохлаждаемые светодиоды для области спектра 3-5 мкм на основе PbS^Sei-* / С.П. Чащин, B.C. Манько, О.В. Зотов, B.C. Макаров, Б.П. Пырегов // Оптический журнал. - 1993. - № 9. - С. 79-80.

245. Shotov, А.Р. Development of Lead-chalcogenide tunable diode lasers for 3 to 40 цм spectral region of Lebedev Physical Institute // Proc. SPIE. - 1992. -V. 1724. - P. 64-77.

246. Шотов, А.П. PbSi_xSex лазеры с контролируемым профилем концентрации носителей, изготовленных методом молекулярной эпитаксии / А.П. Шотов, А.А. Синятынский // Письма в ЖТФ. - 1983. - Т. 9. - № 14. - С. 881-884.

247. Мурашов, М.С. О временных задержках генерации излучения в лазерных диодах на основе халькогенидов свинца / М.С. Мурашов, А.П. Шотов // Квантовая электроника. - 1995. - Т. 22. - № 12. - С. 1255-1256.

248. Мурашов, М.С. Генерация излучения в диодных лазерах на основе халь-когенидов свинца PbSSe, обусловленная самораспределением тока при неоднородном разогреве в плоскости активного слоя / М.С. Мурашов // Краткие сообщения по физике. - 1998. - № 12. - С. 42-54.

249. Murashov, M.S. Autowaves of the carrier density in PbSi-^Se^ injection lasers / M.S. Murashov, A.P. Shotov // Soviet Journal of Quantum Electronics. - 1989. -V. 19. -№> 12.-P. 1559-1563.

250. Шотов, А.П. Гетеролазеры PbS/PbSSe/PbSnSe с раздельным электронным и оптическим ограничением, полученные методом молекулярной эпитаксии / А.П. Шотов, Ю.Г. Селиванов // Письма в ЖТФ. - 1986. - Т. 12. - № 22. -С. 1386-1389.

251. Шотов, А.П. Гетеролазеры PbS/PbSSe/PbSnSe с квантовым размерным эффектом в активной области / А.П. Шотов, Ю.Г. Селиванов // Письма в ЖЭТФ. - Т. 45. - № 1. - С. 5-7.

252. Lo, W. Diffused homojunction lead-sulfide-selenide diodes with 140 К laser operation / W. Lo, Don E. Swets // Appl. Phys. Lett. - 1978. - V. 33. - № 11. -P. 938-940.

253. Linden, K.J. Single heterostructure lasers of PbSi-^Se^ and Pb^Sn^Se with wide tenability / K.J. Linden, K.W. Nill, J.F. Butler // IEEE Journal of Quantum Electronics. - 1977. - V. QE-13. - № 8. - P. 720-725.

254. Kressel, H. Materials for heterojunction devices / H. Kressel // Ann. Rev. Mater. Sci. - 1980. - V. 10. - P. 287-309.

255. Freed, C. Fundamental linewidth in solitary, ultranarrow output PbSi-.xSe, diode lasers / C. Freed, J.W. Bielinski, W. Lo // Applied Physics Letters. - 1983. -V. 43,-№7.-P. 629-631.

256. Vilhelmsson, K. Optically pumped mode-locked PbSi_xSex lasers / K. Vil-helmsson, B. Valk, M.M. Salour, Т.К. Chu // Appl. Phys. Lett. - 1987. - V. 50. -№ 13. - P. 807-808.

257. Qadeer, A. A comparative study of properties of homojunction, single hetero-junction and double heterojunction PbSi-^Se* diode lasers / A. Qadeer, F.J. Bryant // Solid-State Electronics. - 1984. - V. 27. - № 8-9. - P. 733-740.

258. Bryant, F.J. Characteristics of double heterostructure PbSi_xSex diode lasers prepared by compositional interdiffusion / F.J. Bryant, A. Qadeer // IEE Proceedings I (Solid-State and Electron Devices). - 1984. - V. 131. - № 4. - P. 113-120.

259. Henini, M. An overview of narrow bandgap semiconductors / M. Henini // III-Vs Review. - 1994. - V. 7. - № 3. - P. 44-49.

260. Preier, H.M. Lead chalcogenide diode lasers: state of art and applications / H.M. Preier / Lecture Notes in Physics. - 1982. - V. 152. - P. 289-293.

261. Tacke, M. Lead-salt lasers / M. Tacke // Phil. Trans. R. Soc. Lond. A. -2001. -V. 359. - P. 547-566.

262. Nill, K.W. Infrared Spectroscopy of CO using a tunable PbSSe Diode Laser / K.W. Nill, F.A. Blum, A.R. Calawa, T.C. Harman // Applied Physic Letter. - 1971. -V. 19. -№4. -P. 79-82.

263. Preier, H. NO spectroscopy at 100 K with a PbS0.4Se0.6 diode laser / H. Preier, W. Riedel // Applied Physics Letters. - 1974. - V. 25. - № 1. - P. 55-56.

264. Vansteenkiste, T.H. Photoacoustic measurement of carbon monoxide using a semiconductor diode laser / T.H. Vansteenkiste, F.R. Faxvog, D.M. Roessler // Applied Spectroscopy. - 1981. - V. 35. - № 2. - P. 194-196.

265. Wahlen, M. Tunable diode laser spectroscopy of 14C02: absorption coefficients and analytical applications / M. Wahlen // Applied Optics. - 1977. - V. 16. -№9.-P. 2350-2352.

266. Murtz, M. Stabilization of 3.3 and 5.1 ¡am lead-salt diode lasers by optical feedback / M. Murtz, M. Schaefer, M. Schneider, J.S. Wells, W. Urban, U. Schiessl, M. Tacke // Optics Communications. - 1992. - V. 94. - P. 551-556.

267. Sumpf, B. Detection of carbon-monoxide, carbon-dioxide and sulfur-dioxide with pulsed tunable PbSi^Se^-diode lasers / B. Sumpf, D. Goring, R. Haseloff, K. Herrmann, J.W. Tomm // Collection of Czechoslovak Chemical Communications. - 1989. - V. 54. - № 2. - P. 284-296.

268. Kuznetzov, A.I. Sensors based on tunable diode lasers and mid-IR-fiber optics and their diagnostic application and environmental protection / A.I. Kuznetzov, K.L. Moskalenko, A.I. Nadezchdinskii, E.V. Stepanov // Journal de Physique III. -1991. -V. 1. - P. 253-256.

269. Пильняков, В.П. Исследование процесса травления полимеров в растворах бихромата калия в серной кислоте / В.П. Пильников, JI.H. Маскаева, Г.А. Китаев, В.А. Лисовая // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технол. - 1976. -Т. 19. - В. 7. - С. 1093-1098.

270. Мейтис, JI. Введение в курс химического равновесия и кинетики / Л. Мейтис // M.: Мир. - 1984. - 484 с.

271. Шварценбах, Г. Комплексонометрическое титрование / Г. Шварценбах, Г. Флашка // М.: Химия. - 1970. - 360 с.

272. Уханов, Ю.И. Оптические свойства полупроводников / Ю.И. Уханов // М.: Наука. - 1977.-368 с.

273. Rietveld, Н.М. A profile refinement method for nuclear and magnetic structures / H.M. Rietveld // Appl. Cryst. - 1969. - V. 2. - № 2. - P. 65-71.

274. Чичагов, A.B. Рентгенометрические параметры твердых растворов / A.B. Чичагов, Л.В. Сипавина//М.: Наука. - 1982. - 171 с.

275. Филонов, A.C. Руководство пользователя пакета программного обеспечения для управления сканирующим зондовым микроскопом и обработки изображений Фемтоскан Онлайн (Версия 2.3.89) / A.C. Филонов, А.Д. Сушко, И.В. Яминский // http://www.nanoscopy.net.

276. Мухамедьяров, Р.Д. Установка для измерения пороговых параметров фотоприемников / Р.Д. Мухамедьяров, В.И. Стук, О.Ю. Блинов, В.Н. Жуков, Г.А. Китаев // Приборы и техника эксперимента. - 1976. - № 6. - С. 234.

277. Китаев, Г.А. Кинетика разложения тиомочевины в щелочных средах / Г.А. Китаев, И.Т. Романов // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. - 1974. -Т. 17.-№9.-С. 1427-1428.

278. Китаев, Г.А. Синтез тиомочевины из сероводорода и цианамида / Г.А. Китаев, И.Т. Романов // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. - 1976. -Т. 19.-№6.-С. 941-943.

279. Батлер, Дж.Н. Ионные равновесия / Дж.Н. Батлер // М.: Химия. - 1973. -446 с.

280. Фролов Ю.Г. Курс коллоидной химии / Ю.Г. Фролов // М.: Химия. -1989.-462 с.

281. Семенов, В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов и их тиомочевинных координационных соединений: дисс. ... д-ра хим. наук / В.Н. Семенов. - Воронеж. - 2002. - 355 с.

282. Таусон, В.Л. Физико-химические превращения реальных кристаллитов р минеральных системах / В.Л. Таусон, М.Г. Абрамович // Новосибирск: Наука. -1988.-272 с.

283. Ахумов, Е.И. Размер кристаллического зародыша кубической формы / Е.И. Ахумов // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. - 1984. - Т. 27. - № 12. -С. 1425-1427.

284. Аксельруд, Н.В. Интерпретация полярографических волн полимеризо-ванных гидроксолей / Н.В. Аксельруд / ДАН СССР. - 1954. - Т. 98. - № 5. -С. 799-802.

285. Лурье, Ю.Ю. Справочник по аналитической химии / Ю.Ю. Лурье / М.: Химия. 1989. 448 с.

286. Марков, В.Ф. Определение температурных зависимостей констант гидролитического разложения тио- и селеномочевины / В.Ф. Марков, Л.Н. Маскае-ва, Г.Г. Ливийская, И.М. Морозова // Вестник УГТУ-УПИ. Серия химическая. 2003. - Т. 23. - № 3. - С. 120-125.

287. Виноградова, Т.В. Температурные зависимости констант гидролитического разложения тиомочевины и ступенчатой ионизации цианамида / Т.В. Виноградова, В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева // Журнал общей химии. - 2010. -Т. 80.-№ 11.-С. 1878-1883.

288. Наумов, Г.Б. Справочник термодинамических величин / Г.Б. Наумов, Б.Н. Рыженко, И.Л. Ходаковский // М.: Атомиздат. - 1971. - 240 с.

289. Китаев, Г.А. Условия химического осаждения зеркальных пленок сульфида свинца / Г.А. Китаев, Г.М. Фофанов, А.Б. Лундин / Изв. АН СССР. Неорган. материалы. - 1967. - Т. 3. - № 3. - С. 473-478.

290. Катышева, A.C. Гидрохимический синтез пленок халькогенидов металлов. Часть 6. Кинетико-термодинамические исследования условий образования твердых растворов замещения PbSySei_y в цитратно-аммиачной системе /

A.C. Катышева, В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева // Бутлеровские сообщения. -2010. - Т. 22. - № 10. - С. 10-16.

291. Лундин, А.Б. Кинетика осаждения тонких пленок сульфида свинца на границе раздела фаз PbS - раствор / А.Б. Лундин, Г.А. Китаев // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. - 1967. - Т. - 10. - № 4. - С. 408-411.

292. Стромберг, А.Г. Физическая химия / А.Г. Стромберг, Д.П.Семченко // М.: Высш. шк. - 2001. - 527 с.

293. Дьяков, В.Ф. Физико-химические закономерности получения пленок твердых растворов SnJPbi^Se методом послойного гидрохимического осаждения PbSe и SnSe: дисс. ... к-та хим. наук / В.Ф. Дьяков. - Екатеринбург. -

2010. - 161 с.

294. Катышева, A.C. Получение наноструктурированных пленок твердых растворов PbSeySi_y методом химического осаждения / A.C. Катышева,

B.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева // Теоретическая и экспериментальная химия. -

2011. - Т. 47. - № 6. - С. 376-379.

295. Williamson, G.K. X-ray line broadening from field aluminium and wolfram / G.K. Williamson, W.H. Hall // Act. Metal. - 1953. - V. 1. - № 1. - P. 22-31.

296. Guinier, A. Théorie et Technique de la Radiocristallographie. Ed. Dunod, Paris. - 1964. - 604 p.

297. Накамото, К. ИК-спектры и спектры KP неорганических и координационных соединений / К. Накамото / М.: Мир. - 1991. - 536 с.

298. Fowless, A.D. Selenitometal complexes: 1. Synthesis and characterization of selenitocomplexes of cobalt(III) and their equilibrium properties in solution / A.D. Fowless, D.R. Stranks // Inorg. Chem. - 1977. - V. 16. - № 16. - P. 12711276.

299. Федер, E. Фракталы / Е.Федер // M: Мир. - 1991. - 254 с.

300. Суздалев, И.П. Нанотехнология: физика-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов / И.П. Суздалев // М.: Комкнига. - 2006. - 592 с.

301. Катышева, А.С. Получение тонких пленок твердых растворов PbS^Sei-^ при совместном многослойном осаждении PbS и PbSe / А.С. Катышева, В.Ф. Марков, JI.H. Маскаева // Материалы V Международной научной конференции «Научный потенциал XXI века». В 3 т. Ставрополь: СевКавГТУ. - 2011. - Т. 1. -С. 29-31.

302. Катышева, А.С. Применение химически осажденных тонких пленок сульфида свинца в качестве материалов датчиков контроля содержания свинца в водных средах / А.С. Катышева, В.Ф. Марков, И.В. Зарубин, JI.H. Маскаева, А.Ф. Никифоров // Водное хозяйство России. - 2011. - №4. - С. 64-73.