Физико-химические закономерности получения плёнок твёрдых растворов Pb1-xSnxSe методом ионообменного синтеза тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, кандидат химических наук Смирнова, Зинаида Игоревна

• Смирнова, Зинаида Игоревна
• кандидат химических наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат химических наук Смирнова, Зинаида Игоревна

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. СИНТЕЗ ТВЁРДЫХ РАСТВОРОВ РЪ^п^е. ИОННЫЙ ОБМЕН В СИСТЕМАХ С УЧАСТИЕМ ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЕТАЛЛОВ (литературный обзор)

1.1. Твёрдые растворы РЬ^дЗп^е: свойства, применение, получение

1.1.1. Состав, структура и функциональные свойства селенидов свинца(П), олова(П) и твёрдых растворов замещения на их основе

1.1.2. Функциональные свойства и применение твёрдых растворов РЬ^Бп^е

1.1.3. Методы получения РЬ8е, БпЭе и твёрдых растворов РЬ^^п^е

1.2. Ионный обмен на межфазной границе «халькогенид металла - водный раствор»: условия проведения и механизмы процесса

1.2.1. Сущность ионного обмена на межфазной границе «халькогенид металла -водный раствор»

1.2.2. Представление о трехстадийной диффузии в тонких поликристаллических плёнках

1.2.3. Практика ионного обмена в различных системах с участием халькогенидов металлов

Выводы

ГЛАВА 2. ИСХОДНЫЕ МАТЕРИАЛЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ

2.1. Реактивы и материалы

2.2. Методика гидрохимического синтеза плёнок РЬ!$е

2.3. Измерение толщины плёнок

2.4. Методика термодинамического анализа ионообменных реакций

2.5. Методика проведения ионообменного синтеза

2.6. Методика термообработки плёнок

2.7. Методы исследования состава, структуры и морфологии плёнок

2.7.1. Растровая электронная микроскопия и элементный микроанализ

2.7.2. Рентгеновский дифракционный анализ

2.7.3. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия

2.8. Измерение электрических параметров плёнок

Глава 3. ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ПРОТЕКАНИЯ ИОНООБМЕННОЙ РЕАКЦИИ РЬБе Бп8е В СИСТЕМЕ «РЬ8ета - ВОДНЫЙ РАСТВОР БпСЬ»

3.1. Анализ величин произведений растворимости РЬБе и 8п8е

3.2. Анализ произведений растворимости РЬ8е и 8п8е "с учётом комплексообразования в водных растворах

3.3. Расчёт эффективных произведений растворимости РЬ8е и 8п8е с учётом комплексообразования в водных растворах с различным лигандным фоном

3.4. Расчёт изменения свободной эТгерТйй Гйббса ионообменной реакций в системе

«РЬ8етв - водный раствор 8пС12» в растворах с различным лигандным фоном

Выводы

ГЛАВА 4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ИОНООБМЕННОГО ЗАМЕЩЕНИЯ НА МЕЖФАЗНОЙ ГРАНИЦЕ «РЬ8етв - ВОДНЫЙ РАСТВОР 8пС12» В АЦЕТАТНОЙ РЕАКЦИОННОЙ СИСТЕМЕ

4.1. Морфология поверхности, элементный состав и структура плёнок РЬ(8п)8е, полученных из ацетатного раствора соли олова(П) в слабокислой среде

4.2. Исследования плёнок РЬ(8п)8е, полученных из ацетатного раствора соли олова(П) в сильнокислой среде

4.2.1. Влияние температуры на морфологию поверхности, элементный состав и структуру плёнок РЬ(8п)8е, полученных из сильнокислых ацетатных растворов соли олова(П)

4.2.2. Влияние концентрации соли олова(П) на элементный состав и структуру плёнок РЬ(8п)8е, полученных из сильнокислых ацетатных растворов

4.3. Распределение концентрации элементов по глубине плёнок РЬ(8п)8е по данным РФЭС-анализа с послойным ионным травлением

4.3.1. Обзорные РФЭ-спектры поверхности плёнок РЬ(8п)8е, РЬ8е и 8п8е

4.3.2. РФЭС-оценка состава поверхности плёнок РЬ(8п)8е, РЬ8е и 8п8е

4.3.3. Профили распределения элементов по глубине плёнок РЬ(8п)8е

4.4. Расчёт коэффициента диффузии олова в тонкой поликристаллической плёнке РЬ8е при 368 К

4.5. Химические состояния элементов на различной глубине плёнок РЬ(8п)8е по данным РФЭС-анализа

)

4.6. Механизм внедрения олова в плёнку селенида свинца при контакте с водным раствором соли олова(И)

4.7. Исследования фотоэлектрических свойств плёнок Pb(Sn)Se, полученных из

"адёШЖгх растворов солй олова(1Т)

Выводы

ГЛАВА 5. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ИОНООБМЕННОГО ЗАМЕЩЕНИЯ НА МЕЖФАЗНОЙ ГРАНИЦЕ «PbSeTB - ВОДНЫЙ РАСТВОР SnCl2» В ЦИТРАТНОЙ РЕАКЦИОННОЙ СИСТЕМЕ

5.1. Морфология поверхности, элементный состав и структура плёнок Pb(Sn)Se, полученных из цитратного раствора соли олова(И)

5.1.1. Морфология поверхности, элементный состав и структура плёнок Pb(Sn)Se, полученных из цитратного раствора соли олова(П) при комнатной температуре

5.1.2. Структурные исследования плёнок Pb(Sn)Se, полученных из цитратного .раствора соли олова(П) при повышенных температурах

5.2. Распределение концентрации элементов по поверхностным слоям плёнок Pb(Sn)Se по данным РФЭС-анализа с послойным ионным травлением

5.2.1. Обзорные РФЭ-спектры поверхности плёнок Pb(Sn)Se, PbSe и SnSe

5.2.2. РФЭС-оценка состава поверхности плёнок Pb(Sn)Se, PbSe и SnSe

5.2.3. Профили распределения элементов по глубине поверхностных слоёв плёнок Pb(Sn)Se

5.2.4. Химические состояния элементов на поверхности плёнок Pb(Sn)Se

5.3. Химические состояния элементов по глубине и модель поверхности плёнок Pb(Sn)Se по данным РФЭС-анализа

5.3.1. Химические состояния элементов на различной глубине плёнок Pb(Sn)Se по данным РФЭС-анализа

5.3.2. Модель поверхности плёнок Pb(Sn)Se, построенная на основании РФЭС-данных

Выводы

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Физико-химические закономерности получения плёнок твёрдых растворов Pb1-xSnxSe методом ионообменного синтеза»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность работы. Регистрация инфракрасного излучения является основой современного тепловидения. Материалы, чувствительные в ПК-диапазоне спектра, находят широкое применение для изготовления фотоприемных устройств, используемых в металлургии, робототехнике, медицине, экологии, в космической и военной технике. Среди материалов, чувствительных к дальнему ИК-диапазону спектра, особое место занимают твердые растворы замещения на основе халькогенидов металлов. Используемые в настоящее время для этих целей СсУ^^Те и РЬ^п^Те требуют для своего получения сложного технологического оборудования и имеют высокую коммерческую стоимость. Актуальной задачей является создание и разработка технологии синтеза альтернативных им соединений. К числу последних следует отнести твердые растворы замещения в системе РЬ8е-8п8е. Для их получения используются традиционные высокотемпературные методы синтеза, а также активно разрабатываемый метод химического осаждения из водных растворов. Анализ выполненных работ по гидрохимическому синтезу пленок РЬ^Бп^е показывает, что он сопряжен с трудностями, обусловленными высокой устойчивостью гидроксокомплексов олова в водных растворах. Достигнутый на сегодня верхний предел содержания олова в составе РЬ^Бп^е при гидрохимическом осаждении составляет всего -12 ат.%.

В этой связи перспективным и интересным направлением является метод ионообменного синтеза РЬ^п^е путем замещения ионов свинца в кристаллической решетке РЬ8е на ионы олова(П) при выдерживании пленки селенида свинца в специально приготовленном водном растворе соли олова.

К настоящему времени отсутствуют сведения по ионообменному синтезу пленок твердых растворов замещения РЬ^дЗПдЗе. Не продемонстрирована возможность реализации указанного процесса, не определены физико-химические закономерности и условия его проведения, не исследованы структура, состав и функциональные свойства получаемых соединений.

В связи с изложенным, целью диссертационной работы являлось изучение физико-химических закономерностей получения пленок твердых растворов РЬ1_х8пх8е методом ионообменного замещения в системе «РЬ8ета - водный раствор 8пС12», установление взаимосвязей между условиями синтеза, составом, структурой и свойствами.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие экспериментальные и теоретические задачи.

1. Расчетным путем определить термодинамическую вероятность протекания ионообменной реакции в системе «РЬ^етв - водный раствор 8пС12» в реакционных "системах, содержащих в качестве комплексообразующих агентов ацетат, цитрат, тартрат, нитрат, хлорид натрия, трилон Б в зависимости от рН и концентрации лигандов.

2. Провести анализ изменения свободной энергии Гиббса ионообменной реакции на межфазной Транйце «РЬ8ета - "водный раствор 8пС12» с "возможным формированием твердых растворов замещения РЬ^Бп^е в присутствии различных комплексообразующих добавок и выбрать оптимальные условия проведения ионообменного замещения.

3. Методом ионообменного синтеза получить пленки твердых растворов РЬм ^п^е, изучить их состав, структуру и морфологию.

4. Определить коэффициент твердофазной диффузии ионов олова(И) в пленке се-ленида свинца в ходе ионообменного синтеза из водного раствора соли олова.

5. Предложить механизм ионообменного процесса на межфазной границе «РЬ8еТв -водный раствор соли олова(П)».

6. Изучить фотоэлектрические и оценить спектральные характеристики термообра-ботанных пленок РЬ^Бп^е и плёнок РЬ(8п)8е, модифицированных добавкой олова.

Научной новизной обладают следующие результаты диссертационной работы.

1. Расчетом изменения энергии Гиббса оценена термодинамическая вероятность реакции ионообменного замещения в системе "селенид свинца - водный раствор соли олова(П)" с учетом побочных реакций комплексообразования, основанная на расчетах эффективных произведений растворимости РЬ8е и 8п8е.

2. Впервые для целенаправленного получения пленок твердых растворов замещения в халькогенидных системах был применен метод ионообменного синтеза в системе "халькогенид металла М1- водный раствор ионов металла Мп" при температуре до 100 °С.

3. Впервые методом ионообменного синтеза в системе «пленка селенида свинца-водный раствор соли олова(П)» были сформированы пленки твердых растворов замещения РЬ^^п^е с содержанием олова 0 < х < 0,316.

4. Состав, структура, морфология и фотоэлектрические свойства полученных ионообменным синтезом пленок РЬ]_х8пх8е, а также слоев РЬ8е, поверхность которых модифицирована соединениями олова.

5. Экспериментально определена величина кшффицйёнТа таёрдофазной диффузий олова(П) в селениде свинца в процессе ионного обмена из водного раствора, равная при 368 К (4,8 ± 0,5)-10-16 см^/с.

6. Предложен механизм и сформулированы общие физико-химические закономерности рёаЩйй йонообмённоТо замещения на межфазной границе «РЬ8етв - водный раствор соли олова(П)».

Практическая ценность.

1. Продемонстрирована возможность ионообменного синтеза из водных сред пленок твердых растворов замещения РЬ^Бп^е широкого диапазона составов (0<х< 0,316).

2. Определены оптимальные условия ионообменного синтеза (концентрация ком-плексообразующего агента, температура, рН среды) пленок твердых растворов замещения

РЬ^БпдЗе в ацетатной реакционной системе.

3. Экспериментально определен коэффициент диффузии олова(П) в пленке РЬБе (4,8-Ю-16 см2/с при 368 К) в ходе ионообменной реакции на межфазной границе «РЬ8етв - водный раствор соли олова(П)», имеющий справочный характер.

4. Получены фоточувствительные пленки селенида свинца, модифицированные примесью олова, которые могут быть использованы в качестве чувствительных элементов фото детекторов и фотоприемных устройств.

Положения диссертации, выносимые на защиту.

1. Результаты термодинамического расчета вероятности ионообменной реакции в системе «РЬ8ехв - водный раствор соли олова(П)» в зависимости от рН и концентрации различных комплексообразующих агентов.

2. Элементный и фазовый состав, структура, морфология и концентрационные профили распределения элементов по глубине полученных пленок твердых растворов РЬ^^п^е, а также слоев РЬ(8п)8е, поверхность которых модифицирована примесью олова.

3. Взаимосвязь между условиями ионообменного синтеза и свойствами получаемых твердых растворов Pb]_xSnxSe или слоев Pb(Sn)Se, модифицированных примесью олова.

4. Механизм ионообменного синтеза, обешечивающйй формирование Твёрдых растворов замещения Pb^Sn^Se.

Личный вклад автора состоял в постановке задач исследования, планировании экспериментов, непосредственном участии в их проведении, обработке, анализе и обобщений полученного эксперШентальноТо материала по синтезу й изучению свойств изготовленных тонких пленок селенида свинца и твердых растворов замещения на его основе.

Апробация работы. Основные результаты и положения диссертационных исследований докладывались и обсуждались на региональной студенческой научной конференции «Студент и научно-технический прогресс» (Екатеринбург, 2008), VIII Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные ми1фо- и нанотех-нологии» (Кисловодск, 2008), XVII Международной конференции по химической термодинамике в России» (Казань, 2009), IX Международной научной конференции «Химия твердого тела: монокристаллы, наноматериалы, нанотехнологии» (Кисловодск, 2009), Всероссийской конференции «Химия твердого тела и функциональные материалы - 2012» (Екатеринбург, 2012), XI Международной научной конференции «Химия твердого тела: наноматериалы, нанотехнологии» (Ставрополь, 2012), III Международной научной конференции «Наноструктурные материалы 2012 - Россия-Украина-Беларусь» (Санкт-Петербург, 2012).

Публикации. По результатам исследования опубликовано 14 печатных работ, в том числе 1 патент РФ, 5 статей в журналах, рекомендуемых ВАК, 1 статья в научном сборнике, тезисы 7 докладов на конференциях регионального, Всероссийского и Международного уровней.

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав с выводами, общих выводов и библиографического списка, включающего 194 наименования цитируемой литературы. Работа изложена на 157 страницах, содержит 57 рисунков и 7 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Смирнова, Зинаида Игоревна

Выводы

Экспериментальные исследования процессов на межфазной границе «PbSeTB ~~ водный раствор SnCl2» при выдержке тонких пленок PbSe в цитратном растворе хлорида олова(П) позволяют сделать следующие выводы.

1. Выдержка пленок PbSe в цитратном 0,05 M растворе SnCl2 при комнатной температуре 290 К даже в течение трех месяцев не приводит к образованию твердого раствора замещения, что коррелирует с положительной величиной изменения свободной энергии Гиббса ионообменной реакции. Однако при этом наблюдается модификация пленок селенида свинца, выражающаяся во вхождении в их состав олова в количестве менее одного атомного процента, изменении морфологии их поверхности, преимущественной ориентации кристаллитов фазы PbSe в направлении (200), а также немонотонном изменении размеров областей когерентного рассеяния (от ~10 до -40 нм).

2. Образование твердых растворов замещения становится возможным только при повышении температуры до 363 К. Это можно объяснить, во-первых, изменением соот

-}t Л i ношения констант стойкости комплексных соединений ионов РЬ и Sn с цитрат- и гидроксид-ионами, приводящим к сдвигу равновесия изучаемой ионообменной реакции в сторону образования селенида олова. Во-вторых, интенсификацией твердофазной диффузии олова(П) вглубь пленки по второй и третьей стадиям диффузии (зерногранич-ной и внутрикристаллитной), приводящей к ускорению изучаемой реакции. Максимальное достигнутое содержание олова в составе твердых растворов Pb^Sn^Se, полученных путем выдержки пленок селенида свинца в цитратном растворе SnCl2 при 363 К в течение трех часов, составило 2,2 ат. % и 1,9 ат. % для базовых пленок PbSe, синтезированных методом гидрохимического осаждения из цитратно-аммиачной и этилендиамин-ацетатной реакционной систем, соответственно.

3. Рентгеноэлектронный анализ с послойным Аг+-травлением пленок PbSe, выдержанных в 0,05 М цитратном растворе SnCl2 при 353 К в течение трех часов без образования твердого раствора PbixSnxSe показал, что на глубине уже 21 нм от поверхности пленок концентрация олова составляет всего 0,4 ат. %. Эффективной глубиной внедрения олова в пленку можно считать только первые ~4 нм поверхности, где его концентрация равна 5,4 ат. %. Таким образом, наблюдается модификация поверхности пленок PbSe примесью олова, что может оказывать влияние на их фотоэлектрические свойства.

4. На основе данных РФЭС-анализа с послойным ионным травлением предложена качественная модель состава поверхностных слоев пленок PbSe, модифицированных в 0,05 М растворе SnCl2 при 353 К в течение трех часов без образования твердого раствора Pbi^SncSe. В соответствии с моделью, поверхностные слои модифицируются на глубину до ~21 нм за счет вхождения в них олова в виде кислородсодержащих химических соединений. На поверхности материала и в более глубоких слоях олово присутствует в виде оксида со связью Sn-О либо смешанного оксида Pb-Sn-O. Степень окисления олова при переходе от поверхности к более глубоким слоям изменяется. Основным соединением свинца во всех исследованных слоях пленок является PbSe. Дополнительно на поверхности образуется оксид РЬО (либо смешанный оксид Pb-Sn-O) и, возможно, гидрок-сид РЬ(ОН)2. В более глубоких слоях обнаруживается оксид РЬ02, помимо которого возможно присутствие смешанного оксида Pb-Sn-O и гидроксида РЬ(ОН)2. Следует помнить, что химический состав слоев пленки, отличных от поверхностных, может быть обусловлен взаимодействием ионного пучка с материалом в ходе ионного травления.

Таким образом, синтез пленок твердых растворов PbixSn^Se из цитратной реакционной системы возможен, как в случае ацетатной системы, при повышенных температурах. При низких температурах вхождение олова в пленку по сравнению с ацетатной реакционной смесью практически отсутствует. Это согласуется с теоретическими выводами о влиянии соотношения прочностей комплексных соединений олова(П) и свинца(П) на механизм процессов на межфазной границе «PbSeTB - водный раствор SnCl2» и проявляется в препятствии вхождению олова из водного раствора в фазу тонкой пленки PbSe за счет связывания ионов олова(П) в прочные комплексные соединения.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

При выполнении работы был проведен цикл теоретических и экспериментальных исследований по установлению физико-химических закономерностей получения пленок твердых растворов замещения Pbi^SnxSe методом ионообменного синтеза в системе «пленка селенида свинца - водный раствор соли олова(П)». Основные результаты можно обобщить в виде следующих выводов.

1. Впервые продемонстрирована возможность использования реакций ионного обмена на границе «халькогенид металла М1 - водный раствор ионов металла М11» для целенаправленного синтеза плёнок твердых растворов замещения при температурах до 373°К.

2. Впервые методом ионообменного замещения при контакте тонкой пленки PbSe с водным раствором соли олова(П) получены пленки твердых растворов PbixSnxSe с содержанием олова до 31,6 ат. % при синтезе из ацетатной реакционной системы и до 2,2 ат. % при синтезе из цитратной реакционной системы. Твердые растворы Pbi xSnxSe с х = 0,316 получены при синтезе из водных сред впервые в настоящей работе.

3. Рассчитано изменение энергии Гиббса реакции ионообменной трансформации PbSe в SnSe при комнатной температуре с учетом побочных реакций комплексообразо-вания для реакционных систем, содержащих ацетат-, цитрат-, тартрат-, хлорид-, нитрат-ионы или трилон Б. Показано, что вероятность ионообменного процесса с увеличением рН среды и ростом соотношения прочности комплексных соединений, образуемых различными лигандами с ионами Sn2+ и РЬ2+, уменьшается в ряду

С2Н302- > N03~ > СГ ~ ЭДТА > С6Н5073~ > С4Н4062~.

4. Установлено, что процесс накопления олова в пленках PbSe в ходе выдержки в водном растворе SnCl2 значительно ускоряется с повышением температуры, что связано с интенсификацией зернограничной диффузии и преодолением активационного барьера внутрикристаллитной топохимической реакции при образовании твердых растворов замещения Pbi-jSn^Se. Синтез твердых растворов Pb,xSnxSe в ацетатной реакционной системе возможен при температурах не ниже 358 К, в цитратной реакционной системе-при температурах не ниже 363 К.

5. По концентрационным профилям распределения элементов по толщине пленок установлено, что эффективная глубина внедрения олова в пленку PbSe при выдержке в ацетатном растворе соли олова(П) в течение 9 часов при 368 К составляет более 210 нм.

1 /г л

Значение коэффициента диффузии олова при этом й = (4,8 ± 0,5)-10 см /с. Эффективная глубина внедрения олова в пленку РЬ8е при выдержке в течение 3 часов при 353 К в цитратном растворе соли олова(П) не превышает 3 нм.

6. Предложен механизм ионообменного синтеза пленок твердых растворов РЬ^^п^е, основанный на представлении о трехстадийности диффузии в тонких поликристаллических пленках: сорбция на поверхности, диффузия по границам зерен пленки и диффузия внутрь зерен. Отличие предложенной модели от традиционной состоит в том, что на фронте протекания внутрикристаллитной топохимической реакции формируется не узкая, а относительно широкая реакционная зона, внутри которой происходит образование твердых растворов замещения на основе селенида свинца. Это расширяет господствующие представления о топохимических процессах в твердых телах.

7. После выдержки пленок РЬ8е в ацетатном растворе соли олова(П) с последующей термообработкой на воздухе при 673 К получены слои с высокой величиной фотоответа. С увеличением длительности выдержки в растворе 8пС12 до 9 часов доля сигнала фотоответа пленок за фильтром 4,5 мкм возрастала примерно в 5 раз по сравнению с индивидуальным РЬ8е. Полученные пленки могут быть использованы в качестве чувствительных элементов фотодетекторов и фотоприемных устройств в более длинноволновой области ИК-спектра по сравнению с индивидуальным селенидом свинца.

Физико-химические закономерности ионообменного синтеза пленок твердых растворов РЬ^^ПдЗе, установленные в настоящей работе, могут быть использованы для получения методом ионного обмена тонкопленочных твердых растворов замещения в системах на основе других халькогенидов металлов.

Выражаю искреннюю признательность и благодарность своему научному руководителю, д.х.н., профессору Маскаевой Л.Н., а также д.х.н., профессору Маркову В.Ф.

Благодарю сотрудников Института химии твердого тела, Института физики металлов и Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН за помощь в проведении анализов синтезированных материалов и интерпретации полученных результатов.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Смирнова, Зинаида Игоревна, 2013 год

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Равич, Ю. И. Методы исследования полупроводников в применении к халькоге-нидам свинца PbTe, PbSe и PbS / Ю. И. Равич, Б. А. Ефимова, И. А. Смирнов. - М.: Наука, 1968. - 384 с.

2. Шелимова, JI. Е. Диаграммы состояния в полупроводниковом материаловедении. Системы на основе халькогенидов Si, Ge, Sn, Pb / Jl. E. Шелимова, В. Н. Томашик, В. И. Грыцив. - М.: Наука, 1991.-368 с.

3. Мосс, Т. Полупроводниковая оптоэлектроника/ Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. -М.: Мир, 1976.-431 с.

4. Абрикосов, Н. X. Полупроводниковые материалы на основе соединений AIVBVI / Н. X. Абрикосов, JI. Е. Шелимова. - М.: Наука, 1975. - 195 с.

5. Палатник, J1. С. Рентгенографическое исследование сплавов Sn-Se, Zn-Se, Cd-Se и Ag-Se / Л. С. Палатник // ДАН СССР. - 1954. - Т. 96. - № 5. - С. 975-978.

6. Wyckoff, R. W. G. Crystal Structures / R. W. G. Wyckoff. - 2nd edition. - New York: Interscience Publishers, 1963. - V. 1. - P. 85-237.

7. Mathews, N. R. Electrodeposited tin selenide thin films for photovoltaic applications / N.R. Mathews // Solar Energy. - 2012. - V. 86. - P. 1010-1016.

8. Noda, Y. Charge distribution and atomic thermal vibration in lead chalcogenide crystals/ Y.Noda, S. Ohba, S.Sato, Y. Saito// Acta Crystallographica В.- 1983.- V. 39.-P. 312-317.

9. Ramsdell, L. S. The crystal structure of some metallic sulfides / American Mineralogist. - 1925. - V. 10. - P. 281-304.

10. Керимов, Я. К. Свойства образцов в системе PbSe-GeSe/ Я.К.Керимов, Ю. В. Андреев, Е. Н. Лаверко, Н. И. Будим // Изв. АН СССР: Сер. Неорганические материалы. - 1986. - Т. 22 - № 11. - С. 1584-1587.

11. Варянко, В. Г. Об образовании твердых растворов в системах PbSe-MnSe и PbSe-HgSe / В. Г. Варянко, В. П. Зломанов, А. В. Новоселова // Изв. АН СССР: Сер. Неорганические материалы. - 1967. - Т. 3 - № 7. - С. 1127-1128.

12. Chattopadhyay, Т. К. High pressure X-ray diffraction study on the structural phase transitions in PbS, PbSe and PbTe with synchrotron radiation / Т. K. Chattopadhyay, H. G. von

Schnering, W. Grosshans, W.B.Holzapfel// Physica В and С (Netherland).- 1986.-V. 139. -P. 356-360.

13. Okazaki, A. The crystal structure of stannous selenide SnSe / A. Okazaki, I. Ueda// Journal of the Physical Society of Japan. - 1956. - № 11. - P. 470.

14. Wiedemeier, H. Refinement of the structures of GeS, GeSe, SnS, and SnSe/ H. Wiedemeier, H. G. von Schnering// Zeitschrift fuer Kristallographie. 1978.- V. 148.-P. 295-303.

15. Макаров, E. С. Изоморфизм атомов в кристаллах/ Е.С.Макаров. -М.: Атомиздат, 1973. - 288 с.

16. Угай, Я. А. Общая и неорганическая химия: учебник для ВУЗов / Я. А. Угай. -2-е изд., испр. - М.: Высшая школа, 2000. - 527 с.

17. Krebs, Н. Über struktur und eigenschaften der halbmetalle. XIV. Mischkristallsysteme zwischen halbleitenden chalkogeniden der vierten hauptgruppe / H. Krebs, K. Grün, D. Kallen // Z. Anorg. und Allg. Chem. - 1961. - V. 312. - № 5-6. -P. 307-313.

18. Szczerbakow, A. Investigation of the composition of vapor-grown Pb^Sn^Se crystals (x<0,4) by means of lattice parameter measurements / A. Szczerbakow, H. Berger // J. Cryst. Growth. - 1994. - V. 139. - № 1-2. - P. 172-178.

19. Strauss, A.J. Inversion of conduction and valence bands in Pb^Sn^Se alloys/

A. J. Strauss // Physical Review. - 1967. - V. 157. - № 3. - P. 608-611.

20. Аут, И. Фотоэлектрические явления / И. Аут, Д. Генцов, К. Герман. - М.: Мир, 1980.-208 с.

21. Смит, Р. Полупроводники / Р. Смит. - М.: Мир, 1982. - 560 с.

22. Mukherjee, S. Lead salt thin film semiconductors for microelectronic applications / S. Mukheijee, D. Li, A. Gautam, J. P. Kar, Z. Shi. - Trivandrum: Transworld Research Network, 2010. - 88 p.

23. Rogalski, A. Infrared detectors: status and trends (Review) / A. Rogalski // Progress in Quantum Electronics. - 2003. -V. 27. - 59-210.

24. Буткевич, В. Г. Фотоприемники и фотоприёмные устройства на основе поликристаллических и эпитаксиальных слоев халькогенидов свинца / В. Г. Буткевич,

B. Д. Бочков, Е. Р. Глобус // Прикладная физика. - 2001. - № 6. - С. 66-112.

25. Бочков, В. Д. Матричное фотоприёмное устройство на основе селенида свинца [Электронный ресурс] / В. Д. Бочков, Б. Н. Дражников, Г. А. Казанцев,

Э. И. Кафтаненко, М. JI. Храпунов // Прикладная физика. - 1999. - № 2. - Режим доступа: http://www.vimi.ru.

26. Казанцев, Г. А. Фоточувствительные слои PbSe со смещенной длинноволновой границей фоточувствительности [Электронный ресурс] / Г. А. Казанцев, Ю. А. Глебов, В. Г. Буткевич, Н. Ю. Зверева, Т. А. Камышина, Т. А. Стрельникова // Прикладная физика. - 1999. - № 2. - Режим доступа: http://www.vimi.ru.

27. Бочков, В. Д. Схемотехника многоэлементных фотоприёмных устройств на основе халькогенидов свинца [Электронный ресурс] / В. Д. Бочков, И. И. Воропаев, М. J1. Храпунов// Прикладная физика.- 1999.- №2.- Режим доступа: http://www.vimi.ru.

28. Буткевич, В. Г. Фотоприемники на основе халькогенидов свинца: состояние работ в ГУП «НПО "Орион"» и перспективы развития [Электронный ресурс] / В. Г. Буткевич, Е. Р. Глобус, Г. А. Казанцев, Ю. П. Бутров, JI. Я. Лебедева // Прикладная физика. - 1999. - № 2. - Режим доступа: http://www.vimi.ru.

29. Горбунов, Н. Новые октроны для спектрально-аналитической аппаратуры [Электронный ресурс] / Н. Горбунов, С. Варфоломеев, JI. Дийков, Ф. Медведев// Компоненты и технологии. - 2004. - № 6. - Режим доступа: http://www.kit-e.ru.

30. Zogg, Н. Lead chalcogenide on silicon infrared focal plane arrays for thermal imaging/ H.Zogg, K. Alchalabi, D.Zimin// Appl. Phys. Lett.- 2001.- V. 51.- №1.-P. 53-65.

31. Zogg, H. Pbl jcSnxSe-on-Si LW1R sensor arrays and thermal imaging with JFET/CMOS read-out/ H.Zogg, A.Fach, J.John, J. Masek, P. Muller, C. Paglino, W. Buttler // Journal of Electronic Materials. - 1996. - V. 25. - № 8. - P. 1366-1370.

32. Taylor, S. E. On time delays in lead salt semiconductor diode lasers/ S. E. Taylor// Appl. Phys. A. - 1986. - V. 39. - № 9. - P. 91-94.

33. König, J. Structural and thermoelectric properties of undoped IV-VI epitaxial films alloyed with tin [Электронный ресурс] / J. König, J. Nurnus, R. Glatthaar, H. Böttner, A. Lambrecht // Proceedings of 2nd European Conference on Thermoelectrics of European Thermoelectric Society (Krakow, 15-17 September 2004).- Режим доступа: http://galaxy.uci.agh.edu.pl/~ets2004/proceedings/proceedings.htm.

34. Томаев, В. В. Эллипсометрический контроль параметров пленок селенида свинца при окислении / В. В. Томаев, М. Ф. Панов // Физика и химия стекла. - 2006. -Т. 32.-№3.-С. 511-515.

35. Голубченко, Н. В. Фоточувствительные структуры на основе поликристаллических слоев селенида свинца / Н. В. Голубченко, М. А. Иошт, В. А. Мошников, Д. Б. Чеснокова // Перспективные материалы. - 2005. - № 3. - С. 31-35.

36. Radovsky, G. Poly crystalline PbSe on a polyimide substrate / G. Radovsky, Z. Dashevsky, V. Kasiyan, M. Auslender, S. Hava // Journal of Alloys and Compounds. -2010.-V. 501.-P. 61-13.

37. Khan, S. A. Structural, optical and electrical properties of cadmium-doped lead chal-cogenide (PbSe) thin films / S. A. Khan, Z. H. Khan, A. A. El-Sebaii, F. M. Al-Marzouki, A. A. Al-Ghamdi // Physica B. - 2010. - V. 405. - P. 3384-3390.

38. El-Shazly, E. A. A. Determination and analysis of optical constants for thermally evaporated PbSe thin films / E. A. A. El-Shazly, I. T. Zedan, K. F. Abd El-Rahman // Vacuum. - 2011. - V. 86. - P. 318-323.

39. Shyju, T. S. Investigation on structural, optical, morphological and electrical properties of thermally deposited lead selenide (PbSe) nanocrystalline thin films / T. S. Shyju, S. Anandhi, R. Sivakumar, S. K. Garg, R. Gopalakrishnan // Journal of Crystal Growth. 2012. - V. 353.-P. 47-54.

40. Arivazhagan, V. Impact of thickness on vacuum deposited PbSe thin films/ V. Arivazhagan, M. M. Parvathi, S. Rajesh // Vacuum. - 2012. - V. 86. - P. 1092-1096.

41. Al-Ghamdi, A. A. Structural, optical and electrical characterization of Ag doped lead chalcogenide (PbSe) thin films / A. A. Al-Ghamdi, S. Al-Heniti, S. A. Khan // Journal of Luminescence. - 2013. - V. 135. - P. 295-300.

42. Ai-Ling, Y. Raman scattering study of PbSe grown on (111) BaF2 substrate / Y. AiLing, W. Hui-Zhen, L. Zhi-Feng, Q. Dong-Jiang, C. Yong, L. Jian-Feng, P. J. McCann, X. M. Fang // Chinese Phys. Lett. - 2000. - V. 17. - № 8. - P. 606-608.

43. Wu, H. F. Scanning tunneling microscopy study of epitaxial growth of PbSe thin film on BaF2(l 11) / H.F. Wu, H.J.Zhang, Y. H. Lu, T. N. Xu, J. X. Si, H.Y.Li, S.N.Bao, H. Z. Wu, P. He // Journal of Crystal Growth. - 2006. - V. 294. - P. 179-183.

44. Xu, Т. N. Observation of triangle pits in PbSe grown by molecular beam epitaxy / T.N. Xu, H.Z. Wu, J. X. Si, C. F. Cao// Applied Surface Science.- 2007.- V.253.-P. 5457-5461.

45. Zhao, F. MBE growth of PbSe thin film with a 9 x 105 cm"2 etch-pits density on patterned (lll)-oriented Si substrate / F. Zhao, J. Ma, B. Weng, D. Li, G. Bi, A. Chen, J. Xu, Z. Shi // Journal of Crystal Growth. - 2010. - V. 312. - P. 2695-2698.

46. Mukheijee, S. CaF2 surface passivation of lead selenide grown on BaF2/ S. Mukheijee, D. Li, G. Bi, J. Ma, S. L. Elizondo, A. Gautam, Z. Shi // Microelectronic Engineering. - 2011. - V. 88. - P. 314-317.

47. Li, D. A new in-situ surface treatment during MBE-grown PbSe on CaF2/Si(l 11) het-erostructure / D. Li J. Ma, S. Mukherjee, G. Bi, F. Zhao, S. L. Elizondo, Z. Shi // Journal of Crystal Growth. - 2009. - V. 311. - P. 3395-3398.

48. Гаврикова, Т. А. Электрические и фотоэлектрические свойства анизотропного гетероперехода Pbo,93Sno,o7Se/PbSe / Т. А. Гаврикова, В. А. Зыков // ФТП. - 1997. -Т. 31.-№ 11.-С. 1342-1346.

49. Khokhlov, D. Lead chalcogenides: physics & applications / Ed. D. Khokhlov. - New York: Taylor & Francis, 2003. - 697 p.

50. Rumianowski, R. T. Growth of PbSe thin films on Si substrates by pulsed laser deposition method / R. T. Rumianowski, R. S. Dygdala, W. Jung, W. Bala // Journal of Crystal Growth. - 2003. - V. 252. - P. 230-235.

51. Ma, D. W. Preparations and characterizations of polycrystalline PbSe thin films by a thermal reduction method / D. W. Ma, C. Cheng // Journal of Alloys and Compounds. -2011. - V. 509. - P. 6595-6598.

52. Марков, В. Ф. Гидрохимическое осаждение пленок сульфидов металлов: моделирование и эксперимент / В. Ф. Марков, Jl. Н. Маскаева, П. Н. Иванов. - Екатеринбург: УрО РАН, 2006.-217 с.

53. Saloniemi, Н. Electrodeposition of PbS, PbSe and PbTe thin films / H. Saloniemi. -Espoo: Technical research centre of Finland, 2000. - 135 p.

54. Ivanou, D. K. Electrochemical deposition of nanocrystalline PbSe layers onto p-Si (100) wafers/ D. K. Ivanou, E. A. Streltsov, A. K. Fedotov, A. V. Mazanik// Thin Solid Films. - 2005. - V. 487. - P. 49-53.

55. Ivanova, Yu. A. Electrodeposition of PbSe onto n-Si(l 0 0) wafers / Yu. A. Ivanova, D. K. Ivanou, E. A. Streltsov // Electrochimica Acta. - 2008. - V. 53. - P. 5051-5057.

56. Семенов В. H. Моделирование процессов формирования полупроводниковых слоев из координационных соединений / В. Н. Семенов, Н. М. Овечкина// Конденсированные среды и межфазные границы. - 2007. - Т. 9. - № 3. - С. 261-262.

57. Фофанов, Г. М. Анализ условий осаждения селенидов металлов из водных растворов селеносульфатом натрия / Г. М. Фофанов, Г. А. Китаев // Журнал неорганической химии. - 1969. - Т. 14. - № 2. - С. 616-620.

58. Лундин, А. Б. К вопросу о механизме осаждения тонких пленок селенида свинца/ А. Б. Лундин, Г. А. Китаев// Неорганические материалы. - 1965.- Т. 1.- №12. -С. 2102-2106.

59. Лундин, А. Б. Кинетика осаждения тонких пленок селенида свинца/ А. Б. Лундин, Г. А. Китаев// Неорганические материалы.- 1965.- Т. 1.- №12.-С. 2107-2112.

60. Китаев, Г. А. Химический способ осаждения тонких пленок селенида свинца / Г. А. Китаев, А. Б. Лундин, С. Г. Мокрушин // Изв. ВУЗов СССР. Химия и химическая технология. - 1966. - № 4. - С. 574-576.

61. Китаев, Г. А. Кинетика процесса образования селенида свинца в водных растворах селеносульфата натрия / Г. А. Китаев, А. Ж. Хворенкова // Журнал прикладной химии. - 1999. - Т. 72. - № 9. - С. 1440-1443.

62. Hankare, P. P. Synthesis and characterization of chemically deposited lead selenide thin films/ P. P. Hankare, S. D. Delekar, V. M. Bhuse, К. M. Garadkar, S. D. Sabane, L. V. Gavali // Materials Chemistry and Physics. - 2003. - V. 82. - P. 505-508.

63. Kale, R. B. Room temperature chemical synthesis of lead selenide thin films with preferred orientation / R. B. Kale, S. D. Sartale, V. Ganesan, C. D. Lokhande, Y.-F. Lin, S.-Y. Lu // Applied surface science. - 2006. - V. 253. - № 2. - P. 930-936.

64. Osherov, A. Epitaxy and orientation control in chemical solution deposited PbS and PbSe monocrystalline films / A. Osherov, M. Shandalov, V. Ezersky, Y. Golan // Journal of Crystal Growth. - 2007. - V. 304. - P. 169-178.

65. Barrios-Salgado, E. Chemically deposited thin films of PbSe as an absorber component in solar cell structures / E. Barrios-Salgado, M. T. S. Nair, P. K. Nair, R. A. Zíngaro // Thin Solid Films. - 2011. - V. 519. - P. 7432-7437.

66. Rao, T. S. Photoconductive relaxation studies of SnSe thin films / T. S. Rao, A. K. Chaudhuri // Bull. Mater. Sci. - 1996. - V. 19. - № 3. - P. 449-453.

67. Padiyan, D. P. Electrical and photoelectrical properties of vacuum deposited SnSe thin films / D. P. Padiyan, A. Marikani, K. R. Murali // Cryst. Res. Technol. - 2000. - V. 35. -№8.-P. 949-957.

68. Zainal, Z. Tin selenide films prepared through combination of chemical precipitation and vacuum evaporation technique / Z. Zainal, S. Nagalingam, A. Kassim, M. Z. Hussein, W. M. M. Yunus // Materials Science. - 2003. - V. 21. - № 2. - P. 225-233.

69. Sarma, J. Preparation and characterization of SnSe nanocrystalline thin films /J. Sarma, G. Singh, A. Thakur, G. S. S. Saini, N. Goyal, S. K. Tripathi // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. - 2005. -V. 7. - № 4. - P. 2085-2094.

70. Passeri, D. Atomic force acoustic microscopy characterization of nanostructured selenium-tin thin films / D. Passeri, M. Rossi, A. Alippi, A. Bettucci, D. Manno, A. Serra, E. Filippo, M. Lucci, I. Davoli // Superlattices and Microstructures. - 2008. - V. 44. -P. 641-649.

71. Indirajith, R. Synthesis, deposition and characterization of tin selenide thin films by thermal evaporation technique / R. Indirajith, T. P. Srinivasan, K. Ramamurthi, R. Gopalakrishnan // Current Applied Physics. - 2010. - V. 10. - P. 1402-1406.

72. Chandra, G. H. Preparation and characterization of flash evaporated tin selenide thin films / G. H. Chandra, J. N. Kumar, N. M. Rao, S. Uthanna // Journal of Crystal Growth. -2007. - V. 306. - № 1. - P. 68-74.

73. Boscher, N. D. Atmospheric pressure chemical vapour deposition of SnSe and SnSe2 thin films on glass / N. D. Boscher, C. J. Carmalt, R. G. Palgrave, I. P. Parkin // Thin Solid Films. - 2008. - V. 516. - P. 4750-4757.

74. Bi?er, M. Electrodeposition and growth mechanism of SnSe thin films / M. Bifer, i. §i§man // Applied Surface Science. - 2011. - V. 257. - P. 2944-2949.

75. Zainal, Z. Electrodeposition of tin selenide thin film semiconductor: effect of the electrolytes concentration on the film properties / Z. Zainal, A. J. Ali, A. Kassim, M. Z. Hussein // Solar Energy Materials and Solar Cells. - 2003. - V. 79. - № 2. - P. 125-132.

76. Mariappan, R. Growth and characterization of SnSe thin films prepared by spray py-rolysis technique / R. Mariappan, M. Ragavendar, G. Gowrisankar // Chalcogenide Letters. -2010.-V. 7. -№3.~ P. 211-216.

77. Zainal, Z. Chemical bath deposition of tin selenide thin films / Z. Zainal, N. Saravanan, K. Anuar, M. Z. Hussein, W. M. M. Yunus // Materials Science and Engineering. - 2004. - V. B107. - P. 181-185.

78. Pejova, B. Chemical synthesis, structural and optical properties of quantum sized semiconducting tin(II) selenide in thin film form / B. Pejova, I. Grozdanov // Thin Solid Films. - 2007. - V. 515. - P. 5203-5211.

79. Третьякова, H. А. Гидрохимическое осаждение, состав и морфология пленок селенида олова (II) / Н. А. Третьякова, В. Ф. Марков, JL Н. Маскаева, М. П. Миронов,

B. Ф. Дьяков // Химия и химическая технология. - 2008. - Т. 51. - № 7. - С. 37-40.

80. Subramanian, В. Brush plating of tin(II) selenide thin films / B. Subramanian,

C. Sanjeeviraja, M. Jayachandran // Journal of Crystal Growth. - 2002. - V. 234. - P. 421-426.

81. Салаев, Э. Ю. Особенности роста и электрофизические свойства эпитаксиаль-ных пленок Pbi xSn^SeJn [Электронный ресурс] / Э. Ю. Салаев, И. Р. Нуриев, X. Д. Джалилова, Н. В. Фараджев // Прикладная физика. - 1999. - № 3. - Режим доступа: http://www.vimi.ru.

82. Li, С. P. Strain relaxation in PbSnSe and PbSe/PbSnSe layers grown by liquid-phase epitaxy on (lOO)-oriented silicon/ C.P.Li, P. J. McCann, X. M. Fang// Journal of crystal growth. - 2000. - V. 208. - № 1-4. - P. 423-430.

83. Шотов, А. П. Гетеролазеры PbS/PbSSe/PbSnSe с квантовым размерным эффектом в активной области / А. П. Шотов, Ю. Г. Селиванов // Письма в ЖЭТФ. - 1987. -Т. 45. -№ 1. - С. 5-7.

84. Charar, S. Optical properties of Pbt xSnxSe thin layers grown by HWE / S. Charar, A. Obadi, C. Fau, M. Averous, V. D. Ribes, S. Dal Corso, B. Liautard, J. C. Tedenac, S. Brunet // International Journal of Infrared and Millimeter Waves. - 1996. - V. 17. - № 2 -P. 365-374.

85. Gad, S. Optical and photoconductive properties of Pbo.9Sno.1Se nano-structured thin films deposited by thermal vacuum evaporation and pulsed laser deposition / S. Gad, M. A. Rafea, Y. Badr // Journal of Alloys and Compounds. - 2012. - V. 515. - P. 101-107.

86. Lin, S. Nanoscale semiconductor Pb^Sn^Se (x = 0.2) thin films synthesized by electrochemical atomic layer deposition / S. Lin, X. Zhang, X. Shi, J. Wei, D. Lu, Y Zhang, H. Kou, C. Wang // Applied Surface Science. - 2011. - V. 257. - P. 5803-5807.

87. Третьякова, Н. А. Гидрохимический синтез, состав, структура, морфология и свойства пленок PbSe, SnSe, Pbi_xSnxSe : дис. ... канд. хим. наук : 02.00.04 / Третьякова Наталья Александровна. - Екатеринбург, 2006. - 164 с.

88. Markov, V. F. Hydrochemical synthesis, structure, semiconductor properties of films of substitutional Pbt_xSnxSe solid solutions / V. F. Markov, N. A. Tretyakova, L. N. Maskaeva, V. M.Bakanov, H. N. Mukhamedzyanov// Thin Solid Films.- 2012.- V. 520.-P. 5227-5231.

89. Марков, В. Ф. Получение твердых растворов замещения в системе свинец-олово-селен соосаждением из водных растворов / В. Ф. Марков, JI. Н. Маскаева, JI. Д. Лошкарева, С. Н. Уймин, Г. А. Китаев// Неорганические материалы.- 1997. — Т. 33.-№6.-С. 665-668.

90. Миронов, М. П. Исследование структуры, морфологии, элементного и фазового состава химически осажденных пленок PbSe, SnSe и сэндвич-структур на их основе / М. П. Миронов, А. Ю. Кирсанов, В. Ф. Дьяков, Л. Н. Маскаева, В. Ф. Марков // Бутле-ровские сообщения. - 2010. - Т. 19. - № 3. - С. 45-53.

91. Марков, В. Ф. Низкотемпературные исследования химически осажденных пленок твердых растворов замещения на основе селенидов свинца и олова(П) / В. Ф. Марков, Л. Н. Маскаева, X. Н. Мухамедзянов, 3. И. Смирнова // Физика и техника полупроводников.-2011.-Т. 45.-№ 11.-С. 1459-1463.

92. Ионообменные методы очистки веществ: пособие для ВУЗов / под ред. Г. А. Чикина, О. Н. Мягкого. - Воронеж: ВГУ, 1984. - 372 с.

93. Гребенюк, В. Д. Обессоливание воды ионитами / В. Д. Гребенюк, А. А. Мазо. -М.: Химия, 1980. - 256 с.

94. Мархол, М. Ионообменники в аналитической химии: в 2 ч. / М. Мархол. - М.: Мир, 1985.

95. Шпигун, О. А. Ионная хроматография и ее применение в анализе вод/ О. А. Шпигун, Ю. А. Золотов. - М.: Изд-во МГУ, 1990. - 199 с.

96. Бетенеков, Н. Д. Радиохимическое исследование халькогенидных пленок. IV. Концентрирование тяжелых металлов из геотермальных вод тонкослойными сульфидными сорбентами / Н. Д. Бетенеков, А. Н. Губанова, Ю. Т. Чубурков // Радиохимия. -1981.-Т. 23.-№ 1,-С. 21-29.

97. Сулейманова, Н. А. Радиохимическое исследование халькогенидных пленок. V. Исследование сорбции палладия пленками сульфида меди / Н. А. Сулейманова, Н. Д. Бетенеков, Г. А. Китаев // Радиохимия. - 1981. - Т. 23. - № 1. - С. 30-32.

98. Бетенеков, Н. Д. Радиохимическое исследование халькогенидных пленок. VI. Синтез и физико-химические свойства тонкослойных сорбентов на основе сульфида свинца / Н. Д. Бетенеков, Е. Г. Ипатова, Ю. В. Егоров // Радиохимия. - 1982. - Т. 24. -№ 3. - С. 363-368.

99. Бетенеков, Н. Д. Радиохимическое исследование халькогенидных пленок. X. О сорбции кобальта тонкослойным сульфидом цинка из карбонатсодержащих растворов / Н. Д. Бетенеков, В. В. Кафтайлов, Е. И. Денисов, Ю. В. Егоров, А. Н. Губанова, В. Д. Пузако // Радиохимия. - 1986. - Т. 28. - № 5. - С. 599-603.

100. Поляков, Е. В. Химия сорбции 110Ag сульфидом никеля в системе NaN03-NaCl-Na2S-HCl—Н20 / Е. В. Поляков // Радиохимия. - 1993. - Т. 35. - № 1. - С. 90-97.

101. Music, S. Sorption of small amounts of silver(I) on lead sulfide / S. Music // Isopo-tenpraxis. - 1985. - V. 21. - № 4. - P. 143-146.

102. Зильберман, M. В. Механизмы массопереноса в сорбционных процессах, сопровождающихся образованием новых кристаллических фаз / М. В. Зильберман, В. В. Вольхин, Н. Ф. Калинин // Коллоидный журнал. - 1978. - Т. 40. - № 5. - С. 982985.

103. Олыпанова, К. М. Руководство по ионообменной, распределительной и осадочной хроматографии / К. М. Олыпанова, М. А. Потапова, В. Д. Копылова, Н. М. Морозова. - М.: Химия, 1965. - 200 с.

104. Алесковский, В. Б. Стехиометрия и синтез твердых соединений/

B. Б. Алесковский. - М.: Наука, 1976. - 142 с.

105. Глистенко, Н. И. Исследование реакций обмена при синтезе сульфидов в гетерогенной среде / Н. И. Глистенко // Тр. хим. факультета Воронеж, ун-та. - 1953. - Т.32. -

C. 79-85.

106. Вольхин, В. В. Кинетика и равновесие гетерогенных ионообменных реакций / В. В. Вольхин, Б. И. Львович // Кинетика и катализ. - 1970. - Т. 11. - С. 1337-1340.

107. Вольхин, В. В. О гетерогенных ионообменных реакциях/ В. В. Вольхин, Б. И. Львович // Журнал физической химии. - 1975. - Т. 49 - № 6. - С. 1512-1515.

108. Стромберг, А. Г. Физическая химия: учебник для хим. спец. ВУЗов/ А. Г. Стромберг, Д. П. Семченко; под ред. А. Г. Стромберга. - 4-е изд., испр. -М.: Высшая школа, 2001. - 527 с.

109. Луке, Г. Экспериментальные методы неорганической химии/ Г. Луке. -М.: Мир, 1965.-658 с.

110. Вольхин, В. В. Взаимодействие в системах NiS-CdS04-H20 и NiS-CdS04-H2S04-H20 / В. В. Вольхин, Б. И. Львович // Журнал неорганической химии. - 1968. -Т. 13-№7.-С. 1992-1997.

111. Вольхин, В. В. Роль жидкой фазы в сорбционных процессах с участием неорганических сорбентов / В. В. Вольхин, Т. С. Соколова, Е. А. Шульга // Журнал прикладной химии. - 1979. - Т. 52. - № 3. -С. 529-532.

112. Лурье, Ю. Ю. Справочник по аналитической химии / Ю. Ю. Лурье. - 6-е изд., перераб. и доп. - М.: Химия, 1989. - 448 с.

113. Юсупов, Р. А. Глубокий ионный обмен в металлосульфидных имплантантах/ Р. А. Юсупов, О. В. Михайлов. - Казань: Фэн, 2004. - 220 с.

114. Бокштейн, Б. С. Диффузия атомов и ионов в твердых телах / Б. С. Бокпггейн, А. Б. Ярославцев. - М.: МИСИС, 2005. - 362 с.

115. Тонкие пленки: взаимная диффузия и реакции / под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера. - М.: Мир. - 1982. - 576 с.

116. Юсупов, Р. А. Расчет параметров трехстадийной диффузии ионов металлов в тонких поликристаллических пленках/ Р.А.Юсупов, В. С. Цивунин, Н. Н. Умарова, Р. Ф. Абзалов // Журнал физической химии. - 1997. - Т. 71. - № 3. - С. 539-541.

117. Абзалов, Р. Ф. Диффузия ионов металлов в поликристаллических пленках сульфидов металлов и процессы их формирования из щелочных растворов тиоамидов : автореф. дис. ... канд. хим. наук: 02.00.04/ Абзалов Равиль Фаритович.- Казань, 1999.-18 с.

118. Гафаров, М. Р. Сорбция ионов металлов агар-иммобилизованными металло-сульфидами / М. Р. Гафаров, О. В. Михайлов, Р. А. Юсупов // Химическая технология. -2002. - Т. 4. - № 4. - С. 37-40.

119. Юсупов, Р. А. Ионный обмен при контакте фаз водный раствор электролита -наноструктурированная агар-иммобилизованная металлосульфидная матрица /

Р. А. Юсупов, M. P. Гафаров, О. В. Михайлов // Журнал физической химии. - 2003. -Т. 77.-№ 11.-С. 2030-2035.

120. Умарова, Н. Н. Влияние комплексообразующих агентов на ионный обмен Ag(I)/Pb(II) в тонких поликристаллических пленках PbS / Н. Н. Умарова, Н. И. Мовчан, Р. А. Юсупов, В. Ф. Сопин // Журнал физической химии. - 2002. - Т. 76. - № 8. -С. 1485-1488.

121. Юсупов, Р. А. Расчет констант диффузии серебра(1) в тонких пленках сульфида свинца в процессе ионного обмена / Р. А. Юсупов, В. С. Цивунин, Н. Н. Умарова, Н. И. Мовчан // Журнал физической химии. - 1990. - Т. 64. - № 12. - С. 3312-3315.

122. Умарова, Н. Н. Расчет коэффициента диффузии при ионном обмене Pb(II)/Ag(I) на тонкопленочном сорбенте PbS / Н. Н. Умарова, Н. И. Мовчан, Р. А. Юсупов, В. Ф. Сопин // Журнал физической химии. - 2000. - Т. 74. - № 9. -С. 1707-1709.

123. Умарова, Н. Н. Кинетика и механизм ионного обмена Ag(I)/Pb(II) в поликристаллических пленках сульфида свинца и влияние на него комплексообразующих агентов : автореф. дис. ... канд. хим. наук : 02.00.04 / Умарова Наиля Нуриевна. - Казань, 2000. -18 с.

124. Hodes, G. Chemical Solution Deposition of Semiconductor Films / G. Hodes. -New York: Marcel Dekker, 2002. - 382 c.

125. Pfisterer, F. The wet-topotaxial process of junction formation and surface treatments of Cu2S-CdS thin-film solar cells / F. Pfisterer // Thin Solid Films. - 2003. - V. 431-432. -P. 470-476.

126. Sam, M. Growth of Cu2S/CdS nano-layered photovoltaic junctions for solar cell applications / M. Sam, M. R. Bayati, M. Mojtahedi, K. Janghorban // Applied Surface Science. -2010. - V. 257. - P. 1449-1453.

127. Taur, V. S. Effect of annealing on photovoltaic characteristics of nanostructured p-Cu2S/n-CdS thin film / V. S. Taur, R. A. Joshi, A. V. Ghule, R. Sharma // Renewable Energy. - 2012. - V. 38. - P. 219-223.

128. Ristova, M. Silver doping of thin CdS films by an ion exchange process/ M. Ristova, M. Ristov, P. Tosev, M. Mitreski// Thin Solid Films.- 1998.- V. 315.-P. 301-304.

129. Karanjai, M. К. Photoconductive properties of dip-deposited CdS:Cu,Cl thin films sensitised in situ / M. K. Karanjai, D. Dasgupta// J. Phys. D: Appl. Phys. - 1988. - V. 21. -P. 1769-1772.

130. Nair, M. T. S. Conversion of chemically deposited photosensitive CdS thin films to и-type by air annealing and ion exchange reaction / M. T. S. Nair, P. K. Nair, R. A. Zingaro, E. A. Meyers // J. Appl. Phys. - 1994. - V. 75. - № 3. - P. 1557-1564.

131. Estrada, C. A. Modification of chemically deposited ZnSe thin films by ion exchange with copper ions in solution / C. A. Estrada, R. A. Zingaro, E. A. Meyers // Thin Solid Films. - 1994. - V. 247. - P. 208-212.

132. Shi, W. Ion-exchange synthesis and enhanced visible-light photocatalytic activities of CuSe-ZnSe flower-like nanocomposites / W. Shi, J. Shi, S. Yu, P. Liu // Applied Catalysis B: Environmental. - 2013. - V. 138-139. - P. 184-190.

133. Lokhande, C. D. Conversion of tin disulphide into silver sulphide by a simple chemical method / C. D. Lokhande, V. V. Bhad, S. S. Dhumure // J. Phys. D: Appl. Phys. - 1992. -V. 25.-P. 315-318.

134. Golub, A. S. From single-layer dispersions of molybdenum disulfide towards ternary metal sulfides: incorporating copper and silver into a MoS2 matrix / A. S. Golub, I. V. Shulimova, Y. V. Zubavichus, Yu. L. Slovokhotov, Yu. N. Novikov, A. M. Marie, M. Danot // Solid State Ionics. - 1999. - V. 122. - P. 137-144.

135. Jiang, J. Synthesis of uniform ZnO/ZnS/CdS nanorod films with ion-exchange approach and photoelectrochemical performances / J. Jiang, M. Wang, L. Ma, Q. Chen, L. Guo // International Journal of Hydrogen Energy. - 2013. - V. 30. - P. 1-7.

136. Zhang, H. Cation exchange synthesis of ZnS-Ag2S microspheric composites with enhanced photocatalytic activity / H. Zhang, B. Wei, L. Zhu, J. Yu, W. Sun, L. Xu // Applied Surface Science. - 2013. - V. 270. - P. 133-138.

137. Саниева, Д. В. Механизм обменных механохимических реакций/ Д. В. Саниева, В. К. Половняк, Р. Я. Дебердеев, С. В. Половняк // Вестник Удмуртского ун-та. - 2006. - № 8. - С. 59-62.

138. Ганынин, В. А. Формирование слоев HguCdi_uTe методом ионного обмена в растворах солей / В. А. Ганынин, Ю. Н. Коркишко, В. А. Федоров // Неорганические материалы. - 1992. - Т. 28. - № 1. - С. 57-60.

139. Алексанян, А. О. Ионный обмен в кристаллах селенида цинка/

A. О. Алексанян, В. А. Ганыпин, Ю. Н. Коркишко // Журнал технической физики. -1989. - Т. 59. - № 2. - С. 174-175.

140. Алексанян, А. О. Ионный обмен в монокристаллах ZnSe / А. О. Алексанян,

B. А. Ганыпин, Ю. Н. Коркишко, В. А. Федоров // Неорганические материалы. - 1991. -Т. 27.-№9.-С. 1798-1803.

142. Слинкина, М. В. Исследование механизма диффузии серебра в сульфидах свинца и кадмия : автореф. дис. ... канд. хим. наук : 02.00.04 / Слинкина Маргарита Витальевна. - Свердловск, 1982. - 17 с.

143. Каганович, Э. Б. Диффузия и растворимость меди в фотопроводящих пленках CdS, осажденных из водного раствора / Э. Б. Каганович // Изв. АН СССР: Сер. Неорганические материалы. - 1988. - Т. 24. - № 9. - С. 1446-1448.

144. Кальянов, A. J1. Оптическая низкокогерентная интерферометрия и томография: учебное пособие / A. JI. Кальянов, В. В. Лычагов, Д. В. Лякин, О. А. Перепелицына, В. П. Рябухо. - Саратов: СГУ, 2009. - 86 с.

145. Пригожин, И. Р. Химическая термодинамика / И. Р. Пригожин, Р. Дефэй. - М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010. - 533 с.

146. Булатов, М. И. Расчеты равновесий в аналитической химии / М. И. Булатов. -Л.: Химия. - 1984.- 184 с.

147. Аналитическая химия и физико-химические методы анализа: в 2 т. / под ред. А. А. Ищенко. - М.: Издательский центр «Академия». - Т. 2. - 2010. - 372 с.

148. Брандон, Д. Микроструктура материалов. Методы исследования и контроля / Д. Брандон, У. Каплан. - М.: Техносфера, 2004. - 384 с.

149. Уманский, Я. С. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия: в 2 ч. / Я. С. Уманский, Ю. А. Скаков, А. Н. Иванов, Л. Н. Расторгуев. - М.: Металлургия, 1982. - 632 с.

150. Пущаровский, Д. А. Рентгенография минералов/ Д. А. Пущаровский. - М.: ЗАО «Геоинформмарк», 2000. - 292 с.

151. Ковба, Л. М. Рентгенография в неорганической химии/ Л. М. Ковба. - М.: Изд-воМГУ, 1991.-256 с.

152. Rietveld, H. M. A profile refmement method for nuclear and magnetic structures / H. M. Rietveld //J. Appl. Cryst. - 1969. - V. 2. - P. 65-71.

153. Vegard, L. Die Konstitution der Mischkristalle und die Raumfullung der Atome/ L. Vegard // Zeitschrift fur Physik. - 1921. - V. 5. - № 1. - P. 17-26.

154. Чичагов, A.B. Рентгенометрические параметры твердых растворов/

A. В. Чичагов, JI. В. Сипавина. - М.: Наука, 1982. - 171 с.

155. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / под ред. Д. Бриггса, М. П. Сиха. - М.: Мир, 1987. - 600 с.

156. Троян В. И. Физические основы методов исследования наноструктур и поверхности твердого тела: учебное пособие // В. И. Троян, М. А. Пушкин, В. Д. Борман,

B. Н. Тронин. - М.: МИФИ, 2008. - 260 с.

157. Shirley, D. A. High-resolution X-ray photoemission spectrum of the valence bands of gold / D. A. Shirley // Phys. Rev. - 1972. - V. B5. - P. 4709-4714.

158. Tougaard, S. Practical algorithm for background subtraction / S. Tougaard// Surf. Sei. - 1989. - V. 216. - № 3. - P. 343-360.

159. Павлов, JT. П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов / Л. П. Павлов. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Высшая школа, 1987. - 239 с.

160. Мухамедьяров, Р. Д. Установка для измерения пороговых параметров фотоприемников / Р. Д. Мухамедьяров, В. И. Стук, О. Ю. Блинов, В. Н. Жуков, Г. А. Китаев // Приборы и техника эксперимента. - 1976. - № 6. - С. 234.

161. Батлер, Дж. Н. Ионные равновесия (математическое описание)/ Дж. Н. Батлер. - Л.: Химия, 1973. - 448 с.

162. Михайлов, В. А. Химическое равновесие: учебное пособие / В. А. Михайлов, О. В. Сорокина, Е. В. Савинкина, M. Н. Давыдова. - М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010.- 197 с.

163. Кельнер, Р. Аналитическая химия. Проблемы и подходы: в 2 т./ Р. Кельнер, Ж.-М. Мерме, М. Отто, Г. М. Видмер; под ред. Ю. А. Золотова. - М.: «Мир»: ООО «Издательство «ACT», 2004. - Т. 1. - 608 с.

164. Кумок, В. Н. Произведения растворимости/ В. Н. Кумок, О.М.Кулешова, Л. А. Карабин. - Новосибирск: Наука, 1983. - 200 с.

165. Повар, И. Г. Исследование термодинамики сложных химических равновесий с участием твердых фаз в условиях, отличных от стандартных : дис. ... канд. хим. наук : 02.00.04 / Повар Игорь Григорьевич. - Кишинев, 1988. - 177 с.

166. Фиштик, И. Ф. Термодинамическое обоснование условных произведений растворимости / И. Ф. Фиштик, И. Г. Повар, И. И. Ватаман // Журнал общей химии. -1986. - Т. 56. - № 4. - С. 739-748.

167. Основы аналитической химии: учебник для вузов: в 2 кн. / под ред. Ю. А. Золотова. - М.: Высшая школа. - Кн. 1: Общие вопросы. Методы разделения. -2004.-361 с.

168. Шварценбах, Г. Комплексонометрическое титрование/ Г. Шварценбах, Г. Флашка. - М.: Химия, 1970. - 360 с.

169. Ringbom, A. Complexation in analytical chemistry. A guide for the critical selection of analytical methods based on complexation reactions / A. Ringbom. - 1963. - 395 p.

170. Бек, M. Химия равновесий реакций комплексообразования / М. Бек. -М.: Мир, 1973.-360 с.

171. Белеванцев, В. И. Постановка и описание исследований сложных равновесий в растворах: учеб. пособие / В. И. Белеванцев. - Новосибирск: Новосиб. ун-т, 1987. - 80 с.

172. Хартли, Ф. Равновесия в растворах/ Ф.Хартли, К. Бёргес, Р. Олкок. - М.: Мир, 1983.-360 с.

173. Аксельруд, В. Н. Правило постоянства произведений активностей простых (гидратированных) ионов металлов и гидроксоионов в гетерогенной системе

«М2+-М(0Н)^я-М(0Н)„-Н20»/ В. Н. Аксельруд// ДАН СССР: Сер. хим.- 1960. -

Т. 132. - № 5 - С. 1067-1070.

174. Тихонов, А. С. Исследование лимоннокислых комплексных соединений свинца в зависимости от рН водной среды / А. С. Тихонов // Тр. Воронежского гос. ун-та. Сб. работ хим. факультета. - 1958. - Т. 49. - С. 79-94.

175. Спиваковский, В. Б. Аналитическая химия олова / В. Б. Спиваковский. - М.: Наука, 1975.-253 с.

176. Адамсон, А. Физическая химия поверхностей / А. Адамсон. - М.: Мир, 1979. -568 с.

177. Бокштейн, Б. С. Диффузия в металлах / Б. С. Бокштейн. - М.: Металлургия, 1978.-248 с.

178. Павлов, П. В. Физика твердого тела / П. В. Павлов, А. Ф. Хохлов. - 3-е изд., стер. - М.: Высшая школа, 2000. - 494 с.

179. Ansell, R. O. Quantitative use of angular variation technique in studies of tin by X-ray photoelectron spectroscopy / R. O. Ansell, T. Dickinson, A. F. Povey, P. M. A. Sherwood // J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. - 1977. - V. 11. - P. 301.

180. Badrinarayanan, S. Mechanism of high-temperature oxidation of tin selenide/ S. Badrinarayanan, A. B. Mandale, V. G. Gunjikar, A. P. B. Sinha// J. Mater. Sci. - 1986. -V. 21. -№ 9. - P. 3333-3338.

180. Choi, W.-K. Chemical shifts and optical properties of tin oxide films grown by a reactive ion assisted deposition / W.-K. Choi, H.-J. Jung, S.-K. Koh // J. Vac. Sci. Technol. A. -1996. - V. 14. - № 2. - P. 359-366.

181. Shalvoy, R. B. Bond ionicity and structural stability of some average-valence-five materials studied by X-ray photoemission / R. B. Shalvoy, G. B. Fisher, P. J. Stiles // Phys. Rev. B.-1977.-V. 15.-№4. -P. 1680-1697.

182. Han, Q. Room temperature growth of SnSe nanorods from aqueous solution/ Q. Han, Y. Zhu, X. Wang, W. Ding // Journal of Materials Science. - 2004. - V. 39. -P. 4643-4646.

183. Law, M. Structural, optical, and electrical properties of PbSe nanocrystal solids treated thermally or with simple amines / M. Law, J. M. Luther, Q. Song, B. K. Hughes, C. L. Perkins, A. J. Nozik // Journal of the American Chemical Society. - 2008. - V. 130. -P.5974-5985.

184. Zhu, J. Photochemical synthesis and characterization of PbSe nanoparticles / J. Zhu, X. Liao, J. Wang, H.-Y. Chen // Materials Research Bulletin. - 2001. - V. 36. - P. 1169-1176.

185. Taylor, J.A. Chemical reactions of N2+ ion beams with group IV elements and their oxides / J. A. Taylor, G. M. Lancaster, J. W. Rabalais // J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. - 1978. - V. 13. - № 3. - P. 435-444.

186. Zingg, D. S. Electron spectroscopy for chemical analysis studies of lead sulfide oxidation/ D. S.Zingg, D.M.Hercules// J. Phys. Chem. - 1978.- V. 82. - №18.-P. 1992-1995.

187. Nowak, P. A flotation related X-ray photoelectron spectroscopy of the oxidation of galena surface / P. Nowak, K. Laajalehto, I. Kartio // Colloids and Surfaces A: Physicochemi-cal and engineering aspects. - 2000. - V. 161. - P. 447-460.

188. Нефедов, В. И. Рентгеноэлектронные исследования соединений свинца и 'ртути t В. И. Нефедов, Я. В. Салынь, X. Келлер // Журнал неорганической химии. -

1979. - Т. 24. - № 9. -С. 2564-2566.

189. Wagner, С. D. Use of the oxygen KLL Auger lines in identification of surface chemical states by electron spectroscopy for chemical analysis / C. D. Wagner, D. A. Zatko, R. H. Raymond // Anal. Chem. - 1980. - V. 52. - № 9. - P. 1445-1451.

190. Современная кристаллография: в 2 т. / под ред. Б. К. Вайнштейна, А. А. Чернова, Л. А. Шувалова. - М.: Наука. - Т. 3. - 1980. - 408 с.

191. Sarode, P. R. Study of As2(Se,Te)3 glasses by X-ray absorption and photoelectron spectroscopy / P. R. Sarode, K. J. Rao, M. S. Hedge, C. N. R. Rao // Journal of Physics C: Solid State Physics - 1979.-V. 12.-№ 19.-P. 4119-4128.

192. Morgan, W. E. Inner-orbital photoelectron spectroscopy of the alkali metal hilides, perchlorates, phosphates, and pyrophosphates / W. E. Morgan, J. R. Van Wazer, W. J. Stec // J. Amer. Chem. Soc. - 1973. - V. 95. - № 3. - P. 751-755.

193. Sherwood, P. M. A. X-ray photoelectron spectroscopic studies of some iodine compounds / P. M. A. Sherwood // Journal of the Chemical Society, Faraday Transactions 2: Molecular and Chemical Physics. - 1976. - V. 72. - P. 1805-1820.

194. Kowalczyk, S. P. Relative effect of extra-atomic relaxation on Auger and binding-energy shifts in transition metals and salts / S. P. Kowalczyk, L. Ley, F. R. McFeely, R. A. Pollak, D. A. Shirley // Physical review B. - 1974. - V. 9. - P. 381-391.