Физико-химические закономерности гидрохимического осаждения, состав, структура, свойства пленок твердых растворов CdxPb1-xSe тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, кандидат химических наук Ягодин, Семен Иванович

• Ягодин, Семен Иванович
• кандидат химических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат химических наук Ягодин, Семен Иванович

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.Ю

1.1. Физико-химические и кристаллографические свойства селенидов свинца и кадмия.

1.2. Условия образования твердых растворов замещения в системе РЬ8е~Сс18е

1.3. Методы получения тонких пленок РЬ8е, Сс18е, Сс^РЬ^е.

1.3.1. Физические методы осаждения.

1.3.2. Химические методы осаждения.

1.3.3. Гидрохимическое осаждение пленок селенидов металлов.

1.3.3.1. Организация и условия процесса гидрохимического осаждения пленок халькогенидов металлов.

1.3.3.2. Механизм гидрохимического осаждения пленок.

1.3.3.3. Гидрохимический синтез пленок твердых растворов замещения.

1.4. Использование термообработки для сенсибилизации пленок селенидов металлов.

1.5. Взаимосвязь структуры, морфологии и свойств пленок СсУРЬ^Зе.

1.6. Применение тонких пленок РЬ8е, СсШе и Сс^РЬ^е.

Выводы.

Глава 2. ИСХОДНЫЕ РЕАГЕНТЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ.

2.1. Химические реактивы.

2.2. Методика гидрохимического осаждения пленок РЬ8е, Сс18е и СсЩэь^е.

2.3. Кинетические исследования осаждения селенидов свинца и кадмия.

2.4. Определение толщины пленок РЬ8е, Сс18е и Сс^РЬ^е.

2.5. Методы исследования состава, структуры и морфологии пленок РЬ8е, Сс18е и Сс^РЬ^е.

2.6. Методики термообработки пленок и нанесения омических контактов.

2.7. Исследование фотоэлектрических, оптических и спектральных характеристик пленок.

Глава 3. КИНЕТИКО-ТЕРМОДИНАМИЧЕСКОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ УСЛОВИЙ ОБРАЗОВАНИЯ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ СфРЬь^е В НИТРАТНО-АММИАЧНОЙ СИСТЕМЕ.

3.1. Термодинамический расчет граничных условий образования селенидов свинца и кадмия в цитратно-аммиачной системе.

3.1.1 Расчет граничных условий образования РЬБе, РЬ(ОН)2, РЬСЫ в цитратно-аммиачной системе.

3.1.2 Расчет граничных условий образования Ссйе, Сс1(ОН)2, СсЮЧо в цитратно-аммиачной системе.

3.1.3 Определение области образования твердых растворов СёдРЬ^Зе в цитратно-аммиачной системе соосаждением РЬБе и Сс18е.

3.2. Разработка составов реакционных смесей для гидрохимического синтеза РЬБе и Сс^е.

3.3. Кинетика химического осаждения селенидов свинца и кадмия в цитратно-аммиачной системе.

3.3.1. Кинетика осаждения селенида свинца в цитратно-аммиачной системе

3.3.2. Исследование кинетики химического осаждения селенида кадмия в цитратно-аммиачной системе.

Выводы.

Глава 4. СОСТАВ, СТРУКТУРА, МОРФОЛОГИЯ, УСЛОВИЯ ТЕРМОСЕНСИБИЛИЗАЦИИ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ХИМИЧЕСКИ ОСАЖДЕННЫХ ПЛЕНОК РЬ8е-Сс18е.

4.1. Кинетика роста пленок индивидуальных и соосажденных селенидов свинца и кадмия в цитратно-аммиачной системе.

4.2. Исследование структуры, морфологии, фазового и элементного состава свежеосажденных пленок в системе РЬБе-СаЭе.

4.3. Разработка условий термосенсибилизации химически осажденных пленок РЬ8е и Сс^РЬ^е.

4.3.1. Выбор параметров и режима термосенсибилизации пленок твердых растворов СсУЬ^Бе.

4.3.2. Влияние термообработки на структуру, состав и морфологию пленок твердых растворов СсУРЬ^Бе.

4.5. Исследования пленок твердых растворов СсЩэ^е методом ИК-спектроскопии.цб

4.5. Взаимосвязь условий получения и термоактивации пленок Сс^РЬ^е с их фотоэлектрические свойства.

4.6. Исследование диодного эффекта в пленках СфРЬ^Бе.

4.7. Исследование спектральных характеристик химически осажденных пленок СсУЬ^е.

Выводы.^

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Физико-химические закономерности гидрохимического осаждения, состав, структура, свойства пленок твердых растворов CdxPb1-xSe»

Актуальность работы. Для решения большинства практических задач с использованием инфракрасной техники (тепловидение, контроль технологических процессов, прогнозирование чрезвычайных ситуаций, экологический мониторинг) определяющее значение имеет спектральный диапазон чувствительности фотодетекторов. Значительную роль в расширении номенклатуры ИК-чувствительных материалов, способных плавно регулировать свои фотоэлектрические и спектральные характеристики путем изменения состава, играют твердые растворы замещения халькогенидов металлов. В частности, для ближнего и среднего ИК-диапазонов перспективны твердые растворы на основе селенидов свинца и кадмияСс^РЬ^е. В настоящее время для получения пленок Сс^РЬ^Бе используются исключительно высокотемпературные методы синтеза и вакуумные технологии, требующие сложного оборудования. В то же время получаемые этими методами пленки часто не обладают требуемыми функциональными свойствами.

Актуальной является разработка условий получения пленок СсУРЬ^Эе методом гидрохимического осаждения, исключающего использование дорогостоящего оборудования, высоких температур и, в то же время, позволяющего формировать высокочувствительные слои твердых растворов с более высоким уровнем содержания замещающего компонента.

Целью диссертационной работы является установление физико-химических закономерностей получения пленок твердых растворов Сс^РЬ^Бе методом гидрохимического осаждения селенидов свинца и кадмия, исследование их состава, структуры, условий термосенсибилизации, фотоэлектрических свойств.

Для достижения поставленной цели в работе необходимо было решить следующие экспериментальные и теоретические задачи:

1. Провести анализ ионных равновесий в системе ацетат свинца (хлорид кадмия)-селеномочевина-цитрат натрия-гидроксид аммония с целью определения условий образования твердой фазы селенидов свинца и кадмия, областей их совместного осаждения, осаждения примесных фаз (гидроксидов, цианамидов свинца и кадмия).

2. Выполнить комплексное исследование кинетики химического осаждения РЬ8е и СсШе в цитратно-аммиачной системе в зависимости от содержания компонентов реакционной смеси, температуры процесса с определением энергий активации, частных порядков по компонентам и составлением формально-кинетических уравнений скоростей осаждения.

3. Получить пленки индивидуальных селенидов свинца и кадмия, твердых растворов СсУРЬь^е с различным содержанием селенида кадмия, изучить их кинетику роста, состав, структуру и морфологию.

4. Определить параметры термосенсибилизации пленок Сс^РЬ^^е, установить влияние компонентов реакционной смеси, условий процесса осаждения, параметров и режима термообрабротки на их фазовый состав, структуру и морфологию.

5. Исследовать фотоэлектрические свойства и- спектральные характеристики полученных пленок твердых растворов СфРЬ^дЗе в зависимости от условий получения и состава.

Научной новизной обладают следующие результаты диссертационной работы:

1. Рассчитанная область совместного осаждения селенидов свинца и кадмия в цитратно-аммиачной системе с использованием селеномочевины и учетом зародышеобразования.

2. Результаты комплексных кинетических исследований гидрохимического осаждения селенидов свинца и кадмия в цитратно-аммиачной системе, энергии активации процессов, частные порядки реакций по компонентам системы, формально-кинетические уравнения скоростей образования РЬ8е и Ссйе.

3. Впервые полученные гидрохимическим осаждением на подложках из ситалла и окисленного кремния пленки пересыщенных твердых растворов С^РЬ^^е, содержащие до 21,9 моль. % СсШе.

4. Общие закономерности замещения свинца в кристаллической решетке РЬБе на кадмий в зависимости от состава реакционной смеси и темпера-турно-временных условий гидрохимического синтеза с установлением экстремальной зависимости по содержанию СёБе в твердом растворе замещения СсУРЬь^е от концентрации соли кадмия в реакционной смеси.

5. Результаты влияния термообработки химически осажденных пленок Сс^РЬь^е при 633-668 К на их состав и морфологию.

6. Взаимосвязи между условиями осаждения, термосенсибилизации пленок твердых растворов Сс^РЬ^е и их фоточувствительными характеристиками.

7. Впервые выявленный для химически осажденных пленок Сс^РЬч-^е диодный эффект, спектральные характеристики пленок Сс^РЬ]-^ различного состава.

Практическая ценность

1. Получены формально-кинетические уравнения скоростей гидрохимического осаждения селенидов свинца и кадмия в цитратно-аммиачной системе, позволяющие проводить целенаправленный синтез твердых растворов СсУ^-две требуемого состава.

2. Определены режим, параметры и условия термосенсибилизации пленок твердых растворов замещения СфРЬ^е к ИК-излучению, обеспечивающие получение слоев с наибольшей величиной фотоответа.

3. Установлены условия получения, фоточувствительных пленок твердых растворов СфРЬ^Беразличного состава, использование которых позволяет варьировать диапазон и максимум спектральной чувствительности при 7

298 К в пределах 0,5-4,5 и 0^7-3,6 мкм соответственно для эффективного решения многих задач в тепловидении; сенсорной технике, создании ИК-ПЗС структур.

Положения диссертации; выносимые на защиту

1. Результаты расчета областей образования и кинетических исследований гидрохимического; осаждения селенидов свинца .и кадмия селеномочеви-ной в цитратно-аммиачной системе.

2. Структура, морфология, фазовый и элементный состав гидрохимически осажденных пленок твердых pacTBopoB.CdvPbi.vSe (0 < х < 0,219).

3. Условия и параметры термосенсибилизации ■ пленок твердых растворов СфРЬ1^8е к ИК-излучению. Взаимосвязи между условиями осаждения, термообработки пленок твердых растворов Cd.vPbi-.vSe и их фоточувствительными свойствами.

4; Фотоэлектрические и? спектральные; характеристики пленок твердых растворов замещения СйдРЬ^ё (0 <х< 0,219), полученных гидрохимическим осаждением.с последующей термосенсибилизациеш,

Лйчный вклад.автора состоял в постановке.задач исследования; планировании экспериментов, непосредственном^ участии< в их: проведении^ обработке,. анализе: и обобщении полученного экспериментального материала по* получению и изучению, свойствюсажденных слоев;

Работа выполнялась в рамках госбюджетной темы «Разработка физико-химических основ получения из водных сред материалов на основе халькоге-нидов, оксидов и галидов металлов, с широким спектром заранее заданных электрофизических и химических свойств» (1999-2010 гг.), грантов РФФИ № 05-08-50249-а «Исследование кинетики химического осаждения и формирования пленок пересыщенных твердых растворов халькогенидов металлов регулируемого состава» (2005-2006 гг.); № 06-03-08103-офи «Разработка целенаправленного гидрохимического синтеза и исследование функциональных свойств < новых материалов на основе, тонких пленок халькогенидов^ металлов* для фотодетекторов и химических сенсоров» (2006-2007 гг.)

Апробация работы. Основные результаты и положения диссертационных исследованиий докладывались и обсуждались на Всероссийской конференции «Химия твердого тела и функциональные материалы-2008» (Екатеринбург, 2008); Национальной конференции «Рентгеновское, Синхротронное излучения, Нейтроны и Электроны для исследования наносистем и материалов. Нано-Био-Инфо-Когнитивные технологии» (РСНЭ-НБИК 2009) (Москва, 2009); Региональной конференции молодых ученых «Теоретическая и экспериментальная химия жидкофазных систем» (Иваново, 2009); Всероссийской конференции с элементами научной школы для молодежи «Неорганические соединения и функциональные материалы» (Казань, 2010); X Международной научной конференции «Химия твердого тела: монокристаллы, наноматериа-лы, нанотехнологии» (Кисловодск, 2010); VI Международной конференции «Кинетика и механизм кристаллизации. Нанокристаллизация. Биокристаллизация» (Иваново, 2010); Международной молодежной научной конференции «Молодежь и XXI век» (Курск, 2010); 1 Всероссийской научно-практической конференции с элементами научной школы «Наноматериалы, нанотехнологии, наноиндустрия» (Казань, 2010).

Публикации. По результатам-исследований опубликовано 10 печатных работ, в том числе 2 статьи в журналах, рекомендованных ВАК, 4 статьи в материалах, 4 тезисов докладов в трудах Международных, Всероссийских и Национальных конференций.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав с выводами, общих выводов и библиографического списка, включающего 145 наименований цитируемой литературы. Работа изложена на 148 страницах, содержит 70 рисунков и 6 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Ягодин, Семен Иванович

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

1. Расчетом ионных равновесий в системе ацетат свинца (хлорид кадмия) - селеномочевина - цитрат натрия - гидроксид аммония определены граничные условия образования- РЬБе и Сс18е, а также примесных фаз с учетом формирования зародышей критического радиуса. Установлены области совместного осаждения селенидов свинца и кадмия, обеспечивающие потенциальную возможность синтеза твердых растворов СсУРЬ^е.

2. Впервые проведены комплексные кинетические исследования осаждения РЬБе и CdSe из цитратно-аммиачной системы с определением энергий активации процессов (соответственно 95,6 и 51,6 кДж/моль) и частных порядков по всем реактантам. Выведены формально-кинетические уравнения скоростей процессов образования селенидов свинца и кадмия.

3. Впервые гидрохимическим осаждением в цитратно-аммиачнои системе осуществлен низкотемпературный- синтез пленок пересыщенных твердых растворов замещения Cd^b1-^Se, содержащих до 21,9 моль. % СМБе. Установлен экстремальный характер зависимости содержания CdSe в.составе твердого раствора от концентрации хлорида кадмия в реакционной смеси.

4. Исследованы кинетика роста, структура, фазовый, элементный состав, морфология и фотоэлектрические- свойства пленок CdYPbl-дSe. Установлены взаимосвязи свойств полученных пленок от состава и условии получения.

5. Определены условия термообработки химически осажденных пленок Cd^bl-лSe при 633-678 К на воздухе в открытом и квазизамкнутом объемах с целью сенсибилизации к ИК-излучению. Установлено, что термообработка пленок приводит к их рекристаллизации и окислению с образованием фаз селенита и оксида свинца.

6. Выявлены зависимости темнового сопротивления и вольт-ваттной чувствительности пленок CdдPblxSe от концентраций компонентов реакционной смеси, времени и температуры осаждения. Наибольшем

132 фоточувствительностью обладают слои, обработанные в квазизамкнутом объеме в температурном диапазоне 643-653 К. Охлаждение пленок до 203 К повышает уровень фотоответа в 8,5 раз.

7. Впервые установлен диодный эффект в химически осажденных пленках Сс^РЬ^е, величина которого зависит от состава твердого раствора.

8. Исследованы спектральные характеристики химически осажденных пленок СсУРЬь^е различного состава. Увеличение содержания кадмия в твердом растворе сдвигает диапазон спектральной чувствительности в коротковолновую область и позволяет варьировать диапазон и максимум спектральной чувствительности при 298 К в пределах 0,5-4,5 и 0,7-3,6 мкм соответственно, что обеспечивает возможность эффективного решения многих задач в ИК-технике.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Ягодин, Семен Иванович, 2011 год

1. Абрикосов Н.Х. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства / Н.Х. Абрикосов, В.Ф. Банкина, Л.В. Порецкая. М.: Наука/ 1967. 215 с.

2. Семилетов С.А. Получение, структура и некоторые свойства монокристаллических пленок селенида свинца / С.А. Семилетов, И.П. // ДАН СССР. 1963. Т. 152. № 6. С. 1350-1353.

3. Угай Я.А. Введение в химию полупроводников. М.: Высшая школа. 1965.334 с.

4. Чопра К. Тонкопленочные солнечные элементы / К. Чопра, С. Дас. М.: Мир. 1986. 435 с.

5. Gardona М. Optical properties and band structure of wurtzite-type crystals and rutile / M. Cardona and G. Harbeke // Phys. Rev. 1965. V. 137 (5A), P. 1467.

6. Метелева Ю.В. Получение и СВЧ фотопроводимость полупроводниковых пленок CdSe / Ю.В. Метелева, Г.Ф. Новиков // Физика и техника полупроводников. 2006. Т. 40. В. 10. С. 1167.

7. Абрикосов Н.Х. Полупроводниковые материалы на основе соединений AIVBVI/ Н.Х. Абрикосов, Л Е. Шелимова. М.: Наука. 1975. 195 с.

8. Справочник. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ / под. ред. A.B. Новоселова: М.: Наука. 1979. 327 с.

9. Берченко H.H. Полупроводниковые твердые растворы и их применение / H.H. Берченко, В.Е. Кревс, В.Г. Средин. М.: Воениздат. 1982. 208 с.

10. Земсков B.C. Твердые растворы в полупроводниковых системах. Справочник / B.C. Земсков, В.Б. Лазарев, Н.Х. Абрикосов. М.: Наука. 1967. 199 с.

11. Урусов B.C. Твердые растворы в виде минералов / B.C. Урусов // Соросов-ский образовательный журнал. 1996. №11. С. 54-60.

12. Галески Ф. Вынужденное излучение тонких пленов PbSe при комнатной температуре / Ф. Галески, И. А. Дрозд, Л .Я. Лебедева // ФТП. 1977. Т. 1*1 В. 3. С. 568-570.

13. Томашик З.Ф. Диаграмма состояния системы PbSe-CdSe / З.Ф. Томашик,

14. Г.С. Олейник, В.Н. Томашик // Неорган, материалы. 1980. Т. 16. № 2. С.261-263

15. Шелимова JI.E. Диаграммы состояния в полупроводниковом материаловедении. Системы на основе халькогенидов Si, Ge, Sn, Pb. M.: Наука. 1991. 368 с.

16. Макаров Е.С. Изоморфизм атомов в кристаллах. М.: Атомиздат. 1973. 288 с.

17. Гамарц А.Е. Фотолюминесценция в поликристаллических слоях PbixCdxSe активированных в присутствии паров йода / А.Е. Гамарц, В.А. Мошников, Д.Б. Чеснокова // ФТП. 2006. Т. 40. В. 6. С. 683-685.

18. Непомнящий C.B. Фоточувствительность поликристаллических пленок Pbi^Cd^Se / C.B. Непомнящий, A.B. Пашкевич, Ю.Л. Шелехин // ФТП. 1984. Т. 18. В. 12. С. 2233-2235.

19. Гапонов C.B. Сверхтонкие пленки твердых тел и многослойные структуры: метод получения, исследования, применения / C.B. Гапонов. М.: Наука. 1967. 346 с.

20. Дийков JI.K. Влияние УФ света на фоточувствительность поликристаллических пленок Pb!xCdxSe / JI.K. Дийков, C.B. Непомнящий, A.B. Пашкевич //ФТП. 1983. Т. 18. В. 6. С. 1128-1130.

21. Гамарц А.Е. Поликристаллические слои1 CdxPbixSe с эффективной фотолюминесценцией. Модель зерна / А.Е. Гамарц, В.А. Мошников // Петербургский журнал электроники. 2005. № 4. С. 83-88.

22. Ильин В.А. Фоточувствительность поликристаллических пленок на основе Pb.xCdxSe / В.А. Ильин, A.A. Петров, М.С. Писаревский // Петербургский журнал электроники. 2001. № 4. С. 93-100.

23. Спивак Ю.М. Особенности строения фоточувствительных поликристаллических слоев сетчатого типа на основе PbCdSe <1> / Ю.М. Спивак, В.А. Мошников // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2010. №1. С. 97-102.

24. Гак В.Ю. Неизотермический коллоидный синтез CdSe / В.Ю. Гак, Д.Ю. Николаенко, С.Б. Бричкин, В.Ф. Разумов // Российские нанотехноло-гии. 2009. Т. 4. № 11-12. С. 92-95.

25. Taylor S. Е. On time delays in lead salt semiconductor diode lasers / S.E. Taylor //Appl. Phys. A: Materials Science and Processing. 1986. V. 39. № 2. P. 91-94.

26. Hill J.E., Chamberlin R.R. Process for marking conductive film // Patent USA. №3,148, 084. от 08.09.1964.

27. Chamberlin R.R. Chemical spray deposition process for inorganic films / R.R. Chamberlin, J.S. Skarmen // J. Electrochem. Soc. 1966. V. 113. № 1. P. 86-89.

28. Chamberlin R.R. Chemically sprayed thin film photovoltaic converters / R.R. Chamberlin, J.S. Skarmen // Solid stat. electron. 1966. V.9. №8. P. 819-822

29. Chamberlin R.R. Effects of substrate on films of chemical spray deposited CdS //Am. Ceram. Soc. Bull. 1966. V. 45. № 8. P. 698-701.

30. Gorska M. et al. CuInSr films prepared by spray pyrolysis // Solar Energy Mater.1979. V.l .№ 3-4. P. 313-317.

31. Gorska M. et al. Spray pyrolysis of silver Indium sulfides // Thin solid films.1980. V. 67. №2. P. 341-345.

32. Mooney J.B. Spray pyrolysis processing / J.B. Mooney, S.B. Radding // Annual Rev. Mater. Sci. 1982. V. 12. P. 81-101.

33. Семенов В.Н. Моделирование процессов формирования полупроводниковых слоев из координационных соединений / В.Н. Семенов, Н.М. Овечкина

34. Конденсированные среды и межфазные границы. 2007. Т. 9. №3. С. 261-262.

35. Sharma N.C. Electroless deposition of semiconductor films / N.C. Sharma, R.C. Kainthia, D.K. Pandya, K.L. Chopra // Thin Solid Films. 1979. V. 58. № 1. P. 55-59.

36. Китаев Г. А. Исследование процессов получения пленок халькогенидов в водных растворах, содержащих тио-, селеномочевину и селеносульфат натрия: Дис. .докт. хим. наук / Уральск.политехн.ин-т. Свердловск. 1971. 431 с.

37. Миролюбов В. 3. Осаждение сульфидов металлов с использованием ал-лилтиомочевины: Дис. .канд. хим. наук / Уральск, политехи, ин-т. Свердловск. 1973. 143 с.

38. Марков В.Ф. Физико-химические закономерности направленного химического синтеза пленок халькогенидов металлов и их твердых растворов осаждением из водных сред: Дис. . докт. хим. наук / Уральск, гос. техн. ун-т. Екатеринбург. 1998. 366 с.

39. Маскаева JI.H. Гидрохимический синтез, структура и свойства пленок пересыщенных твердых растворов замещения MexPbixS (Me-Zn, Cd, Си, Ag)-" Дисс. докт. хим. наук. / JI. Н. Маскаева. Екатеринбург. 2004. 386 с.

40. Марков- В.Ф. Гидрохимическое осаждение пленок сульфидов металлов: моделирование и эксперимент / В.Ф. Марков, JI.H. Маскаева, П.Н. Иванов. Екатеринбург: УрО РАН. 2006. 217 с.

41. Третьякова H.A. Гидрохимический синтез, состав, структура и свойства пленок селенида свинца (II) / H.A. Третьякова, В.Ф. Марков, JI.H. Маскаева, Х.Н. Мухамедзянов // Химия и хим. технология. Сб. трудов. Екатеринбург. 2006. С. 97-99.

42. Лундин А.Б. К вопросу о механизме осаждения тонких пленок селенида свинца / А.Б. Лундин, Г.А. Китаев // Неорган, материалы. 1965. Т 1. № 12. С. 2102-2106.

43. Лундин А.Б. Кинетика осаждения тонких пленок селенида свинца / А.Б. Лундин, Г.А. Китаев // Неорган, материалы. 1965. Т1. №12. С. 2107-2112.

44. Китаев Г. А. Химический способ осаждения тонких пленок селенида свинца / Г. А. Китаев, А. Б. Лундин // Изв. вузов СССР. Химия и химическая технология. 1966. № 4. С. 574-576.

45. Ятлова Л.Е. Осаждение осадков и пленок халькогенидов кадмия и ртути химическим способом: Дис.канд.хим.наук. Свердловск. 1972. 163 с.

46. Третьякова H.A. Кинетика гидрохимического осаждения пленок селенида свинца, их состав, структура и свойства / H.A. Третьякова, В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева // Конденсированные среды и межфазные граница. 2005. Т. 7. №2. С. 189-194.

47. Китаев Г.А. Анализ условий осаждения селенида кадмия из водных растворов селеносульфатом натрия / Г.А. Китаев, Т.С. Терехова // Ж. неорганической химии. 1970. Т. 15. В. 1. С. 48-51.

48. Маскаева Л.Н. Прогнозирование состава твердых растворов замещения CdxPb.xS при химическом осаждении из водных растворов / Л.Н. Маскаева, В.Ф. Марков, Г.А. Китаев // Неорган, материалы. 2000. Т. 36. № 12. С. 1421-423.

49. Китаев Г.А. Синтез и исследование пленок твердых растворов CdxPbixS / Г.А. Китаев, Л.Н. Маскаева, В.Ф. Марков // Неорган, материалы. 1990. Т. 26. № 2. С. 248-250.

50. Дьяков В.Ф. Физико-химические закономерности получения твердых растворов Sn^Pbj^Se методом послойного гидрохимического осаждения PbSe и SnSe: дисс. канд. хим. наук. / В.Ф. Дьяков. Екатеринбург. 2010. 159 с.

51. Мухамедзянов Х.Н. Разработка технологии гидрохимического синтеза пленок твердых растворов на основе селенидов свинца и олова для создания высокочувствительных ИК-детекторов: дисс. канд. техн. наук. / Х.Н: Мухамедзянов. Екатеринбург. 2010. 192 с.

52. Dutt М., Kameshwari D., Subbarao D. Size of particle obtained by solution growth technique // Colloids and Surfaces. A. Physicochem. and Engineer. Ac-pects. 1998. V. 133. P. 89-91.

53. Мокрушин С. Г., Ткачев Ю. Д. Образование CdS на границе раздела фаз твердое тело раствор // Колл. журн. 1961. Т. 23. № 4. С. 438-441.

54. Иванов П.Н. О роли размерного эффекта при осаждении пленок твердых растворов в системе PbS-CdS гидрохимическим методом/ П.Н.Иванов, Л.Н. Маскаева, В.Ф. Марков // Неорган, материалы. 2005. Т. 41. № 11-С. 1292-1296.

55. Марков В.Ф. К вопросу о механизме формирования химически осажденных пленок сульфидов металлов и твердых растворов на их основе / В.Ф-Марков, Л.Н. Маскаева, П.Н. Иванов, Е.И. Шишкин// Вест. УГТУ-УПИ. Серия химическая. 2004. № 14 (44). С. 126-134.

56. Маскаева Л.Н. Состав, субмикронная структура тонких пленок пересыщенных твердых растворов Zn^Pb^S /Л.Н. Маскаева, В.Ф. Марков, И.М. Морозова, Н.М. Барбин, В .Я. Шур, Е.И. Шишкин, Е.С. Самойлова // Письма в ЖТФ. 2008. Т. 34. В. 11. С. 39-45

57. Медведев В. П. Изучение осаждения пленок сульфида кадмия из растворов на поверхности стекла и гранулированной целлюлозе. Дис. .канд. хим. наук / Уральск, политехи, ин-т. Свердловск. 1977. 193 с.

58. Бетенеков Н. Д., Медведев В. П., Китаев Г. А. Радиохимическое исследование халькогенидных пленок. 1.Осаждение пленок сульфида кадмия из растворов на поверхности стекла // Радиохимия. 1978. Т. 20. В. 3. С. 431438.

59. Лун дин А. Б. Химическое осаждение из растворов на поверхности стекла пленок сульфида и селенида свинца: Дис. .канд. хим. наук/ Уральск, политехи. ин-т. Свердловск. 1967. 133 с.

60. Болыцикова Т. П. Исследование тиомочевины для осаждения из растворов осадков и пленок сульфидов серебра и меди: Дис. .канд. хим. наук. Свердловск. 1969. 163 с.

61. Курбатов Л.Н. Очерк истории приемников инфракрасного излучения на основе халькогенидов свинца / Л.Н. Курбатов // Вопросы оборонной техники. 1995. В. 1-2. С. 3.

62. Dobson K.D. Thin semiconductor films for radiative cooling applications / K.D. Dobson, G. Hodes, Y. Mastai // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2003. V. 80. No. 3. P. 283-296.

63. Mane R.S. Chemical deposition method for metal chalcogenide thin films / R.S. Mane, C.D. Lokhande // Mat. Chem. Phys. 2000. V. 65. No. 1. P. 1-31.

64. Zingaro R.A. Chemical deposition of thin films of lead selenide / R.A. Zingaro, D.O. Skovlin // J. Electrochem. Soc. 1964. Y. 111. No. 1. P. 42-47

65. Spenser, H.E., Morgan, J.V. Pat. US № 3.121.023/ Chemically deposited lead selenide photoconductive. 1964.

66. Roberts D.H., Beines J.E. Photoconductivity in chemically deposited films of lead selenide / D.H. Roberts, J.E. Beines // J. Phys.Chem. Solids. 1958. № 6. P. 184-189.

67. Jonson Т.Н. Pat. US № 3.178.312 / Solutions and methods for depositing lead selenide. 1965. cl. 117-201.

68. Mc been B.N. Pat. US № 2.994.409 / Method of production of lead selenide photodetector cells. 1961.

69. Рыбников Г.Г. Получение селенида свинца селеносульфатным способом / Г.Г. Рыбникова, В.А. Поповкин, В.Г. Буткевич, А.В. Новоселова // Изв. АН СССР. Неорган, матер. 1964. Т. 3. С. 1934-1937.

70. Фофанов Г.М. Анализ условий осаждения селенидов металлов из водных растворов селеносульфатом натрия / Г.М. Фофанов, Г.А. Китаев // Ж. неорган. химии. 1969. Т. 14. С. 616-620.

71. Войтович Г.Д. Исследование оптических свойств, структуры и фазового состава слоев сульфида и селенида свинца / Г.Д. Войтович, М.С. Давыдов, А.И. Иванов, Г.П.Тихомиров // Оптико-механ. пром. 1966. № 12. С. 9-12.

72. Соколова Т.П. Использование селеномочевины для получения пленок селенидов цинка и свинца на твердых подложках и их осадков из растворов: дисс. . канд. хим. наук / Уральск, политехи, ин-т. Свердловск. 1972. 201 с.

73. Китаев Г.А. Анализ условий осаждения селенида кадмия из водных растворов селеносульфатом натрия / Г.А. Китаев, Т.С. Терехова // Ж. неорганической химии. 1970. Т. 15. В. 1. С. 48-51.

74. Sharma N.C., Kainthia R.C., Pandya D.K., Chopra K.L. Electroless deposition of semiconductor films // Thin Solid Films. 1979. V. 58. № 1. P. 55-59.

75. Совместное осаждение сульфидов ртути и кадмия / Шека И. А., Кислин-ская Г.Е., Ивженко В.П., Антишко А.Н. // Изв. АН СССР. Неорган, матриа-лы. 1975. Т. 11. № 8. С. 1353-1356.

76. PbS-CdS bilayers by the chemical bath deposition technique atdifferent reaction temperatures / Orozco-Teran R.A., Sotelo-Lerma M., Ramirez-Bon R. et. al. // Thin Solid Films. 1999. V. 343-344. P. 587-590.

77. Мухамедьяров Р.Д., Китаев Г.А. Параметры полупроводниковых сверхструктурных соединений CdiPbi5S и Cd5Pb27S // Письма в ЖТФ: 1980. Т. 6.1. B. 21. С. 1330-1333.

78. Криницина И.А. Физико-химические закономерности процесса получения твердых растворов CdxPbixS химическим осаждением: Дис. . канд. хим. наук / Уральск, политехи, ин-т. Свердловск. 1980. 174 с.

79. Sharma N.C., Pandya D.K., Sehgal Н.К., Chopra K.L. Solution growth of variable gap Pbi^HgvS film for infrared detectors // Mater. Res. Bull. 1976. V. 11. №9. P. 1109-1113.

80. Sharma N.C., Pandya D. K., Mukerjce A. K., Sehgal H. K., Chopra K. L. Structural and properties of Pb^HgxS thin films // Appl. Opt. 1977. V. 16. № 11. P. 2945-2948.

81. Sharma N.C., Chopra K.L. Electronic properties of Pbi^Hg^S Si-heterojunctions // Solid State Electron. 1980. V. 23. № 8. P. 869-873.

82. Sharma N.C., Pandya D.K., Sehgal H.K., Chopra K.L. Electroless deposition of epitaxial Pb^Hg.S // Thin Solid Films. 1979. V. 59. № 2. P. 157-164.

83. Джафаров M.A. Отрицательная проводимость пленок Cd^Zn^S, полученных осаждением из раствора // Изв. РАН. Неорган, материалы. 19981 Т. 34. № 9. С. 1034-1036.

84. Джафаров М.А. Фотоэлектрические свойства пленок Cd^Zn^S (0 < х < 0.6), осажденных из водного раствора // Изв. РАН. Неорган, материалы. 1999. Т. 35. № 11. С.1307-1312.

85. Electrical transport properties of (Cd, Zn)S thin films/ Deshmukh L.P., Rotti

86. C.B., Garadkar K.M., Hankare P.P. // Ind. J. Pure and Appl. Phys. II 1996. V. 34. P. 893-397.

87. Upadhyaya H. M., Chandre S. Chemical bath deposition of band-gap-tailored Pbj^CdjcS films // J. of Mater. Sci. 1994. V. 29. № 10. P. 2734-2740.

88. Китаев Г.А., Марков В.Ф., Маскаева JI.H. Условия формирования поликристаллических пленок халькогенидов металлов AnBYI, AIYBYI твердыхрастворов на их основе // Сб. научн. тр. Физика кристаллизации. Тверь: Тверск. гос. ун-т. 1994. С. 29-38.

89. Nayak В.В., Acharya H.N. Characterization of chemically deposited Pb^Cdi^S films by scanning electron microscopy // J. Mater. Sci. Lett. 1985. V. 4. P. 651652.

90. Nair P.K, Nair M.T.S. Versatile solar control characteristics of chemically deposited PbS-Cu^S thin film combinations // Semicond. Sci. Technol. 1989. V. 4 P. 807-814.

91. Suarez R., Nair P.K. Co-Deposition of PbS-CuS thin films by chemical bath technique // J. Sol. State Chem. 1996. V. 123. Iss. 2. P. 296-300.

92. Веснин Ю. И. О механизме образования твердых растворов замещения // Изв. СО АН СССР. Сер. хим. наук. 1985. Т. 15. В. 5. С. 7-10.

93. Борисов В.Т., Духин А.И., Мирошниченко Г.И. Исследование связи между скоростью роста и составом образующихся твердых растворов // Докл. акад. наук АН СССР. 1975. Т. 223. № 4. С. 893-895.

94. Голубченко Н.В. Исследование микроструктуры и фазового состава поликристаллических слоев селенида свинца в процессе термического окисления / Н.В. Голубченко, В.А. Мошников, Д.Б. Чеснокова // Физика и химия стекла. 2006. Т. 32. № 3*. С. 464-477.

95. Гамарц А.Е. Кинетические характеристики сенсибилизирующих отжигов поликристаллических слоев,селенида свинца / А.Е. Гамарц, Н.В. Голубченко, В.А. Мошников // Петербургский журнал электроники. 2003. № 4. С. 25-31.

96. Гамарц А.Е. Определение профиля диффузии кислорода в поликристаллических слоях селенида свинца методом ядерного микроанализа / А.Е. Гамарц, В.М. Лебедев, В.А. Мошников // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38. В. 10. С. 1195-1197.

97. Томаев В.В. Эллипсометрический контроль параметров пленок селенида свинца при окислении / В.В. Томаев, М.Ф. Панов // Физика и химия стекла. 2006. Т. 32. № 3. С. 511-515.

98. Фреик Д.М: Изотермический отжиг пленок селенида свинца / Д.М. Фре-ик, Б.Ф. Костик, Л.И. Борик // Неорнан. материалы. 1984. Т. 20. № 5. С. 756-762.

99. Томаев В.В. Кинетика окисления селенида свинца / В.В. Томаев, JI.JI. Макаров, П.А. Тихонов // Физика и химия стекла. 2004. Т 30. №4. С. 474-783.

100. Томаев В.В. Исследование продуктов окисления селенида свинца методом ИК спектроскопии / В.В. Томаев, И.В. Чернышева, П.А. Тихонов // Физика и химия стекла. 2007. Т. 33. № 6. С. 883-889.

101. Гамарц А.Е. Определение концентрации носителей заряда в поликристаллических слоях селенида свинца на основе спектров отражения / А.Е. Га-марц, Ю.М. Канагеева, В.А. Мошников // ФТИ. 2005. № 6. С. 667-668.

102. Маскаева JI.H. Получение твердых растворов- замещения Pbj-^CUrSi-j осаждением из водных растворов /JI.H. Маскаева, В.Ф. Марков, П.Н. Иванов // Неорган, материалы. 2002. Т. 38. № 9. С. 1037-1040.

103. Буткевич В.Г. Фотоприёмники и фотоприёмные устройства на основе поликристаллических и эпитаксиальных слоев халькогенидов свинца / В. Г. Буткевич, В.Д. Бочков //Прикладная физика. 2001. № 6. С. 66-112.

104. Юнович А.Э. Вынужденное излучение тонких пленок халькогенидов свинца при фотовозбуждении / А.Э. Юнович, В. П. Тен, М.С. Федоров // Физика и техника полупроводников. 1975. Т. 9. В. 5. С. 904-905.

105. Ю.Мухамедзянов Х.Н. Получение наноструктурированных высокофункдиональных пленок селенида свинца / Х.Н. Мухамедзянов, М.П. Миронов, С.И. Ягодин, J1.H. Маскаева, В.Ф. Марков // Цветные металлы. 2009. № 12. С. 57-60.

106. Ш.Серов И.Н. Анализ структурных характеристик нанокристаллических слоев селенида свинца / И.Н. Серов, М.А. Иошт, C.B. Кощеев // Микросистемная техника. 2004. №8. С. 17-20.

107. Казанцев Г.А. Фоточувствительные слои PbSe со смещенной длинноволновой границей фоточувствительности / Г.А. Казанцев, Ю.А. Глебов // Прикладная физика. 1999. №2. (http://www;vimi.ru).

108. Воробель В.М. Электрофизические проявления структурных преобразований в слоях селенида кадмия / В.М. Воробель, B.C. Гриневич, В.А. Смынтина // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2008. №10. С. 107-111.

109. Бачериков Ю.Ю. Фотолюминесценция наночастиц CdSe в пористом GaP /Ю.Ю. Бачериков. О.Б. Охрименко//ФТП. 2009. Т. 43. В.11. СЛ473-1476.

110. Мейтис JI. Введение в курс химического равновесия и кинетики / JL Мей-тис, пер. с англ. М.: Мир. 1984. 480 с. Перевод изд.: An introduction to chemical equilibrium and kinetics / L. Meites.

111. Шварценбах Г. Комплексонометрическое титрование / Г. Шварценбах, Г. Флашка; пер. с нем. М.: Химия. 1970. 360 с. Перевод изд.: Die kom-plexometrische Titration / G. Schwarzenbach, H. Flaschka.

112. Лурье Ю.Ю. Справочник по аналитической химии: Справ, изд. / Ю.Ю. Лурье. 6-е изд., перераб. и доп. М.: Химия. 1989. 448 с.

113. Rietveld Н.М. A profile refinement method for nuclear and magnetic structures

114. J. Appl. Ctyst. 1969. V. 2. P. 65-71.

115. Чичагов A.B. Рентгенометрические параметры твердых растворов. /

116. A.B. Чичагов, JI.B. Сипавина. М.: Наука. 1982. 171 с.

117. Мухамедьяров, Р.Д. Установка для измерения пороговых параметров фотоприемников / Р.Д. Мухамедьяров, В.И. Стук, В.Н. Жуков // Приборы и техника эксперимента. 1976. № 6. С. 234

118. Иванов П.Н. Физико-химические закономерности гидрохимического осаждения пленок сульфидов металлов: фрактально-кластерный механизм роста, роль анионов, размерный эффект: Дис. канд. хим. наук / Уральск, гос. техн. ун-т—УПИ. Екатеринбург. 2006. 170 с.

119. Марков В.Ф. Расчет граничных условий образования твердой фазы сульфидов и селенидов металлов осаждением тио- и селеномочевиной /

120. B.Ф. Марков, JI.H. Маскаева // Физическая химия. 2010. Т. 84. № 8.1. C. 1421-1426.

121. Китаев Г.А., Романов И.Т. Кинетика разложения тиомочевины в щелочных средах / Г.А. Китаев, И.Т. Романов // Изв. ВУЗов Химия и хим. технология. 1974. Т. 17. № 9. С. 1427-1428.

122. Китаев Г.А., Романов И.Т. Синтез тиомочевины из сероводорода и цианамида / Г.А. Китаев, И.Т. Романов // Изв. ВУЗов Химия и хим. технология. 1976. Т. 19. № 6. С. 941-943.

123. Справочник химика: В 6 т. / Химические равновесия и кинетика, свойства растворов. Электродные процессы. M.-JL: Химия. 1964. Т. 3. С. 1005.

124. Батлер Дж.Н. Ионные равновесия / Дж.Н. Батлер. М.: Химия. 1973. 448 с.

125. Маскаева JI.H., Китаев Г.А., Марков В.Ф.// Тезисы докладов Межрег. на-учно-техн. конф. "Ультрадисперсные порошки, наноструктуры, материалы". Красноярск. 1999. С. 89.

126. Таусон B.JL, Абрамович М.Г. Физико-химические превращения реальных кристаллов в минеральных системах / B.JI. Таусон, М.Г. Абрамович. Новосибирск: Наука. 1988. 272 с.

127. Марков В.Ф. Температурные зависимости констант гидролитического разложения тиомочевины и ступенчатой ионизации цианамида / Т.В. Виноградова В.Ф. Марков, JI.H. Маскаева // Общая химия. 2010. Т. 80. В. 11. С. 1878-1883

128. Аксельруд Н. В. Правило постоянства произведения активностей простых (гидратированных) ионов металлов и гидроксоионов в гетерогенной системе М2+ M(OH)m~n+m - M(OH)n- Н20 // Докл. акад. наук СССР. Химия. 1960. Т. 132. № 5. С. 1067-1070.

129. Кумок В.Н., Кулешова О.М., Карабин JI.A. Произведения растворимости. Новосибирск: Наука Сиб. отд. 1983. 266 с.

130. Китаев Г.А., Соколова Т.П. Растворимость цианамида свинца в щелочных средах // Журн. неорган, химии. 1975. Т. 20. № 3. С. 839-841

131. Накамото К. ИК-спектры и спектры КР неорганических и координационных соединений / К. Накамото. М.: Мир. 1991. 536 с.

132. Попов В.П. Исследование механизмов окисления на поверхности полупроводниковых структур селенида свинца / В.П. Попов, П.А. Тихонов, В.В. Томаев // Физика и химия стекла. 2003. Т. 29. № 5. С. 686-694.

133. Поповкин Б.А. Изучение взаимодействия селенида свинца с кислородом / Б.А. Поповкин, JI.M. Ковба, В.П. Зломанов, А.В. Новоселова // ДАН СССР. 1959. Т. 129. № 4. С. 809-812.

134. Maskaeva L.N. Hydrochemical synthesis, structure and properties of films of supersaturated substitut!onal Cu^Pb^S^ solid solutions / L.N. Maskaeva, V.F., V.F. Markov, V.I. Voronin, A.I. Gusev // Thin Solid Films. 2004. V. 461. P. 325-335.

135. Жаброва Г.М. О закономерностях топохимических процессов разных типов / Г.М. Жаброва, Б.М. Каденаци, О.В. Крылов, А.В. Шкарин, В.А.

136. ASTM X-ray diffraction date cards, Phyladelphia, 1968. № 6-0354.

137. Candea, R.M. Properties of PbSe films prepared by chemical "anorganic" deposition / R.M. Candea, D. Dadarlat, R. Turcu, E. Indrea // Phys. Stat. Sol. A. 1985. V. 90. P. K91-K95.

138. Rumianowski, R.T. Growth of PbSe thin films on Si substrates by pulsed laser deposition method / R.T. Rumianowski, R.S. Dygdala, W. Jung, W. Bala // J. Cryst. Growth. 2003. V. 252. P. 230-235.

139. Prabahar S. Lead selenide thin films from vacuum evaporation method, structural and optical properties / S. Prabahar, N. Suryanarayanan, K. Rajasekar, S. Srikanth // Chalcogenide letters. 2009. V. 6. № 5. P. 203-211.

140. Baleva M.I. Infrared absorbtion of laser-deposited PbSe films / M.I. Baleva, M.H. Maksimov, M.S. Sendova // J. Phys. C: Solid State Phys. 1987. V. 20. P. 941-951.