Разработка методов построения и моделирования интегральных систем оптической коммутации многоядерных УБИС тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Денисенко, Марк Анатольевич

• Денисенко, Марк Анатольевич
• кандидат технических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат технических наук Денисенко, Марк Анатольевич

ВВЕДЕНИЕ.

1. АНАЛИЗ МЕТОДОВ ПОСТРОЕНИЯ СИСТЕМ КОММУТАЦИИ МНОГОЯДЕРНЫХ УБИС .'.

1. Г. Анализ состояния и перспектив развития современной оптоэлектроники.

1.2. Анализ методов построения элементов быстродействующих систем оптической коммутации ядер многоядерных УБИС

1.3. Выводы

2. РАЗРАБОТКА МЕТОДОВ ПОСТРОЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ

СИСТЕМ ОПТИЧЕСКОЙ КОММУТАЦИИ.!.

2.1. Разработка методов построения модулируемых источников оптического излучения.

2.2. Разработка методов построения быстродействующих систем оптической коммутации на основе функционально интегрированных лазеров-модуляторов

2:3. Выводы.:.

3. РАЗРАБОТКА МОДЕЛЕЙ; МЕТОДОВ И СРЕДСТВ МОДЕЛИРОВАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СИСТЕМ ОПТИЧЕСКОЙ коммутации .!.;.•.

3.1. Разработка моделей, методов и средств моделирования модулируемых источников оптического излучения.,

3.2. Анализ результатов численного моделирования быстродействующих модулируемых источников оптического излучения для интегральных систем оптической коммутации убис.;.:.иг

3.3. Выводы.

4. РАЗРАБОТКА ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СИСТЕМ ОПТИЧЕСКОЙ КОММУТАЦИИ МНОГОЯДЕРНЫХ

4.1. Разработка конструкций и технологических маршрутов изготовления быстродействующих систем оптической коммутации на основе функционально интегрированных лазеров-модуляторов.

4.2. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка методов построения и моделирования интегральных систем оптической коммутации многоядерных УБИС»

Нанотехнология в последние годы стала одной из наиболее важных областей знаний на переднем крае физики, химии, биологии, технических наук. Она имеет громадный потенциал для использования во множестве практических областей - от производства более прочных и, легких конструкционных материалов» до уменьшения времени доставки наноструктурированных лекарств в кровеносную систему, увеличения* емкости магнитных носителей- и создания триггеров для быстрых компьютеров. Междисциплинарные исследования охватили широкий круг тем - от химии-катализа наночастицами до физики лазеров на квантовых точках [1].

Нанотехнология стала рассматриваться не только как одна из наиболее многообещающих ветвей высокой технологии, но и как системообразующий' фактор экономики 21 века - экономики, основанной на знаниях, а не использовании природных ресурсов или их переработке. Помимо того, что нанотехнология стимулирует развитие новой парадигмы всей производственной деятельности («снизу-вверх» - от отдельных атомов - к изделию, а не «сверху-вниз», как традиционные технологии, в которых изделие получают путем отсечения, излишнего материала от более массивной заготовки), она сама является источником новых подходов к повышению качества жизни и решению многих социальных проблем в постиндустриальном обществе. По мнению большинства экспертов в области научно-технической политики и инвестирования средств, начавшаяся нанотехнологическая революция охватит все жизненно важные сферы деятельности человека (от освоения космоса - до медицины, от национальной безопасности - до экологии и сельского хозяйства), а ее последствия будут обширнее и глубже, чем последствия компьютерной революции последней трети 20 века. Все это ставит задачи и вопросы не только в научно-технической сфере, но и перед администраторами различного уровня, потенциальными инвесторами, сферой образования, органами государственного управления и т.д. [1].

Высокие темпы развития технологических процессов наноэлектроники, обусловленные появлением принципиально нового нанотехнологического оборудования, позволяют создавать полупроводниковые наноструктуры, содержащие области с квантоворазмерными эффектами (квантовые ямы, квантовые провода и квантовые точки), определяющие возможности достижения уникальных характеристик элементной базы наноэлектроники, и прежде всего сверхвысокого быстродействия [2].

Традиционно, одним из показателей, наглядно демонстрирующих развитие микро- и наноэлектроники, является изменение размеров- активных элементов, а также их числа на кристалле. В настоящее время технологические нормы современных микропроцессоров фирмы Intel, выпускающихся серийно, составляют 32 нм, а число элементов.на кристалле приближается к 10ю (рис. В.1) [3].

На текущем этапе развития технологических процессов изготовления УБИС, методов и средств их проектирования, увеличение производительности УБИС обеспечивается не только за счет уменьшения размеров транзисторов!и повышения- тактовой частоты, а в значительной степени благодаря наращиванию числа ядер подобных интегральных систем, что делает их оптимальными для параллельных вычислений. Это связано с тем, что современные технологии вплотную приблизились к минимально допустимым, с точки зрения физики, технологическим нормам производства, и дальнейшее уменьшение размеров активных элементов на кристалле приводит к проблемам, связанным с необходимостью учета возрастающей роли квантовых явлений в них (рис. В.2) [4, 5].

Рис. В.1. Темпы уменьшения проектных норм и характеристических размеров интегральных транзисторов по данным фирмы Intel [3]

1.Е+07 ■ 1.Е+06 1.Е+05 1.E-MW •

J.E-01

1970 г— 1975

1980

1985 г— 1990 i 1995

2000

2005 i 2010

Power is the root cause of all this

Transistors (in Thousands) ■ Frequency (MHz)

Power (W)

• Cores

A hardware issue just became a software l.E+Ol

1.E+00

Рис. В.2. Темпы изменения количества транзисторов на кристалле, тактовой частоты, потребляемой мощности и количества ядер в вычислительных системах по данным компании Intel [6]

Одной из основных проблем увеличения числа ядер на кристаллах УБИС, является недостаточно высокая эффективность применяющихся- межъядерных соединений. Металлические проводящие линии перестают удовлетворять растущим требованиям, в частности, по быстродействию и помехозащищенности [7].

Данная, проблема может быть решена за счет применения* интегральных оптических линий, которые, по результатам исследователей- IBM, позволят повысить- пропускную способность внутричиповых соединений« примерно в 100 раз при одновременном десятикратном снижении энергопотребления [7].

Интегральная оптоэлектроника в настоящее время является одним, из важных и перспективных направлений наноэлектроники (рис. В.З), предполагающая замену электрических сигналов оптическими и, таким образом, позволяющая решить ряд проблем, связанных с созданием сверхбыстродействующих интегральных устройств на основе наноразмерной элементной базы, в частности проблему сокращения задержек сигналов в соединительных линиях. Основной принцип оптоэлектроники состоит в модуляции стимулированного излучения, генерируемого лазерными элементами, с последующим преобразованием, модулированных оптических сигналов в соответствующие электрические импульсы [4].

Потребности современной техники передачи и обработки информации оптическими методами привели к разработке и созданию быстродействующих интегрально-оптических устройств различного назначения. Возможность передачи и обработки больших объемов информации определяет бурное развитие интегральной оптики в настоящее время [4, 5].

Учитывая масштабность современных исследований, направленных на создание надежных и эффективных систем оптической коммутации^ ядер в многоядерных УБИС, и высокие требования к их быстродействию, разработка методов построения быстродействующих интегральных систем оптической коммутации является актуальной проблемой [7]

Рынок полупроводниковых нанотехнологий opto electronics $17.вВ nano materials $0,5В

Magnetic hard drives $30B displays $0.7B nano medicine ~$1B

Source: LuxResearch

Рис. В.З. Состояние рынка полупроводниковых нанотехнологий по данным компании Intel на 2010 г. [6]

По данным компании IBM, развитие и снижение стоимости, в пересчете на один компонент, технологии производства, а также внедрение оптоэлектронных систем коммутации ядер в многоядерных УБИС в область высокопроизводительных вычислений, позволит не только увеличить степень интеграции компонентов на кристалле, но и повлияет в значительной степени на переориентацию рынка высоких технологий (рис. В.4) [8].

На рис. В.5 приведены данные прогноза состояния рынка оптоэлектроники на 2015 год [9].

Целью диссертационной работы является разработка методов построения, моделей, методик моделирования и элементной базы интегральных систем оптической коммутации многоядерных УБИС на основе полупроводниковых наноразмерных гетероструктур с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда с целью решения проблемы увеличения быстродействия, снижения энергопотребления и повышения степени интеграции УБИС.

При выполнении данной диссертационной работы получены следующие научные результаты:

- разработан метод построения модулируемых источников оптического излучения на основе управляемой передислокации максимума амплитуды волновых функций носителей заряда в квантовых областях;

- произведен анализ методов построения; конструкций и технологических маршрутов изготовления быстродействующих интегральных фотоприемников;

- произведен анализ методов построения и технологических маршрутов изготовления быстродействующих интегральных оптических линий связи;

- разработан метод построения шггегральных систем оптической коммутации на основе быстродействующих модулируемых источников оптического излучения с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда в квантовых областях;

- разработаны модели, методика и средства моделирования модулируемых источников оптического излучения с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда в квантовых областях;

- разработана модель, методика и средства моделирования интегральных систем оптической коммутации многоядерных УБИС.

Основные результаты диссертации получены автором при выполнении научно-исследовательских работ в рамках госбюджетной тематики №№ 13060, 13059, а также в рамках научно-технических программ Министерства образования и науки РФ (госконтракт № 16.740.11.0425 от 03.12.2010 г., проект 2.1.2/10229).

Результаты диссертационной работы использованы в научных исследованиях и разработках Научно-образовательного центра «Нанотехнологии» Южного федерального университета (г. Таганрог), Национального исследовательского центра «Курчатовский институт» (г.Москва), Южного научного центра РАН (г. Ростов-на-Дону), использованы в НИР, выполненных по заданиям Министерства образования и науки РФ^ а также внедрены в учебный процесс подготовки студентов Технологического института ФГАОУ ВПО «Южный федеральный университет» в г. Таганроге.

Основные результаты работы обсуждались и были одобрены на следующих научных конференциях:

- International Conferences "Micro- and nanoelectronics" (Moskow -Zvenigorod; 2009);

- студенческая конференция "Наноэлектроника и молекулярная электроника" 2008;

- международная научная конференция "Инновации в обществе, технике и культуре" (Инновации ОТК- 2008). - Таганрог, 2008;

- международная научная конференция "Опто-, нано-электроника, нанотехнологии и микросистемы". - Ульяновск: УлГУ, 2009;

- всероссийская научно-техническая школа-конференция "Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения" (Intermatic). - Москва, 2009, 2010;

- всероссийская молодежная конференция и школа-семинар "НАнотехнологии и инНОвации" (НАНО-2009). - Таганрог, 2009;

- международная научно-техническая конференция «Нанотехнологии -2010». - Дивноморское-Таганрог, 2010;

- международная научно-техническая конференция и молодежная школа-семинар «Нанотехнологии — Таганрог, 2010;

- научная конференцая студентов и аспирантов «Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления» (КРЭС) - Таганрог, 2010.

По теме исследований опубликованы 17 печатных работ, в том числе 3 научных статьи в изданиях, рекомендованных ВАК РФ, получен 1 патент РФ. Основные положения и результаты, выносимые на защиту:

- метод построения и конструкции модулируемых источников оптического излучения на основе управляемой передислокации максимума амплитуды волновых функций носителей заряда в квантовых областях;

- метод построения интегральных систем оптической коммутации на основе быстродействующих модулируемых источников оптического излучения с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда в квантовых областях;

- модели и методика моделирования модулируемых источников оптического излучения с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда в квантовых областях.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Денисенко, Марк Анатольевич

4.2. Выводы

В данной главе представлен разработанный технологический маршрут изготовления систем оптической коммутации многоядерных УБИС, представляющий последовательность лишь основных технологических этапов формирования функционально интегрированных интегральных элементов на основе материалов группы АШВУ на кремниевой подложке без детального описания таких технологических операций, как формирование управляющих переходов Шоттки и омических контактов, формирование буферного слоя при проведении молекулярно-лучевой эпитаксии и др., поскольку детальная разработка технологического процесса выходит за рамки задач, поставленных в диссертационной работе.

Основной особенностью данного технологического маршрута является использование самосовмещения и бокового травления на различных этапах с целью сокращения числа литографических операций и повышения выхода годных кристаллов.

Технологический маршрут предполагает использование стандартных технологических операций арсенид-галлиевой технологии реализации лазерных наноструктур.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Диссертационная работа посвящена разработке методов построения, моделей, методик моделирования и элементной базы интегральных систем оптической коммутации многоядерных УБИС на основе полупроводниковых наноразмерных гетероструктур с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда с целью решения проблемы увеличения быстродействия, снижения энергопотребления и повышения степени интеграции УБИС.

Научная новизна диссертационной работы отражена в следующих основных результатах:

1) разработан метод построения модулируемых источников оптического излучения на основе управляемой электрическим полем передислокации максимума амплитуды волновых функций носителей заряда в квантовых областях;

2) разработан метод построения интегральных систем оптической коммутации на основе быстродействующих модулируемых источников оптического излучения с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда в квантовых областях;

3) разработаны модели и методика моделирования модулируемых источников оптического излучения с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда в квантовых областях.

Практическая ценность исследований состоит в следующем:

1) на основе предложенного метода построения модулируемых источников оптического излучения с управляемой электрическим полем передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда в квантовых областях разработана и защищена патентом

Российской Федерации конструкция интегрального инжекционного гетеропереходного лазера с функционально интегрированным модулятором, обеспечивающая максимальные частоты амплитудной модуляции стимулированного излучения более 1 ТГц;

2) на основе разработанных моделей и методики моделирования разработаны программные средства численного моделирования интегральных источников-модуляторов оптического излучения с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда, позволяющие произвести количественную оценку параметров структуры лазеров-модуляторов, могут найти применение в соответствующих системах автоматизированного проектирования УБИС;

3) разработан технологический маршрут изготовления интегральных -инжекционных лазеров с функционально интегрированными амплитудными модуляторами на основе управляемой передислокации максимума амплитуды волновых функций носителей заряда;

4) разработан технологический маршрут изготовления интегральных систем оптической коммутации на основе полупроводниковых материалов группы АШВУ для кремниевых многоядерных УБИС, предполагающий использование стандартных технологических операций арсенид-галлиевой технологии реализации лазерных наноструктур. Диссертационная работа выполнена на кафедре конструирования электронных средств Технологического института ФГОУ ВПО «Южный федеральный университет» в г. Таганроге.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Денисенко, Марк Анатольевич, 2011 год

1. Пул Ч., Оуэне Ф. Нанотехнологии: Учеб. пособие для вузов -М.: Техносфера, 2004. 328 с.

2. Алферов Ж.И. Двойные гетероструктуры: концепция и применение в физике, электронике и технологии // Успехи физических наук. 2002. Т. 172. №9.-С. 1068-1086.

3. Robert Chau. Role of High-K Gate Dielectrics and Metal Gate Electrodes in Emerging Nanoelectronic Devices // Plenary talk, 14th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS 2005). 2005. Leuven, Belgium. -P. 1-25.

4. Малышев В.А. Основы квантовой электроники и лазерной техники. М.: Высшая школа, 2005. — 543 с.

5. R. Chau. Low-dimensional Systems and Nanostructures // Physica E. 2003. -Vol. 19, Issues 1-2,-P. 1.

6. Суетин H.B. Современное состояние и перспективы развития полупроводниковых технологий // Intel. 2010. С. 1 - 42.

7. Vlasov Y., Green W.M.J., Xia F. High-throughput silicon nanophotonic wavelength-insensitive switch for on-chip optical networks // Nature Photonics, -2008,-2,-P. 242-246.

8. Vlasov Y. Silicon photonics for next generation computing systems // Optical Communication. 34th European Conference (ECOC 2008). 2008. Brussels. P. 1-51.

9. Bergh A. Future opportunities in optoelectronics // 3rd CNS Annual Nanotechnology Simposium. 2006. Cornell University. P. 1-51.

10. Ермаков O.H. Прикладная оптоэлектроника M.: Техносфера, 2004. -416 с.

11. Etter M.D. Defense Science and Technology Strategy. Department of Defense USA, 2000.-P. 1-14.

12. Savage N. Optics Industry Report // Laser Focus World (USA). 1999. V. 35,1. N. 11, P. 119.

13. Кремниевая фотоника прогрессирует // Открытые системы, — 2004. № 003,-С 42-51.

14. Chiang С.С., Kawa J. Design for manufacturability and yield for nano-scale CMOS. Dordrecht: Springer, 2007. P. 277.

15. Pavesi L. Will silicon be the photonic material of the third millenium? // J. Phys.: Condens. Matter 15,2003. PI 169.

16. Rong H., Kuo Y., Liu A., Paniccia M.J., Cohen O. High efficiency wavelength conversion of 10 Gb/s data in silicon waveguides // Optics Express, Vol. 14, Issue 3. 2006.-PP. 1182-1188

17. Sysak M.N., Anthes J.O., Bowers J.E., Raday O., Jones R. Integration of hybrid silicon lasers and electroabsorption modulators // Optics Expresss, Vol. 16, Issue 17, 2008. PP. 12478-12486.

18. Park H., Fang A., Liang D., Kuo Y. H., Chang H. H., Koch B. R., Chen H. ,W., Sysak M. N., Jones R., Bowers J. E. Photonic Integration on the Hybrid Silicon Evanescent Device Platform // Advances in Optical Technologies, Vol. 14, 2008.-PP. 9203-9210.

19. Park H., Kuo Y.H., Fang A.W., Jones R., Cohen O., Pannicia M.J., Bowers J.E. A hybrid AlGalnAs-silicon evanescent preamplifier and photodetector // Optics Express, Vol. 15, No. 21, 2007-P. 104-112.

20. Fang A.W., Park H., Cohen O., Jones R., Paniccia M.J., Bowers J. Electrically pumped hybrid AlGalnAs-silicon evanescent laser // Optics Express, Vol. 14, Issue 20, 2006. PP. 9203-9210.

21. Филатов Д.О., Исаков M.A., Круглова M.B. Фотоэлектрические свойства наноструктур GeSi/Si: Учеб. пособие Н.Новгород: ИНГУ, 2010. - 118 с.

22. Kressel Н., Ettenberg М., Wittke J. P. et al. Laser Diodes and LEDs for Fiber Optical Communication//Berlin: Springer, 1986. P. 398.

23. Foell H., Christophersen M., Carstensen J. et al. Formation and application of porous silicon // Mat. Sci, Eng. R 39, 2002 P. 93.

24. Cullis A. G., Canham L. Т., Calcott P. D. J. The structural and luminescenceproperties of porous silicon // Appl. Phys. Lett. 82, 1997. P. 909.

25. Bisi O., Ossicini S., Pavesi L. Porous silicon: a quantum sponge structure for silicon based optoelectronics // Surf. Sci. R 138, 2000. P. 1.

26. Pavesi L., Panzarini G., Andreani L.C. All-porous silicon-coupled microcavities: Experiment versus theory // Phys. Rev. В 58, 15794, 1998. P. 132 -140.

27. Степихова M. В., Жигунов Д. M., Шенгуров В. Г. и др. Инверсная населенность уровней энергии ионов эрбия при передаче возбуждения от полупроводниковой матрицы в структурах на основе кремния/германия // Письма в ЖЭТФ 81, 2005. С. 614.

28. Кузнецов В. П., Ремизов Д. Ю., Шмагин В. Б. и др. Электролюминесценция ионов эрбия в кремниевых диодных структурах р*4" In /n-S^Er/n44". ФТП 41, 2007.-С. 1329.

29. Pavesi L., Turan R. Silicon Nanocrystals: Fundamentals, Synthesis and Applications // Dortmund: Wiley-VCH, 2010. P. 1 - 23.

30. Kveder V., Kittler M., Schroter W. Recombination activity of contaminated dislocations in silicon: A model describing electron-beam-induced current contrast behavior // Phys. Rev. В 63,115208, 2001. P. 28 - 37.

31. Binetti S., Pizzini S.,"Leoni E. Optical properties of oxygen precipitates and dislocations in silicon // J. Appl. Phys. 92, 2437, 2002. P. 101 - 109.

32. Nakamura M., Nagai S., Aoki Y. Oxygen participation in the formation of thephotoluminescence W center and the center's origin in ion-implanted silicon crystals // Appl. Phys. Lett. 72, 1347 1998. P. 214 - 222.

33. Kveder V., Badylevich M., Steinman E. Room-temperature silicon light-emitting diodes based on dislocation luminescence // Appl. Phys. Lett. 84, 2106. 2004. -P. 173-179.

34. Цырлин Г.Э., Петров B.H., Дубровский В.Г. Гетероэпитаксиальный рост InAs на Si: новый тип квантовых точек // ФТП 33, 1066. 1999. С. 19 -23.

35. Красильник З.Ф., Новиков А.В. Оптические свойства напряжённых гетероструктур на основе Sii.xGex и Siix.yGexCy // УФН 170, 338. 2000. С. 54-61.

36. Rong Н., Xu S., Cohen О., Raday О., Lee М., Sih V. Paniccia M.J. A Cascaded Silicon Raman Laser // Nature Photonics. 2008. PP. 170-174.

37. Rong H., Xu S., Kuo Y., Sih V., Cohen O., Raday O. Paniccia M.J. Low-threshold continuous-wave Raman silicon laser // Nature Photonics. 2007. PP. 232-237.

38. Rong H., Jones R, Liu A., Cohen O., Hak D., Fang A., Paniccia M.J. A Continuous-Wave Raman Silicon Laser // Nature. 2005. P. 80 - 88.

39. Rong H., Liu A., Jones R., Cohen O., Hak D., Nicolaescu R., Fang A., Paniccia M.J. An all-silicon Raman laser // Nature. 2005. P 105 - 109.

40. Коноплев Б.Г., Рындин E.A. Элементная база нанокомпьютеров на основе связанных квантовых областей // Вестник Южного научного центра РАН, 2005. Т. 1. № 3. С. 22-28.

41. Рындин Е.А. Сверхбыстродействующие электронные коммутаторы на основе управляемой передислокации максимума волновой функции носителей заряда // Вестник Южного научного центра РАН, 2006. Т. 2. № 2. С. 8-16.

42. Konoplev B.G., Ryndin Е.А. A Study of the Transport of Charge Carriers in Coupled Quantum Regions // Semiconductors, 2008. Vol. 42. № 13. P. 1462 -1468.

43. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур //

44. Физика и техника полупроводников. 1998. Т. 32, №1. С. 3 — 18.

45. Алферов Ж.И., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А., Кольев П.С., Бимберг Д. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры. Обзор // Физика и техника полупроводников. 1998. Т. 32, №4. С. 385-410.

46. Тугов Н.М. Глебов Б.А.; Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы -М.: Энергоатомиздат, 1990. 576 с.

47. Звелто, О. Принципы лазеров. М.: Лань, 2008. - 720 с.

48. Коноплев, Б.Г. Исследование транспорта носителей заряда в связанных квантовых областях Текст. / Б.Г.Коноплев; Е.А.Рындин // Известия вузов. Электроника. 2008. - № 2. - С. 14 - 22.

49. Коноплев, Б.Г., Рындин Е.А. Интегральные логические элементы на основе туннельно-связанных наноструктур // Известия вузов. Электроника. 2006. -№3.-С. 18-26.

50. Рындин, Е.А. Интегральные комплементарные -элементы с управляемой передислокацией максимума волновой функции носителей заряда в квантовых областях // Проектирование и технология электронных средств. 2006.-№3.-С. 56-65.

51. Liao L., Liu A., Basak J., Nguyen H., Paniccia M. J., Chetrit Y., Rubin D. Silicon Photonic Modulator and Integration for High-Speed Applications // International

52. Electron Devices Meeting. 2008. P 164 175.

53. Liao L., Liu A., Rubin D., Basalt J., Chetrit Y., Nguyen H., Cohen R., Izhaky N. Paniccia M.J. 40 Gbit/s silicon optical modulator for highspeed applications // Electronics Letters, Vol. 43, No. 22. 2007. P 95 102.

54. Болховитянов Ю.Б., Пчеляков О.П. Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок //, Успехи физических наук. Т. 178, № 5. 2008. С. 459-480.

55. Kang Y., Morse М. Silicon Photonics Reinvents Avalanche Photodetectors // Laser Focus World, Vol. 45, Issue 10. 2009. PP. 35-37.

56. Park H., Fang A.W., Jones R., Cohen O., Raday O., Sysak M.N., Paniccia M.J., Bowers J.E. A hybrid AlGalnAs-silicon evanescent waveguide photodetector // Optics Express, Vol. 15, No. 10. 2007. P 117 124.

57. Коноплев Б.Г., Рындин E.A. Интегральная наноэлектроника на основе связанных квантовых областей. Таганрог: Изд-во ТТИ ЮФУ, 2008. -230 с.

58. Коноплев Б.Г., Рындин Е.А., Денисенко М.А. Интегральный инжекционный лазер с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда // Вестник Южного научного центра РАН. 2010. - Т. 6, № 3. - С. 5 - 11.

59. Абрамов И.И., Харитонов В.В.; под ред. А.Г. Шашкова. Численное моделирование элементов интегральных схем Минск.: Выш. шк., 1990. — 224 с.

60. Бубенников А.Н., Садовников А.Д. Физико-технологическое проектирование биполярных элементов кремниевых БИС. М.: Радио и связь, 1991.-288 с.

61. Бондаренко Д.В. Моделирование динамического поведения инжекционного лазера при проектировании оптических систем связи // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 5 — 6. С. 44-45.

62. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. —1. М.: Энергия, 1977. 672 с.

63. Ьюие К., Sakaki Н., Yoshino J., Hotta Т. Self-consistent calculation of electronic states in AlGaAs/GaAs/AlGaAs selectively doped double heterojunction systems under electric fields // J. Appl. Phys. 1985. - Vol. 58, No. 11.-P. 4277-4281.

64. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин B.A. Основы наноэлектроники: Учеб. пособие. Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2004. - 496 с.

65. Коноплев Б.Г., Рындин Е.А., Денисенко М.А. Метод построения интегральных систем оптической коммутации многоядерных УБИС // Известия ЮФУ. Технические науки, №4 (117), 2011. С. 21 - 27.

66. Коноплев Б.Г., Рындин Е.А., Денисенко М.А. Амплитудная модуляция лазерного излучения в интегральных системах оптической коммутации многоядерных УБИС // Известия ЮФУ. Технические науки, №1 (114), 2011.-С. 92-97.

67. Рындин Е.А., Денисенко М.А. Моделирование инжекционного лазера на основе связанных квантовых областей // Сборник трудов международной научной конференции «Опто-, нано-злектроника, нанотехнологии и микросистемы» . Ульяновск: УлГУ, 2009. — С. 65.

68. Коноплев Б.Г., Рындин Е.А., Денисенко М.А. Интегральныйинжекционный лазер с управляемой передислокацией максимума амплитуды волновых функций носителей заряда. // Патент РФ 2400000, 2009.

69. Коноплев Б.Г., Денисенко М.А. Инжекционный лазер на основе квантовых областей // Сборник трудов студенческой конференции "Наноэлектроника и молекулярная электроника" 2008. — С. 48.

70. Денисенко М.А. Интегральные системы оптической коммутации многоядерных УБИС // Труды X научной конференции студентов и аспирантов «Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления» КРЭС 2010 - С. 42.

71. Rattner J., Pannicia M. The 50 Gbps silicon photonic link // A research milestone from Intel labs. White paper. 2008. PP. 1-22.230