Импедансные свойства инжекционных полупроводниковых лазеров и вопросы разработки СВЧ-модуляторов на их основе тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.12.07, кандидат технических наук Орда-Жигулина, Марина Владимировна

• Орда-Жигулина, Марина Владимировна
• кандидат технических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат технических наук Орда-Жигулина, Марина Владимировна

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1: РАССМОТРЕНИЕ ИПЛ В ОБЩЕМ МОДУЛЯЦИОННОМ ПРОЦЕССЕ

1.1 Обзор литературы

1.2 Радиоэлектронные механизмы, лежащие в основе работы оптических полупроводниковых диодных СВЧ-модуляторов.

1.3 Определение параметров инжекционных полупроводниковых лазеров в процессе модуляции.

1.3.1 Определение оптической компоненты полной проводимости лазерного диода.

1.3.2 Характеристики ИПЛ в общем модуляционном процессе.

1.3.3 Определение значения коэффициента модуляции ИПЛ.

1.3.4 Определение расчётныхотношений для активной проводимости ИПЛ.

1.3.5 Определение расчётныхотношений для реактивной проводимости ИПЛ.

1.4 Выводы

ГЛАВА 2: ОПРЕДЕЛЕНИЕ АМПЛИТУДЫ ВЫНУЖДЕННЫХ КОЛЕБАНИЙ ИПЛ В РЕЖИМЕ МОДУЛЯЦИИ СВЧ-СИГНАЛАМИ МАЛОГО УРОВНЯ.

2.1 Вывод дифференциального уравнения, описывающего работу ИПЛ на основанииоростных уравнений лазера. ^

2.2 Решение уравнения модулятора при внешнем воздействии СВЧ-гармоническимгналом малой амплитуды.

2.3 Выводы.

ГЛАВА 3: АНАЛИЗ УСТОЙЧИВОСТИ КОЛЕБАТЕЛЬНОЙ СИСТЕМЫ

ИНЖЕКЦИОННОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЛАЗЕРА

3.1. Некоторые общие теоретические положения. 88 'с.

3.2. Анализ устойчивости ИПЛ.

3.3 Выводы.

ГЛАВА 4 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ВОЗМОЖНОСТИ РАЗРАБОТКИ СВЧ-МОДУЛЯТОРА ОПТИЧЕСКИХ

КОЛЕБАНИЙ

4.1 Экспериментальная проверка управления мощностью ИПЛоронним СВЧ-колебанием.

4.1.1 Структурнаяема измерительной установки.

4.1.2 Измерения и обработка результатов эксперимента.

4.1.3 Анализ полученных экспериментальных результатов.

4.2 Разработка макета оптического СВЧ-модулятора отражательного типа.

4.2.1 Структурнаяема измерительной установки.

4.2.2 Измерения и обработка результатов эксперимента.

4.3 Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Импедансные свойства инжекционных полупроводниковых лазеров и вопросы разработки СВЧ-модуляторов на их основе»

Актуальность

Развитие современных коммуникационных систем связано с освоением оптического диапазона в целом и элементной базы оптических радиопередающих устройств (РПУ) в первую очередь. В проектировании РПУ оптического диапазоне на новом уровне продолжается развитие перспективного направления разработки СВЧ оптических модуляторов. Устройства модуляции такого типа применяются в качестве элементов управления радиооптических антенных решеток, основной особенностью которых является то, что собственно антенная решетка работает в радиодиапазоне СВЧ, а система управления её элементами осуществляется в оптическом диапазоне.

В настоящее время в результате успешного развития технологии изготовления инжекционных полупроводниковых лазеров (ИПЛ), работающих при комнатной температуре, на рынке электронных компонентов доступны относительно недорогие образцы ИПЛ как отечественного, так и импортного производства (DFB, DBR, ЕС, VCSEL и ДР-)

Одним из наиболее перспективных методов модуляции указанных типов ИПЛ считается амплитудная модуляция тока р-n перехода ИПЛ непосредственно поданным на него модулирующим СВЧ-сигналом. Этот вид модуляции основан на эффекте поглощения оптического излучения свободными электронами. При данном механизме изменение прозрачности запирающего слоя р-n перехода происходит через изменение концентрации свободных носителей зарядов в полупроводнике. Модуляторы, использующие упомянутый эффект, представляют собой ИПЛ, к р-п переходу которого приложено прямое смещение и СВЧ-сигнал, и относятся к устройствам внутренней модуляции, в которых оптическое излучение выходит из источника света уже промодулированным.

Согласно опубликованным в открытых источниках данным исследования, посвященные СВЧ модуляции полупроводниковых лазерных диодов, ведутся в ряде отечественных научных институтов Санкт-Петербурга, Саратова, Обнинска, Москвы, а также за рубежом: в Японии, преимущественно в плане исследования полупроводниковых лазеров, как усилителей оптического излучения, и в США. Для упомянутых исследовательских центров перспективность как практических, так и теоретических исследований в данном направлении не вызывает сомнений.

Модулирующие устройства, реализованные на указанном физическом эффекте, отличаются простотой конструкции и небольшими габаритами, что отличает их от модуляторов, применяемых в тех же приложениях, но использующих другие физические эффекты при модуляции оптического излучения (акустооптические дефлекторы, электрооптические модуляторы и т.д.). Можно ожидать существенного экономического эффекта при внедрении СВЧ модуляторов оптического излучения в технику уже существующих систем связи. Модулятор конструкции, предложенной в данной работе, позволяет заменить дорогостоящие протяженные и сложные в обслуживании коаксиально-волноводные и волноводные тракты, применяемые в специализированных системах связи и радиолокации, что позволит улучшить технико-экономические показатели таких систем по сравнению с наиболее распространёнными на данный момент коаксиальными системами связи в плане помехозащищённости, уменьшения стоимости самого тракта, его обслуживания, массы и занимаемого объема.

Таким образом, при разработках оптических систем связи становится очевидной необходимость первоочередного проведения разработок-модуляторов оптического излучения, реализованных на эффекте поглощения оптического излучения свободными электронами.

Предмет исследований

В диссертационной работе проводится теоретический анализ и исследуется возможность разработки СВЧ-модулятора оптического излучения на базе одного из современных полупроводниковых лазерных диодов, работающих при комнатной температуре; определяются импедансные свойства, рассчитываются модуляционные характеристики и анализируется устойчивость оптико-электронной системы в режиме модуляции, а также исследуются технические пути практической реализации оптических СВЧ-модуляторов.

Цель работы и задачи исследований

Цель диссертационной работы - предложить практические пути создания модулирующих устройств в одном из участков СВЧ - диапазона и определить аналитические выражения, пригодные для инженерных расчётов параметров оптических СВЧ-модуляторов.

Для достижения указанной цели необходимо рассмотреть основные теоретические вопросы, возникающие при расчёте указанных параметров и решить следующие задачи:

- определить импедансные свойства лазерного диода на основе взаимодействия модулирующего (а'с, ас - амплитуда и частота СВЧ-колебания) и несущего (оптического) колебания (к, а - амплитуда и частота оптического излучения ИПЛ) с электронным потоком на р-n переходе ИПЛ;

- на основании разложения тока в рабочей точке ВАХ ИПЛ определить коэффициент модуляции; найти амплитуду вынужденного колебания, являющегося продуктом взаимодействия нескольких напряжений, приложенных к р-n переходу ИПЛ (К, Кс и напряжения питания ИПЛ £/0);

- исследовать устойчивость оптико-электронной системы, каковой является модулятор в режиме модуляции.

Методы исследования базируются на методах теории цепей и методах теории устойчивости динамических систем.

Научная новизна работы состоят в следующем:

- разработана и проанализирована модель, описывающая импедансные свойства лазерного диода в процессе модуляции его излучения СВЧсигналом, позволившая получить аналитические выражения для основных параметров оптико-электронной системы, каковой является ИПЛ;

- получено и решено уравнение анализируемой системы, описывающее ее как систему вынужденных колебаний на основе скоростных уравнений ИПЛ, которые обычно применяются для описания процессов генерации оптического излучения в лазерных диодах, с учетом того, что система находится под внешним воздействием модулирующего СВЧ-сигнала. Решением такого уравнения является амплитуда сложного (вынужденного) колебания А, связанная с электрофизическими параметрами ИПЛ, которую следует использовать при расчёте основных параметров указанной системы;

- исследована устойчивость оптического излучения в процессе модуляции СВЧ-сигналами. Полученные результаты без дополнительных математических расчётов могут быть использованы для имеющейся лазерной элементной базы при разработках оптических СВЧ амплитудных модуляторов и задающей части оптических передатчиков).

Практическая значимость работы состоит в следующем:

- получены аналитические выражения для импеданса ИПЛ в режиме амплитудной модуляции для основных модуляционных характеристик, пригодные для инженерных расчётов при проведении разработки оптических СВЧ модуляторов;

- предложены два варианта конструкции оптического СВЧ-модулятора, принцип действия которого основан на взаимодействии СВЧ-поля непосредственно с положительно смещенным р-n переходом ИПЛ.

Внедрение результатов работы

Результаты диссертационной работы использованы в учебном процессе на кафедре АиРПУ ТТИ ЮФУ при постановке лабораторных работ и в учебных пособиях по курсам «Физические основы электроники», «Электронные твердотельные приборы и микроэлектроника», «Методы и устройства формирования сигналов», а также на предприятии ЗАО «Бета ИР» г. Таганрог в рамках выполнения ОКР по разработке диагностического оборудования для пилотажно-навигационных комплексов летательных аппаратов.

Обоснованность и достоверность результатов

Подтверждается проведенным экспериментом, корректным использованием математических методов и совпадением полученных результатов с данными, полученными У. Тсангом (W. Tsang), Дж. Гауэром (J. Govvar), А. Яривом (A. Yariv) и опубликованными в литературе.

Апробация диссертационной работы

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на III международной научно-технической конференции «Физика и технические приложения волновых процессов», г. Волгоград, Россия, сентябрь 2004 г и XI международной научно-технической конференции студентов и аспирантов «Радиоэлектроника, электротехника и энергетика» - Министерство образования и науки российской Федерации, Московский энергетический институт (технический университет) Москва, 12 марта 2005г.

По теме диссертационной работы опубликованы три статьи в центральной печати (одна статья в журнале «Радиотехника и электроника», две — в журнале «Петербургский журнал электроники»); одна статья принята к опубликованию в журнал «Антенны» (выпуск 11, 2008 г.); опубликованы тезисы докладов в сборниках трудов Известия ТРТУ. Специальный выпуск. Материалы L научно-технической конференций профессорско-преподавательского состава, аспирантов и сотрудников ТРТУ(2004 г.), опубликованы тезисы докладов в сборниках трудов международной научной конференции «Излучение и рассеяние электромагнитных волн» (ТРТУ, 2003, 2005, 2007гг); III международной научно-технической конференции «Физика и технические приложения волновых процессов» (приложение к журналу «Физика волновых процессов и радиотехнические системы» под ред. В.А.Неганова, Волгоград, Россия, сентябрь 2004 г.) а также тезисы докладов международных научно-технических конференций студентов и аспирантов «Радиоэлектроника, электротехника и энергетика» (ТРТУ, 2004, 2006гг).

Объем работы

Диссертационная работа состоит из введения, четырех разделов основного текста, заключения и пяти приложений. Работа содержит е., в том числе с. основного текста, с. рисунков, список литературы из наименования на с. и с. приложений.

Заключение диссертации по теме «Антенны, СВЧ устройства и их технологии», Орда-Жигулина, Марина Владимировна

4.3 Выводы

Экспериментальная часть работы представлена двумя разделами: предварительным экспериментом и разработкой и исследованием оптического СВЧ-модулятора при модуляции его СВЧ-сигналами трёхсантиметрового диапазона длин волн. Предварительный эксперимент показал, что воздействие СВЧ-напряжения непосредственно на р-n переход лазерного диода приводит к эффективной амплитудной модуляции оптического колебания, вырабатываемого ИПЛ.

С целью проверки полученных теоретических результатов было проведено сопоставление рассчитанной в диссертации статической модуляционной характеристики с экспериментально исследованной и констатировано их удовлетворительное совпадение, такое же сопоставление было проведно для коэффициента модуляции.

На основании результатов предварительного эксперимента и импедансных свойств ИПЛ, исследованных в первой главе, проведено проектирование и изготовлен макет СВЧ модулятора отражательного типа в волноводном исполнении. Основное достоинство макета модулятора - возможность его технической реализации без применения каких-либо сложных технологий, например в условиях ВУЗа.

Для разработанного макета был экспериментально определен коэффициент модуляции по методике отличной от применяемой в предварительном эксперименте.

Поставленные в процессе выполнения диссертации предварительный и основной эксперименты подтвердили правильность избранного механизма модуляции и модели модулятора, разработанной под этот механизм.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Сформулированные в вводной части работы задачи полностью решены, результаты их решения можно представить следующим образом.

1) Разработана модель лазерного диода при воздействии на его р-n переход модулирующего СВЧ-сигнала, наиболее полно представляющая его импедансные свойства. В рамках анализа указанной модели были получены: аналитические выражения для активной и реактивной составляющих адмиттанса ИПЛ на частоте модулирующего СВЧ-сигнала, на частоте продукта преобразования, а также на частотах, кратных модулирующему СВЧ-сигналу, выраженные через параметры собственных колебаний лазерного диода К, со (амплитуда и частота оптических колебаний, действующих на р-n переходе ИПЛ) и аналогичные параметры модулирующего СВЧ-колебания; аналитическое выражение для коэффициента амплитудной модуляции т, выраженое через те же параметры с последующим анализом динамических (зависимость коэффициента модуляции m от амплитуды модулирующего напряжения Кс) и ряда статических модуляционных характеристик.

Результаты расчёта ряда характеристик и параметров удовлетворительно совпали с аналогичными теоретическими расчётами, полученными рядом авторов и приведенными в литературе. Проведенный анализ позволил получить соотношения, устанавливающие уровни побочных продуктов модуляции.

Таким образом, при разработке оптических модуляторов можно на основании полученных выражений проводить предварительные расчёты основных характеристик и прогнозировать ожидаемые параметры СВЧ-модуляторов, созданных на основе инжекционных полупроводниковых лазерных диодов.

2) Получено и решено классическое дифференциальное уравнение второго порядка относительно искомого вынужденного колебания модулируемого ИПЛ, которое является основным уравнением анализируемой оптико-электронной системы. Уравнение выведено на основании системы скоростных уравнений, обычно применяемой для описания процессов в полупроводниковых лазерных диодах, и положения, при котором физически реализуемая автогенераторная колебательная система, каковой является ИПЛ, есть грубая колебательная система.

3) Определено аналитическое выражение для амплитуды вынужденных колебаний А, которое является результатом решения упомянутого уравнения второго порядка. На основании полученного решения оказалось возможным существенно уточнить все зависящие от амплитуды вынужденных колебаний параметры (в том числе и коэффициент модуляции), а также скорректировать характеристики модулируемого ИПЛ, рассмотренные в первой главе работы. С учётом амплитуды вынужденных колебаний А были рассчитаны статические и частотные модуляционные характеристики анализируемой системы, которые зависят как от электрофизических параметров ИПЛ, так и от параметров модулирующего СВЧ-излучения.

Таким образом, полученные результаты позволяют управлять параметрами исследуемой оптико-электронной системы по критерию эффективной модуляции.

4) Исследована устойчивость оптического излучения в процессе его модуляции СВЧ-сигналами. Исследование базируется на использовании фундаментальных положений теории колебаний. Анализ устойчивости проведен на основе скоростных уравнений ИПЛ универсальным методом ляпуновских величин, предложенным академиком А.А. Андроновым.

В результате проведенного анализа найдены области параметров модулирующего сигнала, в которых может быть осуществлена устойчивая модуляция оптического излучения лазерного диода и определены бифуркационные значения этих параметров.

Полученные результаты основываются также на скоростных уравнениях одномодовой лазерной генерации и могут быть использованы для имеющейся лазерной элементной базы, широко применяемой в настоящее время, в том числе при разработках оптических СВЧ амплитудных модуляторов и задающей части оптических передатчиков.

5) На основании данных предварительного эксперимента, результатов исследования импедансных свойств ИПЛ и анализа устойчивости исследуемой оптико-электронной системы было проведено проектирование и изготовлен макет СВЧ-модулятора отражательного типа в волноводном исполнении. Основное достоинство макета модулятора, представленного в данной работе - возможность его технической реализации без применения каких-либо сложных технологий. С целыо минимизации влияния паразитных параметров корпуса лазерного диода в данной работе был выбран бескорпусной ИПЛ, конструктивные особенности которого позволяют подводить СВЧ-энергию напрямую к р-n переходу ИПЛ, в результате чего можно существенно увеличивать частоту модулирующих сигналов.

Поставленный в процессе выполнения диссертации эксперимент подтвердил правильность избранного механизма модуляции и модели модулятора, разработанной под этот механизм. Действующий макет оптического СВЧ-модулятора, показавший удовлетворительные технические характеристики и выполненный по эскизным чертежам собственной разработки, может быть рекомендован в качестве новейшей элементной базы радиопередающих устройств оптического диапазона длин волн.

Материалы всех разделов показывают, что принятый в диссертации механизм амплитудной модуляции генерирующего ИПЛ, состоящий в управлении потоком свободных носителей зарядов положительно смещенного р-п перехода ИПЛ, осуществляемый за счёт СВЧ напряжения, вырабатываемого источником модулирующего СВЧ сигнала и приложенного к р-n переходу ИПЛ в виде малой добавки к постоянному напряжению питания ИПЛ, полностью себя оправдал.

Модель оптического СВЧ-модулятора, разработанная на основе упомянутого механизма амплитудной модуляции ИПЛ, позволила провести анализ рассмотренной оптико-электронной системы, результатом которого стали полученные в разделах диссертации аналитические соотношения, позволяющие оценивать основные характеристики оптических модуляторов при проведении их инженерных разработок.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Орда-Жигулина, Марина Владимировна, 2008 год

1. Динамика, модуляция, спектры: Пер. с англ./Под ред. У. Тсанга. М.: Радио и связь, 1990. -320 с.

2. Ярив А. Введение в оптическую электронику. Пер. с англ. Г.Л. Киселева. Под ред. О.В. Богданкевича. М. Высшая школа, 1983. —400 с.

3. Хансперджер Р., Интегральная оптика: теория и технология / Р. Хансперджер ; пер. с англ. В. Ш. Берикашвили, А. Б. Мещерякова под ред. В. А. Сычугова. М. : Мир, 1985. -384 с.

4. Г.П.Катыс, Н.В.Кравцов, Л.Е. Чернов, С.М. Коновалов Модуляция и отклонение оптического излучения, М.: «Наука», 1967.

5. Ханин Я.И. Основы динамики лазеров, М.: Наука • Физматлит, 1999.-368 с.

6. Р.Р.Убайдуллаев. Волоконно-оптические сети М.: Эко-Трендз, 1998. -267 с.

7. Крылов К. И. Основы лазерной техники: учеб. пособие для студ. вузов / К. И. Крылов, В. Т. Прокопенко, В. А. Тарлыков. Л.: Машиностроение, 1990. - 320 с.

8. Гауэр Дж. Оптические системы связи: Пер. с англ. М. Радио и связь, 1989. -504 с.

9. Якушенков Ю. Г. Теория и расчет оптико-электронных приборов. М. : Логос, 2004. -470 с.

10. Волоконно-оптические системы связи на ГТС: Справочник / Б.З.Берлин, А.С. Брискер, B.C. Иванов. М.: Радио и связь, 1994. -160 с.

11. Волоконно-оптические системы передачи и кабели: Справочник / И.И.Горднев, А.Г. Мурадян, P.M. Шарафутдинов и др. М.: Радио и связь, 1993. -264 с.

12. Lasher G. J. Solid-State Electron, 7, 707 (1964).

13. Paoli Т. L., Ripper J. E. Proc. IEEE, 58, 1457 (1970).

14. Ikegami Т., Suematsu Y. Electron Commun. (Japan), 51, B, 51 (1968).

15. Lee T. P., Derosier R. M. Proc. IEEE, 62, 1176 (1974).

16. Ripper J. E. et al. IEEE J., QE-2, 603 (1966).

17. Ripper J. E. IEEE, J., QE-6 129 (1970).

18. Reick H. Solid State Electron., 8, 83 (1965).

19. Kleinman D. Bell. Syst. Techn. J., 43, 1505 (1964).

20. Goldstein В., Wigand R. Proc. IEEE, 53, 195 (1965).-Nakano Т., Oku T. Japan J. Appl. Phys., 6, 1212 (1967).

21. Ikegami Т., Suematsu Y. Proc. IEEE, 55, 122 (1967)?

22. Ikegami Т., Suematsu Y. Electron Comm. (Jpn.), 51-B, 51 (1968).

23. Nishizawa J. IEEE J., QE-4, 143 (1968).

24. Ikegami Т., Suematsu Y. IEEE J., QE-4, 148 (1968)."

25. Takamiga S. et al. Proc. IEEE, 56,135 (1968). •

26. Alferov Zh. I. Sov. Phys. — Semicond., 3,1170 (1970).

27. Panish M. et al. Appl. Phys. Lett., 17, 109 (1970).

28. Thim H. Proc. IEEE Intern. Solid-State Device Conf., Philadelphia, PA (February 1973).

29. LakshminarayanaM. eta!. Electron. Lett., 14, 640 (1978).

30. Yania H. et al. IEEE J., QE-11, 519 (1975).

31. Caroll J., Farrington J. Electron. Lett., 9, 166 (1973).

32. Russer P., Schultz S. Arch. Elek. Obertragung, 27, 193 (1973).

33. Ozeki Т., Ho T. IEEE J., QE-9, 388 (1973).

34. Seeds A. J., Forrest J. R. Electron Lett, 14, 829 (1978).

35. Yen H. W. Digest of the 1979 IEEE/OSA Conf. on Laser

36. Пермякова О.И. Стабилизированный по частоте полупроводниковый лазер с внешним резонатором / О. И. Пермякова, А. В. Яковлев, П. JT. Чаповский// Квантовая электрон. 2005. - Т. 35, № 5.-С.449-453.

37. Высоцкий Д.В. Теория полупроводникового лазера с вертикальным резонатором и внешним зеркалом / Д. В. Высоцкий, А. П. Напартович// Квантовая электрон. 2005. - Т. 35, № 8.-С.705-710.

38. Спектральные возмущения в полупроводниковом лазере. Ч. 1 : Аномальное расщепление в спектре биений мод / П. Г. Елисеев и др.// Квантовая электрон. 2005. - Т. 35, № 9.-С.787-790.

39. Алексеев Ю.И. Исследование влияния лазерного излучения на частоту колебаний ганновского генератора / Ю. И. Алексеев, И. В. Малиев, С. А. Нащапский// Изв.вузов.Электроника. 2006. - № 2.-С.34-36.

40. Спектральные свойства резонатора полупроводникового a-DFB-лазера / А. П. Богатов и др.// Квантовая электрон. 2006. - Т. 36, № 8.-С.745-750.

41. Сухарев А.Г. Режим гармонической модуляции излучения полупроводникового лазера с внешней обратной связью / А. Г. Сухарев, А. П. Напартович// Квантовая электрон. -2007. Т. 37, № 2.-С.149-153.

42. Е.С.Кухаркин Основы инженерной электрофизики. М. Высшая школа, 1969.

43. Андреев B.C. Теория нелинейных электрических цепей, М.: Связь, 1972. -327 с.

44. Устройства генерирования и формирования радиосигналов. Г.М. Уткина, В.Н. Кулешова и М.В.Благовещенского. М. Радио и связь, 1994.- 416 с.

45. В.Н. Щевчик, Д.И. Трубецков Аналитические методы расчёта в электронике СВЧ., М. «Сов радио», 1970.

46. Takamiga S. et al. Proc. IEEE, 56, 135 (1968). •

47. Alferov Zh. I. Sov. Phys. — Semicond., 3,1170 (1970).

48. Panish M. et al. Appl. Phys. Lett., 17, 109 (1970).

49. Thim H. Proc. IEEE Intern. Solid-State Device Conf., Philadelphia, PA (February 1973).

50. Lakshminarayana M. et a!. Electron. Lett., 14, 640 (1978).

51. Yania H. et al. IEEE J., QE-11, 519 (1975).

52. Caroll J., Farrington J. Electron. Lett., 9, 166 (1973).

53. Russer P., Schultz S. Arch. Elek. Obertragung, 27, 193 (1973).

54. Ozeki Т., Ho T. IEEE J., QE-9, 388 (1973).

55. Seeds A. J., Forrest J. R. Electron Lett, 14, 829 (1978).

56. Yen H. W. Digest of the 1979 IEEE/OS A Conf. on Laser

57. Пермякова О.И. Стабилизированный по частоте полупроводниковый лазер с внешним резонатором / О. И. Пермякова, А. В. Яковлев, П. JI. Чаповский// Квантовая электрон. 2005. - Т. 35, № 5.-С.449-453.

58. Высоцкий Д.В. Теория полупроводникового лазера с вертикальным резонатором и внешним зеркалом / Д. В. Высоцкий, А. П. Напартович// Квантовая электрон. 2005. - Т. 35, № 8.-С.705-710.

59. Спектральные возмущения в полупроводниковом лазере. Ч. 1 : Аномальное расщепление в спектре биений мод / П. Г. Елисеев и др.// Квантовая электрон. 2005. - Т. 35, № 9.-С.787-790.

60. Алексеев Ю.И. Исследование влияния лазерного излучения на частоту колебаний ганновского генератора / Ю. И. Алексеев, И. В. Малиев, С. А. Нащанский// Изв.вузов.Электроника. 2006. - № 2.-С.34-36.

61. Спектральные свойства резонатора полупроводникового a-DFB-лазера / А. П. Богатов и др.// Квантовая электрон. 2006. - Т. 36, № 8.-С.745-750.

62. Сухарев А.Г. Режим гармонической модуляции излучения полупроводникового лазера с внешней обратной связью / А. Г. Сухарев, А. П. Напартович// Квантовая электрон. -2007.-Т. 37,№2.-С.149-153.

63. Е.С.Кухаркин Основы инженерной электрофизики. М. Высшая школа, 1969.

64. Андреев B.C. Теория нелинейных электрических цепей, М.: Связь, 1972. -327 с.

65. Устройства генерирования и формирования радиосигналов. Г.М. Уткина, B.II. Кулешова и М.В.Благовещенского. М. Радио и связь, 1994.- 416 с.

66. В.Н. Шевчик, Д.И. Трубецков Аналитические методы расчёта в электропике СВЧ., М. «Сов радио», 1970.

67. Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергия, 1971.

68. Андронов А.А., Витт А.А., Хайкин С.Э. Теория колебаний. М.: Физматгиз, 1959.

69. Ханип Я.И. Основы динамики лазеров. М.: Наука Физматлит, 1999.

70. Баутин Н.Н., Леонтович Е.А. Методы и приемы качественного исследования динамических систем на плоскости. М.: Наука, 1990.

71. Баутин Н.Н. Поведение динамических систем вблизи границ области устойчивости. М.: Наука, 1984.-176 с.

72. Основы теории колебаний. Мигулин В.В., Медведев В.И, Мустель Е.Р., Парыгин В.Н. Под ред. В.В. Мигулина. М.: Наука, 1978. -391с.

73. С.И. Баскаков. Радиотехнические цени и сигналы. 4-е изд., перераб. и доп. М.: Высшая школа, 2003. -462 с.

74. В.А. Дьяков. Введение в квантовую электронику. М.: Энергия, 1969. -264 с.

75. Кейси X., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах, пер. с англ. Т. 1-2. М., 1981.

76. Тишер Ф. Техника измерений на свервысоких частотах-М, государственное издательство физико-математической литературы, 192 г. -367 с.

77. Бушминский И.П, Изготовление элементов конструкций СВЧ. Волноводы и волноводные устройства, М, ВШ, 1974.-304 с.

78. Конструирование экранов и СВЧ-устройств под ред. проф. Чернушенко, М, «Радио и связь», 1990.-351 с.

79. Устройства генерирования и формирования радиосигналов. Под ред. Г.М. Уткина, В.Н. Кулешова и М.В.Благовещенского. М. Высшая школа, 1983. -400 с.

80. А. Усанов, Ал.В. Скрипаль, Ан.В. Склипаль. Физика полупроводниковых радиочастоных и оптических автодинов. Изд. Саратовского ун-та, 2003.

81. J.Wood. Топ-10 нано в материаловедении. Materials today, 2008, v.l 1, no 1—2, p 45.

82. В.Дураев Отечественные оптоэлектронные компоненты для современных ВОСП. Электроника. 2005 г. - № 1. с.66-69

83. Дураев В.П. Источники оптического излучения. Волоконно-оптическая техника: История, достижения, перспективы: Сб. статей под ред. Дмитриева С.А., Слепова Н.Н. -М.: Изд. Connect, 2000, с. 73-92.

84. Дураев В.П. и др. Полупроводниковые лазеры с волоконной брэгговской решеткой и узким спектром генерации на длинах волн 1530-1560 нм. Квантовая электроника, 2001, т. 31, №6, с. 529-530.

85. Дураев В.П. Инжекционные лазеры для ВОСП. Лазерная техника и оптоэлектроника, 1992, №3-4, с. 40.

86. Дураев В.П. и др. Одночастотный полупроводниковый лазер на длине волны 1,06 мкм с распределенным брэгговским зеркалом в волоконном световоде. Квантовая электроника, 1998, т.25, №4, с. 301-302.

87. Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers, ed. by C.W. Wilm-sen, H. Temkin and L.A. Coldren (Cambridge Univ. Press, 1999).

88. V.M. Ustinov, A.E. Zhukov. Semicond Sci. Technol., 15, R41 (2000).

89. K. Nakahara, M. Kondow, T. Kitatani, M.C. Larson, K. Uomi. IEEE Photon. Technol. Lett, 10,487(1998).

90. T. Anan, K. Nishi, S. Sugou, M. Yamada, K. Tokutome, A. Go-myo. Electron. Lett, 34, 2127(1998).

91. D.L. Huffaker, G. Park, Z. Zhou, O.B. Shchekin, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett, 73, 2564 (1998).

92. V.M. Ustinov, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, A.Yu. Egorov, A.V. Lunev, B.V. Volovik, I.L. Krestnikov, Yu.G. Musikhin, N.A. Bert, PS. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Le-dentsov, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett, 74, 1815 (1999).

93. M. Yamada, T. Anan, K. Kurihara, K. Nishi, K. Tokutome, A. Kamei, S. Sugou. Electron. Lett, 36, 637 (2000).

94. J.A. Lott, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, M.V. Maximov, B.V. Volovik, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. Electron. Lett, 36, 1384 (2000).

95. G. Steinle, A.Yu. Egorov, H. Riechert Electron. Lett, 37,92 (2001).

96. K.D. Choquette, J.F. Klem, A.J. Fisher, O. Blum, A.A. Aller-man, I.J. Fritz, S.R. Kurtz, W.G. Breiland, R. Sieg, K.M. Geib, J.W. Scott, R.L. Naone. Electron. Lett, 36, 1388 (2000).

97. S. Sato, N. Nishiyama, T. Miyamoto, T. Takahashi, N. Jikutani, M. Arai, A. Matsutani, F. Koyama, K. Iga Electron. Lett, 36,2018 (2000).

98. Дураев В.П. и др. Полупроводниковые лазеры с волоконной брэгговской решеткой и узким спектром генерации на длинах волн 1530-1560 нм. Квантовая электроника, 2001, т. 31, №6, с. 529-530.

99. Дураев В.П. Инжекционные лазеры для ВОСП. Лазерная техника и оптоэлектроника, 1992, №3-4, с. 40.

100. Дураев В.П. и др. Одночастотный полупроводниковый лазер на длине волны 1,06 мкм с распределенным брэгговским зеркалом в волоконном световоде. Квантовая электроника, 1998, т.25, №4, с. 301-302.

101. Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers, ed, by C.W. Wilm-sen, H. Temkin and L.A. Coldren (Cambridge Univ. Press, 1999).

102. V.M. Ustinov, A.E. Zhukov. Semicond Sci. Technol., 15, R41 (2000).

103. K. Nakahara, M. Kondow, T. Kitatani, M.C. Larson, K. Uomi. IEEE Photon. Technol. Lett, 10,487(1998).

104. T. Anan, K. Nishi, S. Sugou, M. Yamada, K. Tokutome, A. Go-myo. Electron. Lett, 34, 2127(1998).

105. D.L. Huffaker, G. Park, Z. Zhou, O.B. Shchekin, D.G. Deppe. Appl, Phys. Lett, 73, 2564 (1998).

106. V.M. Ustinov, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, A.Yu. Egorov, A.V. Lunev, B.V. Volovik, I.L. Krestnikov, Yu.G. Musikhin, N.A. Bert, PS. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Le-dentsov, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett, 74, 1815 (1999).

107. M. Yamada, T. Anan, K. Kurihara, K. Nishi, K. Tokutome, A. Kamei, S. Sugou. Electron. Lett, 36, 637 (2000).

108. J.A. Lott, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, M.V. Maximov, B.V. Volovik, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. Electron. Lett, 36, 1384 (2000).

109. G. Steinle, A.Yu. Egorov, H. Riechert Electron. Lett, 37, 92 (2001).

110. K.D. Choquette, J.F. Klem, A.J. Fisher, O. Blum, A.A. Aller-man, I.J. Fritz, S.R. Kurtz, W.G. Breiland, R. Sieg, K.M. Geib, J.W. Scott, R.L. Naone. Electron. Lett, 36, 1388 (2000).

111. S. Sato, N. Nishiyama, T. Miyamoto, T. Takahashi, N. Jikutani, M. Arai, A. Matsutani, F. Koyama, K. Iga Electron. Lett, 36, 2018 (2000).s

112. Алексеев Ю.И., М.В.Орда-Жигулина, С.С.Михеев Определение устойчивости инжекционных полупроводниковых лазеров в приближении модели, описываемой скоростными уравнениями // «Радиотехника и электроника», 2006, том 51, №4. с. 509-512.

113. Алексеев Ю. И., Орда-Жигулина М. В., Михеев С. С. Анализ устойчивости оптических модуляторов // «Петербургский журнал электроники», 2007, Выпуск: 1(50). с. 60-64

114. Орда-Жигулина М.В. СВЧ модулятор GaAs лазера отражательного типа. 4 с.// «Петербургский журнал электроники», 2007, Выпуск: 2(51). с. 125-129

115. Орда-Жигулина М.В., Алексеев Ю.И. Импедансные свойства инжекционных полупроводниковых лазеров 5 с.//д PcJi(Wme/Ham (( ъ^т/юяаК*/D0f к///•

116. Алексеев Ю.И., Орда-Жигулина М.В., Михеев С.С. Анализ устойчивости оптических модуляторов при модуляции СВЧ-сигналами // Труды международной научной конференции «Излучение и рассеяние электромагнитных волн ИРЭМВ 2005» Таганрог, 2005, с.

117. Орда-Жигулина М.В. Импульсный модулятор GaAs-лазера на IMP ATT- диоде // VII Всероссийская научная конференция студентов и аспирантов. Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления. Таганрог, 2004, с.