Разработка неразрушающих методов исследования полупроводников и низкоразмерных полупроводниковых структур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор технических наук Корнилович, Александр Антонович

• Корнилович, Александр Антонович
• доктор технических наук
• 2002

Оглавление диссертации доктор технических наук Корнилович, Александр Антонович

Оглавление.

Список обозначений.

Введение

Глава 1. Квантовые свойства полупроводников в квантующих магнитных полях.

1.1. Эффект Шубникова -де Гааза в объемных полупроводниках

1.2. Магнитофононные осцилляции в полупроводниках.

1.3. Квантово-размерные осцилляционные эффекты в двумерных полупроводниковых структурах.

1.4. Квантовые свойства двумерных систем в квантующих магнитных полях.

Выводы первой главы

Глава 2. Методы исследования полупроводников в слабых электрических и квантующих магнитных полях.

2.1 Методы определения кинетических характеристик полупроводников и полупроводниковых структур в электрических 51 полях

2.2 Бесконтактные и неразрушающие контактные методы исследования полупроводников.

2.3 Магнитооптические методы исследования полупроводников в квантующих магнитных полях.

2.4 Сравнительный анализ и выбор методов исследования полупроводников.

Выводы второй главы

Глава 3. Измерительный комплекс устройств для исследования полупроводников в квантующих магнитных полях.

3.1 Описание функциональной схемы комплекса устройств

3.2 Лазеры на окиси углерода.

3.3 Источник магнитного поля. Методика измерения магнитного поля

3.4 Подготовка образцов. Модуляционная методика регистрации измеряемого сигнала.

Выводы третьей главы.

Глава 4. Осцилляционные методы исследования полупроводников в квантующих магнитных полях.

4.1 Условия наблюдения осцилляций Шубникова - де Гааза в вырожденных полупроводниках.

4.2 Оптический эффект Шубникова - де Гааза в n-InSb.

4.3 Оптические методы определения параметров вырожденных полупроводников по осцилляциям Шубникова - де Гааза

4.4 Определение параметров полупроводников по магнитофононным осцилляциям.

Выводы четвертой главы.

Глава 5. Микроволновые методы исследования полупроводников и полупроводниковых структур.

5.1 Условия наблюдения СВЧ осцилляций Шубникова - де

Гааза в двумерных гетероструктурах GaAs/AlxGai.x As

5.2 СВЧ - установка для бесконтактного исследования осцилляций Шубникова - де Гааза в объемных и низкоразмерных структурах

5.3 Бесконтактные автоматизированные методы определения транспортных параметров полупроводников и двумерных полупроводниковых систем.

5.4 Бесконтактный метод исследования спектра фотопроводимости пленок узкозонных полупроводников.

Выводы пятой главы.

Глава 6. Исследование нелинейного спинового резонанса в антимониде индия.

6.1 Метод нелинейного спинового резонанса.

6.2 Модуляционная методика регистрации и исследования нелинейного спинового резонанса в n - InSb.

6.3 Исследование нелинейного спинового резонанса в n - InSb методом ВКР-усиления.

Выводы шестой главы.

Глава 7. Исследование спектров излучения и энергетических уровней резонансными методами.

7.1. Спектрометр инфракрасного излучения на основе антимонида индия.

7.2 Исследование глубоких центров методом гармоник циклотронного резонанса.

7.3 Исследование тонкой структуры линий и резонансных переходов с мелких примесей методом ВКР усиления

Выводы седьмой главы.

Глава 8. Высокочастотный неразрушающий метод двух гармоник исследования профилей и пространственного распределения легирующей примеси в полупроводниковых структурах

8.1. Теория высокочастотного метода двух гармоник в приближении обедненного слоя.

8.2. Ограничения и поправки к методу двух гармоник определения профиля легирования.

8.3. Функциональная схема профилометра, действующего на основе метода двух гармоник.

8.4 Исследование профилей и пространственного распределения легирующих примесей в полупроводниковых структурах методом двух гармоник.

Выводы восьмой главы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка неразрушающих методов исследования полупроводников и низкоразмерных полупроводниковых структур»

Актуальность темы. Микроминиатюризация разрабатываемых полупроводниковых приборов и использование новых материалов определили возросшую потребность в разработке новых и в усовершенствовании известных методов исследования и контроля параметров исходных материалов. В этой связи, особую актуальность представляет разработка новых автоматизированных методов неразрушающего, локального и бесконтактного исследования полупроводников, основанных на квантовых эффектах в полупроводниках, помещенных в квантующее магнитное поле. Это обусловлено необходимостью проведения комплексных исследований объемных, тонкопленочных и низкоразмерных структур, используемых при создании принципиально новых полупроводниковых приборов микро-, опто- и наноэлектроники.

Не менее важной задачей является разработка неразрушающих методов экспресс - контроля параметров исходного материала с целью совершенствования технологии получения структур, содержащих тонкие слои с высоким градиентом концентрации легирующей примеси в переходной области. Неразру-шающий, локальный и бесконтактный контроль качества выращиваемых полупроводниковых структур позволяет оптимизировать технологические процессы их получения и увеличивает процент выхода годных изделий.

Комплексные исследования полупроводников позволяют получать более полную информацию о качестве исследуемого материала без разрушения поверхностей образцов, подложек и защитных покрытий. Бесконтактное исследование глубоко лежащих низкоразмерных слоев особенно актуально, поскольку позволяет использовать одну и ту же структуру, как для определения характеристик двумерного слоя, так и для создания прибора на основе этой структуры. В квантующих магнитных полях осциллируют многие кинетические и оптические параметры. Это создает благоприятные условия для бесконтактного определения транспортных и оптических параметров, как объемных вырожденных полупроводников, так и низкоразмерных структур.

Среди многообразия исследуемых и используемых в практических целях полупроводников и полупроводниковых структур модельными объектами исследований были выбраны следующие полупроводники: n - InSb, как наиболее изученный и представляющий интерес для разработки новых методов исследования, двумерная гетероструктура GaAs/AlxGaixAs, тонкопленочный CdxHgixTe (KPT) и другие структуры с высокими градиентами концентрации легирующих примесей на основе кремния и арсенида галлия. В данной работе исследовались эти структуры как с целью разработки новых методов исследования, так и с целью получения новых сведений об энергетическом спектре, транспортных параметрах, профилях и объемном распределении легирующих примесей, позволяющих эффективно осуществлять контроль качества изготавливаемых структур, в том числе на этапах их выращивания.

В условиях квантующего магнитного поля исследование осцилляций Шубникова - де Гааза и нелинейного спинового резонанса оптическими бесконтактными методами открывает новые возможности для определения параметров и изучения особенностей энергетического спектра полупроводников. Кроме того, совместное изучение оптических и кинетических осцилляционных и резонансных явлений методами спектроскопии комбинационного рассеяния в условиях квантующего магнитного поля позволяет прояснить некоторые принципиальные детали нелинейного взаимодействия лазерного излучения с исследуемым полупроводником.

К моменту начала разработок в 1974 г. методов и создания установок большинство бесконтактных способов было разработано для определения параметров объемных полупроводников. Для определения характеристик полупроводника требовалось знание размеров образцов, частоты зондирующего излучения и индукции магнитного поля. Сложность расчетных формул, требующих знания дополнительных характеристик, ограничивает область применения и приводит к большой погрешности измерений с помощью известных методов. Поэтому разработка бесконтактных методов исследования с малым числом измеряемых параметров является особенно актуальной.

Развитие методов исследования низкоразмерных структур является одним из наиболее актуальных направлений физики полупроводников. Значительный прогресс в этой области обусловлен развитием современных технологических методов выращивания многослойных полупроводниковых структур. Появление таких структур открыло новое направление физики полупроводников, связанное с исследованием квантово-размерных эффектов, также как и новое направление в полупроводниковой нано- и оптоэлектронике. Представляется исключительно важным предварительно исследовать бесконтактным способом форму осцилляций Шубникова-де Гааза, определить транспортные параметры двумерного вырожденного электронного газа с целью контроля качества двумерной структуры.

Важной практической задачей современной оптоэлектроники является локальный, бесконтактный контроль качества пленочных структур типа CdxHgixTe в процессе разработки новых матричных фотоприемных устройств инфракрасного диапазона.

Одной из актуальных задач полупроводникового приборостроения является создание тонких структур с заранее заданным градиентом концентрации легирующей примеси. Однако измерение профиля и объемного распределения легирующей примеси в субмикронных структурах без разрушения исследуемых структур вызывает значительные затруднения.

На основе вышеизложенного цель диссертационной работы была сформулирована следующим образом.

Цель работы заключалась:

- в установлении основных зависимостей осцилляционных и резонансных характеристик магнитооптических квантовых эффектов от параметров свободных носителей заряда и энергетического спектра полупроводников в условиях квантующего магнитного поля;

- в разработке автоматизированных, бесконтактных методов определения параметров вырожденного газа свободных носителей в объемных полупроводниках и двумерных структурах, основанных на использовании данных, полученных при наблюдении осцилляционных и резонансных квантовых эффектов и при изучении формы осцилляций Шубникова - де Гааза и кривой нелинейного спинового резонанса;

- в разработке неразрушающего автоматизированного метода контроля профилей и пространственного распределения легирующей примеси в субмикронных структурах с высоким градиентом концентрации носителей вблизи переходной области.

Для достижения сформулированной цели в работе решались следующие задачи:

1. Исследование квантовых осцилляционных и резонансных оптических и кинетических явлений в и-InSb в условиях квантующего магнитного поля. Расчет закономерностей, характеризующих зависимость определяемых параметров вырожденного газа свободных носителей заряда от фундаментальных характеристик полупроводника, температуры, величины магнитного поля, параметров схемы устройства, формирующего измеряемый сигнал, поляризационных геометрий и условий возбуждения.

2. Разработка методов и создание комплекса устройств для бесконтактных исследований магнитооптических осцилляций и резонансов в полупроводниках и определения параметров вырожденного газа носителей заряда.

3. Разработка микроволнового метода и устройства для бесконтактного исследования осцилляций Шубникова - де Гааза и определения транспортных параметров объемных полупроводников и двумерных систем.

4. Разработка метода и создание прибора для неразрушающих, локальных, автоматизированных исследований профилей и пространственного распределения легирующих примесей в сложных субмикронных структурах с высоким градиентом концентрации носителей.

5. Исследование осцилляций Шубникова - де Гааза оптическим и микроволновым методами в объемных полупроводниках и двумерных системах.

6. Исследование нелинейного спинового резонанса в электронном антимо-ниде индия методом ВКР - усиления с целью создания полупроводникового анализатора спектра высокого разрешения в ИК диапазоне.

7. Исследование профилей и пространственного распределения легирующих примесей в субмикронных структурах кремния и арсенида галлия.

Научная новизна диссертационной работы обусловлена тем, что в ней впервые:

1. Получена теоретически и исследована бесконтактными методами экспериментально с повышенной точностью зависимость периода оптических и СВЧ осцилляций Шубникова - де Гааза от концентрации носителей заряда в вырожденных полупроводниках и двумерных системах.

2. Получены высокая чувствительность и спектральная точность регистрации нелинейного спинового резонанса. Исследована зависимость g-фактора свободных электронов в «-InSb от величины магнитного поля и концентрации электронов, обнаружена и измерена его анизотропия.

3. Обнаружена и исследована методом ВКР - усиления тонкая структура линий, обусловленная вкладом электронных переходов с примесных состояний в «-InSb.

4. Обнаружена наиболее узкая линия (~ 1 Гс) при ВКР - усилении от дублета линии тестового СО - лазера.

Практическая значимость и реализация диссертационной работы заключается в разработке бесконтактных, автоматизированных методов контроля концентрации свободных носителей заряда в вырожденных полупроводниках и двумерных полупроводниковых структурах на основе данных исследования осцилляций Шубникова - де Гааза оптическим и микроволновым способами. Практическое значение составляет исследование формы осцилляций Шубникова - де Гааза в двумерных структурах бесконтактным методом на предварительных этапах изготовления полупроводниковых приборов из этих структур.

Полученные в работе экспериментальные и расчетные результаты, сделанные на их основе выводы и обобщения, являются существенным вкладом в развитие методов спектроскопии комбинационного рассеяния света полупроводников. Разработаны бесконтактные методы определения практически значимых параметров полупроводников, используемые на начальных этапах создания приборов современной микро-, нано- и оптоэлектроники.

Самостоятельное практическое значение имеет разработанный и созданный прибор для исследования профилей и пространственного распределения легирующих примесей в сверхтонких субмикронных полупроводниковых структурах, внедренный на ряде предприятий в России и в странах ближнего зарубежья (в Новосибирске, Москве, Киеве, Минске, Бишкеке) и в учебный процесс в университетах России и странах СНГ.

Экономический эффект от применения прибора в производстве только активных элементов типа p-i-n диодов составил 180 тыс. рублей в ценах 1984 года. Прибор «Профилометр» демонстрировался на нескольких выставках в городах: Новосибирске, Москве (Вузы - промышленности. Бронзовая медаль) и Орле (Индустрия образования).

Основные научные положения, представляемые к защите:

1. Установление основных экспериментальных и теоретических зависимостей осцилляционных оптических и кинетических характеристик, проявляющихся в квантующих магнитных полях, от параметров свободных носителей заряда и энергетического спектра полупроводников.

2. Бесконтактное определение транспортных параметров электронного газа и энергии уровней примеси в вырожденных полупроводниках и двумерных структурах на основании количественного анализа осцилляционных зависимостей интенсивности зондирующего излучения от величины индукции магнитного поля.

3. Получение высокого разрешения полупроводникового анализатора спектра инфракрасного излучения на основании экспериментальных результатов исследования нелинейного спинового резонанса в узкозонных полупроводниках магнитооптическим методом ВКР - усиления.

4. Неразрушающий автоматизированный контроль профилей и объемного распределения легирующих примесей в сложных субмикронных структурах с высоким градиентом концентрации носителей заряда в условиях напряжения смещения различной полярности.

Апробация работы: Результаты, включенные в диссертацию, докладывались и обсуждались на:

- Всесоюзной научно - технической конференции по оптическому, радиоволновому и тепловому методам неразрушающего контроля (Могилев, 1989)

- Второй Международной научно - технической конференции по актуальным проблемам электронного приборостроения (АПЭП - 94, Новосибирск, 1994)

- Российской научно - технической конференции по информатике и проблемам телекоммуникаций (электронно - физическая секция, Новосибирск, 1996)

- Третьей Международной научно - технической конференции по актуальным проблемам электронного приборостроения (АПЭП - 96, Новосибирск, 1996)

- Международной научно - технической конференции по научным основам высоких технологий (Новосибирск, 1997)

- Первом Международном научно - техническом Симпозиуме (секция электроники, Корея, Ульсан, 1997)

- ИИЭР - Российской конференции по микроволновой электронике ИИП -МЭ'97, IEEE - Russia conference MIA - ME'97 (Новосибирск, 1997)

- Международной научно - технической конференции по информатике и проблемам телекоммуникаций (Новосибирск, 1998)

- IV,V и VI Международных научно - технических конференциях по актуальным проблемам электронного приборостроения АПЭП - 98, 2000,2002 (Новосибирск, 1998, 2000, 2002)

- Российской научно - технической конференции по информатике и проблемам телекоммуникаций (Новосибирск, 1999, 2001)

- Третьем и Шестом Российско - Корейских Международных Симпозиумов KORUS'99, л02 (Новосибирск, 1999, 2002)

- ИИЭР - Российской конференции по микроволновой электронике ИИП -МЭ"99 (Новосибирск, 1999, 2001)

- Российской научно - технической конференции «Полупроводники - 99» (ИФП СО РАН, Новосибирск, 1999)

- Научных семинарах ИФП СО РАН (Новосибирск), НИИ «Орион» (Киев), НИИ «Пульсар» (Москва).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 50 печатных работ, список которых приведен в конце диссертационной работы.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, восьми глав, заключения, списка литературы и двух приложений. Общий объем диссертации составляет 314 страниц, включая 61 рисунок, список цитируемой литературы содержит 288 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Корнилович, Александр Антонович

Основные результаты и выводы, полученные в диссертационной работе, сформулированы следующим образом:

1. На основании теоретического анализа осцилляций Шубникова -де Гааза получена зависимость периода осцилляций ) от концентрации свободных носителей заряда в вырожденных полупроводниках с учетом непараболич-ности зоны проводимости, влияния спина электрона, магнитного поля на положение уровня Ферми и температуры полупроводника. Теоретически показано, что в области монотонной зависимости оптических коэффициентов пропускания и отражения от частоты зондирующего излучения изменения коэффициентов пропускания и отражения увеличивают магнитополевую зависимость амплитуды оптических осцилляций Шубникова -де Гааза.

2. Исследованиями образцов n-InSb показано, что положения максимумов осцилляций Шубникова -де Гааза при увеличении температуры и мощности зондирующего излучения смещаются в область слабого магнитного поля, а период осцилляций ) не зависит от частоты излучения. Осцилляции Шубникова -де Гааза в сильных квантующих магнитных полях не строго периодичны в зависимости от обратного магнитного поля . Изменение периода ), в основном, обусловлено влиянием магнитного поля на положение уровня Ферми. При номере уровня Ландау N > 3 расчетные и экспериментальные значения периода осцилляций отличаются не более чем на 0,5% и значение периода ) остается постоянным.

3. На основе теоретических и экспериментальных исследований эффекта Шубникова -де Гааза в электронном антимониде индия разработан и внедрен автоматизированный, неразрушающий метод локального, бесконтактного определения концентрации свободных носителей заряда в вырожденных полупроводниках. Метод основан на измерении периода оптических осцилляций Шубникова -де Гааза (осцилляций интенсивностей пропускания и отражения лазерного инфракрасного излучения). Показано, что оптический метод имеет преимущества по сравнению с контактным методом благодаря более высокой чувствительности и точности. Высокая чувствительность достигнута усилением осцилляций, поскольку в высокочастотной проводимости участвуют все электроны, имеющие энергию меньше энергии Ферми. Кроме этого, увеличение амплитуды осцилляций Шубникова-де Гааза достигнуто благодаря проведению эксперимента в области края собственного поглощения. Применение методики модуляции магнитного поля обеспечивало значительное увеличение отношения сигнал/шум, позволяло регистрировать слабые сигналы по схеме селективного усиления с синхронным детектированием и достигать чувствительности в несколько милливольт на гаусс. Высокая точность метода обусловлена использованием области постоянных значений периода осцилляций, стабилизацией квантующего магнитного поля и амплитуды модулирующего магнитного поля. Положение максимумов осцилляций регистрировалось с погрешностью менее 0.1 %. Это позволило определять концентрацию носителей в n-InSb с точностью ~ 0,5% и с повышенной локальностью ~ 100 мкм исследовать неоднородности концентрации в образцах. Бесконтактный метод определения концентрации свободных носителей заряда продемонстрирован на примере исследования образцов n-InSb, защищен патентом РФ 1694018 и был применен в ИФП СО РАН Э.М. Скоком с сотрудниками (см. [169, 202]). Точность определения концентрации электронов бесконтактным методом превышает на порядок результаты, полученные холловскими измерениями (см. табл. 1 на с. 94).

4. По измеренным значениям положений магнитофононных осцилляций в п-InSb и известному значению частоты продольных оптических фононов определена эффективная масса электронов в n-InSb при Т = 77 К. Значение эффективной массы электронов вблизи дна зоны проводимости определено с учетом непараболичности зоны проводимости и составило 0,013 ш0. Получено выражение для оценки g - фактора по измеренным положениям шуб-никовских осцилляций при известном значении эффективной массы электронов в минимуме зоны проводимости.

5. Разработан автоматизированный, неразрушающий, бесконтактный, микроволновой метод определения концентрации, подвижности и времени релаксации импульса носителей заряда в объемных вырожденных полупроводниках и низкоразмерных полупроводниковых структурах, основанный на исследовании осцилляций Шубникова -де Гааза на СВЧ. Метод продемонстрирован на примере исследования низкоразмерной гетероструктуры GaAs/AlxGai.xAs и защищен патентом РФ 2037911. Метод реализован на устройстве, позволяющим регистрировать осцилляции мощности отраженной от образца СВЧ - волны, обусловленные эффектом Шубникова -де Гааза, и определять концентрацию носителей заряда в низкоразмерных системах, содержащих вырожденный двумерный газ носителей заряда, локализованный в слое толщиной ~ 100 А с точностью ~ 0,5%. Показано, что бесконтактное исследование поведения осцилляций Шубникова -де Гааза разработанным методом является одним из ключевых неразрушающих тестов на двумерность полупроводниковых структур и позволяет получать информацию о качестве низкоразмерных систем на начальных этапах изготовления полупроводниковых приборов. Разработан бесконтактный микроволновой метод исследования спектра фотопроводимости пленок узкозонных полупроводниковых структур. Метод продемонстрирован на примере исследования пленочных структур CdxHgixTe.

Показано, что бесконтактный экспресс контроль качества КРТ структур особенно эффективен при постановке и сопровождении технологии их выращивания.

Исследованиями показано, что спектры фотопроводимости и интенсивности отраженной от образца СВЧ - волны имеют идентичный характер. Перемещением образца относительно действующих на обе стороны образца инфракрасного и микроволнового излучений получена информация о фоточувствительности и однородности по составу пленки КРТ.

6. Разработаны и реализованы в измерительном комплексе устройств методы активной стабилизации и модуляции магнитного поля с минимальной амплитудой модуляции и пассивной стабилизации частот лазеров, позволившие получить рекордную чувствительность регистрации спинового резонанса в антимониде индия методом ВКР - усиления, и измерять с предельно высокой точностью, достигающей ~ 0,02%, величину резонансного магнитного поля.

Исследованиями нелинейного спинового резонанса в n-InSb в широком диапазоне концентраций от 8-1013 см"3 до 5-1015 см"3 в интервале температур от 1,4 до 40 К в любом доступном магнитном поле обнаружена и впервые измерена анизотропия g - фактора. Анизотропная поправка Kg- фактору пропорциональна величине магнитного поля с коэффициентом пропорциональности у = (0,95±0,04) • 10"1 Тл"1. С уменьшением концентрации g - фактор стремится к значению на дне зоны проводимости g = -51,55±0,02. При уменьшении магнитного поля от больших значений ~ 1,5 Тл модуль g - фактора растет, а затем стремится к значению на уровне Ферми при В —► 0.

7. Получена перестроечная кривая зависимости разности частот лазеров (накачки и тестового) от магнитного поля, учитывающая зависимость g - фактора от магнитного поля.

Исследованиями спектра СО - лазера показана возможность создания принципиально нового спектрометра инфракрасного излучения на основе n-InSb, отличающегося усилением сигнала в процессе измерения с высоким разрешением ~ 0,03 см"1 в диапазоне 5,28 - 5,9 мкм, не уступающим спектрометрам ИК - диапазона.

8. Разработана методика регистрации слабых резонансов, позволившая впервые исследовать гармоники циклотронного резонанса в вырожденном п-InSb, обусловленные магнитопоглощением ИК излучения, сопровождаемым фотовозбуждением электрона с глубокого примесного уровня, и определить его энергию и эффективную массу электронов, при Т = 2 К. (Е = 205,0±0,1 мэВ, шп/ш0 = 0,0135).

Усовершенствование модуляционной методики двойного дифференцирования измеряемого сигнала при стабилизации малых амплитуд модуляции магнитного поля позволило обнаружить тонкую структуру линий обусловленных вкладом электронных переходов в квантующем магнитном поле с примесных состояний NMX+—*NMX . Определена энергия мелких примесных уровней в зависимости от величины магнитного поля.

9. Проанализированы особенности теории метода двух гармоник в приближении обедненного слоя с учетом влияния фундаментальных ограничений, глубоких уровней и паразитных параметров на возможность и точность измерения профилей и объемного распределения легирующих примесей в сложных субмикронных полупроводниковых структурах при напряжении смещения различной полярности. 10. Разработана функциональная схема метода двух гармоник, реализованная в приборе (профилометре). Прибор отмечен бронзовой медалью ВДНХ СССР, в 1987г, модифицирован, защищен авторским свидетельством и внедрен на нескольких предприятиях.

Исследованиями структур на основе кремния и арсенида галлия показано, что прибор позволяет измерять автоматизированным, неразрушающим способом профили и пространственное распределение концентрации легирую

19 9ft 1 щих примесей от 10 до 10 см' с погрешностью ~ 2% в линейном и ~ 5% в логарифмическом масштабах в субмикронных слоях с высоким градиентом концентрации примеси вблизи границ раздела и поверхности в сложных структурах при положительном смещении. Разрешение при перемещении ртутного зонда 0 150 мкм вдоль поверхности структуры составляет -10 мкм. Получены достоверные результаты измерений профилей при положительном смещении, токах утечки до 20 мкА и сокращении толщины "мертвой зоны" в 5 раз, которую невозможно исследовать другими неразрушающими методами. Высокая производительность прибора позволяет проводить автоматические измерения профилей легирования по всей площади структур. Высокая стабильность, повышенная разрешающая способность и помехозащищенность прибора, высокая точность измерений приводят к увеличению процента выхода годных изделий в 1,5 раза.

Прибор позволяет эффективно проводить обработку технологических режимов выращивания и оперативный неразрушающий экспресс - контроль параметров структур в процессе их изготовления.

ВКЛАД АВТОРА

Автором выполнялась работа в качестве научного руководителя по научно-исследовательской договорной теме "Разработка неразрушающих методов исследования полупроводников и полупроводниковых структур". Работа под руководством автора выполнялась группой сотрудников научно-исследовательского сектора кафедры прикладной и теоретической физики (ПТФ) НГТУ с 1974г. по договорам с ИФП СО РАН, финансируемым до 1990г. Научно-исследовательская тема была включена в программу "Датчик", утвержденную Минвузом РСФСР

Автором были поставлены и решены задачи разработать неразрушающие контактные и магнитооптические бесконтактные методы исследования полупроводников и полупроводниковых структур. Под руководством автора и при его личном участии в 1978 г был изготовлен первый вариант измерительного комплекса для исследования узкозонных полупроводников в квантующих магнитных полях. Исследованиями, проведенными совместно с аспирантами и научными сотрудниками ИФП СО РАН, были определены пути усовершенствования блоков устройств и дальнейшей модернизации измерительного комплекса. Новая информация о свойствах исследуемых образцов антимонида индия была получена в результате повышения чувствительности и точности разработанных методов, стабилизации параметров электрических схем, обеспечивших стабильность работы лазеров, электромагнита и канала регистрации измеряемого сигнала.

Под руководством и при личном участии автора был разработан программный контроллер сопряжения ЭВМ и системы "КАМАК", измерительные устройства комплекса и прибор "Профилометр" для измерения профилей и пространственного распределения легирующих примесей в тонких субмикронных и низкоразмерных структурах.

За разработку и внедрение в производство прибора Профилометра в 1987г. автор и ответственный исполнитель исследуемой темы Уваров Е.И. награждены медалями ВДНХ СССР.

Лично автором выполнена разработка методов исследования тонкопленочных и низкоразмерных структур, в результате которой были решены следующие задачи:

1. Исследование магнитооптических эффектов и разработка методов определения транспортных параметров объемных и низкоразмерных систем при регистрации мощности отраженной от активного слоя полупроводника электромагнитной волны.

2. Изобретение оптических и микроволновых способов определения транспортных параметров объемных и низкоразмерных систем (постановка задачи, патентный поиск, написание заявок и лично выполненная их защита). Под руководством автора в 1997 г. ответственным исполнителем исследуемой темы Уваровым Е.И. защищена диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности физика полупроводников 010410. Все научные работы, написаны лично автором и обсуждались с соавторами.

Апробация диссертационной работы проводилась на различных конференциях, на которых автор выступал основным докладчиком. За научные работы и доклады на международных конференциях АПЭП-96 и АПЭП-98, автор награжден аттестатами первой степени Российским отделением IEEE.

С 1997г. научная работа по исследуемой теме продолжается частично на средства Соросовских грантов 1057d, d98-978 и d99-156, предоставленных автору решением Правления IS SEP.

Автор считает своим приятным долгом выразить глубокую благодарность научному консультанту д.ф.-м.н., проф. Э.М. Скоку за помощь в постановке задач и активное участие в их решении, коллегам за полезные обсуждения, соавторам за плодотворное сотрудничество, заведующему кафедрой Полупроводниковых Приборов и Микроэлектроники д.т.н., проф. Гридчину В.А. за внимание и поддержку работы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В диссертационной работе теоретически обоснованы и проанализированы полученные и опубликованные результаты научных исследований, предложены и реализованы на основе нового научно-технического подхода решения, направленные на эффективное выполнение комплексных исследований полупроводников, неразрушающий экспресс-контроль параметров и повышение качества исходного материала разработанными методами, основанными на магнитных квантовых эффектах в полупроводниках, характеризуемыми высокой чувствительностью и низкой погрешностью, внедрение которых внесло значительный вклад в развитие полупроводниковой микроэлектроники, в решение проблемы бесконтактной диагностики параметров носителей заряда в полупроводниках различной размерности, обеспечило повышение технологического уровня и значительно повысило процент выхода годных изделий в процессе производства полупроводниковых приборов с высоким экономическим эффектом.

Список литературы диссертационного исследования доктор технических наук Корнилович, Александр Антонович, 2002 год

1. Ландау Л.Д. Собрание трудов. М. Наука, 1969, т. 1, с. 47.

2. Landau L. Diamagnetism des Metalls. Zeitschr. der Physik, 1930, Bd. 64, s.629.

3. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика. М. Наука, 1974, 552 с.

4. Аскеров. Б.М. Кинетические эффекты в полупроводниках. Л. Наука, 1970, 303 с.

5. Аскеров. Б.М. Электронные явления переноса в полупроводниках. М. Наука, 1985, гл. 6, 223 с.

6. Брандт Н.Б., Чудинов С.М. Эффект Шубникова де Гааза и его применение для исследования энергетического спектра металлов, полуметаллов и полупроводников. УФН, 1982, т. 137, в.З, с. 479-499.

7. Schubnikow L.W., de Haas W.I. Leiden Comm. Kamerlingh Onnes Lab., 1930, N.207, 207a, 210a, 210b; Proc. Netherlands Roy Acad. Sci., 1930, v. 33, p.p. 130,163.

8. Titeica S. Uber die Widerstandsanderung von Metallen im Magnetfeld. Annalen der Physik, 1935, Bd. 22, s. 129.

9. Ахиезер А. Об изменении сопротивления металлов в магнитном поле. ЖЭТФ, 1939, т.9, в.4, с. 426.

10. Ю.Румер Ю.Б. К теории электропроводности металлов в магнитном поле. ЖЭТФ, 1952, т.22,в.2, с. 214.

11. П.Клингер М.И. К теории гальваномагнитных явлений в полупроводниках. ЖЭТФ, 1956, т. 31, в. 6, с. 1055.

12. Зырянов П.С., Клингер М.И. Квантовая теория явлений переноса в кристаллических полупроводниках. М. Наука, 1976, 437 с.

13. Adams E.N., Holdstein T.D. Quantum theory of transverse galvanomagnetic phenomena. J. Phys. Chem. Solids, 1959, v. 10, N. 4, p.254; В. сб. Вопросы квантовой теории необратимых процессов. Под ред. В.Л. Бонч-Бруевича, М. Ил., 1961, с. 255.

14. Шалыт С.С., Эфрос A.JI. К вопросу о квантовой осцилляции гальваномагнитных эффектов в арсениде и антимониде индия. ФТТ, 1962, т. 4, с. 1233.

15. Bawers R., Yafet Y. Energy levels df conduction in a magnetic field. Phys. Rev., 1959, v. 115, N. 5, p. 1165.

16. Kane O. Band structure of indium antimonide. J. Phys. Chem. Solids, 1957, v. 1, N. 4, p. 249.

17. Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов 3 и 5 группы. М., Мир, 1967, с. 46.

18. Румер Ю.Б., Рывкин М.Ш. Термодинамика, статистическая физика и кинетика. М., Наука, 1977, 267 с.

19. Frederikse H.P.R., Holster W.R. Galvanomagnetic effects in n-type InSb. Phys. Rev., 1957, v. 108, N. 5, p. 1136.

20. Broom R. Magnetoresistance of n-type InSb at 4,2 K. Proc. Phys. Soc., 1958, v. 71, p. 470.

21. Бреслер M.C., Парфеньев P.B., Шалыт С.С. К вопросу о влиянии спина электронов на осцилляции Шубникова де Гааза в n-InSb. ФТТ, 1965, т. 7. с. 1266.

22. Амирханов Х.Н., Баншров Р.Н. Влияние спина на квантовые осцилляции гальваномагнитных эффектов в n-InSb. ФТТ, 1966, т.8. с. 2189.

23. Frederikse H.P.R., Holster W.R. Oscillatory galvanomagnetic effects in n-type InSb. Phys. Rev., 1958, v. 110, N. 4, p. 880

24. Sladek R.I., Magnetoresistance oscillations in singlecrystal and polycrystalline InSb. Phys. Rev., 1958, v. 110, N. 4, p. 817.

25. Bresler M.C., Redko N.A., Shalyt S.S. Quantum oscillations of transport coefficients in n-type InSb. Phys. Stat. Sol., 1966, v. 15, p. 745.

26. Закиев Ю.Э. К вопросу об осцилляции продольного магнитосопротивления в сильно легированном арсениде индия электронного типа. 1966, т. 8, в. 6, с.147.

27. Амирханов Х.И., Баширов Р.Н. Гальваномагнитные явления в n-InSb в сильных магнитных полях. ФТП, 1967, т.1, с.667.

28. Баширов Р.Н., Гаджиев P.M. Влияние спина на квантовые осцилляции поперечного магнитосопротивления в селениде ртути. ФТП, 1967, т. 1, с.443.

29. Argyres P.N. Quantum theory of longitudinal magnetoresistance. J. Phys. Chem., Solids, 1958, v. 4, N. l,p. 19.

30. Stratton R. Influence of interelectronic collisions on conduction and breakdown in polar crystals. Proc. Roy. Soc., 1958, a 246, p. 406.

31. Isaacson R.A., Bridges F. Shift of the magnetoresistance oscillation maxima due to an electric field in InSb. Solid State Commun., 1966, v. 4, N 12, p. 635.

32. Sailer D.G., Hanes L.K., Goodwin M.W., Stephens A.E. Shubnikov-de Haas effect studies on optically heated electrons in n-InSb. J. of Magnetism and Magnetic Materials, 1979, v. 11, p. 247.

33. Гуревич B.JI., Фирсов Ю.А. К теории электропроводности полупроводников в магнитном поле. ч. II, ЖЭТФ, т. 41, с.512.

34. Argyres P.N. Theory of electrical conduction in high magnetic fields. J. Phys. Chem., Sol., 1959, v. 12, N. 1, p. 89-96.

35. Эфрос A.JI. Осцилляции поперечной электропроводности в сильном магнитном поле, обусловленные рассеянием на оптических фононах в металлах. ФТТ, 1961, т. 3, в. 9, с. 2848.

36. Клингер М.И. К теории линейных необратимых процессов в сильном магнитном поле. ФТТ, 1961, т. 3, с. 1342.

37. Гуревич В.Л., Фирсов Ю.А., Эфрос А.Л. Новый тип осцилляций магнитосопротивления полупроводников и полуметаллов. ФТТ, 1962, т. 4, с. 1813.

38. Амирханов Х.И., Баширов Р.Н., Елизаров В.А. Магнитофононный резонанс в n-InSb. ФТТ, 1975, т. 17, N 1 с. 361.

39. Шалыт С.С., Парфеньев Р.В., Муждаба В.М. К вопросу о новом типе осцилляций продольного магнитосопротивления в n-InSb. ЖЭТФ, 1964, т. 47, с. 1683.

40. Парфеньев Р.В., Шалыт С.С. Экспериментальное подтверждение магнито-фононного резонанса в InSb n-типа. ЖЭТФ, 1964, т. 47, с. 444.

41. Павлов С.Т., Фирсов Ю.А. Спин магнитофононный резонанс и осцилляции магнитосопротивления в полупроводниках. ЖЭТФ, 1965, т. 49, с. 1664.

42. Аксельрод М.М., Цидильковский И.М. Спин магнитофононные и магнитофононные осцилляции магнитосопротивления в n-InSb. Письма в ЖЭТФ, 1966, т. 4, N6, с.205.

43. Цидильковский И.М., Аксельрод М.М., Соколов В.И. Осцилляции магнитосопротивления в чистом n-InSb. ФТТ, 1965, т. 7, с. 316.

44. Поморцев Р.В., Пономарев А.И., Харус Г.И., Цидильковский И.М. Новый тип осцилляций продольного магнитосопротивления. ЖЭТФ, 1968, т. 54, с. 1347.

45. Парфеньев Р.В., Харус Г.И., Цидильковский И.М., Шалыт С.С. Магнитофононный резонанс в полупроводниках. УФН, 1974, т. 112, N 3. с. 3-36.

46. Chang L.L. and Howard W.E. Surface inversion and accumulation of anodized InSb. J. Appl. Phys. Lett., 1965, v. 7, p. 210.

47. Kawaji S. and Catos H.C. The role of surface treatment in the field effect anomaly of n- type InSb at high magnetic fields. Surf. Sci., 1965, v. 6, p. 362.

48. Kawaji S., Huff H. and Catos H.C. Field effect on magnetoresistance in n- type indiume antimonide. Surf. Sci., 1967, v. 3, p. 234.

49. Cho A.Y. and Arthur J.R. "Molecular beam epitaxy" in Progress in Solid State Chemistry. Ed. by J.O. Mc Caldin and Somorjai G. (Pergamon, Oxford). 1976, v. 10, p.p. 157-191.

50. Esaki L. and Chang L.L. Semiconductor superfine structures by computer controlled molecular beam epitaxy. Thin Solid Films. 1976, v. 36, p. 285.

51. Dupnic R.D. and Dapkus P.D. Preparation and properties of Gai.xAlxAs GaAs heterostructure lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition. IEEE J. Quant. Electron., 1979, QE-15, p. 128.

52. Tsui D.C. and Logan R.A. Observation of two dimensional electrons in LPE -grown Gai.xAlxAs - GaAs heterojunctions. Appl. Phys. Lett., 1979, v. 35, p. 99.

53. Алферов Ж.И., Жиляев Ю.В., Шмарцев Ю.В. Расщепление зоны проводимости в сверхрешетке на основе GaPxAsix. ФТП, 1971, т. 5, в. 1, с. 196. Алферов Ж.И. Физика и жизнь. СПб., Наука, 2000, 255 с.

54. Blakeslee А.Е. and Aliotta Man made superlattice crystals. IBM J. Res. Dev. 1970, v. 14, p. 686.

55. Шик А.Я. Явления переноса в одномерных сверхрешетках. ФТП, 1973, т. 7, в. 2, с. 261.

56. Шик А.Я. Сверхрешетки (обзор). ФТП, 1974, т. 8, с. 1841.

57. Маслюк В.Т., Феннич П.А. Полупроводниковые сверхрешетки. Зарубежная электронная техника. 1981, в. (241), с. 3-66.

58. Schmelev G.M., Chaikovskii С.А., Chan Min Shon. The Conductivity in Semiconductors with Superlattice. Phys. Stat. Sol., 1976, v. 76, N 2, p. 811.

59. Dohler G.H. Electron states in crystals with nipi superstructure. Phys. Status. Solidi., 1972a, В 52, p. 79-92.

60. Dohler G.H. Electrical and optical properties of crystals with nipi superstructure. Phys. Status. Solidi., 1972b, В 52, p. 533-545.

61. Dohler G.H. Doping superlattices. J. Vac. Sci. Technol. 1979, v. 16, p. 851.

62. Dohler G.H. Semiconductor superlattices A new material for research and application. Physica Scripta. 1981, v. 24, p. 430-439.

63. Tsui D.C., Stormer H.L., Gossard A.C. Two dimentional magnetotransport in extreme quantum limit. Phys. Rev. Lett., 1982, v. 48, N 22, p. 1559.

64. Von Klitzing K., Dorda G., Pepper M. New method for high accuracy determination of the finestructure constant based on quantized Hall resistance. Phys. Rev. Lett., 1980, v. 45, N6, p. 494.

65. Von Klitzing К., Ebert G. Two dimensionalSystems, Heterostructures and Su-perlattices^ Ed. By G. Bauer, F.Kuchar, H. Heinrich. Berlin - Heidelberg. - N.Y. -Tokio, 1984, p. 243.

66. Пудалов B.M., Семенчинский С.Г. Инверсионные слои носителей заряда в квантующем магнитном поле. Квантовый эффект Холла. Поверхность: физика, химия, механика, 1984, N 4, с. 5-28.

67. Ando Т., Fowler А.В., Stern F. Rev. Mod. Phys., 1982, v. 54, N. 2, p. 437-672; Андо Т., Фаулер А., Стерн Ф. Электронные свойства двумерных систем. Пер. с англ. под ред. Ю.В. Шмарцева. М., Мир, 1985,416 с.

68. Квантовый эффект Холла: Пер. с англ. под ред. А.Я. Шика и Ю.В. Шмарцева. М., Мир, 1986, 232 с.

69. Рашба Э.И., Тимофеев В.Б. Квантовый эффект Холла. ФТП, 1986, т. 20, N6, с. 977-1024.

70. Галицкий В.М., Корнаков Б.М., Коган В.И. Задачи по квантовой механике. М. Наука, 1981, с. 18, с. 152.

71. Shoenberg D. Magnetic oscillation in metals. Cambridge London, New York, Sydney, 1984, 680 p.; Шенберг Д. Магнитные осцилляции в металлах. Пер. с англ. М., Мир, 1986, 680 с. 200, с. 138.

72. Краснополин И.Я., Пудалов В.М., Семенчинский С.Г. Физический репер сопротивления на основе квантового эффекта Холла. ПТЭ, N 6, 1987, с. 5-24.

73. Portal J.C., Nicholas R.J., Brummell М.А. Quantum transport in Ga In As A1 InAs heterojunctions and the influence of intersubband scattering. Sol. State Commun., 1982, v. 43, N 12, p. 907.

74. Portal J.C., Nicholas R.J., Brummell M.A. High magnetic field studies of the two dimentional electron gas in Ga In As -InP superlattice. Appl. Phys. Lett., 1983, v. 43, N3, p. 293.

75. Portal J.C., Nicholas R.J. Resonance magnetophonon dans les systems bidimen-sionnels. Acta Electron., 1983, v. 25, N 2, p. 173.

76. Tsui D.C., Engiert Th., Cho A.Y. and Gossard A.C. Observation of magnetopho-non resonances in a two — dimensional electronic system. Phys. Rev. Lett., 1980, v. 44, p. 341.

77. Stormer H.L., Dingle R., Gossard A.C., Wiegmann W. and Sturge M.D. Two -dimensional electron gas at a semiconductor semiconductor interface. Solid. State Commun., 1983, v. 29, p .705.

78. Gulder Y., Vieren J.P., Voisin P., Voos M., Chang L.L., and Esaki L. Cyclotron resonance and far infrared magnetoabsorption experiments in semimetallic InAs - GaSb superlattices. Phys. Rev. Lett., 1980, v. 45, p. 1719.

79. Maan J.C., Gulder Y., Vieren J.P., Voisin P., Voos M., Chang L.L., and Esaki L. Three dimensional character of semimetallic InAs GaSb superlattices. Solid. State Commun., 1981, v. 39, p .683.

80. Блад П., Ортон Дж. В. Методы измерения электрических свойств полупроводников. Зарубежная электроника, 1981, N 2 с. 39.

81. Блад П., Ортон Дж. В. Методы измерения электрических свойств полупроводников. Зарубежная электроника, 1981, N 1 с. 27.

82. Хахин Н.Б., Никулов В.В., Ефанов Н.Н. Выращивание кремниевых р i - п структур в низкотемпературном процессе эпитаксии при пониженном давлении. Электронная техника. Сер., электроника СВЧ, 4 (408), 1988, с. 63.

83. Дмитрук H.JI. Методы контроля профиля легирования полупроводниковых пленок. Полупроводниковая техника и микроэлектроника, 1975, N 21, с. 84.

84. Baxandall P.J., Colliver D.J., Fray A.F. An instrument for the rapid determination of semiconductor impurity profiles. J. Phys. E. (GB). Sci. Instrum., 1971, v. 4, N 3,p. 213.

85. Severin P.J., Poodt G. Capacitance voltage measurements with a mercury - silicon diode. J. Electrochem. Soc., 1972, v. 119, N 10, p. 1384.

86. Copeland J.A. Technique for directly plotting the inverse doping profile of semiconductor wafers. IEEE Trans. Electron Devices, 1969, ED-16, p. 445.

87. Орлов O.M., Принц В.Я., Скок Э.М. Прибор для автоматического измерения профиля концентрации мелких уровней. ПТЭ, 1979, N 4, с. 258.

88. Lehovec К. Determination of impurity and mobility distribution in epitaxial semiconducting films on insulating substrate by C-V and Q-V analysis. Appl. Phys. Lett., 1974, v. 25, N 5, p. 279.

89. Дмитрук H.JI., Ляшенко B.H., Маева О.И. Определение профиля легирования и профиля подвижности носителей заряда в эпитаксиальных пленках на изолирующих подложках. ФТП, 1975, т. 9, в. 3, с. 556.

90. Vilson R.G., Jamba D.M. Differential capacitance voltage profiling of Schottky barrier diodes for measuring implanted depth distributions in silicon. Nat. Bur. Stand (U.S.), Spec. Publ., 1978,400-71, 52 p.

91. Миньков Г.М, Крутаев B.B., Рут О.Э. и Зверев Л.Л. Способ определения концентрации свободных носителей заряда в вырожденных полупроводниках. А. С. 1000945, Б.И. 1983, N 8, 28.02.

92. Rau R., Caspari М. Faraday effect in germanium at room temperatur. Phys. Rev. 1955, v. 100 N2, p. 632.

93. Пожела Ю.К. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках. М., Наука, 1977, 367 с.

94. Пожела Ю.К., Ряука В.Л., Толутис Р.Б. Датчик для бесконтактного измерения концентрации носителей заряда в полупроводниках. А.С. N 345948, Б.И., 1972, N 24.

95. Tolutis R.B., Riauka V.L., Pozhela Yu, К. Helicon method for investigation of many-valley semiconductors. Phys. Stat. Sol., 1970, v. 42 N 2 p. 551.

96. Кучис E.B. Методы исследования эффекта Холла. М., Сов. Радио, 1974, 318 с.

97. Кучис Е.В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. М., Радио и связь, 1985, 1990 264 с.

98. Виткус A.M., Лауринавичус А.К., Пожела Ю.К., Яшинскас П.А. Автоматизированная установка для диагностики полупроводников геликонным СВЧ-методом. ПТЭ, 1980, N 3, с. 208.

99. Пожела Р.Ю., Толутис Р.Б., Эберсонас Т.С. Бесконтактное измерение подвижности и концентрации носителей заряда в полупроводниках. ПТЭ, 1986, N 1, с. 185.

100. Соболев B.C., Шкарлет Ю.М. Экранные и накладные датчики. Наука, Новосибирск, 1967,142 с.

101. Гордиенко Ю.Е., Бородин Б.Г. Бесконтактное измерение подвижности носителей заряда в полупроводниках. ПТЭ, 1984, N 1, с. 189.

102. Медведев Ю.В., Петров А.С., Скрыльников А.А. Устройство для бесконтактного локального определения подвижности носителей заряда в полупроводниках. ПТЭ, 1988, N 1, с. 189.

103. Сальман Е.Г., Самойлов В.А., Вертопрахов В.Н. Источник малых токов для неразрушающего контроля структур металл диэлектрик - полупроводник. ПТЭ, 1980, N 4, с. 220.

104. Данилов Г.Н., Лисюк Ю.В., Медведев Ю.В. Сверхвысокочастотный резонатор для бесконтактного измерения удельного сопротивления полупроводниковых пластин с высоким пространственным разрешением, ПТЭ, 1981, N 3, с. 206.

105. Данилов Г.Н., Егоров В.П., Медведев Ю.В., Пахоруков В.А., Петров А.С., Пивоваров Б.Л., Сафронов А.И. Автоматизированная установка для измерения распределения удельного сопротивления по площади полупроводниковых пластин. ПТЭ, 1986, N 2, с. 205.

106. Ковчавцев А.П., Крылин С.М., Половинкин В.Г., Халиуллин Н.И. Автоматизированная установка для измерения высокочастотных вольт фарадных характеристик структур металл диэлектрик - полупроводник. ПТЭ, 1985, N6, с. 174.

107. Гордиенко Ю.У., Дудкин Ю.А., Бородин Б.Г. Установка для исследования фотопроводимости полупроводников при сверхвысокочастотном смещении. ПТЭ, 1977, N 1 ,с. 239.

108. Андреев Б.А., Герштейн Л.И., Иконников В.Б., Шмагин В.Б. Бесконтактный способ регистрации спектров фотопроводимости полупроводников. ПТЭ, 1985, N3, с. 172.

109. Андреев Б.А., Ивашкин А.В., Лифшиц Т.М., Максимов Г.А., Шмагин В.Б. Спектрометр для исследования фотопроводимости полупроводников в дальней инфракрасной области на основе ИКС — 31. ПТЭ, 1985, N 4, с. 173.

110. Гайслер В.А., Курочкина Т.В. Установка для локальной спектроскопии комбинационного рассеяния света полупроводниковых структур. ПТЭ, 1988, N4, с. 170.

111. Альперович В.Л., Минаев А.О., Мощенко С.П., Терехов А.С. Установка для поляризационной модуляционной спектроскопии полупроводников. ПТЭ, 1988, N4, с. 172.

112. Мощенко С.П., Морозов Б.В., Терехов А.С. Управляемый ЭВМ лазерный зонд для исследования распределения оптических и фотоэлектрических свойств по площади полупроводниковых структур. ПТЭ, 1989, N 2, с. 205.

113. Заболоцкий С.Е., Калинушкин В.П., Плоппа М.Г., Мурина Т.М. Установка для исследований скоплений электрически активных примесей в полупроводниках методом МУРС. ПТЭ, 1984, N 4, с. 206.

114. Астафьев О.В., Калинушкин В.П., Юрьев В.А. Сканирующая лазерная микроскопия в среднем ИК-диапазоне как метод исследования полупроводниковых материалов. Микроэлектроника, 1996, т. 25 N 1, с. 41-53.

115. Штурбин А.В., Шалыгин В.А. Определение диффузионно рекомбинаци-онных параметров полупроводников бесконтактным методом. ФТП, 1995, т. 29, в. 11, с. 2040.

116. Zongxin Wang and Youling Chu. Use of microwave photoconductivity to measure semiconductor properties. Solid State Electron. 1991, v. 34, N 7, p. 735.

117. Овсюк B.H., Сусляков A.O., Захарьяш Т.И., Васильев В.В., Студеникин С.А., Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Варавин B.C., Михайлов Н.Н. Фотосопротивления на основе пленок CdHgTe. Автометрия., 1996, N 4,с. 45.

118. Бородовский П.А., Булдыгин А.Ф., Студеникин С.А. СВЧ методы измерения параметров эпитаксиальных пленок КРТ. Автометрия , 1996, N 4, с. 59.

119. Булдыгин А.Ф., Вдовин А.В., Студеникин С.А., Токарев А.С., Варавин B.C. Исследование спектра фотопроводимости пленок CdHgTe СВЧ методом. Автометрия , 1996, N 4, с. 73.

120. Грейштейн Б.А., Иконников В.Б., Шмагин В.Б. Бесконтактный способ регистрации спектров фотопроводимости полупроводников. ПТЭ, 1985, N 3, с. 172.

121. Долганин Ю.Н., Тулубенский А.Г. Измерение фотоэлектрических свойств полупроводников методом оптической модуляции. ПТЭ, 1988, N 6, с. 172.

122. Бровкин Ю.Н., Жиделев Б.В., Костылев С.А., Прохорьев Е.Ф. Универсальный точечный емкостной зонд для исследования параметров полупроводников. ПТЭ, 1978, N 6, с. 187.

123. Якубеня С.Н., Шварков Д.С. Неразрушающий локальный контроль качества полупроводниковых материалов СВЧ фазовым методом. ПТЭ, 1997, N 3, с. 167.

124. Казаков Б.Н., Сафиуллин Г.М., Латышев В.А., Яковлева Ж.С. Приставка к оптическому спектрометру для измерения концентрационного профиля и коэффициента распределения примеси по кристаллу. ПТЭ, 1997, N 3, с. 148.

125. Креминь В.Г. Автоматизированная установка для исследования воль амперных и вольт фарадных характеристик полупроводниковых приборов. ПТЭ, 1998, N1, с. 78.

126. Принц В.Я., Булдыгин А.Ф., Папаев И.А., Трошнев А.Ю. и др. Бесконтактная электрическая характеризация наноструктур. Полупроводники. Отв. ред. чл.-кор. РАН И.Г. Неизвестный, ЦЭРИС, 1994, 306 с.

127. Осадчий В.М. Моделирование распределения электронов в структурах AlGaAs/GaAs (5 Si), выращенных на винциальных поверхностях. ФТП, 1999, т. 33, в. 10, с. 1229.

128. Синявский Э.П., Соковнич С.П. Внутризонное поглощение света в квазидвумерных системах во внешних электрических и магнитных полях. ФТП, 1999, т. 33, в. 7, с. 828.

129. Бородовский П.А., Булдыгин А.Ф. Определение подвижности и концентрации электронов в тонких полупроводниковых пленках на сверхвысоких частотах с помощью плазменного резонанса. ФТП, 1999, т. 33, в. 10, с. 1224.

130. Кирпичев В.Е., Кукушкин И.В., Бисти В.Е., К.фон Клитцинг, Эберл К. Магнитооптические измерения циклотронной массы и g фактора легких дырок в GaAs. Письма в ЖЭТФ, 1995, т. 64, в. 11, с. 766.

131. Стерн Ф. Квантовые свойства поверхностных слоев пространственного заряда. В кн. Новое в исследовании поверхности твердого тела. Вып. 2, М., Мир, 1977, с. 280-305.

132. Овсюк В.Н. Исследование электронных процессов в полупроводниках с областями пространственного заряда. Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук., Новосибирск, 1983, 436 с.

133. Квон З.Д., Неизвестный И.Г., Овсюк В.Н., Ржанов Ю.А. Магнитосопротивление инверсионных каналов на поверхности германия. В. сб. Физика тонкопленочных систем. Под. ред. Ржанова А.В., Новосибирск, ИФП CO-РАН СССР, 1978, с. 61-66.

134. Тейлер В.А., Маргулис В.А., Чудаев И.В., Чучаев И.И. Проводимость электронного газа в квантующем магнитном поле при рассеянии на точечных дефектах. ЖЭТФ, 1995, т. 107, в. 1, с. 187.

135. Ридли. Квантовые процессы в полупроводниках. М., Мир, 1986, 304 с.

136. Неизвестный И.Г., Соколова О.В., Шамиряк Д.Г. Одноэлектроника. Часть II. Применение одноэлектронных приборов. Микроэлектроника, 1999, т. 28, N 3, с. 163-174.

137. Кейси X., Паниш М. Лазеры на Гетероструктурах. В 2-х томах, т. 1. Пер. с англ. М., Мир, 1981, 299 с.

138. Журавлев К.С., Торопов А.И., Шамирзаев Т.С., Бакаров А.К., Раков Ю.Н., Мякишев Ю.Б. Применение высокочистых слоев AlxGa^As в эпитаксиаль-ных структурах для мощных полевых СВЧ транзисторов. Письма в ЖЭТФ, 1999г., т. 25, в. 15, с. 8.

139. Корнилович А.А., Пак С.П. Электрические свойства вырожденных диодных структур Ge и GaAs, полученных методом жидкостной эпитаксии.

140. В. сб. науч. работ. Физика полупроводников и полупроводниковых приборов. Новосибирск, СОАН СССР, 1967, с. 87 90.

141. Медведев Ю.В., Скрыльников А.А. Измерение магнитосопротивления полупроводников ВЧ и СВЧ датчиками квазистационарного типа. М., ЦНИИ Электроника, Серия 8, Вып. 1 (274), 1988, с. 18.

142. Лисинкова Н.Г., Духновский М.П., Крысов Г.А., Федоров Ю.Ю. Исследование фоточувствительности полупроводниковых материалов неразрушаю-щим СВЧ методом. М., ЦНИИ Электроника, Серия 8, Вып. 1 (274), 1988, с. 29.

143. Васильев В.В., Есаев Д.Г., Кравченко А.Ф., Осадчий В.М., Сусляков А.О. Исследование влияния варизонности эпитаксиальных слоев на эффективность работы фотодиодов на основе твердых растворов Cdx Hgix Те. ФТП, 2000, т.34, в. 7, с. 877.

144. Овсюк В.Н., Протасов Д.Ю., Талипов Н.Х. Применение метода "спектр подвижности" к исследованию имплантированных слоев HgCdTe. Тез. докл. IV Российской конференции по физике полупроводников. Полупроводники' 99., Новосибирск, Академгородок, 1999, с. 285.

145. К. фон Клитцинг. Квантовый эффект Холла. Нобелевская лекция 1985г. УФН, т. 150, N1, с. 107.

146. Квантовый эффект Холла. Пер. с англ. Под ред. Р. Пренджа, с. Гирвина. М. Мир, 1989, 408 с.

147. Карабутов А.В., Нунупаров М.С. Квантовый эффект Холла в полупроводниках и перспектива его использования в науке и технике. Итоги науки и техники. Электроника. М., ВИНИТИ, 1990, т. 27, с. 135-173.

148. Цидильковский И.М. Электроны и дырки в полупроводниках. М., Наука, 1972, 640 с.

149. Смит Р. Полупроводники. Пер. с англ. Под ред. Н.А. Ленина. М., Мир, 1982, 558 с.

150. Оптические свойства полупроводников, (полупроводниковые соединения А3В5) Под ред. Р. Уиллардсона и А. Бира. Пер. с англ. под. ред. чл.-кор. АН. Е.Ф. Гросса. М., Мир, 1970, с. 486.

151. Ахманов С.А., Коротаев Н.И. Методы нелинейной оптики в спектроскопии рассеяния света. М., Наука, 1981, 544с.

152. Бобылев Б.А., Вдовин А.В., Гайслер В.А., Кравченко А.Ф., Палкин A.M., Скок Э.М., Торчинов Х.З. Методы спектроскопии полупроводников. Под ред. д.ф.-м.н. Э.М. Скока. Новосибирск, ИФП СОАН СССР, 1986, 167 с.

153. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. Л. Физматгиз., 1962, 420 с.

154. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М., Наука, 1978, 615 с.

155. Сапцов В.И., Скок Э.М. Магнитооптические эффекты в антимониде индия. Препринт 15, ИФП СО АН СССР, Новосибирск, 1987, 25 с.

156. Зеегер К. Физика полупроводников. Пер. с англ. Под. ред. Ю.К. Пожелы. М., Мир, 1977,615 с.

157. Блейкмор Дж. Физика твердого тела. Пер. с англ. под. ред. Д.Г. Андрианова и В.И. Фистуля. М., Мир, 1988, 608 с.

158. Рассеяние света в твердых телах. Под ред. М. Кардоны, М., Мир, 1979, 390 с., 1985, 292 с.

159. Летохов B.C. Проблемы лазерной спектроскопии. УФН, 1976, т. 118, с. 199.

160. Алиев M.P., Козлов Д.Н., Смирнов В.В. Когерентная спектроскопия комбинационного рассеяния высокого разрешения. Письма в ЖЭТФ, 1977, т. 26, с. 31.

161. Ахманов С.А., Короткевич Н.И., Орлов Р.Ю., Шумай Н.Л. Активная спектроскопия комбинационного рассеяния света в непрерывном режиме. Письма в ЖЭТФ, 1976, т. 23, с. 276.

162. Березовец В.А., Фарбпггейн И.И., Шнайдер Д. Особенности спектрального состава магнитопроводимости двумерного аккумулирующего слоя на поверхности теллура (юТо). ФТТ, 1999, т. 41, в. 3, с. 537.

163. Белл. Р.ДЖ. Введение в фурье спектроскопию. Пер. с англ. М., Мир, 1975,381 с.

164. Гудмен Дж. Введение в фурье оптику. Пер. с англ. под ред. Г.И. Косо-урова. М., Мир, 1970, 364 с.

165. Герасимов Н.П., Козырев С.В., Овсюк В.Н.,Потапов С.В., Славинская Н.С., Черемных П.А., Шмарцев Ю.В. Ультраквантовый предел холловской проводимости двумерного электронного газа на поверхности кремния. Письма в ЖЭТФ, 1983, т. 38, в. 2, с. 73.

166. Нелинейная спектроскопия. Под ред. Н. Бломбергена. М., Мир, 1979, 586 с.

167. Chemla D.S. Non linear optical properties of condensed matter. Rep. Prog. Phys. 1980, v. 43. p. 1192.

168. Levinson N.D., Song J.J. Coherent Raman spectroscopy. Feld Eds. M. S., Le-tohov V.S. Springer Verlag Berlin. Topics in Current Phys., 1980, v. 21.

169. Druet S.A.J., Taran J. Р.Е. CARS (ACKP) Spectroscopy. Prog. Quant. Electron. 1981, v. 7, p. 1.

170. Patel C.K.N., Slusher R.E. Optical nonlinearities due to mobile carriers in semiconductors. Phys. Rev. Lett. 1966, v. 17, N 19, p. 1011.

171. Desilets C.S., Patel C.K.N. Characteristics of a low field Spin - flip Raman laser: Measurement of Raman gain. Appl. Phys. Lett. 1973, v. 22, N 10, p. 543.

172. Brueck S.R.J., Moordian A. Spontaneous Spin flip Raman linear and nonlinear processes in InSb. Opt. Communs. 1973, v. 8, N 3, p. 263.

173. Pascher H., Appold G., Hafele H.G. Spin flip Raman scattering from electrons in localized donor spates in n - InSb. Opt. Communs. 1975, v. 19, N 1, p. 100.

174. Бломберген H. Нелинейная оптика. M., Мир, 1966, 424 с.

175. Isaacson R.A. Electron Spin resonance in n type InSb. Phys. Rev. 1968, v. 169, N9, p. 312.

176. Гершензон E.M., Певин H.M., Фогельсон M.C. Особенности парамагнитного резонанса электронов в n InSb. ФТТ, 1968, т. 10, N 9, с. 2880.

177. Pidgeon C.R., Mitchell D.L., Brownf R.N. Interband magnetoabsorption in InAs, InAS. Phys. Rev. 1967, v. 154, N 3, p. 737.

178. Johonson E.J., Dickey D.H. Infrared cyclotron resonance and related experiments in the conduction band of InSb. Phys. Rev. 1970, v. Bl, N 6, p. 2676.

179. Colles M.J., Pidgeon C.R. Tunable lasere (review). Reports on progress in physics, 1975, v. 38, N 3, p. 378-422.

180. Вдовин A.B., Скок Э.М. Исследование эффективного g фактора свободных электронов в InSb методом комбинационного рассеяния. ФТП, 1981, т. 15, N6, с. 1078.

181. Pascher Н. Determination of the effective g value of n- InAs by four - wave mixing spectroscopy. Opt. Communs, 1982, v. 41, N 2, p. 106.

182. Aggarwal R.L. Physics in high magnetic field. Proc. Oij. Intern. Seminar Ha-kone, Japan, 1980.

183. Пашер X., Скок Э.М., Хефеле X. Спин флип резонанс фотопроводимости и магнитосопротивления в антимониде индия. Письма в ЖЭТФ, 1982, т. 36. №4, с. 109.

184. Jablonovitch Е., Blombergen N. Dispersion of the nonlinear optical susceptibility in n- InSb. Phys. Rev. 1971, v. 3, N 6, p. 2062.

185. Бреслер M.C., Гусев О.Б. Циклотронный резонанс нелинейной оптической восприимчивости в InSb. ЖЭТФ, 1979, т. 76, N 2,сю 724.

186. Missell F.P., Dresselhaus M.S. Study of the optical Shubnikov de Haas effect. Phys. Rev. 1972, v. 5, N 4, p. 1364.

187. Скок Э.М., Студеникин C.A. Спиновый резонанс магнитосопротивления и фотоэдс в n-InSb при комбинационном рассеянии. ФТТ, 1983, т. 25,N 11, с. 3361.

188. Вдовин А.В., Калугина Н.А., Сапцов В.И., Студеникин С.А., Скок Э.М. Природа осцилляций оптических и кинетических коэффициентов в антимониде индия. Изв. Ак. Наук СССР, 1986, т. 50, N 2, с. 304.

189. Вдовин А.В., Студеникин С.А., Корнилович А.А., Уваров Е.И. Измерение резонансов в антимониде индия. Полупроводниковая тензометрия. Меж-вуз. сб. науч. трудов, НЭТИ, Новосибирск, 1988, с. 86 94.

190. Todd Т.Н., Clayton С.М., Telfair W.B., McCubbin Т.К., Pliva Jr., Infrared emission of 12C160,13C,60 and ,2C180. J. Mol. Spectr. 1976,v.62, p. 201-227.

191. Корнилович A.A., Уваров Е.И. Прибор для автоматического локального измерения профилей концентрации носителей заряда в полупроводниковых структурах, ПТЭ, 1999, N 4, с. 134 138.

192. То же Kornilovich А.А., Uvarov E.I.Device for Automated local measurement of charge carrier concentration profiles in semiconductor structures. Instruments and Experimental Techniques, №4, 1999, pp. 558-562.

193. Калужный B.M., Корнилович A.A., Уваров Е.И., Федан П.Н. Программный контроллер сопряжения ЭВМ и системы КАМАК. Микропроцессорные средства и системы. 1987, N 6, с. 68.

194. Корнилович А.А., Студеникин С.А., Уваров Е.И. Способ определения концентрации носителей заряда в вырожденных полупроводниках. А.С. 1694018, Б.И. 1991 N 43, с. 228.

195. Dennis R.B., Pidgeon C.R., Smith S.D., Wherrett B.S., Wood R.A. Stimulated spin flip Raman scattering a magnetically tunable laser. Proc. R. Soc. Lond. 1972, v. A 331, p. 203.

196. Kornilovich A.A. Investigation of semiconductor structures and two-dimensional systems by non-destructive contactless methods. Proc. IEEE-Russia Conference ME-MIA'2001, Novosibirsk, 2001

197. Корнилович А.А., Студеникин С.А., Скок Э.М., Вдовин A.B., Уваров Е.И. Магнитооптические методы исследования характеристик полупроводников. Материалы Российской научно-технической конференции. Новосибирск, 1996, т. 2, с. 35 -36.

198. Dresselhaus M.S., Maurodes J.G. Optical de Haas Shubnikov effect in Antimony. Sol. St. Com., 1964, v. 2, N 10, p. 297.

199. Дрессельхауз Г., Дрессельхауз M.C. Магнитооптические эффекты в твердых телах. В. кн. Оптические свойства полупроводников под ред. Р. Уил-лардсона и А. Вира. М., Мир, 1970, с. 313.

200. Kornilovich A.A. Investigations of the Shubnikov de Haas effect in semiconductor by optical and microwave methods. Proc. of the IEEE -RUSSIA Conference MIA - ME'99, Sept. 21-23, 1999, Novosibirsk, p. 1. 10-1. 12.

201. Корнилович A.A. Исследование осцилляций Шубникова де Гааза в полупроводниках. Материалы Международной научно-технической конференции. Информатика и проблемы телекоммуникаций. Электронно — физическая секция. Новосибирск, 1998, с. 129 - 130.

202. Корнилович A.A. Определение параметров полупроводников по осцилляциям Шубникова де Гааза. Труды Международной конференции. АПЭП -98, Новосибирск, 1998, т. 2, с. 29 - 30.

203. Kornilovich A.A. and Uvarov E.I. Non destructive automated methods for determination of parameters of semiconductor structures. Proc. IEEE - Russia conference. MIA - МЕЛ97, Novosibirsk, sept. 23 - 25, 1997, p. 27 - 30.

204. Kornilovich A.A. Determination of parameters in semiconductors using the Shubnikov de Haas effect. Proc. 4th international conference APEIE - 98, Novosibirsk, 1998, v. 1, Selected papers on English, p. 22-23.

205. Generazio E.R., Spector H.N. Free carrier absorption in quantizing magnetic fields. Phys. Rev. В., 1979, v. 20, N 12, p. 5162.

206. Spector H.N., Adamska H. Free carrier absorption in quantizing magnetic fields: Degenerate carriers. Phys. Rev. В., 1982, v. 26, N 8, p. 4717.

207. Moore B.T., Seiler D.G., Kahlert H. C02 laser - induced hot electron effect in n - InSb. Sol. St. Electronics, 1978, v. 21, N 1, p. 247.

208. Ferry D.K. Energy diffusion equation in hot - electron problems: disturbance of the polar - optical - phonon distribution. Phys. Rev. В., 1973, v. 8, N 4, p. 1544.

209. Kornilovich А.А., Studenikin S.A., Baturina T.I. and Buldigyn A.F. Microwave methods for contactless determination of transport parameters semiconductor structures. Proc. APEIE 96. in 11 vol., Novosibirsk, 1996, v. 1, p. 43 - 49.

210. Корнилович A.A., Студеникин C.A., Булдыгин А.Ф. Способ бесконтактного определения концентрации свободных носителей заряда в вырожденных полупроводниках. Пат. N 2037911 РФ, 1995, Б.И., N 17, с 252.

211. Корнилович А.А., Студеникин С.А., Булдыгин А.Ф. СВЧ установка для бесконтактного определения концентрации носителей в полупроводниковых структурах по эффекту Шубникова-де Гааза. ПТЭ, 1996, N 2, с. 131-133.

212. Kornilovich А.А. Determination of parameters two-dimensional carriers using the quantum effects in 2D systems. Abs. Third Russian - Korean Int. Symposium on science and technology KORUS'99, Novosibirsk, 1999, v. 2, p. 681.

213. Корнилович А.А. Физика в примерах. Гл. Магнитные квантовые эффекты в полупроводниках. Учебное пособие. НГТУ, 1994, 230 е., 2002, 278 с.

214. Корнилович А.А., Уваров Е.И., Вдовин А.В., Скок Э.М. Полупроводниковый анализатор спектра монохроматического излучения. Труды IV международной конференции. АПЭП 98 (APEIE -98), 1998, Новосибирск т. 2, с. 102- 104.

215. Корнилович A.A., Мамонов A.A. Измерения индуктивности и емкости туннельных диодов. Труды Всесоюзной науч. техн. конференции по радиотехническим измерениям. 1969, Новосибирск, СНИИМ, т. I.e. 45 -46.

216. Корнилович А.А., Уваров Е.И., Москвичев И.Н. Прибор для измерения профиля концентрации носителей заряда. Проспект ВДНХ, 1987, с. 2.

217. Корнилович А.А., Уваров Е.И., Нуйкин В.В., Ефанов Н.Н. Прибор для измерения концентрации носителей заряда. Тез. докл. Всесоюзной науч.-тех. конференции. Оптический радиоволновой и тепловой методы неразрушаю-щего контроля. 1989, Минск, 23 25 мая.

218. Корнилович А.А., Уваров Е.И., Ефанов Н.Н. Исследование распределения легирующих примесей в тонких полупроводниковых структурах методом двух гармоник. Труды АПЭП 96 в 11 томах. 1996, Новосибирск, т.1, Электронно - физическая секция, с. 31 - 34.

219. Кравченко А.Ф., Овсюк В.Н. Электронные процессы в твердотельных системах пониженной размерности. НГУ, Новосибирск, 2000, 448 с.

220. Kornilovich A.A., Uvarov E.I. Device measurements of charge carrier profile in semiconductors. . Abst. The 1st Korea Russia International Symposium on Science and Technology University of ULSAN: Korea. 1997, p. 72.

221. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. Пер. с англ. М., Мир, 1984, т. 1, с. 655., 1985, т. 1, 450 е., т. 2, 449 с.

222. Гершензон Е.М., Литвак Горская Л.Б., Плохова Л.А., Зарубина Т.С. Методы определения параметров полупроводников и полупроводниковых пленок на СВЧ. Полупроводниковые приборы и их применение. Сб. ст. М., Сов. Радио, 1970, В. 23, с. 3.

223. Теория линий передач сверхвысоких частот. Пер. с англ. под ред. А.И. Шпунова. М., Сов. Радио, 1951, т. 1.

224. Jants W., Frey Th., Bachem K.H. Characterization of active layers in GaAs by microwave absorption. Appl. Phys. 1988. A 45, N 3, p. 223.

225. Abramovitz M. and Stegum I A, Handbook of mathematical functions. U.S. Government Printing Office, Washington, 1964.

226. Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Liberman V.I et.al. The controlled growth of high quality mercury cadmium telluride. Thin Solid Films. 1995, v. 267, p. 121.

227. Firth W.J. Theory of Spin flip Raman amplification in InSb. Opt. Commun. 1973, v. 9, N 1, p. 84.

228. Thomas D.E., Rowell J.M. Low level second harmonic detection system. Rev. Sci. Instr. 1965, v. 36, N 9, p. 1301.

229. Wahlguist H., Modulation broadening of unsaturated lorentzian lines. J. Chem. Phys. 1961, v. 35, N5, p. 7708

230. Arnolt R. Analytical line shapes for lorentzian signals broadened by modulation. Appl. Phys. 1965, v. 36, N 8, p. 2522.

231. Myers О. E., Putzer E.J. Measurement broadening in magnetic resonance J. Appl. Phys. 1959, v. 30, N 12, p. 1987.

232. Wilson G.V.H. Modulation effects in magnetic resonance: widths and amplitudes for lorenzian and Gauss lines. J. Appl. Phys. 1964, v. 35, N 4, p. 1217.

233. Вдовин A.B., Скок Э.М., Уваров Е.И. Анизотропия g-фактора электронов в зоне проводимости. Письма в ЖЭТФ, 1985, т. 42, N 5, с. 191.

234. Chen Y.F., Dobrowolska М., Furdyna J.K. G factor anisotropy of conduction electrons in InSb. Phys. Rev. B, 1985, v. 31, N 12, p. 7989.

235. Голубев В.Г., Иванов-Омский В.И., Минервин И.Г., Осутин А.В., Поляков Д.Г. Непараболичностъ и анизотропия энергетического спектра электронов в GaAs. ЖЭТФ, 1985, т. 88, N 6, с. 2052.

236. Yuen S.Y., Wolff Р.А., Lax В. Theory of spin flip Raman - scattering line shape in narrow-gap semiconductors. Phys. Rev. B, 1974, v. 9, N 8, p. 3394.

237. Mozolonsski M.M., Dennis R.B., Mackenzil. Appl. Phys., 1979, v. 9, p. 205.

238. Willet C.S. Handbook of Lasers. Ed. By R.I.Pressley. Cleveland. Chemical Rubber CO, 1971, p. 183.

239. Yafet V., Keyes R.W., Adams E.N. Hydrogen atom in strong magnetic field. J. Phys. Chem. Sol. 1956, v. 1, N 3, p. 137.

240. Вдовин A.B., Скок Э.М., Федан П.Н., Уваров Е.И. Комбинационное рассеяние на спиновом переходе свободных электронов в n-InSb. Оптика и спектроскопия, 1982, т. 52, в. 2, с. 206.

241. Brutck S.R.J., Mooradian A., Blum F.A. Nearresonance spontanes spin - flip light scattering in InSb. Phys. Rev., 1973, v. 7, N 12, p. 5253.

242. Вдовин A.B., Скок Э.М. Нелинейная оптическая спектроскопия магнитных резонансов. Изв. Ак. Наук СССР, Сер. физическая, 1983, т. 47, N 12, с. 2373.

243. Алексенко А.Г., Коломберт Е.А., Стародуб Г.И. Применение прецизионных аналоговых ИС. М., Радио и связь, 1981, с. 89-109.

244. Немчинов В.М., Никитаев В.Г., Ожогин М.А., Ляхович В.В. Под. ред. Степаненко И.П. Усилители с полевыми транзисторами. М., Сов. радио, 1980, с. 173.

245. Kennedy D.P. and O'Brien R.R. On the measurement of impurity atom distribution in silicon by the differential capacitance technique. IBM J. Res. Deu. 1969, v. 13, p. 212.

246. Шестопалов A.M. Расчеты варикапов с большим коэффициентом перекрытия по емкости. Изв. вузов., Радиоэлектроника, 1967, N 10, в. 6, с. 578.

247. Шестопалов A.M. Нелинейные емкости с р п переходом, имеющим ступенчатое легирование высокоомной области. Радиотехника и электроника, 1968, т. 13, N6, с. 1072.

248. Горюнов Н.Н., Носов Ю.Р. Полупроводниковые диоды. Параметры, методы измерений. М., 1968.

249. Lucovsky G., Schwarz R.F., Emmons R.B. Transit time considerations in p -i - n diodes. J. Appl. Phys., 1964, v. 35, N 3, pt 1, p. 622.

250. Garett G.B., Brattain W.H. Physical theory of semiconductor surfaces. Phys. Rev., 1955, v. 99, p. 376.

251. Ebert R., Pasher H., Appold G., Hafele H.G. Magnetic Raman scattering in n-type indium antimonide. Appl. Phys., 1977, v. 14, № 2, p. 155.

252. Корнилович A.A., Скок Э.М., Уваров Е.И. Исследование профилей и распределения легирующей примеси в субмикронных и низкоразмерных системах. Труды АПЭП 2000, Новосибирск, 2000, т. 2. с. 13 - 16.

253. Корнилович А.А. Исследование полупроводников и низкоразмерных систем магнитооптическими и СВЧ методами. Труды АПЭП 2000, Новосибирск, 2000, т. 2., с. 9 - 12.

254. Kornilovich A.A. Investigation of semiconductors and low-dimensional systems by magneto-optical and microwave methods., Proc. 5 th International conference APEIE-2000, Novosibirsk, 2000, v.l, Selected papers on English, p. 4 7.

255. Вдовин A.B., Корнилович A.A., Скок Э.М., Уваров Е.И. Автоматизированные бесконтактные методы исследования нелинейного спинового резонанса и эффекта Шубникова де Гааза в полупроводниках и низкоразмерных системах. Автометрия, 2001, № 4, с. 62-75.

256. Корнилович A.A. Методы исследования полупроводников и низкоразмерных систем. Материалы Международной научно-технической конференции. Информатика и проблемы телекоммуникации. Электронно физическая секция. Новосибирск, 2001, c.l 11 - 113.

257. Корнилович А.А. Бесконтактный метод определения концентрации носителей заряда в вырожденных полупроводниках по оптическим осцилляци-ям Шубникова де Гааза. Сб. научных трудов НГТУ.-2001.-№4, с.79-88.

258. Корнилович А.А. Метод исследования транспорта двумерных электронов в гетероструктурах GaAs/AlxGai.xAs по эффекту Шубникова-де Гааза на СВЧ. Сб. научных трудов НГТУ.-2001 .-№4, с.69-78.

259. Kornilovich A.A. Determination of the transport parameters in two-dimensional semiconductor systems and thin films by contactless microware methods. Proc. 3rd Sib. Rus. workshop EDM'2002, Erlagol, 2002, v. 1, p. 75-76.

260. Корнилович А.А. Исследование эффекта Шубникова-де Гааза в объемных полупроводниках и двумерных системах бесконтактными методами. Автометрия, 2002, т.38, №4, с. 103-114.

261. То же Kornilovich А.А. Investigation of the Shubnikov de Haas effect in bulk semiconductors and two-dimensional systems by contactless methods. Optoelectronics Instrumentation and Data Processing. Vol.38, №4, 2002, pp85-94.

262. Корнилович А.А. Бесконтактное определение подвижности и времени релаксации импульса носителей заряда в пленочных полупроводниковых структурах. Автометрия, 2002, т.38, №5, с. 95-101.

263. То же Kornilovich А.А. Contactless determination of carrier mobility and relaxation time of impulse in two-dimensional and thin film semiconductor structures. Optoelectronics Instrumentation and Data Processing. Vol.38, №5, 2002, pp 83-89.