Рассеяние электромагнитной волны краевыми дислокациями в щелочногалоидных кристаллах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Задорожный, Филипп Михайлович

• Задорожный, Филипп Михайлович
• кандидат физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Задорожный, Филипп Михайлович

ВВЕДЕНИЕ.

1. ЗАРЯЖЕННЫЕ ДИСЛОКАЦИИ В ЩЕЛОЧНОГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛАХ

1.1 Механизмы образования заряда на краевых дислокациях.

1.2 Теоретические модели заряженных дислокаций.

1.3 Исследование заряженных дислокаций с помощью электромагцитных волн.

1.4 Постановка цели и задач исследования.

2. РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ВОЛНЫ НЕПОДВИЖНЫМИ ЗАРЯЖЕННЫМИ ДИСЛОКАЦИЯМИ.

2.1 Постановка задачи. Сечение рассеяния на заряженных дислокациях с одним типом точечных носителей заряда в экранирующем облаке.

2.2 Определение линейной плотности заряда дислокации и плотности дислокаций по интенсивности центрального максимума картины рассеяния.

2:3 Рассеяние волны, падающей параллельно осям дислокаций

2.4 Особенности рассеяния электромагнитной волны на ионном кристалле с двумя типами точечных дефектов.

2.5 Выводы.

3.РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ВОЛНЫ

ПОДВИЖНЫМИ ЗАРЯЖЕННЫМИ ДИСЛОКАЦИЯМИ.

3.1 Постановка задачи. Сечение рассеяния на движущихся заряженных дислокациях с одним типом точечных носителей в зарядовом облаке

3.2 Рассеяние волны, падающей перпендикулярно движущимся дислокациям.

3.3 Рассеяние волны, падающей параллельно осям дислокаций. Определение скорости дислокаций по интенсивности центрального максимума картины рассеяния

3.4 Рассеяния на кристалле с двумя типами точечных носителей заряда и подвижными дислокациями.

3.5 Особенности рассеяния на ионных кристаллах с подвижными заряженными дислокациями.

3.6 Особенности рассеяния на полупроводниковых кристаллах п- и р- типа с подвижными заряженными дислокациями.

3.7 Выводы.

4.РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ВОЛНЫ НА КОЛЕБЛЮЩИМХСЯ ЗАРЯЖЕННЫХ ДИСЛОКАЦИЯХ.

4.1 Постановка задачи. Сечение рассеяния на колеблющихся заряженных дислокациях с одним типом точечных носителей в зарядовом облаке.

4.2 Рассеяние волны, падающей перпендикулярно к колеблющимся дислокациям.

4.3 Зависимость интенсивности центрального максимума картины рассеяния от частоты колебаний дислокаций

4.4 Особенности рассеяния на ионных и полупроводниковых кристаллах п- и р- типа с колеблющимися заряженными дислокациями.

4.5 Выводы.

5. СРАВНЕНИЕ ПОЛУЧЕННЫХ РЕЗУЛЬТАТОВ С ИМЕЮЩИМИСЯ ТЕОРЕТИЧЕСКИМИ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫМИ ДАННЫМИ

ПО РАССЕЯНИЮ СВЕТА НА КРИСТАЛЛАХ С ДИСЛОКАЦИЯМИ

5.1 Влияние фазовых искажений решетки и собственного излучения заряженной дислокации на рассеяние электромагнитной волны.

5.2 Сравнение теоретических и экспериментальных результатов рассеяния света краевыми дислокациями в ЩГК ,„„„,„,„„„.

5.3 Выводы.,.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Рассеяние электромагнитной волны краевыми дислокациями в щелочногалоидных кристаллах»

Известно, что характерной особенностью линейных дефектов в ще-лочногалоидных кристаллах и полупроводниках является наличие у них электрического заряда [1], [2]. Краевая дислокация вместе с окружающим ее противоположно заряженным облаком точечных дефектов (в ионных кристаллах) [1] или ионизированных атомов примеси (в полупроводниках п типа и полупроводниках р-типа с положительно заряженными дислокациями) [3] или дырок (в полупроводниках р-типа с отрицательно заряженными дислокациями) [3] образует так называемую дислокационную трубку [4] и способна переносить заряд во время своего движения [1], [2].

Наличие заряда у дислокаций приводит к появлению в таких кристаллах «перекрестных» [1] электромеханических эффектов, таких как эффект Степанова [5] , прямой и обратный дислокационные пьезоэффекты [6]? [7], электропластический эффект [8], которые были подробно изучены экспериментально [9], [10], [11], дислокационного аналога эффекта Холла [12], дислокационного аналога эффекта Нернста-Эттингсхаузена [13].

Особенности поведения дислокаций и их взаимодействия с заряженными точечными дефектами или свободными носителями заряда в ионных и полупроводниковых кристаллах, вызванные наличием у них электрического заряда, обусловили поиск новых методов исследования свойств дислокаций, в дополнение к уже имеющимся многочисленным механическим, электрическим и оптическим методам [1]-[4]. Эти новые методы должны давать информацию о свойствах дислокаций, недоступную ранее разработанным методам, и быть, по возможности, проще их в экспериментальном применении.

Первоначально интерес к использованию для изучения дефектной структуры кристаллов электромагнитных волн оптического диапазона был вызван поисками более простой в экспериментальном отношении альтернативы рентгеноструктурным метод исследования кристаллов [2]. Рентге-носгруктурный анализ к настоящему времени является одним из самых изученных в теоретическом и экспериментальном отношениях метода исследования геометрии кристаллической решетки с единичными дислокациями и более сложными дислокационными образованиями [2], [14]-[17].

В рамках рентегеноструктурного анализа прямая задача расчета дифракционной картины для статистического ансамбля дислокаций заданного типа с определенными направлениями векторов Бюргерса, линий дислокаций и параметрами распределения дислокаций в кристалле не решается из-за очевидных вычислительных сложностей связи параметров дислокаций с дифракционными характеристиками [14].

На практике полученные данные дифракционной картины на исследуемом кристалле сравнивают с дифракционной картиной от кристалла, в котором дефектные структуры заданы в виде моделей с некоторым числом простых параметров, определяющих дислокационное искажение решетки, таких, например, как эффективный размер дефектного блока, его ориентация, степень механической деформации в нем [17].

По результатам сравнения угловых зависимостей дифракции рентгеновского излучения на таком модельном кристалле с экспериментальными данными на реальном образце делается оценка величин этих модельных параметров. Другая информация о механических и особенно электрических свойствах линейных дефектов в рамках описанного метода не может быть получена [14].

В конце 50-ых годов в ходе первых опытов по рассеянию света на ионных кристаллах Ван де Халстом [18], а также Теймером и Плинтом [19] было обнаружено, что получаемая картина рассеяния существенно отличается от предсказываемой теорией термического (бриллюэновского) рассеяния на совершенном бездефектном кристалле и что эта картина рассеяния зависит от первоначальной термической обработки и чистоты исследуемых образцов.

Причиной наблюдаемого рассеяния были признаны особые области кристалла, имеющие свою собственную ориентацию по отношению к кристаллическим осям и обладающими протяженностью по крайней мере в одном измерении много больше длины падающей волны Я [19]. Высказанное предположение было уточнено в ходе новых экспериментов по рассеянию света на кристалле КС1 [20]. Рассматривались различные направления падающего луча и рассеянного света, лежащих в одной плоскости (100). Был сделан вывод, что рассеивающие центры имеют форму линий, ориентированных по направлению [100] и высказано предположение о том, что причиной наблюдаемого рассеяния являются заряженные облака точечных дефектов, окружающие противоположно заряженные краевые дислокации.

Эти предположения получили подтверждения в ходе дальнейших экспериментов с кристаллами с другими примесями [21]—[23].

Важную роль в окончательном установлении механизма рассеяния света кристаллами с заряженными дислокациями сыграли работы Балтога, Гиты и др. [24], [25], в которых помимо измерения угловых зависимостей рассеяния на ионных кристаллах с различными видами примеси проводились одновременные измерения ионной проводимости исследуемых образцов. Эксперименты Балтога, Гиты и др.[24], [25], проведенные к середине 70-ых годов, стали последними в серии работ, установивших, что причиной наблюдаемого в опытах рассеяния электромагнитного излучения оптического диапазона являются облака заряженных точечных дефектов, экранирующих противоположно заряженные краевые дислокации в исследуемом кристалле.

Главной задачей описанных выше работ было качественное выявление одного из многих предполагавшихся механизмов исследуемого рассеяния [2]. Кроме этого, теоретические модели дислокаций, с помощью которых можно было бы получить теорию, полезную для практического получения информации о дислокациях в кристалле, совершенствовались параллельно с процессом экспериментального изучения процесса рассеяния

Ш,[2].

Таким образом, несмотря на большой объем проведенных экспериментальных работ, их результаты не могли быть использованы для получения практически ценной количественной информации о параметрах заряженных краевых дислокаций в кристаллах [2]. В связи с этим экспериментальные исследования рассеяния света щелочногалоидными и полупроводниковыми кристаллами были продолжены в 80-ые и 90-ые годы [26], [27].

Попытка использовать теорию заряженной дислокации Эшелби [42], предпринята в работе Балтога, Гиты и др. [24] для определения по экспериментальным данным некоторых дислокационных параметров, оказалась неудачной [2] из-за некорректности ряда предположений данной дислокационной модели [1].

Уже после завершения описанной выше серии оптических экспериментов, в начале 80-ых годов была создана приемлемая теоретическая модель дислокации. Танибаяши и Цуда [6], [7], основываясь на представлении Эшелби о краевой дислокации как о равномерно заряженной прямолинейной нити, создали теорию взаимодействия заряженных линейных и точечных дефектов, находящихся под действием внешних механических и электрических полей, которая объяснила ранее наблюдавшиеся в ЩГК экспериментальные зависимости прямого и обратного дислокационного пьезоэффектов [9].

В дальнейшем модель Танибаяши и Цуда была развита для учета действия на систему "заряженная дислокация-экранирующее облако" внешнего магнитного поля, что позволило теоретически изучить новые эффекты: дислокационный эффект Холла [12] и дислокационный аналог эффекта Нернста-Эттингсхаузена [13].

За счет совместного решения уравнения Пуассона и гидродинамического уравнения непрерывности для описания движения в кристалле носителей заряда, модель Танибаяши и Цуда [6], [7] позволяет получить выражения для распределения электрического потенциала и, что особенно важно, плотности точечных дефектов в щелочногалоидном кристалле с заряженными дислокациями.

Таким образом, открывается возможность теоретического исследования взаимодействия электромагнитной волны с заряженными облаками, экранирующими краевые дислокации в щелочногалоидных кристаллах, с целью практического определения параметров линейных и точечных дефектов в исследуемом кристалле по результатам картины рассеяния излучения.

Для этого в диссертационной работе использован формализм кинематической теории рассеяния, особенности которой заключаются в следующем [77]:

1. Электрическое поле прошедшей через рассеивающий кристалл волны находится из решения системы уравнений Максвелла.

2. Вводимая в уравнения Максвелла плотность тока заряженных точечных дефектов является решением уравнения движения точечного дефекта под влиянием электрического поля рассеиваемой волны. Таким образом учитывается обратное влияние тока заряженных точечных дефектов на поле волны, то есть эффект рассеяния.

3. В рамках кинематической теории предполагается, что эффект рассеяния мал. Поэтому решение для электрического поля рассеянной волны находится на большом расстоянии от кристалла. Эффективное сечение рассеяния а должно быть много меньше геометрической площади сечения кристалла.

Цель диссертационной работы состоит в теоретическом исследовании влияния взаимодействующих заряженных точечных и линейных дефектов в щелочногалоидном кристалле на рассеяние электромагнитной волны.

Научная новизна работы.

1) В общем виде рассчитано эффективное сечение рассеяния плоской электромагнитной волны системой параллельных заряженных краевых дислокаций, экранированных облаками противоположно заряженных точечных дефектов, без каких-либо ограничений на направления падающей и рассеянной волны, а также вида поляризации.

2)Теоретически установлена связь между интенсивностью центрального максимума картины рассеяния с параметрами линейных и точечных дефектов в кристалле: плотностью дислокаций, зарядом, приходящимся на единицу длины краевой дислокации, плотностью точечных дефектов.

3) Впервые получены соотношения для определения по интенсивности центрального максимума картины рассеяния одного из следующих параметров при остальных заданных характеристиках дислокационной структуры: плотности дислокаций в кристалле, линейного заряда краевой дислокации, скорости поступательного движения дислокации под действием внешней механической нагрузки, плотности заряженных точечных дефектов в исследуемом образце.

4)Теоретически исследовано влияние поступательного и колебательного движения дислокаций и связанной с ним деформацией облаков точечных дефектов на рассеяние электромагнитного излучения. Получены соотношения для сечения рассеяния в общем виде и их приложения для особых направлений падения волны, параллельно и перпендикулярно осям содержащихся в кристалле дислокаций.

Теоретическая и практическая значимость работы:

1) В диссертационной работе теоретически исследовалось взаимодействие плоской электромагнитной волны с дислокациями, экранированными облаками точечных дефектов одного или двух типов, обладающих разными значениями подвижности.

2) Соотношения, связывающие параметры дислокаций и точечных дефектов с наблюдаемыми характеристиками рассеяния, получены без ограничений на направление и вида поляризации падающей волны.

3) Изученный в работе механизм рассеяния электромагнитной волны позволил получить количественную связь дефектных характеристик кристалла с параметрами картины рассеяния, возможными для наблюдения в эксперименте. Результаты, полученные в диссертационной работе, позволяют эффективно учитывать влияние заряженных взаимодействующих точечных и линейных дефектов на процесс распространения в кристалле электромагнитной волны, что необходимо для прогнозирования поведения материалов при различных условиях.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Интенсивность электромагнитного излучения, рассеянного в единичный телесный угол системой параллельных заряженных краевых дислокаций, пропорциональна квадрату плотности дислокаций р в рассеивающем кристалле. Полученная связь интенсивности центрального максимума картины рассеяния с параметрами дислокаций позволяет по наблюдаемым результатам определить плотность дислокаций при остальных известных параметрах дислокационной структуры.

2. Для любых направлений падающей волны угловая зависимость интенсивности излучения, рассеянного в единичный телесный угол системой параллельных прямолинейных краевых дислокаций, содержит побочные максимумы, угловое положение которых зависит от скорости движения дислокаций в кристалле.

3. Движение дислокаций с постоянной скоростью V в параллельных плоскостях скольжения под действием внешней механической нагрузки и связанное с ним уменьшение величины заряда дислокаций в ЩГК приводит к снижению интенсивности центрального максимума картины рассеяния, позволяющему определить скорость дислокаций в кристалле.

4. Колебания дислокаций под действием внешнего переменного механического напряжения с заданной частотой в параллельных плоскостях скольжения ведет к уменьшению интенсивности центрального максимума картины рассеяния, соответствующей стационарному случаю, по величине которого возможно определить плотность заряженных точечных дефектов в кристалле с известными параметрами дислокаций.

Публикации и доклады.

Основные результаты работы докладывались на XIV Международной конференции по физике прочности и пластичности материалов (Самара, 1995 г.), Международном семинаре "Релаксационные явления в твердых телах" (Воронеж, 1995 г.), Международной конференции "Проблемы и перспективы прецизионной механики и управления в машиностроении" (Саратов, 1997 г.), Аспирантской школе-семинаре по оптике при СГУ (Саратов, 1997 г.), Международной научно-технической конференции "Актуальные проблемы электронного приборостроения" АПЭП-98 (Саратов, 1998), Международном междисциплинарном научном семинаре и осенней школе молодых ученых "Методы светорассеяния в механике, биомедицине и материаловедении" (Саратов, 1998 г.), научно-технической конференции "Материалы и изделия из них под действием различных видов энергии" (Москва, 1999г.), на научных семинарах кафедры прикладной физики СГТУ.

По теме диссертации имеется десять опубликованных научных работ [92]—[102]. В работах, выполненных в соавторстве, личный вклад Задорож-ного Ф.М. состоит в проведении аналитических расчетов, анализе полученных результатов и, в некоторых случаях, в постановке решаемых задач.

Объем и структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и содержит 140 страниц. Имеется 22 рисунка. Список литературы состоит из 102 названий.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Задорожный, Филипп Михайлович

5.3 Выводы

1. Для устранения влияния на процесс рассеяния фазовых переходов, связанных с дислокационным искажением решетки, следует ориентировать исследуемый кристалл таким образом, чтобы волновой вектор падающей электромагнитный волны к был перпендикулярен осям дислокаций.

2. Собственное электромагнитное излучение заряженных краевых дислокаций в ЩГК, движущихся под действием внешней механической нагрузки со скоростью v ~ 10-100 см/с, имеет частоту со ~ 1-10 ГГц и не оказывает влияние на рассеяние света кристаллом с дислокациями.

3. Экспериментальные зависимости степени рассеяния (интенсивности излучения, рассеянного в единичный телесный угол) от плотности дислокаций p(pd) и от угла дифракции р(0) [23], [91] качественно совпадают с теоретическими зависимостями, построенными по результатам диссертационной работы.

4. Экспериментальные численные значения степени рассеяния меньше соответствующих теоретических величин, полученных при одинаковых параметрах кристалла и дислокаций, что связано с отличием условия эксперимента [23], [91], в котором падающий луч, ориентированный по направлению [100] или [110], освещал систему перекрещивающихся дислокаций, от задачи диссертационной работы, когда освещенной является система параллельных дислокаций.

5. Наличие в кристалле разно ориентированных дислокаций приводит к уменьшению интенсивности излучения, рассеянного в единичный телесный угол, по сравнению со случаем параллельных дислокаций . При этом экспериментальные точки [23], [91] находятся между двумя теоретическими значениями, соответствующим предельным случаям ориентации: полностью параллельным и хаотически распределенным по углам дислокациям (рис.5.1, 5.3, 5.4).

6. Из набора рассмотренных дислокационных характеристик, оптический способ, связанный с измерением интенсивности максимума картины рассеяния, позволяет с наименьшей относительной погрешностью определить плотность заряда дислокаций в исследуемом кристалле, при этом A crD/crD =0.01.

Заключение. Общие выводы по работе.

1. Интенсивность электромагнитного излучения, рассеянного в единичный телесный угол системой параллельных прямолинейных заряженных краевых дислокаций, пропорциональна квадрату плотности дислокаций р в рассеивающем кристалле (2.28). Полученная связь интенсивности центрального максимума картины рассеяния с параметрами дислокаций (2.36), (2.42) позволяет при остальных известных характеристиках дефектной структуры определить плотность дислокаций по формуле (2.37) или линейную плотность заряда дислокации по формуле (2.38).

2. Для ЩГК, в которых подвижность точечных дефектов в экранис рующем дислокацию облаке b «-, сечение рассеяния da в единичт со ный телесный угол do' пропорционально квадрату подвижности b (2.28).

3. Интенсивность рассеяния на малый угол, при котором перпендикулярная дислокации компонента волнового вектора рассеяния Akx« rD ! , где Акх = -yjAkf+Ak2 , rD - дебаевский радиус экранирующего дислокацию облака, пропорциональна квадрату дебаевского радиуса rD и квадрату освещенной длины дислокации Lz для любых направлений падающей волны (2.28).

4. Интенсивность центрального максимума картины рассеяния электромагнитной волны на дислокациях с двумя типами заряженных точечных дефектов в экранирующем облаке обратно пропорциональна квадрату приведенной массы точечных дефектов р (2.52).

5. Для любых направлений падающей волны угловая зависимость интенсивности излучения, рассеянного в единичный телесный угол системой параллельных прямолинейных краевых дислокаций, содержит побочные максимумы, угловое положение которых зависит от скорости движения дислокаций в кристалле (2.28), (3.16).

6. Движение дислокаций в параллельных плоскостях скольжения с постоянной скоростью под действием внешней механической нагрузки приводит к смещению положений побочных максимумов (3.16) и уменьшению интенсивности побочных (3.6) и центрального (3.20) максимумов, по величине которого возможно определить V при остальных известных параметрах дефектной структуры кристалла (3.36).

7. Для ЩГК деформация облака, экранирующего дислокацию, движущуюся с постоянной линейной плотностью заряда, уменьшает интенсивность центрального максимума картины рассеяния на порядок относительно

ЫаЛ К (Лег ^ стационарного значения:

V с!о')

КйоЧ

10 1. Деформация экранис/а Л ~ Ю"9

V

V с/о') рующего облака и одновременное значительное уменьшение заряда дислокации в процессе движения (сг0/сг1т1~104> где сг0- линейная плотность заряда неподвижной дислокации, <тШп - минимальная линейная плотность заряда движущейся дислокации) приводит к ослаблению интенсивности центрального максимума на 9 порядков по сравнению со стационарным значением:

8. Колебания дислокаций в параллельных плоскостях скольжения с заданной частотой под действием внешней переменной механической нагрузки приводит к смещению положений побочных максимумов и уменьшению интенсивности максимумов картины рассеяния (4.13), (4.18), по величине которого возможно определить равновесную плотность точечных носителей заряда при известных параметрах дислокаций в кристалле (4.18).

10. Для ЩГК максимальное отношение величин интенсивностей центрального максимума картин рассеяния на неподвижных и колеблющихся тЛ !(с1(тЛ дислокациях достигает значения о' у / \ с1о' ;

2^-10, в зависимошах сти от подвижности точечных носителей заряда.

11. В целом эффект уменьшения интенсивности центрального максимума картины рассеяния на колеблющихся дислокациях меньше, чем для кристаллов с дислокациями, движущимися прямолинейно и равномерно, так как в ЩГК малые колебания дислокация совершает не изменяя величины своего заряда.

12. Для устранения влияния на процесс рассеяния фазовых переходов, связанных с дислокационным искажением решетки, следует ориентировать исследуемый кристалл таким образом, чтобы волновой вектор падающей электромагнитный волны к был перпендикулярен осям дислокаций.

13. Собственное электромагнитное излучение заряженных краевых дислокаций в ЩГК, движущихся под действием внешней механической нагрузки со скоростью V ~ 10-100 см/с, имеет частоту со ~ 1-10 ГГц и не оказывает влияние на рассеяние света кристаллом с дислокациями.

14. Наличие в кристалле разно ориентированных дислокаций приводит к уменьшению интенсивности излучения, рассеянного в единичный телесный угол, по сравнению со случаем параллельных дислокаций . При этом экспериментальные точки [23], [91] находятся между двумя теоретическими значениями, соответствующим предельным случаям ориентации: полностью параллельным и хаотически распределенным по углам дислокациям (рис.5.1, 5.3, 5.4).

15. Из набора рассмотренных дислокационных характеристик, оптический способ, связанный с измерением интенсивности максимума картины рассеяния, позволяет с наименьшей относительной погрешностью определить плотность заряда дислокаций в исследуемом кристалле, при этом Аст0/(т0 = 0.01.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Задорожный, Филипп Михайлович, 1999 год

1. Тяпунина Н. А., Белозерова Э. П. Заряженные дислокации и свойства щелочногалоидных кристаллов // УФН, 1988, Т. 156, вып. 4, С. 683-717.

2. Whitworth R. W. Charged dislocations in ionic crystal // Adv. Phys., 1975, vol. 24, pp. 203-304.

3. Шикин В.Б., Шикина Ю.В. Заряженные дислокации в полупроводниковых кристаллах // УФН, 1995, Т. 165, № 8, С. 887-917.

4. Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках, М.:Мир, 1974, С.463.

5. Тяпунина Н.А., Коломийцев А.И. Эффект Степанова и электропроводность кристаллов хлористого натрия с катионной и анионной примесями // Известия АН СССР Сер.физ., 1973, Т. 34, С. 2443-2447.

6. Tanibayashi М., Tsuda М. Behavior of charged dislocations in ionic crystals with an electric field applied // Phys. Soc. Japan, 1981, vol. 50, № 6, pp!2054-2062.

7. Tanibayashi M., Tsuda M. Behavior of charged dislocations in ionic crystals with an electric field applied. II // Phys. Soc. Japan, 1982, vol. 51, № 1, pp. 244-248.

8. Куличенко A.H., Смирнов Б.И. Влияние примеси на электропластический эффект в щелочногалоидных кристаллах // ФТТ, 1984, Т. 26, С.933-955.

9. Robinson W. Н. Electrical-mechanical coupling due to charged dislocations // Philos. Mag., 1972, vol. 25, pp. 355-369.

10. Куличенко А. Н., Смирнов Б. И. Движение дислокаций в кристаллах LiF под дествием электрического поля // ФТТ, 1986, Т. 28, С. 27962798.

11. Куличенко А. Н., Смирнов Б. И. Электризация щелочногалоидных кристаллов, деформируемых одиночным и множественным скольжением // ФТТ, 1983, Т. 26, С. 3294-3297.

12. Гестрин С. Г. Дислокационный аналог эффекта Холла в ионных кристаллах // Физ. низ. темп., 1991, Т. 17, № 8, С. 1030-1033.

13. Гестрин С.Г., Сальников А.Н., СтрулеваЕ.В. Дислокационный аналог поперечного эффекта Нернста-Эттингсхаузена в ионных кристаллах // Изв.ВУЗов. Физика, 1996, Т., № 1, С. 80-82.

14. Кютт Р.Н., Сорокин А.М, Аргузова Т.С., Рувимов С. С. Рентгенодиф-ракционное исследование дислокационной структуры в системах мо-лекулярно-лучевой эпитаксии с высоким уровнем несоответствия параметров решеток // ФТТ, 1994, Т. 36, № 9, С. 2700-2711.

15. Половинкина В.И, Суворов Э.В., Чуховский Ф.Н., Штольберг A.A. Экспериментальное исследование и расчет рентгеновского дифракционного контраста единичной дислокации // ФТТ, 1972, Т. , №7, С.1963-1973.

16. Чайковский Э.Ф., Загарий Л.Б. Влияние дислокаций на аномальное прохождение рентгеновских лучей в монокристаллах Zn и NaCl // ФТТ, 1972, № 5, С.1801-1810.

17. Рябошапка К.П. Модели дифракционного анализа блочных структур // Завод.лаб., 1981, Т. , № 5, С. 26-28.18. van de Hülst Н.С. Light scattering by small particles, New York, 1957, P. 303.

18. Theimer 0., Plint C.A. Light scattering process from alkali halide crystal // Ann. Phys. N.Y., 1958, Vol. 3, P. 408-422.

19. Theimer O., Plint C.A., Sibley W.A. Study of light scattering from Harshow KC1 crystal doped with impurities // Ann. Phys. N.Y., 1960, Vol.9, P. 475-498.

20. Plint C.A., Sibley W.A. Light scattering from NaCl-type crystal with thermal spicement treatment // J. appl. Phys., 1962, Vol. 33, P. 3167-3170.

21. Plint C.A., Sibley W.A. Isoelectric point and thermal dependence of light scattering from alkali halide crystals // J. chem. Phys., 1965, Vol.42, P. 1378-1384.

22. Plint C.A., Breig M.L. Light scattering and temperature dependence for crystal of alkali halides with point impurities and defects // J. appl. Phys., 1964, Vol. 35, P. 2745-2749.

23. Baltog I., Ghita C., Giurgea M., Velicescu B. Some pecularities of light scattering in Ba and Pb doped NaCl crystals // Opt. Communs, 1970, Vol. 1, No. 9, P. 409-411.

24. Baltog I., Ghita C., Giurgea M. Evidence of charged dislocations by light scattering in NaCl doped with divalent impurities // J. Phys. C.: Solyd State Phys., 1974, Vol. 7, No. 10, P. 1892-1897.

25. L. Lejcek, F. Fouskov, V.Pavel Note on light scattering by dislocaationss in TGS // Phys. stat. sol. (a), 1989, Vol. 115, No. 445, P. 445-450.

26. K. Moria, T. Ogawa Observation of the dislocations in alkali halides by light scattering // Jpn. J. Appl. Phys., 1997, Vol. 22, No. L207, P. 13181325.

27. Seitz F. Speculations on the properties of the silver halide crystals // Rev.Mod.Phys., 1951, Vol. 1, P. 328-331.

28. Bassani F., Thompson R. Assotiation energy of vacancies and impurities with edge dislocations in NaCl // Phys.Rev., 1956, Vol.102, No. 2, P. 1264-1272.

29. Toth A. On the mechanism of charge transport caused by moving dislocations in NaCl crystal doped with Ca // Phys.St.Sol. (a), 1976, Vol. 33, P. 47-50.

30. Nabarro F.R.N. Theory of crystal dislocations, Clarendol press, Oxford, 1967, P. 596.

31. Toth A, Sarcozi I. Investigation of electric charged carried by dislocations in sodium chloride crystal doped with calcium // Phys.St.Sol.(a), 1975, Vol. 30, P. 193-195.

32. Toth A., Kerzthelyi Т., Kalman P., Sarcozi J. Diffusion model for charge transport by moving dislocations in simpl ionic crystal // Phys.St.Sol, 1984, Vol. 122, No. 2, P. 501-505.

33. Альшиц В.И., Галусташвили М.В., Паперно И.М. О кинетике формирования заряда на дислокациях в процессе пластической деформации // Кристаллография, 1975, Т. 20, № 6, С. 1113-1116.

34. Huddart A.,Whitworth R.W. Measurments of the charge acquired by dislocations in NaCl crystals of known purity // Phil.Mag., 1973, Vol. 27, P. 107-119.

35. Галусташвили M.B., Паперно И.М. Электронные и ионные процессы в твердых телах. VII, Тбилиси: Мецниереба, 1974, С. 112.

36. Осипьян Ю.А., Петренко В.Ф. Проблемы прочности и пластичности твердых тел, J1.: Наука, 1979, С. 118.

37. Рид В.Т. Дислокации в кристаллах, М.: Металлургиздат, 1957, С. 123.

38. Labusch R., Schroter W. Dislocations in solids / Ed. F. R. Nabaro, North Holland Publ., 1980, P. 297.

39. Орлов A.H. Введение в теорию дефектов, М.: Высшая школа, 1983, С. 144.

40. Eshelby I. D., Newey С. W., Pratt P. L., Lidiard A. B. Charged dislocations and the strength of ionic crystals. // Phil. Mag., 1958, Vol. 3, P. 75-77.

41. Lehovec K. Space charge lagen and dislocation of lattice defect of the surface of ionic crystals //J. Chem. Phys., 1953, Vol. 21, P. 1123-1128.

42. Whitworth R. W. Theory of the thermal equilibrium charge on edge dislocations in alcali halide crystals // Phil. Mag., 1968, Vol. 17, P. 12071221.

43. Seitz F. Charge of the edge dislocations and core defects// Rev.Mod.Phys., 1950, Vol. 80 , P. 239-242.

44. Bassani F., Robertson T. On the question of the charged edge dislocations in alkali halides//Phys.Rev, 1951, Vol. 21, P. 1221-1233.

45. Robertson Т., Irinson I. Creation of dislocation core region in ionic crystals //J. Phil. Mag, 1952, Vol. 25, P. 899-903.

46. Физические величины. Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, М.: Атомиздат, 1991, С. 1231.

47. Whitworth R.W. Non-linear theory of charged dislocation and thair surrounding charge clouds // Phys. St. Sol. Ser. B, 1972, Vol. 54, P. 537541.

48. Read W.T. Theory of dislocation in germanium // J. Phil. Mag., 1954, Vol. 45, P. 775-796.

49. Schockly W. Some ptedicted effects of temperature gradient on diffus-sionn in crystals // Phys. Rev., 1953, v.91, P. 228 232.

50. Read W.T. Statistics of the occupation of dislocationaceptor centers // J. Phil. Mag., 1954, Vol. 45, P. 1119-1128

51. Brantly W.A., Bauer Ch. L. Electroacustic investigation of chagged dislocations in NaCl // Phil. Mag., 1969, Vol. 20, P. 441-444.

52. Turner R.M., Whitworth R.W. Pich-up and loss of charge from dislocations in Mn++ doped sodium chloride crystals // Phil. Mag., 1970, Vol. 21, P. 1187-1192.

53. Швидковский Е.Г., Тяпунина H.A., Белозерова Э.П. Влияние электрического поля на поведение заряженных дислокаций // Кристаллография, 1962, Т. 777, С. 471-472.

54. Дрияев Д.Г., Мелик-Шохназаров В.А. Движение заряженных дислокаций в кристаллах в переменном электрическом поле // ФТТ, 1966, Т. 8, № 11, С. 3280-3281.

55. Dalmau M.R., Paz A., Gorri J.A. The electric charge of dislocations in alcali halides // Phys.Stat.Sol., 1986, Vol. 96, P. 233-540.

56. Сергеев В.П., Зуев JI.Б. Влияние электрических импульсов на распределение дислокационных пробегов в кристаллах NaCl // Кристаллография, 1985, Т. 30, С. 195-197.

57. Тяпунина Н.А., Светашова А.А. Влияние электростатического поля на поступательное движение дислокаций при высокаочастотной вибрации ЩГК // Вестн. МГУ. Фйз. Астрономия, 1981, Т. 22, С. 15-20.

58. Маделунг О. Физика твердого тела, М.: Наука, 1978, С. 624.

59. Indenbom V.L., Chernov V.M. Determination characteristics for the interaction between point defects and dislocations from internal ftiction experiments//Phys. Stat. Sol. Ser A., 1972, Vol. 14, P. 347-354.

60. Осипьян Ю.А., Шевченко С.А. Влияние дислокаций на электрические свойства германия//ЖЭТФ, 1971, Т. 61, № 6, С. 2330-2332.

61. Grarulis V.A., Kveder V.V, Mukhina V.A. Investigation of the energy spectrum and kinetic phenomena in dislocation Si crystals // Phys.St.Solid (a), 1977, Vol. 43, P. 407-411.

62. Шикин В.Б, Шикина Ю.В. Заряженные дислокации в полупроводниках р-типа // ФТП, 1993, Т. 25, № 12, С. 2225-2253.

63. Чишко К.А., Чаркина О.В. Излучение электромагнитных волн краевыми дислокациями, движущимися в ионных кристаллах // ФТТ, 1996, Т. 38, № 9, С. 2775-2786.

64. Котреллл А. Теория дислокаций, М.: Мир, 1969, С. 96.

65. Блистанов А.А., Павлов А.Н., Шаскольская М.П. Распад примесных ассоциаций в монокристаллах LiF // ФТТ , 1972, Т.14 , С.1230-1232 .

66. Абаев М.И., Корнфельд М.И. Образование пор при распаде твердого раствора двухвалентных ионов в хлористом натрии // ФТТ, 1965, Т. 7, №9, С. 2809-2815.

67. Гегузин Я.Е., Кононенко В.Г. Исследование распада пресыщенного раствора бария в монокристаллле методом светорассеяния // ФТТ, 1972, Т. 14, № 9, с. 2513-2520.

68. Классен Н.В., Осипьян Ю.А. Анизотропное поглощение поляризованного света в сульфиде кадмия, вызванное введением дислокаций // ФТТ, 1972, Т., № 12, С. 3694-3701.

69. Авакянц Л.П., Горелик B.C., Китов И.А., Червенов A.B. Комбинационное рассеяние света в арсениде галлия, ионно-легированном кремнием//ФТТ, 1995, Т. 35, №5, С. 1318-1322.

70. Соколова Э.Б. К вопросу об оптических свойствах дислокаций в полупроводниках // ФТТ, 1965, Т., № 2, С. 489-492.

71. Молоцкий М.И. Оптический метод определения энергии связи примеси с дислокацией // ФТТ, 1990, Т. 32, № 12, С. 3683-3689.

72. Sumino К. Defects and properties of semiconductor: Defect engeneering, KTK Scientific Publishers, Tokyo, 1987, P. 259.

73. Блейкмор Дж. Физика твердого тела, М.: Мир, 1988, С. 608.

74. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела, М.: Наука, 1978, С. 792.

75. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред, М.: Наука, 1982, С. 619.

76. Гестрин С.Г., Сальников А.Н., Струлева Е.В. Дислокационный аналог поперечного эффекта Нернста-Эттингсхацзена в ионных кристаллах при наличии двух типов подвижных точечных дефектов // Изв. ВУЗов. Физика, 1996, Т. , № 10, С. 41 -45.

77. Гестрин С.Г., Сальников А.Н., Струлева Е.В. Взаимодействие движущихся заряженных дислокаций с облаками точечных дефектов в ионных кристаллах во внешнем магнитном поле // Кристаллография, 1997, Т. 42, № 1,С. 1-4.

78. Олвер Ф. Введение в асимптотические методы и специальные функции, М.:Наука, 1978, С. 375.

79. Мэтьюз Дж., Уокер Р. Математические методы физики, М.: Атомиз-дат, 1972, С. 400.

80. Градштейн И.С., Рыжик И.М. Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений, М.:Наука, 1971, С. 1108.

81. Борн М., Вольф Э. Основы оптики, М.: Наука, 1970, С. 856.

82. Блистанов А.А. Влияние дислокаций на механические свойства полупроводниковых и диэлектрических кристаллов, М.: Моск. институт стали и сплавов, 1971, С. 108.

83. Динамика дислокаций / Под ред. Старцева В.П., Киев: Наукова думка, 1975, С. 400.

84. Гестрин С.Г. Взаимодействие заряженных дислокаций с облаками точечных дефектов в ионных кристаллах во внешнем магнитном поле //Деп. в ВИНИТИ, № 441-91, С. 1-12 .

85. Леванюк А.П., Осипов В.В., Сигов А.С., Собянин А.А. Изменение структуры дефектов и обусловленные ими аномалии свойств веществ вблизи точек переходов // ЖЭТФ, 1979, Т. 76, № 1, С. 345-361.

86. Steigmer E.F., Auderset H., Harbeke G. In: Anharmonic lattice, structural transitions and melting / Ed. T. Riste, Noordhoff. Leiden, 1974, P. 153— 160.

87. Кишинец Ю.М., Леванюк А.П., Сигов A.C. Вклад дислокаций в аномалии физических свойств кристаллов вблизи точек структурных фазовых переходов // Кристаллография, 1985, Т. 30, № 5, С. 837-840.

88. Кишинец Ю.М., Леванюк А.П., Морозов А.И., Сигов A.C. Рассеяние света на дислокациях вблизи структурных фазовых переходов // ФТТ, 1987, Т. 29, №2, С. 604-606.

89. Sibley W.A. Light scattering in Alkali Halide Single Crystals // Phys. Rev., 1963, Vol. 132, No. 5, P. 2065-2072.

90. Сена Л.А. Единицы физических величин и их размерности, М.: Наука, 1988, С. 432.

91. Задорожный Ф.М., Сальников А.Н. Динамика деформации облака заряженных точечных дефектов, окружающих подвижную дислокацию, в ионном кристалле // Тез. докл. XIV Международной конференции прочности и пластичности материалов, Самара, Россия, 1995, С. 188.

92. Гестрин С.Г., Задорожный Ф.М., Сальников А.Н. Дифракция электромагнитного излучения на полупроводниковом кристалле с заряженными дислокациями // Оптика и спектроскопия, 1997, Т. 83, № 3, С.446-448.

93. Задорожный Ф.М. Дифракционный способ определения параметров дислокаций в примесных полупроводниках // Материалы международной конференции "Проблемы и перспективы прецизионной механики и управления в машиностроении", Саратов , Россия, 1997, С. 186-187.

94. Гестрин С.Г., Задорожный Ф.М., Сальников А.Н. Влияние заряженных дислокаций в полупроводниковом кристалле на рассеяние электромагнитного излучения // Изв. ВУЗов.Физика, 1998, Т., № 2, С. 75-79.

95. Ph. Zadorozhnyi, S. Gestrin, A. Sal'nikov. Determination of dislocations velosity from scatteering pattern observed // SPIE Proceeding, 1998, Vol. 3726, P.74-78 .