Дислокационные термоэлектрические и термомагнитные эффекты в щелочногалоидных кристаллах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Струлева, Елена Вячеславовна

• Струлева, Елена Вячеславовна
• кандидат физико-математических наук
• 1998

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Струлева, Елена Вячеславовна

СОДЕРЖАНИЕ

Введение

Глава 1. Заряженные дислокации в ЩГК

1.1 Структура и свойства заряженных дислокаций

1.2 Модели заряженных дислокаций

1.3 Эффекты, связанные с заряженными дислокациями.

1.4 Постановка, цели и задачи исследования.

Глава 2. Термомагнитные эффекты в ЩГК

2.1 Поляризация ионного кристалла, содержащего заряжен-

2.2 Поляризация ионного кристалла, содержащего заряжен-

ные дислокациидюд действием градиента температуры при наличии в кристалле двух типов подвижных точечных дефектов.

2.3 Дислокационный аналог поперечного эффекта Нернста-

подвижных точечных дефектов.

2.4 Дислокационный аналог поперечного эффекта Нернста-

Глава 3. Эффекты, связанные с движением заряженных дисло-

каций в ЩГК.

3.1 Взаимодействие движущихся заряженных дислокаций с

поле при наличии в кристалле одного типа подвижных точечных дефектов.

3.2 Взаимодействие движущихся заряженных дислокаций

ных дефектов.

3.3 Дислокационный аналог эффекта Эттингсхаузена в

ионных кристаллах

Глава 4. Оценки и сравнения. Выводы

4.1 Диффузионная модель дислокационных эффектов

в ЩГК.

4.2 Классификация дислокационных эффектов

4.3 Особенности дислокационных эффектов

4.4 Сравнение характерных параметров дислокационных

эффектов.

Заключение

Литература

з

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Дислокационные термоэлектрические и термомагнитные эффекты в щелочногалоидных кристаллах»

Введение

Диссертация посвящена изучению термомагнитных явлений в ще-лочногалоидных кристаллах (ЩГК). Многие важные свойства ионных кристаллов связаны с наличием в них заряженных краевых дислокаций и точечных дефектов, которые могут взаимодействовать при приложении к кристаллу внешних механических нагрузок или полей. Среди эффектов, обусловленных взаимодействием заряженной дислокации и окружающего ее зарядового облака точечных дефектов важное место занимает прямой и обратный дислокационный пьезоэффекты (ТашЬауазЫ М., Твида М. 1РЬу8.8ос.1арап.-1981,у.51,Ы6), дислокационный аналог эффекта Холла в ЩГК (С.Г.Гестрин, Физ.низк.темп.-1991-т.17-№.).

Большой интерес, проявляемый, к такого рода эффектам, во многом связан с широким использованием ЩГК в лазерной технике для производства лазерных окон, поэтому представляется интересным и практически важным исследование эффектов, возникающих в ЩГК, содержащих заряженные дислокации при наличии в кристалле градиента температуры и внешнего магнитного поля. Данные эффекты сопровождаются поляризацией кристалла и возникновением между гранями кристалла разности потенциалов. Полученные в работе значения дипольного момента и разности потенциалов можно зарегистрировать в ходе эксперимента. Рассмотренные в работе явления могут быть использованы с целью сознательного изменения свойств твердого тела в необходимом для технических задач направлении, а также для изучения внутренней структуры кристалла.

Цель работы заключается в том, чтобы используя ЩГК как модельный материал, изучить эффекты, обусловленные взаимодействием заряженных дислокаций с облаками точечных дефектов при одновременном и раздельном воздействии на кристалл градиента температуры и внешнего магнитного поля.

Для достижения цели работы были рассмотрены две группы задач:

¡.Поведение системы "неподвижная дислокация - подвижные дефекты" при наличии градиента температуры и магнитного поля, что реализует аналог классического поперечного эффекта Нернста-Эттингсхаузена.

2.Поведение системы "подвижная дислокация - облако точечных дефектов" при наличии внешнего магнитного поля.

Для достижения указанной цели были изучены следующие явления:

1.поляризация ионного кристалла, содержащего заряженные дислокации, при наличии в кристалле градиента температуры;

2. дислокационный аналог поперечного эффекта Нернста-Эттингсхаузена в ионных кристаллах;

3. дислокационный аналог эффекта Эттингсхаузена в ЩГК;

4. поляризация кристалла при взаимодействии движущихся заряженных дислокаций с облаками точечных дефектов в ЩГК во внешнем магнитном поле.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Созданный в ЩГК, содержащем заряженные дислокации, градиент температуры перпендикулярно оси дислокации приводит к возникновению поляризации кристалла. Получено аналитическое выражение для возникающей в данном случае разности потенциалов при наличии в кристалле одного и двух типов подвижных точечных дефектов.

2. Во внешнем магнитном поле, перпендикулярном оси дислокации, за счет воздействия магнитной силы на точечные дефекты, движущиеся вдоль дислокации под действием созданного в кристалле градиента температуры, возникает дислокационный аналог поперечного эффекта Нернста-Эттингсхаузена. Получены аналитические выражения для ди-польного момента системы дислокация-облако при наличии в кристалле одного и двух типов подвижных точечных дефектов.

3. В результате совместного воздействия на ионный кристалл, содержащий заряженные дислокации, внешнего магнитного поля, параллельного оси дислокации, и механического напряжения перпендикулярного к ней, между гранями кристалла, параллельными оси дислокации, возникает разность потенциалов, которая оказывается прямо пропорциональной скорости движения дислокации и величине внешнего магнитного поля.

Научная новизна работы заключается в следующем:

- впервые проведен анализ влияния градиента температуры на облака точечных дефектов, окружающих заряженные дислокации в ЩГК.

- впервые исследован дислокационный аналог поперечного эффекта Нернста-Эттингсхаузена в ионных кристаллах;

- впервые получены выражения для дипольного момента кристалла и разности потенциалов, возникающих вследствие влияния внешнего магнитного поля и механического напряжения;

- полученные аналитические выражения дают возможность численно оценить разность потенциалов, возникающую между гранями кристалла.

- впервые получено соотношение для поперечной разности температур, возникающей при дислокационном аналоге эффекта Эттингсхаузена в ионных кристаллах.

Научно-практическое значение результатов работы.

Настоящая работа является частью систематических исследований, проводимых на кафедре "Прикладная физика" СГТУ.

Результаты, полученные в данной работе, позволяют эффективно учитывать влияние заряженных дислокаций на электрические свойства ЩГК, что необходимо для прогнозирования поведения материалов при различных условиях, а также в связи с широким использованием ЩГК в лазерной технике.

Рассмотренные .в работе явления позволяют по величине возникающего напряжения судить о внутренней структуре кристалла и скорости дислокаций.

Материалы диссертации использовались при чтении спецкурса студентам специализации ВМТ.

Апробация работы и публикации.

Основные результаты работы докладывались на XIV Международной конференции по физике прочности и пластичности материалов (Самара 1995), международном семинаре "Релаксационные явления в твердых телах" (Воронеж 1995), международной конференции: "Проблемы и перспективы прецизионной механики и управления в машиностроении" (Саратов 1997).

Результаты диссертационной работы обсуждались на научных семинарах кафедры прикладной физики СГТУ, научных конференциях проводимых в СГТУ.

По теме диссертации в центральной печати опубликовано 7 работ (четыре статьи и тезисы трех докладов).

Структура и объем работы.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка использованной литературы. Диссертация изложена на страницах машинописного текста, содержит рисунков и список использованной литературы из 121 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Струлева, Елена Вячеславовна

Заключение

В настоящей диссертационной работе проведены теоретические исследования термомагнитных явлений в ЩГК, содержащих заряженные дислокации.

Полученные в работе результаты позволяют сделать следующие выводы:

1) Показано, что диффузионная модель движения точечных дефектов в сочетании с моделью дислокации в виде заряженной нити позволяет описывать дислокационные аналоги термомагнитных явлений в ЩГК.

2) Наличие в ионном кристалле, содержащем заряженные дислокации, градиента температуры приводит к возникновению поляризации кристалла.

3) Получены расчетные аналитические формулы, позволяющие численно оценить значение разности потенциалов, возникающей между гранями кристалла при дислокационном аналоге эффекта Нернста-Эттингсхаузена в случае наличия в кристалле одного и двух типов подвижных точечных дефектов. Полученные значения и« 10 В могут быть зарегистрированы в эксперименте.

4) Дипольный момент кристалла, возникающий вследствие влияния магнитного поля, параллельного оси дислокации, на облако точечных дефектов, окружающее движущуюся под действием механического напряжения дислокацию, оказывается пропорциональным скорости движения дислокации и величине приложенного поля.

1 та

5) Показано, что в результата влияния внешнего магнитного поля на облако точечных дефектов, окружающее движущуюся под действием механического напряжения заряженную дислокацию, наряду с поперечной разностью потенциалов- дислокационный аналог эффекта Холла, возникает поперечная разность температур- дислокационный аналог эффекта Эттингсхаузена.

6) Полученные в работе аналитические выражения для разности потенциалов, возникающей в кристалле при различных дислокационных эффектах, дают возможность численно оценить плотность дислокаций в кристалле, скорость движения дислокаций.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Струлева, Елена Вячеславовна, 1998 год

Список литературы.

1. Тяпунина Н. А., Белозерова Э. Н. Заряженные дислокации и свойства щелочногалоидных кристаллов-УФН. 1988, т. 156, №4, с. 623-717.

2. Seitz F. Speculations on the properties of the silver halide crystalls- Rev. Mod. Phys. 1951, v. l,p. 328.

3. Bassani F., Thompson R., Assotiation energy of vacancies and impurities with edge dislocations in NaCL- Phys. Rev. 1956, v. 102, № 2, p. 1264.

4. Шикин В. Б., Шикина Ю. В. Заряженные дислокации в полупроводниковых кристаллах. - УФН. 1995, т. 165, № 8, с.887-917.

5. Бонч - Бруевич В. А., Калашников С. Т. Физика полупроводников - М.: Наука, 1977,с.267.

6. Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках - М.: Мир, 1974, с.461.

7. Schockley W. Some predicled effects of temperature gradient on diffusion in cristals.- Phys. Rev. 1953, v. 91, p. 228.

8. Read W. T. Theory of dislocation in germanium - J. Phil. Mag. 1954, v. 45, p. 775-796.

9. Read W. T. Statistics of the occupation of dislocationaceptor centers. - J. Phil. Mag. 1954, v. 45, p. 1119-1128.

Ю.Осипьян Ю. А., Шевченко С. А. Влияние дислокаций на электрические свойства германия - ЖЭТФ. 1971, т. 61, № 6, с. 2330-2332.

П.Осипьян Ю. А., Шевченко С. А. Влияние дислокаций на электрические свойства р-германия-ЖЭТФ. 1973, т. 65, № 2, с.698- 701.

12.Шикин В. Б., Шикина Ю. В. Заряженные дислокации в полупроводниках р-типа. - ФТП. 1993, т. 25, в. 12, с. 2225-2233.

13.Баженов А., Шикина Н., Шикина Ю. Заряженные дислокации в полупроводниках р-типа - ФТТ. 1992, т. 34, с. 789-792.

14.Орлов А. Н. Введение в теорию дефектов - М. Высшая школа 1983, с.144.

15.Whitworth R. W. A charged - dislocation model for the effect of an electric field on the flow stress of an ionic crystal. - Phys. Stat. Sol. (a) 1976, v. 38, p. 299-302.

16.Colombo L., Kataoka J., Li J.C.M., Movement of edge dislocation in KC1 by large electric field." - Phil. Mag. A. 1982, v. 46, № 2, p. 211-214.

17.Куличенко A. H., Смирнов Б. И., Влияние примеси на электропластический эффект в щелочногалоидных кристаллах - ФТТ. 1984, т. 26, с. 933 - 955.

18.Куличенко А. Н., Смирнов Б. И. Электропластический эффект в полимерах. - 1984, т. 26, с. 933 - 955.

19. Зуев Л. Б., Громов В. Е., Подвижность дислокаций в кристаллах NaCl в электрическом поле. - ФТТ. 1979, т. 16, № 6, с. 1690 - 1692.

20.Whitworth R. W. Atomic mechanisms for the transport of charage by dislocations in NaCl type crystals. - Phil. Mag. 1965, v. 11, № 109, p. 83 - 90.

21. Huddart A., Whitworth R. W., Measurements of the charge acquired by dislocation in NaCl, crystals of krown purity. - Phil. Mag. 1973, v. 27, p. 107119.

22.Toth A. On the mechanism of charage transport caused by moving dislocations in NaCl crystals doped with Ca. - Phys. St. Sol. (a). 1976, v. 33, p. 47 - 50.

23.Toth A., Kerzthelyi Т., Kalman p., Sarkozi J.Diffusion model for charge transport by moving dislocations in simple ionic crystals - Phys. St. Sol. 1984, B. 122, №2, p. 501-505.

24.Алыпиц В.И., Галусташвили M.B., Паперно И.М. О кинетике формирования заряда на дислокациях в процессе пластической деформации. - Кристаллография. 1975, т.20, N6, с. 1113-1116.

25.Урусовская А. А. Электрические эффекты, связанные с пластической деформацией ионных кристаллов. - УФН. 1968, т. 96, № 1, с. 39 - 60.

26.Kataoka Т., Colombo L., Li I.C.H.Dislocation charges in Ca2+ doped KC1. Effect of impurity concentration and temperature. - Phil. Mag. 1984, A 49, №3, p. 409 - 412.

27.Toth A., I. Sarkozi. Investigation of electric charged carried by dislocations in sodium chloride crystals doped with calcium.- Phys. St. Sol. (a). 1975, v. 30, k 193 -k 195.

28.Davidge R. W. The sign of charged disloocation in Nail.- Phil. Mag. 1963, v. 8, p. 92 -95.

29.Тяпунина H. А., Коломийцев А. И. Эффект Степанова и электропроводность кристаллов хлористого натрия с катионной и анионной примесями. - Известия АНСССР Сер. физ. 1973, т. 34, с. 2443-2447.

30.Коломийцев А. И. Зависимость от температуры линейной плотности заряда дислокаций в кристаллах хлористого натрия. - ФТТ. 1971, т. 13, № 5, с. 1487-1491.

31.Де Батист, Ван Дингенев Е., Мартышев Ю. Н., Сильвестрова И.М., Урусовская А.А. Заряженные дислокации в иодистом цезии. -Кристаллография. 1697, т. 12, с. 1012 -1013.

32.Whitworth R. W. Charged dislocations in ionic crystals. - Adv. Phys. 1975, v. 24, p. 203-304.

33. Куличенко А. И., Смирнов Б. И. Электризация щелочно- галоидных кристаллов, деформируемых одиночным и множественным скольжением. - ФТТ. 1983, т. 26, с. 3294- 3297.

34.Фархадов А. А., Агеев А. И. Влияние примесей на заряд дислокаций в кристаллах КС1. Электромагнитные системы и электроизоляция. 1988, с. 14-19.

35. E. Van Dingenen "The charge on edge dislocations in pure KBr single crystals - Phil. Mag. 1975, v. 31, № 6, p. 1263 - 1269.

36.Головин Ю. И., Дьячек Т. П., Долгова В. М. Заряженные дислокации в ЩГК, подвергнутых импульсному сжатию. - Кристаллография. 1987, т. 32, №6, с. 1468- 1471.

37.Кардашев Е. К., Никаноров С. П., Воинова О. А. Электрические эффекты, связанные с колебательным движением заряженных дислокаций, и внутреннее трение в кристаллах NaF и NaCl. - ФТТ. 1975, т. 16, №4, с. 1068-1070.

38.Robinson W. Н.Amplitude- indepedent mechanical damping in alkali halids. -J. Mat. Sci. 1972, v. 7, p. 115-123.

39. Robinson W. H., Glover J. Electrical-mehanical coupling of dislocations in KC1, NaCl, LiF and CaF2.- Phys. St. Sol. 1978, A 48, № 1, p. 156-163.

40.Воинова О. А., Кардашев Б. К., Никаноров С. П. Внутреннее трение и заряженные дислокации в кристалах LiF:Mg2++. - ФТТ. 1981, т. 23, с. 2933-2935.

41.Алыниц В.И., Воска Р., Даринская Е.В., Петржик Е.А. Магнитопластический эффект в кристаллах NaCl, LiF и Al в переменном магнитном поле. - ФТТ. 1993, т. 35, с. 70-72.

42.Алыниц В.И., Даринская Е.В., Михина Е.Ю., Петржик Е.А. О влиянии электрического поля на магнитопластический эффект в кристаллах NaCl. -ФТТ. 1993, т.35, с.1397-1399.

43.Алыпиц В.И., Даринская Е.В., Михина Е.Ю., Петржик Е.А. Влияние электрического поля на подвижность дислокаций в магнитном поле. -ФТТ. 1996, т.38, с.2426-2430.

44.Алыниц В.И., Даринская Е.В., Казакова O.JI., Михина Е.Ю., Петржик Е.А. - Изв. РАН. Сер. Физ. 1993, т.57, с.11.

45.Белозерова Э.П., Светашов А.А., Красников B.JI. Влияние магнитного поля на амплитудную зависимость внутреннего трения щелочно-галоидных кристаллов. - Изв. РАН. Сер. Физ. 1997, т.61, с.291-297.

46.Eshelby I. D., Newey С. W. A., Pratt P. L., Lidiard А. В. Charged dislocations and the strength of ionic crystals. - Phil. Mag. 1958, v. 3, p. 7577.

47. Lehovec K. Space - charge lagen and dislocation of lattice defect of the surface of ionic crystals. - J. Chem. Phys. 1953, v. 21, p. 1123-1128.

48.Маргвелашвили И. Г., Саралидзе 3. К. Распределение заряда вблизи дислокации в ионном кристале. - ФТТ. 1969, т. 11, с. 2269-2272.

49.Косевич А. М., Маргвелашвили И. Г., Саралидзе 3. К. Распределение заряда вблизи призматической дислокационной петли в ионном кристалле. - ФТТ. 1965, т. 7, № 2, с. 464-468.

50.Лифшиц И. М., Гегузин Я. Е. Поверхностные явления в ионных кристаллах. - ФТТ. 1965, т. 7, с. 62-74.

51. Whitworth R. W. Theory of the thermal equilibrium charge on edge dislocations in alcali halide crystals. - Phil. Mag. 1968, v. 17, p. 1207-1221.

52. Whitworth R. W. Non-linear teory of charged dislocation and thair surrounding chardge clouds. - Phyl. St. Sol. (b). 1972, v. 54, p. 537-541.

53.Broudy R. M., McClure J. M Statistics of the occupations of dislocation acceptors (one - dimenisional interaction statistics). - J. Appl. Phys. 1960, v. 31,p. 1511-1516.

54. Котрелл А. Теория дислокаций.М.:Мир,1969, 96c.

55. Коломийцев А. И. Распределение заряда и потенциала вблизи краевой и винтовой дислокации в ионном кристалле. - Вестн. МГУ. Сер. 3. Физика, астрономия. 1978, т. 12, с. 642-648.

56.Tanibayashi M., Tsuda Т. Behavior of charged dislocation in ionic crystals with electric field applied. - J. Phys. Soc. Japan. 1981, v. 50, № 6, p. 20542062.

57.Tanibayashi M., Tsuda M. Benavior of charged dislocation in ionic crystals with an electric fild appled II. - J. Phys. Soc. Japan. 1982,v. 51, № 1, p. 244246.

58.Brantley W. A., Bauer Ch. L. Electroacoustic investignation of charged dislocations in NaCl. - Phil. Mag. 1969, v. 20, p. 441-444.

59.Brown L. M. Mobile charged dislocation in ionic crystals. - Phys. St. Sol. 1961, v. l,p. 585-599.

60.Tanibayashi M. The effects of charge clouds on the motion of charged dislocations in ionic crystals. - Phyl. Mag. 1981, A. 4, p. 141-144.

61.Robinson W. H. Electrical-mehanical coupling due to charged dislocations. -Phil. Mag. 1972, v. 25, p. 355-369.

62. Гестрин С. Г. Дислокационный аналог эффекта Холла в ионных кристалах. - Физ. низ. темп. 1991, т. 17, № 8, с. 1030-1033.

63.Косевич А. М. Основы механники кристаллической решетки. - М. Наука. 1972, с. 280.

64.Гестрин С.Г.Торможение заряженных дислокаций примесными атомами в полупроводниковых кристаллах при низких температурах. - Физ. низк. темп. 1993, т. 19, № 4, с. 424-428.

65.Гестрин С. Г. Торможение заряженных дислокаций поляронами в ионных кристаллах при низких температурах." - Физ. низк. темп. 1994, т. 20, №1, с. 71-75.

66.Гестрин С. Г. Локализация поляронов вблизи дислокаций в ионных кристаллах. Изв. вузов. Физика. 1996, № 10, с.45-50.

67.Тяпунина Н. А., Коломийцев А. И. Заряд дислокаций в кристаллах хлористого натрия с анионной примесью. - Кристаллография. 1973, т. 18, с. 868-871.

68.Turner R. М., Whitworth R. W. Pich-up and loss of charge from dislocations in Mn++ - doped sodium chloride christals. - Phil. Mag. 1970, v. 21, p. 11871192.

69.Robinson W. H., Glover A. J., Wolfenden L. Electrical-mechanical coupling of dislocations in KC1, NaCl, LiF and CaF2. - Phys. St. Sol. 1978, v. 48, p. 155-163.

70.1ndenbom V. L., Chernov V. M. Determination characteristics for the interaction between poin defects and dislocations from internal friction experiments. - Phys. Stat. Sol. Ser a. 1972, v. 14, p. 347-354.

71.Головин Ю. И., Шивяков А. А. Скачкообразная дислокационная поляризация монокристаллов LiF, деформируемых одиночным скольжением. - Кристаллография. 1987, т. 32, № 5,с. 1206-1208.

72.Гаусташвили М. В. Электрические эффекты при пластической деформации кристаллов LiF. - ФТТ. 1970, т. 12, № 4, с. 1263-1266.

73.Цаль Н. А., Спитковский И. М., Струк Я. А. Влияние скорости деформации и термообработки на кинетику электризации в кристалле NaCl при пластическом деформировании. - ФТТ. 1982, т. 24, с. 21662196.

74.Цаль Н. А., Спитковский И. М., Струк Я. А. Влияние скорости деформации и термообработки на кинетику электризации в кристалле NaCl. - ФТТ. 1983, т. 25, с. 2038-2041.

75.Turner R. М., Whitworth R. W. Movement of dislocation in sodium chloride. - Phil. Mag. 1968, v. 18, p. 531-534.

76.Robinson W. П. Force deplacement curve for dislocation in potassium chloride. - Phil. Mag. 1981, A. 43, p. 967-977.

77.Tanibayashi M. Motion of dislocations in NaCl and KC1 crystals in microplastic region. - J. Phys. Soc. Japan. 1987, v. 45, p. 1063-1066.

78.Шевцова И. H. Заряжение подвижных дислокаций и электризация ионных кристаллов при пластической деформации. - ФТТ. 1983, т. 25, № 4, с. 1172-1175.

79.Политов Н. Г., Галусташвили М. В., Паперно И. Н. Возникновение разности потенциалов на поверхности деформированного кристалла LiF. - ФТТ. 1970, т. 12, № 8, с. 2421-2424.

80.3агоруйко Н. В. Действие постоянного электрического и импульсного магнитного полей на движение дислокаций в хлористом натрии. -Кристаллография. 1965, т. 10, № 1, с. 81-83.

81.Sproul R. L. Charged dislocations in lithinium fluoride. - Phil. Mag. 1960, v. 56, p. 815-831.

82.Швидковский E. Г., Тяпунина H. А., Белозерова Э. П. Влияние электрического поля на поведенние заряженных дислокаций. -Кристаллография. 1962, т. 7, с. 471-472.

83.Дрияев Д. Г., Мелик-Шохназаров В. А. Движение заряженных дислокаций в кристаллах LiF в переменном электрическом поле. - ФТТ. 1966, т. 8, № 11, с. 3280-3281.

84.Caffyn J. Е., Goodfellow Т. L., Hamdani A. J. The movement of dislocations in an electric ffld in sodium chloride. - Mat. Res. Bull. 1967, v. 2, p. 10671074.

85.Зуев Л. Б., Дорошенко Н. К., Мословская 3. Б., Шарафутдинова Р. Ф. Полярзационные эффекты у малоугловых границ в кристаллах LiF." -ФТТ. 1981, т, 23, с. 1160-1162.

86.Kataoka Т., Saramoto М., Yamada Т. Influence of the electric field on flow strees in KC1 crystals contaning Ca++ impurity. - J. Appl. Phys. Japan. 1975, v. 14, № 10, p. 1609-1610.

87.Anderson A. R., Pollard H. F. Changes in internal friction and dislocation charge in sodium chloryde crystals followin plastic deformation. - J. Appl. Phys. 1979, v. 50, p. 5262-5264.

88. Robinson W. H., Tallon J. L., Sutter P. H. The temperature dependense of of the dislocation charge in pottassium. - Phil. Mag. 1977, v. 36, 1405-1427.

89.Appel F. Thermally actvated dislocation processes in NaCl single crystals. -Phys. St. Sol. (a). 1974, v. 25, p. 607-617.

90.Белозерова Э. П., Тяпунина Н. А., Светашев А. А. Влияние электрического и ультразвукового полей на внутренние напряжения в ЩГК. - Кристаллография. 1975, т. 20, с. 788-795.

91.Белозерова Э. П., Тяпунина Н. А., Светашев А. А. Влияние электрического поля на динамический предел текучести ЩГК. -Кристаллография. 1983, т. 28, с. 1176-1182.

92. Bussenden S., Gardner J. N., Illingworth, Hovacevic, Whitworth R. W. The influence of an electric field on the flow stress of crystals of NaCl. - Phys. St. Sol. (a). 1979, v. 51,p. 521-526.

93.Зуев JI. Б., Громов В. Е., Нерожный А. Н., Царев О. К. Влияние ориентации электрического поля на релаксацию напряжений в монокристаллах NaCl. - Кристаллография. 1974, т. 16, с. 471-475.

94.Зуев Л. Б., Сергеев В. П., Рябченко Н. Н. Эффект резкого увеличения подвижности винтовых дислокаций импульсом электрического поля." -Изв. вузов СССР. Физика. 1979, № 3, с. 71-74.

95.Сергеев В. П., Зуев Л. Б. Изменение подвижности винтовых дислокаций в кристаллах NaCl после импульсного воздействия электрического поля. - ФТТ. 1980, т. 22, с. 1766-1770.

96.Сергеев В. П., Зуев Л. А. Возврат подвижности винтовых дислокаций в кристаллах NaCl после воздействия электрического импульса. - ФТТ. 1983, т. 25, с. 966-973.

97.Сергеев В. П., Зуев JI. Б. Влияние электрического импульса на длину пробега дислокаций в монокристаллах NaCl. - Изв. вузов. Физика. 1980, т. 23, с. 10-14.

98.Куличенко А. Н., Смирнов Б. И. Движение дислокаций в кристаллах LiF под действием электрического поля. - ФТТ. 1986, т. 28, с. 2796-2798.

99.Brontley W. A., Bauer Ch. L. Electroacoustic investigations of charged dislocations in NaCl. - Phil. Mag. 1969, v. 20, p. 441-444.

ЮО.Белозерова Э. П., Светашов А. А. Влияние электрического поля на поступательное движение и размножение дислокаций при ультразвуковой вибрации ЩГК разных ориентаций. - ФТТ. 1985, т. 27, с. 1996-2000.

101 .Загоруйко Н. В., Щукин Е. Д. Влияние электрического поля на пластическое трение кристаллов каменной соли. - Кристаллография. 1968, т. 13, с. 908-911.

102.Загоруйко Н. В., Савенко в. И., Беккауер H. Н. Об оценке плотности заряда на дислокациях в кристаллах NaCl. - Письма в ЖЭТФ. 1978, т. 14, с. 283-286.

103.Dalmau M. R., Paz A., Gorri J. A. The electric charge of dislocation in alcali halides. - Phys. St. Sol. 1986, A 96, p. 233-540.

Ю4.Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Жуликов C.B., Карякин A.M. Релаксационные явления при пластическом деформировании ионных кристаллов в постоянном магнитном поле. - Изв.РАН. Сер.Физ.1996, Т.60, с.173-178.

105.Головин Ю.И., Моргунов Р.Б. Влияние постоянного магнитного поля на скорость пластического течения монокристаллов NaCl : Ca. - ФТТ. 1995, Т.37, с. 2118-2121.

Юб.Тяпунина Н. А., Светашова А. А. Влияние электростатического поля на поступательное движение дислокаций при высокочастотной вибрации ЩГК. - Вестн. МГУ. Физ. Астрономия. 1981, т. 22, с. 15-20.

107.Zuev L. В., Sergeev V. P. Increase of dislocation path in NaCl:Sr crystals. -Phys. St. Sol. 1981, A63,kll9-kl21.

108.Сергеев В. П., Зуев Л. Б. Влияние электрических импульсов на распределение дислокационных пробегов в кристаллах NaCl. -Кристаллография. 1985, т. 30, с. 195-197.

Ю9.Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Гидродинамика. - М Наука. 1986, с. 736.

1 Ю.Маделунг О. Физика твердого тела. - М. Наука. 1980, с. 416.

111 .Олвер Ф. Введение в ассимптотические методы и специальные функции. М. Наука. 1978, с. 375.

112.Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Электродинамика сплошных сред. - М. Наука. 1982, с. 624.

113.Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М. 1963, с. 696с.

114.Градштейн И. С., Рыжик И. М. Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений.-М. 1963, с. 1100.

115.Гестрин С. Г., Сальников А. Н., Струлева Е. В. Дислокационный аналог поперечного эффекта Нернста-Эттингсхаузена в ионных кристаллах. - Изв. вузов, Сер. Физика, 1996, № 1, с. 80-82.

116.Гестрин С. Г., Сальников А.Н., Струлева Е. В. Дислокационный аналог поперечного эффекта Нернста-Эттингсхаузена в ионных кристаллах при наличии двух типов подвижных точечных дефектов. - Изв. вузов, Сер. Физика, 1996, № 10, с. 41-45.

117.Гестрин С. Г., Сальников А.Н., Струлева Е. В. Взаимодействие движущихся заряженных дислокаций с облаками точечных дефектов ионных кристаллов-во внешнем магнитном поле. - Кристаллография, 1997, т. 42, № 1, с. 1-4.

118. Гестрин С.Г., Сальников А.Н., СтрулеваЕ.В. Дислокационный аналог поперечного эффекта Нернста-Эттингсхаузена. В кн:-Физика прочности и пластичности материалов.-Тез.докл.Самара,1995, с. 190191.

119. Гестрин С.Г., Сальников А.Н., Струлева Е.В.Дислокационный аналог поперечного эффекта Нернста-Эттингсхаузена в ионных кристаллах, содержащих два типа подвижных точечных дефектов. В юг-Релаксационные явления в твердых телах.-Тез.докл. Воронеж, 1995, с.32.

120. Струлева Е.В. Поляризация ионного кристалла, содержащего заряженные дислокации, при наличии в кристалле градиента темпера-туры.-Деп. В ВИНИТИ, № 1540-И97.

121. ГестринС.Г., Сальников А.Н.,Струлева Е.В. Определение плотности линейных дефектов в ЩГК. В кн.Проблемы и перспективы прецизионной механики и управления в машиностроении.-Тез.докл.Саратов, 1997, с.219.