Повышение однородности состава и равномерности толщины многослойных тонкопленочных покрытий на поверхностях большого размера тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Колесник, Леонид Леонидович

  • Колесник, Леонид Леонидович
  • кандидат технических науккандидат технических наук
  • 2009, Москва
  • Специальность ВАК РФ05.27.06
  • Количество страниц 143
Колесник, Леонид Леонидович. Повышение однородности состава и равномерности толщины многослойных тонкопленочных покрытий на поверхностях большого размера: дис. кандидат технических наук: 05.27.06 - Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники. Москва. 2009. 143 с.

Оглавление диссертации кандидат технических наук Колесник, Леонид Леонидович

Введение.

Глава 1. Состояние технологии и оборудования для реактивного нанесения многослойных покрытий на поверхности большого размера.

1.1. Области использования многослойных тонкопленочных покрытий, нанесенных на поверхности большого размера

1.2. Современное вакуумное оборудование, применяемое для реактивного нанесения многослойных покрытий на поверхности большого размера.

1.3. Современные методы и устройства нанесения многослойных покрытий

Выводы к первой главе.

Глава 2. Теоретические исследования процесса реактивного нанесения многослойных покрытий на поверхности большого размера.

2.1. Зависимость времени цикла от структурно-компоновочного варианта вакуумного оборудования.

2.2. Методика выбора структурно-компоновочного варианта оборудования

2.3. Математическая модель формирования технологической среды при реактивном нанесении тонких пленок.

Выводы ко второй главе.

Глава 3. Экспериментальные стендовые исследования процесса нанесения покрытий реактивным методом.

3.1. Исследование степени влияния геометрических параметров и условий нанесения на свойства покрытия.

3.2. Исследование оптических спектров покрытий.

3.3. Исследование установки для нанесения покрытий периодического действия.

Выводы к третьей главе.

Глава 4. Практическое использование результатов проведенных исследований при отладке технологического процесса нанесения многослойных низкоэмиссионных покрытий на стекло.

4.1. Описание и устройство линии нанесения покрытий.

4.2. Расчеты параметров технологической среды в зоне нанесения покрытия.

4.3. Модернизация конструкции камеры нанесения с целью повышения однородности и равномерности толщины получаемого покрытия.

Выводы к четвертой главе.

Рекомендованный список диссертаций по специальности «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», 05.27.06 шифр ВАК

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Повышение однородности состава и равномерности толщины многослойных тонкопленочных покрытий на поверхностях большого размера»

Современные тенденции развития техники привели к тому, что при производстве самых различных изделий электронные технологии находят все более широкое применение. Значительную долю в этих технологиях составляет нанесение различных многофункциональных покрытий в вакууме, традиционно применявшееся при производстве изделий микроэлектроники, электровакуумных приборов, дисков памяти и т. п. Кроме того, такие покрытия используются в качестве упрочняющих, износостойких, оптических, теплозащитных, коррозионностойких и т. д. Большинство этих покрытий представляют собой многослойные композиции, состоящие из чередующихся слоев металлов и их соединений (оксидов, нитридов, карбидов и т. д.), что определяется типом и областью применения покрытия.

Одним из наиболее широко используемых вакуумных методов получения оксидов и нитридов металлов является реактивный метод нанесения. Внутри вакуумной камеры формируют поток молекул металла, движущийся по направлению к изделию, и напускают реактивный рабочий газ, который вступает в реакцию с молекулами металла и образует требуемое соединение.

Технология нанесения тонкопленочных покрытий на поверхности большого размера по сравнению с технологиями, применяемыми в микроэлектронике, обладает следующими особенностями:

• максимальный размер изделия не ограничен размером полупроводниковой пластины и может достигать 6 метров и более, возможно использование рулонных материалов;

• для получения заданный свойств покрытия необходимо наносить многослойные (до 20-ти и более слоев) покрытия, состоящие из слоев различных материалов;

• для обеспечения стабильности и качества покрытия необходимо наносить покрытия в едином цикле без разгерметизации оборудования.

Эти особенности технологического процесса приводят к возникновению конструктивных и технологических проблем, ранее нерешенных в рамках технологии классической микроэлектроники. Исследованиями процессов нанесения многослойных тонкопленочных покрытий в вакууме занимались Ковалев JI. К. (квантовая электроника), Одиноков В. В. (микроэлектроника), Марахтанов М.К. (функциональная электроника) и другие ученые. Однако в их работах не были решены проблемы, связанные с получением заданной однородности состава и толщины многослойных тонкопленочных покрытий на поверхностях большого размера.

На сегодняшний день в области получения многослойных тонкопленоч-иых покрытий на поверхностях большого размера остаются открытыми вопросы выбора оптимального компоновочного варианта оборудования, размещения устроств напуска и откачки газов, получения однородной среды, позволяющей обеспечить заданную стехиометрию наносимых покрытий.

Поэтому целью работы явилось создание научных основ обеспечения однородности состава и равномерности толщины многослойных тонкопленочных покрытий, получаемых реактивным методом на поверхностях большого размера в вакууме.

Для достижения указанной цели были решены следующие задачи:

1. На основе анализа существующих решений и требований к оборудованию для нанесения многослойных тонкопленочных покрытий на изделия большого размера разработана методика выбора структурно-компоновочных вариантов установок проходного типа и вакуумных автоматических линий по критериям максимального быстродействия, минимальной неоднородности стехиометрического состава и неравномерности толщины наносимого покрытия.

2. Разработана методика расчета и проектирования рабочих камер установок проходного типа и вакуумных автоматических линий, позволяющая согласовывать режимы откачки и напуска смеси плазмообразующего и реактивного газов при нанесении многослойных тонкопленочных покрытий на изделия большого размера.

3. Проведены экспериментальные исследования для проверки разработанной методики и выявления основных зависимостей между геометрическими параметрами рабочей камеры и однородностью состава вакуумной технологической среды.

4. Разработаны рекомендации по размерам и форме рабочих камер, расположению патрубков откачки и напуска смеси рабочих газов при нанесении многослойных тонкопленочных покрытий на изделия большого размера, обеспечивающие заданный стехиометрический состав и неравномерность толщины покрытия.

На защиту выносятся:

1. Методика выбора структурно-компоновочных вариантов установок проходного типа и вакуумных автоматических линий и согласования количества рабочих камер, источников нанесения покрытия и скорости транспортирования обрабатываемых изделий по критериям максимального быстродействия и минимальной неоднородности состава и неравномерности толщины покрытия.

2. Математическая модель расчета параметров вакуумной технологической среды для нанесения однородных по составу и равномерных по толщине покрытий реактивным методом на поверхности большого размера на основе метода статистических испытаний Монте-Карло.

3. Результаты выбора геометрических параметров рабочих камер, количества и расположения патрубков откачки и напуска рабочих газов для обеспечения требуемой однородности состава и равномерности толщины наносимых тонкопленочных покрытий на поверхностях большого размера.

Научная новизна работы состоит в следующем:

1. Для проведения анализа структурно-компоновочных вариантов установок для нанесения тонких пленок в вакууме проходного типа и вакуумных автоматических линий получены зависимости, позволяющие выбирать и согласовывать по критериям максимального быстродействия и минимальной неоднородности состава и неравномерности толщины покрытия количество рабочих камер, источников нанесения покрытия и скорость транспортирования обрабатываемых изделий.

2. Выявлены взаимосвязи между геометрическими характеристиками вакуумной камеры, расположением патрубков откачки и напуска рабочих газов и однородностью состава и равномерностью толщины наносимых покрытий на поверхности большого размера.

3. На основе метода статистических испытаний Монте-Карло предложена модель и разработана компьютерная программа расчета конструктивных параметров рабочей камеры, обеспечивающих заданные стехио-метрический состав и равномерность толщины покрытия на изделиях большого размера.

Практическая ценность работы заключается в следующем:

1. Разработана инженерная методика выбора структурно-компоновочного варианта установок проходного типа и вакуумных автоматических линий по критериям максимального быстродействия, заданной стехиометрии, однородности состава и равномерности толщины покрытий, наносимых на изделия большого размера.

2. Разработана компьютерная программа для расчета параметров вакуумной технологической среды в оборудовании для нанесения реактивным методом многослойных покрытий, позволяющая выбирать конструкторские решения, обеспечивающие заданный стехиометрический состав и неравномерность толщины покрытий.

3. Разработаны рекомендации по расположению патрубков откачки и напуска смеси рабочих газов в камеры нанесения многослойных тонкопленочных покрытий на изделия большого размера для установок проходного типа и вакуумных автоматических линий.

Теоретические исследования проводились в соответствии с методами расчета вакуумных систем, изложенными Розановым JT. Н., Пипко А. И., Сак-саганским Г. Л., Нестеровым С. Б.; на работах по созданию вакуумного технологического оборудования Александровой А. Т., Одинокова В. В., Ковалева JL К., Панфилова Ю. В., Деулина Е. А., Марахтанова М. К. и других авторов.

Экспериментальные исследования образцов наносимых покрытий проводились как на специально разработанном стенде для контроля качества покрытий, так и с использованием промышленного акустоспектрофотометра AOS-3.

Экспериментальные исследования технологической среды при нанесении покрытий проводились как на лабораторном оборудовании, так и в услових производства на установках различной компоновки.

Работа выполнена в МГТУ им. Н. Э. Баумана на кафедре «Электронное машиностроение».

Похожие диссертационные работы по специальности «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», 05.27.06 шифр ВАК

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Колесник, Леонид Леонидович

Общие выводы

1. Для обеспечения максимального быстродействия оборудования проходного типа и вакуумных автоматических линий при нанесении многослойных тонкопленочных покрытий реактивным методом на изделия большого размера рекомендуется использовать разработанную методику выбора структурно-компоновочных вариантов оборудования, определяющую необходимое количество рабочих камер и источников нанесения покрытия, наиболее приемлемую скорость транспортирования обрабатываемых изделий.

2. Для формирования па изделиях большого размера многослойных тонкопленочных покрытий реактивным методом необходимо согласовывать режимы и откачки, и напуска смеси плазмообразующего и реактивного газов для обеспечения заданного стехиометрического состава, его однородности и равномерности толщины по всей площади изделия.

3. Для согласования режимов и откачки, и напуска смеси плазмообразующего и реактивного газов в узких, протяженных вакуумных камерах для нанесения оксидных, нитридных и т. п. тонкопленочных покрытий рекомендуется использовать предложенную методику и разработанную компьютерную программу, с помощью которых методом итераций можно добиться необходимых состава и однородности вакуумной технологической среды на всем протяжении камеры.

4. Проведенные экспериментальные исследования подтвердили расчетные значения степени влияния геометрических размеров и формы рабочих камер, взаимного расположения патрубков откачки и напуска смеси рабочих газов на однородность состава и неравномерность толщины тонкопленочных покрытий, а также их эксплуатационные характеристики.

Это связано с тем, что скорость осаждения покрытия, его толщина и стехиометрический состав в разных зонах рабочей камеры могут отличаться в 3 и более раз.

5. Проведенные расчеты и исследования вакуумной полуавтоматической установки проходного типа для нанесения многослойных тонкопленочных покрытий на стеклянную подложку размером 2250 х 3210 мм показали, что для достижения однородности параметров технологической среды необходимо при проектировании оборудования учитывать следующие рекомендации:

• систему подачи смеси плазмообразующего и реактивного газов следует выполнять в виде отдельных секций напуска, причем состав и величину потока газовой смеси в каждой секции необходимо регулировать независимо, а количество таких секций нужно определять исходя из размеров изделия, расположения зон откачки, напуска и требуемого потока газовой смеси.

• зоны откачки необходимо проектировать таким образом, чтобы избегать протяженных каналов с соотношением сторон более 5/1, а если это невозможно, то необходимо делить протяженные каналы на секции и откачивать их параллельно.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Колесник, Леонид Леонидович, 2009 год

1. Блинов И.Г., Кожитов J1.B. Оборудование полупроводникового производства : Учебное пособие для студентов вузов. М. : Машиностроение. 1986. 264 с.

2. Божко А.Н., Жук Д.М., Маничев В.Б. Компьютерная графика : Учебн. пособие для вузов. М. : Издт-во МГТУ им Н.Э. Баумана. 2007. 392 с.

3. Булыгина Е.В. Повышение выхода годных СБИС путем удаления привнесенных микрочастиц в вакууме : 05.27.07: Диссертация на соискание степени кандидата технических наук / МГТУ им.Н.Э. Баумана. М., 1997. 182 с.

4. Вакуумная техника: Справочник / Под ред. Е.С. Фролова, В.Е. Минай-чева. М. : Машиностроение. 1985. 360 с.

5. Вакуумное оборудование тонкопленочной технологии производства изделий электронной техники : Учебник для студентов специальности «Электронное машиностроение». В 2 т. / Н.В. Василенко и др.. Красноярск. 1996. Т. 1. 256 с.

6. Вакуумное оборудование тонкопленочной технологии производства изделий электронной техники : Учебник для студентов специальности «Электронное машиностроение» В 2 т. / Н.В. Василенко и др.. Красноярск. 1996. Т. 2. 416 с.

7. Волчкевич Л.И. Автоматизация производства электронной техники : Учебное пособие для средних ПТУ. М. : Высшая школа. 1988. 287 с.

8. Волчкевич Л.И. Надежность автоматических линий. М. : Машиностроение. 1969. 309 с.

9. Данилин Б.С., Сырчин В.К. Магнетронные распылительные системы. М. : Радио и связь. 1982. 72 с.

10. Дэшман С. Научные основы вакуумной техники. М. : Издательство «Мир». 1964. 715 с.

11. Использование ионно-лучевой обработки для увеличения фактической площади обрабатываемой поверхности / Ю.В. Панфилов и др. // Высокие технологии в промышленности России : Материалы 4-й российской конференции. Москва. 1998. С. 129-134.

12. Ковалев J1.K. Вакуумное оборудование для производства тонкопленочных структур квантовой электроники // Обзоры по электронной технике. Сер. 11 Лазерная техника и оптоэлектроника. 1982. Вып. 2 (866). С. 83.

13. Ковалев Л.К. Особенности создания вакуумного оборудования гибкой производственной системы для изделий микроэлектроники // Электронная промышленность. 1988. Вып. 1. С. 3-14.

14. Ковалев Л.К. Расчет конструкций камер напылительных установок методами математического моделирования // Электронная техника. Сер. 10 Квантовая электроника. 1975. Вып. 1. С. 42-53.

15. Колесник J1.JL Использование метода Монте-Карло при анализе вариантов вакуумного оборудования для нанесения упрочняющих и энергосберегающих покрытий // Справочник. Инженерный журнал. 2008. №11. С. 61-63.

16. Колесник Л.Л. Математическое моделирование распределения давления в технологических вакуумных системах // Вакуумные технологии и оборудование : Сборник докладов 4-го международного симпозиума. Харьков. 2001. С. 60-61.

17. Колесник Л.Л., Соколова А.В. Измерение оптических характеристик тепловых фильтров в ближнем ИК-диапазоне // Высокие технологии в промышленности России : Материалы 5-й российской конференции. Москва. 1999. С. 107-109.

18. Кузнецов М.М., Волчкевич Л.И., Замчалов Ю.П. Автоматизация производственных процессов. М. : Высшая школа. 1978. 431 с.

19. Куркин В.И. Основы расчета и конструирования оборудования электровакуумного производства : Учебное пособие для техникумов. М. : Высшая школа. 1971. 544 с.

20. Мальгин С.Н., Панфилов Ю.В. Кластерное оборудование в микроэлектроника // Обзоры по электронной техника. Серия 7 ТОПО. 1994. Вып. 1 (1701). С. 120

21. Марахтанов М.К. Ионные распылительные установки (Основы теории и расчета) : Учебное пособие по курсу «Конструирование и расчет установок ионного напыления». М. : Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана. 2002. 28 с.

22. Марахтанов М.К. Магнетронные системы ионного распыления (Основы теории и расчета). М. : Изд-во МГТУ им. Н.Э.Баумана. 1990. 76 с.

23. Нестеров С.Б., Васильев Ю.К., Андросов А.В. Методы расчета вакуумных систем. М. : Издательство МЭИ. 2004. 220 с.

24. Никулин Е.А. Компьютерная геометрия и алгоритмы машинной графики. СПб : БХВ-Петербург. 2003. 560 с.

25. Оборудование полупроводникового производства / П.Н. Масленников и др.. М. : Радио и связь, 1981. 336 с.

26. Панфилов Ю.В., Колесник JLJI. Анализ вариантов оборудования для нанесения тонко пленочных тепловых фильтров / / Высокие технологии в промышленности России (Техника средств связи) : Материалы 2-й российской конференции. Москва. 1997. С. 43-49.

27. Панфилов Ю.В., Колесник Л.Л. Вакуумное нанесение тонкопленочных покрытий // Машиностроительные технологии : Тезисы докладов все-росийской научно-технической конференции. Москва. 1998. С. 230-231.

28. Панфилов Ю.В., Колесник Л.Л., Барменкова С.В. Устройство контроля оптических характеристик теплоотражающих покрытий. // Контроль и диагностика. 1998. № 5. С. 45-49.

29. Панфилов Ю.В., Рябов В.Т., Цветков Ю.Б. Оборудование производства интегральных микросхем и промышленные роботы : Учебное пособие для техникумов. М. : Радио и Связь. 1988. 320 с.

30. Пипко А.И., Плисковский В.Я., Пенчко Е.А. Конструирование и расчет вакуумных систем 3-е. изд., перераб. и доп. М. : Энергия. 1979. 504 с.

31. Попов В.Ф., Горин Ю.Н. Процессы и установки электронно-ионной технологии : Учебное пособие для вузов. М. : Высшая школа. 1988. 255 с.

32. Проников А.С. Надежность машин. М. : Машиностроение. 1978. 592 с.

33. Роджерс Д. Алгоритмические основы машинной графики : Пер. с англ. М. : Мир. 1989. 512 с.

34. Роджерс Д., Адаме Дж. Математические основы машинной графики : Пер. с англ. М. : Мир. 2001. 604 с.

35. Саксаганский Г.Л. Молекулярные потоки в сложных вакуумных структурах. М. : Атомиздат. 1980. 216 с.

36. Терентьев Ю.П., Ковалев J1.K., Суворов В.Н., Макаров В.И. Установка нонно-плазменного расныления материалов // Оптико-механическая промышленность. 1972. №5. С. 23-25.

37. Технологии, оборудование и системы управления в электронном машиностроении. / Ред. совет: К.В. Фролов и др. // Машиностроение. Энциклопедия. М. : Машиностроение. 2000. Т. III-8. 744 с.

38. Технология тонких пленок: Справочник / Под ред. JI. Майселла, Р.Глэнга: Пер. с англ. под ред. М.И. Элинсона, Г.Г. Смолко. М.: Советское радио. 1977. Т.1. 664 с.

39. Технология тонких пленок: Справочник / Под ред. JI. Майселла, Р.Глэнга: Пер. с англ. под ред. М.И. Элинсона, Г.Г. Смолко. М.: Советское радио. 1977. Т.2. 768 с.

40. Установка для осаждения пленок в вакууме методом лазерного испарения / Б.Г. Васецкий и др. // Электронная промышленность. 1983. Вып. 4. С. 64-66.

41. Установка УВН-2 для нанесения многослойных оптических покрытий методом электронно-лучевого испарения в высоком вакууме / Шитов В.А. и др. // Электронная техника. Сер. 11 Лазерная техника и опто-электроника. 1978. Вып. 6. С. 62-66.

42. Хохлов Ю.А. Нанесение оптических покрытий методами вакуумно-плаз-менной технологии: Учебное пособие. М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана. 2004. 80 с.

43. Хруничев Ю.А. Анализ производительности оборудования для производства электронных приборов // Электровакуумное машиностроение. 1978. Вып. 2. С. 46-71.

44. Шаумян Г.А. Комплексная автоматизация производственных процессов. М. : Машиностроение. 1973. 640 с.

45. Шикин А.В., Боресков А.В. Компьютерная графика. Полигональные модели. М. : ДИАЛОГ-МИФИ. 2005. 464 с.

46. A New Layer System for Wideband Anti-Reflection Coatings Designed for CRTs / T. Oyama et all. // Proceeding SID International Symposium. Amsterdam (The Netherlands). 1998. P. 262.

47. A new layer system of anti-reflective coating for cathode ray tubes / T. Oyama et all. // Thin Solid Films. Amsterdam (The Netherlands). 1999. Vol. 351. P. 115.

48. Antireflective coatings on large scale substrates produced by reactive twin-magnetron sputtering / J. Szczyrbowski et all. // Journal of Non-Crystalline Solids (Amsterdam, The Netherlands). 1997. №218. P. 25-29.

49. Belkind A., Gerristead Jr W., Orban Z. Deposition rate distribution in a rotatable cylindrical cathode system // Thin Solid Films (Amsterdam, The Netherlands). 1992. Vol. 207. P. 319-323.

50. Bosscher W., Gobin G., Gryse R. Global solution for reactive magnetron sputtering // Proceedings of the 3rd International Conference on Coatings on Glass. Maastricht (The Netherlands). 2000. P. 59-76.

51. Brauer G., Szczyrbowski J., Teschner G. New Approaches for reactive sputtering of dielectric materials on large scale substrates // Journal of Non-Crystalline Solids (Amsterdam, The Netherlands). 1997. №218. P. 19-24.

52. Chrisite D.J., File D.M., Fros D.R. High performance pulsed currend source supplies for large area dual magnetron sputtering // Proceedingsof the 3rd International Conference on Coatings on Glass. Maastricht (The Netherlands). 2000. P. 107-118.

53. Creation of the Equipment for Vaccum Deposition of Thin Film Heat Saving Coatings on Glass as a Complex Task / Y. Panfilov // 2nd International Conference on Coatings on Glass : Abstracts of Presentations. Saarbriicken (Germany). 1998. P. 86.

54. Heister U. TwinMag II: A reliable sputter tool for large area production coaters // Proceedings of the 3rd International Conference on Coatings on Glass. Maastricht (The Netherlands). 2000. P. 95-96.

55. High-rate deposition of Si02 by modulated DC reactive sputtering in the transition mode without a feedback system / H. Ohsaki et all. // Thin Solid Films (Amsterdam, The Netherlands). 1996. Vol. 281/282. P. 213-217.

56. High rate sputter deposition by DC sputtering of T1O2-X target / H. Osaki et all. // Proceedings of the 3rd International Conference on Coatings on Glass. Maastricht (The Netherlands). 2000. P. 51-58.

57. High rate sputter deposition of T1O2 from TiO^-x target. / H. Ohsaki et all. // This Solid Films (Amsterdam, The Netherlands). 1999. Vol. 351. P. 57-60.

58. Investigating technology and properties of heat-saving thin film coatings on glass / Y. Panfilov et all. // Proceedings of the 3rd International Conference on Coatings on Glass. Maastricht (The Netherlands), 2000. P. 775-779.

59. Ishibashi S. Display Imaging. Amsterdam (The Netherlands) : Elsivier. 1998. 177 p.

60. Kay E. Magnetic field effects on an abnormal truncated glow discharge andtheir relation to sputtered thin film grouwth // Journal Applied Physics (New York, USA). 1963. Vol. 34. P. 760-768.

61. Large scale and low resistance ITO films formed at high deposition rates / K. Suzuki et all. // Thin solid films (Amsterdam, The Netherlands). 1993. Vol. 226. P. 104-104.

62. May C., Striimpfel J., Teschner G. Balance control for high rate area reactive sputtering // Proceedings of the 3rd International Conference on Coatings on Glass. Maastricht (The Netherlands). 2000. P. 77-78.

63. Nadel S., Greene P. Strategies for high rate reactive sputtering // Proceedings of the 3rd International Conference on Coatings on Glass. Maastricht (The Netherlands). 2000. P. 79-94.

64. New Developments in the Field of MF-sputtering with TwinMag to Obtain Higher Productivity for Large Area Coatings / Heister U. et all. Cologne (Germany) : Leybold Systems GmbH. 1998. 6 p.

65. Nishimata T. Flat-Panel Display. Tokyo (Japan) : Nikkey Business Publications Inc. 1997. P. 122.

66. Ohsaki H., Kokubu Y. Global market and technology trends on coated glass for architectural automotive and display applications // Coatings on Glass 1998 2nd International Conference on Coatings on Glass (ICCG). Saarbriiken (Germany). 1998. P. 1-7.

67. Prado K., Wallace G. Large area glass sputtering systems. A global market outlook through 2004 // Proceedings of the 3rd International Conference on Coatings on Glass. Maastricht (The Netherlands). 2000. P. 27-28.

68. Pulker H.K. Coatings on Glass. Amsterdam (The Netherlands) : Elsevier. 1987. 118 p.

69. Reactive d.c. high-rate sputtering as production technology / S. Schiller et all. // Surface Coating Technology (Amsterdam, The Netherlands). 1987. №3. P. 405-423.

70. Rettich Т., Weidemuth P. MF, DC and pulsed DC in use for large area coatings applications on glass // Proceedings of the 3rd International Conference on Coatings on Glass. Maastricht (The Netherlands). 2000. P. 97-106.

71. Shigesato Y., Takaki S., Haranou T. Electrical and structural properties of low resistivity tin-doped indium oxide films // Journal of Applied Phisics (New-York, USA). 1992. №71. P. 356.

72. TwinMag-II: attempts to improve an excellent sputter tool / U. Heister et all. // Thin solid Films (Amsterdam, The Netherlands). 1999. Vol. 351. P. 27-31.

Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.