Основы теории непрерывного технологического контроля параметров нанокомпозитных структур в технологии ионно-плазменных процессов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, доктор технических наук Баранов, Александр Михайлович

• Баранов, Александр Михайлович
• доктор технических наук
• 2003

Оглавление диссертации доктор технических наук Баранов, Александр Михайлович

ВВЕДЕНИЕ

Оглавление

ГЛАВА I. ИНТЕГРИРОВАННЫЕ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ СИСТЕМЫ В ТЕХНОЛОГИИ ТОНКИХ ПЛЁНОК

1.1. Тенденции ионно-плазменных технологий создания тонкопленочных функциональных структур

1.2. Обзор методов in-situ контроля параметров тонких пленок

1.2.1. Классификация методов in-situ контроля параметров материалов

1.2.2. Сравнительная характеристика методов in-situ контроля параметров тонких пленок

1.3. Актуальность применения интегрированных в технологический процесс методов непрерывного контроля параметров алмазоподобных углеродных пленок

1.3.1. Методы синтеза алмазоподобных углеродных пленок

1.3.2. Свойства аморфных материалов на основе углерода

1.3.3. Проблемы и перспективы практического использование углеродных пленок

1.3.4. Интегрированные ионно-плазменные методы синтеза в технологии алмазоподобных углеродных пленок

1.4. Непрерывный технологический контроль

1.5. Критерии создания интегрированных в технологический процесс методов in-situ контроля параметров

ГЛАВА 2. ИНТЕГРИРОВАНИЕ МЕТОДА IN-SITU РЕНТГЕНОВСКОГО КОНТРОЛЯ В ТОНКОПЛЕНОЧНУЮ ТЕХНОЛОГИЮ

2.1. Разработка метода in-situ рентгеновского контроля параметров тонкопленочных покрытий 2.1.1. Разработка методики расчета параметров слоев однослойных и многослойных тонкопленочных структур

2.1.2. Методика расчета параметров многослойного покрытия

2.1.3. Граничные условия, необходимые для реализации метода in-situ рентгеновского контроля

2.1.4. Расчет погрешности измерения значений параметров пленочного покрытия

2.1.5. Моделирование зависимости коэффициента отражения рентгеновского излучения от параметров формируемых слоев

2.2. Интегрирование метода in-situ рентгеновского контроля в технологию синтеза пленок нанометровой толщины и нанокомпозитных структур

2.2.1. Интегрирование метода in-situ рентгеновского контроля в вакуумное технологическое оборудование

2.2.2. Исследование начальных стадий процесса синтеза алмазоподобных углеродных пленок

2.2.3. Проявление нестабильности технологического процесса осаждения пленок на зависимостях R=f(t)

2.2.4. In-situ контроль процесса формирования многослойных углеродных структур

2.2.5. Исследование процессов синтеза композиционных углеродных структур

2.2.6. Сравнение результатов in-situ и ex-situ измерений параметров пленочных слоев

2.2.7. Влияние неоднородности растущей пленки на значения параметров, измеряемых методом in-situ рентгеновского контроля

2.3. Исследование процесса синтеза металлических слоев и шероховатости поверхности материалов

2.3.1. Синтез металлических пленок

2.3.2. Синтез слоев аморфного кремния

2.3.3. Мониторинг шероховатости поверхности з.

ГЛАВА III. ИНТЕГРИРОВАННЫЕ ИОННО-ПЛАЗМЕННЫЕ СИСТЕМЫ В ТЕХНОЛОГИИ СИНТЕЗА МНОГОСЛОЙНЫХ КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫХ

СТРУКТУР

3.1. Перспективы использования гидрогенизированных углеродных пленок для создания РЗ

3.2. Синтез и исследование многослойных углеродных интерференционных структур (МУИС)

3.2.1. Синтез многослойных углеродных интерференционных структур

3.2.2. Исследование свойств углеродных слоев, составляющих МУИС

3.2.3. In-situ рентгеновский контроль процесса синтеза МУИС

3.2.4. Исследование степени совершенства многослойных углеродных структур

3.2.5. Исследование параметров МУИС в коротковолновом рентгеновском диапазоне

3.2.6. Влияние шероховатости подложки и различия в плотностях слоев на коэффициент отражения МУИС

3.2.7. Исследование МУИС на двухкристальном спектрометре

3.2.8. Исследование параметров МУИС в мягком рентгеновском диапазоне

3.2.9. Исследование термической и радиационной стабильности МУИС

3.3. Предел углеродной технологии при синтезе МУИС

3.4. Брэгговская дифракция тепловых нейтронов в многослойных углеродных структурах

ГЛАВА 4. СИНТЕЗ И ИССЛЕДОВАНИЕ КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР

4.1. Управление поверхностной шероховатостью материалов

4.1.1. Исследование шероховатости поверхности углеродных слоев во время роста и травления

4.1.2. Планаризация поверхности материалов сверхтонкими углеродными пленками

4.1.3. Увеличение коэффициента отражения МУИС путем планаризации ее поверхности

4.2. Использование метода in-situ контроля в технологии создания фотоэлектрических преобразователей

4.2.1. Модель преобразователя световой энергии в электрическую

4.2.2. Создание фотоэлектрического преобразователя на основе гетероструктуры n-CdO/a-C/p-Si

4.2.3. Исследование оптических и фотоэлектрических характеристик фотоэлектрического преобразователя

4.3. Фотоэлектрические свойства многослойных углеродных структур.

4.4. Исследования проводимости магнитных туннельных переходов

4.5. Перспективы совершенствования и развития метода in-situ рентгеновского контроля

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Основы теории непрерывного технологического контроля параметров нанокомпозитных структур в технологии ионно-плазменных процессов»

В последнее время в микро- и наноэлектронике быстро расширяется круг задач, в которых требуется применение сверхтонких пленок, нанокомпозитных и многослойных структур [1]. Требования, предъявляемые к параметрам сверхтонких слоев, достигли такого высокого уровня, что удовлетворение их затруднено без без жесткого контроля за большим числом технологических параметров [2].

Возможны два способа контроля и управления технологическим процессом формирования тонкопленочных покрытий: путем наблюдения за параметрами внешних устройств, обеспечивающих процесс роста пленочного покрытия (параметры источников, температуры подложки, давления и состава газовой смеси и т. д.), или путем наблюдения за процессами, происходящими на подложке в процессе роста пленочного покрытия (контроль состава, толщины, структуры и т. д.) [3].

Однако до последнего времени производители вакуумного технологического оборудования для осаждения тонких пленок и формирования функциональных структур прилагали основные усилия на создание стабильных внешних устройств, обеспечивающих неизменность условий внутри вакуумной камеры при проведении технологического процесса и их многократное воспроизведение. Однако число контролируемых технологических параметров все время увеличивается, а требования к их воспроизведению ужесточаются. Необходимость многопараметрического контроля технологического процесса, в свою очередь, приводит к значительному усложнению и существенному повышению требований к самому технологическому оборудованию, а также системам управления технологическим процессом. Параметры технологического процесса подбираются таким образом, чтобы получить требуемые параметры функциональных структур. Измерения параметров пленочных структур проводятся после завершения технологического процесса. В целом, этап отработки технологии получения слоев занимает много времени и требует проведения большого числа экспериментов. В результате процедура отработки технологии формирования покрытия усложняется а стоимость технологического оборудования повышается.

Однако контроля только за параметрами внешних устройств явно недостаточно для получения качественных функциональных структур. Очень трудно проводить процесс осаждения, «не видя» как протекает процесс роста пленки на подложке. Данная проблема обостряется еще и потому, что разрабатываются и активно внедряются все новые методы ионно-плазменного синтеза пленок, в которых зависимость параметров пленок от параметров низкотемпературной плазмы и конструкции самой системы синтеза чрезвычайно сложна. Поэтому всегда есть вероятность, что какой-то важный технологический параметр не будет принят во внимание. Очевидно, что если системы контроля и управления технологическим процессом будут дополнены системами in-situ контроля параметров пленок, можно не только повысить эффективность использования оборудования для синтеза тонкопленочных структур, но и создать технологического оборудования с принципиально новыми возможностями, обеспечивающего управляемое формирование слоев. Как следствие, многие методы измерений параметров материалов были модифицированы для исследования процессов, происходящих на поверхности материала в реальном масштабе времени [4]. Актуальность измерений параметров пленок в процессе их получения постоянно возрастает, поскольку увеличивается число различных материалов, которые находят применение в виде пленок, уменьшается толщина слоев, и повышаются требования к воспроизводимости их параметров.

Примером этому является переход микроэлектроники на технологию медной металлизации и диэлектрических слоев с низкой диэлектрической проницаемостью при переходе к размерам элементов 0,13 мкм и меньше, сопровождающийся изменением основных технологических процессов нанесения слоев, травления и полировки [1]. Идет разработка принципов конструирования и технологии синтеза элементов памяти на основе квантоворазмерных магнитных металлических слоев. Ведутся работы по созданию многослойных двумерных квантово-размерных структур со сверхтонкими металлическими слоями (20-100 А), на основе которых формируются элементы памяти. И если для технологических процессов в сверхвысоком вакууме проблема измерения параметров пленок частично решена, то в ионно-плазменной технологии синтеза, когда рабочее давление изменяется от 10~2 Па л до 10 Па, эту проблему еще предстоит решить.

Основными параметрами, определяющими функциональное назначение современных многослойных пленочных структур, являются толщина и шероховатость поверхности. Поэтому методы, позволяющие определять эти параметры, являются наиболее привлекательными в технологии тонких пленок. Наиболее широко распространенными методами, используемыми для определения толщины, являются оптические методы и микровзвешивание. Примером может служить лазерная интерферометрия. Однако лазерная интерферометрия становится не применима для контроля параметров сверхтонких пленок. Поэтому при толщинах плёнок d<50 нм используют эллипсометрию [5]. В этом случае толщину покрытия измеряют не прямым способом. При этом модель расчета может быть чрезвычайно сложной. В результате не всегда удается проводить обработку регистрируемого сигнала в реальном времени. Кроме прочих, хорошо известных ограничений [6,7], лазерная интерферометрия и эллипсометрия не позволяют измерять шероховатость поверхности материалов.

Большинство этих недостатков можно преодолеть, если использовать метод малоугловой рентгеновской рефлектометрии. Данный метод позволяет измерять не только толщину, но и плотность пленок и шероховатость их поверхности, т.е. параметры, которые чрезвычайно важны для сверхтонких пленок. Толщина пленки, как уже было указано, является одним из основных параметров, определяющих ее функциональные свойства. Плотность пленок связана с их структурой, пористостью и инородными включениями. Шероховатость определяет флуктуацию толщины пленки от точки к точке и совершенство границ раздела. Однако проведение измерений коэффициента отражения в зависимости от угла падения требует много времени и специального оборудования. Это не позволяет интегрировать метод рентгеновской рефлектометрии в технологическое оборудование ионно-плазменного синтеза.

В целом, при ближайшем рассмотрении выясняется, что ни один из существующих сегодня методов измерения параметров пленок в реальном масштабе времени не применим для эффективного измерения параметров сверхтонких пленок, получаемых ионно-плазменными методами.

В методах, основанных на интерференции, толщину пленки можно определить не только из угловой зависимости коэффициента отражения, но и из зависимости коэффициента отражения от самой толщины. Поэтому, как и в лазерной интерферометрии, измерение толщины пленки следует проводиться из временной зависимости коэффициента отражения, однако сами измерения следует проводить на длине волны из коротковолнового рентгеновского диапазона (как в методе малоугловой рентгеновской рефлектометрии). Это позволит разместить оптическую систему снаружи вакуумной камеры и изучать процесс роста пленок нанометровой толщины.

Поэтому разработка метода in-situ рентгеновского мониторинга параметров тонкопленочных слоев и его интегрирование в технологическое оборудование ионно-плазменного синтеза однослойных и многослойных тонкопленочных покрытий нанометровой толщины является актуальной и своевременной.

Быстрый прогресс в микроэлектронике делает актуальной задачу поиска новых материалов, которые позволяют в широких пределах управлять их оптическими, фотоэлектрическими и электрическими свойствами. Поэтому в качестве базовой технологии была выбрана технология синтеза алмазоподобных пленок (АПП) и многослойных углеродных структур, для получения которых используются методы ионно-плазменного синтеза материалов. В последнее время углеродные пленки, благодаря своим уникальным свойствам, привлекают к себе пристальное внимание. Особенностью углерода является то, что в силу своей природы он может образовывать состояния с различными типами химической связи, которым в предельном случае соответствуют различные кристаллические модификации. При получении углеродных пленок из плазмы спектр метастабильных состояний резко расширяется. Благодаря этому углеродные пленки, полученные ионно-плазменными методами, обладают «бесконечным» многообразием различных состояний и соответствующих им свойств. Важно отметить, что при выращивании пленок подбором параметров процесса осаждения можно управлять соотношением между различными состояниями, а, следовательно, и механическими, оптическими и электрофизическими свойствами углеродных покрытий. Хотя за 25 лет исследований сделан большой шаг в понимании свойств углеродных пленок и их корреляции с условиями получения, часть проблем остались нерешенными. В частности, необходимо добиться лучшей воспроизводимости и стабильности параметров углеродных пленок, а также исследовать начальные стадии их роста.

В настоящее время углеродные пленки применяются в виде пассивных покрытий для защиты от механических повреждений и химической защиты от влияния агрессивных сред; антифрикционных покрытий, фоторезистов для субмикронной литографии полупроводников. На их основе создаются многослойные рентгеновские зеркала, а также мишени для ускорителей и время-пролетных спектрометров. Отрицательная работа выхода из алмаза позволяет надеяться, что и алзазоподобные пленки (АПП) будут также иметь небольшую работу выхода электронов, что позволит создать на их основе холодные катоды. А возможность получения пленок с диэлектрической проницаемостью меньше 2,5, позволяет использовать их в качестве диэлектрических слоев вместо Si02.

Ряд известных зарубежных фирм, например, Veeco Instruments Inc. (США) и Commonwealth Scientific Corporation (США) наладили серийный выпуск оборудования для получения алмазоподобных пленочных покрытий.

Особый интерес, как с точки зрения расширения спектра возможных свойств углеродных пленок, так и областей их практического использования, может представлять объединение ионно-плазменной технологии выращивания углеродных пленок с идеей формирования на их основе многослойных структур со слоями нанометровой толщины для целей микроэлектроники и рентгеновской оптики.

С точки зрения in-situ мониторинга углеродные пленки являются еще и уникальным объектом для проведения исследования. Их можно наносить всеми существующими методами ионио-плазменной технологии, используя бесконечное множество исходных соединений. Это позволяет исследовать рост пленок углерода в разных технологических условиях.

Цель работы. Создание теоретических основ непрерывного технологического контроля параметров сверхтонких пленок и слоев квантово-размерных структур в реальном масштабе времени в процессах ионно-плазменного синтеза. Основными задачами диссертации явились:

1. Разработка теоретических основ метода in-situ рентгеновского контроля параметров тонких пленок в процессе их синтеза

2. Разработка методик асчета параметров слоев в одно- и многослойных пленочных структурах в реальном масштабе времени на основе результатов измерений коэффициента отражения коротковолнового рентгеновского излучения от системы «пленка на подложке» при изменении толщины пленки.

3. Интегрирование метода in-situ рентгеновского контроля в оборудование ионно-плазменного синтеза нанокомпозитных и многослойных функциональных структур.

4. Экспериментальное исследование влияния технологических факторов осаждения на начальные стадии роста полупроводниковых, металлических и нанокомпозитных структур.

5. Исследование процессов синтеза многослойных С/С структур со слоями нанометровой толщины и нанокомпозитных слоев.

Научная новизна проведенных исследований состоит в следующем:

1. Впервые разработаны теоретические основы метода in-situ рентгеновского контроля и визуализации процесса формирования сверхтонких слоев в реальном масштабе времени из результатов измерений временной зависимости коэффициента отражения коротковолнового рентгеновского излучения в процессе движения и Изменения поверхности пленочного покрытия.

2. Решены проблемы регистрации рентгеновского излучения и разработаны способы

11 обработки экспериментальных данных в реальном масштабе времени с целью измерения значений толщины, скорости роста, плотности и шероховатости пленок цанометровой толщины.

3. Впервые получены динамические интерференционные зависимости от систем «пленка на подложке» во время проведения процесса синтеза тонкопленочных покрытий, на основе которых возможно определение текущих значений параметров пленок.

4. Впервые исследованы начальные стадии роста алмазоподобных углеродных пленок, получаемых методами магнетронного распыления, ионно-лучевого осаждения и стимулированного плазмой химического осаждения из газовой фазы в реальном масштабе времени. Установлены закономерности изменения плотности и шероховатости АПП нанометровой толщины в процессе увеличения толщины, а также в зависимости от условий их получения.

5. Установлена взаимосвязь между параметрами тонкопленочного покрытия, скоростью их изменения, физическим состоянием растущей пленки (несплошности пленки и неравномерности толщины) и формой получаемой интерференционной зависимости. Разработана система управления технологическим процессом на основе непосредственного измерения параметров формируемых слоев.

6. Впервые на интегрированном ионно-плазменном оборудовании, включающем многофункциональную ионно-плазменную систему формирования слоев и систему in-situ мониторинга параметров, решена проблема синтеза принципиально нового вида многослойных С/С структур.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Модели расчета параметров тонкопленочных покрытий в реальном масштабе времени в процессе движения и изменения поверхности пленочного покрытия из временной зависимости коэффициента отражения коротковолнового рентгеновского Излучения. Методика выбора оптимальных условий проведения измерений с целью

12 уменьшения погрешности измерений.

2. Обоснование взаимосвязи между параметрами зондирующего рентгеновского излучения и пределами измерений толщины, скорости роста, плотности и шероховатости поверхности слоев.

3. Эффект изменения декремента преломления алмазоподобных углеродных слоев за счет изменения их пространственной структуры вследствие вариации соотношения между sp2- и sp3- гибридизованными состояниями и разной концентрации водорода является эффективным способом создания многослойных углеродных структур для управления потоками рентгеновского излучения и потоками нейтронов.

4. Возможность создания многослойных углеродных периодических структур с периодом до 11 А и резкими границами раздела между слоями путем изменения

2 3 соотношения между sp - и sp - гибридизованными состояниями и концентрации водорода. Одинаковый элементный состав слоев многослойной углеродной структуры, позволяет минимизировать диффузионное размытие границ раздела слоев и тем самым получить совершенные и термически стабильные многослойные углеродные структуры.

5. Физико-химические особенности формирования алмазоподобных углеродных пленок, получаемых химическим осаждением из газовой фазы в плазме ВЧ-разряда, заключающиеся в том, что на начальных стадиях рост пленок происходит по островковому механизму. В то же время пленки, получаемые магнетронным распылением и ионно-лучевым осаждением, являются сплошными даже при толщине порядка 20 А.

6. Метод ВЧ реактивного ионно-плазменного травления АПП в кислороде при оптимизации условий проведения процесса (варьировании давления рабочего газа и мощности разряда) обеспечивает уменьшение шероховатости поверхности алмазоподобной углеродной пленки по-сравнению с исходной шероховатостью поверхности кремниевой подложки.

Практическая значимость результатов

Разработаны теоретические основы непрерывного технологического in-situ рентгеновского контроля параметров сверхтонких слоев. Метод непрерывного рентгеновского контроля может быть интегрирован в ионно-плазменные, плазменные и другие технологические процессы. Данное оборудование может быть использовано как в научных целях, так и на этапе отработки технологии осаждения пленочных покрытий с целью получения необходимой скорости роста пленки, уменьшения шероховатости её поверхности и достижения плотности, соответствующей плотности данного материала.

Результаты работы могут быть также использованы: -для получения многослойных углеродных структур, применяемых для создания приборов на квантовых эффектах и элементов рентгеновской литографии; -для уменьшения шероховатости поверхности материалов;

- при разработке аппаратуры и методов рентгеновской и оптической диагностики поверхности тонких слоев и границ раздела полупроводниковых структур;

- при разработке методов и аппаратных средств мониторинга технологических процессов синтеза и травления тонких пленок и определения моментов их окончания; -для создания фотоэлектрических преобразователей.

Технология синтеза C-Pt нанокомпозитных слоев внедрена на заводе «Аналитприбор» г. Смоленск для создания активных тонкопленочных электродов для газовых сенсоров нового поколения.

В «МАТИ»-РГТУ им. К.Э. Циолковского и ГНИИВТ им. С.А. Векшинского созданы установки для нанесения углеродных слоев и многослойных структур на их основе с интегрированным in-situ рентгеновским контролем параметров пленок в процессе роста.

Результаты работы используются на предприятии «МЭШплюс» и в НИИ физических проблем им. Ф.В. Лукина.

Результаты работы внедрены в учебный процесс в «МАТИ»-РГТУ им. К.Э. Циолковского на кафедре «Наукоемкие технологии радиоэлектроники» в курсах лекций по дисциплинам «Нанотехнология в производстве РЭС», «Физико-химические основы ионно-плазменных процессов» и в МГИЭМ (Технический университет) на кафедре «Материаловедение электронной техники» в курсе лекций "Материаловедение тонких пленок".

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Баранов, Александр Михайлович

Выводы

1. Проведено исследование шероховатости поверхности АПП, полученных из С6Н12 в ВЧ-разряде и магнетронным распылением графита в Аг и смеси Аг и С6Н12. Показано, что при получении углеродных пленок методом магнетронного распыления шероховатость растущей пленки меньше, чем у подложки. При осаждении алмазоподобных углеродных пленок из газовой фазы пленка повторяет рельеф поверхности подложки. Однако ее травление в плазме кислорода ведет к уменьшению шероховатости поверхности пленки до уровня меньшего, чем у исходной подложки.

2. Предложен способ уменьшения остаточной шероховатости полированных поверхностей, заключающийся в нанесении на исходную поверхность подложки алмазоподобной углеродной пленки нанометровой толщины, а затем проведения ионно-плазмеиного полирующего травления уже этой пленки, а не самой поверхности подложки. Показано, что, подбирая условия осаждения и травления алмазоподобных углеродных пленок, можно значительно увеличить коэффициент отражения рентгеновского излучения от поверхности в 1,7 раза.

3. Разработанный способ планаризации поверхности сверхтонкими углеродными пленками был применен в технологии синтеза МУИС. Показано, что планаризация поверхности МУИС после ее получения позволяет увеличить коэффициент отражения рентгеновских зеркал на длине волны 1,54 А на 30 % .

4. Предложена схема фотоэлектрического преобразователя, позволяющего увеличить ток короткого замыкания за счет ударной ионизации. Сформулированы условия, необходимые для ударной ионизации, и обоснован выбор материалов слоев для получения экспериментальных образцов солнечных элементов. Показано, что обеспечить выполнение данных условий можно в структуре, в которой сверхтонкая углеродная пленка с шириной запрещенной зоны равной 0,5 эВ расположена между двумя фоточувствительными слоями р- и п- типа, имеющими разную ширину запрещенной зоны (в частности, n-CdO/a-C/p-Si).

5. Исследованы оптические и электрические свойства пленок CdO, полученных реактивным магнетронным распылением. Показано, что CdO является хорошим антиотражающим покрытием для Si в диапазоне длин волн 650-900 нм. Минимальное значение удельного сопротивления пленок CdO р=7*10"4 Ом*см соответствует значению парциального давления кислорода в камере Р=5,2*10"4 мм рт.ст.

6. Используя in-situ рентгеновский мониторинг отработана технология получения сплошных слоев а-С в диапазоне толщин от 10А до 50 А. Получены структуры n-CdO/a-C/p-Si и n-CdO/p-Si с активной площадью S = 0,64 см2. Проведено их сравнительное тестирование на имитаторе Солнца. Показано, что обе структуры имеют приблизительно одинаковое напряжение холостого хода Vxx=0,32 В. Однако ток короткого замыкания у структуры n-CdO/a-C/p-Si почти в три раза больше (1кз=44 мА/см ), чем у структуры n-CdO/p-Si. КПД - составлял ~11,5 % и ~4 %, соответственно.

7. Синтезированы многослойные углеродные квантово-размерные структуры, магнитные туннельные переходы (№/АПП/Те), гетероструктуры Ме/АПП/Si и исследованы их электрофизические и оптические свойства. Показано, что наблюдаемые эффекты могут быть объяснены на основе квантово-размерных эффектов.

Заключение

1. Впервые разработаны теоретические основы метода рентгеновского контроля параметров тонкопленочных покрытий и шероховатости поверхности материалов во время их получения и на его основе реализован непрерывный технологический контроль параметров нанокомпозитных структур в технологии ионно-плазменных процессов: визуализации процесса роста тонкопленочных покрытий нанометровой толщины; определения толщины, скорости роста, плотности и шероховатости поверхности однослойных и многослойных пленочных покрытий; определения момента окончания процесса травления; мониторинга шероховатости поверхности подложки в процессе ее обработки и управления технологическим процессом.

2. Рассмотрены методические вопросы, связанные с измерением методом in-situ рентгеновской рефлектометрии параметров тонких пленок в процессе их получения. Определены диапазоны изменения толщины, скорости роста, плотности и шероховатости поверхности пленок, для использования метода в технологии тонких пленок.

3. Разработаны принципы интегрирования метода in-situ рентгеновского контроля в вакуумно-технологическое оборудование ионно-плазменного синтеза сверхтонких пленок, нанокомпозитных слоев и многослойных структур и создан комплекс интегрированного ионно-плазменного оборудования. Разработано программное обеспечение, позволяющее осуществлять: предварительный анализ интерференционных зависимостей, математическую обработку экспериментальных данных в реальном масштабе времени, их отображение на экране монитора и управление технологическим процессом формирования тонкопленочных структур. Созданное вакуумно-технологическое оборудование используется для: получения многослойных квантово-размерных структур и рентгеновских зеркал; получения сверхтонких пленок для целей оптики и микроэлектроники; для рентгеновской диагностики поверхности, тонких слоев и границ раздела полупроводниковых структур. Полученные результаты используются также в учебном процессе в «МАТИ»-РГТУ им. К.Э. Циолковского на кафедре «Наукоемкие технологии радиоэлектроники» в курсах лекций по дисциплинам «Нанотехнология в производстве РЭС», « Физико-химические основы ионно-плазменных процессов» и в МГИЭМ (Технический университет) на кафедре «Материаловедение электронной техники» в курсе и "Материаловедение тонких пленок".

4. Впервые получены динамические интерференционные зависимости коэффициента отражения коротковолнового рентгеновского от систем пленка - подложка во время проведения процессов синтеза пленок нанометровой толщины. Показано, что плотность и шероховатость пленок могут сильно изменяться на начальных стадиях роста. Установлены основные закономерности влияния физико-технологических факторов на параметры углеродных слоев на начальных стадиях роста и определен диапазон их изменения. Доказана возможность управления параметрами углеродных пленок во время их получения и последующей обработки. Разработан способ уменьшения шероховатости полированных поверхностей при осаждении на них сверхтонких алмазоподобных углеродных пленок и показано, что использование данного способа в технологии многослойных рентгеновских зеркал позволяет увеличить коэффициент отражения рентгеновских зеркал.

5. Впервые на интегрированном ионно-плазменном оборудовании, включающем многофункциональную ионно-плазменную систему формирования слоев и систему in-situ контроля их параметров, решена проблема синтеза принципиально нового вида рентгеновских зеркал— многослойных углеродных интерференционных структур. Разработаны технологические процессы синтеза многослойных углеродных рентгеновских зеркал с периодом от 11 А до 120 А и количеством до 250. Получены совершенные многослойные периодические углеродные структуры. Показано, что среднеквадратический разброс толщин слоев в многослойной структуре не превышает 1 А, а толщина переходного слоя на границе раздела двух углеродных слоев - нескольких ангстрем. Установлено, что коэффициент отражения многослойных углеродных структур в диапазонах длин волн от 5 А до 15 А и от 60 А до 80 А составляет от 10 % до 12 %. При этом многослойные углеродные зеркала имеют в два-три раза более высокое разрешение по сравнению с известными видами рентгеновских зеркал, высокую термическую стабильность, а в спектрах отражения отсутствуют полосы, характерные для рентгеновских зеркал, содержащих слои металла.

6. Впервые на интегрированном ионно-плазменном оборудовании исследованы начальные стадии формирования алмазоподобных углеродных пленок (АПП) методами магнетронного распыления, ионно-лучевого осаждения и осаждения из газовой фазы в ВЧ-разряде (13,56 МГц) в реальном масштабе времени. Показано, что плотность и шероховатость АПП пленок может сильно изменяться на начальных стадиях роста. Установлено, что при осаждении из газовой фазы имеет место увеличение плотности и шероховатости от 1,5 г/см3 до 1,9 г/см3 при увеличении толщины до —120 А. При дальнейшем увеличении толщины плотность пленок практически не изменяется. Это означает, что на раннем этапе роста углеродная пленка растет по островковому механизму. При толщине пленки более 120 А пленка становится сплошной. В то же время пленки, получаемые магнетронным распылением и ионно-лучевым осаждением, являются сплошными даже при толщине порядка 20 А. Плотность АПП, полученных данными методами, о находится в диапазоне 2 г/см -2,2 г/см и слабо зависит от условий получения.

7. Исследовано изменение шероховатости поверхности кремниевой пластины в процессах ионно-плазменной обработки в различных инертных и химически-активных газах. Установлено, что обработка поверхности кремниевой пластины в CF4 и Аг приводит к увеличению шероховатости, в то время, как обработка в 02 уменьшает шероховатость поверхности. Предложен способ уменьшения остаточной шероховатости полированных поверхностей при осаждении на них сверхтонких алмазоподобных углеродных пленок. Показано, что, подбирая условия осаждения и травления алмазоподобных углеродных пленок, можно значительно увеличить коэффициент отражения рентгеновского излучения от поверхности.

7. Синтезированы многослойные углеродные квантово-размерные структуры, магнитные туннельные переходы (№/АПП/Те), гетероструктуры Ме/АПП/Si и исследованы их электрофизические и оптические свойства. Показано, что наблюдаемые эффекты могут быть объяснены на основе квантово-размерных эффектов.

8. Рассмотрены основные направления дальнейшего совершенствования и развития in-situ рентгеновского контроля, а также новые схемы реализации способа, позволяющие увеличить объем данных, поступающих во время технологического процесса от объекта мониторинга. Реализация данных способов позволит рассчитывать абсолютные значения шероховатости поверхности и увеличит точность нахождения значений толщины и плотности.

Список литературы диссертационного исследования доктор технических наук Баранов, Александр Михайлович, 2003 год

1. A. Braun, New Materials Demands, Semiconductor International magazine, v.24, No2, 2001, 89-96.

2. Eray S. Aydil, 187th Meeting of the Electrochemical Society, In situ, real-time diagnostics of surfaces during plasma processing: a review, 21-26 May, Reno, Nevada, 1995, Proceedings Volume 95-2, p. 25-43.

3. W. Marziger, H. Krenn, Inline process monitoring using portable FTIR spectrometer 2rd European Advanced Equipment Control / Advanced Process Control (AEC/APC) onference Dresden, Germany, April 18 -20, 2001, p.5.102.

4. Bonnot A.M., Mathis B.S. and Moulin S., Investigation of the growth kinetics of low pressure diamond films by in situ elastic scattering of light and reflectivity, Apll. Phys. Lett., v. 63 ,(1993), p. 1754-1756.

5. P. Boher and J.L. Stehle, "Atomic scale characterization of semiconductors by in-situ real time spectroscopic ellipsometry", Thin Solid Films, Volume 318, Nos.~l and 2, 1998, p. 120-125.

6. H. Luth, Surface and Interface of Solids, Springer-Verlag, Berlin, 1993, 489 p.

7. A.M. Bonnot, B.S. Mathis and S. Moulin, Investigation of the growth kinetics of low pressure diamond films by in situ elastic scattering of light and reflrctivity, Apll. Phys. Lett., v. 63 , N13, (1993), p. 1754-1756.

8. Thin Films for Optical Systems, ed. F.R. Flory, Marcel Dekker, Inc., Berlin, 1995, p. 586.

9. Vedam K., "Spectroscopic ellipsometry: a historical overview ",Thin Solid Films, Volume 313/314, 1998, p. 1-10.

10. Lee H., "Characterization of highly strained silicon-germanium alloys grown on silicon substrates using spectroscopic ellipsometry",. Thin Solid Films, v.313, 1998, p 168-172.

11. Urban F. K., Comfor J. C., Numerical ellipsometry: application of a new algorithm for realtime in situ film growth monitoring, J. Vac. Sci. Technol.,A14(4), (1996), 2331-2336.

12. Blayo N.and Drevillon В., In-situ study of the growth of hydrogenated amorphous silicon by infrared ellipsometiy, Appl. Phys. Lett. 59 , (1991), p. 950-952.

13. Zhou Z., Aydil E.S., Gottscho R.A., and Chabal Y.J., Reif R., Real time in-situ monitoring of room temperature silicon surface cleaning using hydrogen and ammonia plasmas, J. Electrochem. Soc., v. 140, N. 11,(1993), p. 3316-3321.

14. Sang M., Aydil E.S., Study of surface reaction during plasma enchanced chemical vapor deposition of Si02 from SiH4, 02, and Ar plasma, J. Vac. Sci. Technol., v. A14(4), 1996, p.• 2062-2070.

15. Deshmukh S. C., Aydil E.S., Investigation of Si02 plasma enchanced chemical vapor deposition through tetreethoxysilane using attenuated total reflection Fourier transform infrarad spectroscopy, J. Vac. Sci. Technol., v. A13(5), 1995, p. 2355-2367.

16. Morrison P. W, Taweechokesupsin Jr. O., Kovach C. S., Roozbehani B.,. Angus J.C, In situ infrared measurements during hot filement CVD of diamond in a rotating substrate reactor, Diamond and Related Materials, v. 5, (1996) , p. 242-246.

17. Toyoshima Y., Arai K., Matsuda A. and Tanaka K., Real-time detection of higher hydrides on the growing surface of hydrogenated amorphous silicon by infrared reflection absorption spectroscopy, Appl.Phys.Lett. 57, (1990), p. 1028 -1030.

18. Niwano M., Terashi M., Shinohara M., Shoji D. and Miyamoto N., Oxidation processes on the H20-chemisorbed Si(100) surface studied by in-situ infrared spectroscopy, SURFACE SCIENCE, Vol. 401, No.3, (1998), p. 364-370.

19. Knoblock J., Hess P., In-situ infrared transmisiion spectroscopy of nucleation and growth of amorphous hydrogenated silicon, Appl. Phys. Lett., v. 69, N.26, (1996), p. 4041-4044.

20. Aydil E.S., Gottscho R.A., and Chabal Y.J., Real-time monitoring of surface chemistry during plasma processing, Pure and Appl. Chemistry 66, (1994), 1381-1388.

21. Aydil E.S., Zhou Z., Giapis K.P., and Chabal Y.J., and Gottscho R.A., Real-time, in-situ monitoring of surface reaction during plasma passivation of GaAs, Appl. Phys. Lett. 62, (1993), 3156-3158.

22. Aydil E.S., Zhou Z., Gottscho R.A., and Chabal Y.J., Real time in-situ monitoring of surfaces during glow discharge processing NH3 and H2 plasma passivation og GaAs, J. Vac. Sci. Technol. В 13, (1995), p. 258-267.

23. Gottscho R.A., Preppernau B.L., Pearton S.J., Emerson A.B. and Giapis K.P., Real-time monitiring of low temperature hydrogen plasma passivation of GaAs, J. Appl. Phys. 66, (1990), p.440-445.

24. Reinke P., and Oelhafen P., The interaction of carbon with the diamond surface: an in-situ photoelectron spectroscopy investigation, DIAMOND AND RELATED MATERIALS Vol. 7, Nos.2-5, (1998), p. 175-178.

25. Roberts T.A. and Gray K.E. "Total-Reflection X-Ray Fluorescence Spectroscopy for In-Situ, Real-Time Analysis of Growing Films", MRS Bulletin, N5 (1995), p.43-46.

26. Koga A, Takeo H.,"In situ grazing incidence x-ray diffraction system for cluster deposition on a low-temperature substrate", Rev. Sci. Instrum., v. 67 (12) (1996) p.4092-4097.

27. Spiller E., "Experience with in situ monitor system for fabrication of x-ray mirrors," SPIE, Vol. 563,pp. 367-380, 1985.

28. Kikuchi Y., Itoh M., Mori I., Takigawa Т., "Estimation of the density and roughness of thin monolayer films by soft x-ray reflectivity measurements," Japan Journal of Applied Physics Vol.29, N2, pp. L375-L377, 1990.

29. Boudet Т., Berger M., Lartigue O., Hirrien В., Optical and x-ray characterization applied to multilayer reverse engineering, Optical Engineering, v. 37(7), (1998) p. 2175-2181.

30. Mullins C.B. and Coburn J.W., Ion-beam assisted etching of Si with fluorine at low temperatures, J. Appl. Phys. 76, (1994), p. 7562-7566.

31. Кудрявцев Ю. П., Евсюков C.E., Гусева М.Б., Бабаев В.Г., Хвостов В.В., Карбин-третья аллотропная форма углерода, Известия Академии наук, Серия химическая, 1993, № 3, с. 450-463.

32. Федосеев Д.В., Алмазные и алмазоподобные пленки, в кн. Алмаз в электронной технике, М.:Энергоатомиздат, 1990,с.171-185.

33. Гришко Л.Б., Елинсон В.М., Ивановский Г.Ф., Слепцов В.В., Электронная промышленность, Осаждение пленок из направленных ионно-плазменных потоков частиц, N4,(1986),с.6-11.

34. Баранов A.M., Кондрашов П.Е., Слепцов В.В., Аморфные углеродные пленки: роль водорода в получении слоев с заданными свойствами.Труды Московского семинара "Алмаз:Физика и электроника", Москва, 1992, в.1, с.39-75.

35. Белянин А.Ф., Семенов А.П., Семенов И.А., " О выращивании пучками заряженных частиц тонких пленок углерода различных структурных модификаций", Труды международной конференции " Алмазы в технике и электронике", Москва, 26-28 мая 1998, с. 158-167.

36. Балаков А.В., Алмазополимерные углеродные пленки, Оптико-механическая промышленность, N6, (1989),с.48-65.

37. Пузиков В.М., Семенов А.В., Структура алмазоподобных пленок, осажденных из сепарированных по массам ионных пучков, Archiwum Nauki о Mater., v.7, (1986), N.2, s.187-193.

38. Gautherin G., Weissmantel C., "Some trends in preparing film structures by iom beam methods", Thin Solid Films, 1978, V.50, p. 135-144.

39. Зосим Д.И., Кулигина В.П., Семенов A.B., "Влияние электрического поля на оптические свойства алмазоподобных пленок углерода", Труды украинского вакуумного общества, Харьков, 1997, т.З, с. 139-143.

40. Chuzhko R.K., Rychkov В.А., Klepikov A.V. and Popov A.V., Diamond-like films deposition by magnetron sputtering with additional ionization, Diamond and Related Mater., v. 1, (1992), p.332-333.

41. Sato Т., Furuno S., Iguchi S.and Hanabusa M., Deposition of diamond-like carbon films by pulsed-laser evaporation, Jpn.J.Appl. Phys., v.26,(1987), p.L1487-L1488.

42. Namba J., Mohri Т., Structural study of the diamond phase carbon films produced by ionized deposition, J.Vac.Sci.and Technol.,v.A3,(1985),p.319-323.

43. Чайковский Э.Ф., Пузиков B.M., Семенов А.П., " Осаждение алмазных пленок из ионных пучков углерода", Кристаллография, 1981, т.26, вып. 1, с. 219-222.

44. Кулик JI.B., Кобицкий А.Ю., Саучев К.Н., "Аморфные алмазоподобные пленки, полученные ионно-лучевым методом", Труды 7 Международного симпозиума Тонкие пленки в электронике, М.:1996, с. 49-53.

45. Shing Y.H.and Pool F.S., Electron cyclotron resonancse deposition of diamond-like films, Vacuum,v.41,(1990),N4-6, p.1368-1370.

46. Angus J.C., Koidl P.and Domiz S., in I.Mort et al. (eds.), Plasma -Deposited Thin Films,CRC Press Inc.Boca Raton, Florida,p.89,1989.

47. Aisenberg S., The role of ion-assisted deposition in the formation of diamond-like carbonfilms, J.Vac.Sci.Technol.A,v.8,( 1990),p.2150-2154.254

48. Nakagama M., Matsuba Y., Shimamura J. , " Physical properties of diamond-like carbon films deposited on mixed atmosphere of C2H4-Ar, C2H2-H2, and C2H4-N2", J. Vac. Sci. and Tech., A 14(4) (1996) p.2418-2426.

49. Слепцов В.В., Хоц Г.Е., Жилина В.И., " Антиотражающие свойства твердых аморфных гидрогенизированных а-С:Н пленок", Труды украинского вакуумного общества. Харьков, 1997, т.З, с. 149-154.

50. Ovshinsky S.R., Structure and Exitation of Amorphous Solids,A.I.P. Conf.Proc.no 31 .Am.Inst.Phys.N.Y., 1976, p.31-52.

51. Ясуда X.,Полимеризация в плазме, М.:Мир,1988, 280 с.

52. Бакай А.С., Стрельницкий В.Е., Структурные и физические свойства углеродных конденсатов, полученных осаждением потоков быстрых частиц. М.:1984, 87с. (Обзор ЦНИИатоминформ).

53. Miyazava I., Preparation and structure of carbon film deposited by a mass separated С/ SUP+/ ion beam, J.Appl.Phys., v.55,(1984),p.l88-193.

54. Lifshitz Y., "Hydrogen-free amorphous carbon films: correlation between growth conditions and properties", Diamond and Related Materials, v. 5 (1996) p. 388-400.

55. Evans B.L. and Nasser G.Y., The DC conductivity of carbon films, Phys.St.Sol.(A),v.l 10,(1988), p.165-179.

56. Lacerda M.M.,. Freire F.L, Mariotto G., "Raman spectroscopy of annealed carbon nitride films deposited by RF-magnetron sputtering", Diamond and Related Materials, v. 7 (1998), p. 412-416.

57. Torng C.J., Sivertsen J., Judy J.H., Chang C., Structure and bonding studies of the C:N thin films produced by rf sputtering method, J. Mater. Res., v. 5, No. 11, (1990), p. 24902496.

58. Kleinsorge В., Hie A., Chhowalla M., Fukarek W., Milne W.I. and Robertson J., "Electrical and optical properties of boronated tetrahedrally bonded amorphous carbon (ta-C:B)", Diamond and Related Materials, v. 7 (1998), p. 472-475.

59. Liu A.Y., Cohen M.L., Science, v.245 (1989), p.841.

60. Teter D.M., Russell R. J., Science, v. 271 (1996), p.53.

61. Fendrych F., Jastrabik L., Pajasova L., Chvostova D., Soukup L. and Rusnak K., "The mechanical, tribo logical and optical properties of CNX coatings prepared by sputtering methods", Diamond and Related Materials, v. 7 (1998), p. 416-417.

62. Основы эллипсометрии, Под ред. А.В.Ржанова, М.:Наука, 1979, 424 с.

63. Комраков Б.М., Шапочкин Б.А., Измерение параметров оптических покрытий, М.:Радио и связь, 1986,102 с

64. Savides N.and Window В., J.Vac.Sci.Technol.A,v.3, (1985), р.2386.

65. Martinu L., Raveh A., Boutard D., Houle S., Poitras D., Vella N., Wertheimer M.R., Properties and stability of diamond-like carbon films related to bonded and unbonded hydrogen, Diamond and Related Materials, v.2, (1993),p.673-677.

66. Sleptsov V.V., Kuzin A.A., Ivanovsky G.F., Elinson V.M., Gerasimovich S.S.,. Baranov A.M,.Kondrashov P.E, "Optical Properties and Phase composition of a-C:H films". J.Non-Crvst.Sol.,v. 138 (1991),p.53-58.

67. Baranov A.M., Gerasimovich S.S., Elinson V.M., Kuzin A.A., Sleptsov V.V., Kondrashov P.E., "Phase composition modeling of a-C:H films on the basis of their optical properties", Phys. Stat. Sol.(a),v.l22 (1990) p. kl39-kl41.

68. Меден А., Шо М.,Физика и применение аморфных полупроводников, М.:Мир,1991.

69. Rusli К, Robertson J., Amaratunga G.A.J., "Photoluminescence behavior of hydrogenated amorphous carbon", J.Appl.Phys.80(5),1996, c.2998-3003.

70. Robertson J.,"Photoluminescence mechanism in amorphous hydrogenated carbon", Diamond and Related Materials, 1996,N5, c.457-460.

71. Мотт H., Дэвис Э., Электронные процессы в некристаллических веществах. М.:Мир,1982, 602 с.

72. Сокол О.Ю., Ивановский Г.Ф., Слепцов В.В., Елинсон В. М., Еерасимович С.С., Пленки а-С:Н: размер графитных кластеров и электрические свойства. Поверхность. Физика, химия, механика, № 1, (1990), с.103-105.

73. Frauenheim Th., Stephan U., Bewilogua К., Jungnickel F., Fromm E., Electrical transport and elecrtonic properties of amorphous carbon thin films, Thin Solid Films, v. 182, (1989) p. 63-78.

74. Sleptsov V.V., Kuzin A.A., Elinson V.M., Baranov A.M., Electrical and optical properties of carbon films, In book " Physics and Technology of Diamond Materials", Polaron Publishers, Moscow, 1994, p.80-87.

75. Елинсон B.M., Кондратов П.Е., Слепцов B.B., Баранов A.M., Влияние толщины пленок а-С на механизм переноса носителей заряда, Письма в ЖТФ, 1990, т. 16, в.З, с.36-39.

76. Баранов A.M., Елинсон В.М., Кондратов П.Е., Слепцов В.В. Исследование механизмов проводимости в пленках а-С. Труды I Всесоюзной конференции "Физические основы твердотельной электроники. " Ленинград, 1989, т. 1, с.236.

77. Pirker К., Thin Sol. Films, v.138, (1986) p.121.

78. Weissmantel C., J.Vac.Sci.Technol.A,v.3,(1985) p.2384.

79. Robertson J., Mechanical properties and structure of diamond-like carbon, Diamond and Related Materials, v.l, (1992),p.397-406.

80. Meyerson B.and Smith F.M., Sol.St.Commun., v.41,p.23,1982.

81. Robertson J.and Reilly E.P.O., Electronic and atomic structure of amorphous carbon, Phys.Rev.B.,v.35, (1989),N6, p.2946-2971.

82. Amir O.and Kalish R., Doping of amorphous-hydrogenated carbon films by ionimplanmtation, Diamond and Related Materials, v.l, 1992, p.364-368.257

83. Conway N.M.J., Milne W.I. and Robertson J., "Electronic properties and doping of hydrogenated tetrahedral amorphous carbon films", Diamond and Related Materials, v. 7 (1998), p. 477-480.

84. Crouse P.L., The effect of deposition parameters on the compressive stress in a-C:H thin films, Diamond and Related Materials, v.2, (1993),p.885-889.

85. Lee K., Baik Y., Eun K., Stress relief behaviour of diamond-like carbon films on glasses, Diamond and Related Materials, v.2, (1993),p.218-224.

86. Martinu L., Raveh A., Boutard D., Houle S., Poitras D., Vella N., Wertheimer M.R., Properties and stability of diamond-like carbon films related to bonded and unbonded hydrogen, Diamond and Related Materials, v.2, (1993),p.673-677.

87. Mattox D.M.,in Deposition Technol.for Films and Coatings, ed. by R.F. Bunshah (Noyes Park Ridge, NJ,1982),p.63.

88. Scheibe H.J., Siemroth P., Schoneich В., Mucha A., Kluge G., DLC film preparation by LASER-ARC and properties study, Diamond and Related Materials, v.l, (1992),p.98-103.

89. Raveh A., Martinu L., Wertheimer M.R., Mechanical and tribological properties of dual-frequency plasma-deposited diamond-like carbon, Surf.Coat.Technol.,v.58, 1993) p.45-56.

90. Akkerman Z.L., Efstathiadis H., and Smith F.W., "Thermal stability of diamondlike carbon films", J.Appl.Phys.80(5),1996,lSeptember, c.3068-3075.

91. Кондратов П. E., Мироненко JI.C., Баранов A.M., Исследование влагостойкости углеродных и алмазоподобных углеродных пленок, Тез. 3-ей HT конференции "Вауумная наука и техника", Гурзуф, сен. 1996, Москва, МИЭМ, 1996, с. 73.

92. Гусева М.Б., Бабаев В.Г., Хвостов В.В., Рылова О.Ю., Ивановский Г.Ф., Слепцов В.В., Елинсон В. М., Электронная структура пленок а-С:Н, Поверхность. Физика, химия, механика, № 11, (1987), с.101-108.

93. Robertson J., Diamond and Related Mat., Vol 4, (1995) 297.

94. Kondrashov P.E., Smirnov I.S., Sleptsov V.V., Baranov A.M.,. Elinson V M., Multilayer diamond-like structures for x-ray optics, Diamond and Related Materials, v. 4, 1995, p.109-112.

95. Crill A. and Patel V., Tribological properties of diamond-like carbon and related materials, Diamond and Related Materials, 2 (1993) 597-605.

96. Franco L.P., Density dependence of the electrochemical characteristics of carbon overcoated thin film media, J. Vac. Sci. Technol. A8(3), (1990), p. 1344.

97. Баранов A.M., Проблемы и перспективы создания полупроводниковых приборов на основе алмазных и алмазоподобных пленок, Труды Московского семинара "Алмаз:Физика и электроника", Москва, 1992, в.1, с.39-75.

98. Voevodin A.A., and Zabinski J.S., Superhard, functionally gradient, nanolayered and nanocomposite diamond-like carbon coatings for wear protection, Diamond and Rel. Mater., v. 7(1998), p. 460-464.

99. Ивановский Г.Ф., Слепцов В.В., Елинсон В.М., Кондратов П.Е., Ионно-плазменное осаждение пленок углерода в производстве изделий электронной техники, Электронная промышленнность,Ы 12,(1989),с.26-29.

100. Rotshild М., Агопе С., Erlich D.C., "Eximer-laser etching of diamond and hard carbon films by direct writting and optical projection", J.Vac.Sci.Technol.,v.4, (1986),p.310-314.

101. Wang D„ Hoybe P.C., Cleaver J.R.A., Porkolab G. A., MacDonald N.C., Lithography using electron beam induced etching of a carbon films, J. Vac. Sci. and Technol., В 13(5), (1995), p. 1984-1987.

102. Semiconductor International, December 1997, p.s-17.

103. Semiconductor International, December 1997, p.s-31.

104. Silva S.R.P., Forrest R.D., Munindradasa D.A. and Amaratunga G.A.J., Electron field emission studies from amorphous carbon thin films, Diamond and Related Materials, v. 7 (1998), p.645-650.

105. Luo J.-Y., Liu K.-S., Lee J.-S., Lin I.N. and Cheng H.-F., The influence of film-to-substrate characteristics on the electron field emission behavior of the diamond films, Diamond and Related Materials, v. 7 (1998), p. 704-710.

106. Hoffmann U., Weber A., Lohken Т., Klages C.-P., Spaeth C. and Richter F., Electron field emission of amorphous carbon films, Diamond and Related Materials, v. 7 (1998), p. 682-686.

107. Wachter R., Cordeiy A., Proffitt S. and Foord J.S., Influence of film deposition parameters on the field emission properties of diamond-like carbon films, Diamond and Related Materials, v. 7 (1998), p. 687-691.

108. Cheng H.-F., Chuang F.-Y., Sun C.-Y., Tseng C.-T., Effect of boron-doping on electron field emission behavior of pulsed-laser deposited diamond-like-carbon films. Diamond and Related Materials, v. 7 (1998), p. 711-716.

109. Mitura E., Mitura S., Niedzielski P., Has Z., Wolowiec R., Jakubowski A., Szmidt J., Sokolowska A., Louda P., Marciniak J., Koczy В., Diamond-like carbon coatings for biomedical applications, Diamond and Related Materials, v.3, (1994), p. 896-898.

110. Olborska A., Swider M., Wolowiec R., Niedzielski P., Rylski A., Mitura S., Amorphous carbon-biomaterial for implant coatings, Diamond and Related Materials, v.3, (1994), p.

111. Sleptsov V.V., Elinson V.M., Potraysay V.V., Lamin A.N., Rovensky Yu. A., Surfacecarbon films, Journal of Chemicals Vapor Deposition, v. 5, (1997), p. 323-330.

112. Бондарев А.А., Экспериментально-морфологическое обоснование синтетической нити с карбиновым покрытием в абдоминальной хирургии, Диссертация на соискание ученой степени кандидата медицинских наук, Воронеж, 1995, 150 с.

113. Lappalainen R., Heinonen Н., Anttila A. and Santavirta S., Some relevant issues related to the use of amorphous diamond coatings for medical applications, Diamond and Related Materials, v. 7 (1998), p. 479-483.

114. Федоров В. К., Елинсон В.М., Слепцов В.В., Фадеев К.В., Модификация поверхности полимеров медицинского назначения углеродными пленками,899.903.

115. Tor medical application Ъу means of plasma -ion deposited^полученными ионно-плазменными методами, Научные труды МАТИ им. К.Э. Циолковский, 1998, вып. 1(73), Москва, с. 111-114.

116. Комар E. Г., Основы ускорительной техники, М.: 1975, с. 230.

117. Gallant J.L., Stripping foils for heavy -ion beams, in Treatise on Heavy-Ion Science, V. 7, ed. by D. Allan Bromley, Plenum Press, New-York, 1985, p. 90-95.

118. Shima K., Nagai S., and Ishihara Т., Optimal foil material and thichkness for the charge stripping of heavy ions of around 100 Mev, Nuc. Inst. Meth. Phys. Res., A244, (1986), p.330-335.

119. Tolfree D.W. L., A review of development work on carbon stripper foils at Daresbury and Harwell, in Preparation of nuclear targets for particle accelerators, ed. by J. Jaklovsky, Plenum Press, New York, 1981, p. 65-75.

120. DenHartog P.K., Yntema J.L., Thomas G.E., Heavy ion stripping by wrinkled carbon foils, in Preparation of nuclear targets for particle accelerators, ed. by J. Jaklovsky, Plenum Press, New York, 1981, p. 29-33.

121. Tait N.R.S., Thomas G.E., Tolfree D.W. L., The hydrogen and oxygen content of self-supporting carbon foils prepared by DC glow discharge in ethylene, Nuc. Inst. Meth.,----v. 176, (1980) p.433-440.---------- ------

122. Maier-Komor P., Ranzinger E., Munzer H., Differences of amorphous and graphitized carbon foils in their stripper qualities, in Proc. of the 3 Inter. Conf. on electrostatic accelerator technology, ed. J.A. Martin, IEEE, Piscataway, NJ, 1981, p.163-168.

123. Phelps A.W., Koba R., The p-type diamond stripper foils for tandem ion-accelerators, Proc. Electrochem. Soc., v. 89-12, (1989) p. 38-49.

124. Dobeli M., Lombao A., Vetterli D., Suter M., Thin layer analysis with heavy ion RBS, Nuc. Inst. Meth., B89, (1994) p. 174-177.

125. Knapp J. A., Banks J.C., Doyle B. L., Time of flight heavy ion backscattering spectrometry, Nuc. Inst. Meth., B85, (1994) p.20-23.

126. Ivkova Т. W., Leichtenstein V.K., Olshanski E.D., Preparation and application of ultra-thin superstrong diamond-like carbon targets for laboratory and space experiments, Nuc. Inst. Meth., A362, (1995) p.77-80.

127. Studemann W., Wilken В., Detection efficiency of a heavy ion time-of-flight spectrometer with thin carbon foils in the start detector, Rev. Sci. Instrum, v.53, No2, (1982) p. 175-180.

128. Treatise on Heavy-Ion Science, Vol. 7 Instrumentation and Techniques, ed. by D.A. Bromley, 1985, Plenum press.

129. Dobeli M., Leichtenstein V.K., A time of flight spectrometer for energy analysis of slow heavy ions and neutrals. Nuc. Inst. Meth., A362, (1997) p.77-80.

130. Abeles B.and Tiedje Т., Amorphous Semiconductor Superlattices, Phys. Rev. Lett., v.51,(1983), p.2003-2006.

131. Kakalios J., Fritzsche H., Persistent photoconductivity in doping-modulated semiconductors, Phys.Rev.Lett., v.53, (1984), p.1602-1605.

132. Chen I., Theoretical analysis of space-charge doping in amorphous semiconductor superlattices, Phys.Rev.B,v.37,(1986),N.2,p.879-889.

133. Dohler G.H., Theory of amorphous multilayer structures (superlattices), J.Non-Cryst. Sol.,77/78,(1985),p. 1041 -1051.

134. Santos P.V., Handhausen M., Ley L.and Vicrian C., Structure of interfaces in a-Si:H/a-SiNx:H superlattices, J.Appl. Phys., v.69, (1991), p.778-785.

135. Miazaki S., Yamada H.and Hirose M., Optical and electrical of a-Si3N4:H/a-Si:Hsuperlattices prepared by plasma-enhanced nitridation technique, J. Non-Cryst. Sol., v.137, (1991), p.1119-1122.

136. Слепцов B.B., Елинсон B.M., Ивановский Г.Ф., Герасимович C.C., Баранов A.M., Размерные факторы и свойства пленок и многослойных структурах на основе а-С иа-С:Н. Тез. конф. по формированию металлических конденсатов.Харьков.1990, с.44.

137. Sleptsov V.V., Kuzin A.A., Baranov A.M., Elinson V.M., Optical absorption in a-C:H multilayer periodic structures, Diamond and Related Materials, 1992, v. 1, p. 570-571.

138. S.A. Tereshin, Baranov A.M., Yu. A. Malov, E.U. Michailutz, Spontaneous Radiation in Short Period Superlattices on the Base of Carbon Multilayer Heterostructures, Diamond and Related Materials, v.6, 1997, p. 1106-1110.

139. Senkevich J.J., Desu S.B., Dielectric Anisotropy in CVD polumer thin films, Semiconductor International, No 6, (1998), p.151-156.

140. Singer P., Copper has enormous benefits when compared to aluminum, but its implementation requires some fundamental changes in process technology, Semiconductor International, No 6, (1998), p.91-98.

141. Baliga J., Options for CVD of Dielectrics include Low-k materials, Semiconductor International, No 6, (1998), p.139-144.

142. Bonnot A.M., Mathis B.S. and Moulin S., "Growth kinetic analysis of diamond films by in-situ elastic scattering of light and reflectivity," Diamond and Related Materials, Vol. 3,pp. 426-430, 1994.

143. Fayete L., Marcus В., Mermoux M., Abello L.and Lucazeau G., " In-situ Raman investigation of diamond films during growth and etching processes," Diamond and Related Materials, Vol. 3,pp. 438-442, 1994.

144. Gioti M. and Logothetidis S., The effect of substrate bias in amorphous carbon films prepared by magnetron sputtering and monitored by in-situ spectroscopic ellipsometry, Diamond and Related Materials, v. 7 (1998), p. 442-446.

145. Dowling D.P., Donnelly K., Monclus M. and McGuinness M., The use of refractive index as a measure of diamond-like carbon film quality, Diamond and Related Materials, v. 7 (1998), p. 430-432.

146. Veerasamy V.S., Amaratunga G.A.J., Milne W.I., Fallon P.J., McKenzie D.R., Davis C.A., Optical and electronic properties of amorphous diamond, Diamond and Related Mater., v. 2 (1993), p. 782-787.

147. Martinu L., Raveh A., Boutard D., Houle S., Poitras D., Vella N., Wertheimer M.R., Properties and stability of diamond-like carbon films related to bonded and unbonded hydrogen, Diamond and Related Materials, v. 2 (1993), p. 673-677.

148. Reinke P., and Oelhafen P., The interaction of carbon with the diamond surface: an in-situ photoelectron spectroscopy investigation, Diamond and Related Materials, v. 7 (1998), p. 175-181.

149. Баранов A.M. "Исследование в реальном масштабе времени параметров тонкопленочных покрытий нанометровой толщины методом рентгеновской рефлектометрии", Известия высших учебных заведений. Электроника №3, 1999, с. 89-96.

150. Spiller Е„ "Soft X-ray Optics", SPIE Optical Engineering Press, 1994.

151. Борн M., Вольф Э., Основы оптики,М.-.Наука 1970,856 с.

152. Бурдин Г.Д., Марков Б.Н., Основы метрологии, Москва, Изд. Станд, 1985 г.,256 с.

153. Рабинович С.Г., Погрешности измерений, Л.: Энергия, 1978 г., 262 с.

154. Баранов A.M. «Влияние неоднородности растущей пленки на значения параметров, измеряемых методом рентгеновской рефлектометрии», Известия высших учебных заведений. Электроника №5, 1999, с. 107-111.

155. Кондратов П.Е., Смирнов И.С., Яблоков С.Ю., Баранов A.M., Система In-situ мониторинга как средство для управления технологическим процессом, Приборы и системы управления, №5, 1997, стр.27-29.

156. Mikhailov I.F., Pinegin V.I. Sleptsov V.V., Baranov A.M., X-ray monitoring system for in situ investigation of thin film growth, Crystal Research and Technology, v.30, N5, p.643-649, 1995.

157. Sleptsov V.V.,Baranov A.M., Tereshin S.A., Mikhailov I.F., Pinegin V.I., Real Time Monitoring of Diamond Like Film Growth by X-ray Diffraction. Proc. SPIE, v.2519, p.108-115, 1995.

158. Baranov A.M., Sleptsov V.V., Tereshin S.A., Mikhailov I.F., Pinegin V.I., In-situ X-ray Investigation a-C:H film Properties During Growth and Etching Processes, Proc. The 4th Int. Symp. on Diamomd Materials, Reno, NV, USA, 21-26 May, 1995, p. 403-408.

159. Kondrashov P.E., Smirnov I.S., Novoselova E.G., Yablokov S.Y., Baranov A.M., Capabilities of Combined Studies of DLC Films by X-Ray Methods, Diamond and Related Materials, v.6, 1997, p. 1784-1788.

160. Баранов A.M., Терёшин С.А., Михайлов И.Ф., Новый универсальный метод контроля параметров слоев и шероховатости поверхности в процессах вакуум ного осаждения и травления, ЖТФ, т. 67, №8, 1997, с. 62-64.

161. Баранов A.M. "Разработка технологии управляемого нанесения алмазоподобных углеродных пленок", Перспективные материалы, № 3, 1999, р. 40-45

162. Nakagama M., Matsuba Y., Shimamura J. , " Physical properties of diamond-like carbon films deposited on mixed atmosphere of C2H4-Ar, C2H2-H2, and C2H4-N2", J. Vac. Sci. and Tech., A14(4) (1996) p.2418-2426.

163. Баранов A.M., Михайлов И.Ф., Интерференционный метод определения толщины плёнок на длине волны 0.154 нм, Письма в ЖТФ,т.22, вып. 23, 1996, стр. 60-63.

164. Baranov А. М., Tereshin S.A., Mikhailov I.F., Pinegin V.I., Investigtation of Superthin Carbon Layers and Multilayer Carbon Structures by X-Ray Reflectivity Measurements Proc. SPIE, v.2863, p.359-367, 1996.

165. Swain G. M. J. Electrochem. Soc. 1994. V. 141. P. 3382.

166. Сахарова А.Я., Плесков Ю.В., Ди Кварто Ф., Пьяцца С., Сунсери К., Герасимович С.С., Слепцов В.В., "Фотоэлектрохимическое исследование пленок аморфного гидрогенизированного углерода", Электрохимия. 1996. Т. 32. С. 1298-1302.

167. Модестов А.Д., Плесков Ю.В., Варнин В.П., Теремецкая И. Г., "Электроды из синтетического полуповодникового алмаза: исследование электрохимической активности в растворе окислительно-восстановительной системы", Электрохимия, 1997, том. 33, с. 60-66.

168. Reuben С., Galun Е., Cohen Н., Tenne R., Kalish R., Muraki Y., Hashimoto К., Fujishima A., Butler J. M. , Levy-Clement C. J. Electroanal. Chem. 1995. V. 396. P. 233.

169. Pleskov Yu. V., Sakharova, Krotova M.D., Bouilov L.L., Spitsyn B.V. J.Electroanal.Chem. 1987. V. 228. p. 19.

170. Сахарова А.Я., Плесков Ю.В., Кротова М.Д., Буйлов JI.JI., Спицин Б.В., "Фотоэлектрохимическое поведение полупроводникового алмаза", Электрохимия, 1988, т.24,№1, С. 69-73.

171. Сахарова А.Я., Плесков Ю.В., Ди Кварто Ф., Пьяцца С., Сунсери К., Герасимович

172. C.С., Слепцов В.В., "Фотоэлектрохимическое исследование пленок аморфного гидрогенизированного углерода", Электрохимия. 1996. Т. 32. С. 1298-1302.

173. Кротова М. Д., Евстефеева Ю. Е., Плесков Ю. В., Елкин В. В., Баранов A.M., Электроды из алмазоподобного углерода: спектроскопия импеданса и кинетика окислительно-восстановительных реакций, Электрохимия, №9, (1989).

174. Pleskov Yu. V., Evstefeeva Yu.E., Krotova M.D., Elkin V.V., Baranov A.M., Dement'ev A.P., Electrochemical behavior of amorphous carbon films: kinetic and impedance-spectoscopy studies, Diamond and Related materials, v. 8 (1999) p. 64-72.

175. Dementjev A.P. and Petukhov M.N. The role of oxygen atoms in sp2-sp3 conversion on the growing surface of carbon film, J. of Chemical Vapor Deposition. 1997. Vol.5. P.220.

176. Kondrashov P.E., Smirnov I.S., Baranov A.M., Yablokov S.Y., Lukashov Y.E., Dowling

177. D.P., Donnelly K., Flood R.V. and McConnell M.L., Investigaion of ultrathin DLC films growth by a novel X-ray reflectivity and in-situ ellipsometry, Diamond and Related materials, v. 8 (1999) p. 533-538,

178. Baranov A.M., Mikhailov I. F., In-situ X-ray investigations of thin film growth, Thin Solid Films,v.324, No. 1-2, 1998, p. 63-67.

179. Михайлов И.Ф., Бабенко И.Н., Пинегин В.И., Слепцов В.В., A.M. Баранов, Патент РФ №2087861 от 13.7.95.

180. Плазменная технология в производстве СБИС, под ред. Н.Айнспрука, М.:Мир, 1987, 456 с.

181. Технология СБИС, под ред. С.Зи, М.:Мир, 1986, т.2, 400 с.

182. Зеркальная рентгеновская оптика, под ред. А. В. Виноградова, JL: "Машиностроение", 1989, 463 с.

183. Житник И.А., Кузин С.В., Слемзин В.А., " Многослойный и кристаллическая рентгеновская оптика для солнечной рентгеновской астрономии", Мат. Веер, совещания "Рентгеновская оптика", Нижний Новгород, 23-26 Февраля 1998 , с. 7-20.

184. Валиев К.А., Беликов JI.B., Долгих В.Т., Кальнов В.А., Протопопов В.В., Имамов P.M., Лебедев О.И., Ломов А.А., Роддатис В.В., "Рентгеновское зеркало с расширенным угловым диапазоном", Кристаллография, 1995, tom.40,N2, с.358-363.

185. Виноградов А. В., Кожевников И. В., "О полупрозрачных многослойных зеркалах рентгеновского диапазона", Оптика и спектроскопия, т. 58, № 4, 1985, с. 895-899.

186. Khan Malek С., Susini J., Madouri A., Ouahabi M., Rivoira R., Lepetre Y., Barchewitz R., "Semitransparent soft X-ray multilayer mirrors", Opt. Eng., 1990, c.597-601.

187. Spiller E., "Low-loss reflection coatings using absorbing material", J. Appl. Phys., v.20, pp.365-367, 1972.

188. Barbee T.W., "Multilayer X-ray optics", Opt. Eng., Vol.25, N8, pp.899-915, 1986.

189. Spiller E.,"Experience with the in-situ monitor system for the fabrication of X-ray mirrors", Proc. SPIE, v.563, pp. 367-375, 1985.

190. Салащенко H.H., Платонов ЮЛ., Зуев С.Ю., "Многослойная оптика мягкого рентгеновского диапазона", Поверхность, 1995, N10, с.5-19.

191. Susini J., "Design parameters for hard X-ray mirrors: The European Synchrotron Radiation Faqcility Case", Opt. Eng., v.34(2) (1995) p.361-376.

192. Ziegler E., "Multilayers for high heat load synchrotron application", Opt. Eng.,v.34(1995) p. 445-452.

193. Шпиллер Э., " Многослойные интерференционные покрытия для вакуумного ультрафиолетового излучения", Космическая оптика: Тр. IX Межд. конгр. по космичческой оптике, Санта-Моника, США, 9-13 октября, 1972 г., -М.: Машиностроение, 1980.-е. 376-386.

194. Haelbich R.P., Kunz С., " Multilayer interference mirrors fot the XUV range around 100 eV photon energy", Opt. Commun., 17 (1976) 287-290.

195. X-Ray Science and Technology, ed. by A.G. Michette and C.J. Buckley, 1994 p. 376.

196. Kozhevnikov I.V., Balakireva L.L., Fedorenko A.I., Kopealets I.A., Levashov V.E., Stetsenko A.N., Struk I.I.,. Vinogradov A.V., Synthesis and measurement of Os-Si multilayer mirrors optimized for the wavelength 380A, Opt. Commun. 125, 1996, p.13-17.

197. E.J.Puik, M.J. van der Wiel, H.Zeijlemaker, J.Verhoeven, "The role of layer growth on interface roughness in Ni-C multilayer X-ray mirrors", Vacuum,1988,N8-10,c.707-709.

198. Lyakhovskaya I.I., Shulakov A.S.and Pershin Yu.P., "Multilayer-coated mirrors for the ultrasoft X-ray range", J.Optics(Paris),1992,c.237-239.

199. Kearney P.A., Slaugher J.M., Faleo C.M., " Materials for miltilayer X-ray optics wavelenght below 100 A", Opt. Eng., v. 30, N8, 1991, c. 1076-1080.

200. U.Heinzmann, "X-ray gratings and projection lithography by means of laterally structured multilayers", J. Phys.III France 4(1994),c.1625-1637.

201. Spiller E, Alan E. Rosenbluth,"Determination of thickness errors and boundary roughness from measured performance of a multylayer coating", Opt. Eng. ,Augustl986,c.954-963.

202. Barbee T.W., Sputtered layered synthetic microstructure (LSM) dispersion elements, Ibid, p.131-145.

203. Виноградов A.B., Кожевников И.В., Многослойные рентгеновские зеркала, Труды ФИАН, т. 196, 1989, с.63-102.

204. Spiller Е.,"Enhancement of the reflectivity of multilayer X-ray mirrors by ion polishing", Optical Engineering June 1990, c.609-613.

205. Ерофеев В.И., Коваленко H.B., Чхайло Н.И., Чернов В.А., Мытниченко С.В., "Оптика многослойных рентгеновских сверхрешеток применительно к СИ",

206. Материалы Всеросийского совещания "Рентгеновская оптика", Нижний Новгород, 23-26 Февраля 1998 , с. 110-116.

207. Erko A., Martynov V., Roshchoupkin D., Yuakshin A., Vidal В., and Brunei M., "Multilayer diffraction grating properties", J. Phys.III France, v.4 (1994), p.1649-1658.

208. Andre J.M., Sammar А., Вас S., Ouahabi M., Soullie G.and Barchewitz R., "Recent advances in etched multilayer X-ray optics", J. Phys.III France 4(1994),c.1659-1668.

209. Slaughter J.M., "Si/B4C narrow-bandpass mirrors for the extreme ultraviolet", Optics Letters, v.19, N21, pp.1786-1788, 1994.

210. Balakireva L.L., Kozhevnikov I.V., "Two-period multilayer mirrors for the soft X-Ray region", Journal of X-Ray and technology 6, 1996, p. 150-166.

211. Dietsch R, Holz Т., Mai H„ Hopfe S„ Scholz R., Wehner В., Wendrock H., "X-ray optical properties of C/C-multilayers prepared by pulsed laser deposition", Mat. Res. Society Symp. Proc., v. 382, 1995, p. 345.

212. Tsai H.and Body В., Characterisation of DLC films and their application as overcoats of thin-film media for magnetic recording, J.Vac.Sci.Technol. A, Vol.5, pp.3287-3313, 1987.

213. Кондратов П.Е., Смирнов И.С., Новосёлова Е.Г., A.M. Баранов, Слепцов В.В., "Создание и исследование углеродных структур переменной плотности", Труды Межгосударственной конференции стран СНГ "Алмазоподобные плёнки углерода", 6-9 июня 1994, г. Харьков.

214. Kondrashov Р.Е., Smirnov I.S., Novoselova E.G., Baranov A.M., Non-Classical Multilayer Periodic Structures Based on DLC Films, Diamond and Related Materials, v.5, 1996, p. 448-452

215. Houdy Ph.and Boher P., "Design and manufacture of sputtered multilayers for applications to soft X-ray optics",J. Phys.III France 4(1994),c.1589-1598.

216. Sudoh M., Yokoyama R., Samoga M., Yamamoto M., Yanagihara M., Soft X-ray multilayers fabricated by electron -beam deposition, Opt. Eng., v. 30, 1991, c. 1061-1066.

217. Ivanovsky G.F., Sleptsov V.V., Elinson V.M., Kuzin A.A., Kondrashov P.E., A.M. Baranov, Properties of diamond-like films formed by ion-assisted methods for multilayer structures, Surface and Coating Technology, 1991, 48, p. 189-191.

218. Слепцов B.B., Кузин А.А., Сагитов С.И., Елинсон B.M., Баранов A.M., Оптические свойства многослойных структур на основе а-С:Н, Материалы 7 конф. "Тонкие пленки в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем." Москва, 1990, с.63.

219. Parrat L.G., Surface studies of solids by total reflection X-rays, Phys.Rev.,v.95,N.2,(1954), p.359-369.

220. Petukhov M.N., A.P. Dementjev, A.M. Baranov, Unique Capability of XPS and X-ray2 3

221. Excited AES to Indentify sp /sp Ratio on the Surface of Growing Carbon Films, Diamond and Related Materials, v.7, 1998, p. 1534-1538.

222. Tauc J., In. Optical properties of solids (F.Abeles ed.), North-Holland, Amsterdam, 1970, p.277.

223. Петухов M., автореферат кандидатской диссертации, Рнтгеноэлектронная и Оже-спектроскопия sp2-n зр3-гибридизованных состояний атомов углерода, Москва 1997.

224. Spiller Е., Rosenbluth А.Е., Determination of thickness errors and boundary roughness from the measurumed perfomance of a multilayer coating, Proc. SPIE, v.563, (1985), Belligham, p.221-236.

225. Laidig W., Peng C.K.and Lin Y.F., Effects of strain and layer thickness of the growth of InxGa\.xAs-GaAs strained layer superlattices., J. Vac. Sci. Technol. B, v.2, (1984),p.181-185.

226. Erco, V.V. Aristov and B. Vidal, " Diffraction X-ray Optics", 1996, p. 224.

227. Кондратов П.Е., Смирнов И.С., Баранов A.M., Устройство для управления потоком рентгеновского излучения и способ его получения, Патент РФ № 2109358.

228. Кондратов П.Е., Смирнов И.С., Новосёлова Е.Г., Баранов A.M., "Углеродные рентгеновские зеркала" , Материалы VI Российской конфе ренции "Физика и технология алмаз ных материалов", Москва, 28-30 Мая, 1996 г., с. 120-124.

229. Parrat L.G.,Phys.Rev.,v.95 N2 (1954) р.359-367.

230. Kondrashov Р.Е., Smirnov I.S., Novoselova E.G., Baranov A.M., Analysis of Parameters of Multilayer Carbon Interference Structures in the Soft X-ray range, Applied Physics Letters, v. 69, N3, p.305-307, 1996.

231. Кондратов П.Е., Смирнов И.С., Новосёлова Е.Г., Баранов A.M., "Многослойные углеродные интер ференционные структуры для рентгеновской оптики", Письма в ЖТФ, том 22, вып. 7,с.7-10, 1996.

232. Kondrashov Р.Е., Smirnov I.S., Novoselova E.G., Baranov A.M., Possibility of Creation of High-Quality Mirrors, Proc. SPIE, v.2805, p.254-259, 1996.

233. James R.W., "The Optical Principles of the Diffraction of X-rays", London, 1948.

234. Bearden J.A., "X-ray wavelengths", US Atomic Energy Commission Tennessee, 1964.

235. Петухов В.П., " Измерение характеристик многослойных структур методом возбуждения характеристического излучения протонным ударом", Материалы Всеросийского совещания "Рентгеновская оптика", Нижний Новгород, 23-26 Февраля 1998 , с. 145-149.

236. Arkadiev V., Baranov A.M., Erko A., Kondrashov P.E., Langhoff N., Novoselova E.G., Smirnov I.S., Veldkamp M., Packe I., «Carbon/carbon multilayers for synchrotron radiation», Proc. SPIE, Denver, 1999, v. 3773, p. 122-127.

237. Kondrashov Р.Е., I.S. Smirnov, E.G. Novoselova, Baranov A.M., S.Y. Yablokov,V.P. Petykhov Comparative characteristics diamond-like carbon and metal-carbon x-ray mirrors, Diamond and Related Materials, v.7 (12), 1998, p. 1647-1650.

238. Baranov А.М/, R.Dietsch, T.Holz, M.Menzel, D.Weifibach, R.Scholz, V.Melov, J.Schreiber, «High resolution carbon/carbon multilayers", Proc. SPIE, 2002, vol. 4782, p. 160-16.

239. Ali I., Roy S.R., Shinn G., Chemical-mechabical polishing of interlayer dielectric: a rewier, Solid State Technology, N10, (1994) p. 63-60.

240. Данилин B.C., Киреев В.Ю., Назаров Д.А., "Реактивное ионное травление", Обзоры по электронной технике, серия 3, Микроэлектроника, вып. 1(1010), 1984.

241. Киреев В.Ю., Данилин Б.С., Кузнецов В.И., "Плазмохимическое и ионно-химическое травление микроструктур",М.,Радио и связь, 1983, 126 с.

242. Данилин С., Киреев В.Ю., Кузнецов В.И.,"Вакуумно-плазменные процессы травления микроструктур", ч.1, Классификация и сопоставление процессов травления, Электронная техника, сер.6, Материалы, 1982, вып.2(163), с.3-9.

243. H.Buchkremer-Hermanns, C.Long, H.Weiss,"ECR plasma polishing of CVD diamond films", Diamond and Related Materials, 1996,v.5, c.845-849.

244. Baranov A.M., Planarization of substrate surface by means of ultrathin diamond-like carbon films, Surface and Coating Technology, v. 102, N1-2, 1998, p. 154-158.

245. Карабеков А.Ю., Кожевников И.В., "Рассеяние рентгеновского излучения шероховатой пленкой", Препр. ФИАН № 6, М., 1993, 47 с.

246. Igor A. Artioukov, Viktor Е. Asadchikov, Igor V. Kozhevnikov "Effects of a Near-Surface Transition Layer on X-Ray Reflection and Scattering" , Journal of X-Ray and technology 6, 1996, p.223-243.

247. Kozhevnikov I.V., Asadchikov Viktor E., Alaudinov B.M., Karabekov Yu A., and Vinogradov A.V., " X-Ray investigations of supersmooth surfaces" , Proc. SPIE, Vol.2453, p.141-153.

248. Karabekov A.Yu., Kozhevnikov I.V., and Fedyukovich V.E., "Interference Suppression of X-Ray Scattering under Total External Reflection from Rough Surfaces", Journal of X-Ray science and technology 4, 1993, p.37-43.

249. Виноградов А. В., Зорев H.H., Кожевников И.В., Сагитов С.И., Турьянский A.F., "О рассеянии рентгеновского излучения слабошероховатыми поверхностями",ЖЭТФ, т.94, вып.8, 1988, с.203-216.

250. Виноградов А.В., Зорев Н.Н., Кожевников И.В., Якушкин И.Г.,"Об эффекте полного внешнего отражения рентгеновских лучей", ЖЭТФ, т.89, вып.6(12), 1985,с.2124-2132.

251. Баранов A.M., Увеличение интенсивности отражения рентгеновского излучения от поверхности при нанесении на нее алмазоподобной углеродной пленки, ЖТФ, т. 68(7), 1998, с.

252. Baranov A.M., "Enhancement of the reflectivity of multilayer X-ray mirrors by ultrathin carbon film deposition", Optics Communications, v. 167/1-6, 1999, pp.23-26.

253. Loferski J.J. The First Forty Years a Brief History of the Modern Photovoltaic Age. Progress in potovoltaics research and applications, vol 1, (1993), p.67-78.

254. Зи С.,Физика полупроводниковых приборов,М.:Мир.1984 т.1, 456 с.

255. Gtauvogl М., Aberle A.G., Hezel P., 17,1% efficient metal-insulator-semiconductor inversion layer silicon solar cells using truncated pyramids, Appl. Phys. Lett., v. 69, No. 10, (1996), p.1462-1464.

256. Zhao J., Wang A., Altermatt P., Green M.A., Twenty-four percent efficient silicon solar cell with double laer antireflection coatings and reduced resistance loss, Appl. Phys. Lett., 1996, v.66, No 26, p.3636-3638.

257. Grekhov I. V., Shulekov A.F., Vexler M.I., " Multicascade impact ionization in Si metall-insulator-srmiconductor tunnel emitter auger transitor", Sol. Stat. Commun., v. 87, N4, 1993 p. 341-343.

258. Akota S., Ueda H., Nakayma Y., Mechanism of photocurrent multiplication in amorphous silicon carbide Schottky cells, J. Appl. Phys., v. 77(3), (1995), p.l 120-1125.

259. Баранов A. M., Малов Ю.А., Терёшин С. А., Фотоэлектрический преобразователь нового типа на основе гетероструктуры n-CdO/a-C/p-Si, Письма в ЖТФ, т.23, вып. 21, 1997, стр. 1-6.

260. Baranov А. М., Malov Y. A., Zaretsky D. F., Tereshin S. A., "Solar cells based on the heterojunction a-C/p-Si, Solar Energy Materials and Solar Cells, v. 60/1, 1999, pp.11-17.

261. Патент на изобретение №2137257. Бюл. №25, 1999. «Преобразователь световой энергии в электрическую». Номер междунаробной публикации №WO 97/21251 от 12.6.97. Баранов A.M., Малов Ю.А., Терёшин С. А., Зарецкий Д.Ф.

262. Scavani С., Reddy K.T.R., Reddy P.J., Physical behavior of CdO films prepared by activated reactive evaporation, Semiconductors Science and Technology, v.6, N10, 1991, p. 1036-1038.

263. Gurumurugan К., Mangalaraj D., Narayandass S.K., An approach to determine the refractive index of cadmium oxide thin films, Materials Research Bulletin, v. 30, No3,1995) p. 257-264.

264. Benko F.A., Koffyberg F.P., Quantum efficiency and optical transmission of CdO photoanodes, Solid State Communication, v.57, No. 12, (1986), p. 901-903.

265. Choi Y.S., Lee C.G., Cho S., Transparent conducting ZnxCdl-xO thin films prepared by sol-gel process, Thin Solid Films, v.289, (1996), p. 153-158.

266. Chu T.L., Shirley S.Chu Degenerate Cadmium Oxide Films for Electronic Devices, Journal of Electr.Mater., Vol 19,N 9 (1990), p. 1003-1005.

267. Баранов A.M., Малов Ю.А., Терешин C.A., Преобразователь световой энергии в электрическую на основе гетероструктуры n-CdO/a-C/p-Si, Труды Всероссийской конференции"Алмазы в технике и электронике", Москва, 26-28 мая 1997, стр.89-90

268. Баранов A.M., Малов Ю.А., Терёшин С. А., Вальднер В.О., Исследование свойств пленок CdO , Письма в ЖТФ, т.23, вып. 20, 1997, стр. 72-74.

269. Физика соединений А2 В6 под ред. А.Н. Георгобиани, Москва, Наука ,1986, 280 с.

270. A.M. Баранов, Ю.А. Малов, С. А. Терёшин, В.О. Вальднер, Преобразователь световой энергии в электрическую на основе р-n перехода с поверхностным изотипным гетеропереходом, Патент РФ JV2 2099818 от 11.04.96.

271. Baranov A.M., Sleptsov V.V., Nefedov A.A., Varfolomeev A.E., Fanchenko S.S., Calliari L., Speranza G., Ferrari M., and Chiasera A., «Erbium Photoluminescence in Hydrogenated Amorphous Carbon», Phys. Stat. Sol. (b) 2002, V. 234, No.2, R1-R3.

272. Tereshin S.A., Baranov A.M., Yu. A. Malov, E.U. Michailutz, Spontaneous Radiation in Short Period Superlattices on the Base of Carbon Multilayer Heterostructures, Diamond and Related Materials, 1997, v.6, p. 1106-1110.

273. Baranov A.M., Varfolomeev A.E., Nefedov A.A., Anderle M, Calliari L., Speranza G, Laidany N., "Observation of photodiode and electroluminescence effects for a-C/a-C:H multilayers on silicon", Diamond and Related Materials, 2001, Vol. 10, p. 1040-1042.

274. Daughton J.M., J. Appl. Phys. 1997. V. 81. p. 3758-3760.

275. Zhang J., Data Storage. 1998. V. 5. p. 31-35.

276. Baranov A.M., Kondrashov Р.Е., Smirnov I.S., "In situ x-ray reflectivity for thin -film deposition monitoring and control", Solid State Technology, N5, 1999, p. 53-58.