Повышение герметичности и надёжности спаев алмаз-металл с помощью многослойной тонкоплёночной структуры тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат наук Каракулов Руслан Александрович

• Каракулов Руслан Александрович
• кандидат наук
• 2021

Оглавление диссертации кандидат наук Каракулов Руслан Александрович

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. Характеристика СУО-алмаза и способов его соединения с металлами

1.1. Физико-химические особенности СУО-алмаза

1.2. Анализ существующих способов соединения СУО-алмаза (керамики) и металлов

Выводы к главе

Глава 2. Обоснование выбора материалов, методов и режимов нанесения многослойного покрытия на СУО-алмаз

2.1. Выбор состава и структуры металлизационного покрытия СУО-алмаза

2.3. Планирование экспериментов для определения толщины слоёв покрытия

2.4. Анализ механизмов формирования тонкоплёночного покрытия

2.4.1. Модели зародышеобразования

2.4.2. Модели роста плёнок

2.4.3. Модель роста и формирования структуры покрытия ТьСи-№

Выводы к главе

3.1. Требования к технологическому оборудованию

3.2. Описание основных модулей установки «МВУ Магна ТМ»

3.3. Проведение экспериментов по металлизации образцов керамики (22ХС) и СУО-алмаза

3.3.1. Оценка толщины слоёв покрытия

3.3.2. Предварительная обработка поверхности СУО-алмаза

3.3.3. Фазовый анализ покрытия на СУО-алмазе

3.4. Пайка опытных образцов

3.4.1. Проверка герметичности спаев алмаз-медь

3.4.2. Оценка механической прочности

Выводы к главе

4.1. Модернизация технологии

4.1.1. Исследование границы ТьС

4.1.2. Влияние межстадийного отжига

Стр.

4.1.3. Изменение конструкции манжеты

4.2. Разработанная технология соединения СУО-алмаза с медной манжетой

4.3. Эксплуатационные характеристики спая СУО-алмаза с медной манжетой

4.3.1. Оценка вакуумной плотности

4.3.2. Проверка надёжности спаев

Выводы к главе

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ И ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

ВВЕДЕНИЕ

Постоянное развитие СВЧ техники влечёт за собой увеличение мощности излучения, выводимого из приборов. Этим обусловлено применение материалов, к которым предъявляются повышенные требования по таким характеристикам, как тангенс угла диэлектрических потерь (tg6), теплопроводность, коэффициент температурного линейного расширения (КТЛР), механическая прочность. Поэтому широкое применение получили корундовая (22ХС) и алюмонитридная керамики (AN), поликристаллический CVD-алмаз (CVD - chemical vapor deposition, химическое парофазное осаждение); исследуется возможность использования карбида кремния (SiC). Однако по сочетанию важнейших параметров для электронных приборов самым перспективным можно считать именно искусственный алмаз, превосходящий природный количеством дефектов и более низкой стоимостью (Таблица 1).

Таблица

Свойства диэлектриков, применяемых в СВЧ-технике

Материал КТЛР, -' к ^ Вт I еплопроводность, — м-К Предел прочности, МПа tg6

22ХС 7,9 -10-6 12,1

AN (Нитал-17) 4,5

CVD-алмаз 0,8 -10-6 2000 500 0,5

CVD- SiC 4,4 -10-6 150 480 0,6

Ярким примером использования CVD-алмаза является СВЧ прибор гиротрон.

Один из альтернативных источников энергии - управляемый термоядерный синтез. Реакции между дейтерием и тритием, в результате которых и выделяется энергия, протекают в специальной установке с магнитной ловушкой - токамаке.

Находящуюся в нем плазму нужно разогревать до очень больших температур. Для этого и используется гиротрон - электровакуумный СВЧ прибор с электронным пучком, вращающимся с циклотронной частотой в сильном магнитном поле (Рисунок В.1).

Рисунок В.1. Гиротрон «Везувий 14» [1]

Для вывода энергий мощностью 1 -2 МВт используются поликристаллические алмазные диски диаметром более 50 мм и толщиной 1-2 мм, обладающие рекордно низким тангенсом угла диэлектрических потерь и высокой теплопроводностью. В связи с этим, потери СВЧ мощности при прохождении через алмазный диск не превышают 0,2 %, температура диска в центре не больше 100 °С и стабилизируется в течение единиц секунд [1]. Использование этого

материала практически сняло проблему прохождения мегаваттного излучения в непрерывном режиме через окно вывода энергии.

Однако ввиду большой разницы КТЛР (Рисунок В.2) между искусственным алмазом [2] и конструкционными металлами СВЧ приборов (медными изделиями) существует проблема получения вакуумно-плотных (натекание менее 1 0 _ 1 0 П а ■ м 3/ с ), механически прочных (более 10 МПа), термоциклически надёжных спаев (количество выдерживаемых термоциклов не менее 10 в режиме 20-500-20 °С ). Кроме того, высокая экономическая стоимость алмаза, полученного методом СУБ, ограничивает возможность активного исследования его взаимодействия с металлами при высоких температурах.

Температура (аО

Рисунок В.2. Зависимость КТЛР СУБ-алмаза от температуры [2]

Одним из основоположников разработки технологии соединения алмаза с металлическими изделиями является Ерошев В.К. Ряд патентов по получению герметичных узлов вывода энергии с применением СУБ-алмаза в качестве окна принадлежит НПП «Исток» (Ляпин Л.В., Сытилин С.Н., Павлова М.А.). Известны результаты исследований научных групп из США (Зарнок К.П., Яковенгело К.Д.) по предварительной металлизации алмаза вольфрамом при высокой температуре и дальнейшей пайке с металлической арматурой. В работах Е. Такахаши также описывается предварительная металлизация алмаза (алюминием). Известны примеры использования многослойного покрытия алмаза на основе карбидообразующих металлов ряда титан, молибден, никель, в которых с целью

повышения адгезии содержится промежуточный слой кремния (работы Крысова Г.А., Духновского М.П., Ратниковой А.К.). На предприятии ЗАО НПП «Гиком» применяется технология пайки CVD-алмаза и медных манжет с предварительным нанесением на зону пайки пасты, содержащей титан, медь и серебро.

Анализ проведенных исследований и существующих технологий показал, что некоторые данные противоречат друг другу, известные методы обладают определёнными недостатками и не позволяют получать требуемые характеристики спаев алмаза с металлом. Новым решением данной проблемы может стать использование многослойной металлизационной структуры, наносимой методами вакуумного плазменного осаждения перед пайкой.

Поэтому целью данной работы является научное обоснование выбора материалов, методов и режимов нанесения на поликристаллический CVD-алмаз многослойного покрытия, обеспечивающего заданные требования к спаям по герметичности и надежности.

Для достижения поставленной цели необходимо решить ряд задач:

• определение материалов тонкоплёночной структуры и количества слоёв;

• выбор метода и технологического оборудования для нанесения покрытий;

• оптимизация толщины слоёв структуры и параметров техпроцесса металлизации;

• исследование фазовых превращений непосредственно после нанесения и после термообработки покрытия;

• проверка герметичности и надёжности опытных образцов.

В ходе выполнения работы определены положения научной новизны: 1) установлено наилучшее сочетание материалов (С:Т1-Си-№) и толщин

(1 - 3 мкм) слоёв покрытия для спаев алмаз-металл, обеспечивающее требуемые

10

показатели герметичности (менее 10- Па- м^/с) и надежности (более 10 термоциклов в режиме 20-500-20 °С);

2) разработана модель диффузионного и фазового взаимодействия слоёв металлизации с CVD-алмазом, заключающаяся в локальном образовании карбида (Т1С) после ионной обработки и формировании сплошного покрытия в результате отжига;

3) выявлена взаимосвязь герметичности спая алмаз-металл с режимами термообработки - для получения вакуумно-плотных соединений необходимо проведение длительного (не менее 3 ч) высокотемпературного (700 °С) отжига после формирования каждого слоя покрытия.

Положения, выносимые на защиту:

1) величина адгезии многослойной металлизации к алмазу зависит от материала и толщины каждого слоя - для покрытия из титана, меди и никеля рекомендуется соотношение толщин 3 мкм, 3 мкм и 1 мкм, соответственно;

2) герметичность и надёжность спая алмаз-металл зависит от конструктивных особенностей медной манжеты и режимов формирования покрытия - в месте спая манжета должна быть тонкостенной (0,8...1,5 мм) и не иметь концентраторов напряжений, а покрытие следует подвергать термообработке при температуре 700 °С длительностью не менее 3 часов после нанесения каждого слоя для релаксации внутренних напряжений и активации диффузионных процессов;

3) наличие промежуточных фаз алмаз-металл и металл-металл, образующихся при термообработке, определяют механическую прочность и вакуумную плотность спая - чем больше хрупких фаз (Си3Т1, №3Т1), тем соединение менее надёжное.

Практическая ценность исследований:

1) разработаны рекомендации по распределению толщин чередующихся слоев металлов (Т1-Си-№), обеспечивающих герметичные соединения алмаз-металл и керамика-металл;

2) предложена методика проведения технологического процесса нанесения многослойной тонкопленочной структуры в едином вакуумном цикле

или в рабочей камере с тремя магнетронными источниками, или с использованием установки шлюзового типа;

3) разработаны рекомендации по использованию методик планирования экспериментов (ПФЭ или ДФЭ) для оптимизации толщины каждого слоя металлизации по критерию максимальной прочности соединения.

Учитывая данные положения, можно будет получать эффективные спаи алмаза с металлом, применяемые в СВЧ технике (производство гиротронов, клистронов, ламп бегущей волны).

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Повышение герметичности и надёжности спаев алмаз-металл с помощью многослойной тонкоплёночной структуры»

Апробация работы

Основные положения диссертационной работы докладывались на:

• XXI Международной научно-технической конференции «Высокие технологии в промышленности России», Москва, 2016;

• Всероссийском форуме научной молодёжи «Богатство России», Москва, 2017;

• 3-й международной научно-практической конференции, Курск, 2017;

• XII международной научно-технической конференции «Вакуумная техника, материалы и технология», Москва, 2017;

• 24-й научно-технической конференции с участием зарубежных специалистов «Вакуумная наука и техника», Крым, 2017;

• 25-й научно-технической конференции с международным участием «Вакуумная техника и технологии - 2018», Санкт-Петербург, 2018.

Достоверность полученных научных результатов, выводов и рекомендаций диссертационной работы обусловлена использованием современного аттестованного метрологического оборудования. Подтверждена результатами проведённых экспериментальных исследований и внедрением разработанных методик в технологический процесс изготовления гиротронов (ЗАО НПП «Гиком»), а также в производство вакуумного оборудования предприятием АО «НИИТМ».

Глава 1. Характеристика CVD-алмаза и способов его соединения с

металлами

1.1. Физико-химические особенности CVD-алмаза

CVD-алмаз - это искусственно созданный алмаз, полученный методом CVD (химического осаждения из паровой фазы). Алмаз состоит, как уголь или графит, из углерода. Основное отличие состоит в расположении атомов углерода в материале (т.е. в кристаллической решетке). Графит является более стабильной формой углерода, и поэтому алмаз очень редко встречается в природе. Для преобразования графита в алмаз необходимы условия высоких давления и температуры. При этом алмаз становится более стабильной кубической аллотропной формой углерода. Методика роста НРНТ (High Pressure High Temperature), разработанная в 1950-ых годах, основана на кристаллизации из расплава при высокой температуре и высоком давлении [3]. Возможность получения алмазов из газовой фазы (CVD) была обнаружена позже в 1970-1980-ых. Для CVD-алмаза углеродсодержащий газ разлагается и атомы углерода осаждаются на поверхности (Рисунок 1.1).

Рисунок 1.1. Схема процесса получения CVD-алмаза [3]

При надлежащих условиях рост кристаллов алмаза может быть преобладающим, и рост графита подавлен. Для CVD-алмаза атомарный водород играет ключевую роль. Его получают диссоциацией молекул водорода (Н2). Итак, необходимы технологический газ, который состоит в основном из водорода (> 90%), и активация газа, например, с помощью интенсивной плазмы или горячей нити, чтобы разбить молекулы водорода. Атомарный водород, как известно, селективно травит графит и разбивает двойные связи, таким образом, преобразовывая графитовые соединения в алмазные [4].

Обычно для получения CVD-алмаза используют смесь водорода и метана [5]. Типичные температуры роста - 700-900 °С. Использование более низких температур возможно, но при сильно уменьшенных темпах роста. На больших площадях (> 100 см ) алмаз обычно осаждается со скоростями от 0,1 до 10 мкм в час. Следовательно, это очень медленный процесс. Для небольших участков (< 1 см ) были продемонстрированы значительно более высокие темпы роста (> 100 микрон в час). Алмаз может быть выращен на различных материалах: алмаз, кремний, вольфрам, молибден, карбид кремния, нитрид кремния, кварцевое стекло, твердые сплавы и т.д. Основные требования: материал должен быть способен выдерживать высокие температуры и не растворять углерод.

Монокристаллический алмаз получают путем нанесения на подложку кристаллов алмаза (затравки), таким образом может быть увеличен размер кристалла. В этом случае новые атомы углерода добавляются к существующей решетке алмаза. Это называется гомоэпитаксией. На неалмазных подложках предварительная обработка поверхности необходима, чтобы обеспечить образование алмазов. Например, путем полировки кремниевой подложки алмазным порошком крошечные алмазные частицы остаются на поверхности, которые действуют как затравка для роста мелких кристаллов. Во время осаждения размер этих кристаллов увеличивается, пока они не образуют сплошной слой компактных мелких кристаллов алмаза (зерен), т.е. поликристаллического алмаза. Следовательно, только поликристаллический алмаз доступен в виде больших дисков диаметром более 100 мм.

Поверхность выращенного поликристаллического алмазного диска довольно груба (как наждачная бумага). Поэтому полировка - это очень важный этап обработки для многих применений диска. Шероховатость поверхности полированного алмаза, как правило, несколько нанометров. Таким образом, в зависимости от качества поверхности и внутренней структуры существуют различные варианты подложек из CVD-алмаза (Рисунок 1.2).

Рисунок 1.2. Подложки CVD-алмаза [6]

Природные алмазы демонстрируют широкий ряд свойств. Была создана сложная система для категоризации природных алмазных камней относительно цвета, чистоты, дефектов и так далее. Высококачественные поликристаллические CVD-алмазы действительно имеют аналогичные свойства, как и идеальные природные камни [6]. Ряд искусственно выращенных монокристаллических СУи-алмазов показывали свойства, даже превосходящие свойства лучших из природных камней [7].

В областях, нуждающихся в небольших количествах алмаза, таких как нанесение тонких алмазных пленок или мембран, стоимость такого производства довольно низкая. Тем не менее, толстые, большие по площади алмазные диски, например, более 1 мм толщиной, являются дорогостоящими. Это происходит главным образом потому, что процесс осаждения требует довольно много энергии, скорости роста являются низкими и оборудование достаточно

дорогостоящее. Поэтому обычно алмаз используется только в случае необходимости. С другой стороны, польза от алмазного продукта часто превышает затраты на сегодняшний день. В частности, когда алмаз является ключевым компонентом, т.е. в экстремальных случаях, когда никакой другой материал не отвечает требованиям.

Наиболее важными свойствами CVD-алмаза являются:

• твердость (85-100 ГПа);

• теплопроводность (Рисунок 1.3);

• широкая полоса оптической прозрачности (от ультрафиолетового до радиоволнового);

• чрезвычайная химическая инертность (не вступает в реакцию с кислотами или другими химическими веществами);

• графитизация возможна только при очень высоких температурах (Т > 700 °С в кислородсодержащей и 1500 °С в инертной атмосфере) [8].

Рисунок 1.3. Зависимость теплопроводности СУБ-алмаза от

температуры [2]

1.2. Анализ существующих способов соединения СУБ-алмаза (керамики) и металлов

Решение проблемы соединения алмаза (керамики) с металлами для получения узла, способного работать в условиях многоцикловой смены температуры от низкой к высокой и обратно при резком перепаде давления осуществлялось в течение длительного времени.

Выделяют 2 основных способа пайки подобных узлов [9]:

• нанесение металлизационного слоя на поверхность диэлектрика и последующая пайка с металлом припоем;

• метод активной пайки с использованием в качестве припоя соединения на основе титана или циркония.

Первый метод применялся ещё в начале 20-го века, когда металлизация осуществлялась специальной пастой, состоящей из молибдена и железа. Железо вводилось для снижения температуры вжигания пасты и получения более плотного соединения. Это обеспечивается не только реакциями химического взаимодействия, протекающими при высокотемпературном вжигании металлизирующих паст, но и за счёт миграции стеклофазы (если речь идёт о керамике) в металлизационный слой. Далее применялись молибден - марганцевые пасты.

Второй метод имеет три разновидности:

• пайка диэлектрика непосредственно с титаном или цирконием, при этом активные компоненты переходят в припой в результате частичного растворения металлических манжет;

• пайка с предварительным нанесением на место соединения порошка активного металла или его гидрида;

• пайка с применением активных припоев, т. е. припоев, содержащих в составе титан или цирконий.

Основное достоинство этого метода - его простота, т. к. при этом не требуется предварительная металлизация диэлектрической детали. Однако метод активной пайки имеет ряд недостатков. Один из них заключается в том, что

процесс пайки необходимо проводить в вакууме порядка Па, либо в среде

инертных газов, не содержащих кислорода и паров воды.

В настоящее время на предприятии ЗАО НПП «Гиком» (производителе гиротронов в России) реализуется технология пайки алмаза с медными манжетами, которая включает предварительную гидроабразивную обработку области спая и последующее «ручное» нанесение металлизационной пасты (смесь порошков титана и меди); далее паста вжигается и алмазный диск паяется с медными манжетами. Однако у этого способа есть ряд недостатков: при гидроабразивной обработке в алмазном диске возникают микротрещины, металлизационный слой наносится неравномерно - всё это приводит к потере вакуумной плотности и термоциклической надёжности, в результате чего выход годных выводов энергии на данный момент составляет всего 70 %. Но даже у герметичных узлов термоциклическая надёжность низкая - при обезгаживании СВЧ прибора с такими окнами вывода энергии не допускаются температуры выше 250-300 ° С. Этот факт негативно сказывается на эксплуатационных характеристиках гиротрона. Поэтому требуется изготавливать соединения с допустимой верхней границей при термоциклировании на уровне 500-600 ° С.

Существуют и другие методы соединения диэлектриков (CVD-алмаза) с металлами. В патенте США [10] описывается технология металлизации алмаза вольфрамом методом газофазного осаждения при низком вакууме. Температура процесса составляет 700-1200 °С , давление 0,1-3 Торр, газовая среда H2/WF6 (водород/гексафторид вольфрама). За 1 час осаждается порядка 10-30 мкм слоя вольфрама. Данный процесс очень трудоёмкий, а под воздействием высоких температур диэлектрик теряет свои уникальные свойства.

Также опубликованы патенты Ляпина Л. В., в которых описываются способы соединения CVD-алмаза с металлом. В первом изобретении [11] автор приводит технологию изготовления окна вывода энергии СВЧ путём предварительного нанесения в вакууме на алмаз карбидообразующих металлов общей толщиной не более 1 мкм с последующим гальваническим осаждением слоя никеля толщиной не более 0,5 мкм. Во втором патенте [12] Ляпин Л. В.

описывает схожую технологию получения спая алмаз-металл, однако необходимую толщину многослойного покрытия заключает в диапазон 1 -8 мкм. В заключительной публикации [13] автор приводит результаты исследований по использованию карбидообразующих материалов, таких как титан, железо, вольфрам, молибден, и указывает на общую толщину многослойного покрытия 1,3-1,8 мкм.

Известен способ изготовления окна вывода энергии СВЧ на основе диэлектрической пластины из алмаза [14], включающий её предварительную обработку, нанесение на неё покрытия в виде слоя алюминия для последующего герметичного соединения с металлическим волноводом сваркой. Однако использование алюминия, во-первых, ограничивает возможности последующих технологических воздействий на конструкцию окна вывода энергии СВЧ, например, отжиг и обезгаживание при температурах 500-550 °С, а также последующих ступенчатых паек; во-вторых, из-за его низкой коррозионной стойкости в водных охлаждающих средах, в том числе содержащих ингибиторы, предназначенные для снижения коррозии алюминия, приводит к разрушению герметичного соединения окна вывода энергии СВЧ с металлическим волноводом, а, следовательно, выходу его из строя.

Также известно многослойное металлизационное покрытие алмаза на основе карбидообразующих металлов ряда титан, молибден, никель, в котором с целью повышения адгезии покрытие содержит промежуточный слой кремния толщиной 0,04-0,1 мкм и слоя соединения кремния с углеродом непосредственно на поверхности алмаза [15].

Способ заключается в формировании упомянутого промежуточного слоя кремния непосредственно на поверхности алмаза с последующим облучением его ускоренными ионами. Однако данное многослойное металлизационное покрытие требует достаточно сложного процесса как с точки зрения его осуществления, так и с точки зрения контроля его технологических параметров. Более того, адгезия металла к алмазу порядка 800 кгс/см , которую обеспечивает данное покрытие, в

ряде случаев, например, для вакуумных изделий электронной техники СВЧ, является недостаточной для обеспечения необходимой прочности и надежности.

Выводы к главе 1

1) Каждая из приведённых в главе 1 технологий обладает определёнными недостатками, некоторые данные противоречат друг другу и не позволяют получать требуемые спаи алмаза с металлом.

2) Раскрыто текущее состояние проблемы соединения металлических изделий и CVD-алмаза с учётом его физико-химических характеристик.

3) Проанализированы патенты, статьи, диссертации в этой области и сделан вывод о том, что наиболее эффективно использовать предварительную металлизацию алмаза карбидообразующими материалами.

4) Для обеспечения необходимой при эксплуатации СВЧ приборов адгезии покрытия суммарная толщина тонкоплёночной структуры должна лежать в диапазоне 1 мкм ... 8 мкм.

Глава 2. Обоснование выбора материалов, методов и режимов нанесения многослойного покрытия на СУБ-алмаз

2.1. Выбор состава и структуры металлизационного покрытия СУБалмаза

Определение плёнкообразующих материалов является ключевой задачей на начальной стадии разработки металлизации, поскольку от этого напрямую зависят характеристики спая алмаза с металлом.

Взаимодействие покрытия с алмазом и манжетами (медными) обусловлено активными диффузионными и химическими процессами. Пайку планируется проводить припоем ПСр-72 (температура плавления 779 ° С ) [16]. Следовательно, заключительным слоем металлизации следует выбрать никель, поскольку известно, что припой ПСр-72 хорошо смачивает никелированную поверхность (это распространённая технология пайки) [17]. Об активности химического взаимодействия ряда материалов с углеродом алмаза свидетельствуют данные работы [18] (Таблица 2).

Таблица 2.

Взаимодействие углерода алмаза с металлами и неметаллами

Взаимодействие с алмазом Элементы

Ag Au B Si о- Mn Fe № Mo W

Отсутствует + + +

С образованием устойчивых карбидов + + + + +

С образованием неустойчивых карбидов + + + + +

Растворяют углерод + + + + +

Анализируя составы металлизаций, которые используются в настоящее время на предприятии «Гиком» (TiCuAg) и описанные в патентах Ляпина Л. В., можно сделать вывод, что первым слоем металлизации должен быть карбидообразующий материал (молибден, железо, вольфрам, хром или титан). Эффективность применения в исследуемой технологии пайки того или иного металла можно оценить, изучив диаграммы состояний их взаимодействия с углеродом.

Химическое соединение молибдена с углеродом (образование карбида MoC) образуется при температурах на уровне 1200 ° С (Рисунок 2.1) [19].

Рисунок 2.1. Диаграмма состояний Mo-C [19]

Однако при данной температуре начинают протекать процессы графитизации алмаза (900-1000 ° С ), что приводит к ухудшению диэлектрических свойств материала и недопустимо в условиях эксплуатации спая.

Железо химически активно начинает взаимодействовать с углеродом при температуре 580 ° С , образовывая фазу Бе3С (Рисунок 2.2).

Рисунок 2.2. Диаграмма состояний Бе-С [19]

При температуре 727 начинают протекать процессы перестроения кристаллической решётки. Поскольку температура пайки приблизительно равна 780 ° С , то использование железа после охлаждения приведёт к дополнительным напряжениям на границе алмаз-металл. То есть смена кристаллических решёток нежелательна как при высокотемпературном отжиге металлизации, так и в ходе пайки.

Соединение карбид вольфрама ^2С) образуется при температурах 11001250 °С (Рисунок 2.3).

Рисунок 2.3. Диаграмма состояний W-C [19]

Согласно диаграмме состояний О"^ (Рисунок 2.4) эвтектическое соединение хрома с углеродом образуется при температуре 1579 ° С.

Рисунок 2.4. Диаграмма состояний Cr-C [19]

Фаза карбида титана (Т^) формируется уже при температуре 882 ° С (Рисунок 2.5).

Рисунок 2.5. Диаграмма состояний ТьС [19]

Поскольку металлизационная структура многослойная, то во избежание резких границ перед пайкой планируется проводить высокотемпературный отжиг. Температура не должна при этом превышать 900 °С (начало графитизации алмаза), а химическое и диффузионное взаимодействие материалов должно протекать максимально эффективно. Следует так же учитывать, что при пайке (температура равна 780 °С) не должно происходить перестроений кристаллических решёток на границах слоёв, что необходимо для получения наименее напряжённых структур. То есть возможный диапазон предварительной термообработки составляет 700-900 °С. Для наиболее активного протекания диффузионных процессов температура должна быть приближена к указанным значениям.

С учётом перечисленных критериев молибден, вольфрам, хром (графитизация алмаза) и железо (образование неустойчивого карбида) не могут быть выбраны в качестве адгезионного слоя металлизации. Титан -

карбидообразующий материал, который полностью удовлетворяет указанным требованиям.

Температура начала химического взаимодействия титана с никелем равна 630 °С (Рисунок 2.6) [20], поэтому необходимо использовать промежуточный слой, который взаимодействует и с титаном, и с никелем в диапазоне температур 780-900 °С, а также будет релаксировать термические напряжения в спае.

то то то то 800 600

А/С, % {по масее) О ГО го 30 40 50 60 70 60 90 /00

---т ~Г —Г -Т— ■ Т —г Т

Ж та- » Ю5*

/3 10° 8Щ Ш

ш 84°

« К

8821 765° \ Г

Г Ш) - __£ 50°

О ГО 20 30 ¥0 50 $0 70 80 90 Г00 П N1, <¥о(ат.) м£

Рисунок 2.6. Диаграмма состояний Ть№ [20]

Таким материалом является медь. Образование фаз с титаном начинается при температуре 800 °С (Рисунок 2.7) [21].

Рисунок 2.7. Диаграмма состояний Си-Т [21]

Для защиты меди от окисления и обеспечения смачиваемости припоем поверхности покрытия необходимо использовать третий слой. Для этих целей, как указывалось ранее, используется никель, с которым медь образует непрерывный ряд твёрдых растворов и с увеличением температуры взаимная растворимость только увеличивается (Рисунок 2.8).

Рисунок 2.8. Диаграмма состояний Си-№ [21]

Таким образом, металлизация алмаза представляет собой последовательно нанесённые слои титана, меди и никеля (ТьСи-№) [22]. Материалы выбраны из условия активного физико-химического взаимодействия в процессе высокотемпературного отжига при 700-800 °С.

2.2. Анализ методов нанесения покрытия Т1-Си-М

Для решения задачи металлизации алмаза тонкоплёночной структурой Ть Си-№ требуется проанализировать наиболее распространённые методы нанесения таких покрытий, провести их сравнение. После этого необходимо выбрать тип оборудования, на котором возможно реализовать требуемый техпроцесс. Для нанесения покрытий из титана, меди, никеля применяются методы магнетронного распыления, дугового, электронно-лучевого испарения или химического парофазного осаждения.

Сущность магнетронного распыления (Рисунок 2.9): выбивание атомов вещества из поверхностных слоев мишени высокоэнергетичными (0,7 - 5 кэВ) ионами рабочего газа (обычно инертного Аг) и осаждение сформированного потока частиц в виде тонкой пленки на поверхности подложки.

Рисунок 2.9. Схема магнетронного распыления [23]

Главной особенностью данного метода является наличие двух скрещенных полей - электрического и магнитного.

Если из мишени-катода будет испускаться электрон (за счет вторичной электронной эмиссии), то траектория его движения будет определяться действием на него этих полей [23]. Под воздействием электрического поля электрон начнет двигаться к аноду. Действие магнитного поля на движущийся заряд приведет к возникновению силы Лоренца, направленной перпендикулярно скорости. Суммарное действие этих сил приведет к тому, что в результате электрон будет двигаться параллельно поверхности мишени по сложной замкнутой траектории, близкой к циклоиде.

Важным здесь является то, что траектория движения замкнутая. Электрон будет двигаться по ней до тех пор, пока не произойдет несколько столкновений с атомами рабочего газа, в результате которых они ионизируются, а сам электрон, потеряв скорость, переместиться за счет диффузии к аноду. Таким образом, замкнутый характер траектории движения электрона резко увеличивает вероятность его столкновения с атомами рабочего газа. Это означает, что газоразрядная плазма может образовываться при достаточно низких давлениях, что приведет к наибольшей чистоте пленки. Кроме того, ионизация газа происходит непосредственно вблизи поверхности мишени, из-за чего резко возрастает интенсивность её бомбардировки ионами рабочего газа, и тем самым увеличивается скорость распыления мишени и, как следствие, скорость роста пленки на подложке (скорость достигает нескольких десятков нм/с).

Достоинства метода:

а) универсальность (можно наносить металлы, сплавы, диэлектрики, магнитные композиции) [24];

б) регулируемая скорость осаждения;

в) высокая чистота покрытий;

г) относительно простая конструкция;

д) возможность нанесения нескольких покрытий в одном технологическом цикле.

К недостаткам относятся низкая и нерегулируемая энергия осаждаемых частиц.

Вакуумное дуговое плазменное нанесение покрытий или катодно-дуговое осаждение (Рисунок 2.10) — это физический метод нанесения покрытий (тонких плёнок) в вакууме путём конденсации на подложку (изделие, деталь) материала из плазменных потоков, формируемых на мишени в катодном пятне вакуумной дуги сильноточного низковольтного разряда, развивающегося в парах материала электрода [25].

о-

инертный I рабочий) гат реакционный газ

подложка

подача напряженна

испаряемый ^атернат

вакуумная камера

т Г т т Г

катодное пятно

осаждаемый материал

подача мощности

Рисунок 2.10. Схема вакуумного дугового осаждения [26]

Заметная трудность в процессе вакуумно-дугового испарения заключается в том, что если катодное пятно остаётся в точке испарения слишком долго, оно эмитирует большое количество макрочастиц, или капельной фазы [26]. Эти макровключения снижают характеристики покрытий, так как они имеют плохое сцепление с подложкой и могут по размерам превосходить толщину покрытия, то есть проступать сквозь него. Для решения данной проблемы проводят непрерывное перемещение катодного пятна по большому и массивному катоду [27], имеющему достаточно большие линейные размеры. Для управляемого перемещения катодных пятен по поверхности катода используются магнитные поля.

Таким образом, к достоинствам этого метода можно отнести высокие скорость осаждения, энергию конденсирующихся частиц, степень ионизации (до

Значимым недостатком является наличие капельной фазы в процессе формирования плёнки. Также сюда относятся нерегулируемая энергия осаждаемых частиц и сложность конструкции [29].

В производстве широко используется электронно-лучевые испарители, дающие возможность получения тонких пленок металлов, сплавов и диэлектриков. Для формирования потока электронов предназначена электронная

80%) [28].

пушка, состоящая из вольфрамового термокатода и фокусирующей системы (Рисунок 2.11).

В электронной пушке с поверхности катода происходит эмиссия свободных электронов и их формирование под действием ускоряющих и фокусирующих электростатических и магнитных полей в пучок [30], который выводится в рабочую камеру через выходное отверстие. Для подведения электронного пучка к тиглю с испаряемым материалом и обеспечения его требуемых параметров используются главным образом магнитные фокусирующие линзы и отклоняющие системы. Беспрепятственное прохождение такого пучка до объекта возможно только в высоком вакууме. Вследствие бомбардировки поверхности электронным пучком, материал нагревается до температуры, при которой происходит его испарение с требуемой скоростью. В образующийся поток помещается подложка, на которую конденсируется испаряемое вещество. Испарительное устройство дополняется средствами измерения и контроля, которые особенно важны для управления электронным пучком в процессе напыления [31].

Достоинствами этого метода являются: высокая скорость осаждения, высокая чистота покрытий и простота реализации.

Повгрхносп испарения

тигель

Рисунок 2.11. Схема электронно-лучевого испарения [30]

К недостаткам следует отнести: нерегулируемую скорость осаждения частиц, невысокий КПД и низкую энергию осаждаемых частиц.

CVD - процесс (англ. Chemical vapor deposition химическое парофазное осаждение) химический процесс, используемый для получения высокочистых твёрдых материалов. Процесс часто используется в индустрии полупроводников для создания тонких плёнок. Как правило, при процессе CVD подложка помещается в пары одного или нескольких веществ, которые, вступая в реакцию и/или разлагаясь при высоких температурах (800-1300°С) [32], производят на поверхности подложки необходимое вещество. Часто образуется также газообразный продукт реакции, выносимый из камеры с потоком газа (Рисунок 2.12).

•УООМО* отмрсти* ДЛИ ГО зо» реоктор 1 распредели тельным «окус

держатель подпоже« могр«»отель

Рисунок 2.12. Химическое парофазное осаждение [33]

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Каракулов Руслан Александрович, 2021 год

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

1. Мясников В. Е. Развитие сверхмощных длинноимпульсных и непрерывных гиротронов в диапазоне 110.. .170 ГГц / В. Е. Мясников и др. // Радиотехника. 2000. №2. С. 67.

2. Diamond materials // the CVD diamond booklet. URL. http://www.diamond-materials.com/downloads/cvd_diamond_booklet.pdf (дата обращения: 19.05.2016).

3. Лагутенков А. Идентификация синтетических алмазов // Экспо-ювелир. 2016. №3. С. 110-112.

4. CVD Diamond // FAQ (часто задаваемые вопросы) о CVD алмазе. URL. http://www.cvd-diamond.com/faq_en.htm (дата обращения: 19.05.2016).

5. CVD алмаз // ДИАТЕХ. URL. http://www.intech-diamond.com/cvd-almaz.html (дата обращения: 09.08.2016).

6. Yan Chin-Shiue, Mao Ho-Kwana, Li Wei, Qian Jiang, Zhao Yusheng, Hemley Russell. Ultrahard diamond single crystals from chemical vapor deposition // Physica status solidi. 2005. Vol. 201. P. R25.

7. Хмельницкий Р.А., Талипов Н.Х., Чучева Г.В. Синтетический алмаз для электроники и оптики. М.: Издательство ИКАР, 2017. 228 с.

8. Хомич А.А. Особенности проявления размерных эффектов и радиационного разупорядочивания в оптических свойствах алмаза: диссертация на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук. Москва. 2015. 184 с.

9. Ерошев В. К., Козлов Ю. А., Павлова В. Д. Конструирование и технология изготовления паяных металлокерамических узлов. Москва: ЦНИИ «Электроника». 1988. 186 с.

10. Tungsten metallization of CVD diamond: patent number 5346719 US: Int. Cl. B05D 5/12 / K.P. Zarnoch, C.D. Iacovangelo; Assignee: General Electric Company. Appl. No.: 100406; filed: Aug. 2, 1993.

11. Способ изготовления окна вывода энергии СВЧ: пат. 2300162 РФ: МПК H01P 1/08 / Л.В. Ляпин, С.Н. Сытилин, М.А. Павлова; патентообладатель Федеральное государственное унитарное предприятие «Научно-производственное предприятие «Исток» (ФГУП НПП «Исток»)». № 2005135030/09; заявл. 11.11.2005; опубл. 27.05.2007, Бюлл. №15.

12. Окно ввода и/или вывода энергии СВЧ: пат. 2313865 РФ: МПК Н01Р 1/08 / Л.В. Ляпин, М.А. Павлова, С.Н. Сытилин; патентообладатель Федеральное государственное унитарное предприятие «Научно-производственное предприятие «Исток» (ФГУП НПП «Исток»)». № 2006114543/09; заявл. 27.04.2006; опубл. 27.12.2007, Бюлл. №36.

13. Многослойное металлизационное покрытие алмаза или алмазосодержащих материалов и изделий из них и способ его нанесения: пат. 2399693 РФ: МПК С23С 14/34 / Л.В. Ляпин, С.Н. Сытилин, Г.А. Парилова, М.А. Павлова; патентообладатель Федеральное государственное унитарное предприятие «Научно-производственное предприятие «Исток» (ФГУП НПП «Исток»)». № 2008150870/02; заявл. 22.12.2008; опубл. 20.09.2010, Бюлл. №26.

14. E. Takahasi et al. Revien of Science Instruments, v.71 (11), 2000. P. 41394143.

15. Металлизированная пластина алмаза и способ её изготовления: пат. 2285977 РФ: МПК H01L 23/14 / Г.А. Крысов, М.П. Духновский, А.К. Ратникова; патентообладатель Федеральное государственное унитарное предприятие «Научно-производственное предприятие «Исток» (ФГУП НПП «Исток»)». № 2005107990/28; заявл. 21.03.2005; опубл. 20.10.2006, Бюлл. № 29.

16. Ланин В., Сафаров Р. Обеспечение вакуумной плотности металлокерамических узлов интегральных схем // Технологии в электронной промышленности. Санкт-Петербург: Принт24. 2018. С. 66-69.

17. Особенности пайки материалов для электронного машиностроения // МСД. URL. http://msd.com.ua/svarochnye-processy-v-elektronnom-mashinostroenii /osobennosti-pajki-materialov-dlya-elektronnogo-mashinostroeniya/ (дата обращения: 21.01.2017).

18. Павлова М., Сытилин С., Ляпин Л., Семенюк С. Поликристаллический алмаз и его соединения с металлами // Компоненты и технологии. Санкт-Петербург: Файнстрит. 2011. С. 164-168.

19. Диаграммы состояний двойных металлических систем: Справочник: В 3 Т.: Т.1 / Под общ. ред. Н.П. Лякишева. М.: Машиностроение. 1996. 992 с.

20. Диаграммы состояний двойных металлических систем: Справочник: В 3 Т.: Т.3. Кн.1 / Под общ. ред. Н.П. Лякишева. М.: Машиностроение. 2001. 872 с.

21. Диаграммы состояний двойных металлических систем: Справочник: В 3 Т.: Т.2 / Под общ. ред. Н.П. Лякишева. М.: Машиностроение. 1997. 1024 с.

22. Каракулов Р.А., Панфилов Ю.В. Формирование многослойной структуры для спаев алмаз-металл методом вакуумного дугового осаждения // Седьмая Российская студенческая научно-техническая конференция «Вакуумная техника и технология». Казань: Изд-во КНИТУ. 2015. С. 62-63.

23. Лекция 11. Методы получения тонких пленок // Репозиторий ГГУ. URL. http://repo.gsu.by/jspui/bitstream/123456789/4302/11 /%D0%9B%D0%B5% D0%BA%D1%86%D0%B8%D1 %8F%2011.pdf (дата обращения: 27.05.2018).

24. Васильев Д.Д., Каракулов Р.А. Осаждение тонких пленок нитрида титана реактивным ВЧ магнетронным распылением // Труды 16 -й международной конференции «Наукоемкие технологии и интеллектуальные системы»: Том 2 «Наукоемкие технологии». М.:МГТУ им. Н.Э Баумана. 2014. С. 222-225.

25. Vacuum arc coating // Titanium. URL. http:// www.nitridtitan.com /en/info/97-vacuum-arc-coating/ (дата обращения: 27.05.2018).

26. Хороших В. М., Аксенов И.И., Коновалов И.И. О структуре плазменных струй, генерируемых катодным пятном вакуумной дуги // ЖТФ. 1988. Т. 58, №6. С. 1220-1221.

27. Каракулов Р.А., Моисеев К.М. Получение тонкоплёночной композиции для спаев алмаз-металл методами вакуумного плазменного осаждения // Седьмая Всероссийская конференция молодых ученых и специалистов «Будущее машиностроения России»: Сборник трудов. М.: МГТУ им. Н.Э. Баумана. 2014. С.152-153.

28. Металлизация алмазных дисков методом вакуумного дугового осаждения / Каракулов Р.А. [и др.] // «Вакуумная техника, материалы и технология». Материалы X международной научно-технической конференции. М.: НОВЕЛЛА. 2015. С. 86-91.

29. Вакуумно-дуговые устройства и покрытия / Андреев А.А. [и др.]. Харьков: ННЦ ХФТИ. 2005. 236 с.

30. Физические основы микро- и нанотехнологий: учеб. пособие / Цветков Ю.Б. [и др.]. М.: Издательство МГТУ им. Н.Э. Баумана. 2009. 176 с.

31. Иванов А., Смирнов Б. Электронно-лучевое напыление: технология и оборудование // Промышленные технологии. Наноиндустрия. Москва: «Техносфера». 2012. С. 28-35.

32. Цветков Ю.Б. Процессы и оборудование микротехнологии: Модули 1 и 2: учебное пособие. М.: Издательство МГТУ им. Н.Э. Баумана. 2018. 122 с.

33. CVD-процесс // Академик. URL. https:// dic.academic.ru/dic.nsf/ruwiki/ 1266414 (дата обращения: 27.05.2018).

34. Магнетронные распылительные системы. Кн. 1. Введение в физику и технику магнетронного распыления. Киев: Аверс. 2008. 244 с.

35. Меледина Т.В., Данина М.М. Методы планирования и обработки результатов научных исследований: учеб. пособие. СПб.: НИУ ИТМО. 2015. 110 с.

36. Реброва И.А. Планирование эксперимента. Омск: СибАДИ. 2010. 105

с.

37. Технология тонких плёнок (справочник). Под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга. Нью-Йорк, 1970. Пер. с англ. под ред. М.И. Елинсона, Г.Г. Смолко, Т. 2. М.: «Сов. радио». 1977. 768 с.

38. Палатник Л.С., Фукс М.Я., Косевич В.М. Механизм образования и субструктура конденсированный плёнок. Москва: «Наука». 1972. 320 с.

39. Теоретические основы технологии полупроводниковых наноструктур / Дубровский В.Г. Санкт-Петербург: СПбГУ. 2006. 347 с.

40. Л. Ченг, К. Плог. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. М.: Мир. 1989. 600 с.

41. Монахов И.С., Кондрашев П.Е., Лысенко А.П., Новоселова Е.Г., Смирнов И.С. Изучение процессов роста пленок при магнетронном напылении методом in-situ рентгеновской рефлектометрии // Труды XV Межнационального совещания «Радиационная физика твердого тела». М.: НИИ ПМТ. 2005. С. 239243.

42. Джумалиев А.С., Никулин Ю.В., Филимонов Ю.А. Магнетронное осаждение тонких плёнок Cu (200) на подложки Ni (200)/SiO2/Si // Журнал технической физики, Санкт-Петербург: ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 2014, Т. 84, вып. 7. С. 152-155.

43. Thornton, J.A. Influence of apparatus geometry and deposition conditions on the structure and topography of thick sputtered coatings / J.A. Thornton // Journal of Vacuum Science & Technology. 1974. V. 11, № 4. P. 666-670.

44. Установка магнетронного распыления «МАГНА ТМ 7» в технологии создания тонкоплёночных ГИС СВЧ / Каракулов Р.А. [и др.] // Наноиндустрия. 2017. №2 (72). С. 80-86.

45. Технология металлизации диэлектрических материалов перед пайкой с металлической арматурой СВЧ приборов / Каракулов Р.А. [и др.] // Сборник научных трудов XXI Международной научно -технической конференции «Высокие технологии в промышленности России», XXVIII Международного симпозиума «Тонкие плёнки в электронике» и VIII Международной научно -технической конференции «Наноинженерия». М: МГТУ им. Н.Э. Баумана. 2016. С. 204-209.

46. Vacuum system «MAGNA TM 150-01K» for magnetron sputtering deposition of multilayer functional coatings / Karakulov R.A. [et al.] // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. 2018. P. 012055.

47. Нанесение многослойных функциональных тонких плёнок методом магнетронного распыления на установке «МАГНА ТМ 150-01К» / Каракулов Р.А. [и др.] // Наноиндустрия. 2019. Т. 12, №2 (88). С. 96-101.

48. Вакуумное оборудование для получения тонкоплёночных резисторов методом магнетронного распыления / Каракулов Р.А. [и др.] // Физика и технология наноматериалов и структур. Сборник научных статей 3-й Международной научно-практической конференции. В 2-х томах. 2017. С. 37-41.

49. Формирование многослойной тонкоплёночной структуры для спаев алмаз-металл вакуумными плазменными методами / Каракулов Р.А. [и др.] // «Вакуумная наука и техника». Материалы XXII научно-технической конференции. М.: МИЭМ. 2015. С. 129-133.

50. Технология соединения диэлектрических материалов с металлической арматурой СВЧ-приборов / Каракулов Р.А. [и др.] // Вакуумная техника и технология. 2017. Т. 27, №4. С. 9.1-9.5.

51. Каракулов Р.А., Панфилов Ю.В., Ильин В.Н. Повышение адгезионной прочности металлизации диэлектриков перед пайкой с арматурой СВЧ-приборов // Упрочняющие технологии и покрытия. 2018. Т. 14, №8 (164). С. 378-381.

52. Ахназарова С.Л., Кафаров В.В. Методы оптимизации эксперимента в химической технологии. М.: Высшая школа. 1985. 327 с.

53. Вакуумная техника: справочник / Панфилов Ю.В. [и др.]. М.: Машиностроение. 2009. 590 с.

54. Современный эксперимент: подготовка, проведение, анализ результатов / Блохин В.Г. [и др.]. М.: Радио и связь. 1997. 232 с.

55. Способ нанесения покрытия на алмазы: пат. 2090648 РФ: МПК С23С 14/18 / З.Ж. Беров, А.А. Карданов, М.М. Яхутлов; патентообладатель Кабардино -Балкарский государственный университет. № 94038355/02; заявл. 11.10.1994; опубл. 20.09.1997.

56. Углов А.А., Анищенко Л.М., Кузнецов С.Е. Адгезионная способность плёнок. Москва: «Радио и связь». 1987. 104 с.

57. Кривобоков В.П. Сочугов Н.С., Соловьёв А.А. Плазменные покрытия (методы и оборудования). Томск: Изд-во Томского политехнического университета. 2008. 104 с.

58. Технология соединения искусственного алмаза с металлической арматурой гиротрона / Каракулов Р.А. [и др.] // Богатство России. Сборник докладов. 2018. С. 141-143.

59. Ральченко В., Конов В. CVD-алмазы. Применение в электронике // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес. 2007. №4. С. 58-67.

60. Бобылев А.В. Механические и технологические свойства металлов. М.: Металлургия. 1987. 208 с.

61. Металловед // Медь, никель и их сплавы. URL. http://metallovednn.ru/ cuni.php (дата обращения: 19.03.2018).

62. Шморгун В.Г., Слаутин О.В., Евстропов Д.А., Таубе А.О., Бондаренко Ю.И. Структура и механические свойства металло -интерметаллидных композитов системы Ti - Cu // Вестник сибирского государственного индустриального университета. 2014. №1. С. 3-6.

63. Рудай В.В. Композиционные материалы TiC-TiNi с микроградиентной структурно-неустойчивой матрицей: диссертация на соискание учёной степени кандидата технических наук. Томск. 2014. 150 с.

64. Марочник стали и сплавов // Характеристика материала М0б.и^. http://splav-kharkov.com/mat_start.php (дата обращения: 10.05.2018).

65. Всё о датчиках температуры // Теплофизические свойства веществ. URL. http://temperatures.ru/pages/temperaturnyi_koefficient_ lineinogo_rasshireniya (дата обращения: 20.06.2018).

66. Илларионов В., Нанушьян С. Природа внутренних напряжений в защитных компаундах // Технологии: Компоненты и технологии. 2007. №7. С. 2526.

67. Шугуров А.Р. Влияние кривизны границы раздела плёнка/подложка на закономерности деформации и разрушения тонких металлических плёнок и керамических покрытий при внешних воздействиях: диссертация на соискание учёной степени доктора физико-математических наук. Томск. 2016. 367 с.

68. Кривоносова Е.А., Лодягина Т.В. Способы влияния на характеристики оксидов и сульфидов в сварных соединениях низколегированной стали // Вестник ПНИПУ. Машиностроение, материаловедение. 2014. Т. 16, №3. С. 14-20.

69. Диньмухаметова Л.С., Пояркова Е.В. Влияние термоциклической обработки на эксплуатационную стойкость сварных элементов с мягкими прослойками // Вестник науки ТГУ. 2015. №2. С. 36-41.

70. Ланин В., Керенцев А., Соловьёв Я. Факторы, влияющие на герметичность мощных транзисторов в металлокерамических и металлостеклянных корпусах // Технологии: Силовая электроника. 2010. №2. С. 106-111.