Создание высокоэффективных теплоотводов на основе поликристаллического алмаза для мощных полупроводниковых приборов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Ратникова, Александра Константиновна

• Ратникова, Александра Константиновна
• кандидат технических наук
• 2012

Оглавление диссертации кандидат технических наук Ратникова, Александра Константиновна

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕПЛОВЫХ ПРОЦЕССОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ

Введение

1.1 Оценка области нелокального тепловыделения в мощных полевых транзисторах

1.2 Моделирование теплового режима в полупроводниковых приборов с теплоотводами из различных материалов

1.2.1 Тепловой режим диодов Шоттки на карбиде кремния

1.2.2 Тепловой режим СВЧ транзисторов на основе

арсенида галлия

1.2.3 Тепловой режим транзисторов на основе

нитрида галлия

1.2.4 Анализ эффективности использования теплоотводов

из поликристаллического алмаза

1.3 Заключение 44 ГЛАВА 2. АЛМАЗНЫЙ ТЕПЛООТВОД

СПЕЦИАЛЬНОЙ ФОРМЫ

Введение

2.1 Конструкция алмазного теплоотвода

2.2 Получение изделий из пластин поликристаллического алмаза

2.3 Заключение 54 ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ ПРИ ФОРМИРОВАНИИ ТЕПЛООТВОДОВ НА ОСНОВЕ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО АЛМАЗА 55 Введение 55 3.1 Исследование физических процессов при термохимической

обработке поверхности поликристаллического алмаза

3.2 Высокоадгезионная теплопроводящая металлизация поликристаллического алмаза

3.3 Обработка поверхности композиционного материала

алмаз - карбид кремния - кремний

3.4 Особенности роста пленок на поверхности

поликристаллического алмаза

3.5 Заключение 92 ГЛАВА 4. РАЗРАБОТКА МЕТОДОВ КОНТРОЛЯ

КАЧЕСТВА АЛМАЗНЫХ ПЛАСТИН И ТЕПЛООТВОДОВ

Введение

4.1 Контроль теплопроводности

4.1.1 Измерения теплопроводности при воздействии нестационарного температурного поля

4.1.2 Измерения теплопроводности при воздействии стационарного температурного потока

4.2 Контроль теплового сопротивления

4.3 Контроль адгезии

4.4 Заключение 110 ЗАКЛЮЧЕНИЕ 111 ЛИТЕРАТУРА

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Создание высокоэффективных теплоотводов на основе поликристаллического алмаза для мощных полупроводниковых приборов»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы. Одной из основных задач современной электроники является совершенствование электронной аппаратуры, в том числе уменьшение её массогабаритов при сохранении или достижении более высоких выходных параметров. Схемотехнические решения на базе дискретных корпусированных полупроводниковых элементов, в большинстве своём не изолированных электрически от корпуса, практически не позволяют снизить массогабариты приборов. Существенно уменьшить габариты может позволить использование бескорпусных кристаллов диодов и транзисторов, но при этом возникает проблема отвода тепла, выделяющегося при работе приборов. Дополнительная сложность заключается в том, что кристаллы, как правило, должны быть электрически изолированы от корпуса.

Проблема эффективного отвода тепла при этом решается путём использования в качестве теплоотводящего основания бериллиевой и алюмонитридной керамики, меди, сапфира. С учетом резкого роста мощности современных полупроводниковых приборов теплоотводы на основе меди, бериллиевой керамики, а тем более сапфира не всегда удовлетворяют потребностям отвода тепла от активной области прибора. Поэтому в последнее время все более пристальное внимание разработчиков теплоотводов обращено на поликристаллический CVD-алмаз (CVD: chemical vapor deposition - химическое осаждение из газовой фазы), выращиваемый в плазмохимическом реакторе на основе СВЧ разряда на подложке из кремния.

Интерес к этому материалу вызван его уникальными физико-химическими свойствами и возможностью получения теплоотводящих подложек большой площади. Будучи изолятором, CVD-алмаз обладает существенно более высокой теплопроводностью.

Материал Теплопроводность, Вт/мК ТКЛР, хЮ'6 1/°С

СУБ-алмаз 2000 1,0

ВеО-керамика 215 7,6

АПМ-керамика 200 6

Медь 400 16,5

Сапфир 40 8,2

Использование алмазных подложек в качестве изолирующего теплоотвода позволит поднять мощностные характеристики приборов за счёт уменьшения теплового сопротивления и увеличения предельного тока и рассеиваемой мощности в 1,5.. .2 раза.

Помимо имеющихся свойств натурального алмаза (высокая теплопроводность, высокая твёрдость, износостойкость, электрическая изоляция, химическая и радиационная стойкость, наилучшие среди всех материалов параметры оптической и механической прочности), поликристаллический алмаз имеет и свои преимущества: возможность выращивания изделий заданной формы и больших размеров, высокая воспроизводимость физических параметров вследствие тщательного контроля условий роста и чистоты используемых газов.

При создании теплоотводов из алмаза необходимо решить ряд задач, связанных с изучением физических процессов, происходящих на границе металл - алмаз, позволяющих разрабатывать методы обработки алмазной поверхности и применения алмазных теплоотводов в составе полупроводниковых приборов.

Цель работы состояла в исследовании физических процессов при формировании теплоотводов на основе поликристаллического алмаза, позволяющих существенно улучшить и стабилизировать выходные параметры полупроводниковых приборов.

Постановка задачи: для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

- разрабатывалась методика моделирования и расчета параметров области тепловыделения в мощных полевых транзисторах;

- исследовалась конструкция алмазного теплоотводящего основания с целью снижения внутренних механических напряжений на границе соединения материалов с разным значением температурного коэффициента линейного расширения (ТКЛР);

- разрабатывалась методика предварительного профилирования ростовой подложки для последующего разделения алмазной пластины без применения лазерной резки;

- исследовался способ термохимической обработки алмазной поверхности на металлической поверхности при высоких температурах;

- разрабатывалась методика металлизации алмазной поверхности с применением процесса ионного легирования;

- исследовалась возможность роста алмазных пленок на самоорганизованной наноразмерной поверхности;

- разрабатывалась методика измерения теплового сопротивления транзисторов на алмазном теплоотводе, теплопроводности алмазных подложек и адгезии металлических пленок к алмазу;

- с использованием разработанных методик разрабатывались алмазные теплоотводы для импульсных источников питания и предварительных усилителей мощности для АФАР.

Объектом исследования служат мощные полевые транзисторы и теплоотводы на основе поликристаллического алмаза.

Предметом исследования являются пластины поликристаллического алмаза.

Научная новизна. В диссертации впервые получены следующие результаты:

1. Теоретически показано, что из-за интенсивных переходов электронов между слоями, размеры области максимального тепловыделения слабо

зависят от параметров гетероструктуры и режима работы мощного полевого транзистора.

2. Предложен теплоотвод выпуклой формы, позволяющий уменьшить внутренние напряжения на границе соединения полупроводникового кристалла и металлизированного алмазного теплоотвода, тем самым повысить надёжность и эффективность конструкции.

3. Предложен способ профилирования ростовой кремниевой пластины путём выполнения разделительных канавок глубиной и шириной величиной, в два раза превышающей толщину готовой алмазной пластины, позволяющий исключить резку алмазной пластины.

4. Исследованы физические процессы при создании металлизации алмазной поверхности, позволяющей улучшить теплопроводящие и адгезионные характеристики.

5. Разработана методика термохимической обработки поверхности алмазных пластин, позволяющая существенно уменьшить длительность шлифовки.

В результате выполнения работы получен ряд новых результатов, на основе которых формулируются следующие

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Интенсивное рассеяние электронов в широкозонном материале приводит к тому, что размеры области тепловыделения традиционных гетероструктурных полевых транзисторов с планарным затвором имеют величину не более 0,5 мкм, слабо зависят от режима работы прибора и параметров гетероструктуры и не превосходят размеров области тепловыделения гомоструктурных полевых транзисторов, что делает гетероструктурные полевые транзисторы более чувствительными к тепловым режимам.

2. Выполнение теплоотводящего основания на основе поликристаллического алмаза выпуклой формы обеспечивает повышение

надёжности системы теплоотводящее основание - полупроводниковый кристалл к воздействию смены температур и циклическому изменению мощности.

3. Выполнение канавок шириной, составляющей удвоенную толщину пленки готового изделия и глубиной, превышающей ширину, позволяет получать теплоотводы заданной геометрии без резки алмаза и увеличивать пробивное напряжение между мощным прибором на алмазном теплоотводе и корпусом более чем в два раза.

4. Ионное легирование плёнки кремния, нанесённой на алмаз, ионами аргона дозой в диапазоне 50 - 100 мкКл/см2 с энергией 100 кэВ с последующим высокотемпературным отжигом при 850 °С позволяет исключить образование графитовой плёнки в алмазе, получить высокоадгезионную теплопроводящую металлизацию к алмазу до 60 МПа, уменьшить тепловое сопротивление системы полупроводниковый прибор -алмазный теплоотвод - корпус в 1,5 раза.

Практическая ценность работы.

Разработана модель для оценки области тепловыделения гетероструктурных транзисторов и расчет параметров области тепловыделения в мощных полевых транзисторах. Предложена конструкция теплоотводящего основания для снижения внутренних напряжений при соединении материалов с разными значениями температурного коэффициента расширения. Предложен метод предварительной резки ростовой пластины. Исследованы процессы термохимической обработки алмазных пластин. Предложен метод металлизации алмазной поверхности. Предложена методика гетероэпитаксиального роста алмазных пленок на наномодифицированных поверхностях, в частности на анодноокисленном алюминии. Предложена методика определения теплопроводности алмазных пластин.

Разработанные процессы разделения, шлифовки и металлизации позволили создать надежные алмазные теплоотводящие подложки.

Применение этих методов позволило на отечественной элементной базе разработать, изготовить и провести поставки:

- первых отечественных транзисторов на алмазном теплоотводе для импульсных источников электропитания;

- алмазных теплоотводов для предварительных усилителей мощности для АФАР X - диапазона частот;

- алмазных теплоотводов для кремниевых СВЧ транзисторов Ь-диапазона;

- алмазных теплоотводов для карбидокремниевых диодов Шоттки.

Публикации. По материалам диссертации автором опубликовано 22 печатные работы, из них 7 работ в журналах по перечню ВАК для защиты кандидатских диссертаций и 5 патентов РФ.

Объём работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы. Работа выполнена на 126 страницах текста, содержит 57 рисунков, 14 таблиц и список литературы из 113 наименований. Содержание и результаты работы.

Во введении дано обоснование актуальности работы, определены цели и задачи исследований, перечислены основные результаты, выводы и рекомендации, научные положения, выносимые на защиту. Обоснована практическая значимость работы.

В первой главе приведено моделирование тепловых процессов в ряде полупроводниковых приборов.

В разделе 1.1 приведен расчет области тепловыделения в мощных полевых транзисторах в зависимости от параметров транзисторной структуры и топологии транзистора. Показано, что границы области наиболее интенсивного тепловыделения не совпадают точно ни с границами статического домена, ни с границами области, в которых энергия электронов максимальна.

На основе расчетов показано, что учет реальных размеров области тепловыделения повышает расчетные значения температуры в канале транзистора на 10 - 30 °С, что соответствует уменьшению максимально допустимого напряжения на стоке в стандартных режимах примерно на 1 - 1,5 В. Очевидно, что из-за уменьшения области тепловыделения для полевых транзисторов на гетероструктурах с селективным легированием эта проблема встает ещё более остро.

В разделе 1.2 приведены результаты тепловых расчетов приборов, состоящих из кристалла (кремния, нитрида галлия, арсенида галлия, карбида кремния и алмаза), алмазного теплоотвода и медного фланца корпуса. Проведен анализ эффективности использования теплоотводов из алмаза. Показано, что такой теплоотвод особенно эффективен для тонких приборов с высоким уровнем мощности и достаточно высокой теплопроводностью собственно кристалла транзистора или диода.

Во второй главе приведен обзор методов получения изделий из пластины поликристаллического алмаза и предложена конструкция алмазного теплоотвода.

В разделе 2.1. предложена конструкция поверхности металлизированного теплоотводящего основания, выполненного выпуклой формы (патент РФ № 2407106, приоритет 03.08.2009 г.).

Проведены испытания воздействием циклического изменения мощности полевых транзисторов на алмазном теплоотводе (количество циклов - 10000, изменение температуры при испытаниях составляет 100 °С) с целью оценки их качества и надежности. Для контроля деградации транзисторов во время циклирования мощностью измерялось их тепловое сопротивление. Экспериментально определено, что транзисторы, смонтированные на теплоотводах выпуклой формы, выдержали 10000 циклов, приборы с плоским теплоотводом - от 1000 до 7000 циклов, после чего произошла деградация характеристик прибора.

В разделе 2.2. разработан метод получения готовых изделий из пластин алмаза необходимой геометрии (патент РФ №2357001, приоритет 25.08.2007 г.). Способ заключается в том, что на ростовой кремниевой пластине алмазным диском прорезают канавки с образованием площадок шириной, составляющей удвоенную толщину пленки готового изделия и глубиной, превышающей ширину. Затем выращивают поликристаллическую алмазную пленку на поверхности подложки.

Преимущества предварительной резки ростовой пластины заключаются в следующем:

- в результате стравливания кремниевой подложки после роста пленки поликристаллического алмаза получаются изделия заданного типоразмера без использования режущих инструментов;

- теплоотводы, полученные данным способом, имеют бортики по периметру, которые увеличивают пробивное напряжение между мощным прибором, смонтированным на алмазный теплоотвод, и корпусом до 3 - 4 кВ.

В третьей главе приведены результаты исследований физических процессов на границе раздела металл - алмаз, происходящих при шлифовке и металлизации алмазной поверхности.

В разделе 3.1. предложен способ термохимической обработки алмаза на железной поверхности при высоких температурах для уменьшения шероховатости и выравнивания поверхности.

Проведенные исследования показали, что для целей шлифовки алмазной поверхности необходимо проводить процесс в диапазоне температур 1150 - 1200 °С.

Процесс растворения алмазной и железной поверхностей при высоких температурах заключается в образовании жидкой фазы карбида железа и растворения выступающих алмазных участков и формирования плоской поверхности. В результате поверхность становиться сглаженной без острых вершин и впадин. Экспериментально показано, что обработка данным

способом позволяет достигнуть величины шероховатости алмазной поверхности менее 300 нм.

В разделе 3.2. предложен способ металлизации алмазной поверхности с использованием процесса ионной имплантации. С целью создания высокоадгезионного слоя в алмазе проводится имплантация ионами аргона пленки кремния толщиной 0,07 мкм, нанесённой на алмаз, дозой 250 мкКл/см2 и энергией 100 кэВ (патент РФ № 2285977, приоритет 21.03.2005 г.). Ионная имплантация обеспечивает образование прочных химических соединений (карбиды, силициды), необходимых для соединения с хорошей степенью адгезии. Приведены результаты расчёта концентрации введенной примеси, построены профили внедрения ионов аргона в кремний и атомов отдачи кремния в алмазе, определена величина адгезии металлизационного покрытия ТьМо-№ к пластинам алмаза с помощью клеевого метода с использованием клея МСП.

Экспериментально установлено, что имплантация аргоном дозой 250 мкКл/см2 увеличивает силу адгезии, достигающую максимума в диапазоне 80 - 83 МПа, отрыв при этом происходит либо по клею, либо клея от металлов.

На теплоотводах с данной металлизацией были смонтированы кристаллы транзисторов для дальнейшего изучения тепловых характеристик данных приборов.

Обнаружено, что тепловое сопротивление увеличено по сравнению с расчётными данными. Было высказано предположение, что возникает графитовая прослойка в алмазе после ионного легирования, ухудшающая тепловые характеристики алмазных теплоотводящих подложек. Для решения данной проблемы проведены эксперименты по имплантации алмаза ионами аргона дозами 50 - 400 мкКл/см2 с энергией 100 кэВ и последующим отжигом в диапазоне температур 200 - 1000 °С. После каждой ступени отжига на алмазных пластинах проводились измерения электрического

сопротивления между зондами. Показано, что при дозе легирования меньше 100 мкКл/см2 имплантированный слой восстанавливается в решетку алмаза, а свыше 100 мкКл/см2 имплантированный слой при термическом отжиге не восстанавливает своих изолирующих свойств, переходит в графит, что было подтверждено исследованиями методом прямого наблюдения графита по Рамановским спектрам, изучением распределения тепловых полей и измерением теплового сопротивления приборов.

Экспериментально обнаружено, что тепловое сопротивление приборов на алмазных теплоотводах, легированных меньшей дозой, имеет значение 2,16 °С/Вт, образцы, легированные дозой более 100 мкКл/см2, имеют тепловое сопротивление приборов 3,85 °С/Вт, что говорит о наличии слоя графита внутри алмазного теплоотвода и неравномерном распределении тепла.

В разделе 3.3. представлен способ обработки поверхности композиционного материала алмаз - карбид кремния - кремний, основанный на термодиффузионном растворении в металле (стали) кремния и углерода, для уменьшения размеров композита (высоты пластины) и шероховатости (патент РФ №2402509 приоритет 26.05.2009). Проведенные исследования показали, что обработка такой поверхности должна проводиться в двух температурных диапазонах:

1. 1210 - 1250 °С с целью травления карбидокремниевой матрицы;

2. 1150 - 1190 °С для активного растворения алмазных зерен в железе, позволяющего удалить выступы на поверхности композита.

В разделе 3.4. исследована возможность гетероэпитаксиального роста пленок СУБ-алмаза на поверхности, содержащей анодноокисленный алюминий (АОА) с целью изучения закономерности роста алмазной пленки на поверхностях большого диаметра и получения улучшенной адгезии алмаза к ростовой подложке во время роста.

Исследована возможность выращивания эпитаксиальных слоев нитрида галлия на алмазе методом хлорид-гидридной эпитаксии через маску из пористого АОА и плёнки титана. Полученные результаты позволят продолжить исследования по выращиванию слоев нитрида галлия на алмазе с «электронным» качеством слоя, пригодным для реализации приборных структур.

В четвертой главе исследованы методы контроля теплопроводности алмазных пластин и теплового сопротивления мощных полевых транзисторов с алмазными теплоотводами и адгезии металлических пленок к алмазной поверхности.

В разделе 4.1. приведен обзор методов измерения теплопроводности алмазных пластин. Изложены трудности, возникающие при измерении теплопроводности, связанные с низкой точностью результатов. Для решения данной проблемы предложен метод контроля, основанный на измерении разницы температур при прохождении стационарного теплового потока вдоль композиционного образца на основе исследуемого и эталонного образцов (патент РФ №2319950, приоритет 25.09.2006).

Данный способ позволяет повысить точность определения теплопроводности образцов за счет обеспечения надежного совмещения исследуемого образца с эталонным и исключения влияния контакта соединяемых поверхностей. Экспериментально определен коэффициент теплопроводности алмазных пластин, находящийся в диапазоне 600- 1000 Вт/м-К.

В разделе 4.2. представлены результаты измерения величины теплового сопротивления мощных полевых транзисторов с теплоотводом из поликристаллического алмаза. Способ основан на измерении величины прямого падения напряжения на р-п переходе полупроводникового прибора. Экспериментально установлено, что значения теплового сопротивления приборов находятся в диапазоне 0,8 - 1,5 °С/Вт.

В разделе 4.3. представлены результаты измерения адгезии металлизации к алмазной поверхности клеевым методом. В основу определения величины адгезии положен принцип измерения усилия отрыва грибка, приклеиваемого к контролируемому покрытию. Измеренные величины адгезии металлизации к алмазной поверхности находятся в диапазоне 60-80 МПа.

В заключении сформулированы основные оригинальные результаты, полученные в работе.

Апробация результатов работы.

Основные результаты работы опубликованы в материалах международных и российских конференций: IX международного форума «Высокие технологии XXI века-2008» Москва, 22-25 апреля 2008 г.; Международных конференций «Нанотехнологии - производству», г. Фрязино, 25-27 ноября 2008 г.,1-3 декабря 2009 г., 1-3 декабря 2010 г.; VI международного семинара ISSCRM-2009 «Карбид кремния и родственные материалы», Великий Новгород, 27-29 мая 2009 г.; Международного научно-технического семинара «Электровакуумная техника и технология», Москва, 19-21 марта 2008 г.; 47-ого международного симпозиума «Электроника и электрооборудование транспорта. Проблемы и пути развития», Суздаль, 2730 октября 2008 г.; 18-ого международного симпозиума «Nanostructures: Physics and Technology», Санкт-Петербург, 21-26 июня 2010 г.; 7-ой Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия -структуры и приборы», Москва, 1-3 февраля 2010 г.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Ратникова, Александра Константиновна

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате проведенной работы были получены следующие основные результаты:

1. Разработан метод расчета формы и размеров области тепловыделения в мощных полевых транзисторах в зависимости от параметров и топологии транзисторной структуры. Метод программно реализован в комплексе программ автоматизированного проектирования «Фортран».

2. Показано, что область тепловыделения рНЕМТ-транзисторов сосредоточена под краем затвора и имеет размеры не более 0,5 мкм, слабо зависит от режима работы прибора и параметров гетероструктуры, что делает гетероструктурные полевые транзисторы более чувствительными к тепловым режимам.

3. Разработана методика и приведены результаты расчёта тепловых режимов приборов с алмазным теплоотводом. С помощью данной методики показано, что алмазный теплоотвод особенно эффективен для приборов с высоким уровнем мощности и достаточно высокой теплопроводностью кристалла прибора.

4. Предложена конструкция теплоотводящего основания на основе поликристаллического алмаза. Показано, что выпуклая форма теплоотвода позволит максимально оптимизировать соотношение ТКЛР материала теплоотводящего основания и полупроводникового кристалла, тем самым значительно снизить напряжения на границе их соприкосновения и повысить механическую прочность и надежность, позволит оптимизировать условия теплопередачи, максимально повысить эффективность отвода тепла.

5. Предложен метод получения образцов из пластин поликристаллического CVD-алмаз необходимой геометрии. Показано, что выполнение на ростовой кремниевой пластине площадок, шириной, составляющей удвоенную толщину пленки готового изделия и глубиной, превышающей ширину, позволит получать готовые изделия, исключая резку алмазной пластины.

Готовые теплоотводы, входящие в состав прибора, полученные данным методом, имеют бортики по всему периметру, что дополнительно позволяет увеличить пробивное напряжение между фланцем и любым из выводов корпуса прибора.

6. Исследованы физические процессы, происходящие при термохимической обработке алмазной поверхности. Предложен способ обработки, заключающийся в растворении алмаза металлами переходной группы или сплавами этих металлов при температурах выше температуры графитизации. Определен температурный диапазон травления, предназначенный для шлифовки алмазной поверхности. Показано, что обработка данным методом позволит выровнять поверхность и получить шероховатость величиной менее 300 нм.

7. Предложен способ и определен режим термообработки композиционного материала алмаз - карбид кремния - кремний для формирования гладкой поверхности. Предложенный способ позволяет обрабатывать данный материал с высокой производительностью.

8. Предложен способ металлизации алмазной поверхности, позволяющий избежать графитизации алмаза, основным процессом которого является ионное облучение дозой 50. 100 мкКл/см2 и энергией 100 кэВ пленки кремния толщиной 0,07 мкм, нанесённой на алмаз. Экспериментально определена количественная величина адгезии металлизационного покрытия к алмазной поверхности и тепловое сопротивление приборов, в состав которых входит металлизированный алмазный теплоотвод.

9. Проведено исследование возможности роста алмазной пленки на поверхности анодноокисленного алюминия, что позволит выявить закономерности эпитаксиального роста СУБ-алмаза на поверхностях, отличных от алмазных (гетероэпитаксия) и получения поликристаллических слоев алмаза на больших поверхностях. Исследован процесс эпитаксиального роста слоев нитрида галлия на алмазе с целью выращивания слоев нитрида галлия на алмазе с «электронным» качеством слоя, пригодным для реализации приборных структур.

10. Проведены измерения теплопроводности алмазных пластин и теплового сопротивления приборов с алмазным теплоотводом. Предложен способ определения коэффициента теплопроводности, основанный на прохождении теплового потока вдоль композиционного образца на основе исследуемого и эталонного образцов.

11. Проведенные исследования по металлизации алмазной поверхности позволили разработать первые отечественные транзисторы на алмазном теплоотводе, алмазные теплоотводы для предварительных усилителей мощности для АФАР X - диапазона частот; для кремниевых СВЧ транзисторов Ь-диапазона и карбидокремниевых диодов Шоттки.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Ратникова, Александра Константиновна, 2012 год

ЛИТЕРАТУРА.

1. Королев А. Н., Климова А. В., Красник В. А., Ляпин Л. В., Малыщик В. М., Манченко Л. В., Пчелин В. А., Трегубов В. Б. Мощные корпусированные внутрисогласованные транзисторы S-, C-, Х- и Ки- диапазонов длин волн. Радиотехника №3, 2007г. С.53-56.

2. Бабинцев Д.В., Королев А. Н., Климова А. В., Красник В.А., Лапин В.Г., Малыщик В. М., Манченко Л. В., Пчелин В. А., Трегубов В. Б. Язан В.Ю. Мощный твердотельный импульсный усилитель двухсантиметрового диапазона. Радиотехника. №3. 2007 г. С. 41-42.

3. Лапин В.Г., Лукашин В.М., Петров К.И., Темнов А.М. Полевые транзисторы со смещенным затвором. Электронная техника. Сер.1. СВЧ-техника. 2011. В.3(510). С.23 - 28.

4. Кувшинова Н.А., Лапин В.Г. Лукашин В.М., Петров К.И. Мощный полевой транзистор со смещенным к истоку Т-образным затвором. Радиотехника. №6. 2011г. С. 21-24.

5. Манченко Л. В., Пчелин В. А., Трегубов В. Б. Двухкаскадный усилитель мощности X - диапазона на гетероструктурных полевых транзисторах ФГУП «НПП «Исток». Материалы 20-й Международной Крымской конференции «СВЧ - техника и телекоммуникационной технологии». Севастополь 2010 г. С. 127-128.

6. Пчелин В.А., Корчагин И.П., Малыщик В.М., Галдецкий А.В., Манченко Л.В., Капралова А. А. Двухкаскадный усилитель X-диапазона с выходной мощностью 17 Вт на элементной базе ФГУП «НПП «Исток». Материалы 21-й Международной Крымской конференции «СВЧ - техника и телекоммуникационной технологии». Севастополь 2011г. С. 129-130.

7. Glisson Т.Н., Hauser J.B., Littlejon M.A. et.al. Monte-Carlo simulation of real-space electron transport in GaAs-AlGaAs heterotructures. J.Appl.Phys.1980. V.51.№10. P.5445-5449.

8. Минаков В.В., Москалюк В.А. Моделирование гетероструктурных полевых транзистров методом частиц. Электронная техника Сер.1. Электроника СВЧ. 1989. № 2 (416). С.29-36.

9. Банов Н.А., Рыжий В.И. Микроэлектроника. 1986, т. 15 (6), с. 490-501. Ю.Николаева В.А., Пищалко В. Д., Рыжий В.И., Хренов Г.Ю.,

Четверушкин Б.Н. Микроэлектроника. 1988. Т. 17 (6). С. 504-510. 11.Чайка В.Е. Техн. Электродинамика. 1985. Вып. 3 № 3, с. 85-91.

12.Гарбер Г.З. Квазигидродинамическое моделирование гетероструктурных полевых транзисторов. Радиотехника и Электроника. 2003. Т. 48, № 1. С. 125-128.

13.Климова А.В., Лукашин В.М., Пашковский А.Б. Поперечный пространственный перенос в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием и границы применимости квазигидродинамических моделей. ФТП 2009, Т.43, В.1. С.113-118.

14.Shur M. Influence of Nonunifirm Field Distribution on Frequency Limits of GaAs Field - Effect Transistors. Electronics Letters. 1976, V.12, № 23. P.615-616.

15.Кальфа A.A.,.Пашковский А.Б, Тагер A.C. Нелокальные и диффузионные эффекты в полевых транзисторах с субмикронным затвором. Радиофизика. 1985, Т.28. № 12, С. 1583-1589.

16.Гарматин А.В. Электронная техника Сер.1. Электроника СВЧ, 1985. № 3 (377). С.66.

17.Blotekjar К. Transport Equations for Electros in Two-Valley Semiconductors. IEEE Trans. Electron. Dev., 1970, V. 17 № 1. P. 38-47.

18.Бонч-Бруевич В. JI., Звягин И.П., Миронов А.Г. Доменная электрическая неустойчивость в многодолинных полупроводниках. М., Наука, 1972. С. 66.

19.Кальфа A.A., Пашковский А.Б. Пространственный перенос двумерных электронов в структуре металл - AlxGal-xAs-GaAs с селективным легированием. ФТП 1990, Т.24. В.З. С.521-526.

20.Кальфа A.A., Пашковский А.Б. Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием. ФТП 1990. Т.24, В.7. С.1187-1189.

21.Кальфа A.A., Пашковский А.Б., Тагер A.C. Влияние поперечного пространственного переноса электронов на высокочастотные характеристики гетероструктурных полевых транзисторов с селективным легированием. Микроэлектроника. 1991 (4). Т. 20. С. 383391.

22.Кальфа A.A. Характеристики гетероперехода в гетероструктуре с селективным легированием. ФТП, 1985, т. 16, В.6, с. 1025-1029.

23.Кальфа A.A. ФТП. 1986. Т. 20, В.З. С. 468-471.

24.Дудинов К. В., Ипполитов В. М., Климова A.B., Пашковский А. Б., Самсонова И.В.Особенности тепловыделения в мощных полевых транзисторах. Радиотехника, 2007 г. № 3. С. 60-62.

25.Бережнова П.В., Лукашин В.М., Ратникова А.К., Пашковский А. Б. Оценка области нелокального тепловыделения в мощных гетероструктурных полевых транзисторах. Электронная техника, Сер. 1 ,СВЧ-техника, 2007, В.4(492). С.21 - 24.

26.Воробьёв A.A., Воробьёва Е.В., Галдецкий A.B., Духновский М.П., Ратникова А.К., Фёдоров Ю.Ю. Моделирование теплового режима полупроводниковых приборов с различными типами теплоотводов. Электронная техника. Сер.1. СВЧ-техника. Вып. 2 (505). 2010. С. 12-20.

27.Духновский М.П., Ратникова А.К., Федоров Ю.Ю. Исследование влияния свойств теплоотводов на тепловое сопротивление карбидокремниевых диодов Шоттки. Электроника и электрооборудование транспорта. 2009. №5-6. С.43-45.

28.Духновский М.П., Ратникова А.К., Федоров Ю.Ю., Печий Ю.М. Исследование влияния свойств теплоотводов на характеристики карбид кремниевых диодов Шоттки. Тезисы докладов VI международного семинара ISSCRM-2009 «Карбид кремния и родственные материалы». Великий Новгород, 2009. С. 197-198.

29.Полищук А. Применение карбидокремниевых силовых диодов Шоттки в IGBT инверторах с жестким переключением. Силовая электроника. 2006. №1. С. 8-12.

30.Полищук А. Полупроводниковые приборы на основе карбида кремния - настоящее и будущее силовой электроники. Компоненты и технологии. 2004. № 8. С.40-45.

31.Воробьев A.A., Галдецкий A.B., Ипполитов В.М. Моделирование теплового режима мощных транзисторов и МИС и новый метод монтажа кристаллов. Материалы 17 Международной конференции "СВЧ техника и телекоммуникационные технологии", Т.1. 2007 г. С.67-68.

32.Патент 2172538 РФ. Теплопроводная прокладка. Аристов В.Ф., Лапин Е.А., Мудрик И.Ф.; приоритет 20.08.2001 г.

33.Заявка 93039926 РФ. Узел монтажа. Рябовский C.B., Екимов В.В.; приоритет 05.08.1993.

34.Заявка 94011963 РФ. Теплопроводящая прокладка. Щепетов А.П.; приоритет 05.04.1994.

35.Патент 2201659 РФ. Устройство, состоящее из подложки для мощных компонентов электрической схемы и теплоотвода, а также способ изготовления такого устройства. Вебер Б., Хофзэсс Д., Бутшкау В., Дитрих Т., Шифер П.; приоритет 12.06.1998.

36. Патент 5954882 США. Plasma reactor . Wild et al.; приоритет 21.09. 1999 г.

37. Берри Р. Тонкопленочная технология. М., Энергия, 1972.

38.Патент 2407106 РФ. Мощный полупроводниковый прибор. Духновский М.П., Ратникова А.К., Федоров Ю.Ю.; приоритет от 03.08.2009 г.

39.ГОСТ В 28146-89. Испытания мощных полевых биполярных транзисторов.

40.Вяхирев В.Б., Духновский М.П., Ратникова А.К., Федоров Ю.Ю. Изолирующие теплоотводы на основе CVD-алмаза для силовой электроники. Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника, 2009. Вып. 3 (502). С. 36-40.

41.Teasdale К. Введение в качество и надежность МОП ПТ. Силовые полупроводниковые приборы. Пер. с английского под ред. В.А. Токарева. Воронеж. 1995. С. 424-447.

42. Патент 2357001 РФ. Способ получения изделий из поликристаллического пластин алмаза. Духновский М.П., Кудряшов О.Ю., Леонтьев И.А., Ратникова А.К., Федоров Ю.Ю.; приоритет 25.08.2007 г.

43.Ланин В., Телеш Е. Алмазные теплоотводы для изделий электроники повышенной мощности. Силовая электроника, №3. 2008. С. 120-124.

44.Вавилов B.C. Алмаз в твердотельной электронике. Успехи физических наук. Том 167, №1. 1997. С. 17-22.

45.May P.W. Diamond Thin Films: A 21-st Century Material. Phil. Trans. R. Soc. bond. A. 358 (2000) P.473-495.

46.Пыхтунова А.И., Шарапежникова Н.И. Активные полупроводниковые приборы на основе алмаза. Обзоры по электронной технике. Серия 1. СВЧ-техника. М., ФГУП «НПП «Пульсар», 2007. С.7-10.

47. Федосеев Д.Ф. Алмазные и алмазоподобные пленки. Алмаз в электронной технике: Сб. ст. Отв. ред. В.Б. Квасков. М.: «Энергоатомиздат», 1990. С. 171-175.

48.Байдакова М.В., Вуль А .Я., Голубев В.Г., Грудинкин С.А., Мелехин В.Г., Феоктистов H.A. Крюгер А. Получение алмазных пленок на кристаллическом кремнии методом термического газофазного осаждения. Физика и техника полупроводников. Т. 36. В.6. 2002.С. 651656.

49.Ashfold M.N.R., May P.W. Diamond Chemical Vapour Deposition. Chemistry and Industry (London), №13. 1997. P. 505-508.

50.Бланк В .Д., Дубицкий Г.А., Кульбачинский В.А., Буга С.Г., Кречетов A.B., Семёнова Е.Е., Кытин В.Г. Поликристаллические алмазные порошки и пленки. Российский химический журнал. Т. XLVIII, №5. 2004. С.90-96.

51.Снегирёв В.П., Юхин А.Ф., Ноздрина К.Г., Хапланова З.И., Погорелова Э.В., Непша В.И. Лавинно-пролётный диод миллиметрового диапазона длин волн с алмазным теплоотводом. Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. Вып. 5 (389). 1986. С.41-46.

52.Валуев В.В., Васильев А.П., Дроздов В.Н., Козлов В.Н., Конов В.И., Попович А.Ф., Пятаков В.М., Ральченко В.Г., Рогалин В.Е. Реализация согласованных нагрузок СВЧ-нагрузок с большой мощностью рассеяния (500 Вт и более) на теплоотводах из поликристаллических алмазов. Научный вестник МИРЭА. №5. 2008. С. 4-10.

53.Паращук В.В., Беляева А.К., Баранов В.В., Телеш Е.В., By Зоан Мьен, By Ван Лук, Фан Ван Чыонг. Оптимизация тепловых режимов диодных лазеров. Известия Томского политехнического университета. Том 315. №4.2009. С. 137-141.

54.Аверин В.В., Гудкова Н.Б., Мицук Е.В., Темнов A.M. Модернизация бескорпусных диодов СВЧ. Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника, 2007. Вып. 1 (489). С. 46-49.

55.Сидоров В. Корпуса СВЧ-транзисторов на основе полиалмаза и алюмонитридной керамики. Электроника: Наука, Технология, Бизнес. №4. 2007.Стр.77-78.

56.Ральченко В.Г., Конов В.И. CVD-алмазы. Применение в электронике. Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2007. №4. С.58-67.

57.Алтухов А.А., Любченко В.Е., Митягин А.Ю., Поморцев Л.А. Алмаз -перспективный материал для наноэлектроники. Инженерная физика.2003.№5. С. 51-58.

58.Галкина Т.И., Клоков А.Ю., Шарков А.И., Хмельницкий Р.А., Гиппиус А.А., Дравин В.А., Ральченко В.Г., Савельев А.В. Болометрический приемник, встроенный в объём поликристаллического CVD-алмаза. Физика твердого тела. 2007. Том.49. Вып.4.С. 621-626.

59.Ткаченко В.И., Квасков В.Б. Электронные приборы на основе алмаза. Алмаз в электронной технике: Сб. ст./ Отв. ред. В.Б. Квасков. М.: «Энергоатомиздат», 1990. С.22-33.

60.Ральченко В.Г., Конов В.И., Леонтьев И.А. Свойства и применения поликристаллических алмазных пластин. Сборник трудов 7-й Международной научно-технической конференции «Высокие Технологии в Промышленности России» МГУ. 2001. С. 246-253.

61.Патент №5711698 США. Method of synthetic diamond ablation with an oxygen plasma and synthetic diamonds etched accordingly. Rabindra N. Chakraborty et al.; приоритет 27.01.1998

62.Патент 6302768 США. Method for polishing surface of vapor-phase synthesized thin diamond film. Adachi M.; приоритет 16.10. 2001

63.Патент 2111104 РФ. Способ шлифовки и полировки минеральных объектов. Радько Л. В.; приоритет 20.05.1998

64.Патент 2369473 РФ. Способ полирования поверхности поликристаллических алмазов. Ашкинази Е. Е., Ральченко В. Г., Конов В. И., Гершман И. С.; приоритет 29.01.2008

65.Шамаев П. П., Григорьева А. С., Ботвин В. В. О термохимических методах обработки алмазов с новых позиций. Наука и техника в Якутии. № 1, 2002. С. 27-29.

66.Духновский М.П., Королев А.Н., Ратникова А.К., Рожков С.Е., Федоров Ю.Ю. Термическая шлифовка пластин CVD-алмаза для теплоотводов мощных полупроводниковых приборов. Электроника и электрооборудование транспорта. №6. 2008. С.25-28.

67.Духновский М.П., Ратникова А.К., Федоров Ю.Ю., Кудряшов О.Ю., Леонтьев И.А. Термическая обработка поликристаллического CVD-алмаза с целью формирования гладкой поверхности. Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника, 2008. Вып. 2 (495). С. 41-46.

68Духновский М.П., Королев А.Н., Ратникова А.К., Рожков С.Е., Федоров Ю.Ю. Термическая шлифовка пластин CVD-алмаза для теплоотводов мощных полупроводниковых приборов. Материалы 47-го международного симпозиума «Электроника и электрооборудование транспорта. Проблемы и пути развития», 2008.

69.Ратникова А.К. Теплоотводящие подложки на основе поликристаллического CVD-алмаза. Электронная техника. Сер.1. СВЧ-техника. Вып. 3 (510). 2011. С. 76-86.

70.Патент 5451430 США. Method for enhancing the toughness of CVD diamond. Anthony et al.; приоритет 19.09.1995.

71.Диаграммы состояния двойных металлических систем: Справочник: В ЗТ.: T.l/Под общ. Ред. Н.П.Лякишева. М.: Машиностроение. 1996 г.

72.ГОСТ 2789-73. Шероховатость поверхности. Параметры, характеристики и обозначения.

73 .Методика выполнения измерений параметров шероховатости поверхности при помощи приборов профильного метода.

74.Патент 6723420 США. Thick film paste systems for circuits on diamond substrates. Petkie, Ronald; приоритет 20.04.2004.

75.Патент 6114256 США. Stable metallization for diamond and other materials. Bachli, Andreas, Kolawa et al; приоритет 05.09.2000.

76.Патент 5853888 США. Surface modification of synthetic diamond for producing adherent thick and thin film metallization for electronic packaging. Dutta, Indranath et al; приоритет 29.12.1998.

77.Патент 5346719 США. Tungsten metallization of CVD diamond. Zarnoch, Kenneth P. et al; приоритет 13.09.1994.

78.Патент 6348240 США. Methods for and products of modification and metallization of oxidizable surfaces, including diamond surfaces, by plasma oxidation. Calvert, Jeffrey M. et al; приоритет 19.02.2002.

79.Ротнер Ю.М., Ротнер C.M. Поликристаллические алмазы в электронной технике. Алмаз в электронной технике: Сб. ст. Отв. ред. В.Б. Квасков. М.: «Энергоатомиздат», 1990. С. 186-200.

80.Жукова Г.А., Мордкович В.Н., Щербина С.М. Влияние ионной бомбардировки на адгезионные свойства границы раздела металлическая плёнка - подложка. Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. Вып. 5 (178). 1985. С. 69-72.

81.Зайцев A.M. Ионная имплантация в полупроводники со сверхпрочной ковалентной связью. Алмаз в электронной технике: Сб. ст. Отв. ред. В.Б. Квасков. М.: «Энергоатомиздат», 1990. С. 211-227.

82.Патент 2285977 РФ. Металлизированная пластина алмаза и способ её изготовления. Духновский М.П., Крысов Г.А., Ратникова А.К.; приоритет 21.03.2005 г.

83.Духновский М.П., Крысов Г.А., Ратникова А.К. Металлизация пластин из искусственного CVD-алмаза. Электронная техника. Серия 1. СВЧ-техника. Вып. 1(494).2008. С. 3-7.

84.Комаров Ф.Ф. Ионная имплантация в металлы. М.: «Металлургия», 1990.

85.Буренков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Кумахов М.А., Тёмкин М.М. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей. Минск: Изд-во БГУ, 1980.

86.ГОСТ 28840-90. Машины для испытания материалов на растяжение, сжатие и изгиб. Общие технические требования.

87.Патент 2131805 РФ. Способ получения поликристаллического изделия. Гордеев С.К., Жуков С.Г., Данчукова Л.В., Экстрем Т.; приоритет 20.06.1999.

88.Патент 2151126 РФ. Конструкционный материал. Гордеев С.К., Жуков С.Г., Данчукова Л.В., Экстрем Т.; приоритет 20.06.2000.

89.Патент №2206502 РФ. Композиционный материал. Гордеев С.К., Данчукова Л.В., Экстрем Т., Клоуб К.; приоритет 27.10.2002.

90.Патент 4339304 США. Method of treating diamond. Grigoriev, et al; приоритет 13.07.1982.

91.Патент 2402509 РФ. «Способ обработки поверхности детали из композиционного материала алмаз-карбид кремния - кремний». Духновский М.П., Федоров Ю.Ю., Ратникова А.К., Гордеев С.К., Корчагина С.Б.; приоритет 26.05.2009.

92.Духновский М.П., Веденеев A.C., Гудков В.А., Ратникова А.К., Рыльков В.В., Федоров Ю.Ю., Бугаев A.C. Наноструктурированные слои анодного оксида алюминия на изолирующих подложках. Радиотехника и электроника. Том 56. №12. 2011. С. 1-5.

93.Михальченков А.Г., Темирязева М.П., Леонтьев И.А., Кудряшов О.Ю., Духновский М.П., Ратникова А.К., Федоров Ю.Ю. Рост CVD-алмаза на модифицированной поверхности с наноразмерными топологическими элементами. Материалы конференции 9-го Международного форума «Высокие технологии XXI века-2008». С. 40-41.

94.Духновский М.П., Петров К.П., Ратникова А.К., Федоров Ю.Ю., Кудряшов О.Ю., Леонтьев И.А., Михальченков А.Г., Темирязева М.П.

Особенности роста пленок CVD-алмаза на поверхности с наноразмерными топологическими элементами. Материалы 30-го заседания Международного постоянного действующего научно-технического семинара «Электровакуумная техника и технология». Москва, МГТУ им. Н.Э.Баумана,2008. С. 54-56.

95.Духновский М.П., Михальченков А.Г., Ратникова А.К., Темирязева М.П., Фёдоров Ю.Ю. Линейное анодное окисление тонких пленок алюминия на электроизолирующих подложках. Тезисы конференции «Нанотехнологии производству 2009». г. Фрязино, 1-3 декабря 2009 г. С. 169-170.

96.Vedeneev A.S., Dukhnovskii М.Р., Leontiev I.A., Mityagin A.Yu.,.Ratnikova A.K., Fedorov Yu.Yu., Kudryashov O.Yu., Bugaev A.S. CVD-diamond grown on porous alumina template. 18th Int.Symp. «Nanostructures:Physics and Technology» St.Petersburg, Russia, 2010. P. 228.

97.May P.W., Tsai H.Y., Wang W.N., Smith J.A. Deposition of CVD-diamond onto GaN. Diam. Relat. Maters. 15 (2006). P. 526-530.

98.Dussaigne A., Malverni M., Martin D., Castiglia A., Grandjean N. (0001) GaN grown on (111) single crystal diamond substrate for high power electronic applications. International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-8. Korea. Paper КЗ. 2009. P.443-444.

99.Georgakilas A., Tsiakatouras G., Ajagunna A.O., Tsagaraki K., Androulidaki M. High quality (0001) GaN films grown on diamond substrates by molecular beam epitaxy, ibid, paper K4. P. 445-446.

100.Dreumel G.W.G. van, Bohen Т., Buijnsters J.G., Meulen J.J. ter, Hageman P.R., Enckevort W.J.P. van, Vlieg E. Oriented growth of GaN on diamond substrates, ibid, paper MP 18. P. 130-131.

101.Донсков A.A., Дьяконов Л.И., Говорков A.B., Козлова Ю.П., Малахов С.С., Марков А.В., Меженный М.В., Павлов В.Ф., Поляков А.Я.,

Смирнов Н.Б., Югова Т.Г., Духновский М.П., Ратникова А.К., Фёдоров Ю.Ю., Ратушный В.И., Кудряшов О.Ю., Леонтьев И.А. Пленки нитрида галлия, выращенные методом хлорид-гидридной эпитаксии на поликристаллическом алмазе с использованием

наноструктурированных слоев TiN и анодного окисла алюминия. Тезисы докладов седьмой Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия-структуры и приборы» Санкт-Петербург. 2010 г. С. 147-148.

102.0бразцов А.Н., Павловский И.Ю., Ральченко В.Г., Окуши X., Ватанабе X. Определение теплопроводности алмазных

поликристаллических пленок с помощью фотоакустического эффекта. Журнал технической физики. 1999. Т.69, вып.4. 1999. С.97-101.

ЮЗ.Ивакин Е.В., Суходолов A.B., Ральченко В.Г., Власов A.B., Хомич A.B. Измерение теплопроводности поликристаллического CVD-алмаза методом импульсных динамических решеток. Квантовая электроника. Т.32. Вып. 4. 2002. С. 367-372.

Ю4.Ральченко В.Г., Савельев A.B., Попович А.Ф., Власов И.И., Воронина C.B., Ашкинази Е.Е. Двухслойные теплоотводящие диэлектрические подложки алмаз - нитрид алюминия. Микроэлектроника. Том 35. №4. 2006. С. 243-247.

105.Клоков А.Ю., Аминев Д.Ф., Шарков А.И., Ральченко В.Г., Галкина Т.И. Тепловые параметры слоев и границ раздела в структурах кремний на алмазе. Физика твердого тела. Том 50. Вып. 12. 2008. С.2167-2173.

106.Образцов А.Н., Павловский И.Ю., Окуши X. Ватанабе X. Влияние структурных особенностей на теплопроводность поликристаллических алмазных пленок. Физика твердого тела. Том 40. №7. 1998. С. 1221-1225.

Ю7.ГОСТ 8.207-76. Прямые измерения с многократными наблюдениями. Методы обработки результатов наблюдений.

10 8.Теплопроводность твердых тел. Справочник. Охотин A.C., Боровикова Р.П., Нечаева Т.В., Пушкарский A.C., под ред. Охотина A.C. М., Энергоатомиздат, 1984.

109.Патент 2149388 РФ. Способ контроля теплофизических характеристик материалов // Клебанов М.Г., Фесенко А.И.; приоритет 10.08.1996.

ПО.Патент 2319950 РФ. Способ определения теплофизических характеристик материала и устройство для его осуществления. М.П. Духновский, А.К. Ратникова; приоритет 25.09.2006.

111 .Исламгазина JI. Применение различных материалов, обеспечивающих оптимальные тепловые режимы силовых полупроводниковых приборов, в том числе модулей и твердотельных реле. Силовая Электроника. №3. 2005. С.96-99.

112.ОСТ 11 0944-96. Методы измерения теплового сопротивления транзисторов, основанные на косвенных способах измерения температуры (раздел 5, методы 4,5,6).

113.Тушинский Л.И., Плохов A.B. Исследование структуры и физико-механических свойств покрытий. Новосибирск: "Наука". 1986.