Получение и свойства стеклообразных полупроводниковых материалов в системах Ge-S-Br и Ge-Se-Br тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат химических наук Крылов, Николай Иванович

  • Крылов, Николай Иванович
  • кандидат химических науккандидат химических наук
  • 2010, Санкт-Петербург
  • Специальность ВАК РФ05.27.06
  • Количество страниц 124
Крылов, Николай Иванович. Получение и свойства стеклообразных полупроводниковых материалов в системах Ge-S-Br и Ge-Se-Br: дис. кандидат химических наук: 05.27.06 - Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники. Санкт-Петербург. 2010. 124 с.

Оглавление диссертации кандидат химических наук Крылов, Николай Иванович

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. АНАЛИЗ ЛИТЕРАТУРНЫХ ДАННЫХ О СИНТЕЗЕ,

СТЕКЛООБРАЗОВАНИИ И ТЕПЛОВОМ РАСШИРЕНИИ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ И ГАЛОГЕНХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКОЛ

1.1. Синтез и свойства халькогенидных и 7 галогенхалькогенидных стекол

1.1.1. Синтез и свойства халькогенидных стекол

1.1.2. Синтез и свойства галогенхалькогенидных стекол

1.2. Тепловое расширение халькогенидных и 12 галогенхалькогенидных стекол

1.2.1. Тепловое расширение халькогенидных стекол

1.2.2. Тепловое расширение галогенхалькогенидных стекол

1.3. Взаимодействие между компонентами в халькогенидных 29 системах

1.4. Флуктуационный свободный объем и структура халькогенидных и галогенхалькогенидных стекол

1.5. Постановка задачи

ГЛАВА 2. МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ 54 БРОМХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКОЛ И РАСПЛАВОВ

2.1. Метод синтеза галогенхалькогенидных стекол заданного состава

2.2. Метод получения халькогенидных стекол высокой чистоты

2.3. Метод измерения коэффициента объемного термического 60 расширения стекол и расплавов

2.4. Установка для измерения магнитной восприимчивости стекол

2.5. Определение оптических характеристик стекол

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ СТЕКЛООБРАЗОВАНИЯ,

СТРОЕНИЯ И СВОЙСТВ СТЕКОЛ И РАСПЛАВОВ БРОМХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СИСТЕМ

3.1. Исследование стеклообразования в системах Ge-S-Br и

Ge-Se-Br

3.2. Идентификация структурных единиц стеклообразных и 73 жидких сплавов систем Ge-S-Br и Ge-Se-Br

3.3. Физико-химические свойства стекол систем Ge-S-Br и 86 Ge-Se-Br

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕПЛОВОГО РАСШИРЕНИЯ

СТЕКОЛ И РАСПЛАВОВ БРОМХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СИСТЕМ

4.1. Тепловое расширение стекол и расплавов системы Ge-S-Br

4.2. Тепловое расширение стекол и расплавов системы Ge-Se-Br

4.3. Параметры флуктуационного свободного объема стекол 102 систем (GeS2)ix(GeBr4)x и (GeSe2)i-x(GeBr4)x

ГЛАВА 5. ИСС ЛЕДОВ АНИЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ МЕЖДУ 105 КОМПОНЕНТАМИ В БРОМХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СИСТЕМАХ

5.1. Взаимодействие между компонентами в системах 105 (GeS2)1.x(GeBr4)x и (GeSe2)I.x(GeBr4)

5.2. Взаимодействие между компонентами в частных системах 107 (GeS2) 1 x(GeSBr2)x и (GeSe2)1.x(GeSeBr2)x

Рекомендованный список диссертаций по специальности «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», 05.27.06 шифр ВАК

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Получение и свойства стеклообразных полупроводниковых материалов в системах Ge-S-Br и Ge-Se-Br»

Актуальность работы.

Актуальность работы обусловлена необходимостью развития методов синтеза и исследования свойств новых материалов для производства полупроводников и приборов электронной техники. К таким материалам относятся бромсодержащие халькогенидные стекла на основе германия, высокая прозрачность которых в видимой и инфракрасной области спектра предопределяет их применение в качестве волноводных и регистрирующих сред для записи, обработки и передачи информации. Однако из-за трудностей, связанных с синтезом бромхалькогенидных стекол, их структура и свойства практически не изучены. Основные трудности вызывает введение в состав стекла точно заданного количества брома. Кроме того методы синтеза этих стекол сложны и взрывоопасны. По этим же причинам не были определены области стеклообразования полученных еще в 1975 г стекол в системах Ge-S-Br, Ge-Se-Br, не исследованы их физико-химические свойства и нет единого мнения об их структурно-химическом строении.

Цель работы.

Целью работы являлось синтез, исследование стеклообразования, структуры и свойств полупроводниковых стекол систем Ge-S-Br и Ge-Se-Br в зависимости от состава и температуры.

Конкретные задачи работы заключались в следующем:

- разработка метода синтеза бромхалькогенидных стекол заданного состава с низким содержанием примесей;

- экспериментальное определение и расчет областей стеклообразования в системах Ge-S-Br и Ge-Se-Br;

- исследование структуры ближнего порядка и физико-химических свойств стекол систем Ge-S-Br и Ge-Se-Br в зависимости от состава;

- исследование закономерностей изменения мольного объема и коэффициента объемного термического расширения стекол и расплавов систем Ge-S-Br и Ge-Se-Br в зависимости от температуры.

Научная новизна.

В результате комплексного исследования более 150 составов стеклообразных и кристаллических сплавов впервые определены области стеклообразования в системах Ge-S-Br и Ge-Se-Br.

Спектроскопическими методами проведена идентификация структурных единиц в системах Ge-S-Br и Ge-Se-Br. Показано, что введение в халькогенидные стекла брома приводит к разрушению полимерной сетки стекол Ge-S(Se) и образованию трехкомпонентных структурных единиц. В селенидной системе трехкомпонентные структурные единицы обратимо диссоциируют на исходные бинарные компоненты. В сульфидных стеклах заморожено равновесие между трехкомпонентными структуррными единицами разного состава.

Методами физико-химического анализа подтверждена связь между составом и строением стекол и расплавов (GeS2)i-x(GeBr4)x и (GeSe2)i-x(GeBr4)x в интервале температур 293-1393 К.

Практическая ценность работы.

Разработаны составы стекол и способы их получения, которые позволяют использовать их в оптоэлектронике в качестве ИК-прозрачных клеев и иммерсионных сред.

Разработан метод синтеза стекол высокой чистоты, основанный на разложении бромсодержащих халькогенидных стекол, помещенных в градиент температур.

Способы и устройства защищены двумя авторскими свидетельствами и патентом.

На защиту выносятся: к,

1. Методы синтеза халькогенидных и галогенсодер^еи^^ халькогенидных стекол заданного состава и высокой чистоты.

2. Области стеклообразования в системах Ge-S-Br, Ge-Se-Br

3. Результаты комплексного исследования структуры и свойств стекол и расплавов (GeS2)i.x(GeBr4)x и (GeSe2)i-X(GeBr4)x, и представления 0 строении стекол в зависимости от состава.

Апробации работы. Материалы диссертации докладывались на ££сес сов. «Научно-технический прогресс в производстве стекла» М. 1983, на 1Е5сес сов. "Строение, свойства и применение фосфатных, фторидных халькогенидных стекол". Рига. 1985, на Всес. конф. по физике стеклообразных твердых тел. Рига. 1991, на сем. "Строение и природа металлических и неметаллических стекол". Ижевск. 1989, на конф "Структурные превращения и релаксационные явления в некристаллических твердых телах". Тбилиси. 1991, на конф. «Инновационные наукоемкие технологии для России». Санкт-Петербург. 1995, на конф. «Новые ртдеи в физике стекла» М. 1997, на конф. «Фундаментальные исследования в технических университетах». Санкт-Петербург. 1998, на Межд. конф «Стекла и твердые электролиты». Санкт-Петербург. 1999, на Веер, конф по проблемам науки и высшей школы. Санкт-Петербург. 2001, на Веер, конф «Фундаментальные исследования и инновации в технических университетах». Санкт-Петербург. 2007, на Межд. конф. «Высокие интеллектуальные технологии и инновации в образовании и науке». Санкт-Петербург. 2010.

Публикации. Основные результаты работы опубликованы в 7 статьях в отечественных и зарубежных журналах, в 15 тезисах и сборниках трудов конференций и 3 описаниях изобретений.

Похожие диссертационные работы по специальности «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», 05.27.06 шифр ВАК

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Крылов, Николай Иванович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Разработаны методы синтеза бромхалькогенидных стекол заданного состава и высокой степени чистоты. Методы основаны как на использовании летучести некоторых из исходных компонентов, так и на термической неустойчивости трехкомпонентных соединений

2. Впервые определены области стеклообразования в системах Ge-S-Br и Ge-Se-Br.

3. Методами спектроскопии КР и ИК- спектроскопии в системах Ge-S-Br и Ge-Se-Br проведена идентификация структурных единиц. Образующиеся в обеих системах трехкомпонентные структурные единицы, состав которых согласно спектроскопическим исследованиям предположительно отвечает соединениям Ge2X3Br2 и GeXBr2, заметно диссоциируют в расплаве, по разному в сульфидной и селенидной системах. В сульфидной системе происходит преимущественное образование с.е. Ge2S6/2Br2 и GeS2/2Br2, а в селенидной системе имеет место обратимая диссоциация трехкомпонентных с.е. GeS2/2Br2 на тетрабромид германия и дихалькогенид германия при температуре синтеза стекол.

4. Изучены физико-химические свойства стекол - плотность, микротвердость, температура стеклования, коэффициент объемного термического расширения стекол и расплавов систем (GeS2)ix(GeBr4)x и (GeSe2)i-x(GeBr4)x. Установлено, что величина свойств, зависящих от пространственного строения сетки стекла по мере увеличения содержания брома изменяется от значений, характерных для халькогенидов с трехмерной пространственной сеткой, до значений характерных для цепочечных полимеров, и далее до молекулярных жидкостей.

5. На изотермах молярного объема расплавов и стекол исследованных систем наблюдаются отрицательные отклонения от аддитивности. В соответствии с данными ИК- и спектроскопии КР эти отклонения объясняются существованием в расплавах и стеклах группировок атомов составов Ge2X3Br2 и GeXBr2.

112

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Крылов, Николай Иванович, 2010 год

1. Мазурин О.В., Порай-Кошиц Е.А., Шульц М.М. Стекло: природа и строение. Л.: Знание. 1985. 32 с.

2. Воробьев Х.С., Мазуров Д.Я., Соколов А.А. Технологические процессы и установки силикатных производств. М.: Высшая школа. 1955. 324 с.

3. Павлушкин Н.М., Сентюрин Г.Г. Практикум по технологии стекла. М.: Промстройиздат. 1957. 582 с.

4. Китайгородский И.И. Технология стекла. М.: Стройиздат. 1964. 564с.

5. Фельц А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. М.: Мир. 1986. 556 с.

6. Виноградова Г.З. Стеклообразование и фазовые равновесия в халькогенидных стеклах. М.: Наука. 1984. 175 с.

7. Frerichs R. New optical glasses transparent in the infrared up to 12 ц // Phys. Rev. 1950. V.78. No. 5. P. 643.

8. Frerichs R. New optical glasses with good transparency in the infrared // J. Opt. Soc. Amer. 1953. V.43. No 10. P.l 153-1154.

9. Fraser W.A., Jergen J. Arsenic Trisulfide. A new infrared transmitting glass // J. Opt. Soc. Amer. 1953. V.43. No.4. P.332 -334.

10. Fraser W.A. A new racial system of infrared glass // J. Opt. Soc. Amer. 1953. V.43. No.9. P.823-824.

11. Горюнова H.A., Коломиец Б.Т. Свойства и структура тройных полупроводниковых систем //ЖТФ. 1955. Т.25. №6. С.984-994.

12. Горюнова Н.А., Коломиец Б.Т. Новые стеклообразные полупроводники // Изв. АН СССР. 1956. Т.20. №12. С.1496-1500.

13. Коломиец Б.Т. Стеклообразные полупроводники. Л.: Знание. 1963.52 с.

14. Андриеш A.M. Стеклообразный сульфид мышьяка и его сплавы. Кишинев.: Штиинца. 1981. 212 с.

15. Борисова З.У. Химия стеклообразных полупроводников. Л.: Изд. ЛГУ. 1972. 248 с.

16. Айо Л.Г., Кокорина В.Ф. Оптические стекла, прозрачные в инфракрасной области спектра А,=11-15 мк // Оптико-механическая промышленность. 1961. №4. С. 39-42.

17. Flaschen S.S., Pearson A.D., Northover W.R. Law-Melting inorganic glasses with high melt fluidities below 4000C // J. Amer. Ceram. Soc. 1959. V.42. No.9. P. 450-451.

18. Flaschen S.S., Pearson A.D., Northover W.R. Formation and Properties of Law-Melting glasses in the ternary systems As-Tl-S, As-Tl-Se, and As-S-Se // J. Amer. Ceram. Soc. 1960. V.43. No.5. P. 247-278.

19. Венгель Т.Н., Коломиец Б.Т. Стеклообразные полупроводники. Некоторые свойства материалов в системе As2Se3-As2Te3 // ЖТФ. 1957. Т.27. №11. С.2484-2494.

20. Flaschen S.S., Pearson A.D., Northover W.D. Low Melting Sulfide-Halogen Inorganic Glasses // J. Appl. Phys. 1960. V.31. No. 1. P.219-220.

21. Роусон Г. Неорганические стеклообразующие системы. M.: Мир. 1970.312 с.

22. Борисова З.У. Халькогенидные полупроводниковые стекла. Л.: Изд. ЛГУ. 1983. 344 с.

23. Борец. A.M., Химинец В.В., Туряница И.Д., Кикинеши А.А., Семак Д.Г. Сложные стеклообразные халькогениды. Львов.: Вища школа. 1987. 187 с.

24. Sanghera J.S., Нео J., Mackenzie J.D. Chalcohalide glasses // J. Non-Cryst. Solids. 1988. V. 103. No. 2. P. 153-178.

25. Минаев B.C. Стеклообразные полупроводниковые сплавы. M.: Металлургия. 1991. 407 с.

26. Kokorina V.F. Glasses for Infrared Optics // Boca Raton Fl: CRC Press Inc., 1996.336 р.

27. Pearson A.D., Northover W.D., Devald F., Peck W.F. Chemical, Physical and Electrical Properties of Some Unusual Inorganic Glasses // In: Advances in glass Technology. N.Y.: Plenum press. 1962. P. 357-365.

28. Дойников Л.И., Борисова З.У. Исследование стеклообразования и химической стойкости системы As-Se-I // Химия твердого тела. Изд. ЛГУ. 1965. С. 104-113.

29. Дембовский С.А., Чернов А.П. Синтез и некоторые свойства соединений AsSI, AsSel и As4Te5I2 // Изв. АН СССР. Неорган. Матер. 1968. ТА №8. С. 1229-1232.

30. Чернов А.П., Дембовский С.А. Кириленко И.А. Диаграммы состояния As2X3-AsI3(X=S,Se) // Изв.АН СССР Неорган. Матер. 1970. Т.6. №2. С. 262-265. ,

31. Munir Z.A., Fuke L.M., Kay Е. Glass Formation in the Arsenic-Selenium- Iodine System // J. Non- Crist. Solids. 1973. V.12. No.3. P. 435-442.

32. Дембовский C.A.,Попова Н.П. Стеклообразование в системах Ge-Se-I и Si-Se-I // Изв. АН СССР. Неорган, матер. 1970. Т.4. №1. С.138-140.

33. Дембовский С. А., Кириленко В.В., Буслаев Ю.А. Стеклообразование в системе Ge-S-I // Изв. АН СССР. Неорган, матер. 1971. Т.7. №3. С.328-329.

34. Fischer A.G., Mason A.S. Properties of an As-S-Br Glass // J. Opt. Sos. Amer. 1962. V.52. No.6. P.721-722.

35. Чернов А.П., Борисенкова А.Ф., Дембовский С.А. Диаграммы состояния As2S3- AsBr3 и As2Se3- AsBr3 // Изв. АН СССР. Неорг. матер. 1975. Т.2. №5. С. 958-959.

36. Туряница И.Д., Химинец В.В., Химинец О.В. Исследование взаимодействия и стеклообразования в тройных системах As-S(Se,Te)-Br // Физ. и хим. стекла. 1975. Т.1. №2. С. 190-192.

37. Кириленко В.В., Дембовский С.А. Стеклообразование и химические соединения в системах AIV BVI Cvn (А1У-кремний, германий; Bvl-cepa, селен; CVII-6poM, йод) // Физ. и хим. стекла. 1975. Т.1. № 3. С. 225-230.

38. Zhang Х.Н., Fonteneau G., Lucas J. The Tellurium Bromide Glasses: New I.R. Transmitting Materials // Mat. Res. Bull. 1988. V. 23. P. 59-64.

39. Zhang X.H., Fonteneau G., Lucas J. Tellurium Halide Glasses. New materials for transmission in the 8-12 |im range // J. Non-Cryst. Solids. 1998. V. 104. P. 38-44.

40. Deeg E.W. Advances in Glass Technology, V.2. New York: Plenum press. 1962. 348 p.

41. Deeg E.W., Habashi G.M., Loutfi R.O. Preparation, Properties and Structure of As/S/Ci-glasses // Sprechsaal Keram., Glas, Email, Silikate. 1967. B. 100. N. 19. S. 757-759.

42. Новоселова H.A., Новоселов C.K., Байдаков Л.А. Термические свойства стеклообразных сульфидов мышьяка // ЖПХ. 1971. Т.44. №11. С. 2548-2550.

43. Tanaka М., Munami Т., Hattory М. Thermal Expansion and Its Related Properties of Arsenic-Sulfur Glasses // J. Appl. Phys. Japan, 1966. V.5. No 2. P.l 85-186.

44. Hilton A.R., Jones C.E., Brau M. Glass-Forming Region and Variations in Physical Properties // Physics and Chemistry of Glasses. 1966. V. 7. No 4. P. 105-106.

45. Новоселова H.A., Байдаков Л.А., Страхов Л.П. Исследование магнитной восприимчивости стеклообразных сульфидов мышьяка // Вестник ЛГУ. 1971. № 10. С. 118-124.

46. Ананичев В.А. Получение халькогенидных стекол и исследование их строения методом объемной дилатометрии. Автореферат докт. дисс. СПбГПУ. 2004. 34 с.

47. Кан К.Н. Вопросы теории теплового расширения полимеров. Л.: Мир. 1975. 79 с.

48. Девятых Г.Г., Дианов Е.М., Плотниченко В.Г., Скрипачев И.В., Чурбанов М.Ф. Волоконные световоды на основе высокочистых халькогенидных стекол // Высокочистые вещества. 1991. №1. С.7-36.

49. Михайлов М.Д. Аморфные халькогениды в монолитном и тонкопленочном состояниях. Автореф. докт. дисс. СПбГУ. 1993. 35 с.

50. Полтавцев Ю.Г. Структура полупроводниковых расплавов. М.: Металлургия. 1984. 176 с.

51. Мазурин О.В., Тотеш А.С., Стрельцина М.В., Швайко-Швайковская Т.П. Тепловое расширение стекла. Л.: Наука. 1969. 215с.

52. Воронова А.Е., Ананичев В.А., Блинов Л.Н. О термическом расширении расплавов и стекол системы As-Se // Физ. и хим. стекла. 2001. Т.27. № 3. С. 400-408.

53. Ананичев В.А., Воронова А.Е. О термическом расширении стекол и расплавов системы As-Se и Ge-As-Se // Докл. науч. семинара. Решетка Тарасова и проблемы стеклообразного состояния. М.: 1999. С. 3-4.

54. Ананичев В.А., Байдаков Л.А., Крылов Н.И. Параметры свободного объема для стекол As-S-Br //Физ. и хим. стекла. 1995. Т.21. № 6. С. 630-632.

55. Мохаммад Ариф., Танцура Н.П., Байдаков Л.А., Ананичев В.А. Синтез и тепловое расширение стекол и расплавов Те-С1 // Физ. и хим. стекла. 1992. Т. 18. № 5. С. 92-97.

56. Мохаммад Ариф, Танцура Н.П., Байдаков Л.А. Ананичев В.А. Коэффициент термического расширения стекол и расплавов системы Те-Вг // Физ. и хим. стекла. 1991. Т. 17. №4. С 671-674.

57. Мохаммад Ариф., Танцура Н.П., Байдаков Л.А., Ананичев В.А. Коэффициент термического расширения стекол и расплавов системы Те-1 // Физ и хим. стекла. 1992. Т. 18. №3. С. 159-163.

58. Kniep R., Mootz D., Robenau A. Strukturuntersuchungen an niederen tellurhalogeniden: Modifizierte Tellur-Structuren // Ang. Chem. 1973. Bd.85. N.ll.S. 504-505.

59. Philippot E. Force de tellure(IV) dans les tellurites // J. Solid State Chem. 1981. V.38. No 1. P.26-33.

60. Немилов C.B. Развитие представлений о характере внутренних изменений при переходе стекло-жидкость // Физ. и хим. стекла. 1980. Т.6. №3. С.257-268.

61. Мазурин О.В., Мазурина Е.К., КлюевВ.П., Дорофеева Н.П. О некоторых особенностях зависимостей свойств от состава силикатных стекол в области высокой концентрации окислов-модификаторов // Физ. и хим. стекла. Т.З. №3. С.261-265.

62. Ананичев В.А., Михайлов М.Д., Байдаков JI.A., Блинов JI.H. Кинетика неизотермической кристаллизации стеклообразного соединения TlAsSe2 // Физ. и хим. стекла. 1983. Т.9. №3. С. 332-336.

63. Сандитов Д.С., Бартенев Г.М. Физические свойства неупорядоченных структур. Новосибирск. 1982. 259с.

64. Вагнер К. Термодинамика сплавов. М.: Мир. 1957. 177 с.

65. Морачевский А.Г. Термодинамика жидких сплавов. JL: Изд ЛПИ. 1981.72 с.

66. Ota R., Kunugi М. Thermal Expansion Coefficient and Glass Transition Temperature for As-Se Glasses // J. Cer. Sos. Jap. 1973. V. 81. No 6. P. 228-231.

67. Krebs H., Ruska J. Anomalous Density Variation of the Molten Chalcogenide System Ge-As-Se //Non-Crystalline solids. 1974. V. 16. P. 328-340.

68. Ruska J., Thurn H. Change of Short-Range Oorder with Temperature and Composition in Liquid GexSeix as Shown by Density Measurements // J. Non-Crystalline Solids. 1976. V.22. No 2. P. 277-291.

69. Haisty R.W., Krebs H. Electrical Conductivity of Melts and Their Ability to Form Glasses // J. Non-Crystalline Solids. 1969. V. 1. No 5. P. 427-437.

70. Мотт Н., Девис Э. Электронные процессы в некристаллических полупроводниках. М.: Мир. 1982. 658с.

71. Ананичев В.А., Демидов А.И., Кудрявцев А.Н. Коэффициент термического расширения и плотность стеклообразующих расплавов систем As2S3-T1AsS2 и As2Se3-TlAsSe2 // Физ. и хим. стекла. 1985. Т.П. №3. С. 224227.

72. Крылов Н.И. О структуре стекол систем Ge-S-Br и Ge-Se-Br // Физ. и хим. стекла. 2010. Т.36. №2. С. 222-225.

73. Мюллер P.JL, Маркова Т.П. Электропроводность стеклообразной системы мышьяк-сера-таллий // Вестн. ЛГУ, сер. физ. и хим. 1962. № 22. С. 75-89.

74. Маркова Т.П. Исследование электропроводности стеклообразной системы мышьяк-сера-таллий // Вестн. ЛГУ, сер. физ. и хим. 1962. №22. С. 96-103.

75. Ананичев В.А., Кудрявцев А.Н., Байдаков Л.А., Блинов Л.Н. Спектры ЯМР ~ Т1 стеклообразной системы As-S-Tl // Физ. и хим. стекла. 1984. Т.10. №1. С. 93-95.

76. Щукина Н.Е., Орлова Г.М., Чалобян Г.А. Вязкость и упругие свойства стекол As-S-Tl // Физ. и хим. стекла. 1979. Т 5. № 2. С. 223-229.

77. Эль Лабани Х.М., Байдаков Л.А., Ананичев В.А. Взаимодействие между компонентами стеклообразующей системы T1AsS2-T12S по данным измерения плотности // Физ. и хим. стекла. 1986. Т. 12. № 1. С. 120-122.

78. Ананичев В.А., Байдаков Л.А., Блинов Л.Н., Эль Лабани Х.М. Взаимодействие между компонентами стеклообразующей системы TlAsSe2-Tl2Se по данным измерения плотности // Физ. и хим. стекла. 1988. Т. 14. № 2. С. 295-298.

79. Ананичев В.А. Физико-химические свойства таллий- и галогенсодержащих халькогенидных расплавов и стекол. Автореферат канд. дисс. ЛГУ. 1986. 16 с.

80. Сандитов Д.С., Сангадиев С.Ш.Новый подход к интерпретации флуктуационного свободного объема аморфных полимеров и стекол // Высокомолек. соед. 1999.Т.41. № 6. С.977-1000.

81. Кикинеши А.А., Мельниченко Т.Н. Параметры теории свободного объема в модели фотоиндуцированных изменений свойств халькогенидных стекол // XV Межд. конгр. по стеклу. Ленинград. 1989. С.66-69.

82. Цендин К. Д. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. СПб.: Наука. 1996. 486с.

83. Koudelka L., Horak I., Pisarcik М. Depolarization Raman Spectra of (As2S3)1.x(AsBr3)x Glasses // Phys. Stat. Solidi (a). 1980. V.60. No. 2. P. 211-212.

84. Koudelka L., Pisarcik M., Ananichev V.A. Chemical Bonding in GeS3Br and GeS3.25Bro.75 GlassesV/ J. Mat. Sci. Lett. 1984. No.3. P. 825-826.

85. Koudelka L., Pisarcik M., Krylov N.I., Ananichev V.A. Short-Range Order in GexSyBrz Glassy and Liquid samples // J. Non-Cryst. Solids. 1987. V. 97-98. P. 1271-1274.

86. Белоусов В.И., Ананичев B.A., Ковалгин А.Ю., Байдаков Л.А. Исследование стеклообразования и структуры стекол системы GeSe2-GeBr4 // Физ. и хим. стекла. 1991. Т. 17. № 1. С. 13-16.

87. Ананичев В.А., Байдаков Л.А. Термоструктурные превращения в галогенхалькогенидных стеклах // Тез. докл. конф. «Структурные превращения и релаксационные явления в некристаллических твердых телах». Львов Дрогобыч. 1990. С. 28.

88. Оркина Т.Н., Тиха X., Мохаммад Ариф,. Байдаков JI.A., Ананичев В.А. Электропроводность галогентеллуридных стекол // Физ. и хим. стекла. 1992. Т. 18. №4. С. 64-72.

89. Ананичев В.А., Байдаков JT.A., Блинов JI.H., Крылов Н.И. Легкоплавкие стекла: получение и свойства // Тез. докл. 2-го Всес. сов. «Научно-технический прогресс в производстве стекла» М. 1983. С. 154.

90. Крылов Н.И., Ананичев В.А., Кудрявцев А.Н., Байдаков Л.А. Бромхалькогенидные стекла: свойства и структура // Тез. Докл. Всес. сов. "Строение, свойства и применение фосфатных, фторидных и халькогенидных стекол". Рига. 1985. С. 5-6.

91. Ананичев В.А., Демидов А.И., Крылов Н.И., Кудрявцев А.И., Байдаков Л. А. Способ получения галогенсодержащих халькогенидных стекол. А.с. СССР №1304332. 1985.

92. Ананичев В.А., Крылов Н.И., Байдаков Л.А., Блинов Л.Н. Стеклообразование и физико-химические свойства стекол системы» Ge-Se-Br // Физ. и хим. Стекла. 1997. Т. 23. № 4. С. 401-404.

93. Блинов Л.Н., Ананичев В.А., Байдаков Л.А., Демидов А.И., Крылов Н.И. Устройство для получения халькогенидных стекол. А.с.СССР. №1513822. 1987.

94. Крылов Н.И. Особенности синтеза и структура бромсодержащих халькогенидных стекол // Материалы XVII Международной научно-методической конференции «Высокие интеллектуальные технологии и инновации в образовании и науке». Изд. СПбГПУ. 2010. Т.2. С.92-93.

95. Ананичев В.А., Крылов Н.И., Байдаков Л.А., Блинов Л.Н. Взаимодействие между компонентами в стеклообразующих системах Ge-S(Se)-Br по данным исследования коэффициента теплового расширения и плотности // Физ. и хим. стекла. 1997. Т. 23. № 4. С. 468-471.

96. Ананичев В.А., Печерицин ИМ., Крылов Н.И.,Байдаков Л.А. Способ получения халькогенидного стекла GeS2. Патент Р.Ф. 2021216. 1991.

97. Крылов Н.И., Ананичев В.А., Блинов JI.H. Способ получения стеклообразного GeS(Se)2 // Тез. докл. конф. «Фундаментальные исследования и инновации в технических университетах». Изд. СПбГПУ. 2007. С.101.

98. Ананичев В.А., Крылов Н.И. Способы получения халькогенидных стекол // Тез. докл. конф. «Инновационные наукоемкие технологии для России». Изд. СПбГПУ. 1995. С. 60.

99. Крылов Н.И., Ананичев В.А., Блинов Л.Н. Экологически чистые методы получения и исследования новых стеклообразных халькогенидных материалов // Тез. докл. V Всеросийской конференции по проблемам науки и высшей школы. Изд. СПбГПУ. 2001. С. 160-161.

100. Ананичев В.А., Бальмаков М.Д., Байдаков Л.А., Блинов Л.Н. Устройство для определения коэффициента объемного термического расширения. А.с. СССР № 817560. 1981.

101. Ананичев В.А., Байдаков Л.А., Бальмаков М.Д., Блинов Л.Н. Установка для определения коэффициента объемного термического расширения расплавов халькогенидных стекол // Физ. и хим. стекла. 1982. Т. 8. №. 5. С. 637-640.

102. Крылов Н.И., Михайлов М.Д. Проводимость бромсодержащих халькогенидных стекол // Материалы XVII Международной научно-методической конференции «Высокие интеллектуальные технологии и инновации в образовании и науке». Изд. СПбГПУ. 2010. Т.2. С.93-94.

103. Байдаков Л.А., Блинов Л.Н., Зубенко Ю.В., Казенов В.А., Страхов Л.П. Установка для исследования магнитной восприимчивости твердых тел // Вестник ЛГУ. 1976. № 4. С. 40.

104. Гутенев М.С., Викторовский И.В. Определение показателей преломления ряда составов стекол системы As-Ge-Se в ближней ИК области спектра // Вестник ЛГУ. 1976. №4. С. 145-146.

105. Блинов JT.H., Измайлова Л.И., Байдаков Л.А., Страхов Л.П. Определение показателей преломления ряда составов стеклообразующей системы As-Se // Вестник ЛГУ. 1967. №6. С. 142.

106. Lucovsky G., Galeener F.L., Keezer R.C., Geils R.H., Six H.A. Structural Interpretation of the Infrared and Raman Spectra of Glasses in the Alloy System Ge,xSx//Phys. Rev. B. V.110. No. 12. P. 5134-5146.

107. Koudelka L., Pisarcik M. Raman Spectra and Structure of Non-Crystalline Samples of the As-S-Br System // Mater. Chem. Phys. 1983. No.9. P. 571-582.

108. Isabel R.J., Smith G.R. Mc Graw R.K., Cuillory W.A. Fourier Transform For-Infrared Spectrum of Matrix Isolated GeBr2 // J.Chem. Phys. 1973. V.58. No 2. P. 818-820.

109. Печерицин И.М., Крылов Н.И., Ананичев В.А. О термической устойчивости стекол Ge-S-Br по данным ИК- спектроскопии // Тез.докл. «Вторая Всесоюзная конференция по физике стеклообразных твердых тел». Рига-Лиелупе. 1991. С. 152.

110. О. Uemura, Т. Usuki, М. Inoue, К. Abe, Y. Kameda, М. Sukurai. Local Atomic Order of Ge-Se-Br glasses // J. Non-Crystalline Solids. 2001. V. 293-295, P. 792-798.

111. Накомото К. Инфракрасные спектры неорганических и координационных соединений. М.: Мир. 1966. 412с.

112. Герасименко B.C., Блецкин Д.И., Сичка М.Ю. ИК- спектры пропускания и структура стекол GeSex // Укр. Физ. журн. 1976 Т.21. № 9. С. 1480-1485.

113. Мюллер P. JI. Химические особенности полимерных стеклообразных веществ. Стеклообразное состояние Л.: Изд. ЛГУ. I960. С. 61-71.

114. Горюнова Н.А., Коломиец Б.Т К вопросу о закономерностях стеклообразования в халькогенидных стеклах. Стеклообразное состояние. Л.: Наука. 1960. С. 71-78.

115. Дембовский С.А. Эмпирическая теория стеклообразования // ЖНХ. 1977. Т. 22. № 12. С. 3187-3199.

116. Школьников Е.В. К определению стеклообразующей способности неорганических сплавов // Физ. и хим. стекла. 1985. Т. 11 № 5. С. 501-503.

117. Бальмаков М.Д. Термодинамический критерий стеклообразующей способности расплавов // Физ и хим. стекла. 1986. Т. 12. № 5. С. 527-535.

118. Байдаков Л. А., Блинов Л.Н. О корреляции между атом неструктурными характеристиками расплавов и их способностью к стеклообразованию // Физ. и хим. стекла. 1987. Т. 13. № 3. С. 340-345.

119. Крылов Н.И., Ананичев В.А., Байдаков Л.А. Расчетная и экспериментальная области стеклообразования в системе Ge-S-Br // Физ. и хим. стекла. 1989. Т. 15. № 4. С. 624-628.

120. Ананичев В.А., Крылов Н.И., Демидов А.И., Блинов Л.Н. Коэффициент термического расширения стеклообразных и жидких сплавов системы GeS2-GeBr4 // Тез. докл. сем. "Строение и природа металлических и неметаллических стекол". Ижевск. 1989. С. 39.

121. Ананичев В.А., Байдаков Л.А., Крылов Н.И. Параметры свободного объема для стекол As-S-Br //Физ. и хим. стекла. 1995. Т.21.№ 6. С. 630-632.

122. Ананичев В.А., Байдаков Л.А., Крылов Н.И. Параметры свободного объема для стекол системы (GeS2)i-x (GeBr4)x // Физ. и хим. стекла. 1996. Т. 22. №1. С. 93-96.

123. Крылов Н.И., Ананичев В.А., Блинов JI.H. Тепловое расширение бромхалькогенидных стеклообразующих систем // Тез. докл. конф. «Новые идеи в физике стекла.» М. 1997.С. 26.

Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.