Исследование структуры стеклообразных полупроводников системы Ge-As-S-J методами ИК и КР спектроскопии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Росола, Иван Иосифович

• Росола, Иван Иосифович
• кандидат физико-математических наук
• 1984

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Росола, Иван Иосифович

ВВЕДЕНИЕ'.

Глава I. ОСОБЕННОСТИ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИХ СВОЙСТВ И ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА СЛОЖНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ СОЕДИНЕНИЙ

1.1. Физико-химические свойства стекол системы Qe-As-S-J

1.2. Оптические свойства сложных некристаллических соединений

1.3. Анализ дифракционных исследований структуры стеклообразных веществ

1.4. Методика и техника эксперимента колебательных, спектрофотометрических и рефрактометрических исследований в широком температурном интервале

Глава П. КОЛЕБАТЕЛЬНЫЕ СПЕКТРЫ СТЕКОЛ СИСТЕМЫ As-s-J

2.1. Особенности колебательных спектров стеклообразных материалов

2.2. Приведенная плотность колебательных состояний и особенности структуры стекол системы As-S

2.3. Инфракрасные спектры и спектры деполяризации комбинационного рассеяния света стекол системы As-S-J

2.4. Постоянная связи и зона структурной корреляции стекол системы As-S

Глава Ш. ИК и КРС СПЕКТРОСКОПИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ХАЛЬ-КОГЕНИДНЫХ СТЕКОЛ СЛОЖНЫХ СИСТЕМ 3.1. Влияние режимов синтеза на спектры комбинационного рассеяния света стекол ASgS^ и AsSJ

3.2. Колебательные спектры стекол разреза

AS2S3)x (Ges2)1x

3.3. Спектры комбинационного рассеяния света в стеклах системы AsSJ-GeSg

3.4. КР-спектроекопичеекие исследования стекол системы Hg-As-S-J

Глава 1У. СПЕКТРОФОТОМЕГРИЧЕСКИЕ И РЕФРАКТОМЕТРИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ СТЕКОЛ СИСТЕМЫ Ge-As-S-J

4.1. Дисперсия показателя преломления и коэффициент линейного расширения стекол системы As-S . ИЗ

4.2. Спектрофотометрические и рефрактометрические исследования стекол разреза (As2s3)x(AsJ^)1-x

4.3. Рефрактометрические исследования стеклообразных полупроводников системы Ge-As(Sb)-s

4.4. Показатель преломления и край поглощения стекол разреза (AsSJ)x (GeS2)-jx

Глава У. РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ПРАКТИЧЕСКОМУ ПРИМЕНЕНИЮ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКОЛ СЛОЖНОГО СОСТАВА

5.1. Тепловое расширение стекол системы Ge-As-S-J

5.2. Сопоставительный анализ рефрактометрических исследований стекол системы Ge-As-S-J

5.3. Возможности практического использования халь-когенидных стекол сложного состава, на основе их структурных исследований .».

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование структуры стеклообразных полупроводников системы Ge-As-S-J методами ИК и КР спектроскопии»

Актуальность темы. Стеклообразные полупроводниковые материалы рассматриваются в последнее время как наиболее перспективные для оптического и особенно акустооптического приборостроения. Обусловлено это тем, что ни один из известных материалов полностью не отвечает всем требованиям, предъявляемым к подобного рода материалам. Известные щелочногаллоидные кристаллы обладают низкими коэффициентами поглощения и значительной областью прозрачности, но в отличие от оптического стекла, они не устойчивы к воздействию влаги, окислительных сред и мощного лазерного излучения, вследствие чего параметры данных материалов изменяются со временем. Оптическая керамика - наиболее температуропрочный материал, уступает стеклам по оптической однородности, области прозрачности и механической упругости, что затрудняет изготовление на ее основе оптических деталей высокого качества и необходимых размеров. Важным преимуществом стекол по сравнению с монокристаллами является их относительно хорошая технологичность, позволяющая получать высокооднородные крупногабаритные детали. Кроме того, большие области стеклообразования и возможность введения в состав стеклообразующих систем различных элементов периодической системы, позволяют получать материалы с наперед заданным комплексом физико-химических и оптических параметров и свойств [27,28,45, 128]. Необходимо также отметить высокую радиационную стойкость стекол - характеристики приборов, изготовленных на их основе, не

Tfi ? изменяются под воздействием потока нейтронов до 10 нейтронов/см и ионизирующей радиации по крайней мере до рад/с, что делает их перспективными и практически незамененными в космическом при-б оростро ении [67,134],

Полупроводниковые халькогенидные стекла практически не pea-» гиругот с водой и растворами кислот-неокислителей и обладают повышенной химической стойкостью по отношению к большинству агрессивных сред. Поэтому, стеклообразные халькогенидные материалы, наряду с кристаллами, оптическим стеклом и керамикой, все шире используются при изготовлении линз, призм и других деталей оптических систем, работающих в видимой и ближней инфракрасной областях спектра [2,67,134,135,148].

Среди неорганических халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) следует вццелить группу халькогалогенидных стекол, которые в последние годы интенсивно исследуются. К числу таких полупроводниковых материалов относятся стекла четверной системы Ge-As-s-J » Известно, что область прозрачности трисульфида мышьяка простирается от 0,58 до 12,5 мкм, однако, его термодинамические параметры (теплота и температура плавления, вязкость при температуре плавления и др.) не позволяют получать оптически однородные стекла необходимых размеров. Стекла системы Ge-S также прозрачны в широкой спектральной области (0,50-11,5 мкм), но обладают высокой кристаллизационной способностью, что в свою очередь затрудняет синтез оптически однородных стекол значительных размеров. Усложнение состава приводит к тому, что в системе Ge-Aa-S-J [128,129,134,135] возможно получить стекла, которые прозрачны в видимой и ближней инфракрасной областях спектра (0,50-12,5 мкм), обладают показателями преломления, изменяющимися в значительных пределах (1,98-2,80 на Л. =0,63 мкм), относительно небольшими скоростями распространения ультразвука ((2,10-2,80).10""° м/с), малы

2. —I ми оптическими потерями в области прозрачности (менее 10 см ). В то же время, первостепенную роль при выборе материала с оптимальными параметрами играет структура стекла. Вместе с тем, структура стеклообразных сплавов системы Ge-As-S-J в настоящее время мало исследована. В литературе описано только строение стеклообразных и кристаллических соединений As2S2 , кв^у As2s5' AsSJ и GeS2 [89-93] • Данные по структуре стеклообразных соединений, полученные с помощью комбинационного рассеяния света (КРС) и длинноволнового поглощения инфракрасного (Ж) излучения, дополняют информацию, получаемую с помощью традиционных методов структурного анализа посредством дифракции рентгеновских лучей, электронов и нейтронов, а в случае стеклообразных сплавов сложных составов являются определяющими.

В литературе имеется очень мало сведений по оптическим свойствам стекол системы Ge-As-S-J в видимой и ИК областях спектра, а также данных по исследованию колебаний атомов сетки стекла и локальных колебаний примесных элементов. Что касается температурного изучения оптических свойств стекол системы Ge-As-S-J , то они при низких температурах практически не исследованы. Кроме того, в литературе отсутствуют данные по изучению длинноволнового края поглощения стекол Ge-As-S-J в области высоких значений коэффициентов поглощения и в широкой области температур. До сих пор имеется очень мало сведений по изучению влияния режимов технологии на структуру и физические свойства стекол вообще, и рассматриваемых, в частности.

Что касается данных по дисперсии показателя преломления, то они до настоящего времени для халькогенидных стеклообразных полупроводников пока не использовались для изучения структуры стекла. Сочетание рефрактометрических измерений показателя преломления, учет дисперсии рефракции, расчет удельной и молярной рефракций в сочетании с физико-химическими параметрами позволяют анализировать тройные и более сложные полупроводниковые системы [52] . Особое значение имеют температурные исследования показателя преломления и его производной по температуре, что позволяет определять и получать составы с неизменяющимися значениями показателя преломления в широкой области температур, которые крайне необходимы при создании стабильных оптических систем.

Следует отметить, что существует еще много трудностей, сдерживающих широкое применение халькогенидных стеклообразных полупроводников в оптическом приборостроении. Основной из них является оптическая неоднородность и, как следствие, большие коэффициенты поглощения в области прозрачности стекол. Необходимость получения оптически однородных стекол предъявляет требования к чистоте используемых для синтеза элементов, а также к технологическим режимам синтеза и отжига стекол [128,131]. Сравнительно малое использование стеклообразных полупроводников системы Ge-Ae-S-J в значительной степени обусловлено недостаточной изученностью этого класса веществ. Поэтому исследования сложных полупроводниковых материалов стимулируются требованиями научно-технического прогресса, на неуклонное ускорение которого нацеливают Программа КПСС и решения ХХУ1 съезда КПСС [86].

Цель и задачи исследований. Основная цель настоящей работы состояла в исследовании основных закономерностей влияния усложнения состава путем введения элементов Ge и j в бинарные сплавы стеклообразукнцей системы As-S на особенности их колебательных спектров и оптических свойств. При этом предполагалось, что исследование частотной дисперсии оптических постоянных стекол системы Ge-As-S-J и их температурной зависимости позволит выявить типичные черты и характерные особенности оптических свойств и определить те области практического применения, где их использование является наиболее эффективным. В связи с этим в работе ставились следующие задачи:

I. Исследовать влияние условий получения на оптические и физико-химические свойства стеклообразных материалов системы As-s-J.

2. Исследовать специфику перестройки колебательных спектров стекол системы Ge-Ae-S-J при переходе от цепочечной (соединение AsSJ ) и цепочечно-слоистой (соединение Ae2s^ ) структур к тетраэдрической структуре (соединение GeS2 ), которую необходимо учитывать при интерпретации физико-химических характеристик этих материалов.

3. Экспериментально изучить дисперсию показателей преломления стекол системы Ge-Ae-S-J и использовать ее для интерпретации их структуры.

4. Провести анализ и сопоставление оптико-рефрактометрических параметров стекол системы Ge-As-S-J . Уточнить и оптимизировать возможности практического применения стекол этой системы.

Научная новизна и защищаемые положения. В результате выполненных исследований установлены следующие фанты и закономерности, которые выносятся на защиту:

1. Методами спектроскопии комбинационного рассеяния света показана зависимость структурных особенностей стекол системы As-S-J от условий их получения, а также приведены механизмы фотоструктурных изменений в этих материалах.

2. Установлено отклонение от квадратической зависимости постоянной связи Св> характеризующей низкочастотное рассеяние в спектрах КРС, которую ранее постулировали как общую закономерность рассеяния света в разупорядоченных средах.

3. Показана возможность использования результатов исследования дисперсии показателя преломления для интерпретации структуры стекол системы Ge-As-S.

4. Впервые исследованы температурные зависимости дисперсии показателя преломления стекол системы Ge-As-S-J по квазибинарным; разрезам A^S^x, (As2S3)x(AsJ3)1-x, (As2S3)x(GeS2)1-x и (AsSJ)j( GeSg)-j » что позволило определить составы стекол с отрицательным, положительным и нулевым значениями температурного приращения показателя преломления.

5. Впервые установлена закономерность между наклоном урбахов-ского края поглощения и поляризуемостью связей для стекол системы Ge-As-S-J по разрезу (AsSJ)x(GeS2).,x.

Практическая ценность. Полученные в диссертационной работе данные о структуре и свойствах стекол четверной системы Ge-As-S-J: а) колебательные спектры стекол и их зависимости от состава и режимов синтеза, б) дисперсия показателя преломления, его темпера*-турное приращение, дисперсия температурного приращения показателя преломления, а также значения коэффициента температурного расширения представляют интерес как в научном, так и в прикладном отношении.

Результаты по исследованию спектров КРС, спектров ИК поглощения и пропускания использованы при изучении природы химических связей, установления характера межмолекулярного взаимодействия, интерпретации концентрационных зависимостей физико-химических ха-^ рактеристик, усовершенствования технологии получаемых стекол. Исследование влияния условий синтеза на формирование ближнего порядка в стеклах, а также влияние на него лазерного облучения применены для объяснения механизмов фотоструктурных превращений при оптической записи информации в объемных образцах.

Связь структуры и свойств для стекол системы Ge-As-S-J (области прозрачности, дисперсия оптических постоянных) использованы при выборе составов с наперед заданным комплексом свойств, необходимых для реализации оптических элементов и устройств. Характер температурных изменений показателя преломления стекол системы Ge-As-S-J позволил учесть также влияние тепловых эффектов на качество работы оптических элементов, изготовленных на их основе»

Методика исследования оптических и оптико-рефрактометрических параметров халькогенидных стекол внедрена в СКВ CAT г.Ужгорода, отраслевой научно-исследовательской лаборатории и учебный процесс кафедры физики полупроводников Ужгородского государственного университета.

Объем и структура. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и содержит 134 страницы машинописного текста, 67 рисунков, 10 таблиц и список используемых литературных источников, включающий 241 наименование.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Росола, Иван Иосифович

б» Результаты исследования дисперсии показателя преломления стекол системы Ge-As-S последовательно применены для изучения их структуры, что позволило получить информацию о степени ионности, а также определить изменение координации катиона при переходе от стекол на основе тригональных к стеклам на основе тетраэдрических структурных единиц.

7. Впервые установлена корреляция между наклоном урбаховского края поглощения и поляризуемостью связей для стекол системы Ge-As--S-J . Показано, что наклон края Урбаха зависит от атомной и электронной структуры вещества. При этом установлено, что более жестким структурным единицам соответствует меньшее значение Г.

8. При исследовании температурной зависимости показателя преломления установлена принципиальная возможность и определены составы стекол с положительным, отрицательным и нулевым значениями температурного приращения показателя преломления в широкой области температур, что важно при создании стабильных оптических систем.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Росола, Иван Иосифович, 1984 год

1. А.с, 833605 (СССР). Способ получения халькогенидных стекол/ В.В. Химинец. -Опубл. в Б.И., 1982, № 3/12.

2. Айо Л.Г., Кокорина В.Ф. Оптические стекла, прозрачные в инфракрасной области спектра до Я=11-15 мкм. -Оптико-мех. пром-сть, 1961, №4, с.39-41.

3. Алесковский В.Б. Химия твердых веществ. -М. '.Высшая школа, 1978. 256 с.

4. Андриеш A.M., Иову М.С., Циуляну Д.И., Шутов С.Д. Стеклообразный сульфид мышьяка и его сплавы. -Кишинев :Штиинца,1981.-212 с.

5. Андриеш A.M., Соболев В.В., Попов D.B. К вопросу об энергетическом спектре электронов кристаллических и стеклообразных халькогенидов мышьяка, -В кн. :Химическая связь в полупроводниках. -Минск :Наука и техника, 1969, т.2, с,339-343,

6. Андриеш A.M., Соболев В.В. Оптические спектры отражения халькогенидов мышьяка. -В кн. :Тез. докл. Ш Совещания по природе химической связи. Минск, 1965, с.48.

7. Андриеш A.M., Стурза Е.В., Циуляну Д.И. Взаимосвязь структуры с оптическими свойствами стеклообразных материалов ASgS^ --GeS2 . -Изв. АН МССР. Сер. Физ.-тех. и мат. наук, 1979, №3, с.70-72.

8. Байдаков JI.А.Магнитная восприимчивость и структура ближнего порядка в бинарных стеклообразных системах AsgS^ и AsgSe^. -Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы, 1970, т.б, № 12, с.2106-2III.

9. Байдаков Л.А., Блинов Л.Н., Зубенко Ю.Н. и др. Установка для исследования магнитной восприимчивости твердых тел. -Вестник ЛГУ. Сер. Физика и химия, 1966, №4, с.40-46.

10. Байдаков Л.А., Новоселова Н.А., Рахманкулова Т.А. Оптические свойства стекол системы As-S . -Журнал приклад, химии, 1972, т.45, № 7, с.1596-1598.

11. Балодис Ю.Н. Акустооптическое сканирование лазерного излучения. ~М. :Электроника, 1972. -112 с.

12. Бальмаков М.Д., Гутенев М.С., Байдаков Л.А. Рефракции атомов халькогенидных полупроводников. -Физ. и химия стекла, 1977, т.З, № 5, с.537-539.

13. Берча Д.М., Кикинеши А.А. Анизотропные элементы структуры и устойчивые состояния халькогенидного стекла. -Ужгород, 1980. -17 с. -Рукопись представлена Ужгород, ун-том. Деп в ВИНИТИ 13 мая 1980 г., № 1842-80,

14. Бацанов С.С. Структурная рефрактометрия. -2-е изд. перераб. и доп. -М. :ВЬ1сшая школа, 1976. -304 с.

15. Бонч-Бруевич В.Л. К вопросу об исследовании зонной структуры неупорядоченных систем. -ФТП, 1968, т.2, в.З, с.363-369.

16. Борец А.Н., Пуга П.П., Чепур Д.В. Эффекты цепочечности и особенности длинноволнового края поглощения стекол AsSej , AsSJ и SbSBr . -УФЖ, 1975, т.20, № 2, с.296-303.

17. Борец А.Н. Оптико-рефрактометрические соотношения для изотропных неметаллических веществ и "край шероховатости" оптических элементов. -Физическая электроника. :Респ. межвед. научно-техн. сб., 1981, в.23, с.86-93.

18. Борец А.Н. Оптические свойства полупроводников (курс лекций), 4.2. -Ужгород :Ужгородский ун-т, 1973. -112 с. -Укр.

19. Борец А.Н. Соотношение между шириной псевдощели и показателем преломления неметаллических веществ. -УФЖ, 1980, т.25, № 4, с.680-681.

20. Борец А.Н., Зубань В.А, Исследование рефракций некоторых сложных халькогенидных полупроводников. -Ужгород, 1979. 35 с. -Рукопись представлена Ужгород, ун-том. Деп. в ВИНИТИ 30 октября 1979 г. № 3747-79.

21. Борец А.Н., Пуга П.П., Чепур Д.В., Юрко О.И. Эффекты цепочеч-ности и особенности оптических спектров стеклообразных полупроводников на основе систем А^С7. -В кн. :Структура и свойства некристаллических полупроводников. -JI. :Наука, 1976,с.291-295.

22. Борисова З.У. Физико-химические исследования стеклообразных полупроводников :Автореф. дис. . д-ра хим. наук. -Л., 1968, 48 с.

23. Борисова З.У. Химия стеклообразных полупроводников. -Л. :Изда-тельство ЛГУ, 1972. 247 с.

24. Борисова З.У., Михайлов В.Н., Кулешина А.Н. Электропроводность иодосодержащих стекол. -ЖНХ, 1972, т.45, № 6, с.1196-1203.

25. Бурков В.И., Братковский В.М., Виноградова Г.З. и др. Магнитооптика халькогенидных стекол. -В кн. :Физические явления в некристаллических полупроводниках. Шатер, конф. :Аморфные полупроводники-80 (Кишинев, окт.1980 г.). -Кишинев, 1980, с.151-154.

26. Вайполин А.А. Структура халькогенидов мышьяка и проблемы стеклообразования. -ЖСХ, 1970, т.II, №3, с.486-488.

27. Вайполин А.А., Порай-Кошиц Е.А. 0 структуре стеклообразных халькогенидов мышьяка. -ФТТ, I960, т.2, № 7, с.1656-1666.

28. Вайполин А.А., Порай-Кошиц Е.А. 0 структуре стеклообразных халькогенидов мышьяка. Внесение поправок в кривые радиального распределения. -ФТТ, 1963, т.5, № I, с.256-262.

29. Виноградова Г.З. Исследование областей стеклообразования и диаграмма состояния систем As-S , Ge-Se и Ge-As-Se :Автореф. дис. . канд. хим. наук. -М. 1968. -22 с.

30. Виноградова Г.З., Дембовский С.А., Кузьмина Т.Н., Чернов А.П. Вязкость и структура стекол системы сера-мышьяк. -ЖНХ, 1967, т.12, № 12, с.3240-3247.

31. Герасименко B.C., Туряница И.Д., Химинец В.В., Цитровский В.В. Оптические и акустооптические свойства стекол системы Hg-As-S-J.-Акуст. журнал, 1977, т.23, в.б, с.873-877.

32. Герасименко B.C., Химинец В.В., Пуга П.П., Химинец О.В., Росо-ла И.И. Спектры комбинационного рассеяния и ИК спектры пропускания стекол системы As^-AsSJ . -УФЖ, 1977, т.22, № 8, сЛ358-1361.

33. Герасименко B.C., Химинец В.В., Химинец О.В., Туряница И.Д. ИК-спектры пропускания стекол системы As-S-J . -Физ. и химия стекла, 1977, т.З, № 4, с.343-346.

34. Глазов В.М., Чижевская С.Н. Исследование магнитной восприимчивости германия, кремния и соединений с решеткой ZnS в области плавления и жидкого состояния. -ФТТ, 1964, т.6, № б, с.1684-1687.

35. Горбань И.С., Дашковская Р.А. Спектр поглощения и оптические переходы в кристаллах As2S^ . -ФТТ, 1964, т.6, № 8, с.2389-2392.

36. Горюнова Н.А., Коломиец Б.Т., Шило В.П. Стеклообразные полупроводники. Стеклообразование в сложных системах на основе сульфидаи седенида мышьяка. -ФТТ, I960, т.2, №2, с.280-283.

37. Губанов А.И. Квантово-электронная теория аморфных полупроводников. -М.;Л. :Изд-во АН СССР, 1963. -250 с.

38. Губанов А.И. 0 флуктуационных уровнях в аморфных полупроводниках с поперечной и слоистой структурой. -ФТП, 1972, т.6,вып.7, с.I378-1382.

39. Дембовский С.А. Исследования в области стеклообразных соединений и систем на их основе :Автореф. . д-ра хим. наук. -М., 1971. -65 с.

40. Дембовский С.А. Сопоставление свойств химических соединений-стеклообразователей. -Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы, 1969, т.5, № 3, с.463-467.

41. Дембовский С.А. Чернов А.П. Синтез и некоторые свойства сое- 193 динений AsSJ , AsSeJ и As^Te^Jg . -Изв. АН СССР. Сер. Неорганw материалы, 1968, т.4, №8, с.1229-1232.

42. Довгошей Н.И., Туряница И.Д., Чепур Д.В., Мучичка И.И. Некоторые оптические свойства образцов AsSjSe^^J (O^X^I). -Изв.высш.учебн. заведений, сер.Физика, 1970, $12, с.131-133.

43. Егорова Е.А., Кокорина В.Ф. Стеклообразование и физико-химические свойства стекол системы Sb-Ge-Se . -JfflX, 1968, т.41, № 6, с.1200-1206.

44. Захаров В.П., Герасименко B.C. Структурные особенности полупроводников в аморфном состоянии. -Киев :Наукова думка, 1976, 280 с.

45. Захаров В.П., Герасименко B.C., Шеремет Г.П. Проявление особенностей структуры кристаллов в ИК-спектрах дихалькогенидов германия. -Письма ЖЭТФ, 1973, т.17, № 9, с.488-491.

46. Иоффе Б.Т. Рефрактометрические методы химии. -2-е изд. пере-раб. и доп. -JI. :Химия, 1974. -400 с.

47. Кокорина В.Ф., Айо Л.Г., Кислицкая Е.А., Мельников В.В. Новые исследования стеклообразования и свойств бескислородных полупроводниковых стекол. -В кн. :Структура и свойства некристаллических полупроводников. -Л. :Наука, 1976, с.260-263.

48. Коломиец Б.Т. Стеклообразные полупроводники. -Л. :Знание, 1963. 43 с.

49. Коломиец Б.Т., Лебедев Э.А., Рогачев Н.А. Влияние примесей на электрические и оптические свойства стеклообразного селе-нида мышьяка. -ФТП, 1974, т.8, № 3, с.545-549.

50. Конторова Т.А. О тепловом расширении некоторых кристаллов. -ЖТФ, 1956, т.26, № 9, с.2021-2031.

51. Коперлес Б.М., Туряница И.Д., Химинец В.В., Чепур Д.В. Аку-стооптические параметры халькогенидных стекол системы Ge-As-S-J . -Акуст. журнал, 1976, т.22, в.4, с.536-539.

52. Киркинский В.М., Ряпосов А.П., Якушев В.Г. Фазовая диаграмма трисульфида мышьяка до давления 20 кбар. -Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы, 1967, т.З, № 10, с.1931-1932.

53. Кислицкая Е.А., Носков В.Б., Кокорина В.Ф. Оптическое поглощение бескислородных стекол на основе мышьяка, германия и селена.-Физ. и химия стекла, 1977, т.З, № 6, с.624-629.

54. Лисица М.П., Артамонов В.В., Бережинский Л.И. и др. Спектры комбинационного рассеяния халькогенидов германия и олова. -УШ, 1976, т.21, № 2, с.210-220.

55. Лифшиц И.М. 0 структуре энергетического спектра и квантовых состояний неупорядоченных конденсированных систем. -Успехи физ. наук, 1964, т.83, № 4, с.617-663.

56. Мандросов В.И., Пик Е,И., Соболев Г.А. и др. Запись голограммна халькогенидных стеклообразущих материалах. -Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы, 1973, т.9, № 8, с.1349-1352.

57. Марков Ю.Ф., Решетняк Н.В. Спектры комбинационного рассеяния света кристаллического и стеклообразного As2S3 . -ФТТ,1972, т.14, № 4, с.1242-1244.

58. Мазурин О.В. Стеклообразование и стабилизация неорганических стекол. -Л. :Наука, 1978 г. -64 с.

59. Минаев B.C. Стеклообразные полупроводниковые материалы. Синтез, свойства и применение. -М. :Электроника, 1974. -64 с.

60. Михайлов В.Н., Байдаков Л.А. Магнитная восприимчивость иодо-содержащих халькогенидных стекол. -Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы, 1974, т.10, № 10, с.1805-1809.

61. Михайлов В.Н. Физико-химические свойства стекол системы As-Se (S, Te)-J :Автореф. дис. . канд. хим. наук. -Л.,1973. -19 с.

62. Михайлов В.Н., Байдаков Л.А. Температурная зависимость магнитной восприимчивости стеклообразных AsSeJ и AsSJ . -Изв. АН СССР. Сер.Неорган, материалы, 1972, т.8, №8, с.1384-1387.

63. Мица В.М. Оптические свойства и особенности структурообразо-вания тонких пленок и стекол Ge-As-S и Ge-As-S-J • :Авто-реф. дис. . канд.физ.-мат. наук. -Кишинев, 1980. -19 с.

64. Мица В.М., Герасименко B.C., Олексиюк И.Д. и др. Оптические параметры модуляционных элементов на основе стекол системы

65. Hg-As-S . -Квантовая электроника :Респ. межвед. научно-техн. сб., Киев :Наукова думка, 1977, вып.1, с.96-99.

66. Мосс Т. Оптические свойства полупроводников. -М. :Изд-во Иностр. литерат., 1961. -304 с.

67. Мотт Н. Электроны в неупорядоченных структурах. -М. :Мир, 1969. -172 с.

68. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллическихвеществах. -2-е изд., перераб. и доп. -М. :Мир, 1982.-662 с.

69. Мюллер Р.Л., Байдаков Л.А., Борисова З.У. Опыт исследования электропроводности системы мышьяк-сера в стеклообразном состоянии. -Вестн. ЛГУ. Сер. Физики и химии, 1962, вып.4, № 22, с.77-89.

70. Мюллер Р.Л., Орлова Г.М., Тимофеева В.Н. и др. Граница стеклообразования у системы мышьяк-сера. -Вестн. ЛГУ. Сер. Физика ихимия, 1962, в.4, № 22, с.146-150.

71. Набитович И.Д., Стецив Я.И., Андрейко A.M. Структура хапько-генидов мышьяка в аморфном состоянии. -Кристаллография, 1976, т.21, № 3, с.620-621.

72. Немилов С.В. Вязкость и структура системы Ge-As-Se . -Журнал приклад, химии, 1964, т.9, вып.12, с.2224-2225.

73. Новикова С.Н. Тепловое расширение твердых тел. -М. :Наука, 1974. -286 с.

74. Новоселова Н.А., Байдаков Л,А., Страхов Л.П. Исследование магнитной восприимчивости стеклообразных сульфидов мышьяка. Вестн. ЛГУ. Сер. Физика и химия, 1971,в.2, № 10, сЛ18-124.

75. Новоселова Н.А., Новоселов С.К., Байдаков Л.А. Температурная зависимость магнитной восприимчивости As2S3 при переходе стекло-расплав. -Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы, 1970, т.6, № 9, с.1704-1705.

76. Новоселова Н.А., Новоселов С.К., Байдаков Л.А. Термические свойства стеклообразных сульфидов мышьяка. -Журнал приклад, химии, 1971, т.44, № II, с.2548-2550.

77. Немошкаленко В.В., Чудинов М.Г., Алешин В.Г. и др. Исследование стекол системы ртуть-мышьяк-сера методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. -Физ. и химия стекла, 1978, т.4, № 5, с.616-618.

78. Оптические измерения/ A.M. Борбат, И.С. Горбань, Б.А. Охри-менко и др. -Киев :Техника, 1967, -418 с.

79. Основные направления экономического и социального развития СССР на I98I-I985 годы и на период до 1990 года. -М. :Политиздат , 1981. -95 с.

80. Пашинкин А.С., Малкова А.С., Пастернак М.Т. Давление насыщенного пара жидкого сульфида сурьмы и ряда сплавов системы

81. Sb-S . -Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы, 1977, т.13, № 6, с.1094-1096.

82. Пинзеник В.П., Добош М.В., Туряница И.Д. Магнетохимические исследования стеклообразных сплавов системы SbSJ GeS2. -УХК, 1979, т.45, в.12, C.II8I-II83.

83. Полтавцев Ю.Г. Рентгенографические исследования AsSJ и

84. AsSeJ в стеклообразном и расплавленном состояниях. -Изв. АН СССР. Сер.Неорган.материалы, 1975, т.II, №10, с.1742-1745.

85. Полтавцев Ю.Г. Рентгенографические исследования сплавов мышьяк-сера. -ЛКФХ, 1975, т.49, № 6, с.1426-1429.

86. Полтавцев Ю.Г. Рентгенографические исследования структуры стеклообразных AsgSe^ и As2S^ . -УФЖ, 1973, т.18, № 6, с.915-917.

87. Полтавцев Ю.Г. Структура полупроводников в некристаллических состояниях. -УФН, 1976, т.120, № 4, с.581-612.

88. Полтавцев Ю.Г., Позднякова В.М. Структура стеклообразного

89. As2S5 . -УФЖ, 1973, т.18, № 4, с.673-675.

90. Пуга П.П. Оптические исследования энергетической структуры стеклообразных полупроводников типа А^В^сУ^ :Автореф. дис. . канд. физ.-мат. наук. -Львов, 1973. -23 с.

91. Дуга П.П., Борец А.Н., Туряница И.Д. Влияние температуры на пропускание стекол системы As-S-J в ИК-области спектра. -УФЖ, 1974, т.19, № 9, с.1489-1495.

92. Дуга П.П., Борец А.Н., Туряница И.Д., Чепур Д.В. ИК-спектры пропускания полупроводниковых стекол AsSej в интервале температур 5-413 К. -УФЖ, 1973, т.18, № 10, с.1645-1650.

93. Луга Л.Д., Сливка В.Ю., Герасименко B.C. и др. Комбинационноерассеяние и длинноволновые ИК-спектры стекол (AsSJ)v(GeS0).1. A 2 1 —X-Физ. и химия стекла, 1977, т.З, № 4, с.334-337.

94. Рассеяние света в твердых телах /Под ред. М. Кардоны. -М. :Мир, 1979. -390 с.

95. Ремми Г. Курс неорганической химии. -М. :Мир, 1972. -824 с.

96. Росола И.И. Дисперсия показателя преломления в стеклах системы (As2s3)x(aes2)1<-x . -УФЖ, 1982, т.27, №9, с.1410-1412.

97. Росола И.И., Заячковский М.П., Химинец В.В., Чепур Д.В. Тепловое расширение стекол системы Ge-As-S-J . -УФЖ, 1983,т.28, № 7, с.1060-1063.

98. Росола И.И., Пуга П.П. Особенности оптических свойств стеклообразных сплавов системы Ge-Sb-Se . -В кн. :Сборник тезисов У1 респ. конф. молодых ученых по физике (Мозырь, 7-9 июля 1980 г.). Минск, 1980, с.39.

99. Росола И.И., Пуга П.П., Мица В.М. и др. Оптические свойства и химическая связь в стеклах разреза As2S^ GeS2 • -УФЖ, 1981, т.26, № 10, с.1665-1669.

100. Росола И.И., Пуга П.П., Химинец В.В., Чепур Д.В. Оптическиесвойства, энергия, характеризующая дисперсию и структура стекол в системе Ge-Sb-Se . -^ФШ,1981,т.26, №И,с.1879-1883 .

101. Росола И.И., Пуга П.П., Чепур Д.В. Приведенная плотность колебательных состояний и структурные особенности в стеклах системы As-S . -В кн. :Сложные полупроводники (получение, свойства, применение). Ужгород :Изд-во Ужгород, ун-та, 1981,с.83-92.

102. Росола И.И., Пуга П.П., Чепур Д.В., Химинец В.В. Изучение оптических мод стекол системы As-S методами ИК и КР спектроскопии. -Ужгород, 1982. -16 с. -Рукопись представлена Ужгород, ун-том. Деп. в ВИНИТИ 31 мая 1982 г. № 2663-82.

103. Росола И.И., Пуга П.П., Чепур Д.В., Химинец В.В. Инфракрасные спектры и спектры деполяризации комбинационного рассеяния света в стеклах (AsgS^^AsJ^) • Оптика й спектроскопия, 1983, т.55, №4, с.695-699.

104. Росола И.И., Пуга П.П., Чепур Д.В., Химинец В.В. Спектрофото-метрические и рефрактометрические исследования стекол системы

105. Ge-As-Se . -Ужгород, 1980. -14 с. Рукопись представлена Ужгород, ун-том. Деп. в ВИНИТИ 30 июля 1980 г., № 3699-80.

106. Росола И.И., Химинец В.В., Пуга П.П., Чепур Д.В. Рефрактометрические исследования стекол системы Ge-Sb-Se . -Физическая электроника :Респ. межвед. научно-техн. сб., 1981, в.22,с.124-130.

107. ИЗ. Рубиш В.М., Туряница И.Д., Химинец В.В. Диэлектрическиесвойства стекол системы Ge-As-S . -УФЖ, 1981, т.26, № II,с.1856-1859.

108. Серегин П.П., Крыльников Ю.В., Насрединов Ф.С. и др. Исследование методом Мёссбауэра на ядрах итрд

109. АЬ1ИГе) влияния перехода кристалл-стекло на локальную структуру полупроводников. -Письма ШЭТФ,1974, т.20,№5, с.132-134.

110. Серегин П.П., Насрединов Ф.С,, Серегина Л.Н. и др. Электронные спектры кристаллических и стеклообразных ASgSe^ » As2S.j , ASgTe^ , AsSeJ, AsSJ , As^Te^J . -Физ. И химия стекла, 1977, т.З, № 5, с.512-519.

111. Структура и физико-химические свойства неорганических стекол. / Под ред. А.Г. Власовой и В.А. Флоринской. -Л. :Химия, 1974. -360 с.

112. Тимофеева В.Н., Борисова З.У. Электропроводность некоторых систем стеклообразных сплавов AsS^SeyGe • -Вестн. ЛГУ. Сер. Физика и химия, 1962, в.4, № 22, с.155-159.

113. Тимофеева В.Н., Виноградова Г.З., Фекличев Е.М. и др. Исследование влияния высоких давлений на кристаллизацию стекол системы As-S . -Докл. АН СССР, 1970, т.190,№4, с.902-904.

114. Товстюк К.Д., Борец А.Н. Графический метод определения оптических констант монокристаллических полупроводников при помощи измерения пропускания. -УФЖ, 1962, т.7, №I2,c.I285-I290.

115. Туряница И.Д., Коперлес Б.М., Химинёц В.В. и др. Халькоге-нидные стекла перспективные акустооптические материалы. -В кн.:Диэлектрические материалы радиоэлектроники.-М:,1977,с.176-179.

116. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. -М. :Наука, 1977. -366 с.

117. Физико-химические основы производства оптического стекла /Под ред. Л.И. Демкиной. -Л. :Химия, 1976. -456 с.

118. Хансен М., Андерко К. Структуры бинарных сплавов.-М. :Мета-лургиздат, 1962, т.1. -608 с.

119. Хансен М., Андерко К. Структуры бинарных сплавов.-М. :Мета-лургиздат, 1962, т.2. -1488 с.

120. Халькогенидные стекла и их применение /Ю.С. Акимов, В,В. Гар-шенин, Н.И. Довгошей и др. -М. :Электроника, 1973. -69 с.

121. Химинец В.В. Исследование стеклообразования и возможностей практического применения стекол четверных систем М-А^-В^-С^ :Автореф. дис. . канд. физ.-мат. наук. -Черновцы,1975.-23 с.

122. Химинец В.В. Исследование взаимодействия и стеклообразования в системе AsSJ-GeS2 .-ЖНХ, 1982,т.27,в.8, с.2094-2097.

123. Химинец В.В. Халькогенидные стекла перспективные материалы для квантовой электроники. I.Взаимодействие и структура стекол в системе As-S • -Квантовая электроника :Респ. межвед. научно-техн. сб., 1982, №23, с.64-80.

124. Химинец В.В., Баранова Л.П., Росола И,И., Ковач Д.Ш. Влияние условий синтеза на оптические свойства AsSJ . -УФЖ, 1984, т.29, № 4, с.507-510.

125. Химинец В.В., Герасименко B.C., Химинец О.В. и др. Колебательные спектры стекол бинарной системы As-S • -Физ. и химия стекла, 1978, т.4, № 6, с.648-652.

126. Химинец В.В., Пинзеник В.П., Росола И.И., Пинзеник К.И. Магнитная восприимчивость и химическая связь в стеклах системы Ge-As-S-J . -УФК, 1984, т.29, №4, с.531-534.

127. Химинец В.В., Пинзеник В.П., Химинец О.В. и др. Новые стеклообразные полупроводники для оптоэлектроники. -Проспект ВДНХ СССР, Ужгород, 1982. -7 с.

128. Химинец В.В., Пинзеник В.П., Химинец О.В., Росола И.И., Че-пур Д.В. Халькогенидные стекла в системе Ge-As-S-J . -Информационный листок о научно-техническом достижении. -Львов, :Изд-во Львовского ИНТИ, 1983, № 59. -4 с.

129. Химинец В.В., Туряница И.Д., Чепур Д.В., Цитровский В.В.Стек-лообразование и физико-химические свойства стекол в четверных халькогенидных системах. -В кн. :Вопросы физики полупроводников :Изд-во Калининградского ГУ, 1975, вып.1, с.79-85.

130. Химинец О.В. Исследование стеклообразования и структуры стекол в системах :Автореф. дис. . кацц. физ.-мат. наук. -Черновцы, 1980. -19 с.

131. Химинец О.В., Пуга П.П., Химинец В.В., Росола И.И., Пуга Г.Д. Спектры комбинационного рассеяния стекол системы As-S-J . -ЖПС, 1978, т.28, № 4, с.700-703.

132. Химинец В.В., Пуга П.П., Росола И.И., Пуга Г.Д., Чепур Д.В. Стеклообразование и спектры комбинационного рассеяния стеколв системе Hg-As-S-J . -Журнал структурной химии, 1980, т.21, № I, с.88-92.

133. Чернов А.П., Дембовский С.А., Каницева А.С., Кириленко И.А. Получение и исследование физических свойств соединений типаквВ^О411 (где вГС. S , Se , Те ; Br, J ). -В кн.

134. Некоторые вопросы химии и физики полупроводников сложного состава. :Материалы 3-го Всес. симпозиума по полупр. сложного состава (Удгород, сент.1969 г.). Ужгород, 1970, с,102-104.

135. Чернов А.П., Дембовский С.А., Кириленко И.А. Диаграммы состояния As^-AsJ^ (Х- S, Se ) . -Изв. АН СССР, Сер. Неорган, материалы, 1970, т.6, № 2, с.262-265.

136. Чернов А.П., Дембовский С.А., Махова В.И. Вязкость и структура стекол системы ASgX^-AsJ^ . -Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы, 1970, т.6, №4, с.823-825.

137. Чепур Д.В., Дуга П.П., Росола И.И., Дуга Г.Д. Особенности спектров комбинационного рассеяния некристаллических полупроводниковых соединений типа Hg (Ge)-As (Sb)-S-J . -Физическая электроника :Респ. межвед. научно-техн, сб., 1981, в.23, с.54-59.

138. Чижиков Д.И., Счастливый В.П. Селен и селениды. -М. :Наука, 1964. -320 с.

139. Шелопут Д.В., Глушков В.Ф. Акустические характеристики халь-когенидных стекол. -Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы, 1973, т.9, № 7, с.1149-1152.

140. Шилейка А.Ю., Бразджюнас П.П. Температурная зависимость показателя преломления слоев SbgSe^ . -Труды АН Лит. ССР, Серия Б, I (21), I960, с.99-105.

141. Ajo L.G., Efimov A.M., Kokorina V.F. Refractive index of chal-cogenide glasses over a wide range of compositions. -J. Uon-Cryst. Solids, 1978, v.3, No.27, p.299-307.

142. Boolchand P., Grothaus J. , Bresser W.J., Suranyi P. Structural origin of broken chemical order in a GeSe2# -Phys.Rev.B: Condens. Mater., 1982, v.25, No.4, p. 2975-2978.

143. Bridenbaugh P.M., Espinosa G.P., Griffiths J.E. et al. Microscopic origin of the companion A^ Raman line in glassy

144. Ge(S, Se)2. -Phys.Rev.B, 1979, V.B20, Ho.10, p.4140-4144.

145. Brodsky М.Ы., Cardona M. Local order as determined by electronic and vibrational spectroscopy. Amorphous semiconductors. -J. Hon-Cryst. Solids, 1978, v.31, No. 1-2, p.81-108.

146. Burtsev E.V. On the theory of optical absorption spectra of disordered semiconductors. -Phys. Stat. Sol. (b), 1972, v.51, Ho.2, p.241-250.

147. Bermudez Y.M. Vibrations of glasslike disordered systems. II. The AgB-j network in two dimensions-aplication to vitreous As2Se3 and As^. -J. Chem. Phys., 1972, v.57,Ho.7,p.2793-2799.

148. Chopra K.L., Bahl S.K. Structural, electrical and optical properties of amorphous germanium films. -Phys. Rev., 1970, v.B1, Ho.6, p. 2545-2556.

149. Clark R.J.H., Rippon D.M. The vapor phase raman spectra, raman band contour analyses, coriolis constants, force constants, and value for thermodynamic functions of the trihalide of group V. -J. Mole Spectrosc., 1974, v.52,Ho.1, p.58-71.

150. Cohen M.H., Fritzsche H., Ovshinsky S.R. Simple band model for amorphous semiconducting alloys. -Phys. Rev. Lett., 1969, v. 22, Ho. 10, p. Ю65-Ю68.

151. Cervinka L., Hruby A., Matuas M. et al. The structure and electronic properties of semiconducting glasses based on CdAs2 . -J.Hon-Cryst. Solids,1970, v.4, Ho. , p.258-271.- 205

152. Cervinka Ь., Trkal V., Lezal D. The structure of Hg-doped ASgSe^ glasses. -J. Non-Cryst. Solids, 1977, v.23, No. 2, p. 217-228.

153. Connell G.A.N., bucovsky G. Structural modes for amorphous semiconductors and insulators. -J. Non-Cryst. Solids, 1978, Ho. 1-2, p. 123-155.

154. Dawis E.A., Mott N.F. Conduction in noncrystalline systems. V. Conductivity, optical absorption and photoconductivity in amorphous semiconductors. -Phil. Mag., 1970, v. 22, No. 179, p. 903-922.

155. Drews R.E., Emerald R.E., Slade M.L., Zallen R. Interhand spectra of Ab^S^ and AsgSe^ crystals and glasses. -Solid State Communic., 1972, v.10, No.3, p. 293-296.

156. Dolling G., Cowley R.A. The thermodinamic and optical pro-pertis of germanium, selicon, diamond and gallium arsenide. -Proc. Phys. Soc., 1966, v.88, N0.2, p. 463-494.

157. Dittmar G., Shafer H. Die Kristallstruktur von H.T.-GeSg. -Acta Cryst., 1975, B.31, N8, S. 2060-2064.

158. Edmond J.Т., Anderson A., Gebhi A.A. For infrared study of ASgSey- type glasses. -Proc. Phys. Soc., 1963, v.81, No. 2, p. 328-329.

159. Evans B.L., Young P.A. Optical properties of arsenic trisul-phide. -Proc. Roy.,Soc., 1967, V.A297, No.1449, p.230-243.

160. Ewen P.J.S., Owen A.E. Resonance raman scattering in As-Sglasses.-J.Non-Cryst.Solids,1980,v.35-36,No.2, p.1191-1196.

161. Flashen S.S., Pearson A.D., Northover W.R. Low melting sulphide halogen inorganic glasses. -J. Appl. Phys., 1960, v.31, N0.1, p.219-220.

162. Giehler M. Building blocks and bonds of X-Rich X^ySy (X=As, Ge) glasses. -Phys. Stat. Sol., 1980,v.A57,No.2,p 541-552.

163. Giehler M., Pilz W. Infrared reflection and Raman scattering studis of the vibrational properties and structure of ASgS^Ge,glasses. -Phys. Stat. Sol., 1979, v.B93,No,2, p.641-651.

164. Herzberg G. Infrared and Raman spectra of polyatomic molecules. -Van-Nostrand, Nev-Yorc, 1945.

165. Hilton A.R., Jones C.E. The thermal change in the nondisper-sive index of optical materials. -Appl. Optics, 1967, v.6, No.9, p.1513-1517.

166. Hopkins Т.Е., Pasternak R.A., Gould E.B., Herndon J.R. X-ray diffraction studi of arsenic trisulphide-iodide glasses.-J. Phys. Chem., 1962, v.66, No.4, p.733-737.

167. Joffe A.F., Regel A.R. Non-crystalline, amorphous and liquidsemiconductors. -Progr. Semicond. Haywood and Co.Ltd., London, 1960, v.4, p.237.

168. Klein P.B., Taylor P.O., Treacy D.J. Two-phonon vibrational spectra of ASgS^» II. Comparison of the crystalline and amorphous forms. -Phys. Rev.B, 1977, v.16, No.10, p.4511-4518.

169. Kolomiets В .Т., Mazets T.F., Efendiev Sh.M., Andriesh A.M. On the energy spectrum of vitreous srsenic sulphide. -J.Non-Cryst. Sol., 1970, v.4, No.1, p.45-56.

170. Kobliska R.J,, Solin S.A. Temperature dependence of the raman spectrum and the depolarisation spectrum of ASgS^. -Phys. Rev. B, 1973, v.8, No.2, p. 756-768.

171. Kosek P., Tauc J. The absorption edge of amorphous ASgS^. -Czech. J. Phys., 1970, v.B-20, No.1, p. 94-100.

172. Lannin J.S. Low frequency coupling constants for raman scattering in amorphous solids. -Solid State Communs, 1973, v.12, No.9, p. 947-950.

173. Lastovickova M. Some differences in the exponential tail behaviour of the fundamental absorption edge in amorphous and grystalline materials. -Czech.J. Phys., 1972, v. B22, No.5» p. 418-424.

174. Liang K.S., Bienenstok A., Bates C.W. Structural studies of glassy CuAsSe,, and Cu-ASgSe^ alloys, -Phys. Rev. B, 1974, v. 10, No.4, p. 1528-1538.

175. Lonke W.R. Untersuchungen uber das System Schwefel und Arsen. -Z. anorg. Chem., 1909, B. 62, N 1, S. 89-107.

176. Lubchenko A.P., Zushman I.M. Light absorption by impurity centres and Urbach's rule. -Rhys. Stat. Sol., 1969, v. 32, No.2, p.703-714.

177. Lucovsky G. Optic modes in amorphous ASgS^ and ASgSe^. -Phys,

178. Rev. B, 1972, v.6, No.4, p. 1480-1489.

179. Lucovsky G., Galeener P.L. Infrared studies of amorphoussemiconductors. -In: Structure and properties of non-crystalline semiconductors: Proc. Int. Conf., (Leningrad, 18-24 XI. 1975). Leningrad, 1976, p. 207-215.

180. Lucovsky G., Galeener P.L. Local structure and vibrational spectra of v-As^. -J. Hon-Cryst. Sol., 1980, v. 37, Ho. 1, p. 53-70.

181. Lucovsky G., Martin R.M. A molecular model for the vibrational modes in chalcogenide glasses. -J. Hon-Cryst, Sol., 1972, v.8-10 p. 185-190.

182. Martin A.J., Brenig W Model for brillouin scattering in amor-1 phous solids. -Phys. Stat. Sol.(b), 1974,v.64,Ho.1,p.163-172.

183. Mills K.C. Thermodynamic data for inorganic salphides, sele-nides and tellurides. -London: Butterworths, 1974, p.131-135.

184. Mott IT.P., Street R.A. States in the gap in chalcogenide glasses. -Phil. Mag., 1977, v. 36, Ho.1, p. 33-52.

185. Myers M.B., Pelty E.T. Structural characterisation of vitreous inorganic polimers by thermall studies. -Mater. Res. Bull., 1967, v.2, Ho.5, p. 535-546.

186. Maruno Shigeo. Infrared absorption at around 800 cm of As-S glasses. -Japan J. Appl. Phys., 1967,v.6, Ho.9, p.1140-1141.

187. Morimoto H. The crystal structure for ASgS^VX-rays, 1949, v.5, Ho.3, p. 115-118.

188. Hakashima S., Mishima H., Tai H. Raman scattering from mixedcrystals (HgBr2)1-s(HgJ2)x. -J. Phys. and Chem. Solids, 1974, v.35, Ho.4, p. 531-536.- 209

189. Nemanich. R.J. Low-frequency inelastic light scattering from chalcogenide glasses and alloys. -Phys. Rev. Б, 1977, v. 16,1. No.4, p. 1655-1674.

190. Owen A.E. Semiconducting glasses. -Contemp. Phys., 1970, v. 11, Iffo. 3, p. 227 -255.

191. Papatheodorou G.N., Solin S.A. Vibrational extitation of ASgOy I. Disordered phases. -Phys. Rev, Б, 1976, v. 13, No.4» p. 1741-1751 .

192. Petz J.Y., Kruk R.T., Amstutz G.C. X-Ray diffraction studi of lead sulphide glasses.-J. Chem. Phys., 1961, v.34, No.2, p.526-529.

193. Phillips J.C. Covalent bonding in crystals, molecules and polymers. -Chicago-London. Union of Chicago Press, 1969.-267 p.

194. Phillips J.C., Beevers C.A., Gould S.E.B. Molecular structure of As2Se3 glasses. -Phys. Rev.B, 1980, v.21,No.12,p.5721-5732.

195. Prewitt C.T., Young H.G. Germanium and silicen disulphides: Structure and systems. -Science, 1965, v.149, p. 535-537.

196. Savaga J.A., Webber P.J., Pitt A.M. Infrared optical glasses for applications in 8-12 m thermal imaging systems. -Applid. Optics, 1977, v. 16, No. 11, p. 2938-2941.

197. Rubinstein M., Taylor P.C. Determination of local structural order in vitreus ASgS^ by nuclear quadrupole resonance. -Phys. Rev. Lett., 1972, v. 29, No.2, p. 119-121.

198. Rodney W.S., Malitson I.H., King T.A. Refractive index of arsenic trisulphide. -J. Optical Soc. America, 1958, v. 48, No.9, p. 633-636.

199. Schuker R., Gammon R.W. Raman scattering selection-rule brea-hing and the density of states in amorphous materials. -Phys. Rev. Lett., 1970, v. 25, No.4, p. 222-225.

200. Slade M.L., Zallen R. Raman spectra of As^S^ polymorphs : structural implications for amorphous AsQS,. films. Sol.Stat.

201. Commun., 1979, v. 30, No. 6, p. 357-360.

202. Scott D.W., Mo. Cuilough J.P., Kruse F.H. Vibrational assig-ment and for ce constants of Sg from a normal coordinate. -J. Mol. Spec., 1964, v. 13, No. 3, p. 313-320.

203. Solin S.A., Papatheodorou G.N. Irreversible the rmo struct viral transformation in amorphous ASgS^ films: A light-scattering study. -Phys. Rev. B, 1977, v.15, No.4, p. 2084-2090.

204. Sobolev V.V., Donetskich V.I., Chvorostenco A.S. The energy spectra of arsenic chalcogenides. -PHYS, Stat. Sol. (a), 1971, v.6, No. 2, p. K117-K120.

205. Somcynslci Т., Simha R, Hole theory of liquids and glass transition. -J. Appl, Phys., 1971, v.42, No.12, p. 4545-4548.

206. Smith J.E., Brodsky M.H., Crowder B.L., Nathan M.I. Raman scattering in amorphous Si, Ge and III-IV semiconductors.I- J. Non-Cryst. Sol., 1972, v.8-10, p. 179-184.

207. Street R.A., Mott N.F. States in the gap in glassy semiconductors. -Phys. Rev. Lett., 1975, v.34, No.15, p. 935-955*

208. Street R.A., Searle T.M., Austin I.G., Sussmann R.S. Temperature and field dependence of the optical absorption edge in amorphous As^S^. -J. Phys. C: Solid State Phys., 1974, v. 7, No.8, p. 1582-1594.

209. Tanaka K. Optical properties and photoinduced changes in amorphous As-S films. -Thin Solid Films,1980,v.66,No.3,p.271-279.

210. Tauc J. Absorption edge and internal filds in amorphous semiconductors. -Mat. Res. Bull., 1970, v.5, No.8, p. 721-730.

211. Tauc J., Grigorovici R., Vancu A. Optical properties and electronic structure of amorphous germanium. -Phys. Stat. Sol., 1966, v.15, No. 2, p. 627-637.

212. Tauc J., Menth A., Wood D.L. Optical and magnetic investigations of the localized states in semiconducting glasses. -Phys. Rev. Lett., 1970, v. 25, No. 11, p. 749-752.

213. Taylor P.O., Bishop S.G., Mitchell D.L. Temperature dependence of local order in the layer type liquid semiconductors,

214. As2S3 and TlgSe.ASgTe^. -Phys. Rev. Lett., 1971, v. 27, No.7, p. 414-417.

215. Treacy D.J., Strom U., Klein P.В. et al. Photоstructural effects in glassy ASgS^ and As^Sey. -J. Non-Cryst. Sol., 1980, v. 35-36, No. 2, p. 1035-1039.

216. Tsay Y.F., Bendow В., Mitra S.S. Theory of the temperature derivative of the refractive index in transparent crystals. -Phys. Rev. B, 1973, v. 8, No. 6, p. 2688-2696.

217. Tubbs M.R. A spectroscopic interpretation of crystalline ionicity. -Phys.Stat. Sol., 1970, v.41, No.1, p.K61-K64.

218. Uemura 0., Sagara Y., Muno D., Satow T. The structure ofliquid ASgSe^ and GeSe2 "by neutron diffraction. -J. Non-Cryst. Sol., 1978, v. 30, No. 2, p. 155-162.

219. Utsugi Y., Mizushima Y. Phot о structural change of lattice-vibrational spectra in Se-Ge chalcogenide glass. -J. Appl. Phys., 1978, v. 49, No. 6, p. 3470-3475.

220. Van Vechten J.A. Quant dielectric theory of electronegativity in covalent system. -Phys. Rev., 1969, v. 182, No. 3, p. 891-905.

221. Ward A.T. Raman spectroscopy of suphur, sulphur-selenium, and sulphur-arsenic mixtures. -J. Phys. Chem., 1968, v. 72, No. 12, p. 4133-4139.

222. Wemple S.H.Refractive-index behavior of amorphous semiconductors and glass.-Phys.Rev.В, 1973,v.7,No.8, p.3767-3777.

223. Wemple S.H., Di Domenico M. Behavior of the dielectric constant in covalent and ionic materials. -Phys. Rev. B, 1971, v. 3, No. 4, p. 1338-1352.

224. Wemple S.H., Di Domenico M. Optical dispersion and the structure of solids. -Phys. Rev. Lett., 1969,v.23,N.20,p.1156-1163.

225. Wilson Е.В., Decius J.С., Gross P.O. Molecular vibrations. -Mc Graww-Hill, New-York, 1955.

226. Zakis J.R., Pritsche H. Temperature dependence of the absorp tion edge in crystalline and vitreous AsgS^. -Phys. Stat. Sol. (b), 1974, v. 64, No.1, p. 123-130.

227. Zallen R., Drews R.E., Emerald R.L., Slade M.L. Electronic structure of crystalline and amorphous As^S^ and ASgSe^. -Phys. Rev. Lett., 1971, v. 26, No. 25, p. 1564-1567.

228. В результате исследований, выполненных И.И, Росолом по теме его диссертации, были определены оптические параметры стекол системы £е As - S - J по разрезам As^ i (A^S^) % ( hs h)^*

229. C^fiSjgJif-X и CAsSJ)x (PeS2)4.x В области 5*450 К, что позволило определить составы стекол с отрицательным, положительным и нулевым значениями температурного приращения показателя преломления.

230. ПРОРЕКТОР■ПО НАУЧНОЙ РАБОТЕ УЖГОРОДСКОГО^ ГОСУНИВЕРСИТЕТАц. Q.M. КИШКО1. УЩРШ»1985 г.1. СПРАВКА

231. Научный руководитель ОНИЛ,канд. физ.-мат. наук, старший научный сотрудник

232. Заведующий ОНИЛ, канд. физ.-мат. наук, старший научный сотрудник1. ТУРЯНИЦА