Получение и свойства гетероструктуры n-InSb-SiO2-p-Si тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Григорова, Виталина Валерьевна

• Григорова, Виталина Валерьевна
• кандидат физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Григорова, Виталина Валерьевна

Введение.

Глава I. Обзор литературных данных по пленкам и гетероструктуре.

1.1. Теоретические основы гетеропереходов.

1.1.1. Резкие анизотипные гетеропереходы. а) Диффузионная модель. б) Эмиссионная модель. в) Эмиссионно-рекомбинационная модель.

1.1.2. Резкие изотипные гетеропереходы. а) Эмиссионная модель. б) Модель двойного Шоттки-диода. в) Туннельная модель.

1.2. Методы получения пленок.

1.2.1. Вакуумное осаждение.

1.2.2. Метод Векшинского.

1.2.3. Метод трех температур.

1.2.4. Метод дискретного испарения.

1.2.5. Перекристаллизация.

1.3 .Методы получения гетероструктуры.

1.3.1. Выращивание из раствора-расплава.

1.3.2. Химический метод.

1.3.3. Химический газотранспортный метод.

1.3.4. Особенности приготовления гетероструктуры.

1.4.Электрофизические свойства гетероструктуры.

1.4.1. Вольт-емкостные характеристики гетероструктуры.

1.4.2. Вольт-амперные характеристики гетероструктуры.

Глава И. Получение, электрические и термоэлектрические свойства гетероструктуры n-InSb-SiO 2 -p-Si.

2.1. Приготовление образцов и их структурные особенности.

2.1.1. Методика получения гетероструктуры n-InSb-Si02 -p-Si.

2.1.2. Структурные особенности образцов.

2.2. Электрические свойства компенсированных пленок n-InSb.

2.3. Определение электрических параметров макродефектов в перекристаллизованных пленках.

2.4. Характер гетероструктуры n-InSb-Si02-p-Si и глубина залегания ловушек.

2.5. Аномальная термоэдс на гетероструктуре n-InSb-Si02 -p-Si.

Глава III. Оптические и фотоэлектрические свойства гетероструктуры n-InSb-Si02-p-Si.

3.1.Методы исследования оптических и фотоэлектрических свойств гетероструктуры n-InSb-Si02 -p-Si.

3.2.Исследование темновых и световых В АХ гетероструктуры n-InSb-Si02 -p-Si.

3.3.Зонная энергетическая диаграмма гетероструктуры n-InSb-Si02-p-Si.

3.4. Оптическая память гетероструктуры n-InSb-Si02-p-Si.

3.5. Оптическая память в поликристаллических пленках n-InSb, особенности оптической памяти.

Глава IV. Практическое применение гетероструктуры n-InSb-SiO 2 -p-Si.

4.1 .Термоэлектрогенератор.

4.2. Элемент оптической памяти.

4.3. Модулятор инфракрасного и микроволнового излучения.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Получение и свойства гетероструктуры n-InSb-SiO2-p-Si»

Первоначально применение полупроводниковых пленок отличалось известным эмпиризмом, так как началось задолго до того, как появилась теория полупроводников, способная их объяснить. Открытие американскими физиками Д. Бардином и В. Браттейном в 1948г. транзисторного эффекта вызвало у физиков и радиоинженеров всего мира необычайный интерес. Эта работа и последовавшее затем создание р-п-переходов в монокристаллах германия и их теории стимулировали лавинное нарастание исследований по физике и технологии полупроводников, что в конечном счете привело к технической революции в области радиоэлектроники и радиотехники, значение которой, по-видимому, ничуть не меньше, чем открытие ядерной энергии для энергетики.

Все дальнейшее развитие полупроводниковой электроники шло по пути исследования монокристаллических структур на основе германия, кремния и в последнее время полупроводниковых соединений элементов третьей и пятой групп периодической системы АШВУ с различным распределением примесей по типу и концентрации.

Улучшение свойств приборов шло главным образом по пути совершенствования методов образования р-п-переходов и использования новых материалов. Замена германия кремнием позволила поднять рабочую температуру приборов и создать высоковольтные диоды и тиристоры.

Изучение электрических, оптических и других физических свойств пленок элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений позволило установить ряд особенностей электронных процессов в тонких пленках. Эти особенности обусловлены влиянием многих факторов, приводящих к существенному различию свойств тонкой пленки и массивного кристалла. К таким факторам следует отнести толщину пленки (размерные эффекты), состояние поверхности, фазовый состав, структуру, род, количество дефектов и другие. Наряду с многочисленными исследованиями тонких слоев элементарных полупроводников значительное внимание уделяется работам по физике и технологии пленок более сложных объектов - бинарных, тройных и других полупроводниковых материалов. Развитие физики тонких пленок и пленочного материаловедения стимулируется расширением круга задач, решаемых микроэлектроникой. Это приводит к тому, что прогресс в области микроминиатюризации электронной аппаратуры все теснее связывают с получением тонких слоев полупроводников группы А/7/Вк, нитритов, селенидов, оксидов и других.

В последнее время получены впечатляющие результаты для коротковолновых источников излучения на основе селенидов А "В" и нитридов A//7N. Использование гетероструктурных концепций и методов роста, которые были разработаны для квантовых ям и сверхрешеток на А"' Ву, в большой степени определило успех этих исследований. Естественная и наиболее предсказуемая тенденция - применение гетероструктурных концепций и технологических методов к новым материалам. Среди данных материалов соединения элементов 3 и 5 групп и их твердые растворы представляют особый интерес. Они технологичны, характеризуются высокими значениями подвижностей электронов и дырок, широким диапазоном величины запрещенной зоны, могут быть легированы до высоких концентраций акцепторов и доноров. Этими и другими ценными свойствами объясняется широкое использование полупроводников Ая/Вк в электронной технике, в частности при создании различных полупроводниковых приборов. Так, к примеру, на основе полупроводников А"'ВУ, классические гетероструктуры, квантовые ямы и сверхрешетки настолько совершенны, что уже используются многие из их уникальных свойств, а структуры с квантовыми точками подразумевают новые материальные системы, способные перекрывать новые диапазоны энергетического спектра.

Один из представителей данного класса - антимонид индия отличается минимальной среди соединений A'"BV шириной запрещенной зоны, равной 0,164 эВ при Т=300 К, наибольшей величиной подвижности электронов, достигающей 78000 см2/(В-с) при комнатной температуре и на порядок выше при температуре жидкого азота. Эффективная масса электрона составляет всего 0,014 ш0.

Контактирующая пара InSb-Si имеет значительное различие в температурных коэффициентах линейного расширения, теплопроводности, постоянных кристаллической решетки, показателях преломления и других. Это обстоятельство при использовании известных технологических приемов получения тонких пленок всегда приводит в процессе роста слоя к образованию многочисленных микро- и макродефектов. Поэтому перед технологами стоит задача отыскать такие технологические приемы, которые смогут максимально снизить количество образующихся дефектов или же получить бездефектные слои.

Вместе с тем, наличие макродефектов (неоднородностей) открывает возможности для проявления новых интересных эффектов в пленках, например, таких как аномальный эффект Холла и отрицательная фотопроводимость.

Особенно широко исследовались полупроводниковые кристаллы и пленки антимонида индия в шестидесятые и семидесятые годы прошлого столетия. Обобщение наиболее существенных результатов, полученных в нашей стране и за рубежом при изучении свойств и практического применения пленок антимонида индия и тонкопленочных структур на их основе, было сделано в монографии [1].

В настоящее время в связи с возрождением элементной базы предприятий электронной промышленности потребуются дополнительные разработки новых технологий полупроводниковых материалов для создания отечественных приборов различного назначения. Использование гетероструктуры n-InSb-SiO 2 -p-Si представляет значительный интерес в связи с тем, что антимонид индия обладает необычайно интересными гальваномагнитными и оптическими свойствами, что позволяет создать тонкопленочные приборы, способные работать в условиях действия различных внешних факторов и решать целый ряд народнохозяйственных задач.

Разработки технологических методов получения тонких пленок n-InSb и гетероструктур с целью получения слоев со структурой и свойствами, приближающимися к свойствам массивного материала, ведутся уже в течение трех десятилетий. Однако достижение этой цели ограничивалось толщиной слоя, родом подложки, особенностями условий роста при различных технологических приемах.

Вместе с тем оказалось, что метод дискретного испарения и последующая термическая перекристаллизация наиболее оптимальны для получения гетероструктур n-InSb-Si02-p-Si со свойствами, близкими к монокристаллам, и что таким путем получилась структура с аномальными электрическими, гальваномагнитными, фотоэлектрическими свойствами, составляющими основу создания новых полупроводниковых приборов.

Цели и задачи исследования. Целью данного исследования является получение пленок n-InSb на кремниевых подложках с естественным окисным слоем методом дискретного испарения в вакууме с последующей термической перекристаллизацией для создания гетероструктуры n-InSb-Si02 -p-Si, исследование ее электрических, термоэлектрических и фотоэлектрических свойств, оценка механизма токопрохождения в гетероструктуре и возможность создания новых приборов на ее основе.

В соответствии с этой целью в работе решаются следующие задачи: Получение гетероструктуры n-InSb-SiO 2 -p-Si методом дискретного испарения кристаллического порошка n-InSb на подложки из окисленного кремния Si02 -p-Si с последующей термической перекристаллизацией. Исследование структуры и состава полученных слоев. Исследование вольтфарадных характеристик с целью определения типа гетероструктуры и глубины залегания поверхностного примесного уровня в p-Si.

Исследование температурной зависимости термоэдс гетероструктуры п-InSb-Si02-p-Si для образцов, полученных при различной температуре подложки.

Исследование особенностей механизма токопрохождения в гетероструктуре n-InSb-Si02 -p-Si.

Изучение явления оптической памяти на данной гетероструктуре из исследований темновых и световых ВАХ.

Показать возможность создания на основе исследований гетероструктуры n-InSb-Si02-p-Si приборов с параметрами и характеристиками, превышающими известные аналоги.

Объект и методы исследования. Объектом исследования в данной работе является гетероструктура n-InSb-Si02-p-Si, полученная методом дискретного испарения кристаллического порошка n-InSb на кремниевые подложки с естественным окисным слоем с последующей термической перекристаллизацией.

Научная новизна полученных в работе экспериментальных результатов состоит в следующем:

1. Впервые получен гетеропереход n-InSb-Si02-p-Si методом дискретного испарения с последующей термической перекристаллизацией слоя n-InSb на подложке Si02 -p-Si.

2. Определены значения энергии активации акцепторных уровней в p-Si, на основе исследования вольтфарадных характеристик гетероструктуры п-InSb-Si02 -p-Si, равные ДЕ=Ю,18-0,24эВ.

3. Установлено, что удельная термоэдс гетероструктуры n-InSb-Si02 -p-Si принимает аномально высокие значения (а~50мВ/К) в широком диапазоне температур (77-340К).

4. Из исследования вольтамперных характеристик гетероструктуры n-InSb-Si02 -p-Si определено, что в диапазоне напряжений 0-6В наблюдается туннельно-рекомбинационный механизм токопрохождения, а при напряжениях более 6В - туннельный механизм. 5. Установленно, что на образцах, полученных при температуре подложки ~400°С, наблюдается эффект оптической памяти, который при Т=77К составляет 40%.

Практическая значимость. Полученные результаты исследования эффекта оптической памяти на гетероструктуре n-InSb-Si02-p-Si использованы при разработке элемента оптической памяти, на что получен патент на изобретение №2207638 и могут быть использованы при разработке микротермоэлектрогенератора, модулятора инфракрасного и микроволнового излучения.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Технология получения гетероструктуры n-InSb-Si02-p-Si методом дискретного испарения в вакууме n-InSb на кремниевые подложки с естественным окисным слоем с последующей термической перекристаллизацией.

2. В исследованных интервалах напряжений механизм токопрохождения в гетероструктуре n-InSb-SiO 2 -p-Si является тунельнорекомбинационным при напряжении 4-6В и тунельным при напряжении более 6В.

3. Высокие значения термоэдс на гетероструктуре n-InSb-Si02-p-Si, которые в зависимости от температуры подложки достигают а-50 мВ/К

4. Существование оптической памяти в исследуемой гетероструктуре n-InSb-Si02 -p-Si, которая достигает более 40% при температуре 77К.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Григорова, Виталина Валерьевна

Выводы

1. Впервые получена гетероструктура n-InSb-Si02-p-Si методом дискретного испарения кристаллического порошка n-InSb на кремниевые подложки с естественным окисным слоем при различных температурах 300 - 400° С с последующей термической перекристаллизацией. Образцы имели поликристаллический слой n-InSb с размерами кристаллитов 0,5.5мкм. Концентрация носителей заряда составила (1.2)-1017 см-3 при Т=300К. Максимальные значения подвижностей электронов при комнатной

Л Л температуре составили /уп=5-10 см/(В-с).

2. Исследования механизмов токопрохождения в гетероструктуре n-InSb-Si02-p-Si показали, что в области малых напряжений (4-6В) преобладает туннельно-рекомбинационный механизм токопрохождения, а в области напряжений более 6В наблюдается туннельный механизм токопрохождения.

3. Термоэдс на гетероструктуре n-InSb-Si02-p-Si В интервале температур 77.290К принимает аномально высокие значения, достигающие ~50мВ/К в образцах с перекристаллизованным слоем n-InSb, тогда как в образцах с поликристаллическим слоем n-InSb термоэдс составляет ~0,8-10мВ/К в том же интервале температур.

4. На образцах, полученных при температуре подложки -400° С, а также на образцах с перекристаллизованным слоем n-InSb при обратных напряжениях более 4В наблюдается остаточная фотопроводимость, которая может достигать значения ~40% при температуре жидкого азота.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Григорова, Виталина Валерьевна, 2005 год

1. Тонкие пленки антимонида индия / В.А. Касьян, П.И. Кетруш, Ю.А. Никольский, Ф.И. Пасечник; Под ред. Н.Н. Сырбу. Кишинев: Щтиинца, 1989,-162с.

2. А.И. Губанов Теория контакта двух полупроводников с проводимостью одного типа. ЖТФ, 1951, 21, 304.

3. А.И. Губанов К теории полупроводников со смешанной проводимостью. ЖЭТФ, 1951,21, 1,79.

4. А.И. Губанов К теории контактных явлений в полупроводниках. ЖТФ, 1952, 22,5,729.

5. Н. Kroemer. Proc. IRE. 45, 1535 (1957).

6. R.L. Anderson. IBM. I.Res. Dev. 4, 283 (1960).

7. R.L. Anderson. Solid State Electron. 5, 341 (1962).

8. W. Shockley. Bell. Syst. Tech. J. 28, 435 (1949).

9. L.J. Van Ruyven. Thesis, Technische Hogeschool, Eindhoven, Netherlands, 1964.

10. R.L. Anderson. Proc. Int. Conf. On the Phis. Chem. Of Semicond. Heterojunctions (Edinor-in-chief G. Szigeti), vol. II, p. 55, Akademiai Kiado, Budapest, 1971.1 l.S.S. Perlman, D.L. Feucht. Solid State Electron. 7, 911 (1964).

11. C.J.M. Van Opdorp. Thesis, Technische Hogeschool, Eindhoven, Netherlands, 1969.

12. U. Dolega, Z. Naturf. 18a, 653 (1963).

13. R.C. Kumar, Int. J. Electron. 25, 239 (1968).

14. W.G. Oldham, A.G. Milnes. Solid State Electron. 6, 121 (1963).

15. W.G. Oldham, A.G. Milnes. Solid State Electron. 7, 153 (1964).

16. W.G. Oldham, Thesis, Carnedie Institute of Technology, Pittsburgh, 1963.

17. C. Van Opdorp and H. K. J. Kanerva, Solid State Electron. 10,401 (1967).

18. L.J. Van Ruyven, J. M. P. Papenhuijzen and A. C. J. Verhoven. Solid State Electron. 8, 631 (1965).

19. Физика тонких пленок / Под ред. Т. Хааса и Р.Э. Туна; Пер. с англ. М.: Мир, 1966-1978.

20. Палатник J1.C., Фукс М.Я., Косевич В.М. Механизм образования и субструктура конденсироанных пленок. М.: Наука, 1972.

21. Вакуумное нанесение пленок в квазизамкнутом объеме / Ю.З. Бубнов, М.С. Лурье, В.Г. Старое, Т.А. Филаретов. М.: Сов. Радио, 1975.

22. Технология тонких пленок: Справочник / Под ред. J1. Майссела, Р. Глэнга; Пер с англ. М.: Сов. Радио, 1977.

23. Точинский Э.И. Кристаллизация и термообработка тонких пленок. Минск: Наука и техника, 1976.

24. Александров JI.H. Кинетика кристаллизации и перекристаллизации полупроводниковых пленок. Новосибирск: Наука, 1985.

25. Палатник JI.C., Сорокин В.К. Основы пленочного полупроводникового материаловедения. М.: Энергия, 1973.

26. Wieder Н.Н. Intermetalic Semiconducting Films. Oxford: Pergamon Press, 1970.

27. Палатник JI.C., Папиров И.И. Эпитаксиальные пленки. M.: Наука, 1971.

28. Александров JI.H. Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок. Новосибирск: Наука, 1978.

29. Конозенко И.Д., Михновский С.д. Структура и электрические свойства тонких слоев InSb //Изв. АН СССР. Сер. физ. 1956. Т.20. С. 1486-1490.

30. Семилетов С.А., Розсивал М. Электронографическое исследование InSb //Кристаллография. 1957. Т.2. С.287-288.

31. Куров Г.А., Пинскер З.Г. Исследование тонких пленок, полученных испарением InSb в вакууме //ЖТФ. 1958. Т.28. С.2130-2134.

32. Семилетов С.А., Розсивал М. Электронографическое исследование InSb //Кристаллография. 1957. Т.2. С.287-288.

33. Куров Г.А., Пинскер З.Г. Исследование тонких пленок, полученных испарением InSb в вакууме //ЖТФ. 1958. Т.28. С.2130-2134.

34. Касьян В.А., Кот М.В. Электрические свойства тонких слоев антимоннида индия // Уч. Зап. Кишиневского гос. Ун-та. 1961. Т.49. с.69-77.

35. Векшинский С.А. Новый метод металлографического исследования сплавов. М.: ОГИЗ, 1944.

36. Преснов В.А., Сыноров В.Ф. Получение и исследование интерметаллических соединений в тонких слоях //ЖТФ. 1957. Т.27. С.123-126.

37. Куров Г.А., Пинскер З.Г. Исследование тонких слоев переменного состава системы индий-сурьма //ЖТФ. 1958. Т.28. С.29-34.

38. Гюнтер К. Испарение и взаимодействие элементов //Полупроводниковые соединения АЗВ5 /Под ред. Р. Виллардсона и X. Гёринга; Пер. с англ. М.: Металлургия, 1967. С.443-462.

39. Касьян В.А., Кот М.В. Электрические свойства тонких слоев антимонида индия // Тез. Докл. На Всесоюз. Совещании по полупроводниковым соединениям. Л.: Изд-во АН СССР, 1961. С.37.

40. Касьян В.А., Кот М.В. Технология получения и электрические свойства тонких слоев InSb с большой подвижностью электронов // Тр. По физике полупроводников / Кишиневский гос. ун-т. Вып. 1. Кишинев, 1962. С.57-69.

41. Семилетов С.А., Агаларзаде П.С. Структура и электрические свойства тонких пленок InSb //Кристаллография. 1964. Т.9. С.490-497.

42. Carrol J.A., Spivac J.F. Preparation of high mobility InSb films //Sol. Stat. Electron. 1966. Vol.9. P.383-387.

43. Wieder H.H. Crystallization and properties of InSb films grown brom a nonstoichiomatric liquid//Sol. Stat. Comm. 1965. Vol.3. P.159-160.

44. Wieder H.H. Galvanomagnetic properties of recrystallised dendritic InSb filns //Sol. Stat. Electron. 1966. Vol.9. P.373-382.

45. Clawson A.R. Crystall morfology of melt grown InSb films //Journ. Vac. Sci.Techn. 1969. Vol.6, N.4. P.769-772.

46. Teede N.F. Single crystal InSb thin films prepared by electron beam recrystallization//Sol. Stat. Electron. 1967.Vol.10. P. 1069-1076.

47. Teede N.F. Structural and electrical properties of electron beam zone recrystallised indium antimonide thin films //Proc. I.R.E.Australia. 1967. P.115-117.

48. Namba S., Kawazu A., Kanekama N. Et a.l. Crystallization of vacuum-deposited indium antimonide films by the electron beam zone melting process //Jar. Journ. Appl. Phys. 1967. Vol.6. P. 1464-1465.

49. Williamson W.J. Microzone melting of InSb films using a hot wire //Journ. Vac. Sci. Techn. 1969. Vol.6. P.765-769.

50. Бауэр У.В. сб. «Монокристаллические пленки». Изд. «Мир», Москва, 1966.

51. Проблемы эпитаксии полупроводниковых пленок / Под ред. JI.H. Александрова. Новосибирск: Наука, 1972.

52. Полупроводниковые пленки для микроэлектроники. / Под ред. JI.H. Александрова и В.И. Петросяна. Новосибирск: Наука, 1977.

53. Александров Л.Н. Кинетика образования и структура твердых слоев. Новосибирск: Наука, 1972.

54. J.C/ Marinace. IBM J. Res. Dev. 4,248 (1960).

55. Bertoti, M. Farkas-Jahnke, E. Lendvay and T. Nemeth. J. Mat. Sci. 4, 699 (1969).

56. T. Morrizumi and K. Takahashi. Jap. J. Appl. Phys. 9, 849 (1970).

57. T. Yamato. Jap. J. Appl. Phys. 4, 541 (1965).

58. S.W. Ing, Jr. And H.T. Minden, J. Electrochem. Soc. 109, 995 (1962).

59. M. Weinstein, R.O. Bell and A.A. Menna. J. Electrochem. Soc. 111, 647 (1964).

60. M.E. Davis, G. Zeidenbergs and R.L. Anderson. Phys. Stat. Sol. 34, 385 (1969).

61. J.P. McCarthy. Solid State Electron. 10, 649 (1967).

62. G.R. Cronin, R.W. Conrad and S.R. Borrello. J. Electrochem. Soc. 113, 1336 (1966).

63. L.C. Bobb, H. Holloway, K.H.Maxwell and E. Zimmerman. J. Appl. Phys. 37, 4687(1966).

64. M.E. Davis. Proc. Int. Conf. On the Phys. Chem of Semicond. Heterojunctions (Editor-in-chief G. Szigeti), vol.11, p.259, Akademiai Kiado, Budapest, 1971.

65. W.G. Oldham. J. Appl. Phys. 36,2887 (1965).

66. G.S. Kamath and D. Bowman. J. Electrochem. Soc. 114, 192 (1967).

67. R.C. Taylor, J.F. Woods and M.R. Lorenz. J. Appl. Phys. 39, 5404 (1968).

68. L.C. Luther and D.D. Roccasecca. J. Electrochem. Soc. 115, 850 (1968).

69. E.G. Dierschke and G.L. Pearson. J. Appl. Phys. 41, 321 (1970).

70. Y. Hamakawa, T.S. Wu and H. Kitamura. Proc. Int. Conf. On the Phys. Chem. Of Semicond. Heterojunctions (Editor-in-chief G. Szigeti), vol. II, p. 313, Akademiai Kiado, Budapest, 1971.

71. M.Aoki and H. Kasano, Proc. 1st. Conference on Solid State Devices, Tokyo, 1969, Supplement to the J. Of Japan Soc. Of Applied Phys. 39, 234 (1970).

72. H.Seki and M. Kinoshita. Jap. J. Appl. Phys. 7,1142 (1968).81 .J. Perrin and L. Capella. Compte rendu Acad. Des Sci. 267,218 (1968).

73. F.H. Nicoll. J. Electrochem. Soc.,110, 1165 (1963).

74. H.J. Hovel and A.G. Milnes. J. Electrochem. Soc. 116, 843 (1969).

75. Шарма Б.Л., Пурохит P.K. Полупроводниковые гетероструктуры: (Пер. с англ./Под ред. Ю.В. Гуляева)- М. «Советское радио». 1979, 232с.

76. J.P. Donnelly, G.G. Milnes. IEEE Trans. Electron. Dev., E.D-14,63 (1967).

77. Ж.И. Алферов, B.M. Андреев, В.И. Корольков, Е.И. Портной, Д.Н. Третьяков Механизм протекания тока в гетеропереходах p-Al^Ga^As-n-GaAs.- ФТП, 1970, 4, №1, 167.

78. H.J. Hovel, A.G. Milnes. Int. J. Electron. 25, 201 (1968).

79. P.C. Newman. Electron. Lett. 1,265 (1965).

80. J.P. Donnelly, G.G. Milnes. Proc. IEE 113, 1468 (1966).

81. A.R. Riben, D.L. Feucht. Solid State Electron. 9, 1055 (1966).

82. J.P. Donnelly, A.G. Milnes. Int.J. Electron. 20,295 (1966).

83. W.G. Oldham, A.G. Milnes. Solid State Electron. 7, 153 (1964).

84. C. Van Opdorp. Proc. Int. Conf. On the Phys. And Chem. Of Semicond. Heterojunctions (Editor-in-chief G. Szigeti), vol. II, p. 91, Akademiai Kiado, Budapest, 1971.

85. Никольский Ю.А., Зюзин C.E., Донцова B.B. Электрические свойства компенсированных пленок n-InSb. Тезисы докл.№ Междун. Научн-техн. конф. «Фунд. и прикл. проблемы физики». Морд.гос.пед.ин-т. Саранск, 2001,с.71.

86. Никольский Ю.А., Зюзин С.Е., Донцова В.В. Определение электрических параметров макродефектов в перекристаллизованных пленках n-InSb. Тезисы докл.№ Междун. Научн-техн. конф. «Фунд. и прикл. проблемы физики». Морд.гос.пед.ин-т. Саранск, 2001,с.72.

87. Никольский Ю.А., Зюзин С.Е., Донцова В.В. Влияние дефектов на фотопамять гетероструктуры n-InSb-Si02-p-Si. Матер. 1 Всеросс.конф.

88. Физ-хим. Процессы в конд.сост. и на межфазных границах». «ФАГРАН-2002», с.554-555.

89. Nikolskii Y.A., Zyuzin S.E., Dontsova V.V. Anomalous Phenomena in Thin InSb Films is a Way to Make The Effective Semiconductor Devices. Proceeding of Conf."GaAs-2002" and III-V Semiconductors. Tomsk, 2002,p.l05-107.

90. K. Berchtold // Proc. Int. Conf. On Phys. Chem. Semicond and Layer Structures. Budapest. Т.Н. p.221, (1971).

91. Рембеза С.И. Методы измерения основных параметров полупроводников. -Воронеж. Изд-во ВГУ, 1989.-224с.

92. Горев Н.Б., Копылов С.А., Макарова Т.В., Прохоров Е.Ф., Укопов А.Т. Вольт-фарадные характеристики тонкопленочных структур n-GaAs. ФТП., т.26, вып.5, с.861-867. 1992.

93. Таус Я. Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках. М., 1962. 253с.

94. Балмуш И.И., Дашевский З.М., Касиян А.И. Термоэлектрические явления в полупроводниковой структуре с рн-переходом. М.: ЦНИИ «Электроника». 1985. №Р 4038.

95. Балмуш И.И., Дашевский З.М., Касиян А.И. Распределение потенциалов в полупроводниковой структуре с р-п-переходом при наличие градиента температуры. ФТП, т.20, вып.8, 1986, с. 1541-1544.

96. Никольский Ю.А., Донцова В.В., Зюзин С.Е. Аномальная термоэдс на гетероструктуре n-InSb-Si02-p-Si. Тезисы докл. 1 Украинской научн.конф.по физике п/п УКНФП-1. Одесса, 2002,с.301-302.

97. Балмуш И.И., Дашевский З.М., Касиян А.И. Барьерная термоэдс на р-п-переходе. ФТП,т.29, вып.Ю, 1995, с.1796-1804.

98. Никольский Ю.А., Донцова В.В. Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктуры n-InSb-Si02-p-Si. Конд. среды и межф. границы. Т.З., №1, 2001,с.54-59.

99. О.В. Емельяненко, Ф.П. Кесаманлы ФТП, 2, 1494, (1960).

100. М.К. Шейнкман, А .Я. Шик ФТП, 10,209 (1976).

101. Ю.А. Никольский. Отрицательная фотопроводимость в пленках n-InSb. ФТП, т.23, вып. 11, с. 1972-1974, (1994).

102. Никольский Ю.А., Донцова В.В., Зюзин С.Е., Колыванов Е.А. Особенности оптической памяти в поликристаллических пленках n-InSb. Материалы наун-техн.конф."Тонкие пленки и слоистые структуры". Пленки-2002, Москва, МИРЭА, 2002, с.12-14.

103. Сыноров В.Ф.,Никольский Ю.А., Донцова В.В. Фотопамять в поликристаллических пленках n-InSb на подложках из окисленного кремния. ФТИ им.А.Ф.Иоффе. С.-Петербург, 2002, с.68.

104. Никольский Ю.А., Донцова В.В., Зюзин С.Е. Оптическая память в поликристаллических пленках n-InSb. Тезисы докл. III Всероссийской конф. ФПП-2002, РГПУ им.А.И. Герцена. С.-Петербург, с. 187, 2002.

105. Никольский Ю.А., Донцова В.В., Зюзин С.Е. Приборы на основе тонких пленок n-InSb. Полупроводниковые и газоразрядные приборы. Т.1, Саранск, 2003, с.17-22.

106. Никольский Ю.А., Зюзин С.Е. Электропроводность пленок n-InSb в сильных электрических полях. ФТП, т.35, вып.2, с. 182-183, 2001.

107. Никольский Ю.А., Донцова В.В. Элемент оптической памяти. Сборник матер. Всерос.научн-техн. конф. «Методы и средства измерения в сист.контр. и управл». Пенза, 2001, с.76-77.

108. Никольский Ю.А., Донцова В.В. Элемент оптической памяти. Решение о выдаче патента на изобретение от 27.06.2002.

109. Никольский Ю.А. Кинетические явления в тонкопленочных структурах и приборы на их основе. Монография. Борисоглебск, Б111И, 2001. - 253с. - Библиогр.: 268 назв. - Рус-Деп. в ВИНИТИ, №1476-В2001.