Аномальные кинетические явления в пленках антимонида индия с электронным типом проводимости тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Зюзин, Сергей Евгеньевич

• Зюзин, Сергей Евгеньевич
• кандидат физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Зюзин, Сергей Евгеньевич

3

Глава 1. Обзор литературных данных по методам получения и свойствам пленок n-InSb.

1.1 Современное состояние синтеза тонких пленок n-InSb.

1.2 Электрические и гальваномагнитные эффекты в пленках n-InSb.l

1.2.1 Особенности рассеяния носителей заряда в поликристаллических слоях n-InSb.

1.2.2 Аномалии эффекта Холла и магнетосопротивления в перекристаллизованных слоях n-InSb.

1.3 Особенности характеристик фотопроводимости и поглощения в пленках n-InSb.

1.4 Применение тонких пленок n-InSb.

Глава 2. Экспериментальные метод;: и объекты исследования.

2.1 Получение пленок n-InSb на подложках из монокристаллического кремния.

2.2 Методика проведения измерений и анализ погрешностей.

Глава 3. Аномальные явления в пленках n-InSb.

3.1 Аномалии электрических и гальваномагнитных свойств пленок n-InSb.

3.1.1 Определение параметров и механизмов рассеяния в поликристаллических и перекристаллизованных пленках n-InSb.

3.1.2 Оценка параметров макродефектов в перекристаллизованных пленках n-InSb из измерений поперечного магнетосопротив

3.1.3 Расчет значений энергии активации носителей заряда и величины потенциальных барьеров в поликристаллических и перекристаллизованных пленках n-InSb из измерений влияния сильного электрического поля на электропроводность.

3.2 Анализ факторов, влияющих на аномальное поведение термоэдс в пленках n-InSb.

3.3 Особенности фотопроводимости и ФЭМ-эффекта в пленках п

3.4 Вопросы создания некоторых приборов на основе аномальных ления свойств пленок n-InSb

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Аномальные кинетические явления в пленках антимонида индия с электронным типом проводимости»

Актуальность проблемы.

Уже более тридцати лет развитие физики и технологии тонких полупроводниковых пленок оказывает существенное влияние на успехи современной электронной техники. Изучение электрических, оптических и других физических свойств позволило установить ряд особенностей электронных процессов в тонких пленках.

Особое место в физике тонких пленок занимает вопрос получения слоев со свойствами, близкими к свойствам массивных монокристаллических материалов. В настоящее время разработаны методы выращивания совершенных слоев Ge и Si, достигнуты значительные успехи в создании монокристаллических пленок соединений групп AmBv и AUBVI.

Среди данных материалов соединения АШВУ представляют собой особый интерес. Они технологичны, характеризуются большими значениями подвижности электронов и дырок, широким диапазоном ширины запрещенной зоны, могут быть легированы до высоких концентраций акцепторов и доноров. На основе этих слоев созданы приборы, не уступающие по своим характеристикам приборам, изготовленным из монокристаллов.

Однако, в последнее время было замечено, что пленки соединений AHIBV и, в частности, антимонид индия, обладают, в зависимости от ряда факторов, аномальными свойствами, к которым относятся эффект Холла, магнетосопротивление, термоэдс, фотопроводимость. Эти данные можно использовать для создания принципиально новых приборов. Особый интерес представляет вопрос изучения влияния подложки на структуру и свойства слоя. Нами в качестве подложки использовался кремний - материал, широко используемый в микроэлектронике. Было известно, что подложка из монокристаллического кремния оказывает существенное влияние при получении пленок антимонида индия с электронным типом проводимости на формирование и свойства слоя (образование специфических макродефектов, и, как 5 следствие, появление аномального эффекта Холла). Однако многие физические явления в этих пленках до настоящего времени не изучены. Также были изучены ранее свойства поликристаллических пленок антимонида индия с электронным типом проводимости, выращенных на подложках из монокристаллического кремния при температурах подложки 450.500°С. Вместе с тем, поликристаллические пленки антимонида индия с электронным типом проводимости, выращенные на подложке из монокристаллического кремния, полученные при температуре подложки ~300°С, являются компенсированными и их свойства не изучены. Приведенные факты свидетельствуют об актуальности настоящего диссертационного исследования.

Цели и задачи исследования. Целью настоящей работы является исследование кинетических явлений в пленках антимонида индия с электронным типом проводимости, выращенных на подложках из монокристаллического кремния, для выяснения специфических особенностей их свойств и возможности создания приборов на их основе.

В соответствии с целью были сформулированы следующие задачи:

1. Получить компенсированные слои антимонида индия n-типа проводимости методом дискретного испарения с последующей термической перекристаллизацией на подложках из монокристаллического кремния.

2. Выяснить влияние дефектов структуры на электрические, гальваномагнитные, термоэлектрические и фотоэлектрические свойства пленок антимонида индия с электронным типом проводимости в диапазоне температур 77-350К.

3. Показать возможности создания принципиально новых приборов на основе поликристаллических и перекристаллизованных пленок антимонида индия с электронным типом проводимости.

Объект и методы исследования. Объектами исследования в данной работе являются компенсированные пленки антимонида индия с электронным типом проводимости, выращенные методом дискретного испарения с 6 последующей термической перекристаллизацией на подложках из монокристаллического кремния.

Научная новизна. В работе впервые:

1. Установлено, что процесс термической перекристаллизации поликристаллических пленок антимонида индия с электронным типом проводимости, выращенных на подложках из монокристаллического кремния методом дискретного испарения при температуре конденсации 300°С, приводит к образованию крупноблочной структуры с макронеод-нородностями, вследствие чего подвижность носителей заряда, фоточувствительность возрастают в 3.5 раз, а степень компенсации уменьшается от 0.8 до 0.5.

2. Показано, что потенциальные барьеры, возникающие на границе зерен в поликристаллических образцах антимонида индия с электронным типом проводимости приводят к аномальному возрастанию термоэдс (до 800 мкВ/К) в области комнатных температур.

3. Показано, что возникающая на границе пленки и подложки гетерострук-тура n-InSb-p-Si., осуществляет эффективное разделение носителей заряда, вследствие чего фотопроводимость образцов положительна, в отличие от монокристаллов и слоев, выращенных на диэлектрических подложках.

Практическая значимость. Полученные результаты исследования влияния сильного электрического поля на механизм токопрохождения в перекристаллизованных пленках антимонида индия с электронным типом проводимости использованы при разработке пленочного датчика электрического поля, на что получен патент на изобретение №2148791.

Основные положения, выносимые на защиту. 1. Особенности структуры перекристаллизованных пленок антимонида индия с электронным типом проводимости, полученных термической перекристаллизации поликристаллических образцов, обусловлены концентрационным переохлаждением и образованием областей нестабильного расплава. 7

2. В исследованных температурных интервалах механизмом рассеяния носителей заряда является комбинированное рассеяние на тепловых колебаниях решетки и атомах ионизированной примеси, при этом холловская подвижность (цх )~Т0,7 и Т0'12 (77-220 К) и цх~Т"и и Г0'4 (>280 К) для поликристаллических и перекристаллизованных слоев соответственно.

3. Структурные неоднородности поликристаллических и перекристаллизованных слоев антимонида индия с электронным типом проводимости приводят к аномалиям свойств: уменьшение подвижности с понижением температуры (77.250К), неомичности ВАХ в полях 8. 10 В/см, возрастанию термо-эдс до 800 мкВ/К в области комнатных температур.

Апробация работы. Результаты исследований докладывались на IV Всероссийской конференции по физике полупроводников в г.Новосибирске (1999) и II Международной конференции в г.Саранске (1999), на семинаре кафедры физики полупроводников и микроэлектроники ВГУ (2000), на семинаре кафедры экспериментальной физики ВГУ (2000).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 9 работ, включая три статьи в центральной прессе, одно изобретение.

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, трех глав, раздела "Выводы", списка цитируемой литературы из 161 наименования. Общий объем работы составляет 108 страниц, включая 32 рисунка, 2 таблицы.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Зюзин, Сергей Евгеньевич

Выводы.

1. Пленки антимонида индия с электронным типом проводимости, выращенные на подложках из монокристаллического кремния, являются, вследствие низкой температуры конденсации (300°), компенсированными, поликристаллическими. Процесс термической перекристаллизации приводит к образованию крупноблочной структуры с макронеоднородностями, представляющими собой низкоомные включения переменного фазового состава InSb+In.

2. Механизмом рассеяния заряда является комбинированное рассеяние на тепловых колебаниях решетки и атомах ионизированной примеси, так

0 7 0 12 как в области температур 77-220К холловская подвижность(ц.х )~Т ' и Т ' для поликристаллических и перекристаллизованных слоев соответственно, а при Т>280К цх~т''3 и Т"0'4 для тех же образцов.

3. Межкристаллитные потенциальные барьеры в поликристаллических образцах и на границе матрица-неоднородность в перекристаллизованных пленках составляют 0,03эВ и приводят к отклонению от закона Ома в полях 8. 10 В/см. В поликристаллических пленках наблюдается аномальный рост термоэдс (до 800мкВ/К) в области комнатных температур вследствие влияния тех же барьеров.

4. Исследования влияния сильного электрического поля на механизм токопрохождения в перекристаллизованных пленках антимонида индия с электронным типом проводимости привели к созданию пленочного датчика электрического поля с плотностью тока j=(2.9.3.0)-104А/см2 при Е=30.40 В/см.

91

Заключение.

Приведенные результаты показывают, что свойства пленок n-InSb, выращенных на подложках из монокристаллического кремния, существенно отличаются от свойств монокристаллов.

Установлено, что данные слои обладают рядом аномальных свойств, обусловленных влиянием неоднородностей, межкристаллитных прослоек, уровнем легирования и т.д. В ряде случаев существенное влияние оказывает гетероструктура n-InSb-p-Si, образующаяся на границе пленки и подложки.

Нами рассмотрены возможности использования перекристаллизованных пленок n-InSb в качестве пленочного датчика электрического поля и модуляторов микроволнового и ИК-излучения.

90

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Зюзин, Сергей Евгеньевич, 2000 год

1. Физика тонких пленок / Под ред. Т. Хааса и Р.Э. Туна; Пер. с англ.- М.: Мир, 1966-1978.-230с.

2. Палатник JI.C., Фукс М.Я., Косевич В.М. Механизм образования и субструктуры конденсированных пленок. М.: Наука, 1972.-142с.

3. Бубнов Ю.З., Лурье М.С., Старое В.Г., Филаретов Т.А. Вакуумное нанесение пленок в квазизамкнутом объеме. М.: Сов. радио, 1975.-180с.

4. Технология тонких пленок: Справочник/ Под ред. Майссела, Р. Гленга; Пер. с англ. М.: Сов радио. 1977.-270с.

5. Тоглинский Э.И. Кристаллизация и термообработка тонких пленок. -Минск: Наука и техника, 1976.-222с.

6. Александров Л.Н. Кинетика кристаллизации и перекристаллизации полупроводниковых пленок.- Новосибирск: Наука, 1985.- 316с.

7. Палатник Л.С., Сорокин В.К. Основы пленочного полупроводникового материаловедения. М.: Энергия, 1973.- 274с.

8. Wieder Н.Н. Intermetallic Semiconducting films. Oxford: Pergamon press, 1970.

9. Палатник Л.С., Папиров И.И. Эпитаксиальные пленки. М.: Наука, 1971.-232с.

10. Ю.Александров Л.Н. Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок. Новосибирск: Наука, 1978.- 340с.

11. П.Конозенко И.Д., Михновский С.Д. Структура и электрические свойства тонких слоев InSb// Изв. АН СССР. Сер. физ. 1956. Т. 20. С. 1486-1490.92

12. Семилетов С.А., Розенвал М. Электрографическое исследование InSb// Кристаллография. 1957 Т.2. С. 287-288.

13. Куров Г.А., Пинскер З.Г. Исследование тонких пленок, полученных испарением InSb в вакууме.// ЖТФ. 1958. Т.28. С. 2130-2134.

14. Векшинский С.А. Новый метод металлографического исследования сплавов. М.: ОГИЗ, 1944.- 276с.

15. Преснов В.А., Сыноров В.Ф. Получение и исследование интерметаллических соединений в тонких слоях// ЖТФ. 1957. - Т. 27. - С. 123-126.

16. Куров Г.А., Пинскер З.Г. Исследование тонких слоев переменного состава системы индий -сурьма// ЖТФ. 1958. - Т.28. - С. 29-34.

17. Гюнтер К. Испарение и взаимодействие элементов// Полупроводниковые соединения AHIBV/ Под ред. Р. Виллардсона и X. Геринга; Пер. с англ. -М.: Металлургия, 1967. - С. 443-462.

18. Gunther K.G. Aufdampfschichten aus halbleitenden III-IV verbindungen// Z. Naturforshung. 1958. - Vol. 13 A. - P. 1081-1089.

19. Hanlein W., Gunther K.G. Advances in vacuum science and technology. N.Y.: Pergamon Press, I960,.- Vol. 2. - P.727-733.

20. Gunther K.G., Freller H. Feigenschaften aufgedampfter InSb und InAs schich-ten//Z. Naturforshung. 1961. - Vol. 16 A. - P. 279-283.

21. Семилетов C.A., Агаларзаде П.С. Структура и электрические свойства тонких пленок InSb// Кристаллография. 1964. - Т.9. - С. 490-497.

22. Hawson R.P., Molina V. Getter evaporation of thin films of III-V semiconductors// Proc/ Intern. Conf. on the Phys and Chem. Semicond. Heterojunc. and Layer Structures. Budapest: Akademici Kiado, 1971. - Vol. 3.-P. 141-151.

23. Юрасова B.E., Сиротченко И.Т. О холодном распылении монокристаллических сфер//ЖЭТФ. 1961. - Т. 41. - С. 1359-1364.

24. Moulton С. Sputtered III-V intermetallic films// Nature 1962. - Vol. 195, №4848. -P.71-72.

25. Cervenac J., Zivcakova A., Bush J. Structure and electrical properties of InSb thin films prepared by plasmatic sputtering// Czhech. Journ. Phys. 1973. - Vol. B. 20. -P.84-93.

26. Green J.E. Wickersman C.E. Structural and electrical characteristics of InSb thin films grown by rf sputtering// Journ. Appl. Phys. 1976. - Vol. 47, №8. - P. 3630-3639.

27. Webb J.B., Halpin C. Deposition of indium antimonide films by metalorganic magnetron sputtering// Appl. Phys. Lett. 1985. - Vol. 47., №8. - P. 831-833.

28. Webb J.B., Halpin C. Wood J.P. The structural and compositional characterisation of InSb films prepared by metalorganic magnetron sputtering// Journ. Appl. Phys. 1986. - Vol. 60., №8. - P. 2949-2953.94

29. Касьян В.А., Кот М.В. Электрические свойства тонких слоев антимонида индия// Тез. докл. на Всесоюз. совещании по полупроводниковым соединениям. Л.: Изд-во АН СССР, - 1961. - С. 37.

30. Касьян В.А., Кот М.В. Технология получения и электрические свойства тонких слоев InSb с большой подвижностью электронов// Тр. по физике полупроводников/ Кишиневский гос. ун-т. Вып. 1. Кишинев, 1962. - С. 57-69.

31. Касьян В.А., Кот М.В. Некоторые оптические и электрические свойства тонких слоев антимонида индия// Изв. вузов Сер. Физика. 1963, Вып.5. -С. 14-20.

32. Касьян В.А., Кот М.В. О влиянии структуры слоя на величину подвижно-стей носителей тока в пленках антимонида индия// Изв. АН. СССР Сер. Физ. 1964, - Т.28. - С.993-995.

33. Wieder Н.Н. Crystallization and properties of InSb films grown from a nonstoi-chiometric liquid// Sol. Stat. Comm. 1965. Vol.3. - P.1231-1232.

34. Spivac J.F., Carrol J.A. High mobility InSb thin films by recrystallization// Journ. App. Phys. 1965. Vol. 36. - P.2321-2322.

35. Carrol J.A., Spivac J.F. Preparation of high mobility InSb films// Sol. Stat. Electron. 1966. - Vol. 9. - P. 383-387.95

36. Wieder H.H. Galvanomagnetic properties of rocrystallised dentritic InSb films// Sol. Stat. Electron. 1966. - Vol.9. - P. 373-382.

37. Касьян B.A., Никольский Ю.А., Пасечник Ф.И. Структура и электрофизические параметры монокристаллических пленок антимонида индия и системы InSb-GaSb// Тр. по физике полупроводников/ Кишиневский гос. ун-т. Вып.2 Кишинев, 1969. - С.84-92.

38. Касьян B.A., Никольский Ю.А., Пасечник Ф.И. Монокристаллические пленки InSb// Изв. вузов. Сер. Физика. 1969. - Вып. 7. - С. 127-128.

39. Kassyan V.A., Pasechnik F.I. The thermal recrystallization as a metod for preparation of high quality single crystal InSb films// Intern. Conf. on crystal growth. Collected abstracts. Tokyo, 1974. - P. 115-116.

40. Касьян B.A., Пасечник Ф.И. Условия роста монокристаллических пленок антимонида индия на диэлектрических подложках.// Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, Наука,1975,- 4.2. С.290-294.

41. Kassyan V.A., Pasechnik P.I. Investigation of the transport properties of InSb single crystal films obtained by directional crystallization// Thin Sol. Films.1976.-Vol. 33.-P. 219-230.

42. Teede N.F. Single crystal InSb films by electron beam recrystallization// Sol. Stat. Electron. 1967. - Vol.10. - P. 1069-1076.96

43. Teede N.F. Structural and electrical properties of electron beam zone recrystal-lized indium antimonide thin films.// Proc/ I.R.E. Australia. 1967. - P. 115-117.

44. Namba S., Kawazu A., Kanekama N. et a.l. Crystallization of vacuum-deposited indium antimonide films by the electron beam zone melting process.// Jap. Journ. Appl. Phys. 1967. - Vol. 6. - P.1464-1465.

45. Wiliamson W.J. Microzone melting of InSb films using a hot wire// Journ. Vac. Sci. Techn. 1969. - Vol.6. - P.765-769.

46. Палатник JI.С., Папиров И.И. Эпитаксиальные пленки. М.: Наука, 1971.

47. Александров JI.H. Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок. Новосибирск: Наука, 1978.- 324с.

48. Проблемы эпитаксии полупроводниковых пленок/ Под ред. JI.H. Александрова. Новосибирск: Наука, - 1972.- 214с.

49. Полупроводниковые пленки для микроэлектроники/ Под ред. JI.H. Александрова и В.И. Петросяна. Новосибирск: Наука, - 1977.- 316с.

50. Александров JI.H. Кинетика образования и структура твердых слоев. Новосибирск: Наука, - 1972.- 246с.

51. Melngailis I., Calava A.R. Solution regrowth of planar InSb laser structures// Journ. Electrochem. Soc. 1966,. - Vol. 113. - P.186-199.97

52. Косогоров О.В., Марамзина М.А. Фотодиоды с фильтрующим п-слоем// ФТП. 1969. - Т.З, вып. 11. - С. 1736-1740.

53. Kanzaki К., Yahata A., Miyac W. Properties of InSb photodiodes fabricated by liquid phase epytaxy// Jap. Journ. Appl. Phys. 1976. - Vol. 15, №7. - P.1239-1244.

54. Ludowise M.J. Metalogranic chemical vapor deposition of III-V semiconductors//Journ. Appl. Phys. 1985.- Vol.58, №8. - P.31-35.

55. Khan J.H. Epitaxial growth of indium antimonide films as studied in situ by electron diffraction// Surface Sol. 1968. - Vol.9. - P.386-394.

56. Holloway H., Richards J.L., Bobb L.G. et al.// Oriented growth of semiconductors. IV. Vacuum deposition of epitaxial indium antimonide.// Journ. Appl. Phys. 1966. - Vol.37, №13. - P. 4684-4693.

57. Касьян B.A., Кетруш П.И., Пасечник Ф.И. и др. Диодные структуры типа кристалл пленка на основе InSb// Микроэлектроника. - 1975.- Т.4, вып.З. - С.275-277.

58. Гаугаш П.В., Касьян В.А., Кетруш П.И. Гетеропереходы между соединениями АШАУ и AUAIV// Фотоэлектрические свойства гетеропереходов. -Кишенев: Штиинца, 1960. - С. 98-109.

59. Rabin В., Scharager С., Haege-Ali М. et al. CdTe-InSb heterojunctions. An investigation by electrical measurements and by secondary ion mass spetroscopy// Phys. Stat. Sol. (a). 1980. - Vol. 62, №1. - P. 237-242.

60. Janoi М., Takuje Т., Kimate М. Heteroepitaxial InSb films grown by molecular beam epitaxi// Phys. Stat. Sol. 1979. - Vol. 54, №2. - P. 707-713.

61. Oe K., Ando S., Sygiyama K. RHEED study of InSb films grown by molecular beam epitaxi// Jap. Journ. Appl. Phys. 1980. - Vol.19, №7. - P.L417-L420.

62. Yata M. Growth kinetics of InSb thin films on Si (100) surfaces by Ini and Sb4 molecular beams//Thin Sol. Films. 1986. -Vol.137, №1, - P.79-87.

63. Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп. М.: Мир. - 1967.-462с.

64. Ling С.Н., Fisher J.H., Anderson J.C. Carrier mobility and field effect in indium antimonide film// Thin. -Sol. films. 1972. - Vol. 14. - P.267-288.

65. Anderson J.C. Conduction of thin semiconductor films// Adv. Phys. 1970. -Vol.19, №79. -P.311-338.

66. Касьян В.А., Кот М.В. Электрические свойства тонких слоев антимонида индия// Уч. зап. Кишиневского гос. ун-та. -1961. Т.49. - С.69-77.

67. Hanus W., Oszwaldowski Н. Influence of point defect of the electrical properties of melt-grown InSb thin films. -Thin Solid Films, 1979, - v.61, N 2, -p.235-239.99

68. Van Calster A. and Reusens P. The variations of resistivity with temperature for n-type degenerate indium antimonide films. -Thin Solid Films, 1977, - v.44, N 1, - P.21-29.

69. Шалимова K.B., Гуляев A.M., Тарасов В.Л., Шнитников А.С. Электрические свойства слоев антимонида индия. Электронная техн., сер. 14. Материалы, - 1969, - в.2, - С.77-83.

70. Husa S. The Hall coefficient factor of indium antimonide thin films. -Proc. 7lh Intern. Vac. Cong, and 3rd. Intern. Conf. Solid Surf. Vienna, - 1977, - P. 18371840.

71. Anderson J.C. Barrier-limited mobility in thin semiconductor films. -Thin Solid Films, 1973, v. 18, No 2, p.239-245.

72. Франкомб M.X., Джонсон Дж.Е. Получение и свойства полупроводниковых пленок.// Физика тонких пленок/ Пер. с англ.; Под ред. Г. Хасса и Р.Э. Туна. М.: Мир, - 1972,- т.5. - С. 140-244.100

73. Le Contelles M., and Richard J., Henaff J. The influence of recrystalline barriers and Dislocations on the electron mobility of InSb thin films. //Thin Solid Films, 1976, - v.36,No 1,-P.151-155.

74. Siegel W., Kuhnel G., Shneider H.A. On the determination of the carrier conce-tration in large-grain polycrystalline InP, GaAs and GaP by Hall effect measurements// Phys. Stat. Sol. (a). 1985. - Vol.87. - P.673-681.

75. Любицин О.Г., Варламов B.A. Влияния степени легированияна свойства тонких слоев антимонида индия//В сб. Диэлектрики и полупроводники -Киев,-1976-в.Ю-С.76-79.

76. Никольский Ю.А. Аномальный эффект Холла в пленках антимонида индия, выращенных на подложках из окисленного кремния// ФТП, 1990-том 24, вып. 7, - С. 1322-1325.

77. Hanus W., Oszwaldowski M. Influence of point deffects on electrical properties of melt-grown InSb thin films.// Thin Sol. Films. 1979. - Vol. 61. - P.235-239.101

78. Goc J., Oszwaldowski M., Szweycer M. Doping of InSb thin films with elements of groups II and VI// Thin Sol. Films. 1986. - Vol. 142. - P. 237-240.

79. Мухаметниязов А.Б. Получение и исследование электрических свойств пленок InSb на ферромагнитных основаниях: Автореф. дис. . канд. физмат наук Ашхабад. 1982 г.

80. Wieder H.H. Anomalous transverse magnetoresistence of InSb films// Journ. Appl. Phys. 1969. - Vol. 70, №8. - P.3320-3325.

81. Clawson A.R., Wieder H.H. Electrical and galvanomagnetic properties of InSb single crystall dendrides// Sol. Stat. Electror. 1967. - Vol.10. - P.57-67.

82. Shhonwald H. Die Beweglichkeit der lagsamen und schnellen Locher in Indiu-mantimonid. -Zs. Naturforschung. 1964, - Bd 19 a, h.l 1, - s. 1276-1296.

83. Ling C.H. Corbino magnetoresistance in thin indium antimonide films. -Thin Solid Films, 1973, - V. 16, №2. - P. 199-204.

84. Касьян В.А. Фотопроводимость тонких слоев антимонида индия// ФТТ, 1963 - том 5, вып. 7- С. 1245-1227.

85. Nikam P.S., Pawar R.R. Electrical properties of codeposited In-Sb thin films// Indian Journal of Pure and Applied Physics. 1991. - Vol. 29. - P.263-266.

86. Никольский Ю.А. Отрицательная фотопроводимость в пленках n-InSb// ФТП, 1994 - том 28, вып. 11 - С. 1972-1974.

87. Падалко А.Г. и др. Электрические и фотоэлектрические свойства легированных тонких слоев InSb// Неорганические материалы 1996- том 32, №4 - С. 398-404.102

88. Ржанов А.Е. и др. Межзонное поглощение в пленках антимонида индия в ИК области спектра// Микроэлектроника 1980 - том 9, вып. 1, - С. 7982.

89. Касьян В.А., Кот М.В. Датчики ЭДС Холла из тонких слоев антимонида индия// Новые датчики Холла и термосопротивления из полупроводниковых соединений: Экспресс-конференция ГК СМ МССР по координации научно-исследовательских работ. Кишинев - 1962 С.3-11.

90. Gunther K.G., Freller Н. Neuartige Hallgeneratoren mit aufgedampfter Hal-bleiterschiht// Siemens-Zeitschr. 1962. - Vol. 36. - P.728-734.

91. Касьян В.А., Пасечник Ф.И. Высокочувствительные генераторы э.д.с. Холла из монокристаллических пленок InSb// Тр. по физике полупроводников/ Кишиневский гос. ун-т. Вып. 3. Кишинев. 1971. - с.95-102.

92. Tetsu Ое, Nobuo Kotera, Janji Shigete et al. Microzone recristallization of InSb thin films for Hall effect magnetic heade// Jap. Journ. Appl. Phys. 1978. -Vol. 17, №2,-P.407-412.103

93. Суханов С., Аллабареков С, Алланазаров А. и др. Тонкопленочные датчики Холла из InSb// Изв. АН ТССР. Сер. физ-техн., хим., геолог, наук-1977. -№5. -С.111-112.

94. Nadkarni G.S, Simoni A. Fabrication of high sensetivity thin-film indium antimonide magnetoresistors// Sol. Stat. Electron. 1975. - Vol.18. - P.393-397.

95. Никольский Ю.А. Исследование свойств пленок системы InSb-GaSb. Дис, .кан. физ-мат. наук Кишинев, 1971.

96. Пасечник Ф.И. Исследование явлений переноса в монокристаллических пленках антимонида индия: Дисс.канд. физ-мат. наук. Кишинев, 1971.

97. Issi М, Fukunaka Т., Oshita М. Influence of thickness on the galvanomag-netic properties of thin InSb films for highly sensetive magnetoresistence elements//Jourrn. Appl. Phys. 1986. - Vol.59, №8. - P.2845-2848.

98. Марченко A.H., Ивин Г.Ф. Магниторезистентная матрица на основе ге-тероэпитаксиальной структуры InSb-GaAs// Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1986. - Вып. 3(182). - С.79-82.

99. Касьян В.А., Кетруш П.И. S-диоды с эпитаксиальной пленкой из InSb// Неравновесные процессы в полупроводниках и диэлектриках. Кишинев: Штиица- 1983. С. 87-92.

100. Стафеев В.И., Каракушан Э.И. Магнитодиоды. Новые полупроводниковые приборы с высокой чувствительностью к магнитному полю. М.: Наука, - 1975.- 246с.

101. Фалько И.И. Тензоэффект поликристаллических пленок антимонида индия и антимонида галлия// Тез. докл. на IV Всесоюз. конф. по полупроводниковой тензометрии. Львов, 1969. - С. 26-27.104

102. Никольский Ю.А. Датчик деформации. Патент №2087052. Заявл. 02.07.93. Опубл. 10.08.97. Бюл. №22.

103. Никольский Ю.А. Фоторезистор. Патент №2095887. Заявл. 21.03.95. Опубл. 10.11.97. Бюл. №31.

104. Никольский Ю.А. Микротермоэлектрогенератор. Патент №2130216. Заявл. 26.11.96. Опубл. 10.05.99. Бюл. №13.

105. Никольский Ю.А. Магниторезистивный элемент. Патент №2053587. Заявл. 23.04.93. Опубл. 27.01.96. Бюл. №3.

106. Wieder Н.Н. Clawson A.R. Structure and galvanomagnetic properties of two-phase recrystallised InSb-In layers// Sol. Stat. Electron. 1965. - Vol. 8. -P.467-471.

107. Herring C. Effect of random inhomogenities on electrical and galvanomag-netical measurements// Journ. Appl. Phys. 1960. - Vol. 31. - P. 1939-1952.

108. Potter R.F., Kretschmar G.G. Optical properties of evaporated InSb films. J. Opt. Soc. Amer. 1961 - V.51, №6 - P.693-696.

109. Шалимова K.B. Физика полупроводников. -M. Энергоатомиздат, 1985. -392 с.

110. Рембеза С.И. Методы измерения основных параметров полупроводников. Воронеж. Изд-во ВГУ, 1989. -224с.

111. А.Н. Баранов и др. Исследование структурных дефектов в эпитаксиаль-ных слоях арсенида индия.// ФТП. -1992. том. 26. - вып. 9. С. 1452-1456.

112. Кучис Е.В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. М.,-1990.-264 с.105

113. Wolfe C.M., Stillman G.E. Apparent Mobility Enhancement in Inhomo-geneus Crystals// Semiconductors and Semimetals. Transport Phenomena. New York. Acodemic Press, 1975. V. 10. - P. 175-220.

114. Webb J.B., Paiment M.B. Observation of transvers negative magnetoresis-tance in heteroepitaxial films InSb on GaAs// Solid State Commun. 1989. -72, N10-C.871-874.

115. Фистуль В.И. Сильно легированные полупроводники М.:Наука. -1964-310с.

116. Petriz R.L. Photoconductivity in thin polycristalline films// Phys. Rev. -1956.-V.104. N.6.-P. 1508-1513.

117. Генкин Г.М., Ноздрин Ю.Н., Окомельков A.B., Шастин В.Н. Исследования n-HgTe в сильных электрических полях// ФТП-1990. -Т.24. вып. 9, -С.1616-1617.

118. Шейнкман М.К., Маркович И.В., Хвостов В.А. Модель остаточной проводимости в полупроводниках и ее параметры в CdS:Ag:Cl// ФТП. -1971, Т.5. вып. 10. - С.1904-1910.106

119. Сандомирский В.Б., Ждан А.Т., Мессеерер М.А., Гуляев И.Б. Механизм замороженной (остаточной) проводимости в полупроводниках// ФТП. -1973. -Т.7. вып. 7. С.1314-1323.

120. Шик А .Я., Вуль А .Я. Долговременные релаксации проводимости в полупроводниках// ФТП. 1974. -Т.8. - вып.9. - С.1675-1682.

121. Тагиев О.Б., Гашимова Т.Ш., Аскеров И.М. Исследование влияния сильного электрического поля на электропроводность монокристаллов MnGaInSu:Eu// ФТП. 1998. - Т.32, вып. 6. - С. 701-702.

122. Глушко Н.С., Герасименко JI.A., Гоглидзе Т.И. Физика полупроводников и диэлектриков. Кишинев, Штиица, 1992 - С.83.

123. Зюзин С.Е., Никольский Ю.А. Аномальная термоэдс в пленках антимонида индия// Конденсированные среды и межфазные границы.-1999.-Т. 1.-№.3, С.280-282.

124. Зюзин С.Е., Никольский Ю.А. Аномальные явления в пленках антимонида индия// IV Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники 99": Тез. докл.- Новосибирск, 1999, С.204.

125. О.В. Емельяненко, Ф.П. Кесаманлы К вопросу о методике экспрессных прецизионных измерений термоэдс полупроводников// ФТТ, -1960 т.2 -С. 1494-1496.

126. Ю.А. Бойков, В.А. Данилов, О.М. Кусаинов, В.А. Кутасов. Зависимость анизотропии термоэдс пленок РЬТе от проводимости приповерхностного слоя//ФТП, т.25, вып.7 - 1991. - С. 1246-1248.

127. Буш Г., Винклер У. Методы определения основных параметров полупроводников. М., 1959. - 132 с.107

128. Бонч-Бруевич В.А., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977.-670 с.

129. Разработка технологии и исследование свойств пленок полупроводниковых соединений для создания новых типов фотоэлектрических приборов: Отчет о НИР (заключительный)/ СКТБ "Оптоэлектроника".- № 77029837.-Кишинев; 1980. 124 с.

130. Луцкий В.Н., Огрин Ю.Ф., Челышков С.П. Холловская подвижность поликристаллических пленок в сильных электрических полях/ В сб. Вопросы пленочной электроники. М.- 1966.- С.423 426.

131. Зюзин С.Е., Никольский Ю.А. Особенности механизма токопрохожде-ния в пленках n-InSb// Вестник ВГТУ. Сер. "Материаловедение".-1998, -Вып.1.3.- С.90-92.

132. Никольский Ю.А., Зюзин С.Е. Перколяционная проводимость в пленках антимонида индия // II Международная научно-техническая конференция "Проблемы и прикладные вопросы физики": Тез.докл.- Саранск, 1999.-С.162.

133. Симашкевич А.В. Гетеропереходы на основе полупроводниковых соединении AnBVI. Кишинев: Штиинца, - 1980,- 350 с.

134. Wieder Н.Н., Davis N.M. Transverse Hall coefficient and magnetoresistance of two-phase InSb-In layers// Solid State Electronics. 1965. - V.8 - P. 605610.

135. Атакулов Ш.Б., Онаркулов К.Э. О перколяционной проводимости фоточувствительных химически осажденных слоев сернистого свинца // ФТП, 1985, - Т. 19, - Вып. 7, - С.1324 - 1326.108

136. Горшкова О.В., Дрозд И. А., Стафеев В.И. Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок Pb.xSnxS и структур на их основе// ФТП, -1992, -Т.26, Вып.З, - С.510-515.

137. Мотт Н. Электроны в неупорядоченных структурах М.:Мир 1969. -230с.

138. Никольский Ю.А., Зюзин С.Е. Фоторезисторы и фототензорезисторы на основе тонких пленок n-InSb// II Международная научно-техническая конференция "Проблемы и прикладные вопросы физики": Тез.докл.- Саранск, 1999.-С. 154.

139. Зюзин С.Е., Никольский Ю.А. Фотоэлектрические явления в пленках антимонида индия// Конденсированные среды и межфазные границы.-2000. -Т.2. № 2, - С.187-189.

140. Зюзин С.Е., Никольский Ю.А. Пленочный датчик электрического поля. Патент №2148791.

141. Никольский Ю.А., Зюзин С.Е. Кинетические явления в компенсированных пленках n-InSb// Конденсированные среды и межфазные границы.-2000.1. Т.2.-№.3, С.252-254.