Физико-химические основы технологии и свойства тонких слоев MSb (M-In, Ga, Sb) и структур на их основе тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, доктор химических наук Падалко, Анатолий Георгиевич

• Падалко, Анатолий Георгиевич
• доктор химических наук
• 1998

Оглавление диссертации доктор химических наук Падалко, Анатолий Георгиевич

ОГЛАВЛЕНИЕ

Стр.

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ПОЛУЧЕНИЯ

ТОНКИХ СЛОЕВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ И АКТИВНЫЕ СТРУКТУРЫ НА ИХ ОСНОВЕ.

1.1. Методики получения и свойства тонких слоев полупроводников, закристаллизованных из расплава

1.2. Физикохимия формирования переходных слоев

в сплавных гетеросистемах

а) Адсорбционные свойства поверхности диоксида кремния

б) Адгезия в системах металл-оксид

в) Адгезия в сплавных системах полупроводник-полупроводник

1.3. Морфология границы раздела твердой и жидкой фаз

при направленной кристаллизации расплава

а) Общие положения кинетики кристаллизации

б) Атомная кинетика кристаллизации

в) Влияние примесей на морфологию фазовой границы

1.4. Механизмы образования некоторых дефектов структуры реальных кристаллов

а) Двойникование

б) Дислокации

1.5. Получение и свойства тонких пленок антимонида индия

1.6. Активные многослойные системы на основе тонких

слоев полупроводников

а) Фотоприемные активные многослойные системы

на основе кремния

б) Фотоприемные AMC на основе фосфида индия

в) Фотоприемные AMC на основе арсенида галлия

1.7. Пикосекундные фотоприемные AMC для ближнего

инфракрасного диапазона

ГЛАВА II. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ ТОНКИХ СЛОЕВ АНТИМОНИДОВ ИНДИЯ, ГАЛЛИЯ И КАДМИЯ.

2.1. Капиллярные явления при формообразовании тонких

слоев расплава

2.2. Установка и кристаллизационная ячейка лабораторного типа

для направленной кристаллизации тонких слоев MSb

а) Установка с плоскими нагревателями

б) Лабораторная кристаллизационная ячейка

2.3. Установка и кристаллизационные ячейки для получения

тонких слоев InSb, GaSb и эвтектической композиции InSb-NiSb. Подготовка оснастки к росту тонких слоев

а) Трубчатая установка направленной кристаллизации

тонких слоев

б) Кристаллизационные ячейки для направленной кристаллизации тонких слоев MSb в трубчатой установке

в) Подготовка оснастки и диэлектрических подложек

к процессу роста тонких слоев

2.4. Особенности исследования тонких слоев MSb.

а) Химическое травление полярных полупроводников MSb

б) Микрорентгеноспектральный анализ гетероструктур

в) Электронографический анализ систем слой/подложка

г) Измерение электрических, оптических и фотоэлектрических свойств тонких полупроводниковых кристаллов

д) Установка изучения кинетики фотопроводимости в

тонких слоях полупроводников

е) Измерение параметров структур металл-диэлектрик-полупроводник и эффекта поля

ж) Неравновесная спектроскопия глубоких уровней

полупроводниковой компоненты многослойных структур

ГЛАВА III. ФИЗИКОХИМИЯ АДГЕЗИИ И ЗАРОДЫШЕОБРАЗОВАНИЯ В СИСТЕМАХ (МЭЬУПОДЛОЖКА.

3.1. Смачивание и зародышеобразование в системах MSb/диэлектрическая подложка

а) Адгезия тонких слоев

б) Адгезия тонких слоев MSb к кремниевым подложкам

3.2. Состав переходной области в системах MSb/подложка

ГЛАВА IV. ФИЗИКОХИМИЯ ФОРМООБРАЗОВАНИЯ И КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ТОНКИХ СЛОЕВ MSb.

4.1. Роль поверхностного натяжения в процессе

формирования тонких слоев

4.2. Кинетика и механизм кристаллизации тонких слоев MSb

4.3. Направленная кристаллизации тонких слоев антимонида индия

а) Тепловые условия направленной кристаллизации

б) Направленная кристаллизация при спонтанном зародышеобразовании

в) Направленная кристаллизация тонких слоев InSb от

затравки

4.4. Дефекты вторичной структуры в слоях MSb

а) Двойникование в тонких слоях

в) Дислокации в тонких слоях InSb

ГЛАВА V. ЛЕГИРОВАНИЕ ТОНКИХ СЛОЕВ АНТИМОНИДА ИНДИЯ.

5.1. Легирование в процессе роста тонких слоев

а) Легирование элементами II группы и германием

б) Легирование элементами I группы

5.2. Зонная перекристаллизация тонких слоев 1пБЬ

5.3. Кристаллизация тонких слоев с выделением второй фазы.

а) Кристаллизация тонких слоев эвтектикообразующего

состава твЬ+БЬ

б) Кристаллизация тонких слоев эвтектической

композиции 1п5Ь-№5Ь

ГЛАВА VI. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ СЛОЕВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ МЭЬ.

6.1. Объемные гальваномагнитные свойства тонких слоев.

а) Электрические свойства нелегированных

тонких слоев 1пБЬ

б) Свойства тонких слоев эвтектики ^БЬ-КЛвЬ

6.2. Электрические свойства границы раздела 1п8Ь/5Ю2.

а) Эффект поля в системе 1п5Ь/5Ю2/А1203

б) Вольт-емкостные исследования свойств

границы раздела МЭЬ/диэлектрик

6.3. Глубокие уровни в запрещенной зоне тонких слоев

антимонида индия на сапфире

6.4. Время жизни носителей заряда в тонких слоях 1п5Ь/А1203

ГЛАВА VII. АКТИВНЫЕ МНОГОСЛОЙНЫЕ СИСТЕМЫ НА ОСНОВЕ ТОНКИХ СЛОЕВ MSb.

7.1. Дискретные фотоактивные многослойные системы

на основе тонких слоев lnSb/сапфир.

а) Быстродействующие фотоактивные

многослойные структуры

б) Неохлаждаемые фотоактивные многослойные

структуры на основе тонких слоев антимонида индия

в) Аномальная фотопроводимость AMC на основе ТС InSb в миллиметровом и сантиметровом диапа-

зонах длин волн при 300 К

7.2. Многоэлементные активные многослойные системы.

а) Технология и некоторые свойства линейных фотоактивных многослойных структур на основе

тонких слоев антимонида индия

б) Технология и некоторые свойства матричных фотоактивных многослойных структур на основе

тонких слоев антимонида индия

ВЫВОДЫ

ЛИТЕРАТУРА

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Физико-химические основы технологии и свойства тонких слоев MSb (M-In, Ga, Sb) и структур на их основе»

ВВЕДЕНИЕ

Тонкие пленки и тонкие слои (ТС) полупроводниковых материалов играют существенную роль в качестве основы для формирования активных многослойных структур (AMC), служащих в качестве датчиков физических величин и для различных операций (усиления, задержки, хранения и т.д.) с электрическими сигналами.

Для формирования ТС полупроводниковых материалов широко используются методы газофазной, жидкофазной и молекулярно-лучевой эпи-таксии и термического напыления, с помощью которых достигнут значительный прогресс при формировании AMC для целей опто- и интегральной электроники. Вместе с тем, получение слоев с достаточно совершенной структурой и приемлемыми электрическими свойствами ряда полупроводников, в частности антимонидов индия, галлия и кадмия на инородных подложках, все еще недоступно указанным методам, и нет ясного понимания, каким образом, используя разработанные физико-химические основы этих способов, решить поставленную задачу. Следует отметить также, что в перечисленных выше методиках формирование слоя полупроводникового материала на подложке происходит путем агломерации атомов, доставляемых в зону синтеза либо путем перемещения в вакууме (молекулярно-лучевая эпитаксия, вакуумная конденсация) от источника к подложке, либо при движении вместе с потоком газа-носителя из зоны реакции в зону осаждения (газотранспортные химические реакции), либо по диффузионному механизму через слой металла-растворителя (жидкофазовая эпитаксия), что вообще говоря, определяет чрезвычайно высокие требования ко всем параметрам проводимого процесса, и, следовательно, высокую чувствительность ко внешним воздействиям. Необходимым условием является также наличие бездефектной монокристаллической подложки, подходящей

по кристаллохимичеоким, структурным и теплофизическим свойствам. Соблюдение перечисленных условий возможно путем создания весьма сложной и дорогостоящей аппаратуры, оснащенной различными системами операционного контроля (Оже-, масс-спектроскопия и т.п.). Несмотря на это, методики формирования тонких слоев полупроводниковых материалов, в которых неотъемлемой стадией является массоперенос, осуществляемый каким-либо способом, не являются универсальными, и не могут пока оказаться полезными при синтезе слоев с достаточно сложной кристаллической структурой и выраженной анизотропией физико-химических свойств (например полупроводников А2В5), а также обладающих невысокими температурами плавления, причем сложности многократно возрастают при необходимости получения полупроводникового слоя на диэлектрической подложке.

Таким образом, достаточно очевидной представляется необходимость разработки методики формирования тонких слоев полупроводниковых материалов на инородных подложках с использованием физико-химической идеи, которая заключается в исключении стадии массопереноса компонентов полупроводника при синтезе слоя.

Здесь уместно обратиться к росту объемных кристаллов направленной кристаллизацией расплава, с помощью которой получены монокристаллы подавляющего большинства известных полупроводников, металлов и диэлектриков. Столь высокая универсальность данной методики и различных ее модификаций по мнению автора заключается во-первых, в отсутствии стадии массопереноса, и во-вторых, в детально разработанных физико-химических основах, опирающихся на фундаментальную информацию о Р-Т-Х диаграммах состояния кристаллизуемых объектов и механизмах роста кристаллов из собственного расплава.

п.

Приведенные соображения были использованы при разработке физико-химических основ направленной кристаллизации тонких слоев расплава в зазоре между удаляемой пластиной и подложкой, на которой необходимо получить тонкий слой полупроводника. Цикл этих работ был проведен автором под руководством академика В.Б.Лазарева и члена-корреспондента РАН В.Я.Шевченко.

При разработке нового способа получения тонких слоев, которым является направленная кристаллизация, обоснованным представляется выбор бинарных полупроводниковых соединений А3В5 в качестве модельных материалов, обладающих хорошо изученными диаграммами состояния (конгруэнтно плавящихся, без полиморфных переходов, и т.п.) и достаточно перспективных с прикладной точки зрения. Всем этим требованиям в полной мере отвечают антимониды индия и галлия, а также антимонид кадмия - полупроводник группы А2В5 с выраженной анизотропией физико-химических свойств. При постановке задачи цикл планируемых исследовании в достаточно сжатой форме был очерчен в рамках логической цепи "полупроводниковый материал-адгезия в многослойной системе-структура-примесный состав-свойство", которая является более конкретизированной применительно к поставленной задаче формулировкой, предложенной ранее в более общей форме членом-корреспондентом РАН В.Я.Шевченко.

Раскрывая смысл звеньев приведенной цепи, отметим, что после выбора полупроводникового материала сразу же возникает вопрос об отделяемой пластине и подложке, или иными словами, о механизме адгезии материала слоя, которая должна быть минимальной в одном случае (для пластины) и достаточно высокой для того, чтобы обеспечить прочное сцепление с подложкой. При этом неизбежно возникает проблема образования промежуточных фаз, их состава, термодинамических, механических и электрических свойств, а также степени их влияния на процесс зародышеобра-

зования в полупроводниковых слоях. В конечном итоге многослойная система "полупроводниковый слой - межфазная прослойка - подложка" должна надежно выдерживать как операции механической и химической обработки, так и обеспечивать механическую стабильность многослойной структуры в широком температурном интервале.

Совершенство структуры тонких полупроводниковых слоев имеет решающее значение, причем речь идет не о хорошо изученных группах симметрии и межатомных расстояниях выбранных соединений МвЬ, но о реальной вторичной структуре слоев с ее дефектами, которые должны неизбежно возникать как в процессе'кристаллизации, так и при охлаждении многослойных систем до комнатных температур. Весьма важной является информация о распределении дефектов по длине и толщине кристаллизуемого слоя, а также о возможных путях их устранения или минимизации.

Обсуждая проблему дефектообразования в тонких слоях, достаточно уверенно можно предположить, что их образование может происходить на стадии процесса направленной кристаллизации слоя. В связи с этим обоснованным представляется детальное изучение всех этапов этого процесса, начиная с экспериментального изучения реальных тепловых условий перед фронтом кристаллизации с морфологией, определяющейся конфигурацией теплового поля в слое расплава, в формировании которого основную роль играют как температурное распределение в рабочем объеме, так и тепло-физические свойства формообразователей - подложки и пластины, толщина которых соизмерима и превосходит толщину кристаллизуемого слоя. Учитывая, что движущей силой кристаллизации является переохлаждение перед фазовой границей, необходимым представляется изучение кинетики кристаллизации тонких слоев в зависимости от переохлаждения расплава.

Достаточно очевидно и влияние на структурное совершенство морфологии фазовой границы, определяемой механизмом роста твердой фазы.

Учитывая анизотропию свойств кристаллографических плоскостей кристаллизуемых в виде тонких слоев полупроводников, уместным представлялось изучение влияния кристаллографического направления роста слоев на их структурное совершенство.

Легирование является важной составляющей при разработке физико-химических основ направленной кристаллизации ТС. При этом необходима достоверная информация об эффективных коэффициентах распределения примесей в тонких слоях с учетом того, что процесс кристаллизации протекает в условиях практически полного отсутствия конвективного перемешивания за счет разности удельных плотностей расплава при различных температурах. Вместе с тем, возможны и другие механизмы массообмена (например, диффузионный), оказывающих влияние на конечное распределение примеси в объеме выращенного слоя. Рассмотрение физико-химических аспектов легирования тонких слоев необходимо также изучить с учетом сорта легирующих атомов. Легирование из расплава, обогащенного примесью выше предела растворимости в твердой фазе, особенности выпадения второй фазы в выращенном слое также необходимо для полноты физико-химической информации о процессе легирования тонких слоев, и при получении тонких слоев полупроводниковых эвтектик.

Необходимым компонентом намеченной последовательности исследований является изучение физико-химических свойств тонких слоев МБЬ. При этом следует весьма подробно изучить гальваномагнитные свойства тонких слоев в широком температурном интервале, установить электрические параметры границы раздела полупроводник - подложка, энергетический спектр уровней в запрещенной зоне ТС и оценить их плотность, рассмотреть оптические и фотоэлектрические свойства, а также процессы рекомбинации в ТС.

Завершающим этапом физико-химических исследований должно быть экспериментальное подтверждение возможности создания активных многослойных систем на основе тонких слоев МБЬ с использованием методов групповой технологии, с изучением их технических характеристик и сравнением их с параметрами известных аналогичных устройств.

В таком виде и объеме перечисленные задачи на момент их постановки были пионерскими, и решение их являлось целью настоящей диссертации.

Диссертация состоит из Введения, семи глав и Выводов.

В первой части обзорной главы подробно рассмотрены различные варианты получения тонких слоев полупроводниковых материалов направленной кристаллизацией расплава. Проведенный анализ этих данных свидетельствует о том, что используя основную идею - кристаллизацию тонких слоев расплава, исследователями применялись различные способы формирования расплава с необходимой геометрией, и различные способы их кристаллизации, которые, однако, не всегда приводили к успешному решению задачи - получению монокристаллических тонких слоев с необходимыми свойствами.

Далее в обзоре анализируются кристаллохимические аспекты роста тонких слоев, в частности, обсуждаются результаты исследований причин возникновения полисинтетических двойников, а также рассматриваются вопросы устойчивости фазовой границы при различном содержании примеси в расплаве. Кратко рассмотрены методы изучения адгезии в сплавных системах, показана роль промежуточных фаз при контакте веществ с различными физико-химическими свойствами. Приведен перечень активных полупроводниковых структур на основе направленно закристаллизованных

о

тонких слоев. Анализируются причины, ограничивающие широкое применение таких слоев в практике.

Вторая глава посвящена методическим вопросам диссертации. В данном методе важную роль играют вопросы управляемого формообразования расплава. Геометрия тонкого слоя определяется с одной стороны требованиями научного и прикладного характера, с другой - поверхностными свойствами расплава. Эта задача решалась путем изучения смачивания методом лежащей капли и разработанных на основе полученных результатов оригинальных кристаллизационных ячеек, изготовленных из традиционно используемых в полупроводниковой технологии кварца, графита, молибдена. Приведены особенности конструктивных решений установок направленной кристаллизации тонких слоев, а также кристаллизационных ячеек для осуществления процесса направленной кристаллизации.

Изложены методики, использовавшиеся при физико-химическом исследовании процессов технологии. Структура и кристаллическое совершенство изучались методами металлографического и электронографиче-ского (установка ЭМ-14) анализов. Данные о фазовом составе получены с помощью электронного микрозондового анализатора "САМЕВАХ", оже-спектрометра иатр-10 вСБ (иео1), лазерного масс-спектрометра ЭМАЛ-2. Приводится описание установок для изучения электрических, оптических и фотоэлектрических свойств тонких слоев и активных многослойных систем на их основе.

В третьей главе излагаются результаты исследований ключевого момента физико-химических основ направленной кристаллизации тонких слоев полупроводниковых веществ - адгезии. В идеальном случае подложки, используемые в процессе направленной кристаллизации должны: а) обеспечивать адгезию к материалу полупроводникового слоя, достаточную для сохранения надежного контакта при операциях химико-механической обра-

ботки и многократном термоциклировднии в диапазоне температур 4,2-300 К; б) обладать достаточной химической стойкостью по отношению к реактивам, используемым при формировании активных многослойных систем; в) вносить в ТС минимально возможное количество неконтролируемых примесей; г) обладать по возможности близкими коэффициентами термического расширения; д) не создавать дополнительных сложностей при функционировании активных многослойных систем.

Активные многослойные системы на основе ТС выбранных полупроводников могут быть получены на диэлектрических подложках для использования в режиме фотопроводимости, а также при модуляции емкости или поверхностной проводимости внешним электрическим полем (в структурах металл-диэлектрик-полупроводник, при эффекте поля).

Изучение роли подложек в процессе формирования тонкого слоя проводили методом лежащей капли измерением краевых углов смачивания (работы адгезии), определяя таким образом влияние подложек на зароды-шеобразование.

Изучение смачивания в системах МвЬ/диэлектрик проводили, в основном, с использованием алюмосодержащих и кремнийсодержащих оксидов. Формально, по данным об углах смачивания, существенно превышавших 90° , смачивание в этих системах незначительно. Вместе с тем, при взаимодействии с этими оксидами наблюдали хорошее сцепление закристаллизованных капель с подложками, оценивавшееся по результатам термо-циклирования в интервале 77-300 К. Рассчитанный критерий Фольмера свидетельствует о незначительном вкладе подложек в зародышеобразова-ние тонких слоев МБЬ/диэлектрик, обеспечивая условия направленной кристаллизации без образования паразитных кристаллов. Минимальным сцеплением с исследованными диэлектрическими подложками обладали капли в системе Сс^Ь/АЬОз.вЮг. При обсуждении установленных адгезионных

свойств в рассмотрение были приняты, в основном, не объемные, а поверхностные свойства оксидов А1203 и ЗЮ2. Эти диэлектрики обладают выраженной способностью к активной адсорбции на поверхности молекул Н20, весьма прочно связанной с компонентами кристаллической решетки. Это приводит к существенно гидратированной и гидроксилированной поверхности оксидов. При термодинамическом анализе вероятности возникновения промежуточных фаз между полупроводником и подложкой показано, что прямое взаимодействие расплавов МЭЬ и этих оксидов невозможно, вместе с тем, оксидирование поверхности расплава за счет хемосорбиро-ванных молекул воды и гидроксила может протекать без затруднений. Эти предпосылки экспериментально подтверждены оже-спектрометрией областей слоев антимонида индия, прилегающих к подложке, в результате чего было установлено наличие межфазной области, состоящей из смеси оксидов 1п и БЬ. На процесс образования адгезионно-активного промежуточного слоя оксидов оказывает влияние и упругость паров оксидов компонентов полупроводника при температуре его плавления. Термодинамически возможное образование межфазных оксидов в системах Сс!8Ь/А1203| БЮ2 не приводит к возникновению достаточно прочного сцепления ввиду высокой упругости паров оксида кадмия, который возгоняется при температуре плавления антимонида кадмия, нарушая плотность, а, следовательно, и механическую прочность оксида сурьмы, который мог бы обеспечить адгезию Сс13Ь к подложке. Эффект сцепления с подложкой слоев антимонида кадмия наблюдался только при использовании подложек из щелочного стекла, которые обладают способностью не только хемосорбции воды на поверхности, но и поглощения ее молекул объемом. При диффузии этих молекул из объема стекла к границе раздела слой-подложка и происходит образование достаточно стабильной смеси оксидов Сс! и БЬ, обеспечивающей сцепление с подложкой.

Физико-химические особенности процесса направленной кристаллизации рассмотрены в четвертой главе. Одной из сторон развития каждого технологического процесса является повышение его интенсивности, не исключение в этом смысле и направленная кристаллизация тонких слоев. Увеличение скорости кристаллизации (т.е. производительности процесса) определяется величиной переохлаждения расплава перед фронтом кристаллизации. Ввиду этого была исследована способность выбранных полупроводников к переохлаждению. Изучение максимально возможного переохлаждения расплавов МБЬ проводили на сформированных слоях в системе 5Ю2/1п5Ь/5Ю2 , изменяя величину перегрева расплава выше температуры плавления и скорость охлаждения. Величина переохлаждения, как было установлено, коррелировала с этими факторами, при этом определена максимальная величина переохлаждения каждого из расплавов, ниже которой не удавалось опуститься во всем диапазоне перегревов и скоростей охлаждения. Для объяснения механизма образования зародышей в переохлажденном расплаве рассмотрена гипотеза о связи величины максимального переохлаждения бинарных соединений с их фазовыми диаграммами и поверхностными свойствами расплавов. Согласно этой модели, поверхность расплава интерметаллида обогащается компонентом с меньшим поверхностным натяжением, которым во всех рассматриваемых случаях является сурьма, и при этом возможно ее накопление в весьма тонком, до долей микрометра, приповерхностном слое, до состава, соответствующего эвтектическому со стороны ЭЬ. При охлаждении расплава в соответствии с диаграммой состояния происходит образование зародышей критического размера, состоящих в основном из атомов вЬ, которые и инициируют образование твердой фазы в расплаве.

Исследование кинетики кристаллизации тонких слоев позволило установить области существования фазовой границы от макроскопически

гладкой при минимальных переохлаждениях до дендритных форм роста при максимальных. Установлены экспоненциальные зависимости скорости кристаллизации, соответствующие механизму роста твердой фазы путем присоединения трехмерных зародышей к фазовой границе. При изучении реальных тепловых условий перед границей раздела кристалл-расплав ус-

Ч* V /—» V

тановлено наличие протяженной переохлажденной области, линеиные размеры которой поддаются управлению температурным профилем рабочей камеры и скоростью перемещения изотермы температуры плавления в расплаве.

Декантацией расплава выявлен наклон фазовой границы по отношению к подложкам. При росте тонкослойного кристалла ЬЭЬ в различных кристаллографических направлениях отклонение нормали к растущей грани кристалла по отношению к направлению роста достигало 15-20° , и определялось теплофизическими параметрами подложек и температурным профилем в зоне изотермы температуры кристаллизации.

Кристаллохимические аспекты кристаллизации ТС МЭЬ связаны, в основном, с вероятностью образования двойников при кристаллизации в различных кристаллографических направлениях. В условиях существования макроскопически гладкой фазовой границы определена частота двойнико-вания при росте в направлениях [111]А, [111 ]В, [211], [110] и [100] тонких слоев антимонида индия. Оптимальными направлениями, на основании проведенных исследований, являются [111 ]В и [211] В, для которых определили критическую скорость кристаллизации, выше которой наблюдалось резкое возрастание вероятности двойникования. Для всех исследованных направлений наблюдалась близкая к параболической зависимость вероятности двойникования от скорости кристаллизации.

Другим основным видом дефектов в тонких слоях антимонидов индия и галлия являются дислокации. Установлено, что высокая, порядка 5 105

см"2 плотность дислокаций наблюдается при всех изученных ориентациях затравки и не зависит от режимов охлаждения до комнатной температуры, в связи с чем сделан вывод о превалирующей роли пластической деформации в этом процессе. Образование прочного механического сцепления между материалом слоя и подложкой на стадии формирования слоя расплава, в результате значительной разности коэффициентов термического расширения, достигающей 4.10"6 град"1 , приводит к возникновению механических напряжений в слое, релаксирующих путем образования этих дефектов вторичной структуры.

Особенности получения легированных тонких слоев антимонида индия приведены в пятой главе. При этом предварительно изучен состав фоновых примесей как в исходном материале, так и в тонких слоях. По данным лазерной масс-спектрометрии, суммарное количество фоновых примесей достигало 15 с общей концентрацией до 1.1016 см"3, а по данным электрических измерений концентрация изменялась в зависимости от марки исходного п-1пБЬ от 2.1014 (ИСЭ 1"в") до 6.1014 (ИСЭ 2"в") см"3, представляя собой компенсированный материал, электрические параметры которого являются результирующей электрически нейтральных, донорных и акцепторных примесей. При росте слоев нелегированных тонких слоев антимонида индия основными фоновыми примесями являются кремний и алюминий, источниками которых были использовавшиеся в кристаллизационных ячейках кварц и сапфировые подложки.

Введение примесей в тонкий слой проводили легированием исходной навески в кристаллизационной ячейке. Изучен рост ТС 1пвЬ в диапазоне концентраций примеси Ад, Аи Се, Сс1 от 5.1015 до 5.1017 см"3.

Установлено, что при легировании германием каждому атому примеси соответствует дырка в валентной зоне ТС 1п8Ь, в то время, как примесные атомы 1п, Сс1, Ад и Аи не все являются электрически активными. Послед-

нее обстоятельство может быть связано с межузельным внедрением этих примесей, особенно в местах дислокаций.

Распределение электрических параметров по длине тонких слоев существенно неоднородно для примеси ве, когда значение концентрации носителей заряда изменяется примерно на порядок, и более однородно распределение электрических свойств в случае Zn и Сс1, при отношении Макон/Манач = 1,2. Неоднородность электрических свойств по площади тонких слоев возрастает при уменьшении концентрации для всех примесей р-типа. Изучена возможность зонного выравнивания в тонких слоях антимонида индия. На уровне концентрации легирующих примесей 2.1015 см"3 (Те) и 1.1016 см"3 Сс1, бе) неоднородность электрических параметров существенно снижается уже после двух проходов зоны, и достигает стационарного значения при числе проходов более пяти. Основным недостатком этой операции является образование крупноблочной структуры.

Рост тонких слоев антимонида индия изучен при кристаллизации не-стехиометрического расплава, обогащенного сурьмой. Установлено, что избыток компонента эффективно оттесняется фазовой границей, а при повышении скорости кристаллизации фазовая граница теряет устойчивость с захватом маточного расплава.

Исследован рост тонких слоев эвтектики 1п5Ь-№5Ь. Пространственная ориентация и геометрические размеры игольчатых включений N¡55 существенно зависели от скорости кристаллизации, причем при минимальных скоростях длина игл N¡55 достигала 5-7 мм. При специальных режимах кристаллизации были получены тонкие слои 1п5Ь-№5Ь с наклоном металлических включений N¡55 относительно подложки до 45°.

Результаты исследований объемных и поверхностных свойств тонких слоев М5Ь изложены в шестой главе. Измерение гальваномагнитных свойств в температурном интервале 77-300 К проведены для всех иссле-

дуемых тонких слоев МЭЬ на всех типах инородных подложек. Основное внимание уделено изучению свойств ТС 1п5Ь. По температурным зависимостям постоянной Холла установлена ширина запрещенной зоны антимо-нидов индия. Влияние подложек на электрические свойства выражалось, в основном, в увеличении концентрации носителей заряда при переходе от сапфировых подложек к керамическим на основе оксида алюминия (керамика 22 ХС, поликор), и в еще большей степени к щелочесодержащим стеклянным подложкам. Наиболее чистые образцы ТС 1пБЬ с концентрациями электронов до 3.1014 см"3 при 77 К получены на сапфировых подложках, а при использовании стеклянных концентрация носителей в тонких слоях возрастала до 5.1016 см"3.

Уменьшение толщины слоев до нескольких микрометров не приводило к изменению электрических свойств при комнатной температуре, однако при азотных температурах подвижность носителей существенно уменьшалась с толщиной.

Рассматривая механизмы рассеяния носителей в тонких слоях 1п8Ь, следует отметить, что начиная с порогового значения концентрации порядка 1.1016 см"3, основную роль начинает играть рассеяние на носителях, а при меньших концентрациях превалирует рассеяние на несовершенствах кристаллической структуры, причем в последнем случае практически не отмечено влияния двойниковых границ на этот параметр, и в основном рассеяние происходит на дислокациях.

При компенсировании материала примесями р-типа получены тонкие слои 1пЗЬ/А1203 с разностной концентрацией носителей заряда менее 1.1014 см"3. В этом случае наблюдалось особенно сильное влияние дислокаций на величину подвижности дырок при 77 К, которая падала до 5.102 -1.103 см2/В.с.

Поверхностные свойства тонких слоев изучали на структурах металл-диэлектрик-полупроводник. Для формирования МДП-структур использовали в качестве металла и диэлектрика сильнолегированные слои поликристаллического кремния Si* и пленки диоксида кремния, полученные термическим оксидированием. Пленки Si* и Si02 впервые использовались для получения МДП-структур на основе ТС InSb и GaSb и эвтектики InSb-NiSb. Изучением вольт-емкостных характеристик установлены концентрация носителей заряда в приповерхностных слоях антимонида индия и плотность быстрых поверхностных состояний в запрещенной зоне этого полупроводника. Исследования эффекта поля в ТС InSb дали хорошее совпадение по величине плотности поверхностных состояний с C-V методом.

Методом неравновесной спектроскопии глубоких уровней впервые изучены глубокие центры в ТС InSb, установлены их концентрация, сечения захвата и положение в запрещенной зоне. Сделан вывод о потенциально высоком быстродействии приборов на основе ТС InSb.

Седьмая глава диссертации содержит результаты исследований, направленных в основном, на создание AMC на основе ТС InSb, охлаждаемых и неохлаждаемых. Изучены характеристики фотопроводящих детекторов на основе ТС InSb. Исследованы вольт-ваттные характеристики, спектральное распределение шумов полученных детекторов. Особый интерес в фотопроводящих детекторах на основе ТС InSb вызывают временные характеристики. Быстродействие указанных детекторов достигает 5.10"10 с при охлаждении и порядка 1.10"9 с при комнатной температуре, определяя перспективность их использования в волоконно-оптических линиях связи, а также при регистрации быстропротекающих процессов. Существенно повышена монохроматическая вольт-ваттная чувствительность детекторов на основе ТС InSb при комнатной температуре, достигавшая 100 В/Вт (превосходит известные данные в 30 раз) при оптимальном соотно-

шении сигнал/шум, и обнаружительная способность - до 5.108 см.Гц1/2/Вт (превосходит известные данные в 2-2,5 раза).

Впервые обнаруженный эффект детектирования СВЧ излучения сантиметрового и миллиметрового диапазонов неохлаждаемыми AMC на основе ТС InSb характеризуется чувствительностью порядка 100 В/Вт, пороговой мощностью 1.10'9 Вт.Гц~1/2 и быстродействием на уровне десятков пикосекунд.

Показана возможность формирования многоэлементных AMC (линейных 1 х 32 и матричных 64 х 64). Созданы макеты фотоприемных устройств, включающие многоэлементные фотоприемники и мультиплексоры для считывания полезного сигнала. Их отличительной особенностью также является высокое быстродействие, ограничиваемое существующими электронными схемами формирования видеосигналов, а также высокой экономической эффективностью, что может существенно снизить стоимость видеосистем средневолнового ИК диапазона.

В Выводах рассмотрен весь комплекс полученных результатов, включающий разработку физико-химических основ направленной кристаллизации тонких слоев полупроводников, к числу которых следует отнести выяснение роли поверхностного натяжения расплава при формировании тонкого слоя, установленную связь термодинамики адсорбции и фазовых Т-Х диаграмм с величиной максимально достижимого переохлаждения тонких слоев полупроводников InSb и GaSb, химическую суть механизма образования адгезии и возможность ее прогнозирования, возможности спонтанной кристаллизации тонких слоев, дефектообразование при кристаллизации от затравки, установление закономерностей примесного распределения, и полученные данные прикладного характера по созданию твердотельных электронных приборов на основе ТС. Делается вывод о перспективности направленной кристаллизации тонких слоев для создания

технологической цепи группового характера, позволяющей получать активные многослойные системы, в ряде случаев обладающие уникальными параметрами, с высокой современной производительностью при достаточно низкой себестоимости, обеспечивая потребности в высококачественных и относительно дешевых активных многослойных системах для различных применений.

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Падалко, Анатолий Георгиевич

выводы.

1. Разработаны физико-химические основы направленной кристаллизации тонких слоев MSb как результат решения комплекса взаимосвязанных проблем, в котором последовательно установлена роль поверхностных явлений в процессе управляемого формообразования тонких слоев расплава в сообщающихся капиллярах с различным сечением, поверхностной адсорбции в расплавах и фазовых диаграмм M-Sb, ограничивающих максимальное переохлаждение. Гетерогенное оксидирование расплавов MSb с образованием слоя межфазных оксидов обеспечивает адгезию компонентов гетероструктур с минимальным влиянием подложек на процесс зародышеобразования. Изучены особенности роста тонкослойных кристаллов из переохлажденного расплава при спонтанном и инициированном зародышеобразовании, дефектообразования в виде микродвойников и дислокаций, легирования тонких слоев акцепторными и донорными примесями. Установлены объемные и поверхностные оптические, электрические и фотоэлектрические свойства тонких слоев, базовых для созданных фотоактивных многослойных структур трех поколений: дискретных быстродействующих (в том числе неохлаждае-мых), линейных с числом элементов 1 х 32, и матричных с числом элементов 64 х 64

2. При решении одной из поставленных ключевых задач предложен гетерогенный механизм оксидной адгезии в системах MSb/подложка на основании изучения взаимодействия тонких слоев MSb с тонкими пленками оксидов Si, В, AI, In, Sb, Mo, Nd, Eu, Ga, Ni, Та, InSb, GaSb, CdSb на кремнии, а также в системах (1п5Ь,Са5Ь)/алюмосодержащий оксид. Определено, что критерием механического сцепления для выбранных пар материалов является адсорбционная активность поверхности подложек по отношению к молекулам воды и ионам гидроксила, взаимодействие которых с расплавом приводит к возникновению прочного межфазного слоя оксидов между слоем и подложкой. На основании термодинамического анализа взаимодействия 1п8Ь с Н20, ОН", 02 и ЭЮ2 из расчетов изобарно-изотермического потенциала определены наиболее устойчивые продукты в межфазной области, с экспериментальным этому подтверждением.

Основываясь на полученных результатах, изучена спонтанная кристаллизация тонких слоев МЭЬ при близкой к единице вероятности гомогенного зародышеобразования по Фольмеру. Возникающее вследствие незначительной адгезии метастабильное состояние переохлаждения интерпретируется в рамках предложенной гомогенно-эвтектоидной модели максимально достижимого переохлаждения, основанной на поверхностной адсорбции компонента с меньшим поверхностным натяжением. Полученные результаты позволили установить степень влияния адгезионно-активных подложек на процесс кристаллизации тонких слоев.

3. Установлена роль поверхностного натяжения в процессе формирования тонких слоев расплава в сообщающихся капиллярах, выяснение которой привело к разработке кристаллизационных ячеек, исследовательских и технологических установок с последующими их изготовлением и апробацией.

Используя разработанную аппаратуру, установлена морфология фазовой границы, кинетика и механизм кристаллизации тонких слоев МЭЬ с энергиями активации, равными 10,3; 21,5; 13,8 эВ для 1п8Ь, ОаБЬ и Сс!8Ь, соответственно, при росте из переохлажденного расплава. Выдвинуто предположение о соответствии энергий активации кластерам со средним количеством атомов 79; 65; 81 атомов/кластер для 1пвЬ, Оа8Ь и Сс18Ь, соответственно, а также, что процесс плавления исследованных веществ происходит с образованием в расплаве таких кластеров, атомы которых при плавлении приобретают энергию, равную ширине запрещенной зоны полупроводника. При дальнейшем анализе установлено количество элементарных ячеек в кластерах для 1пБЬ -—'10, СаЭЬ -8, СйвЬ - ~5, ве ~36 и предложена кристаллографическая структура кластеров. Энергия активации процесса кристаллизации имеет стерическую природу, причем отмечена связь между фундаментальными характеристиками исследуемых полупроводников - теплотой плавления и шириной запрещенной зоны.

В реальных тепловых условиях кинетика процесса кристаллизации также задается экспериментально установленным переохлаждением вблизи фазовой границы в тонких слоях антимонида индия, наблюдаемым при направленной кристаллизации тонких слоев со спонтанным и инициированным зародышеобразованием. Типичная фасеточная морфология фазовой границы связываются как с переохлаждением перед фазовой границей, так и с классификацией неорганических материалов по энтропии плавления. Определены оптимальные условия роста монокристаллических слоев МЭЬ, отклонение от которых приводит к повышению плотности полисинтетических двойников и дислокаций, понижающих подвижность носителей заряда.

4. Рассмотрены физико-химические аспекты легирования тонких слоев антимонида индия элементами I, II и IV групп в условиях уменьшенной конвективной составляющей, свойственной кристаллизации расплава в узком зазоре. Выяснено, что каждому введенному в слой атому Ое соответствует одна дырка, т.е. атомы германия в тонких слоях 1п8Ь занимают места только в подрешетке БЬ, несмотря на то, что атом примеси имеет больший ковалентный радиус. При переходе к доля электрически активных атомов не превышает 35 %, что связывается с образованием высокой концентрации электрически нейтральных комплексов примесный атом-вакансия. Сс1 в тонких слоях 1п8Ь/А1203 также является электрически активной примесью, но при участии в проводимости 50 % атомов. При измеренных эффективных коэффициентах распределения для примеси ве отношение концентраций примеси МКон/МНач = 4,6, для Zn и Сс1 эти отношения соответственно равны 3,2 и 1,2. С существенными особенностями происходит легирование элементами I группы тонких слоев антимонида индия, когда эффективные коэффициенты расО ^ пределения имели значения 3,1.10 для Аи и 1.2.10 для Ад, что возможно при влиянии на распределение примесей развитой поверхности, определяющей межфазно-поверхностную компоненту диффузии, что приводит к превышению эффективных коэффициентов распределения Аи и Ад в тонких слоях 1пБЬ до 4 порядков по сравнению с объемными кристаллами. Зонная перекристаллизация в режиме выравнивания обеспечивает распределение электрических свойств, в основном соответствующее росту объемных кристаллов с повышенной однородностью.

В нестехиометрических слоях 1пвЬ + БЬ установлен захват расплава при возрастании скорости кристаллизации, а в двухфазном ЬвЬ-МвЬ оопределена ориентация игловидных включений металлической фазы по объему тонких слоев. Найден способ управления взаимной ориентацией подложек и игл металлофазы.

5. Анализ температурных зависимостей и распределения по объему и площади гальваномагнитных свойств тонких слоев (\ZISb на керамике 22ХС, поликоре, сапфире, щелочном стекле, оксиде 1п8Ь/81, 8Ю2/81ПК/ А1203, 8Ю2/8Г/А1203, 0у203/ 8Ю2/8Г/А1203 в температурном интервале 77-300 К. позволил выделить сапфир как наиболее пригодную адгезионно-активную, создающую минимальный примесный фон, подложку для тонких слоев, прежде всего 1п8Ь. Свойства тонких слоев эвтектики 1п8Ь-1\П8Ь. (магнитосопротивление, анизотропия удельного сопротивления и коэффициента термоэдс>не уступают объемным образцам, а по величине магнитосопротивления на 25% эффективнее, чем образцы на основе объемных кристаллов ЬБЬ-МБЬ.

При оптимальных условиях формирования объемные электрические свойства направленно закристаллизованных тонких слоев МБЬ существенно превосходят параметры тонких пленок и слоев этих полупроводников, полученных с использованием других методов нанесения на диэлектрические подложки.

Из электрических свойств границы раздела МвЬ/БЮг, прежде всего в системе 1п8Ь/8Ю2/81п7А1203, следует наличие на поверхности полупроводника, граничащей с 8Ю2, отрицательного поверхностного заряда, что объясняется наличием слоя межфазных оксидов 1п и БЬ. Энергетический спектр поверхностных состояний имеет монотонный характер с минимумом вблизи середины запрещенной зоны и возрастанием при приближении к краям валентной зоны и зоны проводимости 1пЗЬ. Поверхностная концентрация носителей заряда в ТС актимонида индия не зависит от типа контактирующего диэлектрика и согласуется с данными по измерению эффекта Холла. Средняя плотность быстрых поверхностных состояний коррелирует с гетерогенным механизмом оксидной адгезии.

В многослойных гетероструктурах (ЭК 1пЗЬ-Ы13Ь)/вЮ2 и ОаБЬ/8Ю2 поверхностная концентрация носителей заряда совпадает с объемной.

В объеме и вблизи поверхности тонких слоев антимонида индия на сапфире по данным образуются ловушки электронов Е-, и Е2 с энергиями Ес - 0,175 и Ес - 0,085 эВ, а также ловушки дырок Н1 и Н2 с энергиями Еу + 0,055 и Еу + 0,044 эВ, которые по своей физико-химической природе представляют собой собственные структурные дефекты. Являющееся следствием время жизни носителей заряда в тонких слоях 1п8Ь/А1203 порядка 200 пикосекунд имеет существенное значение для быстродействующих активных многослойных систем.

6. Прикладное значение исследований раскрыто при использовании тонких слоев антимонида индия для получения ряда активных многослойных систем (AMC) 3-х поколений, преобразующих поток излучения в электрический сигнал.

Разработаны быстродействующие фотоактивные многослойные структуры для волоконно-оптических линий связи с вольтваттной чувствительностью, коэффициентом усиления и быстродействием, обеспечивающих работоспособность до частот в сотни ГГц.

Неохлаждаемые фотоактивных многослойных структур на основе тонких слоев антимонида индия с высокими импедансом, вольтваттной чувствительностью, быстродействием и обнаружительной способностью при 300 К превосходят параметры фотоприемников на основе объемных кристаллов антимонида индия.

Впервые обнаружена высокая чувствительность AMC на основе антимонида индия при комнатной температуре к СВЧ излучению сантиметрового и миллиметрового диапазона длин волн при пикосекундном быстродействии.

Разработаны топология и технология многоэлементных активных многослойных систем. Созданы опытные образцы многоэлементного линейного фотоприемника с числом элементов 1 х 32 (ЛИР-32). На базе ЛИР-32 создано фотоприемное устройство, в состав которого входят линейка фоточувствительных элементов и мультиплексор для считывания сигнала.

Созданы опытные образцы матричного фотоприемника с числом элементов 64 х 64 с 2-х уровневой системой тонкопленочных шин с межслойной изоляцией. Полученные фотоэлектрические параметры и степень интеграции многоэлементных AMC оказались достаточными для применения в оптоэлектронных системах инфракрасного диапазона.

275 / а

Возможность получения, воспроизводимость параметров и надежность твердотельных активных многослойных структур на основе гете-роструктур МБЬ/подложка являются следствием проведенного комплекса исследований, направленных на разработку физико-химических основ технологии направленно кристаллизуемых тонких слоев.

Список литературы диссертационного исследования доктор химических наук Падалко, Анатолий Георгиевич, 1998 год

ЛИТЕРАТУРА

1. Р.Лодиз, Р.Паркер. Рост кристаллов, М., Мир, 30 (1974)

2. В.А.Сахаров. Металлургия и технология полупроводниковых материалов. М., Металлургия (1972)

3. G.Bate, K.N.R.Taylor, J.Appl.Physics, v.31, 991-994 (1960)

4. W.Bosenberg, Z.Angew.Phys.,v.9, No 7,347(1957)

5. А.А.Давыдов, Н.М.Деменкова, Л.В.Лишина, В.Н.Маслов, Сб. Рост кристаллов, т.6, "Наука", М., 350 (1965)

6. Н.М.Деменков, В.Н.Маслов, Кристаллография, Т.Х11, 64, с.737 (1967)

7. L.N.AIexandrov, E.Klimenko, A.G.Klimenko, Kristall und Technik, v.4, No 4, 25 (1969)

8. П/р Л.Н.Александрова "Проблемы эпитаксии полупроводниковых пленок", СО "Наука", Новосиб. (1971)

9. В.Я.Шевченко, А.Д.Гончаров и др. Электронная пр-сть, № 3, 45 (1971)

10. Г.Б.Бокий, В.Я.Шевченко, Г.И.Гончаренко, А.Д.Гончаров и др. ДАН СССР, т.200, № 1,72 (1971)

11. В.Я.Шевченко, П.Рудольф, А.Д.Гончаров, В.Тиме и др., III Симп. "Процессы роста и синтеза полупровод, кристаллов и пленок", 184, Новосиб., (1972)

12. W.J.Scheftchenko, A.D.Goncharov, W.Tieme et al., Kristall und Technik, v.7, No 7, 787 (1972)

13. В.Я.Шевченко, В.Б.Лазарев, А.Д.Гончаров и др. "Получение тонких слоев полупроводниковых веществ направленной кристаллизацией расплава", ИОНХ АН СССР, М., (1973)

14. А.Д.Гончаров, канд.дис., Львов (1971)

15. П.Рудольф, канд.дис., Львов (1972)

16. Р.Климпель, канд.дис., Львов (1972)

17. В.Я.Шевченко, А.Д.Гончаров и др., A.C. № 437150

18. Г.Б.Бокий, В.Я.Шевченко, В.Б.Лазарев, А.Д.Гончаров, Кристаллография, т. 19, № 65, 1051 (1974)

19. В.Б.Лазарев, Докт.дисс., М., (1967)

20. В.Я.Шевченко, Докт.дисс., М., (1977)

21. С.Ф.Маренкин, канд.дисс., М., (1972)

22. Г.И.Гончаренко, канд.дисс., М., (1972)

23. О.М.Полторак, ЖФХ, т.29, 1650 (1956)

24. В.Ф.Киселев, в кн. Поверхностные соединения в гетерофазном катализе. Проблемы кинетики и катализа, Наука, т. 16, 221 (1975)

25. D.Heman, Phys.Rev., v.170, 705 (1968)

26. Г.Б.Демидович, В.Ф.Киселев, ЖФХ, т.31, 2213 (1957)

27. W.A.Weyl, Research, v.3, 230 (1960)

28. П.Ю.Бутягин, А.А.Берлин, А.Э.Колмановский, Л.А.Блюменфельд, Высокомолек.соед., т.1, 865 (1959)

29. А.Ахмед-Заде, В.В.Вотизнанский, В.А.Закревский, Э.И.Томашевский, ФТТ, т. 14, 422 (1972)

30. У.Hochstrasse, E.Antoniniy, Surface Sei., v.47, 539 (1972)

31. Y.B.Demidovich, V.E.Kiselev, N.N.Leznev, O.B.Nikitina, J.Chem.Phys., v.65, 1078 (1968)

32. U.Hofman, K.Endell, D.Wilm, Angew.Chem., v.47, 539 (1934)

33. E.K.Rideal, Trans.Faraday Soc., v.32, 4 (1936)

34. А.В.Киселев, Колл.журн., т.2, 17 (1936)

35. Р.С.Karman, Trans.Faraday Soc., v.36, 964 (1940)

36. O.Glemser, Angew.Chem., v.73, 785 (1961)

37. А.В.Бондаренко, В.Ф.Киселев, К.Г.Красильников, Кинетика и катализ, т.2, 590 (1961)

38. М.М.Егоров, В.Ф.Киселев, ЖФХ, т.35, 2031 (1961)

39. М.Егоров, В.Ф.Киселев, К.Г.Красильников, В.В.Мурина, ЖФХ, т.ЗЗ, 65 (1959)

40. R.Y.Haldeman, P.Y.Emmett, J.Amer.Chem.Soc., v.78, 2917 (1856)

41. Л.А.Игнатьева, В.И.Квливидзе, В.Ф.Киселев, в кн. Связанная вода в дисперсных системах, М., МГУ, в.1, 56 (1970)

42. D.E.O.Reilly, H.P.Leffin, W.K.Hall, J.Chem.Phys., v. 29, 970 (1958)

43. В.И.Квливидзе, H.M.Невская, Т.С.Егорова, В.Ф.Киселев, Н.Д.Киселев, Кинетика и катализ, т.З, 91 (1962)

44. В.И.Квливидзе, ДАН СССР, т. 157, 158 (1964)

45. А.Н.Сидоров, Оптика и спектроскопия, т.8, 806 (1960)

46. M.Folman, D.Y.E.Gates, Trans.Faraday Soc., v.54, 1684 (1958)

47. Л.А.Игнатьева,В.Ф.Киселев, Г.Д.Чукин, ДАН СССР, т. 18.1, 914 (1968)

48. Г.Джаффе, Успехи химии, т.26, 1060 (1957)

49. В.Н.Пак, С.И.Кольцов, В.Б.Алесковский, Кинетика и катализ, т. 14, 1577 (1973)

50. Ю.В.Найдич, Поверхностные явления в расплавах и возникающих из них твердых фазах, с.ЗО, Нальчик, 1965

51. В.Б.Лазарев, ЖФХ, т.38 (1965)

52. В.Б.Лазарев, П.П.Пугачевич, ЖФХ, т.34, 2607 (1960)

53. О.А.Тимофеевичева, В.Б.Лазарев, Коллоидный журнал, т.24, № 2, 227 (1962)

54. В.И.Яшкичев, В.Б.Лазарев, Изв.АН СССР, Сер.хим. № 1, 170, (1964)

55. В.Б.Лазарев, А.В.Першиков, ДАН СССР, 146 (1962)

56. В.Б.Лазарев, О.А.Тимофеевичева, ДАН СССР, т.133, 412 (1961)

57. В.Б.Лазарев, А.В.Першиков, ЖФХ, т.37, № 4, 907 (1963)

58. В.Б.Лазарев, ЖФХ, т.38, 2265, (1964)

59. В.Б.Лазарев, А.В.Першиков, A.c. СССР № 169986

60. W.J.O'Brien, G.Ryge, J.Amer.Cer.Soc., v.47 (1)5 (1964)

61. H.R.Thornton, Ceramics, v.10, 123 (1959)

62. 67. Б.В.Дерягин, Н.А.Кротова, Адгезия, изд-во АН СССР, (1949)

63. В.Н.Еременко, Ю.В.Найдич, Змочування рщкими металами твердих поверхонь тугоплавких сполук, АН УССР, К., 47(1958)

64. В.Н.Еременко, В.И.Ниженко, М.И.Скляренко, Поверхностные явления в расплавах и возникающих из них вердых фазах, Нальчик, 297 (1965)

65. Б.В.Царевский, С.И.Попель, Б.Ф.Доможиров, Поверхностные явления в расплавах и возникающих из них твердых фазах, Нальчик, 316 (1965)

66. Л.А.Смирнов, С.И.Попель, Б.В.Царевский, Поверхностные явления в расплавах и возникающих из них твердых фазах, Нальчик, 320 (1965)

67. В.А.Мчедлишвили, Ш.М.Минашвили, А.М.Самарин Поверхностные явления в расплавах и возникающих из них твердых фазах, Нальчик, 389 (1965)

68. Ю.В.Найдич, Смачиваемость и поверхностные свойства расплавов и твердых тел. Наукова думка, К., 7 (1972)

69. Ю.В.Найдич, В.С.Журавлев. Смачиваемость и поверхностные свойства расплавов и твердых тел, Наукова думка, К., 74 (1972)

70. В.А.Григорян и др. Смачиваемость и поверхностные свойства расплавов и твердых тел, Наукова думка, К., 78 (1972)

71. Ю.В.Найдич, В.С.Журавлев, Ю.Н.Чувашев, М.Л.Куркина, Адгезия расплавов, Наукова думка, К., 73 (1974)

72. И.Д.Пылачинский, В.Е.Макевич. Физическая химия поверхностных явлений в расплавах, Наукова думка, К., 47 (1974)

73. Б.Д.Косюк, Ю.В.Найдич, Г.А.Колесниченко. Адгезия расплавов, Наукова думка, К., 47 (1974)

74. Н.К.Адам. Физика и химия поверхностей, (1949)

75. H.O.OIsen, C.Smith, E.Grittenden, J.Appl.Phys., v.16, 405 (1945)

76. G.R.Pulliam, J.Sciences, v.31, (3) 503 (1957)

77. J.Baxter, P.Roberts, Powders Metallurgy Symposium, London, (Iron and Steel), (1954)

78. P.H.Bracc, J.EIectrochem.Soc., v.94, 170 (1948)

79. W.Wonster, G.MacDonald., Nature, 160 (4060)260 (1947)

80. В.Н.Еременко, В.И.Ниженко, Л.И.Скляренко.Поверхностные явления в расплавах и возникающих из них твердых фазах, Нальчик, 302 (1965)

81. В.И.Туманов, В.Ф.Функе, Л.И.Беленькая, Л.П.Усольцева. Поверхностные явления в расплавах и процессах порошковой металлургии, АН УССР, К., 141 (1963)

82. Ю.В.Найдич, В.С.Журавлев. Поверхностные явления в расплавах и возникающих из них твердых фазах, Нальчик, 245 (1965)

83. J.R.Dale, Phys.Stat.Sol., v.16, No 2, 351 (1966)

84. J.Shirafiji, N.Nakajama, Japan J.Appl.Phys., v.3, 301 (1964)

85. J.Shewchun, L.Y.Wei, J.EIectrochem.Soc., v.lll, 1145 (1964)

86. Н.К.Киселева, Кристаллография, т.9, 365 (1964)

87. И.Е.Горшков, Н.А.Горюнова, ЖНХ, № 3, 668 (1958)

88. M.Nansen, Constitution of Binary Alloys, McGrow Hill, Publ.Comp. (1958)

89. R.H.Rediker, S.Stopek, E.D.Hinkley, Trans. ASM, v.7, 621 (1964)

90. R.H.Rediker, S.Stopek,J.H.Ward, Solid State Electr., v.,233, 463 (1965)

91. E.D.Hinkley, R.H.Rediker, D.K.Jadus, Appl.Phys.Lttrs, v.6, 144 (1965)

92. В.Н.Романенко. "Получение однородных полупроводниковых кристаллов", Металлургия, М., 169 (1966)

93. В.А.Тиллер. Сб.Теория и практика выращивания монокристаллов, Металлургия, М., 314 (1968)

94. J.W.Cahn, J.E.Hillard, J.Chem.Soc., v.28, 258 (1958)

95. J.W.Cahn, Acta Met., v.8, 554 (1960)

96. D.Turnbull, Physical Metallurgy ASM, Cleveland (1950)

97. W.Hillig, D.Turnbull, J.Chem.Phys., v.24, 219 (1956)

98. J.Cahn, Phys., v.34, 473 (1956)

99. У.А.Тиллер, в кн. "Физическое металловедение", т.2, Мир, М., 162 (1968)

100. M.Volmer, M.Marder, Zs.Phys.Chem., v.154, 97 (1931)

101. F.C.Frank, Disc.Faraday Soc., v.5, 48 (1949)

102. K.A.Jackson, in "Liquid Metals and Solidification", Cleveland (1962)

103. K.A.Jackson, in "Growth and Perfection of Crystals", ed. R.H.Doremus, B.W.Roberts, D.Turnbull, New-York, 319 (1958)

104. K.A.Jackson, Treatise Solid State Chem., v.5, 233 (1976)

105. К.Джексон, Д.Ульман, Дж.Хант, в кн. Проблемы роста кристаллов, т.32, Мир, М., (1968)

106. Can.J.Phys., v.43, 1411 (1964)

107. G.A.Chadwik, Acta Met., v. 10, 1 (1962)

108. F.Weinberg, Trans. AJME, v.224, 628 (1963)

109. K.Neumann, G.Micus, Zs.Phys.Chem., v.2, 25 (1954)

110. В.И.Малкин, ЖФХ, 1966 (1964)

111. В.И.Данилов, В.И.Малкин, ЖФХ, 1837(1964)

112. O.Jantsch, Zs.Krist.,v.108, 185 (1956)

113. Д.Е.Овсиенко, Г.А.Алфинцев, Кристаллография, т.8, 796 (1963)

114. J.W.Rutter, B.Chalmers, Cañad.Journ.Phys., v.31, 15 (1953)

115. W.A.Tiller, J.W.Rutter, K.A.Jackson, B.Chalmers, Acta Met., v.1, 428, (1953)

116. G.M.Mullins, R.F.Sekerka, Journ.Appl.Phys., v.35, 444 (1964) (перевод в кн. Проблемы роста кристаллов, Мир, М., 106 (1968)

117. Н.В.Лапин,Д.А.Николаев,В.А.Малюсов,Н.М.Жаворонков, ТОХТ, т.7, № 6, 864 (1973)

118. Н.В.Лапин,Д.А.Николаев,В.А.Малюсов, .М.Жаворонков, ТОХТ, т.Ю, №4,503 (1976)

119. Н.В.Лапин, Д.А.Николаев, В.А.Малюсов, Н.М.Жаворонков, ТОХТ, т.Ю, № 1, 31 (1976)

120. Т.Бартон, Р.Прим, В.Слихтер, в кн. Германий, М., Издатинлит (1956)

121. В.Б.Лазарев, М.Я.Дашевский, ДАН СССР, т.146, 822 (1962)

122. В.Б.Лазарев, М.Я.Дашевский, М.С.Миргаловская, Сб. Поверхностные явл. в расплавах, Нальчик, 573 (1965)

123. В.Б.Лазарев, М.Я.Дашевский, Неорг.мат., т.1, 1901 (1965)

124. В.Б.Лазарев, М.Я.Дашевский, Сб. Поверхностные явления в расплавах, Нальчик, 385 (1965)

125. В.Б.Лазарев, М.Я.Дашевский, Г.В.Кукуладзе, М.С.Миргаловская Неорг.мат., т.З, 1561 (1967)

126. К.Н.Авдиенко, С.А.Строителев, "Проблемы эпитаксии полупроводниковых пленок", Новосиб., Наука, 31 (1971)

127. С.А.Строителев. Арсенид галлия, Томск, 414 (1966)

128. С.А.Строителев. "Геол. и геофиз.", № 6, 31 (1961)

129. J.EIectrochem.Soc., v.108, No 12, 1168 (1961)

130. Ю.М.Шаликов, Н.Я.Шушельбина, ФТТ, т.6, вып.5, 1449 (1964)

131. А.В.Лишина, С.А.Медведев, А.Я.Пажельский, Б.А.Сахаров, Кристаллография, т.9, № 3, 436 (1964)

132. Э.А.Демьянов, Кристаллография, т. 15, № 4, 808 (1970)

133. Э.А.Демьянов, В.В.Смирнов, С.А.Строителев, Неорг. мат., т.4, № 9, 1416 (1968)

134. У.Стейнманн, У.Циммерли, в кн. Технология полупроводнико-вых соединений, М., Металлургия, 219 (1967)

135. Р.Л.Мюллер, Р.Джекотсон, в кн. Технология полупроводниковых соединений, М., Металлургия, 235 (1967)

136. В.И.Селиванова, Т.М.Иконникова, Арсенид галлия, Томск, 420 (1968)

137. Б.А.Карасюк, А.И.Грибов. Полупроводники - германий и кремний, М., Металлургиздат, (1961)

138. Б.М.Туровский, Л.В.Лайнер. Кристаллография, т.9, № 1, 92 (1964)

139. Е.Биллинг, в кн. Кремний, М., ИЛ, 163 (1960)

140. Е.И.Гиваргизов, А.Н.Степанов, Кристаллография, т.9, № 1, 127 (1964)

141. Г.А.Куров, И.В.Филатов. Кристаллография, т.9, № 4, 575 (1964)

142. М.Шульц, П.Тил, сб. Рост кристаллов, т.8, М., Наука, 204 (1968)

143. Takabajashi, Jap.J.Appl.Phys., v.1, No 1, 22 (1962)

144. С.А.Строителев. Кристаллохимический аспект технологии полупроводников, СО "Наука", Новосиб., 73 (1976)

145. Э.А.Демьянов, в сб. Процессы роста и синтеза полупроводнико-вых кристаллов и пленок, ч.11, СО "Наука", Новосиб., 26 (1975)

146. Пат.США№ 3106764 (1963)

147. Electronics, v.33, No 46, 36 (1960)

148. Electronics, v.33, No 27, 126 (1960)

149. C.Andrle, Chechoslovak.J.Phys., sect.B, 342 (1966)

150. Electronics, v.33, No 27, 36 (1960)

151. М.Я.Дашевский, В.Б.Лазарев, М.С.Миргаловская. Авт.свид. СССР, № 146049

152. П/р Р.Кана, Физическое металловедение, Мир, М., 195 (1968)

153. Е.Billig, Proc.Roy.Soc., v.229, No 1178, 346 (1955)

154. Дж.Хорнстера, в кн.Дефекты в кристаллах полупроводников, М., Мир, 15 (1969)

155. В.Л.Инденбом, Кристаллография, т.14, 746 (1957)

156. F.D.Rosa, J.Metals, v.5, No 12, 1661 (1953)

157. Е.Ю.Кокориш, Н.Н.Шефталь, в кн. Рост кристаллов, т.З, М., Изд-во АН СССР, 388 (1969)

158. В.Н.Чахунашвили, в кн. Исследования теплообмена в энергетических установках для получения полупроводниковых материалов, М., Высшая школа, 178 (1965)

159. С.А.Строителев, Кристаллохимический аспект технологии полупроводников, Новосибирск, СО "Наука", 91 (1975)

160. Ю.П.Пшеничнов. Выявление тонкой структуры кристаллов, М., Металлургия (1974)

161. H.Suzuki, Rep.Tohoku Univ.Res.lnst., v.A4, 55 (1952)

162. F.Muller, H.Wanderwitz, "Bergakademie", H.14, 524 (1962)

163. J.W.AIIen, Phil.Mag., v.2, No 24, 1475 (1957)

164. R.E.Marginger, J.Appl.Phys., v.29, No 8, 1261 (1958)

165. Технологические проблемы изготовления прецизионных электровакуумных и электрооптических приборов (керамика, ситаллы, стекло), Научн.тр.ВНИИФТРИ, М., № 8 (1975)

166. Н.К. Иванов-Есипович. Технология микросхем, М., "Высшая школа", 72 (1972)

167. П/р Н.Б.Варгафтика. Теплофизические свойства веществ, М., Госэнергоиздат (1956)

168. Н.Ф.Ермоленко, М.Д.Эфрос. Регулирование пористой структуры окисных адсорбентов и катализаторов, "Наука и техника", Минск, 134 (1971)

169. А.А.Аппен. Химия стекла, М., Химия, 233 (1974)

170. В.Ф.Кокорина, канд.дисс. ГОИ (1956)

171. Г.Матарс. Электроника дефектов в полупроводниках, М., Мир, 419 (1974)

172. О.Маделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп, М., Мир (1967)

173. М.Хансен, К.Андерко. Структура двойных сплавов, т.11, М., Металлургиздат (1962)

174. К.Хогарт. Материалы, используемые в полупроводниковых приборах, М., Мир (1968)

175. С.Паркер, О.Вильсон, Б.Бэрби, сб. Технология полупроводнико-вых соединений, М., Мир, 161 (1967)

176. W.A.Tiller, in "The Art and Science of Growing Crystals", ed. J.J.Gilman, New-York, 277 (1963)

177. Н.Парр. Зонная очистка и ее техника, М., Металлургиздат, 15 (1960)

178. В.Н.Вигдорович. Очистка металлов и полупроводников кристаллизацией, М., Металлургия, 114 (1969)

179. Л.П.Павлов, Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов, М., Высшая школа, 64 (1975)

180. В.К.Семенченко. Поверхностные явления в металлах и сплавах, М., Гос.изд.тех.-теор.лит-ры (1957)

181. M.lsai, T.Fukunaka, M.Oshita, J.Appl.Phys., v.57, No 8, 2845 (1986)

182. J.Goc, M.Oszwaldowski, H.Szweycer, Thin Solid Films, v.142, No 2, 227 (1986)

183. H.Okimura, M.Ohshita, T.Matsumae, Journ.Appl.Phys., v.66, No 9, 4252

(1989)

184. T.Berus, M.Oszwaldowski,Thin Solid Films, v.174, No Jul., 245 (1989)

185. M.lsai, M.Ohshita,J.Appl.Phys., v.65, No 1, 391 (1989)

186. W.W.Lam, I.Shih, Mat.Lettrs, v.16, No 1, 8 (1993)

187. J.Ortega, J.Herrero,J.EIectrochem.Soc., Iss 8, 2845 (1986)

188. M.Yata,Thin Solid Films, v.137, 79 (1986)

189. V.l.lvanov-Omskii, I.A.Petroff, V.A.Smirnoff, S.U.Yuldashev, I.T.Ferguson, P.J.P.Tang, C.C.Phillips, R.A.Stradling, Semicond.Sci.Techn.,v.8, No 2, 276 (1993)

190. T.Miyazaki, M.Mori, S.Adachi, Appl.Phys.Lettrs, v.58, No 2, 116 (1991)

191. T.Miyasaki, S.Adachi, J.Appl.Phys., v.70, No 3, 1672 (1991)

192. J.Solis, K.A.Rubin. C.Ortiz,J.Mat.Res., v.5, lss.1, 190 (1990)

193. M.L.O.Sholte.Mat.Sci.Eng., B-Solid State Mat.Adv.Techn., v.5, Iss.2, 233

(1990)

194. M.lsai, S.Yasuda, M.Ogita, I.Tanaka,J.Appl.Phys., v.73, lss.11, 7840 (1993)

195. П/р С.В.Свечникова, ЛМАндрушко. Спр. Волоконные оптические линии связи, К., "TexHiKa", 50 (1986)

196. D. H .Auston, Appl. Phys. Lett., v.26, No 3, 101 (1975)

197. P.K.Smith, D.H.Auston, A.M.Johnson, W.M.Augustiniak, Appl.Phys.Lett., V 38(1), 47 (1981)

198. D.H.Auston, A.M.Johnson, P.R.Smith, J.C.Bean, Appl.Phys.Lett., v.37(4), 371 (1980)

199. A.G.Foyt, F.J.Leonberger, R.C.Williamson, Appl.Phys.Lett., v.40, No 6, 447 (1982)

200. F.G.Leonberger, P.F.Moulton.Appl.Phys.Lett., v.35, 712 (1979)

201. R.B.Hammond, N.G.Paulter, R.S.Wagner, T.E.Springer, M.D.J.MacRoberts.lEEE Trans.on Electr.Dev.,v.ED-30, No4, 412 (1983)

202. T.F.Deutsch, F.G.Leonberger, A.G.Foyt, Appl.Phys.Lett., v.41, No 5, 403 (1982)

203. Ж.И.Алферов, А.Т.Гореленок, В.Г.Данильченко, А.В.Каманин,

В.И.Корольков, В.В.Мамутин, Т.С.Табаров, Н.М.Шмидт, Письма вЖТФ, т.9, в.24, 1516 (1983)

204. А.Т.Гореленок, В.Г.Данильченко, Т.С.Добровольские, В.И.Корольков, В.В.Мамутин, Т.С.Табаров, Н.М.Шмидт, Д.Е.Пуляевский,ФТП, т.19, в.8, 1460 (1985)

205. H.Chi, M.Lee,Appl.Phys.Lett., v.30, No 2, 84 (1977)

206. P.R.Smith, D.H.Auston, J.C.Gammel, J.M.Ballantyne, Appl.Phys.Lett., v.36, No 2, 149 (1980)

207. Э.Адомайтис, З.Добровольскис, А.Кроткус, ФТП, т.18, в.8, 1422 (1984)

208. J.C.Gammel, H.Ohno, J.M.Ballantyne, IEEE J.Quant. Electr., v.QE-17, No 2, 269 (1981)

209. C.Y.Chen, Y.M.Pang, P.A.Garbinski, A.Y.Cho, K.AIavi, Appl.Phys.Lett., v.43, No 3, 308 (1983)

210. J.C.Gammel, H.Ohno, J.M.Ballantyne IEEE J.Quant.Electr., v.QT-17, No 2, 269 (1981)

211. C.Y.Chen, A.Y.Cho, C.G.Bethea, P.A.Garbinski, Y.M.Pang, B.F.Levin, K.Ogawa Appl.Phys.Lett., v.42, No 12, 1040 (1983)

212. C.Y.Chen, Y.M.Pang, K.AIavi, A.Y.Cho, P.A.Garbinski, Appl.Phys.Lett., v.44, No 1, 99 (1984)

213. M.Fauchet,Phys.Stat.Sol.(a), v.58, K211 (1980)

214. R.Moyer, P.Agmon, T.L.Koch, A.Yariv Springer, Berlin, v.14, 84 (1980)

215. K.H.Zaininger, F.P.Heiman, Solid State Tech.,v.13, No 5, 49, No 6, 46 (1970)

216. K.H.Zaininger, G.Warfield, IEEE Trans.on Electr. Dev., v.ED-12, 179 (1965)

217. Y.Tarui, Y.Komiya, H.Teshima, K.Nagai, Jap.J.Appl. Phys., v.5, No 4, 275 (1966)

218. В.М.Колешко, Г.Д.Каплан. C-V методы измерения параметров МДП-структур.Обзоры по электр.техн., Сер.З. Микроэлектроника, вып.2(465) (1977)

219. В.В.Батавин, Ю.А.Концевой, Ю.В.Федорович. Измерение параметров полупроводниковых материале и структур, М.( Радио и связь, (1985), 264 с.

220. K.Lehovec, Solid St.Electr., v.11, 135 (1965)

221. Е.П.Кокин, Е.Ю.Пашенков, И.И.Петручук, Ю.В.Сурин. Электронная техн., Сер. 10, Микроэлектр.устройства, в.5,111(1977)

222. Е.П.Кокин, Ю.В.Сурин. Электронная техн., Сер.10, Микроэлектр. устройства, в.4(28), 37 (1981)

223. K.Ziegler, E.KIausmann, S.Kar. Solid St.Electr., v.18, 189 (1975)

224. J.R.Brews. Solid St.Electr., No 7, 607 (1977)

225. В.П.Падеров, С.А.Неустроев. Электронная техн., Сер.10, Микроэлектр. устройства, в.6(42), 41 (1983)

226. В.И.Лященко, В.Г.Литовченко, И.И.Степко, и др. п/р В.И.Лященко. Электронные явления на поверхности полупроводников. К., Наукова думка, 400 с. (1968)

227. С.G.B.Garrett, W.H.Brattain. Phys.Rev., v.99, No 2, 376 (1955)

228. J.R.Shriffer. Phys.Rev., v.97, No 3, 641 (1955)

229. Г.П.Пека. Физика поверхности полупроводников. К., КГУ, 190 с. (1967)

230. С.В.Белотелов, В.А.Гергель, Р.А.Соляков. Письма вЖЭТФ, т.37, в.2, 97 (1983)

231. Г.Ржеуский, Л.Сосновский. Бюлл.Польской АН, отд.З, т.З, в.2,101 (1955)

232. D.V.Lang. Journ.Appl.Phys., v.45, 3023 (1974)

233. H.G.Grimmeiis. Ann.Rev.Mat.Sei., 341 (1977)

234. G.L.Miller, D.V.Lang, L.C.Kimerling. Ann.Rev.Mat.Sci., 377 (1977)

235. 245. П/р Г.Харбеке. Поликристаллические полупроводники, M., Мир, 341 с. (1989)

236. Таблицы физических величин. М., Атомиздат, 1976, с. 256

237. Л.П.Калнач. Выращивание и свойства лентоподобных дендритов полупроводниковых веществ// Рост кристаллов, в.6, М., Наука, с.365

238. Г.Б.Бокий. Кристаллохимия. //М.-Л., Наука, 1971

239. О.Маделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп.//М., Мир, 1967, с.136,147, 151, 155.

240. А.Р.Регель, В.М.Глазов. Периодический закон и физические свойства электронных расплавов//М., Наука, 1978

241. Rogalski A. and Piotrowski J. "Intrinsic Infrared Detectors", Prog. Quant. Electr.,1988, V.12, pp.87-289

242. Ивлева B.C., Ольховикова Т.И., Е.Н.Слободинова, Ф.Р.Хашимов, Обз.по электр. техн., в.2, сер.6 "Материалы"(1982)

243. Pines M.Y. and Stafsudd О.М., Infrared Phys.,1980, v.20, p.73

244. Zitter R.N., Strauss A.J. and Attard A.E., Phys.Rev., 1959, v.115, p.266

245. Падалко А.Г., Саныгин В.П., Шевченко В .Я., Изв.АН СССР, Неорг.мат., 1978, т.14, № 11, с.1978

246. Падалко А.Г., Лазарев В.Б., Перри Ф.С., Изв.АН СССР, Неорг.мат., 1994, т.ЗО, №2, с. 156-163

247. Под ред. Кана Р., "Физическое металловедение", ч.Н., 1968, Мир, М., с.183

248. Лапкина И.А., Сорокина О.В., Волошин А.Э., Изв.АН СССР, Неорг.мат., 1987, т.23, ? 4, с.533-536

249. Аксененко М.Д., Красовский Е.А., "Фоторезисторы", 1973, Сов.радио, М., с.28

250. Law W.W., Shih I., Mater.Lettr., 1993, v.16, No 1, pp.8-13

251. Partin D.L., Green L., Heremans J., Journ. of Electronic Mat., 1994, v.23, N 2, pp.75-79

252. Nomura R., Shimokawatoko T., Matsuda H., Baba A., Journ. of Mat.Chemistry, 1994, v.4, pp.51-54

253. Egan R.G., Chin V.W.L., Tansley T.L., Semicond.Sci.and Technol., , v.9, N 9, pp.1591-1597 (1994)

254. Любуцин С.Г., Варламов В.А., Клетченков И.И., Диэлектрики и полупр., Межвуз.научн.сб., 1976, в. 10, с.76-79

255. Kassyan V.A. and Pasechnick, Thin Solid Films, 1976, v.33, pp.219-230

256. Engler W.; Levinstein H. J.Phys.Chem.Solids, 1961, v.22, pp.249-254

257. Я.А.Угай, О.Б.Яценко, Е.М.Авербах, Д.Л.Левинзон, В.А.Ткаченко, Неорг. мат., т. 8, № 7, 1214 (1972)

258. Я.А.Угай, О.Б.Яценко, Н.В.Максименков, Е.М.Авербах., Неорг. мат., Т.11, №5, 947 (1976)

259. Ya.A.Ugai, Yu.V.Synorov, A.M.Samoylov, A.E.Popov, O.B.Yatsenko, X Int. Conf. On Crystal Growth, San Diego, California (1992)

260. Хлыстовская М.Д.,.Кириченко Л.С, Попков А.И., Киселева Е.В., в сб. «Свойства легированных полупроводников», М., Наука, с.90-92 (1977)

261. Ржанов A.B. «Свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник», М., Наука, (976)

262. Литовченко В.Г., Горбань А.П., «Основы физики микроэлектрон-ных систем металл-диэлектрик-полупроводник», Киев, Наукова думка, (1978).

263. Литовченко В.Г., Дмитрук Н.Л., «Диэлектрические покрытия на полупроводниковых соединениях А3В5», Обз.по электр.технике. Полупроводниковые приборы, в.9(489), с.52 (1977)

264. Барб Д.Ф. Приборы с зарядовой связью. М., Мир (1982)

265. Манохин Г.А., Павлова З.В., Кузнецов Ю.А. Обз.по электр.технике, Полупроводниковые приборы, в.6(652) (1979)

266. Дроздов В.Н., Курышев Г.Л., Усова В.А., Шпурик В.Н., Поверхность. Физика, химия, механика, №7, с.92 (1983)

267. Wilmsen C.W., J.Vac.Sci.Technol. v. 13, No 1 (1976)

268. Власенко Е.В., Сурис P.A., Филачев A.M., Фукс Б.И. Письма в ЖЭТФ, т.31, № 1, (1980)

269. Кузнецов A.A., Кулемов А.П. Опт.-мех.пр-сть., №7 (1982)

270. E.H.Puttley, Phys.Chem.Solids, Pergamon Press, 1961, v.22, pp.241-247

271. E.E.Haller, M.R.Hueshen and P.L.Richards, Appl.Phys.Lett., 1979, v.34(8), pp.495-497

272. Е.М.Гершензон, В.А.Ильин, Л.Б.Литвак-Горская, С.Р.Филонович, Мат.Всес. конф. "Технология получения и электрические свойства соединений А3В5", Л., 1981, с.93-97

273. В.Я.Шевченко, А.Г.Падалко, А.Д.Гончаров, В.Тиме, A.c. №450527

274. В.Я.Шевченко, А.Г.Падалко, А.Д.Гончаров, В.Тиме, Электр.пр-сть, №

4, 89 (1973)

275. В.Я.Шевченко, А.Г.Падалко, А.Д.Гончаров, В.Тиме, Электр.пр-сть, №

5, 74 (1974)

276. Всес. конф. по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов, М., (1974)

277. В.Б.Лазарев, В.Я.Шевченко, О.А.Геращенко, С.Ф.Маренкин, В.В. Милютин, А.Г.Падалко, В.Ф.Пономарев, Тез. Ill Всес. коорд. сов. по п/п соединениям А2В5, Черновцы, (1975)

278. В.Б.Лазарев, В.Я.Шевченко, А.Д.Гончаров, А.Г.Падалко Электр, пром., №5, 74 (1974)

279. В.Б.Лазарев, В.Я.Шевченко, А.Г.Падалко, С.Ф.Маренкин, В.Ф.Пономарев, С.Ф.Максимова, Тез. V Всес. сов. по физико-химичес-кому анализу, М., (1975)

280. А.Г.Падалко, В.Ф.Пономарев, Тез. IV Всес. коорд.сов. по п/п соед. А2В5, Ужгород, (1978)

281. В.Ф.Пономарев, А.Г.Падалко, В.П.Саныгин, Неорг.мат., т.14, 207 (1978)

282. В.Я.Шевченко, А.Г.Падалко, В.П.Саныгин, Неорг. мат., т.14, 1978 (1978)

283. А.Г.Падалко, В.Я.Шевченко, A.C.Филипченко, Е.И.Чайкина, Неорг.мат., т.14, № 11, 1976 (1978)

284. А.Г.Падалко, В.Б.Лазарев, В.Я.Шевченко, Б.А.Котов, A.c. № 733484

285. А.Г.Падалко, Б.А.Котов, В.А.Арутюнов, Тез. III Всес. школы по материалам электронной техники, Улан-Удэ, (1981)

286. А.Г.Падалко, В.Б.Лазарев, Тез. IX Всес. конф. по поверхностным явлениям в расплавах и пайке материалов, Николаев, (1981)

287. А.Г.Падалко, В.П.Саныгин, Теорет. основы химич. технологии, t.XVI, № 5, 721 (1982)

288. В.Б.Лазарев, А.Г.Падалко, В.В.Волков, В.И.Сухарев, Б.А.Котов, MaT.VI Всес. конф. по процессам роста и синтеза п/п кристаллов и пленок, т.2, с.9, Новосиб., (1983)

289. А.Г.Падалко, В.Б.Лазарев, В.В.Волков, В.И.Сухарев, Б.А.Котов, Неорг.мат., т.22, № 7, 1089 (1986)

290. В.Б.Лазарев, А.Г.Падалко, В.В.Волков, В.И.Сухарев, А.И.Миро-ненко, Б.А.Котов, Неорг.мат., т.22, № 5, 730, (1985)

291. А.Г.Падалко, В.Б.Лазарев, В.В.Волков, В.И.Сухарев, Б.А.Котов, Неорг.мат., т.22, № 7, 1094 (1986)

292. В.В.Волков, А.Г.Падалко, В.Б.Лазарев, В.В.Божко, Тез. VII Всес. конф. по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок, Новосиб., (1986)

293. А.Г.Падалко, В.Б.Лазарев, В.В.Волков, В.И.Сухарев, Тез. VII Всес. конф. по процессам роста и синтеза п/п кристаллов и пленок", Новосиб., (1986)

294. В.В.Волков, А.Г.Падалко, В.Б.Лазарев, В.В.Божко, С.В.Белоте-лов, Тез. V Всес. школы "Физико-химические основы электронного материаловедения", Новосиб.,(1986)

295. А.Г.Падалко, В.И.Сухарев, А.В.Сокольников, Тез. Всес. конф. "Физические и технологические основы микроэлектроники", Горький, (1983)

296. В.И.Сухарев, А.Г.Падалко, Т.Н.Лосева, ВИНИТИ, № 1077-84 от 24.02.84

297. В.И.Сухарев, А.Г.Падалко, В.Б.Лазарев, А.В.Сокольников, Е.Г.Тюрин, Тез. IV Всес. школы по физико-химическим основам методов получения и исследования мат. электронной техн., Новосиб., (1984)

298. А.Г.Падалко, В.Б.Лазарев, В.В.Волков, В.П.Саныгин, А.М.Кварда-ков, Н.М.Синявский, Р.Мастейка, Научно-техн. отчет ИОНХ АН СССР, № гос.регистрации 02880065718, инв.№ 02880065718, 116 стр. (1988)

299. В.И.Сухарев, А.В.Сокольников, А.Г.Падалко, В.Б.Лазарев, Тез. IX Всес. школы "Новые магн.матер, для микроэлектр.", Саранск (1984)

300. А.Г.Падалко, В.И.Сухарев, А.В.Сокольников, Е.Г.Тюрин, ВИНИТИ, № 7328-84 от 14.11.84

301. А.Г.Падалко, О.Мосанов, О.Г.Хонанова, Р.Аннамамедов, М.Реджепов, Изв. АН Туркм.ССР, сер. ФТХиТ наук, № 3, (1987)

302. А.Г.Падалко, О.Мосанов, О.Г.Чонанова, Р.Аннамамедов, М.Реджепов, Изв. АН.Туркм.ССР, сер.ФТХиТ наук, № 4, (1987)

303. А.Г.Падалко, В.В.Волков, С.В.Белотелов, В.В.Божко, В.Б.Лаза-рев, Физика и техн.полупр., т.23, № 8, 1400 (1989)

304. А.Г.Падалко, В.Б.Лазарев, В.Д.Баяндин, В.В.Волков, А.Б.Наумов, А.И.Шароватов, A.c. № 1644688

305. А.Г.Падалко, В.Б.Лазарев, В.И.Трифонов, А.Б.Наумов, A.c. № 1671068

306. Е.П.Санаева, А.Г.Падалко, А.М.Гаськов, В.Б.Лазарев, В.Д.Баян-дин, О.Б.Томилин, В.И.Сухарев, Л.А.Живечкова, Неорг.мат., т.26, № 8, 1605 (1990)

307. А.И.Шароватов, В.П.Саныгин, А.Я.Михайлова, В.П.Саныгин,

A.Г.Падалко, В.Б.Лазарев, Неорг.мат., т.29, № 5, 595 (1993)

308. А.М.Квардаков, А.Я.Михайлова, Г.Д.Нипан, А.Г.Падалко,

B.П.Саныгин, В.В.Волков, В.Б.Лазарев, Журнал неорг.химии, т.37, № 2, 287 (1992)

309. Г.А.Зеленов, В.И.Трифонов, А.Г.Падалко, Тр. Всес. сем. "Новые применения миллиметровых волн в н/х", Саратов, (1991)

310. В.А.Казарян, В.И.Трифонов, А.Г.Падалко, Тр. XXI Всес.конф. "Радиоастрономическая аппаратура", Ереван, 109 (1989)

311. А.Г.Падалко, Ф.С.Перри, В.Б.Лазарев, Тез. Международной конф. MST-Russia, С.-Пб, (1993)

312. А.Г.Падалко, В.Б.Лазарев, Ф.С.Перри, Неорг.мат., т.ЗО, в.2 (1994)

313. A.G.Padalko, F.S.Perry, V.B.Lazarev, Mat. of CLEO/EQEC'94, Amsterdam, (1994)

314. А.Г.Падалко, В.Я.Шевченко, О.Н.Пашкова, А.В.Стеблевский , Неорг. мат., Т.32, №4 (1996), С.398

315. A.G.Padalko, V.l.Trifonov, O.N.Pashkova, MRS 1995 Fall Meeting, Los Angeles, (1995)

316. A.G.Padalko, O.N.Pashkova, V.Ya.Shevchenko, G.A.Totrova, A.V.Steblevsky, Proc. CLEO/Europe-EQEC'98, Glasgow, Scotland, UK, 1318 September (1998)

317. С.И.Попель «Поверхностные явления в расплавах» М., Металлургия, 432 с. (1994)

318. В.Ф.Коковин, Н.А.Тестова, Ф.А.Кузнецов Новосиб., 87 е., 1978)

319. А.Милне Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках, пер. с англ. П/р М.К.Шейнкмана, М., Мир, 562 с. (1977)

320. Д.Ф.Барб Приборы с зарядовой связью, пер. с англ. П/р Р.А.Суриса, М„ Мир, 240 с. (1982)

321. М.А.Рещиков, Ю.С.Сметанникова, ФТП, т.21, в.1, 167-170 (1987)

322. D.G.Seiler, M.W.Goodwin, A.Miller, Phys.Rev.Lettrs, v/44, No 12, 807 (1980)

323. H.Fujisada, M.Kawada, Japan J.Appl.Phys., v.24, No 1,162 (1985)

324. В.В.Галаванов, Е.Л.Ивченко, В.Г.Одинг, ФТП, т.7, в.4, 798 (1973)

325. Ю.В.Воробьев, А.И.Вустенко, А.В.Гайсанюк, Э.А.Исмагилова, М.Н.Колбин, А.С.Смирнов, Н.Г.Фомин, УФЖ,т.32, в.7, 1100 (1987)

326. С.Ш.Егембердиева, С.Д.Лучинин, Т.Сейсенбаев, А.И.Феоктистов,

A.С.Филипченко, ФТП, т.16, в.З, 540 (1982)

327. K.Tsukioka, H.Miyazawa, Japan Journ.Appl.Phys., v.21, No 3, L526 (1982)

328. Y.Tokumaru, H.Okushi, H.Fujisada, Jap.Journ.Appl.Phys., v.v.26, No 3, 499 (1987)

329. А.Г.Падалко, В.Б.Лазарев, В.В.Волков, А.И.Мироненко, Б.А.Котов,

B.И.Сухарев, Неорг.мат., т.22, в.7, 1089 (1986)

330. L.C.Kimerling Inst. Phys. Conf. Ser. No 43, Ch.3, 113 (1979)

331. Y.Tokuda, N.Shimizu, A.Usami, Jap.Journ.Appl.Phys., v.18, No 2, 309 (1979)

332. В.М.Глазов, Е.Б.Смирнова, ФТП, т.17, в.Ю, 1845 (1983)

333. С.С.Стрельченко, В.В.Лебедев, Спр. Соединения А3В5, М., 144 с. (1984)

334. А.Н.Георгобиани, И.М.Тигиняну, ФТП, т.22, в.1, 3 (1988)

335. Ю.В.Сыров, В.И.Фистуль, Неорг.мат., т.22, в.З, 512 (1986)

336. A.Kolodny, J.Kidron, IEEE Trans. On Electr.Dev., v.ED-27, No 1, 37 (1980)

337. Е.В.Кучис Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования, М., Радио и связь, 263 с. (1990)

338. К.Хилсум, А.Роуз-Инс Полупроводники типа AMIBV, М., ИЛ. 224 с. (1963)

339. P.W.Kruse in Semiconductors and Semimetals, N.-Y., L, Acad.Press (1970)

340. С.Зи Физика полупроводниковых приборов, кн 2, пер. с англ. П/р Р.А.Суриса, М., Мир, 346 (1984)

341. Р.Асаускас, З.Добровольскис, А.Кроткус, ФТП, т.14, № 12, 2323 (1980)

342. Data sheet of the InSb Room Temperature Labyrinth Detector ORP-Ю, The Firm MULLARD (1978)

343. Data sheet of the InSb Room Temperature Labyrinth Detectors A-407, A-264, The Firm MULLARD (1982)

344. E.H.Puttley, Phys.Chem.Solids, Pergamon Press, , v.22, 241 (1961)

345. E.E.Haller, M.R.Hueshen and P.L.Richards, Appl.Phys.Lett., v.34(8), 495 (1979)

346. Е.М.Гершензон, В.А.Ильин, Л.Б.Литвак-Горская,Е.Р.Филонович, Мат.Всес. конф. Получение и электрические свойства соединений А3В5", /I., 93(1981)