Структурные и физические характеристики многокомпонентных неупорядоченных систем на основе халькогенидов цинка тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Тошходжаев, Хаким Азимович

• Тошходжаев, Хаким Азимович
• доктор физико-математических наук
• 2010

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Тошходжаев, Хаким Азимович

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. Аналитический обзор литературы

1.1 Основные физические модели современной теории неупорядоченных систем.

1.2 Состояние исследований инжекционно - контактных явлений в неупорядоченных системах.

1.3 Основные физические механизмы токопереноса в гетеропереходах.

1.4 Качественный анализ физических свойств модельного объекта ГС на основе халькогенидов цинка.

1.5 Физические принципы работы мишени типа «ньювикон» и её основные характеристики.

1.6 Постановка задачи.

Глава 2. Общая характеристика объектов и методов исследования

2.1 Анализ и выбор исходных материалов, способы их подготовки и методики получения и синтеза пленок селенида цинка и твердых растворов на основе халькогенидов цинка.

2.2 Методы исследования модельных объектов (порошков, пленок селенида цинка и пленок твердых растворов ).

2.3 Методика исследования физических свойств пленок селенида цинка и твердых растворов на их основе.

2.4 Методика регрессионного анализа результатов с помощью ЭВМ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Структурные и физические характеристики многокомпонентных неупорядоченных систем на основе халькогенидов цинка»

Актуальность работы. Бинарные соединения А2Вб и их твердые растворы являются перспективными материалами для микро- и оптоэлектроники, широкому внедрению которых во многом препятствует недостаточное понимание электронных процессов, протекающих в структурах, сформированных ими при конденсации. Вместе с тем в настоящее время появилось много новых работ, посвященных теории неупорядоченных систем и теории инжекционно-контактных явлений, к сожалению, пока не приложенных к соединениям А2В6. В связи с этим в настоящей работе в качестве модельного объекта были выбраны многослойные гетероструктуры на основе халькогенидов цинка.

В последние годы пленочные структуры на основе халькогенидов цинка нашли широкое практическое применение. На Pix основе созданы полевые транзисторы, приборы ночного видения, фоточувствительные слои для приборов зарядовой связи (ПЗС), мишени телевизионных передающих трубок и т.д. В частности, на основе пленочной структуры, содержащей слои селенида цинка и твердого раствора (TP) (Zni.xCdxTe)iy(In2Te3)y, создана, самая высокочувствительная мишень телевизионной передающей трубки типа "ньювикон", получившая наиболее широкое распространение в телевизионных камерах.

Несмотря на широкое практическое применение указанных пленочных структур, нюансы изготовления структур, технология получения пленок, их свойства и электронные процессы, происходящие в гетероструктурах подобного рода, в научной литературе остались практически не освещенными.

Имеются лишь отдельные работы, посвященные пленочным структурам на основе халькогенидов цинка, причем в этих работах многие, даже сообщаемые экспериментальные факты остаются необъясненными.

Системы А2Вб-А2Вб позволяют в широких пределах варьировать ширину запрещенной зоны и как следствие получать пленочные материалы с разнообразными электрическими и оптическими свойствами. Среди таких систем значительный интерес в научном и прикладном плане представляют монокристаллы и пленки твердых растворов (ZnixCdxTe). Они обладают неограниченной взаимной растворимостью компонентов, что позволяет выращивать кристаллы и пленки с широким диапазоном параметров кристаллической решетки в пределах aC(iTe=6,481 до aZnTe=6,103 и с шириной запрещенной зоны от 1,5 до 2,3 эВ. Это является принципиально важным для создания гетеропереходов с оптимальными структурными и фотоэлектрическими свойствами.

Возможность непрерывно изменять состав ПТР по толщине и, следовательно, создавать структуры с варизонной шириной запрещенной зоны позволила японским исследователям разработать и создать мишень In203-ZnSe~(Zni.xCdxTe)iy(In2Te3)y-Sb2S3, которая положена в основу "ньювикона", а затем "ньюкосвикона"-одних из наиболее многоцелевых и поэтому выпускаемых массовым тиражом на Западе телевизионных передающих трубок (TV-трубок), обладающих высокой чувствительностью, низкими темновыми токами, малой инерционностью и широким интервалом спектральной чувствительности от 400 до 850 нм (а в трубках спецназначения - до 1 ООО нм).

Несмотря на перечисленные достоинства, как показывает анализ открытой литературы, публикации по получению пленок селенида цинка, ПТР (ZnixCdxTe), In203-ZnSe-(ZnixCdxTe)i.y(In2Te3)y, исследованию структуры, фотоэлектрических и электрофизических свойств, процессов переноса заряда в гетероструктурах на их основе, включая и данные японских авторов, носят весьма отрывочный характер. В частности, наряду с материаловедческими проблемами, именно отсутствие систематических исследований по разработке способов получения пленок селенида цинка, (2п1хСс1хТе), (2п 1 хСс1хТе) ]у(1п2Те3)у, изучению процессов их конденсации и исследованию процесса переноса заряда в указанной мишени на основе гетероструктуры не позволило оперативно создать аналоги "ньювикона" и "ньюкосвикона". Эта проблема не утратила своей актуальности и к началу постановки настоящей работы.

Настоящая работа достаточной полнотой охватывает все затронутые выше проблемы, главным образом анализ электронных явлений в конденсированных системах 1п2Оз^п8е-1п и Тп203-2п8е-^п 1 хСс1хТе)]у(1п2Те3)у-1п, и является развитием научного направления, сформулированного и разрабатываемого в Санкт-Петербургском государственном технологическом институте (Техническом университете) А.П. Беляевым в рамках научной школы И.П. Калинкина.

Цель и задачи исследования. С учетом вышеизложенного была определена цель работы: проведение комплексных, структурных, фотоэлектрических и электрофизических исследований пленок 2п8е, твердых растворов ^п^Сс^Те), (2п]ХС<1хТе) 1 у(1п2Те3)у; практическая, проверка ряда современных модельных представлений процессов токопере-носа в теории неупорядоченных конденсированных систем на примере пленочных гетероструктур 1п20з^п8е-1п, и 1п203^п8е-(Ъи 1 хСёхТе) 1 у(1п2Те3)у-1п, имеющих широкое практическое применение.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

- Исследование процессов вакуумной- конденсации пленок твердых растворов (2П]хСс1хТе), (7л\ \ „лСс1хТе) 1 у(1п2Те3)у и пленок 2п8е в широком интервале температур испарения и конденсации (от 600°С вплоть до температуры жидкого азота) на подложках различной природы (стекло, стекло со слоем оксида индия, слюда-мусковит).

- Изучение адекватности ряда современных модельных представлений электронных процессов в пленочных структурах на основе неупорядоченных систем путем сравнения теории с результатами исследований температурных зависимостей проводимости, вольт-амперных характеристик, термолюминесценции, фотолюминесценции, края поглощения и фотопроводимости в гетероструктурах ЬъОз^пЗе-Гп и 1п203-7п8 е-(2п 1 хСёхТе) 1 .у(1п2Тез)у-1п.

- Построение энергетической диаграммы гетероструктур 1п20з-2п8е-1п, 1п2Оз-2п8е-(2п1.хС(1хТе)1.у(1п2Тез)у-1п и феноменологической модели механизмов токопрохождения через многослойную неупорядоченную гетероструьсгуру на основе халькогенидов цинка.

- Выявление новых свойств и эффектов в конденсированных слоях 1п2Оз-2п8е-1п, и 1п2Оз-2п8е-(2п1.хС(1хТе)1.у(1п2Тез)у-1п, перспективных для практического применения.

- Создание телевизионной передающей трубки и теоретическое обоснование технологии серийного производства высокочувствительной мишени на основе ГС 1п2Оз-2п8е -(2п1хСс1хТе)1у(1п2Тез)у - 1п.

Научная новизна работы

-Внесен фактический вклад в физику конденсированного состояния путем развития феноменологических представлений об электронных процессах в конденсированных неупорядоченных, многокомпонентных и многофазных системах на основе халькогенидов цинка.

- Впервые проведено детальное систематическое исследование процессов формирования пленок твердых растворов (7п1хСс1хТе), (гп!.хСс1хТе)].у(1п2Те3)у и ZnSQ при испарении и конденсации в вакууме в широком интервале температур (от 600°С вплоть до температуры жидкого азота) на подложках различной природы.

- Показано, что составляющие пленочной гетероструктуры 1п203-2п8е-1п и 1п2Оз-2п8е-(2п1.хСдхТе)1.у(1п2Те3)у-1п, полученной методом термического испарения и конденсации, являются неупорядоченными системами.

- Построены энергетические зонные диаграммы гетероструктур

1п20з^п8е-1п и 1п2Оз-2п8е-(2п1.хС(ЗхТе)1.у(1п2Тез)у-1п и определены соответствующие модельные параметры.

- Впервые показано, что субмикронный слой селенида цинка является неупорядоченной системой, характер потенциального рельефа и степень неупорядоченности которой меняются при отжиге.

- Развита феноменология электронных явлений в гетероструктурах типа 1п2Оз-2п8е-(^п 1 -хСс1хТе) 1 у(1п2Те3)у-1п. Выявлены условия инверсии слоев под влиянием друг друга. Предложена модель электронных процессов.

- Установлено, что гетероструктура Гп203-2п8е-(7п1 хСс1хТе)]у(1п2Те3)у -Тп является неупорядоченной системой со сложным характером изменения зон по толщине, содержащих случайный потенциал, в формирование которого вносят вклад флуктуации состава твердого раствора.

- Установлено, что гетероструктура 1п20з-2п8е-(2п1хСёхТе)1.у(1п2Те3)у-1п содержит высокую концентрацию примесных уровней, образующих примесную зону.

Научно-практическая значимость

Результаты диссертации являются фактической основой для создания технологий получения приборов опто-и микроэлектроники (например, видиконов).

На основе полученных результатов предложен трехтемпературный способ получения твердых растворов, позволяющий синтезировать пленки твердых растворов 2П]хСс1хТе широкого диапазона составов "х" из механической смеси одного состава. Построены соответствующие диаграммы конденсации. На предложенный способ синтеза получено авторское свидетельство.

Защищаемые положения диссертации:

1. Модель токопереноса в гетероструктуре 1тъОз-7п8е-1п с субмикронным слоем селенида цинка, учитывающая как процессы, происходящие на границах, так и неоднородности потенциального рельефа зон.

2. Выборка экспериментальных результатов, подтверждающих предложенную модель.

3. Результаты сравнения теории с результатами разноплановых исследований практически значимой 1п203-7п8е-1п.

4. Корреляционные связи между температурой и характером случайного потенциала рельефа зон пленок селенида цинка (под влиянием отжига увеличивается амплитуда неоднородности и изменяется характер потенциального рельефа зон).

5. Модель электронных процессов в гетероструктуре 1п20з^п8е-^п 1 хСс1хТе)]у(1п2Те3)у-1п .

6. Совокупность экспериментальных данных, подтверждающих предложенную модель и свидетельствующих о том, что

-гетероструктура 1п2Оз^п8е-(2п1.хСс1хТе)1.у(1п2Тез)у-1п является неупорядоченной системой со сложным характером изменения зон по толщине, содержащих случайный потенциал, в формирование которого вносят вклад флуктуации состава твердого раствора;

-гетероструктура Тп203\хСс1хТе) 1 у(1п2Те3)у-1п содержит высокую концентрацию примесных уровней, образующих примесную зону, токоперенос в которой, определяет темновую проводимость гетероструктуры при низких температурах.

7. На примере сложной гетероструктуры 1п203-2п8е-(2п1.хС^Те)1у(1п2Тез)у-1п развита феноменология инжекционно-контактных и электронных явлений в неупорядоченных системах, демонстрирующая возможности и условия инверсии проводимости отдельных слоев под влиянием друг друга.

Достоверность результатов

Достоверность полученных результатов обеспечивалась применением современных и надежных методов исследования структуры фотоэлектрических и электрофизических свойств гетероструктур на основе халькогенидов цинка.

Личный вклад автора заключался в определении характера работы на всех этапах научного исследования: как при постановке проблемы исследований, так и в непосредственном выполнении работы по проведению комплексных, технологических, структурных, фотоэлектрических и электрофизических исследований многокомпонентных неупорядоченных систем на основе халькогенидов цинка и практической проверке ряда методов получения пленок ZnSe и Zn^CclxTe, процессов конденсации, современных модельных представлений токопереноса. в теории неупорядоченных конденсированных систем.

Апробация. Результаты работы докладывались на Республиканской научно-практической конференции молодых ученых и специалистов (Душанбе, 1989); Всесоюзной научной конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (Ташкент, 1989); III Всесоюзной конференции по физике и технологии тонких полупроводниковых пленок (Ивано-Франковск, 1990); Международной конференции "Современные проблемы физики полупроводников и диэлектриков" (Ташкент, 1995); Международной конференции "Актуальные проблемы физики полупроводниковых- приборов" 24-26 апреля 1997, (Ташкент.); II Международной конференции "Проблемы и прикладные вопросы, физики" (Саранск 1999); Научно-практических конференциях молодых ученых и специалистов (Худжанд, 1990 - 2007); Международной конференции «Современные проблемы физики», посвященной 100-летию академика С.У.Умарова (Душанбе, 2008). По теме диссертации опубликовано 37 работ, в том числе 26 статей, получено авторское свидетельство A.C. СССР № 1752121,1990 г.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, шести глав, общих выводов и списка цитируемой литературы, включающем 204 названия. Полный объем диссертации составляет 229 страниц машинописного текста, иллюстрированного 56 рисунками и 9 таблицами.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Тошходжаев, Хаким Азимович

выводы

1. Внесен фактический вклад в физику конденсированного состояния путем развития феноменологических представлений об электронных процессах в конденсированных неупорядоченных, многокомпонентных и многофазных системах на основе пленок халькогенидов цинка

2. Впервые проведены комплексные структурные и технологические исследования» процессов вакуумной конденсации пленок твердых растворов (2п1.хСс1хТе), (ZnlxCdxTe)l.y(In2Teз)y и 2п8е в широком интервале температур испарения и конденсации (от 600°С вплоть до* температуры жидкого азота) на подложках различной природы (стекло; стекло* со слоем оксида индия, слюда-мусковит).

3. Предложен способ'получения тройных твердых растворов (2п1хСс1хТе) -метод теплового экрана, позволяющий синтезировать из пленок твердых растворов практически любого состава и любой кристаллической ¡структуры (от эпитаксиальной до аморфной).

4. Внесен вклад в физику конденсированного состояния в части понимания процессов токопереноса в многокомпонентных и многофазных системах. Развита феноменология' инжекционно-контактных явлений в полупроводниковых системах подобного рода. На- примере сложной гетероструктуры 1п2Оз-2п8е-^П1хС^Те)1.у(1п2Тез)у-1п выявлены условия инверсии проводимости отдельных слоев гетероструктуры^ под влиянием друг друга; установлен механизм токопрохождения; составлена энергетическая диаграмма и модель электронных процессов.

5. Установлено; что гетероструктура 1п203-2п8е-(ЕП].хСс1хТе)1.у(1п2Тез)у-1п, является неупорядоченной системой со сложным характером изменения энергетических зон по толщине, содержащей случайный потенциал, в формирование которого вносят вклад флуктуации состава слоя твердого раствора.

6. Впервые экспериментально показано и теоретически обосновано, что гетероструктуры 1п203-гп8е-(2п1хСс1хТе)1.у(1п2Тез)у-1п содержат высокую концентрацию примесных уровней, образующих примесную зону, токоперенос по которой определяет темновую проводимость гетероструктур при низких температурах.

7. Установлено, что процессы токопереноса в гетероструктурах 1п2Оз-2п8е-1п с субмикронным слоем селенида цинка могут быть с успехом интерпретированы на основе барьерной модели, дополненной современными представлениями о процессах токопереноса в неупорядоченных системах.

8. Впервые показано, что субмикронный слой селенида цинка является неупорядоченной системой, изменяющей при отжиге характер потенциального рельефа основных зон.

БЛАГОДАРНОСТЬ

Работа выполнена в Санкт-Петербургском технологическом институте (Технический университет) под руководством профессора А.П. Беляева и Худжандском государственном университете имени академика Б.Гафурова под руководством члена-корреспондента АН Республики Таджикистан, доктора химических наук, профессора С.Н.Каримова и доктора физико-математических наук, профессора А. Абдуманонова.

Выражаю искреннюю благодарность руководителям работы, профессорам А.П.Беляеву и И.П. Калинкину за оказание помощи в ходе настоящего исследования.

Также выражаю благодарность ректору Худжандского госуниверситета им. Б.Гафурова академику АН РТ Н.Ю. Салимову и коллективу Таджикского национального университета, лично профессорам Ф.Х. Хакимову, Т.Б. Бобоеву , Ш. Туйчиеву и др.

А также выражаю глубокую благодарность старшему преподавателю Худжандского госуниверситета имени академика Б.Гафурова E.H. Цой за большую помощь в работе над диссертацией.

Заключение

В этой главе приведены, результаты исследований, вольт-амперных характеристик, температурных зависимостей проводимости; Оже-спектроскопии, рентгенофазового анализа, термолюминесценции и фотопроводимости в динамическом и стационарном режимах; анализируются физические процессы в многокомпонентной структуре 1п203-гпЗе-(гп1.хСс1хТе)1.у(1п2Тез)у-1п.

Исследования? термолюминесценции, фотопроводимости? - и-температурных зависимостей« темновой проводимости позволили установить, что в слое твердого раствора (^п!хСс1хТе) 1 у(1п2Тез)у -1п , имеется примесная зона, по которой осуществляется преимущественный токоперенос при "азотных" температурах. Данный вывод; базируется« на практическом безактивационном токопереносе в этой области температур ш высокой- концентрации, примесных уровней, концентрация которых^ не менее 3-1017см"3: Такая: концентрация ловушечных уровней удовлетворяет. критерию Мотта, а значит, достаточна для; образования примесной зоны.

• В " заключительном разделе анализируется- инжекция носителей из слоя; твердого; раствора? многокомпонентной«; структуры. Здесь: показано; что? резкий рост темновых токов в области высоких напряжений, наблюдаемый при исследовании; В АХ, связан с туннельным», пробоем барьеров; В результате:пробоя происходит инжекция, дырок в слой твердого раствора и устанавливается; режим токов; ограниченных пространственным зарядом: Инжекция; электронов;' подавляется? барьерами; соответственно 1п - широкозонный; полупроводник р-типа (2п 1 ,ХСс1хТе)!у(1п2Те3)у - для положительной ветви ВАХ и; вырожденный широкозонный полупроводник 1п203- широкозонный полупроводник гпЗе - для отрицательной; полярности напряжения.

В АХ в этой , области напряжений ; имеет вид , типичный для ТОПЗ: 1~УС (е->1). Причем; связь становится более сильной с понижением температуры. Особенно характерную форму имеет отрицательная ветвь ВАХ, где за областью сильной полевой зависимости тока следует почти линейная связь между током и напряжением.

Эти результаты коррелируют с результатами, полученными в работе другими методами. Кроме того, они позволяют оценить плотность

1 О 1 -1 состояний в запрещенной зоне на уровне 10 эВ" см .

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Тошходжаев, Хаким Азимович, 2010 год

1. Георгобиани, А.Н. Широкозонные полупроводники А~В и< перспективы их применения Текст. / А.Н.Георгобиани //УФН.1974.-Т.113, №1. -С.129-155.

2. Симашкевич, A.B. Гетеропереходы на основе полупроводниковых0 А —соединений А В Текст. / А.В.Симашкевич//Кишенев: Штииница, 1980. -155 с.

3. Физика- соединений А2Вб Текст. / Под. ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана. -М.: Наука. Гл.ред.физ.-мат.лит., 1986. С. 320.

4. Шкловский, Б.И. Электронные свойства легированных полупроводников

5. Текст. / Б.И.Шкловский , А.Л.Эфрос //М.': Наука, 1979. 416 с.

6. Schmidt, J.L. Hummel A. Allen А.О./ Watson F (Jr) ehem.Text./ J.L. Schmidt, E.L. Stelner.// J.Appl.Phys., 1969, v.40, p.4865.

7. Барченко, H.H. Полупроводниковые твердые растворы и их применение

8. Текст. / H.H. Барченко, В.Е. Кревс; В.Г. Средин // М.: Воениздат., 1982. -208 с.

9. Калинкин, И.П: Эпитаксиальные пленки соединений1. А2Вб Текст. / И.П.

10. Калинкин, В.Б. Алесковский, A.B. Симашкевич« // Л.: Издательство ЛГУ, 1978. -310 с.

11. Wooley, Т.С. Solid solition in А2Вб tellurides Text. / J.C. Wooley, Вг. Ray // J.Phys.Chem.Solids, 1960, v.13 p.151

12. Беляев, А.П. Электропроводность пленок твердых растворов на основе селенида и теллурида кадмия Текст./А.П. Беляев, И.П. Калинкин, В:А. Санитаров //ФТП. 1984.-T.18i- Вып.П.-С.1975-1978'.

13. Беляев, А.П. Особенности электропроводимости пленок твердых растворов CdSexTeix Текст. / А.П. Беляев, И.П. Калинкин, В.А. Санитаров //ФТП. 1983. Т.17. - Вып.7. - С.1337-1339.

14. Бонч-Буруевич, В.П. Электронная теория неупорядоченных полупроводников Текст./В.П. Бонч-Буруевич, И.П. Звягин , Р. Кайпер , А.Г. Миронов , Р. Эндерлфейн , В. Эссер // М.: Наука, 1981.-383с.

15. Н.Шкловский, Б.И. Перколяционная электропроводность в сильных электрических полях Текст./Б.И. Шкловский //ФТП.1979.-Т.13.- Вып.1,-С.93-97.

16. Шкловский, Б.И. Теория протекания и проводимость сильно неоднородных сред Текст. / Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос //УФН1 1975. -Т. 117. Вып.З.-С.403-435.

17. Шкловский, Б.И. Примесная зона и проводимость компенсированных полупроводников Текст./Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос //ЖЭТФ. 1971. -Т.60, №2 С.867-878.

18. Вуль, А.Я. О* температурной зависимости удельного сопротивления в неоднородных полупроводниках Текст.*/ А.Я. Вуль , Ш.И. Набиев, А .Я. Шик //ФТП. 1977.-T.il.-Вып. 3-С.506-510.

19. Шик, А.Я. Кинетические явления в неоднородных полупроводниках Текст. / А.Я. Шик // Неоднородные и примесные полупроводники» во внешних полях. Кишинев: Штиинца, 1979. С.22-40.

20. Шик, А.Я. Статистика носителей и термические релаксации в неоднородных полупроводниках Текст. / А.Я. Шик //ЖЭТФ.1976.-Т.71-Вып.9. -С.1159-1165.

21. Шейнкман, М.К. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках Текст./М.К. Шейнкман, А.Я. Шик //ФТП. 1976. -Т. 10.-Вып.2. С. 209-233.

22. Anderson, P.W. Absence of Diffusion in Certain Random Lattices Text./ P.W. Anderson// Phys.Rev.1958 v.109, №5, p.1492-1505.

23. MOTT H. Электронные процессы в некристаллических веществах Текст. /

24. H. Мотт, Э.Дэвис // M.: Мир, 1982.- 663 с.

25. Mott, N.F. Metal-isolator transitions. Proc. R.Soc.Lond Text. / N.F. Mott // 1982 v. A 383 №1782 p.1-24.

26. Mott, N.F. The Electrical properties of the liquid mercury Text. / N:F. Mott // Phil.Meg., 1966 v.13 №125 p.989-1014.

27. Mott N.F. Electrons in Disported Structures. Adv. Phis. 1967 v.l6№61 p.49-144.

28. Cohen ,M.H. Simple Band Model for semi conducting Alloys Text. /М.Н. Cohen , M.H. Fritshe , S.R. Ovshinsky // Phys. Rev. Lett., 1969 v.22-20, p. 1065-1068

29. Кариов, В.Г. Эффект температурной зависимости крупномасштабного потенциального рельефа в полупроводниках Текст. / В.Г. Карпов // ФТП. 1981. Т.15. - Вып.2. - С.217-223.

30. Шик, А .Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках Текст./А.Я. Шик, А.Я. Буль //ЖЭТФ. 1976. Т.71. -Вып.9.-С.1159-1165.

31. Винников, А.Я. Теория электропроводности неупорядоченных поликристаллических полупроводников с межгранульными барьерами Текст. / А.Я. Винников//: Дис. канд. физ.-мат.наук. JI:, 1983. -132 с.

32. Винников, А.Я. Экспериментальное обнаружение перколяционной электропроводности в сильных электрических полях Текст./А.Я. Винников, А.Н. Мешков , В.Н. Савушкин //ФТТ. 1980. Т.22. - Вып. 10. -С.2989-2995.

33. Винников, А.Я. Теория электропроводности неупорядоченной полупроводниковой системы Текст. / А.Я. Винников, А.Н. Мешков-, В.Н. Савушкин //ФТТ. 1982. Т.24. - Вып.5. с.1352-1359.

34. Мотт Н. Электронные процессы в ионных кристаллах Текст. / Н. Мотт, Р. Генри // М.: Иностр.литер.1950. 480с.

35. Mott, N.F. Note on the contact between a metal and insulator or semiconductor Text. /N.F. Mott //Proc. Cambridge Phil.Soc.l938.V38.N4.P.568-572.

36. Зюганов, A.H. Инжекционно -контактные явления в полупроводниках Текст. / А.Н. Зюганов, С.В. Свечников // Киев:. Наумка Думка. 1981.-256с.

37. Ламберт М. Инжекционные токи в твердых телах Текст./М. Ламберт,П. Марк//М.: Мир, 1973.-416 с.

38. Anderson R.L. Germanium-gallium arsenide heterojunctions Text./ R.L. Anderson // IBM. J. Res. Dev. 1960. -V. 4. - P. 283.

39. Anderson R.L. Electric and photoelectric properties of the heterojunctions Text./ R.L. Anderson //Thesis,„ Syracuse Univ., Syracuse; New York, 1964.

40. Anderson, R.L. Proc. Int. Conf. Semicond Text./ R.L. Anderson // Prague p.563-1960, Czech. Acad. Sei.

41. Anderson R.L. Experiments on Ge—GaAs heterojunctions Text., / R. L. Anderson // Solid State Electron. -1962. V. 5. - P. 341.

42. Perlman S.S. Heterojunction photovoltaic Text. / S. S. Perlman // Cells Energi Convers. 4,184,1964.

43. Perlman S.S., Feucht D.L. P-N- heterojunctions Text. / S. S. Perlman; D* L. Feucht// Solid'State Electron. 1964. - V. 7. - P. 911.

44. Dolega U., Emission-recombin ation model of heterojunction' Text. / U. Dolega // Z'. Naturf. 1963. - V. 18a. -P. 653.

45. Riben A.R., Feucht D.L. Electronic Characteristics of Ge-GaAs interface Having Chtmisorbed Oxygen at the GaAs Surface Text. / A.R. Riben, D.L. Feucht // Int. J. Electron. 20,583,1966.

46. Riben A.R. Electronic injection arid conduction processes for polymer Text. / A.R. Riben, D.L. Feucht // Solid-State Electron. 9,1055,1966.

47. Riben A.R., Text. / A.R. Riben, D.L. // Thesis, camegic Institute of Tehnology,1965.

48. Thamizhmani, A.K. Azad, Jiaming Dai; W. Zhang. Study of optical and dielectric properties of annealed ZnO nanoparticles in the terahertz regime Text. / A.K.Thamizhmani // Appl. Phys. Lett.,86,131 111 (2005).

49. B.Y.Geng Synthesis and photoluminescence properties of Mn-doped ZnS nanobelts Text. / B.Y.Geng, L.D.Zhang, G.Z.Wang, T.Xie, Y.G.Zhang, G.W.Mend//Appl. Phys. Lett.84.,2157 (2004).

50. Виллисов, Г.Т. Фотолюминесценция эпитаксиальных пленок ZnSe на GaAs. Текст./Г.Т. Вилисов //Изв. Вузов. сер.Физика. Том 25. 1982г.№7 с.42-45.

51. Yokogawa Т. ZnSe/ZnS heteroepitaxial growth using an intermediate strainedlaer supper lattice buffer Text./T. Yokogawa, M. Ogura , T. Kajiwara //J.Appl. Phus.1987. v.62 №7 p. 2843-2847.

52. Ando H.Photo enhanced metal organic chemical vapor deposition of ZnSe film biathlete zinc and- dimity eselenigell Text./H. Ando, H. Inuzuka, Konagai, K.Takahashi //J. Appl. Phys. 1985,v.58 №2 p.802-805.

53. Goto N., Isozaki, Shidara K., Maruyame E., Hirai Т., and FujitaT., lEEETrana, Elec. Dev. ED-21 919740 p.662.

54. Fujiwara S., Serizawa H:, Eguchi 0., Kuramoto Y., and Fukai M., USP -3858074 (1974), USP 3985918 (1976)

55. De Haan E.F., Klaassen F.M: and P.P.M. Schammpers, Philips Tech. Rev, 26 (1965) p.49.

56. Garluck G.F, Gibson A.F. Prog. Plys. Soc. 1948, v.60,p.574: 54.

57. Satoh S. and Igaki K. Japan. J. Appl. Physics. 1980 v.19 №3 p.485.

58. Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках Текст./А. Милне // М.: Мир^ 1977,255 с.

59. Michael, G.P. Deposition and properties of Zink Cadmium telluride films Text. / G.P. Michael, A.L. Fahrenbruch, R.H. Bude // J. Vac. Sei. Techology.1988 v. A 6, №6, p.3098-3102.

60. Wittwer V., Heidler К., Zastrov A. and Goetzderger A., in Proceedings of the 14th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (IEEE, New York, 1980), p.760.

61. Kimmerly J. Ternary II-VI Compound thin films for tandem solar cell applications Text./ J. Kimmerly, R. Menner, H.W. Schok , A. Valera // Thin Solid films, 1985, v. 126, p.23-29.

62. Тошходжаев, X.A. Процессы токопереноса в сэндвич структуре на основе халькогенидов цинка Текст./ Х.А. Тошходжаев // Дисс.канд.техн.наук, -СПб.: ГЭУ имени Ульянова-Ленина, 1992.

63. В ell, S.L. Crystal Growth of Cd.xZnxTe and its use as a superior substrate for LPE growth of HgO, 8CdO, 2Te [Text./S.L. Bell, S. Sen//. J. Vac. Sci. a Technology 1985 v.A 3, №1,р.112-115.

64. Aadri, S.B. Evidence for band strengthening in CdixZnxTe (x=0,04) Text./S.B. Aadri, E.F. Skelton, A.W. Webb, J. Kennedi //. Appl. Phys. Lett., 1985, №3.

65. Sher A. The effect of the substrate mismatch on the LPE of HgZnTe and CdZnTe layers Text./A. Sher, A. Raizman, D. Ager //. J. Cryst. Growth, 1988, v. 87,№4, p.507-518.

66. Aadri, S.B. Double-crystal x-ray topographic studies of bilk and epitaxialy grown ZnxCdi.xTe (0,0 x 0,06) Text./S.B. Aadri, M. Fatemi, J.H. Dinan // Appl. Phys. Lett, 1986, v.48, №3, p.239-241.

67. Amirthar, J.M. Photo reflectance study of HgO, 7CdO, 3Te and Cd,.xZnxTe:El transition Text./J.M. Amirthar, J.N. Dinan, J.J. Kennedy//J.Vac. Sci. Technology, 1985, v. A 4, №4, p.2028-2033.

68. Quadri, S .В. X-ray d etermination of dislocation density in postaxial ZnCdTe Text./S.В.Quadri, J.H.Dinan //. Appl. Phys. Lett.1985, v.47, №10, p.1066-1068.

69. Goela, J.S. Growth of CdZnTe on SI by low-pressure chemical vapor deposition Text. / J.S.Goela, R.L.Taylor//.Appl. Phys. Lett, 1987, v.51,№12, p.928-930.

70. Text. /J.Menedez, A.Pingzuk, J.P.Valagares//. Appl. Phys. Lett, 1987, v.50, №16, p.1101-1103.

71. Stanley, R.F. Exticon line broadening in CdxZnixTe/ZnTe multipleguantum wells Text. / R.F.Stanley, J.Hegarty, RD.Feldman, R.F.Austin//. Appl. Phys. Letters, 1988, v.53, №15, p.1417-1419.

72. Glass, A.M. et.all. Room-temperature optically pumped Cdo^ZnojsTe/ZnTe quantum, well Lasers grown on CdAs substrates Text. /A.M.Glass, K.Tai, RB.Byisma//. Appl". Phys. Letters, 1988, v.53, №10.p.834-836.

73. Li, He. Atomic Layer epitaxi of (CdTe)mZnTen-ZnTe multidiantum wells on (001) GaAs substrate Text./Li He., Wei Shan and Lie LI//. J.Crust. Gronth,1991, v.lll, №1-4, p.736-740.

74. Shinji Fujiwara. etsuya Takeda et.all. Newcosvicon for Single-Tube Color Cameras Text./Shinji Fujiwara, Eiihiro Tanaka//. Nat, Techn. Report, 1982, v.28, №2, p.232-242 (Japan).

75. Tauyohi Ichidakase. Major Photoconductive Process es in Newcosvicon "Target" Text./ Ichidakase Tauy ohi, Junta Yamamoto, Fumio Sacamoto//. Nat. Techn. Report. 19856 v.31, №1, p.61-69 (Japan).

76. Fujiwara, S. Photoelectric transducer element including a* heterojunctioniformed, Text./S.Fujiwara, H: Serizawa; 0:Eguchi, Y.Kuramoto and M.Fukai//. U.S. Patent 3858074, 1974'.

77. Fujiwara, S. et all. "High Sensitivity Camera Tube Newvicon" Text./ S.Fujiwara//. Nat. Tech. Report, 1979, v.25 N 2, p.286-297 (Japan).

78. Fujiwara, S. et all. The Heterojunction ZnSe-(Znl-xCdxTe)l-y (ln2Te3)y having* high sensitivity in the visible light range and- its applications Text./S.Fujiwara//. J. Cryst. Growth. 1983, v.61, p.567-575.

79. IEEE Trans. Electron Devices. //V.ED-30, 1983 N 6, p.706-711.

80. Nevhauser, R.G. "Photoconductors Utilized in TV Camera Tubes" Text./ R.G.Nevhauser// J. Elec. Soc. 1987, v. 134, N 1, p.5c-13c.

81. Fujiwara, S. "Photoelectric transducer element including a heterojunction formed by a photoelectric transducer film." Text./S. Fujiwara, H. Serizawa,

82. О. Eguchi, Y. Kuramoto and Fukai//, U.S. Patent 3 858 074. 1974.

83. Patent Specification №1424608 1976. 11.02. №4533 HOI L 31/18, HOl J.29/45.

84. Фрейк, Д.M. Физика и технология полупроводниковых пленок Текст./ Д.М.Фрейк, М.А.Галущак, Л.И.Межиловская //.- Львов: Изд. Львовского государственного университета, 1988.-151 с.

85. Санитаров,» В. А. Кристалл охимическое строение и энергетическая структура пленок твердых растворов на основе соединений А2Вб Текст./ В.А.Санитаров //: Дис. . канд. хим. наук (02.00.04). -ЛТИ им. Ленсовета, 1978.-183 с.

86. Витюк, В.Я. Физико-химические процессы вакуумной конденсации и фазовые превращения в пленках сульфо-теллуридов кадмия и цинка Текст./В.Я.Витюк//: Автореф. дис. . канд. хим. наук (02.00.04). -Л.: ЛТИ им. Ленсовета, 1984. 22 с.

87. Александрова, Л.А. Обобщенные диаграммы состояния, строение и фазовые превращения пленок твердых растворов систем CdSe-CdTe, ZnSe-ZnTe Текст./Л.А.Александрова//: Автореф. дис. . канд. хим. наук. (02.00.04). -Л.: ЛТИ им. Ленсовета, 1984. 22 с.

88. Марунько, С.В'. Физические аспекты получения в квазизамкнутом объеме базовых слоев фотоэлектрических преобразователей Текст./С.В.Марунько //: Дис. . канд. физ.-мат. наук. -Харьков, 1987. -191с.

89. Lopez-Ctero A. Hot Wall Epitaxy. Thin Solid Films., 1978, v.49, N 1, p.3-57.

90. Anthony, T.C. Growth of CdTe films by close-spaced vapor transport (CSVT). Text./T.C.Anthony, A.L.Fahrenbruch, R.H.Bube//J. Vac. Sci. a Technology, 1984, v.2AN 3, p. 1296-1302

91. Anthony, T.C. Electrical properties of CdTe films and junction Text./ T.C.Anthony, A.L.Fahrenbruch, M.G.Peters, R.H.Bube//J. Appl. Phys., 1985, v.57, N2.

92. Figucroa, J.M. Photoluminescence spectra and carrier mobility's inpolycrystalline films of GdTe Textj/J.M.Figucroa, F.Sanches-Sinencio, J.G.Mendoza-Alvarez//. J. Cryst. Growth., 1990, v. 106, N4, p. 651-656.

93. Hirakio Okio. Fabrication and photoluminescence properties of ZnTe films by low pressure metal organic chemical-vapor deposition (MOCTO) Text./ Hirakio Okio//. J. Cryst. Growth., 1988, v.93, N 1-4, p. 667-672.

94. Feldmah R.D., Austin R.F., Dayem A.H., Westerwick E.H. Growth of Cd,. xZnxTe by molecular beam epitaxy Text./ R.D.Feldmah, R.F.Austin,

95. A.H.Dayem, E.H.Westerwick//. Appl. Phys. Lett, v.49, N 13, p.797-799.

96. Орлов, Ю.Ф. Состав конденсатов, образующихся при испарении'в вакууме твердых растворов (CdTe)x(ZnTe)ix и полуэмпирические уравнения процесса Текст./Ю.Ф.Орлов, С.Д.Карасик, Е.О.Курчевская //ЖПХ. 1980. -Т.53 .-Вып.№7.-С. 1659-1661.

97. Радауцан, С.И. Эпитаксиальные пленки твердых растворов системы на подложках из антимонида индия Текст./ С.И.Радауцан, О.В.Куликова, О.Г.Максимова и др.// Изв. АН СССР. Сер. Неорг. материалы. -1983. -T.19,N3. -С.366-369.

98. Robert G. Neuhauser. Photoconductors Utilized in TV Camera Tubes Text./ Robert G. Neuhauser.//. J: The Elec. Soc. v. 134, N 1 p.7 C.(1987).

99. Shimizu K., and Kiuchi Y. Japan, J. Appl. Phys. 6 (1967) p.1089: 99.Федоров, П.И. Химия галлия, индия и таллия Текст./ П.И: Федоров, М.В.Мохосоев, Ф.П.Алексеев//. Новосибирск: Наука, СО" АН СССР, 1977.- 164 с.

100. ЮО.Вендрих, Н.Ф: Исследование характера испарения и измерение давления пар некоторых халькогенидов галлия и индия Текст./ Н.Ф.Вендрих //: Автореферат, дис. канд. хим. наук. М.: МИЭТ, 1983. - 26с.

101. Насреддинов, Д.С. Текст./Д.С.Насреддинов, В.П.Подхалюзин, П.П.Серегин и др.// ФТП. -1986. -Т.20. Вып. 7. - С. 1166-1172.

102. Антрощенко, JI.B. Текст./Л.В.Антрощенко, Л.Г.Гальчинский,

103. B.М.Каикин, Л.С.Палатник//.Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер.-1976.-Т.1,1. C. 12.