Электронные процессы в системе Me-Ga2Se3-(SiOx)Si с различными металлическими контактами тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Сизов, Сергей Викторович

• Сизов, Сергей Викторович
• кандидат физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Сизов, Сергей Викторович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ С ТОНКИМИ ПЛЕНКАМИ

ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ТИПА МП'ДП.

1Л. Электростатические характеристики МП'ДП гетероструктур.

1.1.1. Распределение потенциала в монокристаллических полупроводниковых слоях при толщинах, сравнимых с дебаевской длиной экранирования.

1.1.2. Электростатические модели многослойных структур на базе системы диэлектрик-полупроводник.

1.1.3. Модель идеальной МП'ДП структуры.

1.2. Влияние локализованных зарядов в диэлектрике и в слое П' на электростатические характеристики МП'ДП структуры.

1.2.1. Влияние фиксированного заряда в Д.

1.2.2. Влияние пограничных состояний.

1.3. Получение пленок полупроводниковых соединений методами термического напыления в открытом и квазизамкнутом объемах.

1.3.1. Напыление в "открытом объеме".

1.3.2. Получение пленок Ga2Se3 в квазизамкнутом объеме.

Цели и задачи.

ГЛАВА 2. ФОРМИРОВАНИЕ ПЛЕНОК Ga2Se3 И ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В ПОЛЕВЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ Ме-Ga2Se3 - Si ПРИ РАДИАЦИОННЫХ ВОЗДЕЙСТВИЯХ И ВАРЬИРОВАНИИ МЕТАЛЛА КОНТАКТА.

2.1. Получение пленок селенида галлия в квазизамкнутом объеме из независимых источников галлия и селена.

2.2. Механизм устойчивости к облучению у-квантами полевых гетероструктур типа МДП на основе кремния.

2.3. Высокочастотные вольт-фарадные характеристики гетероструктур Me - Ga2Se3 - Si с различными металлическими контактами.

Выводы.

ГЛАВА 3. МОДЕЛЬ МП'ДП СТРУКТУРЫ С УЧЕТОМ КОНТАКТНОЙ РАЗНОСТИ ПОТЕНЦИАЛОВ МП' И ЦЕНТРОВ ЛОКАЛИЗАЦИИ ЗАРЯДА В П' И НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА П'Д

3.1. Математическая модель и алгоритм расчета ВЧ С - V характеристик.

3.2. Влияние центров локализации заряда на границе П'Д на электростатические характеристики МП'ДП структур.

3.3. Влияние контактной разности потенциалов на электростатические характеристики МП'ДП структуры.

3.4. ВЧ C-V характеристики МП'ДП структур с центрами локализации заряда и с контактной разностью потенциалов МП'

Выводы.

ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ КОНТАКТНОЙ РАЗНОСТИ ПОТЕНЦИАЛОВ МП' НА ЗАРЯДОВЫЕ СОСТОЯНИЯ ЦЕНТРОВ В П1 И ИХ УЧАСТИЕ В ЛОКАЛИЗАЦИИ ЗАРЯДОВ ИЗ ПОДЛОЖКИ П В МП'(Д)П СТРУКТУРЕ.

4.1. Определение сродства к электрону для Ga2Se3 из исследования внутренней фотоэмиссии в гетероструктуре Ga2Se

- (SiOJSi.

4.2. Энергетическая диаграмма гетероструктуры Me - Ga2Se3 -(SiOy)Si и туннельный механизм участия центров локализации заряда Ga2Se3 в ПЭС кремния.

4.3. ВЧ C-V характеристики гетероструктуры Me - Ga2Se3 -(SiOdSi на основе Sip-типа.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электронные процессы в системе Me-Ga2Se3-(SiOx)Si с различными металлическими контактами»

Актуальность темы.

Скорость обработки и объемы потоков информации во многом определяют успешность всех направлений человеческой деятельности. Устройства для переработки информации включают твердотельные элементы со структурой типа металл-диэлектрик-полупроводник (МДП), быстродействие которых, в первую очередь, сказывается на функциональных и частотных параметрах системы [1-3]. В настоящее время основным материалом сверхскоростных сверхбольших интегральных схем (ССБИС) остается кремний [1-4]. Технологии современной кремниевой микроэлектроники достигли высочайшего уровня и постоянно совершенствуются [4, 5]. Возможно, что уже достигнут предел по быстродействию кремниевых МДП элементов, связанный с физико-химической природой границы раздела термическая двуокись кремния-кремний (Si02 - Si), структуры металл-окисел-полупроводник: МОП -структуры [4, 6-11].

Одно из направлений совершенствования кремниевых МДП - систем заключается в использовании вместо диэлектрика пленок широкозонных полупроводников с толщинами много меньшими дебаевской длины экранирования (слой П') [12-14]. В этом случае возможен выбор материала слоя П' с параметрами кристаллической решетки максимально близкими к решетке кремния. Такая изорешеточная система Ga2Se3 - Si предложена в качестве полевой гетероструктуры в работах Б.И. Сысоева, В.Ф. Сынорова еще в 1974 году [15]. Ее реализация стала возможной только после разработки способа получения тонких монокристаллических пленок полупроводниковых соединений в квазизамкнутом объеме из независимых источников [16-19]. Изучены механизмы токопрохождения в полевых гетероструктурах А1 -Ga2Se3 - Si (и, р -типа) и параметры электронных состояний в этой системе

18, 19]. Однако, возможность использования данных слоистых структур в конкретных устройствах твердотельной электроники ограничивается сравнительно высоким уровнем сквозных токов и отсутствием информации о поведении этих структур во времени и при различных термодинамически неравновесных воздействиях. Сказанное выше определяет актуальность темы данной диссертации, которая выполнялась в соответствии с направлением госбюджетной НИР кафедры физики Воронежской Государственной технологической академии "Физико-химические процессы в объеме и на границе раздела в неоднородных твердотельных системах" (№ гос.рег. 01960012699) при частичной финансовой поддержке гранта РФФИ № 03-0296480.

Целью работы явилось установление закономерностей влияния термодинамической работы выхода металла контакта на электронные процессы в гетероструктурах Me - Ga2Se3 - Si и выбор условий использования этих гетероструктур в качестве полевых с минимальным вкладом центров локализации заряда в электронные процессы.

Для достижения цели решались следующие задачи:

• формирование гетероструктур Me - Ga2Se3 - Si с различными металлическими контактами и исследование их электрофизических характеристик

• моделирование электростатических характеристик гетероструктур типа МП'ДП с учетом влияния центров локализации заряда в слое ГТ (на границе раздела П'Д) и контактной разности потенциалов (КРП) МП';

• определение устойчивости параметров границы раздела к облучению у -квантами;

• построение энергетической диаграммы гетероструктуры Me - Ga2Se3 - Si;

• определение условий использования гетероструктур Me - Ga2Se3 - Si в качестве полевых.

Для изучения структуры получаемых слоев использовался метод электроннографии «на отражение»; элементный состав получаемых пленок при толщинах больше 100,0 нм контролировался методом рентгеноспектрального микроанализа (РСМА), а при меньших толщинах изучался методом послойного Оже-электронного анализа; для исследования спектра поверхностных электронных состояний (ПЭС) использовался метод дифференциальной проводимости и емкости в диапазоне частот тестового сигнала 20 Гц - 2 МГц; использовались методы математического моделирования для анализа электростатических характеристик МП'ДП структур и построения их энергетических диаграмм.

Методы исследования. При решении поставленных задач использовались методы математического моделирования, численные методы интегрирования и решения дифференциальных уравнений второго порядка. Исследование характеристик слоистых структур проводилось методами вольтфарадных, вольтамперных характеристик и измерением дифференциальной проводимости в зависимости от внешнего напряжения и температуры. Научная новизна.

1. Впервые рассмотрена модель электростатических характеристик МП'ДП гетероструктуры учитывающая совокупное влияние КРП между слоями структуры, типа, концентрации и энергетического положения центров локализации заряда на границах П'Д и ДП.

2. Предложена модель устойчивости этих гетероструктур к радиационным воздействиям основанная на участии кислорода, растворенного в Sz-подложке в формирование электронных состояний на поверхности Si в процессе термического отжига и в результате радиационного воздействия.

3. Показано, что электронные состояния в пленке Ga2Se3 на границе с диэлектриком могут проявляться как состояния в Si п-типа за счет туннельного обмена зарядом между ОПЗ в Si и в пленке Ga2Se3.

Практическая значимость.

1. Установлена радиационная устойчивость к у-облучению гетероструктур А1 - Ga2Se3 - Si (и-типа);

2. Установлено, что проявление ПЭС в Si в гетероструктурах Pt - Ga2Se3 -(SiOy)Si п - типа основано на туннельном обмене зарядом между ОПЗ в Si и центрами локализации заряда в пленке Ga2Se3 у границы раздела (SiOx);

3. Обоснована принципиальная возможность использования гетероструктур Me - Ga2Se3 - (SiOJSi на основе Sip-типа в качестве полевых с инверсионным каналом и-типа. В качестве материала затворного слоя гетероструктур типа Me - Ga2Se3 - (Si О J Si на основе Si я-типа можно использовать металлы с термодинамической работой выхода, близкой к Xai (поликремний и' -типа), а для структур на основе Sip-тшш - к %Р1 (поликремний//-типа).

На защиту выносятся следующие положения:

• формирование ПС границы раздела в процессе радиационного воздействия связано с выделением у поверхности кремния комплексов SiOm а наблюдаемый "радиационный отжиг" является результатом коалесценции SiOm в фазу SiOx на поверхности подложки, что объясняется подобием характера энергетических спектров ПС границ разделов Ga2Se3 - Si и Si02 - Si. Повышенная радиационная стойкость гетероструктур Al - Ga2Se3 - Si (п-типа) к у - облучению объясняется снижением концентрации растворенного в Si -подложке кислорода в процессе формирования гетероструктуры и последующей ИФО.

• проявление ПЭС в Si в гетероструктурах Pt - Ga2Se3 - (SiOJSi п - типа основано на туннельном обмене зарядом между ОПЗ в Si и центрами локализации заряда в пленке Ga2Se3 у границы раздела с (SiOx);

• для снижения эффектов, проявляющихся как ПЭС в Si и связанных с туннельным обменом свободных зарядов из Si с центрами локализации заряда в Ga2Se3, в полевых гетероструктурах типа Ga2Se3 - (SiOy)Si на Si п-типа можно использовать в качестве материала подзатворного слоя металлы с термодинамической работой выхода, близкой к Xai (поликремний «"-типа), а для структур на основе Si р-типа - к Хп (поликремний р ' -типа). Наиболее перспективны для использования в полевых транзисторных структурах гетеропереходы Ga2Se3-Si на основе Si р-типа, поскольку в этом случае минимально влияние ПЭС и относительно высоко значение разрыва энергии дна зоны проводимости на границе раздела Ga2Se3-Si 0,7 эВ), что и обеспечивает возможность использования этого гетероперехода для п-канальных полевых элементов кремниевой микроэлектроники;

Апробация работы. Ниже перечислены конференции, семинары и совещания, на которых представлялись результаты работы: Девятая международная конференция "Физика диэлектриков" (Диэлектрики 2000); XL отчетная конференция ВГТА 2001 г.; XLI отчетная конференция ВГТА 2002 г.; XLII отчетная конференция ВГТА 2003 г.; Международная научная конференция "Тонкие пленки и наноструктуры" (Пленки 2004). Публикации. По материалам диссертации опубликовано 12 печатных работ, в том числе 7 статей в местной и центральной научной печати, 5 тезисов докладов на научных конференциях.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и списка литературы. Объем диссертации составляет 128 страниц машинописного текста, включая 47 рисунков. Список литературы содержит 114 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Сизов, Сергей Викторович

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ И РЕЗУЛЬТАТЫ

1. Сформированы гетероструктуры с пленками Ga2Se3 с малой угловой разориентацией кристаллического блока, свойственной мозаичным монокристаллам на Si п- и р-типа с различными металлическими контактами.

2. Предложена модель устойчивости этих гетероструктур к радиационным воздействиям основанная на участии кислорода, растворенного в Si-подложке в формирование электронных состояний на поверхности Si в процессе термического отжига и в результате радиационного воздействия;

3. Предложен алгоритм автоматизированного расчета электростатических характеристик слоистых систем Me - Ga2Se3 - (Si02) Si, с возможностью учета всех факторов влияющих на распределение электрического заряда в слоях гетероструктуры, удовлетворяющий статистическим представлениям о квантово-механическом распределении электронов и дырок в полупроводниковых слоях.

4. Показано, что в таких реальных гетероструктурах в искажение формы экспериментальных характеристик, указывающее на наличие ПЭС в Si, основной вклад оказывает туннельный механизм обмена зарядом Si с пленкой Ga2Se3.

5. Обоснована принципиальная возможность использования в качестве материала подзатворного слоя гетероструктур типа Me - Ga2Se3 - (SiOJSi основе Si п-типа металлы с термодинамической работой выхода, близкой к Xai (поликремний и' -типа), а для структур на основе Si р-типа - к xpi (поликремний р+-типа).

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Сизов, Сергей Викторович, 2006 год

1. Сугано Т. Введение в микроэлектронику / Т. Сугано, Т. Икома, Ё. Такэиси / Пер.с япон. -М.: Мир, 1988. -320 с.

2. Ферри Д. Электроника ультрабольших интегральных схем / Д. Ферри, Л. Эйкерс, Э. Гринч /Пер. с англ. -М.: Мир, 1991. -327 с.

3. Секен К. Приборы с переносом заряда / К. Секен, М. Томпсет / Пер. с англ. М.: Мир, 1978, - 328 с.

4. Таруи Я. Основы технологии СБИС / Я. Таруи / Пер. с япон. М.: Радио и связь, 1985.-480 с.

5. Броудот Н. Физические основы микротехнологии / Н.Броудот, Дж.Мерей / Пер с англ. -М.: Мир, 1985. 496 с.

6. Литовченко В.Г. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник / В.Г.Литовченко, А.П.Горбань / Киев., "Наукова думка", 1978. 316 с.

7. Снитко О.В. Проблемы физики поверхности полупроводников / О.В. Снитко, А.В. Саченко, В.Е. Примаченко и др. Под общ. ред. Снитко О.В. -Киев: "Наукова думка", 1981.-332 с.

8. Кобболд Р. Теория и применение полевых транзисторов. Пер. с англ. В.В. Макарова. Л.: "Энергая", 1975. - 304 с.

9. Литвинов P.O. Влияние поверхности на характеристики полупроводниковых приборов /- Киев: Наукова думка, 1972. 115 с.

10. Ю.Маллер Р. Элементы интегральных схем / Р. Маллер, Т. Кейминс / Пер. с англ. М.: Мир, 1989. - 630 с.

11. Asano Т. An Epitaxial Si / Insulator / Si Structure Prepared by Vacuum Deposition of Ca F2 and Silicon / T. Asano, H. Ishiwaru //Thin Solid Films.-1982/ V. 93. -P.143 -150.

12. Сысоев Б.И. К вопросу об управлении приповерхностным зарядом в полупроводниках с помощью тонких слоев широкозонныхполупроводников / Б.И. Сысоев, В.Ф. Сыноров // ФТП. 1972. - Т. 6, № 10.-С. 1856- 1859.

13. Сысоев Б.И. Об управлении зарядом в структурах типа металл-диэлектрик-полупроводник / Б.И. Сысоев, А.Н. Лихолет, В.Ф. Сыноров,

14. A.П. Ровинский //Микроэлектроника, 1977, т.6, №5, с. 454-457.

15. Сысоев Б.И. Особенности вольт-фарадных характеристик МДП структур с полупроводниковыми подзатворными слоями / Б.И. Сысоев, А.П. Ровинский, В.Ф. Сыноров, Н.Н. Безрядин // Микроэлектроника. - 1978.-Т. 7, №2.-С. 163 - 167.

16. Сыноров В.Ф. Влияние локализованных состояний в полупроводниковом слое критической толщины на электрофизические свойства тонкопленочных структур МП'ДП / В.Ф. Сыноров, Н.Н. Безрядин, Б.И. Сысоев, Н.А. Мартынова//Изв. Вузов. Физика.- 1981. -№1. С.82-87.

17. Сысоев Б.И. Влияние пограничных состояний на электростатические характеристики МП'ДП структур / Б.И. Сысоев, Н.Н. Безрядин, В.Ф. Сыноров, Н.А. Мартынова // Микроэлектроника, 1980, т. 9, № 4, с. 355 -361.

18. Sysoev B.I. Investigation of Gallium Selenide Films, Grown by the Hot Wall Metod, on Silicon Substrates / B.I. Sysoev, N.N. Bezryadin, Yu.V. Synorov,

19. Тамм И.Е. Основы теории электричества. 9-е изд., исправл. - М.: Наука, 1976,616 с.

20. Гарретт К. Физическая теория поверхности полупроводника. В кн.: Проблемы физики полупроводников / К. Гарретт, В. Браттэн / Перевод с англ. под ред, В.JI.Бонч-Бруевича. М.: Иностранная литература, 1957, с. 345-365.

21. Бонч-Бруевич B.JI. Физика полупроводников / B.JI. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников М.: Наука, 1977, - 672 с.

22. Лашкарев В.Е. Работа выхода и проводимость полупроводника при наличии поверхностного заряда. Изв. АН СССР, сер. Физическая, 1952, т. 16, №2, с.203-210.

23. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках, М.: Физматгиз, 1963, - 496 с.

24. Адирович Э.И. Эмиссионные токи в твердых телах и диэлектрическая электроника. В кн.: Микроэлектроника: сб.статей под ред. Ф.В.Лукина. -М.: Советское радио, 1969, вып.4, с.393-417.

25. Кравченко А.Ф. Явления переноса в полупроводниковых пленках / А.Ф. Кравченко, В.В. Митин, Э.М. Скок / Новосибирск: Наука, 1979, 256 с.

26. Вопросы пленочной электроники.: Сб.статей под ред. Д.В.Зернова, М.И.Елинсона, В.Б.Сандомирского. М.: Советское радио, 1966, - 472 с.

27. Палатник Л.С. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок / Л.С. Палатник, М.Я. Фукс, В.М. Косевич / -М.: Наука, 1972, 320 с.

28. Волькенштейн Ф.Ф. Хемосорбционные и каталитические свойства полупроводниковой пленки на металле / Ф.Ф. Волькенштейн, B.C. Кузнецов, В.Г. Сандомирский / Кинетика и катализ, 1962, т.З, №5, с. 712-723.

29. Сандомирский В.Б. О возможной роли двойного электрического слоя, возникающего при контакте твердых тел, в явлениях адгезии / В.Б. Сандомирский, В.П. Смилга / ФТТ, 1959, т.1, №2, с.307-314.

30. Толпыго К.Б. О термоэлектронной эмиссии с тонких пленок полупроводника.-ЖТФ, 1949, т.19,№11, с. 1301-1311.

31. Губанов А.И. Расчет контактного потенциала в тонкой полупроводниковой пленке / А.И. Губанов, С.Ю. Давыдов / ФТП, 1971, т.5, №2, с.369-371.

32. Вуль А.Я. Об энергетической диаграмме тонкого гетероперехода / А .Я. Вуль, A.M. Кечиянц, JI.B. Шаронова, А.Я. Шик, Ю.В. Шмарцев / ФТП, 1976, т.9, №9, с. 1790-1791.

33. Гасанов JI.C. Поверхностные свойства полупроводников с собственной проводимостью при толщинах, меньших дебаевской длины экранирования. Украинский физический журнал, 1966, т.11, №5, с.555-557.

34. Гасанов JI.C. Эффект поля в тонких слоях полупроводников ФТП, 1967, т.1, № 6, с.809-814.

35. Jerhiot J. A Contribution to the Theory of the Space-Charge Region, in Thin Semiconductor Monocrystallin Films / J. Jerhiot, V. Srejdar / Czech. J. Phys., 1970, B20, №8, p. 903-907.

36. Djuric Z. Static Characteristics of Metal-Insulator- Semiconductor-Insulator-Metal (MISIM) / Z. Djuric, M. Smiljanic / Structures-1. Electric Fields and Potential Distributions. Solid - State Electr., 1975, V.18, №10, p. 817-825.

37. Roberts I.I. Equilibrium Space-Charge Distributions in Semiconductor. Brit, J. Appl, Phys., 1967, V. 18, №6, p. 749-753.

38. Gasanov Z.S. Comments on "Equilibrium Space-Charge Distribution in Semiconductor". J. Phys. D: Appl. Phys., 1971, V.4, №12, p. 2049-2050.

39. Stinson M.R. Determination of Surface Potentials of Thin Semiconducting films. Canadian J. Phys., 1975, V.53, №6, p. 587-591.

40. Свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник / Под общ, ред. А.В. Ржанова. М.: Наука, 1976, - 280 с.

41. Сыноров В.Ф. МДП-структуры / В.Ф. Сыноров, М.А. Ревелева, Н.М. Алейников, Ю.С. Чистов, С.В. Фетисова / Воронеж, изд-во ВГУ, 1975, 228 с.

42. Гасанов JI.C. Поверхностная емкость тонких слоев полупроводников / Л.С. Гасанов, В.И. Стафеев / ФТП, 1968, т.2, №3, с. 424-429.

43. Jerhot J. Space-Charge Capacitance in thin Semiconductor Monocrystallin films / J. Jerhot, V. Snejdar / Czech. J. Phys., 1971, B21, № 10, p. 1114-1117.

44. Jerhot J. Thin films MIS Varactor. Phys. Stat. Solidi (a), 1971, Y7, №1, к25-к27.

45. Djuric Z. Static Characteristics of the Metal-Insulator-Semiconductor-Insulator-Metal (MISIM) / Z. Djuric, M. Smiljanic, D. Papkin / Structure II Low Frequency Capacitance. - Solid - State Electr., 1975, Y.18, №10, p. 827831.

46. Ковтонюк Н.Ф. Электронные элементы на основе структур полупроводник-диэлектрик. П.: Энергия, 1976, - 184 с.

47. Сыноров В.Ф. Распределение потенциала и емкость структуры с полупроводниковым слоем критической толщины / В.Ф. Сыноров, А.Н. Лихолет, Б.И. Сысоев / Микроэлектроника, 1977, т.6, №1, с. 56-63.

48. Synorov V.F. Analysis of charge Distribution in MIS type Multiplayer Systems / V.F. Synorov, A.N. Likholet, B.I. Sysoev / - Phys. Stat. Solidi (a), 1976, V.33, №2, p. k161-ic164.

49. Bradley J. New Method of Reducing Instability in Insulated Gate Field -Effect Transistors. - Electr. lett., 1967, Y.3, №11, p.526-528.

50. Аветисян Г.Х. Некоторые особенности создания защитных и маскирующих покрытий на основе соединений AnBVI / Г.Х. Аветисян, Ю.А. Кузнецов, В.Д. Манагаров / Электронная техника, серия 2, полупроводниковые приборы, 1973, №5, с.87-89.

51. Стриха В.И. Теоретические основы работы контакта металл-полупроводник. Киев.: Наукова думка, 1974, - 264 с.

52. Горюнова Н.А. Сложные алмазоподобные полупроводники. М.: Советское радио, 1968, - 268 с.

53. Кошкин В.М. Физика алмазоподобных полупроводников со стехиометрическими вакансиями. В кн.: Некоторые вопросы химии и физики полупроводников сложного состава. - Ужгород, 1970, с. 26-35.

54. Сысоев Б.И. Электрофизические свойства структуры А1 ZnP2 - Si / Б.И. Сысоев, В.Ф. Сыноров, JI.A. Битюцкая / - Микроэлектроника, 1973, т.2, №3, с.244-247.

55. Губанов А.И. Теория выпрямляющего действия полупроводников. М.: Гостехиздат, 1956, - 348 с.

56. Милне А. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник / А. Милне, Д. Фойхт / Перевод с англ. под ред. В.С.Вавилова. М.: Мир, 1975, - 432 с.

57. Сысоев Б.И. О влиянии фиксированного заряда в диэлектрике на вольт-фарадные характеристики МП'ДП структур / Б.И. Сысоев, Н.Н. Безрядин, В.Ф. Сыноров // Микроэлектроника, 1980, т.9, №2, с. 121 125.

58. Безрядин Н.Н. Получение тонких слоев селенида галлия на кремнии / Н.Н. Безрядин, А.С. Дронов, Ю.В. Сыноров, Г.М. Щевелева // Полупроводниковая электроника / Межвуз. сб. науч. трудов. Воронеж: Изд-во Вор. гос. пед. инст-та, - 1985, - с. 20-25.

59. Вендрих Н.Ф. Исследование характера испарения некоторых халькогенидов III В подгруппы периодической системы типа АХ и А2Х2 {А- Ga, In; X-S, Se, Те) / Н.Ф. Вендрих, A.C. Майкова, Б.А. Малюков, А.С. Пашинкин / Деп. в ВИНИТИ, 1977, №2149-77. -12с.

60. Бергер Л.И. Давление диссоциации двойных полупроводниковых состояний B2inC3VI / Л.И. Бергер, С.С. Стрельченко, С.А. Бондарь, А.Д. Молодых, А.Э. Беланевская, В.В. Лебедев / Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1969. - Т.5, №5. -С. 872 - 877.

61. Вендрих Н.Ф. Исследование процесса испарения Ga2Se3 переменного состава / Н.Ф. Вендрих, А.С. Пашинкин / Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1979. -Т.15, №3. -С. 412 - 416.

62. Сысоев Б.И. Получение и структура пленок селенида галлия на кремнии / Б.И. Сысоев, Н.Н. Безрядин, Ю.В. Сыноров, Т.А. Кузьменко / Изв. АН СССР, сер. Неорг. материалы, 1991, т. 27, № 3, с. 470 473.

63. Бубнов Ю.З. Вакуумное нанесение пленок в квазизамкнутом объеме / Ю.З. Бубнов, М.С. Лурье, Ф.Г. Старое, Г.А. Филаретов / -М.: Сов, радио, 1975.-160 с.

64. Калинкин И.П. Эпитаксиальные пленки соединений АПВГ/ И.П. Калинкин, В.Б. Алексковский, А.В. Симашкевич / -Л.: Изд-во Ленингр. ун-та, 1978, 310 с.

65. Фреик Д.М. Физика и технология полупроводниковых пленок / Д.М. Фреик, М.А. Галущак, Л.И. Межиловская / Львов: Вища шк. 1988, 152 с.

66. Перевощиков В.А. Термическая очистка поверхности кремния с защитной оксидной пленкой в высоком вакууме / В.А. Перевощиков, В.Д. Скупов, В.Г. Шенгуров, Л.Е. Николаева / Поверхность. Физика, химия, механика. 1991, в. 10, с. 154- 157.

67. Кондратов А.В. Термическое испарение в вакууме при производстве изделий радиоэлектроники / А.В. Кондратов, А.А. Потапенко / М: Радио и связь, 1986. 80 с.

68. Ласка В.Л. Эффективность генерирования при массопереносе в вакууме / В.Л. Ласка, А.В. Кондратов, А.А. Потапенко / Инж.-физ. журнал. 1984. -Т.46, №6. - С. 949-952.

69. Технология и аппаратура газовой эпитаксии кремния и германия / Скворцов И.М., Лапидус И.И., Орион Б.В. и др. -М.: Энергия, 1978. -136 с.

70. Wright S. Reduction of Oxides jn Silicon by Heating in a Gallium Molecular Beam at 800 °C / S. Wright, H. Kroemer / Appl. Phys. Lett. 1980. -V.36, №3. -P.210-211.

71. Безрядин Н.Н. Получение тонких пленок полупроводниковых соединений в квазизамкнутом объеме / Н.Н. Безрядин, А.В. Буданов, Е.А. Татохин, Ю.К. Шлык / ПТЭ. 1998. - №5. - С. 150-152.

72. Безрядин Н.Н. Получение пленок полупроводниковых соединений в квазизамкнутом объеме / Н.Н. Безрядин Ю.В. Сыноров, A.M. Самойлов, Т.В. Прокопова, С.В. Сизов / Вестник ВГТУ серия «Материаловедение» выпуск 1.11 Воронеж 2002 г стр. 47-52.

73. Абрикосов Н.Г. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе / Н.Г. Абрикосов, В.Ф. Банкина, Л.В. Порецкая и др. / М.: Наука, 1975. -220 с.

74. Першенков B.C. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС / B.C. Першенков, В.Д. Попов, А.В. Шальнов. -М.: Энергоатомиздат, 1988. -252 с.

75. Коршунов Ф.П. Воздействие радиации на интегральные микросхемы / Ф.П. Коршунов, Ю.В. Богатырев, В.А. Вавилов. -Минск: Наука и техника, 1986. -253 с.

76. Кузнецов Н.В. Радиационная стойкость кремния / Н.В. Кузнецов, Г.Г. Соловьёв/-М.: Энергоатомиздат, 1989, 96с.

77. Горлов М.И. Радиационная стойкость кремниевых интегральных схем. Е.А. Ладыгин, И.Е. Лобов, Н.Н. Тонких, A.M. Черников, Ю.П. Юсов -М.: ЦНИИ "Электроника". Обзоры по ЭТ, сер.З, Микроэлектроника, вып.З (1296) 1987,40 с.

78. Безрядин Н.Н., Слои селенида галлия в структурах МДП на основе кремния. / Н.Н. Безрядин, А.С. Дронов, Т.А. Кузьменко, С.В. Сизов / Физика диэлектриков: Тезисы докладов за 2000 г., т.1 СПб.: Изд-во РГПУ им. А.И.Герцена, 2000.-е. 190-191.

79. Безрядин Н.Н. Устойчивость к радиационным воздействиям параметров гетероструктур Al-Ga2Se3-Si / Н.Н. Безрядин, Т.А. Кузьменко, Г.В. Сонов, С.В. Сизов / Материалы XLI отчетной конференции за 2002 год // Воронеж, ВГТА, 2003, с. 153.

80. Бабицкий Ю.М. Влияние предварительного низкотемпературного отжига на образование высокотемпературных доноров в монокристаллах кремния / Ю.М. Бабицкий, М.В. Васильева, П.М. Гринштейн / ФТП. 1991. Т. 25. Вып. 10. С. 1824-1827.

81. Вавилов B.C. Дефекты в кремнии и на его поверхности / B.C. Вавилов,

82. B.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев / -М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит. 1990. 216 с.

83. Сысоев Б.И. Повышение радиационной стойкости МОП-систем / Б.И. Сысоев, Н.Н. Безрядин, А.С. Дронов, Т.А. Кузьменко, Т.В. Прокопова, Г.В. Сонов, Н.И. Сухоруков / Электронная промышленность. 1994. № 4-5.1. C. 35-37.

84. Крылов Д.Г. Действие повторного облучения на свойства КМОП-структур / Д.Г. Крылов, Е.А. Ладыгин, Б.А. Шилин / Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1990. Вып. 4(207). С. 101 103.

85. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: в 2-х книгах. Кн. 1 М.: Мир, 1984.-с. 456.

86. Бронштейн И.Н. Справочник по математике для инженеров / И.Н. Бронштейн, К.А. Семендяев / -13-е изд., -М.: Наука, Гл. ред. физ.-мат. лит., 1986.-544 с.

87. Гусак А.А. Справочник по высшей математике / А.А. Гусак, Г.М. Гусак, Е.А. Бричикова / 6-е изд. - Мн.: ТетраСистеме, 2005. - 640 с.

88. Безрядин Н.Н. Внутренняя фотоэмиссия в гетеропереходе Ga2Se3-Si / Н.Н. Безрядин, Т.А. Кузьменко, С.В. Сизов, Е.А. Михайлюк, Ю.В. Сыноров / Конденсированные среды и межфазные границы, т.6 // №3, 2004 г, с. 2024.

89. Козякин B.C. О формировании прозрачных проводящих слоев в полупроводниковых структурах / B.C. Козякин А.П. Ровинский, В.Ф. Сыноров, Б.И. Сысоев / Вопросы техники полупроводникового производства, Воронеж, изд-во ВГУ, 1976, с. 59-62.

90. Симмонс Д.Г. Прохождение тока сквозь тонкие диэлектрические пленки // технология тонких пленок (справочник) / Под ред. Л.Майссела, Р.Глэнга: Пер. с англ. т.2. М.: Сов. Радио, 1977, с. 345 400.

91. Lenzlinger M. Fowler-Nordheim Tunneling into Thermally Grown Si02 / M. Lenzlinger, E.H. Snow / J. of Appl. Phys., 1969, v.40, №1, p.278-283.

92. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973, 456 с.

93. Berglund C.N. Photo injection into Si02: Electron Scattering in the Image Force Potential Wall / C.N. Berglund, R.T. Powell / J.Appl. Phys., 1971, v.42, №2, p.573-579.

94. Kadlec J. Results and Problems of Internal Photoemission in Sandwich Structures / J. Kadlec, K.H. Gundlach / Phys. Stat. Sol., 1976, v.37(a), №11, p.11-28.

95. Колеснеченко C.M. Исследование электрических свойств гетероперехода на основе Si Ga2Se3 / C.M. Колеснеченко, М.П. Тырзиу, В.Г. Тырзиу / Полупроводниковые материалы, структуры, измерительные и управляющие устройства. Кишинев: Штиинца, 1977. -с. 94-101.

96. Милне А. Гетеропереходы и переходы металл полупроводник / А. Милне, Д. Фойхт / Пер. с англ. - М.: Мир, 1975, - 432с.

97. Сысоев Б.И. Модуляция областей пространственного заряда в изотипных полевых структурах с подзатворным слоем широкозонного полупроводника / Б.И. Сысоев, В.Ф. Антюшин, В.Д. Стрыгин / ФТП. -1984. Т. 18, №10, с. 1739 - 1743.

98. Кошкин В.М. Полупроводниковые фазы со стехиометрическими вакансиями / В.М. Кошкин, JI.C. Палатник / Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1968, т.4, №11, -С. 1835 - 1839.

99. Драбкин И.А. Спонтанная диссоциация нейтральных состояний примесей на положительно и отрицательно заряженные состояния / И.А. Драбкин, Б.Л. Мойжес / ФТП, 1981, т. 15, в.4, -С. 625 648.

100. Гальчинецкий Л.П. Действие быстрых нейтронов на полупроводниковые кристаллы типа А2ШВ3У1 / Л.П. Гальчинецкий, В.М.

101. Кошкин, В.М. Кулаков, В.Н. Кулик, У.А. Улманис, В.И. Шаховцов / Монокристаллы и техника. 1972, вып.6, с.97 102.

102. Ананьина Д.Б. Кинетика фотопроводимости дефектного полупроводника 1п2Те3 / Д.Б. Ананьина, B.JI. Бакуменко, А.К. Бонаков, Г.Г. Грушка, Л.Н. Курбатов / ФТП, 1979, т.13, №15, с. 961 -964.

103. Старжинский Н.Г. О природе электрически активных центров в кристаллах сесквиселенида галлия / Н.Г. Старжинский, Л.П. Гальчинецкий / Сборник науч. тр. ВНИИ монокристалл., сцинтилляц. матер., и особо чистых хим. веществ. 1988, №21, с.24 29.

104. Шарма Б.Л. Полупроводниковые гетероструктуры / Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохт / Пер. с англ. / Под ред. Ю.В. Гуляева М.: Сов. радио, 1979, 232 с.

105. Безрядин Н.Н. Гетероструктуры Me Gd2Se3 - Si с эффектом поля / Н.Н. Безрядин, Т.А. Кузьменко, С.В. Сизов, Е.А. Михайлюк, Ю.В. Сыноров / Материалы Международной научной конференции "Тонкие пленки и наноструктуры" (Пленки 2004), с.204-207.

106. Безрядин Н.Н. Поверхностные электронные состояния в гетероструктуре М Ga2Se3 - (SiOJ Si / Н.Н. Безрядин, Т.А. Кузьменко, С.В. Сизов / Полупроводниковые гетероструктуры Текст.: сб. науч. тр. / Воронеж, гос. технол. акад. - Воронеж, 2005, - с. 139-150

107. Preier Н. Contributions of surface states to MOS impedance // Appl. Phys.Lett. 1967. V.10.№ll.p. 361-364.

108. Безрядин Н.Н. Туннельный механизм встраивания поверхностных электронных состояний в системах М- Ga2Se3 (Si02) Si / Н.Н. Безрядин,

109. С.В. Сизов, Е.А. Михайлюк / Материалы XLII отчетной конференции за 2003 год // Воронеж, ВГТА, 2004, с.6-8.

110. Бормонтов Е.Н. Исследования поверхностных состояний в МДП -структурах с учетом флуктуационных и туннельных эффектов / Е.Н. Бормонтов, С.В. Лукин / Тез. док. III Российской конференции по физике полупроводников "Полупроводники -97". М.: 1997. с. 318.

111. Бормонтов Е.Н. Физика и метрология МДП-структур: Учеб. пособие. -Воронеж: ВГУ, 1997. 184 с.