Свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии и изоляторе в области сверхвысоких частот тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Курганская, Любовь Викторовна

• Курганская, Любовь Викторовна
• кандидат физико-математических наук
• 2009

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Курганская, Любовь Викторовна

Введение.

Глава 1. Процессы формирования структур SiC/Si и SiC на изолирующих подложках.i.

1.1 Сублимационная эпитаксия.

1.2 Газофазная эпитаксия.

1.3 Эндотаксия.

1.4 Термическое испарение материала,пленки в вакууме.

1.5 Ионно-плазменное распыление.

1.6 Катодное распыление.

1.7 Магнетронное распыление.

Глава 2. Кинетические явления в полупроводниках на сверхвысоких частотах.

2.1 Высокочастотный эффект Холла.

2.2 Понятие магниторезистивного явления в полупроводниках.

2.2.1 Эффект магнетосопротивления (Гаусса).

2.2.2 Магниторезистивный эффект на СВЧ.

2.2.3 Методы исследования магниторезистивных свойств в полупроводниках.

2.2.4 Методы исследования магниторезистивного эффекта на СВЧ.

2.3 Инерционные явления в полупроводниках на сверхвысоких частотах

2.3.1 Механизм проявления инерции электронного газа.

2.3.2 Явление инерции в гальваномагнитных эффектах.

2.4 Термоэдс "горячих" носителей тока в полупроводниках.

2.5 Радиоэлектрический эффект.

Глава 3. Преобразователи СВЧ мощности на основе гетероструктур п

SiC/p-Si и n-SiC на изолирующих подложках.

3.1. Контролируемые параметры материала для преобразователей сверхвысоких частот.

3.2 Преобразователи n-SiC/p-Si и n-SiC на изолирующих подложках, полученные методом магнетронного напыления для исследования на сверхвысоких частотах.

3.2.1 Получение гетероструктур n-3C-SiC на кремниевых и изолирующих подложках.

3.2.3 Технология получения преобразователей СВЧ мощности на основе гетероструктур n SiC/p-Si и п SiC/изолятор.

3.2.4 Измерение В АХ гетероструктур SiC/Si, поликор, ситал.83)

3.3 Преобразователи n-SiC/p-Si и n-SiC на изолирующих подложках для исследования магнетосопротивления.

3.3.1 Исследование свойств гетероструктур n-SiC/p-Si и n-SiC на изолирующих подложках.

Глава 4. Электрофизические свойства и исследование в СВЧ дипазоне преобразователей на основе гетероструктур n-SiC/p-Si и n-SiC на изолирующих подложках.

4.1 Исследование радиоэлектрического эффекта в гетероструктурах карбида кремния в 3-х см диапазоне длины волны.

4.2 Исследование радиоэлектрического эффекта в гетероструктурах карбида кремния в 8 мм диапазоне длины волны.

4.3 Исследование радиоЭДС в области температур от +20° С до +300° С.

4.4 Определение коэффициента стоячей волны и оценка влияния термоЭДС.

4.5 Явление инерционности носителей заряда в электромагнитном поле СВЧ волны.

4.6 Исследование магниторезистивного эффекта на постоянном токе.

4.7 Исследование магниторезистивного эффекта на СВЧ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии и изоляторе в области сверхвысоких частот»

Широкое использование электромагнитного излучения сверхвысоких частот в различных областях науки и техники требует непрерывного совершенствования существующих и создания новых приборов СВЧ диапазона. Развитие средств космической радиосвязи и радиолокации предъявляет особые требования к мощности и миниатюрности СВЧ устройств. В связи с этим особого внимания заслуживает создание полупроводниковых приборов СВЧ, функционирующих при высоких уровнях СВЧ мощности и повышенных температурах окружающей среды. Создание подобных приборов предполагает использование широкозонных полупроводников с высокой подвижностью носителей заряда, высокой теплопроводностью. Этим требованиям в большой' степени отвечает полупроводниковый карбид кремния. Этот материал обладает также высокой радиационной стойкостью, высокой температурой Дебая и большой напряженностью поля пробоя.

Существующая технология получения объемных монокристаллов полупроводникового карбида кремния достаточно сложна и экономически неэффективна при серийном производстве полупроводниковых приборов, поэтому внимание исследователей направлено на создание пленок карбида кремния на каких-либо подложках. Свойства пленок отличаются от свойств объемных кристаллов, а также зависят от способа их получения. Поэтому разработка новых способов получения пленок карбида кремния и всестороннее исследование их свойств является весьма актуальной задачей. Одним из новых направлений в этой области является, получение карбида кремния на изолирующих подложках (ситалл, поликор). Особено это важно для приборов сверхвысоких частот, так как изолирующая^ подложка очень слабо возмущает СВЧ волны, то есть такая подложка будет в минимальной степени влиять на работу прибора.

Наиболее востребованным прибором СВЧ является измеритель мощности, так как мощность - это единственный параметр, характеризующий источник СВЧ излучения. Среди полупроводниковых приборов, пригодных для измерения СВЧ мощности можно выделить термисторы и гальваномагнитные преобразователи., Первые используются давно и служат основным элементом для. серийно выпускаемых измерителей СВЧ мощности. Как правило, термисторные преобразователи обладают высокой чувствительностью и большой инерционностью. Динамический диапазон работы таких преобразователей ограничен сотнями милливатт.

В основе действия гальваномагнитных преобразователей лежит высокочастотный эффект Холла или радиоэлектрический эффект, учитывающий наряду с эффектом Холла другие сопутствующие эффекты, например, термоэлектрический эффект, возникающий в результате неоднородного разогрева преобразователя полем СВЧ волны [1]1

Высокочастотный эффект Холла характеризуется очень малой постоянной

12 времени (время максвелловской релаксации, ~ 10" с), поэтому гальваномагнитные преобразователи практически безынерционны. С другой стороны, гальваномагнитные эффекты традиционно используются для исследования свойств и параметров полупроводниковых материалов.

В данной работе разработана технология получения тонких пленок карбида кремния методом магнетронного распыления. Показано, что пленки могут быть получены на полупроводниковых (кремний) и изолирующих (ситалл, поликор) подложках. Исследованы электрофизические свойства полученных пленок карбида кремния на постоянном токе и в области сверхвысоких частот.

Актуальность.

Развитие средств космической радиосвязи и радиолокации предъявляет особые требования к мощности и миниатюрности СВЧ устройств. В связи с этим особого внимания заслуживает создание полупроводниковых приборов СВЧ, функционирующих при высоких уровнях СВЧ мощности и повышенных температурах окружающей среды. Подобными свойствами обладает такой материал, как карбид кремния. Поэтому разработка новых способов получения пленок карбида кремния и всестороннее исследование их свойств является весьма актуальной задачей.

Научная новизна.

Впервые для преобразователей СВЧ мощности, работающих на радиоэлектрическом эффекте, были получены и использованы пленки карбида кремния на изолирующих подложках (n-SiC/Al203, n-SiC/Si02), полученные методом магнетронного распыления. Определено влияние необходимых параметров магнетронного распыления на электрофизические свойства пленок карбида кремния. Установлены оптимальные режимы роста пленок карбида кремния на изолирующих и полупроводниковых подложках.

Разработана и освоена технология получения тонких поликристаллических пленок (0,5-КЗ,0 мкм) карбида кремния, позволяющая получать гетероструктуры n-SiC/Al203, n-SiC/SiC>2, n-SiC/Si, способные функционировать в области высоких температур (до 300°С). Для получения гетероструктур n-SiC/Si, п-SiC/Al203, n-SiC/Si02 использовалась технология магнетронного распыления.

Получены образцы преобразователей СВЧ мощности. Установлена зависимость величины радиоэлектрического эффекта в поликристаллических пленках карбида кремния на изолирующих и кремниевых подложках от уровня СВЧ мощности в диапазонах 10 ГГц и 40 ГГц в интервале температур от 20°С до 300°С.

Проведен сравнительный анализ полученных вольт-ваттных характеристик преобразователей СВЧ-мощности на полупроводниковых (n-SiC/Si) и изолирующих подложках (n-SiC/Al2C)3, n-SiC/Si02). Показано, что для преобразователей на основе карбида кремния на изоляторе, максимально допустимая непрерывная мощность СВЧ излучения, как минимум, в 10 раз больше значений мощности преобразователей на основе кремния.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Методы исследования электрофизических свойств тонких пленок SiC на изолирующих и полупроводниковых подложках, полученных методом магнетронного распыления.

2. Результаты исследования радиоэдс от уровня проходящей в тракте непрерывной СВЧ мощности в диапазоне от 0 до 10 Вт на частоте ЮГГц и в диапазоне от 0 до 1 Вт непрерывной мощности на частоте 40ГГц в гетероструктурах n-SiC/Al203, n-SiC/Si02, n-SiC/Si.

3. Результаты анализа чувствительности карбидокремниевых преобразователей при увеличении температуры от 20°С до 300°С, оценка влияния побочных эффектов: термоэдс в объеме образца, контактная термоэдс.

4. Инерционность носителей заряда в гетероструктурах n-SiC/Al203, п-SiC/Si02, n-SiC/Si на частотах до 40 ГГц не' проявляется, таким образом, они могут быть использованы для создания различных приборов экстремальной электроники.

Цель работы:

Разработка технологии получения тонких поликристаллических пленок карбида кремния на изолирующих и полупроводниковых подложках методом магнетронного распыления, создание на их основе гальваномагнитных преобразователей для сверхвысоких частот.

Основные задачи диссертационной работы заключаются в следующем:

1. Определить оптимальные параметры процесса получения пленок карбида кремния методом магнетронного .распыления на изолирующих и полупроводниковых подложках.

2. Разработать экспериментальные образцы высокотемпературных преобразователей СВЧ мощности на основе гетероструктур n-SiC/Al203, n-SiC/Si02, n-SiC/Si. Исследовать электрофизические параметры полученных гетероструктур.

3. Исследовать в полученных преобразователях СВЧ мощности радиоэлектрический эффект в диапазонах сверхвысоких частот (10 ГГц и 40<ГТц), гальваномагнитные явления на постоянном токе и на СВЧ.

4. Оценить влияние сопутствующих эффектов в пленках карбида кремния1 в диапазоне температур от +20° С до +300° С при различных уровнях непрерывной мощности от 0 до 10 Вт.

5. Изучить инерционные свойства носителей заряда в гетероструктурах карбида кремния на изолирующих и полупроводниковых подложках.

Научно-практическое значение.

Результаты работы могут быть использованы для практического получения преобразователей на основе пленок карбида кремния с заданными параметрами методом магнетронного распыления на полупроводниковых и изолирующих подложках, на основе которых могут быть созданы приборы для измерения СВЧ-мощности больших уровней сигнала.

Апробация работы.

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих международных конференциях: Международной молодежной научной школе «Материалы нано-, микро- и оптоэлектроники: физические свойства и применение» (г.Саранск, 2005г.); Демидовских чтениях

Фундаментальные и прикладные проблемы современной физики» (г. Москва, 2006г.); XXXIV Международной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых (г. Кемерово, 2007г.); 6 Национальной конференции по применению рентгеновского синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (г. Москва, 2007 г.); VIII Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (г. Кисловодск, 2008г.); XX Совещании по использованию рассеяния нейтронов в исследованиях конденсированного состояния (г. Гатчина, 2008г.).

Предложенные в работе методы исследования карбидокремниевых гетероструктур на сверхвысоких частотах были использованы при выполнении договора по линии Министерства обороны РФ.

Публикации.

Основные материалы диссертации опубликованы в 17 научных работах, в том числе 5 статей (3 из них опубликованы в издании, рекомендованных ВАК) и 12 тезисов докладов.

Структура и объем диссертации.

Структура работы определена поставленной целью. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения, и списка литературы. Общий объем составляет 122 страницы, включая 52 рисунка и 4 таблицы. Список литературы содержит 104 наименования.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Курганская, Любовь Викторовна

Заключение

1. Разработанна технология получения тонких поликристаллических пленок карбида кремния на различных подложках методом магнетронного распыления.

2. Получены экспериментальные образцы на основе гетероструктур п-SiC/АЬОз, n-SiC/Si02, n-SiC/Si, способные работать на постоянном токе и в диапазонах частот от 10 до 40 ГГц с непрерывной мощностью от 1 до 10 Вт. Показано, что в гетероструктурах n-SiC/Al203, n-SiC/Si02, n-SiC/Si при воздействии электромагнитной волны, возникает эдс радиоэлектрического эффекта.

3. Установлено, что ЭДС радиоэлектрического эффекта линейно зависит от уровня проходящей в тракте СВЧ мощности в динамическом диапазоне от 0 до 10 Вт непрерывной мощности на частоте ЮГГц и в диапазоне от 0 до 1 Вт непрерывной мощности на частоте 40ГГц.

4. Показано, что инерционность носителей заряда на частоте 10 ГГц и 40 ГГц менее 0,5%, следовательно, инерционные явления можно не учитывать.

5. Явление термоэдс в гетероструктурах n-SiC/AbC^, n-SiC/SiC>2, n-SiC/Si существенно уменьшается путем выбора оптимальных параметров образцов.

6. Проведено исследование зависимости радиоэдс от уровня СВЧ мощности в диапазоне температур от +20° С до +300° С при различных уровнях непрерывной мощности от 0 до 10 Вт. Установлено, что в данном интервале температур значения радиоЭДС изменяются не более, чем на 20%.

7. Результаты исследований показали, что преобразователи СВЧ мощности на основе гетероструктур n-SiC/Al203, n-SiC/Si02, n-SiC/Si можно использовать для работы в области высоких температур и создания на их основе приборов для измерения и контроля больших уровней СВЧ сигнала.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Курганская, Любовь Викторовна, 2009 год

1. Список публикаций в ведущих рецензируемых научных журналах, утвержденных ВАК РФ

2. Комов A.M., Курганская JI.B., Щербак А.В. Безынерционные и высокочувствительные измерители СВЧ мощности больших уровней на базе гетеросфуктур SiC/Si // Нано и микросистемная техника. - 2006. № 2. С. 28-35. (автор-50%)

3. Курганская JT.B. Технология получения гетероструктур п-SiC/ p-Si и исследование радиоэлектрического эффекта в 8 миллиметровом свч — диапазоне. // Нано и микросистемная техника. - 2008. № 5. С. 37-40. (автор - 100%)

4. Курганская JLB. Исследование гетероструктур карбида кремния в области сверхвысоких частот до 40 ГГц. // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2009. Т. 12., № 1. С. 88-90. (автор - 100%)

5. Список публикаций в других изданиях

6. Комов A.I-L, Колесникова А.А., Курганская JI.B., Щербак А.В. Полупроводниковые преобразователи больших уровней СВЧ мощности. // Материалы нано-, микро- и оптоэлектроники: физические свойства и применение, Саранск, 2005г. С.93. (автор — 25%)

7. Комов А.Н., Колесникова А.А., Курганская JI.B., Щербак А.В. Тонкопленочпая технология для получения преобразователей СВЧ излучения на основе SiC/Si. // Харьковская нанотехнологическая Ассамблея. 2006. С. 121-126. (автор-40%)

8. Курганская JI.B. Технология получения тонких пленок карбида кремния на изолирующих подложках методом магнетронного напыления. // Материалы XI международной конференции, Санкт-Петербург. 2008. С. 369-370. (автор 100%)

9. Курганская Л.В., А.В. Щербак. Измерители СВЧ-мощности на основе пленок SiC. Самарский государственный университет. Самара, 2008. 18 е., 11 назв. Рукопись деп. В ВИНИТИ РАН (автор 70%)

10. Курганская JI.B., А.В. Щербак. Радиоэлектрический эффект в гетероструктурах SiC/Si в диапазоне 40 ГГц. Самарский государственный университет. Самара, 2008. 9 е., 4 назв. Рукопись деп. В ВИНИТИ РАН (автор 60%)

11. Список использованных источников

12. Готра, З.Ю. Л.Я. Ильницкий. Датчики. Львов: Каменяр, 1995. - 312 с.

13. Чопра Н.Л.Электрические явления в тонких пленках. — М.: Мир, 1972. С.253-254.

14. Мальгин С.Н., Панфилов Ю.В. Кластерное оборудование в микроэлектронике и обзоры по электронной технике. — М.: «Электроника», 2005.

15. V.Shenoy and A.Shamia, Phys. Rev. Lett. 86 (2001) 119.

16. Курбанов M.K., Билалов Б.А. Исследование гетероструктур SiC/(SiC)i X(A1N)K методом вольт-фарадных характеристик // ФТП. 2001. Т. 35. №2. С. 216-218.

17. Yakimova R., Ciechonski R. // Comparison of SiC sublimation epitaxial growth in graphite and TaC coated crucibles (International Conference of New Diamond Science and Technology, Melbourne, 2002), p. 1936-1939.

18. Vodakov, Yu.A., Mokhov, E.N., Ramm, M.G., Roenkov, A.D. // Kristal und Technik. 1979, 14.-p. 729.

19. Аникин, M.M., Гусева, Н.Б., Дмитриев, B.A., Сыркин, А.Л. // Изо, АН СССР. Неорг. матер., 20, 1768 (1984).

20. Konstantinov, А.О., Ivanov, Р.А. // Silicon Carbide and Related Materials, ed. by M.G. Spencer, R.P. Devaty, J.A. Edmond, M. Asif Khan, M. Rahman (inst. Phys. : Conf. Ser. N 137; Inst. Phys. Publ., Bristol and Philadelphia, 1993) p. 37.

21. Водаков Ю.А., Мохов E.H. Прогресс в выращивании кристаллов и изучение широкозонных полупроводниковых материалов // ФТТ. 1999. Т. 41. № 5. С. 822-825.

22. Yoo W., Nishino S., Matsunami H. Epitaxial Growth of Thick Single Crystal in Cubic Silicon Carbide by Sublimation Method. // Mem. Fac. Eng. Univ. 1987, V.49, No l.-p. 21-31.

23. Davis, R.F., Kelner, G., Shur, M., Palmour, J.W., Edmond, J.A. // Proc. IEEE. -1991, 79.-p. 677.

24. Хенг С., Хонг Я. Пленки SiC, выращенные методом химического газофазного осаждения с горячей нитью, и их фотолюминесценция при комнатной температуре // ТИИЭР (русский перевод). 2004. Т. 19. № 6. С. 455-457.

25. Зеленин В.В., Корогодский M.JI. Некоторые аспекты газофазной эпитаксии карбида кремния // ФТП. 2001. Т. 35. № 10. С. 1169-1171.

26. Nishino S., Suhara Н., Ono Н., Matsunami Н. Epitaxial Growth and electric characteristics of cubic SiC on Silicon. // J. Appl. Phys. V.61, 1987, p.p. 48894892

27. Kong, H.S., Glass, J.T, Davis, R.F. // J. Appl. Phys. 1988, 64. - p. 2672

28. Saidov, Kh.A. Shamuratov, M.A. Kadyrov Study of Growth conditions of Silicon Epitaxial layers. M.S. // Crystal Growth, V.87, 1988, p.p. 519-522

29. Matsunami, H. // Silicon Carbide and Related Materials, ed. by M.G. Spencer, R.P. Devaty, J A. Edmond, M. Asif Khan, M. Rahman (Inst. Phys. Conf. Ser. N 137; Inst. Phys. Publ., Bristol and Philadelphia, 1993) p. 45.

30. Гуревич JI. Э., Мезрин О. А. Свето- и термоэлектрические эффекты, создаваемые электромагнитной волной в проводящей среде // ФТТ. 1974. Т.16. №3. С.773-384.

31. Чепурнов В.И., Колесникова А.А. Дефектообразования при эндотаксии (3-SiC на Si подложках для датчиков физичеких величин // Химия твердого тела и современные микро и нанотехнологии. VI межд. конф. Кисловодск: СевКавГТУ, 2006. 510 с.

32. Комов А.Н., Колесникова А.А., Чепурнов В.И., Щербак А.В. Технология датчиков физических величин на карбиде кремния. // Оптика. Оптоэлектропика. Технология. Ульяновск, 2003г

33. Комов A.I-L, Чепурнов В.И., Воловик А.Н., Щербак А.В. Моделирование диффузиоиногою. механизма формирования эпитаксиального P-SiC/Si Самарский государственный университет. Самара, 2003. 5 е., 3 назв. Рукопись деп. В ВИНИТИ РАН

34. Щербак А.В. Радиоэлектрического эффект в гетероструктурах карбид кремния па кремнии.: дис. канд. ф.-м. наук: 01.04.10 , 2005. 110 с.

35. А. V. Mitin, Proc. of the XIV Ural Int. Winter School on the Physics of Semiconductors, (Ekaterinburg, 18-22 Febr. 2002), L10.

36. Фельдман JI., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок. М: Мир, 2001. - 344 с.

37. P. Konsin and В. Sorkin, Phys. Rev. В 58, 1998. p. 30.

38. Белянин А.Ф., Пащенко П.В. и др.// Тр.ХП Междунар. симпозиума «Тонкие пленки в электронике». Харьков, 2001. С. 96-105.

39. Дорожкип А. А., Филимонов А.В. // Особенности анализа слоистых структур с использованием ионного распыления. ЖТФ. 1997. Т. 67.№ 9. С. 257-259.

40. Растворные пленочные технологии: Учеб. пособие / Т. Н. Патрушева. Красноярск: ИПЦ КГТУ, 2002. 140с.

41. Моргулис Н. Д., Катодное распыление, «Успехи физических наук», 1946, т. 28, в. 2-3, с. 202.

42. DeLouise L.A. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1993. Vol. 11. P. 609.

43. Плешивцев H.B. Катодное распыление. M.: Атомиздат, 1991. с. 25 32.

44. Семенов А.П. Источник ионов (с полым катодом) на основе разряда // Приборы и техника эксперимента. 1991. № 1. С. 177-178.

45. Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел. Сборник статей. Составитель Е. С. Машкова. М.: Мир. 1998.

46. Cheblukov Yu.N., ICoshkarev D.G., Peuto A.R. et al. // Part. Accel. 1992. V. 37. P. 351.

47. Electronic and ionic impact phenomena/Ed. H.S.W. Massey, Burhop. Oxford. Clarendon press, 1997.

48. Маишев Ю.П. Особенности катодного распыления // Вакуумная техника и технология. 1998. Т.2. № 4. С. 154.

49. Сомов С.В. Магнетронное распыление. М.:«Радио и связь», 1995. 73 с.

50. Грошковский Я.А., "Техника высокого вакуума", М., Мир, 1991, с.46-60.

51. Т. Е. Sheridan, М. J. Goeckner, J. Goree. Electron distribution Functions in a sputtering Magnetron Disharge. Jap. J. Appl. Phys., vol. 34, P. 1, 1995, pp. 49774982.

52. Данилин B.C., Сырчин B.H. Магнетронные распылительные системы. M.:, Радио и связь. 1989. 72 с.

53. Технология топких пленок. Справочник. Т. 1 / Под ред. JI. Майссела, Р. Глэнга. М.: Сов. радио. 1977. 664 с.

54. А.И. Костржицкий, В.Ф. Карпов. Справочник оператора установок по нанесению покрытий в вакууме. М.: «Машинострение» ,1991.

55. Kataolca S. The measurement of lOGc/s microwave power, employing the Hall effect in semiconductors // Res/ electrotechn. Lab. Vol. 61. №626 — 1962. — P. 713.

56. Шехтер Д. Ш. Исследование магниторезистивного эффекта в полупроводпике в высокочастотном магнитном поле и возможность его применения для измерения высоких уровней СВЧ мощности // Дис. канд. физ.- мат. наук. Саратов, 1974.-120 с.

57. Блатт Ф., Физика электронной проводимости в твердых телах, пер. с англ.,1. М., 1971.

58. Силаев М. А., Комов А. Н. Измерительные полупроводниковые СВЧ преобразователи. М.: Радио и связь, 1984, 152 с.

59. К.Зеегер Физика полупроводников. М.: Мир, 1977, - С.616.

60. А.Н.Марчсико. Полупроводниковые магниторезисторы на основе антимонида индия // Электронная техника. № 7 1997. -С.67-72.

61. А.Н. Комов, В.М. Трещев, Г.П. Яровой. Гальваномагнитные СВЧ -преобразователи. М.: Радио и связь. -2000. - С. 11-14.

62. Омельяновский Э.М., Фистуль В.И. Определение холл-фактора в атомных полупроводниках. «Заводская лаборатория», 1964. № 5. С. 559-562.

63. А.Кобус, Я.Тушинский. Датчики Холла и магниторезисторы. М.: Энергия, 1971,- с.198.

64. Кухарский А.А., Субашиев В.К. Гальваномагнитные кинетичекие коэффициенты при произвольном магнитном поле // ФТТ. 1971. Т. 13. № 8. С. 2258-2260.

65. Завадский Э.А., Коврижных Ю.Т. Гальваномагнитные эффекты в полупроводниках с неравномерным распределением примесей // ФТТ. 1965. Т. 7. № 12. С. 3582-3587.

66. Бутиков Е. И., Кондратьев А. С, Уздин В. М. Физика: Учеб. пособие: в 3 кн. Кн.З. Строение и свойства вещества. — М.: Физматлит, 2004 — 336 с.

67. Ивин, А.Н.Марчеико. Магниторезистор и способ его изготовления // Электронная техника. № 3 1989. -С.84-86.

68. Сиукаев Н.В. К методике измерения кинетических эффектов в полупроводниках // Труды педагогич. вузов Северного Кавказа. Орджоникидзе, Ростовский на - Дону Гос. пед. институт. 1968. С. 59-62.

69. Т.А.Татур Основы теории электромагнитного поля. М.: Высшая школа. -1995,-С.348

70. И.П.Жеребцов. Введение в технику дециметровых и сантиметровых волн. -Л.: Энергия.-1989. С. 184.

71. Котоносов Н.В. Использование физических явлений в полупроводниках для анализа тонкой структуры СВЧ-поля. Воронеж, Воронежский университет. 1971.

72. B.JI. Бопч-Бруевич, С.Г.Калашников. Физика полупроводников. М.: Наука.-1990, - С.262.

73. Мохов, E.IT., Водаков, Ю.А., Ломакина, Г.А. // Проблемы физики и технологии широкозоппых полупроводников. — 1991. С. 136.

74. Комов A.I-L, Колесникова А.А., Чепурнов В.И., Щербак А.В. Инерционные явления в гетероструктурах SiC/Si // Оптика. Оптоэлектроника. Технология. Ульяновск, 2003г.

75. Воловик ATI., Колесникова А.А., Комов А.Н., Щербак А.В. Инерция носителей заряда в гетероструктурах SiC/Si Самарский государственный университет. Самара, 2003. 5 е., 3 назв. Рукопись деп. В ВИНИТИ РАН.

76. Гуляев Ю. В. О возникновении постоянной ЭДС при распространении электромагнитной волны в проводящей среде // Радиотехника и электропика. 1968. Т. 13. №4. С.688-694.

77. Leavenworth, Marzuk I., Schwartz R. F. The application of Hall-effect devices to the measurement of power density // lap. I. Appl. Phys.- 1962. Pt. 2-23, - №11.-P.862-890.

78. Чемнлин К., Амстронг Д., Гандерсон П. Инерция носителей заряда в полупроводниках // ТИИЭР (русский перевод). 1964. Т. 52. №6. С. 720-728.

79. Hambleton G. Е., Gartner W. W. Microwave Hall effect in Germanium and Silicon at 70 kmc. Presented at the symposium on millimeter waves //Polytechnic Inst, of Brooklyn. 1959. P.87-94.

80. Аскеров Б.М. Кинетические эффекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1993.

81. Хилсум К., Роуз-Инс А. Полупроводники типа AmBv. М.: Иностр. Лит-ра, 1989. С. 323.

82. Займан Дж. Принципы теории твердого тела. М.: Мир, 1998.

83. Киреев П.С. Физика полупроводников. М.: Высшая школа, 1969.

84. Френк Дж. Блотт. Теория подвижности электронов в твердых телах. M.;JI.: Физматгиз, 1963.

85. Маделуыг О. Теория твердого тела- М.: Наука, 1980- 416 е.; Физика твердого тела. Локализованные состояния-М.: Наука, 1985 — 184 с.

86. Китель Г. Введение в физику твердого тела. М.: Физматгиз, 1962.

87. Конуэлл Э. Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях. М.: Мир, 1970.

88. Бэрк Г.Ю. Справочное пособие по магнитным явлениям- М.: Энергоатомиздат, 1991.-384 с.

89. Смит Р. Полупроводники. М.: Мир, 1982.

90. Гуляев Ю. В. О возникновении постоянной ЭДС при распространении электромагнитной волны в проводящей среде // Радиотехника и электроника . 1968.- т. 13. вып.4. — с. 688-695.

91. Кучис Е. В. Методы исследования эффекта Холла. — М.: Советское радио, 1975.-С. 328.

92. Валитов Ф.А. Радиоизмерения на сверхвысоких частотах. М.: Воениздат, 1996.

93. Комов А.Н. О термоэдс, возникающей при измерении СВЧ-мощности. — Саратов: СГУ, Вып.7, 1999.

94. Ершов В.В., Кац Л.И. Преобразователи СВЧ-мощности высокого уровня // Измерит, техника. 1980. № 6. С. 61.

95. Каганов М.И., Шапиро А.А. О возникновении термоэлектрических сил на радиоэлектрический эффект в полупроводниках // ФТТ.Т.12.№10-1991.-С.3019-3021.

96. Балмуш И.И., Касиян А.И. Термоэлектрические эффекты в многослойных полупроводниковых структурах. Кишенев «Штица», 1992.

97. Перель В.И., Пинский Я.М. Постоянный ток в проводящей среде, обусловленный высокочастотным электромагнитным полем // ФТТ. Т. 15. № 4 1973. - С.996-1003.

98. Гуревич JI. Э., Мезрин О. А. Свето- и термоэлектрические эффекты, создаваемые электромагнитной волной в проводящей среде // ФТТ. Т.16. №3 — 1974. С.773-384.

99. Sikorsky S. Kobus A. Influence of the skin-effect on Hall voltage in semiconductors // Solid-State Electronics Pergamon Press. Vol. 10 — 1968. — P. 1063-1068.

100. Водаков Ю.А., Ломакина Г.А., Мохов Е.Н. Карбид кремния, легированный алюминием и галлием // Свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1977.-С. 48-53.

101. Swiderski L, szczutowski W., Niemyski Т. Preparation of nitrogen-doped and phosphorus-doped epitaxial a-SiC layers on silicon carbide crystals // J. Cryst. Growth 1974, 23, № 3. p. 185-189.

102. Мохов E.H., Усманова M.M., Юлдашев Г.Ф. и др. // Изв. АН СССР. Неорг. Мат. 1981, т. 17, №2.-С. 258-261.

103. Водаков Ю.А., Махмудов Б.С., Мохов Е.Н. и др. Легирование карбида кремния фосфором и индием // Легирование полупроводников. — М.: Наука, 1982, 89с.

104. Комов А.Н., Колесникова А.А., Щербак А.В. Электрофизические свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии в области сверхвысоких частот. // «Кремний-2003», Москва, 2003г. С.227.

105. Anikin М.М., Rastegaeva M.G., Syrkin A.L., Chuico I.V. Ohmic contacts to silicon carbide devises. // Proc. of 3-rd Int. Conf. of Amorth. and Crystalline SiC, ed. by G.L. Harris et al, Springer-Verlag. Berlin. 1992. P. 183-189.

106. Arnodo С., Туе S., Wyczisk F., Brylinski С. Nickel and molybdenum ohmic contacts on silicon carbide // Silicon carbide and Related Mat. Conf. Kyoto Japan. 1996. Ser. N 142. P.577.

107. Anikin M.M., Rastegaeva M.G., Syrkin A.L., Chuico I.V. Ohmic contacts to silicon carbide devises. // Abstr. of 3-rd Int. Conf. of Amorph. and Crystalline SiC. USA. Washington. 1990. P.53.

108. Шур M. Физика полупроводниковых приборов. M.: Мир, 1992.

109. М.Н. Фейгинов, В.А. Волков. Скин эффект и отклик полупроводниковых барьерных структур // Письма в ЖЭТФ. 1999. Т. 69. № 4. С. 307-312.

110. Агарев В.П., Пантелеев В.А. Четырехзондовый метод измерения удельного сопротивления полупроводников: Описание лабораторной работы. Нижний Новгород: ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2002. - 12 с.

111. Гольдштейн Л. Д., Зерно в Н. В. Электромагнитные поля и волны. Изд. 2-е, перераб. и дополненное. М. Изд-во «Советское радио», 1971, С. 664.

112. Цидильковский И.М. Электроны и дырки в поле сил инерции // Успехи физических наук.- 1975.- Т. 115, № 2.- С. 321-331.